JP4076769B2 - A light-emitting device and appliances - Google Patents

A light-emitting device and appliances Download PDF

Info

Publication number
JP4076769B2
JP4076769B2 JP2001399072A JP2001399072A JP4076769B2 JP 4076769 B2 JP4076769 B2 JP 4076769B2 JP 2001399072 A JP2001399072 A JP 2001399072A JP 2001399072 A JP2001399072 A JP 2001399072A JP 4076769 B2 JP4076769 B2 JP 4076769B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
region
material
light emitting
hole
electron
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2001399072A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2002313583A5 (en
JP2002313583A (en
Inventor
舜平 山崎
哲史 瀬尾
Original Assignee
株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JP2000400953 priority Critical
Priority to JP2000-400953 priority
Priority to JP2001020817 priority
Priority to JP2001032406 priority
Priority to JP2001-32406 priority
Priority to JP2001-20817 priority
Priority to JP2001399072A priority patent/JP4076769B2/en
Application filed by 株式会社半導体エネルギー研究所 filed Critical 株式会社半導体エネルギー研究所
Publication of JP2002313583A publication Critical patent/JP2002313583A/en
Publication of JP2002313583A5 publication Critical patent/JP2002313583A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4076769B2 publication Critical patent/JP4076769B2/en
Application status is Expired - Fee Related legal-status Critical
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する分野】 [Field of the Invention
本発明は、陽極と、陰極と、電界を加えることで発光が得られる有機化合物を含む膜(以下、「有機化合物層」と記す)と、を有する有機発光素子を用いた発光装置に関する。 The present invention includes an anode, a cathode, luminous is the organic compound film comprising (hereinafter, referred to as "organic compound layer") obtained by applying an electric field and relates to a light emitting device using an organic light emitting device having a. 本発明では特に、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ素子の寿命が長い有機発光素子を用いた発光装置に関する。 Particularly in this invention, than conventional low driving voltage and yet the life of the device it relates to a light emitting device using a long organic light emitting device. なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子として有機発光素子を用いた画像表示デバイスもしくは発光デバイスを指す。 Note that the light-emitting device in this specification refers to an image display device or a light-emitting device using an organic light emitting element as a light-emitting element. また、有機発光素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム(FPC:Flexible printed circuit)もしくはTAB(Tape Automated Bonding)テープもしくはTCP(Tape Carrier Package)が取り付けられたモジュール、TABテープやTCPの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または有機発光素子にCOG(Chip On Glass)方式によりIC(集積回路)が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。 Also, the connector to the organic light emitting device, such as an anisotropic conductive film (FPC: Flexible printed circuit) or TAB (Tape Automated Bonding) tape or a TCP (Tape Carrier Package) attached modules, TAB tape or a TCP in which a printed module wiring board is provided, or an organic light emitting device COG (Chip on Glass) IC by method (integrated circuit) is intended to include also all the light emitting devices directly mounted modules.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
有機発光素子は、電界を加えることにより発光する素子である。 The organic light emitting element is an element which emits light by applying an electric field. その発光機構は、電極間に有機化合物層を挟んで電圧を印加することにより、陰極から注入された電子および陽極から注入された正孔が有機化合物層中の発光中心で再結合して励起状態の分子(以下、「分子励起子」と記す)を形成し、その分子励起子が基底状態に戻る際にエネルギーを放出して発光すると言われている。 The emission mechanism, by applying a voltage across an organic compound layer between the electrodes, excited state hole injected from an electron and an anode are injected from the cathode are recombined in the luminescent center of the organic compound layer molecule (hereinafter, referred to as "molecular exciton") are said to form a, the molecular excitons and energy is released to emit light when returning to the ground state.
【0003】 [0003]
なお、有機化合物が形成する分子励起子の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であるが、本明細書中ではどちらの励起状態が発光に寄与する場合も含むこととする。 As the type of molecule excitons organic compound forms, but it is possible to singlet excited state and a triplet excited state, in this specification and that either of the excited states includes also contribute to emission .
【0004】 [0004]
このような有機発光素子において、通常、有機化合物層は1μmを下回るほどの薄膜で形成される。 In such an organic light emitting device, typically, an organic compound layer is formed in a thin film below 1 [mu] m. また、有機発光素子は、有機化合物層そのものが光を放出する自発光型の素子であるため、従来の液晶ディスプレイに用いられているようなバックライトも必要ない。 Further, the organic light emitting element, the organic compound layer itself because an element of the self-luminous type which emits light, a backlight is not necessary, such as those used in a conventional liquid crystal display. したがって、有機発光素子は極めて薄型軽量に作製できることが大きな利点である。 Accordingly, the organic light emitting element has a great advantage that it can be manufactured to be extremely thin and lightweight.
【0005】 [0005]
また、例えば100〜200nm程度の有機化合物層において、キャリアを注入してから再結合に至るまでの時間は、有機化合物層のキャリア移動度を考えると数十ナノ秒程度であり、キャリアの再結合から発光までの過程を含めてもマイクロ秒以内のオーダーで発光に至る。 Further, in the example 100~200nm approximately organic compound layer, the time until the recombination of injected carriers, several tens nanoseconds considering the carrier mobility of the organic compound layer, the recombination of carriers be included in the process of to the light emitting from reaching the light-emitting on the order of less than microseconds. したがって、非常に応答速度が速いことも特長の一つである。 Therefore, it is also one of the features very fast response speed.
【0006】 [0006]
さらに、有機発光素子はキャリア注入型の発光素子であるため、直流電圧での駆動が可能であり、ノイズが生じにくい。 Further, since the organic light emitting element is a light emitting element of the carrier injection type, it can be driven by a direct current voltage, noise is less likely to occur. 駆動電圧に関しては、まず有機化合物層の厚みを100nm程度の均一な超薄膜とし、また、有機化合物層に対するキャリア注入障壁を小さくするような電極材料を選択し、さらにはシングルヘテロ構造(二層構造)を導入することによって、5.5Vで100cd/m 2の十分な輝度が達成された(文献1:CW Tang and SA VanSlyke, "Organic electroluminescent diodes", Applied Physics Letters, vol. 51, No.12, 913-915 (1987))。 Regarding driving voltage, the thickness of the organic compound layer into a uniform ultra thin film of about 100nm First, also select an electrode material, such as to reduce the carrier injection barrier to the organic compound layer, and further single hetero structure (two-layer structure ) by introducing a sufficient luminance of 100 cd / m 2 was achieved at 5.5V (Reference 1:. CW Tang and SA VanSlyke , "Organic electroluminescent diodes", Applied Physics Letters, vol 51, No.12, 913-915 (1987)).
【0007】 [0007]
こういった薄型軽量・高速応答性・直流低電圧駆動などの特性から、有機発光素子は次世代のフラットパネルディスプレイ素子として注目されている。 From characteristics such as these were thin and lightweight, high-speed response, and direct current low voltage driving, an organic light emitting device has attracted attention as a next generation flat panel display element. また、自発光型であり視野角が広いことから、視認性も比較的良好であり、携帯機器の表示画面に用いる素子として有効と考えられている。 Moreover, since the viewing angle is a self-luminous type is wide, visibility is relatively good, and believed to be effective as elements used for displays in portable devices.
【0008】 [0008]
ところで、文献1において示された有機発光素子の構成であるが、まず、有機化合物層に対するキャリア注入障壁を小さくする方法として、仕事関数が低い上に比較的安定なMg:Ag合金を陰極に用い、電子の注入性を高めている。 By the way, the configuration of the organic light emitting device illustrated in the literature 1, first, as a method to reduce the carrier injection barrier to the organic compound layer, relatively stable Mg on a low work function: using Ag alloy cathode , to enhance the electron injecting property. このことにより、有機化合物層に大量のキャリアを注入することを可能としている。 Thus, it is made possible to inject a large amount of carriers into the organic compound layer.
【0009】 [0009]
さらに有機化合物層として、ジアミン化合物からなる正孔輸送層とトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称;Alq 3 )からなる電子輸送性発光層とを積層するという、シングルヘテロ構造を適用することにより、キャリアの再結合効率を飛躍的に向上させている。 Further, as the organic compound layer, a hole transport layer comprising a diamine compound and tris (8-quinolinolato) aluminum (abbreviation; Alq 3) that laminating the electron-transporting light emitting layer made of, by applying a single hetero structure, and dramatically improve the efficiency of recombination of carriers. このことは、以下のように説明される。 This is explained as follows.
【0010】 [0010]
例えば、Alq 3単層のみを有する有機発光素子の場合では、Alq 3が電子輸送性であるため、陰極から注入された電子のほとんどは正孔と再結合せずに陽極に達してしまい、発光の効率は極めて悪い。 For example, in the case of the organic light emitting device having only Alq 3 monolayers, since Alq 3 is an electron-transporting property, most of electrons injected from the cathode will reach the anode without recombining with holes, the light emitting the efficiency is very bad. すなわち、単層の有機発光素子を効率よく発光させる(あるいは低電圧で駆動する)ためには、電子および正孔の両方をバランスよく輸送できる材料(以下、「バイポーラー材料」と記す)を用いる必要があり、Alq 3はその条件を満たしていない。 That is, (driven by or low voltage) that the organic light-emitting device of a single layer efficiently emit light to the order, electronic and materials Both hole can well-balanced transport (hereinafter referred to as "bipolar material") using There is a need, Alq 3 does not meet the conditions.
【0011】 [0011]
しかし、文献1のようなシングルへテロ構造を適用すれば、陰極から注入された電子は正孔輸送層と電子輸送性発光層との界面でブロックされ、電子輸送性発光層中へ閉じこめられる。 However, by applying the heterostructure single as Document 1, electrons injected from the cathode are blocked at the interface between the hole transport layer and an electron transporting light emitting layer, it is confined to the electron transporting light emitting layer. したがって、キャリアの再結合が効率よく電子輸送性発光層で行われ、効率のよい発光に至るのである。 Accordingly, recombination of carriers is performed efficiently the electron transporting light emitting layer is from reaching the efficient light emission.
【0012】 [0012]
このようなキャリアのブロッキング機能の概念を発展させると、キャリアの再結合領域を制御することも可能となる。 When developing a concept of blocking function of such carriers, it is possible to control the carrier recombination region. その例として、正孔をブロックできる層(正孔ブロッキング層)を正孔輸送層と電子輸送層との間に挿入することにより、正孔を正孔輸送層内に閉じこめ、正孔輸送層の方を発光させることに成功した報告がある。 As an example, by inserting a layer that can block holes (hole blocking layer) between the hole transport layer and an electron transporting layer, confining the holes into the hole-transporting layer, the hole transport layer there is a report that was able to emit light towards. (文献2:Yasunori KIJIMA, Nobutoshi ASAI and Shin-ichiro TAMURA, "A Blue Organic Light Emitting Diode", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, 5274-5277(1999))。 (Reference 2:. Yasunori KIJIMA, Nobutoshi ASAI and Shin-ichiro TAMURA, "A Blue Organic Light Emitting Diode", Japanese Journal of Applied Physics, Vol 38, 5274-5277 (1999)).
【0013】 [0013]
また、文献1における有機発光素子は、いわば正孔の輸送は正孔輸送層が行い、電子の輸送および発光は電子輸送性発光層が行うという、機能分離の発想であるとも言える。 Further, the organic light emitting element in Reference 1, so to speak transport of holes is performed by the hole transport layer, electron transport and emission of performing electron transport light-emitting layer, it can be said that the idea of ​​the functional separation. この機能分離の概念はさらに、正孔輸送層と電子輸送層の間に発光層を挟むというダブルへテロ構造(三層構造)の構想へと発展した(文献3:Chihaya ADACHI, Shizuo TOKITO, Tetsuo TSUTSUI and Shogo SAITO, "Electroluminescence in Organic Films with Three-Layered Structure", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 27, No. 2, L269-L271(1988))。 This feature concept of separation further to double that sandwich the light-emitting layer between the hole transporting layer and the electron transport layer has developed into initiative heterostructure (three-layered structure) (Literature 3: Chihaya ADACHI, Shizuo TOKITO, Tetsuo TSUTSUI and Shogo SAITO, "Electroluminescence in Organic Films with Three-Layered Structure", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 27, No. 2, L269-L271 (1988)).
【0014】 [0014]
こういった機能分離の利点としては、機能分離することによって一種類の有機材料に様々な機能(発光性、キャリア輸送性、電極からのキャリア注入性など)を同時に持たせる必要がなくなり、分子設計等に幅広い自由度を持たせることができる点にある(例えば、無理にバイポーラー材料を探索する必要がなくなる)。 The advantages of these features isolated, various functions to one type of organic material by function-separated (luminescent, carrier transport property, such as a carrier injection from the electrode) eliminates the need to have at the same time, molecular design there a wide range of flexibility in terms of being able to have an equal (e.g., it is not necessary to search for the forcibly bipolar materials). つまり、発光特性のいい材料、キャリア輸送性が優れる材料などを、各々組み合わせることで、容易に高発光効率が達成できるということである。 In other words, good material emission characteristics, such as material carrier transporting property is excellent, by combining each is that easily high luminous efficiency can be achieved.
【0015】 [0015]
これらの利点から、文献1で述べられた積層構造の概念(キャリアブロッキング機能あるいは機能分離)自体は、現在に至るまで広く利用されている。 Because of these advantages, the concept (carrier blocking function or functional separation) itself laminated structure described in Reference 1, has been widely used until now.
【0016】 [0016]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、以上で述べたような積層構造は異種物質間の(特に絶縁体同士の)接合であるため、その界面には必ずエネルギー障壁が生じることになる。 However, the laminated structure described above is because it is (especially between insulator) bond between different kinds of materials, always so that the energy barrier occurs at the interface. エネルギー障壁が存在すれば、その界面においてキャリアの移動は妨げられるため、以下に述べるような二つの問題点が提起される。 If there energy barrier, since the movement of the carriers is prevented at the interface, the two following problems are posed.
【0017】 [0017]
まず一つは、駆動電圧のさらなる低減へ向けての障害になるという点である。 First one is that a barrier to toward further reduction of drive voltage. 実際、現在の有機発光素子において、駆動電圧に関しては共役ポリマーを用いた単層構造の素子の方が優れており、パワー効率(単位:[lm/W])でのトップデータ(ただし、一重項励起状態からの発光を比較)を保持していると報告されている(文献4:筒井哲夫、「応用物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会会誌」、Vol. 11、No. 1、P.8(2000))。 In fact, in the current of the organic light emitting device, which is better in device of a single layer structure using a conjugated polymer respect drive voltage, power efficiency (unit: [lm / W]) Top data (however, singlet at It has been reported to retain the comparison) the emission from the excited state (Reference 4:.. Tetsuo Tsutsui, "applied physics Society organic molecule & bioelectronics subcommittee Journal", Vol 11, No 1, P.8 (2000)).
【0018】 [0018]
なお、文献4で述べられている共役ポリマーはバイポーラー材料であり、キャリアの再結合効率に関しては積層構造と同等なレベルが達成できる。 Incidentally, the conjugated polymers are described in the literature 4 is a bipolar material, for carrier recombination efficiency comparable levels and layered structure can be achieved. したがって、バイポーラー材料を用いるなどの方法で、積層構造を用いることなくキャリアの再結合効率さえ同等にできるのであれば、界面の少ない単層構造の方が実際は駆動電圧が低くなることを示している。 Therefore, a method such as using a bipolar material, if the carrier recombination efficiency even as it can equivalent without using a multilayer structure, towards the low interfacial monolayer structure is actually indicates that the driving voltage is lowered there.
【0019】 [0019]
このことは、有機化合物層内における各層間の界面(例えば正孔輸送層と発光層との間のことであり、以下、「有機界面」と記す)においてキャリアの移動が妨げられ、より高い駆動電圧が必要になってしまったと説明できる。 This (and that between the light emitting layer, for example, a hole transport layer, hereinafter referred to as "organic surfactants") interface between the layers in the organic compound layer carrier transport is hindered at a higher driving voltage can be explained and has become a need.
【0020】 [0020]
例えば電極と有機化合物層との界面においては、エネルギー障壁を緩和するような材料を挿入し、キャリアの注入性を高めて駆動電圧を低減する方法がある(文献5:Takeo Wakimoto, Yoshinori Fukuda, Kenichi Nagayama, Akira Yokoi, Hitoshi Nakada, and Masami Tsuchida, "Organic EL Cells Using Alkaline Metal Compounds as Electron Injection Materials", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, NO. 8, 1245-1248(1997))。 For example, in the interface between the electrode and the organic compound layer, and insert the material to mitigate an energy barrier, enhance the injection of the carriers there is a method of reducing the drive voltage (Literature 5: Takeo Wakimoto, Yoshinori Fukuda, Kenichi Nagayama, Akira Yokoi, Hitoshi Nakada, and Masami Tsuchida, "Organic EL Cells Using Alkaline Metal Compounds as Electron Injection Materials", IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 44, NO. 8, 1245-1248 (1997)). 文献5では、電子注入層としてLi 2 Oを用いることにより、駆動電圧の低減に成功している。 In Document 5, the use of Li 2 O as an electron injecting layer has been successful in reducing the driving voltage.
【0021】 [0021]
しかしながら、有機界面のキャリア移動性に関してはいまだ未解決の分野であり、バイポーラー材料を用いた単層構造の低駆動電圧に追いつくための重要なポイントであると考えられる。 However, a still unresolved areas regarding carrier mobility of the organic surfactant is believed to be an important point to keep up with the low drive voltage of the single layer structure using a bipolar material.
【0022】 [0022]
さらに、エネルギー障壁に起因するもう一つの問題点として、有機発光素子の素子寿命に対する影響が考えられる。 Furthermore, as another problem caused by the energy barrier is conceivable influence on the device life of the organic light emitting element. すなわち、キャリアの移動が妨げられ、チャージが蓄積することによる輝度の低下である。 That is, the movement of the carrier is prevented, a reduction in luminance due to the charge accumulates.
【0023】 [0023]
この劣化機構に関してははっきりした理論は確立されていないが、陽極と正孔輸送層との間に正孔注入層を挿入し、さらにdc駆動ではなく矩形波のac駆動にすることによって、輝度の低下を抑えることができるという報告がある(文献6:SA VanSlyke, CH Chen, and CW Tang, "Organic electroluminescent devices with improved stability", Applied Physics Letters, Vol. 69, No. 15, 2160-2162(1996))。 Theory has not been established that clear about this degradation mechanism, but to insert a hole injection layer between the anode and the hole transport layer, by further the ac driving of the square wave rather than a dc drive, luminance it is reported that it is possible to suppress deterioration (Document 6:. SA VanSlyke, CH Chen, and CW Tang, "Organic electroluminescent devices with improved stability", Applied Physics Letters, Vol 69, No. 15, 2160-2162 (1996 )). このことは、正孔注入層の挿入およびac駆動によって、チャージの蓄積を排除することにより、輝度の低下を抑えることができたという実験的な裏付けと言える。 This can be said by the insertion and ac driving of the hole injection layer, by eliminating the accumulation of charge, the experimental supported that it was possible to suppress a decrease in luminance.
【0024】 [0024]
以上のことから、積層構造は容易にキャリアの再結合効率を高めることができ、なおかつ機能分離の観点から材料の選択幅を広くできるというメリットを持つ一方で、有機界面を多数作り出すことによって(特にキャリアをブロックしてキャリアを再結合させるための有機界面を作り出すことによって)キャリアの移動を妨げ、駆動電圧や輝度の低下に影響を及ぼしていると言える。 From the above, the laminated structure can be enhanced easily carrier recombination efficiency, yet while having an advantage in terms of functional separation can widen the selection range of the material, by creating a large number of organic interfaces (in particular hinder the movement of that by) carrier to produce a organic interfaces for recombining the carrier the carrier blocking, it can be said that influence the lowering of the driving voltage and brightness.
【0025】 [0025]
そこで本発明では、従来用いられている積層構造の利点(機能分離)を活かしつつ、なおかつ有機化合物層中に存在するエネルギー障壁を緩和することによってキャリアの移動性を高め、従来よりも駆動電圧が低い上に素子の寿命が長い有機発光素子を提供することを課題とする。 Therefore, in the present invention, while taking advantage of the laminated structure conventionally used (functional separation), enhance the mobility of carriers by relaxing an energy barrier yet present in the organic compound layer, the driving voltage than conventional life of the device on low and to provide a long organic light emitting device.
【0026】 [0026]
特に、発光層においてキャリアをブロックしてキャリアを再結合させるという従来用いられている積層構造とは、異なる概念の素子を作製することにより、有機化合物層中に存在する有機界面を削除してキャリアの移動性を高めると同時に、なおかつ積層構造の機能分離と同様に各種複数の材料の機能を発現させる(以下、「機能発現」と記す)ことを課題とする。 In particular, the laminate structure has been conventionally used as blocking the carrier recombining carriers in the light emitting layer, by manufacturing an element of different concept, to remove the organic interfaces present in an organic compound layer in the carrier at the same time enhancing the mobility, is yet express the function of the various plurality of materials similar to the functional separation of the stacked structure (hereinafter, referred to as "functional expression") that is an object. それにより、従来よりも駆動電圧が低い上に素子の寿命が長い有機発光素子を提供することを課題とする。 Thereby, the lifetime of the device on the drive voltage lower than that of the prior art is an object to provide a long organic light emitting device.
【0027】 [0027]
さらに、このような有機発光素子を用いることにより、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ寿命の長い発光装置を提供することを課題とする。 Furthermore, by using such an organic light emitting device, than the conventional low driving voltage, it is an object to yet provide a light-emitting device having a long lifetime. さらに、前記発光装置を用いて電気器具を作製することにより、従来よりも低消費電力で、なおかつ長保ちする電気器具を提供することを課題とする。 Furthermore, by producing electrical appliances using the light emitting device with low power consumption than the conventional, and to provide an electric appliance that yet maintaining long.
【0028】 [0028]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
積層構造におけるエネルギー障壁の緩和に関しては、文献5に見られるようなキャリア注入層の挿入という技術に顕著に見られる。 For the relaxation of the energy barrier in the layered structure, it is pronounced in the art that the insertion of the carrier injection layer as found in the literature 5. 正孔注入層を例として、エネルギーバンドダイアグラムを用いた説明を図1に示す。 Examples of the hole injection layer shows a description with reference to the energy band diagram in FIG.
【0029】 [0029]
図1(a)では陽極101と正孔輸送層102を直接接合しているが、この場合、陽極101と正孔輸送層102のエネルギー障壁104は大きい。 FIGS. 1 (a) in it are bonded to each anode 101 and the hole transport layer 102 directly, in this case, the energy barrier 104 of the anode 101 and the hole transporting layer 102 is large. しかしながら、陽極のイオン化ポテンシャル(金属の場合、仕事関数と同義である)と正孔輸送層の最高被占分子軌道(以下、「HOMO」と記す)準位との中間に位置するHOMO準位を有する材料を、正孔注入層103として挿入することにより、エネルギー障壁を階段状に設計することができる(図1(b))。 However, (in the case of a metal work function and it is synonymous) the ionization potential of the anode highest occupied molecular orbital of the hole transport layer HOMO level is situated between the (hereinafter referred to as "HOMO") level a material having, by inserting as a hole injecting layer 103, it is possible to design the energy barrier in a stepwise manner (Figure 1 (b)).
【0030】 [0030]
図1(b)のような階段状のエネルギー障壁を設計することにより、電極からのキャリア注入性を高め、確かに駆動電圧をある程度までは下げることができる。 By designing a stepped energy barriers, such as in FIG. 1 (b), increase the carrier injection from the electrodes, to surely drive voltage to some extent can be lowers. しかしながら問題点は、層の数を増やすことによって、有機界面の数は逆に増加することである。 However problem, by increasing the number of layers, the number of organic interfaces is to increase the reverse. このことが、文献4で示されているように、単層構造の方が駆動電圧・パワー効率のトップデータを保持している原因であると考えられる。 This is, as indicated by reference 4, towards the single layer structure is considered to be responsible for holding the top data of driving voltage and power efficiency.
【0031】 [0031]
逆に言えば、この点を克服することにより、積層構造のメリット(様々な材料を組み合わせることができ、複雑な分子設計が必要ない)を活かしつつ、なおかつ単層構造の駆動電圧・パワー効率に追いつくことができる。 Conversely, by overcoming this point, the benefits of the stacked structure (can combine various materials, complex is not required molecular design for) while taking advantage of, yet the drive voltage and power efficiency of the single layer structure it is possible to catch up.
【0032】 [0032]
その根本的な構想としては、有機界面の数を増やすことなく、有機化合物層中のエネルギー障壁を緩和し、キャリアの移動を妨げないようにすることができればよい。 As the fundamental concept, without increasing the number of organic interfaces, alleviate the energy barrier in the organic compound layer, it is only necessary to so as not to interfere the movement of carriers. 本発明者は、以下に示すような方法でこの構想を実現できる素子構造を考案した。 The present inventors have devised an element structure capable of realizing the concept in the following method.
【0033】 [0033]
まず、正孔に対するエネルギー障壁を緩和する手法であるが、HOMO準位の高い(イオン化ポテンシャルの小さい)正孔注入材料と、正孔移動度の高い正孔輸送材料とを混合した層(以下、「正孔輸送性混合層」と記す)を設ければよい。 First, a technique to alleviate the energy barrier for holes, (small ionization potential) higher HOMO level and the hole injection material, a hole mobility higher hole transport material obtained by mixing the layer (hereinafter, it may be provided referred to as "hole transporting mixed layer"). この手法によって、陽極側からの正孔の受け取りを正孔注入材料が、正孔の輸送を正孔輸送材料が、それぞれ正孔輸送性混合層内で役割を果たし、従来の正孔注入層と正孔輸送層という二層の機能を一層で実現できる。 This approach, a hole injecting material to receive holes from the anode side, a hole transport hole transport material, respectively play a role in the hole transporting mixed layer, a conventional hole injection layer functions of two layers of a hole transport layer can be realized in a more.
【0034】 [0034]
また、上で述べた正孔輸送性混合層に、濃度勾配を形成することが好ましい。 Further, the hole transporting mixed layer described above, it is preferable to form a concentration gradient. すなわち、図2に示すように、陽極に近い側は正孔注入材料の割合が多く、陽極から離れるにしたがって正孔輸送材料の割合が多くなっていくものである。 That is, as shown in FIG. 2, the side close to the anode is often the proportion of the hole injecting material, in which the proportion of the hole transporting material is getting much farther from the anode. このような濃度勾配を形成することによって、陽極側からの正孔の受け取りから輸送までが、大きなエネルギー障壁を形成することなく潤滑に行われ、駆動電圧の低下および長寿命化に貢献する。 By forming such a concentration gradient, to transport the holes receipt of from the anode side, it lubricated performed without forming a large energy barrier, which contributes to a reduction and longer life of the driving voltage.
【0035】 [0035]
なお、図2における濃度勾配は、便宜上直線を用いて図示したが、必ずしも直線となる必要はなく、増加ないしは減少の勾配が形成されていればよいものとする。 The concentration gradient in FIG. 2 for convenience have been illustrated using straight, need not always a straight line, it is assumed that the gradient of the increase or decrease may be formed. 実際、制御する際には曲線となる場合が多いと考えられる。 In fact, when the control is considered in many cases as a curve. 本明細書で述べる他の濃度勾配についても、同様とする。 For even other gradient as described herein, and similarly.
【0036】 [0036]
次に、電子に対するエネルギー障壁を緩和する手法であるが、最低空分子軌道(以下、「LUMO」と記す)準位の低い(電子親和力の大きい)電子注入材料と、電子移動度の高い電子輸送材料とを混合した層(以下、「電子輸送性混合層」と記す)を設ければよい。 Next, a method of mitigating an energy barrier for electrons, the lowest unoccupied molecular orbital (hereinafter, referred to as "LUMO") (large electron affinity) level low and the electron injecting material, a high electron mobility electron transport mixed layer of a material (hereinafter, referred to as "electron transporting mixed layer") may be provided. この手法によって、陰極側からの電子の受け取りを電子注入材料が、電子の輸送を電子輸送材料が、それぞれ電子輸送性混合層内で役割を果たし、従来の電子注入層と電子輸送層という二層の機能を一層で実現できる。 This approach, an electron injecting material to receive electrons from the cathode side, the electron transport electron transport material, respectively play a role in electron transporting mixed layer, two layers of a conventional electron injecting layer and an electron transport layer function can be realized in a more of.
【0037】 [0037]
また、上で述べた電子輸送性混合層に、濃度勾配を形成することが好ましい。 Further, the electron transporting mixed layer described above, it is preferable to form a concentration gradient. すなわち、図3に示すように、陰極に近い側は電子注入材料の割合が多く、陰極から離れるにしたがって電子輸送材料の割合が多くなっていくものである。 That is, as shown in FIG. 3, the side close to the cathode is often the proportion of the electron injecting material, those going proportion of the electron transporting material is increasingly as the distance from the cathode. このような濃度勾配を形成することによって、陰極側からの電子の受け取りから輸送までが、大きなエネルギー障壁を形成することなく潤滑に行われ、駆動電圧の低下および長寿命化に貢献する。 By forming such a concentration gradient, to transport the electronic receipt from the cathode side, it lubricated performed without forming a large energy barrier, which contributes to a reduction and longer life of the driving voltage.
【0038】 [0038]
さらに、発光層におけるエネルギー障壁を緩和する手法もある。 Furthermore, there is a method to mitigate an energy barrier in the light emitting layer. すなわち、正孔移動度の高い正孔輸送材料と、電子移動度の高い電子輸送材料とを混合してバイポーラー性とした層(以下、「バイポーラー性混合層」と記す)を、発光層として設ければよい。 That is, a high hole mobility hole transport material, a layer for the bipolar-natured mixed and high electron mobility electron transport material (hereinafter, referred to as "bipolar-natured mixed layer"), and light-emitting layer it may be provided as. この場合、発光層の両端の界面におけるキャリアブロッキング機能は小さくなるが、電子輸送層−バイポーラ性混合層間のキャリア移動度差、および正孔輸送層−バイポーラ性混合層間のキャリア移動度差によって、キャリアはバイポーラ性混合層で再結合しやすくなる。 In this case, the smaller the carrier blocking function at interfaces on both ends of the light emitting layer, an electron transport layer - carrier mobility difference bipolar mixed layer, and the hole transport layer - by carrier mobility difference bipolar mixed layer, a carrier It is easily recombined in a bipolar mixed layer.
【0039】 [0039]
また、上で述べたバイポーラー性混合層に、濃度勾配を形成することが好ましい。 Further, the bipolar-natured mixed layer described above, it is preferable to form a concentration gradient. すなわち、図4に示すように、陽極に近い側は正孔輸送材料の割合が多く、陰極に近づくにしたがって電子輸送材料の割合が多くなっていくものである。 That is, as shown in FIG. 4, the side close to the anode is often the proportion of the hole transporting material, those going proportion of the electron transporting material is increasingly toward the cathode. このような濃度勾配を形成することによって、正孔および電子の輸送から再結合に到るまでが、大きなエネルギー障壁を形成することなく潤滑に行われ、駆動電圧の低下および長寿命化に貢献する。 By forming such a concentration gradient, up to the recombination of holes and electrons transport, it lubricated performed without forming a large energy barrier, which contributes to a reduction and longer life of the drive voltage .
【0040】 [0040]
なお、バイポーラー性混合層は、励起エネルギーの低い材料の方が発光すると考えられる。 Incidentally, the bipolar-natured mixed layer, towards the low excitation energy material is considered to emit light. 本明細書中における励起エネルギーとは、HOMOとLUMOとのエネルギー差のことを指す。 The excitation energy in this specification refers to the energy difference between the HOMO and the LUMO. HOMOに関しては、光電子分光法により測定可能であり、イオン化ポテンシャルと同義と考えてよい。 For the HOMO, can be measured by photoelectron spectroscopy, it may be considered that the ionization potential synonymous. また、励起エネルギーを便宜的に吸収スペクトル末端と定義することで、その励起エネルギーとHOMO準位の値からLUMOを算出できる。 Further, the excitation energy by defining a conveniently absorption spectra terminal can calculate the LUMO from the values ​​of the excitation energy and the HOMO level.
【0041】 [0041]
さらに、上で述べたバイポーラー性混合層に、発光材料をドープして発光させる手法もある。 Furthermore, the bipolar-natured mixed layer described above, there is a method to emit light by doping a light emitting material. この場合ドーパントである発光材料は、バイポーラー性混合層に含まれる正孔輸送材料および電子輸送材料よりも、低い励起エネルギーを有する必要がある。 Luminescent material in this case is a dopant, than the hole transporting material and electron transporting material contained in the bipolar-natured mixed layer, it is necessary to have a low excitation energy. 特に、キャリアトラップ型のドーパント(例;ルブレン)を用いると、キャリアの再結合効率がさらに高まるため好ましい。 In particular, carrier trap type dopant (e.g., rubrene) is used, preferred for carrier recombination efficiency increases further.
【0042】 [0042]
また、文献2では正孔ブロッキング層が示されたが、このような層は一般にブロッキング材料で構成される。 Although the hole blocking layer in Document 2 is indicated, such a layer is comprised generally a blocking material. ブロッキング材料とは、発光層の材料よりも大きな励起エネルギーを有するものが一般的であり(すなわち、分子励起子の拡散を防ぐことができ)、さらにキャリアもブロックできる材料のことである。 The blocking material, having a larger excitation energy than the material of the light emitting layer is common (i.e., can prevent the diffusion of molecular excitons), is that more of the carriers may block material. 主に正孔をブロックする場合が多い。 Often blocking primarily holes.
【0043】 [0043]
本発明者は、ブロッキング材料と、発光層の材料(あるいは発光層のホスト材料)とを混合した層(以下、「ブロッキング性混合層」と記す)を形成する手法についても考案した。 The present inventor has a blocking material, the material of the light-emitting layer (or host materials of the light-emitting layer) and the combined layers (hereinafter, referred to as "blocking mixed layer") was also developed a technique of forming a. この場合、ブロッキング性混合層は発光層としても機能することもでき、層内部で効率よくキャリアおよび分子励起子をブロックできる発光層という見方もできる。 In this case, the blocking mixed layer may also function as a luminescent layer, it is also the view that the light emitting layer capable of blocking efficiently carrier and molecular excitons within the layer.
【0044】 [0044]
ブロッキング性混合層に関しては、特に濃度勾配を形成することが好ましい。 For the blocking mixed layer, it is particularly preferable to form a concentration gradient. なぜならば、発光層から離れるに従い徐々にブロッキング材料の濃度を高くすることにより、ブロッキングしない方のキャリア(正孔ブロッキング材料であれば電子)の移動を潤滑にできるからである。 This is because, by increasing the concentration of gradually blocking material moves away from the light-emitting layer, since the movement of the carrier towards which no blocking (if hole blocking material electrons) can be in the lubrication.
【0045】 [0045]
ところで近年、三重項励起状態から基底状態に戻る際に放出されるエネルギー(以下、「三重項励起エネルギー」と記す)を発光に変換できる有機発光素子が相次いで発表され、その発光効率の高さが注目されている(文献7:DF O'Brien, MA Baldo, ME Thompson and SR Forrest, "Improved energy transfer in electrophosphorescent devices", Applied Physics Letters, vol. 74, No. 3, 442-444 (1999))(文献8:Tetsuo TSUTSUI, Moon-Jae YANG, Masayuki YAHIRO, Kenji NAKAMURA, Teruichi WATANABE, Taishi TSUJI, Yoshinori FUKUDA, Takeo WAKIMOTO and Satoshi MIYAGUCHI, "High Quantum Efficiency in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet Emissive Center", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, L1502-L1504 (1999))。 In recent years, the energy released when returning to a ground state from a triplet excited state (hereinafter, referred to as "triplet excitation energy") organic light-emitting device capable of converting the light emission was released one after another, the height of the luminous efficiency There has been attracting attention (reference 7:. DF O'Brien, MA Baldo, ME Thompson and SR Forrest, "Improved energy transfer in electrophosphorescent devices", Applied Physics Letters, vol 74, No. 3, 442-444 (1999) ) (reference 8: Tetsuo TSUTSUI, Moon-Jae YANG, Masayuki YAHIRO, Kenji NAKAMURA, Teruichi WATANABE, Taishi TSUJI, Yoshinori FUKUDA, Takeo WAKIMOTO and Satoshi MIYAGUCHI, "High Quantum Efficiency in Organic Light-Emitting Devices with Iridium-Complex as a Triplet Emissive Center ", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 38, L1502-L1504 (1999)).
【0046】 [0046]
文献7では白金を中心金属とする金属錯体を、文献8ではイリジウムを中心金属とする金属錯体を用いている。 A metal complex, of which central metal is platinum in Document 7, and a metal complex containing iridium as a center metal in the literature 8. これらの三重項励起エネルギーを発光に変換できる有機発光素子(以下、「三重項発光素子」と記す)は、従来よりも高輝度発光・高発光効率を達成することができる。 The organic light emitting device capable of converting these triplet excitation energy into light emission (hereinafter, referred to as "triplet light emitting device") can than conventional achieving high luminance and high emission efficiency.
【0047】 [0047]
しかしながら、文献8の報告例によると、初期輝度を500cd/m 2に設定した場合の輝度の半減期は170時間程度であり、素子寿命に問題がある。 However, according to the reports of the literature 8, the half-life of luminance in the case where the initial luminance was set at 500 cd / m 2 is about 170 hours, there is a problem with the device lifetime. そこで、本発明を三重項発光素子に適用することにより、三重項励起状態からの発光による高輝度発光・高発光効率に加え、素子の寿命も長いという非常に高機能な発光素子が可能となる。 Therefore, by applying the present invention to triplet light emitting device, in addition to the high luminance and high emission efficiency of light emitted from a triplet excited state, it is possible to very powerful light emitting element is also referred to longer life of the device .
【0048】 [0048]
したがって、以上に述べたように、キャリア輸送層や発光層を混合層とすることによって界面の数を減少させ(あるいはエネルギー障壁を緩和させ)、キャリアの移動を潤滑にするという本発明の概念を、三重項発光素子に適用したものも本発明に含めるものとする。 Therefore, as described above, (to mitigate or energy barrier) number was reduced interfacial by the carrier transport layer and light emitting layer and the mixed layer, the concepts of the present invention that the movement of the carrier in the lubricating , also included in the present invention applied to a triplet light emitting element.
【0049】 [0049]
ところで、有機界面の形成によりキャリアの移動が妨げられるモデルとして、本発明者は以下に述べるような二つの機構を考えている。 Incidentally, as a model the movement of the carriers is prevented by formation of organic interfaces, the present inventors believe the two mechanisms as described below.
【0050】 [0050]
まず一つの機構として、有機界面のモルフォロジーから生じるものが考えられる。 First, as one of the mechanisms, it can be considered to arise from the morphology of organic interfaces. 有機発光素子における有機化合物層は通常、アモルファス状態の膜であり、これは有機化合物の分子同士が、双極子相互作用を主とした分子間力で凝集することにより形成されている。 The organic compound layer of the organic light-emitting device is usually a film in an amorphous state, which molecules are organic compounds, are formed by aggregating the primary and the intermolecular force dipole interactions. ところが、このような分子の凝集体を用いてヘテロ構造(積層構造)を形成すると、分子のサイズや形状の違いがヘテロ構造の界面(すなわち有機界面)に大きな影響を及ぼす可能性がある。 However, when forming the heterostructure (laminated structure) using the aggregate of such molecules, differences in size and shape of the molecule have a significant impact on the interface (i.e., organic interfaces) of the hetero-structure.
【0051】 [0051]
特に、分子のサイズが大きく異なる材料を用いてヘテロ構造を形成した場合、その有機界面における接合の整合性が悪くなると考えられる。 In particular, if the size of the molecules to form a hetero structure using very different materials, it believed integrity of the joint at the organic interfaces is deteriorated. その概念図を図21に示す。 The conceptual diagram is shown in Figure 21. 図21では、小さい分子2101からなる第一の層2111と、大きい分子2102からなる第二の層2112を積層している。 In Figure 21, are laminated with the first layer 2111 consisting of small molecules 2101, a second layer 2112 composed of large molecules 2102. この場合、形成される有機界面2113において、整合性の悪い領域2114が発生してしまう。 In this case, the organic interfaces 2113 are formed, consistent poor region 2114 is generated.
【0052】 [0052]
図21で示した整合性の悪い領域2114は、キャリアの移動を妨げるバリア(あるいはエネルギー障壁)となる可能性があるため、駆動電圧のさらなる低減へ向けての障害になることが示唆される。 Consistency poor region 2114 shown in FIG. 21, there is a possibility that the barrier that prevents movement of the carrier (or energy barrier), it is suggested that an obstacle towards a further reduction in driving voltage. また、エネルギー障壁を越えられないキャリアはチャージとして蓄積してしまい、先に述べたような輝度の低下を誘起してしまう可能性がある。 The carrier can not exceed the energy barrier will be accumulated as the charge, there is a possibility that induce reduction in luminance as described above.
【0053】 [0053]
もう一つの機構として、積層構造を形成する(すなわち有機界面を形成する)工程から生じるものが考えられる。 Another mechanism, to form a laminated structure (i.e. to form the organic interfaces) those resulting from step is considered. 積層構造の有機発光素子は、キャリアのブロッキングおよび機能分離の観点から、各層を形成する際のコンタミネーションを避けるため、通常、図22に示すようなマルチチャンバー方式(インライン方式)の蒸着装置を用いて作製する。 The organic light emitting element of the laminated structure, using from the viewpoint of blocking the carrier and functional separation, to avoid contamination in forming the respective layers, typically, the deposition apparatus of multi-chamber system as shown in FIG. 22 (in-line system) to produce Te.
【0054】 [0054]
図22に示した例は、正孔輸送層・発光層・電子輸送層の三層構造(ダブルへテロ構造)を形成するための蒸着装置の概念図である。 Example shown in FIG. 22 is a conceptual diagram of a deposition apparatus for forming a three-layer structure of a hole transport layer, emission layer, electron transport layer (double heterostructure). まず、搬入室に陽極(インジウム錫酸化物(以下、「ITO」と記す)など)を有する基板を搬入し、まず紫外線照射室において真空雰囲気中で紫外線を照射することにより、陽極表面をクリーニングする。 First, anode loading chamber (indium tin oxide (hereinafter, referred to as "ITO"), etc.) carrying a substrate having, by irradiating ultraviolet rays in a vacuum atmosphere at first ultraviolet irradiation chamber to clean the anode surface . 特に陽極がITOのような酸化物である場合、前処理室にて酸化処理を行う。 Especially when the anode is the oxide such as ITO, oxidation treatment performed in the pretreatment chamber. さらに、積層構造の各層を形成するため、蒸着室2201で正孔輸送層を、蒸着室2202〜2204で発光層(図22では、赤、緑、青の三色)を、蒸着室2205で電子輸送層を成膜し、蒸着室2206で陰極を蒸着する。 Further, for forming each layer of the laminated structure, the hole transport layer at a deposition chamber 2201, (in FIG. 22, three colors of red, green and blue) light emitting layer by vapor deposition chamber 2202-2204 and electrons in the deposition chamber 2205 the transport layer is deposited, depositing a cathode in the deposition chamber 2206. 最後に、封止室にて封止を行い、搬出室から取り出して有機発光素子を得る。 Finally, a sealing at a sealing chamber, obtaining an organic light emitting element is taken out from the carry-out chamber.
【0055】 [0055]
このようなインライン方式の蒸着装置の特色としては、各層の蒸着を、それぞれ異なる蒸着室2201〜2205において蒸着していることである。 The features of the deposition apparatus having such a line system, the deposition of each layer is that it is deposited in different deposition chambers 2201 to 2205, respectively. つまり、各層の材料がほとんど互いに混入しないような装置構成となっている。 That is, a little contamination No such device configurations to each other layers of material.
【0056】 [0056]
ところが、蒸着装置の内部は通常10 -4 〜10 -5パスカル程度に減圧されているものの、極微量の気体成分(酸素や水など)は存在している。 However, although the interior of the deposition apparatus is reduced to usually 10 -4 to 10 -5 Pa or so, very gaseous component traces (such as oxygen and water) is present. そして、この程度の真空度の場合、それら極微量の気体成分でも、数秒もあれば容易に単分子レイヤー程度の吸着層を形成してしまうと言われている。 When the degree of vacuum of this order, even in gaseous component thereof trace amounts, are readily said thus forming an adsorption layer of approximately monomolecular layer Some seconds.
【0057】 [0057]
したがって、図22のような装置を用いて積層構造の有機発光素子を作製する場合、各層を形成する間に大きなインターバルが生じてしまうことが問題なのである。 Therefore, the case of manufacturing the organic light emitting element of the laminated structure by using a device as shown in FIG. 22, large intervals that may occur is the problem during the formation of each layer. つまり、各層を形成する間のインターバル、特に第二搬送室を経由して搬送する際などに、極微量の気体成分による吸着層(以下、「不純物層」と記す)を形成してしまう懸念がある。 In other words, the interval between each layer is formed, such as during the transport, especially through the second conveyance chamber, the adsorption layer (hereinafter, referred to as "impurity layer") by the gas component of the trace amount fear that forms the is there.
【0058】 [0058]
その概念図を図23に示す。 The conceptual diagram is shown in Figure 23. 図23は、第一の有機化合物2301からなる第一の層2311と、第二の有機化合物2302からなる第二の層2312とを積層する際に、その層間に微量の不純物2303(水や酸素など)からなる不純物層2313が形成されている様子である。 Figure 23 is a first layer 2311 consisting of the first organic compound 2301, a second and a second layer 2312 formed of an organic compound 2302 when stacking, impurity 2303 (water and a small amount of oxygen between the layers is a state in which the impurity layer 2313 made of) are formed.
【0059】 [0059]
このようにして各層間(すなわち有機界面)に形成されてしまう不純物層は、有機発光素子の完成後、キャリアをトラップする不純物領域となってキャリアの移動を妨げるため、やはり駆動電圧を上昇させてしまう。 In this way, each layer (i.e., organic interfaces) impurity layer will be formed on after completion of the organic light-emitting device, to prevent the movement of carriers become impurity regions that trap carriers and also to increase the drive voltage put away. さらに、キャリアをトラップする不純物領域が存在すると、そこにはチャージが蓄積することになるため、先に述べたような輝度の低下を誘起してしまう可能性がある。 Further, the impurity region for trapping carrier is present, this means that the charge is accumulated is there, there is a possibility that induce reduction in luminance as described above.
【0060】 [0060]
このような機構から考えると、以上で述べたような有機界面で生じる問題点(有機界面のモルフォロジー悪化および不純物層の形成)を克服するためには、素子構造・作製工程共に、従来の積層構造素子から脱する必要がある。 Judging from this mechanism, in order to overcome the problems caused by organic interfaces as mentioned in the above (Formation of morphology deterioration and impurity layer of an organic interface) is the element structure, a manufacturing process both conventional laminated structure there is a need to escape from the device. 例えば、有機界面を完全に排除した有機発光素子の例として、正孔輸送材料と電子輸送材料とを混合しただけの単層(以下、「混合単層」と記す)のみを、両電極間に設けた有機発光素子の報告がある(文献9:Shigeki NAKA, Kazuhisa SHINNO, Hiroyuki OKADA, Hiroshi ONNAGAWA and Kazuo MIYASHITA, "Organic Electroluminescent Devices Using a Mixed Single Layer", Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 33, No. 12B, L1772-L1774(1994))。 For example, examples of the organic light emitting device that completely eliminate organic interfaces, a single layer of only a mixture of a hole transporting material and an electron transporting material (hereinafter referred to as "mixed monolayer") only, between the electrodes there are reports of an organic light emitting element provided (Document 9:. Shigeki NAKA, Kazuhisa SHINNO, Hiroyuki OKADA, Hiroshi ONNAGAWA and Kazuo MIYASHITA, "organic Electroluminescent devices Using a Mixed Single Layer", Japanese Journal of Applied Physics, Vol 33, No . 12B, L1772-L1774 (1994)).
【0061】 [0061]
文献9では、正孔輸送性である4,4'−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(以下、「TPD」と記す)と、電子輸送性であるAlq 3とを、1:4の割合で混合することによって単層構造を形成している。 In Literature 9, a hole transporting 4,4'-bis [N-(3- methylphenyl) -N- phenyl - amino] - biphenyl (hereinafter, referred to as "TPD") and is an electron-transporting property and Alq 3, 1: to form a single-layer structure by mixing at a ratio of 4. しかしながら、積層構造(すなわち、TPDおよびAlq 3からなる有機界面を形成するヘテロ構造)との比較をすると、発光効率の点では積層構造に比べて劣っていることが示されている。 However, the laminated structure (i.e., hetero structure forming organic interfaces composed of TPD and Alq 3) When a comparison with, in terms of luminous efficiency has been shown to be inferior to the laminated structure.
【0062】 [0062]
その原因として、混合単層の場合、陽極から注入された正孔および陰極から注入された電子が、再結合することなくそのまま対極へ抜けてしまうことが多くなるためと考えられる。 As the cause, mixed monolayer, electrons injected from the injection holes and the cathode from the anode is directly attributed to it is often fall out to the counter electrode without recombining. 積層構造はキャリアのブロッキング機能があるので、そのような問題は生じていないのである。 Because laminated structure has a blocking function of the carrier, such problem is not not occur.
【0063】 [0063]
このことは、文献9の混合単層においては、機能発現が行われていないことが原因と言い換えることができる。 This means that in the mixed monolayer literature 9, can be rephrased as because the functional expression is not performed. すなわち、有機化合物層内において、陽極に近い領域は正孔輸送という機能を示し、陰極に近い領域は電子輸送という機能を示し、両電極から離れた部分に発光領域(すなわちキャリアが再結合する領域)を設けるという、各機能を発現できる領域を設けなければ、たとえ有機界面をなくしたとしても効率のよい発光には至らないのである。 That is, in the organic compound layer, a region close to the anode indicates the function of hole transport, a region close to the cathode represents the function of electron transport, the light emitting region (i.e. carrier to distant portion from the both electrodes are recombined region ) as provided, to be provided an area capable of expressing each function is even not lead to efficient emission even eliminate organic interface. また、有機化合物層内が全て発光層として機能するので、実際はキャリアの再結合が電極の近くで行われる可能性があり、電極材料にエネルギー移動して消光することがある。 Further, since the organic compound layer functions as all the light-emitting layer, actually there is a possibility that recombination of carriers takes place in the vicinity of the electrode, it may be quenched by energy transfer to electrode materials.
【0064】 [0064]
このように混合単層では十分な性能を発揮できないことを考慮し、本発明者は特に、図4におけるバイポーラー性混合層を発光領域として形成する際に、有機界面を排除し、なおかつ文献7とは異なり機能発現が可能な有機発光素子を実現する手法を考案した。 Thus, in the mixed monolayer considering that not exhibit sufficient performance, the present inventors have particularly, in forming the bipolar-natured mixed layer in FIG. 4 as a light emitting region, to eliminate the organic interfaces, yet literature 7 It devised a method of realizing an organic light-emitting device capable of functional expression unlike. その概念図を図24に示す。 The conceptual diagram is shown in Figure 24.
【0065】 [0065]
図24では、正孔輸送材料および電子輸送材料の2種類からなる有機化合物層2403において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域2405、電子輸送材料からなる電子輸送領域2406、および正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合された混合領域2407を設けてある。 In Figure 24, the organic compound layer 2403 composed of two kinds of hole transport materials and electron transport materials, hole transporting region 2405, an electron transporting region 2406 composed of an electron transporting material and hole transporting material, formed of a hole transporting material and is an electron transporting material is provided with a mixing area 2407 mixed. ここでは基板2401上に陽極2402を設けてあるが、陰極2404の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。 Here are the anode 2402 is provided on the substrate 2401 but may take the opposite structure in which the direction of the cathode 2404 on the substrate. なお、このような素子の場合、正孔輸送層などの明確な層構造は形成していないので、各機能を示す「領域」という表現を用いている。 In the case of such a device, since distinct layer structures such as a hole transport layer is not formed, it is used expression "region" indicating the respective functions.
【0066】 [0066]
このような素子を形成した場合、陽極側では正孔輸送材料が正孔を受け取り輸送し、一方陰極側では電子輸送材料が電子を受け取り輸送することができる。 When forming such a device, the anode side hole transporting material is received transport holes, while the cathode side can be an electron-transporting material is received transport electrons. さらに、混合領域2407はバイポーラー性であるため、正孔および電子は双方とも混合領域2407を移動することができ、この混合領域2407においてキャリアは再結合し発光に至る。 Furthermore, since the mixed region 2407 is bipolar-natured, holes and electrons can move mixed region 2407 both, the carrier leads to recombine emitting in the mixed region 2407. すなわち、文献9の混合単層とは異なり、各機能を発現できる領域が有機化合物層2403内に存在していることになる。 That is, unlike a mixed monolayer of documents 9, so that the region capable of expressing the respective functions are present in the organic compound layer 2403.
【0067】 [0067]
さらに、図24のような素子の場合、機能発現を可能にしながら、なおかつ従来の積層構造のような有機界面は存在しない。 Furthermore, in the case of elements such as 24, while allowing functional expression, yet organic interfaces, such as conventional laminated structure is not present. したがって、上述の有機界面で生じる問題点(有機界面のモルフォロジー悪化および不純物層の形成)を解決することができる。 Therefore, it is possible to solve the problems caused by organic interfaces described above (Formation of morphology deterioration and impurity layer of an organic interface). なお、発光に至る混合領域が両電極から離れることにより、電極にエネルギー移動することによる消光を防ぐこともできる。 Note that by mixing region leading to emission away from the electrodes, it is possible to prevent quenching due to energy transfer to the electrodes.
【0068】 [0068]
まず、有機界面のモルフォロジー悪化の解決について、図25を用いて説明する。 First, the resolution of the morphology deterioration of organic interfaces, will be described with reference to FIG. 25. 図25は、小さい分子2501からなる領域2511と、大きい分子2502からなる領域2512と、小さい分子2501および大きい分子2502の両方を含む混合領域2513と、からなる、図24に代表される有機発光素子である。 Figure 25 includes an area 2511 consisting of small molecules 2501, a region 2512 composed of large molecules 2502, a mixed region 2513 containing both small molecules 2501 and large molecules 2502, consisting of an organic light-emitting element typified in FIG. 24 it is. 図25から明らかなように、図21で存在していたような有機界面2113は存在せず、整合性の悪い領域2114も存在しない。 As apparent from FIG. 25, organic interfaces 2113, such as were present in Figure 21 is not present, not present consistent poor region 2114.
【0069】 [0069]
また、不純物層の形成の解決であるが、これは単純明快である。 Although a resolution of the formation of the impurity layer, which is straightforward. 図24のような有機発光素子を作製する場合、陽極上に正孔輸送材料を蒸着し、途中からそれに加えて電子輸送材料を共蒸着の形で蒸着することで混合領域を形成し、混合領域を形成後は正孔輸送材料の蒸着を止めることで電子輸送材料を蒸着すればよい。 When fabricating the organic light-emitting device as shown in FIG. 24, a hole transporting material was deposited on the anode, from the middle in addition to forming the mixed region by depositing in the form of a co-deposited electron transporting material, the mixed region after the formation may be deposited an electron transporting material by stopping the deposition of the hole transport material. したがって、図22のような蒸着装置を用いて有機発光素子を作製する際に生じる、インターバルが存在しない。 Thus, resulting in making the organic light emitting element using a vapor deposition apparatus as shown in FIG. 22, the interval is not present. つまり、不純物層を形成する隙を与えることがないのである。 That is, there no giving chink to form an impurity layer.
【0070】 [0070]
このように、本発明の有機発光素子は、有機界面を形成することがないためキャリアの移動が潤滑であり、駆動電圧および素子の寿命に悪影響を及ぼすことがなくなる。 Thus, the organic light-emitting device of the present invention, the movement of the carrier for never forming the organic surfactant is lubrication, there is no adversely affect the life of the drive voltage and element. さらに、積層構造と同様に機能分離されているため、発光効率の点でも問題はない。 Furthermore, since it is functionally separated like the layered structure, there is no problem in terms of luminous efficiency.
【0071】 [0071]
また、従来の積層構造が異種物質間の単なる接合(hetero-junction)であるのに対し、本発明の構造はいわば混合接合(mixed-junction)であり、新しい概念に基づく有機発光素子であると言える。 Further, while the conventional laminate structure are merely joined (hetero-junction) between different materials, the structure of the present invention is so to speak mixing junction (mixed-junction), If it is an organic light emitting element based on a new concept it can be said.
【0072】 [0072]
したがって本発明では、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、電子移動度よりも正孔移動度の高い正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、正孔移動度よりも電子移動度の高い電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおかつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混合領域が設けられていることを特徴とする。 In the present invention, therefore, an anode, a cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the cathode, the light-emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer, than the electron mobility positive includes a hole transporting region comprising a hole high mobility hole transport material, an electron transporting region composed of a high electron transporting material electron mobility than hole mobility, the and the hole transport region is the than the electron transporting region located in the anode side, yet, the between the hole transporting region and the electron transport region, mixed region containing both the hole transporting material and the electron transporting material is provided it is characterized in.
【0073】 [0073]
なお、図24において、陽極と有機化合物層との間に、正孔の注入性を高める材料(以下、「正孔注入材料」と記す)からなる正孔注入領域を挿入してもよい。 Incidentally, in FIG. 24, between the anode and the organic compound layer, materials to improve the hole injecting property (hereinafter, referred to as "hole injecting material") may be inserted a hole injecting region composed of. また、陰極と有機化合物層との間に、電子の注入性を高める材料(以下、「電子注入材料」と記す)からなる電子注入領域を挿入してもよい。 Further, between the cathode and the organic compound layer, materials to improve the electron injection property (hereinafter, referred to as "electron injecting material") may be inserted an electron injecting region composed of. さらに、正孔注入領域と電子注入領域の両方を組み込んでもよい。 It may also incorporate both the hole injecting region and the electron injecting region.
【0074】 [0074]
この場合、正孔注入材料または電子注入材料は、電極から有機化合物層へのキャリア注入障壁を小さくするための材料であるため、電極から有機化合物層へのキャリアの移動を潤滑にし、チャージの蓄積を排除できる効果がある。 In this case, a hole injecting material or electron injecting material, because the electrode is a material for reducing the carrier injection barrier to the organic compound layer, from the electrode carrier transfer to the organic compound layer lubrication, the accumulation of charge there is an effect that can be eliminated. ただし、先に述べたような不純物層の形成を避ける観点から、各注入材料と有機化合物層との間は、インターバルをおかずに成膜することが好ましい。 However, from the viewpoint of avoiding the formation of impurity layers as described above, between each injection material and an organic compound layer is preferably formed interval side dish.
【0075】 [0075]
ところで、正孔輸送材料および電子輸送材料の両方を含む混合領域内において、陽極から陰極への方向に対し、正孔輸送材料の濃度は徐々に減少し、かつ、電子輸送材料の濃度は徐々に増加するような濃度勾配を形成することが、キャリアバランス制御の観点から好ましい。 Incidentally, in the mixed area including both of the hole transport material and an electron transporting material, to the direction of from the anode to the cathode, the concentration of the hole transporting material gradually decreases, and the concentration of the electron transporting material gradually forming a concentration gradient as increasing from the viewpoint of carrier balance control. また、本発明において、混合領域はキャリアの再結合領域でもあるため、10nm以上の厚みがあることが望ましい。 Further, in the present invention, the mixed region because that is also a carrier recombination region, it is desirable to have a thickness of at least 10 nm.
【0076】 [0076]
また、図26(a)に示すように、有機化合物層2603において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域2605、電子輸送材料からなる電子輸送領域2606、および正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合された混合領域2607を設け、さらに混合領域2607に対し、ドーパントとして発光を呈する発光材料2608を添加する構造も本発明に含むこととする。 Further, as shown in FIG. 26 (a), in the organic compound layer 2603, a hole transporting region 2605 formed of a hole transporting material, an electron transporting region 2606 composed of an electron transporting material, and a hole transporting material and electron transporting material There a mixed mixed region 2607 is provided, further to the mixed region 2607, the structure of adding a luminescent material 2608 emits light as a dopant also to be included in the present invention. なお、ここでは基板2601上に陽極2602を設けてあるが、陰極2604の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。 Here, it is the anode 2602 provided on a substrate 2601 but may take the opposite structure in which the direction of the cathode 2604 on the substrate. また、正孔注入領域や電子注入領域を、電極と有機化合物層との間に設けていてもよい。 Further, a hole injecting region and the electron injection region may be provided between the electrode and the organic compound layer.
【0077】 [0077]
発光材料2608を混合領域2607にドープすると、発光材料2608がキャリアをトラップするため再結合率が向上し、高い発光効率が期待できる。 When doped with luminescent material 2608 to the mixed area 2607, the light emitting material 2608 is enhanced recombination rate for trapping carrier can be expected high luminous efficiency. 発光色を発光材料2608により制御できることも利点の一つと言える。 The emission color can be controlled by the luminescent material 2608 can be said that one of the advantages. ただしこの場合、発光材料2608における励起エネルギーは、混合領域2607に含まれる化合物の中で最も小さいことが好ましい。 However, in this case, excitation energy in the light emitting material 2608 is preferably the smallest among the compounds contained in the mixed region 2607.
【0078】 [0078]
また、発光領域は両電極からなるべく離すことで、電極材料にエネルギー移動することによる消光(以下、「クエンチ」と記す)を防ぐことができる。 Further, the light-emitting region by releasing as possible from the electrodes, quenching due to energy transfer to electrode materials (hereinafter, referred to as "quenching") can be prevented. したがって、発光材料をドープする領域は、混合領域内の全域ではなく、一部(特に中央部)であってもよい。 Therefore, a region doped with luminescent material, rather than the entire area of ​​the mixing zone may be part (particularly a central part).
【0079】 [0079]
さらに、図26(b)に示すように、有機化合物層2603において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域2605、電子輸送材料からなる電子輸送領域2606、および正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合された混合領域2607を設け、さらに混合領域2607に対し、ブロッキング材料2609を添加する構造も本発明に含むこととする。 Furthermore, as shown in FIG. 26 (b), in the organic compound layer 2603, a hole transporting region 2605 formed of a hole transporting material, an electron transporting region 2606 composed of an electron transporting material, and a hole transporting material and electron transporting material There a mixed mixed region 2607 is provided, further to the mixed region 2607, the structure of adding a blocking material 2609 also to be included in the present invention. なお、ここでは基板2601上に陽極2602を設けてあるが、陰極2604の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。 Here, it is the anode 2602 provided on a substrate 2601 but may take the opposite structure in which the direction of the cathode 2604 on the substrate. また、正孔注入領域や電子注入領域を、電極と有機化合物層との間に設けていてもよい。 Further, a hole injecting region and the electron injection region may be provided between the electrode and the organic compound layer.
【0080】 [0080]
ブロッキング材料2609を混合領域2607にドープすると、混合領域2607におけるキャリアの再結合率が向上し、分子励起子の拡散も防げるため、高い発光効率が期待できる。 When doping the blocking material 2609 to the mixed area 2607, improved recombination rate of carriers in the mixed region 2607, since also prevent diffusion of molecular excitons can be expected high luminous efficiency. ただしこの場合、ブロッキング材料における励起エネルギーレベルは、混合領域2607に含まれる材料の中で最も大きいことが好ましい。 However, in this case, excitation energy level in the blocking material is preferably largest in the material contained in the mixed region 2607.
【0081】 [0081]
また、ブロッキング材料は、正孔ないしは電子の片方をブロックする機能を有する場合が多いため、混合領域内全域にドープしてしまうと、混合領域内のキャリアバランスを崩すこともある。 Further, the blocking material, because in many cases has the function of blocking holes or electrons one, the thus doped mixed region throughout sometimes breaking the carrier balance in the mixing region. したがって、ブロッキング材料をドープする領域は、混合領域内の全域ではなく、一部(特に端部)であってもよい。 Therefore, a region doped blocking material, not the entire region of the mixing zone may be part (especially the ends).
【0082】 [0082]
なお、図26(b)においては、さらに好ましい例として、発光材料2608も添加している。 In the FIG. 26 (b), the More preferred examples, luminescent materials 2608 are also added. すなわち、図26(a)と併合した形態である。 That is, in a form merged with FIG. 26 (a). ブロッキング材料2609が正孔ブロッキング性を有する場合は、図26(b)のように、発光材料2608を添加している領域よりも陰極側に正孔ブロッキング材料を添加すれば、発光材料が効率よく発光することになる。 If the blocking material 2609 has a hole-blocking property, as shown in FIG. 26 (b), the be added a hole blocking material on the cathode side than the region where the addition of luminescent material 2608, the light emitting material efficiently It will be light.
【0083】 [0083]
また、本発明を三重項発光素子に適用することにより、三重項励起状態からの発光による高輝度発光・高発光効率に加え、文献8に比べて素子の寿命も長いという非常に高機能な発光素子が可能となる。 Further, by applying the present invention to triplet light emitting device, in addition to the high luminance and high emission efficiency of light emitted from a triplet excited state, a very sophisticated emission of longer lifetime of the device as compared to the literature 8 element becomes possible.
【0084】 [0084]
なお、三重項の分子励起子は、拡散長が一重項の分子励起子に比べて大きいため、ブロッキング材料が混合領域に含まれていることが好ましい。 The molecular exciton triplet, because diffusion length is greater than the molecular excitons singlet, it is preferable that the blocking material is included in the mixed region. すなわち、図26(b)を用いて説明すると、発光材料2608として三重項励起エネルギーを発光に変換できる材料(以下、「三重項発光材料」と記す)を用い、ブロッキング材料2609も同時に添加することが望ましい。 That is explained with reference to FIG. 26 (b), the material capable of converting triplet excitation energy into light emission as light-emitting material 2608 (hereinafter referred to as "triplet luminescent material") using a blocking material 2609 be added at the same time It is desirable
【0085】 [0085]
以下ではさらに、図26で示したような発光材料を添加する形態において、より作製に適したな例を述べる。 Hereinafter Furthermore, in the form of adding a luminescent material as shown in FIG. 26, described more examples Do suitable for producing. その素子構造を図27に示す。 The device structure shown in FIG. 27.
【0086】 [0086]
図27の素子では、正孔輸送材料および電子輸送材料を含む有機化合物層2703において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域2705、電子輸送材料からなる電子輸送領域2706、および正孔輸送材料と電子輸送材料とが一定の割合にて混合された混合領域2707を設けており、さらに混合領域2707には、発光を呈する発光材料2708を添加することにより発光領域を形成してある。 The device of FIG. 27, in the organic compound layer 2703 containing a hole transporting material and an electron transporting material, a hole transporting region 2705 formed of a hole transporting material, an electron transporting region 2706 composed of an electron transporting material, and a hole transport material and an electron transporting material and the mixed region 2707 which has been mixed at a certain ratio, the more the mixed region 2707, is formed a light emitting region by adding a luminescent material 2708 emits light. ここでは基板2701上に陽極2702を設けてあるが、陰極2704の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。 Here it is provided an anode 2702 on the substrate 2701 but may take the opposite structure in which the direction of the cathode 2704 on the substrate.
【0087】 [0087]
なお、混合領域における正孔輸送材料と電子輸送材料との濃度比をx:yとした場合の濃度プロファイルは、図28のようになる。 Incidentally, the concentration ratio of the hole transporting material and an electron transporting material in the mixed region x: Concentration profile in the case where the y is as shown in Figure 28.
【0088】 [0088]
このような素子を形成した場合、陽極側では正孔輸送材料が正孔を受け取り輸送し、一方陰極側では電子輸送材料が電子を受け取り輸送することができる。 When forming such a device, the anode side hole transporting material is received transport holes, while the cathode side can be an electron-transporting material is received transport electrons. さらに、混合領域2707はバイポーラー性であるため、正孔および電子は双方とも混合領域2707を移動することができる。 Furthermore, since the mixed region 2707 is bipolar-natured, holes and electrons can move both mixed region 2707. また、混合領域2707は一定の割合x:yとしているため、作製が容易である。 The mixing region 2707 certain percentage x: Since you are y, it is easy to prepare.
【0089】 [0089]
ここで重要なことは、混合領域2707において、発光材料を含む発光領域が形成されていることである。 It is important that, in the mixed region 2707, is that the light emitting region including a luminescent material is formed. つまり、発光材料を混合領域2707に添加することで、混合領域内をキャリアが再結合せずに素通りしてしまうことを防ぐと同時に、発光領域を電極から遠ざけ、電極による消光(以下、「クエンチ」と記す)をも防止しているのである。 That is, by adding the luminescent material to the mixed region 2707, and at the same time prevent the mixing zone is a carrier resulting in fall through without recombining, away the light emitting region from the electrode, quenching by electrodes (hereinafter, "quench "and referred to) with each other to prevent also.
【0090】 [0090]
したがって本発明では、陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成されており、なおかつ、前記混合領域内に、発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設けたことを特徴とする。 In the present invention, therefore, in the light-emitting device comprising an anode, a cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the cathode, the organic light emitting element formed of the organic compound layer comprises a hole transporting material a hole transport region comprises an electron transporting region composed of an electron transporting material, a and the between the hole transporting region and the electron transporting region, the hole transporting material and a certain percentage of the electron transport material mixing region is formed including at, yet, in the mixing zone, characterized in that a light emitting region where the light emitting material is added emit light.
【0091】 [0091]
なお、発光材料は、正孔輸送材料および電子輸送材料に比べて、励起エネルギーが小さいことが好ましい。 Note that the light-emitting material, as compared with the hole transporting material and electron transporting material, it is preferred that the excitation energy is small. これは、分子励起子のエネルギー移動を防ぐためである。 This is to prevent the energy transfer molecule excitons.
【0092】 [0092]
また、図27において、陽極と有機化合物層との間に、正孔の注入性を高める材料(以下、「正孔注入材料」と記す)からなる正孔注入領域を挿入してもよい。 Further, in FIG. 27, between the anode and the organic compound layer, materials to improve the hole injecting property (hereinafter, referred to as "hole injecting material") may be inserted a hole injecting region composed of. また、陰極と有機化合物層との間に、電子の注入性を高める材料(以下、「電子注入材料」と記す)からなる電子注入領域を挿入してもよい。 Further, between the cathode and the organic compound layer, materials to improve the electron injection property (hereinafter, referred to as "electron injecting material") may be inserted an electron injecting region composed of. さらに、正孔注入領域と電子注入領域の両方を組み込んでもよい。 It may also incorporate both the hole injecting region and the electron injecting region.
【0093】 [0093]
この場合、正孔注入材料または電子注入材料は、電極から有機化合物層へのキャリア注入障壁を小さくするための材料であるため、電極から有機化合物層へのキャリアの移動を潤滑にし、チャージの蓄積を排除できる効果がある。 In this case, a hole injecting material or electron injecting material, because the electrode is a material for reducing the carrier injection barrier to the organic compound layer, from the electrode carrier transfer to the organic compound layer lubrication, the accumulation of charge there is an effect that can be eliminated. ただし、先に述べたような不純物層の形成を避ける観点から、各注入材料と有機化合物層との間は、インターバルをおかずに成膜することが好ましい。 However, from the viewpoint of avoiding the formation of impurity layers as described above, between each injection material and an organic compound layer is preferably formed interval side dish.
【0094】 [0094]
また、混合領域においては、その混合比によってキャリアの再結合部はほぼ決まってくる(バイポーラー性になればなるほど、ほぼ中央になる)。 In the mixing region, recombination part come substantially determined carrier by the mixing ratio (The more bipolar character, is substantially in the center). したがって、発光材料を混合領域内の全域に添加してもよい(図29(a))が、一部に添加してもよい(図29(b))。 Thus, it may be added a luminescent material on the entire mixing zone (Fig. 29 (a)) is, may be added to a portion (FIG. 29 (b)). なお、図29では、図27の符号を引用している。 In FIG. 29, cites the sign of Figure 27.
【0095】 [0095]
さらに、図30(a)に示すように、有機化合物層2703において、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域2705、電子輸送材料からなる電子輸送領域2706、および正孔輸送材料と電子輸送材料とが混合され、発光材料も添加された混合領域2707を設け、さらに混合領域2707に対し、ブロッキング材料2709を添加する構造も本発明に含むこととする。 Furthermore, as shown in FIG. 30 (a), in the organic compound layer 2703, a hole transporting region 2705 formed of a hole transporting material, an electron transporting region 2706 composed of an electron transporting material, and a hole transporting material and electron transporting material There are mixed, the light emitting material also provided a mixed region 2707, which is added further to the mixed region 2707, the structure of adding a blocking material 2709 also to be included in the present invention. なお、ここでは基板2701上に陽極2702を設けてあるが、陰極2704の方を基板上に設ける逆の構造をとってもよい。 Here, it is provided with an anode 2702 on the substrate 2701 but may take the opposite structure in which the direction of the cathode 2704 on the substrate. また、正孔注入領域や電子注入領域を、電極と有機化合物層との間に設けていてもよい。 Further, a hole injecting region and the electron injection region may be provided between the electrode and the organic compound layer.
【0096】 [0096]
なお、この場合のブロッキング材料とは、励起エネルギーレベルが混合領域2707に含まれる材料の中で最も大きく、キャリアをブロックする機能ないしは分子励起子の拡散を防ぐ機能を有する材料が好ましい。 Note that the blocking material in this case, the largest among the material excited energy levels are included in the mixed region 2707, a material having a function of preventing diffusion of functional or molecular excitons block carrier is preferred. ブロッキング材料2709を混合領域2707に添加すると、混合領域2707におけるキャリアの再結合率が向上し、分子励起子の拡散も防げるため、高い発光効率が期待できる。 The addition of blocking material 2709 to the mixed area 2707, improved recombination rate of carriers in the mixed region 2707, since also prevent diffusion of molecular excitons can be expected high luminous efficiency. ただし、ブロッキング材料は、正孔ないしは電子の片方をブロックする機能を有する場合が多いため、混合領域内全域に添加してしまうと、混合領域内のキャリアバランスを崩すこともある。 However, the blocking material, because in many cases has the function of blocking holes or electrons one, the result is added to the mixed area in the entire, sometimes breaking the carrier balance in the mixing region. したがって、ブロッキング材料を添加する領域は、混合領域内の全域ではなく、一部とする。 Thus, regions of adding a blocking material, not the entire region of the mixing zone, a part.
【0097】 [0097]
また、ブロッキング材料は通常、HOMO準位が低い、すなわち正孔をブロッキングできる材料が有効である。 Further, the blocking material is generally low HOMO level, that is, materials that can block holes valid. したがって図30(b)に示すように、発光材料2708を添加している領域よりも陰極側にブロッキング材料を添加する手法が有用である。 Thus, as shown in FIG. 30 (b), method of adding a blocking material to a cathode side than the region where the addition of luminescent material 2708 is useful.
【0098】 [0098]
さらに、このような素子構造に添加する発光材料としてを三重項発光材料を適用することにより、三重項励起状態からの発光による高輝度発光・高発光効率に加え、素子の寿命も長いという非常に高機能な発光素子が可能となる。 Further, by applying a triplet light emitting material as a luminescent material added to such element structure, in addition to the high luminance and high emission efficiency of light emitted from a triplet excited state, a very that longer life of the device high-performance light-emitting element becomes possible. なお、三重項の分子励起子は、拡散長が一重項の分子励起子に比べて大きいため、ブロッキング材料が混合領域に含まれていることが好ましい。 The molecular exciton triplet, because diffusion length is greater than the molecular excitons singlet, it is preferable that the blocking material is included in the mixed region.
【0099】 [0099]
ところで、以上で述べたような正孔輸送材料および電子輸送材料からなる混合領域は、バイポーラー性である必要があるため、混合領域において、正孔輸送材料と電子輸送材料との合計質量に対する正孔輸送材料の質量の百分率は、10パーセント以上90パーセント以下であることが好ましい。 Incidentally, the mixed area formed of a hole transporting material and electron transporting material as described above, it is necessary a bipolar character, in the mixing region, positive with respect to the total mass of the hole transporting material and the electron transporting material the percentage of the mass of the hole transporting material is preferably at most 90% or more 10 percent. ただし、この比率は材料の組み合わせによって大きく変動すると考えられる。 However, this ratio is believed to vary widely depending on the combination of materials.
【0100】 [0100]
また、正孔輸送材料および電子輸送材料からなる混合領域は発光領域、すなわちキャリアの再結合領域を含んでいるため、キャリアが素通りしないようある程度の厚みが必要となる。 The mixing region composed of a hole transporting material and electron transporting material because it contains light-emitting area, i.e., a carrier recombination region, a certain degree of thickness so that the carrier does not pass through is required. したがって前記混合領域は、10nm以上の厚みがあることが望ましい。 Therefore the mixing region it is desirable to have a thickness of at least 10 nm. また、バイポーラーになる領域の抵抗が高いことを考えると、100nm以下が望ましい。 Moreover, given the resistance of the region to become a bipolar high, less is preferable 100 nm.
【0101】 [0101]
以上のような発明を実施することにより、従来よりも駆動電圧が低く、なおかつ寿命の長い発光装置を提供することができる。 By carrying out the invention as described above, than conventional low driving voltage, it is possible to yet provide a light-emitting device having a long lifetime. さらに、前記発光装置を用いて電気器具を作製することにより、従来よりも低消費電力で、なおかつ長保ちする電気器具を提供することができる。 Furthermore, by producing electrical appliances using the light emitting device with low power consumption than the conventional, it is possible to provide an electric appliance that yet maintaining long.
【0102】 [0102]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下では、本発明を実施する際の形態について述べる。 The following describes embodiments of practicing the present invention. なお、有機発光素子は、発光を取り出すために少なくとも陽極または陰極の一方が透明であればよいが、本実施の形態では、基板上に透明な陽極を形成し、陽極から光を取り出す素子構造で記述する。 Note that the organic light emitting device emitted light may be any one transparency of at least the anode or cathode to take out but, in this embodiment, a transparent anode is formed on a substrate, the element structure in which light is extracted from the anode describe. 実際は、陰極から光を取り出す構造や、基板とは逆側から光を取り出す構造も適用可能である。 In fact, the structure and to take out light from the cathode, the substrate structure in which light is extracted from the opposite side is also applicable.
【0103】 [0103]
まず、正孔輸送性混合層を形成した有機発光素子の実施の形態を、図5を用いて説明する。 First, an embodiment of the organic light-emitting device forming a hole transporting mixed layer, will be described with reference to FIG. 図5では、陽極502を有する基板501上に、正孔輸送性混合層503、発光層504、電子輸送層505、陰極506を積層した構造を示した。 In Figure 5, on a substrate 501 having an anode 502, a hole transporting mixed layer 503, light emitting layer 504, an electron-transporting layer 505, it showed a structure laminated cathode 506. なお、発光層504を挿入せず、正孔輸送性混合層503ないしは電子輸送層505に発光を担わせることも可能である。 Incidentally, without inserting a light-emitting layer 504, it is also possible to play a light emission hole transporting mixed layer 503 or the electron transporting layer 505. 正孔輸送性混合層503は、正孔注入材料および正孔輸送材料の両方が混合されて形成されている。 Hole transporting mixed layer 503, both of the hole injection material and hole transport material is formed by mixing.
【0104】 [0104]
なお、正孔輸送性混合層503は、図2に示したように、正孔注入材料と正孔輸送材料からなる濃度勾配が形成されていてもよい。 The hole transporting mixed layer 503, as shown in FIG. 2, the concentration gradient consisting of a hole injecting material and a hole transporting material may be formed. この場合、正孔注入材料として酸化アルミニウムのような絶縁性が高い材料を用いる時は、正孔注入材料の濃度勾配は急峻である(陽極から離れるにつれてすぐに減衰する)ことが好ましい。 In this case, when the insulating, such as aluminum oxide as a hole injection material having a high material (attenuated quickly with distance from the anode) density gradient of the hole injection material is steep it is preferable.
【0105】 [0105]
次に、電子輸送性混合層を形成した有機発光素子の実施の形態を、図6を用いて説明する。 Next, embodiments of the organic light-emitting device to form an electron transporting mixed layer, will be described with reference to FIG. 図6では、陽極602を有する基板601上に、正孔輸送層603、発光層604、電子輸送性混合層605、陰極606を積層した構造を示した。 In Figure 6, on a substrate 601 having an anode 602, a hole transport layer 603, light emitting layer 604, electron transporting mixed layer 605, it shows the structure in which a cathode is laminated 606. なお、発光層604を挿入せず、電子輸送性混合層605ないしは正孔輸送層603に発光を担わせることも可能である。 Incidentally, without inserting a light-emitting layer 604, it is also possible to play a luminescent electron transporting mixed layer 605 or the hole transport layer 603. 電子輸送性混合層605は、電子注入材料および電子輸送材料の両方が混合されて形成されている。 Electron transporting mixed layer 605, both of the electron injection material and the electron transporting material is formed by mixing.
【0106】 [0106]
なお、電子輸送性混合層605は、図3に示したように、電子注入材料と電子輸送材料からなる濃度勾配が形成されていてもよい。 The electron transporting mixed layer 605, as shown in FIG. 3, the concentration gradient consisting of an electron injecting material and the electron transporting material may be formed. この場合、電子注入材料としてフッ化リチウムのような絶縁性が高い材料を用いる時は、電子注入材料の濃度勾配は急峻である(すぐに減衰する)ことが好ましい。 In this case, when a material is highly insulating, such as lithium fluoride as the electron injecting material, the concentration gradient of the electron injection material (attenuated immediately) is steep is preferable.
【0107】 [0107]
次に、バイポーラー性混合層を形成した有機発光素子の実施の形態を、図7を用いて説明する。 Next, an embodiment of an organic light emitting element formed of the bipolar-natured mixed layer, will be described with reference to FIG. 図7では、陽極702を有する基板701上に、正孔注入層703、バイポーラー性混合層704、電子注入層705、陰極706を積層した構造を示した。 In Figure 7, on a substrate 701 having an anode 702, a hole injection layer 703, a bipolar-natured mixed layer 704, an electron injection layer 705, it showed a structure laminated cathode 706. バイポーラー性混合層704は、正孔輸送材料および電子輸送材料の両方が混合されて形成されている。 Bipolar-natured mixed layer 704, both of the hole transporting material and electron transporting material is formed by mixing.
【0108】 [0108]
なお、バイポーラー性混合層704は、図4に示したように、正孔輸送材料と電子輸送材料とからなる濃度勾配が形成されていてもよい。 Incidentally, the bipolar-natured mixed layer 704, as shown in FIG. 4, the concentration gradient consisting of a hole transporting material and the electron transporting material may be formed.
【0109】 [0109]
また、図24に示すように、混合領域2407に含まれる正孔輸送材料として正孔輸送領域2405の構成材料を用い、混合領域2407に含まれる電子輸送材料として電子輸送領域2406の構成材料を用いることによって、混合領域2407と、正孔輸送領域2405および電子輸送領域2406とを、連続的に接合してもよい。 Further, as shown in FIG. 24, the material of the hole transporting region 2405 used as a hole transporting material contained in the mixed region 2407, using the material of the electron transporting region 2406 as an electron transport material contained in the mixed region 2407 by a mixed region 2407, a hole transporting region 2405 and an electron transporting region 2406 may be successively joined. この場合、2種類の化合物(正孔輸送材料および電子輸送材料)で、正孔輸送領域、発光領域、電子輸送領域という、従来であれば3層の役割を果たすことができる利点がある。 In this case, two kinds of compounds (a hole transporting material and electron transporting material), a hole transporting region, luminescent region, as an electron transporting region, there is an advantage that can serve as three layers if conventional. なお、図24では示していないが、陽極2402と正孔輸送領域2405との間に正孔注入層を、陰極2404と電子輸送領域2406との間に電子注入層を挿入してもよい。 Although not shown in FIG. 24, a hole injection layer between the anode 2402 and the hole transporting region 2405 may be inserted an electron injection layer between the cathode 2404 and the electron transporting region 2406.
【0110】 [0110]
このような素子構造を実施することによって、不純物層の形成を防ぐことができるが、この場合、有機発光素子を作製する製造工程が重要になる。 By carrying out such an element structure, it is possible to prevent formation of an impurity layer, in this case, the process of manufacturing an organic light emitting element becomes important. そこで、このような素子構造の製造方法について適した例を述べる。 Therefore, describe examples of suitable method for manufacturing such a device structure.
【0111】 [0111]
蒸着装置の概念図を、図31に示す。 A conceptual diagram of a deposition apparatus shown in FIG. 31. 図31(a)はその上面図であるが、蒸着室として一つの真空槽3110を設置し、その真空槽内に複数の蒸着源を設けてある、シングルチャンバー方式である。 Figure 31 (a) is the a top view, a single vacuum chamber 3110 is installed as a deposition chamber, its is provided with a plurality of deposition source in the vacuum chamber is a single chamber system. そして、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、ブロッキング材料、発光材料、陰極の構成材料など、各種機能の異なる材料が、それぞれ前記複数の蒸着源に別々に収納されている。 Then, a hole injecting material, hole transporting material, electron transporting material, electron injecting material, blocking material, luminescent material, such as a cathode of the material, different materials, various functions are accommodated separately in each of the plurality of deposition source ing.
【0112】 [0112]
このような蒸着室を有する蒸着装置においては、まず、搬入室に陽極(ITOなど)を有する基板を搬入し、陽極がITOのような酸化物である場合、前処理室にて酸化処理を行う(なお、図31(a)では図示していないが、陽極表面をクリーニングするために紫外線照射室を設置することも可能である)。 In the vapor deposition apparatus having such deposition chamber, first, a substrate having an anode (such as ITO) in loading chamber loaded, when the anode is oxide such as ITO, an oxidation treatment by pretreatment chamber (Incidentally, not shown in FIG. 31 (a), but it is also possible to install an ultraviolet irradiation chamber in order to clean the anode surface). さらに、有機発光素子を形成する全ての材料は、真空槽3110内において蒸着される。 Moreover, all the materials forming an organic luminescent element is deposited in a vacuum chamber 3110. ただし陰極は、この真空槽3110内で形成してもよいし、別に蒸着室を設けてそこで陰極を形成してもよい。 However cathode may be formed in the vacuum chamber 3110 may be formed where the cathode provided separately from the deposition chamber. 要は、陰極を形成するまでの間を、一つの真空槽3110内で蒸着すればよい。 In short, the until forming the cathode, it may be deposited in the single vacuum chamber 3110. 最後に、封止室にて封止を行い、搬送室を経由して搬出室から取り出して有機発光素子を得る。 Finally, a sealing at a sealing chamber, obtaining an organic light emitting element is taken out from the carry-out chamber via the transfer chamber.
【0113】 [0113]
このようなシングルチャンバー方式の蒸着装置を用いて本発明の有機発光素子を作製する手順を、図31(b)(真空槽3110の断面図)を用いて説明する。 The procedure for manufacturing an organic light-emitting device of the present invention by using a deposition apparatus of such single chamber type, will be described with reference to FIG. 31 (b) (cross-sectional view of the vacuum chamber 3110). 図31(b)では、図面簡略化のため、二つの蒸着源(有機化合物蒸着源a3118および有機化合物蒸着源b3119)を有する真空槽3110を用い、正孔輸送材料3116および電子輸送材料3117からなる有機化合物層を形成する過程を示す。 In FIG. 31 (b), the order of drawing simplicity, use of a vacuum chamber 3110 having two deposition sources (an organic compound deposition source a3118 and an organic compound deposition source B3119), formed of a hole transporting material 3116 and an electron transporting material 3117 a process of forming an organic compound layer.
【0114】 [0114]
まず、真空槽3110内に、陽極3102を有する基板3101を搬入し、固定台3111にて固定する(蒸着時には通常、基板は回転させる)。 First, the vacuum chamber 3110, and carrying a substrate 3101 having an anode 3102, fixed to at fixing base 3111 (at the time of deposition usually substrate is rotated). 次に、真空槽3110内を減圧(10 -4パスカル以下が好ましい)した後、容器a3112を加熱し、正孔輸送材料3116を蒸発させ、所定の蒸着レート(単位:[Å/s])に達してからシャッターa3114を開け、蒸着を開始する。 Then, after the vacuum chamber 3110 was evacuated (preferably 10-4 Pa or less), the vessel was heated A3112, evaporate the hole transporting material 3116, a predetermined deposition rate (unit: [Å / s]) to the It reached to open the shutter a3114 from, to start the deposition. この時、シャッターb3115を閉じたまま、容器b3113も加熱しておく。 At this time, while closing the shutter B3115, vessel b3113 is also kept heated.
【0115】 [0115]
その後、シャッターa3114を開いたまま、シャッターb3115を開けることによって、電子輸送材料3117を共蒸着し(図31(b)で示した状態)、正孔輸送領域3103の後に混合領域3104を形成する。 Then, without closing the shutter A3114, by opening the shutter B3115, it was co-deposited electron transporting material 3117 (the state shown in FIG. 31 (b)), to form a mixed region 3104 after the hole transporting region 3103. この操作により、正孔輸送領域3103と混合領域3104との間には、不純物層が混入しない。 This operation between the hole transporting region 3103 and the mixed region 3104, an impurity layer is not mixed.
【0116】 [0116]
さらに電子輸送領域を形成するため、シャッターb3115を開けたままシャッターa3114を閉じ、容器a3112の加熱を終了する。 To further form an electron transporting region, close the left shutter a3114 opened shutter B3115, and terminates the heating of the container A3112. この操作により、混合領域3104と電子輸送領域との間には、不純物層が形成されない。 This operation between the mixed region 3104 and the electron transporting region, an impurity layer is not formed.
【0117】 [0117]
さらに、図26(a)に示した混合領域2607に、発光材料をドープして発光させる手法もある。 Furthermore, in the mixed region 2607 shown in FIG. 26 (a), there is a method to emit light by doping a light emitting material. この場合ドーパントである発光材料は、混合領域2607に含まれる正孔輸送材料および電子輸送材料よりも、低い励起エネルギーを有する必要がある。 In this case the light emitting material is a dopant, than the hole transporting material and electron transporting material contained in the mixed region 2607, it is necessary to have a low excitation energy.
【0118】 [0118]
このように発光材料をドープする場合も、不純物層の形成を防ぐため、有機発光素子を作製する製造工程が重要になる。 May be thus doped luminescent material, to prevent the formation of impurity layers, the process of manufacturing an organic light emitting element becomes important. 以下では、その製造方法について述べる。 The following describes a manufacturing method thereof.
【0119】 [0119]
図32(a)は、蒸着装置の上面図であるが、蒸着室として一つの真空槽3210を設置し、その真空槽内に複数の蒸着源を設けてある、シングルチャンバー方式である。 FIG. 32 (a) is is a top view of a vapor deposition apparatus, set up a one vacuum vessel 3210 deposition chamber is provided with a plurality of evaporation sources in the vacuum chamber is a single chamber system. そして、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、ブロッキング材料、発光材料、陰極の構成材料など、各種機能の異なる材料が、それぞれ前記複数の蒸着源に別々に収納されている。 Then, a hole injecting material, hole transporting material, electron transporting material, electron injecting material, blocking material, luminescent material, such as a cathode of the material, different materials, various functions are accommodated separately in each of the plurality of deposition source ing.
【0120】 [0120]
このような蒸着室を有する蒸着装置においては、まず、搬入室に陽極(ITOなど)を有する基板を搬入し、陽極がITOのような酸化物である場合、前処理室にて酸化処理を行う(なお、図32(a)では図示していないが、陽極表面をクリーニングするために紫外線照射室を設置することも可能である)。 In the vapor deposition apparatus having such deposition chamber, first, a substrate having an anode (such as ITO) in loading chamber loaded, when the anode is oxide such as ITO, an oxidation treatment by pretreatment chamber (Incidentally, not shown in FIG. 32 (a), but it is also possible to install an ultraviolet irradiation chamber in order to clean the anode surface). さらに、有機発光素子を形成する全ての材料は、真空槽3210内において蒸着される。 Moreover, all the materials forming an organic luminescent element is deposited in a vacuum chamber 3210. ただし陰極は、この真空槽3210内で形成してもよいし、別に蒸着室を設けてそこで陰極を形成してもよい。 However cathode may be formed in the vacuum chamber 3210 may be formed where the cathode provided separately from the deposition chamber. 要は、陰極を形成するまでの間を、一つの真空槽3210内で蒸着すればよい。 In short, the until forming the cathode, it may be deposited in the single vacuum chamber 3210. 最後に、封止室にて封止を行い、搬送室を経由して搬出室から取り出して有機発光素子を得る。 Finally, a sealing at a sealing chamber, obtaining an organic light emitting element is taken out from the carry-out chamber via the transfer chamber.
【0121】 [0121]
このようなシングルチャンバー方式の蒸着装置を用いて本発明の有機発光素子を作製する手順を、図32(b)(真空槽3210の断面図)を用いて説明する。 The procedure for manufacturing an organic light-emitting device of the present invention by using a deposition apparatus of such single chamber type, will be described with reference to FIG. 32 (b) (cross-sectional view of the vacuum chamber 3210). 図32(b)では、最も簡単な例として、三つの蒸着源(有機化合物蒸着源a3216、有機化合物蒸着源b3217および有機化合物蒸着源c3218)を有する真空槽3210を用い、正孔輸送材料3221、電子輸送材料3222および発光材料3223を含む有機化合物層を形成する過程を示す。 In FIG. 32 (b), as the simplest example, a vacuum chamber 3210 having three deposition sources (an organic compound deposition source A3216, organic compound deposition source b3217, and an organic compound deposition source C3218), a hole transporting material 3221, a process of forming an organic compound layer including an electron transporting material 3222 and a light emitting material 3223.
【0122】 [0122]
まず、真空槽3210内に、陽極3202を有する基板3201を搬入し、固定台3211にて固定する(蒸着時には通常、基板は回転させる)。 First, the vacuum chamber 3210, and carrying a substrate 3201 having an anode 3202, fixed to at fixing base 3211 (at the time of deposition usually substrate is rotated). 次に、真空槽3210内を減圧(10 -4パスカル以下が好ましい)した後、容器a3212を加熱し、正孔輸送材料3221を蒸発させ、所定の蒸着レート(単位:[nm/s])に達してからシャッターa3214を開け、蒸着を開始する。 Then, after the vacuum chamber 3210 was evacuated (preferably 10-4 Pa or less), the vessel was heated A3212, evaporate the hole transporting material 3221, a predetermined deposition rate (unit: [nm / s]) to the It reached to open the shutter a3214 from, to start the deposition. この時、シャッターb3215を閉じたまま、容器b3213も加熱しておく。 At this time, while closing the shutter B3215, vessel b3213 is also kept heated.
【0123】 [0123]
その後、シャッターa3214を開いたまま、シャッターb3215を開けることによって、電子輸送材料3222を共蒸着し、正孔輸送領域3203の後に混合領域3204を形成する。 Then, without closing the shutter A3214, by opening the shutter B3215, it was co-deposited electron transporting material 3222 to form a mixed region 3204 after the hole transporting region 3203. この操作により、正孔輸送領域3203と混合領域3204との間には、不純物層が混入しない。 This operation between the hole transporting region 3203 and the mixed region 3204, an impurity layer is not mixed. ここで、この混合領域904形成の際、微量の発光材料3223も途中で添加しておく(図32(b)で示した状態)。 Here, (the state shown in FIG. 32 (b)) In this case the mixing region 904 formed, the small amount of luminescent material 3223 be previously added in the middle.
【0124】 [0124]
さらに電子輸送領域を形成するため、シャッターb3215を開けたままシャッターa3214を閉じ、容器a3212の加熱を終了する。 To further form an electron transporting region, close the left shutter a3214 opened shutter B3215, and terminates the heating of the container A3212. この操作により、混合領域3204と電子輸送領域との間には、不純物層が形成されない。 This operation between the mixed region 3204 and the electron transporting region, an impurity layer is not formed.
【0125】 [0125]
この方法を応用すれば、課題を解決するための手段で述べた有機発光素子は、全て作製可能である。 By applying this method, the organic light-emitting element described in Means for solving the problems are all be made. 例えば、混合領域3204にブロッキング材料を添加する場合は、図32(b)にそのブロッキング材料を蒸着するための蒸着源を設置し、混合領域の形成中に蒸発させればよい。 For example, the case of adding a blocking material to the mixed region 3204, established the deposition source for depositing the blocking material in FIG. 32 (b), it is sufficient to evaporate during the formation of the mixed region.
【0126】 [0126]
また、正孔注入領域または電子注入領域を形成する場合でも、各注入材料の蒸着源を同一の真空槽3210内に設置すればよい。 Further, even when forming the hole injection region or the electron injection region, it may be installed a deposition source for each injection material in the same vacuum chamber 3210. 例えば図32(b)において、陽極3202と正孔輸送領域3203との間に正孔注入領域を蒸着にて設ける場合は、陽極3202上に正孔注入材料を蒸着した後、インターバルをおかずにすぐ正孔輸送材料3221を蒸発させることで、不純物層の形成を避けることができる。 For example, in FIG. 32 (b), if provided by depositing a hole injecting region between the anode 3202 and the hole transporting region 3203, after depositing a hole injection material over the anode 3202, immediately interval side dish evaporation of the hole transporting material 3221, it is possible to avoid the formation of impurity layers.
【0127】 [0127]
なお、以上で述べた混合領域には濃度勾配を形成することもできるので、ここで濃度勾配の形成手法の例について言及しておく。 Note that the mixing region as described above so it is also possible to form a concentration gradient, where it is noted for example technique for forming a concentration gradient. ここでは、抵抗加熱による真空蒸着で成膜できる場合について述べる。 Here, we describe the case where the film can be formed by vacuum deposition by resistance heating. 濃度勾配の形成手法に関しては、材料の蒸発温度と蒸着レート(通常、単位はnm/s)との相関がとれている場合、温度制御により蒸着レートを制御することも可能である。 For the method of forming the density gradient, if taken correlation with material evaporation temperature and the evaporation rate (typically, the unit is nm / s), it is also possible to control the deposition rate with temperature control. しかしながら、特に通常粉末形状で用いる有機材料の熱伝導性は悪く、温度による制御はむらを生じやすい。 However, poor particularly thermally conductive organic materials used in conventional powder form, control of temperature is susceptible to irregularities. したがって、濃度勾配を形成する2種類の材料をそれぞれ別の蒸着源に用意し、シャッターを利用した蒸着レート制御(膜厚は水晶振動子によってモニターする)で行うことが好ましい。 Therefore, provides two materials forming a concentration gradient in separate deposition sources, it is preferable to carry out at a deposition rate control using the shutter (the film thickness is monitored by a crystal oscillator). その形態を図11に示す。 The configuration shown in FIG. 11.
【0128】 [0128]
図11では、図24で示した素子構造を例に、濃度勾配の形成手法を説明する。 In Figure 11, an example device structure shown in FIG. 24, for explaining the method of forming the density gradient. したがって、図11中では図24で用いた符号を引用する。 Thus, in Figure 11 reference numerals used in FIG. 24. まず、成膜室1110内に、陽極1102を有する基板1101を搬入し、固定台1111にて固定する(蒸着時には通常、基板は回転させる)。 First, the deposition chamber 1110, and carrying a substrate 1101 having an anode 1102, fixed to at fixing base 1111 (at the time of deposition usually substrate is rotated).
【0129】 [0129]
次に、正孔輸送材料1116を設置した試料室a1112を加熱し、シャッターa1114を開けることにより、正孔輸送材料1116からなる正孔輸送領域2405を成膜する。 Then heating the sample chamber a1112 which established a hole transporting material 1116, by opening the shutter A1114, forming a hole transporting region 2405 formed of a hole transporting material 1116. この時、電子輸送材料1117を設置した試料室b1113も同時に加熱しておくが、シャッターb1115は閉じておく。 At this time, although previously heated electron transporting material 1117 to install the sample chamber b1113 simultaneously, the shutter b1115 is kept closed.
【0130】 [0130]
正孔輸送領域2405が所定の膜厚に達したあと、シャッターa1114を徐々に閉じると同時に、シャッターb1115を徐々に開いていく。 After the hole transporting region 2405 reaches a predetermined film thickness, and at the same time gradually closes the shutter A1114, gradually open the shutter B1115. この時の開閉速度により、混合領域2407の濃度勾配を形成する。 The opening and closing speed at this time forms a concentration gradient in the mixed region 2407. その開閉速度は、シャッターa1114が完全に閉じる頃に、混合領域2407が所定の膜厚に達するように、かつ、電子輸送材料1117が所定の蒸着レート(電子輸送領域2406を蒸着する際のレート)に達するように、設定すればよい。 Opening and closing speed, the time the shutter a1114 is fully closed, as mixed region 2407 reaches a predetermined film thickness, and, (rate for depositing the electron transporting region 2406) electron transporting material 1117 is given evaporation rate as is reached, it may be set. その後は、シャッターb1115を開けたまま電子輸送領域2406を形成して、図24の素子構造において濃度勾配を形成した素子が可能になる。 Then, while opening the shutter b1115 to form an electron transporting region 2406 allows devices to form a concentration gradient in the device structure of Figure 24.
【0131】 [0131]
なお、この方法は図24以外の素子構造において、濃度勾配を形成する場合も全て適用可能である。 Incidentally, the method in the device structure other than 24, it is possible all be applied when forming the concentration gradient. また、バイポーラー性混合層あるいは混合領域に発光材料をドープするような場合は、図11の蒸着源をさらに一つ増やし、ドープする時間帯のみドーパントの蒸着源のシャッターを開ければよい。 In addition, when such doped with luminescent material in the bipolar-natured mixed layer or a mixed region further incremented by one deposition source in FIG. 11, may you open the shutter of deposition source of dopant only time zone to be doped.
【0132】 [0132]
ただし、濃度勾配を形成する手段は、この手法のみに限らない。 However, it means for forming a concentration gradient is not limited to this approach.
【0133】 [0133]
ところで、上で述べたようないくつかの実施の形態は、複合して用いることも可能である。 However, some embodiments as described above can be also be used in combination. 例えば、正孔輸送性混合層、電子輸送性混合層、バイポーラー性混合層を組み合わせて適用する手法である。 For example, a hole transporting mixed layer, electron transporting mixed layer, a method to apply a combination of bipolar-natured mixed layer. その一例を図8に示す。 An example thereof is shown in FIG.
【0134】 [0134]
図8に示す素子構造は、陽極802を有する基板801上に、正孔注入材料811および正孔輸送材料812からなる正孔輸送性混合層803、正孔輸送材料812および電子輸送材料813からなるバイポーラー性混合層804、電子輸送材料813および電子注入材料814からなる電子輸送性混合層805、そして陰極806を積層したものである。 Device structure shown in FIG. 8, on a substrate 801 having an anode 802 made of a hole injecting material 811 and a hole transporting mixed layer 803 composed of a hole transporting material 812, a hole transporting material 812 and an electron transporting material 813 bipolar-natured mixed layer 804, an electron transporting mixed layer 805 composed of an electron transporting material 813 and an electron injecting material 814, and is formed by laminating the cathode 806.
【0135】 [0135]
なお、本実施の形態においては、バイポーラー性混合層804内部に、発光材料815を少量ドープした発光領域807が設けてある。 In the present embodiment, the internal bipolar-natured mixed layer 804, the light-emitting region 807 is provided with a luminescent material 815 lightly doped. また、各層においては、グラフ810に示したような濃度勾配を形成した。 Further, in each layer, to form a concentration gradient as shown in the graph 810. なお、このような濃度勾配を形成した場合の、予想されるバンドダイアグラムの模式図を図19に示す。 Incidentally, it is shown in the case of forming such a concentration gradient, a schematic diagram of the expected band diagram in Figure 19.
【0136】 [0136]
本素子構造によって、従来ならば正孔注入層・正孔輸送層・電子輸送層・電子注入層という四層構造(図19(a))が、三層構造(図19(b))に収まることになる。 The present device structure, if a conventional hole injecting layer, a hole transport layer, an electron transporting layer, an electron injection layer that four-layer structure (FIG. 19 (a)) is fit into a three-layer structure (FIG. 19 (b)) It will be. しかも、図19(b)に示されるとおり、各混合層内はなだらかなエネルギー障壁しかなく、また、各混合層間は正孔輸送材料812および電子輸送材料813によって連続的に接合されており、キャリアの移動に有利である。 Moreover, as shown in FIG. 19 (b), each mixed layer is only gentle energy barriers, and each mixed layers are continuously joined by the hole transporting material 812 and an electron transporting material 813, the carrier it is advantageous to move.
【0137】 [0137]
次に、上記のように各混合層を組み合わせるという素子を、三重項発光素子に適用した場合の実施の形態を説明する。 Next, an element of combining the mixed layer as described above, an embodiment of the case of applying the triplet light emitting device. 通常、三重項発光素子の基本構造は、文献8に示されるとおり図9のような素子構造である。 Usually, the basic structure of a triplet light-emitting device is a device structure as shown in as Fig. 9 shown in the literature 8. すなわち、基板901、陽極902、正孔輸送層903、ホスト材料に三重項発光材料をドープして形成される発光層904、ブロッキング層905、電子輸送層906、そして陰極907である。 That is, the substrate 901, anode 902, hole transport layer 903, light emitting layer 904 formed by doping a triplet light emitting material in a host material, blocking layer 905, an electron-transporting layer 906, and a cathode 907. ブロッキング層905はブロッキング材料からなり、正孔をブロックして発光層904におけるキャリアの再結合効率を高めると同時に、発光層904において発生した分子励起子の拡散を防ぐ役割も果たす。 Blocking layer 905 is made of the blocking material, and at the same time to block holes and improve the efficiency of recombination of carriers in the light emitting layer 904 also serves to prevent diffusion of molecular excitons generated in the light emitting layer 904. また、電子輸送性の材料でもある。 There is also an electron-transporting material.
【0138】 [0138]
図9の素子構造に対し、正孔注入層や電子注入層を設けることにより、さらに発光効率を高めることができる。 Device structure of Figure 9 to, by providing the hole injection layer and an electron injection layer, it is possible to further increase the luminous efficiency. しかしながら、ただでさえ図9に示すような5層構造である上に、さらに層を増やすことによって、界面の数はさらに増加してしまう。 However, on even just a five-layer structure as shown in FIG. 9, by further increasing the layer, the number of interfaces increases further. そこで、本発明を適用する。 Therefore, applying the present invention.
【0139】 [0139]
すなわち、図9において、正孔輸送層903を正孔注入材料と正孔輸送材料とからなる正孔輸送性混合層とする、発光層904を正孔輸送材料と発光層のホスト材料とからなるバイポーラー性混合層とする、電子輸送層906を電子輸送材料と電子注入材料とからなる電子輸送性混合層とする、などの手法である。 That is, a 9, a hole transporting mixed layer comprising a hole transport layer 903 and a hole injecting material and a hole transporting material, a light-emitting layer 904 and the hole transporting material and the host material of the luminescent layer the bipolar-natured mixed layer, an electron transporting mixed layer comprising an electron transport layer 906 and an electron transporting material and an electron injecting material, a method such as. 三重項発光材料は、発光層のホスト材料が存在する部分にドープすればよい。 Triplet light emitting material may be doped in a portion where the host material of the luminescent layer is present. また、図2〜図4に示したように、各混合層に濃度勾配を形成することも有効である。 Further, as shown in FIGS. 2 to 4, it is also effective to form a concentration gradient in each mixed layer.
【0140】 [0140]
なお、図9においては、ブロッキング層905は単独の層として用いているが、本発明を実施する場合、発光層のホスト材料と混合してもよい(すなわち、ブロッキング性混合層を形成してもよい)。 In FIG. 9, but blocking layer 905 is used as a single layer, when carrying out the present invention may be mixed with the host material of the light-emitting layer (i.e., be formed blocking mixed layer good). ただし、分子励起子の拡散を防ぐ観点から、陰極側においてブロッキング材料が高濃度となるように、濃度勾配を形成することが好ましい。 However, from the viewpoint of preventing diffusion of molecular excitons, so blocking material at the cathode side becomes a high concentration, it is preferable to form a concentration gradient.
【0141】 [0141]
以上をふまえ、各混合層を組み合わせるという素子を三重項発光素子に適用した実施の形態の一例を図10に示す。 Based on the above, an example of the embodiment of applying the device to a triplet light emitting device of combining the mixed layer shown in FIG. 10. すなわち、陽極1002を有する基板1001上に、正孔注入材料1011および正孔輸送材料1012からなる正孔輸送性混合層1003、正孔輸送材料1012およびホスト材料1013からなるバイポーラー性混合層1004、ホスト材料1013およびブロッキング材料1014からなるブロッキング性混合層1005、ブロッキング材料1014(この場合、電子輸送材料も兼ねている)および電子注入材料1015からなる電子輸送性混合層1006、そして陰極1007を積層したものである。 That is, over a substrate 1001 having an anode 1002, a hole injecting material 1011 and a hole transporting material 1012 hole transporting mixed layer 1003 composed of a hole transporting material 1012 and a bipolar-natured mixed layer 1004 composed of the host material 1013, the host material 1013 and the blocking mixed layer 1005 composed of a blocking material 1014, a blocking material 1014 (in this case, an electron transport material also serves as) an electron transporting mixed layer 1006 composed of and an electron injecting material 1015, and a cathode is stacked 1007 it is intended. 各層には、グラフ1010に示すような濃度勾配を形成した。 Each layer was formed a concentration gradient as shown in the graph 1010.
【0142】 [0142]
なお、本実施の形態は三重項発光素子であるため、三重項発光材料1016を少量ドープした発光領域1008が設けてある。 Note that this embodiment is for a triplet light emitting element, a light-emitting region 1008 is provided that lightly doped triplet light emitting material 1016. 発光領域1008は、図10で示されているようにホスト材料1013の濃度が高い領域に設置することが好ましい。 Emitting region 1008, it is preferable that the concentration of the host material 1013 as shown in Figure 10 installed in a high region. また、グラフ1010に示したような濃度勾配を形成した場合の、予想されるバンドダイアグラムの模式図を図20(b)に示す。 Also shown in the case of forming a concentration gradient as shown in the graph 1010, a schematic diagram of the expected band diagram in FIG. 20 (b).
【0143】 [0143]
本素子構造によって、従来ならば正孔注入層・正孔輸送層・発光層・ブロッキング層(電子輸送層を兼ねる)・電子注入層という五層構造(図20(a))が、四層構造(図20(b))に収まることになる。 The present device structure, if a conventional hole injecting layer, a hole transport layer, light emitting layer, a blocking layer (serving also as an electron transporting layer) - electron injecting five-layer of layer structure (FIG. 20 (a)) is a four-layer structure would fit in (FIG. 20 (b)). しかも、図20(b)に示されるとおり、各混合層内はなだらかなエネルギー障壁しかなく、また、各混合層間は正孔輸送材料1012、ホスト材料1013、およびブロッキング材料1014(電子輸送材料を兼ねている)によって連続的に接合されており、キャリアの移動に有利である。 Moreover, as shown in FIG. 20 (b), each mixed layer is only gentle energy barriers, and each mixed layers serves as a hole transporting material 1012, host material 1013 and the blocking material 1014 (electron transport material by it is) are continuously joined, which is advantageous in movements of a carrier.
【0144】 [0144]
最後に、正孔注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、電子注入材料、ブロッキング材料、発光材料、陰極の構成材料などに好適な材料を以下に列挙する。 Finally listed, hole injecting material, hole transporting material, electron transporting material, electron injecting material, blocking material, luminescent material, a suitable material such as a cathode of the material below. ただし、本発明の有機発光素子に用いる材料は、これらに限定されない。 However, the material used for the organic light-emitting device of the present invention is not limited thereto.
【0145】 [0145]
正孔注入材料としては、有機化合物であればポルフィリン系の化合物が有効であり、フタロシアニン(略称;H2Pc)、銅フタロシアニン(略称;CuPc)などがある。 As the hole injecting material, as long as it is an organic compound compound is effective porphyrin, phthalocyanine (abbreviation; H2Pc), copper phthalocyanine (abbreviation; CuPc) and the like. 導電性高分子化合物に化学ドーピングを施した材料もあり、ポリスチレンスルホン酸(略称;PSS)をドープしたポリエチレンジオキシチオフェン(略称;PEDOT)や、ポリアニリン(略称;PAni)、ポリビニルカルバゾール(略称;PVK)などが挙げられる。 There is also a chemically-doped conductive high molecular compound, polystyrene sulfonate (abbreviation; PSS) doped with polyethylene dioxythiophene (abbreviation; PEDOT), polyaniline (abbreviation; PAni), polyvinyl carbazole (abbreviation; PVK ), and the like. また、絶縁体の高分子化合物も陽極の平坦化の点で有効であり、ポリイミド(略称;PI)がよく用いられる。 Further, an insulating high molecular compound is also effective in planarization of an anode, a polyimide (abbreviation; PI) is often used. さらに、無機化合物も用いられ、金や白金などの金属薄膜の他、酸化アルミニウム(アルミナ)の超薄膜などがある。 Further, an inorganic compound is also used, another metal film such as gold or platinum, and the like ultra thin film of aluminum oxide (alumina).
【0146】 [0146]
正孔輸送材料として最も広く用いられているのは、芳香族アミン系(すなわち、ベンゼン環−窒素の結合を有するもの)の化合物である。 The most widely used as the hole transporting material are aromatic amine-based (i.e., benzene rings - one having a nitrogen bond) is a compound of. 広く用いられている材料として、先に述べたTPDの他、その誘導体である4,4'−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニル−アミノ]−ビフェニル(略称;α−NPD)や、4,4',4''−トリス(N,N−ジフェニル−アミノ)−トリフェニルアミン(略称;TDATA)、4,4',4''−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニル−アミノ]−トリフェニルアミン(略称;MTDATA)などのスターバースト型芳香族アミン化合物が挙げられる。 A material that is widely used, other TPD described previously, a derivative thereof such as 4,4'-bis [N-(1-naphthyl) -N- phenyl - amino] - biphenyl (abbreviation; alpha-NPD) and, 4,4 ', 4' '- tris (N, N-diphenyl - amino) - triphenylamine (abbreviation; TDATA), 4,4', 4 '' - tris [N-(3- methylphenyl) -N- phenyl - amino] - triphenylamine (abbreviation; MTDATA) starburst aromatic amine compounds and the like.
【0147】 [0147]
電子輸送材料としては、金属錯体がよく用いられ、先に述べたAlq 3の他、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称;Al(mq 3 ))、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称;Be(Bq) 2 )などのキノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体や、混合配位子錯体であるビス(2−メチル−8−キノリノラト)−(4−フェニルフェノラト)−アルミニウム(略称;BAlq)などがある。 As the electron transporting material, a metal complex is often used, other Alq 3 mentioned above, tris (4-methyl-8-quinolinolato) aluminum (abbreviation; Al (mq 3)), bis (10-hydroxybenzo [ h] - quinolinato) beryllium (abbreviation; be (Bq) 2) or a metal complex having a quinoline skeleton or a benzoquinoline skeleton, such as a mixed ligand complex bis (2-methyl-8-quinolinolato) - (4- , etc. BAlq); - phenylphenolato) aluminum (abbreviation. また、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称;Zn(BOX) 2 )、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称;Zn(BTZ) 2 )などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体もある。 Further, bis [2- (2-hydroxyphenyl) - benzoxazolato] zinc (abbreviation; Zn (BOX) 2), bis [2- (2-hydroxyphenyl) - benzothiazolato] zinc (abbreviation; Zn (BTZ) 2) oxazole-based, such as, some metal complex having a thiazole-based ligand. さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称;PBD)、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称;OXD−7)などのオキサジアゾール誘導体、5−(4−ビフェニリル)−3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−1,2,4−トリアゾール(略称;TAZ)、5−(4−ビフェニリル)−3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−1,2,4−トリアゾール(略称;p-EtTAZ)などのトリアゾール誘導体、バソフェナントロリン(略称;BPhen)・バソキュプロイン(略称;BCP」と記す)などのフェナントロリン誘導体が電子輸送性を有する。 Besides the metal complexes, 2- (4-biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazole (abbreviation; PBD), 1,3-bis [5- (p-tert-butylphenyl) -1,3,4-oxadiazol-2-yl] benzene (abbreviation; OXD-7) oxadiazole derivatives such as 5- (4-biphenylyl) -3- (4 -tert- butylphenyl) -4-phenyl-1,2,4-triazole (abbreviation; TAZ), 5-(4-biphenylyl)-3-(4-tert-butylphenyl) -4- (4-ethylphenyl ) -1,2,4-triazole (abbreviation: triazole derivatives, such as p-EtTAZ), bathophenanthroline (abbreviation: BPhen) · bathocuproin (abbreviation: BCP described as ") phenanthroline derivatives such as having an electron-transporting property.
【0148】 [0148]
電子注入材料としては、上で述べた電子輸送材料を用いることができる。 As the electron injecting material can be used for the above-mentioned electron transporting materials. その他に、フッ化リチウムなどのアルカリ金属ハロゲン化物や、酸化リチウムなどのアルカリ金属酸化物のような絶縁体の、超薄膜がよく用いられる。 Other, or an alkali metal halide such as lithium fluoride, of an insulator such as alkali metal oxide such as lithium oxide, ultra-thin film is often used. また、リチウムアセチルアセトネート(略称;Li(acac))や8−キノリノラト−リチウム(略称;Liq)などのアルカリ金属錯体も有効である。 Further, lithium acetylacetonate (abbreviation; Li (acac)) or 8-quinolinolato - lithium (abbreviation; Liq) alkali metal complexes, such as is also effective.
【0149】 [0149]
ブロッキング材料としては、上で述べたBAlq、OXD−7、TAZ、p-EtTAZ、BPhen、BCPなどが、励起エネルギーレベルが高いため有効である。 The blocking material, BAlq mentioned above, OXD-7, TAZ, p-EtTAZ, BPhen, BCP, etc., is effective for excitation energy level is high.
【0150】 [0150]
発光材料(ドーパントとして用いるものも含む)としては、先に述べたAlq 3 、Al(mq) 3 、Be(Bq) 2 、BAlq、Zn(BOX) 2 、Zn(BTZ) 2などの金属錯体の他、各種蛍光色素が有効である。 As the light emitting material (including those used as dopant), Alq 3 mentioned earlier, Al (mq) 3, Be (Bq) 2, BAlq, Zn (BOX) 2, Zn (BTZ) of a metal complex such as 2 other, various fluorescent pigments are effective. また、三重項発光材料も可能であり、白金ないしはイリジウムを中心金属とする錯体が主体である。 Also, a triplet light emitting material is available, complexes with platinum or iridium as a central metal is mainly. 三重項発光材料としては、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(略称;Ir(ppy) 3 )、2,3,7,8,12,13,17,18−オクタエチル−21H,23H−ポルフィリン−白金(略称;PtOEP)などが知られている。 The triplet light emitting material, tris (2-phenylpyridine) iridium (abbreviation; Ir (ppy) 3), 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21H, 23H-porphyrin - platinum (abbreviation; PtOEP) and the like are known.
【0151】 [0151]
以上で述べたような各機能を有する材料を、各々組み合わせ、本発明の有機発光素子に適用することにより、従来よりも駆動電圧が低い上に素子の寿命が長い有機発光素子を作製することができる。 A material having the respective functions as described above in combination respectively, by applying the organic light emitting device of the present invention, that the life of the device on the drive voltage lower than that of conventional manufacturing a long organic light emitting element it can.
【0152】 [0152]
【実施例】 【Example】
[実施例1] [Example 1]
本実施例では、発明の実施の形態において図5で示したような、正孔輸送性混合層を適用した素子を具体的に例示する。 In this embodiment, as shown in FIG. 5 in the embodiment of the invention, specific examples of devices to which the hole transporting mixed layer.
【0153】 [0153]
まず、ガラス基板501上にインジウム錫酸化物(以下、「ITO」と記す)をスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極502とする。 First, indium tin oxide on a glass substrate 501 (hereinafter, referred to as "ITO") and 100nm approximately deposited by sputtering to form an anode 502. 次に、正孔注入材料であるCuPcと正孔輸送材料であるα−NPDを1:1の蒸着レート比で共蒸着することにより、正孔輸送性混合層503を形成する。 Then, the alpha-NPD is CuPc and the hole transporting material is a hole injecting material 1: co-evaporated with 1 deposition rate ratio, to form a hole transporting mixed layer 503. 膜厚は50nmとする。 The film thickness is set to 50nm.
【0154】 [0154]
さらに発光層504として、Alq 3にルブレンを5wt%ドープした層を10nm積層する。 Further, as the light-emitting layer 504, 10nm laminating a layer of rubrene 5 wt% doped Alq 3. 最後に、電子輸送層505としてAlq 3を40nm、陰極506としてAl:Li合金(Liは質量比で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、ルブレンに由来する黄色発光の有機発光素子を作製できる。 Finally, 40 nm Alq 3 is an electron-transporting layer 505, Al as the cathode 506: a by 150nm approximately deposited Li alloy (0.5 wt% of Li mass ratio), the organic light emitting element of a yellow light emission derived from rubrene It can be produced.
【0155】 [0155]
[実施例2] [Example 2]
本実施例では、発明の実施の形態において図6で示したような、電子輸送性混合層を適用した素子を具体的に例示する。 In this embodiment, in the embodiment of the invention as shown in FIG. 6, specific examples of devices to which the electron transporting mixed layer.
【0156】 [0156]
まず、ガラス基板601上にITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極602とする。 First, the ITO on the glass substrate 601 to 100nm approximately deposited by sputtering to form an anode 602. 次に、正孔輸送材料であるα−NPDを50nm成膜することにより、正孔輸送層603を形成する。 Then, by 50nm deposited alpha-NPD being a hole transporting material to form a hole transport layer 603.
【0157】 [0157]
さらに、発光層604としてペリレンを10nm積層したあと、電子輸送材料であるBPhenと電子注入材料であるAlq 3を1:1の蒸着レート比で共蒸着することにより、電子輸送性混合層605を形成する。 Further, After 10nm laminated perylene as a light-emitting layer 604, an Alq 3 is BPhen and the electron injecting material is an electron transporting material 1: co-evaporated with 1 deposition rate ratio, form an electron transporting mixed layer 605 to. 膜厚は40nmとする。 The film thickness is set to 40nm. 最後に、陰極606としてAl:Li合金(Liは重量比で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、ペリレンに由来する青色発光の有機発光素子を作製できる。 Finally, as the cathode 606 Al: Li alloy (Li is 0.5 wt% by weight) by 150nm approximately deposited, can produce an organic light emitting element of blue emission from the perylene.
【0158】 [0158]
[実施例3] [Example 3]
本実施例では、図24で示した有機発光素子において、陽極2402と有機化合物層2403との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入した有機発光素子を、具体的に例示する。 In this embodiment, the organic light emitting device shown in FIG. 24, the organic light emitting element inserting hole injecting region composed of a hole injecting material between the anode 2402 and the organic compound layer 2403, specifically exemplified.
【0159】 [0159]
まず、ITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極2402を形成したガラス基板2401を用意する。 First, ITO was 100nm approximately deposited by sputtering, to prepare a glass substrate 2401 to form an anode 2402. この陽極2402を有するガラス基板2401を、図31において示したような真空槽内に搬入する。 The glass substrate 2401 having the anode 2402 is carried into a vacuum chamber as shown in FIG. 31. 本実施例では、4種類の材料(3種類は有機化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、4つの蒸着源が必要となる。 In this embodiment, four kinds of materials (three kinds are organic compounds and one kind is a metal serving as a cathode) for depositing a requires four deposition sources.
【0160】 [0160]
まず、正孔注入材料であるCuPcを20nm蒸着するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、インターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの蒸着を0.3nm/sの蒸着レートで開始する。 First, although 20nm deposited CuPc being a hole injecting material, and at the same time reached 20nm finish deposition of CuPc, without an interval, evaporation of 0.3 nm / s deposition of a hole transporting material alpha-NPD to start at a rate. インターバルをおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。 Why can not put the interval, as previously described, it is to prevent the formation of impurity layers.
【0161】 [0161]
α−NPDのみからなる正孔輸送領域2405を30nm形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるAlq 3の蒸着も0.3nm/sにて開始する。 After forming 30nm a hole transporting region 2405 composed of only alpha-NPD, while the evaporation rate of alpha-NPD was fixed at 0.3 nm / s, initiated deposition of Alq 3 is an electron transporting material at 0.3 nm / s to. すなわち、α−NPDと Alq 3のレート比率が1:1となるような混合領域2407を、共蒸着にて形成することになる。 That is, the rate ratio of alpha-NPD and Alq 3 is 1: 1 and a mixed region 2407 such that would be formed by co-evaporation.
【0162】 [0162]
混合領域2407が30nmに達した後、α−NPDの方は蒸着を終了し、Alq 3のみ引き続き蒸着し続けることで、電子輸送領域2406を形成する。 After mixing region 2407 reaches 30 nm, towards the alpha-NPD terminates the deposition, by continuing to continue depositing only Alq 3, to form the electron transporting region 2406. 厚さは40nmとする。 The thickness is set to 40nm. 最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着することにより、Alq 3に由来する緑色発光の有機発光素子を得る。 Finally, Al as a cathode: by depositing about 150nm to Li alloy, to obtain an organic light-emitting device which emits green light derived from Alq 3.
【0163】 [0163]
[実施例4] [Example 4]
本実施例では、図29(a)で示した有機発光素子において、陽極2702と有機化合物層2703との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入した有機発光素子を、具体的に例示する。 In this embodiment, the organic light emitting element shown in FIG. 29 (a), the organic light emitting element inserting hole injecting region composed of a hole injecting material between the anode 2702 and the organic compound layer 2703, specifically illustrated.
【0164】 [0164]
まず、ITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極2702を形成したガラス基板2701を用意する。 First, ITO was 100nm approximately deposited by sputtering, to prepare a glass substrate 2701 to form an anode 2702. この陽極2702を有するガラス基板2701を、図32において示したような真空槽内に搬入する。 The glass substrate 2701 having the anode 2702 is carried into a vacuum chamber as shown in FIG. 32. 本実施例では、5種類の材料(4種類は有機化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、5つの蒸着源が必要となる。 In this embodiment, five kinds of materials (4 kinds are organic compounds and one kind is a metal serving as a cathode) for depositing a would require five deposition sources.
【0165】 [0165]
まず、正孔注入材料であるCuPcを20nm蒸着するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、インターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの蒸着を0.3nm/sの蒸着レートで開始する。 First, although 20nm deposited CuPc being a hole injecting material, and at the same time reached 20nm finish deposition of CuPc, without an interval, evaporation of 0.3 nm / s deposition of a hole transporting material alpha-NPD to start at a rate. インターバルをおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。 Why can not put the interval, as previously described, it is to prevent the formation of impurity layers.
【0166】 [0166]
α−NPDのみからなる正孔輸送領域2705を30nm形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるAlq 3の蒸着も0.3nm/sにて開始する。 After forming 30nm a hole transporting region 2705 composed of only alpha-NPD, while the evaporation rate of alpha-NPD was fixed at 0.3 nm / s, initiated deposition of Alq 3 is an electron transporting material at 0.3 nm / s to. すなわち、α−NPDと Alq 3のレート比率が1:1となるような混合領域2707を、共蒸着にて形成することになる。 That is, the rate ratio of alpha-NPD and Alq 3 is 1: 1 and a mixed region 2707 such that would be formed by co-evaporation. 同時に、蛍光色素である4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(略称;DCM)を、発光材料2708として添加しておく。 At the same time, a fluorescent dye 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6-(p-dimethylaminostyryl) -4H- pyran (abbreviation; DCM) and previously added as a luminescent material 2708. 割合は、重量比率にして、Alq 3 :DCM=50:1となるように蒸着レートを制御する。 Ratio, by weight ratio, Alq 3: DCM = 50: 1 to control the evaporation rate so that.
【0167】 [0167]
混合領域2707が30nmに達した後、α−NPDおよびDCMは蒸着を終了し、Alq 3のみ引き続き蒸着し続けることで、電子輸送領域2706を形成する。 After mixing region 2707 reaches 30 nm, alpha-NPD and DCM ends the deposition, by continuing to continue depositing only Alq 3, to form the electron transporting region 2706. 厚さは40nmとする。 The thickness is set to 40nm. 最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着することにより、DCMに由来する赤色発光の有機発光素子を得る。 Finally, Al as a cathode: by depositing about 150nm to Li alloy, to obtain an organic luminescent element of red light emission derived from the DCM.
【0168】 [0168]
[実施例5] [Example 5]
本実施例では、図29(b)で示した有機発光素子を、具体的に例示する。 In this embodiment, the organic light emitting element shown in FIG. 29 (b), the specific examples.
【0169】 [0169]
まず、ITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極2702を形成したガラス基板2701を用意する。 First, ITO was 100nm approximately deposited by sputtering, to prepare a glass substrate 2701 to form an anode 2702. この陽極2702を有するガラス基板2701を、図32において示したような真空槽内に搬入する。 The glass substrate 2701 having the anode 2702 is carried into a vacuum chamber as shown in FIG. 32. 本実施例では、4種類の材料(3種類は有機化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、4つの蒸着源が必要となる。 In this embodiment, four kinds of materials (three kinds are organic compounds and one kind is a metal serving as a cathode) for depositing a requires four deposition sources.
【0170】 [0170]
まず、正孔輸送材料であるα−NPDのみからなる正孔輸送領域2705を40nm形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるAlq 3の蒸着も0.3nm/sにて開始する。 First, after the hole transporting region 2705 composed of only alpha-NPD being a hole transporting material and 40nm formed, evaporation rate of alpha-NPD remains fixed to 0.3 nm / s, depositing the Alq 3 is an electron transport material also it begins at 0.3nm / s. すなわち、α−NPDと Alq 3のレート比率が1:1となるような混合領域2707を、共蒸着にて形成することになる。 That is, the rate ratio of alpha-NPD and Alq 3 is 1: 1 and a mixed region 2707 such that would be formed by co-evaporation.
【0171】 [0171]
混合領域2707は30nm形成するが、この時、混合領域2707における中間の10nm(つまり、混合領域30nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素である4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(以下、「DCM」と記す)を、発光材料2708として約1wt%程度の割合でドープしておく。 Mixed region 2707 is to 30nm formed, when the middle of 10nm in the mixed region 2707 (i.e., among the mixed region 30nm, between 10 nm to 20 nm) is a fluorescent dye 4- (dicyanomethylene) -2-methyl -6-(p-dimethylaminostyryl) -4H- pyran (hereinafter, referred to as "DCM") to keep doped at a rate of about 1 wt% as a light-emitting material 2708.
【0172】 [0172]
混合領域が30nmに達した後、α−NPDの方は蒸着を終了し、Alq 3のみ引き続き蒸着し続けることで、電子輸送領域2706を形成する。 After the mixed region reaches 30 nm, towards the alpha-NPD terminates the deposition, by continuing to continue depositing only Alq 3, to form the electron transporting region 2706. 厚さは40nmとする。 The thickness is set to 40nm. 最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着することにより、DCMに由来する赤色発光の有機発光素子を得る。 Finally, Al as a cathode: by depositing about 150nm to Li alloy, to obtain an organic luminescent element of red light emission derived from the DCM.
【0173】 [0173]
[実施例6] [Example 6]
本実施例では、発明の実施の形態において図26(a)で示したような混合領域を適用した素子に対し、濃度勾配を施したものを具体的に例示する。 In this embodiment, with respect to the applied device a mixed region as shown in FIG. 26 (a) In the embodiment of the invention, specifically exemplified those subjected to concentration gradient. なお、濃度勾配を形成するため、図11で示したような装置を用いて素子を作製する。 In order to form a concentration gradient, to produce a device by using the apparatus shown in FIG. 11. 本実施例の場合は、正孔輸送材料、電子輸送材料、および発光材料の3種類の蒸着源を必要とする。 In this embodiment requires a hole transport material, electron transport material, and three types of deposition sources of the light emitting material.
【0174】 [0174]
まず、ガラス基板2601上にITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極2602とする。 First, the ITO on the glass substrate 2601 to 100nm approximately deposited by sputtering to form an anode 2602. 次に、正孔輸送材料であるα−NPDを40nm成膜することにより、正孔輸送領域2605を形成する。 Then, by 40nm deposited alpha-NPD being a hole transporting material to form a hole transporting region 2605.
【0175】 [0175]
さらに、発明の実施の形態において説明したように、正孔輸送材料(α−NPD)の蒸着源のシャッターを徐々に閉じると同時に、電子輸送材料(本実施例ではAlq 3を用いる)の蒸着源のシャッターを徐々に開けていくことにより、α−NPD とAlq 3とからなる濃度勾配を有する混合領域2607を20nm成膜する。 Further, as described in the embodiment of the invention, the deposition source simultaneously hole transport material (alpha-NPD) shutters of the deposition source gradually close the the (using Alq 3 in the present embodiment) an electron transport material it allows to 20nm deposited a mixed region 2607 having concentration gradient consisting of alpha-NPD and Alq 3 Metropolitan going opening the shutter gradually. この時、混合領域2607の厚み20nmの中間に位置する10nmの領域に、発光材料2608としてルブレンを約5wt%程度の割合でドープする。 At this time, in the region of 10nm located in the middle of the thickness 20nm of the mixed region 2607 is doped at a rate of about 5 wt% of rubrene as a luminescent material 2608.
【0176】 [0176]
混合領域が20nmに達したあと、電子輸送材料(Alq 3 )の蒸着源のシャッターのみを開けた状態で、Alq 3で構成される電子輸送領域2606を形成する。 After the mixed region reaches 20 nm, with only the open shutter of deposition source of the electron transporting material (Alq 3), to form a configured electron transporting region 2606 with Alq 3. 最後に、陰極2604としてAl:Li合金(Liは重量比で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、ルブレンに由来する黄色発光の有機発光素子を作製できる。 Finally, Al as a cathode 2604: Li alloy (Li is 0.5 wt% by weight) by 150nm approximately deposited, it can produce an organic light emitting element of a yellow light emission derived from rubrene.
【0177】 [0177]
[実施例7] [Example 7]
本実施例では、図26(b)で示した有機発光素子において、陽極2602と有機化合物層2603との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を挿入し、陰極2604と有機化合物層2603との間に電子注入材料からなる電子注入領域を挿入した有機発光素子を、具体的に例示する。 In this embodiment, the organic light emitting device shown in FIG. 26 (b), the insert hole injection region consisting of a hole injection material between the anode 2602 and the organic compound layer 2603, a cathode 2604 and an organic compound layer 2603 electronic inserted an organic light emitting device implanted regions, specific examples of an electron injecting material between the.
【0178】 [0178]
まず、ITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極2602を形成したガラス基板2601を用意する。 First, ITO was 100nm approximately deposited by sputtering, to prepare a glass substrate 2601 to form an anode 2602. この陽極2602を有するガラス基板2601を、図31において示したような真空槽内に搬入する。 The glass substrate 2601 having the anode 2602 is carried into a vacuum chamber as shown in FIG. 31. 本実施例では、7種類の材料(6種類は有機化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、7つの蒸着源が必要となる。 In this embodiment, seven kinds of materials (six are organic compounds and one kind is a metal serving as a cathode) for depositing a seven deposition sources are necessary.
【0179】 [0179]
まず、正孔注入材料であるCuPcを20nm蒸着するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、インターバルをおかずに、正孔輸送材料であるTPDの蒸着を0.2nm/sの蒸着レートで開始する。 First, although 20nm deposited CuPc being a hole injecting material, and at the same time reached 20nm finish deposition of CuPc, without an interval, evaporation of TPD being a hole transporting material at a deposition rate of 0.2 nm / s Start. インターバルをおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。 Why can not put the interval, as previously described, it is to prevent the formation of impurity layers.
【0180】 [0180]
TPDのみからなる正孔輸送領域2605を30nm形成した後、TPDの蒸着レートは0.2nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるBeBq 2の蒸着も0.8nm/sにて開始する。 After only a hole transporting region 2605 of 30nm formed consisting of TPD, the deposition rate of TPD remains fixed to 0.2 nm / s, also begin deposition of BeBq 2 is an electron transporting material at 0.8 nm / s. すなわち、TPDとBeBq 2のレート比率が1:4となるような混合領域2607を、共蒸着にて形成することになる。 That is, the rate ratio of TPD and BeBq 2 is 1: a mixed region 2607 such that 4 will be formed by co-evaporation.
【0181】 [0181]
混合領域2607は30nm形成するが、この時、混合領域2607における中間の10nm(つまり、混合領域30nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素であるルブレンを、発光材料2608として約5wt%の割合でドープしておく。 Mixed region 2607 is to 30nm formed, when the middle of 10nm in the mixed region 2607 (i.e., among the mixed region 30nm, between 10 nm to 20 nm) is the rubrene is a fluorescent dye, from about 5 wt% as a light-emitting material 2608 keep doped at a rate of. また、混合領域2607における最後の10nm(つまり、混合領域30nmのうち、20nm〜30nmの間)は、ブロッキング材料2609として、BCPをドープしておく。 The last 10nm in the mixed region 2607 (i.e., among the mixed region 30 nm, between 20 nm to 30 nm), as a blocking material 2609, previously doped with BCP. BCPドープ時の各材料の蒸着レート比は、TPD:BeBq 2 :BCP=1:4:3とする。 Deposition rate ratio of the material during BCP doped, TPD: BeBq 2: BCP = 1: 4: 3 to.
【0182】 [0182]
混合領域2607が30nmに達した後、TPDおよびBCPの方は蒸着を終了し、BeBq 2のみ引き続き蒸着し続けることで、電子輸送領域2606を形成する。 After mixing region 2607 reaches 30 nm, towards the TPD and BCP is terminated deposition, by continuing to continue depositing only BeBq 2, to form an electron transporting region 2606. 厚さは40nmとする。 The thickness is set to 40nm. BeBq 2の蒸着を終了すると同時に、インターバルをおかずに、電子注入材料であるLi(acac)の蒸着を開始して2nm程度蒸着する。 At the same time to end the deposition of BeBq 2, without an interval, to start deposition of Li (acac) is deposited about 2nm is an electron injecting material. インターバルをおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。 Why can not put the interval, as previously described, it is to prevent the formation of impurity layers.
【0183】 [0183]
最後に、陰極としてアルミニウムを150nm程度蒸着することにより、ルブレンに由来する黄色発光の有機発光素子を得る。 Finally, by aluminum vapor deposition about 150nm as a cathode to obtain an organic luminescent element of yellow light emission derived from rubrene.
【0184】 [0184]
[実施例8] [Example 8]
本実施例では、図30(b)で示した有機発光素子を、具体的に例示する。 In this embodiment, the organic light emitting element shown in FIG. 30 (b), specifically exemplified.
【0185】 [0185]
まず、ITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極2702を形成したガラス基板2701を用意する。 First, ITO was 100nm approximately deposited by sputtering, to prepare a glass substrate 2701 to form an anode 2702. この陽極2702を有するガラス基板2701を、図32において示したような真空槽内に搬入する。 The glass substrate 2701 having the anode 2702 is carried into a vacuum chamber as shown in FIG. 32. 本実施例では、5種類の材料(4種類は有機化合物であり、1種類は陰極となる金属)を蒸着するため、5つの蒸着源が必要となる。 In this embodiment, five kinds of materials (4 kinds are organic compounds and one kind is a metal serving as a cathode) for depositing a would require five deposition sources.
【0186】 [0186]
まず、正孔輸送材料であるMTDATAのみからなる正孔輸送領域2705を40nm形成した後、MTDATAの蒸着レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるPBDの蒸着も0.3nm/sにて開始する。 First, after the hole transporting region 2705 composed of only a hole transport material MTDATA was 40nm formed, while the evaporation rate of MTDATA was fixed at 0.3 nm / s, depositing also 0.3 nm / s of PBD is an electron transport material It begins at. すなわち、MTDATAと PBDの比率が1:1となるような混合領域2707を、共蒸着にて形成することになる。 That is, the ratio of MTDATA and PBD is 1: 1 and a mixed region 2707 such that would be formed by co-evaporation.
【0187】 [0187]
混合領域2707は30nm形成するが、この時、混合領域2707における中間の10nm(つまり、混合領域30nmのうち、10nm〜20nmの間)は、蛍光色素であるペリレンを発光材料2708として添加するが、その割合は、MTDATA:PBD:ペリレン=4:16:1となるように蒸着レートを制御する。 Mixed region 2707 is to 30nm formed, when the middle of 10nm in the mixed region 2707 (i.e., among the mixed region 30nm, between 10 nm to 20 nm), although the addition of perylene is a fluorescent dye as a luminescent material 2708, its proportion is, MTDATA: PBD: perylene = 4: 16: 1 and controlling the evaporation rate so that. また、混合領域2707における最後の10nm(つまり、混合領域30nmのうち、20nm〜30nmの間)は、ブロッキング材料2709としてBCPを添加するが、そのレート比率は、MTDATA:PBD:BCP=1:4:5とする。 The last 10nm in the mixed region 2707 (i.e., among the mixed region 30 nm, between 20 nm to 30 nm) is added to BCP as a blocking material 2709, the rate ratio, MTDATA: PBD: BCP = 1: 4 : and 5.
【0188】 [0188]
混合領域が30nmに達した後、MTDATAおよびBCPの方は蒸着を終了し、PBDのみ引き続き蒸着し続けることで、電子輸送領域2706を形成する。 After the mixed region reaches 30 nm, towards MTDATA and BCP is terminated deposition, by continuing to continue deposition only PBD, to form an electron transporting region 2706. 厚さは40nmとする。 The thickness is set to 40nm. 最後に、陰極としてAl:Li合金を150nm程度蒸着することにより、ペリレンに由来する青色発光の有機発光素子を得る。 Finally, Al as a cathode: by depositing about 150nm to Li alloy, to obtain an organic luminescent element of blue light emission derived from the perylene.
【0189】 [0189]
[実施例9] [Example 9]
本実施例では、発明の実施の形態において図8で示したような、正孔輸送性混合層・バイポーラー性混合層・電子輸送性混合層を複合して適用した素子を具体的に例示する。 In this example, in the embodiment of the invention as shown in FIG. 8, specifically illustrating the elements applied in combination a hole transporting mixed layer, a bipolar-natured mixed layer, electron transporting mixed layer . なお、本実施例では濃度勾配(図8中のグラフ810)を形成するため、実施例3と同様、図11にて示したようなシャッター付きの蒸着源を用いる。 In this embodiment for forming a concentration gradient (graph 810 in FIG. 8), as in Example 3, using the evaporation source with such a shutter as shown in FIG. 11.
【0190】 [0190]
まず、ガラス基板801上にITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極802とする。 First, the ITO on the glass substrate 801 to 100nm approximately deposited by sputtering to form an anode 802. 次に、正孔注入材料811であるCuPcと正孔輸送材料812であるα−NPDとからなる正孔輸送性混合層803を、40nm成膜する。 Next, consisting of a hole injecting material 811 CuPc and the hole transport material 812 a is alpha-NPD hole transporting mixed layer 803, 40nm deposited. この時、シャッターの開閉によりグラフ810のような濃度勾配を形成する。 At this time, to form a concentration gradient as the graph 810 by opening and closing of the shutter.
【0191】 [0191]
今度は、α−NPDの蒸着源のシャッターを徐々に閉じると同時に、電子輸送材料813であるAlq 3の蒸着源のシャッターを徐々に開けていくことにより、濃度勾配を有するバイポーラー性混合層804を20nm成膜する。 At the same time turn, alpha-NPD shutter gradually closing the evaporation source of, by going gradually opened shutters of the deposition source of Alq 3 is an electron transporting material 813, a bipolar-natured mixed layer having a concentration gradient 804 the to 20nm deposition. この時、バイポーラー性混合層804の厚み20nmの中間に位置する10nmの領域807は、発光材料815である4−(ジシアノメチレン)−2−メチル−6−(p−ジメチルアミノスチリル)−4H−ピラン(以下、「DCM」と記す)を1wt%の割合でドープする。 At this time, the region 807 of 10nm located in the middle of the thickness 20nm of the bipolar-natured mixed layer 804 is a light-emitting material 815 4- (dicyanomethylene) -2-methyl-6-(p-dimethylamino styryl) -4H - pyran (hereinafter referred to as "DCM") is doped at a rate of 1wt%.
【0192】 [0192]
バイポーラー性混合層804が20nmに達したあと、Alq 3のシャッターのみを開けた状態でAlq 3を35nm蒸着する。 After the bipolar-natured mixed layer 804 reaches 20 nm, to 35nm deposited Alq 3 in an open state only shutter Alq 3. 最後の5nmの領域において、Alq 3の蒸着源のシャッターを徐々に閉じると同時に、電子注入材料814であるLi(acac)の蒸着源のシャッターを徐々に開けていくことにより、合計40nmの電子輸送性混合層805を形成する。 In the region of the end of 5 nm, and at the same time gradually closes the shutter of the evaporation source Alq 3, by going gradually opened shutters of the deposition source of Li (acac) which is an electron injecting material 814, an electron transport total 40nm forming a sex mixed layer 805. すなわち、Li(acac)の濃度勾配を急峻に設定することになる(グラフ810では電子注入材料814の傾きが一定であるような図示であるが、本実施例では最後の方だけ急激に立ち上がることになる)。 That is, the inclination of the Li concentration gradient of (acac) will set rapidly (graph 810 in an electron injecting material 814 is shown as being constant, rapidly rises only towards the end in this embodiment become).
【0193】 [0193]
最後に、陰極806としてAlを150nm程度成膜することにより、DCMに由来する赤色発光の有機発光素子を作製できる。 Finally, by 150nm approximately deposited Al as the cathode 806, can produce an organic light emitting element of the red light emission derived from the DCM.
【0194】 [0194]
[実施例10] [Example 10]
本実施例では、図29(b)で示した有機発光素子において、陽極2702と有機化合物層2703との間に正孔注入材料からなる正孔注入領域を、陰極2704と有機化合物層との間に電子注入材料からなる電子注入領域を、それぞれ挿入し、かつ、発光材料として三重項発光材料を適用した有機発光素子の例を、具体的に例示する。 In this embodiment, between the organic light emitting device shown in FIG. 29 (b), the hole injection region consisting of a hole injection material between the anode 2702 and the organic compound layer 2703, a cathode 2704 and the organic compound layer an electron injecting region composed of an electron injecting material, respectively inserted, and an example of the organic light emitting device adopting triplet light emitting material as the luminescent material, specifically exemplified. その素子構造を図33に示す。 The device structure shown in FIG. 33.
【0195】 [0195]
まず、ITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、ITO(陽極)を形成したガラス基板を用意する。 First, ITO was 100nm approximately deposited by sputtering, to prepare a glass substrate provided with the ITO (anode). このITOを有するガラス基板を、図32において示したような真空槽内に搬入する。 The glass substrate having the ITO, is carried into a vacuum chamber as shown in FIG. 32. 本実施例では、7種類の材料(5種類は有機化合物であり、2種類は陰極となる無機材料)を蒸着するため、7つの蒸着源が必要となる。 In this embodiment, seven kinds of materials (five kinds are organic compounds, two types of inorganic material serving as cathode) for depositing a seven deposition sources are necessary.
【0196】 [0196]
まず、正孔注入材料であるCuPcを20nm蒸着するが、20nmに達してCuPcの蒸着を終えると同時に、インターバルをおかずに、正孔輸送材料であるα−NPDの蒸着を0.3nm/sの蒸着レートで開始する。 First, although 20nm deposited CuPc being a hole injecting material, and at the same time reached 20nm finish deposition of CuPc, without an interval, evaporation of 0.3 nm / s deposition of a hole transporting material alpha-NPD to start at a rate. インターバルをおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。 Why can not put the interval, as previously described, it is to prevent the formation of impurity layers.
【0197】 [0197]
α−NPDのみからなる正孔輸送領域を30nm形成した後、α−NPDの蒸着レートは0.3nm/sに固定したまま、電子輸送材料であるBAlqの蒸着も0.3nm/sにて開始する。 After 30nm form a hole transporting region composed of only alpha-NPD, evaporation rate of alpha-NPD remains fixed to 0.3 nm / s, also begin deposition of BAlq is an electron transporting material at 0.3 nm / s. すなわち、α−NPDとBAlqのレート比率が1:1となるような混合領域(α−NPD+BAlq)を、共蒸着にて形成することになる。 That is, the rate ratio of alpha-NPD and BAlq is 1: 1 to become such a mixed region (α-NPD + BAlq), it will be formed by co-evaporation.
【0198】 [0198]
混合領域は20nm形成するが、この時、混合領域における中間の10nm(つまり、混合領域20nmのうち、5nm〜15nmの間)は、三重項発光材料であるIr(ppy) 3を、発光材料として添加しておく。 Mixing zone although 20nm formed, when the middle of 10nm in the mixing region (i.e., out of the mixing region 20nm, between 5 nm to 15 nm) is the Ir (ppy) 3 is a triplet light emitting material, a light-emitting material previously added. その割合は、重量比率にして、BAlq:Ir(ppy) 3 =50:7とする。 Its proportion is, by weight ratio, BAlq: Ir (ppy) 3 = 50: 7 to.
【0199】 [0199]
混合領域が20nmに達した後、α−NPDおよびIr(ppy) 3の方は蒸着を終了し、BAlqのみ引き続き蒸着し続けることで、電子輸送領域を形成する。 After the mixed region reaches 20 nm, alpha-NPD and Ir (ppy) 3 towards terminates the deposition, by continuing to continue deposition only BAlq, to form the electron transporting region. 厚さは20nmとする。 The thickness is set to 20nm. BAlqの蒸着を終了すると同時に、インターバルをおかずに、電子注入材料であるAlq 3の蒸着を開始して30nm程度蒸着する。 At the same time to end the deposition of BAlq, without an interval, depositing approximately 30nm to start deposition of Alq 3 is an electron injecting material. インターバルをおかない理由は、先に述べたように、不純物層の形成を防ぐためである。 Why can not put the interval, as previously described, it is to prevent the formation of impurity layers.
【0200】 [0200]
最後に、LiFを1nm程度、アルミニウムを150nm程度蒸着することにより、陰極を形成し、Ir(ppy) 3に由来する緑色発光の三重項発光素子を得る。 Finally, about 1nm to LiF, by aluminum vapor deposition about 150 nm, to form a cathode, obtaining a triplet light emitting device which emits green light from Ir (ppy) 3.
【0201】 [0201]
[実施例11] [Example 11]
本実施例では、発明の実施の形態において図9で示したような三重項発光素子に、本発明を適用した素子を具体的に例示する。 In this example, in the embodiment of the invention to triplet light emitting device as shown in FIG. 9, the applied device of the present invention will be illustrated. その素子構造を図10に示す。 The device structure shown in FIG. 10. なお、本実施例では濃度勾配(図10中のグラフ1010)を形成するため、図11にて示したようなシャッター付きの蒸着源を用いる。 In this embodiment for forming a concentration gradient (graph 1010 in FIG. 10), using the evaporation source with such a shutter as shown in FIG. 11.
【0202】 [0202]
まず、ガラス基板1001上にITOをスパッタリングによって100nm程度成膜し、陽極1002とする。 First, the ITO on the glass substrate 1001 to 100nm approximately deposited by sputtering to form an anode 1002. 次に、正孔注入材料1011であるCuPcと正孔輸送材料1012であるα−NPDとからなる正孔輸送性混合層1003を、40nm成膜する。 Next, consisting of CuPc and a hole transporting material 1012 a is alpha-NPD being a hole injecting material 1011 and a hole transporting mixed layer 1003 is 40nm deposited. この時、シャッターの開閉によりグラフ1010のような濃度勾配を形成する。 At this time, to form a concentration gradient as a graph 1010 by opening and closing of the shutter.
【0203】 [0203]
引き続き、α−NPDの蒸着レートを徐々に減少しつつ、三重項発光材料のホスト材料1013である4, 4'−N, N'−ジカルバゾール−ビフェニル(以下、「CBP」と記す)の蒸着レートを上げていくことにより、α−NPDとCBPとからなる濃度勾配を有するバイポーラー性混合層1004を20nm形成する。 Subsequently, while gradually decreasing the deposition rate of alpha-NPD, a host material 1013 of a triplet light emitting material 4, 4'-N, N'-dicarbazole - biphenyl (hereinafter, referred to as "CBP") deposition of by gradually raising the rate, the bipolar-natured mixed layer 1004 having a concentration gradient consisting of alpha-NPD and CBP to 20nm formed. 今度は、CBPの蒸着レートを減少させつつ、ブロッキング材料1014であるBCPの蒸着レートを上げていくことにより、CBPとBCPとからなる濃度勾配を有するブロッキング性混合層1005を形成する。 This time, while reducing the deposition rate of CBP, by going up the BCP deposition rate is in the blocking material 1014 to form a blocking mixed layer 1005 having a concentration gradient consisting of CBP and BCP. 膜厚は10nmとする。 The film thickness is set to 10nm.
【0204】 [0204]
本実施例は三重項発光素子であるため、バイポーラー性混合層1004およびブロッキング性混合層1005を形成する間に、三重項発光材料1016であるトリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(以下、「Ir(ppy) 3 」と記す)をドープする。 Since this embodiment is a triplet light emitting element, while forming a bipolar-natured mixed layer 1004 and the blocking mixed layer 1005, a triplet light emitting material 1016 tris (2-phenylpyridine) iridium (hereinafter, "Ir (ppy) 3 referred to as a ") is doped with. そのドープ領域1008は、ホスト材料であるCBPの濃度が高い領域、すなわち、バイポーラー性混合層1004とブロッキング性混合層1005との境界付近が最も適している。 Its doped region 1008, the concentration of CBP as the host material high region, i.e., near the boundary between the bipolar-natured mixed layer 1004 and the blocking mixed layer 1005 is most suitable. 本実施例では、前記境界の±5nm、合計10nmをドープ領域1008とし、6wt%ドープする。 In this embodiment, ± 5 nm of the boundary, the total 10nm and doped regions 1008 and 6 wt% dope.
【0205】 [0205]
さらに、電子輸送性混合層1006は、電子輸送能力の高いBCPおよびAlq 3から構成する。 Further, the electron transporting mixed layer 1006 composed of a high BCP and Alq 3 electron transporting capability. BCPの濃度は陽極から離れるに従い小さくなり、Alq 3の濃度は逆に大きくなるように濃度勾配を形成する。 BCP concentration decreases with distance from the anode, the concentration of Alq 3 to form a concentration gradient so as to increase the reverse. すなわちこの場合、BCPはブロッキング材料かつ電子輸送材料、Alq 3は電子注入材料1015の役割を果たしている。 That is, in this case, BCP blocking material and an electron transporting material, Alq 3 plays a role of an electron injecting material 1015. 電子輸送性混合層1006の膜厚は40nmとする。 The thickness of the electron transporting mixed layer 1006 is set to 40 nm.
【0206】 [0206]
最後に、陰極1007としてAl:Li合金(Liは重量比で0.5wt%)を150nm程度成膜することにより、Ir(ppy) 3に由来する緑色の三重項発光を呈する有機発光素子を作製できる。 Finally, Al as a cathode 1007: Li alloy (Li is 0.5 wt% by weight) by 150nm approximately deposited, can produce an organic light emitting device emits green triplet luminescence from Ir (ppy) 3 .
【0207】 [0207]
[実施例12] [Example 12]
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子を含む発光装置について説明する。 In this embodiment will describe a light-emitting device comprising an organic light emitting element according to the present invention. 図12(a)は本発明の有機発光素子を用いたアクティブマトリクス型発光装置の断面図である。 12 (a) is a sectional view of an active matrix type light emitting device using an organic light-emitting device of the present invention. なお、能動素子としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。 Here, thin film transistors (hereinafter, referred to as "TFT") as an active element is used, but may be a MOS transistor.
【0208】 [0208]
また、TFTとしてトップゲート型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。 Although illustrated a top gate type TFT (specifically a planar TFT is) as TFT, it is also possible to use a bottom-gate type TFT (typically a reverse stagger TFT).
【0209】 [0209]
図12(a)において、1201は基板であり、ここでは可視光を透過する基板を用いる。 In FIG. 12 (a), 1201 denotes a substrate, wherein the using a substrate which transmits visible light. 具体的には、ガラス基板、石英基板、結晶化ガラス基板もしくはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いればよい。 Specifically, a glass substrate, a quartz substrate, may be used a crystallized glass substrate or a plastic substrate (including a plastic film). なお、基板1201とは、表面に設けた絶縁膜も含めるものとする。 Note that the substrate 1201, it is assumed that the insulating film formed on the surface.
【0210】 [0210]
基板1201の上には画素部1211および駆動回路1212が設けられている。 Pixel portion 1211 and the driving circuit 1212 is provided on a substrate 1201. まず、画素部1211について説明する。 First, a description will be given pixel portion 1211.
【0211】 [0211]
画素部1211は画像表示を行う領域である。 Pixel portion 1211 is a region for displaying an image. 基板上には複数の画素が存在し、各画素には有機発光素子に流れる電流を制御するためのTFT(以下、「電流制御TFT」と記す)1202、画素電極(陽極)1203、有機化合物層1204および陰極1205が設けられている。 On the substrate there are a plurality of pixels, TFT for the pixel to control the current flowing through the organic light emitting device (hereinafter, referred to as "current control TFT") 1202, a pixel electrode (anode) 1203, the organic compound layer 1204 and the cathode 1205 is provided. なお、図12(a)では電流制御TFTしか図示していないが、電流制御TFTのゲートに加わる電圧を制御するためのTFT(以下、「スイッチングTFT」と記す)を設けている。 Although not illustrated only FIG 12 (a) in the current control TFT, TFT for controlling a voltage applied to a gate of the current control TFT (hereinafter referred to as "switching TFT") are provided.
【0212】 [0212]
電流制御TFT1202は、ここではpチャネル型TFTを用いることが好ましい。 Current control TFT1202, it is preferable to use a p-channel TFT here. nチャネル型TFTとすることも可能であるが、図12(a)のように有機発光素子の陽極に電流制御TFTを接続する場合は、pチャネル型TFTの方が消費電力を押さえることができる。 Although it is possible to an n-channel TFT, when connecting the current control TFT to the anode of the organic light-emitting device as shown in FIG. 12 (a), may be towards the p-channel TFT suppress the power consumption . ただし、スイッチングTFTはnチャネル型TFTでもpチャネル型TFTでもよい。 However, the switching TFT good even p-channel TFT even n-channel type TFT.
【0213】 [0213]
また、電流制御TFT1202のドレインには画素電極1203が電気的に接続されている。 Further, the pixel electrode 1203 is electrically connected to the drain of the current control TFT 1202. 本実施例では、画素電極1203の材料として仕事関数が4.5〜5.5eVの導電性材料を用いるため、画素電極1203は有機発光素子の陽極として機能する。 In this embodiment, a work function as the material of the pixel electrode 1203 for using a conductive material 4.5 to 5.5 eV, the pixel electrode 1203 functions as the anode of the organic light emitting element. 画素電極1203として代表的には、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛もしくはこれらの化合物(ITOなど)を用いればよい。 Typically as the pixel electrode 1203, indium oxide, tin oxide, may be used zinc oxide or their compounds (such as ITO). 画素電極1203の上には有機化合物層1204が設けられている。 The organic compound layer 1204 is provided over the pixel electrode 1203.
【0214】 [0214]
さらに、有機化合物層1204の上には陰極1205が設けられている。 Further, the cathode 1205 is provided on the organic compound layer 1204. 陰極1205の材料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。 The material of the cathode 1205, the work function is preferably used a conductive material 2.5 to 3.5 eV. 陰極1205として代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ度類金属元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀などを積層したもの、を用いればよい。 Typically as the cathode 1205, a conductive film containing an alkaline metal element or an alkaline-earth metal element, or a conductive film containing aluminum, or the like of aluminum or silver was laminated on the conductive film, it may be used.
【0215】 [0215]
また、画素電極1203、有機化合物層1204、および陰極1205からなる層は、保護膜1206で覆われている。 Further, a layer composed of the pixel electrode 1203, the organic compound layer 1204, and the cathode 1205 is covered with a protective film 1206. 保護膜1206は、有機発光素子を酸素および水から保護するために設けられている。 Protective film 1206 is provided to protect the organic light emitting element from oxygen and water. 保護膜1206の材料としては、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、もしくは炭素(具体的にはダイヤモンドライクカーボン)を用いる。 As the material of the protective film 1206, silicon nitride, silicon nitride oxide, aluminum oxide, tantalum oxide, or carbon (specifically, diamond-like carbon) is used.
【0216】 [0216]
次に、駆動回路1212について説明する。 Next, an explanation will be made for a driving circuit 1212. 駆動回路1212は画素部1211に伝送される信号(ゲート信号およびデータ信号)のタイミングを制御する領域であり、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタが設けられている。 Drive circuit 1212 is a region for controlling timing of a signal transmitted to the pixel portion 1211 (gate signal and data signal), a shift register, a buffer, a latch, an analog switch (transfer gate) or level shifter is provided. 図12(a)では、これらの回路の基本単位としてnチャネル型TFT1207およびpチャネル型TFT1208からなるCMOS回路を示している。 Figure 12 (a), the shows a CMOS circuit composed of an n-channel type TFT1207 and p-channel type TFT1208 as a basic unit of these circuits.
【0217】 [0217]
なお、シフトレジスタ、バッファ、ラッチ、アナログスイッチ(トランスファゲート)もしくはレベルシフタの回路構成は、公知のものでよい。 Note that the shift register, a buffer, a latch, an analog switch (transfer gate) or the circuit configuration of the level shifter may be a known. また図12(a)では、同一の基板上に画素部1211および駆動回路1212を設けているが、駆動回路1212を設けずにICやLSIを電気的に接続することもできる。 Also in FIG. 12 (a), the is provided with the pixel portion 1211 and the driving circuit 1212 on the same substrate, it is also possible to electrically connect the IC or LSI without providing the drive circuit 1212.
【0218】 [0218]
また、図12(a)では電流制御TFT1202に画素電極(陽極)1203が電気的に接続されているが、陰極が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。 Although the pixel electrode (anode) 1203 to the current controlling TFT1202 In FIG 12 (a) are electrically connected, it may take the cathode is connected to the current controlling TFT. その場合、画素電極を陰極1205と同様の材料で形成し、陰極を画素電極(陽極)1203と同様の材料で形成すればよい。 In that case, the pixel electrode is formed of the same material as the cathode 1205 may be formed with the cathode of the same material as the pixel electrode (anode) 1203. その場合、電流制御TFTはnチャネル型TFTとすることが好ましい。 In that case, the current control TFT is preferably an n-channel TFT.
【0219】 [0219]
ところで、図12(a)に示した発光装置は、画素電極1203を形成した後に配線1209を形成する工程で作製されたものを示してあるが、この場合、画素電極1203が表面荒れを起こす可能性がある。 Meanwhile, the light emitting device shown in FIG. 12 (a), but are shown those made in the step of forming the wiring 1209 after forming the pixel electrode 1203, in this case, be the pixel electrode 1203 causes a rough surface there is sex. 有機発光素子は電流駆動型の素子であるため、画素電極1203の表面荒れにより、特性が悪くなることも考えられる。 Since the organic light emitting element is an element of the current driven by the surface roughness of the pixel electrode 1203, it is conceivable that the characteristics may deteriorate.
【0220】 [0220]
そこで、図12(b)に示すように、配線1209を形成した後に画素電極1203を形成する発光装置も考えられる。 Therefore, as shown in FIG. 12 (b), the light emitting device is also conceivable to form the pixel electrode 1203 after the formation of the wiring 1209. この場合、図12(a)の構造に比べて、画素電極1203からの電流の注入性が向上すると考えられる。 In this case, compared to the structure of FIG. 12 (a), it is considered to the injection of current from the pixel electrode 1203 can be improved.
【0221】 [0221]
また、図12においては、正テーパー型の土手状構造1210によって、画素部1211に設置されている各画素を分離している。 Further, in FIG. 12, the bank-like structure 1210 positive tapered separates the pixels placed in the pixel portion 1211. この土手状構造を、例えば逆テーパー型のような構造にすることにより、土手状構造が画素電極に接しない構造をとることもできる。 The bank-like structure, for example, by a structure, such as a reverse taper type, bank-like structure can also have a structure not in contact with the pixel electrode. その一例を図34に示す。 An example thereof is shown in FIG. 34.
【0222】 [0222]
図34では、配線を利用して分離部を兼ねた、配線および分離部3410を設けた。 In Figure 34, the wiring also serves as a separation unit was utilized provided wiring and separation portion 3410. 図34で示されるような配線および分離部3410の形状(ひさしのある構造)は、配線を構成する金属と、前記金属よりもエッチレートの低い材料(例えば金属窒化物)とを積層し、エッチングすることにより形成することができる。 Wiring and separation portion 3410 shaped as shown in Figure 34 (structure with eaves) is laminated with a metal constituting the wiring, and a material having a lower etch rate than the metal (e.g., metal nitride), etching it can be formed by. この形状により、画素電極3403や配線と、陰極3405とが、ショートすることを防ぐことができる。 This shape can prevent a and wiring pixel electrode 3403, that the cathode 3405 is short-circuited. なお、図34においては、通常のアクティブマトリクス型の発光装置と異なり、画素上の陰極3405をストライプ状(パッシブマトリクスの陰極と同様)にする構造になる。 Note that in FIG 34 is different from the conventional active matrix light emitting device, the structure of the cathode 3405 on the pixel in a stripe shape (similar to a cathode in a passive matrix).
【0223】 [0223]
ここで、図12(b)に示したアクティブマトリクス型発光装置の外観を図13に示す。 Here, FIG. 13 shows the appearance of an active matrix type light emitting device shown in Figure 12 (b). なお、図13(a)には上面図を示し、図13(b)には図13(a)をP−P'で切断した時の断面図を示す。 Note that a top view in FIG. 13 (a), in FIG. 13 (b) shows a cross-sectional view of the FIG. 13 (a) taken along P-P '. また、図12の符号を引用する。 Further, reference sign in FIG.
【0224】 [0224]
図13(a)において、1301は画素部、1302はゲート信号側駆動回路、1303はデータ信号側駆動回路である。 In FIG. 13 (a), 1301 denotes a pixel portion, 1302 denotes a gate signal side driving circuit, 1303 denotes a data signal side driving circuit. また、ゲート信号側駆動回路1302およびデータ信号側駆動回路1303に伝送される信号は、入力配線1304を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ1305から入力される。 The signal to be sent to the gate signal side driving circuit 1302 and the data signal side driving circuit 1303 are inputted from a TAB (Tape Automated Bonding) tape 1305 through an input wiring 1304. なお、図示しないが、TABテープ1305の代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Tape Carrier Package)を接続してもよい。 Although not shown, instead of the TAB tape 1305 may be connected to IC TCP provided with (integrated circuit) (Tape Carrier Package) to the TAB tape.
【0225】 [0225]
このとき、1306は図12(b)に示した有機発光素子の上方に設けられるカバー材であり、樹脂からなるシール材1307により接着されている。 In this case, 1306 is a cover member provided above the organic light emitting device shown in FIG. 12 (b), and is bonded with a seal member 1307 formed of a resin. カバー材1306は酸素および水を透過しない材質であれば、いかなるものを用いてもよい。 If the cover member 1306 is a material that does not transmit oxygen and water, it may be used any ones. 本実施例では、カバー材1306は図13(b)に示すように、プラスチック材1306aと、前記プラスチック材1306aの表面および裏面に設けられた炭素膜(具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜)1306b、1306cからなる。 In this embodiment, a cover member 1306 as shown in FIG. 13 (b), the plastic material 1306a, carbon films (specifically, diamond-like carbon film) provided on the front and back surfaces of the plastic material 1306a 1306b, consisting of 1306c.
【0226】 [0226]
さらに、図13(b)に示すように、シール材1307は樹脂からなる封止材1308で覆われ、有機発光素子を完全に密閉空間1309に封入するようになっている。 Furthermore, as shown in FIG. 13 (b), the sealing member 1307 is covered with a sealing member 1308 made of a resin, so as to encapsulate an organic light-emitting device to fully enclosed space 1309. 密閉空間1309は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体(例えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけばよい。 Enclosed space 1309 may if filled with an inert gas (typically nitrogen gas or noble gas), resin, or inert liquid (for example liquid typified by perfluoroalkane fluorinated carbon). さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効である。 Furthermore, it is also effective to put an absorbent or deoxidant.
【0227】 [0227]
また、本実施例に示した発光装置の表示面(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。 A polarizing plate may be provided on the display surface of the light emitting device shown in this embodiment (surface on which an image is observed). この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。 The polarizing plate of the reflection of light incident from the outside, the observer is effective to prevent the reflected on the display surface. 一般的には、円偏光板が用いられている。 In general, the circularly polarizing plate is used. ただし、有機化合物層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。 However, in order to prevent light emitted from the organic compound layer is returned to the inside is reflected by the polarizing plate, it is preferable that a structure with less internal reflection by adjusting the refractive index.
【0228】 [0228]
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。 Incidentally, the organic light emitting element included in the light emitting device of this embodiment, any of the organic light emitting element according to the present invention may be used.
【0229】 [0229]
[実施例13] Example 13
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子を含む発光装置の例として、アクティブマトリクス型発光装置を例示するが、実施例12とは異なり、能動素子が形成されている基板とは反対側から光を取り出す構造(以下、「上方出射」と記す)の発光装置を示す。 In this embodiment, as an example of a light emitting device including an organic light emitting element according to the present invention, illustrate the active matrix light-emitting device, unlike Example 12, the side opposite to the substrate on which an active element is formed light is extracted from the structure (hereinafter, referred to as "top emission") shows a light emitting device. 図35にその断面図を示す。 Figure 35 shows a cross-sectional view thereof.
【0230】 [0230]
なお、能動素子としてここでは薄膜トランジスタ(以下、「TFT」と記す)を用いているが、MOSトランジスタを用いてもよい。 Here, thin film transistors (hereinafter, referred to as "TFT") as an active element is used, but may be a MOS transistor. また、TFTとしてトップゲート型TFT(具体的にはプレーナ型TFT)を例示するが、ボトムゲート型TFT(典型的には逆スタガ型TFT)を用いることもできる。 Although illustrated a top gate type TFT (specifically a planar TFT is) as TFT, it is also possible to use a bottom-gate type TFT (typically a reverse stagger TFT).
【0231】 [0231]
本実施例において、基板3501、画素部に形成された電流制御TFT3502、および駆動回路3512に関しては、実施例12と同様の構成でよい。 In this embodiment, the substrate 3501, with respect to the current control TFT 3502, and a driving circuit 3512 are formed in the pixel portion, the same structure as those of Example 12.
【0232】 [0232]
電流制御TFT3502のドレインに接続されている第一電極3503であるが、本実施例では陽極として用いるため、仕事関数がより大きい導電性材料を用いることが好ましい。 Is a first electrode 3503 which is connected to the drain of the current controlling TFT 3502, is used as an anode in this embodiment, it is preferable to having a large work function conductive material. その代表例として、ニッケル、パラジウム、タングステン、金、銀などの金属が挙げられる。 As a typical example, nickel, palladium, tungsten, gold, and metal such as silver. 本実施例では、第一電極3503は光を透過しないことが好ましいが、それに加えて、光の反射性の高い材料を用いることがさらに好ましい。 In this embodiment, the first electrode 3503 desirably does not transmit light, in addition, it is further preferable that a material that is highly reflective of light.
【0233】 [0233]
第一電極3503の上には有機化合物層3504が設けられている。 Over the first electrode 3503 of the organic compound layer 3504 is provided. さらに、有機化合物層3504の上には第二電極3505が設けられており、本実施例では陰極とする。 Furthermore, on the organic compound layer 3504 it is provided with a second electrode 3505, which serves as a cathode in this embodiment. その場合、第二電極3505の材料としては、仕事関数が2.5〜3.5eVの導電性材料を用いることが望ましい。 Accordingly, the material of the second electrode 3505, the work function is preferably used a conductive material 2.5 to 3.5 eV. 代表的には、アルカリ金属元素もしくはアルカリ度類金属元素を含む導電膜、アルミニウムを含む導電膜、あるいはその導電膜にアルミニウムや銀などを積層したもの、を用いればよい。 Typically, a conductive film containing an alkaline metal element or an alkaline-earth metal element, or a conductive film containing aluminum, or the like of aluminum or silver was laminated on the conductive film, may be used. ただし、本実施例は上方出射であるため、第二電極3505が光透過性であることが大前提である。 However, this embodiment is for a top emission, it second electrode 3505 is a light-transmissive is prerequisite. したがって、これらの金属を用いる場合は、20nm程度の超薄膜であることが好ましい。 Therefore, when using these metals, it is preferably formed into a very thin film about 20 nm.
【0234】 [0234]
また、第一電極3503、有機化合物層3504、および第二電極3505からなる層は、保護膜3506で覆われている。 The first electrode 3503, the organic compound layer 3504, and a layer consisting of the second electrode 3505 is covered with a protective film 3506. 保護膜3506は、有機発光素子を酸素および水から保護するために設けられている。 Protective film 3506 is provided to protect the organic light emitting element from oxygen and water. 本実施例では、光を透過するものであればいかなるものを用いてもよい。 In the present embodiment may be used any as long as it transmits light.
【0235】 [0235]
なお、図35では電流制御TFT3502に第一電極(陽極)3503が電気的に接続されているが、陰極が電流制御TFTに接続された構造をとることもできる。 Although the first electrode (anode) 3503 is electrically connected to the Figure 35 in the current control TFT 3502, it is also possible to take a cathode is connected to the current controlling TFT. その場合、第一電極を陰極の材料で形成し、第二電極を陽極の材料で形成すればよい。 In that case, the first electrode is formed at the cathode material, the second electrode may be formed in the material of the anode. このとき、電流制御TFTはnチャネル型TFTとすることが好ましい。 At this time, the current control TFT is preferably an n-channel TFT.
【0236】 [0236]
さらに、3507はカバー材であり、樹脂からなるシール材3508により接着されている。 Further, 3507 is a cover member and is bonded by a sealing member 3508 made of a resin. カバー材3507は酸素および水を透過しない材質で、かつ、光を透過する材質であればいかなるものを用いてもよい。 Cover member 3507 of a material impermeable to oxygen and water, and light may be used any substance so long as it is a material that transmits. 本実施例ではガラスを用いる。 In this embodiment, a glass. 密閉空間3509は不活性ガス(代表的には窒素ガスや希ガス)、樹脂または不活性液体(例えばパーフルオロアルカンに代表される液状のフッ素化炭素)を充填しておけばよい。 Enclosed space 3509 may if filled with an inert gas (typically nitrogen gas or noble gas), resin, or inert liquid (for example liquid typified by perfluoroalkane fluorinated carbon). さらに、吸湿剤や脱酸素剤を設けることも有効である。 Furthermore, it is also effective to put an absorbent or deoxidant.
【0237】 [0237]
なお、ゲート信号側駆動回路およびデータ信号側駆動回路に伝送される信号は、入力配線3513を介してTAB(Tape Automated Bonding)テープ3514から入力される。 Signals to be sent to the gate signal side driving circuit and the data signal side driving circuit are inputted from a TAB (Tape Automated Bonding) tape 3514 through an input wiring 3513. なお、図示しないが、TABテープ3514の代わりに、TABテープにIC(集積回路)を設けたTCP(Tape Carrier Package)を接続してもよい。 Although not shown, instead of the TAB tape 3514 may be connected to IC TCP provided with (integrated circuit) (Tape Carrier Package) to the TAB tape.
【0238】 [0238]
また、本実施例に示した発光装置の表示面(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。 A polarizing plate may be provided on the display surface of the light emitting device shown in this embodiment (surface on which an image is observed). この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。 The polarizing plate of the reflection of light incident from the outside, the observer is effective to prevent the reflected on the display surface. 一般的には、円偏光板が用いられている。 In general, the circularly polarizing plate is used. ただし、有機化合物層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。 However, in order to prevent light emitted from the organic compound layer is returned to the inside is reflected by the polarizing plate, it is preferable that a structure with less internal reflection by adjusting the refractive index.
【0239】 [0239]
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。 Incidentally, the organic light emitting element included in the light emitting device of this embodiment, any of the organic light emitting element according to the present invention may be used.
[実施例14] [Example 14]
【0240】 [0240]
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子を含む発光装置の例として、パッシブマトリクス型発光装置を例示する。 In this embodiment, as an example of a light emitting device including an organic light emitting element according to the present invention, illustrate a passive matrix light emitting device. 図14(a)にはその上面図を示し、図14(b)には図14(a)をP−P'で切断した時の断面図を示す。 Figure 14 (a) to show the top view, in FIG. 14 (b) shows a cross-sectional view of the FIG. 14 (a) taken along P-P '.
【0241】 [0241]
図14(a)において、1401は基板であり、ここではプラスチック材を用いる。 In FIG. 14 (a), 1401 denotes a substrate, wherein the a plastic material. プラスチック材としては、ポリイミド、ポリアミド、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、PET(ポリエチレンテレフタレート)もしくはPEN(ポリエチレンナフタレート)を板状、もしくはフィルム上にしたものが使用できる。 As the plastic material, polyimide, polyamide, acrylic resin, an epoxy resin, PES (polyethylene sulfile), PC (polycarbonate), PET (polyethylene terephthalate) or PEN (polyethylene naphthalate) a plate, or those on film It can be used.
【0242】 [0242]
1402は酸化導電膜からなる走査線(陽極)であり、本実施例では酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電膜を用いる。 1402 denotes a scanning line made of an oxide conductive film (anode), in this embodiment, a conductive oxide film added with gallium oxide zinc oxide. また、1403は金属膜からなるデータ線(陰極)であり、本実施例ではビスマス膜を用いる。 Also, 1403 is a data line made of a metal film (cathode) using a bismuth film, in this embodiment. また、1404はアクリル樹脂からなるバンクであり、データ線1403を分断するための隔壁として機能する。 Also, 1404 is a bank of acrylic resin, serving as partition walls that separate the data lines 1403. 走査線1402とデータ線1403は両方とも、ストライプ状に複数形成されており、互いに直交するように設けられている。 Both scanning lines 1402 and the data lines 1403 are formed in plurality in stripes is provided so as to be perpendicular to each other. なお、図14(a)では図示していないが、走査線1402とデータ線1403の間には有機化合物層が挟まれており、交差部1405が画素となる。 Although not shown in FIG. 14 (a), the between the scanning lines 1402 and the data lines 1403 are sandwiched organic compound layer, intersections 1405 is a pixel.
【0243】 [0243]
そして、走査線1402およびデータ線1403はTABテープ1407を介して外部の駆動回路に接続される。 Then, the scanning lines 1402 and the data lines 1403 are connected to the external driving circuit through a TAB tape 1407. なお、1408は走査線1402が集合してなる配線群を表しており、1409はデータ線1403に接続された接続配線1406の集合からなる配線群を表す。 Incidentally, 1408 denotes a wiring group of the scanning lines 1402 is collectively, 1409 represents a wiring group composed of a set of connection wirings 1406 connected to the data line 1403. また、図示していないが、TABテープ1407の代わりに、TABテープにICを設けたTCPを接続してもよい。 Although not shown, instead of the TAB tape 1407 may be by TCP that is obtained by providing a TAB tape with an IC.
【0244】 [0244]
また、図14(b)において、1410はシール材、1411はシール材1410によりプラスチック材1401に貼り合わされたカバー材である。 Further, in FIG. 14 (b), 1410 sealant, 1411 denotes a cover member that is bonded to the plastic material 1401 with a sealant 1410. シール材1410としては光硬化樹脂を用いていればよく、脱ガスが少なく、吸湿性の低い材料が望ましい。 It is sufficient with a photocurable resin as the sealing material 1410, degassing less, desirably less hygroscopic material. カバー材としては基板1401と同一の材料が好ましく、ガラス(石英ガラスを含む)もしくはプラスチックを用いることができる。 Preferably the same material as the substrate 1401 as the cover material, and glass (including quartz glass) or plastic. ここではプラスチック材を用いる。 Here, using a plastic material.
【0245】 [0245]
次に、画素領域の構造の拡大図を図14(c)に示す。 Then, an enlarged view of the structure of a pixel region in FIG. 14 (c). 1413は有機化合物層である。 1413 is an organic compound layer. なお、図14(c)に示すように、バンク1404は下層の幅が上層の幅よりも狭い形状になっており、データ線1403を物理的に分断できる。 Incidentally, as shown in FIG. 14 (c), the bank 1404 is lower width has become narrower shape than the width of the upper layer, the data lines 1403 can be physically separated. また、シール材1410で囲まれた画素部1414は、樹脂からなる封止材1415により外気から遮断され、有機化合物層の劣化を防ぐ構造となっている。 Further, the pixel portion 1414 surrounded by the sealing material 1410 is cut off from the outside air by a sealing member 1415 made of a resin, has a structure to prevent deterioration of the organic compound layer.
【0246】 [0246]
以上のような構成からなる本発明の発光装置は、画素部1414が走査線1402、データ線1403、バンク1404および有機化合物層1413で形成されるため、非常に簡単なプロセスで作製することができる。 The light emitting device of the present invention comprising the above configuration, since the pixel portion 1414 is formed by the scanning line 1402, the data lines 1403, the banks 1404 and the organic compound layer 1413, can be produced in a very simple process .
【0247】 [0247]
また、本実施例に示した発光装置の表示面(画像を観測する面)に偏光板をもうけてもよい。 A polarizing plate may be provided on the display surface of the light emitting device shown in this embodiment (surface on which an image is observed). この偏光板は、外部から入射した光の反射を押さえ、観測者が表示面に映り込むことを防ぐ効果がある。 The polarizing plate of the reflection of light incident from the outside, the observer is effective to prevent the reflected on the display surface. 一般的には、円偏光板が用いられている。 In general, the circularly polarizing plate is used. ただし、有機化合物層から発した光が偏光板により反射されて内部に戻ることを防ぐため、屈折率を調節して内部反射の少ない構造とすることが好ましい。 However, in order to prevent light emitted from the organic compound layer is returned to the inside is reflected by the polarizing plate, it is preferable that a structure with less internal reflection by adjusting the refractive index.
【0248】 [0248]
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。 Incidentally, the organic light emitting element included in the light emitting device of this embodiment, any of the organic light emitting element according to the present invention may be used.
【0249】 [0249]
[実施例15] [Example 15]
本実施例では、実施例14で示した発光装置にプリント配線板を設けてモジュール化した例を示す。 In this embodiment, an example in which module a printed wiring board is provided with the light emitting device shown in Example 14.
【0250】 [0250]
図15(a)に示すモジュールは、基板1501(ここでは、画素部1502、配線1503a、 1503bを含む)にTABテープ1504が取り付けられ、前記TABテープ1504を介してプリント配線板1505が取り付けられている。 Module shown in FIG. 15 (a), a substrate 1501 (here, the pixel portion 1502, the wiring 1503a, including 1503 b) a TAB tape 1504 is attached to, printed wiring board 1505 is attached through the TAB tape 1504 there.
【0251】 [0251]
ここで、プリント配線板1505の機能ブロック図を図15(b)に示す。 Here, a functional block diagram of the printed wiring board 1505 in FIG. 15 (b). プリント配線板1505の内部には少なくともI/Oポート(入力もしくは出力部)1506、 1509、データ信号側駆動回路1507およびゲート信号側回路1508として機能するICが設けられている。 At least I / O ports (input or output portions) 1506, 1509 in the interior of the printed wiring board 1505, IC functioning as a data signal side driving circuit 1507 and the gate signal side circuit 1508 is provided.
【0252】 [0252]
このように、基板面に画素部が形成された基板にTABテープが取り付けられ、そのTABテープを介して駆動回路としての機能を有するプリント配線版が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特に駆動回路外付け型モジュールと呼ぶことにする。 Thus, the TAB tape is attached to the substrate on which the pixel portion is formed on the substrate surface, the module configuration printed wiring boards is mounted with a function as a driving circuit via the TAB tape, herein especially it is referred to as a driving circuit external type module.
【0253】 [0253]
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。 Incidentally, the organic light emitting element included in the light emitting device of this embodiment, any of the organic light emitting element according to the present invention may be used.
【0254】 [0254]
[実施例16] Example 16
本実施例では、実施例12もしくは実施例13もしくは実施例14に示した発光装置にプリント配線板を設けてモジュール化した例を示す。 In this embodiment, an example in which module a printed wiring board is provided with the light emitting device shown in Example 12 or Example 13 or Example 14.
【0255】 [0255]
図16(a)に示すモジュールは、基板1601(ここでは、画素部1602、データ信号側駆動回路1603、ゲート信号側駆動回路1604、配線1603a、 1604aを含む)にTABテープ1605が取り付けられ、そのTABテープ1605を介してプリント配線板1606が取り付けられている。 Module shown in FIG. 16 (a), a substrate 1601 (here, the pixel portion 1602, a data signal side driving circuit 1603, a gate signal side driving circuit 1604, the wiring 1603a, including 1604a) TAB tape 1605 is attached to, the printed wiring board 1606 is attached through the TAB tape 1605. プリント配線板1606の機能ブロック図を図16(b)に示す。 A functional block diagram of the printed wiring board 1606 shown in FIG. 16 (b).
【0256】 [0256]
図16(b)に示すように、プリント配線板1606の内部には少なくともI/Oポート1607、 1610、コントロール部1608として機能するICが設けられている。 As shown in FIG. 16 (b), at least I / O ports 1607, 1610, an IC functioning as a control unit 1608 is provided inside of the printed wiring board 1606. なお、ここではメモリ部1609を設けてあるが、必ずしも必要ではない。 Here, although is provided with a memory portion 1609 is not necessarily required. またコントロール部1608は、駆動回路の制御、映像データの補正などをコントロールするための機能を有した部位である。 The control unit 1608 controls the drive circuit is a portion having functions for controlling and correction of image data.
【0257】 [0257]
このように、有機発光素子の形成された基板にコントローラーとしての機能を有するプリント配線板が取り付けられた構成のモジュールを、本明細書では特にコントローラー外付け型モジュールと呼ぶことにする。 Thus, a module structure in which the printed wiring board is mounted with a function as a controller to a substrate formed of an organic light emitting device, in this specification especially is referred to as a controller external type module.
【0258】 [0258]
なお、本実施例の発光装置に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した有機発光素子のいずれを用いてもよい。 Incidentally, the organic light emitting element included in the light emitting device of this embodiment, any of the organic light emitting element according to the present invention may be used.
【0259】 [0259]
[実施例17] [Example 17]
本実施例では、実施例10および11で示したような三重項発光素子を、デジタル時間階調表示により駆動する発光装置の例を示す。 In this embodiment, an example of a light-emitting device of the triplet light-emitting device as shown in Examples 10 and 11, driven by a digital time gray scale display. 本実施例の発光装置は、三重項励起状態からの発光を利用することによって高い発光効率を達成できると同時に、デジタル時間階調表示により均一な像を得ることができ、非常に有用である。 The light emitting device of this embodiment, at the same time a high luminous efficiency by utilizing the light emission from the triplet excited state can be achieved, it is possible to obtain a uniform image in accordance with digital time gray scale display is very useful.
【0260】 [0260]
有機発光素子を用いた画素の、回路構成を図36(a)に示す。 Pixel that uses an organic light emitting device, the circuit arrangement shown in FIG. 36 (a). Trはトランジスタ、Csはストレージキャパシタを表す。 Tr transistors, Cs represents a storage capacitor. 図36(a)中の回路構成では、ソース線はトランジスタTr1のソース側に、ゲート線はトランジスタTr1のゲートに接続されている。 In the circuit configuration of FIG. 36 in (a), the source line on the source side of the transistors Tr1, the gate line is connected to the gate of the transistor Tr1. また、電源供給線はストレージキャパシタCs、およびトランジスタTr2のソース側に接続されている。 Further, the power supply line is connected to the source side of the storage capacitor Cs, an transistor Tr2. トランジスタTr2のドレイン側には本発明の有機発光素子の陽極が接続されているため、有機発光素子を挟んでトランジスタTr2の反対側は、陰極となっている。 Since the anode of the organic light emitting device of the present invention to the drain side of the transistor Tr2 is connected, the opposite side of transistor Tr2 across the organic light emitting element has a cathode.
【0261】 [0261]
この回路においては、ゲート線が選択されると、電流がソース線からTr1に流れ、その信号に対応する電圧がCsに蓄積される。 In this circuit, when a gate line is selected, current flows into Tr1 from a source line and a voltage corresponding to the signal is accumulated in Cs. そして、Tr2のゲートおよびソース間の電圧(V gs )により制御される電流が、Tr2および有機発光素子に流れることになる。 Then a current controlled by the gate-source voltage of the Tr2 (V gs) will flow into Tr2 and the organic light emitting element.
【0262】 [0262]
Tr1が選択されたあとは、Tr1はオフ状態となり、Csの電圧(V gs )が保持される。 After Tr1 is selected, Tr1 is turned off, the voltage of Cs (V gs) is held. したがって、V gsに依存するだけの電流を流し続けることができる。 Accordingly, it is a current continues to flow in an amount dependent on V gs.
【0263】 [0263]
このような回路を、デジタル時間階調表示により駆動するチャートを図36(b)に示す。 Such a circuit, shown in FIG. 36 (b) a chart for driving the digital time gray scale display. すなわち、1フレームを複数のサブフレームに分割するわけだが、図36(b)では、1フレームを6つのサブフレーム(SF1〜SF6)に分割する6ビット階調とした。 That is, it not dividing one frame into a plurality of sub-frames, in FIG. 36 (b), the was 6 bit gray scale is divided into six sub-frames one frame (SF1 to SF6). TAは書き込み時間である。 TA is the writing time. この場合、それぞれのサブフレーム発光期間の割合は、図に示したように32:16:8:4:2:1となる。 In this case, the ratio of light emission periods of the sub-frames, as shown in Figure 32: 16: 8: 4: 2: 1.
【0264】 [0264]
本実施例におけるTFT基板の駆動回路の概要を図36(c)に示す。 Description of the driving circuit of the TFT substrate in this embodiment is shown in FIG. 36 (c). 図36(c)中の基板構成では、本発明の有機発光素子を各画素とした画素部に対し、図36(a)で示したような電源供給線および陰極が接続されている。 The substrate structure of FIG. 36 in (c), with respect to a pixel portion which the organic light emitting device was each pixel of the present invention, the power supply line and the cathode as shown in FIG. 36 (a) is connected. また、シフトレジスタは、シフトレジスタ→ラッチ1→ラッチ2→画素部の順で、画素部に接続されている。 The shift register is in the order of the shift register → latch 1 → latch 2 → pixel portion, and is connected to the pixel portion. ラッチ1にはデジタル信号が入力され、ラッチ2に入力されるラッチパルスによって画像データを画素部に送り込むことができる。 The latch 1 digital signal is inputted, the image data can be fed to the pixel portion by a latch pulse input to the latch 2.
【0265】 [0265]
ゲートドライバおよびソースドライバは同じ基板上に設けられている。 The gate driver and a source driver are provided on the same substrate. 本実施例では、画素回路およびドライバは、デジタル駆動するように設計されているため、TFT特性のばらつきの影響を受けることなく、均一な像を得ることができる。 In this embodiment, the pixel circuit and the driver, because they are designed to digital driving, without being affected by variations in the TFT characteristics, it is possible to obtain a uniform image.
【0266】 [0266]
[実施例18] [Example 18]
本実施例では、本発明で開示した有機発光素子に一定の電流を流すことにより駆動する、アクティブマトリクス型の定電流駆動回路の例を示す。 In this embodiment, driven by the organic light emitting element according to the present invention supplies a constant current, an example of a constant current driving circuit of an active matrix type. その回路構成を図37に示す。 The circuit arrangement shown in FIG. 37.
【0267】 [0267]
図37に示す画素3710は、信号線Si、第1走査線Gj、第2走査線Pjおよび電源線Viを有している。 Pixel 3710 shown in FIG. 37 has a signal line Si, a first scanning line Gj, a second scanning line Pj and the power supply line Vi. また画素3710は、Tr1、Tr2、Tr3、Tr4、混合接合型の有機発光素子3711、および保持容量3712を有している。 The pixel 3710 has a Tr1, Tr2, Tr3, Tr4, mixed junction type organic light-emitting element 3711, and a storage capacitor 3712.
【0268】 [0268]
Tr3とTr4のゲートは、共に第1走査線Gjに接続されている。 Tr3 and Tr4 of the gate are both connected to the first scan line Gj. Tr3のソースとドレインは、一方は信号線Siに、もう一方はTr2のソースに接続されている。 The source and drain of Tr3, the one to the signal line Si, the other is connected to the source of Tr2. またTr4のソースとドレインは、一方はTr2のソースに、もう一方はTr1のゲートに接続されている。 The source and the drain of Tr4, one for the source of Tr2, the other is connected to the gate of Tr1. つまり、Tr3のソースとドレインのいずれか一方と、Tr4のソースとドレインのいずれか一方とは、接続されている。 In other words, one of the either the source and the drain of Tr3, the one of the source and the drain of Tr4 are connected.
【0269】 [0269]
Tr1のソースは電源線Viに、ドレインはTr2のソースに接続されている。 Tr1 source of the power supply line Vi, the drain is connected to the source of Tr2. Tr2のゲートは第2走査線Pjに接続されている。 The gate of Tr2 is connected to the second scanning line Pj. そしてTr2のドレインは有機発光素子3711が有する画素電極に接続されている。 The drain of the Tr2 is connected to the pixel electrodes of the organic light emitting element 3711. 有機発光素子3711は、画素電極と、対向電極と、画素電極と対向電極の間に設けられた有機化合物層とを有している。 The organic light emitting device 3711 includes a pixel electrode, a counter electrode, and an organic compound layer provided between the pixel electrode and the counter electrode. 有機発光素子3711の対向電極は発光パネルの外部に設けられた電源によって一定の電圧が与えられている。 Counter electrode of the organic light emitting element 3711 is given a constant voltage by a power source provided outside of the light emitting panel.
【0270】 [0270]
なお、Tr3とTr4は、nチャネル型TFTとpチャネル型TFTのどちらでも良い。 It should be noted, Tr3 and Tr4 may be either of the n-channel type TFT and a p-channel type TFT. ただし、Tr3とTr4の極性は同じである。 However, the polarity of the Tr3 and Tr4 are the same. また、Tr1はnチャネル型TFTとpチャネル型TFTのどちらでも良い。 In addition, Tr1 may be either of the n-channel type TFT and a p-channel type TFT. Tr2は、nチャネル型TFTとpチャネル型TFTのどちらでも良い。 Tr2 may be either of the n-channel type TFT and a p-channel type TFT. 有機発光素子の画素電極と対向電極は、一方が陽極であり、他方が陰極である。 Pixel electrode and the opposite electrode of the organic light emitting device, one is an anode, the other is a cathode. Tr2がpチャネル型TFTの場合、陽極を画素電極として用い、陰極を対向電極として用いるのが望ましい。 If Tr2 is a p-channel TFT, and using the anode as the pixel electrode, it is desirable to use cathode as a counter electrode. 逆に、Tr2がnチャネル型TFTの場合、陰極を画素電極として用い、陽極を対向電極として用いるのが望ましい。 Conversely, if the Tr2 is an n-channel TFT, and using a cathode as the pixel electrode, it is desirable to use an anode as a counter electrode.
【0271】 [0271]
保持容量3712はTr1のゲートとソースとの間に形成されている。 Storage capacitor 3712 is formed between the gate and the source of Tr1. 保持容量3712はTr1のゲートとソースの間の電圧(V gs )をより確実に維持するために設けられているが、必ずしも設ける必要はない。 While the holding capacitor 3712 is provided to maintain the voltage (V gs) between the gate and the source of Tr1 more reliably, it is not necessarily provided.
【0272】 [0272]
図37に示した画素では、信号線Siに供給される電流を信号線駆動回路が有する電流源において制御されている。 In the pixel shown in FIG. 37, are controlled by the current source having the current supplied to the signal line Si is the signal line driver circuit.
【0273】 [0273]
以上のような回路構成を適用することにより、有機発光素子に一定の電流を流して輝度を一定に保とうとする定電流駆動が可能となる。 By applying the above circuit configuration, it is possible to a constant current drive, which tries to keep the brightness constant by supplying a constant current to the organic light emitting element. 本発明で開示した混合領域を有する有機発光素子は従来の有機発光素子に比べて寿命が長いが、上記のような定電流駆動を実施することでさらに長寿命化を図ることができるため、有効である。 Since the organic light emitting device having a mixed region as disclosed in the present invention that can be but a longer life than conventional organic light-emitting device, to achieve a longer life by performing a constant current driving as described above, effective it is.
【0274】 [0274]
[実施例19] [Example 19]
上記実施例で述べた本発明の発光装置は、低消費電力で寿命が長いという利点を有する。 The light emitting device of the present invention described in the embodiments above have advantages of low power consumption and long lifetime. したがって、前記発光装置が表示部等として含まれる電気器具は、従来よりも低い消費電力で動作可能であり、なおかつ長保ちする電気器具となる。 Accordingly, electric appliances that the light emitting device is included as a display unit or the like can operate consuming less power than conventional ones and appliances to yet maintaining long. 特に電源としてバッテリーを使用する携帯機器のような電気器具に関しては、低消費電力化が便利さに直結する(電池切れが起こりにくい)ため、極めて有用である。 Particularly for electrical devices such as portable devices that use batteries as a power source, (hard battery exhaustion occurs) low power consumption leads directly to conveniences therefore is very useful.
【0275】 [0275]
また、前記発光装置は、自発光型であることから液晶表示装置のようなバックライトは必要なく、有機化合物層の厚みも1μmに満たないため、薄型軽量化が可能である。 The light emitting device, backlight is not required, such as a liquid crystal display device because it is a self-luminous type, since that does not meet the 1μm thickness of the organic compound layer, it is possible to thin lightweight. したがって、前記発光装置が表示部等として含まれる電気器具は、従来よりも薄型軽量な電気器具となる。 Accordingly, electric appliances that the light emitting device is included as a display unit are accordingly thinner and lighter appliance than conventional. このことも、特に携帯機器のような電気器具に関して、便利さ(持ち運びの際の軽さやコンパクトさ)に直結するため、極めて有用である。 This also especially with regard portable equipment and like other electric appliances to leads directly to conveniences (lightness and compactness of when carrying) and is very useful. さらに、電気器具全般においても、薄型である(かさばらない)ことは運送面(大量輸送が可能)、設置面(部屋などのスペース確保)からみても有用であることは疑いない。 In addition, even in the electric appliances in general, it is thin (bulky) it is (can be mass-transport) transport plane, no doubt it is also useful in view of the mounting surface (space securing such as a room).
【0276】 [0276]
なお、前記発光装置は自発光型であるために、液晶表示装置に比べて明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広いという特徴を持つ。 Incidentally, the light emitting device in order to be self-luminous, excellent in visibility in bright places than liquid crystal display devices, yet have the characteristic that the viewing angle is wide. したがって、前記発光装置を表示部として有する電気器具は、表示の見やすさの点でも大きなメリットがある。 Therefore electric appliances that include the light emitting device as a display unit, there is a great merit in terms of easiness in viewing display.
【0277】 [0277]
すなわち、本発明の発光装置を用いた電気器具は、薄型軽量・高視認性といった従来の有機発光素子の長所に加え、低消費電力・長寿命という特長も保有しており、極めて有用である。 That is, electric equipment using the light emitting device of the present invention, in addition to merits of conventional organic light emitting devices, namely, thinness lightness and high visibility, new features of low power consumption and long life, is very useful.
【0278】 [0278]
本実施例では、本発明の発光装置を表示部として含む電気器具を例示する。 In this embodiment, illustrating the appliance comprising a light-emitting device of the present invention as a display unit. その具体例を図17および図18に示す。 The specific examples shown in FIGS. 17 and 18. なお、本実施例の電気器具に含まれる有機発光素子には、本発明で開示した金属錯体のいずれを用いても良い。 Incidentally, the organic light emitting element included in the electric appliance of this embodiment may be either a metal complex disclosed in the present invention. また、本実施例の電気器具に含まれる発光装置の形態は、図12〜図16および図34〜図37のいずれの形態を用いても良い。 Further, the form of a light emitting device included in the electric appliance of this embodiment, can have any of the configurations of FIGS. 12 to 16 and FIGS. 34 to 37.
【0279】 [0279]
図17(a)は有機発光素子を用いたディスプレイ装置であり、筐体1701a、支持台1702a、表示部1703aを含む。 Figure 17 (a) is a display device using an organic light emitting device including a housing 1701a, a support base 1702a, a display unit 1703a. 本発明の発光装置を表示部1703aとして用いたディスプレイを作製することにより、薄く軽量で、長保ちするディスプレイを実現できる。 By making a display using the light-emitting device of the present invention as the display unit 1703a, in thin and light, a display can be realized to keep long. よって、輸送が簡便になり、設置の際の省スペースが可能となる上に、寿命も長い。 Accordingly, transportation is simplified, in terms of saving space at the time of installation is possible, life long.
【0280】 [0280]
図17(b)はビデオカメラであり、本体1701b、表示部1702b、音声入力部1703b、操作スイッチ1704b、バッテリー1705b、受像部1706bを含む。 FIG. 17 (b) a video camera which includes a main body 1701b, a display unit 1702b, an audio input unit 1703b, operation switches 1704b, a battery 1705b, and an image receiving unit 1706b. 本発明の発光装置を表示部1702bとして用いたビデオカメラを作製することにより、消費電力が少なく、軽量なビデオカメラを実現できる。 By making a video camera using a light emitting device of the present invention as the display unit 1702b, and consumes less power can be realized lightweight video cameras. よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。 Thus, battery consumption is reduced, carry also becomes simple.
【0281】 [0281]
図17(c)はデジタルカメラであり、本体1701c、表示部1702c、接眼部1703c、操作スイッチ1704cを含む。 Figure 17 (c) shows a digital camera including a main body 1701c, a display unit 1702c, an eyepiece portion 1703c, and operation switches 1704c. 本発明の発光装置を表示部1702cとして用いたデジタルカメラを作製することにより、消費電力が少なく、軽量なデジタルカメラを実現できる。 By making a digital camera using a light emitting device of the present invention as the display unit 1702c, and consumes less power can be realized a lightweight digital camera. よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。 Thus, battery consumption is reduced, carry also becomes simple.
【0282】 [0282]
図17(d)は記録媒体を備えた画像再生装置であり、本体1701d、記録媒体(CD、LD、またはDVDなど)1702d、操作スイッチ1703d、表示部(A)1704d、表示部(B)1705dを含む。 Figure 17 (d) is an image reproducing device provided with a recording medium, the main body 1701d, a recording medium (CD, LD, DVD, or the like,) 1702d, operation switches 1703d, a display unit (A) 1704d, a display unit (B) 1705d including. 表示部(A)1704dは主として画像情報を表示し、表示部(B)1705dは主として文字情報を表示する。 Display unit (A) 1704d mainly displays image information, display unit (B) 1705d mainly displays text information. 本発明の発光装置をこれら表示部(A)1704dや表示部(B)1705dとして用いた前記画像再生装置を作製することにより、消費電力が少なく軽量な上に、長保ちする前記画像再生装置を実現できる。 By manufacturing the image reproducing apparatus using as these display portions (A) 1704d and the display unit (B) 1705d the light-emitting device of the present invention, on the power consumption is small lightweight, the image reproducing apparatus for maintaining long realizable. なお、この記録媒体を備えた画像再生装置には、CD再生装置、ゲーム機器なども含む。 Note that the image reproducing device provided with a recording medium, CD reproduction devices, and a game device.
【0283】 [0283]
図17(e)は携帯型(モバイル)コンピュータであり、本体1701e、表示部1702e、受像部1703e、操作スイッチ1704e、メモリスロット1705eを含む。 Figure 17 (e) shows a portable (mobile) computer which includes a main body 1701e, a display unit 1702e, an image receiving unit 1703e, operation switches 1704E, a memory slot 1705E. 本発明の発光装置を表示部1702eとして用いた携帯型コンピュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量な携帯型コンピュータを実現できる。 By making the portable computer using the light emitting device of the present invention as the display unit 1702e, and consumes less power can be thin and lightweight portable computer. よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも簡便になる。 Thus, battery consumption is reduced, carry also becomes simple. なお、この携帯型コンピュータはフラッシュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情報を記録したり、それを再生したりすることができる。 Incidentally, the portable computer can be record or reproduce information on a recording medium obtained by integrating a flash memory and a non-volatile memory, it.
【0284】 [0284]
図17(f)はパーソナルコンピュータであり、本体1701f、筐体1702f、表示部1703f、キーボード1704fを含む。 Figure 17 (f) shows a personal computer including a main body 1701F, housing 1702f, a display unit 1703f, the keyboard 1704f. 本発明の発光装置を表示部1703fとして用いたパーソナルコンピュータを作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量なパーソナルコンピュータを実現できる。 By making a personal computer using the light emitting device of the present invention as the display unit 1703f, and consumes less power can be thin and lightweight personal computer. 特に、ノートパソコンのように持ち歩く用途が必要な場合、電池の消費量や軽さの点で大きなメリットとなる。 In particular, when application to carry as laptop is required, a great merit in terms of consumption and lightness of the battery.
【0285】 [0285]
なお、上記電気器具はインターネットなどの電子通信回線や電波などの無線通信を通じて配信される情報を表示することが多くなってきており、特に動画情報を表示する機会が増えている。 It should be noted that the above-mentioned electric appliances have become more likely to view the information that is delivered through a wireless communication, such as electronic communication lines and radio waves such as the Internet, it has increased the opportunity to especially display the video information. 有機発光素子の応答速度は非常に速く、そのような動画表示に好適である。 The response speed of the organic light emitting device is very fast, it is suitable for such moving image display.
【0286】 [0286]
次に、図18(a)は携帯電話であり、本体1801a、音声出力部1802a、音声入力部1803a、表示部1804a、操作スイッチ1805a、アンテナ1806aを含む。 Next, FIG. 18 (a) is a mobile phone which includes a main body 1801a, an audio output portion 1802a, an audio input portion 1803a, a display unit 1804a, operation switches 1805a, the antenna 1806a. 本発明の発光装置を表示部1804aとして用いた携帯電話を作製することにより、消費電力が少なく、薄型軽量な携帯電話を実現できる。 By manufacturing the light-emitting device on a mobile phone used as the display portion 1804a of the present invention, low power consumption can be thin and lightweight mobile phones. よって、電池の消費量が少なくなり、持ち運びも楽になる上にコンパクトな本体にできる。 Thus, battery consumption is reduced, can be in a compact body on the portable also become easier.
【0287】 [0287]
図18(b)は音響機器(具体的には車載用オーディオ)であり、本体1801b、表示部1802b、操作スイッチ1803b、1804bを含む。 Figure 18 (b) is a sound equipment (specifically car audio), which includes a main body 1801 b, a display unit 1802b, operation switches 1803b, a 1804b. 本発明の発光装置を表示部1802bとして用いた音響機器を作製することにより、消費電力が少なく、軽量な音響機器を実現できる。 By making the acoustic devices using the light emitting device of the present invention as the display unit 1802b, and consumes less power, be lightweight acoustic equipment. また、本実施例では車載用オーディオを例として示すが、家庭用オーディオに用いても良い。 Further, in the present embodiment is an in-car audio as an example, may be used in home audio.
【0288】 [0288]
なお、図17〜図18で示したような電気器具において、さらに光センサを内蔵させ、使用環境の明るさを検知する手段を設けることで、使用環境の明るさに応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせることは有効である。 Incidentally, in the electric appliances shown in FIGS. 17 18, thereby further incorporating a light sensor, by providing a means for detecting the brightness of the use environment, modulate the light emission luminance according to the brightness of the use environment be provided with a function such as is effective. 使用者は、使用環境の明るさに比べてコントラスト比で100〜150の明るさを確保できれば、問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。 The user, if securing the brightness of 100 to 150 in contrast ratio in comparison with the brightness of the use environment can recognize image or text information without problems. すなわち、使用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やすくし、使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて消費電力を抑えるといったことが可能となる。 That is, when the use environment is bright and easy to see by increasing the brightness of the image, it is possible such a case use environment is dark, reduce power consumption by suppressing the luminance of the image.
【0289】 [0289]
また、本発明の発光装置を光源として用いた様々な電気器具も、低消費電力での動作や薄型軽量化が可能であるため、非常に有用と言える。 Also, various electric equipment using the light emitting device as a light source of the present invention also, since it can operate and thin and light with low power consumption, it can be said that very useful. 代表的には、液晶表示装置のバックライトもしくはフロントライトといった光源、または照明機器の光源として本発明の発光装置を含む電気器具は、低消費電力の実現や薄型軽量化が可能である。 Typically, the appliance comprising a light-emitting device of the present invention as a liquid crystal display device backlight or front light, such as light sources or light source of the lighting apparatus, is capable of realizing and thin and light with low power consumption.
【0290】 [0290]
したがって、本実施例に示した図17〜図18の電気器具の表示部を、全て液晶ディスプレイにする場合においても、その液晶ディスプレイのバックライトもしくはフロントライトとして本発明の発光装置を用いた電気器具を作製することにより、消費電力が少なく、薄くて軽量な電気器具が達成できる。 Accordingly, electric appliances a display of the appliance of FIGS. 17 18 shown in this embodiment, all even in the case of the liquid crystal display, using the light-emitting device of the present invention as a backlight or front light of the liquid crystal display the by producing, low power consumption, thin and lightweight electric appliances can be achieved.
【0291】 [0291]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明を実施することで、消費電力が少ない上に、寿命も優れた発光装置を得ることができる。 By implementing the present invention, on the power consumption is small, it is possible to obtain a superior light emitting device lifetime. さらに、そのような発光装置を光源もしくは表示部に用いることで、明るく消費電力が少ない上に、長保ちする電気器具を得ることができる。 Further, by using such a light-emitting device as a light source or a display unit, on the bright power consumption is small, it is possible to obtain an electrical appliance to be kept long.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】正孔注入層の役割を示す図。 FIG. 1 shows the role of hole injection layer.
【図2】濃度勾配を示す図。 Figure 2 illustrates the concentration gradient.
【図3】濃度勾配を示す図。 FIG. 3 shows a concentration gradient.
【図4】濃度勾配を示す図。 FIG. 4 shows a concentration gradient.
【図5】有機発光素子の構造を示す図。 5 is a diagram showing a structure of an organic light emitting device.
【図6】有機発光素子の構造を示す図。 6 shows a structure of an organic light emitting device.
【図7】有機発光素子の構造を示す図。 7 is a diagram showing a structure of an organic light emitting device.
【図8】有機発光素子の構造を示す図。 8 shows a structure of an organic light emitting device.
【図9】有機発光素子の構造を示す図。 9 is a diagram showing a structure of an organic light emitting device.
【図10】有機発光素子の構造を示す図。 10 is a view showing a structure of an organic light emitting device.
【図11】蒸着装置を示す図。 11 is a diagram showing a deposition apparatus.
【図12】発光装置の断面構造を示す図。 12 is a diagram showing a sectional structure of a light emitting device.
【図13】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。 13 is a diagram showing a top structure and a cross-sectional structure of the light emitting device.
【図14】発光装置の上面構造および断面構造を示す図。 14 illustrates a top structure and a cross-sectional structure of the light emitting device.
【図15】発光装置の構成を示す図。 It shows the structure of Figure 15 the light-emitting device.
【図16】発光装置の構成を示す図。 It shows the structure of Figure 16 the light-emitting device.
【図17】電気器具の具体例を示す図。 17 illustrates a specific example of the appliance.
【図18】電気器具の具体例を示す図。 FIG. 18 shows a specific example of the appliance.
【図19】エネルギーバンドダイアグラムを示す図。 FIG. 19 is a diagram showing the energy band diagram.
【図20】エネルギーバンドダイアグラムを示す図。 FIG. 20 is a diagram showing the energy band diagram.
【図21】有機化合物層の状態を表す図。 Figure 21 is a diagram representing the state of the organic compound layer.
【図22】蒸着装置を示す図。 FIG. 22 shows a vapor deposition apparatus.
【図23】不純物層の形成を示す図。 Figure 23 illustrates the formation of an impurity layer.
【図24】有機発光素子の構造を示す図。 FIG. 24 shows a structure of an organic light emitting device.
【図25】有機化合物層の状態を表す図。 Figure 25 is a diagram representing the state of the organic compound layer.
【図26】有機発光素子の構造を示す図。 26 shows a structure of an organic light emitting device.
【図27】有機発光素子の構造を示す図。 Figure 27 illustrates a structure of an organic light emitting device.
【図28】濃度プロファイルを示す図。 FIG. 28 is a diagram showing the concentration profile.
【図29】有機発光素子の構造を示す図。 Figure 29 illustrates a structure of an organic light emitting device.
【図30】有機発光素子の構造を示す図。 FIG. 30 shows a structure of an organic light emitting device.
【図31】蒸着装置を示す図。 FIG. 31 shows a vapor deposition apparatus.
【図32】蒸着装置を示す図。 Figure 32 illustrates a deposition apparatus.
【図33】有機発光素子の構造を示す図。 Figure 33 illustrates a structure of an organic light emitting device.
【図34】発光装置の断面構造を示す図。 Figure 34 illustrates a cross-sectional structure of the light emitting device.
【図35】発光装置の断面構造を示す図。 Figure 35 illustrates a cross-sectional structure of the light emitting device.
【図36】発光装置の構成を示す図。 Figure 36 is a diagram showing a configuration of a light emitting device.
【図37】発光装置の構成を示す図。 It shows the structure of Figure 37 the light-emitting device.

Claims (14)

  1. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおかつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混合領域が設けられ、前記混合領域内の中心のみに発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the cathode, the light-emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer includes a hole transporting region comprising a hole transporting material comprises an electron transporting region composed of an electron transporting material, a and the hole transport region is located on the anode side than the electron transporting region, yet, between the hole transporting region and the electron transporting region in the mixed region containing both the hole transporting material and the electron transporting material is provided, a light emitting region where the light emitting material is added is only exhibits an emission center of the mixing zone provided,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  2. 陽極と、陰極と、前記陽極に接して設けられた正孔注入領域と、前記正孔注入領域および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおかつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混合領域が設けられ、前記混合領域内の中心のみに発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, a hole injection region provided in contact with the anode, the hole injection region and the organic compound layer provided between the cathode and the light emitting device including an organic light-emitting element consisting of, the organic compound layer includes a hole transporting region comprising a hole transporting material includes an electron transporting region composed of an electron transporting material, a, and, positioned on the anode side of the hole transporting region is the electron transporting region and, yet, the between the hole transporting region and the electron transport region, the mixed region containing both the hole transporting material and the electron transporting material is provided, emits light only at the center of the mixing zone a light emitting region where the light emitting material is added is provided,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  3. 陽極と、陰極と、前記陰極に接して設けられた電子注入領域と、前記陽極および前記電子注入領域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおかつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混合領域が設けられ、前記混合領域内の中心のみに発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, and the electron injection region provided in contact with the cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the electron injection region, in the light-emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer comprises a hole transporting region composed of a hole transporting material, an electron transporting region composed of an electron transporting material, a and the hole transport region is located on the anode side of the electron transport region, yet, between the hole transporting region and the electron transport region, the mixed region containing both the hole transporting material and the electron transporting material is provided, the light emitting material emits light only at the center of the mixing zone a light emitting region provided but which is added,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  4. 陽極と、陰極と、前記陽極に接して設けられた正孔注入領域と、前記陰極に接して設けられた電子注入領域と、前記正孔注入領域および前記電子注入領域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域は前記電子輸送領域よりも前記陽極側に位置し、なおかつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の両方を含む混合領域が設けられ、前記混合領域内の中心のみに発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, a hole injection region provided in contact with the anode, and the electron injection region provided in contact with the cathode, is provided between the hole injection region and the electron injection region organic a compound layer, the light emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer comprises a hole transporting region composed of a hole transporting material, an electron transporting region composed of an electron transporting material, a and the positive hole transport region is located on the anode side than the electron transporting region, yet, the between the hole transporting region and the electron transport region, mixed region containing both the hole transporting material and the electron transporting material is provided, which a light-emitting region where the light emitting material is added emit light only at the center of the mixing zone,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  5. 請求項1乃至請求項のいずれか一に記載の発光装置において、前記陽極から前記陰極への方向に対し、前記混合領域内の前記正孔輸送材料の濃度は減少し、前記混合領域内の前記電子輸送材料の濃度は増加していることを特徴とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, to the direction from the anode to the cathode, the concentration of the hole transporting material in the mixed region is reduced, the mixing zone light emitting device and a concentration of the electron transporting material is increased.
  6. 陽極と、陰極と、前記陽極および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成されており、なおかつ、前記混合領域内の中心のみに、発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the cathode, the light-emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer includes a hole transporting region comprising a hole transporting material includes, an electron transporting region composed of an electron transporting material, and wherein between the hole transporting region and the electron transport region, the mixed region comprising the hole transporting material and the electron transporting material at a constant rate There are formed, yet, only the center of the mixing zone, provided a light emitting region where the light emitting material is added emit light,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  7. 陽極と、陰極と、前記陽極に接して設けられた正孔注入領域と、前記正孔注入領域および前記陰極の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成されており、なおかつ、前記混合領域内の中心のみに、発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, a hole injection region provided in contact with the anode, the hole injection region and the organic compound layer provided between the cathode and the light emitting device including an organic light-emitting element consisting of, the organic compound layer includes a hole transporting region comprising a hole transporting material includes an electron transporting region composed of an electron transporting material, a, and, between the hole transporting region and the electron transporting region, the positive hole transporting material and the and the electron transporting material are mixed region including the formation at a constant rate, yet, only the center of the mixing zone, provided a light emitting region where the light emitting material is added emit light,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  8. 陽極と、陰極と、前記陰極に接して設けられた電子注入領域と、前記陽極および前記電子注入領域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成されており、なおかつ、前記混合領域内の中心のみに、発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, and the electron injection region provided in contact with the cathode, and an organic compound layer provided between the anode and the electron injection region, in the light-emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer includes a hole transporting region comprising a hole transporting material includes an electron transporting region composed of an electron transporting material, a, and, between the hole transporting region and the electron transporting region, the hole transporting the material and the electron transporting material are mixed region formation including at a constant rate, yet, only the center of the mixing zone, provided a light emitting region where the light emitting material is added it emits light,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  9. 陽極と、陰極と、前記陽極に接して設けられた正孔注入領域と、前記陰極に接して設けられた電子注入領域と、前記正孔注入領域および前記電子注入領域の間に設けられた有機化合物層と、からなる有機発光素子を含む発光装置において、前記有機化合物層は、正孔輸送材料からなる正孔輸送領域と、電子輸送材料からなる電子輸送領域と、を含み、かつ、前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に、前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を一定の割合にて含む混合領域が形成されており、なおかつ、前記混合領域内の中心のみに、発光を呈する発光材料が添加された発光領域を設け An anode, a cathode, a hole injection region provided in contact with the anode, and the electron injection region provided in contact with the cathode, is provided between the hole injection region and the electron injection region organic a compound layer, the light emitting device including an organic light emitting element composed of the organic compound layer comprises a hole transporting region composed of a hole transporting material, an electron transporting region composed of an electron transporting material, a and the positive between the hole transporting region and the electron transporting region, the hole-transporting material and the mixed region including the electron transporting material at a constant rate are formed, yet, only the center of the mixing zone, the light emitting a light emitting region where the light emitting material is added exhibiting provided,
    前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料に比べて最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域内の一部に添加されており、かつ、前記発光領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。 The hole transport material and the blocking material energy difference is large between the highest occupied molecular orbital and the lowest unoccupied molecular orbital than the electron transporting material, are added to a portion of the mixing zone, and the light emitting region, the light emitting device characterized by than the region where the blocking material is added is located on the anode side.
  10. 請求項1乃至請求項のいずれか一項に記載の発光装置において、前記混合領域内に関し、前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料との合計質量に対する前記正孔輸送材料の質量の百分率は、10パーセント以上90パーセント以下であることを特徴とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 9, relates to the mixing area, the percentage of the mass of the hole transporting material and hole transporting material to the total mass of the electron transport material the light emitting device which is characterized in that at most 90% or more 10 percent.
  11. 請求項1乃至請求項10のいずれか一項に記載の発光装置において、前記混合領域は、10ナノメートル以上、100ナノメートル以下の厚さであることを特徴とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 10, wherein the mixed region 10 nm or more, light emitting device which is a thickness of less than 100 nanometers.
  12. 請求項1乃至請求項11のいずれか一に記載の発光装置において、前記発光材料は、三重項励起状態からの発光を呈することを特徴とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 11, wherein the luminescent material, light emitting device, characterized in that exhibits light emission from a triplet excited state.
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれか一に記載の発光装置において、前記発光材料は、イリジウムを中心金属とする錯体であることを特徴とする発光装置。 The light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein the light emitting material, the light emitting device, characterized in that the complex, of which central metal is iridium.
  14. 請求項1乃至請求項13のいずれか一項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。 Appliance, characterized in that the light-emitting device according to any one of claims 1 to 13.
JP2001399072A 2000-12-28 2001-12-28 A light-emitting device and appliances Expired - Fee Related JP4076769B2 (en)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000400953 2000-12-28
JP2000-400953 2000-12-28
JP2001020817 2001-01-29
JP2001-32406 2001-02-08
JP2001-20817 2001-02-08
JP2001032406 2001-02-08
JP2001399072A JP4076769B2 (en) 2000-12-28 2001-12-28 A light-emitting device and appliances

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001399072A JP4076769B2 (en) 2000-12-28 2001-12-28 A light-emitting device and appliances

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2002313583A JP2002313583A (en) 2002-10-25
JP2002313583A5 JP2002313583A5 (en) 2005-08-04
JP4076769B2 true JP4076769B2 (en) 2008-04-16

Family

ID=27481945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001399072A Expired - Fee Related JP4076769B2 (en) 2000-12-28 2001-12-28 A light-emitting device and appliances

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4076769B2 (en)

Families Citing this family (74)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4722884B2 (en) * 2000-12-28 2011-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 The light-emitting device
SG2009086778A (en) * 2000-12-28 2016-11-29 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Luminescent device
US6982179B2 (en) * 2002-11-15 2006-01-03 University Display Corporation Structure and method of fabricating organic devices
JPWO2004057926A1 (en) * 2002-12-19 2006-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 A light emitting device using an organic light emitting device, an organic light emitting device, and electric equipment using said light emitting device
TWI265750B (en) * 2003-02-27 2006-11-01 Toyota Jidoshokki Kk Organic electro-luminescence devices
US7839075B2 (en) * 2003-07-23 2010-11-23 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, illuminator and display
KR20050015902A (en) 2003-08-14 2005-02-21 엘지전자 주식회사 Organic electroluminescence device and fabrication method of the same
JP4123106B2 (en) 2003-08-22 2008-07-23 ソニー株式会社 Organic el element
WO2005029923A1 (en) 2003-09-24 2005-03-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Electroluminescent device
KR20130062367A (en) * 2003-09-26 2013-06-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 Light emitting device
JP4476594B2 (en) 2003-10-17 2010-06-09 ローム株式会社 The organic electroluminescent element
JP2005158715A (en) * 2003-10-27 2005-06-16 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting element, light-emitting device using it, and electric apparatus using the device
US7898168B2 (en) * 2003-10-27 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic electroluminescent device having light-emitting layer with guest dopant
JP4823566B2 (en) * 2004-05-21 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 Emitting element, a display device and a television receiver
JP4737086B2 (en) * 2004-05-31 2011-07-27 株式会社豊田自動織機 Organic el element
KR100587304B1 (en) * 2004-06-03 2006-06-08 엘지전자 주식회사 Organic electroluminescence device and fabrication method of the same
JP4697577B2 (en) * 2004-08-24 2011-06-08 富士電機ホールディングス株式会社 Organic el element
US7803468B2 (en) 2004-09-29 2010-09-28 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
JP4362461B2 (en) 2004-11-05 2009-11-11 三星モバイルディスプレイ株式會社 The organic electroluminescent device
US7754346B2 (en) 2004-11-10 2010-07-13 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent device
KR100669790B1 (en) 2004-11-27 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 Organic electroluminescence display
JP4496948B2 (en) * 2004-12-13 2010-07-07 株式会社豊田自動織機 Organic el element
JP2006173050A (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Nippon Seiki Co Ltd Organic el element
JP4989881B2 (en) 2004-12-28 2012-08-01 富士フイルム株式会社 The organic electroluminescent device
JP5121162B2 (en) * 2005-04-22 2013-01-16 株式会社半導体エネルギー研究所 Semiconductor devices, light emitting devices and electrical equipment
US7560735B2 (en) 2005-04-22 2009-07-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor element, organic transistor, light-emitting device, and electronic device
JP2006324537A (en) * 2005-05-20 2006-11-30 Hitachi Displays Ltd Display device
JP5132092B2 (en) * 2005-06-30 2013-01-30 株式会社半導体エネルギー研究所 Method of manufacturing a light emitting element
US7745989B2 (en) 2005-06-30 2010-06-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Light emitting element, light emitting device, and electronic apparatus
KR100672535B1 (en) 2005-07-25 2007-01-24 엘지전자 주식회사 Organic electroluminescence device and method for fabricating the same
KR100806812B1 (en) 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic Electroluminescence Device and method for fabricating the same
KR20070081623A (en) * 2006-02-13 2007-08-17 삼성에스디아이 주식회사 An organic light emitting device
JP2007257897A (en) * 2006-03-20 2007-10-04 Seiko Epson Corp Manufacturing methods for light-emitting element, light-emitting device and electronic apparatus
JP2007294901A (en) 2006-03-31 2007-11-08 Canon Inc Organic luminous device
EP2053672A1 (en) 2006-08-04 2009-04-29 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescence device
JP4915652B2 (en) * 2006-08-25 2012-04-11 パナソニック株式会社 The organic electroluminescence element
JP4915651B2 (en) * 2006-08-25 2012-04-11 パナソニック株式会社 The organic electroluminescence element
JP4915650B2 (en) * 2006-08-25 2012-04-11 パナソニック株式会社 The organic electroluminescence element
JP5149497B2 (en) * 2006-08-28 2013-02-20 パナソニック株式会社 Organic light-emitting element
JP4950632B2 (en) * 2006-11-17 2012-06-13 パナソニック株式会社 The organic electroluminescence element
JP5102533B2 (en) * 2007-04-24 2012-12-19 パナソニック株式会社 Organic light-emitting element
US8242488B2 (en) * 2007-05-30 2012-08-14 Konica Minolta Holdings, Inc. Organic electroluminescent element, display device, and illuminating device
JP5130001B2 (en) 2007-07-27 2013-01-30 富士フイルム株式会社 The organic electroluminescent device
JP2009032989A (en) 2007-07-27 2009-02-12 Fujifilm Corp Organic electroluminescent element
JP2009055010A (en) * 2007-07-27 2009-03-12 Fujifilm Corp The organic electroluminescent device
JP2009032987A (en) * 2007-07-27 2009-02-12 Fujifilm Corp Organic electroluminescent element
JP5255794B2 (en) 2007-07-27 2013-08-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド The organic electroluminescent device
JP2009032990A (en) 2007-07-27 2009-02-12 Fujifilm Corp Organic electroluminescent element
JP5497259B2 (en) 2007-07-27 2014-05-21 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド The organic electroluminescent device
DE102007058005B4 (en) * 2007-09-25 2018-05-17 Osram Oled Gmbh Radiation-emitting device and process for their preparation
EP2091097A3 (en) * 2008-02-13 2013-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP5008584B2 (en) * 2008-02-15 2012-08-22 富士フイルム株式会社 The organic electroluminescent element and a display device
JP2009211892A (en) 2008-03-03 2009-09-17 Fujifilm Corp Organic electroluminescent element
DE102008039361A1 (en) 2008-05-30 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh An electronic device
JP2012504847A (en) * 2008-10-01 2012-02-23 エルジー・ケム・リミテッド The organic light emitting device and manufacturing method thereof
JP5229026B2 (en) * 2009-03-16 2013-07-03 セイコーエプソン株式会社 Emitting element, a light-emitting device, display device and electronic apparatus
JP2009259852A (en) * 2009-08-12 2009-11-05 Idemitsu Kosan Co Ltd Organic electroluminescent light emitting element
JPWO2011040238A1 (en) * 2009-09-30 2013-02-28 凸版印刷株式会社 Method of manufacturing an organic electroluminescent element and a display device and an organic electroluminescence device using the same
US20120199837A1 (en) * 2009-10-06 2012-08-09 Sharp Kabushiki Kaisha Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device
JP4926229B2 (en) * 2009-11-11 2012-05-09 ローム株式会社 The organic electroluminescent element
JP5573127B2 (en) 2009-11-27 2014-08-20 セイコーエプソン株式会社 Emitting element, display device and electronic apparatus
JPWO2011102249A1 (en) 2010-02-17 2013-06-17 コニカミノルタ株式会社 Manufacturing method and an organic electronic device of the organic electronic device
DE102010010481A1 (en) 2010-03-06 2011-09-08 Merck Patent Gmbh The organic electroluminescent
JP2012038523A (en) * 2010-08-05 2012-02-23 Seiko Epson Corp Light-emitting element, light-emitting device, display device and electronic device
WO2012111680A1 (en) * 2011-02-16 2012-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting body, light-emitting layer, and light-emitting device
JP2012186257A (en) 2011-03-04 2012-09-27 Seiko Epson Corp Light-emitting element, light-emitting device, display device, and electronic apparatus
JP5672077B2 (en) 2011-03-04 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 Emitting element, a light-emitting device, display device and electronic apparatus
US9273079B2 (en) 2011-06-29 2016-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organometallic complex, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR101927943B1 (en) * 2011-12-02 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting diode comprising multi-layered hole transporting layer, and flat display device including the same
KR101927941B1 (en) * 2011-12-19 2018-12-12 삼성디스플레이 주식회사 Organic light-emitting diode comprising multi-layered hole transporting layer, and flat display device including the same
KR101878328B1 (en) * 2011-12-22 2018-07-16 엘지디스플레이 주식회사 Organic electroluminescent Device
US9508949B2 (en) * 2012-07-18 2016-11-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting device
US9741946B2 (en) 2012-12-20 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element containing organic iridium exhibits blue-green to blue light emission
JP2015012105A (en) * 2013-06-28 2015-01-19 日立化成株式会社 Organic light-emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
JP2002313583A (en) 2002-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3057152B1 (en) Oleds having inorganic material containing anode capping layer
EP1578172B1 (en) Organic light emitting element
CN100576600C (en) Organic electroluminescence device and method for fabricating the same
US8815419B2 (en) Light emitting device and electronic appliance using the same
JP4493915B2 (en) High-efficiency multi-colored electric field phosphorescent oled
US8629429B2 (en) Electrode device for organic device and electronic device having the same
KR101395590B1 (en) Light emitting device and electronic device
CN1795569B (en) Organic light emitting devices utilizing binuclear metal-compounds as emissive material
JP4072545B2 (en) The organic electroluminescent device
CN1965613B (en) Light emitting element and light emitting device using the same
US5834894A (en) Carrier injection type organic electro-luminescent device which emits light in response to an application of a voltage
KR101234469B1 (en) Intermediate electrodes for stacked OLEDs
JP3852509B2 (en) Electroluminescent device and a manufacturing method thereof
JP5147575B2 (en) The method for manufacturing a film forming apparatus and light emitting device
US9812663B2 (en) Electroluminescent element and light-emitting device
JP5328402B2 (en) Having a mixed layer structure phosphorescentdoped is very stable and efficient organic light emitting devices
US6765348B2 (en) Electroluminescent devices containing thermal protective layers
US20020113545A1 (en) Highly efficient oleds using doped ambipolar conductive molecular organic thin films
US20020034659A1 (en) Light emitting device
US9570697B2 (en) Light-emitting element
KR101253998B1 (en) Light emitting element, light emitting device, and electronic device
US20020180349A1 (en) Display devices with organic-metal mixed layer
US9711745B2 (en) Light emitting element and light emitting device
KR100975780B1 (en) Electroluminescence element and a light emitting device using the same
US7964864B2 (en) Light-emitting element and light-emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20041227

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20041227

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070628

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071002

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071114

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080129

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080130

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110208

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120208

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130208

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees