JP4013888B2 - 電気光学装置用基板の製造方法、および、電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、反射層の表面を粗面とすることによって反射光を散乱させる技術に関する。

いわゆる反射型の液晶表示装置においては、液晶を保持する基板の板面上に光反射性を有する反射層が形成される。そして、観察側から入射した太陽光や室内照明光などの外光は反射層の表面にて反射され、この反射光が画像の表示に供される。この構成において反射層の表面が完全な平面であるとすれば、液晶表示装置に対する入射光が反射層の表面にて鏡面反射されて観察者に視認されることとなる。この場合には本来の表示画像のほかに液晶表示装置の表示面に対向する人や物の画像が視認されることとなって表示が見づらくなるという問題があった。

このような背景の映り込みを防止するために、反射層の表面には多数の微細な突起および窪み（以下「散乱構造」という）が形成される。この構成によれば反射層の表面における反射光は適度に散乱して観察側に出射するから背景の映り込みを防止することができる。特許文献１には、この散乱構造を形成するための方法が開示されている。この方法においては、第１に、多数の微細な樹脂片が基板の板面上に分散して形成され、第２に、これらの突起と基板の板面との段差を滑らかにするために各突起を覆う膜体が設けられ、第３に、この膜体を覆うように反射層が形成される。

特開２００３−７５９８７号公報（段落００７３および段落００７４ならびに図１２）

しかしながら、この方法においては、多数の微細な樹脂片を基板上に形成する工程のほかに各突起を覆う膜体を形成する工程が必要となるため、製造工程が煩雑化するとともに製造コストが嵩むという問題が生じ得る。この問題を解消するための方策としては、膜体を形成することなく、各樹脂片を直接に覆うように反射層を形成することも考えられる。しかしながら、この方法を用いた場合には、各樹脂片間に露出する基板の板面と各樹脂片の頂上部の平坦面とを反映した平坦面が反射層の表面に現れるため、光を散乱させる効果（以下「光散乱効果」という）が充分に得られないという問題が生じ得る。本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、簡易な製造工程によって良好な光散乱効果を有する反射層を得ることにある。

上記課題を解決するために、本発明は、膜体の表面を複数の突起が形成された粗面とするための露光処理に用いられるマスクにおいて、膜体のうち粗面とされるべき被加工領域の外側の領域に向かう光を透過させる透光領域と、被加工領域に向かう光を遮る複数の領域であって各々の平面形状が略扁円形または外接円が扁円形となる略多角形である複数の遮光領域と、被加工領域に向かう光を透光領域よりも低い光透過率にて透過させる半透過領域とを設けたことを特徴としている。なお、本発明における「扁円形」とは、正円形を除く長尺状の円形であり、楕円形のほか、長方形または正方形の対辺の各々にこれを直径とする半円形が付加された形状（図１６参照）など種々の形状を含む概念である。

本発明に係る露光用マスクは膜体の被加工領域の外側の領域と対向するように透光領域を有するから、この領域を透過した光を膜体の厚さ方向の全部にわたって作用させることができる。その一方、露光用マスクのうち被加工領域と対向させられる領域は、複数の遮光領域と半透過領域とを含んでいる。この構成によれば、光源から膜体の被加工領域に向かう光のうち半透過領域を透過する光量が制限されるから、透光領域を透過した光を膜体の厚さ方向の全部にわたって作用させるのに充分な光量を光源から照射したとしても、被加工領域については厚さ方向の一部のみに対して選択的に光を作用させることができる。このため、膜体のうち光が作用した部分を現像により除去しても被加工領域は完全には除去されないから、膜体が設けられた基板の表面が被加工領域において露出することはない。したがって、この露光用マスクを用いた露光処理を経て膜体から得られた下地層を用いた電気光学装置用基板（反射基板）は、基板の平坦面を反映した平坦面を含まず良好な光散乱効果を発揮する。しかも、本発明に係る露光用マスクによれば、膜体のうち被加工領域の外側の領域と、被加工領域のうち粗面の窪みとなるべき領域とを共通の工程にて一括して露光することができる。

ところで、本発明に係る露光用マスクのように複数の遮光領域が設けられた構成のもとでは、各遮光領域の周縁近傍を経由して膜体に向かう光源からの光が当該遮光領域の周縁において回折したうえで膜体に到達する。ここで、各遮光領域の平面形状が正円形または外接円が正円形となる多角形である露光用マスク（以下「対比例」という）を露光に用いた場合には、その遮光領域の全周縁にわたる回折光が膜体の狭小な領域（すなわち膜体のうち遮光領域と重なる領域の中央部）に略同一の位相にて集中的に到達して相互に強め合う。この場合には、回折光が集中した部分、すなわち膜体のうち粗面の突起の頂上部となるべき部分に対して強い光が作用することとなるから、その後の現像によって得られた粗面は、各突起の頂上部に深い窪みが形成されたものとなる。ここで、各突起の頂上部が窪みのない平坦面である場合には、その突起の頂上部を覆う反射層の表面において鏡面反射が生じるために良好な光散乱特性を得るには限界がある。したがって、良好な光散乱効果を得るためには粗面における各突起の頂上部には窪みが設けられることが望ましい。しかしながら、本願発明者による試験の結果、上記対比例に係る露光用マスクを用いた場合には各突起の頂上部の窪みが深くなり過ぎ、かえって光散乱効果が低下するという知見を得るに至った。本発明は、このような知見に基づき、遮光領域の平面形状が略扁円形または外接円が扁円形となる略多角形とされていることを特徴としている。この構成によれば、各遮光領域の周縁における回折光は、上記対比例に係る露光用マスクを用いたときに回折光が集中する領域の面積よりも広い領域にわたって分散して膜体に到達する。この結果、膜体のうち粗面の突起の頂上部となるべき部分に作用する光の強度は、上記対比例に係る露光用マスクを用いた場合と比較して弱められるから、現像後に得られる各突起の頂上部の窪みが深くなり過ぎるのを抑えることができる。したがって、本発明に係る露光用マスクによれば良好な光散乱効果を有する電気光学装置用基板を作成することができる。

なお、本発明においては、各遮光領域の全周縁にわたって半透過領域が接する構成としてもよいが、透光領域と略同一の光透過率にて光を透過させる周辺透光領域が各遮光領域と半透過領域との間に介在する構成としてもよい。この構成によれば、各遮光領域の周縁において回折して膜体に到達する回折光の光量を確実に確保することができるから、粗面における突起の頂上部に所期の深さの窪みをより確実に形成することができる。なお、この態様のもとで周辺透光領域を透過して各遮光領域の周縁にて回折する光量（換言すると、粗面における突起の頂上部に形成される窪みの深さ）は、周辺透光領域における遮光領域の周縁との接触部分の長さに応じて調整される。したがって、周辺透光領域の態様は、粗面における突起の頂上部に形成されるべき窪みの深さに応じて適宜に選定されることが望ましい。すなわち、各遮光領域の全周縁に接するように周辺透光領域を設けた構成や、各遮光領域の周縁に対して部分的に接するように周辺透光領域を設けた構成が採用され得る。このうち前者の構成によれば、後者の構成と比較して遮光領域の周縁における回折光の光量を多くすることができるから、粗面における突起の頂上部に深い窪みを形成することができる。換言すると、後者の構成によれば、前者の構成と比較して、粗面における突起の頂上部に形成される窪みの深さを抑えることができる。

なお、膜体のうち被加工領域の外側の領域を完全に除去するためには光源から充分な光量を照射する必要がある。このような露光工程に用いられる露光用マスクにおいて半透過領域の光透過率が比較的高いとすれば、半透過領域を透過して被加工領域に至る光量が多くなり、膜体の厚さ方向の全部にわたって光が作用する（光分解する）可能性がある。しかしながら、上述したように被加工領域が完全に除去されると基板の板面が露出して光散乱効果の低下の原因となり得る。この不具合を防止するために、半透過領域の光透過率は透光領域の光透過率よりも充分に低いことが望ましい。本願発明者による試験によれば、光源からの照射光に対する半透過領域の光透過率を１０％（パーセント）以上４０％以下とすることによって特に良好な光散乱効果を実現し得る粗面が形成されるという知見を得るに至った。したがって、本発明に係る露光用マスクのうち半透過領域の光透過率は１０％以上４０％以下とされることが望ましい。

なお、透光領域よりも低い光透過率を有するものであれば、半透過領域の具体的な構成は任意である。例えば、遮光性を有する膜体を極めて薄く形成すれば、この薄膜に照射される光の一部は吸収または反射される一方、他の一部は当該薄膜を透過する。このように遮光性を有する薄膜を形成した領域が半透過領域とされ得る。あるいは、遮光性を有する複数の微小遮光領域と透光性を有する複数の微小透光領域とが面上に配列された領域を半透過領域としてもよい。この構成によれば、光源から出射した光の一部を微小遮光領域によって遮光する一方、他の一部を微小透光領域から透過させることができる。各微小遮光領域と各微小透光領域との配置の態様は任意であるが、半透過領域を透過して膜体に到達する光量を半透過領域内において均一化するという観点からすると、各微小遮光領域と各微小透光領域とが第１の方向と第２の方向とにわたって互い違いに配置された領域（すなわち市松模様状の領域）を半透過領域として用いることが望ましい。この構成においては、各微小透光領域の透過光がこれに隣り合う微小遮光領域の周縁において回折して相互に干渉し合うのを防止するために、各微小遮光部および各微小透光領域の各辺の長さが２．０μm（マイクロメートル）以下であることが望ましく、さらに好ましくは１．５μm以下とされる。この態様のほかに、それぞれ第１の方向に延在する各微小遮光領域と各微小透光領域とが第１の方向に直交する第２の方向に交互に配置された領域（すなわち微小遮光領域と微小透光領域とがストライプ状に配列された領域）を半透過領域としてもよい。この構成においても、回折光の干渉を防止するために各微小遮光領域および各微小透光領域の幅は２．０μｍ以下であることが望ましく、さらに好ましくは１．５μｍ以下とされる。

また、複数の遮光領域が余りに密集していたり極端に疎らである場合には、露光後の現像により得られる粗面の平坦度が増大し、このため粗面上の反射層の光散乱効果が低下しかねない。そこで、露光用マスクの全体面積（加工対象たる膜体に対向する板面全体の面積）に占める複数の遮光領域の合計面積の割合は３０％以上６０％以下であることが望ましい。

ところで、膜体の粗面上に設けられた反射層の表面に至った光は、その反射層の表面に形成された突起の斜面（側面）にて主に散乱させられる。したがって、複数の遮光領域の長手方向を略同一方向とすれば、例えば、表示面の左右方向および上下方向の一方において広い視野角にわたる明るい表示が実現される。

本発明は、以上に説明した露光用マスクを用いて電気光学装置用基板を製造する方法としても特定され得る。この方法は、表面が粗面である下地層と当該下地層の粗面上に設けられた反射層とを具備する電気光学装置用基板を製造する方法において、感光性材料により膜体を形成する膜体形成工程と、各々の平面形状が略扁円形または外接円が扁円形となる略多角形である複数の遮光領域を有する露光用マスクを介して膜体を露光する工程であって、粗面の突起となるべき領域に向かう光源からの光を露光用マスクの各遮光領域によって遮るとともに、これ以外の領域に向かう光源からの光を露光用マスクの半透過領域を透過させることによって膜体の厚さ方向の一部のみに当該光を作用させる露光工程と、露光工程において光が作用した部分を現像により除去して下地層を形成する現像工程と、現像工程により得られた下地層の粗面上に光反射性を有する反射層を形成する反射層形成工程とを有する。この製造方法によれば、本発明に係る露光用マスクについて上述したのと同様の理由により、良好な光散乱効果を有する電気光学装置用基板が簡易な工程によって製造される。なお、この方法のうち露光工程においては、露光用マスクにおける各遮光領域の周縁に接する周辺透光領域を透過した光を各遮光領域の周縁にて回折させ、この回折光を突起の頂上部となるべき部分に作用させることが望ましい。

本発明に係る製造方法によって得られた電気光学装置用基板の反射層に対向するように電気光学物質を配置することによって電気光学装置が製造される。この製造方法によれば、背景の映り込みが抑制されて良好な表示品位を有する電気光学装置が簡易な工程によって製造される。なお、本発明における電気光学物質とは、電圧の印加や電流の供給といった電気的な作用を光透過率や輝度の変化といった光学的な特性の変化に変換する物質である。電気光学物質の典型的な例としては液晶が挙げられるが、本発明の適用され得る範囲はこれに限定されない。

一方、本発明に係る電気光学装置用基板は、各々の頂上面に窪みが設けられるとともに平面形状が略扁円形である複数の突起を表面に有する下地層と、下地層のうち複数の突起を有する表面上に設けられた光反射性を有する反射層とを具備する。この電気光学装置用基板によれば、下地層の粗面における各突起の頂上部に窪みが形成されているから反射層の表面における平坦部の割合が抑えられ、この結果として良好な光散乱効果が得られる。なお、この電気光学装置用基板の下地膜は、例えば、本発明に係る露光用マスクを用いて膜体を露光した後に現像することによって得られる。

また、本発明に電気光学装置用基板は電気光学装置の基板として用いられる。すなわち、本発明に係る電気光学装置は、相互に対向して電気光学物質を挟む第１基板および第２基板と、第２基板のうち電気光学物質に対向する板面上に設けられた層であって、各々の頂上面に窪みが設けられるとともに平面形状が略扁円形である複数の突起を表面に有する下地層と、下地層のうち複数の突起を有する表面上に設けられて第１基板側からの入射光を反射させる反射層とを具備する。この電気光学装置によれば、第１基板側からの入射光を反射層によって良好に散乱させたうえで反射して第１基板側に出射させることができるから、背景の映り込みを抑えた良好な表示品位が得られる。さらに、本発明は、この電気光学装置を表示装置として備える電子機器としても特定される。この種の電気光学装置としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなど種々の電気光学装置が考えられる。

以上に説明したように、本発明によれば、簡易な製造工程によって良好な光散乱効果を有する反射層が得られる。

図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。以下では電気光学物質として液晶を用いた液晶表示装置に本発明を適用した形態を例示するが、本発明が適用され得る範囲をこれに限定する趣旨ではない。また、以下に示す各図面においては、説明の便宜のために各構成要素の寸法や比率を実際のものとは異ならせてある。

＜Ａ：液晶表示装置の構成＞
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図であり、図２は、この液晶表示装置の一部を拡大して示す斜視図である。図２におけるＩ−Ｉ線からみた断面図が図１に相当する。これらの図に示されるように、液晶表示装置１００は、略長方形の枠状に成形されたシール材３４を介して相互に対向するように配置された第１基板１０と第２基板２０とを有する。これらの基板はガラスやプラスチックなどの光透過性を有する材料からなる板状またはフィルム状の部材である。両基板とシール材３４とによって囲まれた空間には例えばＴＮ（Twisted Nematic）型の液晶３５が封止されている。以下では、図１および図２に示されるように、液晶３５からみて第１基板１０側を「観察側」と表記する。すなわち、液晶表示装置１００による表示画像を視認する観察者が位置する側という意味である。これに対し、液晶３５からみて第２基板２０側を「背面側」と表記する。第１基板１０のうち観察側の板面上には、表示画像のコントラストを改善するための位相差板３１１や入射光を偏光させる偏光板３１２が貼着されており、第２基板２０のうち背面側の板面上には同様の位相差板３２１と偏光板３２２とが貼着されている（図２においては図示略）。また、第２基板２０は第１基板１０の周縁から張り出した部分（以下「張出部」という）２０ａを有する。この張出部２０ａには、液晶表示装置１００を駆動するための回路を備えたＩＣチップ３８がＣＯＧ（Chip On Glass）技術により実装されている。

第１基板１０のうち液晶３５と対向する板面上には複数の画素電極１１がＸ方向およびＹ方向にわたってマトリクス状に配置されている。各画素電極１１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの光透過性を有する導電性材料からなる略矩形状の電極である。Ｘ方向に隣接する画素電極１１同士の間隙にはＹ方向に延在する走査線１２が形成されている。各画素電極１１はＴＦＤ（Thin Film Diode）素子１３を介して走査線１２に接続されている。このＴＦＤ素子１３は、非線形な電流−電圧特性を有する二端子型スイッチング素子である。これらの各要素が形成された第１基板１０の板面は、ラビング処理が施された配向膜１４によって覆われている（図２では図示が省略されている）。

一方、第２基板２０のうち液晶３５と対向する板面上には、Ｘ方向に延在する複数のデータ線２７が形成されている。各データ線２７は、画素電極１１と同様にＩＴＯなどの光透過性を有する導電性材料からなる電極であり、第１基板１０上においてＸ方向に列をなす複数の画素電極１１と対向する。これらのデータ線２７が形成された第２基板２０の板面は配向膜１４と同様の配向膜２８によって覆われている。この構成のもと、第１基板１０と第２基板２０とによって挟まれた液晶３５は、各画素電極１１とこれに対向するデータ線２７との間にＩＣチップ３８から印加される電圧に応じて配向方向が変化する。図２に示されるように、この配向方向が変化する領域（以下「サブ画素」という）Ｇsの各々には赤色、緑色および青色のいずれかが割り当てられている。

また、第２基板２０のうち液晶３５と対向する板面上には、下地層２１と反射層２２とカラーフィルタ２４と絶縁層２６とが第２基板２０側からこの順番に積層されている。上述したデータ線２７および配向膜２８は絶縁層２６の表面上に形成されている。カラーフィルタ２４は、各サブ画素Ｇsに対応して設けられた樹脂層であり、顔料や染料によって各サブ画素Ｇsの色に着色されている。赤色、緑色および青色の３色のカラーフィルタ２４に対応するサブ画素Ｇsによって、表示画像の最小単位である画素が構成される。また、各色のカラーフィルタ２４の間隙（すなわち隣り合うサブ画素Ｇs同士の間隙）には遮光層２５が形成されている。この遮光層２５は、カーボンブラックが分散された樹脂材料やクロムなどの遮光性を有する金属材料により形成されて各サブ画素Ｇsの間隙を遮光する役割を担っている。また、絶縁層２６は、エポキシ系やアクリル系といった各種の樹脂材料によってカラーフィルタ２４と遮光層２５とを覆うように形成された膜体である。この絶縁層２６は、カラーフィルタ２４と遮光層２５との段差を平坦化する役割と、カラーフィルタ２４の顔料や染料が液晶３５に染み出すのを防ぐ役割とを担っている。

一方、下地層２１は、第２基板２０の板面上に設けられた膜体であり、アクリル系やエポキシ系といった感光性を有する樹脂材料からなる。この下地層２１は、第２基板２０の表面うちシール材３４によって囲まれた領域内のみに選択的に設けられており、ＩＣチップ３８が実装される張出部２０ａには存在しない。ここで、張出部２０ａを含む第２基板２０の全面にわたって下地層２１が形成された構成（すなわち下地層２１の表面上にＩＣチップ３８が実装された構成）のもとでは、ＩＣチップ３８に外力が作用したときに下地層２１がＩＣチップ３８とともに第２基板２０から剥離しやすいという問題がある。これに対し、本実施形態のように張出部２０ａにおいて下地層２１が完全に除去された構成（すなわちＩＣチップ３８が下地層２１を介することなく第２基板２０上に実装された構成）によれば、このような問題を回避できるという利点がある。

また、図１および図２に示されるように、この下地層２１のうち各サブ画素Ｇsの中央付近に相当する部分には当該下地層２１を厚さ方向に貫通する開口部２１１が設けられている。一方、反射層２２は、アルミニウムや銀などの単体金属やこれらの金属を主成分として含む合金など光反射性を有する材料により下地層２１の表面上に形成された薄膜であり、下地層２１の開口部２１１に対応するように開口した透光部２２１を有する。したがって、下地層２１および反射層２２に積層された各カラーフィルタ２４の一部は、反射層２２の透光部２２１と下地層２１の開口部２１１を介して第２基板２０の表面に至る。以上に説明した構成のもと、液晶表示装置１００の背面側から第２基板２０に入射したバックライトユニットからの出射光は、下地層２１の開口部２１１と反射層２２の透光部２２１とを通過したうえでカラーフィルタ２４および液晶３５を透過し、さらに第１基板１０を透過して観察側に出射する。このように液晶表示装置１００の背面側から観察側への透過光によって透過型表示が実現される。一方、液晶表示装置１００の観察側から第１基板１０に入射した室内照明光や太陽光などの外光は、液晶３５とカラーフィルタ２４とを透過して反射層２２の表面に到達し、この表面において反射させられて第１基板１０から観察側に出射する。このように反射層２２による反射を経て観察側に出射する光によって反射型表示が実現される。

ここで、反射層２２の表面が完全な平面であるとすれば液晶表示装置１００に対する観察側からの入射光が反射層２２の表面において鏡面反射することになるため、液晶表示装置１００の表示面に対向する背景の画像が表示画像に映り込むといった問題が生じ得る。この問題を解消するために、本実施形態における反射層２２の表面には反射光を適度に散乱させるための散乱構造が形成されている。さらに詳述すると、下地層２１の表面は多数の微細な突起（凸部）が形成された粗面となっており、この粗面上に薄膜状に形成された反射層２２の表面には当該下地層２１の粗面を反映した微細な起伏（すなわち散乱構造）が現れているのである。図３（ａ）は、下地層２１の粗面におけるひとつの突起２１３を拡大して示す平面図であり、図４は下地層２１の表面を第２基板２０の板面に垂直な方向からみたときの各突起２１３の配列の態様を示す平面図である。これらの図に示されるように、各突起２１３を平面的にみたときの外形は略扁円形（本実施形態においては略楕円形）である。また、図４に示されるように、各突起２１３は、下地層２１の全面にわたってランダムな位置に分散して形成されている。さらに、本実施形態においては、各突起２１３を平面的にみたときの扁円形の長手方向（例えば楕円形の長軸方向）が表示面の上下方向たるＸ方向を向くように、下地層２１の表面に複数の突起２１３が設けられている。

一方、図３（ｂ）は同図（ａ）におけるIIIb−IIIb線からみた断面図であり、図３（ｃ）は同図（ａ）におけるIIIc−IIIc線からみた断面図である。ただし、図３（ｂ）および（ｃ）においては下地層２１に加えて反射層２２も図示されている。これらの図に示されるように、突起２１３のうち第１基板１０側に最も突出した部分である頂上部２１３ａから下地層のうち突起２１３以外の部分（以下「窪み」という）２１４までの距離を突起２１３の高さＨとすると、各突起２１３の高さＨは下地層２１の厚さ（第２基板２０との接触面と突起２１３の頂上部２１３ａとの距離）Ｔよりも小さくなっている。換言すれば、下地層２１表面の窪み２１４の深さ（すなわち各突起２１３の高さＨ）は、その窪み２１４の底部において第２基板２０が露出しないように選定されている。

さらに、図３（ｂ）および同図（ｃ）に示されるように、各突起２１３における頂上部２１３ａには窪み（凹部）２１３ｂが形成されている。この窪み２１３ｂは、各突起２１３の長手方向に沿うように長尺状に形成されている。各窪み２１３ｂの深さＤは突起２１３の高さＨよりも小さい。本実施形態における下地層２１の表面はこのような粗面とされているため、その表面上に形成された反射層２２の表面には、図３（ｂ）および（ｃ）４に示されるように各々の頂上部に窪みを有する多数の微細な突起２２３が形成されることとなる。ここで、反射層２２の散乱構造を構成する各突起２２３の頂上部が平坦面であるとすれば、観察側からの入射光は当該平坦面において鏡面反射することになるから、背景の映り込みを回避するために充分な光散乱効果は必ずしも得られない。これに対し、本実施形態に係る散乱構造によれば、反射層２２による反射光を各突起２２３の頂上部の窪みにおいても散乱させることができるから、背景の映り込みを完全に回避し得る良好な光散乱効果が得られる。

ところで、反射層２２の表面に至った光は、その反射層２２の表面に形成された突起２２３の斜面（側面）にて主に散乱させられることとなる。一方、本実施形態においては下地層２１の突起２１３の長手方向がＸ方向に向けられているため、図４に示されるように、Ｘ方向に配置された突起２１３の数はＹ方向に配置された突起２１３の数よりも多い。したがって、反射層２２の表面の突起２２３をＸ方向およびＹ方向の各々に沿うようにみると、Ｙ方向を向く斜面の数がＸ方向を向く斜面の数よりも多い。したがって、本実施形態においては、反射層２２３の表面にてＹ方向に散乱する光量がＸ方向に散乱する光量よりも多くなる。いま、Ｘ方向は表示面の上下方向と一致するから、本実施形態においては表示面の左右方向（すなわちＹ方向）における広い視野角にわたって明るい表示が実現されることとなる。一方、Ｘ方向を表示面の左右方向とすれば、表示面の上下方向における広い視野角にわたって明るい表示が実現される。このように、下地層２１における各突起２１３の長手方向は、液晶表示装置１００において広い視野角が要求される方向に応じて適宜に選定されることが望ましい。なお、ここでは総ての突起２１３の長手方向が一方向（Ｘ方向）に向けられた構成を例示したが、図５に示されるように、長手方向がＸ方向に向けられた突起２１３とＹ方向に向けられた突起２１３とを下地層２１の表面において混在させる構成としてもよい。この構成のもとでは、長手方向がＸ方向に向けられた突起２１３の数とＹ方向に向けられた突起２１３の数との比率に応じて、表示面における上下方向および左右方向の視野角特性を適宜に調整することができる。

＜Ｂ：液晶表示装置の製造方法＞
次に、第２基板２０上に下地層２１と反射層２２とを形成する工程に特に着目しながら、本実施形態に係る液晶表示装置１００の製造方法を説明する。図６は、各製造工程における第２基板２０上の要素の構成を示す工程図（図１に示された断面に相当する）である。

まず、図６（ａ）に示されるように、下地層２１となる膜体５１が第２基板２０上の板面上に形成される。この膜体５１は、感光性を有するポジ型の樹脂材料をスピンコート法などの方法によって第２基板２０上に塗布することによって得られる。次いで、この膜体５１を減圧環境下において乾燥させたうえで、８５℃から１０５℃の範囲の温度にて加熱（プリベーク）する。

この後、図６（ｂ）に示されるように、膜体５１がマスク（以下「露光用マスク」という）７を介して露光される。より具体的には、膜体５１の表面から６０μｍ程度の間隔（プロキシミティギャップ）をあけて露光用マスク７が配置されたうえで、膜体５１に対して光源からの出射光（例えばｉ線）が照射される。図６（ｂ）に示されるように、本実施形態においては、膜体５１のうち下地層２１として残されるべき領域（以下「被加工領域」という）５１１の外側の領域（すなわちシール材３４の外側に位置する領域である。以下「周辺領域」という）５１３と、下地層２１の開口部２１１に相当する領域５１５と、被加工領域５１１のうち下地層２１の表面において窪み２１４となるべき領域とが一括して露光される。ここで、図７は、この露光によって光分解する部分を示す図である。同図においては、被加工領域５１１と周辺領域５１３との境界の近傍が拡大して示されており、ハッチングが施された領域が露光により光分解した部分に相当している。図６および図７に示されるように、本実施形態においては、周辺領域５１３と開口部２１１に相当する領域５１５とについては膜体５１が厚さ方向の全部にわたって光分解する一方、下地層２１の窪み２１４となるべき領域５１７については膜体５１の厚さ方向における一部分のみが光分解する。なお、この露光工程において用いられる露光用マスク７の具体的な構成については後に詳述する。

次いで、膜体５１に対して現像が施される。この現像により、図６（ｃ）に示されるように、膜体５１のうち露光により光分解した部分が選択的に除去される。続いて、１２０℃から１３０℃の範囲の温度にて膜体５１が加熱（メルトベーク）される。この工程により、膜体５１の表層部分のみが部分的に溶融し、現像により膜体５１表面に現れた凹凸の角部分が丸められる。この後、２２０℃程度の温度にて膜体５１が焼成（ポストベーク）される。これらの工程により、図６（ｄ）に示されるように、膜体５１全体の表面形状が確定されて下地層２１が得られる。ここで、現像後における膜体５１の加熱を２つの段階に分けて実行するのは、仮に現像後の膜体５１を直ちに２２０℃程度の温度に加熱すると、その表面の凹凸が過度に溶融して平坦部の多い表面となり、その結果として反射層２２の光散乱効果が損なわれるからである。つまり、ポストベークに先立って１２０℃から１３０℃の範囲にて膜体５１を加熱する工程は、膜体５１の表面形状を所期の形状に維持および安定させるための工程であると言える。

次いで、図６（ｅ）に示されるように、透光部２２１を有する反射層２２が下地層２１の表面上に形成される。すなわち、光反射性を有する材料からなる薄膜がスパッタリングなどの成膜方法によって下地層２１の表面上に形成され、この薄膜がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によってパターニングされることによって反射層２２が得られる。上述したように、この反射層２２の表面には下地層２１の粗面を反映した散乱構造が形成される。

続いて、カラーフィルタ２４および遮光層２５が形成され、これらを覆うように絶縁層２６が形成される。さらに、絶縁層２６の表面上にデータ線２７が形成された後、ポリイミドなどの有機薄膜によって配向膜２８が形成されてラビング処理が施される。一方、第１基板１０上の各要素は公知である各種の技術によって製造され得る。次いで、以上の工程を経た第１基板１０と第２基板２０とが互いの配向膜１４および２８を対向させた状態でシール材３４を介して貼り合わされる。さらに、両基板とシール材３４とによって囲まれた空間に液晶３５が封入され、この空間が封止材（図示略）によって封止される。この後、位相差板３１１および３２１や偏光板３１２および３２２が第１基板１０および第２基板２０にそれぞれ貼着されるとともに第２基板２０の張出部２０ａにＩＣチップ３８が実装されて、図１に示される液晶表示装置１００が得られる。

＜Ｃ：露光用マスクの構成＞
次に、図６（ｂ）の露光工程（以下では単に「露光工程」という）において用いられる露光用マスク７の構成を説明する。図８は露光用マスク７の構成を示す平面図である。同図に示されるように、本実施形態における露光用マスク７は平面的にみると第１領域７１と第２領域７２とに区分される。このうち第１領域７１は、露光工程において膜体５１の周辺領域５１３（すなわち下地層２１を構成しないものとして現像により除去される領域）に対向させられる領域である。一方、第２領域７２は、露光工程において膜体５１の被加工領域５１１に対向させられる領域である。この第２領域７２は、ランダムな位置に分散して配置された多数のドット状の領域（以下「ドット領域」という）７２１と、下地層２１の開口部２１１に対応する領域（以下「開口形成領域」という）７２４とを含んでいる。各ドット領域７２１は、下地層２１表面の突起２１３に対応する領域である。

次に、図９は露光用マスク７の構成を示す断面図である。同図に示すように断面構造に着目すると、露光用マスク７は、基材７０と、この基材７０の板面上に形成された遮光部８４および半透過部８６とを有する。このうち基材７０は、光源からの照射光の略総てを透過させる板状の部材である。すなわち、露光処理における光源からの出射光に対する基材７０自体の光透過率は約１００％である。これに対し、遮光部８４は、光源からの照射光の略総てを遮光（吸収または反射）する膜体であり、例えばクロム（Ｃｒ）などの遮光性を有する材料によって形成される。一方、半透過部８６は、光源からの照射光を基材７０よりも低い光透過率にて透過させる部分である。すなわち、半透過部８６は、光源からの出射光の一部のみを透過させる一方、他の一部は遮光（吸収または反射）する。この半透過部８６の具体的な形態としては、以下に示すハーフトーンおよびグレートーンの何れかが採用され得る。

ハーフトーンは、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）やモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉまたはＭｏＳｉ_２）といった遮光性を有する材料からなる。これらの材料が基材７０に薄膜状に形成されることにより、光源からの照射光の一部のみが透過して膜体５１に到達する一方、他の一部は遮光される。

一方、グレートーンは、多数の微細な遮光部（以下「微小遮光部」という）と多数の微細な透光部（以下「微小透光部」という）とを基材７０上に面状に配列してなる。このうち各微小遮光部は、遮光部８４と共通の工程にて形成される部分であり、光源からの照射光の略総てを遮光する。これに対し、各微小透光部は、基材７０上が露出した部分（すなわち遮光性を有する部材が設けられていない部分）であり、したがって光源からの照射光の略総てを透過させる。これらの各領域が面状に混在して配列されるため、光源からの照射光の一部は微小透光部を透過して膜体５１に到達する一方、他の一部は微小遮光部によって遮光される。このグレートーンを採用した半透過部８６においては、透過光の強度が半透過部８６の面内にわたって略均一となるように、微小遮光部と微小透光部とが半透過部８６の面内において分散して配置されることが望ましい。図１０および図１１は、各微小遮光部と各微小透光部との望ましい配列の態様を示す平面図である。

図１０においては、略正方形状の微小遮光部８６１と、同じく略正方形状の微小透光部８６２とが、相互に直交するｘ方向およびｙ方向にわたって互い違いに（すなわち微小遮光部８６１同士または微小透光部８６２同士が隣接しないように）配置された態様が例示されている。ここで、各微小遮光部８６１および各微小透光部８６２の各辺の長さによっては、微小透光部８６２を透過した光が微小遮光部８６１の周縁にて回折して相互に干渉し、この結果、被加工領域５１１に対して所期の光量を照射することが妨げられ得る。この問題を解消するために、各微小遮光部８６１および各微小透光部８６２の各辺の長さＬは１．０μｍ以上２．０μｍ以下とすることが望ましく、１．５μｍ以下とすることがさらに好ましい。

一方、図１１においては、ｙ方向に延在する線状の微小遮光部８６５と、同じくｙ方向に延在する線状の微小透光部８６６とが、ｙ方向と直交するｘ方向にわたって交互に（すなわち微小遮光部８６５同士または微小透光部８６６同士が隣接しないように）配置された態様が例示されている。この態様のもとでも、回折光の干渉による不具合を防止するという観点から、各微小遮光部８６５および各微小透光部８６６の幅Ｗは１．０μｍ以上２．０μｍ以下とすることが望ましく、１．５μｍ以下とすることがさらに好ましい。

以上に説明した２種類の半透過部８６のうちハーフトーンが採用された半透過部８６によれば、グレートーンが採用された半透過部８６と比較して、半透過部８６を透過した光の回折が原理的に発生し得ないという利点がある。ただし、ハーフトーンが採用された半透過部８６は、露光用マスク７の遮光部８４とは別個の工程にて形成される。これに対し、グレートーンが採用された半透過部８６によれば、露光用マスク７の遮光部８４と共通の工程にて半透過部８６を形成することができるという利点がある。

さて、図８においては、ハッチングが密である領域は遮光部８４が設けられていることを示し、ハッチングが疎である領域は半透過部８６が設けられていることを示す一方、ハッチングが施されていない領域は遮光部８４および半透過部８６の何れも設けられていないことを示している。同図に示されるように、露光用マスク７のうち第１領域７１には遮光部８４および半透過部８６の何れも設けられていない。すなわち、第１領域７１は基材７０のみが存在する領域であり、光源から周辺領域５１３に向かう光を透過させる透光領域として機能する。開口形成領域７２４も第１領域７１と同様に基材７０のみの領域であって透光領域として機能する。したがって、図７に示したように、第１領域７１の透過光が到達する膜体５１の周辺領域５１３と開口形成領域７２４の透過光が到達する膜体５１の領域５１５とは、その厚さ方向の全部にわたって光分解することとなる。一方、図８に示されるように、第２領域７２のうち各ドット領域７２１と開口形成領域７２４とを除いた領域には半透過部８６が設けられている。すなわち、この領域は、被加工領域５１１に向かう光を第１領域７１よりも低い光透過率にて透過させる半透過領域として機能する。したがって、光源から膜体５１の被加工領域５１１に向かう光のうち下地層２１において窪み２１４となるべき領域に向かう光は、その一部のみが膜体５１の表面に到達する。したがって、図７に示したように、膜体５１のうち下地層２１の窪み２１４となるべき領域については厚さ方向における一部分のみが光分解する。

さらに、図８に示されるように、第２領域７２の各ドット領域７２１は遮光部８４によって覆われており、光源から膜体５１に向かう光を遮る遮光領域として機能する。被加工領域５１１のうち各ドット領域７２１によって光の照射が妨げられた領域は、現像によって除去されることなく下地層２１の突起２１３となる。ここで、露光用マスク７の板面全体の面積（すなわち第１領域７１と第２領域７２とを合わせた面積）に占める複数のドット領域７２１の合計面積の割合は、以下のようにして選定されることが望ましい。すなわち、本実施形態におけるドット領域７２１は膜体５１のうち下地層２１において突起２１３となる領域に対応しているから、露光用マスク７の板面全体に占めるドット領域７２１の割合が余りに小さい場合には、下地層２１の表面に占める突起２１３の面積が小さくなって平坦部が増加し、反射層２２による光散乱効果が低減されることとなる。一方、露光用マスク７の板面全体に占めるドット領域７２１の割合が余りに大きい場合には、下地層２１の表面に占める突起２１３の面積が大きくなる結果として平坦部が増加し、この場合にも反射層２２による光散乱効果は低減される。したがって、反射層２２による良好な光散乱効果を得るためには、露光用マスク７の全体面積に占めるドット領域７２１の合計面積の割合を３０％以上６０％以下とすることが望ましい。

次に、図１２は、ひとつのドット領域７２１を拡大して示す平面図である。同図に示されるように、本実施形態における各ドット領域７２１の平面形状は略多角形（ここでは十二角形）であり、したがって各遮光部８４の平面形状の略多角形となっている。さらに詳述すると、各ドット領域７２１（あるいはこのドット領域７２１に設けられた遮光部８４）の平面形状は、図１２に示されるように、その外接円Ｃが扁円形（正円形ではなく長尺状の円形）となるように選定されている。本実施形態においては、外接円Ｃが楕円となる場合が想定されている。

また、図１２に示されるように、各ドット領域７２１の周囲には、当該ドット領域７２１の周縁（遮光部８４の周縁）に沿うように周辺透光領域８８が設けられている。本実施形態における周辺透光領域８８は、ドット領域７２１の全周縁に接する領域である。この周辺透光領域８８は、第１領域７１と同様に遮光部８４および半透過部８６の何れも設けられていない領域であり、したがって、光源からの出射光は第１領域７１と略同一の光透過率（すなわち基材７０の透過率である約１００％）にて周辺透光領域８８を透過して膜体５１に到達する。図１３は、各ドット領域７２１の近傍における透過光の様子を示す断面図である。同図に示されるように、ひとつのドット領域７２１の周囲に設けられた周辺透光領域８８を透過した光は、このドット領域７２１を覆う遮光部８４の周縁において回折した後に膜体５１の表面に至る。そして、これらの回折光Ｌiは、膜体５１のうちドット領域７２１に対向する領域内に至り、特に楕円形たるドット領域７２１の各焦点に対向する部分において相互に強め合う。図１３において示される領域５１８は、膜体５１のうちドット領域７２１の周縁における回折光Ｌiによって光分解する領域である。同図に示されるように、ドット領域７２１の周縁における回折光Ｌiが照射されることにより、膜体５１のドット領域７２１に対向する領域内にあって当該ドット領域７２１の長手方向に沿った長尺状の領域５１８が深さｄ１にわたって光分解することとなる。この領域５１８は、図６（ｄ）に示した現像工程を経ることによって膜体５１の厚さ方向の一部にわたって除去され、これにより図３および図４に示されるような突起２１３の頂上部２１３ａにおける窪み２１３ｂとなるのである。

ところで、各ドット領域７２１の平面形状を正円形または外接円が正円形である多角形とした構成（対比例）も考えられるが、この場合には、以下に示すように窪み２１３ｂの深さが大きくなり過ぎるという問題が生じ得る。図１４は、対比例に係るドット領域７２１’の近傍における透過光の様子を示す断面図（図１３に対応する図）である。同図に示されるように、ドット領域７２１’の平面形状が正円形である場合には、そのドット領域７２１’の全周縁にわたる回折光Ｌiが膜体５１の領域５１８’に略同一の位相にて集中して相互に強め合う。このように回折光Ｌiが狭小な領域５１８’に集中するため、図１４に示されるように、膜体５１のうち回折光によって光分解する部分の深さｄ２は、本実施形態に係るドット領域７２１の回折光Ｌiによって光分解する領域５１８の最大深さｄ１よりも大きくなる。このような露光処理を経た膜体５１を現像することによって得られる下地層２１の表面は、各突起２１３の頂上部２１３ａに極めて深い窪み２１３ｂが形成されたものとなる。本願発明者による試験の結果、下地層２１における突起２１３の頂上部２１３ａに設けられた窪み２１３ｂが余りに深い場合には、その粗面上に設けられた反射層２２の光散乱特性が必ずしも高くないという知見を得るに至った。これに対し、本実施形態によれば、各ドット領域７２１における回折光Ｌiは図１４に示される領域５１８’よりも広い領域５１８にわたって分散的に膜体５１に到達するから、膜体５１のうち光分解する領域５１８の深さｄ１が抑えられる。したがって、この露光用マスク７によれば良好な光散乱効果を有する反射層２２が得られるのである。

また、本実施形態に係る露光用マスク７は、被加工領域５１１のうち下地層２１において窪み２１４となるべき領域が半透過領域とされているため、この領域を透過した光は膜体５１のうち厚さ方向の一部のみを光分解させる。したがって、下地層２１の窪み２１４の底部において第２基板２０の表面が露出することはないから、この下地層２１の表面に設けられた反射層２２によれば良好な光散乱効果が奏される。しかも、この露光用マスク７によれば、周辺領域５１３および開口部２１１に対応する領域５１５と、被加工領域５１１のうち粗面の窪み２１４となるべき領域とを共通の工程にて一括して露光することができるから、従来の技術と比較して製造工程の簡素化および製造コストの低減を図ることができる。

＜Ｄ：変形例＞
以上に説明した実施形態はあくまでも例示である。この形態に対しては本発明の趣旨から逸脱しない範囲で種々の変形が加えられ得る。具体的には、以下のような変形例が考えられる。

（１）上記各実施形態においては各画素に対応するように下地層２１に開口部２１１が設けられた構成を例示したが、図１５に示されるように、下地層２１に開口部２１１が設けられない構成も採用され得る。ただし、図１５に示される構成においては、透過型表示に際して第２基板２０側から第１基板１０側に向かう光の一部が下地層２１によって吸収されることとなる。したがって、透過型表示に供される光量の損失を抑えるという観点からすると、上記各実施形態のように下地層２１に開口部２１１を設けた構成が望ましい。また、上記各実施形態においては反射型表示および透過型表示の双方が可能ないわゆる半透過反射型の液晶表示装置１００を例示したが、反射型表示のみが可能な液晶表示装置１００にも本発明は適用され得る。この場合には、反射層２２の開口部２１１と反射層２２の透光部２２１とが設けられない。したがって、露光用マスク７には開口形成領域７２４が設けられない。

（２）上記各実施形態においては遮光部８４を単一層により構成したが、クロムなどの遮光性を有する層とハーフトーンを採用した半透過部８６とを積層したものを遮光部８４として用いてもよい。この構成によれば、遮光部８４による遮光性を高めることができる。

（３）上記各実施形態においては露光用マスク７のドット領域７２１を外接円が楕円である多角形としたが、各ドット領域７２１の平面形状は任意である。例えば、平面形状が略楕円形であるドット領域７２１や、図１６に示されるように長方形（あるいは正方形）Ｓの対辺の各々にこれを直径とする半円形Ｒを付加した平面形状のドット領域７２１も採用され得る。このように、本発明における「扁円形」とは、厳密な楕円形のみならず総ての長尺状の円形（換言すると正円形以外の円形）を含む概念である。

（４）上記実施形態においては各ドット領域７２１の全周縁と接するように周辺透光領域８８を設けた構成を例示したが、図１７に示されるように、周辺透光領域８８が各ドット領域７２１の周縁（遮光部８４の周縁）と部分的に接するように設けられた構成も採用され得る。同図においては、略八角形であるドット領域７２１の各辺のうち相互に隣接しない４辺のみに沿って周辺透光領域８８を設けた構成が例示されている。図１２に示した構成のもとでは、ドット領域７２１の全周縁にわたって光源からの光が回折して膜体５１の領域５１８に到達するため、光源からの出射光量によっては、突起２１３の頂上部の窪み２１３ｂが深くなり過ぎる可能性が依然として残る。これに対し、本変形例に係る構成によれば、周辺透光領域８８を透過して膜体５１の領域５１８に至る回折光の光量を図１２の場合よりも減らすことができるから、窪み２１３ｂが深くなり過ぎるのを効果的に抑えることができる。このように、周辺透光領域８８の形態は、窪み２１３ｂの深さが最適となるように選定されることが望ましい。なお、周辺透光領域８８を設けない構成によっても、各ドット領域７２１の周縁にある半透光部８６を透過した光は当該ドット領域７２１の周縁において回折することとなるから、上記実施形態と同様の効果が得られる。

（５）上記各実施形態においては液晶表示装置を例示したが、本発明はこれ以外の電気光学装置にも適用され得る。すなわち、画像信号の供給という電気的な作用を輝度や光透過率の変化といった光学的な作用に変換する電気光学物質を用いて画像を表示する装置であれば本発明が適用され得る。例えば、着色された液体と当該液体に分散された白色の粒子とを含むマイクロカプセルを電気光学物質として用いた電気泳動表示装置、極性が相違する領域ごとに異なる色に塗り分けられたツイストボールを電気光学物質として用いたツイストボールディスプレイ、あるいは、黒色トナーを電気光学物質として用いたトナーディスプレイなど各種の電気光学装置に本発明が適用され得る。なお、本発明に係る電気光学装置用基板は、以上に例示したようにそれ自体が発光しない電気光学物質を利用して画像を表示する電気光学物質に対して特に好適であると言える。ただし、それ自体が発光する電気光学物質（すなわち自発光型の電気光学物質）を用いた電気光学装置にも本発明は適用され得る。例えば、自発光型の電気光学物質の背面側に本発明に係る電気光学装置用基板を設ければ、電気光学物質から背面側に発せられた光を観察側に反射させることによって明るい表示が実現される。この自発光型の電気光学物質を用いた電気光学装置としては、有機ＥＬや発光ポリマーなどのＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）素子を電気光学物質として用いた表示装置や、ヘリウムやネオンなどの高圧ガスを電気光学物質として用いたプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、蛍光体を電気光学物質として用いたフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）などが挙げられる。

＜Ｅ：電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を表示装置として備えた電子機器について説明する。図１８は、上記各実施形態に係る液晶表示装置１００を用いた携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示されるように、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した液晶表示装置１００を備える。

図１９は、上記各実施形態に係る液晶表示装置１００をファインダに適用したデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。デジタルスチルカメラ１３００における本体１３０２の背面には、上記各実施形態に係る液晶表示装置１００が設けられている。この液晶表示装置１００は、撮像信号に基づいて表示を行なうので、被写体を表示するファインダとして機能することになる。また、本体１３０２の前面側（図１９においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられている。撮影者が液晶表示装置１００に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が回路基板１３０８のメモリに転送・記憶される。また、このデジタルスチルカメラ１３００にあって、ケース１３０２の側面には、外部表示を行なうためのビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。

なお、本発明に係る電気光学装置が表示装置として利用され得る電子機器としては、図１８に示される携帯電話機や、図１９に示されるデジタルスチルカメラのほかにも、ノートパソコンや、液晶テレビ、ビューファインダ型（またはモニタ直視型）のビデオレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。

本発明の第１実施形態に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 液晶表示装置の要部の構成を拡大して示す斜視図である。 液晶表示装置のうち下地層および反射層の突起を拡大して示す図である。 下地層の表面に設けられた複数の突起の態様を示す平面図である。 下地層の表面に設けられた複数の突起の他の態様を示す平面図である。 液晶表示装置のうち第２基板上の各要素の製造工程を示す断面図である。 膜体のうち露光工程において光分解する部分を示す断面図である。 露光用マスクの構成を示す平面図である。 露光用マスクの構成を示す断面図である。 グレートーンを採用した半透過部の具体的な構成を示す平面図である。 グレートーンを採用した半透過部の具体的な構成を示す平面図である。 露光用マスクのドット領域を拡大して示す平面図である。 光源から発せられてドット領域の近傍に至った光の経路を示す断面図である。 対比例に係るドット領域の近傍に至った光の経路を示す断面図である。 変形例に係る液晶表示装置の構成を示す断面図である。 変形例に係るドット領域の形状を示す平面図である。 変形例に係る露光用マスクのドット領域を拡大して示す平面図である。 本発明に係る電子機器の一例たる携帯電話機の構成を示す斜視図である。 本発明に係る電子機器の一例たるデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１００……液晶表示装置、１０……第１基板、１１……画素電極、１２……走査線、１３……ＴＦＤ素子、１４……配向膜、２０……第２基板、２１……下地層、２１１……開口部、２１３……突起、２１３ａ……突起の頂上部、２１３ｂ……突起の頂上部の窪み、２１４……窪み、２２……反射層、２２１……透光部、２２３……反射層の突起、２４……カラーフィルタ、２５……遮光層、２６……絶縁層、２７……データ線、３４……シール材、３５……液晶、３８……ＩＣチップ、５１……膜体、５１１……被加工領域、５１３……周辺領域、５１５……膜体のうち下地層の開口部となる領域、５１７……膜体のうち下地層の窪みとなる領域、５１８……膜体のうちドット領域の周縁における回折光によって光分解する領域、７……露光用マスク、７１……第１領域、７２……第２領域、７２１……ドット領域、８１……透光部、８４……遮光部、８６……半透過部、８６１，８６５……微小遮光部、８６２，８６６……微小透光部、８８……周辺透光領域。

Claims (2)

1. 表面が粗面である下地層と当該下地層の粗面上に設けられた反射層とを具備する電気光学装置用基板を製造する方法において、
   感光性材料により膜体を形成する膜体形成工程と、
   各々の平面形状が略扁円形または外接円が扁円形となる略多角形である複数の遮光領域を有する露光用マスクを介して前記膜体を露光する工程であって、前記粗面の突起となるべき領域に向かう光源からの光を前記露光用マスクの前記各遮光領域によって遮るとともに、これ以外の領域に向かう前記光源からの光を前記露光用マスクの半透過領域を透過させることによって前記膜体の厚さ方向の一部のみに当該光を作用させる露光工程と、
   前記露光工程において光が作用した部分を現像により除去して前記下地層を形成する現像工程と、
   前記現像工程により得られた前記下地層の粗面上に光反射性を有する前記反射層を形成する反射層形成工程と
   を有し、
   前記露光工程においては、前記露光用マスクにおける前記各遮光領域の周縁に接する周辺透光領域を透過した光を前記各遮光領域の周縁にて回折させ、この回折光を前記突起の頂上部となるべき部分に作用させる
   電気光学装置用基板の製造方法。
2. 表面が粗面である下地層の粗面上に光反射性を有する反射層が設けられた電気光学装置用基板を具備する電気光学装置を製造する方法において、
   請求項１に記載の方法によって電気光学装置用基板を製造する工程と、
   前記電気光学装置用基板の前記反射層と対向するように電気光学物質を配置する工程と
   を有する電気光学装置の製造方法。

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