JP4040664B2 - The semiconductor light emitting device and an electronic imaging device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device that is excellent in heat radiation and can properly control the directivity of light, a manufacturing method thereof, and an electronic imaging device. <P>SOLUTION: A semiconductor light emitting device comprises a lead frame 1 having a main surface 1a; an LED chip 4; an epoxy resin 6 that is made of a resin transmitting light emitted by the LED chip 4, and is provided so as to completely cover the LED chip 4; and a resin portion 3 that is made of a resin reflecting light emitted by the LED chip 4, and is provided so as to surround the LED chip 4. The resin portion 3 includes a top surface 3a at a position where the distance from the main surface 1a is greater than the distance from the main surface 1a to the top surface 6a of the epoxy resin 6, and an inner wall 3b extending in a direction away from the main surface 1a. The lead frame 1 has a slit-shaped groove 1m that is filled with a resin. The resin filling the groove 1m is the same as the resin constituting the resin portion 3. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&amp;INPIT

Description

この発明は、一般的には、半導体発光装置および電子撮像装置に関し、より特定的には、発光ダイオード(LED)などの半導体発光素子を用いた半導体発光装置および電子撮像装置に関する。 The present invention generally relates to a semiconductor light emitting device and an electronic imaging device, and more particularly to a semiconductor light emitting device and an electronic image pickup apparatus using the semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED).

図16は、従来の半導体発光装置の代表的な構造を示す断面図である。 Figure 16 is a sectional view showing a typical structure of a conventional semiconductor light-emitting device. 図16を参照して、半導体発光装置は、主表面101aを有するリードフレーム101を備える。 Referring to FIG. 16, the semiconductor light emitting device includes a lead frame 101 having a main surface 101a. リードフレーム101は、所定のパターン形状に形成されており、主表面101aにはスリット状の溝101mが形成されている。 Lead frame 101 is formed in a predetermined pattern, and the main surface 101a are formed slit-like groove 101m is. リードフレーム101が折り曲げられることによって、主表面101aと離れた位置に端子部101nが形成されている。 By lead frame 101 is bent, and the terminal portion 101n is formed at a position apart from the main surface 101a. 端子部101nは、半導体発光装置を実装する基板などに接続される。 Terminal portion 101n is connected, such as a substrate for mounting the semiconductor light-emitting device.

リードフレーム101の周囲にはインサート成型などによって樹脂部103が設けられている。 Resin portion 103 is provided such as by insert molding around the lead frame 101. 樹脂部103は、主表面101a上において凹部103mを規定している。 Resin portion 103 defines a recess 103m on the main surface 101a. 凹部103mの内部に位置するように、主表面101a上には、銀(Ag)ペースト107を介してLEDチップ104が搭載されている。 So as to be located within the recess 103m, the on the main surface 101a, LED chips 104 via the silver (Ag) paste 107 is mounted. LEDチップ104の頂面側に形成された電極とリードフレーム101の主表面101aとが、ボンディングワイヤ105によって接続されている。 The main surface 101a of the electrode and the lead frame 101 formed on the top surface of the LED chip 104 are connected by a bonding wire 105.

主表面101a上には、LEDチップ104およびボンディングワイヤ105を覆い、凹部103mの内部を完全に充填するようにエポキシ樹脂106が設けられている。 On the main surface 101a, it covers the LED chip 104 and the bonding wires 105, and epoxy resin 106 is provided so as to completely fill the interior of the recess 103m.

続いて、図16中の半導体発光装置の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing a semiconductor light emitting device in FIG. まず、板状のリードフレーム101を所定のパターン形状に加工する。 First, processing a plate-like lead frame 101 in a predetermined pattern. 銀(Ag)めっきを施した状態でリードフレーム101を樹脂部103内にインサート成型する。 The lead frame 101 in a state subjected to silver (Ag) plating is insert-molded in the resin portion 103. その後、主表面101a上に銀ペースト107を介してLEDチップ104を搭載する。 Then, mounting the LED chip 104 via the silver paste 107 on the main surface 101a. LEDチップ104と主表面101aとをボンディングワイヤ105によって電気的に接続する。 Electrically connecting the LED chip 104 and the main surface 101a and the bonding wires 105.

LEDチップ104およびボンディングワイヤ105をエポキシ樹脂106によって封止する。 The LED chip 104 and the bonding wire 105 are sealed by an epoxy resin 106. この際、リードフレーム101に銀めっきが施された状態では、錆などが発生し、はんだ付けが阻害されるおそれがある。 In this case, in the state in which the silver-plated lead frame 101, rust occurs, there is a risk that soldering is inhibited. このため、リードフレーム101に、はんだめっきなどの外装めっきを施しておく。 For this reason, the lead frame 101, previously subjected to exterior plating such as solder plating. 最後に、リードフレーム101の不要部分をカットし、所定の折り曲げ加工を行なうことによって、端子部101nを形成する。 Finally, cutting unnecessary portions of the lead frame 101, by performing a predetermined bending to form the terminal portion 101n.

また、従来の半導体発光装置については、たとえば、特開平7−235696号公報(特許文献1)および特開2002−141558号公報(特許文献2)などに開示されている。 Also, a conventional semiconductor light emitting device is disclosed, for example, like in JP-A 7-235696 (Patent Document 1) and Japanese Patent 2002-141558 (Patent Document 2).
特開平7−235696号公報 JP-7-235696 discloses 特開2002−141558号公報 JP 2002-141558 JP

半導体発光装置の高輝度化を図るにあたって、図16中の半導体発光装置では以下に説明する問題が生じた。 In achieving high brightness of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device in FIG. 16 encounter problems described below.

樹脂部103は、所定のパターン形状に形成されたリードフレーム101の形状を固定する役割のほかに、LEDチップ104から発せられる光を凹部103mの側壁で反射することによって光の指向性を制御するという役割も果たしている。 Resin portion 103, in addition to the role of fixing the shape of the lead frame 101 formed in a predetermined pattern to control the directivity of light by reflecting the light emitted from the LED chip 104 in the side wall of the recess 103m also plays role. しかし、LEDチップ104から発せられた光の進行方向は、エポキシ樹脂106の頂面側から出射する際に屈折によって変化する。 However, the traveling direction of the light emitted from the LED chip 104 is changed by refraction when emerging from the top side of the epoxy resin 106. このため、従来技術では、光の指向性を十分に制御することができず、さらには半導体発光装置の高輝度化を図ることができなかった。 Therefore, in the prior art, it is difficult to sufficiently control the light directivity and further could not achieve high brightness of the semiconductor light-emitting device.

また、半導体発光装置が実装される基板とリードフレーム101とが意図しない箇所において接触し、短絡が発生することを防止するため、リードフレーム101を折り曲げることによって端子部101nを形成している。 Further, the substrate and the lead frame 101 on which the semiconductor light-emitting device is mounted is in contact at an unintended point, in order to prevent the short circuit occurs, to form a terminal portion 101n by bending the lead frame 101. しかし、半導体発光装置の製品高さには制限があるため、このような折り曲げ構造を有するリードフレーム101によっては、樹脂部103の高さを十分に確保することができない。 However, since the product height of the semiconductor light-emitting device is limited, the lead frame 101 having such a folded structure can not sufficiently secure the height of the resin portion 103. このことも、従来技術において半導体発光装置の高輝度化を図ることができない一因となっていた。 This also has been a factor that can not achieve high brightness of the semiconductor light-emitting device in the prior art.

また、半導体発光装置の高放熱化を図るにあたって、図16中の半導体発光装置では以下に説明する問題が生じた。 Moreover, when achieving high heat dissipation of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device in FIG. 16 encounter problems described below.

まず、半導体発光装置の高放熱化を図る必要性について簡単に説明する。 First, briefly described the need to achieve high heat dissipation of the semiconductor light-emitting device. 搭載されているLEDチップ104が発光する際に熱が発生するが、LEDチップ104に流れる電流が大きくなるほど発熱量は大きくなる。 While LED chips 104 mounted heat is generated when the light emission, the calorific value as the current flowing through the LED chip 104 is increased larger. また、一般的には、LEDチップ104の温度が高くなるに従って、LEDチップ104の発光効率が低下し、また光劣化が著しくなる。 Also, in general, as the temperature of the LED chip 104 is increased, the emission efficiency decreases the LED chip 104, also light markedly deteriorate. すなわち、LEDチップ104に大きい電流を流しても、効果的に明るい光を取り出せなくなり、さらにはLEDチップ104の寿命を短くしてしまう。 That is, even if flowing a large current to the LED chip 104, it is stuck effectively bright light, more would shorten the life of the LED chip 104. 以上のような理由から、LEDチップ104から発生する熱を効果的に外部へ逃がすことが必要となる。 For the above reasons, it is necessary to release the heat generated from the LED chip 104 effectively to the outside.

そこで、半導体発光装置の高放熱化を図るためには、次に示すような方法が考えられる。 Therefore, in order to achieve high heat dissipation of the semiconductor light emitting device, a method as shown below can be considered.

(a)リードフレーム101の厚みを大きくする。 (A) increasing the thickness of the lead frame 101.
(b)LEDチップ104から端子部101nまでの距離を小さくする。 (B) to reduce the distance from the LED chip 104 to the terminal unit 101n.

(c)リードフレーム101を形成する材料として、高熱伝導性の材料を使用する。 (C) as a material for forming the lead frame 101, using the high thermal conductivity of the material.
しかし、従来技術では、半導体発光装置を製造する工程において、リードフレーム101に折り曲げ加工を行なう必要がある。 However, in the prior art, in a process of manufacturing the semiconductor light-emitting device, it is necessary to bent the lead frame 101. 所定の折り曲げ加工を行なうために、リードフレーム101の厚みを一定以上に大きくすることができない。 To perform a predetermined bending, it is impossible to increase the thickness of the lead frame 101 or more constant.

また、金型で板材を打ち抜くことによって、リードフレーム101を所定のパターン形状に形成している。 Further, by punching the plate material in the mold to form a lead frame 101 in a predetermined pattern. しかし、リードフレーム101の厚みを大きくした場合、板材を打ち抜く際に使用する金型の強度を確保するために、金型の厚みを大きくしなければならない。 However, when increasing the thickness of the lead frame 101, in order to ensure the strength of a mold for use in punching a plate material, it is necessary to increase the thickness of the mold. このため、金型によって打ち抜かれる部分、つまりスリット状の溝101mが形成される幅が広くなる。 Therefore, the width portion that is punched by a die, i.e. the slit-like groove 101m is formed is widened. この場合、主表面1a上においてボンディングするための領域を十分に確保できなかったり、リードフレーム101の表面積が小さくなることによって放熱性が逆に低下するといった問題が発生する。 In this case, may not be sufficiently secure an area for bonding on the main surface 1a, a problem heat dissipation is reduced to the contrary by the surface area of ​​the lead frame 101 is reduced occurs. このような理由から、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の(a)に示す方法を採ることができなかった。 For this reason, it was not possible to adopt a method shown in the above (a) in order to achieve high heat dissipation of the semiconductor light-emitting device.

また、主表面101aから折り曲げられた位置に端子部101nが形成されたリードフレーム101の構造上、主表面101aに搭載されたLEDチップ104から端子部101nまでの距離を一定以上に小さくすることはできない。 Furthermore, structural terminal portion leadframe 101 101n is formed at a position that is bent from the main surface 101a, to reduce the distance to the terminal portions 101n constant over the LED chip 104 mounted on the main surface 101a is Can not. したがって、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の(b)に示す方法も採ることができなかった。 Therefore, it was not possible to take a method shown in the above (b) in order to achieve high heat dissipation of the semiconductor light-emitting device.

さらに、リードフレーム101の同様の構造上の理由から、リードフレーム101を形成する材料として、折り曲げ加工性に優れた材料を選択しなければならない。 Furthermore, reasons similar structure of the lead frame 101, as a material for forming the lead frame 101, should be selected a material excellent in workability bending. このため、単純に高熱伝導性の材料を使用することができず、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の(c)に示す方法も採ることができなかった。 Therefore, it is not possible to simply use a high thermal conductivity material, it did not able to take the method shown in the above in order to achieve high heat dissipation of the semiconductor light-emitting device (c).

そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置および電子撮像装置を提供することである。 Accordingly, an object of the present invention is to solve the above problems, is excellent in heat radiation property, is to provide a semiconductor light-emitting device and an electronic image pickup device capable of properly controlling the directivity of the light.

この発明に従った半導体発光装置は、リードフレームと、半導体発光素子と、金属線と、第1の樹脂部材と、第2の樹脂部材とを備える。 The semiconductor light emitting device according to the present invention includes a lead frame, a semiconductor light emitting element, a metal wire, a first resin member, and the second resin member. リードフレームは、第1の領域と、第1の領域の周縁に沿って同一平面上に延在する第2の領域とが規定された主表面を有する。 The leadframe has a first region, a main surface of the second region is defined that extends on the same plane along the periphery of the first region. リードフレームは、スリット状の溝によって離間した部分を含む。 Lead frame includes a portion separated by the slit-like groove. リードフレームには、主表面と反対側の面に形成された第1の凹部と、第1の領域に形成された第2の凹部とが形成されている。 The lead frame is a first recess formed on the surface opposite to the main surface, a second recess formed in the first region is formed. 半導体発光素子は、第1の領域の第2の凹部に設けられている。 The semiconductor light emitting element is provided in the second recess of the first region. 金属線は、半導体発光素子の頂面に設けられた電極と、半導体発光素子から離間する主表面とを接続する。 Metal wire is connected to the electrode provided on the top surface of the semiconductor light emitting device, a main surface away from the semiconductor light emitting element. 第1の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光を透過する材料から形成されている。 The first resin member is formed of a material that transmits the light emitted from the semiconductor light emitting element. 第1の樹脂部材は、半導体発光素子および金属線を完全に覆うように第1の領域に設けられている。 The first resin member is provided on the first region so as to completely cover the semiconductor light emitting element and the metal wire. 第2の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光を反射するように形成されている。 The second resin member is formed to reflect light emitted from the semiconductor light emitting element. 第2の樹脂部材は、半導体発光素子を囲むように第2の領域に設けられている。 The second resin member is provided on the second region so as to surround the semiconductor light emitting element. 第1の樹脂部材は、第1の頂面を含む。 The first resin member includes a first top surface. 第2の樹脂部材は、主表面からの距離が主表面から第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、半導体発光素子が位置する側において主表面から離隔する方向に延在し、第2の頂面に連なる内壁とを含む。 The second resin member has a second top surface a distance from the main surface is provided on position greater than the distance from the main surface to a first top surface, the main surface on the side where the semiconductor light emitting element is located extending in a direction away, including an inner wall connected to the second top surface. 内壁は、第1の頂面上において第1の樹脂部材によって覆われていない。 The inner wall is not covered by the first resin member in the first top surface. 主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。 Shape defined by the inner wall in a plane parallel to the main surface is either circular, elliptical and polygonal. 内壁は、頂点が下方に位置する円錐、楕円錐および多角錐のいずれかを想定した場合に、これらの錐体の底面から頂点に向かって延在する錐体の側壁の形状を有する。 The inner wall has a cone apex is positioned below, in case of assuming one of an elliptical cone and a pyramid, the shape of the side wall of the cone extending toward the apex from the bottom surface of these cones.

また好ましくは、スリット状の溝によって離間した部分は、半導体発光素子から発せられた光を反射する樹脂により充填されている。 Also preferably, spaced apart portions by the slit-shaped groove is filled with a resin that reflects light emitted from the semiconductor light emitting element.

また好ましくは、内壁の表面にめっきが施されている。 Also preferably, the plating is applied to the surface of the inner wall.
また好ましくは、第2の樹脂部材は、白色のポリアミド系樹脂である。 Also preferably, the second resin member is a white polyamide resin.

この発明に従った電子撮像装置は、上述のいずれかに記載の半導体発光装置を備える。 Electronic imaging device according to the present invention includes a semiconductor light emitting device according to any of the above.
また好ましくは、半導体発光装置から50cm隔てた位置に、縦60cm、横50cmの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、半導体発光装置から基準面の中心に向けて光が照射された時、基準面の四隅における照度は、基準面の中心における照度の50%以上である。 Also preferably, the position spaced 50cm from the semiconductor light emitting device, a vertical 60cm, the case in which the reference surface of the rectangular shape having a size of horizontal 50cm, the light is radiated toward the center of the reference plane from the semiconductor light emitting device and when the illuminance at the four corners of the reference plane is 50% or more of the illuminance at the center of the reference plane.

以上説明したように、この発明に従えば、放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置および電子撮像装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention is excellent in heat dissipation, the directivity of light can be appropriately controlled it is possible to provide a semiconductor light-emitting device and an electronic image pickup device.

この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。 Embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
(実施の形態1) (Embodiment 1)
図1は、この発明の実施の形態1における半導体発光装置を示す断面図である。 Figure 1 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device in a first embodiment of the present invention. 図1を参照して、半導体発光装置は、所定のパターン形状に形成され、主表面1aを有するリードフレーム1と、主表面1a上に設けられたLEDチップ4と、LEDチップ4を覆うように主表面1a上に設けられたエポキシ樹脂6と、エポキシ樹脂6の周囲に設けられた樹脂部3とを備える。 Referring to FIG. 1, a semiconductor light-emitting device is formed in a predetermined pattern, and the lead frame 1 having main surface 1a, the LED chip 4 provided on the main surface 1a, so as to cover the LED chip 4 comprising an epoxy resin 6 that is formed on main surface 1a, and a resin portion 3 provided around the epoxy resin 6.

リードフレーム1は、同一平面上において延在する板形状を有する。 The lead frame 1 has a plate shape extending in the same plane. リードフレーム1には、所定のパターンニング加工を行なうことによって、主表面1aから主表面1aと反対側の面1bにまで達するスリット状の溝1mが形成されている。 The lead frame 1, by performing a predetermined patterning process, and a slit-like groove 1m extending from the main surface 1a and the main surface 1a up to the opposite surface 1b are formed.

リードフレーム1の反対側の面1bには、スリット状の溝1mに連なる溝15が形成されている。 On the opposite side surface 1b of the lead frame 1, a groove 15 communicating with the slit-like groove 1m is formed. これにより、リードフレーム1においてスリット状の溝1mが形成された部分1tは、他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。 Thus, the portion 1t that slit-like groove 1m is formed in the lead frame 1 is formed with a smaller thickness than the other portions.

図2は、図1中の半導体発光装置を示す平面図である。 Figure 2 is a plan view showing a semiconductor light emitting device in FIG. 図2では、リードフレーム1に形成されている一部の構造物が省略されている。 In Figure 2, the structure of a portion which is formed on the lead frame 1 is omitted. 図1および図2を参照して、主表面1aには、2点鎖線で描かれた円13の内部に位置する領域10と、円13の外部に位置し、領域10の周縁に沿って延在する領域20とが規定されている。 Referring to FIGS. 1 and 2, the main surface 1a is provided with a region 10 located inside the drawn circle 13 by a two-dot chain line, located outside the circle 13, along the periphery of the region 10 extending an area 20 for standing is defined. 円13の中心を通るように溝1mが形成されており、スリット状の溝1mによってリードフレーム1が離間している。 Groove 1m so as to pass through the center of the circle 13 and is formed, the lead frame 1 are separated by a slit-like groove 1m.

LEDチップ4は、主表面1aの領域10に位置して設けられている。 LED chips 4 are provided positioned in a region 10 of the main surface 1a. LEDチップ4は、銀(Ag)ペースト7を介して設けられている。 LED chip 4 is provided via a silver (Ag) paste 7. LEDチップ4の頂面に設けられた図示しない電極と、領域10に位置し、LEDチップ4が設けられた主表面1aとはスリット状の溝1mによって離間している主表面1aとが、金線5によって接続されている。 And electrodes (not shown) provided on the top surface of the LED chip 4, located in the region 10, the main surface 1a of the LED chip 4 is provided with a main surface 1a which are spaced apart by a slit-like groove 1 m, gold It is connected by a line 5. つまり、LEDチップ4は、銀ペースト7および金線5によって主表面1aに機械的および電気的に接続されている。 That, LED chips 4, the silver paste 7 and the gold wires 5 are mechanically and electrically connected to the main surface 1a.

LEDチップ4の電極に接続された金線5の一方端5pは、ボール状に形成されており、主表面1aに接続された金線5の他方端5qは、線状に形成されている。 One end 5p of the gold wire 5 connected to the electrodes of the LED chip 4 is formed into a ball shape, the other end 5q gold wires 5 connected to the main surface 1a is formed into a linear shape. つまり、金線5を所定の位置に接続する際のワイヤボンディングは、まず金線5の一方端5pをLEDチップ4の電極にボールボンディングし、続いて金線5の他方端5qを主表面1aにウェッジボンディングすることによって行なわれている。 That is, wire bonding for connecting a gold wire 5 in position, first one end 5p of the gold wire 5 is ball bonding to the electrodes of the LED chip 4, followed by the other end 5q of the gold wire 5 main surface 1a It has been carried out by wedge bonding to.

LEDチップ4から光が発せられると熱が発生する。 From the LED chip 4 when the light is emitted heat is generated. この熱はリードフレーム1に伝わり、リードフレーム1から外部に放熱される。 This heat is transmitted to the lead frame 1, it is radiated from the lead frame 1 to the outside. 本実施の形態では、リードフレーム1の部分1tを小さい厚みで形成することによって、スリット状の溝1mを、溝幅を小さくして加工することができる。 In the present embodiment, by forming a small thickness portions 1t of the lead frame 1, a slit-shaped groove 1 m, it can be processed to reduce the groove width. このため、リードフレーム1の他の部分の厚みを大きくすることによって、リードフレーム1による放熱を効率良く行なうことができる。 Therefore, by increasing the thickness of other portions of the lead frame 1 can be performed efficiently heat release by the lead frame 1.

また、リードフレーム1から効率良く放熱を行うため、リードフレーム1は、熱伝導率が300(W/m・K)以上400(W/m・K)以下の金属によって形成されている。 Also, in order to perform from the lead frame 1 efficiently dissipated, the lead frame 1, the thermal conductivity is formed by 300 (W / m · K) or more 400 (W / m · K) or less of the metal. リードフレーム1を形成する金属の熱伝導率が300(W/m・K)よりも小さい場合、リードフレーム1による放熱の効果を十分に図ることができない。 When the metal heat conductivity to form the lead frame 1 is less than 300 (W / m · K), it can not be achieved sufficiently the effect of heat release by the lead frame 1. また、リードフレーム1を形成する金属の熱伝導率が400(W/m・K)よりも大きい場合、リードフレーム1を実装する際に発生する熱がLEDチップ4に伝わることによって、LEDチップ4の信頼性が低下するおそれが生じる。 Also, if the thermal conductivity of the metal forming the lead frame 1 is greater than 400 (W / m · K), by heat generated when implementing the lead frame 1 is transmitted to the LED chip 4, the LED chip 4 there is a risk that the reliability is lowered.

具体的には、主成分である銅(Cu)に対して、鉄(Fe)、亜鉛(Ze)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、シリコン(Si)、スズ(Sn)、鉛(Pb)または銀(Ag)などの金属を適宜混ぜた合金によってリードフレーム1が形成されている。 Specifically, the copper (Cu) which is the main component, iron (Fe), zinc (Ze), nickel (Ni), chromium (Cr), silicon (Si), tin (Sn), lead (Pb ) or silver (Ag) lead frame 1 by a metal appropriately mixed with alloys such as are formed. この場合、銅に加える金属の量を小さくするほど、リードフレーム1を形成する合金の熱伝導率を高くすることができる。 In this case, the smaller the amount of metal added to the copper, it is possible to increase the thermal conductivity of the alloy forming the lead frame 1.

また、本実施の形態では、リードフレーム1が折り曲げのない構造で形成されているため、リードフレーム1を形成する材料を選択する際に、その材料の折り曲げ加工性を考慮する必要がない。 Further, in this embodiment, since the lead frame 1 is formed by structure without bending, in choosing the material for forming the lead frame 1, it is not necessary to consider the bending workability of the material. このため、幅広い種類の材料からリードフレーム1を形成するための材料を選択することができる。 Therefore, it is possible to select a material for forming the lead frame 1 from a wide variety of materials. また、リードフレーム1は折り曲げのない構造で形成されているため、折り曲げ時に発生する割れおよびクラックなどを懸念する必要がない。 Further, since the lead frame 1 is formed by structure without bending, there is no need to fear the like cracks and cracks generated during bending.

リードフレーム1が、樹脂にインサート成型されることによって、主表面1a上には、領域20に位置する樹脂部3が設けられている。 The lead frame 1, by being insert-molded in resin, on a main surface 1a, a resin portion 3 located in region 20 is provided. また、樹脂がリードフレーム1の反対側の面1bにまで回り込んで樹脂部8を形成している。 The resin forms a resin portion 8 goes around to the surface 1b opposite to the lead frame 1. 樹脂部8は、スリット状の溝1mおよび溝15を充填するように設けられている。 Resin portion 8 is provided so as to fill the slit-like groove 1m and grooves 15. 樹脂部3および8は、所定のパターン形状に形成されたリードフレーム1の形状を保持する役割を果たしている。 Resin portion 3 and 8 serve to maintain the shape of the lead frame 1 formed in a predetermined pattern. 特に、本実施の形態では、樹脂部8がリードフレーム1の反対側の面1bを広く覆っているため、リードフレーム1と樹脂部8との接着強度を増大させることができる。 In particular, in this embodiment, since the resin portion 8 covers a wide surface opposite 1b of the lead frame 1, it is possible to increase the bonding strength between the lead frame 1 and the resin portion 8. これにより、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。 Thus, it is possible to improve the reliability of the semiconductor light-emitting device. 樹脂部8の両側に位置するリードフレーム1の反対側の面1bには、半導体発光装置を実装基板に接続するための端子部9が設けられている。 The opposite surface 1b of the lead frame 1 located on both sides of the resin portion 8, the terminal portion 9 for connecting the semiconductor light-emitting device on a mounting board is provided.

樹脂部8の両側に位置する端子部9は、絶縁体である樹脂部8によって隔てられている。 Terminal portions 9 located on either side of the resin portion 8 are separated by a resin portion 8, which is an insulator. このため、端子部9を実装基板にはんだ付けする場合に、たとえば、アノード・カソード間、または複数のLEDチップ間などにおいて短絡が発生することを防止できる。 Therefore, when soldering the terminal portion 9 on the mounting board, for example, it can prevent a short circuit occurs in such between the anode and the cathode or between the plurality of LED chips.

樹脂部3は、主表面1aにほぼ平行な平面上に延在する頂面3aと、LEDチップ4が設けられた主表面1aの領域10を囲み、主表面1aから離隔する方向に延在する内壁3bとを有する。 Resin part 3 has a top surface 3a which extends substantially on a plane parallel to the main surface 1a, surrounding the region 10 of the main surface 1a of LED chips 4 are provided, extending in a direction away from the main surface 1a having an inner wall 3b. 内壁3bは、主表面1aと頂面3aとに連なっている。 The inner wall 3b is continuous to the main surface 1a and top surface 3a. 樹脂部3の内壁3bは、LEDチップ4から発せられた光を反射するための反射面として機能する。 The inner wall 3b of the resin portion 3 functions as a reflective surface for reflecting the light emitted from the LED chips 4.

樹脂部3および8は、LEDチップ4から発せられた光を樹脂部3で効率良く反射するために、反射率が高い白色の樹脂から形成されている。 Resin portion 3 and 8, the light emitted from the LED chips 4 to efficiently reflected by the resin portion 3, reflectance is formed from a high white resin. また、製造時におけるリフロー工程を考慮して、樹脂部3および8は、耐熱性に優れた樹脂から形成されている。 In consideration of reflow step in manufacturing, a resin portion 3 and 8 is formed of a resin excellent in heat resistance. 具体的には、上述の両方の条件を満たす液晶ポリマーまたはポリアミド系樹脂などが使用されている。 Specific examples include satisfy liquid crystal polymer or polyamide resin both mentioned above is used. なお、これ以外の樹脂およびセラミックなどについても、樹脂部3および8を形成する材料として使用することができる。 Note that like other than this resin and ceramics, can be used as a material for forming the resin portion 3 and 8. また、LEDチップ4から発せられた光をさらに効率良く反射させるために、内壁3bの表面にめっきを施しても良い。 In order to more efficiently reflect light emitted from the LED chip 4 may be subjected to plating on the surface of the inner wall 3b.

樹脂部3の内壁3bと主表面1aとによって形成された凹部には、LEDチップ4および金線5が位置している。 The recess formed by the inner wall 3b and the main surface 1a of the resin portion 3, LED chips 4 and the gold wires 5 are located. その凹部には、LEDチップ4および金線5を覆うようにエポキシ樹脂6が設けられている。 Its recesses, epoxy resin 6 is provided so as to cover the LED chips 4 and the gold wires 5. エポキシ樹脂6は、外部からの物理的または電気的な接触に対して、LEDチップ4および金線5を保護する役割を果たしている。 Epoxy resin 6, to the physical or electrical contact from outside, and plays a role of protecting the LED chip 4 and the gold wires 5. エポキシ樹脂6は、内壁3bから中心部にかけてやや凹んだ形状の頂面6aを有する。 Epoxy resin 6 has a top surface 6a of slightly concave shape toward the center from the inner wall 3b. エポキシ樹脂6は、主表面1aから頂面6aまでの距離が、主表面1aから樹脂部3の頂面3aまでの距離よりも小さくなるように形成されている。 Epoxy resin 6, the distance from the main surface 1a to the top surface 6a is formed from the main surface 1a so as to be smaller than the distance to the top surface 3a of the resin portion 3. このため、エポキシ樹脂6の頂面6a上においても頂面3aに向かう方向に内壁3bが延在している。 Therefore, the inner wall 3b in the direction toward the top surface 3a even on the top surface 6a of the epoxy resin 6 extends.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4から発せられる光に対して、樹脂部3が有する反射率よりも小さい反射率を有する材料で形成されている。 Epoxy resin 6, with respect to light emitted from the LED chip 4, and is formed of a material having a smaller reflectivity than the reflectivity with the resin portion 3. 具体的には、ポッティング方式で注型された透明または乳白色の樹脂が使用されている。 Specifically, it casted transparent or opalescent resin is used in potting. なお、ポッティング方式以外にも、トランスファー成型またはインジェクション成型などによっても、エポキシ樹脂6を設けることが可能である。 Incidentally, in addition to the potting method, by such transfer molding or injection molding, it is possible to provide an epoxy resin 6. この場合は、エポキシ樹脂6を任意の形状(たとえばレンズ形状)に形成することができる。 In this case, it is possible to form an epoxy resin 6 into an arbitrary shape (e.g., lens shape).

図3は、図1中のIII−III線上に沿った断面図である。 Figure 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 図1および図3を参照して、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状25が円形となっている。 Referring to FIGS. 1 and 3, the shape 25 which is defined by the inner wall 3b is a circular on a plane parallel to the main surface 1a. 樹脂部3は、その内壁3bによって規定される形状25の面積が、主表面1aから離れるに従って大きくなるように形成されている。 Resin portion 3, the area of ​​the shape 25 defined by the inner wall 3b is formed to be larger with distance from the main surface 1a. つまり、内壁3bは、頂点が下方に位置する円錐を想定した場合に、その円錐の底面から頂点に向かって延在する円錐の側壁の形状を有する。 In other words, the inner wall 3b has when vertex assuming a cone located below, the shape of the side wall of a cone extending toward the apex from the bottom of the cone.

図4は、樹脂部の内壁によって光が反射される様子を模式的に表わした断面図である。 Figure 4 is a cross-sectional view of a state in which light is reflected schematically illustrating the inner wall of the resin portion. 図4を参照して、主表面1a上に光源22が設けられている場合を想定すると、光源22から発せられた光は放射状に進行する。 Referring to FIG. 4, when the light source 22 on the main surface 1a is assumed if provided, the light emitted from the light source 22 proceeds radially. 半導体発光装置では、この光源22から発せられる光の指向性を適切に制御し、さらには、所定の方向に高輝度な光を取り出すことが重要となる。 In the semiconductor light emitting device, the directivity of light emitted from the light source 22 is properly controlled, and further, it is important to take out the high-intensity light in a predetermined direction. 樹脂部3は、内壁3bによって規定される形状の面積が主表面1aから離れるに従って大きくなるように形成されているため、光源から主表面1aに近い方向に進行する光を内壁3bによって所定の方向に反射させることができる。 Resin portion 3, the area of ​​the shape defined by the inner wall 3b is formed to be larger with distance from the main surface 1a, a predetermined direction the light by the inner wall 3b which travels in a direction close to the main surface 1a of the light source it can be reflected on. これにより、光源から発せられた光を、半導体発光装置の前面、つまり矢印23に示す方向に取り出すことができる。 Accordingly, the light emitted from the light source, the front surface of the semiconductor light-emitting device, i.e. can be taken out in the direction indicated by the arrow 23. また、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状が円形となっているため、内壁3bの傾きを調整することによって光の指向性を容易に制御することができる。 The shape defined by the inner wall 3b on a plane parallel to the main surface 1a is because it is a circular, it is possible to easily control the directivity of light by adjusting the inclination of the inner wall 3b.

本実施の形態では、図1を参照して、LEDチップ4から発せられた光は、内壁3bによって所定の方向に反射され、エポキシ樹脂6を透過して頂面6aから外部へと出射する。 In the present embodiment, with reference to FIG. 1, light emitted from the LED chip 4 is reflected in a predetermined direction by the inner wall 3b, and emitted through the epoxy resin 6 to the outside from the top surface 6a. この際、頂面6aにおいて屈折が生じることによって光の進行する方向が変化する。 In this case, direction changes of light travel by refraction at the top surface 6a occurs. しかし、頂面6a上においても反射面として機能する内壁3bが存在するため、光を再び内壁3bに反射させて半導体発光装置の前面へと出射させることができる。 However, since the inner wall 3b which functions as a reflecting surface even on the top surface 6a is present, it can be in the is again reflected on the inner wall 3b light exit into the front surface of the semiconductor light-emitting device.

図5および図6は、内壁によって規定される形状の変形例を示す断面図である。 5 and 6 are sectional views showing a modification of the shape defined by the inner wall. 図5および図6は、図3に示す断面に相当する断面図である。 5 and 6 are sectional views corresponding to the cross section shown in FIG.

図5を参照して、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状26が楕円となるように樹脂部3を形成してもよい。 Referring to FIG. 5, the shape 26 which is defined by the inner wall 3b may form a resin part 3 so as to be oval in the plane parallel to the main surface 1a. 図6を参照して、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状27が長方形となるように樹脂部3を形成してもよい。 Referring to FIG. 6, a resin portion 3 may be formed so that the shape 27 which is defined by the inner wall 3b is rectangular on a plane parallel to the main surface 1a. これらの場合、半導体発光装置から発せられる光の発光面積を大きくとることができる。 In these cases, it is possible to increase the light emitting area of ​​light emitted from the semiconductor light-emitting device. このように半導体発光装置が搭載される電子機器などの使用目的にあわせて、樹脂部3を設ける形態を適宜変更すれば良い。 In accordance with the thus intended use, such as electronic devices in which the semiconductor light-emitting device is mounted, it may be appropriately changed in the form of providing a resin portion 3.

この発明の実施の形態1に従った半導体発光装置は、第1の領域としての領域10と、領域10の周縁に沿って延在する第2の領域としての領域20とが規定された主表面1aを有するリードフレーム1と、領域10に設けられた半導体発光素子としてのLEDチップ4と、LEDチップ4を完全に覆うように領域10に設けられた第1の樹脂部材としてのエポキシ樹脂6と、LEDチップ4を囲むように領域20に設けられた第2の樹脂部材としての樹脂部3とを備える。 The semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the invention, the region 10 as a first region, region 20 and is defined a main surface of a second region extending along the periphery of the region 10 a lead frame 1 with 1a, the LED chip 4 as a semiconductor light-emitting element provided in the region 10, the epoxy resin 6 as a first resin member provided in the region 10 to the LED chip 4 completely covers , and a resin portion 3 as a second resin member provided in the region 20 so as to surround the LED chip 4.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4から発せられた光に対して第1の反射率を有する。 Epoxy resin 6 has a first reflectance to light emitted from the LED chips 4. 樹脂部3は、LEDチップ4から発せられた光に対して第1の反射率よりも大きい第2の反射率を有する。 Resin portion 3 has a second reflectance greater than the first reflectance to light emitted from the LED chips 4. エポキシ樹脂6は、第1の頂面としての頂面6aを含む。 Epoxy resin 6, includes a top surface 6a of the first top surface. 樹脂部3は、主表面1aからの距離が主表面1aから頂面6aまでの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面としての頂面3aと、LEDチップ4が位置する側において主表面1aから離隔する方向に延在し、頂面3aに連なる内壁3bとを含む。 Resin part 3 has a top surface 3a of the second top surface a distance from the main surface 1a is provided in position greater than the distance from the main surface 1a to the top surface 6a, the side where the LED chip 4 is positioned extending in a direction away from the main surface 1a, and a inner wall 3b continuous to the top surface 3a.

半導体発光装置は、LEDチップ4に接続される一方端5pと、主表面1aに接続される他方端5qとを有する金属線としての金線5をさらに備える。 The semiconductor light emitting device further includes a first end 5p which is connected to the LED chip 4, a gold wire 5 as a metal wire having the other end 5q which is connected to the main surface 1a. エポキシ樹脂6は、金線5を完全に覆うように設けられている。 Epoxy resin 6 is provided so as to completely cover the gold wire 5.

リードフレーム1は、スリット状の溝1mによって離間した部分1tを含む。 The lead frame 1 includes a portion 1t spaced by the slit-like groove 1 m. 部分1tは他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。 Portion 1t is formed with a smaller thickness than the other portions.

リードフレーム1は、同一平面上に延在する板形状に形成されている。 The lead frame 1 is formed in a plate shape extending in the same plane. リードフレーム1は、主表面1aと反対側の面1bに形成され、かつ樹脂としての樹脂部8が充填される第1の凹部としての溝15を含む。 The lead frame 1 is formed on the main surface 1a opposite surface 1b, and includes a groove 15 as a first recess in which the resin portion 8 is filled as a resin. 反対側の面1bには、溝15の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部9が設けられている。 The opposite surface 1b, the terminal portion 9 is provided that is electrically connected to the mounting board and located on both sides of the groove 15.

樹脂部3は、主表面1aに平行な面上において内壁3bによって規定される形状の面積が、主表面1aから離れるに従って大きくなるように形成されている。 Resin portion 3, the area of ​​the shape defined by the inner wall 3b on a plane parallel to the main surface 1a is formed to be larger with distance from the main surface 1a. 主表面1aに平行な面上において内壁3bによって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。 Shape defined by the inner wall 3b on a plane parallel to the main surface 1a is either circular, elliptical and polygonal.

このように構成された半導体発光装置によれば、頂面6a上においてもLEDチップ4から発せられる光を反射させるための内壁3bが延在している。 According to the semiconductor light-emitting device configured, the inner wall 3b for reflecting light emitted from the LED chip 4 even on the top surface 6a extends. また、相対的に低い位置にエポキシ樹脂6の頂面6aが設けられているため、光がエポキシ樹脂6を透過する際に減衰することを抑制できる。 Moreover, since the top surface 6a of the epoxy resin 6 is provided in a relatively low position, light can be prevented from being attenuated when passing through the epoxy resin 6. さらに、板状に形成されることによってリードフレーム1の高さが低く抑えられているため、樹脂部3の高さを高くすることができる。 Furthermore, since the height of the lead frame 1 by being formed in a plate shape is kept low, it is possible to increase the height of the resin portion 3. これにより、LEDチップ4から発せられる光を反射させるための内壁3bをより高い位置まで延在させることができる。 This makes it possible to extend the inner wall 3b for reflecting light emitted from the LED chip 4 to a higher position. 以上の理由から、LEDチップ4から発せられる光の指向性を適切に制御して、半導体発光装置から高輝度な光を取り出すことができる。 For these reasons, by appropriately controlling the directivity of light emitted from the LED chips 4 can be taken out with high intensity light from the semiconductor light-emitting device.

(実施の形態2) (Embodiment 2)
図7は、この発明の実施の形態2における半導体発光装置を示す断面図である。 Figure 7 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device in the second embodiment of the present invention. 図7を参照して、実施の形態2における半導体発光装置は、実施の形態1における半導体発光装置と比較して、リードフレーム1の形状が異なる。 Referring to FIG 7, the semiconductor light-emitting device of the second embodiment is different from the semiconductor light-emitting device of the first embodiment, it is different from the shape of the lead frame 1. 以下において、重複する構造の説明は省略する。 In the following, description of the same structure will be omitted.

リードフレーム1の主表面1aには、領域10(図2を参照のこと)に位置して凹部30が形成されている。 The main surface 1a of the lead frame 1, the recess 30 located in the region 10 (see FIG. 2) is formed. 凹部30の底面には、LEDチップ4が銀ペースト7を介して設けられている。 The bottom surface of the recess 30, is provided the LED chip 4 via the silver paste 7. また、凹部30の底面には、LEDチップ4の頂面から延びる金線5の他方端5qが接続されている。 Further, the bottom surface of the recess 30, the other end 5q gold wire 5 extending from the top surface of the LED chip 4 is connected. 凹部30の側壁は、主表面1a上における凹部30の開口面積が凹部30の底面の面積よりも大きくなるように傾いて形成されている。 Side wall of the recess 30 is the opening area of ​​the recesses 30 on the main surface 1a is formed inclined so as to be larger than the area of ​​the bottom surface of the recess 30.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4および金線5を覆うように設けられている。 Epoxy resin 6 is provided so as to cover the LED chips 4 and the gold wires 5. 但し、LEDチップ4が相対的に低い位置に設けられているため、エポキシ樹脂6の頂面6aは実施の形態1と比較して低い位置に形成されている。 However, since the LED chips 4 are provided in a relatively low position, the top surface 6a of the epoxy resin 6 is formed in a lower position compared with the first embodiment.

この発明の実施の形態2に従った半導体発光装置では、リードフレーム1は、領域10に形成された第2の凹部としての凹部30を含む。 In the semiconductor light-emitting device according to the second embodiment of the invention, the lead frame 1 includes a recess 30 as a second recess formed in the region 10. LEDチップ4は凹部30に設けられている。 LED chip 4 is provided in the recess 30.

このように構成された半導体発光装置によれば、実施の形態1に記載の効果と同様の効果を奏することができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured it can achieve the same effects as the effects according to the first embodiment. さらに、凹部30の側壁は、LEDチップ4から発せられた光を反射する反射面としての役割を果たす。 Further, the side wall of the recess 30 serves as a reflecting surface for reflecting light emitted from the LED chips 4. また、凹部30の底面にLEDチップ4を設けることによって、樹脂部3の高さを変えずに、頂面6a上から頂面3aまで延在する内壁3bの距離を大きくすることができる。 Further, by providing the LED chips 4 to the bottom surface of the recess 30 can be without changing the height of the resin portion 3, increasing the distance of the inner wall 3b extending from the top surface 6a to the top face 3a. 以上の理由から、LEDチップ4から発せられる光の指向性をさらに容易に制御することができる。 For these reasons, the directivity of light emitted from the LED chips 4 can be more easily controlled.

(実施の形態3) (Embodiment 3)
図8は、この発明の実施の形態3における半導体発光装置を示す断面図である。 Figure 8 is a sectional view showing a semiconductor light emitting device in the third embodiment of the present invention. 図8を参照して、実施の形態3における半導体発光装置は、実施の形態1における半導体発光装置と比較して、金線5を主表面1aおよびLEDチップ4の頂面にワイヤボンディングする形態が異なる。 Referring to FIG. 8, a semiconductor light-emitting device in the third embodiment is different from the semiconductor light-emitting device of the first embodiment, is configured to wire bonding gold wires 5 on the top surface of the main surface 1a and the LED chip 4 different. 以下において、重複する構造の説明は省略する。 In the following, description of the same structure will be omitted.

LEDチップ4の電極に接続された金線5の一方端5pは、線状に形成されており、主表面1aに接続された金線5の他方端5qは、ボール状に形成されている。 One end 5p of the gold wire 5 connected to the electrodes of the LED chip 4 is formed in a linear shape, the other end 5q gold wires 5 connected to the main surface 1a is formed into a ball shape. つまり、金線5を所定の位置に接続する際のワイヤボンディングは、まず金線5の他方端5qを主表面1aにボールボンディングし、続いて金線5の一方端5pをLEDチップ4の電極にウェッジボンディングすることによって行なわれている。 That is, wire bonding for connecting a gold wire 5 in position, first the other end 5q of the gold wire 5 balls are bonded to the main surface 1a, subsequently one end 5p of the gold wire 5 of the LED chip 4 electrodes It has been carried out by wedge bonding to. これにより、LEDチップ4の頂面側において形成される金線5のループ形状を小さくすることができる。 Thus, it is possible to reduce the loop-shaped gold wires 5 formed in the top surface of the LED chip 4.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4および金線5を覆うように設けられている。 Epoxy resin 6 is provided so as to cover the LED chips 4 and the gold wires 5. 但し、金線5のループ形状が小さく形成されているため、エポキシ樹脂6の頂面6aは実施の形態1と比較して低い位置に形成されている。 However, since the loop shape of the gold wire 5 is formed smaller, the top surface 6a of the epoxy resin 6 is formed in a lower position compared with the first embodiment.

なお、本実施の形態では、ウェッジボンディングされた金線5の一方端5pとLEDチップ4の電極との接続の強度が若干弱くなる。 In the present embodiment, the strength of the connection between one end 5p and the LED chip 4 of the electrodes of the wedge bonded gold wires 5 is weakened slightly. このため、必要とされる信頼性(耐リフロー性または耐温度サイクル性など)を満たさないおそれがある。 Therefore, there may not meet The required reliability (such as reflow resistance or temperature cycle resistance). この場合、ウェッジボンディングされた金線5の一方端5pの上からさらに金属をボールボンディングすることによって接続を補強することができる。 In this case, it is possible to reinforce the connection by ball bonding further metal from the top of one end 5p wedge bonded gold wires 5. このボールボンディングは、既にボールボンディングされている金線5の他方端5qの上から行なっても良い。 The ball bonding, already may be performed from the top of the other end 5q of the gold wire 5 being ball bonding.

この発明の実施の形態3に従った半導体発光装置では、一方端5pは、線状に形成されており、他方端5qは、ボール状に形成されている。 In the semiconductor light-emitting device according to the third embodiment of the invention, one end 5p is formed into a linear shape, and the other end 5q, and is formed into a ball shape. 一方端5pには、LEDチップ4との間で金線5を挟持するボール状の金属が設けられている。 On the other hand in the end 5p, ball-shaped metal pinching the gold wire 5 between the LED chip 4 is provided.

このように構成された半導体発光装置によれば、実施の形態1に記載の効果と同様の効果を奏することができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured it can achieve the same effects as the effects according to the first embodiment. さらに、金線5の一方端5pをLEDチップ4の電極にウェッジボンディングすることによって、樹脂部3の高さを変えずに、頂面6a上から頂面3aまで延在する内壁3bの距離を大きくすることができる。 Furthermore, by wedge bonding to an electrode of the LED chip 4 one end 5p of the gold wire 5, without changing the height of the resin portion 3, the distance of the inner wall 3b extending from the top surface 6a to the top surface 3a it can be increased. これにより、LEDチップ4から発せられる光の指向性をさらに容易に制御することができる。 This makes it possible to more easily control the directivity of light emitted from the LED chips 4.

(実施の形態4) (Embodiment 4)
図9は、この発明の実施の形態4における半導体発光装置を示す平面図である。 Figure 9 is a plan view showing a semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention. 図9を参照して、実施の形態4における半導体発光装置では、実施の形態1から3のいずれかに記載の形態で、リードフレーム51、52および53の主表面上にLEDチップ71、72および73がそれぞれ搭載されている。 Referring to FIG. 9, in the semiconductor light-emitting device of the fourth embodiment, in the form of any one of the first to third embodiments, LED chips 71, 72 and on the main surface of the lead frame 51, 52 and 53 73 are mounted respectively.

LEDチップ71、72および73は、それぞれ緑、赤および青で発光するLEDチップである。 LED chips 71, 72 and 73 is an LED chip for emitting each green, red and blue. LEDチップ71、72および73は、略三角形の各頂点に位置するように互いに近接して設けられている。 LED chips 71, 72 and 73 are provided close to each other so as to be located at each apex of the substantially triangular. LEDチップ71、72および73が設けられたリードフレーム51、52および53の部分は、スリット状の溝によって離間している。 Portions of the lead frames 51, 52 and 53 LED chips 71, 72 and 73 are provided, spaced apart by a slit-like groove. このように発光色の異なるLEDチップを近接して配置することによって、フルカラーの半導体発光装置を形成している。 By thus arranged in close proximity to emission colors different LED chips to form a semiconductor light-emitting device of a full color.

リードフレーム51、52および53は、LEDチップ71、72および73がそれぞれ設けられた部分から異なる方向(矢印41、42および43に示す方向)に向かって延在している。 Lead frames 51, 52 and 53, LED chips 71, 72 and 73 extend toward (the direction indicated by the arrow 41, 42 and 43) in different directions from the portion provided respectively. リードフレーム51、52および53は、リードフレーム51および53の主表面の面積が、リードフレーム52の主表面の面積よりも大きくなるように形成されている。 Lead frames 51, 52 and 53, the area of ​​the main surface of the lead frame 51 and 53 are formed to be larger than the area of ​​the main surface of the lead frame 52.

リードフレーム51および52の間にはリードフレーム81が、リードフレーム52および53の間にはリードフレーム83が、リードフレーム53および51の間にはリードフレーム82が設けられている。 Lead frame 81 between the lead frame 51 and 52, the lead frame 83 between the lead frame 52 and 53, the lead frame 82 is provided between the lead frames 53 and 51. リードフレーム81とLEDチップ71とが金線61によって電気的に接続されている。 The lead frame 81 and the LED chip 71 are electrically connected by a gold wire 61. リードフレーム83とLEDチップ73とが金線63によって電気的に接続されている。 The lead frame 83 and the LED chip 73 are electrically connected by a gold wire 63. リードフレーム82とLEDチップ72とが金線62によって電気的に接続されている。 It is electrically connected by a lead frame 82 and the LED chip 72 and the gold wire 62.

この発明の実施の形態4に従った半導体発光装置は、赤、青および緑でそれぞれ発光する3つの半導体発光素子としてのLEDチップ71、72および73と、LEDチップ71、72および73が1つずつ設けられ、互いに離間する3つのリードフレーム51、52および53とを備える。 The semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment of the invention, red, and LED chips 71, 72 and 73 as three semiconductor light-emitting element which emits light respectively blue and green, the LED chips 71, 72 and 73 has one each provided, and a three lead frames 51, 52 and 53 away from each other. リードフレーム51、52および53の各々は、互いに異なる方向に延在している。 Each of the lead frames 51, 52 and 53 extend in different directions.

青および緑でそれぞれ発光するLEDチップ71および73が設けられたリードフレーム51および53の主表面の面積は、赤で発光するLEDチップ72が設けられたリードフレーム52の主表面の面積よりも大きい。 Area of ​​the major surface of the lead frame 51 and 53 LED chips 71 and 73 are provided to emit light respectively blue and green is larger than the area of ​​the main surface of the lead frame 52 on which the LED chip 72 is provided which emits light in red .

このように構成された半導体発光装置によれば、フルカラーの半導体発光装置においても実施の形態1から3に記載の効果を奏することができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, it can also achieve the effects described in the first to third embodiments in the semiconductor light-emitting device of a full color. 特に、実施の形態1において説明したように、スリット状の溝が形成されているリードフレーム51、52および53の部分の厚みを小さくすることによって、溝幅を小さくしてスリット状の溝を加工することができる。 In particular, the processing as described in the first embodiment, by reducing the thickness of the portion of the lead frame 51, 52 and 53 slit-shaped groove is formed, a slit-like groove by reducing the groove width can do. これにより、LEDチップ71、72および73をより近接させて配置することができるため、半導体発光装置の混色性を向上させることができる。 Accordingly, it is possible to arrange the LED chips 71, 72 and 73 more in proximity, thereby improving the color mixing properties of the semiconductor light-emitting device.

また、リードフレーム51、52および53は、互いに異なる方向に向かって延在している。 The lead frame 51, 52 and 53 extend toward the different directions. このため、LEDチップ71、72および73において発生した熱を分散して効率良く放熱することができる。 Therefore, it is possible to efficiently radiated by dispersing the heat generated in the LED chip 71, 72 and 73. さらに、緑および青で発光するLEDチップ71および73の発熱量が大きいことを考慮して、LEDチップ71および73を搭載するリードフレーム51および53の主表面の面積を、赤で発光するLEDチップ72を搭載するリードフレーム52の主表面の面積よりも大きくしている。 Further, LED chips considering that the amount of heat generated LED chips 71 and 73 emit light in green and blue are large, the area of ​​the main surface of the lead frame 51 and 53 for mounting the LED chips 71 and 73, emitting in the red It is larger than the area of ​​the main surface of the lead frame 52 for mounting the 72. これにより、LEDチップ71、72および73において発生した熱をリードフレーム51、52および53を介して均等に放熱することができる。 Accordingly, the heat generated in the LED chip 71, 72 and 73 via the lead frame 51, 52 and 53 can be uniformly radiated.

LEDチップを複数設けるフルカラーの半導体発光装置の場合、LEDチップからの発熱量も大きくなるため、特に本発明を有効に利用することができる。 If the semiconductor light-emitting device of the full-color LED chips provide a plurality, since the amount of heat generated from the LED chips is also increased, it is possible to particularly effectively utilize the present invention. また、本発明によれば、内壁3bを設ける形状によって光の指向角を容易に狭めることができる。 Further, according to the present invention, it is possible to easily narrow the directivity angle of the light by the shape providing the inner wall 3b. これにより、フルカラーの半導体発光装置においても、混色性を損なうことなく、取り出す光の輝度を高くすることができる。 Thus, in the semiconductor light-emitting device of a full color, without impairing the color mixing property, it is possible to increase the brightness of the light to be extracted. なお、レンズを取り付けることによって光の指向角を調整する手法も考えられるが、混色性を満たすことは非常に困難である。 Although techniques also conceivable to adjust the orientation angle of the light by attaching the lens, to meet the color mixing properties is very difficult. また、半導体発光装置の製品高さが高くなるという問題も発生する。 It also occurs a problem that the product height of the semiconductor light-emitting device is increased.

(実施の形態5) (Embodiment 5)
図10は、この発明の実施の形態5におけるカメラ付き携帯電話を示す透視図である。 Figure 10 is a perspective view showing a camera phone in a fifth embodiment of the present invention. 図10を参照して、カメラ付き携帯電話84は、実施の形態4において説明した半導体発光装置である半導体発光装置86を備える。 Referring to FIG. 10, camera phone 84 includes a semiconductor light emitting device 86 is a semiconductor light-emitting device described in the fourth embodiment.

筐体85の前面には、液晶画面90と、CCD(Charge Coupled Device)素子用窓89と、発光素子用窓87とが形成されている。 The front surface of the housing 85, the liquid crystal screen 90, a CCD (Charge Coupled Device) element window 89, the light emitting device window 87 is formed. 筐体85の内部には、実装基板92が設けられている。 Inside the housing 85, mounting board 92 is provided. 実装基板92上には、液晶画面90、CCD素子用窓89および発光素子用窓87に向い合う位置に、液晶91、CCD素子88および半導体発光装置86が設けられている。 On the mounting substrate 92, at a position facing the liquid crystal screen 90, CCD elements for window 89 and the light emitting element window 87, the liquid crystal 91, CCD elements 88 and a semiconductor light emitting device 86 is provided. 実装基板92上には、液晶91、CCD素子88および半導体発光装置86とは別に、ICチップなどの電子部品93が設けられている。 On the mounting substrate 92, the liquid crystal 91, CCD elements 88 and a semiconductor light emitting device 86 separately from the electronic component 93 such as an IC chip is provided.

本実施の形態におけるカメラ付き携帯電話84では、半導体発光装置86を補助光源として利用することによって、暗い場所における被写体の撮影を可能にしている。 In the camera-equipped mobile phone 84 in the present embodiment, by utilizing the semiconductor light emitting device 86 as an auxiliary light source, and enables the imaging of the subject in a dark place. 具体的には、半導体発光装置86に設けられた3種類のLEDチップから緑、赤および青の光を発光することによって、被写体に向けて白色の光を照射することができる。 Specifically, green three types of LED chips provided in the semiconductor light emitting device 86, by emitting light in the red and blue, it is possible to irradiate the white light toward the subject. これにより、明るく照らされた被写体を撮影し、これを電子データとしてCCD素子88に取り込むことができる。 Accordingly, by photographing the illuminated brightly object, it can be incorporated in the CCD 88 so as electronic data.

図11は、図10中のカメラ付き携帯電話から光を照射された基準面の照度を説明するための模式図である。 Figure 11 is a schematic diagram for explaining the illuminance of the reference surface that the light emitted from the camera phone in FIG. カメラ付き携帯電話84では、一様な明るさの光が被写体に照射されるように半導体発光装置86が設定されている。 In the camera-equipped mobile phone 84, the semiconductor light emitting device 86 is configured such that light uniform brightness is emitted to the subject.

図11を参照して、カメラ付き携帯電話84の光源から所定の距離離れた位置に所定の大きさを有する基準面が設けられている。 Referring to FIG. 11, the reference plane having a predetermined size from the light source of the camera phone 84 to a predetermined distance away are provided. この基準面は、カメラ付き携帯電話84によって被写体を写す範囲を表わすものである。 The reference surface is representative of the range of photograph an object by a camera-equipped mobile phone 84. 本実施の形態では、カメラ付き携帯電話84の光源から50cm離れた位置に、縦60cm、横50cmの大きさの基準面96が設けられている。 In this embodiment, a position away 50cm from the light source of the camera phone 84, the vertical 60cm, the reference plane 96 the magnitude of the transverse 50cm is provided.

カメラ付き携帯電話84から基準面96の中心97に向けて光を照射した場合に、基準面96の四隅98において測定した照度が中心97において測定した照度の50%以上となるように、カメラ付き携帯電話84の半導体発光装置86が設定されている。 When irradiated light toward the camera phone 84 to the center 97 of the reference surface 96, as illuminance measured at the four corners 98 of the reference surface 96 is the illumination intensity of 50% or more as measured at the center 97, with a camera the semiconductor light-emitting device 86 of the mobile phone 84 has been set. たとえば、中心97において30(ルクス)の照度が測定された場合、四隅98において15(ルクス)以上の照度が測定される。 For example, if the illuminance of 30 (lux) at the center 97 is measured, 15 (lux) or illuminance at the four corners 98 is measured.

この発明の実施の形態5に従った電子撮像装置としてのカメラ付き携帯電話84は、半導体発光装置86を備える。 Camera phone 84 as an electronic imaging device according to a fifth embodiment of the present invention includes a semiconductor light-emitting device 86. 半導体発光装置86から所定の距離を隔てた位置に矩形形状の基準面96を設けた場合に、半導体発光装置86からの光が照射された基準面96の四隅における照度は、基準面96の中心における照度の50%以上である。 In case of providing the reference plane 96 of rectangular shape at a position at a predetermined distance from the semiconductor light emitting device 86, the illuminance at the four corners of the reference surface 96 where light is irradiated from the semiconductor light emitting device 86, the center of the reference plane 96 is 50% or more of the illuminance on.

このように構成されたカメラ付き携帯電話84によれば、実施の形態4に記載の効果から、半導体発光装置86から出射する光の指向性を容易に制御することができる。 Thus, according to the camera-equipped mobile phone 84 that is configured, from the effects according to the fourth embodiment, it is possible to easily control the directivity of light emitted from the semiconductor light-emitting device 86. これにより、被写体が写る基準面において明るさに大差のない所望の撮影条件を容易に実現することができる。 This makes it possible to easily realize a desired photographing condition of no significant difference in brightness in the reference plane object objects appear.

(実施の形態6) (Embodiment 6)
図12は、この発明の実施の形態6における半導体発光装置を示す平面図である。 Figure 12 is a plan view showing a semiconductor light emitting device in a sixth embodiment of the present invention. 図13は、図12中のXIII−XIII線上に沿った側面図である。 Figure 13 is a side view along XIII-XIII line in FIG. 図13では、一部が断面形状で示されている。 In Figure 13, partially shown in cross-section. 図12および図13を参照して、本実施の形態における半導体発光装置201では、実施の形態4における半導体発光装置と同様に、リードフレーム1の主表面1a上に3つのLEDチップ4が搭載されている。 With reference to FIGS. 12 and 13, in the semiconductor light emitting device 201 of this embodiment, like the semiconductor light-emitting device in the fourth embodiment, three LED chips 4 are mounted on the main surface 1a of the lead frame 1 ing.

リードフレーム1には、複数のリード端子210が主表面1aの周縁から突出して形成されている。 The lead frame 1 has a plurality of lead terminals 210 are formed to protrude from the periphery of the main surface 1a. 複数のリード端子210は、樹脂部3から露出した状態で、互いに間隔を隔てた位置で主表面1aの周縁から離隔する方向(矢印202に示す方向)に向けて延びている。 A plurality of lead terminals 210 are in a state of being exposed from the resin portion 3, and extends in the direction (direction indicated by arrow 202) away from the periphery of the main surface 1a at a position spaced apart from each other. リード端子210は、主表面1aの周縁に相対的に近い位置に形成された基部211と、主表面1aの周縁に相対的に遠い位置で形成され、リード端子210が突出する先端に設けられた端面213を有する先端部212とから構成されている。 Lead terminals 210 includes a base portion 211 formed in a position relatively close to the periphery of the main surface 1a, is formed at a relatively far position on the periphery of the main surface 1a, provided at a distal end of the lead terminals 210 are protruded and a distal portion 212 having an end face 213. 端面213は、リード端子210が延びる矢印202に示す方向に対して直交する平面上に延在している。 End surface 213 extends in a plane perpendicular to the direction indicated by the arrow 202 to lead terminals 210 extend.

基部211は、幅B2で形成されており、先端部212および端面213は、幅B2よりも小さい幅B1で形成されている。 The base 211 is formed with a width B2, distal end portion 212 and the end surface 213 is formed with a width smaller B1 than the width B2. つまり、リード端子210は、主表面1aの周縁から遠い先端側で主表面1aの周縁に近い根元側より細くなるように形成されている。 That is, the lead terminals 210 are formed to be thinner than the root side closer to the periphery of the main surface 1a distant front end side from the periphery of the main surface 1a. このため、端面213の面積は、基部211を矢印202に示す方向に直交する平面で切断した場合の断面(図13中の斜線部214に示す断面)の面積よりも小さくなっている。 Therefore, the area of ​​the end face 213 is smaller than the area of ​​a cross section when cut in a plane orthogonal to the direction indicating the base 211 in the arrow 202 (the cross section shown in the hatched portion 214 in FIG. 13). 基部211と先端部212との間には、段差部分221が形成されている。 Between the base 211 and the distal end portion 212, the stepped portion 221 is formed.

続いて、図12中に示す半導体発光装置の製造方法について説明を行なう。 Subsequently, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device shown in FIG. 12. 図14は、図12中に示す半導体発光装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。 Figure 14 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the semiconductor light-emitting device shown in FIG. 12. 図15は、図12中に示す半導体装置の製造工程を示す平面図である。 Figure 15 is a plan view showing a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 12.

図14および図15を参照して、まず、所定形状にパターニングされたリードフレームに樹脂部3がインサート成型等で形成されたリードフレーム基材241を準備し、そのリードフレーム基材241に複数のLEDチップ4を実装する(S231)。 With reference to FIGS. 14 and 15, first, the resin portion 3 is prepared a lead frame base material 241 formed by insert molding or the like to a lead frame that is patterned in a predetermined shape, a plurality of the lead frame base member 241 mounting the LED chip 4 (S231). 次に、実装されたLEDチップ4の電極とリードフレーム基材241の表面とを金線で接続するワイヤボンディングを実施し(S232)、エポキシ樹脂6を封入する(S233)。 Next, the implemented LED chip 4 of the electrode and the surface of the lead frame base member 241 conduct wire bonding to connect a gold wire (S232), to encapsulate the epoxy resin 6 (S233).

次に、リード端子210に、たとえば、スズ(Sn)ビスマス(Bi)めっきや、スズ(Sn)鉛(Pb)めっき(はんだめっき)を用いためっき処理を行なう(S234)。 Then, the lead terminals 210, for example, performed tin (Sn) and bismuth (Bi) plating, tin (Sn) Lead (Pb) plating a plating process using the (solder plating) (S234). この工程が終了した時点で、図15に示すように、複数の半導体発光装置201が格子状に配列された状態のリードフレーム基材241が完成する。 Once this step is completed, as shown in FIG. 15, the lead frame substrate 241 in a state where the plurality of semiconductor light emitting devices 201 are arranged in a grid pattern is completed.

次に、プレス機を用いて、直線上に配列された複数の先端部212に沿って(2点鎖線242に沿って)リードフレーム基材241を切断する(S235)。 Then, using a pressing machine, along a plurality of tip portions 212 arranged in a straight line (along the two-dot chain line 242) cutting the lead frame substrate 241 (S235). これにより、複数の半導体発光装置201がリードフレーム基材241から切り出され、先端部212には、金型による切断面によって端面213が形成される。 Thus, a plurality of semiconductor light-emitting device 201 is cut out from the lead frame base member 241, the distal end portion 212, the end surface 213 by the cut surface using a mold is formed. その後、半導体発光装置201の検査工程を実施し(S236)、さらにその後、半導体発光装置201を所定の出荷状態に整えるテーピング工程を実施する(S237)。 Thereafter, an inspection process of the semiconductor light emitting device 201 (S236), further followed, carrying out the taping step of arranging the semiconductor light emitting device 201 to a predetermined default state (S237).

この発明の実施の形態6における半導体発光装置201では、リードフレーム1は、主表面1aの周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子210を含む。 In the semiconductor light emitting device 201 in a sixth embodiment of the present invention, the lead frame 1 includes a lead terminal 210 extending in a predetermined direction to protrude from the periphery of the main surface 1a. リード端子210は、所定の方向に延びる先端に端面213が形成された先端部212と、主表面1aの周縁と先端部212との間に位置する基部211とを有する。 Lead terminals 210 includes a base portion 211 which is located between the tip 212 of the end face 213 is formed at the distal end extending in a predetermined direction, the peripheral and the distal end portion 212 of the main surface 1a. リード端子210は、端面213の面積が、端面213に平行な平面における基部211の断面積よりも小さくなるように形成されている。 Lead terminal 210, the area of ​​the end face 213, is formed to be smaller than the cross-sectional area of ​​the base portion 211 in a plane parallel to the end surface 213. リード端子210は、基部211で第1の幅としての幅B2を有し、先端部212で幅B2よりも小さい第2の幅としての幅B1を有する。 Lead terminal 210 has a width B2 of the first width at the base 211 has a width B1 of the small second width greater than the width B2 at the distal end portion 212. 先端部212に形成された端面213は、所定の切断用工具によって形成された切断面である。 End surface 213 formed on the distal end portion 212 is a cut surface formed by the predetermined cutting tool.

また、この発明の実施の形態6における半導体発光装置201の製造方法は、複数の半導体発光装置201が形成されたリードフレーム基材241を準備する工程と、リードフレーム基材241を先端部212で切断することによって、リードフレーム基材241から複数の半導体発光装置201を切り出す工程とを備える。 A method of manufacturing a semiconductor light emitting device 201 in a sixth embodiment of the present invention includes the steps of: preparing a lead frame substrate 241 in which a plurality of semiconductor light-emitting device 201 is formed, the lead frame substrate 241 at the tip 212 by cutting, and a step of cutting a plurality of semiconductor light emitting device 201 from the lead frame base member 241.

このように構成された半導体発光装置およびその製造方法によれば、図14中のS235に示す工程において、端面213は金型による切断面として形成される。 According to thus configured semiconductor light-emitting device and its manufacturing method, in the step shown in S235 in FIG. 14, the end face 213 is formed as a cut surface with a die. このため、端面213には、リードフレーム1の材料である銅(Cu)等の金属が露出し、この露出した金属が酸化するなどして、その部分で、はんだに対する濡れ性が低下する。 Therefore, the end face 213, exposed metal copper (Cu) or the like which is a material of the lead frame 1, and the like The exposed metal is oxidized, at that portion, solder wettability is deteriorated. しかし、本実施の形態では、端面213の面積が相対的に小さくなるようにリード端子210が形成されているため、このような影響を極力抑えることができる。 However, in this embodiment, since the lead terminals 210 such that the area of ​​the end face 213 is relatively small is formed, it is possible to suppress such effects as much as possible. また、基部211と先端部212との間に形成された段差部分221は、多く塗りすぎたはんだを貯める場所として機能するため、はんだ玉等の発生を抑制することができる。 The step portion 221 formed between the base 211 and the tip 212 to function as a place to store the solder too coating many, it is possible to suppress the occurrence of solder Tamato. これらの理由から、本実施の形態によれば、半導体発光装置201をプリント基板などに実装する際に、リード端子210に良好なはんだ付けを行なうことができる。 For these reasons, according to the present embodiment, when mounting the semiconductor light emitting device 201 on a printed circuit board, it is possible to perform satisfactory soldering the lead terminals 210.

また、リード端子210が基部211から先端部212に渡って一定の幅B2で形成されている場合と比較して、S235に示す工程において切断時に必要となる力を低減させることができる。 Further, as compared with the case where the lead terminals 210 are formed at a constant width B2 over from the base 211 to the tip 212, it is possible to reduce the force required at the time of cutting in the process step shown in S235. これにより、金型の簡素化およびプレス機の小型化を図ることができる。 Thus, it is possible to reduce the size of the simplification and press molds. また、プレス機の能力を維持したまま、一度に多量の半導体発光装置201を切り出すことができる。 Further, while maintaining the ability of the press, it is possible to cut out a large amount of the semiconductor light emitting device 201 at a time. これにより、半導体発光装置201の生産能力を向上させることができる。 Thus, it is possible to improve the production capacity of the semiconductor light-emitting device 201.

この発明に従った半導体発光装置は、第1の領域と、第1の領域の周縁に沿って延在する第2の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、第1の領域に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子を完全に覆うように第1の領域に設けられた第1の樹脂部材と、半導体発光素子を囲むように第2の領域に設けられた第2の樹脂部材とを備える。 The semiconductor light emitting device according to the present invention includes a lead frame having a first region, a main surface of the second region is defined that extends along the periphery of the first region, the first region a semiconductor light emitting element provided, a first resin member provided in the first region so as to completely cover the semiconductor light emitting element, a second provided in the second region so as to surround the semiconductor light emitting element and a resin member. 第1の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光に対して第1の反射率を有する。 The first resin member has a first reflectance to light emitted from the semiconductor light emitting element. 第2の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光に対して第1の反射率よりも大きい第2の反射率を有する。 The second resin member has a second reflectance greater than the first reflectance to light emitted from the semiconductor light emitting element. 第1の樹脂部材は、第1の頂面を含む。 The first resin member includes a first top surface. 第2の樹脂部材は、主表面からの距離が主表面から第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、半導体発光素子が位置する側において主表面から離隔する方向に延在し、第2の頂面に連なる内壁とを含む。 The second resin member has a second top surface a distance from the main surface is provided on position greater than the distance from the main surface to a first top surface, the main surface on the side where the semiconductor light emitting element is located extending in a direction away, including an inner wall connected to the second top surface.

このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光は、相対的に小さい反射率を有する第1の樹脂部材を透過し、第1の樹脂部材の第1の頂面から外部へと出射する。 According to the semiconductor light-emitting device having the structure, light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted through the first resin member having a relatively small reflectivity, the first apex of the first resin member It is emitted from the surface to the outside. 本発明では、第2の樹脂部材は、第1の頂面よりも高い位置に設けられた第2の頂面を有するため、第1の頂面上においても第2の樹脂部材の内壁が存在する。 In the present invention, the second resin member, since it has a second top surface which is positioned higher than the first top surface, also in the first top surface on the inner wall of the second resin member present to. このため、第1の頂面から出射した光を相対的に大きい反射率を有する第2の樹脂部材の内壁によって反射させることができる。 Therefore, it can be reflected by the inner wall of the second resin member having a first relatively large reflectance light emitted from the top surface of the. これにより、光の指向性を適切に制御することができ、さらには半導体発光装置から高輝度な光を取り出すことができる。 Thus, it is possible to appropriately control the directivity of light, yet can be taken out with high intensity light from the semiconductor light-emitting device. また、第2の頂面よりも低い位置に第1の頂面を設けているため、半導体発光素子から発せられた光が第1の樹脂部材を透過する際に減衰することを抑制できる。 Further, since the provided first top surface to the second position lower than the top surface of the can prevent the light emitted from the semiconductor light emitting element is attenuated when passing through the first resin member. このため、半導体発光装置からさらに高輝度な光を取り出すことができる。 Therefore, it is possible to further take out the high-luminance light from the semiconductor light-emitting device.

また好ましくは、半導体発光装置は、半導体発光素子に接続される一方端と、主表面に接続される他方端とを有する金属線をさらに備える。 Also preferably, the semiconductor light-emitting device further includes a first end connected to the semiconductor light-emitting device, a metal wire having the other end connected to the main surface. 第1の樹脂部材は、金属線を完全に覆うように設けられている。 The first resin member is provided so as to completely cover the metal lines. このように構成された半導体発光装置によれば、第1の樹脂部材は、半導体発光素子の配線として設けられた金属線を保護するとともに上述の効果を発揮する。 According to the semiconductor light-emitting device configured, the first resin member, to protect the metal lines provided as a wiring of a semiconductor light-emitting device exhibits the effects described above.

また好ましくは、一方端は、線状に形成されており、他方端は、ボール状に形成されている。 Also preferably, one end is formed into a linear shape, and the other end is formed into a ball shape. このように構成された半導体発光装置によれば、金属線を所定の位置に接続する際に、リードフレームの主表面と金属線の他方端とをボールボンディングし、半導体発光素子と金属線の一方端とをウェッジボンディングする。 According to the semiconductor light-emitting device having such a configuration, when connecting the metal wire to a predetermined position, and the other end of the main surface and the metal wire of the lead frame and ball bonding, one of the semiconductor light emitting element and the metal wire and an end to wedge bonding. これにより、金属線の一方端は低ループな形態で半導体発光素子に接続される。 Thus, one end of the metal line is connected to the semiconductor light-emitting device with low loop form. このため、第2の頂面に対してさらに低い位置に第1の頂面を設けることができる。 Therefore, it is possible to provide the first top surface to a lower position with respect to the second top surface.

また好ましくは、一方端には、半導体発光素子との間で金属線を挟持するボール状の金属が設けられている。 Also preferably, whereas in the end, ball-shaped metal pinching the metal wire is provided between the semiconductor light emitting element. このように構成された半導体発光装置によれば、金属線の一方端を半導体発光素子により確実に接続することができる。 According to the semiconductor light-emitting device having such a configuration, it is possible to securely connect the semiconductor light-emitting device one end of the metal wire. これにより、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。 Thus, it is possible to improve the reliability of the semiconductor light-emitting device.

また好ましくは、半導体発光装置は、赤、青および緑でそれぞれ発光する3つの半導体発光素子と、半導体発光素子が1つずつ設けられ、互いに離間する3つのリードフレームとを備える。 Also preferably, the semiconductor light emitting device includes red, and three semiconductor light-emitting element which emits light respectively blue and green semiconductor light-emitting elements are provided one by one, and three lead frames spaced apart from each other. リードフレームの各々は、互いに異なる方向に延在している。 Each of the lead frame extend in different directions. このように構成された半導体発光装置によれば、光を発することによって半導体発光素子に発生した熱はリードフレームへと伝わる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, heat generated in the semiconductor light-emitting element by emitting light travels to the lead frame. しかし、リードフレームの各々は異なる方向に延在しているため、熱が伝わる方向を分散することができる。 However, each of the lead frames for extending in different directions, it is possible to disperse the direction in which heat is transferred. これにより、半導体発光素子に発生する熱をリードフレームから効率良く放出することができる。 This makes it possible to efficiently dissipate heat generated in the semiconductor light-emitting device from the lead frame.

また好ましくは、青および緑でそれぞれ発光する半導体発光素子が設けられたリードフレームの主表面の面積は、赤で発光する半導体発光素子が設けられたリードフレームの主表面の面積よりも大きい。 Also preferably, the area of ​​the main surface of the lead frame on which the semiconductor light-emitting device that emits light respectively blue and green is provided is larger than the area of ​​the main surface of the lead frame on which the semiconductor light-emitting element which emits light in red is provided. 青および緑で発光する半導体発光素子と赤で発光する半導体発光素子とを比較した場合、青および緑で発光する半導体発光素子の方が発熱量が大きい。 When comparing the semiconductor light emitting element that emits light in the semiconductor light emitting element and red emitting in blue and green, has a larger calorific value towards the semiconductor light emitting element which emits light in blue and green. したがって、このように構成された半導体発光装置によれば、異なる色で発光する半導体発光素子から生じた熱を、リードフレームを介して均等に放熱することができる。 Therefore, according to the semiconductor light-emitting device configured, heat generated from the semiconductor light emitting element which emits light in different colors, can be uniformly radiated through the lead frame.

また好ましくは、リードフレームは、スリット状の溝によって離間した部分を含む。 Also preferably, the lead frame includes a portion separated by the slit-like groove. その部分は他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。 That portion is formed of a thickness smaller than the thickness of other portions. このように構成された半導体発光装置によれば、スリット状の溝の幅を小さくして離間した部分の加工を行なうことができる。 According to the semiconductor light-emitting device having such a configuration, it is possible to perform machining of the portion separated by reducing the width of the slit-like groove. これにより、その他の部分を相対的に大きい厚みで形成することができるため、リードフレームによる放熱の効率を向上させることができる。 Accordingly, it is possible to form the other portion in a relatively large thickness, it is possible to improve the efficiency of heat radiation by the lead frame.

また好ましくは、リードフレームは、同一平面上に延在する板形状に形成されている。 Also preferably, the lead frame is formed in a plate shape extending in the same plane. このように構成された半導体発光装置によれば、リードフレームの高さを低く抑えることによって、主表面から第2の頂面までの距離を大きくして第2の樹脂部材を設けることができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, by suppressing the height of the lead frame can be provided with a second resin member by increasing the distance from the main surface to the second top surface. これにより、半導体発光素子から発せられる光の指向性をさらに制御しやすくできる。 This allows more easy to control the directivity of light emitted from the semiconductor light emitting element. また、リードフレームの折り曲げ加工性を考慮せずにリードフレームを形成する材料を選択することができる。 Further, it is possible to select a material for forming a lead frame without considering the bending workability of the lead frame. このため、熱伝導性に優れた材料からリードフレームを形成して、リードフレームによる放熱の効果を向上させることができる。 Therefore, a material excellent in heat conductivity to form the lead frame, it is possible to improve the effect of heat release by the lead frame.

また好ましくは、リードフレームは、主表面と反対側の面に形成され、かつ樹脂が充填される第1の凹部を含む。 Also preferably, the lead frame is formed on the surface of the main surface opposite, and includes a first recess in which the resin is filled. 反対側の面には、第1の凹部の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部が設けられている。 The surface opposite the terminal portion is provided which is electrically connected to the position to mount the substrate on both sides of the first recess. このように構成された半導体発光装置によれば、実装基板がリードフレームの予定しない箇所に接触することによって発生する短絡を防止できる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, it is possible to prevent short circuit mounting substrate is produced by contacting the portion that does not schedule the lead frame. これにより、端子部によって行なうリードフレームと実装基板との電気的な接続を適切に行なうことができる。 Thus, it is possible to perform the electrical connection between the mounting board and the lead frame for the terminal unit properly.

また好ましくは、リードフレームは、第1の領域に形成された第2の凹部を含む。 Also preferably, the lead frame includes a second recess formed in the first region. 半導体発光素子は第2の凹部に設けられている。 The semiconductor light emitting element is provided in the second recess. このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光は、第2の凹部を規定するリードフレームの側壁によっても反射される。 According to the semiconductor light-emitting device configured, light emitted from the semiconductor light emitting element is reflected by the side wall of the lead frame that defines the second recess. このため、半導体発光素子から発せられる光の指向性をさらに制御しやすくできる。 Thus, it further easy to control the directivity of light emitted from the semiconductor light emitting element.

また好ましくは、リードフレームは、熱伝導率が300(W/m・K)以上400(W/m・K)以下の金属によって形成されている。 Also preferably, the lead frame, heat conductivity is formed by 300 (W / m · K) or more 400 (W / m · K) or less of the metal. リードフレームを形成する金属の熱伝導率が300(W/m・K)よりも小さい場合、リードフレームによる放熱の効果を十分に図ることができない。 If the thermal conductivity of the metal forming the lead frame is less than 300 (W / m · K), it can not be achieved sufficiently the effect of heat release by the lead frame. また、リードフレームを形成する金属の熱伝導率が400(W/m・K)よりも大きい場合、リードフレームを実装する際に発生する熱が半導体発光素子に伝わることによって、半導体発光素子の信頼性が低下するおそれが生じる。 Also, if the thermal conductivity of the metal forming the lead frame is greater than 400 (W / m · K), by heat generated when implementing the lead frame is transmitted to the semiconductor light emitting element, reliability of the semiconductor light emitting element there is a risk that gender is reduced. したがって、所定の熱伝導率を有する金属によってリードフレームが形成された本半導体発光装置によれば、半導体発光素子の信頼性を低下させることなく、リードフレームによる放熱を十分に図ることができる。 Therefore, according to the semiconductor light emitting device lead frame is formed by a metal having a predetermined thermal conductivity, without lowering the reliability of the semiconductor light-emitting device, it is possible to achieve a sufficient heat dissipation by the lead frame.

また好ましくは、第2の樹脂部材は、主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状の面積が、主表面から離れるに従って大きくなるように形成されている。 Also preferably, the second resin member, the area of ​​the shape defined by the inner wall in a plane parallel to the main surface is formed to be larger with distance from the main surface. このように構成された半導体発光装置によれば、光を効率良く前面に出射させることができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, it is possible to emit light efficiently to the front. これにより、半導体発光素子から発せられた光を高輝度で取り出すことができる。 This makes it possible to extract light emitted from the semiconductor light emitting device with high luminance.

また好ましくは、主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。 Also preferably, the shape defined by the inner wall in a plane parallel to the main surface is either circular, elliptical and polygonal. このように構成された半導体発光装置によれば、光を効率良く前面に出射させることができるのに加えて、光の指向性を容易に制御することができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, in addition to being able to emit light efficiently to the front, the directivity of light can be easily controlled.

また好ましくは、リードフレームは、主表面の周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子を含む。 Also preferably, the lead frame, projecting from the periphery of the main surface including the lead terminals extending in a predetermined direction. リード端子は、所定の方向に延びる先端に端面が形成された先端部と、主表面の周縁と先端部との間に位置する基部とを有する。 Lead terminals includes a base portion located between the tip end surface to the tip extending in a predetermined direction is formed, the peripheral and the distal end portion of the main surface. リード端子は、端面の面積が、端面に平行な平面における基部の断面積よりも小さくなるように形成されている。 Lead terminals, the area of ​​the end face, and is formed to be smaller than the cross-sectional area of ​​the base portion in a plane parallel to the end surface. 先端部に形成された端面は、所定の切断用工具によって形成された切断面である。 End face formed on the tip portion is a cut surface formed by the predetermined cutting tool.

この発明に従った半導体発光装置に製造方法は、複数の半導体発光装置が形成されたリードフレーム基材を準備する工程と、リードフレーム基材を先端部で切断することによって、リードフレーム基材から複数の半導体発光装置を切り出す工程とを備える。 Manufacturing method in the semiconductor light-emitting device according to the present invention includes the steps of preparing a plurality of semiconductor light-emitting device is a lead frame substrate formed by cutting the lead frame substrate at the tip, from the lead frame base material and a step of cutting a plurality of semiconductor light-emitting device.

このように構成された半導体発光装置およびその製造方法によれば、リード端子の先端部に形成された端面は、リードフレーム基材から半導体発光装置を切り出す際の切断面から形成されている。 According to thus configured semiconductor light-emitting device and its manufacturing method, the end face formed at the distal end portion of the lead terminals are formed from the cutting surface when cutting the semiconductor light-emitting device from the lead frame substrate. このため、端面ではリードフレームの母材である金属が露出しており、酸化等の影響によって、はんだに対する濡れ性が劣った状態となっている。 Therefore, the end face is exposed metal as the base material of the lead frame, the influence of oxidation, in a state of poor wettability to the solder. 本発明では、その端面の面積が相対的に小さくなるようにリード端子が形成されているため、半導体発光装置の実装時にリード端子とはんだとの濡れ性を確保することができる。 In the present invention, since the area of ​​the end face is relatively small so as to lead terminals are formed, it is possible to secure the wettability of the lead terminals and the solder when mounting the semiconductor light-emitting device. また、リードフレーム基材から半導体発光装置を切り出す工程時、より小さい力で先端部を切断することができるため、半導体発光装置の製造工程を容易にできる。 Also, during the step of cutting the semiconductor light-emitting device from the lead frame base material, it is possible to cut the tip with a smaller force, can facilitate the manufacturing process of the semiconductor light-emitting device.

また好ましくは、リード端子は、基部で第1の幅を有し、先端部で第1の幅よりも小さい第2の幅を有する。 Also preferably, the lead terminals has a first width at the base, having a smaller second width greater than the first width at the tip. ここで第1および第2の幅とは、主表面に平行な平面上において、リード端子が延びる所定の方向に対して直角方向の長さをさす。 Here, the first and second width, on a plane parallel to the main surface refers to a length of a direction perpendicular to the predetermined direction in which the lead terminals extend. このように構成された半導体発光装置によれば、先端部に形成された端面の面積が基部の断面積よりも小さくなる形状を実現し、上述の効果を得ることができる。 According to the semiconductor light-emitting device configured, it is possible to the area of ​​the end face formed on the tip to achieve becomes smaller shape than the cross-sectional area of ​​the base, to obtain the above-described effects. また、先端部と基部との間に形成された段差をはんだ溜まりとして利用することができる。 Further, it is possible to use a step formed between the tip portion and the base portion as reservoir solder. このため、半導体発光装置の実装時に、さらに良好なはんだ付けを行なうことができる。 Therefore, when mounting the semiconductor light-emitting device, it can be performed better soldering.

この発明に従った電子撮像装置は、上述のいずれかに記載の半導体発光装置を備える。 Electronic imaging device according to the present invention includes a semiconductor light emitting device according to any of the above. このように構成された電子撮像装置によれば、上述に記載の効果を電子撮像装置において奏することができる。 According to the electronic imaging device having such a configuration, it is possible to obtain an electronic imaging device effects described above.

また好ましくは、半導体発光装置から所定の距離を隔てた位置に矩形形状の基準面を設けた場合に、半導体発光装置からの光が照射された基準面の四隅における照度は、基準面の中心における照度の50%以上である。 Also preferably, the case in which the reference plane rectangular at a position spaced a predetermined distance from the semiconductor light emitting device, the illuminance at the four corners of the reference surface where the light is irradiated from the semiconductor light emitting device, at the center of the reference plane it is 50% or more of the illumination. このように構成された電子撮像装置によれば、半導体発光素子から発せられる光の指向性を適切に制御することによって、基準面上において明るさに大差のない所望の撮像条件を実現する。 According to the electronic imaging device configured to, by appropriately controlling the directivity of light emitted from the semiconductor light emitting element, to achieve the desired imaging conditions of no significant difference in brightness on the reference plane.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。 The embodiments disclosed herein are to be considered as not restrictive but illustrative in all respects. 本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 The scope of the invention is defined by the appended claims rather than by the foregoing description, and is intended to include all modifications within the meaning and range of equivalency of the claims.

この発明の実施の形態1における半導体発光装置を示す断面図である。 It is a sectional view showing a semiconductor light emitting device in a first embodiment of the present invention. 図1中の半導体発光装置を示す平面図である。 It is a plan view showing a semiconductor light emitting device in FIG. 図1中のIII−III線上に沿った断面図である。 It is a sectional view taken along line III-III in FIG. 樹脂部の内壁によって光が反射される様子を模式的に表わした断面図である。 How the light by the inner wall of the resin portion is reflected is a cross-sectional view schematically illustrating. 内壁によって規定される形状の変形例を示す断面図である。 It is a sectional view showing a modification of the shape defined by the inner wall. 内壁によって規定される形状の変形例を示す別の断面図である。 It is another cross-sectional view showing a modified example of the shape defined by the inner wall. この発明の実施の形態2における半導体発光装置を示す断面図である。 It is a sectional view showing a semiconductor light emitting device in the second embodiment of the present invention. この発明の実施の形態3における半導体発光装置を示す断面図である。 It is a sectional view showing a semiconductor light emitting device in the third embodiment of the present invention. この発明の実施の形態4における半導体発光装置を示す平面図である。 It is a plan view showing a semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention. この発明の実施の形態5におけるカメラ付き携帯電話を示す透視図である。 It is a perspective view of a camera phone in a fifth embodiment of the present invention. 図10中のカメラ付き携帯電話から光を照射された基準面の照度を説明するための模式図である。 The light from the camera phone of FIG. 10 is a schematic view for explaining the illuminance of the irradiated reference plane. この発明の実施の形態6における半導体発光装置を示す平面図である。 It is a plan view showing a semiconductor light emitting device in a sixth embodiment of the present invention. 図12中のXIII−XIII線上に沿った側面図である。 It is a side view taken along XIII-XIII line in FIG. 図12中に示す半導体発光装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。 Is a flow chart for the manufacturing process will be described a semiconductor light emitting device shown in FIG. 12. 図12中に示す半導体装置の製造工程を示す平面図である。 It is a plan view illustrating the manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 12. 従来の半導体発光装置の代表的な構造を示す断面図である。 It is a sectional view showing a typical structure of a conventional semiconductor light-emitting device.

符号の説明 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1,51,52,53 リードフレーム、1a 主表面、1b 反対側の面、1m,15 溝、1t 部分、3 樹脂部、3a,6a 頂面、3b 内壁、4,71,72,73 LEDチップ、5 金線、5p 一方端、5q 他方端、6 エポキシ樹脂、9 端子部、10 第1の領域、20 第2の領域、30 凹部、84 カメラ付き携帯電話、86 半導体発光装置、96 基準面、201 半導体発光装置、210 リード端子、211 基部、212 先端部、213 端面、241 リードフレーム基材。 1,51,52,53 leadframe, 1a major surface, the surface of the 1b opposite, 1 m, 15 grooves, 1t portion, 3 a resin portion, 3a, 6a top surface, 3b inner wall, 4,71,72,73 LED chip , 5 gold, 5p one end, 5q other end, 6 epoxy resins, 9 terminal portion 10 first region, 20 second region, 30 recess, mobile phones with 84 cameras, 86 semiconductor light-emitting device, 96 a reference plane , 201 semiconductor light emitting device, 210 lead terminal 211 base 212 tip 213 end face, 241 a lead frame substrate.

Claims (6)

  1. 第1の領域と、前記第1の領域の周縁に沿って同一平面上に延在する第2の領域とが規定された主表面を有し、スリット状の溝によって離間した部分を含み、前記主表面と反対側の面に形成された第1の凹部と、前記第1の領域に形成された第2の凹部とが形成されたリードフレームと、 A first region, having a main surface and a second region defined that extends on the same plane along the periphery of the first region, viewed including the portion separated by the slit-like groove, a lead frame and a first recess formed on a surface thereof opposite to the main surface, a second recess formed in the first region is formed,
    前記第1の領域の前記第2の凹部に設けられた半導体発光素子と、 A semiconductor light-emitting element provided in the second recess of the first region,
    前記半導体発光素子の頂面に設けられた電極と、前記半導体発光素子から離間する前記主表面とを接続する金属線と、 An electrode provided on the top surface of the semiconductor light emitting element, a metal wire connecting the main surface away from the semiconductor light emitting element,
    前記半導体発光素子から発せられた光を透過する材料から形成され、前記半導体発光素子および前記金属線を完全に覆うように前記第1の領域に設けられた第1の樹脂部材と、 The formed of a material that transmits the light emitted from the semiconductor light emitting element, a first resin member provided in the first region so as to completely cover the semiconductor light emitting element and the metal wire,
    前記半導体発光素子から発せられた光を反射するように形成され、前記半導体発光素子を囲むように前記第2の領域に設けられた第2の樹脂部材とを備え、 The formed to reflect light emitted from the semiconductor light emitting element, and a second resin member provided in the second region so as to surround the semiconductor light emitting element,
    前記第1の樹脂部材は、第1の頂面を含み、 The first resin member includes a first top surface,
    前記第2の樹脂部材は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、前記半導体発光素子が位置する側において前記主表面から離隔する方向に延在し、前記第2の頂面に連なる内壁とを含み、 The second resin member has a second top surface a distance from said main surface is provided on position greater than a distance from said main surface to the first top surface, the semiconductor light emitting element is located extending in a direction away from said main surface at the side, and a inner wall connected to the second top surface,
    前記内壁は、前記第1の頂面上において前記第1の樹脂部材によって覆われず、 The inner wall is not covered by the first resin member in said first top surface,
    前記主表面に平行な面上において前記内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかであり、 Shape defined by said inner wall in a plane parallel to the main surface, it is either circular, elliptical and polygonal,
    前記内壁は、頂点が下方に位置する円錐、楕円錐および多角錐のいずれかを想定した場合に、これらの錐体の底面から頂点に向かって延在する錐体の側壁の形状を有する、半導体発光装置。 The inner wall has a cone apex is positioned below, in case of assuming one of an elliptical cone and a pyramid, the shape of the side wall of the cone extending toward the apex from the bottom surface of these cones, semiconductor the light-emitting device.
  2. 前記スリット状の溝によって離間した部分は、前記半導体発光素子から発せられた光を反射する樹脂により充填されている、請求項1に記載の半導体発光装置。 Spaced portions by the slit-like groove, the are filled with a resin that reflects light emitted from the semiconductor light emitting element, a semiconductor light emitting device according to claim 1.
  3. 前記内壁の表面にめっきが施されている、請求項1または2に記載の半導体発光装置。 Plating the surface of said inner wall is applied, the semiconductor light-emitting device according to claim 1 or 2.
  4. 前記第2の樹脂部材は、白色のポリアミド系樹脂である、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。 The second resin member is a white polyamide resin, the semiconductor light-emitting device according to any one of claims 1 to 3.
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体発光装置を備える、電子撮像装置。 It comprises a semiconductor light emitting device according to any one of claims 1 to 4, the electronic imaging device.
  6. 前記半導体発光装置から50cm隔てた位置に、縦60cm、横50cmの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、前記半導体発光装置から前記基準面の中心に向けて光が照射された時、前記基準面の四隅における照度は、前記基準面の中心における照度の50%以上である、請求項5に記載の電子撮像装置。 The position spaced 50cm from the semiconductor light emitting device, a vertical 60cm, the case in which the reference surface of the rectangular shape having a size of horizontal 50cm, the light emitted from the semiconductor light emitting device toward the center of the reference plane when the illuminance in the four corners of the reference plane is 50% or more of the illuminance at the center of the reference plane, the electronic imaging device according to claim 5.
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DE102009032253A1 (en) * 2009-07-08 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh electronic component
JP5471244B2 (en) * 2009-09-29 2014-04-16 豊田合成株式会社 Lighting device
JP5347877B2 (en) * 2009-09-29 2013-11-20 豊田合成株式会社 The light-emitting device
JP5010716B2 (en) 2010-01-29 2012-08-29 株式会社東芝 Led package
JP2011186322A (en) * 2010-03-10 2011-09-22 Shibakawa Mfg Co Ltd Illuminator for photographing
JP2012028743A (en) * 2010-06-22 2012-02-09 Panasonic Corp Package for semiconductor device, method of manufacturing the same, and semiconductor device
JP2012069885A (en) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanken Electric Co Ltd Method of manufacturing light-emitting diode, and light-emitting diode
JP5049382B2 (en) 2010-12-21 2012-10-17 パナソニック株式会社 Emitting device and an illumination apparatus using the same
JP5505735B2 (en) * 2011-09-22 2014-05-28 復盛精密工業股▲ふん▼有限公司 Supporting frame structure and fabrication method thereof of the light-emitting diode (d)
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