JP4177950B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体基板上のパッドに接続された導体膜を有する半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
一対の半導体チップの活性面同士を重ね合わせるチップ・オン・チップ構造や、半導体チップの活性面を配線基板に対向させて接合するフリップチップボンディング構造においては、半導体チップの活性面に、バンプと呼ばれる電気接続用の隆起物が設けられる。図3には、このような半導体チップの表面付近の構成が図解的に表されている。
【0003】
半導体基板51の活性面51aにおいては、外部配線の一部を露出させたパッド52が設けられている。このパッド52を露出させる開口53を有するポリイミド膜54によって、半導体基板51の活性面51aが覆われている。そして、開口53内には、パッド52上にバンプ55が配置されている。このバンプ55は、ポリイミド膜54の表面よりも隆起して形成されている。
バンプ55の形成は、たとえば、無電解めっき法によって行われる。無電解めっき法では、ポリイミド膜54の表面に付着性の良い金属膜を形成することができないため、専ら開口53内においてパッド52上に金または銅などの良導体の厚膜を成長させることにより、バンプ55が形成される。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、無電解めっき法による厚膜の形成には長時間を要するので、ポリイミド膜54に形成された開口53を埋めて、かつ、ポリイミド膜54の表面から隆起するバンプ55の形成には、極めて長い時間を要する。そのため、半導体チップの製造に要する時間が長いという問題があった。
そこで、この発明の目的は、上述の技術的課題を解決し、接続部材を有する半導体装置の生産性を向上することができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【0005】
また、この発明の他の目的は、半導体基板上の絶縁膜の表面に付着性の良い低抵抗の導体膜を短時間で形成することができる半導体装置の製造方法を提供することである。
【0006】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【0007】
この発明の半導体装置の製造方法は、電気接続用のパッドが設けられた半導体基板の表面を、上記パッドを露出させる開口を有し、ポリイミド樹脂からなる第1の絶縁膜で被覆する工程と、水酸化カリウム水溶液を用いてポリイミド樹脂のイミド環を開裂させ、上記第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面にカチオン交換基としてのカルボキシル基を導入する処理により、この第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面を改質する工程と、上記第1の絶縁膜の表面、上記開口の内壁面、および上記開口の底面において露出する上記パッドの表面を被覆する薄い導体膜を、この導体膜を構成する金属材料のイオンを含む水溶液中に上記第1の絶縁膜を浸漬することにより、当該第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面においてイオン交換反応を生じさせることによって形成する工程と、上記薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記薄い導体膜を厚膜化する工程と、上記厚膜化された導体膜を被覆するとともに、この導体膜の一部を露出させる開口を有する第2の絶縁膜を形成する工程と、上記第2の絶縁膜の上記開口内に、上記厚膜化された導体膜と接合される接続部材を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【0008】
この方法によれば、第1の絶縁膜の表面およびこの第1の絶縁膜に形成された開口の内壁面を改質することにより、この改質された表面には、イオン交換反応を利用することによって、付着性の良い薄い導体膜を形成することができる。この薄い導体膜を用いて給電を行うことができるので、電解めっき法によって、この薄い導体膜を厚膜化することができる。電解めっき法による導体膜の厚膜化は、短時間で行えるので、結果として、付着性の良い厚膜状の導体膜を第1の絶縁膜上に速やかに形成できる。その後は、厚膜化された導体膜を第2の絶縁膜で被覆し、この第2の絶縁膜に開口を形成して、この開口内において上記厚膜化された導体膜と接合される接続部材を形成すればよい。
【0009】
上記第1の絶縁膜の表面改質処理は、第1の絶縁膜の表面にカチオン交換基を導入する処理である。この表面改質処理が施された第1の絶縁膜の表面を、導体膜を構成すべき金属材料のイオンを含む水溶液に接触させることにより、イオン交換反応を生じさせることができる。このイオン交換反応により、金属イオンがカチオン交換基と置き換わって、第1の絶縁膜の表面に吸着される。
上記接続部材は、他の固体装置(たとえば別の半導体チップまたは配線基板)との接続のためのバンプであってもよい(請求項2)。
【0010】
また、上記接続部材は、第2の絶縁膜の開口の底面において導体膜に接合され、さらに第2の絶縁膜の表面にまで延びる別の導体膜であってもよい(請求項3)。この場合には、第2の絶縁膜によって絶縁された2層の導体膜によって、いわゆる多層配線構造が構成されることになる。
上記第1の絶縁膜はポリイミド樹脂からなっている。そして、第1の絶縁膜の表面およびこの第1の絶縁膜に形成された開口の内壁面の改質処理は、水酸化カリウム水溶液を用いてポリイミド樹脂のイミド環を開裂させ、第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面にカチオン交換基としてのカルボキシル基を導入する処理である。この後に、上記薄い導体膜を構成する金属材料のイオンを含む水溶液中に第1の絶縁膜を浸漬することによって、第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面においてイオン交換反応を生じさせることができ、当該金属材料からなる薄い導体膜を第1の絶縁膜の表面およびその開口の内壁面ならびにパッドの表面に形成することができる。
【0012】
上記第2の絶縁膜には、第1の絶縁膜の場合と同様に、ポリイミド樹脂を適用できるほか、エポキシ樹脂を適用したり、イミド結合もしくはアシド結合またはイミド結合およびアシド結合の両方を含む樹脂を構成材料として用いたりすることができる。特に、第2の絶縁膜によって絶縁された一対の導体膜を用いて多層配線構造を形成する場合には、第2の絶縁膜の構成材料として、ポリイミド樹脂を用い、上述のような表面改質処理を、第2の絶縁膜の表面およびその開口の内壁面に対して施すことが好ましい。エポキシ樹脂を採用する場合には、絶縁膜の表面改質処理は、絶縁膜を硫酸水溶液中に浸漬することによって、その表面にカチオン交換基としてのスルホ基を導入する処理であってもよい。このようにして表面改質処理されたエポキシ樹脂膜を、金属イオンを含む水溶液中に浸漬してイオン交換反応を起こさせると、この金属イオンが絶縁膜の表面に吸着される。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。半導体ウエハW(半導体基板)の表面には、複数個の半導体チップに対応した複数の素子形成領域が設けられており、この複数の素子形成領域は、スクライブライン領域Lによって区分されている。このスクライブライン領域Lは、ダイシングソーによって、ウエハWから個々の半導体チップを切り出すときの切断線に沿った領域である。
【0015】
個々の半導体チップに対応した素子形成領域には、別の固体装置(半導体チップまたは配線基板など)との電気接続のためのパッドPが活性面Waに設けられている。このパッドPは、活性面Waを覆う第1のポリイミド膜11(第1の絶縁膜)に形成された開口11aから露出している。パッドPは、活性面Waに作り込まれたトランジスタや抵抗器などの機能素子で構成された内部回路に電気接続された内部配線の一部を露出させたものである。
【0016】
活性面Waに第1のポリイミド膜11が形成された図1(a)の状態から、図1(b)に示すように、薄い導体膜21aが形成される。この薄い導体膜21aの形成には、たとえば、たとえば、「ポリイミド樹脂およびエポキシ樹脂の表面改質を利用するDirect Metallizationに関する基礎的研究」(縄舟他,エレクトロニクス実装学会誌Vol.2 No.5(1999),pp390-393)および「ポリイミド樹脂の表面改質を利用するCo/Pt多層膜の作製および磁気的特性」(田村他,表面技術協会第99回講演大会要旨集(1999),pp35-36)などで報告されている方法を適用することができる。
【0017】
すなわち、第1のポリイミド膜11の表面および開口11aの内壁面に対して、表面改質処理が施される。この表面改質処理は、具体的には、第1のポリイミド膜11が形成された図1(a)の状態の半導体ウエハWを水酸化カリウム水溶液中に浸漬させることにより、第1のポリイミド膜11の表層部分におけるイミド環を開裂させ、この第1のポリイミド膜11の表面にカルボキシル基を導入することによって行われる。
【0018】
このようにして表面改質処理が施された第1のポリイミド膜11の表面に対して、イオン交換反応により、薄い導体膜21aを良好な付着性で設けることができる。このイオン交換反応は、たとえば、第1のポリイミド膜11に対して表面改質処理を施した後の状態の半導体ウエハWを、金属イオンを含む水溶液中に浸漬させることによって行える。たとえば、硫酸銅の水溶液中に浸漬すれば、薄い導体膜21aとしての銅薄膜を第1のポリイミド膜11の表面およびその開口11aの内壁面ならびにパッドPの表面に設けることができる。
【0019】
こうして第1のポリイミド膜11の表面に薄い導体膜21aが形成された後には、この薄い導体膜21aを用いて給電を行う電解めっき法により、図1(c)に示すように、厚い導体膜21が形成される。すなわち、電解めっき法によって薄い導体膜21aを厚膜化することによって、低抵抗化された導体膜21が第1のポリイミド膜11の表面に形成されることになる。電解めっきの時の給電は、スクライブライン領域Lにおける薄い導体膜21aを電極に接続することによって行える。
【0020】
電解めっき法による薄い導体膜21の厚膜化は短時間で行うことができるから、イオン交換反応による薄い導体膜21の形成およびその厚膜化を経て形成される導体膜21は、短時間の工程で形成できる。
次に、図1(d)に示すように、第1のポリイミド膜11の表面にレジスト膜15がパターン形成される。このレジスト膜15の形成に先だって、厚膜化された導体膜21aにおいて開口11aに対応する部分に形成されている窪み25に絶縁材17が埋め込まれてもよい。
【0021】
次いで、レジスト15をマスクとして用いたエッチングによって、導体膜21がパターニングされる。この後、図1(e)に示すように、レジスト15が剥離され、導体膜21の表面と、この導体膜21の不要部分をエッチング除去することによって露出した第1のポリイミド膜11の表面とを被覆するように、第2のポリイミド膜12(第2の絶縁膜)が形成される。この第2のポリイミド膜12には、第1のポリイミド膜11の開口11aを避けた位置に、開口12aが形成される。そして、この開口12a内にバンプBが設けられる。
【0022】
スクライブライン領域Lにおいて第2のポリイミド膜12に開口11bを形成しておけば、バンプBは、開口11bから露出する導体膜21から給電することによって行う電解めっきにより、速やかに形成することができる。バンプBは、電解めっき法による速やかな工程によって、開口12aを埋め尽くし、さらに第2のポリイミド膜12の表面から隆起した厚膜状に形成される。
この後、スクライブライン領域Lに沿ってダイシングソーでウエハWを切断することによって、半導体チップの個片が得られる。
【0023】
以上のように、この実施形態によれば、第1のポリイミド膜11の表面改質処理と、この表面改質処理後の第1のポリイミド膜11の表面に対するイオン交換反応とによって、薄い導体膜21aが形成される。そして、この薄い導体膜21aを厚膜化することによって、低抵抗化された導体膜21を第1のポリイミド膜11上に設けることができる。イオン交換反応による薄い導体膜21aの形成にはさほどの時間を要せず、また、電解めっきによる薄い導体膜21aの厚膜化は速やかに行える。これにより、半導体チップの生産性を向上することができる。
【0024】
この実施形態の方法に従って作製された半導体チップは、図1( e) に示すように、第1のポリイミド膜11に形成された開口11aからずれた位置に、他の固体装置との接続部材としてのバンプBを有することになる。その結果、バンプBと半導体基板としてのウエハWの活性面Waとの間に、第1のポリイミド膜11が介在されることになる。このような構造は、他の固体装置と接合された場合に、バンプBが受ける圧力が、半導体基板(ウエハW)に直接作用しない点において有利である。また、他の固体装置と当該半導体チップの活性面Waとの間に、第1および第2のポリイミド膜11,12が介在されることになるから、これらにより、固体装置と当該半導体チップとの熱膨張係数の差異を良好に吸収することができる。これにより、半導体基板に熱膨張差に起因する応力が作用することを効果的に抑制できる。
【0025】
図2は、この発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。この図2において、上述の図1に示された各部に対応する部分には、図1の場合と同一の参照符号を付して示す。
この第2実施形態においては、ウエハW上に多層配線構造が形成される。すなわち、第2のポリイミド膜12の表面には、第2の導体膜22が形成される。この第2の導体膜22は、第2のポリイミド膜12に形成された開口12aの底部において第1の導体膜21と接合しており、開口12aの内壁面に沿って立ち上がり、さらに、第2のポリイミド膜12の表面にまで延びている。
【0026】
第2の導体膜22は、第1の導体膜21と同様なプロセスによって形成することができる。すなわち、第2のポリイミド膜12の表面改質処理を、第1のポリイミド膜11の表面改質処理の場合と同様にして行う。そして、このようにして表面改質処理の施された第2のポリイミド膜12の表面に、イオン交換反応を利用することにより、薄い導体膜が形成される。この薄い導体膜は、開口12aにおいて第1の導体膜21に接触するから、この第1の導体膜21からの給電によって、第2のポリイミド膜12上に形成された薄い導体膜を電解めっき法により厚膜化して、厚膜状の導体膜22を設けることができる。この第1の導体膜22は、開口12aに対応した位置に窪み26を有することになるが、この窪み26には、必要に応じて絶縁材27が充填される。
【0027】
第2の導体膜22は、必要に応じてパターニングされる。その後に、第2の導体膜22と、この第2の導体膜22のパターニングによって露出した第2のポリイミド膜12の表面とを覆うように絶縁膜13(たとえば、ポリイミド膜)が形成される。この絶縁膜13には、開口12aを避けた位置に開口13aが形成される。この開口13aには、バンプBが埋め込まれる。スクライブラインLにおいて絶縁膜13に開口13bを形成しておけば、バンプBは、スクライブライン領域Lにおける第1の導体膜21および第2の導体膜22を介する給電によって行う電解めっき法により形成することができる。
【0028】
このようにこの第2の実施形態によれば、ポリイミド膜の表面の改質処理とイオン交換反応による薄い導体膜の形成、および電解めっき法による薄い導体膜の厚膜化によって、ウエハW上に2層構造の配線を設けることができる。
以上、この発明の2つの実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、上述の第1および第2の実施形態においては、第1および第2の絶縁膜の材料としてポリイミド樹脂を用いたが、第2の絶縁膜の材料としてエポキシ樹脂を用いてもよい。この場合には、表面改質処理は、硫酸水溶液にエポキシ樹脂の膜が形成されたウエハを浸漬することによって、エポキシ樹脂膜の表面にスルホ基を導入する処理であることが好ましい。そして、イオン交換反応によってこのスルホ基を金属イオンと交換させることにより、エポキシ樹脂膜の表面に薄い導体膜を形成することができる。
【0029】
また、上述の第1および第2実施形態においては、第1および第2の導体膜21,22における窪み25,26に絶縁材17,27を充填しているけれども、この絶縁材17,27の充填は省略されてもよい。
また、導体膜21,22の材料には、銅のほかにも、コバルトやニッケルなどの他の良導性の金属材料を用いることができる。バンプBの材料についても同様であるが、このバンプBの材料には、導体膜21,22と同じ材料が用いられることが好ましい。
【0030】
また、上述の第2の実施形態においては、ウエハWの活性面Wa上に2層構造の配線を設ける例について説明したが、3層以上の多層配線構造も同様にして形成することができる。
また、上述の第1および第2の実施形態においては、第1および第2の絶縁膜がいずれもポリイミド樹脂からなっている例について説明したが、第2の絶縁膜は上述のとおりエポキシ樹脂からなっていてもよい。すなわち、第1および第2の絶縁膜が異なる絶縁性樹脂材料からなっていてもよい。
【0031】
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を工程順に示す断面図である。
【図2】この発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図解的な断面図である。
【図3】半導体基板の活性面にバンプを形成するための従来技術を説明するための断面図である。
【符号の説明】
11 第1のポリイミド膜
11a 開口
12 第2のポリイミド膜
12a 開口
13 絶縁膜
13a 開口
21 第1の導体膜
21a 薄い導体膜
22 第2の導体膜
B バンプ
L スクライブライン領域
P パッド
W 半導体ウエハ(半導体基板)
Wa 活性面
Claims (3)
- 電気接続用のパッドが設けられた半導体基板の表面を、上記パッドを露出させる開口を有し、ポリイミド樹脂からなる第1の絶縁膜で被覆する工程と、
水酸化カリウム水溶液を用いてポリイミド樹脂のイミド環を開裂させ、上記第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面にカチオン交換基としてのカルボキシル基を導入する処理により、この第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面を改質する工程と、
上記第1の絶縁膜の表面、上記開口の内壁面、および上記開口の底面において露出する上記パッドの表面を被覆する薄い導体膜を、この導体膜を構成する金属材料のイオンを含む水溶液中に上記第1の絶縁膜を浸漬することにより、当該第1の絶縁膜の表面および上記開口の内壁面においてイオン交換反応を生じさせることによって形成する工程と、
上記薄い導体膜を用いて給電を行う電解めっき法によって、上記薄い導体膜を厚膜化する工程と、
上記厚膜化された導体膜を被覆するとともに、この導体膜の一部を露出させる開口を有する第2の絶縁膜を形成する工程と、
上記第2の絶縁膜の上記開口内に、上記厚膜化された導体膜と接合される接続部材を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 上記接続部材が、他の固体装置との接続のためのバンプであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 上記接続部材として、上記第2の絶縁膜の上記開口の底面において上記導体膜に接合されるとともに、上記開口外の上記第2の絶縁膜の表面にまで延びる別の導体膜を形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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