JP4061840B2 - Hole transporting compound for an organic thin-film light emitting device and an organic thin film light emitting element - Google Patents

Hole transporting compound for an organic thin-film light emitting device and an organic thin film light emitting element Download PDF

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【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、耐熱性正孔輸送性化合物に関するもので、有機半導体薄膜の積層膜からなるダイオード特性を有する有機薄膜発光素子や電子写真感光体等に利用できる。 The present invention relates to a heat resistant positive hole transporting compound can be utilized in the organic thin-film light emitting device and an electrophotographic photosensitive member or the like having a diode characteristic having a laminated film of an organic semiconductor thin film.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
有機薄膜発光素子は、イーストマン・コダック社のC. Organic thin-film light-emitting element, Eastman Kodak Company C. W. W. Tang等により記された特開昭59−194393号公報、特開昭63−264692号公報、特開昭63−295695号公報、アプライド・フィジックス・レター第51巻第12号第913頁(1987年)、およびジャーナル・オブ・アプライドフィジックス第65巻第9号第3610頁(1989年)、アプライド・フィジックス・レター第69巻第15号第2160頁(1996年)、アプライド・フィジックス・レター第70巻第2号第152頁(1997年)、アプライド・フィジックス・レター第70巻第13号第1665頁(1997年)や、大阪大学の城田等により記されたアプライド・フィジックス・レター第65巻第7号第807頁(1994年)等で述べられている。 JP 59-194393 discloses labeled by like Tang, JP-A 63-264692, JP 63-295695 and JP Applied Physics Letters Vol. 51, No. 12, pp. 913 (1987 ), and the journal of Applied Physics Vol. 65 No. 9, pp. 3610 (1989), Applied Physics letters Vol. 69 No. 15, pp. 2160 (1996), Applied Physics letters Vol. 70 No. 2 pp 152 (1997), Applied Physics letters Vol. 70 No. 13, pp. 1665 (1997) and, Shirota Applied Physics letters Vol. 65, labeled by like Osaka University seventh No. stated in # 807 (1994), and the like.
【0003】 [0003]
有機薄膜発光素子の構成例を図1で示す。 An example of a configuration of an organic thin film light emitting element shown in FIG. まず、ガラスや樹脂フィルム等の透明絶縁性の基板(1)上に、蒸着、イオンプレーティング又はスパッタリング法等でインジウムとスズの複合酸化物(以下ITOという)の透明導電性被膜の陽極(2)が形成される。 First, on a transparent insulating substrate such as glass or a resin film (1), vapor deposition, ion plating, or a composite oxide of indium and tin in the sputtering method or the like anode of the transparent conductive film (hereinafter referred to as ITO) (2 ) is formed. 次にその上にイオン化エネルギーの小さい順に2〜3層程度積層した有機半導体薄膜層からなる有機正孔注入輸送層(3)が形成される。 The organic hole injection transport layer (3) is formed comprising an organic semiconductor thin film layer formed by laminating 2 to 3 layers in the ascending order of the ionization energy thereon.
【0004】 [0004]
例えば、まず酸化に対して高安定な銅フタロシアニン(以下CuPcと略す、イオン化エネルギー5.2eV)を第1正孔注入輸送層(8)として真空蒸着により10nmの厚さで形成する。 For example, first, (hereinafter referred to simply as CuPc, ionization energy 5.2 eV) highly stable copper phthalocyanine to oxidation is formed to a thickness of 10nm by vacuum evaporation as a first hole injection transport layer (8).
【0005】 [0005]
その上に、素子の短絡の原因となるピンホールを防ぐためにアモルファス性が高く、可視光の透過率が高い化学式4で示されるN,N' −ジ( 1−ナフチル) −N,N'−ジフェニル−1,1' −ビフェニル−4,4' −ジアミン(以下NPDと略す。ガラス転移温度96℃、イオン化エネルギー5.4eV)や化学式5で示されるm−MTDATA(ガラス転移温度75℃、イオン化エネルギー5.2eV)を第2正孔注入輸送層(9)として真空蒸着により40〜100nm程度の厚さで形成する。 Thereon, high amorphous to prevent pinholes causing a short circuit of the element, N transmittance of visible light is shown by the high chemical formula 4, N '- di (1-naphthyl) -N, N' diphenyl-1,1 '- biphenyl-4,4' - diamine (. hereinafter abbreviated as NPD glass transition temperature 96 ° C., ionization energy 5.4 eV) and m-MTDATA (glass transition temperature 75 ° C. represented by the chemical formula 5, ionization is formed to a thickness of about 40~100nm by vacuum evaporation as an energy 5.2 eV) second hole injecting and transporting layer (9).
【0006】 [0006]
【化2】 ## STR2 ##
【0007】 [0007]
【化3】 [Formula 3]
【0008】 [0008]
次に有機正孔注入輸送層(3)上に有機発光層(4)としてトリス(8−キノリノラート)アルミニウム(以下Alqと略す。イオン化エネルギー5.8eV)等の有機蛍光体や特開平11−3782号公報、特開平11−323323号公報、特開平11−329732号公報、特開2000−178548号公報で述べられているアントラセン系、ベンゾアントラセン系発光材料等を40〜100nm程度の厚さで蒸着法、昇華転写法等で成膜する。 The organic hole injection transport layer (3) on the organic light emitting layer (4) as tris (8-quinolinolato) aluminum (hereinafter abbreviated as Alq. Ionization energy 5.8 eV) organic phosphor and Hei such 11-3782 JP, Hei 11-323323, JP-a No. 11-329732 and JP-anthracene are described in JP-a-2000-178548, depositing a benzo anthracene-based light emitting material such as a thickness of about 40~100nm law, deposited by sublimation transfer method, or the like.
【0009】 [0009]
発光層中にペリレン系、クマリン系、ピラン系、ジメチルキナクリドン等の蛍光量子収率の高い蛍光色素をゲスト材料とし、1〜10重量%程度ドーピングすることにより、発光輝度を高めたり、発光色を変えることもできる。 Emitting layer perylene in, coumarin, pyran-based, fluorescence quantum yield high fluorescence dye such dimethylquinacridone and a guest material, by doping about 1 to 10 wt%, and increasing the light emission luminance, the emission color It can also be varied. ドーピングは共蒸着、または発光層ホスト材料とゲスト材料の積層膜を加熱することによりホスト材料中にゲスト材料を熱拡散させることも可能である。 Doping is also possible to thermally diffuse the guest material to the host material by heating the co-deposition, or laminated film of the light emitting layer host material and a guest material.
【0010】 [0010]
有機発光層(4)上に電子輸送能力の優れたAlqやビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体等の材料からなる電子輸送層(5)を形成し駆動電圧を低減したり、正孔ブロック性の優れた2、9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン等の材料を発光層界面に積層して多層の電子輸送層(5)とすることもできる。 The organic light-emitting layer (4) or to reduce the outstanding Alq and bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) formed by driving voltage electron transport layer made of a material such as beryllium complex (5) of the electron transport capability on, the hole blocking excellent in 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-material phenanthroline or the like is laminated on the light emitting layer interface may be an electron-transporting layer of a multilayer (5).
【0011】 [0011]
次に陰極(7)としてAlやAl:Li合金、希土類合金等の低仕事関数合金を共蒸着法により200〜1000nm程度蒸着する。 Then the cathode (7) as Al or Al: Li alloy is deposited about 200~1000nm by coevaporation a low work function alloy such as rare earth alloy.
【0012】 [0012]
陰極にAlを用いる場合は、より電子注入効率を上げるために0.5nm程度のフッ化リチウムや酸化リチウム等のアルカリ金属含有電子注入層(6)を有機発光層(4)または電子輸送層(5)と陰極(7)間に形成することも行われる。 If Al is used as a cathode, more electron injecting alkali metal containing an electron injection layer of lithium fluoride or lithium oxide or the like of about 0.5nm for efficiency (6) The organic light-emitting layer (4) or an electron transport layer ( 5) and also carried out be formed between the cathode (7).
【0013】 [0013]
以上のように作られた素子は、透明電極側を陽極として3V程度以上の直流低電圧を印加することにより発光層に正孔と電子が注入され、その再結合により発光する。 Elements made as described above, holes and electrons are injected into the light emitting layer to the transparent electrode side by applying approximately 3V or more low DC voltage as the anode, emits light by the recombination.
【0014】 [0014]
以上のように形成した発光素子では、12V程度の直流電圧印加で10000cd/m 2以上の輝度が得られる。 In the light emitting device formed as described above, 10000 cd / m 2 or more luminance can be obtained by the DC voltage application of about 12V.
【0015】 [0015]
有機薄膜発光素子に用いる有機材料は耐熱性が要求されている。 The organic materials used for an organic thin film light emitting element is heat resistance is required. 駆動による発熱や、夏の自動車のダッシュボード上でも有機層が軟化し混合することが無いようアモルファス材料では100℃以上のガラス転移温度を有することが求められる。 Fever, by the drive, it is required to have a glass transition temperature above 100 ° C. an amorphous material such that there is no organic layer even on the dashboard of the summer vehicle is mixed softened.
【0016】 [0016]
しかし、通常有機薄膜発光素子に用いられるm−MTDATAやNPDはガラス転移温度が100℃以下であるため、陰極蒸着や封止等の素子作製中の基板温度上昇や素子の駆動中の発熱や高温になる場所での使用により、素子が劣化しやすい問題があった。 However, since the m-MTDATA and NPD generally used in the organic thin film light-emitting element a glass transition temperature of 100 ° C. or less, heat generation and high temperature drive in the substrate temperature increases and the element of the device being fabricated, such as cathode evaporation and sealing the use of in to become location, element there has been a problem that tends to deteriorate.
【0017】 [0017]
具体的には有機層が混合し素子の電流電圧特性が高電圧化したり、膜の結晶化が促進され電気的短絡やリークが発生し易くなる問題があった。 Specifically or current-voltage characteristics of the device were mixed organic layer is high voltage, electrical shorts or leakage crystallization is promoted in the film there is a problem that tends to occur.
【0018】 [0018]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものであり、その課題とするところは、100℃以上の高いガラス転移温度を持つ耐熱正孔輸送性化合物の提供とそれらを用いた耐熱性の高い有機薄膜発光素子を提供することにある。 Heat the present invention has been made to solve these problems, and has as its object, using these and provide heat hole-transporting compound having a 100 ° C. higher than the glass transition temperature It is to provide a highly sexual organic thin film light emitting element.
【0019】 [0019]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明において、前記課題を解決するために耐熱正孔輸送性化合物として、一般式[1]で示した構造を有するテトラヒドロピレン環を有する正孔輸送性化合物であって化学式7で示した構造を有する正孔輸送性化合物を用いることである。 In the present invention, as a heat-hole-transporting compound in order to solve the above problems, the structure shown a hole-transporting compound having a tetrahydropyran pyrene ring having the structure shown by the general formula [1] in Formula 7 it is to use a hole-transporting compound having.
【化4】 [Of 4]
(ここで、置換基R 1 〜R 2 はフェニル基、トリル等、ナフチル基、ビフェニル基、 9,9- ジメチルフルオレン - - イル基、 4,5,9,10 −テトラヒドロピレン残基を含むアリール基等のアリール基から独立に選ばれる。またはR 1 とR 2 、R 3 とR 4 の一方または両方は連結可能で、カルバゾリル基、イミノジベンジリル基を1つ以上含み、連結していないR n 基(nは1と2、または3と4)はフェニル基、トリル等、ナフチル基、ビフェニル基、 9,9- ジメチルフルオレン - - イル基、 4,5,9,10 −テトラヒドロピレン残基を含むアリール基等のアリール基から独立に選ばれる。) (Wherein the substituents R 1 to R 2 is a phenyl group, tolyl, naphthyl, biphenyl, 9,9-dimethyl-fluorene - 2 - yl group, 4,5,9,10 - including tetrahydropyrene residues are independently selected from aryl groups and aryl groups. or one or both of R 1 and R 2, R 3 and R 4 can be connected, a carbazolyl group, a iminodiacetonitrile benzylidene Lil groups include one or more, not consolidate no R n groups (n is 1 and 2 or 3 and 4) is a phenyl group, tolyl, naphthyl, biphenyl, 9,9-dimethyl-fluorene - 2 - yl group, 4,5,9,10 - tetrahydro It is independently selected from an aryl group such as an aryl group containing a pyrene residue.)
【0020】 [0020]
本発明における一般式[1]で示す正孔輸送性化合物は図1に示す有機薄膜発光素子の正孔注入輸送層(3)、第1正孔注入輸送層(8)、第2正孔注入輸送層(9)、有機発光層(4)、電子輸送層(5)等の、有機薄膜発光素子中の対向する電極間の半導体特性を有する有機層の少なくとも一層に用いることができる。 Hole transporting compound represented by the general formula [1] in the present invention is a positive hole injection transport layer of the organic thin film light emitting element shown in FIG. 1 (3), first hole injection transport layer (8), a second hole injection transporting layer (9), an organic light-emitting layer (4), such as an electron transport layer (5), it can be used in at least one layer of the organic layer having a semiconductor characteristic between electrodes opposed in the organic thin film light emitting element.
【0021】 [0021]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
従来用いられてきた正孔輸送材料では窒素原子間は、化学式4の化合物のようにビフェニレン基が用いられる場合が多かったが、本発明に用いる一般式[1]で示される化合物では、テトラヒドロピレン環を用い、その2本の非共役のエチレン鎖がビフェニレン基の回転の自由度を適度に抑制するため、ビフェニレン基の場合よりも分子の剛直性を高め、30〜40℃程度ガラス転移温度を高めることができる。 Between the nitrogen atom a hole transport material that has been used conventionally, if the biphenylene group as the compound of formula 4 is used but there were many, with a compound represented by the general formula [1] used in the present invention, tetrahydropyrene using a ring, since the non-conjugated ethylene chain of the two is moderately suppressed the freedom of rotation of the biphenylene group, it enhances the rigidity of the molecule than in a biphenylene group, a 30 to 40 ° C. of about the glass transition temperature it is possible to increase.
【0022】 [0022]
また、一般式[1]で示される正孔輸送性化合物の分子量は、500〜1500であることが好ましい。 The molecular weight of the hole transporting compound represented by the general formula [1] is preferably 500 to 1,500. 500以下の場合は蒸発源の輻射熱やプロセスの影響で基板温度が100℃以上になった場合、真空蒸着時に基板に付着しにくかったり再蒸発する問題があり、分子量が1500以上の場合は蒸発温度が高くなり化合物の分解や炭化の問題が生じるからである。 If the substrate temperature under the influence of radiant heat and process of the evaporation source in the case of 500 or less is equal to or higher than 100 ° C., there is a problem that re-evaporate or difficult to adhere to the substrate during the vacuum deposition, if the molecular weight is 1500 or higher evaporation temperature This is because decomposition and carbonization of the problems of higher becomes compound occurs.
【0023】 [0023]
ビフェニレン基のテトラヒドロピレン化に加えて、化学式2で示す化合物のように剛直性が高く耐熱性が高いナフタレン環等のアリール基を導入することにより、さらに高いガラス転移温度を得ることができる。 In addition to tetrahydropyrene of biphenylene group, by rigidity high heat resistance as the compound represented by the chemical formula 2 introduces high aryl group such as a naphthalene ring, it can be obtained a higher glass transition temperature. 具体的には、化合物(化学式3)は約136℃(DSCで20℃/minの昇温速度で測定、転移領域128℃〜141℃)の高いガラス転移温度を有し、平滑で透明なアモルファス蒸着膜が得られる。 Specifically, the compound (Formula 3) (measured at a heating rate of DSC at 20 ° C. / min, the transition region 128 ℃ ~141 ℃) about 136 ° C. has a glass transition temperature higher, transparent amorphous smooth vapor-deposited film can be obtained.
【化5】 [Of 5]
【0024】 [0024]
また、化学式3の膜のイオン化エネルギーは5.4eVであり、正孔注入輸送性に優れる。 Also, film ionization energy of the Formula 3 is 5.4 eV, excellent hole injecting and transporting properties.
【0025】 [0025]
化合物(化学式2)の2つのナフチル基は、αまたはβ位で置換することができるが、α位とβ位の両方で置換した化合物(化学式6)で示す化合物はより対称性が低く、化学式3よりもさらに結晶化し難くできる。 Two naphthyl group of the compound (Formula 2) may be replaced by α or β-position, compounds substituted with both α-position and β-position a compound represented by (Chemical Formula 6) is more symmetry is low, the formula it further difficult to crystallize than 3.
【0026】 [0026]
【化6】 [Omitted]
【0027】 [0027]
その他の一般式[1]で示される分子量500〜1500の化合物の具体例としては、化学式7〜化学式18で示す化合物が上げられる。 Specific examples of the compound having a molecular weight 500 to 1500 represented by the other general formula [1], compounds represented by the chemical formula 7 Formula 18 is raised.
【0028】 [0028]
【化7】 [Omitted]
【0029】 [0029]
【化8】 [Of 8]
【0030】 [0030]
【化9】 [Omitted]
【0031】 [0031]
【化10】 [Of 10]
【0032】 [0032]
【化11】 [Of 11]
【0033】 [0033]
【化12】 [Of 12]
【0034】 [0034]
【化13】 [Of 13]
【0035】 [0035]
【化14】 [Of 14]
【0036】 [0036]
【化15】 [Of 15]
【0037】 [0037]
【化16】 [Of 16]
【0038】 [0038]
【化17】 [Of 17]
【0039】 [0039]
【化18】 [Of 18]
【0040】 [0040]
【化19】 [Of 19]
【0041】 [0041]
化学式3の化合物の合成法は、まず、ピレンのBirch 還元により4,5,9,10−テトラヒドロピレンを得る。 Synthesis of compounds of formula 3 is first obtain 4,5,9,10- tetrahydropyrene by Birch reduction of pyrene. 次に、4,5,9,10−テトラヒドロピレンを臭素と反応させて2,7-ジブロモ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンを得る。 Next, 4,5,9,10- the tetrahydropyrene reacted with bromine 2,7-dibromo -4,5,9,10 - obtaining tetrahydropyrene. 次に2,7-ジブロモ-4,5,9,10-テトラヒドロピレンをPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下、N- フェニル- 1- ナフチルアミンと反応させて、化学式3で示す化合物N,N'- ジフェニル-N,N'-ジ(1-ナフチル)-4,5,9,10 −テトラヒドロピレン-2,7- ジアミンを得る。 Then 2,7-dibromo -4,5,9,10- the tetrahydropyrene Pd catalyst / tertiary-butylphosphine presence, N- phenyl - is reacted with 1-naphthylamine, compounds represented by the chemical formula 3 N, N ' - diphenyl -N, N'-di (1-naphthyl) -4,5,9,10 - obtaining tetrahydropyrene-2,7-diamine.
【0042】 [0042]
化学式6の化合物の合成法は、4,5,9,10−テトラヒドロピレンを過酸化窒素でモノニトロ化し2-ニトロ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンを得た後、Sandmeyer 反応でニトロ基をブロモ化し、さらにヨウ素とヨウ素酸により7 位をヨウ素化し2-ブロモ-7- ヨ−ド-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンを得る。 Synthesis of compounds of formula 6, and mononitrated the 4,5,9,10- tetrahydropyrene in nitrogen peroxide 2-nitro -4,5,9,10 - after obtaining tetrahydropyrene, nitro group Sandmeyer reaction was brominated, further 7-position with iodine and iodate iodination of 2-bromo-7-Yo - de -4,5,9,10 - obtaining tetrahydropyrene.
【0043】 [0043]
次にullman反応によりN- フェニル- 1- ナフチルアミンとヨード基を反応させて2-ブロモ-N- フェニル-N-(1- ナフチル)-4,5,9,10 −テトラヒドロピレン-7- アミンを得る。 Then the ullman reaction N- phenyl - is reacted with 1-naphthylamine and iodo bromo -N- phenyl -N- (1-naphthyl) -4,5,9,10 - the tetrahydropyrene-7-amine obtain. さらにPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下、残ったブロモ基とN- フェニル- 2- ナフチルアミンと反応させて、化学式6で示す化合物N,N'- ジフェニル-N,N'-ジ(2-ナフチル)-4,5,9,10 −テトラヒドロピレン-2,7- ジアミンを得ることができる。 Further Pd catalyst / tertiary-butylphosphine presence, residual bromo groups and N- phenyl - is reacted with 2-naphthylamine, compounds represented by the chemical formula 6 N, N'-diphenyl -N, N'-di (2-naphthyl ) -4,5,9,10 - can be obtained tetrahydropyrene-2,7-diamine.
【0044】 [0044]
化学式7、8の化合物の合成は、化学式3の合成法中のN- フェニル- 1- ナフチルアミンに代えてそれぞれイミノジベンジル、カルバゾールを用いて同様に行う。 Synthesis of compounds of Formula 7 and 8, of the formula 3 synthesis of N- phenyl - carried out in the same manner with each iminodibenzyl, carbazole instead of 1-naphthylamine.
【0045】 [0045]
化学式9の化合物は、化学式6の合成法中のN- フェニル- 1- ナフチルアミンに代えてイミノジベンジルを用いて2-ブロモ-7- イミノジベンジル-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンを得た後、カルバゾールをPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下反応させて得られる。 Compounds of Formula 9, of formula 6 synthesis of N- phenyl - with iminodibenzyl in place of 1-naphthylamine 2-bromo-7-iminodibenzyl -4,5,9,10 - the tetrahydropyrene after obtaining, obtained carbazole Pd catalyst / tertiary-butylphosphine is the presence reactions.
【0046】 [0046]
化学式10〜化学式12の化合物は、化学式8の化合物の合成法中カルバゾールに代えてそれぞれ、p−トリル−1−ナフチルアミン、N-(9,9-ジメチルフルオレン- 2- イル)−アニリン、N-(9,9-ジメチルフルオレン- 2- イル)-1,1'-ビフェニル-4- アミンを反応させることにより得られる。 Compounds of Formula 10 Formula 12, respectively in place of the synthetic method in the carbazole compounds of formula 8, p-tolyl-1-naphthylamine, N- (9,9-dimethyl-fluorene - 2-yl) - aniline, N- obtained by - (9,9-dimethyl-fluoren-2-yl) reacting a 1,1'-biphenyl-4-amine.
【0047】 [0047]
化学式13〜化学式17の化合物は、2倍モル以上の2-ブロモ-7- イミノジベンジル-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンとそれぞれアニリン、ジフェニル-p- フェニレンジアミン、ジフェニルベンジジン、ビス(4,4'- アニリノ)ジフェニルメタン、N,N'−(2-ナフチル)-p- フェニレンジアミンをPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下反応させて得られる。 Compounds of Formula 13 Formula 17 is at least twice the molar 2-bromo-7-iminodibenzyl -4,5,9,10 - tetrahydropyrene respectively aniline, diphenyl -p- phenylenediamine, diphenyl benzidine, bis ( 4,4' anilino) diphenylmethane, N, N '- (obtained 2-naphthyl)-p-phenylenediamine Pd catalyst / tertiary-butylphosphine is the presence reactions.
【0048】 [0048]
化学式18の化合物は、2-アミノ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンと2-ブロモ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンとを当モル比でPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下反応させビス(4,5,9,10−テトラヒドロピレン- 2-イル)アミンを得る。 Compounds of Formula 18, 2-amino -4,5,9,10 - tetrahydropyrene and 2-bromo -4,5,9,10 - Pd catalyst / tertiary-butylphosphine presence and tetrahydropyrene in equimolar ratio It reacted bis - obtaining (4,5,9,10- tetrahydropyrene 2- yl) amine. これを、2-ブロモ-7- イミノジベンジル-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンとPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下反応させて得られる。 This 2-bromo-7-iminodibenzyl -4,5,9,10 - obtained tetrahydropyrene and Pd catalyst / tertiary-butylphosphine is the presence reactions.
【0049】 [0049]
化学式19の化合物は、2-アミノ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンを2倍モル以上の2-ブロモ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレンとPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下反応させトリス(4,5,9,10−テトラヒドロピレン- 2-イル)アミンを得る。 Compounds of Formula 19, 2-amino -4,5,9,10 - tetrahydropyrene twice or more moles of 2-bromo -4,5,9,10 - tetrahydropyrene and Pd catalyst / tertiary-butylphosphine presence It reacted tris - obtaining (4,5,9,10- tetrahydropyrene 2- yl) amine. さらにこれをヨウ化カリウムでヨウ素化しトリス[7- ヨード- (4,5,9,10−テトラヒドロピレン- 2-イル)] アミンを得る。 Furthermore it was iodinated with potassium iodide tris obtain [7-iodo - - (4,5,9,10- tetrahydropyrene 2- yl)] amine. これに3倍モル以上のイミノジベンジルをUllman反応またはPd触媒/ターシャリーブチルホスフィン存在下反応させて得られる。 This three-fold molar or more iminodibenzyl Ullman reaction or Pd catalyst / tertiary-butylphosphine is the presence reaction obtained.
【0050】 [0050]
化学式6〜化学式19の正孔輸送性化合物は、テトラピレン構造を1つ以上含み100℃以上の高いガラス転移温度を有する。 Hole transporting compound of Formula 6 to Formula 19, having one or more comprise 100 ° C. higher than the glass transition temperature Tetorapiren structure.
【0051】 [0051]
以下、本発明における一般式[1]の化合物を用いた有機薄膜発光素子を作製する場合の方法を説明する。 Hereinafter, a method in the case of producing an organic thin film light-emitting device using the compound of the general formula [1] in the present invention.
【0052】 [0052]
本発明における一般式[1]で示す正孔輸送性化合物は図1に示す有機薄膜発光素子の正孔注入輸送層(3)、第1正孔注入輸送層(8)、第2正孔注入輸送層(9)、有機発光層(4)、電子輸送層(5)等の、有機薄膜発光素子中の対向する電極間の半導体特性を有する有機層の少なくとも一層に用いることができる。 Hole transporting compound represented by the general formula [1] in the present invention is a positive hole injection transport layer of the organic thin film light emitting element shown in FIG. 1 (3), first hole injection transport layer (8), a second hole injection transporting layer (9), an organic light-emitting layer (4), such as an electron transport layer (5), it can be used in at least one layer of the organic layer having a semiconductor characteristic between electrodes opposed in the organic thin film light emitting element.
【0053】 [0053]
有機薄膜発光素子は基板上に通常、陽極(2)、正孔注入輸送層(3)、有機発光層(4)、電子輸送層(5)、陰極(7)の順に形成された後、封止膜またはガラス板等の封止板や金属缶で封止され作られる。 The organic thin film light emitting element is typically on a substrate, an anode (2), a hole injection transport layer (3), an organic light-emitting layer (4), an electron transport layer (5), after being formed in this order of the cathode (7), sealed made sealed with Tomemaku or sealing plate or a metal can such as a glass plate. また、別の場合には、基板上に陰極、電子輸送層、有機発光層、正孔注入輸送層、陽極の順に形成され封止することも可能である。 In other cases, the cathode on the substrate, an electron-transporting layer, an organic light-emitting layer, hole injecting and transporting layer, it is also possible to seal formed in this order of the anode.
【0054】 [0054]
基板としてはプラスチック基板やガラス基板の他、シリコン基板等を用いることができるが、基板が不透明な場合は、光を取り出すためには少なくとも1方の対極または素子の端面が透明である必要がある。 Another plastic substrate or glass substrate as the substrate can be a silicon substrate or the like, if the substrate is opaque, it is necessary to take out the light is an end of at least one-way counter electrode or element transparent .
【0055】 [0055]
陽極(2)は通常ITOやインジウム亜鉛複合酸化物、酸化錫等の透明電極が用いられるが、他の場合には金やプラチナ、パラジウム、ニッケル等の仕事関数が大きい金属の10nm程度以下の膜厚の半透明膜や、カーボン膜、ポリチオフェン、ポリアニリン等の導電性高分子膜が単独または透明電極上に積層して用いられる。 The anode (2) typically ITO, indium zinc oxide, but a transparent electrode such as tin oxide used, gold and platinum in other cases, palladium, 10 nm approximately the following film having a large work function metal such as nickel thick and translucent film, carbon film, polythiophene, electrically conductive polymer film such as polyaniline is used by laminating on alone or transparent electrode.
【0056】 [0056]
正孔注入輸送層(3)は本発明の一般式[1]の化合物を、単独で、または他の有機半導体材料と積層して用いる。 The hole injection transport layer (3) is a compound of general formula [1] of the present invention, used alone or laminated with other organic semiconductor materials. 成膜方法は真空蒸着法、または有機溶媒に溶かしてスピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、インクジェット法等、材料に応じて各種の製膜方法を適用し、陽極(2)上に厚さ数nm〜1μm程度の厚さに薄膜化し、正孔注入輸送層(3)とすることができる。 Film forming method spin coating dissolved in a vacuum deposition or an organic solvent, a dip coating method, a roll coating method, an inkjet method, or the like, applying various film formation methods depending on the material, thickness on the anode (2) thinned to a thickness of about several nm~1μm is, can be a hole injection transport layer (3). 一般式[1]の化合物より小さいイオン化エネルギーを持つ銅フタロシアニン等を第1正孔注入輸送層とする場合、一般式[1]の化合物を第2正孔注入輸送層とする。 If the general formula [1] Copper phthalocyanine having a small ionization energy from the compounds of the first hole injection transport layer, a compound of general formula [1] and second hole injecting and transporting layer.
【0057】 [0057]
一般式[1]の化合物はSe、Te等のカルコゲン系半導体や酸化インジウム、酸化インジウムスズ複合酸化物等の遷移金属酸化物半導体材料中に分散または混合して正孔注入輸送層(3)とすることもできる。 The compounds of the general formula [1] is Se, chalcogenide semiconductor or indium oxide or Te, dispersed or mixed in the transition metal oxide semiconductor material such as indium tin oxide positive hole injection transport layer (3) it is also possible to.
【0058】 [0058]
また、本発明の一般式[1]の化合物の膜中に塩化第2鉄や、トリス(4−ブロモフェニル)アンモニウムヘキサクロルアンチモネート等のルイス酸からなるアクセプターを添加し膜の電気抵抗を小さくし1μm以上の厚膜で正孔注入輸送層(3)を形成し素子の短絡を防止することも可能である。 In general formula [1] film ferric chloride and while the compounds of the present invention, the addition of acceptor consisting of a Lewis acid tris (4-bromophenyl) ammonium hexa chloro antimonate like the electrical resistance of the film decreases it is also possible to prevent and hole injection transport layer in the above thick film 1μm shorting formed element (3).
【0059】 [0059]
有機発光層(4)は、Alq等の既知の各種有機発光材料や、化学式20〜22で示す化合物等を用いることができる。 The organic light-emitting layer (4) can be used and various known organic light emitting material such as Alq, the compounds shown by Formula 20-22. ここで、Ar基はナフチル基、ビフェニル基、9,9-ジメチルフルオレン- 2- イル基、オキサジアゾール基、トリアゾール基を含む基等から選ばれるアリール基である。 Here, Ar group is a naphthyl group, a biphenyl group, 9,9-dimethyl-fluorene - 2-yl group, oxadiazole group, an aryl group selected from the group comprising triazole group.
【0060】 [0060]
【化20】 [Of 20]
【0061】 [0061]
【化21】 [Of 21]
【0062】 [0062]
【化22】 [Of 22]
【0063】 [0063]
また、本発明の一般式[1]の化合物をホストとしアントラセン誘導体、ベンゾアントラセン誘導体、ルブレン、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体等の有機蛍光体、リン光体を50重量%以下ドープすることにより、有機発光層(4)としても用いることができる。 In general formula [1] anthracene derivative compound as a host of the present invention, benzo anthracene derivatives, rubrene, tris (2-phenylpyridine) organic fluorescent material such as an iridium complex, phosphors doped 50% by weight the can also be used as the organic light emitting layer (4).
【0064】 [0064]
電子輸送層(5)材料の例としては、電子輸送能力の優れた2,5−ビス(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾールや浜田らの合成したオキサジアゾール誘導体(日本化学会誌、1540頁、1991年)、特開平7−90260号公報で述べられているトリアゾール化合物等がある。 Examples of the electron transport layer (5) material, superior 2,5-bis (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole and synthesized oxadiazole derivatives of Hamada et electron transport capability (Japan Journal of the chemical Society, 1540, pp. 1991), there is a triazole compound and the like which are described in JP-A-7-90260 JP. その他、ゲスト発光体をドーピングし有機発光層(4)を形成した場合には、Alqやビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]キノリノラート)ベリリウム錯体等のホスト発光材料のみを用いることも可能である。 Additional, in the case of forming a doped organic light-emitting layer a guest emitting material (4) is also Alq and bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinolato) using only a host luminescent material such as beryllium complex. また、電子輸送層(5)の有機材料中にLiやCs等のアルカリ金属またはそれらのアルコキシドをドープしより低抵抗化し用いることも可能である。 It is also possible to use the low-resistance than doped said alkali metal or their alkoxides such as Li or Cs to the organic material of the electron transport layer (5).
【0065】 [0065]
電子輸送層(5)は単層、または正孔ブロック性の優れた2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン等の材料を発光層界面に積層して多層とすることもできる。 An electron transport layer (5) be a multilayer laminated a single layer or hole-blocking properties superior 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-material phenanthroline, the luminous layer interface It can also be.
【0066】 [0066]
電子輸送層は真空蒸着法等の薄膜形成法で10〜1000nmの厚さで成膜される。 Electron-transporting layer is formed to a thickness of 10~1000nm a thin film formation method such as a vacuum deposition method.
【0067】 [0067]
陰極(5)は、有機発光層(4)または電子輸送層(5)上に形成する。 Cathode (5) is formed on the organic light emitting layer (4) or an electron transport layer (5).
陰極は、有機発光層(4)または電子注入輸送層(6)と接する面に低仕事関数の材料を用いると電子注入効率が高まり低電圧発光が可能となる。 Cathode, the organic light emitting layer (4) or an electron injection transport layer (6) in contact with a material of low work function on the surface when the increased electron injection efficiency and low-voltage light emission becomes possible. 陰極を構成する材料はMg,Al等の金属単体が用いることも可能である。 The material constituting the cathode is also possible to use Mg, earth metals such as Al. より低電圧で発光させ発光効率を上げるためにはLi,Mg,Ca,Sr,La,Cs,Er,Eu等の仕事関数3.7eV以下の低仕事関数金属を1種以上を含む低仕事関数合金で陰極を形成するか、1nm厚程度以下のアルカリ金属またはLiF、Li 2 O、Cs 2 O等のアルカリ金属を含む化合物を含むアルカリ金属含有層(6)を有機発光層(4)または電子輸送層(5)上に形成してからAlやAg、Cu等の電気抵抗が低く難腐食性の金属で陰極(5)を形成する。 Low work function in order to enhance the luminous efficiency and emission at a lower voltage, including Li, Mg, Ca, Sr, La, Cs, Er, the one or more work function 3.7eV or lower work function metal such as Eu alloy or forming a cathode, 1 nm thickness of about or less of an alkali metal or LiF, Li 2 O, an alkali metal-containing layer comprising a compound containing an alkali metal Cs 2 O, etc. (6) the organic light-emitting layer (4) or electronic transport layer (5) on the form to an Al or Ag, electric resistance such as Cu to form a cathode (5) flame corrosive metal lower.
【0068】 [0068]
陰極の形成方法は、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法を用いたり、合金ターゲットを用いてスパッタリング法により陰極を成膜することができる。 Forming method of the cathode, depending on the material, resistance heating deposition, electron beam deposition, reactive deposition method, or using an ion plating method, it is possible to form a cathode by a sputtering method using an alloy target .
【0069】 [0069]
単純マトリックス駆動ディスプレイを形成する場合に陰極をストライプ状に形成する必要がある場合には、スリット状に穴の開いたマスクを基板に密着させて蒸着するか、陰極形成部全面に蒸着した後、レーザーアブレーション法またはイオンビームエッチング法、リアクティブエッチング法等で陰極金属のパターンニングを行うか、または、表面エネルギーの小さいトリフルオメチル基を3個以上有する炭素数6以上のフッ素置換アルキル化合物またはアルキレート化合物をライン上に塗布すれば、その部分にのみMg等の金属が付着せず、陰極の金属ライン間を分離することができる。 If it is necessary to form a cathode in stripes in the case of forming a passive matrix display, or a mask with a hole in a slit shape is deposited by close contact with the substrate, after depositing the cathode forming portion entirely, laser ablation or ion beam etching, or perform patterning of the cathode metal in a reactive etching method and the like, or, having 6 or more carbon atoms having a small trifluoride methyl surface energy at least three fluorine-substituted alkyl compound or alkylate if applying the compound on the line, a metal such as Mg is not attached only to that portion, it is possible to separate the metal cathode lines.
【0070】 [0070]
絶縁封止膜(10)は、有機層や電極の酸化を防ぐため陰極(5)形成後直ちに形成する。 Insulating sealing film (10), the cathode (5) to prevent oxidation of the organic layers and electrodes immediately formed after formation. 絶縁封止膜材料の例としては、SiO 2 、SiO、GeO、MgO、Al 23 、B 23 、TiO 2 、ZnO、SnO等の酸化物(多少化学量論比からずれていることもある)、MgF 2 、LiF、AlF 3等の沸化物、またはアモルファスなシリコン窒化膜、シリコン窒化酸化膜、アルミシリコン窒化酸化膜、ダイヤモンドライクカーボン膜等のガスおよび水蒸気バリアー性、電気絶縁性の高い材料があげられるが、上記例に限定されるものではない。 Examples of the insulating sealing film materials, SiO 2, SiO, GeO, MgO, Al 2 O 3, B 2 O 3, TiO 2, ZnO, oxides of SnO etc. (that is deviated from slightly stoichiometric ratio also), MgF 2, LiF, boiling products such as AlF 3 or amorphous silicon nitride film, a silicon nitride oxide film, an aluminum silicon nitride oxide film, such as a diamond-like carbon film gas and water vapor barrier property, electrical insulation property high material and the like, but not limited to the above examples. これらを単体または複合化、または多層化して蒸着法、反応性蒸着法、CVD法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等により成膜する。 These single or composite, or multi-layered to evaporation, reactive deposition method, CVD method, a sputtering method, formed by ion plating method.
【0071】 [0071]
ピンホール防止膜(11)としては、Al、In、Zn、Sn、Mg等の金属膜を蒸着、スパッタ法等で数100nm以上の厚さで絶縁封止膜(10)上に形成し、絶縁封止膜(10)の微細な欠陥部からの水分、酸素の浸透を防止する。 The pinhole-preventing film (11) to form Al, an In, Zn, Sn, depositing a metal film such as Mg, on the insulating sealing film (10) by the number 100nm or more thick by sputtering or the like, insulating moisture from the fine defect of the sealing film (10) to prevent oxygen permeation.
【0072】 [0072]
さらに、より完全に湿気の浸入を防ぐために、低吸湿性の感光性接着剤層(12)またはオレフィン系感熱接着剤層で、カバーガラス(13)等の封止板の周囲または全面を真空中または窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン等の不活性ガス中で基板(1)と接着し密封する。 Furthermore, in order to prevent more completely ingress of moisture, low moisture absorption property of the photosensitive adhesive layer (12) or olefinic sensitive adhesive layer, a cover glass (13) vacuum or around the entire surface of the sealing plate, such as or nitrogen, helium, neon, adhered and sealed to the substrate (1) in an inert gas such as argon. ガラス板以外にも、金属缶、プラスチック板等を用いることもできる。 Besides the glass plate can also be used metal cans, plastic plate or the like. 接着剤層からの水分の浸透を防ぐためには、接着剤中に酸化バリウムやゼオライト等の乾燥剤を混合しておいても良いし、ピンホール防止膜(11)上やカバーガラス等の封止板の内面にシリカゲルやゼオライト、酸化バリウムやカルシア等の乾燥剤、アルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類などからなるゲッター材の層を形成しておいても良い。 To prevent penetration of moisture from the adhesive layer may be previously mixed a drying agent such as barium oxide or zeolite in the adhesive, pinhole-preventing film (11) above and the sealing of the cover glass silica gel or zeolite in the inner surface of the plate, drying agent such as barium oxide or calcia, alkali metal or alkaline earth metal, may be formed a layer of getter material made of rare earth.
【0073】 [0073]
以上のように構成した有機薄膜発光素子は、正孔注入輸送層(3)側を正として直流電圧を印加することにより発光するが、交流電圧を印加した場合にも正孔注入輸送層(3)側の電極が正に電圧印加されている間は発光する。 The organic thin film light emitting device configured as described above, but emits light by applying a direct current voltage positive hole injection transport layer (3) side as a positive, even when an AC voltage is applied positive hole injection transport layer (3 ) while the side electrode is positively voltage applied to emit light.
【0074】 [0074]
本発明による有機薄膜発光素子を基板上に2次元に配列することにより文字や画像を表示可能な薄型ディスプレーとすることができる。 The organic thin film light-emitting device according to the present invention can be displayable thin displays characters and images by two-dimensionally arranged on a substrate.
【0075】 [0075]
赤、青、緑の3色の発光素子を2次元に配列するか、白色発光素子とカラーフィルターを用いてカラーディスプレー化も可能である。 Red, blue, or arranging the green three colors light emitting elements two-dimensionally, it is possible also color display by using a white light emitting element and a color filter.
【0076】 [0076]
【実施例】 【Example】
<実施例1> 化合物(化学式3)の合成トルエン100mlに酢酸パラジウム0.184 g、トリ- t- ブチルホスフィン0.7 ml、ナトリウム-t- ブトキシド3.36gを80℃で撹拌溶解後、N-フェニル-1- ナフチルアミン14.45 gを加え30分間撹拌後、2,7-ジブロモ-4,5,9,10 −テトラヒドロピレン4.0 gを加え、100℃で18時間撹拌反応させた。 <Example 1> Compound (Formula 3) Synthesis of toluene 100ml palladium acetate 0.184 g, tri - t-butyl phosphine 0.7 ml, after stirring and dissolving with sodium -t- butoxide 3.36 g 80 ° C. to, N- phenyl-1 after stirring for 30 minutes was added a naphthylamine 14.45 g, 2,7-dibromo -4,5,9,10 - the tetrahydropyrene 4.0 g was added, and 18 hours stirring the reaction at 100 ° C..
【0077】 [0077]
反応後、THFで抽出し酢酸エチルで洗浄した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。 After the reaction, washed with extracted with ethyl acetate THF, and purified by silica gel column chromatography. さらにTHF/ヘキサンで再結晶することにより(化学式3)で示すN,N'- ジフェニル-N,N'-ジ(1-ナフチル)-4,5,9,10 −テトラヒドロピレン-2,7- ジアミンが3.9 g(収率55.4%)得られた。 Further N shown by recrystallization from THF / hexane (Formula 3), N'-diphenyl -N, N'-di (1-naphthyl) -4,5,9,10 - tetrahydropyrene 2,7 diamine was obtained 3.9 g (55.4% yield). 純度99.5%(HPLC)。 Purity 99.5% (HPLC). 融点286 〜296 ℃(ホットプレート法)。 Melting point of 286 ~296 ℃ (hot plate method).
【0078】 [0078]
図2に化学式3の日本分光製フーリエ変換赤外分光光度計FT/ IR−5MPでKBr法により測定した赤外線吸収スペクトルを示す。 Shows the infrared absorption spectrum measured by KBr method by JASCO made Fourier transform infrared spectrophotometer FT / IR-5MP of Formula 3 in FIG.
【0079】 [0079]
<実施例2> <Example 2>
透明絶縁性の基板(1)として、厚さ1.1mmの青板ガラス板上にスパッタリング法で成膜した170nmのITOをエッチングしパターニングした後、使用前に水洗し、イソプロピルアルコール蒸気で乾燥、アルゴンプラズマ洗浄し陽極(2)とした。 As a transparent insulating substrate (1), after the ITO of 170nm was deposited by a sputtering method and etched and patterned into a thickness of 1.1mm of the soda lime glass plate, washed with water before use, dried in isopropyl alcohol vapor, argon was plasma cleaned anode (2).
【0080】 [0080]
次に、第1正孔注入輸送層(8)としてCuPcを10nm、第2正孔注入輸送層(9)として、化学式3で表す化合物を40nmそれぞれ順に真空蒸着する。 Next, 10 nm of CuPc as the first hole injection transport layer (8), a second hole injection transport layer (9), vacuum deposition of compound represented by Formula 3 in order 40nm respectively.
【0081】 [0081]
次に、有機発光層(4)としてAlqを50nm蒸着し、その上面にアルカリ金属含有電子注入層(6)としてLiFを0.5nm蒸着し、陰極(7)としてAlを200nm蒸着する。 Next, Alq as the organic light emitting layer (4) and 50nm deposited, the LiF was 0.5nm deposited as an alkali metal-containing electron injecting layer (6) on its upper surface to 200nm deposited Al as the cathode (7).
【0082】 [0082]
次に絶縁封止膜(10)として酸化ゲルマニウムをArプラズマアシスト蒸着で1μm成膜し、さらにピンホール防止膜(11)としてAlを200nm蒸着した。 Then germanium oxide was 1μm formed by Ar plasma assisted deposition as an insulating sealing film (10) and 200nm depositing Al as a further pinhole preventing film (11).
【0083】 [0083]
最後に乾燥窒素下でプラズマ洗浄したカバーガラス(13)をエポキシ系感光性接着剤(12)で貼り付ける。 Finally paste under dry nitrogen plasma cleaned glass coverslips (13) with an epoxy-based photosensitive adhesive (12).
【0084】 [0084]
この素子は陽極と陰極を直流電源につないで電圧印加すると3V以上の電圧で緑色発光し最高輝度で10000cd/m 2以上得られ、100℃に加熱した後も素子は破壊せず同様に発光する。 This element is obtained anode and cathode in the green light emission and the maximum luminance at a voltage of more than 3V when connected by voltage applied to the DC power source to 10000 cd / m 2 or more, the device also after heating to 100 ° C. similarly emission without breaking .
【0085】 [0085]
<比較例> <Comparative Example>
第1正孔注入輸送層(8)までは実施例2と同様に作製した後、第2正孔注入輸送層(9)としてNPDを40nm、真空蒸着する。 After up to the first hole injection transport layer (8) were prepared in the same manner as in Example 2, the NPD as the second hole injecting and transporting layer (9) 40 nm, vacuum deposition.
【0086】 [0086]
次に、有機発光層(4)としてAlqを50nm蒸着し、その上面に電子注入層(5)としてLiFを0.5nm蒸着し、陰極(7)としてAlを200nm蒸着する。 Next, Alq as the organic light emitting layer (4) and 50nm deposited, the LiF was 0.5nm vapor-deposited as an electron injecting layer (5) on its upper surface to 200nm deposited Al as the cathode (7).
【0087】 [0087]
この素子は3V以上の直流電圧で緑色発光が観察されたが、100℃に加熱すると、輝度−電圧特性が高電圧シフトし、実施例2と同電圧を印加した場合に半分以下の輝度に劣化した。 This device has a green light emission was observed in the above DC voltage 3V, when heated to 100 ° C., brightness - voltage characteristic is high voltage shift, degradation in less than half the intensity in the case of applying the same voltage as in Example 2 did.
【0088】 [0088]
<実施例3> <Example 3>
第1正孔注入輸送層(8)までは実施例2と同様に作製した後、第2正孔注入輸送層(9)として、化学式7で表す化合物を25nm蒸着する。 After up to the first hole injection transport layer (8) were prepared in the same manner as in Example 2, as the second hole injecting and transporting layer (9), to 25nm deposited compound represented by the chemical formula 7.
【0089】 [0089]
次に有機発光層(4)として、化学式8で表す化合物中にトリス(2−フェニルピリジン)イリジウムを5重量%の割合でドープした膜を共蒸着法で35nm積層する。 Then the organic light emitting layer (4) and 35nm stacked in the compounds represented by Formula 8 tris (2-phenylpyridine) film doped at a ratio of iridium 5 wt% in a co-evaporation method.
【0090】 [0090]
次に正孔ブロック性の電子輸送層(5)として2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリンを10nm蒸着する。 Next, to 10nm deposited 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline as a hole-blocking electron transporting layer (5). さらに電子輸送層(5)としてAlqを25nm蒸着により積層する。 Further laminating the 25nm deposited Alq as an electron transport layer (5).
【0091】 [0091]
次にアルカリ金属含有層(6)としてLiFを0.5nm蒸着し、陰極(7)としてAlを200nm蒸着する。 Next, LiF was 0.5nm deposited as an alkali metal-containing layer (6), to 200nm deposited Al as the cathode (7).
【0092】 [0092]
次に絶縁封止膜(10)としてGeOをイオンプレーティングで1μm成膜し、さらにピンホール防止膜(11)としてAlを200nm蒸着した。 The GeO was 1μm formed by ion plating as then an insulating sealing film (10) and 200nm depositing Al as a further pinhole preventing film (11).
【0093】 [0093]
最後に乾燥窒素下でプラズマ洗浄したカバーガラス(13)をエポキシ系感光性接着剤(12)で貼り付ける。 Finally paste under dry nitrogen plasma cleaned glass coverslips (13) with an epoxy-based photosensitive adhesive (12).
【0094】 [0094]
この素子は陽極と陰極を直流電源につないで電圧印加すると3V以上の電圧で緑色発光し最高輝度で10000cd/m 2以上得られ、100℃に加熱した後も素子は破壊せず同様に発光する。 This element is obtained anode and cathode in the green light emission and the maximum luminance at a voltage of more than 3V when connected by voltage applied to the DC power source to 10000 cd / m 2 or more, the device also after heating to 100 ° C. similarly emission without breaking .
【0095】 [0095]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上により、本発明の一般式[1]に示す正孔輸送性化合物は、100℃以上の高いガラス転移温度を持つため、これをキャリア輸送機能または発光機能を有する層に用いることにより有機薄膜発光素子の耐熱性、信頼性を高める効果がある。 With the above general formula [1] are shown hole-transporting compound of the present invention, due to its 100 ° C. higher than the glass transition temperature, the organic thin film emits light when used for the layer having a carrier transport function or emission function which heat resistance of the element is effective to improve the reliability.
【0096】 [0096]
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の有機薄膜発光素子の断面の構造の一例を示す説明図である。 FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of the structure of a cross section of an organic thin film light-emitting device of the present invention.
【図2】本発明の一実施例による化学式3の赤外線吸収スペクトル図である。 2 is an infrared absorption spectrum of Formula 3 according to an embodiment of the present invention.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1…基板2…陽極3…正孔注入輸送層4…有機発光層5…電子輸送層6…アルカリ金属含有層7…陰極8…第1正孔注入輸送層9…第2正孔注入輸送層10…絶縁封止膜11…ピンホール防止膜12…感光接性着剤層13…カバーガラス14…陰極取り出し口ITO 1 ... substrate 2 ... anode 3 ... hole injection transport layer 4: organic light-emitting layer 5 ... electron transport layer 6 ... alkali metal-containing layer 7 ... cathode 8 ... first hole injection transport layer 9 ... second hole injection transport layer 10: insulating sealing film 11 ... pinhole prevention film 12 ... photosensitive contact resistance wear agent layer 13 ... cover glass 14 ... cathode outlet ITO

Claims (3)

  1. 化学式7で示される構造を特徴とする有機薄膜発光素子用の正孔輸送性化合物。 Hole-transporting compound for an organic thin film light emitting element characterized the structure represented by the chemical formula 7.
  2. 一対の電極間に一層以上の有機半導体薄膜層を介在して構成される有機薄膜発光素子において、 化学式7で示される構造の化合物を少なくともキャリア輸送機能または発光機能を有する層に用いたことを特徴とする有機薄膜発光素子。 In the organic thin film light emitting element formed by interposing one or more layers of the organic semiconductor thin film layer between a pair of electrodes, characterized by using a compound having a structure represented by the chemical formula 7 in a layer having at least a carrier transport function or emission function the organic thin film light emitting element according to.
  3. 請求項2に記載の有機薄膜発光素子であって、前記キャリア輸送機能を有する層が銅フタロシアニンの第一の層と、化学式7で示される構造の化合物の第二の層とでなることを特徴とする有機薄膜発光素子。 An organic thin film light-emitting device according to claim 2, wherein the layer having a carrier transporting function is in a first layer of copper phthalocyanine, a second layer of a compound of the structure represented by the chemical formula 7 the organic thin film light emitting element according to.
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