JP4074714B2 - Array-type light modulation element and a driving method of a flat display - Google Patents

Array-type light modulation element and a driving method of a flat display Download PDF

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Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、マイクロマシニングにより作製され、電気機械動作により光の透過率を変化させるアレイ型光変調素子、及び該アレイ型光変調素子を用いた平面ディスプレイの駆動方法に関し、特に、アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの応答速度を向上させる技術に関する。 The present invention is made by micromachining, the array-type light modulation element for changing the transmittance of light by the electric machine operation, and to a driving method of a flat display using the array-type light modulation element, in particular, an array-type light modulation a technique for improving the response speed of the device and a plane display.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
マイクロマシニングにより作製された可撓薄膜を、静電気力により機械的動作させることで光変調を行う電気機械的な光変調素子が知られている。 The flexible thin film fabricated by micromachining, electro-mechanical optical modulation element for light modulation is known to be mechanically operated by an electrostatic force. この光変調素子としては、例えば、透明な電極とダイヤフラムからなる可撓薄膜を、支持部を介して導光板上の固定電極に架設したものがある。 As the light modulation element, for example, a flexible thin film made of a transparent electrode and the diaphragm, there is obtained by bridging the fixed electrode on the light guide plate via the supporting portion.
この光変調素子では、両電極間に所定の電圧を印加することで電極間に静電気力を発生させ、可撓薄膜を固定電極に向かって撓ませる。 In the light modulation element generates an electrostatic force between the electrodes by applying a predetermined voltage between both electrodes, to deflect toward the flexible thin film on the fixed electrode. これに伴って素子自体の光学的特性が変化して、光変調素子に光が透過する。 After changing the optical properties of the element itself Accordingly, the light passes through the light modulation element. 一方、印加電圧をゼロにすることで可撓薄膜が弾性復帰し、光変調素子は光を遮光する。 On the other hand, the flexible thin film by the applied voltage to zero elastically restored, the light modulation element shields light. このようにして光変調が行なわれる。 In this way, the light modulation is performed.
【0003】 [0003]
ところで、可撓薄膜を静電気力によって変形させたり弾性復帰させる場合、印加電圧Vgsと可撓薄膜の変位の関係はヒステリシス特性を示す。 Incidentally, in the case of a thin flexible film elastically restored or deformed by electrostatic force, relationship between the displacement between the applied voltage Vgs flexible thin film exhibits a hysteresis characteristic. 従って、印加電圧Vgsと光透過率Tとの関係も図17に示すようにヒステリシス特性を示すことになる。 Therefore, the relationship between the applied voltage Vgs and light transmission T also will exhibit a hysteresis characteristic as shown in FIG. 17.
このヒステリシス特性によれば、光変調要素がOFF(光遮蔽)状態の状態では、VgsがVth(L)以下ではOFF状態を維持し、VgsがVth(H)以上になるとON状態を維持する。 According to this hysteresis characteristic, the optical modulation element is OFF (light-shielding) state condition, Vgs is kept OFF state below Vth (L), Vgs is kept ON state becomes more than Vth (H). そして、光変調要素は、VgsがVth(H)以上ではON状態を維持したままとなり、Vs(L)以下となるとOFF状態に飽和する。 Then, the light modulation element, Vgs becomes while maintaining the ON state in the Vth (H) above, saturates OFF state when the Vs (L) or less. 尚、Vgsの極性が負の場合は、正極性の縦軸対称の特性となる。 Note that when the polarity of Vgs is negative, the characteristic of the positive polarity vertical axis symmetry.
【0004】 [0004]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
前記ヒステリシス特性に基づいて、可撓薄膜に静電気応力が生じていない平衡状態(OFF状態)から印加電圧VgsとしてVs(H)を加え、その後、可撓薄膜が十分に変形してからVgsをゼロとしたときの透過光の応答特性を図18に示した。 Based on the hysteresis characteristic, Vs and (H) was added as the applied voltage Vgs from equilibrium static stress is not generated in the flexible thin film (OFF state), then zero Vgs from flexible thin film is sufficiently deformed the response characteristics of the transmitted light when a shown in FIG. 18.
【0005】 [0005]
図18によれば、電圧印加による立ち上がり時間τrは、静電気力(引力)のため変位応答が速く、これによる光学応答も速い。 According to FIG 18, the rise time τr by the voltage applied, fast displacement response for electrostatic force (attraction), faster optical response by this. さらに、印加電圧Vgsを高くすることで応答時間を短縮することが可能である。 Furthermore, it is possible to shorten the response time by increasing the applied voltage Vgs.
一方、立ち下がり時間τfは、可撓薄膜の材質や形状等により決定される弾性復帰時間であり、一般に立ち上がり時間τrより遅くなる。 On the other hand, fall time τf is an elastic return time which is determined by the material and the shape of the flexible film is later than the general rise time .tau.r. また、印加電圧による制御は当然ながら不可能である。 Further, control by the applied voltage is not possible of course.
【0006】 [0006]
このため、光変調素子を2次元マトリクスで駆動する場合、光変調画素に入力する画像信号を書き込むための走査時間τは、遅い方の応答時間に律速されてしまう。 Therefore, when driving the light modulation element in a two-dimensional matrix, the scan time τ for writing an image signal to be input to the light modulation pixel, will be limited by the slower response time of the. 上記例では、走査時間τは立ち下がり時間τfとなる。 In the above example, scanning time τ becomes fall time .tau.f. このように走査時間が遅くなると、マトリクスの行数を多くすることができず、また、時分割により階調を得る駆動方法においては、階調数を多くすることができないといった問題を生じることになる。 Thus scanning time becomes slow in can not increase the number of rows matrix, also in the driving method of obtaining a tone by time division, to cause problems such as inability to increase the number of gradations Become.
【0007】 [0007]
さらに、このようなヒステリシス特性を示すものでは、書き込みを行う前の可撓薄膜の状態に次の動作が影響を受けるため、再現良く正確に書き込み動作をさせるためには、書き込み動作の前にリセット動作、即ち、一旦平衡状態(OFF状態)にして、その後に所望の透過率となるように書き込み動作を行うことが望ましい。 Further, reset shows such a hysteresis characteristic, for receiving the next operation affects the state of the flexible thin film before performing the writing, in order to reproducibly and accurately write operation, prior to the write operation operation, i.e., once in the equilibrium state (OFF state), it is desirable to perform a write operation to subsequently become desired transmittance. しかし、単純に書き込み動作の前にリセット動作を行うと、1行当たりの走査時間がさらに長くなり、上記問題を助長することになる。 However, simply performing a reset operation before a write operation, so that the scanning time per one line becomes longer, it promotes the above problems.
【0008】 [0008]
そこで、光変調素子の可撓部分の剛性を高めることで高速応答性を得ることが考えられるが、その反面、駆動電圧が増大するために駆動回路の負担が大きくなり、低コスト・小型化を妨げる要因となり得る。 Therefore, it is conceivable to obtain a high-speed response by increasing the rigidity of the flexible portion of the light modulation element, on the other hand, the burden of the drive circuit for driving voltage increases increases, the cost and downsizing It can be a factor that prevents.
【0009】 [0009]
本発明は、このような従来の問題に鑑みてなされたもので、電気機械的光変調素子が復帰に長い時間を要する応答時間の長いものであっても、画質を低下させることなく復帰時間によるロスを防止して実質的な応答時間を飛躍的に向上させることができるアレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法を提供することを目的としている。 The present invention has been made in view of such conventional problems, even electromechanical light modulation element is not more long response time takes a long time to return, loss due to return time without reducing image quality and its object is to provide a driving method of an array-type light modulation element, and flat display, which can dramatically improve a substantial response time to prevent.
【0010】 [0010]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記目的を達成するため、請求項1に記載のアレイ型光変調素子の駆動方法は、 To achieve the above object, a driving method of an array-type light modulation element according to claim 1,
静電気力による可撓部の変位動作と、該可撓部の弾性復帰動作により光変調を行う電気機械的な光変調素子を2次元のマトリクス状に配列したアレイ型光変調素子において、前記光変調素子の復帰動作を行うリセット走査を、リセットされる走査ライン以外の走査ラインに対して、前記素子の変位動作又は状態維持の選択を行う書き込み走査と同時に行い、各走査ラインの書き込み走査を間断なく行い駆動することを特徴とする。 A displacement operation of the flexible portion by electrostatic force, the array-type light modulation element having an array of electromechanical light modulation device for performing optical modulation in a two-dimensional matrix shape by elastic restoring operation of the movable flexure, the light modulating the reset scan for performing recovery operation of the device, the scanning lines other than the scan line to be reset, performed simultaneously with the writing scanning for selecting the displacement motion or state maintenance of the device, without interruption of the writing scanning for each scan line characterized in that it performs driving.
【0011】 [0011]
このアレイ型光変調素子の駆動方法では、光変調素子のリセット走査を、リセットされる走査ライン以外の走査ラインに対する書き込み走査期間と同時に行い駆動するため、各走査ラインの書き込み走査は、長い弾性復帰時間を要する光変調素子であっても時間をロスすることなく行うことができ、アレイ型光変調素子の応答時間を飛躍的に向上させることができる。 In the driving method of the array-type light modulation element, the reset scan of the light modulation element, for simultaneously performs driving with the write scan period with respect to the scanning lines other than the scan line to be reset, the write scanning of each scan line, a long elastic return an optical modulation element requires time can be done without also loss of time, the response time of the array-type light modulation element can be remarkably improved.
【0012】 [0012]
請求項2記載のアレイ型光変調素子の駆動方法は、前記リセット走査時間を前記書き込み走査時間の整数倍に設定することを特徴とする。 The driving method of an array-type light modulation element as claimed in claim 2, and sets the reset scan time to an integer multiple of the write scan time.
【0013】 [0013]
このアレイ型光変調素子の駆動方法では、リセット走査時間を書き込み走査時間の整数倍に設定することにより、設計の自由度を損なうことなく、単純な設計変更によりリセット走査時間を延長することができ、より長い弾性復帰時間を要する素子であっても、応答速度を低下させることなく駆動することができる。 In the driving method of the array-type light modulation element, by setting the reset scan time to an integer multiple of the write scan time, it can extend the reset scan time by not a simple design change impairing the degree of freedom in design , be an element that requires a longer elastic return time, it can be driven without lowering the response speed.
【0014】 [0014]
請求項3に記載の光変調素子の駆動方法は、前記リセット走査の駆動時間を前記可撓部の弾性復帰時間以上に設定することを特徴とする。 The driving method of the light modulation element according to claim 3, and sets the driving time of the reset scan over the elastic return time of said flexible portion.
【0015】 [0015]
この光変調素子の駆動方法では、リセット動作が光変調素子の可撓部の弾性復帰動作であって、可撓部の弾性復帰時間以上にリセット駆動時間を設定することにより、書き込み動作の開始タイミングが弾性復帰途中になることはなく、確実に弾性復帰を保証した駆動方法とすることができる。 In the driving method for an optical modulation element, an elastic return action of the flexible portion of the reset operation the light modulation element, by setting the reset driving time than the elastic return time of the flexible portion, the start timing of a write operation There not become the middle elastic return may be a driving method that guarantees a reliable elastic return. また、リセット駆動時間を弾性復帰時間に近づけることで素子の書き込み動作をリセット直後に行うことができ、効率良く素子を駆動させることができる。 Further, it is possible to perform immediately after resetting the write operation of the device by bringing the reset driving time to the elastic return time, it can be driven efficiently element.
【0016】 [0016]
請求項4に記載の光変調素子の駆動方法は、前記光変調素子の弾性復帰動作が、復帰後に遮光状態となる動作であることを特徴とする。 The driving method of the light modulation element according to claim 4, the elastic return action of the light modulation element, characterized in that an operation of the light shielding state after return.
【0017】 [0017]
この光変調素子の駆動方法では、光変調素子のリセット動作である弾性復帰動作の完了後に遮光状態となるため、リセット動作を行う際、画像として“黒"を出力するときは遮光されたままとなり、“白"を出力するときはリセット期間だけ出力が減少するが殆ど問題となることはない。 In the driving method of the light modulation element, for after completion of the elastic restoring operation is a reset operation of the light modulation element comprising the light blocking state, when the reset operation is performed, when outputting the "black" as the image will remain protected from light , but output only the reset period is reduced does not become a little problem when outputting a "white". 逆に、リセット動作を光透過状態とした場合、画像として“黒"を出力するときに、リセット動作による光透過が発生し、コントラストが著しく低下することになる。 Conversely, when the reset operation and the light transmitting state, when the output "black" as the image, the light transmission is generated by the reset operation, so that the contrast is significantly lowered. 従って、このようなコントラストの低下を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent such a decrease in contrast.
【0018】 [0018]
請求項5に記載の平面ディスプレイの駆動方法は、前記アレイ型光変調素子と、該アレイ型光変調素子に対向配置した平面光源と、アレイ型光変調素子を挟み前記平面光源の反対側に配設した蛍光体と、を備え、前記アレイ型光変調素子を請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の駆動方法により駆動して、前記アレイ型光変調素子から出射される光によって蛍光体を発光表示させることを特徴とする。 Driving method of a flat display according to claim 5, distribution and the array-type light modulation element, a flat light source that is disposed opposite to the array-type light modulation element, on the opposite side of the plane light source sandwiching array-type light modulation element includes a phosphor that set, and the array type optical modulator is driven by the driving method according to claim 1, wherein any one of claims 4, fluorescence by light emitted from the array-type light modulation element wherein the light emission displays the body.
【0019】 [0019]
この平面ディスプレイの駆動方法では、素子の書き込み動作の前にリセット動作を完了させて応答時間の高速化を図った電気機械的なアレイ型光変調素子を用い、アレイ型光変調素子を通過した光源光により蛍光体を発光表示させる構成としているので、平面ディスプレイを高速に駆動することが可能になる。 In the flat display driving method, using the electromechanical array-type light modulation element which attained faster response time to complete the reset operation before the write operation of the device, the light source passing through the array-type light modulation element since the configuration in which the light-emitting display phosphor by light, it is possible to drive the flat display at high speed.
【0020】 [0020]
請求項6に記載の平面ディスプレイの駆動方法は、前記平面光源は、前記蛍光体を励起させる紫外線出射光源であることを特徴とする。 Driving method of a flat display according to claim 6, wherein the plane light source, wherein said an ultraviolet emitting light source for exciting the phosphor.
【0021】 [0021]
この平面ディスプレイの駆動方法では、平面光源からの出射紫外線光を光変調素子で透過、遮光して蛍光体を発光励起させることができる。 In the flat display driving method, transmitting the outgoing ultraviolet light from the planar light source by the optical modulation element, it is possible to the light shielding to the phosphor emission excited.
【0022】 [0022]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the drawings. 図1に本発明の第1実施形態に係る光変調素子の構成を示す。 It shows the construction of an optical modulation device according to a first embodiment of the present invention in FIG.
【0023】 [0023]
可撓薄膜を電気機械動作させて光変調させる動作原理としては、可撓薄膜と透明な信号電極とを離反又は接触させることによる導光拡散作用(以下、導光拡散と称する。)を利用することができる。 The flexible thin layer by the electric machine operates as the operation principle of light modulation, light diffusion action by of separating or contacting the flexible thin film and a transparent signal electrode (hereinafter, referred to as light diffusion.) Utilizing be able to. 導光拡散では、空隙を光の透過抵抗として、空隙が形成されている際には、信号電極からの出射光を遮断若しくは減衰させる一方、可撓薄膜を信号電極に接触させた時のみに、信号電極からの出射光を可撓薄膜へ導光(モード結合)させ、その光を可撓薄膜において拡散させることで、可撓薄膜からの出射光の強度を制御する(光変調する)。 The light diffusion, as permeation resistance of light voids, when the air gap is formed, while to block or attenuate the light emitted from the signal electrodes, only when contacting the flexible film to the signal electrode, the light emitted from the signal electrode is light to the thin flexible film (mode coupling), by spreading the thin flexible film to the light, to control the intensity of the light emitted from the thin flexible film (light modulation).
【0024】 [0024]
図1に示すように、導光板1上には、紫外線に対して透明な一方の電極(信号電極)2を形成してある。 As shown in FIG. 1, on the light guide plate 1, it is formed a transparent one of the electrodes (signal electrodes) 2 to ultraviolet light. この例としては、電子密度の高いITOなどの金属酸化物、非常に薄い金属薄膜(アルミ等)、金属微粒子を透明絶縁体に分散した薄膜、又は高濃度ドープしたワイドハンドギャップ半導体などが好適である。 Examples include metal oxides, such as high electron density ITO, a very thin metal film (aluminum, etc.), thin film obtained by dispersing metal fine particles in a transparent insulator, or the like high-concentration doped wide-bandgap semiconductor is preferred is there.
【0025】 [0025]
電極2の上には、絶縁性の支持部3を形成してある。 On the electrode 2 is formed a support portion 3 of the insulation. 支持部3には、例えばシリコン酸化物、シリコン窒化物、セラミック、樹脂などを用いることができる。 The supporting portion 3, for example, silicon oxide, silicon nitride, can be used ceramics, resins and the like. 支持部3の上端面には、ダイヤフラム4を形成してある。 The upper end face of the support portion 3 is formed with the diaphragm 4. 電極2とダイヤフラム4との間には、空隙(キャビティ)5が形成されている。 Between the electrode 2 and the diaphragm 4, the gap (cavity) 5 is formed. このダイヤフラム4には、ポリシリコンなどの半導体、絶縁性のシリコン酸化物、シリコン窒化物、セラミック、樹脂などを用いることができる。 The diaphragm 4, a semiconductor such as polysilicon, insulating silicon oxide, silicon nitride, can be used ceramics, resins and the like. また、ダイヤフラム4の屈折率は、導光板1の屈折率と同等かそれ以上が好ましい。 The refractive index of the diaphragm 4, the refractive index of the light guide plate 1 is equal to or higher are preferred.
【0026】 [0026]
ダイヤフラム4の上には、光拡散層6、例えば、無機、有機透明材料の表面に凹凸を形成したもの、マイクロプリズム、マイクロレンズを形成したものや、無機、有機多孔質材料、又は屈折率の異なる微粒子を透明基材に分散したものなどを形成してある。 On the diaphragm 4, the light diffusing layer 6, for example, inorganic, obtained by forming irregularities on the surface of the organic transparent material, micro-prisms, and that form a micro-lens, inorganic, organic porous material, or the refractive index It is formed and which is dispersed fine particles having different transparent substrate.
【0027】 [0027]
光拡散層6の上には、紫外線に対して透明な他方の電極(走査電極)7を形成してある。 On the light diffusing layer 6, it is formed with transparent second electrode (scanning electrode) 7 to ultraviolet radiation. 例として電極2と同様の材料のものを用いることができる。 It can be the same material as the electrode 2 as an example. ダイヤフラム4、光拡散層6、電極7は、可撓部としての可撓薄膜8を構成している。 Diaphragm 4, the light diffusing layer 6, electrode 7 constitute a flexible thin film 8 as a flexible portion.
【0028】 [0028]
導光板1とダイヤフラム4との間には空隙5が存在するが、この空隙5は支持部3の高さで略決定される。 Between the light guide plate 1 and the diaphragm 4 there is a gap 5, but the gap 5 is substantially determined by the height of the support 3. 空隙5の高さは、例えば、0.1μmから10μm程度が好ましい。 The height of the gap 5, for example, is preferably about 10μm from 0.1 [mu] m. この空隙5は、通常、犠牲層のエッチングにより形成される。 The void 5 is usually formed by etching of the sacrificial layer.
【0029】 [0029]
また、上述の構成例の他に、ダイヤフラム4と光拡散層6とを同一の材料で構成しても良い。 In addition to the configuration example described above, may be configured with the diaphragm 4 and the light diffusing layer 6 of the same material. 例えば、窒化シリコン膜でダイヤフラム4を構成し、上面側の表面に凹凸を形成することによって、拡散機能を持たせることができる。 For example, to configure the diaphragm 4 in the silicon nitride film, by forming irregularities on the surface of the upper surface can have a diffusing function.
【0030】 [0030]
次に、このように構成した光変調素子10の動作原理を説明する。 Next, the operation principle of the optical modulator 10 having such a configuration.
電圧OFF時、両電極2、7の電圧がゼロで、ダイヤフラム4と導光板1との間に空隙5(例:空気)が存在する場合、 When the voltage OFF, voltage of both electrodes 2 and 7 is zero, the gap 5 between the diaphragm 4 and the light guide plate 1: If (eg air) is present,
導光板1の屈折率をnwとすると、空気との界面における全反射臨界角θcは、 The refractive index of the light guide plate 1 When nw, total reflection critical angle θc at the interface with the air,
θc=sin -1 (nw) θc = sin -1 (nw)
となる。 To become. 従って、紫外線は、界面への入射角θが、θ>θcのとき、図1(a)に示すように、導光板1内を全反射しながら進む。 Accordingly, ultraviolet rays, the angle of incidence on the interface theta is, when theta> .theta.c, as shown in FIG. 1 (a), proceeds while being totally reflected in the light guide plate 1.
【0031】 [0031]
電圧ON時、両電極2、7に電圧を印加し、ダイヤフラム4と導光板1表面とを接触又は十分な距離に近づけた場合、図1(b)に示すように、紫外線は、ダイヤフラム4側に伝搬透過し、更に光拡散層6により拡散されて表面側に出射する。 When a voltage ON, a voltage is applied to both electrodes 2 and 7, when brought close to the diaphragm 4 and the light guide plate 1 surface contact or a sufficient distance, as shown in FIG. 1 (b), ultraviolet light, the diaphragm 4 side the propagation and transmission, further emitted to the surface side is diffused by the light diffusing layer 6.
【0032】 [0032]
この実施形態による光変調素子10によれば、電圧印加によるダイヤフラム4の位置制御により、光変調を行うことができる。 According of this embodiment to the light modulation element 10, the position control of the diaphragm 4 by the voltage application, it is possible to perform optical modulation.
尚、導光板1とダイヤフラム4の間には紫外線に対して透明な電極2が存在するが、通常使用される薄膜の厚さ(2000A)程度であれば、上述の動作上問題の生ずることはない。 Note that between the light guide plate 1 and the diaphragm 4 there is a transparent electrode 2 with respect to UV, but would normally about the thickness of the thin film to be used (2000A), to result of the above-described operational problems Absent.
【0033】 [0033]
本実施形態では、図2に示すように上記光変調素子10がn行m列の2次元状に配列される。 In the present embodiment, the light modulator 10 as shown in FIG. 2 are arranged in two dimensions of n rows and m columns. 即ち、マトリクスの各交点Tr(1,1)、Tr(1,2)、Tr(2,1)、Tr(2,2)には光変調素子10がそれぞれ配置され、アレイ型光変調素子50を構成する。 That is, the intersections Tr of the matrix (1,1), Tr (1,2), Tr (2,1), the optical modulator 10 is arranged to Tr (2, 2), the array-type light modulation element 50 constitute a.
各光変調素子10は、一画素の領域に対応させてある。 The light modulation elements 10 are made to correspond to the area of ​​one pixel. 尚、ここではマトリクスの一部である二行二列のマトリクスに着目して説明することにする。 Here, it will be described with focusing on a matrix of two rows two columns which are part of the matrix.
尚、このアレイ型光変調素子50は、単純マトリクス駆動により動作する。 Incidentally, the array-type light modulation element 50 is operated by a simple matrix drive.
【0034】 [0034]
同じ行に配列された光変調素子10のそれぞれの電極は、共通に接続して走査電極としてある。 Each of the electrodes of the optical modulator 10 arranged in the same row is the scanning electrodes are connected in common. この走査電極には電位Vgが印加される。 This scanning electrode potential Vg is applied. また、同じ行に配列された光変調素子10のそれぞれの電極は、共通に接続して信号電極としてある。 Further, each of the electrodes of the optical modulator 10 arranged in the same row is the signal electrodes connected in common. この信号電極には電位Vbが印加される。 This is the signal electrode potential Vb is applied. 従って、各光変調素子10に印加される電極間電圧Vgsは、(Vb−Vg)となる。 Accordingly, the inter-electrode voltage Vgs applied to the optical modulator 10 becomes (Vb-Vg).
【0035】 [0035]
アレイ型光変調素子50を駆動するには、走査信号に従って、行順次に走査電極7を走査し、これと同期させて、走査された電極7に対応するデータ信号を信号電極2に印加する。 To drive the array-type light modulation element 50 according to the scan signal to scan lines sequentially scanning electrodes 7, in synchronization with this, applies data signals to the signal electrode 2 corresponding to the scanned electrode 7.
【0036】 [0036]
ここで、走査電極7には、リセット信号、選択信号、非選択信号の三種類の信号(電圧)が与えられる。 Here, the scanning electrode 7, the reset signal, selection signal, three types of signals of the non-selection signal (voltage) is applied.
リセット信号は、光変調素子10の以前の状態に拘わらず、その行の光変調素子10をOFF(光遮蔽)にする。 Reset signal, regardless of the previous state of the light modulation element 10, the light modulation element 10 of the row to OFF (light-shielding). この時の走査電極の電圧をVg(r)とする。 The voltage at this time of the scanning electrodes and Vg (r).
【0037】 [0037]
選択信号は、その行にデータを書き込むための信号(書き込み動作用の信号)である。 Selection signal is a signal for writing data into the line (signal for write operations). この信号と同時に、信号電極に印加された電圧に従い、光変調素子10の状態がON(光透過)又はOFF(光遮蔽)に決定される。 The signal at the same time, in accordance with the voltage applied to the signal electrodes, the state of the light modulation element 10 is determined to be ON (light transmission) or OFF (light-shielding). この時の走査電極の電圧をVg(s)とする。 The voltage at this time of the scanning electrodes and Vg (s).
【0038】 [0038]
非選択信号は、選択がなされないときの信号である。 Non-selection signal is a signal when no selection is made. この時、信号電極の電圧に拘わることなく光変調素子10の状態は変わらず、前の状態が維持される。 At this time, the state of the light modulation element 10 without relating to the voltage of the signal electrode is not changed, the previous state is maintained. この時の走査電極の電圧をVg(ns) とする。 The voltage at this time of the scanning electrodes and Vg (ns).
【0039】 [0039]
一方、信号電極2には、ON信号、OFF信号の二種類の信号(電圧)が与えられる。 On the other hand, the signal electrode 2, ON signal, two types of signals OFF signal (voltage) is applied.
ON信号は、選択された行の光変調素子10に対し、光変調素子10の状態をON(光透過)にする。 ON signal to the optical modulator 10 of the selected row, the state of the light modulation element 10 to ON (light transmission). この時の信号電極2の電圧をVb(on) とする。 The voltage of the signal electrode 2 at this time is Vb (on).
【0040】 [0040]
OFF信号は、選択された行の光変調素子10に対し、光変調素子10の状態をOFF(光遮蔽)にする。 OFF signal to the optical modulator 10 of the selected row, the state of the light modulation element 10 to OFF (light-shielding). 但し、実際には、直前で光変調素子10がリセットされることを想定しているので、光変調素子10の状態をOFF(光遮蔽)にする場合は、前の状態(OFF状態)を維持する信号でよい。 However, in practice, it maintains it is assumed that the optical modulator 10 is reset immediately before, when the state of the light modulation element 10 to OFF (light-shielding), the previous state (OFF state) it may be a signal. この時の信号電極2の電圧をVb(off)とする。 The voltage of the signal electrode 2 at this time is Vb (off).
【0041】 [0041]
以上の走査電極電圧、信号電極電圧の組み合わせにより、光変調素子10の電極間電圧Vgsは、以下の6種類の電圧に分けられる。 Or more scanning electrode voltage, the combination of the signal electrode voltage, inter-electrode voltage Vgs of the light modulation element 10 is divided into the following 6 types of voltages. また、電極間電圧Vgsと透過率の特性により、特定の条件が与えられることになる。 Further, due to the characteristics of the transmittance and the inter-electrode voltage Vgs, so that the specific conditions are given.
【0042】 [0042]
Vgs(r-on) =Vb(on) −Vg(r) ≦ Vs(L) Vgs (r-on) = Vb (on) -Vg (r) ≦ Vs (L)
Vgs(r-off) =Vb(off)−Vg(r) ≦ Vs(L) Vgs (r-off) = Vb (off) -Vg (r) ≦ Vs (L)
Vgs(s-on) =Vb(on) −Vg(s) ≧ Vs(H) Vgs (s-on) = Vb (on) -Vg (s) ≧ Vs (H)
Vgs(s-off) =Vb(off)−Vg(s) ≦ Vth(L) Vgs (s-off) = Vb (off) -Vg (s) ≦ Vth (L)
Vgs(ns-on) =Vb(on) −Vg(ns) ≦ Vth(L) Vgs (ns-on) = Vb (on) -Vg (ns) ≦ Vth (L)
Vgs(ns-off)=Vb(off)−Vg(ns) ≧ Vth(H) Vgs (ns-off) = Vb (off) -Vg (ns) ≧ Vth (H)
【0043】 [0043]
以上の条件をまとめると、図3に示すとおりになる。 Summarizing the above conditions, it becomes as shown in FIG.
例えば、走査電極電圧Vg がリセットVg(r)で、信号電極電圧Vb がON、即ちVb(on) の場合には、Vs(H)より大きい値の信号電極電圧Vb (図中太実線61)から、Vs(H)とVth(L) との間の走査電極電圧Vg (図中太実線63)が減算され、その値(図中太実線65)がVs(L)より小さくなる。 For example, the scanning electrode voltage Vg is reset Vg (r), when the signal electrode voltage Vb is ON, i.e., Vb of (on) is, Vs (H) greater than the value of the signal electrode voltage Vb (FIG NakaFutoshi solid line 61) from the scan electrode voltage Vg (Fig NakaFutoshi solid line 63) is subtracted between Vs (H) and Vth (L), the value (Fig NakaFutoshi solid line 65) becomes smaller than Vs (L).
即ち、 In other words,
Vgs(r-on)≦Vs(L) Vgs (r-on) ≦ Vs (L)
となる。 To become. その他同様にして、6種類の電圧が定まることになる。 Other similarly, so that six kinds of voltages are determined.
【0044】 [0044]
次に、このような電極間電圧Vgsと透過率との関係を利用して、光変調素子10を2次元に配置したマトリクスにデータを書き込む方法を説明する。 Then, by using the relationship between such electrode voltage Vgs and the transmittance, a method of writing data in a matrix arranged light modulator 10 two-dimensionally.
マトリクスとして図2に示した2行2列のマトリクスを用い、データの書き込みを行う。 With two rows and two columns of the matrix shown in FIG. 2 as a matrix, data is written. マトリクスの各光変調素子10には、以下のON、OFFデータを書き込むものとする。 Each optical modulator 10 of the matrix, it is assumed that writing below turned ON, the OFF data.
Tr(1,1) → ON Tr(1,2) → OFF Tr (1,1) → ON Tr (1,2) → OFF
Tr(2,1) → OFF Tr(2,2) → ON Tr (2,1) → OFF Tr (2,2) → ON
【0045】 [0045]
マトリクスには、図4に示すような波形の電圧を印加する。 The matrix applies a voltage having a waveform as shown in FIG.
例えば、1行目Vg(1)には、 For example, in the first row Vg (1),
t1:リセット電圧 t2:選択電圧t3:非選択電圧 t4:非選択電圧を印加する。 t1: reset voltage t2: selection voltage t3: non-selection voltage t4: applying a non-selection voltage.
1列目Vb(1)には、 The first column Vb (1),
t1:don't care t2:ON電圧t3:OFF電圧 t4:don't care t1: do not care t2: ON voltage t3: OFF voltage t4: do not care
を印加する。 It is applied to.
これにより、各光変調素子10に所望のデータが行順次で書き込まれる。 Thus, the desired data to the optical modulator 10 is written sequentially in a row.
そして、光変調素子のリセット走査の後に、該素子の変位動作又は状態維持を選択する書き込み走査を行うことで、素子のヒステリシス特性により書き込み走査前の状態が次の動作に影響を及ぼすことが防止され、安定した書き込み走査を行うことができる。 Then, after the reset scan of the light modulation element, by performing the write scanning for selecting the displacement motion or state maintenance of the device, the hysteresis characteristic of the device before the write scan state to affect the next operation prevention is, it is possible to perform stable writing scan. また、素子のヒステリシス特性により、単純マトリクス構成の二次元光変調アレイを矛盾無く、即ち、非選択走査ライン上の画素が書き込み走査時に設定されたON/OFF状態を確実に維持されるように駆動することが可能となる。 Moreover, the hysteresis characteristics of the device, without contradiction dimensional light modulation array of the simple matrix configuration, i.e., driven to the pixels on non-selected scanning line is reliably maintained set ON / OFF state at the write scan it is possible to become.
【0046】 [0046]
即ち、例えば上述の1行1列目のマトリクスTr(1,1)の場合では、 That is, for example, in the aforementioned case of the first row and first column of the matrix Tr (1, 1) is
Vgs:Vb(1)−Vg(1)であるから、 Vgs: because it is Vb (1) -Vg (1),
t1:リセット電圧(OFF) t2:ON t1: the reset voltage (OFF) t2: ON
t3:状態維持 t4:状態維持となる。 t3: state maintenance t4: the state maintained.
【0047】 [0047]
従って、t2におけるONの状態が維持(メモリー)され、その結果、マトリクスTr(1,1)は光変調素子10が「ON」の状態となる。 Therefore, the state of ON is maintained (memory) in t2, as a result, the matrix Tr (1, 1) is an optical modulator 10 becomes a state of "ON". その他、同様にして、他のマトリクスTr(1,2)は「OFF」、Tr(2,1)は「OFF」、Tr(2,2)は「ON」の状態となる。 Other, similarly, other matrices Tr (1, 2) is in a state of "OFF", Tr (2,1) is "OFF", Tr (2, 2) is "ON".
【0048】 [0048]
以上の動作により、各走査ラインの光変調素子に対する走査電圧の印加状態は、図5のチャートに示すようになる。 By the above operation, application state of the scanning voltages for light modulator elements in each scan line are as shown in the chart of FIG. 即ち、任意のi行目の走査電極にリセット電圧、選択電圧が順次印加されると共に、i+1行目の走査ラインでは、i行目の走査ラインにおける選択電圧印加期間終了後、間断なく直ちに選択電圧が印加される。 That is, the reset voltage to an arbitrary i-th row of scan electrodes, the selection voltage is sequentially applied, i + in the first row of scan lines, after the selection voltage application period ends in the i-th row of scan lines, without interruption immediately select voltage There is applied. この場合、i+1行目のリセット電圧印加期間は、i行目の選択電圧印加期間とオーバーラップさせている。 In this case, i + 1 row reset voltage application period, thereby i-th row selection voltage application period overlap. 他の走査ラインに対しても同様に、リセット電圧印加期間を前行の選択電圧印加期間にオーバーラップさせている。 Similarly for the other scan lines are overlapped a reset voltage application period to the selected voltage application period of the previous row.
【0049】 [0049]
このように、各走査ラインの光変調素子10は、他の行の選択期間(書き込み期間)と同時にリセット動作を行うことで、走査時間を長くすることなく、安定した書き込み動作が得られる。 Thus, the optical modulator 10 of each scanning line, by performing the other row selection period (write period) simultaneously with the reset operation, without increasing the scan time, stable write operation is obtained. 従って、光変調素子の可撓部分の弾性特性やリセット信号の印加により走査時間が遅くなることが防止され、確実な動作を実現しつつアレイ型光変調素子の大型化、高精細化を図ることができる。 Therefore, the scanning time by the application of the elastic properties and the reset signal of the flexible portion of the light modulation element can be prevented from slower, achieving size of the array-type light modulation element, a high-definition while achieving reliable operation can.
【0050】 [0050]
次に、本発明に係る光変調素子の駆動方法の第2実施形態を説明する。 Next, a second embodiment of a driving method for an optical modulation device according to the present invention. 本実施形態は、復帰時間(立ち下がり時間)τfが大きく遅延する(τf≫τr)光変調素子を用いた場合の駆動方法である。 This embodiment is a driving method using the return time (fall time) .tau.f is delayed significantly (Tauf»tauaru) light modulation element. 図6は、各光変調素子への印加電圧の波形を示している。 Figure 6 shows the waveform of the voltage applied to each light modulator element. 本実施形態では、リセット電圧の印加期間を前述の第1実施形態の3倍に設定している。 In the present embodiment, by setting the application period of the reset voltage to 3 times the first embodiment described above. 即ち、図6においては、図4に示す1行目のリセット期間t1が図6のt1〜t3に相当しており、リセット電圧の印加期間が走査期間τの3倍に設定されている。 That is, in FIG. 6, the first row of the reset period t1 shown in FIG. 4 are equivalent to t1~t3 6, the application period of the reset voltage is set to three times the scanning period tau.
この場合の各走査ラインの光変調素子に対する走査電圧の印加状態は、図7のチャートに示すようになる。 Application state of the scanning voltages for light modulator elements for each scan line in this case is as shown in the chart of FIG. 図7によれば、第1実施形態の場合と同様に、i+1行目の走査ラインでは、i行目の走査ラインにおける選択電圧印加期間終了後、直ちに選択電圧が印加される。 According to FIG. 7, similarly to the first embodiment, in the (i + 1) th row of scan lines, after the selection voltage application period ends at i-th scanning line, immediately select voltage is applied. この場合、i+1行目のリセット電圧印加期間は、i行目の選択電圧印加期間及びそれ以前の期間(図ではリセット電圧印加期間の一部)にオーバーラップさせており、他の走査ラインに対しても同様にオーバーラップさせている。 In this case, i + 1 row reset voltage application period (in the drawing part of the reset voltage application period) i-th row selection voltage application period and earlier periods are overlapped, the relative other scanning lines It is similarly allowed to overlap even.
【0051】 [0051]
このように、リセット電圧印加期間を延長させることにより、復帰時間の長い光変調素子であっても走査期間を長くすることなく正確な応答性を得ることが可能となる。 In this way, by extending the reset voltage application period, even long optical modulation element of the return time it is possible to obtain an accurate response without increasing the scan time.
【0052】 [0052]
ここで、図8は本実施形態の画素Tr(1,1)と画素Tr(1,2)に対する印加電圧Vgsと透過光の応答のチャートを示している。 Here, FIG. 8 shows a chart of the response of the applied voltage Vgs and the transmitted light for the pixel Tr of the present embodiment (1,1) and the pixel Tr (1, 2). 図8(a)に示すように、画素Tr(1,1)は、画素のリセット期間内に立ち下がり時間τfを終了させ、画素をON状態にする信号は予め画素をリセットさせた後に印加させている。 As shown in FIG. 8 (a), the pixel Tr (1, 1) terminates the fall time τf in the reset period of the pixel, the signal for the pixel to the ON state is applied after resetting the previously pixel ing. このため、立ち上がり時間τrだけで画素をON状態にすることができる。 Therefore, it is possible to make the pixel to the ON state only rise time .tau.r.
また、図8(b)に示すように、画素Tr(1,2)は、画素のリセット期間内に立ち下がり時間τfを終了させ、その後状態を維持することで画素をOFF状態にしている。 Further, as shown in FIG. 8 (b), the pixel Tr (1, 2) terminates the fall time τf in the reset period of the pixel, and the pixel to the OFF state by maintaining the subsequent state.
【0053】 [0053]
上記各実施形態に示すように、光変調素子は、光変調素子の平衡状態(復帰状態)、又は、リセット状態が光遮断となる構成が好ましい。 As shown in the above embodiments, the light modulation element, the equilibrium state of the light modulation element (return state), or a configuration in which the reset state is the light blocking is preferable. リセット状態が素子のON(光透過)状態であると、画素として“黒"を出力させるときは、リセット動作による光透過が発生し、コントラストが著しく悪くなる。 When the reset state is ON (light transmission) state of the element, when to output the "black" as a pixel, the light transmission is generated by the reset operation, the contrast is significantly degraded.
一方、リセット状態がOFF(光遮断)であれば、“黒"出力のときは全く光透過はなく、コントラストは殆ど変化しない。 On the other hand, if the reset state OFF (light blocking), "black" not at all light transmission when the output contrast hardly changes. “白"出力のとき、リセット期間だけ出力が減るが、この場合は視覚的に殆ど問題にならない。 "White" when the output, the output only the reset period is reduced, in this case does not become visually almost problem. これは、例えば行数が500〜1000行のパネルの場合、その数行分のリセット期間であっても、これによる光量低下は1%程度と僅かなためである。 This, for example, when the number of lines of 500 to 1000 lines of the panel, even a reset period of the several rows, the light quantity decreases due to this is because a slight as about 1%. また、素子自体の応答性が遅いため、出力は直ちにONからOFFにならず、徐々に減光するためと、人間の視覚特性が、背景輝度が高いときは輝度変化に対して鈍感になるためでもある。 Further, since the slow response of the device itself, the output is not immediately from ON to OFF, and for dimming gradually, the human visual characteristics, to become insensitive to change in luminance when a high background luminance But there is.
【0054】 [0054]
以上説明したように、上記各実施形態では図1に示す導光拡散作用を利用した光変調素子を用いたが、本発明による駆動方式はこれに限定されることなく、導光反射による光変調素子にも適用できる。 As described above, in the above embodiments is used a light modulation element using light diffusing effect shown in FIG. 1, the driving method according to the present invention is not limited to this, the light modulation by the light guide reflection It can also be applied to the element. これは、ダイヤフラム上に適度に傾斜したアルミ等の反射膜を設けて、これを可撓薄膜とした構成であり、電圧ON時に可撓薄膜へ導光された光を反射膜により導光板側に反射させて出射する光変調素子である。 This is a reflective film such as aluminum which is moderately inclined on the diaphragm, which is a structure in which a flexible thin film, the light guided to the voltage ON at flexible thin film on the light guide plate side by the reflection film an optical modulation element that emits and reflects. この他、以下に示す光変調素子に対しても良好に適用できる。 In addition, it is also well applicable to the light modulation element shown below.
以下、上述した各実施形態における平面表示装置における光変調素子の他の各構成例を、図9〜図16を参照して順次説明する。 Hereinafter, another example each component of the optical modulator in the flat display device in each embodiment described above will be sequentially described with reference to FIGS. 9 to 16.
【0055】 [0055]
まず、可撓薄膜を電気機械動作させて光変調する動作原理として、ファブリペロー干渉を利用した例を説明する。 First, the thin flexible film by electromechanical operation as an operation principle of light modulation, an example using a Fabry-Perot interferometer. ファブリペロー干渉では、二枚の平面が向かい合わせに平行に配置された状態において、入射光線は、反射と透過を繰り返して多数の光線に分割され、これらは互いに平行となる。 The Fabry-Perot interferometer, in a state where the two planes are arranged in parallel to face each other, the incident light beam is divided into a number of beams by repeating transmission and reflection, they are parallel to each other. 透過光線は、無限遠におうて重なり合い干渉する。 Transmitted light, interfering overlap with the king to infinity. 面の垂線入射光線とのなす角をiとすれば、隣り合う光線間の光路差はx=nt・cosiで与えられる。 If the angle of the perpendicular incident light surface is i, the optical path difference between neighboring beams is given by x = nt · cosi. 但し、nは二面間の屈折率、tは間隔である。 Here, n is the refractive index between the two surfaces, t is the spacing. 光路差xが波長λの整数倍であれば透過線は互いに強め合い、半波長の奇数倍であれば互いに打ち消し合う。 Transmission line if the integral multiple of the optical path difference x is the wavelength λ is mutually reinforce each other cancel each other if an odd multiple of a half wavelength. 即ち、反射の際の位相変化がなければ、 That is, if there is no phase change upon reflection,
2nt・cosi=mλ で透過光最大となり、 Maximum transmitted light and made of a 2nt · cosi = mλ,
2nt・cosi=(2m+1)λ/2 で透過光最小となる。 The transmitted light minimum 2nt · cosi = (2m + 1) λ / 2.
但し、mは正整数である。 However, m is a positive integer.
【0056】 [0056]
即ち、光路差xが所定の値となるように、可撓薄膜を移動させることにより、透明基板から出射される光を、光変調して可撓薄膜から出射させることが可能となる。 That is, as the optical path difference x is a predetermined value, by moving the flexible thin film, the light emitted from the transparent substrate, it is possible to output from the flexible thin film and the light modulation.
【0057】 [0057]
このようなファブリペロー干渉を利用した光変調素子を平面光源と組み合わせて平面ディスプレイとした具体的な構成を以下に説明する。 A specific configuration in which a flat display light modulation device using such a Fabry-Perot interferometer in combination with a flat light source below.
図9は光変調素子及び平面光源の概略断面図である。 Figure 9 is a schematic cross-sectional view of the optical modulator and a plane light source. 光変調素子20は、紫外線に対して透明な基板21上に設けられた図示しない基板上電極及びダイヤフラム22上に設けられた図示しないダイヤフラム上電極への電圧印加によってダイヤフラム22を変位させ、多層膜干渉効果を生じさせることにより、平面光源23からの紫外線を光変調する。 Light modulation element 20, a diaphragm 22 is displaced by applying a voltage to the diaphragm on the electrode (not shown) provided on the substrate electrode and the diaphragm 22 (not shown) provided on a transparent substrate 21 to ultraviolet radiation, the multilayer film by generating an interference effect, optical modulation of ultraviolet rays from the flat light source 23.
【0058】 [0058]
平面光源23は、平板状の平面光源ユニット23a、及び平面光源ユニット23aの側方に設けられたブラックライト用紫外線ランプ(低圧水銀ランプ)23bからなる。 Flat light source 23 is composed of a flat planar light source units 23a, and the planar light source unit 23a black light ultraviolet ray lamp provided on the side of the (low-pressure mercury lamp) 23b. 平面光源23は、ブラックライト用低圧水銀ランプ23bからの紫外線を、平面光源ユニット23aの側面から入射させて上面から出射させる。 Flat light source 23, the ultraviolet rays from a low pressure mercury lamp 23b for black light, is emitted from the upper surface is made incident from the side of the plane light source unit 23a.
低圧水銀ランプ23bの内壁にブラックライト用の蛍光物質(例えば、BaSi 25 :Pb 2+ ) を塗布した場合、発光紫外線の分光特性としては、図10に示すように、360nm付近に中心波長λ 0を有する。 Fluorescent materials for black light on the inner wall of the low-pressure mercury lamp 23b (e.g., BaSi 2 O 5: Pb 2+ ) when applied to, as the spectral characteristics of the light emitting ultraviolet, as shown in FIG. 10, the central wavelength around 360nm It has a λ 0. この紫外線をバックライト光として使用する。 Using this ultraviolet as backlight light.
【0059】 [0059]
図示しない基板上電極は、基板21上に図9の紙面垂直方向に所定の間隔をあけて一対設けられる。 Substrate electrode (not shown) are provided in pairs at predetermined intervals in the direction perpendicular to the plane of FIG. 9 on the substrate 21. 基板21上における各基板上電極の間には、誘電体多層膜ミラー25,26が設けられる。 Between each substrate on the electrode on the substrate 21, a dielectric multilayer mirror 25, 26 is provided.
【0060】 [0060]
ダイヤフラム22は、両端部が基板21上に形成された支持部24に懸架され、基板21と所定の間隔をあけて設けられる。 The diaphragm 22 has both ends are suspended on the support portion 24 formed on the substrate 21, is provided at a substrate 21 by a predetermined distance. ダイヤフラム22の下面には、誘電体多層膜ミラー25が、基板21上の誘電体多層膜ミラー26と所定の間隙tをあけて対向して設けられる。 On the lower surface of the diaphragm 22, a dielectric multilayer mirror 25 is arranged opposite at a dielectric multilayer film mirror 26 and the predetermined gap t of the substrate 21.
【0061】 [0061]
このように構成される光変調素子20において、各電極への印加電圧をOFFにしたときの空隙27の間隔をtoffとする(図9の左側の状態)。 In thus configured light modulator 20, the spacing of the gap 27 when the voltage applied to each electrode in the OFF and toff (left state in FIG. 9). また、電圧を印加したとき静電気力により空隙27の間隔が短くなるが、これをtonとする(図9の右側に示す状態)。 Although the void spacing 27 is shortened by an electrostatic force when a voltage is applied, which is referred to as ton (the state shown on the right side of FIG. 9). tonは、各電極への電圧印加に伴ってダイヤフラム22に作用する静電気力と、ダイヤフラム22の変形に伴って生じる復元力をバランスさせることで適切に設定する。 ton is the electrostatic force acting on the diaphragm 22 with the voltage application to the electrodes, to balance the restoring force is set appropriately generated with the deformation of the diaphragm 22.
【0062】 [0062]
より安定な制御を行うには、スペーサ(図示しない)を電極上に設け、スペーサによってダイヤフラム22の変位を物理的に規制することにより、ダイヤフラム22の変位量が一定となるように構成する。 To perform a more stable control, provided a spacer (not shown) on the electrode, by physically restricting the displacement of the diaphragm 22 by the spacer, configured as a displacement amount of the diaphragm 22 is constant. スペーサを絶縁体とした場合は、その比誘電率(1以上)により各電極への印加電圧を低減する効果を生じる。 When the spacer was an insulator, it produces the effect of reducing the voltage applied to each electrode by the dielectric constant (1 or more). また、スペーサが導電性の場合は更にこの効果は大きくなる。 Moreover, this effect even if the spacer is conductive becomes larger. 尚、スペーサは各電極と同一材料で形成しても良い。 The spacer may be formed at each electrode of the same material.
【0063】 [0063]
ここで、ton、toff を下記のように設定する。 Here, set ton, a toff as follows. (m=1) (M = 1)
ton =1/2×λ 0 =180nm (λ 0 :紫外線の中心波長) ton = 1/2 × λ 0 = 180nm (λ 0: center wavelength of the ultraviolet)
toff =3/4×λ 0 =270nm toff = 3/4 × λ 0 = 270nm
【0064】 [0064]
また、各誘電体多層膜ミラー25,26はそれぞれ、光強度反射率をR=0.85とする。 Further, each of the dielectric multilayer film mirror 25 and 26, the light intensity reflectance and R = 0.85. また、空隙27は空気又は希ガスとし、その屈折率はn=1とする。 Further, the gap 27 is air or a noble gas, the refractive index is set to n = 1. 紫外線はコリメートされているので、光変調素子20に入射する入射角i(誘電体多層膜ミラー面の垂線と入射光線のなす角)は略ゼロである。 Since ultraviolet rays are collimated, the angle of incidence i (dielectric multilayer film angle formed perpendicular to the incident light of the mirror surface) incident on the light modulation element 20 is substantially zero. このときの光変調素子20の光強度透過率は図11に示すようになる。 Light intensity transmittance of the light modulation element 20 at this time is as shown in FIG. 11.
【0065】 [0065]
従って、各電極に電圧を印加しないときはtoff =270nmであり、光変調素子20は紫外線を殆ど透過させない。 Therefore, when no voltage is applied to each electrode is a toff = 270 nm, the light modulation element 20 is not substantially impermeable to ultraviolet rays.
一方、各電極に電圧を印加してton=180nmとすると、光変調素子20は紫外線を透過させる。 On the other hand, when ton = 180 nm by applying a voltage to each electrode, the light modulation element 20 which transmits ultraviolet rays.
【0066】 [0066]
尚、干渉の条件を満たせば、空隙27の間隔t、屈折率n、各誘電体多層膜ミラー25,26の光強度反射率R等はいずれの組合せでも良い。 Note that satisfies the condition of interference, the interval t of the gap 27, the refractive index n, may be any combination light intensity reflectance R and the like of each dielectric multilayer film mirror 25 and 26.
また電圧値により、間隙tを連続的に変化させると、透過スペクトルの中心波長を任意に変化させることが可能である。 Also the voltage value, the continuously changing the gap t, is the central wavelength of the transmission spectrum can be arbitrarily changed. これにより、透過光量を連続的に制御することも可能である。 Thus, it is possible to continuously control the amount of transmitted light. つまり、各電極間の印加電圧の変更による階調制御が可能である。 In other words, it is possible to gradation control by changing the voltage applied between the electrodes.
【0067】 [0067]
また、上記光変調素子20の変形例として、ブラックライト用水銀ランプ23bに代えて、低圧水銀ランプによるバックライトを用いることもできる。 As a modification of the optical modulation element 20, instead of the mercury lamp 23b for black light, it is also possible to use a backlight according to a low-pressure mercury lamp.
即ち、254nmの線スペクトルを主成分とする低圧水銀ランプを光源とし、石英ガラス等からなる透明基板と組み合わせることにより、バックライトユニットを構成する。 That is, the low-pressure mercury lamp whose main component is the line spectrum of 254nm as a light source, combined with a transparent substrate made of quartz glass or the like, constituting a backlight unit. 他の波長は、フィルター等によりカットする。 Other wavelength is cut off by the filter or the like. このときの紫外線バックライトの分光特性は図12に示すようになる。 Spectral characteristics of the ultraviolet backlight in this case is as shown in FIG.
また、この光変調素子においては、有効画素エリアの構成材料(ダイヤフラム、誘電体多層膜ミラー、基板等)は、254nmの紫外線を透過する材料とする。 Further, in the optical modulation element, the material of the effective pixel area (diaphragm, the dielectric multilayer mirror, the substrate, etc.), a material that transmits ultraviolet rays of 254 nm.
【0068】 [0068]
ここで、ton、toff を下記のように設定する。 Here, set ton, a toff as follows. (m=1)。 (M = 1).
ton =1/2×λ 0 =127nm (λ 0 :紫外線の中心波長) ton = 1/2 × λ 0 = 127nm (λ 0: center wavelength of the ultraviolet)
toff =3/4×λ 0 =191nm toff = 3/4 × λ 0 = 191nm
【0069】 [0069]
その他の条件は、上述の例と同様に、R=0.85、n=1、i=0とする。 Other conditions, as in the example described above, and R = 0.85, n = 1, i = 0. このときの光変調素子の光強度透過率は図13に示すようになる。 Light intensity transmittance of the light modulation element in this case is as shown in FIG. 13.
従って、各電極に電圧を印加しないときはtoff =191nmであり、光変調素子は紫外線を殆ど透過させず、電圧を印加したときはton=127nmになり、光変調素子は紫外線を透過させる。 Therefore, when no voltage is applied to each electrode is a toff = 191 nm, the light modulation element without substantially impermeable to ultraviolet rays, when a voltage is applied becomes ton = 127 nm, the light modulation element to transmit ultraviolet rays.
【0070】 [0070]
特にこの変形例の場合、紫外線が線スペクトルなので、非常に高いエネルギー透過率を示し、高効率でコントラストの高い変調が可能となる。 Particularly in the case of this modification, the ultraviolet line spectra, exhibit very high energy transmittance, it is possible to high modulation contrast at high efficiency.
また、この変形例においても、干渉の条件を満たせば、空隙27の間隔t、屈折率n、各誘電体多層膜ミラー25,26の光強度反射率R等はいずれの組合せでも良い。 Moreover, this also in the modified example, satisfies the condition of interference, the interval t of the gap 27, the refractive index n, may be any combination light intensity reflectance R and the like of each dielectric multilayer film mirror 25 and 26.
【0071】 [0071]
さらに、各電極に印加する電圧値を変更することにより、間隙tを連続的に変化させると、透過スペクトルの中心波長を任意に変化させることが可能である。 Further, by changing the voltage applied to each electrode, when continuously changing the gap t, it is possible to arbitrarily change the center wavelength of the transmission spectrum. これにより透過光量を連続的に制御することも可能である。 It is also possible thereby continuously controlling the quantity of transmitted light. つまり、各電極への印加電圧の変更による階調制御が可能となる。 In other words, it is possible to gradation control by changing the voltage applied to each electrode.
【0072】 [0072]
次に、光変調素子の他の変形例を図14を用いて説明する。 Next, another modified example of the optical modulator will be described with reference to FIG. 14.
図14は光変調素子及び平面光源の概略断面図である。 Figure 14 is a schematic cross-sectional view of the optical modulator and a plane light source. 光変調素子30は、遮光板31及び透明電極32への電圧印加に伴う静電気応力によって遮光板31を変位させ、平面光源33からの紫外線の進路を変更することにより光変調を行う。 The light modulation element 30 displaces the shielding plate 31 by electrostatic stress caused by application of voltage to the light shielding plate 31 and the transparent electrode 32, performs optical modulation by changing the path of ultraviolet radiation from the flat light source 33. 平面光源33の構成は、図9に示す平面光源23と同様である。 Construction of the planar light source 33 is similar to flat light source 23 shown in FIG.
【0073】 [0073]
透明電極32は、紫外線を透過する基板34上に設けられており、紫外線を透過させる。 The transparent electrode 32 is provided on a substrate 34 that transmits ultraviolet rays and transmits the ultraviolet rays. 基板34上の透明電極32以外の部位には、絶縁性の遮光膜35が設けられる。 The portion other than the transparent electrode 32 on the substrate 34, the light shielding film 35 is provided in the insulation. 透明電極32及び遮光膜35の上面には、絶縁膜36が積層される。 The upper surface of the transparent electrode 32 and the light-shielding film 35, the insulating film 36 is laminated.
【0074】 [0074]
遮光板31は、基板34上に立設された支柱37を介して、基板34の上方に基板34と所定の間隔をあけて片持ち梁構造として設けられる。 The light shielding plate 31 via a support column 37 provided upright on the substrate 34, is provided as a cantilever structure with a predetermined gap and the substrate 34 above the substrate 34. 遮光板31の形状は、対向する基板34上の透明電極32の形状に対応しており、透明電極32よりも若干大きくしてある。 The shape of the light shielding plate 31 corresponds to the shape of the transparent electrode 32 on the substrate 34 that faces, are slightly larger than the transparent electrode 32.
【0075】 [0075]
遮光板31は、導電性を有する可撓薄膜からなり、例えば紫外線を吸収、若しくは反射する材料からなる単一の導電性薄膜、又は複数の導電性薄膜で構成される。 The light shielding plate 31 is made of a flexible thin film having conductivity, for example, it absorbs ultraviolet light, or single conductive thin film made of reflective material, or composed of a plurality of conductive thin film.
具体的には、紫外線を反射するアルミ、クロムなどの金属薄膜、紫外線を吸収するポリシリコンなどの半導体による単体構成が挙げられる。 Specifically, aluminum for reflecting ultraviolet rays, a metal thin film such as chromium, elemental structure by a semiconductor such as polysilicon and the like to absorb ultraviolet radiation. また、シリコン酸化物、シリコン窒化物などの絶縁膜、ポリシリコンなどの半導体薄膜に金属を蒸着した構成、又は誘電体多層膜などのフィルターを蒸着した複合構成とすることもできる。 The silicon oxide insulating film such as silicon nitride, configured with a deposit of metal on the semiconductor thin film such as polysilicon, or may be a composite structure formed by depositing a filter such as a dielectric multilayer film.
【0076】 [0076]
このように構成された光変調素子30は、次のように動作する。 The light modulation device 30 having such a structure operates as follows. 光変調素子30において、遮光板31及び透明電極32間に電圧を印加しない状態では、遮光板31は透明電極32と対向しており、透明電極32を透過した紫外線は遮光板31によって吸収又は反射される(図14の左側の状態)。 In the light modulation element 30, in the state where no voltage is applied between the shielding plate 31 and the transparent electrode 32, the light shielding plate 31 faces the transparent electrode 32, ultraviolet rays transmitted through the transparent electrode 32 is absorbed or reflected by the light shielding plate 31 is the (left in the state of FIG. 14).
【0077】 [0077]
一方、遮光板31及び透明電極32間に電圧を印加すると、両者間に作用する静電気力により、遮光板31が捩じれながら透明電極32側に変位する(図14の右側の状態)。 On the other hand, when a voltage is applied between the shielding plate 31 and the transparent electrode 32, the electrostatic force acting between them, the light shielding plate 31 is displaced to the transparent electrode 32 side while twisting (right in the state of FIG. 14). これにより、平面光源33から透明電極32を透過した紫外線は、遮光板31に遮蔽されることなく、上方に出射される。 Thus, ultraviolet light passing through the transparent electrode 32 from the flat light source 33, without being shielded by the light shielding plate 31, is emitted upward.
そして、再び遮光板31及び透明電極32間への印加電圧をゼロにすると、遮光板31は、遮光板31自体及び支柱37の弾性によって初期位置に戻る。 When the applied voltage between the light shielding plate 31 and the transparent electrode 32 to zero again, the light shielding plate 31 is returned to the initial position by the elasticity of the light shielding plate 31 itself and struts 37.
【0078】 [0078]
次に、光変調素子の他の変形例を図15,16を用いて説明する。 Next, another modified example of the optical modulator will be described with reference to FIGS. 15 and 16.
図15は光変調素子40の概略構成図であり、図15(a)は平面図、図15(b)は図15(a)のB−B断面図である。 Figure 15 is a schematic diagram of an optical modulation element 40, FIG. 15 (a) a plan view, FIG. 15 (b) is a B-B sectional view of FIG. 15 (a).
【0079】 [0079]
光変調素子40は、対向電極41,42及び電極遮光板43への電圧印加に伴う静電気力によって、電極遮光板43を図15で左右方向に変位させることにより、図示しない平面光源からの光を遮光させ、又は透過させる。 The light modulation element 40, by electrostatic force due to the voltage applied to the counter electrode 41 and the electrode light-shielding plate 43, by displacing the electrode shielding plate 43 in the left-right direction in FIG. 15, the light from the plane light source (not shown) It is blocked, or to transmit.
【0080】 [0080]
この対向電極41,42は、紫外線を透過する基板44上で所定の間隔をあけて対向して対をなし、図15(a)において並列に計2対設けられる。 The counter electrode 41 forms a to pair opposed to each other with a prescribed distance on the substrate 44 transmits ultraviolet rays, are provided a total of two pairs in parallel in FIG. 15 (a). また、基板44上における図15右側の対向電極42間には、遮光膜45が設けられる。 Moreover, between 15 right of the counter electrode 42 on the substrate 44, the light shielding film 45 is provided.
【0081】 [0081]
電極遮光板43は、対向電極41,42間で基板44から図15(b)の上方に所定の間隔をあけた位置に、左右方向に変位可能に設けられる。 Electrode shielding plate 43 at a position spaced a predetermined distance from the substrate 44 upward shown in FIG. 15 (b) between the opposing electrodes 41 and 42, provided so as to be displaceable in the lateral direction. 即ち、電極遮光板43の左右両側は、折れ線バネ46等の可撓部材を介して支持部47に支持されている。 That is, the left and right sides of the electrode light-shielding plate 43 is supported by the supporting portion 47 via a flexible member, such as a polygonal line spring 46. 電極遮光板43は、対向電極41,42への電圧印加に伴う静電気力によって、折れ線バネ46を弾性変形させつつ、図15の左右方向に変位する。 Electrode shielding plate 43, by electrostatic force due to the voltage applied to the counter electrode 41, while a line spring 46 is elastically deformed to be displaced in the lateral direction in FIG. 15. 電極遮光板43の左右方向の寸法は、支持部47間の左右方向に沿う距離の略半分である。 The dimensions of the left and right direction of the electrode light-shielding plate 43 is approximately half the distance along the horizontal direction between the support portion 47.
【0082】 [0082]
このように構成された光変調素子40は、次のように動作する。 The light modulation element 40 constructed as above operates as follows. 即ち、光変調素子40において、電極遮光板43に電圧ゼロを印加した状態で、図15の左側の対向電極41のみに電圧を印加すると、電極遮光板43は、静電気力によって図15の左側の対向電極41間に移動する(図15に示す状態)。 That is, in the light modulation element 40, while applying a zero voltage to the electrode light-shielding plate 43, when a voltage is applied to only the opposing electrode 41 on the left side of FIG. 15, the electrode light-shielding plate 43, the left side of FIG. 15 by an electrostatic force moves between the counter electrode 41 (the state shown in FIG. 15). これにより、平面光源から出射され、遮光膜45で遮光されずに基板44を透過した光は、電極遮光板43によって遮光される。 Accordingly, emitted from the flat light source, the light transmitted through the substrate 44 without being shielded by the light shielding film 45 is blocked by the electrode shielding plate 43.
【0083】 [0083]
一方、電極遮光板43に+Vの電圧を印加した状態で、図16の左側の対向電極41のみに電圧を印加すると、電極遮光板43は、静電気力によって図16の右側の対向電極42間に移動する(図16に示す状態)。 On the other hand, while applying a voltage of + V to the electrode light-shielding plate 43, when a voltage is applied only to the counter electrode 41 on the left side of FIG. 16, the electrode light-shielding plate 43, the electrostatic force between the right side of the counter electrode 42 in FIG. 16 moving (the state shown in FIG. 16). これにより、平面光源から出射され、遮光膜45で遮光されずに基板44を透過した光は、電極遮光板43によっても遮光されることなく、図16(b)の上方に出射される。 Accordingly, emitted from the flat light source, the light transmitted through the substrate 44 without being shielded by the light shielding film 45, without also being blocked by the electrode shielding plate 43, is emitted upward in FIG 16 (b).
そして、再び印加電圧をゼロにすると、電極遮光板43は、折れ線バネ46の弾性力及び静電気力によって初期位置に戻る。 Then, again the applied voltage to zero, the electrode light-shielding plate 43 is returned to its initial position by the elastic force and the electrostatic force of the polygonal spring 46.
このように、各種光変調素子の構成が考えられるが、本発明は前述の各構成に限定されるものではなく、同等の機能を有するものであれば他の如何なる構成のものであっても良い。 Thus, although structure of various types of optical modulation elements are contemplated, the present invention is not intended to be limited to the configuration described above, may be of any other configuration as long as it has the same function .
【0084】 [0084]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように、本発明によれば、静電気力による可撓部の変位動作と、可撓部の弾性復帰動作により光変調を行う電気機械的な光変調素子を2次元のマトリクス状に配列したアレイ型光変調素子の駆動方法であって、光変調素子の復帰動作を行うリセット走査を、リセットされる走査ライン以外の走査ラインに対して、素子の変位動作又は状態維持の選択を行う書き込み走査と同時に行い、各走査ラインの書き込み走査を間断なく行い駆動する。 As described above, according to the present invention, the displacement action of the flexible portion by electrostatic force, arranged electromechanical light modulation device for performing optical modulation in a two-dimensional matrix shape by elastic restoring operation of the flexible portion writing the method of driving the array-type light modulation element, the reset scan of performing the return operation of the optical modulator, the scanning lines other than the scan line to be reset, for selecting the displacement motion or state maintenance of the device scanning and performs simultaneously without interruption performs driving writing scanning for each scan line. これにより、弾性復帰時間の長い光変調素子であっても時間をロスすることなく画像表示をより高速に行うことが可能になり、応答時間を飛躍的に向上させることができる。 This makes it possible to perform image display without loss of a long optical modulation element even time of the elastic return time faster, can dramatically improve the response time.
【0085】 [0085]
また、光変調素子のリセット走査の駆動時間を書き込み走査時間の整数倍等の弾性復帰時間以上に設定することにより、弾性復帰動作に長い時間を要する光変調素子であっても時間をロスすることなく適切な走査で高速応答性を得ることができる。 Further, by setting the driving time of the reset scan of the light modulation element or the elastic return time integral multiple such as write scan time, to loss of the time a light modulation element takes a long time to the elastic return action without it is possible to obtain a high-speed response at the right scan.
【0086】 [0086]
さらに、電気機械的な光変調素子をマトリクス状に配列したアレイ型光変調素子に対向して紫外線を出射する平面光源を設け、アレイ型光変調素子を挟んだ平面光源の反対側に蛍光体を設け、光変調素子から出射される光によって蛍光体を発光させて平面ディスプレイを駆動することにより、コントラストが低下することの無い高速応答性を備えた平面ディスプレイが得られる。 Furthermore, opposite the electromechanical light modulation element in the array-type light modulation elements arranged in a matrix form a flat light source for emitting ultraviolet light is provided by a phosphor on the other side of the plane light source across the array-type light modulation element provided, by the light emitted from the light modulating device by the phosphor to emit light to drive the flat display, flat panel display can be obtained with high-speed responsiveness without the contrast is lowered.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明に係る第1実施形態の光変調素子の光変調動作を説明する断面図である。 1 is a cross-sectional view illustrating an optical modulation operation of the optical modulation device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1に示す光変調素子を2次元配列したアレイ型光変調素子の平面図である。 2 is a plan view of an array-type light modulation element and the light modulation element are arranged two-dimensionally as shown in FIG.
【図3】走査電極電圧及び信号電極電圧の組み合わせと、光変調素子の電極間電圧との関係を示した説明図である。 [3] a combination of the scanning electrode voltage and the signal electrode voltage is an explanatory diagram showing the relationship between the inter-electrode voltage of the optical modulator.
【図4】第1実施形態における各光変調素子に異なる波形の電圧を印加してデータを書き込む方法の説明図である。 4 is an explanatory view of a method of writing data by applying a voltage of different waveforms to each optical modulation element in the first embodiment.
【図5】第1実施形態におけるリセット動作の駆動期間を走査前行の書き込み動作と同時に行うことを説明するチャート図である。 5 is a chart illustrating that performs driving period simultaneously with the write operation of the pre-scan line of the reset operation in the first embodiment.
【図6】第2実施形態における各光変調素子に異なる波形の電圧を印加してデータを書き込む方法の説明図である。 6 is an explanatory view of a method of writing data by applying a voltage of different waveforms to each optical modulation element in the second embodiment.
【図7】第2実施形態におけるリセット動作の駆動期間を走査前行の書き込み動作と同時に行うことを説明するチャート図である。 7 is a chart illustrating that performs driving period simultaneously with the write operation of the pre-scan line of the reset operation in the second embodiment.
【図8】光変調素子からの透過光の応答特性を示す説明図である。 8 is an explanatory diagram showing a response characteristic of the transmitted light from the light modulator element.
【図9】多層膜干渉効果を利用した光変調素子の動作説明図である。 9 is an explanatory view of the operation of the light modulating device using a multilayer interference effect.
【図10】低圧水銀ランプによるバックライトの分光特性を示すグラフである。 10 is a graph showing the spectral characteristics of the backlight according to a low-pressure mercury lamp.
【図11】図10に示す特性のバックライトを用いた場合の光変調素子の光強度透過率を示すグラフである。 11 is a graph showing the light intensity transmittance of the light modulation element in the case of using a backlight of characteristics shown in FIG. 10.
【図12】紫外線バックライトの分光特性を示すグラフである。 12 is a graph showing the spectral characteristics of the ultraviolet backlight.
【図13】光変調素子の光強度透過率を示すグラフである。 13 is a graph showing the light intensity transmittance of the light modulation element.
【図14】光変調素子及び平面光源の他の変形例の概略断面図である。 14 is a schematic cross-sectional view of another modification of the optical modulation element and a planar light source.
【図15】光変調素子の他の変形例における構成と遮光動作を説明する図である。 15 is a diagram for explaining the structure and the light shielding operation of another modified example of the optical modulator.
【図16】図15に示す光変調素子の導光状態を説明する図である。 16 is a diagram for explaining a light guide state of the light modulation element shown in FIG. 15.
【図17】電気機械的な光変調素子の印加電圧に対する光透過率のヒステリシス特性を説明する図である。 17 is a diagram for explaining hysteresis characteristics of the light transmittance with respect to the applied voltage of the electromechanical light modulation element.
【図18】光変調素子の印加電圧に対する透過光の応答特性を説明する図である。 18 is a diagram illustrating the response characteristics of the transmitted light with respect to the applied voltage of the optical modulator.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 導光板2 信号電極4 ダイヤフラム7 信号電極8 可撓薄膜10、20,30 光変調素子50 アレイ型光変調素子τ 1行の走査時間τr 立ち上がり時間τf 立ち下がり時間 1 the light guide plate 2 signal electrode 4 diaphragm 7 signal electrodes 8 flexible thin film 10, 20, 30 optical modulator 50 array-type light modulation element tau 1 row scanning time τr rise time τf fall time

Claims (6)

  1. 静電気力による可撓部の変位動作と、該可撓部の弾性復帰動作により光変調を行う電気機械的な光変調素子を2次元のマトリクス状に配列したアレイ型光変調素子において、 A displacement operation of the flexible portion by electrostatic force, the array-type light modulation element having an array of electromechanical light modulation device for performing optical modulation in a two-dimensional matrix shape by elastic restoring operation of the movable flexures,
    前記光変調素子の復帰動作を行うリセット走査を、リセットされる走査ライン以外の走査ラインに対して、前記素子の変位動作又は状態維持の選択を行う書き込み走査と同時に行い、各走査ラインの書き込み走査を間断なく行い駆動することを特徴とするアレイ型光変調素子の駆動方法。 The reset scan for performing recovery operation of the light modulator, the scanning lines other than the scan line to be reset, performed simultaneously with the writing scanning for selecting the displacement motion or state maintenance of the device, the write scanning of each scan line the driving method of an array-type light modulation element, characterized in that without interruption performs driving.
  2. 前記リセット走査時間を前記書き込み走査時間の整数倍に設定することを特徴とする請求項1記載のアレイ型光変調素子の駆動方法。 The driving method of an array-type light modulation element according to claim 1, wherein the setting the reset scan time to an integer multiple of the write scan time.
  3. 前記リセット走査の駆動時間を前記可撓部の弾性復帰時間以上に設定することを特徴とする請求項1又は請求項2記載のアレイ型光変調素子の駆動方法。 The driving method of an array-type light modulation element according to claim 1 or claim 2, wherein the setting a drive time of the reset scan over the elastic return time of said flexible portion.
  4. 前記光変調素子の弾性復帰動作は、復帰後に遮光状態となる動作であることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項記載のアレイ型光変調素子の駆動方法。 Elastic return action of the light modulation element, according to claim 1 driving method of an array-type light modulation element according to any one of claims 3, characterized in that the operation of the light shielding state after return.
  5. 前記アレイ型光変調素子と、該アレイ型光変調素子に対向配置した平面光源と、アレイ型光変調素子を挟み前記平面光源の反対側に配設した蛍光体と、を備え、 Comprising said array-type light modulation element, a flat light source that is disposed opposite to the array-type light modulation element, and a phosphor that is disposed on the opposite side of the plane light source sandwiching array-type light modulation element, and
    前記アレイ型光変調素子を請求項1〜請求項4のいずれか1項記載の駆動方法により駆動して、前記アレイ型光変調素子から出射される光によって蛍光体を発光表示させることを特徴とする平面ディスプレイの駆動方法。 Driven by the driving method according to any one of the array-type light modulation element according to claim 1 to claim 4, and characterized in that emit light display the phosphor by light emitted from the array-type light modulation element driving method of a flat display that.
  6. 前記平面光源は、前記蛍光体を励起させる紫外線出射光源であることを特徴とする請求項5記載の平面ディスプレイの駆動方法。 The planar light source, a plane display driving method of claim 5 wherein the an ultraviolet emitting light source for exciting the phosphor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7123216B1 (en) * 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) * 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
JP3643508B2 (en) * 1999-09-28 2005-04-27 株式会社東芝 Movable film display device
US6704130B1 (en) * 1999-10-08 2004-03-09 Agere Systems Inc. Electromechanical optical modulator providing stray light control
US6700554B2 (en) * 1999-12-04 2004-03-02 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Transmissive display device using micro light modulator
US6898335B2 (en) * 2000-11-15 2005-05-24 Fuji Photo Film Co., Ltd. Optical modulator, exposure head and image recording apparatus
KR100470207B1 (en) * 2001-08-13 2005-02-04 엘지전자 주식회사 Apparatus and Method for Driving of Metal Insulator Metal Field Emission Display
JP2003057571A (en) * 2001-08-16 2003-02-26 Sony Corp Optical multi-layered structure and optical switching element, and image display device
US6794119B2 (en) * 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
US7781850B2 (en) * 2002-09-20 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controlling electromechanical behavior of structures within a microelectromechanical systems device
US7550794B2 (en) * 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
TW594360B (en) * 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW570896B (en) 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7221495B2 (en) * 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
WO2005050608A1 (en) * 2003-11-20 2005-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Improved addressing of a foil display device
US7142346B2 (en) * 2003-12-09 2006-11-28 Idc, Llc System and method for addressing a MEMS display
US7161728B2 (en) * 2003-12-09 2007-01-09 Idc, Llc Area array modulation and lead reduction in interferometric modulators
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
KR101313117B1 (en) * 2004-07-29 2013-09-30 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. System and method for micro-electromechanical operating of an interferometric modulator
US7499208B2 (en) * 2004-08-27 2009-03-03 Udc, Llc Current mode display driver circuit realization feature
US7551159B2 (en) * 2004-08-27 2009-06-23 Idc, Llc System and method of sensing actuation and release voltages of an interferometric modulator
US7889163B2 (en) * 2004-08-27 2011-02-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive method for MEMS devices
US7560299B2 (en) * 2004-08-27 2009-07-14 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US7515147B2 (en) * 2004-08-27 2009-04-07 Idc, Llc Staggered column drive circuit systems and methods
US7684104B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US20060065366A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Cummings William J Portable etch chamber
US20060067650A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of making a reflective display device using thin film transistor production techniques
US20060066932A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Clarence Chui Method of selective etching using etch stop layer
US7405861B2 (en) * 2004-09-27 2008-07-29 Idc, Llc Method and device for protecting interferometric modulators from electrostatic discharge
US7724993B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS switches with deforming membranes
US7349136B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-25 Idc, Llc Method and device for a display having transparent components integrated therein
US7554714B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7136213B2 (en) * 2004-09-27 2006-11-14 Idc, Llc Interferometric modulators having charge persistence
US7893919B2 (en) * 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7630119B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7675669B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for driving interferometric modulators
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US20060066594A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Karen Tyger Systems and methods for driving a bi-stable display element
US7843410B2 (en) * 2004-09-27 2010-11-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for electrically programmable display
US7369296B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-06 Idc, Llc Device and method for modifying actuation voltage thresholds of a deformable membrane in an interferometric modulator
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7373026B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc MEMS device fabricated on a pre-patterned substrate
US20060065622A1 (en) * 2004-09-27 2006-03-30 Floyd Philip D Method and system for xenon fluoride etching with enhanced efficiency
US7310179B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-18 Idc, Llc Method and device for selective adjustment of hysteresis window
US7679627B2 (en) * 2004-09-27 2010-03-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Controller and driver features for bi-stable display
US7527995B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US8878825B2 (en) * 2004-09-27 2014-11-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for providing a variable refresh rate of an interferometric modulator display
US7304784B2 (en) * 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7719500B2 (en) * 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7345805B2 (en) * 2004-09-27 2008-03-18 Idc, Llc Interferometric modulator array with integrated MEMS electrical switches
US7289259B2 (en) * 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7355779B2 (en) * 2005-09-02 2008-04-08 Idc, Llc Method and system for driving MEMS display elements
WO2006037044A1 (en) * 2004-09-27 2006-04-06 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US8514169B2 (en) 2004-09-27 2013-08-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and system for writing data to electromechanical display elements
US7420728B2 (en) * 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Methods of fabricating interferometric modulators by selectively removing a material
US7936497B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7553684B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Method of fabricating interferometric devices using lift-off processing techniques
US7545550B2 (en) * 2004-09-27 2009-06-09 Idc, Llc Systems and methods of actuating MEMS display elements
US8310441B2 (en) 2004-09-27 2012-11-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7532195B2 (en) * 2004-09-27 2009-05-12 Idc, Llc Method and system for reducing power consumption in a display
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7446927B2 (en) * 2004-09-27 2008-11-04 Idc, Llc MEMS switch with set and latch electrodes
US7417783B2 (en) * 2004-09-27 2008-08-26 Idc, Llc Mirror and mirror layer for optical modulator and method
US7492502B2 (en) * 2004-09-27 2009-02-17 Idc, Llc Method of fabricating a free-standing microstructure
US7626581B2 (en) * 2004-09-27 2009-12-01 Idc, Llc Device and method for display memory using manipulation of mechanical response
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
WO2006061730A1 (en) * 2004-12-06 2006-06-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Passive matrix electrophoretic display with reset
TW200628877A (en) * 2005-02-04 2006-08-16 Prime View Int Co Ltd Method of manufacturing optical interference type color display
US20060230530A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Igal Avishay Bed
US7920136B2 (en) * 2005-05-05 2011-04-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method of driving a MEMS display device
US7948457B2 (en) * 2005-05-05 2011-05-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods of actuating MEMS display elements
KR20080027236A (en) 2005-05-05 2008-03-26 콸콤 인코포레이티드 Dynamic driver ic and display panel configuration
EP2495212A3 (en) * 2005-07-22 2012-10-31 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Mems devices having support structures and methods of fabricating the same
US20070126673A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Kostadin Djordjev Method and system for writing data to MEMS display elements
US8391630B2 (en) * 2005-12-22 2013-03-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for power reduction when decompressing video streams for interferometric modulator displays
US7795061B2 (en) 2005-12-29 2010-09-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of creating MEMS device cavities by a non-etching process
US7916980B2 (en) * 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7382515B2 (en) * 2006-01-18 2008-06-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicon-rich silicon nitrides as etch stops in MEMS manufacture
US8194056B2 (en) * 2006-02-09 2012-06-05 Qualcomm Mems Technologies Inc. Method and system for writing data to MEMS display elements
US7547568B2 (en) * 2006-02-22 2009-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrical conditioning of MEMS device and insulating layer thereof
US7550810B2 (en) * 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
US7450295B2 (en) * 2006-03-02 2008-11-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for producing MEMS with protective coatings using multi-component sacrificial layers
US7527996B2 (en) * 2006-04-19 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Non-planar surface structures and process for microelectromechanical systems
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface
US7711239B2 (en) 2006-04-19 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing nanoparticles
US8049713B2 (en) * 2006-04-24 2011-11-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Power consumption optimized display update
US7369292B2 (en) * 2006-05-03 2008-05-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electrode and interconnect materials for MEMS devices
US7649671B2 (en) * 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7471442B2 (en) * 2006-06-15 2008-12-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus for low range bit depth enhancements for MEMS display architectures
US7702192B2 (en) 2006-06-21 2010-04-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods for driving MEMS display
US7835061B2 (en) * 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7385744B2 (en) * 2006-06-28 2008-06-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structure for free-standing MEMS device and methods for forming the same
US7777715B2 (en) 2006-06-29 2010-08-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Passive circuits for de-multiplexing display inputs
US7527998B2 (en) * 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US7763546B2 (en) 2006-08-02 2010-07-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Methods for reducing surface charges during the manufacture of microelectromechanical systems devices
US7566664B2 (en) * 2006-08-02 2009-07-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Selective etching of MEMS using gaseous halides and reactive co-etchants
US20080043315A1 (en) * 2006-08-15 2008-02-21 Cummings William J High profile contacts for microelectromechanical systems
US7706042B2 (en) * 2006-12-20 2010-04-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device and interconnects for same
US7957589B2 (en) * 2007-01-25 2011-06-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Arbitrary power function using logarithm lookup table
US7719752B2 (en) 2007-05-11 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS structures, methods of fabricating MEMS components on separate substrates and assembly of same
CN101946278A (en) * 2008-02-11 2011-01-12 高通Mems科技公司 Method and apparatus for sensing, measurement or characterization of display elements integrated with the display drive scheme, and system and applications using the same
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7768690B2 (en) * 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
JP5367383B2 (en) 2009-01-14 2013-12-11 株式会社東芝 Display device and a driving method thereof
US8405649B2 (en) * 2009-03-27 2013-03-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US8736590B2 (en) * 2009-03-27 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Low voltage driver scheme for interferometric modulators
US20110109615A1 (en) * 2009-11-12 2011-05-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Energy saving driving sequence for a display
CN102834761A (en) 2010-04-09 2012-12-19 高通Mems科技公司 Mechanical layer and methods of forming the same
US20110316832A1 (en) * 2010-06-24 2011-12-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel drive scheme having improved release characteristics
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8669926B2 (en) * 2011-11-30 2014-03-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Drive scheme for a display

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH641315A (en) * 1981-07-02 1984-02-29
US4799050A (en) * 1986-10-23 1989-01-17 Litton Systems Canada Limited Full color liquid crystal display
US5480582A (en) * 1993-06-30 1996-01-02 Pope; Edward J. A. Process for synthesizing amorphous silica microspheres with fluorescence behavior
US6218774B1 (en) * 1993-06-30 2001-04-17 Edward J. A. Pope Photoluminescent/electroluminescent display screen
US6201521B1 (en) * 1995-09-29 2001-03-13 Texas Instruments Incorporated Divided reset for addressing spatial light modulator
US5764208A (en) * 1995-11-02 1998-06-09 Texas Instruments Incorporated Reset scheme for spatial light modulators
JP3799092B2 (en) * 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インクAgilent Technologies, Inc. Light modulating device and a display device
DE69728029T2 (en) * 1996-12-16 2005-02-24 Ngk Insulators, Ltd., Nagoya display
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000098269A (en) 2000-04-07
US6356254B1 (en) 2002-03-12

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