JP4212555B2 - Thin plate manufacturing method, thin plate manufacturing apparatus, and base plate - Google Patents

Thin plate manufacturing method, thin plate manufacturing apparatus, and base plate Download PDF

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Description

本発明は、薄板製造方法、薄板製造装置および下地板に関し、より具体的にはシリコン薄板製造方法、シリコン薄板製造装置および下地板に関するものである。  The present invention relates to a thin plate manufacturing method, a thin plate manufacturing apparatus, and a base plate, and more specifically to a silicon thin plate manufacturing method, a silicon thin plate manufacturing apparatus, and a base plate.

民生用の太陽電池には、シリコンが用いられる。シリコンは、単結晶、多結晶、非晶質の順に変換効率や寿命などの特性が低下するが、他方、上記の順にコストが安く大面積化しやすくなる。このうち、非晶質シリコンは、ＳｉＨ４を原料としてＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、ガラス、プラスチック、金属基板などの上に堆積することができるので安価で大面積化しやすい。変換効率は最高約１２％程度である。
また、単結晶シリコンはＣＺ（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ）法により直径１５０ｍｍ（６インチ）や２００ｍｍ（８インチ）のインゴットが製造され、大型化も可能であり、変換効率は１５％を超えることができる。
さらに、多結晶シリコンは、板ガラスの製造技術等を用いて、各種の製造方法が検討されている。多結晶シリコンは非晶質シリコンと同様に大面積化しやすいが、変換効率は、単結晶シリコンと非晶質シリコンとの中間に位置する。
上記のシリコンの製造方法は、大面積化、変換効率および製造能率の向上をもたらしてきた。しかし、現状の原子力発電や火力発電などの大規模な発電方式に比べてその発電単価はかなり割高であり、製造コストを低減する必要がある。Silicon is used for consumer solar cells. Silicon has characteristics such as conversion efficiency and lifetime that decrease in the order of single crystal, polycrystal, and amorphous, but on the other hand, the cost is low and the area is easily increased. Among these, amorphous silicon can be deposited on a glass, plastic, metal substrate or the like by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method using SiH 4 as a raw material, so that it is inexpensive and easily increases in area. The conversion efficiency is about 12% at the maximum.
In addition, single crystal silicon is manufactured by an ingot having a diameter of 150 mm (6 inches) or 200 mm (8 inches) by the CZ (Czochralski) method, and can be increased in size, and the conversion efficiency can exceed 15%.
Furthermore, various manufacturing methods of polycrystalline silicon have been studied using plate glass manufacturing technology and the like. Polycrystalline silicon is likely to have a large area similarly to amorphous silicon, but the conversion efficiency is intermediate between single crystalline silicon and amorphous silicon.
The above-described silicon manufacturing method has led to an increase in area, conversion efficiency, and manufacturing efficiency. However, compared with the current large-scale power generation methods such as nuclear power generation and thermal power generation, the unit price of power generation is considerably higher, and it is necessary to reduce the manufacturing cost.

本発明は、生産規模の拡大により製造効率を大きく高めることができ、単位面積当りの製造コストを画期的に低下させることができる、薄板製造方法、薄板製造装置および下地板を提供することを目的とする。
本発明の薄板製造方法は、金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法である。この製造方法は、下地板の表面に形成された薄板と下地板とを分離した後、薄板が分離された下地板を再び浸漬処理に用いる。
上記のように下地板を再利用することにより、薄板の製造コストを低減することができる。この下地板は、たとえばシリコン薄板を製造する場合には、カーボン製であることが望ましいが、カーボン製でなくてもよい。下地板の再利用をすることにより、大きなコスト低減を得ることができる。
また、下地板の外観観察および／または下地板の使用履歴調査に基づく判別工程において、再度の浸漬処理に用いることが可能と判定した下地板を浸漬処理に再び用いることができる。
上記の判別工程において、シリコン薄板が分離された下地板は、（ａ１）浸漬処理に用いることができる、（ａ２）浸漬処理に用いる前に加工処理が必要である、および（ａ３）廃棄処分とする、の３つの判定のいずれかがなされる。
下地板の使用回数が増えると、表面形状が変化してその表面に成長するシリコン薄板の品質が劣化するが、この場合は所定の加工処理を施すことにより再使用可能とすることができる。すなわち、下地板の表面には畝状の凹凸が形成されているが、使用回数が増えると、凹凸の高さが減ってしまう。凹凸の凸部を結晶成長の起点として結晶を成長させることにより、結晶性に優れた薄板を製造することができる。上記のように、凹凸の高さが減少すると、良好な薄板を得ることができない。このため、加工処理では、上記の凹凸形状を再び表面に形成する加工を行う。
したがって、加工処理回数が増大すると下地板の厚みが減少し、最終的には加工処理することができない厚みとなる。この厚みになると、所定の加工処理を施しても使用できる状態にならないと判定され（ａ３）廃棄処分とされ、再使用することはない。上記のように、通常、加工処理の回数が多くなり厚みが薄くなったものが、この廃棄処分判定の対象になる。それ以外の（ａ１）そのまま使用できるものおよび（ａ２）加工処理を施せば使用できるものは、それぞれの条件にしたがって再使用する。このような判別工程を設けることにより、下地板の再使用を行った上で、例えばシリコン薄板の品質および歩留りを維持することができる。
上記の下地板の通過しうる経路の所定箇所に、下地板を識別することができるセンサーを配置し、下地板管理コンピュータがセンサーからの信号を受けて下地板の使用履歴を管理するのがよい。
下地板の使用履歴を集中管理することにより、廃棄処分の時期や加工の必要性などを的確に判断することができる。
また、下地板は、それ自身を識別するための識別マークを有することが望ましい。識別マークは、下地板ごとに異なる、下地板固有の識別マークを使用してもよいし、複数枚の下地板を１ロットとし、ロット識別マークを使用してもよい。下地板に識別マークを有することで、上記下地板の使用履歴集中管理をより精度よく行い、なおかつ、予想外の事態が発生して下地板の素性が混乱した際にも使用履歴を把握しなおすことが可能となる。
また、下地板の経路のいずれかの位置において、下地板の使用回数、加工回数および下地板の厚みの少なくとも１つを管理してもよい。その管理データを読み出すことにより、下地板の履歴を把握して、廃棄処分や加工処理などを的確に行うことができる。
また、上記浸漬処理に用いられる下地板の厚みを測定する厚みセンサーを配置して、その厚みに応じて下地板を融液に浸す際の下地板の軌道を修正することができる。厚みを実測することにより、浸漬機構による下地板の融液へ浸漬する際の軌道を修正することができる。
また、下地板管理コンピュータにおける下地板の厚みの推定値または実測値に応じて、下地板管理コンピュータにより融液に浸す当該下地板の軌道を修正することが望ましい。
例えばシリコン薄板の場合、下地板は使用の結果、シリコン薄板分離の際のダメージや、シリコンとの化学反応などにより表面形状が変化するため、使用回数を重ねた下地板を用いて作製したシリコン薄板の品質は劣化する。しかし、表面を切削加工することで未使用品と同等の表面性状に再加工することができる。その場合、下地板の厚みも減少するので、この厚み減少を計算に入れて下地板の軌道を修正しないと、目標とする品質のシリコン薄板を製造することができない。上記のように、下地板の厚みに応じて軌道を修正することにより、切削加工を行うことも含めて下地板の再利用を行うことができる。下地板管理コンピュータには下地板を加工した際に実測した厚みデータや初期厚みデータが格納されている。これらの実測厚みデータなどを基に、浸漬処理における下地板の軌道を修正するのに必要な精度の厚みを得ることができる。
本発明の薄板製造装置は、金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する薄板製造装置である。薄板と下地板とを分離する装置と、薄板が分離された下地板を、浸漬処理に用いる経路、加工処理を行う経路、および廃棄処分にする経路、のいずれかに振り分ける振り分け手段とを備える。
下地板は使用により、加工によって形成した畝状の凹凸の高さが減少する。このように高さが減少すると、高品質の薄板を形成することができない。また、表面に孔状凹部ができて成長してゆく。このため、下地板を無制限に再使用しつづけると、例えばシリコン薄板の品質が劣化してしまう。上記の構成により、使用の度にそのまま使用に耐えられる下地板、加工が必要な下地板および廃棄する下地板に分類して、それぞれの経路に下地板を送り出すことができる。その結果、例えばシリコン薄板を所定以上の品質に保つことが可能になる。
また、下地板の使用履歴および形状を管理する下地板管理手段を備えることができる。ここで使用履歴とは、下地板の使用回数および加工回数のことである。
この構成により、使用履歴および形状を考慮して下地板の再使用を判断することができるようになる。
また、下地板の移動経路のいずれかの位置に、下地板の厚みを検出する厚みセンサーを備えてもよい。
このため、下地板の実際の厚みに基づいて、下地板の再使用を判断することが可能になる。
さらに、薄板が分離された下地板が、使用可能かどうか判定するために検査する下地板検査装置を備えることが望ましい。
上記の検査により、たとえば表面性状を実際に知ることができ、加工なしにそのまま下地板を使用できるかどうか、判断することができる。
また、下地板検査装置において、表面性状および形状が検査され、下地板管理手段に検査結果が送られ、その下地板管理手段により、浸漬処理に用いる、加工処理を行う、および廃棄処分とする、のいずれかの判定をすることができる。
下地板の再使用に当り、総合的に下地板を検査することができ、例えばシリコン薄板の品質と下地板のコストとから最適な解を得ることができる。
さらに、下地板に使用回数および加工回数をマーキングするマーキング装置を備えてもよい。
また、下地板には、それ自身を識別するための識別マークを備えてもよい。識別マークは、下地板ごとに異なる、下地板固有のマークを使用してもよいし、複数枚の下地板を１ロットとし、ロット固有のマークを使用してもよい。下地板に識別マークを有することで、上記下地板の使用履歴集中管理をより精度よく行い、なおかつ、予想外の事態が発生して下地板の素性が混乱した際にも使用履歴を把握しなおすことが可能になる。
この構成により、不測の事態が生じても下地板を特定することができ、より安定度の高い下地板の管理をすることができる。The present invention provides a thin plate manufacturing method, a thin plate manufacturing apparatus, and a base plate that can greatly increase the manufacturing efficiency by expanding the production scale and can dramatically reduce the manufacturing cost per unit area. Objective.
In the thin plate manufacturing method of the present invention, the surface layer of the base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material and a semiconductor material, and the thin plate is attached by a dipping process in which the thin plate is attached to the surface of the base plate. It is a manufacturing method. In this manufacturing method, after separating the thin plate and the base plate formed on the surface of the base plate, the base plate from which the thin plate is separated is used again for the dipping treatment.
By reusing the base plate as described above, the manufacturing cost of the thin plate can be reduced. For example, in the case of manufacturing a silicon thin plate, the base plate is preferably made of carbon, but may not be made of carbon. By reusing the base plate, a large cost reduction can be obtained.
Further, in the determination step based on the appearance observation of the base plate and / or the use history survey of the base plate, the base plate determined to be usable for the re-immersion process can be used again for the immersion process.
In the above discrimination step, the base plate from which the silicon thin plate has been separated can be used for (a1) immersion treatment, (a2) processing is required before being used for immersion treatment, and (a3) disposal and disposal One of the three determinations is made.
When the number of use of the base plate increases, the surface shape changes and the quality of the silicon thin plate grown on the surface deteriorates. In this case, it can be made reusable by applying a predetermined processing. That is, the surface of the base plate has bowl-shaped irregularities, but the height of the irregularities decreases as the number of uses increases. A thin plate having excellent crystallinity can be produced by growing a crystal using the uneven projection as a starting point for crystal growth. As described above, when the height of the unevenness is reduced, a good thin plate cannot be obtained. For this reason, in the processing, processing is performed to form the above uneven shape on the surface again.
Therefore, when the number of times of processing increases, the thickness of the base plate decreases, and finally the thickness cannot be processed. If it becomes this thickness, it will determine that it will not be in the state which can be used even if a predetermined | prescribed processing process is performed (a3), it will be disposed of and will not be reused. As described above, usually, the number of times of processing is increased and the thickness is reduced is the target of the disposal determination. Others (a1) that can be used as they are and (a2) that can be used after processing are reused according to the respective conditions. By providing such a discriminating step, the quality and yield of, for example, a silicon thin plate can be maintained after reuse of the base plate.
It is preferable that a sensor capable of identifying the base plate is arranged at a predetermined position on the path through which the base plate can pass, and the base plate management computer receives a signal from the sensor and manages the use history of the base plate. .
By centrally managing the use history of the base plate, it is possible to accurately determine the timing of disposal and the necessity of processing.
Further, it is desirable that the base plate has an identification mark for identifying itself. As the identification mark, an identification mark unique to the base plate, which is different for each base plate, may be used, or a lot of base plates may be one lot and a lot identification mark may be used. By having an identification mark on the base plate, centralized use history management of the above base plate is performed more accurately, and even when unexpected situations occur and the features of the base plate are confused, the use history is re-recognized. It becomes possible.
Further, at any position in the path of the base plate, at least one of the number of times the base plate is used, the number of times of processing, and the thickness of the base plate may be managed. By reading out the management data, it is possible to grasp the history of the base plate and perform disposal or processing accurately.
Moreover, the thickness sensor which measures the thickness of the baseplate used for the said immersion process can be arrange | positioned, and the track | orbit of a baseplate at the time of immersing a baseplate in a melt can be corrected according to the thickness. By measuring the thickness, it is possible to correct the trajectory when the substrate is immersed in the melt of the base plate by the immersion mechanism.
Further, it is desirable to correct the trajectory of the base plate immersed in the melt by the base plate management computer in accordance with the estimated value or the actual measurement value of the base plate in the base plate management computer.
For example, in the case of a silicon thin plate, the surface plate changes as a result of use due to damage during silicon thin plate separation or chemical reaction with silicon. The quality of will deteriorate. However, by cutting the surface, it can be reworked to a surface property equivalent to that of an unused product. In this case, since the thickness of the base plate is also reduced, a silicon thin plate having a target quality cannot be manufactured unless the thickness reduction is taken into account and the trajectory of the base plate is corrected. As described above, by correcting the track according to the thickness of the base plate, the base plate can be reused including cutting. The base plate management computer stores measured thickness data and initial thickness data when the base plate is processed. Based on these measured thickness data and the like, it is possible to obtain the thickness with the accuracy required to correct the trajectory of the base plate in the dipping process.
The thin plate manufacturing apparatus of the present invention immerses the surface layer portion of the base plate in a melt of a substance containing at least one of a metal material and a semiconductor material, and attaches the thin plate to the surface of the base plate by a dipping process. It is a thin plate manufacturing apparatus to manufacture. An apparatus that separates the thin plate and the base plate, and a sorting unit that sorts the base plate from which the thin plate has been separated into one of a path used for an immersion process, a path for processing, and a path for disposal.
The use of the base plate reduces the height of the bowl-shaped irregularities formed by processing. When the height is reduced in this way, a high-quality thin plate cannot be formed. Moreover, a hole-like recessed part is made on the surface and grows. For this reason, if the base plate is continuously reused indefinitely, for example, the quality of the silicon thin plate is deteriorated. With the above configuration, the base plate can be classified into a base plate that can be used as it is, a base plate that needs to be processed, and a base plate to be discarded every time it is used, and the base plate can be sent out to each path. As a result, for example, the silicon thin plate can be maintained at a quality higher than a predetermined level.
Moreover, the base plate management means for managing the use history and the shape of the base plate can be provided. Here, the use history is the number of times of using and processing the base plate.
With this configuration, it is possible to determine the reuse of the base plate in consideration of the use history and the shape.
Further, a thickness sensor for detecting the thickness of the base plate may be provided at any position on the movement path of the base plate.
For this reason, it becomes possible to judge reuse of a base plate based on the actual thickness of a base plate.
Furthermore, it is desirable to provide a base plate inspection apparatus that inspects the base plate from which the thin plate is separated to determine whether it can be used.
By the above inspection, for example, the surface property can be actually known, and it can be determined whether the base plate can be used as it is without processing.
Further, in the base plate inspection apparatus, the surface properties and shape are inspected, and the inspection result is sent to the base plate management means. The base plate management means uses the immersion treatment, performs the processing, and sets the disposal. One of the determinations can be made.
When reusing the base plate, the base plate can be comprehensively inspected, and for example, an optimal solution can be obtained from the quality of the silicon thin plate and the cost of the base plate.
Furthermore, you may provide the marking apparatus which marks the frequency | count of use and processing on the base plate.
Further, the base plate may be provided with an identification mark for identifying itself. As the identification mark, a mark unique to the base plate, which is different for each base plate, may be used, or a lot-specific mark may be used as one lot, and a lot-specific mark may be used. By having an identification mark on the base plate, centralized use history management of the above base plate is performed more accurately, and even when unexpected situations occur and the features of the base plate are confused, the use history is re-recognized. It becomes possible.
With this configuration, it is possible to identify the base plate even if an unexpected situation occurs, and to manage the base plate with higher stability.

図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の実施の形態における浸漬機構の装置を例示する図であり、図１Ａは配置図であり、図１Ｂは浸漬機構の斜視図である。
図２は、下地板の厚みに合わせて浸漬軌道を調整する方法を説明する図である。
図３は、本発明の実施の形態における薄板製造工程を示す図である。
図４は、図３の薄板製造工程における下地板判別工程を示す図である。
図５は、下地板の判別方法の別の形態を示す図である。
図６は、下地板の表面に形成されるシリコン薄板を示す図である。
図７は、シリコン薄板を下地板から分離する工程の図である。
図８は、シリコン薄板の端部を切断した状態の図である。
図９は、シリコン薄板の端部を切断する工程を説明する図である。
図１０は、端部が除かれたシリコン薄板を移送する工程の図である。
図１１は、端部が除かれたシリコン薄板を検査する工程の図である。
図１２は、本発明の実施の形態において、浸漬機構の他の装置を例示する図である。
図１３は、本発明の実施の形態において、浸漬機構のさらに他の装置を例示する図である。
図１４Ａおよび１４Ｂは下地板の表面性状を示す図であり、図１４Ａは加工直後の下地板の表面を、また図１４Ｂは繰り返し使用した後の下地板の表面を示す図である。1A and 1B are diagrams illustrating an apparatus of an immersion mechanism in an embodiment of the present invention, FIG. 1A is a layout view, and FIG. 1B is a perspective view of the immersion mechanism.
FIG. 2 is a diagram for explaining a method of adjusting the immersion track according to the thickness of the base plate.
FIG. 3 is a diagram showing a thin plate manufacturing process in the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing a base plate discrimination step in the thin plate manufacturing step of FIG.
FIG. 5 is a diagram showing another form of the method for determining the base plate.
FIG. 6 is a view showing a silicon thin plate formed on the surface of the base plate.
FIG. 7 is a diagram of a process of separating the silicon thin plate from the base plate.
FIG. 8 is a diagram showing a state in which the end of the silicon thin plate is cut.
FIG. 9 is a diagram for explaining a process of cutting the end portion of the silicon thin plate.
FIG. 10 is a diagram of a process of transferring the silicon thin plate from which the end portion is removed.
FIG. 11 is a diagram of a process of inspecting the silicon thin plate from which the end portion is removed.
FIG. 12 is a diagram illustrating another device of the immersion mechanism in the embodiment of the present invention.
FIG. 13 is a diagram illustrating still another device of the immersion mechanism in the embodiment of the present invention.
14A and 14B are views showing the surface properties of the base plate, FIG. 14A is a view showing the surface of the base plate immediately after processing, and FIG. 14B is a view showing the surface of the base plate after repeated use.

次に図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。図１Ａおよび図１Ｂは、本発明の実施の形態における薄板製造装置を説明する図である。図１Ａに示す薄板製造装置は、るつぼ９が配置された主室６１と、その主室に連続して設けられた２つの副室６３，６４とを有する。主室６１のるつぼ９にはシリコン融液１０が貯留され、そのシリコン融液１０に下地板２の表層部を浸漬させる浸漬機構７０が配置されている。主室には不活性ガスが導入され、大気圧よりもやや低い圧力、すなわち負圧に保たれる。図１Ａおよび図１Ｂの薄板製造装置では、Ａｒガスが導入され、圧力７００Ｔｏｒｒとされている。
副室６３は下地板を搬入するための装入用副室である。また、副室６４は、シリコンを付着された下地板２を主室６１から取り出すための取出用副室である。装入用副室と取出用副室とは、るつぼ９をはさんで対面するように位置することにより、下地板の流れが簡単になる。しかし、必ずしもるつぼをはさんで対面する必要はない。この後、説明する浸漬機構の構成や形状により、２つの副室が主室の同じ壁側に配置される場合もある。その場合、副室を２つ設ける必要はなく、１つの副室に搬入用ラインと搬出用ラインとを設けてもよい。副室の雰囲気は、主室と同じ雰囲気、すなわち不活性ガス雰囲気で負圧とされている。
次に、薄板製造方法について説明する。主室６１が稼動中のとき、副室６３と主室６１との間の気密性扉８３を閉めた状態で、気密性扉８１を開け、下地板２を副室６３に搬入する。次いで、気密性扉８１を閉め、副室６３の雰囲気を主室６１と同様にする。この後、主室における浸漬機構の稼動にしたがって、主室との間の気密性扉８３を開け、下地板２を主室６１に装入する。
主室６１では、浸漬機構７０が下地板２を把握して、るつぼ９の上に移送する。次いで、下地板を下降させ、下地板の表層部をシリコン融液１０に浸漬し、下地板の表面にシリコン層を付着させる。この後、シリコンを付着させた下地板２は上昇し、るつぼ９の上を離れる。この間、付着されたシリコンは自然冷却され、固相が成長し、所定のシリコン薄板１が形成される。
シリコン薄板１が形成された下地板２は、副室６４の気密性扉８１が閉められていることを確認して開けられた気密性扉８３を通り取出用副室６４に移送される。取出用副室６４の雰囲気は、主室６１の雰囲気と同じになるように制御されている。この後、シリコン薄板が形成された下地板は、気密性扉８３が閉められた状態で気密性扉８１を開けて外に搬出される。下地板の表面に形成されたシリコン薄板を冷却するために、主室６１、副室６４または外部において、少なくとも１箇所に冷却を加速する冷却装置を設け、その冷却装置によって、シリコンを付着した下地板を冷却してもよい。
主室において下地板を移送し、シリコン融液１０に浸漬する浸漬機構７０には、どのような搬送機構を用いてもよい。
図１Ｂに示す薄板作製装置では、支持板５６をレール５２に沿って走行させ、水平方向の移送を行う。また、上下方向の移送は、レール５２を支持し、ポールに沿って上下する昇降装置５３を昇降させることによって行う。
下地板２は、ロッド５８により支持板５６に連結された台座５１に取り付けられ、支持板５６のレール５２上の走行にしたがって移動する。るつぼ９のシリコン融液１０の上で水平方向の移動を止め、昇降装置５３が下降することにより、レール５２とともに支持板５６、ロッド５８、台座５１および下地板２が下降し、下地板の表層部がシリコン融液に浸漬される。この結果、下地板の表面にシリコンが付着される。この後、昇降装置５３は上昇し、下地板はシリコン融液から離脱する。さらに、上記上昇後に水平運動になり、るつぼから離れた位置でシリコンを付着した下地板を台座から外す。シリコン融液は１４００〜１５００℃の高温であり、またシリコンの蒸着もあるので、レールなどの浸漬機構を保護するため、断熱性の遮蔽板５７をるつぼ上に配置する。
次に下地板の厚みに合わせて浸漬軌道を調整する方法を説明する。後述するように、下地板はその結晶成長面を再加工すると下地板の厚みも加工した分だけ小さくなる。各下地板は下地板管理ＰＣによってその厚みが１枚ごとに管理されている。
図２を参照して、レール５２から台座５１の下面までの距離をｈ１とする。ｈ１はレール５２、ロッド５８、台座５１のサイズで決まる値であり、下地板２の厚みｈ４や昇降機構５３の上下位置とは無関係の固定値である。また、シリコン融液の液面からレール５２までの距離をｈ２とする。浸漬深さをｈ３とする。ｈ３はあらかじめ予備実験などでシリコン薄板の厚みなどとの関係を求めた上で、シリコン薄板の要求仕様を満たすように設定した値である。下地板の厚みをｈ４とする。ｈ４は下地板管理ＰＣから浸漬機構の制御コンピュータに情報として送られる。下地板の厚みｈ４が変わっても同じシリコン薄板を作製するためには、ｈ４の値に関わらず浸漬深さｈ３が一定になるようにする必要がある。具体的には、浸漬機構の制御コンピュータが下地板管理ＰＣから下地板ごとに厚みｈ４の情報を受けて、以下の関係式を満たすようにｈ２の値を制御すればよい。
ｈ２＝ｈ１＋ｈ４−ｈ３
次に本発明の特徴となる、下地板とシリコン薄板の処理工程について説明する。図３において、薄板作製装置で作製されたシリコン薄板はカーボン製の下地板に付着した状態で冷却工程に移送される。冷却工程で冷却されたシリコン薄板と下地板とは、薄板分離装置において分離される。
シリコン薄板と分離された下地板は、下地板判別工程に移送され、３種類の判定のいずれかを含む判別がなされる。３種類の判定とは、（ａ１）そのまま浸漬処理に再び用いることができる、（ａ２）浸漬処理に用いる前に加工処理が必要である、および（ａ３）廃棄処分とする、の３つの判定である。シリコン融液に浸漬されるカーボン製の下地板は、浸漬処理の回数の増大につれ、その表面の畝状凹凸の高さが減少する。畝状凹凸の高さが減少すると、均一な厚みの高品質のシリコン薄板が形成されない。また、使用回数の増大につれ、下地板の表面には孔状凹部が形成される。この孔状凹部も、シリコン薄板の表面性状を劣化させる。
（ａ２）の浸漬処理に用いる前に加工処理が必要であるとする判定は、下地板の表面に再び所定高さの畝状凹凸を形成し、かつ孔状凹部を除去するために切削加工を行う必要があることを意味する。切削加工により下地板の表面は新たな畝状凹凸が形成され、切削により厚みが減少する。所定範囲の厚み減少の場合には、下地板をシリコン融液に浸漬する軌道を修正することによりシリコン薄板を支障なく製造することができる。このとき、通常は、パソコンにより、水平方向移動指令と、昇降動作移動指令と、傾斜動作指令とを、それぞれプログラミングし、それをコントローラに送信しておくことにより、プログラム通りの任意軌道を実現する。上記の水平方向移動と、昇降動作移動と、傾斜動作とは、それぞれの動作に１つのモータを割り当てられ、合計３つのモータによって個別に駆動される。上記のプログラムは、（ｓ１）融液の液面の変動および（ｓ２）下地板の板厚の変動、に対応して所定の厚さのシリコン薄板が得られるよう、上記の３つの独立した移動（動作）を制御する。
（ａ３）の廃棄処分は、上記の切削加工を繰り返した結果、下地板の厚みが減少し、加工限界を超えた下地板をさす。このような下地板は切削加工の余地がないので、廃棄処分とする。廃棄処理された下地板は、下地板の新品を投入することにより補給される。
図４は下地板の判別工程において用いられる下地板判別装置を示す図である。図４において、シリコン薄板を分離された下地板２が、奥から手前側に順送りされてくる。順送りされてきた下地板は、まず表面状態測定ユニット１１および側面状態測定ユニット１２による測定が行われる。表面状態測定ユニット１１は、下地板の結晶成長面の畝状凹凸の高さや、孔状凹部などを観察し所定の指標に表し、また、結晶成長面の形状が測定される。側面状態測定ユニット１２は、下地板の厚みを測定し、側面に形成された識別マークや使用履歴マーキングを読み取る。上記の結晶成長面の表面性状、形状、厚み、マーキング等は下地板情報伝達経路１６を経て、下地板管理ＰＣ１４に送られる。この下地板管理ＰＣ１４により、対象となる下地板の状態と使用履歴が把握され、その情報を基に、上記の判定（ａ１），（ａ２），（ａ３）のいずれかに該当するか判定がなされる。
この判定の内容が、判定伝達経路１７を経て振り分け装置１５に送られる。振り分け装置１５は、対象となる下地板をその判定に対応した移送経路に振り分ける。
下地板の判別方法の別の形態として、図５に示す形態がある。図５を参照して、（ｂ１）下地板をそのまま再浸漬可能（このまま使用可能）かどうかを判別し、振り分けし、（ｂ２）先の工程（ｂ１）で浸漬不可能（このままでは使用不可能）と判別し、振り分けられた下地板をさらに再加工可能（加工して減厚して使用可能）かどうかを判別し、振り分けする、という２段階の判別・振り分け工程を用いてもよい。
また、下地板管理ＰＣ１４からマーキング装置１３に、マーキング情報伝達経路１８を経てマーキング情報が送られる。マーキング装置１３は、そのマーキング情報に基づいて、下地板の側面にマーキングをする。マーキングの形状は、どのような形状でも構わない。例えば、文字や記号を使用するごとに刻印するなどの方法がある。
また、下地板は、それ自身を識別するための識別マークを備えてもよい。識別マークは、下地板ごとに異なる、下地板固有の識別マークを使用してもよいし、複数枚の下地板を１ロットとし、ロット識別マークを使用してもよい。下地板に識別マークを有することで、上記下地板の使用履歴集中管理をより精度よく行い、なおかつ、マーキングは使用前に一度行うだけでよい。識別マークの形状は、どのような形状でも構わない。例えば、文字や記号、連番、バーコードなどを刻印する方法がある。
上記マーキングは、薄板を成長させる面以外、具体的には側面または裏面に行うことが望ましい。ただし、マーク形状によっては、成長面にマーキングを行うことも可能である。この場合、薄板にマークが転写されることになり、薄板を見ただけで使用した下地板またはその履歴を把握することが可能となる。
上記マーキングによって、予想外の事態が発生して下地板の素性が混乱した際にも使用履歴を把握しなおすことが可能となる。
上記の下地板再使用システムにより、下地板の再使用をはかりながら一定レベル以上の品質のシリコン薄板を高い歩留りを維持して製造することができる。
次に、シリコン薄板について説明する。
図３において、薄板分離装置によって下地板から分離されたシリコン薄板は、端部切断装置に移送され、端部のばりを切断される。端部のばりは、破材としてシリコン融液の原料に用いられる。また、端部を除去された製品部分のシリコン薄板は、薄板検査工程に移送され、検査を受け、合格品は太陽電池作製工程に投入される。また、不合格品は破材とされ、シリコン融液の原料に用いられる。
次に、シリコン薄板の端部の切断工程について説明する。図６は、下地板２の結晶成長面にシリコン薄板１が形成された状態を示す図である。シリコン薄板の最も上の表面はシリコンが付着する際にシリコン融液と最後まで接していた面であり、自由表面１ａである。シリコンは下地板の１つの表面だけでなく、その周囲の側面にも形成されている。側面の部分は、端部ばりである。次に、図７に示すように、このシリコン薄板１を真空吸引装置３により持ち上げることにより、下地板２から分離する。下地板の結晶成長面２ａとシリコン薄板とは離れた状態となる。次いで、図８に示すように、角皿状のシリコン薄板の端部４を、切断部２９により切り離すことにより製品となるシリコン薄板５を得る。
図９および図１０を用いて、端部を切断する工程を詳しく説明する。図９において、シリコン薄板１の端部のばりは示していないが、図７に示す下地板から分離された状態のシリコン薄板を示す。すなわち、図９に示すシリコン薄板は端部のばりを含んでおり、シリコン薄板は自由表面１ａを天側にして、端部切断装置の吸着ステージ上に載せられている。吸着ステージはＸＹステージ２３と一体となっている。吸着ステージの外形は、端部ばりの高さより高く、端部ばりの内周よりは小さく、かつシリコン薄板の切断四周よりは大きい。したがって、シリコン薄板が吸着ステージに固定されたとき、端部ばりがＸＹステージ２３および吸着ステージと干渉することはない。
図９において、端部にばりが付いたシリコン薄板１はＸＹステージ２３に搭載されている。このシリコン薄板１は、ＸＹテーブルを操作しながら、その端部を切断ユニット２２から出射されるレーザービーム２１により切断される。図１０は、端部が切断された後のシリコシ薄板を示す図である。製品となるシリコン薄板５は真空吸引装置２４により引き上げられ、所定の処理工程へと移送される。また、端部のばり４はシリコン融液の原料として用いられる。なお、シリコン薄板の切断手段はレーザーに限定されず、ダイサー、プラズマ切断、電子ビーム切断、その他の任意の切断手段を用いることができる。
図１１は、端部をカットされたシリコン薄板の検査工程を示す図である。シリコン薄板５は、図の左端から右へと順送りされるものとする。ＸＹステージ３２に搭載されたシリコン薄板５は、形状検査ユニット３１によりその形状が検査される。次いで、シリコン薄板５は、強度試験ユニット３３に移送され、そこで所定の曲げ応力を負荷され破壊に至るかどうか試験される。この強度試験は破壊試験なので、１ロットの中から所定数のシリコン薄板のみ抜き取り試験することが好ましい。また、正常なシリコン薄板の場合には、破壊にいたらない曲げ応力を負荷する試験であれば、全数試験であってもよい。これら形状検査および強度試験の結果は、ともに情報伝達経路３６を経て、薄板管理ＰＣ３５に送られる。薄板管理ＰＣ３５は、上記の検査結果を基に合否を判定し、合否判定伝達経路３７を経て合否振り分け装置３４に伝達する。合否振り分け装置３４は、上記の合否判定に基づいて対象となるシリコン薄板をその判定に対応した移送経路に振り分ける。
図１２および１３に薄板作製装置を例示する。図１２に示す浸漬機構では、ガイド孔を有する支持板５６をレール５２に沿って走行させる。昇降レール５４，５５は、シリコン融液１０の上で台座がシリコン融液に近づくように、るつぼ上で浅いＵ字状の軌道を形成している。ロッド５８の上端部は走行自由にレール５４，５５に取り付けられている。
下地板２を台座５１に取り付け、レール５２，５４，５５に沿って走行させる。るつぼに近づくとレール５４，５５は滑らかな弧を描いてシリコン融液１０に近づく軌道をとる。このとき、支持板５６に開けられたガイド孔を通ってロッドがシリコン融液側に近づき、その結果、下地板２の表層部がシリコン融液に浸漬される。この後は、レール５４，５５は上昇する軌道をとる。この後の動きは、図１Ｂの場合と同様である。
図１３の薄板作製装置は、回転軸４１の回りに配置された下地板連結器４２に下地板２が取り付けられる。回転軸４１の回転に応じて下地板連結器が移動する。回転軸を断続的に回転させながら回転軸４１をシリコン融液に近づけることにより、下地板２の表面にシリコン薄板を形成する。Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B are diagrams illustrating a thin plate manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention. The thin plate manufacturing apparatus shown in FIG. 1A includes a main chamber 61 in which the crucible 9 is disposed, and two sub chambers 63 and 64 provided continuously in the main chamber. A silicon melt 10 is stored in the crucible 9 of the main chamber 61, and an immersion mechanism 70 for immersing the surface layer portion of the base plate 2 in the silicon melt 10 is disposed. An inert gas is introduced into the main chamber and maintained at a pressure slightly lower than atmospheric pressure, that is, a negative pressure. In the thin plate manufacturing apparatus of FIGS. 1A and 1B, Ar gas is introduced and the pressure is set to 700 Torr.
The sub chamber 63 is a charging sub chamber for carrying a base plate. The sub chamber 64 is a sub chamber for taking out the base plate 2 to which silicon is adhered from the main chamber 61. By placing the charging subchamber and the taking subchamber so as to face each other with the crucible 9 therebetween, the flow of the base plate is simplified. However, it is not always necessary to face the crucible. Thereafter, the two sub chambers may be arranged on the same wall side of the main chamber depending on the configuration and shape of the immersion mechanism to be described. In that case, it is not necessary to provide two subchambers, and one subchamber may be provided with a carry-in line and a carry-out line. The atmosphere of the sub chamber is the same as that of the main chamber, that is, an inert gas atmosphere and is set to a negative pressure.
Next, a thin plate manufacturing method will be described. When the main chamber 61 is in operation, the airtight door 81 is opened with the airtight door 83 between the subchamber 63 and the main chamber 61 closed, and the base plate 2 is carried into the subchamber 63. Next, the airtight door 81 is closed, and the atmosphere of the sub chamber 63 is made the same as that of the main chamber 61. Thereafter, in accordance with the operation of the immersion mechanism in the main room, the airtight door 83 between the main room is opened, and the base plate 2 is inserted into the main room 61.
In the main chamber 61, the dipping mechanism 70 grasps the base plate 2 and transfers it onto the crucible 9. Next, the base plate is lowered, the surface layer portion of the base plate is immersed in the silicon melt 10, and the silicon layer is attached to the surface of the base plate. Thereafter, the base plate 2 to which silicon is adhered rises and leaves the crucible 9. During this time, the deposited silicon is naturally cooled, a solid phase grows, and a predetermined silicon thin plate 1 is formed.
The base plate 2 on which the silicon thin plate 1 is formed is transferred to the taking-out sub chamber 64 through the air-tight door 83 opened after confirming that the air-tight door 81 of the sub chamber 64 is closed. The atmosphere of the taking-out sub chamber 64 is controlled to be the same as the atmosphere of the main chamber 61. Thereafter, the base plate on which the silicon thin plate is formed is carried out by opening the airtight door 81 in a state where the airtight door 83 is closed. In order to cool the silicon thin plate formed on the surface of the base plate, a cooling device for accelerating the cooling is provided in at least one place in the main chamber 61, the sub chamber 64, or the outside, and the silicon is adhered by the cooling device. The main plate may be cooled.
Any conveyance mechanism may be used for the immersion mechanism 70 for transferring the base plate in the main chamber and immersing the base plate in the silicon melt 10.
In the thin plate manufacturing apparatus shown in FIG. 1B, the support plate 56 is caused to travel along the rail 52 to perform horizontal transfer. Further, the vertical transfer is performed by raising and lowering a lifting device 53 that supports the rail 52 and moves up and down along the pole.
The base plate 2 is attached to a pedestal 51 connected to a support plate 56 by a rod 58 and moves as the support plate 56 travels on the rail 52. When the horizontal movement of the crucible 9 on the silicon melt 10 is stopped and the elevating device 53 is lowered, the support plate 56, the rod 58, the pedestal 51 and the base plate 2 are moved down together with the rail 52, and the surface layer of the base plate The part is immersed in the silicon melt. As a result, silicon adheres to the surface of the base plate. Thereafter, the elevating device 53 is raised and the base plate is detached from the silicon melt. Further, after the ascent, the base plate is moved horizontally, and the base plate to which silicon is adhered is removed from the base at a position away from the crucible. Since the silicon melt has a high temperature of 1400 to 1500 ° C. and silicon is also deposited, a heat insulating shielding plate 57 is disposed on the crucible to protect the immersion mechanism such as a rail.
Next, a method for adjusting the immersion track according to the thickness of the base plate will be described. As will be described later, when the crystal growth surface of the base plate is reworked, the thickness of the base plate is also reduced by the amount processed. The thickness of each base plate is managed by the base plate management PC one by one.
With reference to FIG. 2, the distance from the rail 52 to the lower surface of the pedestal 51 is defined as h1. h1 is a value determined by the sizes of the rail 52, the rod 58, and the pedestal 51, and is a fixed value independent of the thickness h4 of the base plate 2 and the vertical position of the lifting mechanism 53. The distance from the surface of the silicon melt to the rail 52 is h2. The immersion depth is h3. h3 is a value set so as to satisfy the required specifications of the silicon thin plate after obtaining a relationship with the thickness of the silicon thin plate in advance through a preliminary experiment or the like. The thickness of the base plate is h4. h4 is sent from the base plate management PC as information to the control computer of the dipping mechanism. In order to produce the same silicon thin plate even if the thickness h4 of the base plate changes, it is necessary to make the immersion depth h3 constant regardless of the value of h4. Specifically, the control computer of the dipping mechanism may receive information on the thickness h4 for each base plate from the base plate management PC and control the value of h2 so as to satisfy the following relational expression.
h2 = h1 + h4-h3
Next, the processing steps for the base plate and the silicon thin plate, which are features of the present invention, will be described. In FIG. 3, the silicon thin plate produced by the thin plate production apparatus is transferred to the cooling step in a state of being attached to the carbon base plate. The silicon thin plate and the base plate cooled in the cooling step are separated by a thin plate separating apparatus.
The base plate separated from the silicon thin plate is transferred to the base plate discrimination step, and discrimination including any of three types of judgments is made. The three types of determinations are three determinations: (a1) that can be used again for immersion treatment, (a2) processing is required before use for immersion treatment, and (a3) disposal. is there. In the carbon base plate immersed in the silicon melt, the height of the ridge-shaped unevenness on the surface decreases as the number of immersion treatments increases. When the height of the bowl-shaped irregularities is reduced, a high-quality silicon thin plate having a uniform thickness is not formed. Further, as the number of times of use increases, a hole-like recess is formed on the surface of the base plate. This hole-like recess also deteriorates the surface properties of the silicon thin plate.
The determination that the processing is necessary before the use in the dipping process of (a2) is performed by forming a bowl-shaped unevenness of a predetermined height again on the surface of the base plate and performing a cutting process to remove the hole-shaped recess. That means you need to do it. By cutting, a new bowl-shaped unevenness is formed on the surface of the base plate, and the thickness is reduced by cutting. When the thickness is reduced within a predetermined range, the silicon thin plate can be manufactured without any problem by correcting the track in which the base plate is immersed in the silicon melt. At this time, it is normal to program a horizontal direction movement command, an up / down movement movement command, and an inclination movement command with a personal computer, and send them to the controller to realize an arbitrary trajectory as programmed. . In the horizontal movement, the raising / lowering movement, and the tilting movement, one motor is assigned to each movement, and the movement is individually driven by a total of three motors. The above three programs are used for the above three independent movements so that a silicon thin plate having a predetermined thickness can be obtained corresponding to (s1) fluctuation of the melt surface and (s2) fluctuation of the thickness of the base plate. (Operation) is controlled.
In the disposal of (a3), the thickness of the base plate is reduced as a result of repeating the above cutting process, and the base plate exceeds the processing limit. Since such a base plate has no room for cutting, it is discarded. The discarded base plate is replenished by inserting a new base plate.
FIG. 4 is a diagram showing a base plate discriminating apparatus used in the base plate discriminating step. In FIG. 4, the base plate 2 from which the silicon thin plate has been separated is sequentially fed from the back to the near side. First, the surface state measurement unit 11 and the side surface state measurement unit 12 measure the base plate that has been sequentially fed. The surface state measurement unit 11 observes the height of the ridge-like irregularities on the crystal growth surface of the base plate, the hole-like recesses, etc., and displays them on a predetermined index, and measures the shape of the crystal growth surface. The side surface state measurement unit 12 measures the thickness of the base plate and reads the identification mark and usage history marking formed on the side surface. The surface properties, shape, thickness, marking, etc. of the crystal growth surface are sent to the base plate management PC 14 through the base plate information transmission path 16. The base plate management PC 14 grasps the state and usage history of the target base plate, and based on the information, it is determined whether it falls under any of the above determinations (a1), (a2), and (a3). Made.
The contents of this determination are sent to the distribution device 15 via the determination transmission path 17. The distribution device 15 distributes the target base plate to the transfer path corresponding to the determination.
As another form of the method for discriminating the base plate, there is a form shown in FIG. Referring to FIG. 5, (b1) it is determined whether or not the base plate can be re-immersed as it is (can be used as it is), and is sorted, and (b2) it cannot be immersed in the previous step (b1) (it cannot be used as it is. ), And it is possible to use a two-stage discrimination / distribution process of discriminating whether or not the sorted base plate can be further reworked (processed and used after being reduced in thickness).
Also, the marking information is sent from the base plate management PC 14 to the marking device 13 via the marking information transmission path 18. The marking device 13 marks the side surface of the base plate based on the marking information. The shape of the marking may be any shape. For example, there is a method of marking each time a character or symbol is used.
Further, the base plate may be provided with an identification mark for identifying itself. As the identification mark, an identification mark unique to the base plate, which is different for each base plate, may be used, or a lot of base plates may be one lot and a lot identification mark may be used. By having the identification mark on the base plate, the use history centralized management of the base plate is performed with higher accuracy, and the marking only needs to be performed once before use. The shape of the identification mark may be any shape. For example, there is a method of marking characters, symbols, serial numbers, bar codes, and the like.
The marking is preferably performed on the side surface or the back surface other than the surface on which the thin plate is grown. However, depending on the mark shape, it is possible to mark the growth surface. In this case, the mark is transferred to the thin plate, and the used base plate or its history can be grasped only by looking at the thin plate.
The above-described marking makes it possible to grasp the usage history again even when an unexpected situation occurs and the characteristics of the base plate are confused.
With the above-described base plate reuse system, it is possible to manufacture a silicon thin plate having a quality of a certain level or more while maintaining a high yield while measuring reuse of the base plate.
Next, the silicon thin plate will be described.
In FIG. 3, the silicon thin plate separated from the base plate by the thin plate separating device is transferred to the end cutting device, and the flash of the end is cut. The flash at the end is used as a raw material for silicon melt as a broken material. In addition, the silicon thin plate of the product part from which the end portion has been removed is transferred to the thin plate inspection process, undergoes inspection, and the acceptable product is put into the solar cell manufacturing process. Moreover, the rejected product is regarded as broken material and used as a raw material for silicon melt.
Next, the cutting process of the edge part of a silicon thin plate is demonstrated. FIG. 6 is a view showing a state in which the silicon thin plate 1 is formed on the crystal growth surface of the base plate 2. The uppermost surface of the silicon thin plate is a surface that has been in contact with the silicon melt to the end when silicon adheres, and is a free surface 1a. Silicon is formed not only on one surface of the base plate but also on the side surface around it. The side part is an end flash. Next, as shown in FIG. 7, the silicon thin plate 1 is lifted by the vacuum suction device 3 to be separated from the base plate 2. The crystal growth surface 2a of the base plate is separated from the silicon thin plate. Next, as shown in FIG. 8, the end 4 of the square plate-like silicon thin plate is cut off by the cutting portion 29 to obtain the silicon thin plate 5 as a product.
The step of cutting the end will be described in detail with reference to FIGS. 9 and 10. In FIG. 9, although the flash of the edge part of the silicon thin plate 1 is not shown, the silicon thin plate in the state separated from the base plate shown in FIG. 7 is shown. That is, the silicon thin plate shown in FIG. 9 includes a flash at the end, and the silicon thin plate is placed on the suction stage of the end cutting device with the free surface 1a on the top side. The suction stage is integrated with the XY stage 23. The outer shape of the suction stage is higher than the height of the end flash, smaller than the inner circumference of the end flash, and larger than the four cuts of the silicon thin plate. Therefore, when the silicon thin plate is fixed to the suction stage, the end beam does not interfere with the XY stage 23 and the suction stage.
In FIG. 9, the silicon thin plate 1 with a flash at the end is mounted on an XY stage 23. The silicon thin plate 1 is cut at its end by a laser beam 21 emitted from the cutting unit 22 while operating the XY table. FIG. 10 is a view showing the silicon thin plate after the end portion is cut. The silicon thin plate 5 as a product is pulled up by the vacuum suction device 24 and transferred to a predetermined processing step. The end flash 4 is used as a raw material for silicon melt. The silicon thin plate cutting means is not limited to laser, and dicer, plasma cutting, electron beam cutting, or any other cutting means can be used.
FIG. 11 is a diagram showing an inspection process of a silicon thin plate whose end is cut. It is assumed that the silicon thin plate 5 is sequentially fed from the left end of the drawing to the right. The shape of the silicon thin plate 5 mounted on the XY stage 32 is inspected by the shape inspection unit 31. Next, the silicon thin plate 5 is transferred to the strength test unit 33, where it is tested whether it is loaded with a predetermined bending stress to cause fracture. Since this strength test is a destructive test, it is preferable to test only a predetermined number of silicon thin plates from one lot. In the case of a normal silicon thin plate, a 100% test may be used as long as it is a test that applies a bending stress that does not cause destruction. Both the results of the shape inspection and the strength test are sent to the thin plate management PC 35 via the information transmission path 36. The thin plate management PC 35 determines pass / fail based on the above inspection result, and transmits it to the pass / fail distribution device 34 via the pass / fail determination transmission path 37. The pass / fail distribution device 34 distributes the target silicon thin plate to the transfer path corresponding to the determination based on the above pass / fail determination.
12 and 13 illustrate a thin plate manufacturing apparatus. In the immersion mechanism shown in FIG. 12, a support plate 56 having a guide hole is caused to travel along the rail 52. The elevating rails 54 and 55 form a shallow U-shaped track on the crucible so that the pedestal approaches the silicon melt on the silicon melt 10. The upper end of the rod 58 is attached to the rails 54 and 55 so as to freely travel.
The base plate 2 is attached to the pedestal 51 and travels along the rails 52, 54 and 55. As the crucible is approached, the rails 54 and 55 follow a path approaching the silicon melt 10 in a smooth arc. At this time, the rod approaches the silicon melt side through the guide hole formed in the support plate 56, and as a result, the surface layer portion of the base plate 2 is immersed in the silicon melt. After this, the rails 54 and 55 take a rising track. The subsequent movement is the same as in FIG. 1B.
In the thin plate manufacturing apparatus of FIG. 13, the base plate 2 is attached to the base plate coupler 42 disposed around the rotation shaft 41. The base plate coupler moves according to the rotation of the rotating shaft 41. A silicon thin plate is formed on the surface of the base plate 2 by moving the rotation shaft 41 close to the silicon melt while intermittently rotating the rotation shaft.

次に、実施例について説明する。  Next, examples will be described.

実施例１では、下地板の使用回数について調査を行った。すなわち、所定回数、シリコン融液に浸漬したカーボン製の下地板を使用して作製された薄板を、図１１に示す方法で検査し、合否を判定した。また、下地板の結晶成長面に形成した畝状凹凸の高さについても合わせて計測した。
ここで用いた下地板はその結晶成長面に畝状凹凸を形成したものである。すなわち、高さ０．３ｍｍの四角錐を２ｍｍ間隔で縦横に並べた形状に加工したものを使用した。この凹凸の高さは、下地板の結晶成長面の中央１５ｃｍ角の対角線上の範囲をレーザー式変位センサを用いて計測した。
本実施例では、薄板を下地板から取り外し、切断された後に、表面うねり、厚み、および厚み分布を調べるための形状検査を実施した。表面うねりは、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４によって定義されるろ波最大うねりが３００μｍ以下であることを合格の基準とした。厚みおよび厚み分布は、板全体の厚みが３５０μｍ±５０μｍであることを合格の基準とした。また、薄板成長不良や落下、割れ、欠けなどのために、検査工程まで到達しなかった薄板は、不合格としてカウントした。結果を表１に示す。
下地板の凹凸高さの計測値から、平均粗さ、ゼロクロシング数および最大高さを算出し、下地板の再加工の判別値として用いた。
平均粗さとは、中心線を基準とした表面凹凸の高さの絶対偏差の平均値である。また、中心線とは、表面凹凸の高さの偏差の自乗和が最小になるように設定した線である（図１４Ａおよび図１４Ｂの水平方向の点線）。加工直後は上記四角錘の先端は尖鋭であるが（図１４Ａ）、繰り返し下地板を使用するうちにシリコン薄板と接する上記四角錘の頂点が少しずつ消耗する（図１４Ｂ）。凹凸の尖端が消耗するほど中心線平均粗さの値は小さくなる。
ゼロクロシング数とは、表面凹凸の断面形状を表す線と中心線との交点の数である（図１４Ａおよび図１４Ｂの黒丸）。凹凸の尖端が消耗するだけであれば使用回数が増えてもゼロクロシング数は一定である。しかし、イレギュラーな事態により表面凹凸の一部が欠け、下地板の結晶成長面に孔状凹部が形成されることがあるが、この孔状凹部が深すぎると、ゼロクロシング数が小さくなる（図１４Ｂ）。
最大高さとは、表面凹凸の最も高いところと最も低いところとの高さ方向の差である。凹凸の尖端が消耗するだけであればその磨耗量に応じて最大高さが小さくなる。深い孔状凹部が形成された場合、その深さ次第では最大高さは加工直後の値より大きくなる。このとき、孔状凹部の深さ次第では平均粗さの値が大きくなる。

Figure 0004212555
表１によれば、下地板は５００回使用しても９７％の合格率を有する。このため、大部分の下地板を５００回程度使用できることが確認された。
また、５００回の使用までは、平均粗さおよび最大高さは漸減し、ゼロクロシング数は一定であった。すなわち、５００回までは表面凹凸の尖端は磨耗していくが、孔状凹部は形成されなかったという目視観察の結果と整合した。これに対して、下地板１０００回の使用では、最大高さが加工直後の値よりも大きくなり、ゼロクロシング数は小さくなった。この結果は、表面凹凸の測定線に沿って３つの四角錘が欠けて孔状凹部が形成されていたという目視観察の結果と整合した。
この結果から、下地板の再加工の目安として、結晶成長面の表面粗さの計測値から算出した上記の粗さパラメータを、下地板の再加工の判定に用いることができることが確かめられた。
たとえば、平均粗さがある判定値以下になったときに凹凸の尖端の消耗が大きいので下地板を再加工すべきであると判定するアルゴリズムや、ゼロクロシング数がある判定値以下になったとき、あるいは、最大高さが加工直後の値より大きなある判定値以上になったとき、孔状凹部ができたと判定するアルゴリズムを採り、下地板管理ＰＣでの判定情報を振り分け装置に送ることで、下地板の再加工の判別を自動化できる。In Example 1, the number of times the base plate was used was investigated. That is, a thin plate produced using a carbon base plate immersed in a silicon melt a predetermined number of times was inspected by the method shown in FIG. In addition, the height of the bowl-shaped irregularities formed on the crystal growth surface of the base plate was also measured.
The base plate used here has a bowl-shaped unevenness formed on its crystal growth surface. That is, what processed into the shape which arranged the square pyramid 0.3mm in height vertically and horizontally at intervals of 2 mm was used. The height of the unevenness was measured using a laser displacement sensor over a diagonal range of the center 15 cm square of the crystal growth surface of the base plate.
In this example, after the thin plate was removed from the base plate and cut, a shape inspection for examining surface waviness, thickness, and thickness distribution was performed. The surface waviness was determined to be a pass criterion that the maximum wave waviness defined by JIS B0601-1994 was 300 μm or less. For the thickness and thickness distribution, the standard of acceptance was that the thickness of the entire plate was 350 μm ± 50 μm. Moreover, the thin plate which did not reach the inspection process due to thin plate growth failure, dropping, cracking, chipping or the like was counted as a failure. The results are shown in Table 1.
The average roughness, the number of zero crossings, and the maximum height were calculated from the measured values of the uneven height of the base plate and used as discriminating values for reworking the base plate.
The average roughness is an average value of absolute deviations of the height of the surface irregularities with respect to the center line. The center line is a line set so that the sum of squares of the height deviation of the surface irregularities is minimized (the dotted line in the horizontal direction in FIGS. 14A and 14B). Immediately after processing, the tip of the square pyramid is sharp (FIG. 14A), but the apex of the square pyramid in contact with the silicon thin plate is gradually consumed while the base plate is repeatedly used (FIG. 14B). The value of the center line average roughness becomes smaller as the tips of the unevenness are consumed.
The number of zero crossings is the number of intersections between a line representing the cross-sectional shape of the surface irregularities and the center line (black circles in FIGS. 14A and 14B). The number of zero crossings is constant even if the number of uses is increased as long as the tips of the irregularities are consumed. However, due to an irregular situation, part of the surface irregularities may be lost, and a hole-like recess may be formed on the crystal growth surface of the base plate. If this hole-like recess is too deep, the number of zero crossings will be reduced ( FIG. 14B).
The maximum height is the difference in the height direction between the highest and lowest surface irregularities. If the concavo-convex tip is only consumed, the maximum height decreases according to the amount of wear. When a deep hole-like recess is formed, the maximum height is greater than the value immediately after processing depending on the depth. At this time, the value of the average roughness increases depending on the depth of the hole-shaped recess.
Figure 0004212555
According to Table 1, the base plate has a pass rate of 97% even after being used 500 times. For this reason, it was confirmed that most base plates can be used about 500 times.
In addition, the average roughness and the maximum height gradually decreased and the number of zero crossings was constant until 500 times of use. That is, it was consistent with the result of visual observation that the tip of the surface unevenness was worn up to 500 times, but no hole-like recess was formed. In contrast, when the base plate was used 1000 times, the maximum height was larger than the value immediately after processing, and the number of zero crossings was small. This result was consistent with the result of visual observation that three square pyramids were missing along the measurement line of the surface irregularities to form a hole-shaped concave portion.
From this result, it was confirmed that the above roughness parameter calculated from the measured value of the surface roughness of the crystal growth surface can be used for the determination of the reworking of the base plate as a guide for the reworking of the base plate.
For example, when the average roughness falls below a certain judgment value, the consumption of the tip of the unevenness is so great that the base plate should be reworked, or when the number of zero crossings falls below a certain judgment value Or, when the maximum height is equal to or greater than a certain judgment value larger than the value immediately after processing, an algorithm for judging that a hole-like recess has been formed is taken, and the judgment information in the base plate management PC is sent to the sorting device, It is possible to automate the discrimination of rework of the base plate.

実施例２では、下地板の切削加工回数と下地板の厚みの変化について調査を行った。表２に切削加工回数にともなう下地板の厚みと、それによる薄板検査結果の経過を示す。薄板の検査方法は、実施例１と同様である。

Figure 0004212555
表２によれば、切削加工の回数の増大につれ下地板の厚みは減少する。その減少の割合は、１回の切削加工当り厚みが２ｍｍ減少すると見積もることができる。逆に、１回当りの切削加工の切削代を２ｍｍとしているといえる。表２によれば、下地板の浸漬時に軌道修正しない場合には、切削加工回数が２回になるとシリコン薄板の合格率は７５％となり、歩留りはかなり劣化する。また、軌道修正する場合には、６回の切削加工を行っても、９７％の合格率を維持することが確認された。８回の切削加工の場合には、厚みが薄くなりすぎ、浸漬が不可能となる。In Example 2, the change in the number of cuttings of the base plate and the thickness of the base plate was investigated. Table 2 shows the thickness of the base plate with the number of cutting operations and the progress of the thin plate inspection result. The method for inspecting the thin plate is the same as in Example 1.
Figure 0004212555
According to Table 2, the thickness of the base plate decreases as the number of cutting operations increases. The rate of the reduction can be estimated that the thickness is reduced by 2 mm per cutting process. On the contrary, it can be said that the cutting allowance for one cutting process is 2 mm. According to Table 2, when the trajectory is not corrected when the base plate is immersed, when the number of times of cutting is two, the pass rate of the silicon thin plate is 75%, and the yield is considerably deteriorated. In addition, in the case of correcting the trajectory, it was confirmed that a passing rate of 97% was maintained even after 6 cutting operations. In the case of eight times of cutting, the thickness becomes too thin and immersion is impossible.

実施例３では、シリコン薄板の端部の切断の有無、および切断後の検査の有無と、製品における良品率との関係について調査を行った。
切断後の検査方法は、実施例１と同様である。
次に、太陽電池作製プロセスの一例を説明する。薄板を洗浄し、テクスチャエッチング、拡散層形成、酸化膜除去、反射防止膜形成、バックエッチ、裏面電極形成、受光面電極形成の順序で行う一般的な手法を適用した。この際、プロセス中での割れ欠けや、作製後の性能（変換効率）が１２％を下回った薄板を、不合格とした。結果を表３に示す。

Figure 0004212555
シリコン薄板の端部を切断することにより、太陽電池作製プロセス後の製品良品率は向上する。端部が残存している場合、電極印刷時のスクリーンを下地板と接していた面に接触できないために、電極印刷不良が生じ、特性を悪化させている。また、検査の有無によっては、全体良品率は変わらない。しかし、太陽電池作製工程における良品率は検査無しのほうが劣る結果となっている。シリコン薄板のうねりや厚み分布が合格基準外の場合、反射防止膜が均一に形成できないこと、電極を均一に形成できないことから、特性不良の原因となる。そのため、太陽電池作製プロセスに投入する前に、あらかじめ検査を行い、不良品のシリコン薄板を除去することにより、後の工程における無駄を省くことができる。In Example 3, the relationship between the presence / absence of cutting of the end portion of the silicon thin plate, the presence / absence of inspection after cutting, and the yield rate of the product was investigated.
The inspection method after cutting is the same as in the first embodiment.
Next, an example of a solar cell manufacturing process will be described. The thin plate was washed, and a general method was applied in the order of texture etching, diffusion layer formation, oxide film removal, antireflection film formation, back etch, back electrode formation, and light receiving surface electrode formation. At this time, cracks in the process and thin plates whose performance (conversion efficiency) after production was less than 12% were rejected. The results are shown in Table 3.
Figure 0004212555
By cutting the end portion of the silicon thin plate, the product non-defective rate after the solar cell manufacturing process is improved. When the end portion remains, the screen at the time of electrode printing cannot be brought into contact with the surface that is in contact with the base plate, so that electrode printing failure occurs and the characteristics are deteriorated. In addition, the overall non-defective rate does not change depending on the presence or absence of inspection. However, the non-defective product rate in the solar cell manufacturing process is inferior without the inspection. When the undulation and thickness distribution of the silicon thin plate are outside the acceptance standard, the antireflection film cannot be formed uniformly and the electrodes cannot be formed uniformly, which causes a characteristic defect. Therefore, by inspecting in advance and removing the defective silicon thin plate before putting it into the solar cell manufacturing process, waste in the subsequent steps can be eliminated.

本実施例では、浸漬処理直後の搬送時のシリコン薄板と下地板との上下関係、およびシリコン簿板の端部切断時のシリコン薄板の姿勢について調査を行った。結果を表４に示す。

Figure 0004212555
表４によれば、浸漬後の搬送時には薄板を下側にすると、シリコン薄板が下地板から脱落する。このため、シリコン薄板を下地板の上がわに配置して搬送することにより、脱落を防止できることを確認することができた。また、ＸＹステージ上でシリコン薄板の端部を切断する場合には、シリコン薄板の融液面（フリー側）を上向きにすることにより、全体の良品率を大幅に上げることができる。
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されることはない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
本発明の薄板製造方法および薄板製造装置を用いることにより、シリコン薄板の品質を維持した上で、下地板を繰り返し使用して製造コストを低減することが可能となる。In this example, the vertical relationship between the silicon thin plate and the base plate during conveyance immediately after the dipping treatment and the posture of the silicon thin plate during cutting of the end portion of the silicon book plate were investigated. The results are shown in Table 4.
Figure 0004212555
According to Table 4, when the thin plate is placed on the lower side during conveyance after immersion, the silicon thin plate falls off the base plate. For this reason, it was confirmed that the silicon thin plate can be prevented from falling off by arranging and transporting the thin silicon plate on the underside. Further, when the end of the silicon thin plate is cut on the XY stage, the whole non-defective product rate can be significantly increased by making the melt surface (free side) of the silicon thin plate face upward.
Although the embodiments of the present invention have been described above, the embodiments of the present invention disclosed above are merely examples, and the scope of the present invention is limited to these embodiments. There is nothing. The scope of the present invention is indicated by the description of the scope of claims, and further includes meanings equivalent to the description of the scope of claims and all modifications within the scope.
By using the thin plate manufacturing method and the thin plate manufacturing apparatus of the present invention, it is possible to reduce the manufacturing cost by repeatedly using the base plate while maintaining the quality of the silicon thin plate.

本発明の薄板製造方法および薄板製造装置を用いることにより、たとえばシリコン薄板の品質を維持しながら下地板を繰り返し使用して製造コストを低減することができる。このため、たとえば光発電のように他の発電方法と激しい価格競争をしなければならない分野において広範な利用が期待される。  By using the thin plate manufacturing method and the thin plate manufacturing apparatus of the present invention, for example, it is possible to reduce the manufacturing cost by repeatedly using the base plate while maintaining the quality of the silicon thin plate. For this reason, it is expected to be used in a wide range of fields where intense price competition with other power generation methods such as photovoltaic power generation is required.

Claims (14)

金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法であって、
前記下地板の表面に形成された前記薄板と前記下地板とを分離した後、前記薄板が分離された下地板のうち、前記下地板の外観観察および／または下地板の使用履歴調査に基づく判別工程において、再度の浸漬処理に用いることが可能と判定した下地板を再び前記浸漬処理に用い、
前記判別工程において、前記薄板が分離された前記下地板を、（ａ 1 ）前記浸漬処理に用いる、（ａ 2 ）前記浸漬処理に用いる前に加工処理が必要である、および（ａ 3 ）廃棄処分とする、の３つの判定のいずれかを含む判別をする、薄板製造方法。A method of manufacturing a thin plate by a dipping process in which a surface layer portion of a base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material or a semiconductor material, and the thin plate is attached to the surface of the base plate,
After separating the thin plate and the base plate formed on the surface of the base plate , among the base plates from which the thin plate is separated , discrimination based on appearance observation of the base plate and / or use history survey of the base plate in step, we have use the determined base plate again the immersion treatment can be used for immersion treatment again,
In the discrimination step, the base plate from which the thin plate has been separated is used for (a 1 ) the immersion treatment, (a 2 ) a processing treatment is required before being used for the immersion treatment, and (a 3 ) disposal A method for manufacturing a thin plate , which includes one of the three determinations of disposal . 金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法であって、
前記下地板の表面に形成された前記薄板と前記下地板とを分離した後、前記薄板が分離された下地板のうち、前記下地板の外観観察および／または下地板の使用履歴調査に基づく判別工程において、再度の浸漬処理に用いることが可能と判定した下地板を再び前記浸漬処理に用い、
前記下地板の通過しうる経路の所定箇所に、前記下地板を識別することができるセンサーを配置し、下地板管理コンピュータが前記センサーからの信号を受けて前記下地板の使用履歴を管理する、薄板製造方法。 A method of manufacturing a thin plate by a dipping process in which a surface layer portion of a base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material or a semiconductor material, and the thin plate is attached to the surface of the base plate,
After separating the thin plate and the base plate formed on the surface of the base plate, among the base plates from which the thin plate is separated , discrimination based on appearance observation of the base plate and / or use history survey of the base plate In the process, the base plate determined to be usable for the re- immersion process is used again for the immersion process,
A sensor that can identify the base plate is disposed at a predetermined position on the path through which the base plate can pass, and a base plate management computer receives a signal from the sensor and manages a usage history of the base plate. Thin plate manufacturing method. 前記下地板が、下地板固有の識別マーク、または複数枚の下地板を１ロットとした際のロット識別マークを有し、前記識別マークを読み取ることができるセンサーを配置し、下地板管理コンピュータが前記センサーからの信号を受けて前記下地板または前記ロットの使用履歴を管理する、請求項２に記載の薄板製造方法。The base plate has an identification mark unique to the base plate, or a lot identification mark when a plurality of base plates are taken as one lot, and a sensor that can read the identification mark is arranged, and the base plate management computer The thin plate manufacturing method according to claim 2 , wherein a usage history of the base plate or the lot is managed in response to a signal from the sensor. 金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法であって、
前記下地板の表面に形成された前記薄板と前記下地板とを分離した後、前記薄板が分離された下地板のうち、前記下地板の外観観察および／または下地板の使用履歴調査に基づく判別工程において、再度の浸漬処理に用いることが可能と判定した下地板を再び前記浸漬処理に用い、
前記下地板の経路のいずれかの位置において、前記下地板の使用回数、加工回数および前記下地板の厚みの少なくとも１つを管理する、薄板製造方法。 A method of manufacturing a thin plate by a dipping process in which a surface layer portion of a base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material or a semiconductor material, and the thin plate is attached to the surface of the base plate,
After separating the thin plate and the base plate formed on the surface of the base plate, among the base plates from which the thin plate is separated, discrimination based on appearance observation of the base plate and / or use history survey of the base plate In the process, the base plate determined to be usable for the re-immersion process is used again for the immersion process,
A method for manufacturing a thin plate , comprising managing at least one of the number of times the base plate is used, the number of times of processing, and the thickness of the base plate at any position along the path of the base plate . 金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法であって、
前記下地板の表面に形成された前記薄板と前記下地板とを分離した後、前記薄板が分離された下地板のうち、前記下地板の外観観察および／または下地板の使用履歴調査に基づく判別工程において、再度の浸漬処理に用いることが可能と判定した下地板を再び前記浸漬処理に用い、
前記浸漬処理に用いる下地板の厚みを測定する厚みセンサーを配置して、その厚みに応じて前記下地板を前記融液に浸す際の下地板の軌道を修正する、薄板製造方法。 A method of manufacturing a thin plate by a dipping process in which a surface layer portion of a base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material or a semiconductor material, and the thin plate is attached to the surface of the base plate,
After separating the thin plate and the base plate formed on the surface of the base plate, among the base plates from which the thin plate is separated, discrimination based on appearance observation of the base plate and / or use history survey of the base plate In the process, the base plate determined to be usable for the re-immersion process is used again for the immersion process,
A method for manufacturing a thin plate, wherein a thickness sensor for measuring a thickness of a base plate used for the immersion treatment is arranged, and a track of the base plate is corrected according to the thickness when the base plate is immersed in the melt . 金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する方法であって、
前記下地板の表面に形成された前記薄板と前記下地板とを分離した後、前記薄板が分離された下地板のうち、前記下地板の外観観察および／または下地板の使用履歴調査に基づく判別工程において、再度の浸漬処理に用いることが可能と判定した下地板を再び前記浸漬処理に用い、
前記下地板管理コンピュータにおける前記下地板の厚みの推定値または実測値に応じて、前記下地板管理コンピュータにより前記融液に浸す当該下地板の軌道を修正する、薄板製造方法。 A method of manufacturing a thin plate by a dipping process in which a surface layer portion of a base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material or a semiconductor material, and the thin plate is attached to the surface of the base plate,
After separating the thin plate and the base plate formed on the surface of the base plate, among the base plates from which the thin plate is separated, discrimination based on appearance observation of the base plate and / or use history survey of the base plate In the process, the base plate determined to be usable for the re-immersion process is used again for the immersion process,
A method for manufacturing a thin plate, wherein a track of the base plate immersed in the melt is corrected by the base plate management computer according to an estimated value or an actual measurement value of the base plate in the base plate management computer . 前記請求項１の薄板製造方法に用いられる下地板であって、その下地板に固有の識別マーク、または複数枚の下地板を１ロットとした際のロット識別マークを有する、下地板。A base plate used in the thin plate manufacturing method according to claim 1 , wherein the base plate has an identification mark unique to the base plate, or a lot identification mark when a plurality of base plates are taken as one lot. 金属材料または半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する物質の融液に下地板の表層部を浸し、その下地板の表面に薄板を付着させる浸漬処理により薄板を製造する薄板製造装置であって、
前記薄板と前記下地板とを分離する装置と、
前記薄板が分離された下地板を、前記浸漬処理に用いる経路、加工処理を行う経路、および廃棄処分にする経路、のいずれかに振り分ける振り分け手段とを備える、薄板製造装置。A thin plate manufacturing apparatus for manufacturing a thin plate by a dipping process in which a surface layer portion of a base plate is immersed in a melt of a substance containing at least one of a metal material and a semiconductor material, and the thin plate is attached to the surface of the base plate. ,
An apparatus for separating the thin plate and the base plate;
An apparatus for manufacturing a thin plate, comprising: a distribution unit that distributes the base plate from which the thin plate has been separated to any one of a path used for the dipping process, a path for processing, and a path for disposal. 前記下地板の使用履歴および／または形状を管理する下地板管理手段を備える、請求項８に記載の薄板製造装置。The thin plate manufacturing apparatus of Claim 8 provided with the baseplate management means which manages the use log | history and / or shape of the said baseplate. 前記下地板の移動経路のいずれかの位置に、前記下地板の厚みを検出する厚みセンサーを備える、請求項８に記載の薄板製造装置。The thin plate manufacturing apparatus of Claim 8 provided with the thickness sensor which detects the thickness of the said base plate in the position in any one of the movement path | routes of the said base plate. 前記薄板が分離された下地板が、使用可能かどうか判定するために検査する下地板検査装置を備える、請求項８に記載の薄板製造装置。The thin plate manufacturing apparatus of Claim 8 provided with the base plate inspection apparatus which test | inspects in order to determine whether the base plate from which the said thin plate was isolate | separated can be used. 前記下地板検査装置において、表面性状および形状が検査され、前記下地板管理手段に検査結果が送られ、その下地板管理手段により、浸漬処理に用いる、加工処理を行う、または廃棄処分とする、のいずれかの判定を含む判別をする、請求項１１に記載の薄板製造装置。In the base plate inspection apparatus, the surface properties and shape are inspected, and the inspection result is sent to the base plate management means, and the base plate management means uses it for immersion treatment, processing, or disposal. The thin plate manufacturing apparatus according to claim 11 , wherein the determination includes any of the following determinations. 前記下地板に使用回数および／または加工回数をマーキングするマーキング装置を備える、請求項８に記載の薄板製造装置。The thin plate manufacturing apparatus of Claim 8 provided with the marking apparatus which marks the frequency | count of use and / or the frequency | count of a process on the said base plate. 前記請求項８の薄板製造装置に用いられる下地板であって、その下地板に固有の識別マーク、または複数枚の下地板を１ロットとした際のロット識別マークを有する、下地板。9. A base plate used in the thin plate manufacturing apparatus according to claim 8 , wherein the base plate has an identification mark unique to the base plate or a lot identification mark when a plurality of base plates are taken as one lot.
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