JP4247871B2

JP4247871B2 - Lead frame and semiconductor device

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Publication number: JP4247871B2
Application number: JP2002134376A
Authority: JP
Inventors: 真也三村; 哲之平島; 寛樹河邑; 武森田
Original assignee: Mitsui High Tech Inc
Current assignee: Mitsui High Tech Inc
Priority date: 2002-05-09
Filing date: 2002-05-09
Publication date: 2009-04-02
Anticipated expiration: 2022-05-09
Also published as: JP2003332511A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体によって半導体チップを封止し、前記樹脂封止体の底面に露呈する所定個数の端子パッドを、前記底面の縁部に沿って配設した半導体装置、および該半導体装置の製造に使用されるリードフレームに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、リードフレームを使用した樹脂封止型の半導体装置においては、小型化の要求を満足させるために、樹脂封止体の側面に端子リードを突出させることなく、矩形状を呈する樹脂封止体の底面に端子パッドを露出させた、所謂ＱＦＮ(Quad Flat Non-leaded package)と呼ばれる半導体装置が注目されている。
【０００３】
図１６および図１７は、ＱＦＮタイプの半導体装置の一例を示しており、この半導体装置Ａは、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体Ｐを具備し、矩形状を成す樹脂封止体Ｐの底面Ｐｂには、その縁部に沿って所定個数の端子パッドＥ、Ｅ…が露出するとともに、上記底面Ｐｂの中央部には矩形状を呈するダイパッドＤが露出している。
【０００４】
なお、上記ダイパッドＤには半導体チップＩが搭載され、この半導体チップＩと端子パッドＥ、Ｅ…とは、ボンディングワイヤＷ、Ｗ…を介して接続されており、これら半導体チップＩおよびボンディングワイヤＷ、Ｗ…は、樹脂封止体Ｐによって樹脂封止されている。
【０００５】
図１８および図１９は、上述した半導体装置Ａの製造に使用されるリードフレームを示しており、該リードフレームＬＦは、矩形状を呈するダイパッドＤと、このダイパッドＤを囲繞する四角い枠状のタイバーＴとを有し、上記ダイパッドＤは、四隅のサポートバーＳ、Ｓ…を介してタイバーＴに支持されている。
【０００６】
さらに、上記リードフレームＬＦにおいては、ダイパッドＤとタイバーＴとの間に、上記タイバーＴにおける各々の辺Ｔａ、Ｔａ…に沿って、所定個数の端子パッドＥ、Ｅ…が、２列に並置された位置態様において形成されている。
【０００７】
図２０に示す如く、上述したリードフレームＬＦを用いて半導体装置Ａを製造するには、先ず(ａ)の如くリードフレームＬＦを用意し、(ｂ)の如くリードフレームＬＦの裏面全体にカバーフィルムＦを貼付し、(ｃ)の如くダイパッドＤに半導体チップＩを搭載したのち、半導体チップＩと各電極パッドＥとをボンディングワイヤＷで接続する。
【０００８】
次いで(ｄ)の如くリードフレームＬＦの半導体チップ搭載面を樹脂により封止して樹脂封止体Ｐを形成し、こののちリードフレームＬＦからカバーフィルムＦを剥がし、リードフレームＬＦを切り離すことによって、(ｅ)に示す如き製品としての半導体装置Ａが完成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した半導体装置Ａの製造に使用されるリードフレームＬＦは、図１８および図１９に示す如く、ダイパッドＤをタイバーＴに支持させるためのサポートバーＳが、ダイパッドＤの角部ＤｃとタイバーＴの隅部Ｔｃとに亘って形成されている。
【００１０】
このため、リードフレームＬＦのコーナー部には電極パッドＥを形成することができず、このようにコーナー部に電極パッドＥが形成されていないリードフレームＬＦを使用して製造された半導体装置Ａは、図１６に示す如く樹脂封止体Ｐの底面Ｐｂにおけるコーナー部が端子パッドＥの設けられていないデッドスペースとなり、これによって半導体装置Ａの外観形状(平面形状)が徒らに大形化することで、上記半導体装置Ａを基板等に実装する際の実装密度を向上させることができなかった。
【００１１】
本発明は上記実状に鑑みて、外観形状の徒らな大形化を未然に防止し、実装密度の向上を達成し得る半導体装置の提供を目的とするものである。
【００１２】
また、本発明は上記実状に鑑みて、半導体装置における外観形状の徒らな大形化を未然に防止し、半導体装置における実装密度の向上を達成し得るリードフレームの提供を目的とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明に関わるリードフレームは、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体によって半導体チップを封止し、前記樹脂封止体の底面に露呈する所定個数の端子パッドを、前記底面の縁部に沿って配設した半導体装置の製造に使用されるリードフレームであって、矩形状を呈するダイパッドと、該ダイパッドを囲繞する四角い枠状のタイバーと、前記ダイパッドと前記タイバーとの間において該タイバーの辺に沿って配設された所定個数の端子パッドとを有し、前記タイバーにおける一辺と平行して延びる第１の直線部と該第１の直線部から前記タイバーにおける一辺と直交する他辺と平行して延びる第２の直線部とから成り、前記ダイパッドの角部および前記タイバーの隅部から離隔した位置に接続されたサポートバーによって、前記ダイパッドを前記タイバーに支持させると共に、自身のコーナー部分に前記端子パッドを備えるよう構成することで上記目的を達成している。
【００１４】
また、本発明に関わる半導体装置は、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体によって半導体チップを封止し、前記樹脂封止体の底面に露呈する所定個数の端子パッドを、前記底面の縁部に沿って配設した半導体装置であって、製造に使用されるリードフレームを、矩形状を呈するダイパッドと、該ダイパッドを囲繞する四角い枠状のタイバーと、前記ダイパッドと前記タイバーとの間において該タイバーの辺に沿って配設された所定個数の端子パッドとを有し、前記タイバーにおける一辺と平行して延びる第１の直線部と該第１の直線部から前記タイバーにおける一辺と直交する他辺と平行して延びる第２の直線部とから成り、前記ダイパッドの角部および前記タイバーの隅部から離隔した位置に接続されたサポートバーによって、前記ダイパッドを前記タイバーに支持させると共に、自身のコーナー部分に前記端子パッドを備えるよう構成することで上記目的を達成している。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１および図２は、本発明に関わる第１実施例の半導体装置を示しており、この半導体装置１はＱＦＮタイプの半導体装置であって、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体２を具備している。
【００１６】
上記樹脂封止体２の矩形状を成す底面２ｂには、所定個数の端子パッド１３、詳しくは内側の端子パッド１３(Ｉ)と、外側の端子パッド１３(Ｏ)とが、上記底面２ｂの縁部に沿って２列に並置されて露出しているとともに、上記底面２ｂの中央部には矩形状を呈するダイパッド１１が露出している。
【００１７】
なお、上記ダイパッド１１には半導体チップ３が搭載され、この半導体チップ３と各端子パッド１３(Ｉ)、１３(Ｏ)とは、ボンディングワイヤ４を介して接続されており、これら半導体チップ３およびボンディングワイヤ４は、樹脂封止体２によって樹脂封止されている。
【００１８】
図３および図４は、上述した半導体装置１の製造に使用される第１実施例のリードフレームを示しており、該リードフレーム１０は、矩形状を呈するダイパッド１１と、このダイパッド１１を囲繞する四角い枠状のタイバー１２とを有し、上記ダイパッド１１は、後に詳述するサポートバー１４、１４…を介してタイバー１２に支持されている。
【００１９】
さらに、上記リードフレーム１０においては、ダイパッド１１とタイバー１２との間に、上記タイバー１２における各々の辺１２ａ、１２ａ…に沿って、所定個数の端子パッド１３、すなわち上述した内側の端子パッド１３(Ｉ)と外側の端子パッド１３(Ｏ)とが２列に並置されて形成されている。
【００２０】
ここで、上記ダイパッド１１とタイバー１２とを繋いでいるサポートバー１４は、上記ダイパッド１１の角部１１ｃから、タイバー１２における１つ（図４中における左方）の辺１２ａと平行して延びる直線部１４ａと、該直線部１４ａからタイバー１２における他の１つ（図４中における上方）の辺１２ａと平行して延びる直線部１４ｂとから成り、上記直線部１４ｂは辺１２ａにおけるタイバー１２の隅部１２ｃから離隔した位置に接続されている。
【００２１】
また、上記リードフレーム１０におけるコーナー部分には、上述したサポートバー１４によって邪魔されることなく、端子パッド１３、詳しくは外側の端子パッド１３(Ｏ)が形成されている。
【００２２】
図５に示す如く、上述したリードフレーム１０を用いて半導体装置１を製造するには、先ず(ａ)の如くリードフレーム１０を用意し、(ｂ)の如くリードフレーム１０の裏面全体にカバーフィルムＦを貼付し、(ｃ)の如くダイパッド１１に半導体チップ３を搭載したのち、該半導体チップ３と各々の電極パッド１３(Ｉ)、１３(０)とをボンディングワイヤ４、４…で接続する。
【００２３】
次いで(ｄ)の如くリードフレーム１０の半導体チップ搭載面を樹脂により封止して樹脂封止体２を形成し、こののちリードフレーム１０からカバーフィルムＦを剥がし、リードフレーム１０を切り離すことによって、(ｅ)に示す如き製品としての半導体装置１が完成する。
【００２４】
ここで、上述した如くリードフレーム１０のコーナー部分には、サポートバー１４に邪魔されることなく端子パッド１３が形成されているため、上記リードフレーム１０を使用して製造された半導体装置１においては、図１からも明らかなように、樹脂封止体２における底面２ｂのコーナー部分に電極パッド１３が配設されることとなる。
【００２５】
かくして、上述した構成のリードフレーム１０によれば、半導体装置１における樹脂封止体２の外観形状(平面形状)を、従来の半導体装置に比べて小型化することができ、もって半導体装置１における実装密度の向上を達成することが可能となる。
【００２６】
言い換えれば、上述した構成のリードフレーム１０を使用して製造した半導体装置１によれば、樹脂封止体２における外観形状(平面形状)を、従来の半導体装置に比べて小型化することができ、これによって基板等に対する実装密度の向上が達成されることとなる。
【００２７】
なお、上述したリードフレーム１０において、タイバー１２の各辺１２ａと各端子パッド１３とを繋ぐバーは、裏面側からハーフエッチングされているため、封止されて樹脂封止体２の底面２ｂに露出しないことは周知のとおりである。
【００２８】
また、上述した実施例においては、樹脂封止体２の底面２ｂに各サポートバー１４が露出しているが、各サポートバー１４を裏面側からハーフエッチングし、樹脂封止体２に封止して底面２ｂから露出しないよう構成しても良い。
【００２９】
ところで、図１６〜図２０に示した従来の半導体装置Ａにおいては、樹脂封止体Ｐの底面ＰｂにダイパッドＤが露出している。
言い換えれば、半導体装置Ａを製造する際に、樹脂封止時の樹脂漏れを防ぐ等の目的から、リードフレームＬＦの裏面にカバーフィルムＦを貼着するため、樹脂封止体Ｐの底面ＰｂにダイパッドＤが露出した構造と成らざるを得ない。
【００３０】
このように、ダイパッドＤが樹脂封止体Ｐの底面Ｐｂから露出している構成では、封止樹脂とダイパッドＤとの界面に剥離が生じる虞れがあり、また封止樹脂とダイパッドＤとの剥離によって、樹脂封止体Ｐに反り等の変形が生じてしまう虞れがある。
【００３１】
さらに、樹脂封止体Ｐの底面Ｐｂから露出しているダイパッドＤが、半導体装置Ａの実装時、基板に形成された回路パターンと電気的に接触してしまう不都合があった。
【００３２】
図６および図７は、上述した不都合の解消をも考慮して構成された、本発明に関わる第２実施例の半導体装置を示しており、この半導体装置１′はＱＦＮタイプの半導体装置であって、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体２′を有している。
【００３３】
樹脂封止体２′の矩形状を成す底面２ｂ′には、所定個数の端子パッド２３、詳しくは内側の端子パッド２３(Ｉ)と、外側の端子パッド２３(Ｏ)とが、上記底面２ｂ′の縁部に沿って２列に並置されて露出しており、さらに上記底面２ｂ′には後述する所定個数のポスト２１Ｐ、２１Ｐ…が露出している。
【００３４】
なお、上記ダイパッド２１には半導体チップ３′が搭載され、この半導体チップ３′と各端子パッド２３(Ｉ)、２３(Ｏ)とは、ボンディングワイヤ４′を介して接続されており、これら半導体チップ３′およびボンディングワイヤ４′は、樹脂封止体２′によって樹脂封止されている。
【００３５】
図８は、上述した半導体装置１′の製造に使用される第２実施例のリードフレームを示しており、該リードフレーム２０におけるダイパッド２１は、裏面をハーフエッチングすることによって、その裏面側に封止樹脂を充填させる態様で肉薄に形成されている。
【００３６】
また、上記ダイパッド２１の裏面には、所定個数(実施例においては４個)のポスト２１Ｐが突設されており、これらのポスト２１Ｐ、２１Ｐ…は、ダイパッド２１の裏面をハーフエッチングする際、エッチングされずに取り残された部位によって構成されている。
【００３７】
また、上記ダイパッド２１の中央部には、該ダイパッド２１の反り変形を防止する目的で、補強部を構成する丸孔形状の開口２１Ｏが貫通形成されている。
【００３８】
さらに、上記リードフレーム２０の各サポートバー２４、２４…は、上述したダイパッド２１と同じく、裏面側からハーフエッチングすることによって、その裏面側に封止樹脂を充填させる態様で肉薄に形成されている。
【００３９】
なお、上記リードフレーム２０は、上述した如くダイパッド２１および各サポートバー２４を薄肉に形成し、かつダイパッド２１にポスト２１Ｐと開口２１Ｏとを設けた以外、図３および図４に示したリードフレーム１０と何ら変わるところはない。もって上記リードフレーム２０において、リードフレーム１０の要素と同一の作用を成すものには、図３および図４と同一の符号に１０を加算して、２０番台の符号を附すことにより詳細な説明は省略する。
【００４０】
図９に示す如く、上述したリードフレーム２０を用いて半導体装置１′を製造するには、先ず(ａ)の如くリードフレーム２０を用意し、(ｂ)の如くリードフレーム２０の裏面全体にカバーフィルムＦを貼付し、(ｃ)の如くダイパッド２１に半導体チップ３′を搭載したのち、該半導体チップ３′と各々の電極パッド２３(Ｉ)、２３(０)とをボンディングワイヤ４′、４′…で接続する。
【００４１】
次いで(ｄ)の如くリードフレーム２０の半導体チップ搭載面およびダイパッド２１の裏面を樹脂により封止して樹脂封止体２′を形成し、こののちリードフレーム２０からカバーフィルムＦを剥がし、リードフレーム２０を切り離すことによって、(ｅ)に示す如き製品としての半導体装置１′が完成する。
【００４２】
ここで、上記リードフレーム２０を使用して製造された半導体装置１′においては、図６からも明らかなように、樹脂封止体２′における底面２ｂ′のコーナー部分に電極パッド２３が配設されることとなる。
【００４３】
かくして、上述した構成のリードフレーム２０によれば、半導体装置１′における樹脂封止体２′の外観形状(平面形状)を、従来の半導体装置に比べて小型化することができ、もって半導体装置１′における実装密度の向上を達成することが可能となる。
【００４４】
言い換えれば、上述した構成のリードフレーム２０を使用して製造した半導体装置１′によれば、樹脂封止体２′における外観形状(平面形状)を、従来の半導体装置に比べて小型化することができ、これによって基板等に対する実装密度の向上が達成されることとなる。
【００４５】
また、上述した構成によれば、樹脂封止体２′における底面２ｂ′には、所定個数のポスト２１Ｐが露出するのみで、ダイパッド２１における裏面の大部分は樹脂封止体２′により封止されているため、封止樹脂とダイパッド２１との界面における剥離を未然に防止することができ、また樹脂封止体２′における反り等の変形をも未然に防止することができる。
【００４６】
また、樹脂封止体２′の底面２ｂ′から露出しているポスト２１Ｐの面積は、ダイパッド２１全体に比べて極く小さいため、半導体装置１′の実装時、基板に形成された回路パターンとポスト２１Ｐとが電気的に接触する確率は極めて少なく、さらに上記ポスト２１Ｐを避けて回路パターンを形成する等の工夫により、上記回路パターンとの電気的な接触を完全に防止することができる。
【００４７】
また、ダイパッド２１の裏面にポスト２１Ｐを形成したことにより、半導体装置１′の製造時、リードフレーム２０の裏面に貼着したカバーフィルムＦに、ポスト２１Ｐを介してダイパッド２１が支えられることで、ダイパッド２１が肉薄に形成されていても、何ら支障なく半導体チップの搭載やボンディングワイヤの接続を実施することができる。
【００４８】
さらに、ダイパッド２１に補強部としての開口２１Ｏを形成したことで、肉薄に形成されているダイパッド２１が補強されることとなり、該ダイパッド２１における反り等の変形を可及的に防止することができる。
【００４９】
なお、上述した実施例においては、裏面をハーフエッチングすることによってダイパッド２１を薄肉としているが、コイニングによってダイパッド２１を薄肉とすることも可能であり、この場合、ポスト２１Ｐ以外の部位をコイニングすることで、ダイパッド２１の裏面にポスト２１Ｐが形成されることとなる。
【００５０】
また、リードフレーム２０の形状加工とポスト２１Ｐの形成とは、例えばエッチング法によってリードフレーム２０を形状加工し、ポスト２１Ｐをハーフエッチングによって形成する、あるいはプレスによるスタンピング法によってリードフレーム２０を形状加工し、ポスト２１Ｐをハーフエッチングによって形成する等、様々な態様の形成方法を採用することが可能である。
【００５１】
また、上述した実施例においては、ダイパッド２１における補強部を、丸孔形状の開口２１Ｏによって構成しているが、ダイパッド２１の変形を防止するための補強部としては、様々な形状の開口を採用し得ることは言うまでもない。
【００５２】
図１０に示した第３実施例のリードフレーム２０′では、ダイパッド２１′の中央部に、補強部を構成する略十字形状の開口２１Ｏ′が形成されている。
【００５３】
また、図１１に示した第４実施例のリードフレーム２０″では、ダイパッド２１″における四方の縁部に、補強部を構成する略三角形状の開口(切欠き)２１Ｏ″が形成されている。
【００５４】
ここで、上記リードフレーム２０′、およびリードフレーム２０″は、補強部の形状以外、上述したリードフレーム１０と何ら変わるところはないので、図８と同一の符号にダッシュ(′)、およびダブルダッシュ(″)を附すことにより詳細な説明は省略する。
【００５５】
このように、ダイパッドの補強部としては様々な形状の開口を採用することが可能であり、さらにダイパッドの変形を防止するための補強部としては、様々な形状の開口のみならず、例えばダイパッドの表面(あるいは裏面)に形成した凹溝や凸条等、様々な構成をも採用し得ることは言うまでもない。
【００５６】
次に、第５実施例の半導体装置１″およびリードフレーム５０について説明する。
【００５７】
図７、図８に示すように、第２実施例の半導体装置１′は、内側の端子パッド２３(Ｉ)と外側の端子パッド２３(Ｏ)とが、底面２ｂ′の縁部に沿って２列に並置されている。
【００５８】
よって、半導体チップ３′と外側の端子パッド２３(Ｏ)とを接続するためのボンディングワイヤ４′は、内側の端子パッド２３(Ｉ)をまたいで結線する場合がある。
【００５９】
そのため、ボンディングワイヤ４′が自重、樹脂封止時の樹脂の流力等の何らかの原因で垂れてしまった場合、内側の端子パッド２３(Ｉ)の上部に接触してショートしてしまう可能性がある。
【００６０】
第５実施例は、上述した不都合の解消を考慮して構成された実施例である。
【００６１】
図１２に示すように、第５実施例の半導体装置１″はＱＦＮタイプの半導体装置であって、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体２″を有している。
【００６２】
樹脂封止体２″における矩形状を成す底面２ｂ″には、半導体装置１″の底面外観図である図１２(ｂ)に示すように、所定個数の端子パッド５３、すなわち、内側の端子パッド５３(Ｉ)と外側の端子パッド５３(Ｏ)とが、底面２ｂ″の縁部に沿って２列に並置されて露出しており、さらに上記底面２ｂ″には第２実施例と同様の所定個数のポスト５１Ｐ、５１Ｐ…が露出している。
【００６３】
なお、ダイパッド５１には、図１２(ｂ)に示す半導体装置１″のＢ−Ｂ線断面図である図１４に示すように、半導体チップ３″が搭載され、半導体チップ３″と各端子パッド５３(Ｉ)、５３(Ｏ)とは、ボンディングワイヤ４″を介して接続されており、これら半導体チップ３″およびボンディングワイヤ４″は、樹脂封止体２″によって樹脂封止されている。
【００６４】
ここで、図１２(ａ)に示す半導体装置１″のＡ−Ａ線断面図である図１３に示すように、半導体チップ３″と外側の端子パッド５３(Ｏ)とを接続するためのボンディングワイヤ４″がまたいで、すなわち上方を横切って結線される内側の端子パッド５３(Ｉ)には、薄肉部５３(Ｉ1)が形成されている。
【００６５】
図１５は、上述した半導体装置１″の製造に使用されるリードフレーム５０の上面を示している。
【００６６】
ダイパッド５１とタイバー５２との間には、タイバー５２における各々の辺５２ａ、５２ａ…に沿って、所定個数の端子パッド５３、すなわち内側の端子パッド５３(Ｉ)と外側の端子パッド５３(Ｏ)とが２列に並置されて形成されている。
【００６７】
そして、内側の端子パッド５３(Ｉ)は、半導体チップ３″と外側の端子パッド５３(Ｏ)とを接続するためのボンディングワイヤ４″が上方を横切って結線される箇所(図１３参照)に、上面をハーフエッチングまたはプレス加工等を行うことにより薄肉部５３(Ｉ1)が形成されている。
【００６８】
つまり、内側の端子パッド５３(Ｉ)のうち、半導体チップ３″と外側の端子パッド５３(Ｏ)とを接続するためのボンディングワイヤ４″が上方を横切って結線される端子パッド５３(Ｉ)に、薄肉部５３(Ｉ1)が形成されている。
【００６９】
ここで、リードフレーム５０は、第２実施例のリードフレーム２０と対照し、内側の端子パッド５３(Ｉ)に薄肉部５３(Ｉ1)を形成した以外、図８に示したリードフレーム２０と何ら変わるところはない。もって上記リードフレーム５０において、リードフレーム２０の要素と同一の作用を成すものには、図８と同一の符号に３０を加算して、５０番台の符号を附すことにより詳細な説明は省略する。
【００７０】
また、上述したリードフレーム５０を用いて半導体装置１″を製造する方法は、第２実施例の半導体装置１′と同様な方法で製造されるので、その説明は省略する。
【００７１】
上記構成によれば、ボンディングワイヤ４″が上方を横切る内側の端子パッド５３(Ｉ)に薄肉部５３(Ｉ1)が形成されるので、ボンディングワイヤ４″が自重、樹脂封止時の封止樹脂の流力等により垂れた際にも端子パッド５３(Ｉ)に接触することが防止され、ショートの発生が未然に防止される。
【００７２】
また、リードフレーム５０の内側の端子パッド５３(Ｉ)に薄肉部５３(Ｉ1)を形成した以外の構成は、第２実施例の半導体装置１′と同様な構成であるので、前述の第２実施例の半導体装置１′と同様な効果を奏する。
【００７３】
なお、上記実施例では、内側の端子パッド５３(Ｉ)に薄肉部５３(Ｉ1)を形成したが、薄肉部５３(Ｉ1)に代替して薄肉部５３(Ｉ1)の箇所をエッチング、プレス加工等により切り欠いた切り欠き部を形成してもよい。
【００７４】
また、上述の説明では、薄肉部５３(Ｉ1)または切り欠き部の形状を矩形としたが、その角部にＲ部またはＣ部を形成したり、その形状を矩形ではなく円状、楕円状等としたり、矩形以外の任意の形状を選択してもよい。
【００７５】
また、上記の例では、端子パッド５３が内側の端子パッド５３(Ｉ)と外側の端子パッド５３(Ｏ)との２列の場合を例示したが、端子パッドが３列以上に形成される場合においても、ボンディングワイヤが上方を横切る端子パッドに薄肉部または切り欠き部を形成すれば、上述と同様の効果を奏する。
【００７６】
また、ダイパッド５１の形状は、上述の形状以外の第１実施例のダイパッドの形状、第３実施例または第４実施例のダイパッドの形状等、その他の形状を取り得ることは言うまでもない。
【００７７】
なお、上述した各実施例においては、樹脂封止体における底面の縁部に沿って端子パッドが２列に並置して設けられている半導体装置、および該半導体装置の製造に使用されるリードフレームを例示しているが、樹脂封止体における底面の縁部に沿って端子パッドが１列のみ設けられている半導体装置、および該半導体装置の製造に使用されるリードフレームにおいても、本発明を有効に適用し得ることは勿論である。
【００７８】
また、上述した各実施例においては、端子パッドが２列に並置して設けられているリードフレームにおいて、サポートバーを略Ｌ字状に屈曲させた形状とした構成を例示しているが、例えばタイバーの辺に沿って端子パッドが１列のみ設けられているリードフレームにおいては、ダイパッドの角部からタイバーの辺と平行して延びる一直線状にサポートバーを形成することも可能である。
【００７９】
【発明の効果】
以上、詳述した如く、本発明に関わるリードフレームは、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体によって半導体チップを封止し、前記樹脂封止体の底面に露呈する所定個数の端子パッドを、前記底面の縁部に沿って配設した半導体装置の製造に使用されるリードフレームであって、矩形状を呈するダイパッドと、該ダイパッドを囲繞する四角い枠状のタイバーと、前記ダイパッドと前記タイバーとの間において該タイバーの辺に沿って配設された所定個数の端子パッドとを有し、前記ダイパッドの角部から前記タイバーの辺と平行して延び、かつ前記タイバーの隅部から離隔した位置に接続されたサポートバーによって、前記ダイパッドを前記タイバーに支持させるよう構成している。
【００８０】
上述の如き構成によれば、リードフレームのコーナー部分にサポートバーが占位しないため、上記リードフレームのコーナー部分に電極パッドを設けることが可能となり、このリードフレームを使用して製造した半導体装置では、樹脂封止体における底面のコーナー部分に電極パッドが配設されることとなる。
【００８１】
かくして、上述した構成のリードフレームによれば、半導体装置における樹脂封止体の外観形状(平面形状)を、従来の半導体装置に比べて小型化することができ、もって半導体装置における実装密度の向上を達成することが可能となる。
【００８２】
また、本発明に関わる半導体装置は、平面形が矩形状を呈する樹脂封止体によって半導体チップを封止し、前記樹脂封止体の底面に露呈する所定個数の端子パッドを、前記底面の縁部に沿って配設した半導体装置であって、製造に使用されるリードフレームを、矩形状を呈するダイパッドと、該ダイパッドを囲繞する四角い枠状のタイバーと、前記ダイパッドと前記タイバーとの間において該タイバーの辺に沿って配設された所定個数の端子パッドとを有し、前記ダイパッドの角部から前記タイバーの辺と平行して延び、かつ前記タイバーの隅部から離隔した位置に接続されたサポートバーによって、前記ダイパッドを前記タイバーに支持させるよう構成している。
【００８３】
上述の如き構成によれば、リードフレームのコーナー部分にサポートバーが占位しないため、上記リードフレームのコーナー部分に電極パッドを設けることが可能となり、このリードフレームを使用して製造した半導体装置では、樹脂封止体における底面のコーナー部分に電極パッドが配設されることとなる。
【００８４】
かくして、上述した構成の半導体装置によれば、樹脂封止体における外観形状(平面形状)を、従来の半導体装置に比べて小型化することができ、これによって基板等に対する実装密度の向上が達成されることとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 (ａ)および(ｂ)は本発明に関わる半導体装置の第１実施例を示す側面外観図および底面外観図。
【図２】図１に示した半導体装置の概念的な断面側面図。
【図３】図１の半導体装置を製造するために使用される本発明に関わるリードフレームの第１実施例を示す全体平面図。
【図４】図３に示したリードフレームの要部拡大平面図。
【図５】図３に示したリードフレームを使用して図１に示した半導体装置を製造する手順を示す工程図。
【図６】 (ａ)および(ｂ)は本発明に関わる半導体装置の第２実施例を示す側面外観図および底面外観図。
【図７】図６に示した半導体装置の概念的な断面側面図。
【図８】図６の半導体装置を製造するために使用される本発明に関わるリードフレームの第２実施例を示す全体底面図。
【図９】図８に示したリードフレームを使用して図６に示した半導体装置を製造する手順を示す工程図。
【図１０】本発明に関わるリードフレームの第３実施例を示す全体底面図。
【図１１】本発明に関わるリードフレームの第４実施例を示す全体底面図。
【図１２】 (ａ)および(ｂ)は本発明に関わる半導体装置の第５実施例を示す側面外観図および底面外観図。
【図１３】図１２(ａ)に示した半導体装置のＡ−Ａ線断面要部拡大図。
【図１４】図１２(ｂ)に示した半導体装置のＢ−Ｂ線断面図。
【図１５】図１２の半導体装置を製造するために使用される本発明に関わるリードフレームの第５実施例を示す全体平面図。
【図１６】 (ａ)および(ｂ)は従来の半導体装置を示す側面外観図および底面外観図。
【図１７】図１６に示した従来の半導体装置を示す概念的な側面断面図。
【図１８】図１６に示した半導体装置を製造するために使用されるリードフレームの全体平面図。
【図１９】図１８に示したリードフレームの要部拡大平面図。
【図２０】図１８に示したリードフレームを使用して図１６に示した半導体装置を製造する手順を示す工程図。
【符号の説明】
１、１′、１″…半導体装置、
２、２′、２″…樹脂封止体、
２ｂ、２ｂ′、２ｂ″…底面、
３、３′、３″…半導体チップ、
４、４′、４″…ボンディングワイヤ、
１０、２０、２０′、２０″、５０…リードフレーム、
１１、２１、２１′、２１″、５１…ダイパッド、
１２、２２、２２′、２２″、５２…タイバー、
１３、２３、２３′、２３″、５３…端子パッド、
５３(Ｉ1)…薄肉部、
１４、２４、２４′、２４″、５４…サポートバー、
２１Ｐ、２１Ｐ′、２１Ｐ″、５１Ｐ…ポスト、
２１Ｏ、２１Ｏ′、２１Ｏ″、５１Ｏ…開口（補強部）。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
In the present invention, a semiconductor chip is sealed with a resin sealing body having a rectangular planar shape, and a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body are disposed along the edge of the bottom surface. The present invention relates to a semiconductor device and a lead frame used for manufacturing the semiconductor device.
[0002]
[Prior art]
In recent years, in a resin-encapsulated semiconductor device using a lead frame, a resin-encapsulated body that exhibits a rectangular shape without protruding terminal leads on the side surfaces of the resin-encapsulated body in order to satisfy the demand for miniaturization A so-called QFN (Quad Flat Non-leaded package) semiconductor device, in which terminal pads are exposed on the bottom surface, is drawing attention.
[0003]
16 and 17 show an example of a QFN type semiconductor device. This semiconductor device A includes a resin sealing body P having a rectangular planar shape, and the resin sealing body P having a rectangular shape. A predetermined number of terminal pads E, E... Are exposed along the edges of the bottom surface Pb of the, and a rectangular die pad D is exposed at the center of the bottom surface Pb.
[0004]
A semiconductor chip I is mounted on the die pad D, and the semiconductor chip I and terminal pads E, E... Are connected via bonding wires W, W. , W ... are resin-sealed by a resin sealing body P.
[0005]
18 and 19 show a lead frame used for manufacturing the semiconductor device A described above. The lead frame LF includes a rectangular die pad D and a square frame-like tie bar surrounding the die pad D. The die pad D is supported by the tie bar T via support bars S, S... At the four corners.
[0006]
Further, in the lead frame LF, between the die pad D and the tie bar T, a predetermined number of terminal pads E, E... Are juxtaposed in two rows along the respective sides Ta, Ta. Are formed in different positions.
[0007]
As shown in FIG. 20, in order to manufacture the semiconductor device A using the above-described lead frame LF, first, a lead frame LF is prepared as shown in (a), and a cover film is formed on the entire back surface of the lead frame LF as shown in (b). After F is pasted and the semiconductor chip I is mounted on the die pad D as shown in (c), the semiconductor chip I and each electrode pad E are connected by bonding wires W.
[0008]
Next, as shown in (d), the semiconductor chip mounting surface of the lead frame LF is sealed with resin to form a resin sealing body P, and then the cover film F is peeled off from the lead frame LF, and the lead frame LF is separated, The semiconductor device A as a product as shown in (e) is completed.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
By the way, in the lead frame LF used for manufacturing the semiconductor device A described above, as shown in FIGS. 18 and 19, the support bar S for supporting the die pad D on the tie bar T includes the corner portion Dc of the die pad D and the tie bar. It is formed over the corner Tc of T.
[0010]
For this reason, the electrode pad E cannot be formed in the corner portion of the lead frame LF, and the semiconductor device A manufactured using the lead frame LF in which the electrode pad E is not formed in the corner portion is thus provided. As shown in FIG. 16, the corner portion of the bottom surface Pb of the resin sealing body P becomes a dead space in which the terminal pad E is not provided, whereby the external shape (planar shape) of the semiconductor device A is increased in size. Thus, the mounting density when mounting the semiconductor device A on a substrate or the like could not be improved.
[0011]
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of preventing an increase in external shape and achieving an improvement in mounting density.
[0012]
Another object of the present invention is to provide a lead frame that can prevent an increase in external shape of a semiconductor device and achieve an improvement in mounting density in the semiconductor device in view of the above-described actual situation. is there.
[0013]
[Means for Solving the Problems]
In the lead frame according to the present invention, a semiconductor chip is sealed with a resin sealing body having a rectangular planar shape, and a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body are formed on the edge of the bottom surface. A lead frame used for manufacturing a semiconductor device disposed along a die pad having a rectangular shape, a rectangular frame-shaped tie bar surrounding the die pad, and the tie bar between the die pad and the tie bar. A predetermined number of terminal pads disposed along the side, A corner portion of the die pad, comprising: a first straight line portion extending in parallel with one side of the tie bar; and a second straight line portion extending in parallel with the other side perpendicular to the one side of the tie bar from the first straight line portion. and The above object is achieved by supporting the die pad on the tie bar by a support bar connected to a position separated from the corner of the tie bar and providing the terminal pad at the corner of the die pad.
[0014]
Further, in the semiconductor device according to the present invention, a semiconductor chip is sealed with a resin sealing body having a rectangular planar shape, and a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body are connected to the edge of the bottom surface. A semiconductor device arranged along a section, wherein a lead frame used for manufacturing is formed between a die pad having a rectangular shape, a square frame-shaped tie bar surrounding the die pad, and the die pad and the tie bar. A predetermined number of terminal pads disposed along the side of the tie bar; A corner portion of the die pad, comprising: a first straight line portion extending in parallel with one side of the tie bar; and a second straight line portion extending in parallel with the other side perpendicular to the one side of the tie bar from the first straight line portion. and The above object is achieved by supporting the die pad on the tie bar by a support bar connected to a position separated from the corner of the tie bar and providing the terminal pad at the corner of the die pad.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
1 and 2 show a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. This semiconductor device 1 is a QFN type semiconductor device, and includes a resin sealing body 2 having a rectangular planar shape. It has.
[0016]
A predetermined number of terminal pads 13, more specifically, an inner terminal pad 13 (I) and an outer terminal pad 13 (O), are formed on the bottom surface 2b of the resin sealing body 2 having a rectangular shape. The die pad 11 having a rectangular shape is exposed at the central portion of the bottom surface 2b while being exposed in two rows along the edge.
[0017]
A semiconductor chip 3 is mounted on the die pad 11, and the semiconductor chip 3 and the terminal pads 13 (I) and 13 (O) are connected via bonding wires 4. The bonding wire 4 is resin-sealed by the resin sealing body 2.
[0018]
3 and 4 show a lead frame of the first embodiment used for manufacturing the semiconductor device 1 described above. The lead frame 10 surrounds a die pad 11 having a rectangular shape and the die pad 11. The die pad 11 is supported by the tie bar 12 via support bars 14, 14... Which will be described in detail later.
[0019]
Further, in the lead frame 10, a predetermined number of terminal pads 13, that is, the above-described inner terminal pads 13 () are provided between the die pad 11 and the tie bar 12 along the sides 12 a, 12 a. I) and the outer terminal pads 13 (O) are formed side by side in two rows.
[0020]
Here, the support bar 14 connecting the die pad 11 and the tie bar 12 is a straight line extending in parallel with one side 12a (left side in FIG. 4) of the tie bar 12 from the corner 11c of the die pad 11. Part 14a and a straight part 14b extending from the straight part 14a in parallel to the other side 12a (upper side in FIG. 4) of the tie bar 12, and the straight part 14b is a corner of the tie bar 12 on the side 12a. It is connected to a position separated from the portion 12c.
[0021]
Further, the terminal pad 13, specifically, the outer terminal pad 13 (O) is formed at the corner portion of the lead frame 10 without being disturbed by the support bar 14 described above.
[0022]
As shown in FIG. 5, in order to manufacture the semiconductor device 1 using the above-described lead frame 10, first, the lead frame 10 is prepared as shown in (a), and the cover film is formed on the entire back surface of the lead frame 10 as shown in (b). After F is attached and the semiconductor chip 3 is mounted on the die pad 11 as shown in (c), the semiconductor chip 3 and each electrode pad 13 (I), 13 (0) are connected by bonding wires 4, 4,. .
[0023]
Next, as shown in (d), the semiconductor chip mounting surface of the lead frame 10 is sealed with resin to form the resin sealing body 2, and then the cover film F is peeled off from the lead frame 10 to separate the lead frame 10. The semiconductor device 1 as a product as shown in (e) is completed.
[0024]
Here, since the terminal pad 13 is formed at the corner portion of the lead frame 10 without being obstructed by the support bar 14 as described above, in the semiconductor device 1 manufactured using the lead frame 10, As is apparent from FIG. 1, the electrode pad 13 is disposed at the corner portion of the bottom surface 2 b of the resin sealing body 2.
[0025]
Thus, according to the lead frame 10 having the above-described configuration, the external shape (planar shape) of the resin sealing body 2 in the semiconductor device 1 can be reduced as compared with the conventional semiconductor device. It becomes possible to achieve an improvement in mounting density.
[0026]
In other words, according to the semiconductor device 1 manufactured using the lead frame 10 having the above-described configuration, the external shape (planar shape) of the resin sealing body 2 can be reduced in size as compared with the conventional semiconductor device. As a result, an improvement in the mounting density on the substrate or the like is achieved.
[0027]
In the lead frame 10 described above, the bars connecting the sides 12a of the tie bars 12 and the terminal pads 13 are half-etched from the back side, and therefore are sealed and exposed to the bottom surface 2b of the resin sealing body 2. It is well known not to.
[0028]
In the above-described embodiment, each support bar 14 is exposed on the bottom surface 2b of the resin sealing body 2, but each support bar 14 is half-etched from the back surface side and sealed to the resin sealing body 2. It may be configured not to be exposed from the bottom surface 2b.
[0029]
Incidentally, in the conventional semiconductor device A shown in FIGS. 16 to 20, the die pad D is exposed on the bottom surface Pb of the resin sealing body P.
In other words, when the semiconductor device A is manufactured, the cover film F is adhered to the back surface of the lead frame LF for the purpose of preventing resin leakage at the time of resin sealing. It must be a structure in which the die pad D is exposed.
[0030]
As described above, in the configuration in which the die pad D is exposed from the bottom surface Pb of the resin sealing body P, there is a possibility that peeling occurs at the interface between the sealing resin and the die pad D, and between the sealing resin and the die pad D. There is a possibility that deformation such as warpage may occur in the resin sealing body P due to peeling.
[0031]
Furthermore, there is a problem that the die pad D exposed from the bottom surface Pb of the resin sealing body P is in electrical contact with the circuit pattern formed on the substrate when the semiconductor device A is mounted.
[0032]
FIGS. 6 and 7 show a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention, which is configured in consideration of the above-described inconvenience, and this semiconductor device 1 ′ is a QFN type semiconductor device. Thus, it has a resin sealing body 2 ′ whose planar shape is rectangular.
[0033]
A predetermined number of terminal pads 23, more specifically, inner terminal pads 23 (I) and outer terminal pads 23 (O), are formed on the bottom surface 2b 'of the resin sealing body 2'. .. Are exposed side by side in two rows along the edge of ′, and a predetermined number of posts 21P, 21P, which will be described later, are exposed on the bottom surface 2b ′.
[0034]
A semiconductor chip 3 'is mounted on the die pad 21, and the semiconductor chip 3' and each terminal pad 23 (I), 23 (O) are connected via bonding wires 4 '. The chip 3 ′ and the bonding wire 4 ′ are resin-sealed by the resin sealing body 2 ′.
[0035]
FIG. 8 shows the lead frame of the second embodiment used for manufacturing the semiconductor device 1 ′ described above. The die pad 21 in the lead frame 20 is sealed on the back side by half-etching the back side. It is thinly formed in a mode in which a stop resin is filled.
[0036]
In addition, a predetermined number (four in the embodiment) of posts 21P project from the back surface of the die pad 21, and these posts 21P, 21P... Are etched when the back surface of the die pad 21 is half-etched. It is comprised by the site | part left without being.
[0037]
Further, a round hole-shaped opening 21 </ b> O that constitutes a reinforcing portion is formed through the central portion of the die pad 21 for the purpose of preventing warpage deformation of the die pad 21.
[0038]
Further, each of the support bars 24, 24... Of the lead frame 20 is formed thin so that the back side is filled with a sealing resin by half-etching from the back side, like the die pad 21 described above. .
[0039]
The lead frame 20 has the die pad 21 and each support bar 24 formed thin as described above, and the post frame 10 shown in FIGS. 3 and 4 except that the die pad 21 is provided with a post 21P and an opening 21O. There is no difference. Therefore, in the lead frame 20, the same function as the element of the lead frame 10 will be described in detail by adding 10 to the same reference numerals as those in FIGS. Is omitted.
[0040]
As shown in FIG. 9, in order to manufacture the semiconductor device 1 'using the above-described lead frame 20, first, the lead frame 20 is prepared as shown in (a), and the entire back surface of the lead frame 20 is covered as shown in (b). After the film F is pasted and the semiconductor chip 3 'is mounted on the die pad 21 as shown in (c), the semiconductor chip 3' and the respective electrode pads 23 (I), 23 (0) are bonded to the bonding wires 4 ', 4 Connect with ′….
[0041]
Next, as shown in (d), the semiconductor chip mounting surface of the lead frame 20 and the back surface of the die pad 21 are sealed with resin to form a resin sealing body 2 ', and then the cover film F is peeled off from the lead frame 20, By separating 20, a semiconductor device 1 ′ as a product as shown in (e) is completed.
[0042]
Here, in the semiconductor device 1 ′ manufactured using the lead frame 20, as is apparent from FIG. 6, the electrode pad 23 is disposed at the corner portion of the bottom surface 2 b ′ in the resin sealing body 2 ′. Will be.
[0043]
Thus, according to the lead frame 20 having the above-described configuration, the external shape (planar shape) of the resin sealing body 2 ′ in the semiconductor device 1 ′ can be reduced as compared with the conventional semiconductor device. It is possible to achieve an improvement in the mounting density at 1 ′.
[0044]
In other words, according to the semiconductor device 1 ′ manufactured using the lead frame 20 having the above-described configuration, the external shape (planar shape) of the resin sealing body 2 ′ can be reduced as compared with the conventional semiconductor device. As a result, an improvement in mounting density with respect to the substrate or the like is achieved.
[0045]
Further, according to the configuration described above, only a predetermined number of posts 21P are exposed on the bottom surface 2b 'of the resin sealing body 2', and most of the back surface of the die pad 21 is sealed by the resin sealing body 2 '. Therefore, peeling at the interface between the sealing resin and the die pad 21 can be prevented in advance, and deformation such as warpage in the resin sealing body 2 'can also be prevented.
[0046]
In addition, since the area of the post 21P exposed from the bottom surface 2b ′ of the resin sealing body 2 ′ is extremely small compared to the entire die pad 21, the circuit pattern formed on the substrate when the semiconductor device 1 ′ is mounted The probability of electrical contact with the post 21P is extremely low, and electrical contact with the circuit pattern can be completely prevented by means such as forming a circuit pattern by avoiding the post 21P.
[0047]
Further, by forming the post 21P on the back surface of the die pad 21, the die pad 21 is supported via the post 21P on the cover film F adhered to the back surface of the lead frame 20 when the semiconductor device 1 ′ is manufactured. Even if the die pad 21 is formed thin, it is possible to mount the semiconductor chip and connect the bonding wires without any trouble.
[0048]
Further, since the die pad 21 is formed with the opening 21O as the reinforcing portion, the thin die pad 21 is reinforced, and deformation of the die pad 21 such as warpage can be prevented as much as possible. .
[0049]
In the above-described embodiment, the die pad 21 is thinned by half-etching the back surface. However, the die pad 21 can be thinned by coining, and in this case, portions other than the post 21P are coined. Thus, the post 21 </ b> P is formed on the back surface of the die pad 21.
[0050]
The shape processing of the lead frame 20 and the formation of the post 21P are performed by, for example, processing the shape of the lead frame 20 by an etching method, forming the post 21P by half etching, or processing the shape of the lead frame 20 by a stamping method using a press. Various forms of forming methods such as forming the post 21P by half etching can be employed.
[0051]
In the above-described embodiment, the reinforcing portion in the die pad 21 is configured by the round hole-shaped opening 21O. However, various shapes of openings are employed as the reinforcing portion for preventing the deformation of the die pad 21. It goes without saying that it can be done.
[0052]
In the lead frame 20 'of the third embodiment shown in FIG. 10, a substantially cross-shaped opening 21O' constituting a reinforcing portion is formed at the center of the die pad 21 '.
[0053]
Further, in the lead frame 20 ″ of the fourth embodiment shown in FIG. 11, substantially triangular openings (notches) 21O ″ constituting reinforcing portions are formed at the four sides of the die pad 21 ″.
[0054]
Here, the lead frame 20 ′ and the lead frame 20 ″ are not different from the above-described lead frame 10 except for the shape of the reinforcing portion. Detailed description is omitted by adding (″).
[0055]
As described above, openings of various shapes can be adopted as the reinforcement part of the die pad, and the reinforcement part for preventing the deformation of the die pad is not limited to the openings of various shapes. Needless to say, various configurations such as a groove and a ridge formed on the front surface (or the back surface) can also be adopted.
[0056]
Next, the semiconductor device 1 ″ and the lead frame 50 of the fifth embodiment will be described.
[0057]
As shown in FIGS. 7 and 8, in the semiconductor device 1 'of the second embodiment, the inner terminal pad 23 (I) and the outer terminal pad 23 (O) are arranged along the edge of the bottom surface 2b'. It is juxtaposed in two rows.
[0058]
Therefore, the bonding wire 4 ′ for connecting the semiconductor chip 3 ′ and the outer terminal pad 23 (O) may be connected across the inner terminal pad 23 (I).
[0059]
Therefore, if the bonding wire 4 'hangs down due to its own weight, resin flow force during resin sealing, or the like, there is a possibility that the bonding wire 4' may come into contact with the upper portion of the inner terminal pad 23 (I) and short-circuit. is there.
[0060]
The fifth embodiment is an embodiment configured in consideration of solving the above-mentioned disadvantages.
[0061]
As shown in FIG. 12, the semiconductor device 1 ″ of the fifth embodiment is a QFN type semiconductor device and has a resin sealing body 2 ″ whose planar shape is rectangular.
[0062]
As shown in FIG. 12B, which is a bottom external view of the semiconductor device 1 ″, a predetermined number of terminal pads 53, that is, inner terminal pads are formed on the bottom surface 2b ″ having a rectangular shape in the resin sealing body 2 ″. 53 (I) and the outer terminal pads 53 (O) are juxtaposed and exposed in two rows along the edge of the bottom surface 2b ″, and the bottom surface 2b ″ is the same as in the second embodiment. A predetermined number of posts 51P, 51P... Are exposed.
[0063]
As shown in FIG. 14 which is a cross-sectional view taken along line BB of the semiconductor device 1 ″ shown in FIG. 12B, the die chip 51 is mounted with a semiconductor chip 3 ″, and the semiconductor chip 3 ″ and each terminal pad. 53 (I) and 53 (O) are connected via a bonding wire 4 ″, and the semiconductor chip 3 ″ and the bonding wire 4 ″ are resin-sealed by a resin sealing body 2 ″.
[0064]
Here, as shown in FIG. 13 which is a cross-sectional view taken along line AA of the semiconductor device 1 ″ shown in FIG. 12A, bonding for connecting the semiconductor chip 3 ″ and the outer terminal pad 53 (O) is performed. A thin portion 53 (I1) is formed on the inner terminal pad 53 (I) which is connected across the wire 4 ″, that is, across the upper side.
[0065]
FIG. 15 shows an upper surface of the lead frame 50 used for manufacturing the semiconductor device 1 ″ described above.
[0066]
Between the die pad 51 and the tie bar 52, a predetermined number of terminal pads 53, that is, an inner terminal pad 53 (I) and an outer terminal pad 53 (O), are provided along the sides 52a, 52a. Are juxtaposed in two rows.
[0067]
The inner terminal pad 53 (I) is connected to a portion (see FIG. 13) where the bonding wire 4 ″ for connecting the semiconductor chip 3 ″ and the outer terminal pad 53 (O) crosses the upper side. The thin portion 53 (I1) is formed by performing half etching or pressing on the upper surface.
[0068]
That is, of the inner terminal pads 53 (I), the terminal pads 53 (I) to which the bonding wires 4 ″ for connecting the semiconductor chip 3 ″ and the outer terminal pads 53 (O) are connected across the upper side. In addition, a thin portion 53 (I1) is formed.
[0069]
Here, in contrast to the lead frame 20 of the second embodiment, the lead frame 50 differs from the lead frame 20 shown in FIG. 8 except that the thin portion 53 (I 1) is formed on the inner terminal pad 53 (I). There is no change. Therefore, in the above lead frame 50, those having the same action as the elements of the lead frame 20 are added with the same reference numerals as in FIG. .
[0070]
The method for manufacturing the semiconductor device 1 ″ using the lead frame 50 described above is manufactured by the same method as that for the semiconductor device 1 ′ of the second embodiment, and the description thereof is omitted.
[0071]
According to the above configuration, the thin portion 53 (I1) is formed on the inner terminal pad 53 (I) where the bonding wire 4 ″ crosses the upper side. Even when drooping due to the flow force, contact with the terminal pad 53 (I) is prevented, and the occurrence of a short circuit is prevented.
[0072]
Since the configuration other than the formation of the thin portion 53 (I1) on the terminal pad 53 (I) inside the lead frame 50 is the same as that of the semiconductor device 1 'of the second embodiment, the second configuration described above is used. The same effects as those of the semiconductor device 1 'according to the embodiment are obtained.
[0073]
In the above embodiment, the thin portion 53 (I1) is formed on the inner terminal pad 53 (I). However, the thin portion 53 (I1) is etched and pressed instead of the thin portion 53 (I1). You may form the notch part notched by etc.
[0074]
In the above description, the thin portion 53 (I1) or the cutout portion has a rectangular shape, but an R portion or a C portion is formed at the corner, or the shape is not a rectangle but a circle or an ellipse. Or any shape other than a rectangle may be selected.
[0075]
In the above example, the case where the terminal pads 53 are two rows of the inner terminal pads 53 (I) and the outer terminal pads 53 (O) is illustrated, but the case where the terminal pads are formed in three or more rows. However, if a thin part or a notch part is formed in the terminal pad that the bonding wire crosses over, the same effect as described above can be obtained.
[0076]
It goes without saying that the shape of the die pad 51 can take other shapes such as the shape of the die pad of the first embodiment, the shape of the die pad of the third embodiment or the fourth embodiment other than the shape described above.
[0077]
In each of the embodiments described above, a semiconductor device in which terminal pads are arranged in two rows along the edge of the bottom surface of the resin sealing body, and a lead frame used for manufacturing the semiconductor device However, the present invention is also applied to a semiconductor device in which only one row of terminal pads is provided along the edge of the bottom surface of the resin sealing body, and a lead frame used for manufacturing the semiconductor device. Of course, it can be applied effectively.
[0078]
Further, in each of the embodiments described above, in the lead frame in which the terminal pads are arranged in two rows, the configuration in which the support bar is bent in a substantially L shape is exemplified. In a lead frame in which only one row of terminal pads is provided along the side of the tie bar, the support bar can be formed in a straight line extending in parallel with the side of the tie bar from the corner of the die pad.
[0079]
【The invention's effect】
As described above in detail, the lead frame according to the present invention seals a semiconductor chip with a resin sealing body whose planar shape is rectangular, and has a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body. A lead frame used for manufacturing a semiconductor device disposed along an edge of the bottom surface, the die pad having a rectangular shape, a rectangular frame-shaped tie bar surrounding the die pad, the die pad and the tie bar And a predetermined number of terminal pads disposed along the side of the tie bar, extending from the corner of the die pad in parallel with the side of the tie bar, and spaced from the corner of the tie bar The die pad is supported on the tie bar by a support bar connected to the position.
[0080]
According to the configuration as described above, since the support bar does not occupy the corner portion of the lead frame, it is possible to provide an electrode pad at the corner portion of the lead frame. In a semiconductor device manufactured using this lead frame, The electrode pad is disposed at the corner portion of the bottom surface of the resin sealing body.
[0081]
Thus, according to the lead frame having the above-described configuration, the external shape (planar shape) of the resin sealing body in the semiconductor device can be reduced as compared with the conventional semiconductor device, and thus the mounting density in the semiconductor device is improved. Can be achieved.
[0082]
Further, in the semiconductor device according to the present invention, a semiconductor chip is sealed with a resin sealing body having a rectangular planar shape, and a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body are connected to the edge of the bottom surface. A semiconductor device disposed along a portion, wherein a lead frame used for manufacturing is formed between a die pad having a rectangular shape, a square frame-shaped tie bar surrounding the die pad, and the die pad and the tie bar. A predetermined number of terminal pads disposed along the side of the tie bar, and extending from the corner of the die pad in parallel with the side of the tie bar and connected to a position spaced from the corner of the tie bar. The die pad is supported by the tie bar by a support bar.
[0083]
According to the above configuration, since the support bar does not occupy the corner portion of the lead frame, it is possible to provide an electrode pad at the corner portion of the lead frame. In a semiconductor device manufactured using this lead frame, The electrode pad is disposed at the corner portion of the bottom surface of the resin sealing body.
[0084]
Thus, according to the semiconductor device having the above-described configuration, the external shape (planar shape) of the resin sealing body can be reduced as compared with the conventional semiconductor device, thereby achieving an improvement in the mounting density on the substrate or the like. Will be.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are a side view and a bottom view showing a first embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
2 is a conceptual cross-sectional side view of the semiconductor device shown in FIG. 1;
FIG. 3 is an overall plan view showing a first embodiment of a lead frame according to the present invention used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 1;
4 is an enlarged plan view of a main part of the lead frame shown in FIG. 3;
5 is a process diagram showing a procedure for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 1 using the lead frame shown in FIG. 3;
6A and 6B are a side external view and a bottom external view showing a second embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
7 is a conceptual cross-sectional side view of the semiconductor device shown in FIG. 6;
8 is an overall bottom view showing a second embodiment of the lead frame according to the present invention used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 6; FIG.
9 is a process diagram showing a procedure for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 6 using the lead frame shown in FIG. 8;
FIG. 10 is an overall bottom view showing a third embodiment of the lead frame according to the present invention.
FIG. 11 is an overall bottom view showing a fourth embodiment of the lead frame according to the present invention.
12A and 12B are a side external view and a bottom external view showing a fifth embodiment of a semiconductor device according to the present invention.
13 is an enlarged view of an essential part of a cross section along the line AA of the semiconductor device shown in FIG.
14 is a cross-sectional view of the semiconductor device shown in FIG.
15 is an overall plan view showing a fifth embodiment of a lead frame according to the present invention used for manufacturing the semiconductor device of FIG. 12; FIG.
16A and 16B are a side external view and a bottom external view showing a conventional semiconductor device, respectively.
17 is a conceptual side cross-sectional view showing the conventional semiconductor device shown in FIG. 16;
18 is an overall plan view of a lead frame used for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 16;
19 is an enlarged plan view of a main part of the lead frame shown in FIG.
20 is a process diagram showing a procedure for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 16 using the lead frame shown in FIG. 18;
[Explanation of symbols]
1, 1 ', 1 "... semiconductor device,
2, 2 ', 2 "... resin sealing body,
2b, 2b ', 2b "... bottom surface,
3, 3 ', 3 "... semiconductor chip,
4, 4 ', 4 "... bonding wire,
10, 20, 20 ', 20 ", 50 ... lead frame,
11, 21, 21 ', 21 ", 51 ... die pad,
12, 22, 22 ', 22 ", 52 ... tie bar,
13, 23, 23 ', 23 ", 53 ... terminal pads,
53 (I1) ... Thin part,
14, 24, 24 ', 24 ", 54 ... support bar,
21P, 21P ', 21P ", 51P ... post,
21O, 21O ′, 21O ″, 51O... Opening (reinforcing part).

Claims

A semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with a resin sealing body having a rectangular planar shape, and a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body are disposed along an edge of the bottom surface. A lead frame used in manufacturing,
It includes a die pad exhibiting a rectangular shape, a rectangular frame-shaped tie bars surrounding the die pad, and a terminal pad of a predetermined number disposed along the sides of the tie bars in between said die pad tie bar, wherein A first straight line portion extending in parallel with one side of the tie bar, and a second straight line portion extending in parallel with the other side perpendicular to the one side of the tie bar from the first straight line portion; The lead frame is characterized in that the die pad is supported on the tie bar by a support bar connected to a position separated from the corner of the tie bar, and the terminal pad is provided at the corner of the lead bar.

A semiconductor device in which a semiconductor chip is sealed with a resin sealing body having a rectangular planar shape, and a predetermined number of terminal pads exposed on the bottom surface of the resin sealing body are disposed along the edge of the bottom surface. There,
A lead frame used for manufacturing includes a die pad having a rectangular shape, a rectangular frame-shaped tie bar surrounding the die pad, and a predetermined number disposed along the side of the tie bar between the die pad and the tie bar. A first straight line portion extending in parallel with one side of the tie bar, and a second straight line portion extending in parallel with the other side orthogonal to the one side of the tie bar from the first straight line portion. The die pad is supported by the tie bar by a support bar that is connected to a corner portion of the die pad and a corner portion of the tie bar, and the terminal pad is provided at the corner portion of the die pad. Semiconductor device.