JP4040664B2 - Semiconductor light emitting device and electronic imaging device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device that is excellent in heat radiation and can properly control the directivity of light, a manufacturing method thereof, and an electronic imaging device. <P>SOLUTION: A semiconductor light emitting device comprises a lead frame 1 having a main surface 1a; an LED chip 4; an epoxy resin 6 that is made of a resin transmitting light emitted by the LED chip 4, and is provided so as to completely cover the LED chip 4; and a resin portion 3 that is made of a resin reflecting light emitted by the LED chip 4, and is provided so as to surround the LED chip 4. The resin portion 3 includes a top surface 3a at a position where the distance from the main surface 1a is greater than the distance from the main surface 1a to the top surface 6a of the epoxy resin 6, and an inner wall 3b extending in a direction away from the main surface 1a. The lead frame 1 has a slit-shaped groove 1m that is filled with a resin. The resin filling the groove 1m is the same as the resin constituting the resin portion 3. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&amp;INPIT

Description

この発明は、一般的には、半導体発光装置および電子撮像装置に関し、より特定的には、発光ダイオード(LED)などの半導体発光素子を用いた半導体発光装置および電子撮像装置に関する。   The present invention generally relates to a semiconductor light emitting device and an electronic imaging device, and more specifically to a semiconductor light emitting device and an electronic imaging device using a semiconductor light emitting element such as a light emitting diode (LED).

図16は、従来の半導体発光装置の代表的な構造を示す断面図である。図16を参照して、半導体発光装置は、主表面101aを有するリードフレーム101を備える。リードフレーム101は、所定のパターン形状に形成されており、主表面101aにはスリット状の溝101mが形成されている。リードフレーム101が折り曲げられることによって、主表面101aと離れた位置に端子部101nが形成されている。端子部101nは、半導体発光装置を実装する基板などに接続される。   FIG. 16 is a cross-sectional view showing a typical structure of a conventional semiconductor light emitting device. Referring to FIG. 16, the semiconductor light emitting device includes a lead frame 101 having a main surface 101a. The lead frame 101 is formed in a predetermined pattern shape, and a slit-like groove 101m is formed on the main surface 101a. By bending lead frame 101, terminal portion 101n is formed at a position away from main surface 101a. The terminal portion 101n is connected to a substrate on which the semiconductor light emitting device is mounted.

リードフレーム101の周囲にはインサート成型などによって樹脂部103が設けられている。樹脂部103は、主表面101a上において凹部103mを規定している。凹部103mの内部に位置するように、主表面101a上には、銀(Ag)ペースト107を介してLEDチップ104が搭載されている。LEDチップ104の頂面側に形成された電極とリードフレーム101の主表面101aとが、ボンディングワイヤ105によって接続されている。   A resin portion 103 is provided around the lead frame 101 by insert molding or the like. Resin portion 103 defines a recess 103m on main surface 101a. The LED chip 104 is mounted on the main surface 101a via the silver (Ag) paste 107 so as to be positioned inside the recess 103m. An electrode formed on the top surface side of the LED chip 104 and the main surface 101 a of the lead frame 101 are connected by a bonding wire 105.

主表面101a上には、LEDチップ104およびボンディングワイヤ105を覆い、凹部103mの内部を完全に充填するようにエポキシ樹脂106が設けられている。   An epoxy resin 106 is provided on the main surface 101a so as to cover the LED chip 104 and the bonding wire 105 and completely fill the inside of the recess 103m.

続いて、図16中の半導体発光装置の製造方法について説明する。まず、板状のリードフレーム101を所定のパターン形状に加工する。銀(Ag)めっきを施した状態でリードフレーム101を樹脂部103内にインサート成型する。その後、主表面101a上に銀ペースト107を介してLEDチップ104を搭載する。LEDチップ104と主表面101aとをボンディングワイヤ105によって電気的に接続する。   Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device in FIG. 16 will be described. First, the plate-like lead frame 101 is processed into a predetermined pattern shape. The lead frame 101 is insert-molded into the resin portion 103 in a state where silver (Ag) plating is applied. Thereafter, the LED chip 104 is mounted on the main surface 101a via the silver paste 107. The LED chip 104 and the main surface 101a are electrically connected by a bonding wire 105.

LEDチップ104およびボンディングワイヤ105をエポキシ樹脂106によって封止する。この際、リードフレーム101に銀めっきが施された状態では、錆などが発生し、はんだ付けが阻害されるおそれがある。このため、リードフレーム101に、はんだめっきなどの外装めっきを施しておく。最後に、リードフレーム101の不要部分をカットし、所定の折り曲げ加工を行なうことによって、端子部101nを形成する。   The LED chip 104 and the bonding wire 105 are sealed with an epoxy resin 106. At this time, in a state where the lead frame 101 is silver-plated, rust or the like is generated, and soldering may be hindered. For this reason, the lead frame 101 is subjected to exterior plating such as solder plating. Finally, unnecessary portions of the lead frame 101 are cut and subjected to a predetermined bending process to form the terminal portions 101n.

また、従来の半導体発光装置については、たとえば、特開平7−235696号公報(特許文献1)および特開2002−141558号公報(特許文献2)などに開示されている。
特開平7−235696号公報 特開2002−141558号公報
Further, conventional semiconductor light emitting devices are disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-235696 (Patent Document 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-141558 (Patent Document 2).
JP 7-235696 A JP 2002-141558 A

半導体発光装置の高輝度化を図るにあたって、図16中の半導体発光装置では以下に説明する問題が生じた。   In increasing the brightness of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device in FIG. 16 has the following problems.

樹脂部103は、所定のパターン形状に形成されたリードフレーム101の形状を固定する役割のほかに、LEDチップ104から発せられる光を凹部103mの側壁で反射することによって光の指向性を制御するという役割も果たしている。しかし、LEDチップ104から発せられた光の進行方向は、エポキシ樹脂106の頂面側から出射する際に屈折によって変化する。このため、従来技術では、光の指向性を十分に制御することができず、さらには半導体発光装置の高輝度化を図ることができなかった。   In addition to the role of fixing the shape of the lead frame 101 formed in a predetermined pattern shape, the resin portion 103 controls the directivity of light by reflecting light emitted from the LED chip 104 on the side wall of the recess 103m. It also plays a role. However, the traveling direction of light emitted from the LED chip 104 changes due to refraction when emitted from the top surface side of the epoxy resin 106. For this reason, in the prior art, the directivity of light cannot be sufficiently controlled, and further, the brightness of the semiconductor light emitting device cannot be increased.

また、半導体発光装置が実装される基板とリードフレーム101とが意図しない箇所において接触し、短絡が発生することを防止するため、リードフレーム101を折り曲げることによって端子部101nを形成している。しかし、半導体発光装置の製品高さには制限があるため、このような折り曲げ構造を有するリードフレーム101によっては、樹脂部103の高さを十分に確保することができない。このことも、従来技術において半導体発光装置の高輝度化を図ることができない一因となっていた。   Further, in order to prevent a short circuit from occurring when the substrate on which the semiconductor light emitting device is mounted and the lead frame 101 come into contact with each other, the terminal portion 101n is formed by bending the lead frame 101. However, since the product height of the semiconductor light emitting device is limited, the height of the resin portion 103 cannot be sufficiently ensured by the lead frame 101 having such a bent structure. This also contributes to the inability to increase the brightness of the semiconductor light emitting device in the prior art.

また、半導体発光装置の高放熱化を図るにあたって、図16中の半導体発光装置では以下に説明する問題が生じた。   Further, in order to increase the heat dissipation of the semiconductor light emitting device, the semiconductor light emitting device in FIG. 16 has the following problems.

まず、半導体発光装置の高放熱化を図る必要性について簡単に説明する。搭載されているLEDチップ104が発光する際に熱が発生するが、LEDチップ104に流れる電流が大きくなるほど発熱量は大きくなる。また、一般的には、LEDチップ104の温度が高くなるに従って、LEDチップ104の発光効率が低下し、また光劣化が著しくなる。すなわち、LEDチップ104に大きい電流を流しても、効果的に明るい光を取り出せなくなり、さらにはLEDチップ104の寿命を短くしてしまう。以上のような理由から、LEDチップ104から発生する熱を効果的に外部へ逃がすことが必要となる。   First, the necessity for achieving high heat dissipation of the semiconductor light emitting device will be briefly described. Although heat is generated when the mounted LED chip 104 emits light, the amount of heat generation increases as the current flowing through the LED chip 104 increases. In general, as the temperature of the LED chip 104 increases, the light emission efficiency of the LED chip 104 decreases and the light degradation becomes significant. That is, even if a large current is passed through the LED chip 104, bright light cannot be extracted effectively, and the life of the LED chip 104 is shortened. For the reasons described above, it is necessary to effectively release the heat generated from the LED chip 104 to the outside.

そこで、半導体発光装置の高放熱化を図るためには、次に示すような方法が考えられる。   Therefore, in order to increase the heat dissipation of the semiconductor light emitting device, the following method can be considered.

(a)リードフレーム101の厚みを大きくする。
(b)LEDチップ104から端子部101nまでの距離を小さくする。
(A) The thickness of the lead frame 101 is increased.
(B) The distance from the LED chip 104 to the terminal portion 101n is reduced.

(c)リードフレーム101を形成する材料として、高熱伝導性の材料を使用する。
しかし、従来技術では、半導体発光装置を製造する工程において、リードフレーム101に折り曲げ加工を行なう必要がある。所定の折り曲げ加工を行なうために、リードフレーム101の厚みを一定以上に大きくすることができない。
(C) A material having high thermal conductivity is used as a material for forming the lead frame 101.
However, in the prior art, it is necessary to bend the lead frame 101 in the process of manufacturing the semiconductor light emitting device. Since the predetermined bending process is performed, the thickness of the lead frame 101 cannot be increased beyond a certain level.

また、金型で板材を打ち抜くことによって、リードフレーム101を所定のパターン形状に形成している。しかし、リードフレーム101の厚みを大きくした場合、板材を打ち抜く際に使用する金型の強度を確保するために、金型の厚みを大きくしなければならない。このため、金型によって打ち抜かれる部分、つまりスリット状の溝101mが形成される幅が広くなる。この場合、主表面1a上においてボンディングするための領域を十分に確保できなかったり、リードフレーム101の表面積が小さくなることによって放熱性が逆に低下するといった問題が発生する。このような理由から、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の(a)に示す方法を採ることができなかった。   Further, the lead frame 101 is formed in a predetermined pattern shape by punching a plate material with a mold. However, when the thickness of the lead frame 101 is increased, the thickness of the die must be increased in order to ensure the strength of the die used when punching the plate material. For this reason, the width | variety in which the part punched with a metal mold | die, ie, the slit-shaped groove | channel 101m, is formed becomes wide. In this case, there arises a problem that a sufficient area for bonding on the main surface 1a cannot be secured, or that the heat dissipation performance is reduced due to a decrease in the surface area of the lead frame 101. For these reasons, it has been impossible to adopt the method shown in (a) above in order to increase the heat dissipation of the semiconductor light emitting device.

また、主表面101aから折り曲げられた位置に端子部101nが形成されたリードフレーム101の構造上、主表面101aに搭載されたLEDチップ104から端子部101nまでの距離を一定以上に小さくすることはできない。したがって、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の(b)に示す方法も採ることができなかった。   In addition, due to the structure of the lead frame 101 in which the terminal portion 101n is formed at the position bent from the main surface 101a, it is not possible to reduce the distance from the LED chip 104 mounted on the main surface 101a to the terminal portion 101n beyond a certain level. Can not. Therefore, in order to increase the heat dissipation of the semiconductor light emitting device, the method shown in the above (b) cannot be adopted.

さらに、リードフレーム101の同様の構造上の理由から、リードフレーム101を形成する材料として、折り曲げ加工性に優れた材料を選択しなければならない。このため、単純に高熱伝導性の材料を使用することができず、半導体発光装置の高放熱化を図るために上述の(c)に示す方法も採ることができなかった。   Furthermore, for the same structural reason of the lead frame 101, a material excellent in bending workability must be selected as a material for forming the lead frame 101. For this reason, it is not possible to simply use a material having high thermal conductivity, and it has not been possible to adopt the method shown in the above (c) in order to increase the heat dissipation of the semiconductor light emitting device.

そこでこの発明の目的は、上記の課題を解決することであり、放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置および電子撮像装置を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to solve the above-described problems, and to provide a semiconductor light emitting device and an electronic imaging device that are excellent in heat dissipation and can appropriately control the directivity of light.

この発明に従った半導体発光装置は、リードフレームと、半導体発光素子と、金属線と、第1の樹脂部材と、第2の樹脂部材とを備える。リードフレームは、第1の領域と、第1の領域の周縁に沿って同一平面上に延在する第2の領域とが規定された主表面を有する。リードフレームは、スリット状の溝によって離間した部分を含む。リードフレームには、主表面と反対側の面に形成された第1の凹部と、第1の領域に形成された第2の凹部とが形成されている。半導体発光素子は、第1の領域の第2の凹部に設けられている。金属線は、半導体発光素子の頂面に設けられた電極と、半導体発光素子から離間する主表面とを接続する。第1の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光を透過する材料から形成されている。第1の樹脂部材は、半導体発光素子および金属線を完全に覆うように第1の領域に設けられている。第2の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光を反射するように形成されている。第2の樹脂部材は、半導体発光素子を囲むように第2の領域に設けられている。第1の樹脂部材は、第1の頂面を含む。第2の樹脂部材は、主表面からの距離が主表面から第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、半導体発光素子が位置する側において主表面から離隔する方向に延在し、第2の頂面に連なる内壁とを含む。内壁は、第1の頂面上において第1の樹脂部材によって覆われていない。主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。内壁は、頂点が下方に位置する円錐、楕円錐および多角錐のいずれかを想定した場合に、これらの錐体の底面から頂点に向かって延在する錐体の側壁の形状を有する。 A semiconductor light emitting device according to the present invention includes a lead frame, a semiconductor light emitting element, a metal wire, a first resin member, and a second resin member. The lead frame has a main surface in which a first region and a second region extending on the same plane along the periphery of the first region are defined. The lead frame includes a portion separated by a slit-like groove. The lead frame has a first recess formed on the surface opposite to the main surface and a second recess formed in the first region. The semiconductor light emitting element is provided in the second recess of the first region. The metal wire connects an electrode provided on the top surface of the semiconductor light emitting element and a main surface spaced from the semiconductor light emitting element. The first resin member is formed of a material that transmits light emitted from the semiconductor light emitting element. The first resin member is provided in the first region so as to completely cover the semiconductor light emitting element and the metal wire. The second resin member is formed so as to reflect the light emitted from the semiconductor light emitting element. The second resin member is provided in the second region so as to surround the semiconductor light emitting element. The first resin member includes a first top surface. The second resin member has a second top surface provided at a position where the distance from the main surface is larger than the distance from the main surface to the first top surface, and the main surface on the side where the semiconductor light emitting element is located. An inner wall extending in a separating direction and continuing to the second top surface. The inner wall is not covered with the first resin member on the first top surface. The shape defined by the inner wall on a plane parallel to the main surface is one of a circle, an ellipse, and a polygon. The inner wall has a shape of a side wall of a cone extending from the bottom surface of these cones toward the vertex when assuming any one of a cone, an elliptical cone, and a polygonal cone whose vertex is located below.

また好ましくは、スリット状の溝によって離間した部分は、半導体発光素子から発せられた光を反射する樹脂により充填されている。   Preferably, the portion separated by the slit-like groove is filled with a resin that reflects light emitted from the semiconductor light emitting element.

また好ましくは、内壁の表面にめっきが施されている。
また好ましくは、第2の樹脂部材は、白色のポリアミド系樹脂である。
Preferably, the inner wall surface is plated.
Preferably, the second resin member is a white polyamide resin.

この発明に従った電子撮像装置は、上述のいずれかに記載の半導体発光装置を備える。
また好ましくは、半導体発光装置から50cm隔てた位置に、縦60cm、横50cmの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、半導体発光装置から基準面の中心に向けて光が照射された時、基準面の四隅における照度は、基準面の中心における照度の50%以上である。
An electronic imaging device according to the present invention includes any one of the semiconductor light emitting devices described above.
Preferably, when a rectangular reference surface having a size of 60 cm in length and 50 cm in width is provided at a position 50 cm away from the semiconductor light emitting device, light is emitted from the semiconductor light emitting device toward the center of the reference surface. The illuminance at the four corners of the reference plane is 50% or more of the illuminance at the center of the reference plane.

以上説明したように、この発明に従えば、放熱性に優れるとともに、光の指向性を適切に制御することができる半導体発光装置および電子撮像装置を提供することができる。   As described above, according to the present invention, it is possible to provide a semiconductor light-emitting device and an electronic imaging device that are excellent in heat dissipation and can appropriately control the directivity of light.

この発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(実施の形態1)
図1は、この発明の実施の形態1における半導体発光装置を示す断面図である。図1を参照して、半導体発光装置は、所定のパターン形状に形成され、主表面1aを有するリードフレーム1と、主表面1a上に設けられたLEDチップ4と、LEDチップ4を覆うように主表面1a上に設けられたエポキシ樹脂6と、エポキシ樹脂6の周囲に設けられた樹脂部3とを備える。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(Embodiment 1)
1 is a cross-sectional view showing a semiconductor light-emitting device according to Embodiment 1 of the present invention. Referring to FIG. 1, the semiconductor light emitting device is formed in a predetermined pattern shape, and has a lead frame 1 having a main surface 1a, an LED chip 4 provided on main surface 1a, and LED chip 4 so as to cover it. An epoxy resin 6 provided on the main surface 1 a and a resin portion 3 provided around the epoxy resin 6 are provided.

リードフレーム1は、同一平面上において延在する板形状を有する。リードフレーム1には、所定のパターンニング加工を行なうことによって、主表面1aから主表面1aと反対側の面1bにまで達するスリット状の溝1mが形成されている。   The lead frame 1 has a plate shape extending on the same plane. The lead frame 1 is formed with a slit-like groove 1m extending from the main surface 1a to the surface 1b opposite to the main surface 1a by performing a predetermined patterning process.

リードフレーム1の反対側の面1bには、スリット状の溝1mに連なる溝15が形成されている。これにより、リードフレーム1においてスリット状の溝1mが形成された部分1tは、他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。   On the opposite surface 1b of the lead frame 1, a groove 15 is formed which is continuous with the slit-shaped groove 1m. Thereby, the part 1t in which the slit-like groove 1m is formed in the lead frame 1 is formed with a thickness smaller than the thickness of the other part.

図2は、図1中の半導体発光装置を示す平面図である。図2では、リードフレーム1に形成されている一部の構造物が省略されている。図1および図2を参照して、主表面1aには、2点鎖線で描かれた円13の内部に位置する領域10と、円13の外部に位置し、領域10の周縁に沿って延在する領域20とが規定されている。円13の中心を通るように溝1mが形成されており、スリット状の溝1mによってリードフレーム1が離間している。   FIG. 2 is a plan view showing the semiconductor light emitting device in FIG. In FIG. 2, some structures formed on the lead frame 1 are omitted. Referring to FIGS. 1 and 2, main surface 1 a has a region 10 located inside circle 13 drawn by a two-dot chain line and a region 10 located outside circle 13 and extending along the periphery of region 10. An existing area 20 is defined. A groove 1m is formed so as to pass through the center of the circle 13, and the lead frame 1 is separated by the slit-shaped groove 1m.

LEDチップ4は、主表面1aの領域10に位置して設けられている。LEDチップ4は、銀(Ag)ペースト7を介して設けられている。LEDチップ4の頂面に設けられた図示しない電極と、領域10に位置し、LEDチップ4が設けられた主表面1aとはスリット状の溝1mによって離間している主表面1aとが、金線5によって接続されている。つまり、LEDチップ4は、銀ペースト7および金線5によって主表面1aに機械的および電気的に接続されている。   The LED chip 4 is provided in the region 10 of the main surface 1a. The LED chip 4 is provided via a silver (Ag) paste 7. An electrode (not shown) provided on the top surface of the LED chip 4 and a main surface 1a located in the region 10 and separated from the main surface 1a provided with the LED chip 4 by a slit-shaped groove 1m are gold. Connected by line 5. That is, the LED chip 4 is mechanically and electrically connected to the main surface 1 a by the silver paste 7 and the gold wire 5.

LEDチップ4の電極に接続された金線5の一方端5pは、ボール状に形成されており、主表面1aに接続された金線5の他方端5qは、線状に形成されている。つまり、金線5を所定の位置に接続する際のワイヤボンディングは、まず金線5の一方端5pをLEDチップ4の電極にボールボンディングし、続いて金線5の他方端5qを主表面1aにウェッジボンディングすることによって行なわれている。   One end 5p of the gold wire 5 connected to the electrode of the LED chip 4 is formed in a ball shape, and the other end 5q of the gold wire 5 connected to the main surface 1a is formed in a linear shape. That is, the wire bonding when the gold wire 5 is connected to a predetermined position is performed by first ball bonding one end 5p of the gold wire 5 to the electrode of the LED chip 4, and subsequently connecting the other end 5q of the gold wire 5 to the main surface 1a. This is done by wedge bonding.

LEDチップ4から光が発せられると熱が発生する。この熱はリードフレーム1に伝わり、リードフレーム1から外部に放熱される。本実施の形態では、リードフレーム1の部分1tを小さい厚みで形成することによって、スリット状の溝1mを、溝幅を小さくして加工することができる。このため、リードフレーム1の他の部分の厚みを大きくすることによって、リードフレーム1による放熱を効率良く行なうことができる。   When light is emitted from the LED chip 4, heat is generated. This heat is transferred to the lead frame 1 and radiated from the lead frame 1 to the outside. In the present embodiment, the slit-like groove 1m can be processed with a reduced groove width by forming the portion 1t of the lead frame 1 with a small thickness. For this reason, the heat dissipation by the lead frame 1 can be efficiently performed by increasing the thickness of the other part of the lead frame 1.

また、リードフレーム1から効率良く放熱を行うため、リードフレーム1は、熱伝導率が300(W/m・K)以上400(W/m・K)以下の金属によって形成されている。リードフレーム1を形成する金属の熱伝導率が300(W/m・K)よりも小さい場合、リードフレーム1による放熱の効果を十分に図ることができない。また、リードフレーム1を形成する金属の熱伝導率が400(W/m・K)よりも大きい場合、リードフレーム1を実装する際に発生する熱がLEDチップ4に伝わることによって、LEDチップ4の信頼性が低下するおそれが生じる。   Further, in order to efficiently dissipate heat from the lead frame 1, the lead frame 1 is made of a metal having a thermal conductivity of 300 (W / m · K) to 400 (W / m · K). When the thermal conductivity of the metal forming the lead frame 1 is smaller than 300 (W / m · K), the heat dissipation effect by the lead frame 1 cannot be sufficiently achieved. In addition, when the thermal conductivity of the metal forming the lead frame 1 is larger than 400 (W / m · K), the heat generated when the lead frame 1 is mounted is transferred to the LED chip 4, whereby the LED chip 4. There is a risk that the reliability of the system will be lowered.

具体的には、主成分である銅(Cu)に対して、鉄(Fe)、亜鉛(Ze)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、シリコン(Si)、スズ(Sn)、鉛(Pb)または銀(Ag)などの金属を適宜混ぜた合金によってリードフレーム1が形成されている。この場合、銅に加える金属の量を小さくするほど、リードフレーム1を形成する合金の熱伝導率を高くすることができる。   Specifically, with respect to copper (Cu) as the main component, iron (Fe), zinc (Ze), nickel (Ni), chromium (Cr), silicon (Si), tin (Sn), lead (Pb) The lead frame 1 is made of an alloy in which metals such as silver (Ag) are appropriately mixed. In this case, the thermal conductivity of the alloy forming the lead frame 1 can be increased as the amount of metal added to copper is reduced.

また、本実施の形態では、リードフレーム1が折り曲げのない構造で形成されているため、リードフレーム1を形成する材料を選択する際に、その材料の折り曲げ加工性を考慮する必要がない。このため、幅広い種類の材料からリードフレーム1を形成するための材料を選択することができる。また、リードフレーム1は折り曲げのない構造で形成されているため、折り曲げ時に発生する割れおよびクラックなどを懸念する必要がない。   Further, in the present embodiment, since the lead frame 1 is formed in a structure without bending, it is not necessary to consider the bending workability of the material when selecting the material for forming the lead frame 1. For this reason, the material for forming the lead frame 1 can be selected from a wide variety of materials. Further, since the lead frame 1 is formed with a structure that is not bent, there is no need to worry about cracks and cracks that occur during bending.

リードフレーム1が、樹脂にインサート成型されることによって、主表面1a上には、領域20に位置する樹脂部3が設けられている。また、樹脂がリードフレーム1の反対側の面1bにまで回り込んで樹脂部8を形成している。樹脂部8は、スリット状の溝1mおよび溝15を充填するように設けられている。樹脂部3および8は、所定のパターン形状に形成されたリードフレーム1の形状を保持する役割を果たしている。特に、本実施の形態では、樹脂部8がリードフレーム1の反対側の面1bを広く覆っているため、リードフレーム1と樹脂部8との接着強度を増大させることができる。これにより、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。樹脂部8の両側に位置するリードフレーム1の反対側の面1bには、半導体発光装置を実装基板に接続するための端子部9が設けられている。   The resin part 3 located in the area | region 20 is provided on the main surface 1a by insert-molding the lead frame 1 to resin. Further, the resin wraps up to the surface 1 b on the opposite side of the lead frame 1 to form the resin portion 8. The resin portion 8 is provided so as to fill the slit-shaped groove 1 m and the groove 15. The resin portions 3 and 8 play a role of holding the shape of the lead frame 1 formed in a predetermined pattern shape. In particular, in the present embodiment, since the resin portion 8 covers the opposite surface 1b of the lead frame 1 widely, the adhesive strength between the lead frame 1 and the resin portion 8 can be increased. Thereby, the reliability of the semiconductor light emitting device can be improved. On the opposite surface 1b of the lead frame 1 located on both sides of the resin portion 8, terminal portions 9 for connecting the semiconductor light emitting device to the mounting substrate are provided.

樹脂部8の両側に位置する端子部9は、絶縁体である樹脂部8によって隔てられている。このため、端子部9を実装基板にはんだ付けする場合に、たとえば、アノード・カソード間、または複数のLEDチップ間などにおいて短絡が発生することを防止できる。   The terminal portions 9 located on both sides of the resin portion 8 are separated by a resin portion 8 that is an insulator. For this reason, when the terminal portion 9 is soldered to the mounting substrate, for example, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the anode and the cathode or between the plurality of LED chips.

樹脂部3は、主表面1aにほぼ平行な平面上に延在する頂面3aと、LEDチップ4が設けられた主表面1aの領域10を囲み、主表面1aから離隔する方向に延在する内壁3bとを有する。内壁3bは、主表面1aと頂面3aとに連なっている。樹脂部3の内壁3bは、LEDチップ4から発せられた光を反射するための反射面として機能する。   The resin portion 3 surrounds the top surface 3a extending on a plane substantially parallel to the main surface 1a and the region 10 of the main surface 1a where the LED chip 4 is provided, and extends in a direction away from the main surface 1a. And an inner wall 3b. The inner wall 3b is continuous with the main surface 1a and the top surface 3a. The inner wall 3b of the resin part 3 functions as a reflection surface for reflecting light emitted from the LED chip 4.

樹脂部3および8は、LEDチップ4から発せられた光を樹脂部3で効率良く反射するために、反射率が高い白色の樹脂から形成されている。また、製造時におけるリフロー工程を考慮して、樹脂部3および8は、耐熱性に優れた樹脂から形成されている。具体的には、上述の両方の条件を満たす液晶ポリマーまたはポリアミド系樹脂などが使用されている。なお、これ以外の樹脂およびセラミックなどについても、樹脂部3および8を形成する材料として使用することができる。また、LEDチップ4から発せられた光をさらに効率良く反射させるために、内壁3bの表面にめっきを施しても良い。   The resin parts 3 and 8 are made of a white resin having a high reflectance in order to efficiently reflect the light emitted from the LED chip 4 by the resin part 3. In consideration of the reflow process during manufacturing, the resin parts 3 and 8 are made of a resin having excellent heat resistance. Specifically, a liquid crystal polymer or polyamide resin that satisfies both of the above conditions is used. Other resins and ceramics can also be used as materials for forming the resin portions 3 and 8. Moreover, in order to reflect the light emitted from the LED chip 4 more efficiently, the surface of the inner wall 3b may be plated.

樹脂部3の内壁3bと主表面1aとによって形成された凹部には、LEDチップ4および金線5が位置している。その凹部には、LEDチップ4および金線5を覆うようにエポキシ樹脂6が設けられている。エポキシ樹脂6は、外部からの物理的または電気的な接触に対して、LEDチップ4および金線5を保護する役割を果たしている。エポキシ樹脂6は、内壁3bから中心部にかけてやや凹んだ形状の頂面6aを有する。エポキシ樹脂6は、主表面1aから頂面6aまでの距離が、主表面1aから樹脂部3の頂面3aまでの距離よりも小さくなるように形成されている。このため、エポキシ樹脂6の頂面6a上においても頂面3aに向かう方向に内壁3bが延在している。   The LED chip 4 and the gold wire 5 are located in the recess formed by the inner wall 3b and the main surface 1a of the resin portion 3. An epoxy resin 6 is provided in the recess so as to cover the LED chip 4 and the gold wire 5. The epoxy resin 6 plays a role of protecting the LED chip 4 and the gold wire 5 against physical or electrical contact from the outside. The epoxy resin 6 has a top surface 6a that is slightly recessed from the inner wall 3b to the center. The epoxy resin 6 is formed such that the distance from the main surface 1 a to the top surface 6 a is smaller than the distance from the main surface 1 a to the top surface 3 a of the resin portion 3. For this reason, also on the top surface 6a of the epoxy resin 6, the inner wall 3b extends in the direction toward the top surface 3a.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4から発せられる光に対して、樹脂部3が有する反射率よりも小さい反射率を有する材料で形成されている。具体的には、ポッティング方式で注型された透明または乳白色の樹脂が使用されている。なお、ポッティング方式以外にも、トランスファー成型またはインジェクション成型などによっても、エポキシ樹脂6を設けることが可能である。この場合は、エポキシ樹脂6を任意の形状(たとえばレンズ形状)に形成することができる。   The epoxy resin 6 is formed of a material having a reflectance smaller than that of the resin portion 3 with respect to light emitted from the LED chip 4. Specifically, a transparent or milky white resin cast by a potting method is used. In addition to the potting method, the epoxy resin 6 can be provided by transfer molding or injection molding. In this case, the epoxy resin 6 can be formed into an arbitrary shape (for example, a lens shape).

図3は、図1中のIII−III線上に沿った断面図である。図1および図3を参照して、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状25が円形となっている。樹脂部3は、その内壁3bによって規定される形状25の面積が、主表面1aから離れるに従って大きくなるように形成されている。つまり、内壁3bは、頂点が下方に位置する円錐を想定した場合に、その円錐の底面から頂点に向かって延在する円錐の側壁の形状を有する。   FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line III-III in FIG. 1 and 3, shape 25 defined by inner wall 3b is circular on a plane parallel to main surface 1a. The resin portion 3 is formed such that the area of the shape 25 defined by the inner wall 3b increases as the distance from the main surface 1a increases. That is, the inner wall 3b has a shape of a side wall of a cone that extends from the bottom surface of the cone toward the apex, assuming a cone whose apex is positioned below.

図4は、樹脂部の内壁によって光が反射される様子を模式的に表わした断面図である。図4を参照して、主表面1a上に光源22が設けられている場合を想定すると、光源22から発せられた光は放射状に進行する。半導体発光装置では、この光源22から発せられる光の指向性を適切に制御し、さらには、所定の方向に高輝度な光を取り出すことが重要となる。樹脂部3は、内壁3bによって規定される形状の面積が主表面1aから離れるに従って大きくなるように形成されているため、光源から主表面1aに近い方向に進行する光を内壁3bによって所定の方向に反射させることができる。これにより、光源から発せられた光を、半導体発光装置の前面、つまり矢印23に示す方向に取り出すことができる。また、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状が円形となっているため、内壁3bの傾きを調整することによって光の指向性を容易に制御することができる。   FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing how light is reflected by the inner wall of the resin portion. Referring to FIG. 4, assuming that light source 22 is provided on main surface 1a, light emitted from light source 22 travels radially. In the semiconductor light emitting device, it is important to appropriately control the directivity of light emitted from the light source 22 and to extract high-luminance light in a predetermined direction. Since the resin portion 3 is formed so that the area of the shape defined by the inner wall 3b increases as the distance from the main surface 1a increases, light traveling in a direction closer to the main surface 1a from the light source is transmitted in a predetermined direction by the inner wall 3b. Can be reflected. Thereby, the light emitted from the light source can be extracted in the front surface of the semiconductor light emitting device, that is, in the direction indicated by the arrow 23. In addition, since the shape defined by the inner wall 3b is circular on a plane parallel to the main surface 1a, the directivity of light can be easily controlled by adjusting the inclination of the inner wall 3b.

本実施の形態では、図1を参照して、LEDチップ4から発せられた光は、内壁3bによって所定の方向に反射され、エポキシ樹脂6を透過して頂面6aから外部へと出射する。この際、頂面6aにおいて屈折が生じることによって光の進行する方向が変化する。しかし、頂面6a上においても反射面として機能する内壁3bが存在するため、光を再び内壁3bに反射させて半導体発光装置の前面へと出射させることができる。   In the present embodiment, referring to FIG. 1, the light emitted from LED chip 4 is reflected in a predetermined direction by inner wall 3b, passes through epoxy resin 6, and exits from top surface 6a to the outside. At this time, the direction in which the light travels changes due to refraction at the top surface 6a. However, since the inner wall 3b functioning as a reflecting surface also exists on the top surface 6a, the light can be reflected again by the inner wall 3b and emitted to the front surface of the semiconductor light emitting device.

図5および図6は、内壁によって規定される形状の変形例を示す断面図である。図5および図6は、図3に示す断面に相当する断面図である。   5 and 6 are cross-sectional views showing modifications of the shape defined by the inner wall. 5 and 6 are cross-sectional views corresponding to the cross section shown in FIG.

図5を参照して、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状26が楕円となるように樹脂部3を形成してもよい。図6を参照して、主表面1aに平行な平面上において内壁3bによって規定される形状27が長方形となるように樹脂部3を形成してもよい。これらの場合、半導体発光装置から発せられる光の発光面積を大きくとることができる。このように半導体発光装置が搭載される電子機器などの使用目的にあわせて、樹脂部3を設ける形態を適宜変更すれば良い。   Referring to FIG. 5, resin portion 3 may be formed such that shape 26 defined by inner wall 3b is an ellipse on a plane parallel to main surface 1a. Referring to FIG. 6, resin portion 3 may be formed such that shape 27 defined by inner wall 3b is a rectangle on a plane parallel to main surface 1a. In these cases, the light emission area of light emitted from the semiconductor light emitting device can be increased. In this way, the form in which the resin portion 3 is provided may be changed as appropriate in accordance with the purpose of use of an electronic device in which the semiconductor light emitting device is mounted.

この発明の実施の形態1に従った半導体発光装置は、第1の領域としての領域10と、領域10の周縁に沿って延在する第2の領域としての領域20とが規定された主表面1aを有するリードフレーム1と、領域10に設けられた半導体発光素子としてのLEDチップ4と、LEDチップ4を完全に覆うように領域10に設けられた第1の樹脂部材としてのエポキシ樹脂6と、LEDチップ4を囲むように領域20に設けられた第2の樹脂部材としての樹脂部3とを備える。   The semiconductor light emitting device according to the first embodiment of the present invention has a main surface in which region 10 as a first region and region 20 as a second region extending along the periphery of region 10 are defined. A lead frame 1 having 1a, an LED chip 4 as a semiconductor light emitting element provided in the region 10, and an epoxy resin 6 as a first resin member provided in the region 10 so as to completely cover the LED chip 4. And a resin portion 3 as a second resin member provided in the region 20 so as to surround the LED chip 4.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4から発せられた光に対して第1の反射率を有する。樹脂部3は、LEDチップ4から発せられた光に対して第1の反射率よりも大きい第2の反射率を有する。エポキシ樹脂6は、第1の頂面としての頂面6aを含む。樹脂部3は、主表面1aからの距離が主表面1aから頂面6aまでの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面としての頂面3aと、LEDチップ4が位置する側において主表面1aから離隔する方向に延在し、頂面3aに連なる内壁3bとを含む。   The epoxy resin 6 has a first reflectance with respect to light emitted from the LED chip 4. The resin portion 3 has a second reflectance that is greater than the first reflectance with respect to the light emitted from the LED chip 4. Epoxy resin 6 includes a top surface 6a as a first top surface. Resin portion 3 has a top surface 3a as a second top surface provided at a position where the distance from main surface 1a is larger than the distance from main surface 1a to top surface 6a, and the side where LED chip 4 is located. An inner wall 3b extending in a direction away from main surface 1a and continuing to top surface 3a is included.

半導体発光装置は、LEDチップ4に接続される一方端5pと、主表面1aに接続される他方端5qとを有する金属線としての金線5をさらに備える。エポキシ樹脂6は、金線5を完全に覆うように設けられている。   The semiconductor light emitting device further includes a gold wire 5 as a metal wire having one end 5p connected to the LED chip 4 and the other end 5q connected to the main surface 1a. The epoxy resin 6 is provided so as to completely cover the gold wire 5.

リードフレーム1は、スリット状の溝1mによって離間した部分1tを含む。部分1tは他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。   The lead frame 1 includes a portion 1t separated by a slit-shaped groove 1m. The portion 1t is formed with a thickness smaller than the thickness of other portions.

リードフレーム1は、同一平面上に延在する板形状に形成されている。リードフレーム1は、主表面1aと反対側の面1bに形成され、かつ樹脂としての樹脂部8が充填される第1の凹部としての溝15を含む。反対側の面1bには、溝15の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部9が設けられている。   The lead frame 1 is formed in a plate shape extending on the same plane. The lead frame 1 includes a groove 15 as a first recess formed on the surface 1b opposite to the main surface 1a and filled with a resin portion 8 as a resin. On the opposite surface 1b, there are provided terminal portions 9 located on both sides of the groove 15 and electrically connected to the mounting substrate.

樹脂部3は、主表面1aに平行な面上において内壁3bによって規定される形状の面積が、主表面1aから離れるに従って大きくなるように形成されている。主表面1aに平行な面上において内壁3bによって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。   The resin part 3 is formed such that the area of the shape defined by the inner wall 3b on the surface parallel to the main surface 1a increases as the distance from the main surface 1a increases. The shape defined by the inner wall 3b on the plane parallel to the main surface 1a is one of a circle, an ellipse, and a polygon.

このように構成された半導体発光装置によれば、頂面6a上においてもLEDチップ4から発せられる光を反射させるための内壁3bが延在している。また、相対的に低い位置にエポキシ樹脂6の頂面6aが設けられているため、光がエポキシ樹脂6を透過する際に減衰することを抑制できる。さらに、板状に形成されることによってリードフレーム1の高さが低く抑えられているため、樹脂部3の高さを高くすることができる。これにより、LEDチップ4から発せられる光を反射させるための内壁3bをより高い位置まで延在させることができる。以上の理由から、LEDチップ4から発せられる光の指向性を適切に制御して、半導体発光装置から高輝度な光を取り出すことができる。   According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the inner wall 3b for reflecting the light emitted from the LED chip 4 also extends on the top surface 6a. Further, since the top surface 6 a of the epoxy resin 6 is provided at a relatively low position, it is possible to suppress attenuation when light passes through the epoxy resin 6. Furthermore, since the height of the lead frame 1 is kept low by being formed in a plate shape, the height of the resin portion 3 can be increased. Thereby, the inner wall 3b for reflecting the light emitted from the LED chip 4 can be extended to a higher position. For the above reasons, the directivity of light emitted from the LED chip 4 can be appropriately controlled to extract high-luminance light from the semiconductor light emitting device.

(実施の形態2)
図7は、この発明の実施の形態2における半導体発光装置を示す断面図である。図7を参照して、実施の形態2における半導体発光装置は、実施の形態1における半導体発光装置と比較して、リードフレーム1の形状が異なる。以下において、重複する構造の説明は省略する。
(Embodiment 2)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a semiconductor light-emitting device according to Embodiment 2 of the present invention. Referring to FIG. 7, the semiconductor light emitting device in the second embodiment is different from the semiconductor light emitting device in the first embodiment in the shape of lead frame 1. In the following, description of overlapping structures is omitted.

リードフレーム1の主表面1aには、領域10(図2を参照のこと)に位置して凹部30が形成されている。凹部30の底面には、LEDチップ4が銀ペースト7を介して設けられている。また、凹部30の底面には、LEDチップ4の頂面から延びる金線5の他方端5qが接続されている。凹部30の側壁は、主表面1a上における凹部30の開口面積が凹部30の底面の面積よりも大きくなるように傾いて形成されている。   On the main surface 1a of the lead frame 1, a recess 30 is formed in the region 10 (see FIG. 2). The LED chip 4 is provided on the bottom surface of the recess 30 via the silver paste 7. Further, the other end 5 q of the gold wire 5 extending from the top surface of the LED chip 4 is connected to the bottom surface of the recess 30. The side wall of the recess 30 is formed to be inclined so that the opening area of the recess 30 on the main surface 1 a is larger than the area of the bottom surface of the recess 30.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4および金線5を覆うように設けられている。但し、LEDチップ4が相対的に低い位置に設けられているため、エポキシ樹脂6の頂面6aは実施の形態1と比較して低い位置に形成されている。   The epoxy resin 6 is provided so as to cover the LED chip 4 and the gold wire 5. However, since the LED chip 4 is provided at a relatively low position, the top surface 6a of the epoxy resin 6 is formed at a low position as compared with the first embodiment.

この発明の実施の形態2に従った半導体発光装置では、リードフレーム1は、領域10に形成された第2の凹部としての凹部30を含む。LEDチップ4は凹部30に設けられている。   In the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention, lead frame 1 includes a recess 30 as a second recess formed in region 10. The LED chip 4 is provided in the recess 30.

このように構成された半導体発光装置によれば、実施の形態1に記載の効果と同様の効果を奏することができる。さらに、凹部30の側壁は、LEDチップ4から発せられた光を反射する反射面としての役割を果たす。また、凹部30の底面にLEDチップ4を設けることによって、樹脂部3の高さを変えずに、頂面6a上から頂面3aまで延在する内壁3bの距離を大きくすることができる。以上の理由から、LEDチップ4から発せられる光の指向性をさらに容易に制御することができる。   According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the same effects as those described in the first embodiment can be obtained. Furthermore, the side wall of the recess 30 serves as a reflection surface that reflects light emitted from the LED chip 4. Further, by providing the LED chip 4 on the bottom surface of the recess 30, the distance of the inner wall 3b extending from the top surface 6a to the top surface 3a can be increased without changing the height of the resin portion 3. For the above reasons, the directivity of light emitted from the LED chip 4 can be controlled more easily.

(実施の形態3)
図8は、この発明の実施の形態3における半導体発光装置を示す断面図である。図8を参照して、実施の形態3における半導体発光装置は、実施の形態1における半導体発光装置と比較して、金線5を主表面1aおよびLEDチップ4の頂面にワイヤボンディングする形態が異なる。以下において、重複する構造の説明は省略する。
(Embodiment 3)
FIG. 8 is a cross-sectional view showing a semiconductor light emitting device according to Embodiment 3 of the present invention. Referring to FIG. 8, the semiconductor light emitting device in the third embodiment has a configuration in which gold wire 5 is wire-bonded to main surface 1 a and the top surface of LED chip 4 as compared with the semiconductor light emitting device in the first embodiment. Different. In the following, description of overlapping structures is omitted.

LEDチップ4の電極に接続された金線5の一方端5pは、線状に形成されており、主表面1aに接続された金線5の他方端5qは、ボール状に形成されている。つまり、金線5を所定の位置に接続する際のワイヤボンディングは、まず金線5の他方端5qを主表面1aにボールボンディングし、続いて金線5の一方端5pをLEDチップ4の電極にウェッジボンディングすることによって行なわれている。これにより、LEDチップ4の頂面側において形成される金線5のループ形状を小さくすることができる。   One end 5p of the gold wire 5 connected to the electrode of the LED chip 4 is formed in a linear shape, and the other end 5q of the gold wire 5 connected to the main surface 1a is formed in a ball shape. That is, the wire bonding when the gold wire 5 is connected to a predetermined position is performed by first ball bonding the other end 5q of the gold wire 5 to the main surface 1a, and subsequently connecting the one end 5p of the gold wire 5 to the electrode of the LED chip 4. This is done by wedge bonding. Thereby, the loop shape of the gold wire 5 formed on the top surface side of the LED chip 4 can be reduced.

エポキシ樹脂6は、LEDチップ4および金線5を覆うように設けられている。但し、金線5のループ形状が小さく形成されているため、エポキシ樹脂6の頂面6aは実施の形態1と比較して低い位置に形成されている。   The epoxy resin 6 is provided so as to cover the LED chip 4 and the gold wire 5. However, since the loop shape of the gold wire 5 is small, the top surface 6a of the epoxy resin 6 is formed at a lower position as compared with the first embodiment.

なお、本実施の形態では、ウェッジボンディングされた金線5の一方端5pとLEDチップ4の電極との接続の強度が若干弱くなる。このため、必要とされる信頼性(耐リフロー性または耐温度サイクル性など)を満たさないおそれがある。この場合、ウェッジボンディングされた金線5の一方端5pの上からさらに金属をボールボンディングすることによって接続を補強することができる。このボールボンディングは、既にボールボンディングされている金線5の他方端5qの上から行なっても良い。   In the present embodiment, the strength of connection between the one end 5p of the gold wire 5 subjected to wedge bonding and the electrode of the LED chip 4 is slightly weakened. For this reason, there is a possibility that required reliability (reflow resistance or temperature cycle resistance) may not be satisfied. In this case, the connection can be reinforced by further ball-bonding a metal from above the one end 5p of the gold wire 5 that has been wedge-bonded. This ball bonding may be performed from above the other end 5q of the gold wire 5 which has already been ball bonded.

この発明の実施の形態3に従った半導体発光装置では、一方端5pは、線状に形成されており、他方端5qは、ボール状に形成されている。一方端5pには、LEDチップ4との間で金線5を挟持するボール状の金属が設けられている。   In the semiconductor light emitting device according to the third embodiment of the present invention, one end 5p is formed in a linear shape, and the other end 5q is formed in a ball shape. One end 5p is provided with a ball-shaped metal that sandwiches the gold wire 5 with the LED chip 4.

このように構成された半導体発光装置によれば、実施の形態1に記載の効果と同様の効果を奏することができる。さらに、金線5の一方端5pをLEDチップ4の電極にウェッジボンディングすることによって、樹脂部3の高さを変えずに、頂面6a上から頂面3aまで延在する内壁3bの距離を大きくすることができる。これにより、LEDチップ4から発せられる光の指向性をさらに容易に制御することができる。   According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the same effects as those described in the first embodiment can be obtained. Furthermore, by wedge-bonding one end 5p of the gold wire 5 to the electrode of the LED chip 4, the distance of the inner wall 3b extending from the top surface 6a to the top surface 3a without changing the height of the resin portion 3 is set. Can be bigger. Thereby, the directivity of the light emitted from the LED chip 4 can be controlled more easily.

(実施の形態4)
図9は、この発明の実施の形態4における半導体発光装置を示す平面図である。図9を参照して、実施の形態4における半導体発光装置では、実施の形態1から3のいずれかに記載の形態で、リードフレーム51、52および53の主表面上にLEDチップ71、72および73がそれぞれ搭載されている。
(Embodiment 4)
FIG. 9 is a plan view showing a semiconductor light-emitting device according to Embodiment 4 of the present invention. Referring to FIG. 9, in the semiconductor light emitting device in the fourth embodiment, LED chips 71, 72 and on the main surfaces of lead frames 51, 52, and 53 in the form described in any of the first to third embodiments. 73 are mounted.

LEDチップ71、72および73は、それぞれ緑、赤および青で発光するLEDチップである。LEDチップ71、72および73は、略三角形の各頂点に位置するように互いに近接して設けられている。LEDチップ71、72および73が設けられたリードフレーム51、52および53の部分は、スリット状の溝によって離間している。このように発光色の異なるLEDチップを近接して配置することによって、フルカラーの半導体発光装置を形成している。   The LED chips 71, 72, and 73 are LED chips that emit light in green, red, and blue, respectively. The LED chips 71, 72, and 73 are provided close to each other so as to be positioned at the apexes of a substantially triangle. The portions of the lead frames 51, 52 and 53 on which the LED chips 71, 72 and 73 are provided are separated by a slit-like groove. Thus, by arranging LED chips having different emission colors in close proximity, a full color semiconductor light emitting device is formed.

リードフレーム51、52および53は、LEDチップ71、72および73がそれぞれ設けられた部分から異なる方向(矢印41、42および43に示す方向)に向かって延在している。リードフレーム51、52および53は、リードフレーム51および53の主表面の面積が、リードフレーム52の主表面の面積よりも大きくなるように形成されている。   Lead frames 51, 52, and 53 extend in different directions (directions indicated by arrows 41, 42, and 43) from portions where LED chips 71, 72, and 73 are provided, respectively. The lead frames 51, 52 and 53 are formed such that the area of the main surface of the lead frames 51 and 53 is larger than the area of the main surface of the lead frame 52.

リードフレーム51および52の間にはリードフレーム81が、リードフレーム52および53の間にはリードフレーム83が、リードフレーム53および51の間にはリードフレーム82が設けられている。リードフレーム81とLEDチップ71とが金線61によって電気的に接続されている。リードフレーム83とLEDチップ73とが金線63によって電気的に接続されている。リードフレーム82とLEDチップ72とが金線62によって電気的に接続されている。   A lead frame 81 is provided between the lead frames 51 and 52, a lead frame 83 is provided between the lead frames 52 and 53, and a lead frame 82 is provided between the lead frames 53 and 51. The lead frame 81 and the LED chip 71 are electrically connected by a gold wire 61. The lead frame 83 and the LED chip 73 are electrically connected by a gold wire 63. The lead frame 82 and the LED chip 72 are electrically connected by a gold wire 62.

この発明の実施の形態4に従った半導体発光装置は、赤、青および緑でそれぞれ発光する3つの半導体発光素子としてのLEDチップ71、72および73と、LEDチップ71、72および73が1つずつ設けられ、互いに離間する3つのリードフレーム51、52および53とを備える。リードフレーム51、52および53の各々は、互いに異なる方向に延在している。   The semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention includes three LED chips 71, 72, and 73, and one LED chip 71, 72, and 73 as semiconductor light emitting elements that emit light in red, blue, and green, respectively. And three lead frames 51, 52 and 53 which are provided one by one and spaced apart from each other. Each of the lead frames 51, 52 and 53 extends in different directions.

青および緑でそれぞれ発光するLEDチップ71および73が設けられたリードフレーム51および53の主表面の面積は、赤で発光するLEDチップ72が設けられたリードフレーム52の主表面の面積よりも大きい。   The area of the main surface of the lead frames 51 and 53 provided with LED chips 71 and 73 that emit light in blue and green, respectively, is larger than the area of the main surface of the lead frame 52 provided with LED chips 72 that emit light in red. .

このように構成された半導体発光装置によれば、フルカラーの半導体発光装置においても実施の形態1から3に記載の効果を奏することができる。特に、実施の形態1において説明したように、スリット状の溝が形成されているリードフレーム51、52および53の部分の厚みを小さくすることによって、溝幅を小さくしてスリット状の溝を加工することができる。これにより、LEDチップ71、72および73をより近接させて配置することができるため、半導体発光装置の混色性を向上させることができる。   According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the effects described in the first to third embodiments can be achieved even in a full color semiconductor light emitting device. In particular, as described in the first embodiment, by reducing the thickness of the portions of the lead frames 51, 52 and 53 where the slit-like grooves are formed, the groove width is reduced to process the slit-like grooves. can do. Thereby, since the LED chips 71, 72 and 73 can be arranged closer to each other, the color mixing property of the semiconductor light emitting device can be improved.

また、リードフレーム51、52および53は、互いに異なる方向に向かって延在している。このため、LEDチップ71、72および73において発生した熱を分散して効率良く放熱することができる。さらに、緑および青で発光するLEDチップ71および73の発熱量が大きいことを考慮して、LEDチップ71および73を搭載するリードフレーム51および53の主表面の面積を、赤で発光するLEDチップ72を搭載するリードフレーム52の主表面の面積よりも大きくしている。これにより、LEDチップ71、72および73において発生した熱をリードフレーム51、52および53を介して均等に放熱することができる。   Further, the lead frames 51, 52 and 53 extend in different directions. For this reason, the heat generated in the LED chips 71, 72 and 73 can be dispersed and efficiently radiated. Further, in consideration of the large amount of heat generated by the LED chips 71 and 73 that emit light in green and blue, the area of the main surface of the lead frames 51 and 53 on which the LED chips 71 and 73 are mounted is LED chips that emit light in red. The area of the main surface of the lead frame 52 on which 72 is mounted is made larger. Thereby, the heat generated in the LED chips 71, 72 and 73 can be evenly dissipated through the lead frames 51, 52 and 53.

LEDチップを複数設けるフルカラーの半導体発光装置の場合、LEDチップからの発熱量も大きくなるため、特に本発明を有効に利用することができる。また、本発明によれば、内壁3bを設ける形状によって光の指向角を容易に狭めることができる。これにより、フルカラーの半導体発光装置においても、混色性を損なうことなく、取り出す光の輝度を高くすることができる。なお、レンズを取り付けることによって光の指向角を調整する手法も考えられるが、混色性を満たすことは非常に困難である。また、半導体発光装置の製品高さが高くなるという問題も発生する。   In the case of a full-color semiconductor light emitting device provided with a plurality of LED chips, the amount of heat generated from the LED chips also increases, so that the present invention can be used particularly effectively. Further, according to the present invention, the directivity angle of light can be easily narrowed by the shape in which the inner wall 3b is provided. As a result, even in a full-color semiconductor light emitting device, the luminance of the extracted light can be increased without impairing the color mixing property. Although a method of adjusting the directivity angle of light by attaching a lens is also conceivable, it is very difficult to satisfy color mixing. In addition, there is a problem that the product height of the semiconductor light emitting device is increased.

(実施の形態5)
図10は、この発明の実施の形態5におけるカメラ付き携帯電話を示す透視図である。図10を参照して、カメラ付き携帯電話84は、実施の形態4において説明した半導体発光装置である半導体発光装置86を備える。
(Embodiment 5)
FIG. 10 is a perspective view showing a camera-equipped mobile phone according to Embodiment 5 of the present invention. Referring to FIG. 10, camera-equipped mobile phone 84 includes semiconductor light-emitting device 86 that is the semiconductor light-emitting device described in the fourth embodiment.

筐体85の前面には、液晶画面90と、CCD(Charge Coupled Device)素子用窓89と、発光素子用窓87とが形成されている。筐体85の内部には、実装基板92が設けられている。実装基板92上には、液晶画面90、CCD素子用窓89および発光素子用窓87に向い合う位置に、液晶91、CCD素子88および半導体発光装置86が設けられている。実装基板92上には、液晶91、CCD素子88および半導体発光装置86とは別に、ICチップなどの電子部品93が設けられている。   A liquid crystal screen 90, a CCD (Charge Coupled Device) element window 89, and a light emitting element window 87 are formed on the front surface of the housing 85. A mounting substrate 92 is provided inside the housing 85. On the mounting substrate 92, a liquid crystal 91, a CCD element 88 and a semiconductor light emitting device 86 are provided at positions facing the liquid crystal screen 90, the CCD element window 89 and the light emitting element window 87. On the mounting substrate 92, an electronic component 93 such as an IC chip is provided separately from the liquid crystal 91, the CCD element 88 and the semiconductor light emitting device 86.

本実施の形態におけるカメラ付き携帯電話84では、半導体発光装置86を補助光源として利用することによって、暗い場所における被写体の撮影を可能にしている。具体的には、半導体発光装置86に設けられた3種類のLEDチップから緑、赤および青の光を発光することによって、被写体に向けて白色の光を照射することができる。これにより、明るく照らされた被写体を撮影し、これを電子データとしてCCD素子88に取り込むことができる。   In the camera-equipped mobile phone 84 according to the present embodiment, the semiconductor light emitting device 86 is used as an auxiliary light source, thereby enabling photographing of a subject in a dark place. Specifically, by emitting green, red, and blue light from three types of LED chips provided in the semiconductor light emitting device 86, white light can be irradiated toward the subject. Thus, a brightly illuminated subject can be photographed and captured as electronic data into the CCD element 88.

図11は、図10中のカメラ付き携帯電話から光を照射された基準面の照度を説明するための模式図である。カメラ付き携帯電話84では、一様な明るさの光が被写体に照射されるように半導体発光装置86が設定されている。   FIG. 11 is a schematic diagram for explaining the illuminance of the reference surface irradiated with light from the camera-equipped mobile phone in FIG. In the camera-equipped mobile phone 84, the semiconductor light emitting device 86 is set so that light of uniform brightness is irradiated onto the subject.

図11を参照して、カメラ付き携帯電話84の光源から所定の距離離れた位置に所定の大きさを有する基準面が設けられている。この基準面は、カメラ付き携帯電話84によって被写体を写す範囲を表わすものである。本実施の形態では、カメラ付き携帯電話84の光源から50cm離れた位置に、縦60cm、横50cmの大きさの基準面96が設けられている。   Referring to FIG. 11, a reference plane having a predetermined size is provided at a position away from the light source of camera-equipped mobile phone 84 by a predetermined distance. This reference plane represents the range in which the subject is photographed by the camera-equipped mobile phone 84. In the present embodiment, a reference plane 96 having a size of 60 cm in length and 50 cm in width is provided at a position 50 cm away from the light source of the camera-equipped mobile phone 84.

カメラ付き携帯電話84から基準面96の中心97に向けて光を照射した場合に、基準面96の四隅98において測定した照度が中心97において測定した照度の50%以上となるように、カメラ付き携帯電話84の半導体発光装置86が設定されている。たとえば、中心97において30(ルクス)の照度が測定された場合、四隅98において15(ルクス)以上の照度が測定される。   When the light is emitted from the camera-equipped mobile phone 84 toward the center 97 of the reference plane 96, the illuminance measured at the four corners 98 of the reference plane 96 is 50% or more of the illuminance measured at the center 97. The semiconductor light emitting device 86 of the mobile phone 84 is set. For example, when an illuminance of 30 (lux) is measured at the center 97, an illuminance of 15 (lux) or more is measured at the four corners 98.

この発明の実施の形態5に従った電子撮像装置としてのカメラ付き携帯電話84は、半導体発光装置86を備える。半導体発光装置86から所定の距離を隔てた位置に矩形形状の基準面96を設けた場合に、半導体発光装置86からの光が照射された基準面96の四隅における照度は、基準面96の中心における照度の50%以上である。   A camera-equipped mobile phone 84 as an electronic imaging device according to the fifth embodiment of the present invention includes a semiconductor light emitting device 86. When the rectangular reference surface 96 is provided at a predetermined distance from the semiconductor light emitting device 86, the illuminance at the four corners of the reference surface 96 irradiated with light from the semiconductor light emitting device 86 is the center of the reference surface 96. It is 50% or more of the illuminance.

このように構成されたカメラ付き携帯電話84によれば、実施の形態4に記載の効果から、半導体発光装置86から出射する光の指向性を容易に制御することができる。これにより、被写体が写る基準面において明るさに大差のない所望の撮影条件を容易に実現することができる。   According to the camera-equipped mobile phone 84 configured as described above, the directivity of light emitted from the semiconductor light emitting device 86 can be easily controlled from the effects described in the fourth embodiment. This makes it possible to easily realize desired shooting conditions that do not vary greatly in brightness on the reference plane on which the subject is photographed.

(実施の形態6)
図12は、この発明の実施の形態6における半導体発光装置を示す平面図である。図13は、図12中のXIII−XIII線上に沿った側面図である。図13では、一部が断面形状で示されている。図12および図13を参照して、本実施の形態における半導体発光装置201では、実施の形態4における半導体発光装置と同様に、リードフレーム1の主表面1a上に3つのLEDチップ4が搭載されている。
(Embodiment 6)
FIG. 12 is a plan view showing a semiconductor light emitting device in the sixth embodiment of the present invention. FIG. 13 is a side view taken along line XIII-XIII in FIG. In FIG. 13, a part is shown in a cross-sectional shape. Referring to FIGS. 12 and 13, in semiconductor light emitting device 201 in the present embodiment, three LED chips 4 are mounted on main surface 1 a of lead frame 1, as in the semiconductor light emitting device in the fourth embodiment. ing.

リードフレーム1には、複数のリード端子210が主表面1aの周縁から突出して形成されている。複数のリード端子210は、樹脂部3から露出した状態で、互いに間隔を隔てた位置で主表面1aの周縁から離隔する方向(矢印202に示す方向)に向けて延びている。リード端子210は、主表面1aの周縁に相対的に近い位置に形成された基部211と、主表面1aの周縁に相対的に遠い位置で形成され、リード端子210が突出する先端に設けられた端面213を有する先端部212とから構成されている。端面213は、リード端子210が延びる矢印202に示す方向に対して直交する平面上に延在している。   A plurality of lead terminals 210 are formed on the lead frame 1 so as to protrude from the periphery of the main surface 1a. The plurality of lead terminals 210 are exposed from the resin portion 3 and extend in a direction away from the periphery of the main surface 1a (a direction indicated by an arrow 202) at positions spaced from each other. The lead terminal 210 is formed at a base 211 formed at a position relatively close to the peripheral edge of the main surface 1a, and at a position relatively far from the peripheral edge of the main surface 1a, and provided at a tip from which the lead terminal 210 protrudes. It is comprised from the front-end | tip part 212 which has the end surface 213. FIG. The end surface 213 extends on a plane orthogonal to the direction indicated by the arrow 202 in which the lead terminal 210 extends.

基部211は、幅B2で形成されており、先端部212および端面213は、幅B2よりも小さい幅B1で形成されている。つまり、リード端子210は、主表面1aの周縁から遠い先端側で主表面1aの周縁に近い根元側より細くなるように形成されている。このため、端面213の面積は、基部211を矢印202に示す方向に直交する平面で切断した場合の断面(図13中の斜線部214に示す断面)の面積よりも小さくなっている。基部211と先端部212との間には、段差部分221が形成されている。   The base portion 211 is formed with a width B2, and the tip portion 212 and the end surface 213 are formed with a width B1 smaller than the width B2. That is, the lead terminal 210 is formed so as to be thinner on the tip side far from the periphery of the main surface 1a than on the base side close to the periphery of the main surface 1a. For this reason, the area of the end surface 213 is smaller than the area of the cross section (the cross section indicated by the shaded portion 214 in FIG. 13) when the base portion 211 is cut along a plane orthogonal to the direction indicated by the arrow 202. A step portion 221 is formed between the base portion 211 and the tip portion 212.

続いて、図12中に示す半導体発光装置の製造方法について説明を行なう。図14は、図12中に示す半導体発光装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。図15は、図12中に示す半導体装置の製造工程を示す平面図である。   Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device shown in FIG. 12 will be described. FIG. 14 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 15 is a plan view showing a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG.

図14および図15を参照して、まず、所定形状にパターニングされたリードフレームに樹脂部3がインサート成型等で形成されたリードフレーム基材241を準備し、そのリードフレーム基材241に複数のLEDチップ4を実装する(S231)。次に、実装されたLEDチップ4の電極とリードフレーム基材241の表面とを金線で接続するワイヤボンディングを実施し(S232)、エポキシ樹脂6を封入する(S233)。   Referring to FIGS. 14 and 15, first, a lead frame base 241 in which a resin part 3 is formed by insert molding or the like is prepared on a lead frame patterned in a predetermined shape, and a plurality of lead frame bases 241 are provided on the lead frame base 241. The LED chip 4 is mounted (S231). Next, wire bonding is performed to connect the electrode of the mounted LED chip 4 and the surface of the lead frame base 241 with a gold wire (S232), and the epoxy resin 6 is sealed (S233).

次に、リード端子210に、たとえば、スズ(Sn)ビスマス(Bi)めっきや、スズ(Sn)鉛(Pb)めっき(はんだめっき)を用いためっき処理を行なう(S234)。この工程が終了した時点で、図15に示すように、複数の半導体発光装置201が格子状に配列された状態のリードフレーム基材241が完成する。   Next, the lead terminal 210 is subjected to a plating process using, for example, tin (Sn) bismuth (Bi) plating or tin (Sn) lead (Pb) plating (solder plating) (S234). When this process is completed, as shown in FIG. 15, a lead frame base 241 in which a plurality of semiconductor light emitting devices 201 are arranged in a grid is completed.

次に、プレス機を用いて、直線上に配列された複数の先端部212に沿って(2点鎖線242に沿って)リードフレーム基材241を切断する(S235)。これにより、複数の半導体発光装置201がリードフレーム基材241から切り出され、先端部212には、金型による切断面によって端面213が形成される。その後、半導体発光装置201の検査工程を実施し(S236)、さらにその後、半導体発光装置201を所定の出荷状態に整えるテーピング工程を実施する(S237)。   Next, the lead frame base material 241 is cut along the plurality of tip portions 212 arranged along a straight line (along the two-dot chain line 242) using a press machine (S235). As a result, the plurality of semiconductor light emitting devices 201 are cut out from the lead frame base material 241, and an end surface 213 is formed at the tip end portion 212 by a cut surface using a mold. Thereafter, an inspection process for the semiconductor light emitting device 201 is performed (S236), and then a taping process for adjusting the semiconductor light emitting device 201 to a predetermined shipping state is performed (S237).

この発明の実施の形態6における半導体発光装置201では、リードフレーム1は、主表面1aの周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子210を含む。リード端子210は、所定の方向に延びる先端に端面213が形成された先端部212と、主表面1aの周縁と先端部212との間に位置する基部211とを有する。リード端子210は、端面213の面積が、端面213に平行な平面における基部211の断面積よりも小さくなるように形成されている。リード端子210は、基部211で第1の幅としての幅B2を有し、先端部212で幅B2よりも小さい第2の幅としての幅B1を有する。先端部212に形成された端面213は、所定の切断用工具によって形成された切断面である。   In the semiconductor light emitting device 201 according to the sixth embodiment of the present invention, the lead frame 1 includes a lead terminal 210 that protrudes from the peripheral edge of the main surface 1a and extends in a predetermined direction. The lead terminal 210 includes a tip end portion 212 having an end face 213 formed at a tip end extending in a predetermined direction, and a base portion 211 positioned between the peripheral edge of the main surface 1a and the tip end portion 212. The lead terminal 210 is formed so that the area of the end surface 213 is smaller than the cross-sectional area of the base 211 in a plane parallel to the end surface 213. The lead terminal 210 has a width B2 as a first width at the base 211, and a width B1 as a second width smaller than the width B2 at the distal end 212. An end surface 213 formed at the tip portion 212 is a cutting surface formed by a predetermined cutting tool.

また、この発明の実施の形態6における半導体発光装置201の製造方法は、複数の半導体発光装置201が形成されたリードフレーム基材241を準備する工程と、リードフレーム基材241を先端部212で切断することによって、リードフレーム基材241から複数の半導体発光装置201を切り出す工程とを備える。   Further, in the method of manufacturing the semiconductor light emitting device 201 according to the sixth embodiment of the present invention, the step of preparing the lead frame base material 241 on which the plurality of semiconductor light emitting devices 201 are formed, A step of cutting the plurality of semiconductor light emitting devices 201 from the lead frame base material 241 by cutting.

このように構成された半導体発光装置およびその製造方法によれば、図14中のS235に示す工程において、端面213は金型による切断面として形成される。このため、端面213には、リードフレーム1の材料である銅(Cu)等の金属が露出し、この露出した金属が酸化するなどして、その部分で、はんだに対する濡れ性が低下する。しかし、本実施の形態では、端面213の面積が相対的に小さくなるようにリード端子210が形成されているため、このような影響を極力抑えることができる。また、基部211と先端部212との間に形成された段差部分221は、多く塗りすぎたはんだを貯める場所として機能するため、はんだ玉等の発生を抑制することができる。これらの理由から、本実施の形態によれば、半導体発光装置201をプリント基板などに実装する際に、リード端子210に良好なはんだ付けを行なうことができる。   According to the semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof configured as described above, in the step shown in S235 in FIG. 14, the end face 213 is formed as a cut surface by a mold. For this reason, a metal such as copper (Cu), which is the material of the lead frame 1, is exposed on the end surface 213, and the exposed metal is oxidized, so that the wettability with respect to the solder is lowered at that portion. However, in this embodiment, since the lead terminal 210 is formed so that the area of the end face 213 is relatively small, such an influence can be suppressed as much as possible. Further, the stepped portion 221 formed between the base portion 211 and the tip portion 212 functions as a place for storing excessively applied solder, so that generation of solder balls or the like can be suppressed. For these reasons, according to the present embodiment, when the semiconductor light emitting device 201 is mounted on a printed circuit board or the like, good soldering can be performed on the lead terminal 210.

また、リード端子210が基部211から先端部212に渡って一定の幅B2で形成されている場合と比較して、S235に示す工程において切断時に必要となる力を低減させることができる。これにより、金型の簡素化およびプレス機の小型化を図ることができる。また、プレス機の能力を維持したまま、一度に多量の半導体発光装置201を切り出すことができる。これにより、半導体発光装置201の生産能力を向上させることができる。   Further, compared to the case where the lead terminal 210 is formed with a constant width B2 from the base portion 211 to the distal end portion 212, the force required at the time of cutting in the step shown in S235 can be reduced. Thereby, simplification of a metal mold | die and size reduction of a press machine can be achieved. In addition, a large amount of the semiconductor light emitting device 201 can be cut out at a time while maintaining the capability of the press machine. Thereby, the production capacity of the semiconductor light emitting device 201 can be improved.

この発明に従った半導体発光装置は、第1の領域と、第1の領域の周縁に沿って延在する第2の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、第1の領域に設けられた半導体発光素子と、半導体発光素子を完全に覆うように第1の領域に設けられた第1の樹脂部材と、半導体発光素子を囲むように第2の領域に設けられた第2の樹脂部材とを備える。第1の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光に対して第1の反射率を有する。第2の樹脂部材は、半導体発光素子から発せられた光に対して第1の反射率よりも大きい第2の反射率を有する。第1の樹脂部材は、第1の頂面を含む。第2の樹脂部材は、主表面からの距離が主表面から第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、半導体発光素子が位置する側において主表面から離隔する方向に延在し、第2の頂面に連なる内壁とを含む。   A semiconductor light emitting device according to the present invention includes a lead frame having a main surface in which a first region and a second region extending along the periphery of the first region are defined, and a first region A semiconductor light emitting element provided; a first resin member provided in the first region so as to completely cover the semiconductor light emitting element; and a second resin provided in the second region so as to surround the semiconductor light emitting element. A resin member. The first resin member has a first reflectance with respect to light emitted from the semiconductor light emitting element. The second resin member has a second reflectance that is greater than the first reflectance with respect to light emitted from the semiconductor light emitting element. The first resin member includes a first top surface. The second resin member has a second top surface provided at a position where the distance from the main surface is larger than the distance from the main surface to the first top surface, and the main surface on the side where the semiconductor light emitting element is located. An inner wall extending in a separating direction and continuing to the second top surface.

このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光は、相対的に小さい反射率を有する第1の樹脂部材を透過し、第1の樹脂部材の第1の頂面から外部へと出射する。本発明では、第2の樹脂部材は、第1の頂面よりも高い位置に設けられた第2の頂面を有するため、第1の頂面上においても第2の樹脂部材の内壁が存在する。このため、第1の頂面から出射した光を相対的に大きい反射率を有する第2の樹脂部材の内壁によって反射させることができる。これにより、光の指向性を適切に制御することができ、さらには半導体発光装置から高輝度な光を取り出すことができる。また、第2の頂面よりも低い位置に第1の頂面を設けているため、半導体発光素子から発せられた光が第1の樹脂部材を透過する際に減衰することを抑制できる。このため、半導体発光装置からさらに高輝度な光を取り出すことができる。   According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the light emitted from the semiconductor light emitting element is transmitted through the first resin member having a relatively small reflectance, and the first top of the first resin member. Light exits from the surface. In the present invention, since the second resin member has the second top surface provided at a position higher than the first top surface, the inner wall of the second resin member also exists on the first top surface. To do. For this reason, the light emitted from the first top surface can be reflected by the inner wall of the second resin member having a relatively large reflectance. Thereby, the directivity of light can be appropriately controlled, and furthermore, high-luminance light can be extracted from the semiconductor light emitting device. Moreover, since the 1st top surface is provided in the position lower than a 2nd top surface, it can suppress that the light emitted from the semiconductor light-emitting element attenuate | damps when permeate | transmitting the 1st resin member. For this reason, light with higher luminance can be extracted from the semiconductor light emitting device.

また好ましくは、半導体発光装置は、半導体発光素子に接続される一方端と、主表面に接続される他方端とを有する金属線をさらに備える。第1の樹脂部材は、金属線を完全に覆うように設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、第1の樹脂部材は、半導体発光素子の配線として設けられた金属線を保護するとともに上述の効果を発揮する。   Preferably, the semiconductor light emitting device further includes a metal wire having one end connected to the semiconductor light emitting element and the other end connected to the main surface. The first resin member is provided so as to completely cover the metal wire. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the first resin member protects the metal wire provided as the wiring of the semiconductor light emitting element and exhibits the above-described effects.

また好ましくは、一方端は、線状に形成されており、他方端は、ボール状に形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、金属線を所定の位置に接続する際に、リードフレームの主表面と金属線の他方端とをボールボンディングし、半導体発光素子と金属線の一方端とをウェッジボンディングする。これにより、金属線の一方端は低ループな形態で半導体発光素子に接続される。このため、第2の頂面に対してさらに低い位置に第1の頂面を設けることができる。   Preferably, one end is formed in a line shape and the other end is formed in a ball shape. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, when the metal wire is connected to a predetermined position, the main surface of the lead frame and the other end of the metal wire are ball bonded, and one of the semiconductor light emitting element and the metal wire is formed. Wedge-bond to the end. Thus, one end of the metal wire is connected to the semiconductor light emitting element in a low loop form. For this reason, the first top surface can be provided at a lower position than the second top surface.

また好ましくは、一方端には、半導体発光素子との間で金属線を挟持するボール状の金属が設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、金属線の一方端を半導体発光素子により確実に接続することができる。これにより、半導体発光装置の信頼性を向上させることができる。   Preferably, one end is provided with a ball-shaped metal that sandwiches a metal wire with the semiconductor light emitting element. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, one end of the metal wire can be reliably connected to the semiconductor light emitting element. Thereby, the reliability of the semiconductor light emitting device can be improved.

また好ましくは、半導体発光装置は、赤、青および緑でそれぞれ発光する3つの半導体発光素子と、半導体発光素子が1つずつ設けられ、互いに離間する3つのリードフレームとを備える。リードフレームの各々は、互いに異なる方向に延在している。このように構成された半導体発光装置によれば、光を発することによって半導体発光素子に発生した熱はリードフレームへと伝わる。しかし、リードフレームの各々は異なる方向に延在しているため、熱が伝わる方向を分散することができる。これにより、半導体発光素子に発生する熱をリードフレームから効率良く放出することができる。   Preferably, the semiconductor light emitting device includes three semiconductor light emitting elements that respectively emit light in red, blue, and green, and three lead frames that are provided with one semiconductor light emitting element and are spaced apart from each other. Each of the lead frames extends in different directions. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the heat generated in the semiconductor light emitting element by emitting light is transmitted to the lead frame. However, since each of the lead frames extends in different directions, the direction in which heat is transmitted can be dispersed. Thereby, the heat generated in the semiconductor light emitting element can be efficiently released from the lead frame.

また好ましくは、青および緑でそれぞれ発光する半導体発光素子が設けられたリードフレームの主表面の面積は、赤で発光する半導体発光素子が設けられたリードフレームの主表面の面積よりも大きい。青および緑で発光する半導体発光素子と赤で発光する半導体発光素子とを比較した場合、青および緑で発光する半導体発光素子の方が発熱量が大きい。したがって、このように構成された半導体発光装置によれば、異なる色で発光する半導体発光素子から生じた熱を、リードフレームを介して均等に放熱することができる。   Also preferably, the area of the main surface of the lead frame provided with the semiconductor light emitting elements emitting blue and green respectively is larger than the area of the main surface of the lead frame provided with the semiconductor light emitting elements emitting red. When comparing a semiconductor light emitting element that emits light in blue and green with a semiconductor light emitting element that emits light in red, the semiconductor light emitting element that emits light in blue and green generates a larger amount of heat. Therefore, according to the semiconductor light emitting device configured as described above, heat generated from the semiconductor light emitting elements that emit light of different colors can be evenly dissipated through the lead frame.

また好ましくは、リードフレームは、スリット状の溝によって離間した部分を含む。その部分は他の部分の厚みよりも小さい厚みで形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、スリット状の溝の幅を小さくして離間した部分の加工を行なうことができる。これにより、その他の部分を相対的に大きい厚みで形成することができるため、リードフレームによる放熱の効率を向上させることができる。   Preferably, the lead frame includes a portion separated by a slit-like groove. That part is formed with a thickness smaller than the thickness of the other part. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, it is possible to process the separated portion by reducing the width of the slit-like groove. Thereby, since other parts can be formed with a relatively large thickness, the efficiency of heat dissipation by the lead frame can be improved.

また好ましくは、リードフレームは、同一平面上に延在する板形状に形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、リードフレームの高さを低く抑えることによって、主表面から第2の頂面までの距離を大きくして第2の樹脂部材を設けることができる。これにより、半導体発光素子から発せられる光の指向性をさらに制御しやすくできる。また、リードフレームの折り曲げ加工性を考慮せずにリードフレームを形成する材料を選択することができる。このため、熱伝導性に優れた材料からリードフレームを形成して、リードフレームによる放熱の効果を向上させることができる。   Preferably, the lead frame is formed in a plate shape extending on the same plane. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the second resin member can be provided by increasing the distance from the main surface to the second top surface by keeping the height of the lead frame low. Thereby, the directivity of the light emitted from the semiconductor light emitting element can be further easily controlled. Further, the material for forming the lead frame can be selected without considering the bending workability of the lead frame. For this reason, a lead frame can be formed from the material excellent in heat conductivity, and the heat dissipation effect by a lead frame can be improved.

また好ましくは、リードフレームは、主表面と反対側の面に形成され、かつ樹脂が充填される第1の凹部を含む。反対側の面には、第1の凹部の両側に位置して実装基板に電気的に接続される端子部が設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、実装基板がリードフレームの予定しない箇所に接触することによって発生する短絡を防止できる。これにより、端子部によって行なうリードフレームと実装基板との電気的な接続を適切に行なうことができる。   Preferably, the lead frame includes a first recess formed on a surface opposite to the main surface and filled with a resin. On the opposite surface, terminal portions that are located on both sides of the first recess and are electrically connected to the mounting substrate are provided. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, it is possible to prevent a short circuit that occurs when the mounting substrate contacts an unscheduled portion of the lead frame. Thereby, the electrical connection between the lead frame and the mounting substrate performed by the terminal portion can be appropriately performed.

また好ましくは、リードフレームは、第1の領域に形成された第2の凹部を含む。半導体発光素子は第2の凹部に設けられている。このように構成された半導体発光装置によれば、半導体発光素子から発せられた光は、第2の凹部を規定するリードフレームの側壁によっても反射される。このため、半導体発光素子から発せられる光の指向性をさらに制御しやすくできる。   Preferably, the lead frame includes a second recess formed in the first region. The semiconductor light emitting element is provided in the second recess. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, the light emitted from the semiconductor light emitting element is also reflected by the side wall of the lead frame that defines the second recess. For this reason, the directivity of the light emitted from the semiconductor light emitting element can be further easily controlled.

また好ましくは、リードフレームは、熱伝導率が300(W/m・K)以上400(W/m・K)以下の金属によって形成されている。リードフレームを形成する金属の熱伝導率が300(W/m・K)よりも小さい場合、リードフレームによる放熱の効果を十分に図ることができない。また、リードフレームを形成する金属の熱伝導率が400(W/m・K)よりも大きい場合、リードフレームを実装する際に発生する熱が半導体発光素子に伝わることによって、半導体発光素子の信頼性が低下するおそれが生じる。したがって、所定の熱伝導率を有する金属によってリードフレームが形成された本半導体発光装置によれば、半導体発光素子の信頼性を低下させることなく、リードフレームによる放熱を十分に図ることができる。   Preferably, the lead frame is made of a metal having a thermal conductivity of 300 (W / m · K) to 400 (W / m · K). When the thermal conductivity of the metal forming the lead frame is smaller than 300 (W / m · K), the effect of heat dissipation by the lead frame cannot be sufficiently achieved. In addition, when the thermal conductivity of the metal forming the lead frame is greater than 400 (W / m · K), the heat generated when the lead frame is mounted is transferred to the semiconductor light emitting element, thereby improving the reliability of the semiconductor light emitting element. There is a risk that the performance will be reduced. Therefore, according to the present semiconductor light emitting device in which the lead frame is formed of a metal having a predetermined thermal conductivity, the heat dissipation by the lead frame can be sufficiently achieved without reducing the reliability of the semiconductor light emitting element.

また好ましくは、第2の樹脂部材は、主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状の面積が、主表面から離れるに従って大きくなるように形成されている。このように構成された半導体発光装置によれば、光を効率良く前面に出射させることができる。これにより、半導体発光素子から発せられた光を高輝度で取り出すことができる。   Preferably, the second resin member is formed such that the area of the shape defined by the inner wall on a plane parallel to the main surface increases as the distance from the main surface increases. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, light can be efficiently emitted to the front surface. Thereby, the light emitted from the semiconductor light emitting element can be extracted with high luminance.

また好ましくは、主表面に平行な面上において内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである。このように構成された半導体発光装置によれば、光を効率良く前面に出射させることができるのに加えて、光の指向性を容易に制御することができる。   Preferably, the shape defined by the inner wall on a plane parallel to the main surface is any one of a circle, an ellipse and a polygon. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, light can be efficiently emitted to the front surface, and in addition, the directivity of light can be easily controlled.

また好ましくは、リードフレームは、主表面の周縁から突出して所定の方向に延びるリード端子を含む。リード端子は、所定の方向に延びる先端に端面が形成された先端部と、主表面の周縁と先端部との間に位置する基部とを有する。リード端子は、端面の面積が、端面に平行な平面における基部の断面積よりも小さくなるように形成されている。先端部に形成された端面は、所定の切断用工具によって形成された切断面である。   Preferably, the lead frame includes lead terminals that protrude from a peripheral edge of the main surface and extend in a predetermined direction. The lead terminal has a tip portion having an end surface formed at a tip extending in a predetermined direction, and a base portion located between the peripheral edge of the main surface and the tip portion. The lead terminal is formed such that the area of the end surface is smaller than the cross-sectional area of the base in a plane parallel to the end surface. The end surface formed at the tip is a cut surface formed by a predetermined cutting tool.

この発明に従った半導体発光装置に製造方法は、複数の半導体発光装置が形成されたリードフレーム基材を準備する工程と、リードフレーム基材を先端部で切断することによって、リードフレーム基材から複数の半導体発光装置を切り出す工程とを備える。   A method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present invention includes a step of preparing a lead frame base material on which a plurality of semiconductor light emitting devices are formed, and cutting the lead frame base material at a tip portion, thereby And a step of cutting out a plurality of semiconductor light emitting devices.

このように構成された半導体発光装置およびその製造方法によれば、リード端子の先端部に形成された端面は、リードフレーム基材から半導体発光装置を切り出す際の切断面から形成されている。このため、端面ではリードフレームの母材である金属が露出しており、酸化等の影響によって、はんだに対する濡れ性が劣った状態となっている。本発明では、その端面の面積が相対的に小さくなるようにリード端子が形成されているため、半導体発光装置の実装時にリード端子とはんだとの濡れ性を確保することができる。また、リードフレーム基材から半導体発光装置を切り出す工程時、より小さい力で先端部を切断することができるため、半導体発光装置の製造工程を容易にできる。   According to the semiconductor light emitting device configured as described above and the manufacturing method thereof, the end surface formed at the tip of the lead terminal is formed from a cut surface when the semiconductor light emitting device is cut out from the lead frame substrate. For this reason, the metal which is the base material of the lead frame is exposed at the end face, and the wettability with respect to the solder is inferior due to the influence of oxidation or the like. In the present invention, since the lead terminal is formed so that the area of the end face becomes relatively small, the wettability between the lead terminal and the solder can be ensured when the semiconductor light emitting device is mounted. In addition, since the tip portion can be cut with a smaller force during the step of cutting the semiconductor light emitting device from the lead frame base material, the manufacturing process of the semiconductor light emitting device can be facilitated.

また好ましくは、リード端子は、基部で第1の幅を有し、先端部で第1の幅よりも小さい第2の幅を有する。ここで第1および第2の幅とは、主表面に平行な平面上において、リード端子が延びる所定の方向に対して直角方向の長さをさす。このように構成された半導体発光装置によれば、先端部に形成された端面の面積が基部の断面積よりも小さくなる形状を実現し、上述の効果を得ることができる。また、先端部と基部との間に形成された段差をはんだ溜まりとして利用することができる。このため、半導体発光装置の実装時に、さらに良好なはんだ付けを行なうことができる。   Preferably, the lead terminal has a first width at the base portion and a second width smaller than the first width at the tip portion. Here, the first and second widths refer to lengths in a direction perpendicular to a predetermined direction in which the lead terminals extend on a plane parallel to the main surface. According to the semiconductor light emitting device configured as described above, a shape in which the area of the end surface formed at the tip portion is smaller than the cross-sectional area of the base portion can be realized, and the above-described effects can be obtained. Moreover, the level | step difference formed between the front-end | tip part and a base part can be utilized as a solder pool. For this reason, it is possible to perform better soldering when mounting the semiconductor light emitting device.

この発明に従った電子撮像装置は、上述のいずれかに記載の半導体発光装置を備える。このように構成された電子撮像装置によれば、上述に記載の効果を電子撮像装置において奏することができる。   An electronic imaging device according to the present invention includes any one of the semiconductor light emitting devices described above. According to the electronic imaging device configured as described above, the effects described above can be achieved in the electronic imaging device.

また好ましくは、半導体発光装置から所定の距離を隔てた位置に矩形形状の基準面を設けた場合に、半導体発光装置からの光が照射された基準面の四隅における照度は、基準面の中心における照度の50%以上である。このように構成された電子撮像装置によれば、半導体発光素子から発せられる光の指向性を適切に制御することによって、基準面上において明るさに大差のない所望の撮像条件を実現する。   Preferably, when a rectangular reference surface is provided at a predetermined distance from the semiconductor light emitting device, the illuminance at the four corners of the reference surface irradiated with light from the semiconductor light emitting device is at the center of the reference surface. It is 50% or more of the illuminance. According to the electronic imaging apparatus configured as described above, desired imaging conditions that are not greatly different in brightness on the reference plane are realized by appropriately controlling the directivity of light emitted from the semiconductor light emitting element.

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。   The embodiment disclosed this time should be considered as illustrative in all points and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the terms of the claims, rather than the description above, and is intended to include any modifications within the scope and meaning equivalent to the terms of the claims.

この発明の実施の形態1における半導体発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor light-emitting device in Embodiment 1 of this invention. 図1中の半導体発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor light-emitting device in FIG. 図1中のIII−III線上に沿った断面図である。It is sectional drawing along the III-III line in FIG. 樹脂部の内壁によって光が反射される様子を模式的に表わした断面図である。It is sectional drawing which represented typically a mode that light was reflected by the inner wall of the resin part. 内壁によって規定される形状の変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of the shape prescribed | regulated by an inner wall. 内壁によって規定される形状の変形例を示す別の断面図である。It is another sectional view showing a modification of the shape defined by the inner wall. この発明の実施の形態2における半導体発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor light-emitting device in Embodiment 2 of this invention. この発明の実施の形態3における半導体発光装置を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the semiconductor light-emitting device in Embodiment 3 of this invention. この発明の実施の形態4における半導体発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor light-emitting device in Embodiment 4 of this invention. この発明の実施の形態5におけるカメラ付き携帯電話を示す透視図である。It is a perspective view which shows the mobile phone with a camera in Embodiment 5 of this invention. 図10中のカメラ付き携帯電話から光を照射された基準面の照度を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the illumination intensity of the reference plane irradiated with light from the mobile phone with a camera in FIG. この発明の実施の形態6における半導体発光装置を示す平面図である。It is a top view which shows the semiconductor light-emitting device in Embodiment 6 of this invention. 図12中のXIII−XIII線上に沿った側面図である。It is a side view along the XIII-XIII line in FIG. 図12中に示す半導体発光装置の製造工程を説明するためのフローチャートである。13 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the semiconductor light emitting device shown in FIG. 図12中に示す半導体装置の製造工程を示す平面図である。FIG. 13 is a plan view showing a manufacturing process of the semiconductor device shown in FIG. 12. 従来の半導体発光装置の代表的な構造を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the typical structure of the conventional semiconductor light-emitting device.

符号の説明Explanation of symbols

1,51,52,53 リードフレーム、1a 主表面、1b 反対側の面、1m,15 溝、1t 部分、3 樹脂部、3a,6a 頂面、3b 内壁、4,71,72,73 LEDチップ、5 金線、5p 一方端、5q 他方端、6 エポキシ樹脂、9 端子部、10 第1の領域、20 第2の領域、30 凹部、84 カメラ付き携帯電話、86 半導体発光装置、96 基準面、201 半導体発光装置、210 リード端子、211 基部、212 先端部、213 端面、241 リードフレーム基材。   1, 51, 52, 53 Lead frame, 1a main surface, 1b opposite surface, 1m, 15 groove, 1t part, 3 resin part, 3a, 6a top surface, 3b inner wall, 4, 71, 72, 73 LED chip 5 gold wire, 5p one end, 5q other end, 6 epoxy resin, 9 terminal portion, 10 first region, 20 second region, 30 recess, 84 mobile phone with camera, 86 semiconductor light emitting device, 96 reference plane , 201 Semiconductor light emitting device, 210 lead terminal, 211 base, 212 tip, 213 end face, 241 lead frame base material.

Claims (6)

  1. 第1の領域と、前記第1の領域の周縁に沿って同一平面上に延在する第2の領域とが規定された主表面を有し、スリット状の溝によって離間した部分を含み、前記主表面と反対側の面に形成された第1の凹部と、前記第1の領域に形成された第2の凹部とが形成されたリードフレームと、
    前記第1の領域の前記第2の凹部に設けられた半導体発光素子と、
    前記半導体発光素子の頂面に設けられた電極と、前記半導体発光素子から離間する前記主表面とを接続する金属線と、
    前記半導体発光素子から発せられた光を透過する材料から形成され、前記半導体発光素子および前記金属線を完全に覆うように前記第1の領域に設けられた第1の樹脂部材と、
    前記半導体発光素子から発せられた光を反射するように形成され、前記半導体発光素子を囲むように前記第2の領域に設けられた第2の樹脂部材とを備え、
    前記第1の樹脂部材は、第1の頂面を含み、
    前記第2の樹脂部材は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第1の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第2の頂面と、前記半導体発光素子が位置する側において前記主表面から離隔する方向に延在し、前記第2の頂面に連なる内壁とを含み、
    前記内壁は、前記第1の頂面上において前記第1の樹脂部材によって覆われず、
    前記主表面に平行な面上において前記内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかであり、
    前記内壁は、頂点が下方に位置する円錐、楕円錐および多角錐のいずれかを想定した場合に、これらの錐体の底面から頂点に向かって延在する錐体の側壁の形状を有する、半導体発光装置。
    A first region, having a main surface and a second region defined that extends on the same plane along the periphery of the first region, viewed including the portion separated by the slit-like groove, A lead frame formed with a first recess formed on the surface opposite to the main surface and a second recess formed in the first region ;
    A semiconductor light emitting element provided in the second recess of the first region;
    A metal wire connecting the electrode provided on the top surface of the semiconductor light emitting element and the main surface spaced from the semiconductor light emitting element;
    A first resin member formed of a material that transmits light emitted from the semiconductor light emitting element and provided in the first region so as to completely cover the semiconductor light emitting element and the metal wire;
    A second resin member formed so as to reflect light emitted from the semiconductor light emitting element and provided in the second region so as to surround the semiconductor light emitting element;
    The first resin member includes a first top surface,
    The second resin member has a second top surface provided at a position where a distance from the main surface is larger than a distance from the main surface to the first top surface, and the semiconductor light emitting element is positioned. An inner wall extending in a direction away from the main surface on the side and continuing to the second top surface;
    The inner wall is not covered with the first resin member on the first top surface,
    The shape defined by the inner wall on a plane parallel to the main surface is one of a circle, an ellipse, and a polygon,
    The inner wall has a shape of a side wall of a cone extending from the bottom surface of these cones toward the vertex when assuming any one of a cone, an elliptical cone, and a polygonal cone whose apex is located below. Light emitting device.
  2. 前記スリット状の溝によって離間した部分は、前記半導体発光素子から発せられた光を反射する樹脂により充填されている、請求項1に記載の半導体発光装置。   2. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein a portion separated by the slit-like groove is filled with a resin that reflects light emitted from the semiconductor light emitting element.
  3. 前記内壁の表面にめっきが施されている、請求項1または2に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein the surface of the inner wall is plated.
  4. 前記第2の樹脂部材は、白色のポリアミド系樹脂である、請求項1から3のいずれか1項に記載の半導体発光装置。   4. The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the second resin member is a white polyamide-based resin. 5.
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載の半導体発光装置を備える、電子撮像装置。   An electronic imaging device comprising the semiconductor light-emitting device according to claim 1.
  6. 前記半導体発光装置から50cm隔てた位置に、縦60cm、横50cmの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、前記半導体発光装置から前記基準面の中心に向けて光が照射された時、前記基準面の四隅における照度は、前記基準面の中心における照度の50%以上である、請求項5に記載の電子撮像装置。   When a rectangular reference surface having a size of 60 cm in length and 50 cm in width is provided at a position 50 cm away from the semiconductor light emitting device, light is irradiated from the semiconductor light emitting device toward the center of the reference surface. The electronic imaging device according to claim 5, wherein the illuminance at the four corners of the reference plane is 50% or more of the illuminance at the center of the reference plane.
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