JP4173860B2 - 寸法安定性ポリカーボネート物品 - Google Patents

Description

本発明は、ポリカーボネートから製造された物品及びポリカーボネートを用いてこれらの物品を製造する方法に関する。

ポリカーボネートは、耐衝撃性、機械的特性、透明性などの、その優れた物性のため様々な用途に広く用いられている。ポリカーボネートはデータの記憶及び検索のような光学媒体用途に広く用いられている。
ビスフェノールＡ（ＢＰＡ）ポリカーボネートは、低コスト、良好な透明性及び機械的性質のため、コンパクトディスク及びデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）のような光情報記憶媒体に最適な基板として役立っている。しかし、個々のディスクにさらに大量の情報を保存する必要性から、高密度ＤＶＤ（ＨＤＤＶＤ）、記録型デジタルビデオ（ＤＶＲ）、記録型ＤＶＤ（ＤＶＤ−Ｒ及びＤＶＤ＋Ｒ）及び書換型ＤＶＤ（ＤＶＤ−ＲＷ及びＤＶＤ＋ＲＷ）フォーマットのような多層記録層及び短波長レーザーに基づく高密度データ記憶のための新しい技術が開発されている。かかる光学媒体ディスクに非干渉性シールドを形成する透明プラスチック層には、高い透明性、耐熱性、低い吸水性、延性、粒状物が少ないことなど、一段と厳しい材料規格が要求され、通常のＢＰＡホモポリカーボネートでは満足できない。

高データ記憶密度化に関する材料の有効性に影響する重要な性質の一つは、基板材料のピット及び溝の間隔である。データはこうしたピット及び溝に記憶されるので、情報の損失を防ぐにはディスクの平坦性が必要とされる。過度の吸湿はディスク又はディスクを形成するフィルムのゆがみを生じ、信頼性の低下を招くことが知られている。こうしたゆがみ（以下、寸法安定性という。）の結果、レーザービームによるデータの記憶又は読取りが不正確になる。ディスクの大半が概してポリマー材料からなるので、ディスクの平坦性はポリマー材料の吸水性の低さに依存する。同様に、慣用ＢＰＡポリカーボネートから製造したフィルムは周囲の湿気を吸収するため反りを呈することが多い。寸法安定性は、特に周囲に存在する湿気の量と吸湿速度の関数である。上述のような最新フォーマットの光学ディスクに適した材料は、最適な寸法安定性だけでなく、コンパクトディスクのような慣用光学ディスクの製造条件と対比して最適な複製及びサイクル時間も示すべきである。また、射出成形で高品質のディスクを製造するため、ポリマーは容易に加工できるもの、つまり良好な流動性を示すべきである。従って、こうした最新データ記憶フォーマットに有用な適当な基板としての新材料を開発するニーズが存在し続けている。高密度記憶フォーマットに適した材料は、既にＢＰＡホモポリカーボネートが有している他の望ましい特性を損なうことなく、複製及びサイクル時間に加えて寸法安定性という重大な要件に十分に対処できるものであるべきである。

ガラス転移温度が高く、熱分解耐性の高いポリカーボネートは、産業界、特に自動車、航空機及びディスプレイ装置市場で強く求められている材料である。例えば、自動車産業では、かかる材料は、小型化し、レンズと発熱源の距離が短くなる傾向にあるヘッドランプやフォグランプのようなヘッドランプレンズの製造に使用できるであろう。かかるポリカーボネートのその他の自動車用ライト用途としては、ヘッドランプやフォグランプ用のベゼルのような物品がある。かかるポリカーボネートのもう一つの用途は透明な高温安定性フィルムの製造であり、例えばディスプレイ装置に利用できる。

ポリカーボネートは、いわゆる界面法を用いたＢＰＡのような芳香族ジヒドロキシ化合物とホスゲンとの直接反応、或いは芳香族ジヒドロキシ化合物とジフェニルカーボネートのような炭酸ジエステルとのエステル交換反応によるエステル交換法（溶融法とも呼ばれる。）で製造することができる。溶融法では、概して、無機不純物や粒状物の含有量が非常に低く、ポリマー加工条件下で優れた安定性を示すポリカーボネートが得られる。

特開平７−００３００２号公報には、構造が開示されていない環状テルペン含有多価フェノールからのポリカーボネートの製造が開示されている。特開平８−１９８７９１号公報には、１，３−及び２，８−ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン誘導体の重合で得られるポリカーボネートが開示されている。しかし、これらのポリカーボネートの重量平均分子量は１００００未満であり、報告されたガラス転移温度も比較的低く、そのためこれらのポリカーボネートは、自動車用途、光学媒体用途及びディスプレイ装置用の物品を製造するための候補としては劣る。
特開平７−００３００２号公報 特開平８−１９８７９１号公報

本発明の一実施形態はポリカーボネート層を含んでなる光学ディスクであって、当該ポリカーボネートは、
以下の式からなる群から選択されるビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン

（式中、各Ａ^１は独立に二価置換又は非置換基である。）と、
次式の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー

（式中、Ａ^２は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）と
を用いて製造されたものであり、製造されたポリカーボネートは、約１００００以上の重量平均分子量、約１００℃以上のガラス転移温度、及び相対湿度約１００％の窒素に温度約２３℃で約３時間暴露した後に初期長さに対して約０．０２５％未満の伸び率を有する。

別の実施形態は、以下の式からなる群から選択される１種以上のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンと

次式の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー

（式中、Ａ^２は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）と
を含むビスフェノール組成物を用いて製造されたポリカーボネートを含んでなる物品である。

別の実施形態では、光学ディスクは、触媒組成物とモノマー組成物を用いて製造されたポリカーボネート層を含んでおり、モノマー組成物はジフェニルカーボネート、ビスフェノール組成物及び芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物を含んでおり、芳香族ジヒドロキシ化合物はレゾルシノール、ビスフェノールＡ、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン及びこれらの芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物を１種以上含む組合せからなり、ビスフェノール組成物は以下の式からなる群から選択される１種以上のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンを含む。

式中、各Ａ^１は独立に置換又は非置換二価芳香族基である。

ポリカーボネート保護層を含んでなるディスプレイ装置であって、当該ポリカーボネートは、
以下の式からなる群から選択されるビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン

（式中、各Ａ^１は独立に二価置換又は非置換基である。）と、
次式の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー

（式中、Ａ^２は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）と
を用いて製造されたものであり、製造されたポリカーボネートは、約１００００以上の重量平均分子量、約１００℃以上のガラス転移温度、及び相対湿度約１００％の窒素に温度約２３℃で約３時間暴露した後に初期長さに対して約０．０２５％未満の伸び率を有する。

本発明はさらに、上記ポリカーボネートから前記のような物品を製造する方法にも関する。本発明の実施形態は、高温用途及び光学データ記憶／検索用途に適した物品及びフィルムを製造できることを始めとして、数多くの利点を有する。

様々な実施形態では、ポリカーボネートから製造された物品が開示されるが、このポリカーボネートは、ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンから、溶融エステル交換重合、界面重合、界面変換ビスクロロホルメート、固相重合及び薄膜溶融重合からなる群から選択される方法を用いて製造される。

一実施形態では、ポリカーボネートから製造される物品はホスゲンと以下のビスフェノール組成物：
次式（Ｉ）、（II）及びこれらのビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンを１種以上含む組合せからなるビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンの群から選択される１種以上のビスフェノール

（式中、各Ａ^１は独立に置換又は非置換二価芳香族基である。）、
任意成分として、次式（III）の１種以上の芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物

（式中、Ａ^２は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）
とを用いて界面重合によって製造される。

幾つかの実施形態では、Ａ^２は次式（IV）の構造を有する。

式中、Ｇ^１はフェニレン、ビフェニレン、ナフタレンなどの芳香族基を表す。Ｅはメチレン、エチレン、エチリデン、プロピレン、プロピリデン、イソプロピリデン、ブチレン、ブチリデン、イソブチリデン、アミレン、アミリデン、イソアミリデンなどのアルキレン又はアルキリデン基でもよいし、２以上のアルキレン又はアルキリデン基がアルキレン又はアルキリデンとは異なる原子団、例えば芳香族結合、第三アミノ結合、エーテル結合、カルボニル結合、含ケイ素結合、含イオウ結合（スルフィド、スルホキシド、スルホンなど）又は含リン結合（ホスフィニル、ホスホニルなど）で連結したものであってもよい。

適当なＥの例としては、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン、メチルシクロヘキシリデン、２−［２．２．１］−ビシクロヘプチリデン、ネオペンチリデン、シクロペンタデシリデン、シクロドデシリデン、アダマンチリデンなど、スルフィド、スルホキシド若しくはスルホンのような含イオウ結合、ホスフィニル、ホスホニルのような含リン結合、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基又はシラン若しくはシロキシのような含ケイ素結合がある。Ｒ^１は水素又はアルキル、アリール、アラルキル、アルカリール若しくはシクロアルキルのような一価炭化水素基を表す。Ｙ^１はハロゲン（フッ素、臭素、塩素、ヨウ素）のような無機原子、ニトロのような無機基、アルケニル、アリル若しくは上述のＲ^１のような有機基又は−ＯＲのようなオキシ基であればよく、唯一必要とされることはＹ^１がポリマーの製造に用いられる反応体及び反応条件に対して不活性でそれらの影響を受けないことである。「ｍ」は零からＧ^１上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｐ」は零からＥ上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｔ」は１以上の整数を表し、「ｓ」は０又は１であり、「ｕ」は０を含めた整数を表す。

芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物（IV）において、２以上のＹ^１置換基が存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１置換基についても同様である。ｓが０でｕが０でない場合、芳香族環同士がアルキリデンその他の橋かけ基を介さずに直接結合する。炭化水素残基の２以上の環炭素原子がＹ^１及びヒドロキシル基で置換されている場合、芳香核残基Ｇ^１上のヒドロキシル基とＹ^１の位置はオルト位、メタ位又はパラ位で種々異なっていてもよく、これらの基同士は隣接、対称又は非対称のいずれの関係にあってもよい。幾つかの特定の実施形態では、「ｔ」、「ｓ」及び「ｕ」は各々１であり、Ｇ^１基はいずれも非置換フェニレン基であり、Ｅはイソプロピリデンのようなアルキリデン基である。特定の実施形態ではＧ^１基はいずれもｐ−フェニレンであるが、両者共ｏ−若しくはｍ−フェニレンであってもよいし、一方がｏ−若しくはｍ−フェニレンで他方がｐ−フェニレンであってもよい。

適当な芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物の幾つかの非限定的な具体例としては、米国特許第４２１７４３８号に名称又は式（一般名若しくは個々の名称又は一般式若しくは個々の式）が開示されているジヒドロキシ置換芳香族炭化水素がある。幾つかの具体例としては、４，４’−（３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン）ジフェノール、４，４’−ビス（３，５−ジメチル）ジフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−５−ニトロフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，６−ジメチル−３−メトキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（一般にビスフェノールＡと呼ばれる。）、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５，３’，５’−テトラクロロ−４，４’−ジヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルプロパン、２，４’−ジヒドロキシフェニルスルホン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキノン、レゾルシノール、Ｃ_１−３アルキル−置換レゾルシノールがある。

また、適当な芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物には、３−（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，３−トリメチルインダン−５−オールである下記式（Ｖ）と、１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン−５−オールである式（VI）で表されるようなインダン構造単位を含有するものも含まれる。

また、適当な芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーの中には、次に示す式（VII）の２，２，２’，２’−テトラヒドロ−１，１’−スピロジオールもある。

式中、各Ｒ^６は独立に一価炭化水素基及びハロゲン基から選択され、各Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９及びＲ^１０は独立にＣ_１−６アルキルであり、各Ｒ^１１及びＲ^１２は独立にＨ又はＣ_１−６アルキルであり、各ｎは独立に０〜３の値を有する正の整数から選択される。特定の実施形態では、２，２，２’，２’−テトラヒドロ−１，１’−スピロ−ジオールは２，２，２’，２’−テトラヒドロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ［１Ｈ−インデン］−６，６’−ジオール（「ＳＢＩ」ともいう。）。

別の実施形態では、本発明は、ホスゲンと、既に記載し式（Ｉ）及び（II）に示すビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンとを用いて溶融エステル交換重合によって製造されたポリカーボネートから製造される物品を記載する。

別の実施形態では、ポリカーボネートから製造される物品は、溶融エステル交換重合、界面重合、界面変換ビスクロロホルメート、固相重合及び薄膜溶融重合からなる群から選択される重合法によって製造される。ビスフェノール組成物は式（Ｉ）及び（II）のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンに加えて次式（III）の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーを１種以上含む。

式中、Ａ^２は置換又は非置換芳香族基から選択される。

界面重合法では、有機媒体及び塩基性水性媒体からなる二相反応媒体中で芳香族ビスフェノールをホスゲンと反応させる。有機媒体は一般に水と非混和性のハロゲン含有炭化水素溶媒からなり、塩基性水性媒体は一般に水に溶解した無機塩基からなる。一般に、ジクロロメタンのような低級ハロゲン化アルカンを有機溶媒として使用する。水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムからなる群から選択されるアルカリ金属水酸化物が一般に塩基性水性媒体を製造するのに使用される。この反応で生成したポリカーボネートは一般に有機溶媒を除去することによって有機溶液から単離される。

別の実施形態では、溶融エステル交換重合、界面重合、界面変換ビスクロロホルメート、固相重合及び薄膜溶融重合からなる群から選択される重合法で、次式（VIII）及び（IX）のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンを使用する方法で製造されたポリカーボネートから物品を製造する。

上記ビスフェノールは、例えば米国特許第５４８０９５９号に記載の方法を用いて容易に製造することができる。

別の実施形態では、次の一般式（III）の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーを適宜ビスフェノール組成物に配合する。

式中、Ａ^２は置換又は非置換二価芳香族基である。

別の実施形態では、次式（Ｘ）に示す炭酸エステルを重合反応に使用する。

式中、各Ｚは独立に非置換若しくは置換アルキル基又は非置換若しくは置換アリール基である。存在する場合Ｚ上の置換基としては、特に限定されないが、１以上のアルキル、ハロゲン、クロロ、ブロモ、フルオロ、ニトロ、アルコキシ、アルコキシカルボニル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル及びシアノを挙げることができる。本発明で使用するのに適した炭酸ジエステルの幾つかの具体例としては、ジアリールカーボネート、ジアルキルカーボネート及び混成アリール−アルキルカーボネート、例えばジフェニルカーボネート、ビス（２，４−ジクロロフェニル）カーボネート、ビス（２，４，５−トリクロロフェニル）カーボネート、ビス（２−シアノフェニル）カーボネート、ビス（ｏ−ニトロフェニル）カーボネート、ビス｛（２−メトキシカルボニル）フェニル｝カーボネート、ビス｛（２−エトキシカルボニル）フェニル｝カーボネート、ジトリルカーボネート、ｍ−クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジエチルカーボネート、ジメチルカーボネート、ジブチルカーボネート及びジシクロヘキシルカーボネート、並びにこれらの２種以上の組合せがある。これらのうち、ジフェニルカーボネートが特定の実施形態で使用されることが多い。幾つかの実施形態では、これらの化合物の２種以上を使用する場合、１種はジフェニルカーボネートである。

エステル交換溶融重合においては、式（Ｉ）及び／又は（II）に示したビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン、任意成分としての式（III）の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー及び式（Ｘ）の炭酸ジエステルを適当な触媒の存在下で縮合させる。溶融重合は１以上の段階を含むプロセスで実施することができる。一段階プロセスでは、上記触媒の存在下で上記ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン、任意成分の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー及び炭酸ジエステルの溶融重縮合によってポリカーボネートを製造する。これらの重合を実施するのに使用する反応器に特に重要な意味はない。幾つかの実施形態では、反応器はガラス又は金属のいずれかで作ることができる。幾つかの実施形態では、反応器の壁はさらに適当な酸性物質による処理で不動態化することができる。ガラス製反応器で重合を実施するのが望ましい場合、反応器を水性酸媒体に浸漬することによってその壁を不動態化する。様々な実施形態では、この不動態化プロセス用の酸としては、塩酸、硫酸、硝酸などの鉱酸及び酢酸、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸などの有機酸の水溶液がある。

様々な実施形態では、この重合反応の反応体は固体形態又は溶融形態で反応器に仕込むことができる。反応器への反応体の初期仕込及びその後の重合反応性条件下におけるこれらの材料の混合は、窒素雰囲気のような不活性ガス雰囲気中で実施するとよい。反応混合物の混合は、攪拌のような当技術分野で公知の方法で行う。本明細書で反応性条件とは一般に、反応体の重合を起こすことになる時間、温度、圧力、その他の要因を含む条件をいう。

重合は、反応混合物を一連の温度−圧力−時間プロトコルに付すことで実施される。一般に、段階的に圧力を徐々に下げながら反応温度を段階的に徐々に上げる。好ましくは、圧力は、反応の開始時の略大気圧から、略大気圧〜約０．０１ミリバールの圧力まで変化し、略大気圧〜約０．０５ミリバールの圧力がさらに好ましく、約３００ミリバールの圧力〜約０．０５ミリバールの圧力がさらに一段と好ましい。温度は、好ましくは反応混合物の略溶融温度〜約３５０℃で変化し、約１８０〜約２３０℃がさらに好ましく、約２３０〜約２７０℃がより一層好ましく、約２７０〜約３５０℃が最も好ましい。この手順により、一般に、反応体が適切に反応して、所望の分子量、ガラス転移温度及び物理的性質を有するポリカーボネートが確実に得られる。この反応が進行すると、ポリカーボネート鎖が構築されると共にフェノール副生物が生成する。真空によってフェノール副生物を効率的に除去すると、高分子量ポリカーボネートを生成させることができる。フェノールが効率的に除去されないと、それが逆反応に関与して、重合触媒の存在下でフェノールによってポリカーボネート鎖が開裂し、その結果機械的その他の物理的性質に劣る低分子量ポリカーボネートが生成する。この反応の進行は、反応混合物の溶融粘度又は重量平均分子量を測定することによってモニターすることができる。所望の溶融粘度及び／又は分子量に達した後、最終ポリカーボネート生成物を固体又は溶融形態で反応器から単離することができる。

本ポリカーボネートの製造方法は上記のものに限られることはない。従って、本方法は、回分式、半回分式又は連続式のいずれでも実施することができる。当技術分野で公知の反応装置がこの反応を実施するのに使用でき、幾つかの実施形態では横型、管型又はカラム型であり得る。

本発明の様々な実施形態で使用する用語「アルキル」は、直鎖アルキル、枝分れアルキル、アラルキル、シクロアルキル及びビシクロアルキル基を示すものである。様々な実施形態では、直鎖及び枝分れアルキル基は、特に断らない限り、１〜約４０個の炭素原子を含有するものであり、非限定的な具体例としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、第三−ブチル、ペンチル、ネオペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル及びドデシルがある。様々な実施形態では、シクロアルキル基は３〜約１２個の環炭素原子を含有するものである。これらのシクロアルキル基の幾つかの非限定的な具体例としては、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、メチルシクロヘキシル及びシクロヘプチルがある。様々な実施形態では、アラルキル基は７〜約１４個の炭素原子を含有するものであり、例えば、特に限定されないが、ベンジル、フェニルブチル、フェニルプロピル及びフェニルエチルがある。様々な実施形態では、本発明で使用する芳香族基は６〜１２個の環炭素原子を含有する単環式又は多環式部分を示すものである。これらのアリール基はまた、その環炭素上に置換された１以上のハロゲン原子又はアルキル基を含有していてもよい。殆どの実施形態では、存在するいかなる置換基も、フェノール性芳香族基中にあるような適当な芳香族基とモノテルペン中にあるような適当なオレフィン性基との反応を妨げる環位置にはない。これらの芳香族基の幾つかの非限定的な具体例としては、フェニル、ハロフェニル、ビフェニル及びナフチルがある。別の実施形態では、本発明で使用する芳香族基は７〜１４個の炭素原子を含有するアラルキル基を示すものである。

物品を形成するためのポリカーボネートの製造において、上記芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーは単独で使用してもよいし、又は２種以上の異なる芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーの混合物として使用してもよい。一つの特定の実施形態では、ポリカーボネートの製造に適当な芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（一般にビスフェノールＡ又は「ＢＰＡ」と呼ばれる。）、レゾルシノール又はこれらの混合物である。

溶融エステル交換法によるポリカーボネートの製造中、炭酸ジエステルの量は、好ましくは、ビスフェノール成分１モル当たり約０．９５〜約１．３０モルの量であり、約１．０５〜約１．１５モルの量がさらに好ましい。

溶融エステル交換重合で使用することができる触媒としては、かかる重合に対して有効であることが知られているものが全て包含される。様々な実施形態では、かかる触媒は、アルカリ金属化合物、アルカリ土類金属化合物、テトラオルガノアンモニウム化合物及びテトラオルガノホスホニウム化合物からなる群から選択される。

アルカリ金属化合物又はアルカリ土類金属化合物の具体例としては、アルカリ金属及びアルカリ土類金属の有機酸塩、無機酸塩、酸化物、水酸化物、水素化物及びアルコラートがある。幾つかの実施形態では、触媒は、式Ｍ_１Ｘ_１のアルカリ金属化合物である（式中、Ｍ_１はリチウム、ナトリウム及びカリウムからなる群から選択され、Ｘ_１は水酸基及びＯＡｒからなる群から選択され、Ａｒは一価芳香族基である。）。

より具体的には、アルカリ金属化合物の例として、特に限定されないが、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム、重炭酸ナトリウム、重炭酸カリウム、重炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウム、ステアリン酸リチウム、ステアリン酸ナトリウム、ステアリン酸カリウム、ヒドロキシホウ酸リチウム、ヒドロキシホウ酸ナトリウム、フェノキシホウ酸ナトリウム、安息香酸ナトリウム、安息香酸カリウム、安息香酸リチウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二リチウム、ビスフェノールＡの二ナトリウム塩、二カリウム塩及び二リチウム塩、並びにフェノールのナトリウム塩、カリウム塩及びリチウム塩などがある。

また、アルカリ土類金属化合物の具体例としては、特に限定されないが、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム、水酸化ストロンチウム、重炭酸カルシウム、重炭酸バリウム、重炭酸マグネシウム、重炭酸ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸バリウム、酢酸マグネシウム、酢酸ストロンチウム及びステアリン酸ストロンチウムなどがある。

他の実施形態では、触媒は、式Ｒ_４ＮＹ^２のテトラオルガノアンモニウム化合物である（式中、ＲはＣ_１〜Ｃ_４アルキル基であり、Ｙ^２は水酸基、酢酸基又はＯＡｒであり、Ａｒは一価芳香族基である。）。さらに他の実施形態では、触媒は、式Ｒ_４ＰＹ^２のテトラオルガノホスホニウム化合物である（式中、ＲはＣ_１〜Ｃ_４アルキル基であり、Ｙ^２は水酸基、酢酸基又はＯＡｒであり、Ａｒは一価芳香族基である。）。

テトラオルガノアンモニウム化合物及びテトラオルガノホスホニウム化合物の具体例としては、特に限定されないが、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラエチルホスホニウム、酢酸テトラブチルホスホニウム、水酸化テトラブチルホスホニウムなどがある。以上に開示した触媒はいずれも、２種以上の物質の組合せとして使用してもよい。この触媒は種々の形態で添加することができる。触媒は固体、例えば粉末として添加してもよいし、又は溶媒、例えば水若しくはアルコールに溶解させてもよい。

全触媒組成物は、ビスフェノール組成物及び任意成分のコモノマーの組合せ各１モルに対して約１×１０^−７〜約２×１０^−３モルであるのが好ましく、約１×１０^−６〜約４×１０^−４モルがさらに好ましい。

エステル交換溶融重合法で製造されたポリカーボネートは好ましくは、約１００００以上の重量平均分子量、約１００℃以上のガラス転移温度、及び相対湿度約１００％の空気に温度約２３℃で約３時間暴露した後の初期長さに対する伸び率によって測定して約０．０２５％未満の寸法安定性を有する。

エステル交換溶融重合を上記と同様に実施するが芳香族ジヒドロキシ化合物をコモノマーとして使用しない場合、得られるポリカーボネート生成物は、一実施形態では、重量平均分子量が約１００００以上、ガラス転移温度が約１５０℃以上であり、温度約２３℃で約３時間相対湿度約１００％の窒素に暴露した後のその初期長さに対する伸び率によって測定した寸法安定性が約０．０２５％未満である。

既に記載されたいずれかの重合法を用いて製造したポリカーボネートは、溶媒に溶解したポリカーボネートの溶液を形成することによってフィルムに流延することができる。適当な溶媒としては、特に限定されないが、ジクロロメタンや１，２−ジクロロエタンのようなハロゲン化炭化水素溶媒がある。

ポリカーボネートの寸法安定性は、ポリカーボネートフィルムを制御されたチャンバーに入れ、所定レベルの湿度及び温度に維持された窒素流に所定時間暴露することによって測定することができる。ポリカーボネート試料による湿気の吸収によってそのフィルムの膨潤つまり伸長が起こる。次に、そのフィルムの吸収した湿気を脱湿加熱窒素を用いて追い出すことによって膨潤を除き、このプロセスを一般に前記伸び率に至るまで繰り返す。この方法の一つの態様では、上記プロセスを２回以上、幾つかの実施形態では３回繰り返して前記伸び率を達成することができる。低い伸び率は吸湿に対する際立った耐性を示し、これは優れた寸法安定性である。

上記した溶融エステル交換重合法によって製造したポリカーボネートから流延したフィルムは、そのフィルムの元の長さの約０．０２５％未満という非常に低い伸び率で立証されるように、多湿環境中で際立った寸法安定性を示す。これらの材料は、基準材料であるＢＰＡホモポリカーボネート、並びに比較材料である４５：５５のモル比の１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン及び４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールモノマーとホスゲンとの界面反応で製造されたポリカーボネートコポリマー及びジメチルビスフェノールシクロヘキサノン（ＤＭＢＰＣ）とジフェニルカーボネートとの反応から誘導されたホモポリカーボネートから製造されるフィルムと比較して格段に優れた寸法安定性を示す。

幾つかの実施形態では、ポリカーボネートコポリマーは、前記ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン又はその混合物由来の構造単位と、炭酸ジエステル由来の構造単位及び１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー由来の構造単位との組合せから実質的に構成される。特定の実施形態では、ポリカーボネートコポリマーは、前記ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン又はその混合物由来の構造単位と、炭酸ジエステル由来の構造単位及び１種以上のビスフェノールＡ、レゾルシノール、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン又はこれらの混合物由来の構造単位との組合せから実質的に構成される。さらに他の実施形態では、ポリカーボネートコポリマーは、前記ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン又はその混合物由来の構造単位と、炭酸ジエステル由来の構造単位及び１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー由来の構造単位との組合せからなる。特定の実施形態では、ポリカーボネートコポリマーは、前記ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン又はその混合物由来の構造単位と、炭酸ジエステル由来の構造単位及び１種以上のビスフェノールＡ、レゾルシノール、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン又はこれらの混合物由来の構造単位との組合せからなる。これらのコモノマーがとることができる様々な構造上の可能性については既に記載した。他の実施形態では、コモノマーには、ＢＰＡ、レゾルシノール、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール（「ｂｉｓｐｄｅｄ」ともいう。）及び２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（「ｓ−ＢＰＡ」ともいう。）がある。特定の実施形態では、コモノマーとして使用することができる芳香族ジヒドロキシ化合物には、ＢＰＡ及びレゾルシノールがある。

前記したいずれかの方法によりビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンを用いて製造したポリカーボネートから製造される物品は、ヘッドランプ及びフォグランプ用のレンズ及びベゼルのような自動車用ライト用途、並びにディスプレイ装置用途に極めて有用である。これらの用途では、最適な長期性能にとって高温安定性が極めて重要であり得る。

適当な割合のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンと芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーから製造されたポリカーボネートを含んでなる物品は、光学媒体用途に適した各種物品を製造するのに使用される。様々な実施形態では、光学媒体用途に適した物品を製造するためのポリカーボネートは、ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンが本明細書に記載したものの１種以上であり、芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーがＢＰＡ、レゾルシノール、ｂｉｓｐｄｅｄ及びｓ−ＢＰＡの１種以上であるものからなる。製造することができる物品としては、光学物品及びディスプレイ装置がある。ポリカーボネートを用いて製造することができる光学物品は、フィルム、光情報記憶媒体、書込型光学ディスク及び光情報記憶媒体用の基板からなる。これらの光学物品は、デジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）、高密度ＤＶＤ（ＨＤＤＶＤ）、記録型デジタルビデオフォーマット（ＤＶＲ）、記録型ＤＶＤフォーマット（ＤＶＤ−Ｒ又はＤＶＤ＋Ｒ）及び書込型ＤＶＤフォーマット（ＤＶＤ−ＲＷ又はＤＶＤ＋ＲＷ）を用いる高密度データ記憶のような様々な記録媒体を被覆する保護透明層として機能することができる。

上記方法のいずれかを用いて製造されたポリカーボネートはまた、ディスプレイ装置を製造するのにも適している。ディスプレイ装置の構成部品の一つはディスプレイパネルの一部を形成するフィルムである。かかるフィルムに対する材料要件として、良好な加工性、高分子量及びディスプレイ作動中に発生する熱に耐えるのに充分なガラス転移温度がある。反応させるモノマーを的確に選択することによって、高分子量、高いガラス転移温度及び良好な加工性を有するポリカーボネートを得ることができ、従って、これらはディスプレイ装置用のかかるフィルムを製造するのに有用である。これらのフィルムはポリカーボネートの溶液から流延することができる。かかるフィルムは良好な加工性、際立った寸法安定性及びディスプレイ作動中に発生する熱に耐えるのに充分なガラス転移温度をもっている。

本発明の別の態様は、上記溶融エステル交換重合法によって製造されたポリカーボネートを含む組成物を成形することからなる物品の製造方法である。成形方法は射出成形、熱成形、ブロー成形などからなる群から選択され得る。様々な実施形態では、この成形組成物用のポリカーボネートは、ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンが本明細書に記載のものの１種以上であるものからなる。

以下の実施例は、本発明を実施する上での追加の指針を当業者に提供するためのものである。以下に挙げる実施例は、本出願の教示に関与した研究の単なる代表例である。従って、これらの実施例は特許請求の範囲に記載の本発明をいかなる意味でも限定するものではない。

全ての実施例で、ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン（Ｘ）及び（Ｙ）は下記式に示す構造を表す。

ポリカーボネートのガラス転移温度は、示差走査熱量分析法で窒素下毎分１０〜２０℃の速度で試料を加熱することによって測定した。

重量平均分子量（Ｍ_ｗ）及び数平均分子量（Ｍ_ｎ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定した。値はポリスチレン標準で測定されたものと比較したものである。

多分散度（ＰＤＩ）は比Ｍ_ｗ／Ｍ_ｎから計算した。

ポリカーボネート試料の寸法安定性の測定に当たっては、まずポリカーボネートのジクロロメタン溶液からフィルムを流延した。次にこのフィルムをチャンバー内に入れ、窒素ガスすなわち相対湿度１００％で２３℃に維持した窒素を流した。所定の時間、一般的には約３０〜約４５分後、フィルムを約１５０〜約２００ｍｌ／分の速度で流れる乾燥窒素ガス流に暴露して、フィルムから吸収していた湿気を全て除去した。以上のプロセスを３回繰返し、フィルムの最終的な長さを測定した。その後、フィルムの初期長さに対する伸び率（長さの増大）を計算した。

ＴＤ_１／２、すなわち半減期温度とは、ポリカーボネートの半分の量が分解した時の温度をいう。これは、熱重量分析により窒素下で２０℃／分の加熱速度を用いて測定した。

末端封鎖率とは、フェニル基によって末端封鎖されたポリカーボネート鎖の％をいう。このパラメーターは^３１Ｐ ＮＭＲ分光法を用いて測定した。

フリース含量は、ポリカーボネート鎖のフリース転位によって生じた化学種の量を意味する。これらの値は高性能液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）技術を用いて得られたものであり、ｐｐｍ単位で表す。

各実施例で触媒組成物は、水性水酸化ナトリウムと２５重量％の水性水酸化テトラメチルアンモニウムの原液の適当な部分試料を採取することによって調製した。

溶融エステル交換重合の一般手順
ガラス製重合反応器を、１モル濃度の塩酸水溶液を含有する浴に浸漬することによって不動態化した。２４時間後、反応器を脱塩水で、最後に脱イオン水で充分に濯いで、痕跡量のあらゆる酸その他の汚染物質を確実に除去した。その後反応器を充分に乾燥し、適当な量のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン（Ｉ）又は（II）、１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー及びジフェニルカーボネートからなるモノマーを仕込んだ。次に、反応器を重合アセンブリに取付け、漏れがないことをチェックして確認した。次いで、上記のように調製した所要量の触媒溶液を、注射器を用いて反応器中に導入した。その後、反応器内部の雰囲気を真空源を用いて排気し、窒素でパージした。このサイクルを３回繰り返した後、反応器の内容物を加熱してモノマー混合物を溶融させた。混合物の温度が約１８０℃に達したとき、反応器内の攪拌機を始動させ、約４０〜約８０回転／分（ｒｐｍ）に調節して、固形物全体を確実完全に溶融させた。このプロセスには通常約１５〜約２０分かかった。次に、反応混合物を約２３０℃に加熱する一方、真空源を用いて反応器内の圧力を約１７０ミリバールに調節した。この温度−圧力−時間条件をＰ１と呼ぶ。反応塊をこの条件で約１時間攪拌した後、反応温度を約２７０℃に上昇させる一方で圧力を約２０ミリバールに再調節した。この条件（Ｐ２と呼ぶ）に約３０分維持した後、反応混合物の温度を３００℃に上昇させる一方で圧力を約１．５ミリバールに低下させた。これらの条件（Ｐ３と呼ぶ）下で約３０〜約６０分反応を進行させた後、反応器内の圧力を大気圧にし、反応器を通気して過剰の圧力を解放した。反応器の底のガラスニップルを破壊し、物質を回収することによって生成物を単離した。生成物の分子量が非常に高い場合には、窒素ガスで反応器を加圧して熱い溶融ポリマーを落下させた。

実施例１〜１７、比較例１〜３
上記一般重合手順を使用して、様々な異なるモノマー組成物を用いて各種ポリカーボネートを調製した。調製した各ポリカーボネートに対して、上記一般手順を用いてガラス転移温度、分子量及び膨潤データを測定した。結果を表１に示す。反応は全て、ジフェニルカーボネートと、ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン及び芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーの組合せとのモル比を１．０８として行った。触媒は、モル比１：１００の水酸化ナトリウムと水酸化テトラメチルアンモニウムの組合せであった。いずれの場合も、ビスフェノール組成物１モル当たり２．５×１０^−４モルの水酸化テトラメチルアンモニウムを使用した。値はビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン混合物及び芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーの相対モル割合（％）を示す。比較例１（表１中に比較例１として示す）は、上記一般手順を用いてＢＰＡとジフェニルカーボネートから製造したＢＰＡホモポリカーボネートである。比較例２（表１中に比較例２として示す）は、４５：５５のモル比のモノマー、すなわち１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン及び４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールとホスゲンとの界面反応で調製したポリカーボネートコポリマーである。比較例３（表１中に比較例３として示す）は、上記一般手順を用いてジメチルビスフェノールシクロヘキサノンとジフェニルカーボネートから製造したポリカーボネートである。

実施例１８〜３７
同様に上記一般手順を用いて、より高いガラス転移温度、一般に１５０℃より高いポリカーボネートを調製した。これらの結果を表２に示す。モル比はジフェニルカーボネートのモル数とＢＰＡ（Ｘ）及び（Ｙ）のモル数の合計との比を意味する。触媒は１：１００のモル比の水酸化ナトリウムと水酸化テトラメチルアンモニウムの組合せであった。いずれの場合も、ビスフェノール組成物１モル当たり２．５×１０^−４モルの水酸化テトラメチルアンモニウムとした。値は、（Ａ）、（Ｘ）及び（Ｙ）からなるビスフェノール組成物１モルに対する触媒のモル数を表す。Ｐ３時間は上記手順に記載した重合プロセスの最後の段階の反応時間を指す。

実施例３８〜６０
反応条件がポリカーボネートの分子量とガラス転移温度に及ぼす影響を調べた。これらの結果を表３に示す。重合は全て、ＢＰＡと（Ｘ）を用い、各成分のモル分率が０．５となるようにして実施した。触媒は、１：１００のモル比の水酸化ナトリウムと水酸化テトラメチルアンモニウムの組合せであった。いずれの場合も、ビスフェノール組成物１モル当たり２．５×１０^−４モルの水酸化テトラメチルアンモニウムとした。値はＢＰＡと（Ｘ）の組合せ１モルに対する触媒のモル数を表す。Ｐ３時間は上記と同じ意味を有する。モル比はジフェニルカーボネートのモル数とＢＰＡ及び（Ｘ）のモル数の合計との比を意味する。

典型的な実施形態について本発明を例示し説明してきたが、本発明の要旨から逸脱することなく様々な修正や置換をなすことができ、本発明は以上記載してきた詳細に限定されるものではない。さらに、本明細書に開示した本発明のさらなる修正や均等物は、過度の実験を行わずとも当業者には明らかであろう。従って、かかる修正及び均等物は特許請求の範囲に記載の本発明の思想及び技術的範囲に属する。本明細書で引用した特許は全て援用により本明細書の内容の一部をなす。

Claims (9)

1. ポリカーボネート層を含んでなる光学ディスクであって、該ポリカーボネートが、
   以下の式からなる群から選択されるビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン
   

   

   （式中、各Ａ^１は独立に二価置換又は非置換基である。）と、
   次式の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー
   

   

   （式中、Ａ^２は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）と
   を用いて製造されたものであり、製造されたポリカーボネートが、約１００００以上の重量平均分子量、約１００℃以上のガラス転移温度、及び相対湿度約１００％の窒素に温度約２３℃で約３時間暴露した後に初期長さに対して約０．０２５％未満の伸び率を有する、光学ディスク。
2. 前記ポリカーボネートが、溶融エステル交換重合、界面重合、界面変換ビスクロロホルメート、固相重合及び薄膜溶融重合からなる群から選択される方法で製造される、請求項１記載の光学ディスク。
3. 前記ビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンが、次式のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン及びこれらのビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンを１種以上含む組合せからなる群から選択される、請求項１記載の光学ディスク。
   

   
4. 前記芳香族ジヒドロキシ化合物が次式の１種以上の化合物からなる、請求項１記載の光学ディスク。
   

   

   式中、Ｇ^１は芳香族基であり、Ｅは１以上のアルキレン、アルキリデン、若しくは脂環式基、含イオウ結合、含リン結合、エーテル結合、カルボニル基、第三窒素基又は含ケイ素結合であり、Ｒ^１は水素又は一価炭化水素基であり、Ｙ^１は水素、一価炭化水素基、アルケニル、アリル、臭素、塩素、ニトロからなる群から選択され、「ｍ」は零からＡ^１上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｐ」は零からＥ上で置換可能な部位の数までの整数を表し、「ｔ」は１以上の整数を表し、「ｓ」は０又は１であり、「ｕ」は０を含めた整数を表す。
5. 前記芳香族ジヒドロキシ化合物が、４，４’−（３，３，５−トリメチルシクロヘキシリデン）ジフェノール、４，４’−ビス（３，５−ジメチル）ジフェノール、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ヘプタン、２，４’−ジヒドロキシジフェニルメタン、ビス（２−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−５−ニトロフェニル）メタン、ビス（４−ヒドロキシ−２，６−ジメチル−３−メトキシフェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシ−２−クロロフェニル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−エチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３−イソプロピルフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５，３’，５’−テトラクロロ−４，４’−ジヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキシルメタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルプロパン、２，４’−ジヒドロキシフェニルスルホン、２，６−ジヒドロキシナフタレン、ヒドロキノン、レゾルシノール、Ｃ_１−３アルキル置換レゾルシノール、３−（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，３−トリメチルインダン−５−オール、１−（４−ヒドロキシフェニル）−１，３，３−トリメチルインダン−５−オール及び２，２，２’，２’−テトラヒドロ−３，３，３’，３’−テトラメチル−１，１’−スピロビ［１Ｈ−インデン］−６，６’−ジオールからなる群から選択される、請求項４記載の光学ディスク。
6. 前記芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマーが、ビスフェノールＡ、レゾルシノール、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン及びこれらのコモノマーを１種以上含む組合せからなる群から選択される、請求項４記載の光学ディスク。
7. 光学ディスクが、高密度デジタルバーサタイルディスク及びデジタルビデオ書換型フォーマットからなる群から選択される、請求項１記載の光学ディスク。
8. 触媒組成物とモノマー組成物を用いて製造されたポリカーボネート層を含んでなる光学ディスクであって、モノマー組成物がジフェニルカーボネート、ビスフェノール組成物及び芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物を含んでなり、芳香族ジヒドロキシ化合物がレゾルシノール、ビスフェノールＡ、４，４’−（１−デシリデン）−ビスフェノール、２，２−ビス（３−ｓｅｃ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン及びこれらの芳香族ジヒドロキシコモノマー化合物を１種以上含む組合せを含んでなり、ビスフェノール組成物が以下の式からなる群から選択される１種以上のビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサンを含んでなる光学ディスク。
   

   

   式中、各Ａ^１は独立に置換又は非置換二価芳香族基である。
9. ポリカーボネート保護層を含んでなるディスプレイ装置であって、ポリカーボネートが、
   以下の式からなる群から選択されるビス（ヒドロキシアリール）シクロヘキサン
   

   

   （式中、各Ａ^１は独立に二価置換又は非置換基である。）と、
   次式の１種以上の芳香族ジヒドロキシ化合物コモノマー
   

   

   （式中、Ａ^２は二価置換又は非置換芳香族基から選択される。）と
   を用いて製造されたものであり、製造されたポリカーボネートが、約１００００以上の重量平均分子量、約１００℃以上のガラス転移温度、及び相対湿度約１００％の窒素に温度約２３℃で約３時間暴露した後に初期長さに対して約０．０２５％未満の伸び率を有する、ディスプレイ装置。