JP4079676B2 - ハイインピーダンス検出回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ハイインピーダンス検出回路、特にレジスタ内蔵型DRAMのソフトエラー対策に好適なハイインピーダンス検出回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
外部から飛来する粒子(放射線)により、DRAMで発生するソフトエラーに対しては、これまでにも多くの対策が考案されている。その典型例は、周知のように、冗長ビットを付加したECC(Error Correcting Code)手法の採用によって、エラー訂正を行うというものである。
【0003】
また、本来必要な作動回路を二重化し、各作動回路の出力信号を比較することによってソフトエラーを検出する「故障検出回路」(特開平06-103099)や、書込みデータから演算されるパリティと、読出しデータから演算されるパリティとを比較し、不一致の場合にはそのアドレスがソフトエラーを引き起こしたアドレスとする「エラー検出装置」(特開平04-285800)も知られている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
これらの技術によれば、DRAMのメモリ素子におけるソフトエラーの検出は訂正できる。しかし、近年のDRAMでは、動作モードの設定をプログラム化し、そのためのレジスタを備えているものが少なくないが、そのようなDRAMにおいて、レジスタが外部から飛来する粒子(放射線)によりソフトエラーを招いた場合に対しては言及していない。
【0005】
動作モード設定用のレジスタにソフトエラーが発生すると、DRAMデータバス系の回路では、バスファイト状態を招くことになり、この状態が長く続くと回路のデバイスにダメージを与えることになる。これは、 レジスタ動作の異常が、書き読み動作も反転させてしまう可能性があることから、バス制御回路側の出力状態とDRAMの出力状態がかち合うバスファイトを招くためである。この状態は、短い時間であれば影響は少ないが長くなると、デバイスの不良となる可能性が高くなり、恒久的な故障引き起こすに到る。
【0006】
本発明の目的は、バスファイトの早期検出とその解除が早急にできるハイインピーダンス検出回路を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明のハイインピーダンス検出回路は、動作モード設定用レジスタ内蔵型DRAMが接続されるデータバスラインの論理値の反転信号を該データバスラインに供給し、データバスラインの論理値が反転するか否かを検出することによって、データバスラインがハイインピーダンス状態であるか否かを判定することを特徴とするものである。
【0008】
より具体的には、本発明のハイインピーダンス検出回路は、動作モード設定用レジスタ内蔵型DRAMに接続されたデータバスライン(図1の11)がハイインピーダンス状態であるか否かを判定するハイインピーダンス検出回路であって、データバスラインの論理値を反転して該データバスラインに供給し、かつDRAMおよび該DRAMに対する読み書き回路の駆動力より弱い駆動力のデータ反転回路(図1の1,2,9)と、データ反転回路によるデータバスラインの論理値の負論理から正論理および正論理から負論理への反転結果をそれぞれ保持する第1のフリップフロップ(図1の3,4)と、第1のフリップフロップの出力からデータバスラインの論理値の反転を検出する論理反転検出回路(図1の8,5)と、論理反転検出回路の出力に基づいてハイインピーダンス判定信号(図1の15)を外部へ出力するハイインピーダンス判定回路(図1の6)と、該ハイインピーダンス検出動作を開始させるための開始信号(図1の14)が供給されると、各回路を起動する起動回路(図1の7)とを有することを特徴とする。
【0009】
本発明では、DRAMはリード/ライト中には、データバスラインはハイインピーダンスであり、また、リード/ライト中にはデータバスラインはローインピーダンスである筈なので、このことを次のようにして確認する。リード/ライト期間外を示す信号の存在する間に、データバスラインの論理レベルを強制的に反転した論理レベルをデータバスラインに加え、データバスラインの論理レベルが反転すればデータバスラインはハイインピーダンスでると判定する。また、リード/ライト期間中を示す信号の存在する間に、データバスラインの論理レベルを強制的に反転した論理レベルをデータバスラインに加え、データバスラインの論理レベルが反転しなければデータバスラインはロウインピーダンスでると判定する。
【0010】
すなわち、ハイインピーダンスの状態を検出する回路は、現状の論理と反転するような駆動を強制的に行い、この駆動の結果、反転すればハイインピーダンス状態にあると判断するが、反転しなければハイインピーダンス状態にないと判断する方法で行う。このとき、論理を強制的に反転させるバッファの駆動能力は、DRAMあるいはDRAMに対する読み書き回路の駆動力より十分弱く、プルアップ抵抗には影響されない中間の駆動能力であることが必要とされる。
【0011】
異常の検出は、上述のバスラインのハイインピーダンスの判定結果と、ハイインピーダンス状態の有無の期待値との比較で行い、期待と違う場合に異常が発生したと判断するものである。
【0012】
本発明は、このように、データバスラインのハイインピーダンスの検出によりデータバスラインの異常を検出する構成としたため、DRAMが内蔵する動作設定用レジスタにソフトエラーが発生して動作モードが変化しても、バスファイトの早期検出とその解除が早急にできるようになる。なお、DRAMの書込みコマンドは、復旧させたいスピード要求とバスファイトのダメージの大きさにより、適宜設定することが可能であり、これによって異常動作の検出を適切な間隔に設定することが可能である。
【0013】
更に、動作異常を検出した場合には、DRAMへのデータ再書込みを図ったり、デバイスのストレス軽減のために設定を適切にすなどの処置を行うことを可能にするものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明する。
【0015】
[実施例の構成]
図1は本発明のHi-z検出回路を例示するブロック図である。この回路は、DRAMのデータバスラインの状態が、ハイインピーダンス(以下、「Hi-z」と記す)であるかどうかを判定するものである。したがって、Hi-z状態であることを検出するケースとHi-z状態でないことを検出するケースの両方で使用できる。この回路では、Hi-z状態の判定によりデータバスラインの異常を検出すると、所定のタイミングでハイレベルとなるHi-z判定信号を外部へ出力するように構成している。
【0016】
本Hi-z検出回路は、DRAM動作に関わる異常を検出することから、DRAMすべてのバスラインに必要とはしていないが、データバスラインのビット幅がDRAMのビット幅のn倍で構成される場合、n個のDRAM毎に最低1回路は必要となる。
【0017】
図1を参照すると、このHi-z検出回路は、インバータ回路1,バッファ回路2,5つのDタイプのフリップフロップ回路3〜7,NAND回路8および2つの抵抗9,10から構成されている。インバータ回路1の入力端子と抵抗9の一方の端子はデータバスライン11に接続され、データバスライン11は中間レベルを避けるために抵抗10で電源にプルアップされている。データバスライン11の一方はDRAMが接続され、他方にはDRAMに対する読み書き回路が接続されている。
【0018】
インバータ回路1はデータバスライン11の論理値を反転している。バッファ回路2は、フリップフロップ回路7の出力であるイネーブル信号12の立上りにより活性化されると、インバータ回路1の出力により抵抗9を経由してデータバスライン11を駆動する。抵抗9は、バッファ回路2の駆動力を制限し、その値は、DRAMあるいはコントローラ側の駆動力がバッファ回路2による駆動力より強い関係となるように設定される。
【0019】
フリップフロップ回路3はインバータ回路1の出力の立上りでハイレベルを出力し、フリップフロップ回路4はインバータ回路1の出力の立下りでハイレベルを出力する。これにより、フリップフロップ回路3はデータバスライン11の負論理から正論理への切替りを検出し、フリップフロップ回路4はデータバスライン11の正論理から負論理への切替りを検出する。フリップフロップ回路3およびフリップフロップ回路4はイネーブル信号12の立下りでリセットされる。
【0020】
NAND回路8は、フリップフロップ回路3の出力とフリップフロップ回路4の出力を論理積し、その反転信号であるた論理反転信号13を出力する。フリップフロップ回路5は、論理反転信号13の立下りでハイレベルを出力することにより論理反転信号13を保持する。フリップフロップ回路6は、Hi-z比較信号14の立下りで、フリップフロップ回路5の保持レベルをHi-z判定信号15として外部へ出力する。フリップフロップ回路5とフリップフロップ回路6は、診断回路等外部からのリセット信号16によりリセットされる。
【0021】
フリップフロップ回路7は、診断回路等外部からHi-z比較信号14が入力すると、イネーブル信号12をバッファ回路2およびフリップフロップ回路3,4へ出力して、インバータ回路1によるデータバスライン11上のデータの論理値の反転出力をバッファ回路2からデータバスライン11へ供給させることにより、Hi-z比較動作を開始させる。
【0022】
[実施例の動作]
次に、以上のように構成された本実施例の動作について説明する。
【0023】
データバスライン11は、DRAMのライト時には読み書き回路側、リード時にはDRAM側によって駆動され、DRAMがライトもリードもされていない場合にはHi-z状態を維持する。そこで、この例は、本来、データバスライン11がHi-z状態であるべき場合にHi-z状態でないことの異常を検出すること、その逆にHi-z状態でない場合にHi-z状態にあることの異常を検出することによって、DRAM動作のソフトエラーによる異常を認識しようとするものである。
【0024】
データバスライン11上のデータの論理値は、常にインバータ1によって反転され、バッファ回路2とフリップフロップ3,4に供給されている。しかし、図1に示したHi-z検出回路によるHi-z判定の開始は、Hi-z比較信号14の入力まで留保される。
【0025】
図2は正常なSDRAMのライト/リード動作のタイムチャートを示す。この動作例では、ライトコマンドに続くリードコマンドによって4つの連続するバーストリード動作が、2のレイテンシをもってライト動作の2クロック後に行われている。バーストリードの1つ目(クロックT4)にHi-z比較信号14が入力している。
【0026】
フリップフロップ7にHi-z比較信号14が入力すると、バッファ2はインバータ1の出力をバスライン11に供給する。しかし、この場合は、SDRAMは正常にリード動作をしているため、前述のように、SDRAMの駆動能力がバッファ2の駆動能力より強いことから、バスライン11上の論理値は、SDRAMからの読出しデータによって定まる論理値となり、インバータ1およびバッファ2によって反転することはない。従って、論理反転信号13はハイレベルを維持し、Hi-z判定信号15はロウレベルを維持する。
【0027】
Hi-z判定信号15を受け取った診断回路は、このコマンド状態とHi-z比較信号14の出力時点(クロックT4のタイミング)からして、Hi-z状態であるべきでない場合にHi-z状態でないことを検出できたので、バスライン11の正常を検証することができる。
【0028】
次に、SDRAMの動作モード設定用レジスタにソフトエラーが発生した場合について、図3に示すタイムチャートを参照して説明する。
【0029】
図3では、バースト長を4に設定したライト動作において、クロックT2でソフトエラーが発生し、SDRAM内蔵の動作モード設定用レジスタがリード動作モードになったケースを示している。Hi-z比較信号14が、クロックT4でハイレベルになっているが、クロックT4ではバーストライト中であるため、データバスライン11はHi-z状態でない筈である。しかし、ソフトエラーに伴なってリードモードに切り替わり、その結果、SDRAMからデータが読み出されてくる読出しデータと読み書き回路側からの書込みデータが衝突してバスファイトが発生し、データバスライン11はHi-z状態となる。
【0030】
この場合は、フリップフロップ7にHi-z比較信号14が入力すると、インバータ回路1およびバッファ2により、バスライン11の論理値は反転される。従って、フリップフロップ3およびフリップフロップ4の両者からハイレベルがNAND回路8に入力し、論理反転信号13が出力される。このため、フリップフロップ5はハイレベルを出力し、フリップフロップ6からはHi-z判定信号15が出力される。
【0031】
Hi-z判定信号15を受け取った診断回路側は、このコマンド状態とHi-z比較信号14の出力時点(クロックT4のタイミング)からして、Hi-z状態であるべきでないのにHi-z状態が検出されたため、これによってソフトエラーに伴うリード状態への切替りが発生しHi-z状態が現出したことによるバスライン11の異常を検証することができる。
【0032】
図4のタイムチャートは、図3に示した動作例とは逆に、Hi-Z状態であるべき場合にHi-Z状態でないことを検出するケースを示す。
【0033】
図4では、2つの4バーストライトが1クロック(クロックT5)を空けて行われている。1つめのバーストライトのクロックT2でSDRAMの動作モード設定用レジスタにソフトエラーが発生し、リードモードに切り替わったものとする。この場合は、図3に示した場合とは異なり、クロックT5においてはライト動作と重複していないため、クロックT3からのリード状態が持続しているだけであり、バスファイトは発生しない。なお、このリード状態は、2つめの4バイトバーストライトによってクリアされる。
【0034】
従って、データバスライン11は、正しくはHi-z状態であるべきであるのにHi-z状態とはならない。これは、前述のように、SDRAMの駆動能力がバッファ2の駆動能力より強いことから、バスライン11上の論理値は、SDRAMからの読出しデータによって定まる論理値となり、インバータ1およびバッファ2によって反転することはないからである。よって、論理反転信号13はハイレベルを維持し、Hi-z判定信号15はロウレベルを維持する。
【0035】
Hi-z判定信号15を受け取った診断回路は、このコマンド状態とHi-z比較信号14の出力時点(クロックT4のタイミング)からして、Hi-z状態であるべきで場合にHi-z状態でないことを検出したので、バスライン11の異常を検証することができる。
【0036】
このような場合、Hi-z状態が検出されなかったため、リード状態に切り替わったと判断して、その直前のライトデータを書き直すようにした実施例が考えられる。すなわち、読み書き回路側では、書込みデータをバッファに保持しているので、そのデータを再書込みするのである。図4の右端に示したライトコマンドは、再書込みのためのものを示している。
【0037】
また、図4ではバースト長が4であるが、バスファイトの期間を短くする制約をつける場合には、バースト長を少なくすることにより異常の検出スピードを速くすることができる。
【0038】
以上に説明した実施例では、ライト中にリード状態に変わる場合について説明したが、リード中にライト状態に変わる場合についても、同様にリード中のデータバスラインについてHi-z状態にないか否かチェックすることにより、その正常/異常の検証が可能となる。
【0039】
【発明の効果】
本発明の第1の効果は、データバスラインのハイインピーダンスの検出によりデータバスラインの異常を検出する構成としたため、DRAMが内蔵する動作設定用レジスタにソフトエラーが発生して動作モードが変化しても、バスファイトの早期検出とその解除が早急にできるということである。DRAMの書込みコマンドは、復旧させたいスピード要求とバスファイトのダメージの大きさにより、適宜設定することが可能であり、これによって異常動作の検出を適切な間隔に設定することが可能である。
【0040】
また、上述のように、異常の検出がタイミング書込み直後に可能であるため、読み書き回路側のバッファ機能と併用することにより、データの書直しをすることが容易に可能となるという効果も得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のハイインピーダンス検出回路の一実施例を示す回路図
【図2】図1に示した実施例における正常なSDRAMライト/リード動作を示すタイムチャート
【図3】図1に示した実施例におけるライト中にソフトエラーが発生した場合のタイムチャート
【図4】図1に示した実施例におけるライト中にソフトエラーが発生した他の場合のタイムチャート
【符号の説明】
1 インバータ回路
2 バッファ回路
3〜7 フリップフロップ回路
8 NAND回路
9,10 抵抗
11 データバスライン
Claims (4)
- 動作モード設定用レジスタ内蔵型DRAMが接続されるデータバスラインの論理値の反転信号を該データバスラインに供給し、データバスラインの論理値が反転するか否かを検出することによって、データバスラインがハイインピーダンス状態であるか否かを判定することを特徴とするハイインピーダンス検出回路。
- 動作モード設定用レジスタ内蔵型DRAMに接続されたデータバスラインがハイインピーダンス状態であるか否かを判定するハイインピーダンス検出回路であって、
前記データバスラインの論理値を反転して該データバスラインに供給し、かつ前記DRAMおよび該DRAMに対する読み書き回路の駆動力より弱い駆動力のデータ反転回路と、
前記データ反転回路による前記データバスラインの論理値の負論理から正論理および正論理から負論理への反転結果をそれぞれ保持する第1のフリップフロップと、
前記第1のフリップフロップの出力から前記データバスラインの論理値の反転を検出する論理反転検出回路と、
前記論理反転検出回路の出力に基づいてハイインピーダンス判定信号を外部へ出力するハイインピーダンス判定回路と、
該ハイインピーダンス検出動作を開始させるための開始信号が供給されると、前記各回路を起動する起動回路とを有することを特徴とするハイインピーダンス検出回路。 - 動作モード設定用レジスタ内蔵型DRAMおよびプルアップ抵抗に接続されたデータバスラインがハイインピーダンス状態であるか否かを判定するハイインピーダンス検出回路であって、
前記データバスラインの論理値を反転しているインバータ回路と、
前記インバータ回路の出力により前記データバスラインを駆動するバッファ回路と、
前記DRAMおよびDRAMに対する読み書き回路の駆動力が前記バッファ回路の駆動力より強い関係となるように前記バッファ回路の駆動力を制限する抵抗と、
前記インバータ回路の出力の立上りでハイレベルを出力する第1フリップフロップ回路と、
前記インバータ回路の出力の立下りでハイレベルを出力する第2フリップフロップ回路と、
前記第1フリップフロップ回路の出力と前記第2フリップフロップ回路の出力を論理積し、その反転信号である論理反転信号を出力するNAND回路と、
前記論理反転信号の立下りでハイレベルを出力することにより前記論理反転信号を保持する第3フリップフロップ回路と、
外部からハイインピーダンス比較信号が入力すると、イネーブル信号を前記バッファ回路および前記第1,第2フリップフロップ回路へ出力して、前記インバータ回路の出力を前記バッファ回路から前記データバスラインへ供給させることによりハイインピーダンス比較動作を開始させ、また前記第1フリップフロップ回路および前記第2フリップフロップ回路を前記イネーブル信号の立下りでリセットする第4フリップフロップ回路と、
前記ハイインピーダンス比較信号の立下りで前記第3フリップフロップ回路の保持レベルをハイインピーダンス判定信号として外部へ出力する第5フリップフロップ回路とで構成されることを特徴とするハイインピーダンス検出回路。 - 前記開始信号または前記ハイインピーダンス比較信号は、前記DRAMに対するコマンド状況により、前記データバスラインがハイインピーダンス状態であるべき時点、またはハイインピーダンス状態であるべきでない時点で供給され、前記ハイインピーダンス判定回路は、それぞれの時点に対応して、ハイインピーダンス状態でないこと、またはハイインピーダンス状態であることの検出を含む前記判定信号を外部へ出力することを特徴とする請求項2または請求項3に記載のハイインピーダンス検出回路。
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