JP3996730B2 - The method of manufacturing a semiconductor component - Google Patents

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【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、半導体デバイス製造工程、特に金属汚染の低減が要求される工程に必要な、基板の洗浄方法、ならびにその洗浄方法を用いた半導体デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a semiconductor device manufacturing process, necessary processes particularly required for the reduction of metal contamination, the method for cleaning a substrate, and to a method of manufacturing a semiconductor device using the cleaning method.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
半導体製造プロセスにおいては、ウェハ表面を汚染したFeやPb、W、Cuなど多くの金属およびそのイオンは、Si中に拡散しやすく、Si中に準位を形成して半導体特性を劣化させる。 In the semiconductor manufacturing process, Fe and Pb were contaminating the wafer surface, W, Cu, etc. Many metals and their ions are easily diffused into the Si, forms the level in the Si deteriorates the semiconductor characteristics. そのため現在の半導体製造ラインでは、Siがこれらの金属に汚染されないように、例えば半導体プロセスハンドブック(1996年)第109頁から第112頁に記載のような、厳しい管理を行っている。 Therefore, in the current semiconductor manufacturing line, so Si is not contaminated with these metals, for example, a semiconductor process Handbook (1996), such as from the 109th page according to the page 112, is performed strictly controlled. 具体的には、高温処理を行うために金属がSi中に拡散しやすい拡散工程においては、これらの金属のウェハ表面および裏面での濃度を1×10 12 atom/cm 2程度以下に低減するために洗浄を行っている。 Specifically, in the easily diffused diffusion process metal during Si in order to perform a high temperature treatment, for reducing the concentration of the wafer surface and the back surface of the metal to 1 × 10 12 atom / cm 2 of about or less It is doing the cleaning. また製造装置を、主に酸化や拡散によってトランジスタを形成する工程群(以下、拡散工程群という)と、金属材料を成膜して配線形成を行う工程群(以下、配線工程群という)とで共用すると、配線工程群で採用されている金属が装置を介して拡散工程群のウェハを汚染する恐れがあるため、拡散工程群と配線工程群とで用いる装置を区別している。 De The manufacturing apparatus mainly oxidized and diffused by step group forming a transistor (hereinafter, referred to as diffusion step group) and, process group for performing wiring formed by depositing a metal material (hereinafter, referred to as wiring process group) and If shared, the metal that is employed in the wiring process group is likely to contaminate the wafer diffusion process group through the device, are distinguished apparatus used in the diffusion process group and the wiring process group.
【0003】 [0003]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
従来のように、工程ごとに用いる装置を区別する方式では、現在の生産工場で生産されていない新規な素子材料をあらたに採用する場合に対して配慮がされておらず、新規な素子材料を採用する度に生産装置も新規に導入する必要があった。 As is conventional, the distinguishing method an apparatus for use in each process, no consideration is for the case of newly adopted novel device material that is not produced in the current production plant, a novel device material production equipment in time be adopted there was a need to introduce a new one. 特に、当該材料の成膜装置やエッチング装置のみならず、当該材料によって形成された素子に直接は接触しない露光装置や検査装置までも新規に導入しなければならなかった。 In particular, not only the film forming apparatus and etching apparatus of the material, directly to the element formed by the material had to be introduced to the new even non exposure apparatus and inspection apparatus contacts. そのため、生産工場の設備投資が膨大となり、また設備の管理コストが増加し、またそのため製品の製造コストが増加するために製品が高価格化するという欠点があった。 Therefore, capital investment in the production plant becomes enormous, also increased management cost of the equipment, but also has a drawback that the order to the high price of the product to the manufacturing cost of the product increases.
【0004】 [0004]
本発明は、以上のような従来技術の問題点に着目して、現在の生産工場で生産されていない新規な素子材料を採用する際に従来の生産装置を活用できる製造方法を提供することを目的とする。 The present invention is, in view of the above problems of the prior art, to provide a manufacturing method that can utilize the conventional production apparatus when employing the novel device material that is not produced in the current production plant for the purpose.
【0005】 [0005]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記した課題を解決する半導体部品の製造方法は、新規な素子材料を成膜する工程と、 かかるのち、当該ウェハを従来の製造装置に着工する工程と、当該ウェハの表面であって前記の従来の製造装置と接触する領域を選択的に洗浄する工程(以下、本発明にかかる洗浄工程という)とを含み、かつ前記本発明にかかる洗浄工程が、前記成膜工程より時間的に後であって、かつ前記従来の製造装置に着工する工程より時間的に前であることを特徴とするものである。 The method of manufacturing a semiconductor component to solve the problems described above, a step of forming a new element materials, such Thereafter, a step of construction of the wafer in a conventional manufacturing device, conventionally of the a surface of the wafer the step of selectively washing the area in contact with the manufacturing apparatus (hereinafter, referred to as washing process according to the present invention) and a, and the cleaning process according to the present invention, there temporally later than the film-forming process Te, and is characterized in that said a temporally precedes the step of construction of the conventional manufacturing apparatus.
【0006】 [0006]
ここでいう製造装置とは、成膜装置、加工装置(エッチング装置)などウェハ上に素子を形成する装置のみならず、露光装置、検査装置など、ウェハ上に素子を形成はしないが製造に関わる装置全般を含む。 The manufacturing apparatus here, the film forming apparatus, the processing apparatus (etching apparatus) not only device forming a device on a wafer, etc., an exposure device, such as inspecting device, but not forming an element on a wafer related to the manufacture including the devices in general.
【0007】 [0007]
また、ウェハの表面であって前記の従来の製造装置と接触する領域とは、ウェハの裏面、または周辺、またはその両方であり、ウェハの裏面とは素子を形成する面を表としたときの裏面をいうものとし、ウェハの周辺とはウェハの端部および端面研磨した領域をいうものとする。 Also, the area where a surface of the wafer in contact with the conventional manufacturing apparatus described above, a back side or near or both, of the wafer, when the surface forming the element with the table and the back surface of the wafer Products with a back surface, and the periphery of the wafer shall refer to the end and end polished areas of the wafer. ウェハ裏面は、ベルトやアーム、ステージなどの部品と接触し、またウェハの周辺は、位置あわせに用いるピンやウェハカセットなどと接触する。 Wafer backside is in contact with the belt or the arm, parts such as the stage, also the periphery of the wafer, in contact such as a pin or a wafer cassette to be used for alignment. 該領域を洗浄して汚染を除去することにより、ウェハから装置へ汚染が転写することを防止できる。 By washing the region to remove the contamination, it is possible to prevent the contamination from the wafer to the device is transferred.
【0008】 [0008]
前記本発明にかかる洗浄工程は、ウェハの表面であって素子を形成する領域に成膜された素子材料を劣化させることなく、ウェハの表面であって前記の従来の製造装置と接触する領域を洗浄して汚染を除去することを目的とする。 The cleaning process according to the present invention, without deteriorating the element material is deposited in the region for forming the element a surface of the wafer, a region in contact with the conventional manufacturing apparatus for the a surface of the wafer and an object thereof is washed to remove contaminants. 従って、ウェハの表面であって素子を形成する領域に成膜された素子材料が洗浄液と接するような洗浄方法は用いることができない。 Accordingly, a cleaning method, such as device materials that have been deposited in the region for forming the element a surface of the wafer is in contact with the cleaning solution can not be used. 前記目的は、ウェハの表面であって前記した従来の製造装置と接触する領域を選択的に洗浄するような洗浄方法によって達成される。 This object is achieved by the cleaning method to selectively clean the area in contact with the conventional manufacturing apparatus described above a surface of the wafer.
【0009】 [0009]
ウェハの裏面または周辺またはその両方を選択的に洗浄する方法には、例えばウェハ裏面を上側にして、ウェハの中心を軸として回転しつつ、上側から洗浄液を供給する方法がある。 The method of selectively cleaning the back surface or peripheral, or both of the wafer, for example, the wafer back side to the upper, while rotating the center of the wafer as the shaft, there is a method of supplying a cleaning liquid from the upper side. このとき洗浄液は、ウェハ裏面の中央付近から周辺へ向かって流れることによって、ウェハの裏面が洗浄液と接触し、洗浄される。 The cleaning solution at this time, by flowing toward the peripheral from the vicinity of the center of the wafer backside, the backside of the wafer is in contact with the cleaning liquid and washed. このとき、洗浄液はウェハ端部から外向きに遠心力によって飛散するが、ウェハとの濡れ性によっては一部が表面側にも回り込む。 At this time, the cleaning liquid is scattered by centrifugal force outwardly from the wafer edge, partly by wettability of the wafer from flowing on the surface side. ウェハと洗浄液の濡れ性を適切にすることにより、ウェハの周辺を洗浄することができる。 By suitably the wettability of the wafer and the cleaning liquid, it can be cleaned around the wafer.
【0010】 [0010]
ここで、ウェハ上の素子形成領域が洗浄液で処理されないように保護しておくことが望ましい。 Here, it is desirable to protect the device forming area on the wafer is not treated with the cleaning solution. 素子形成領域を保護する方法としては、(1)ウェハの素子形成面側に気体を供給する方法、(2)ウェハの素子形成面側に液体を供給する方法、(3)ウェハの素子形成領域を保護膜で覆う方法、などがある。 As a method for protecting the device forming region, (1) a method of supplying gas to the element formation surface side of the wafer, (2) a method of supplying a liquid to the element formation surface side of the wafer, (3) the element formation region of the wafer method of covering with a protective film, and the like. 前記(1)(2)においては、供給する液体または気体中に還元性物質を含んでもよい。 In the (1) (2) may include a reducing substance in a liquid or gas supplies.
【0011】 [0011]
またウェハの裏面および周辺を選択的に洗浄する他の方法として、例えばウェハ表面の素子形成領域を保護膜で覆い、洗浄液中に浸漬する方法がある。 Further as another method for selectively cleaning the backside and periphery of the wafer, for example, covering the device formation region of the wafer surface with a protective film, there is a method of immersing in the cleaning solution.
【0012】 [0012]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明にかかる各種実施形態について、図面を用いて説明する。 Hereinafter, various embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0013】 [0013]
まず、本発明にかかる半導体部品の製造方法について、図1を用いて説明する。 First, a method for fabricating a semiconductor component according to the present invention will be described with reference to FIG.
【0014】 [0014]
素子材料Xが成膜された製品Aは、工程A1、つづいて工程A2、工程A3…工程Ax…と着工される。 Product A device material X is deposited, the step A1, is construction step A2, step A3 ... step Ax ... and followed. 一方、素子材料Yが成膜された製品Bは、工程B1、つづいて工程B2、工程B3…工程By…と着工される。 On the other hand, the product B of element material Y has been deposited, the step B1, is construction step B2, step B3 ... Step By A ... and followed. ここで、工程A2ならびに工程B2を同じ製造装置Mで行うとき、工程A1を本発明にかかる洗浄工程とする 、製造装置Mのうちウェハと接触する箇所が、材料Xで汚染されることを防ぐことができる。 Here, when performing the step A2 and step B2 in the same manufacturing apparatus M, when the cleaning step according to step A1 to the present invention, that portion in contact with the wafer in the manufacturing apparatus M is contaminated with material X it is possible to prevent. その結果、製品Bのウェハを製造装置Mに着工する場合に、製品Bのウェハが材料Xで汚染されることを防ぐことができる。 As a result, when the construction of the wafer product B the production device M, it is possible to prevent the wafer product B is contaminated with material X. 同様に、工程B1を本発明にかかる洗浄工程とする 、製造装置Mのうちウェハと接触する箇所が、材料Yで汚染されることを防ぐことができ、製品Aのウェハが材料Yで汚染されることを防ぐことができる。 Similarly, if the cleaning process according to step B1 to the present invention, portions in contact with the wafer in the manufacturing apparatus M is, it is possible to prevent from being contaminated by the material Y, contamination wafer products A is a material Y is the possible can be prevented.
【0015】 [0015]
ここで、製品Aの工程群An (n=1, 2, 3... x...)と製品Bの工程群Bn (n=1, 2, 3... y...)は、異なる製品の工程群でも良く、また同一の製品の異なる工程群でも良い。 Here, process group of products A An (n = 1, 2, 3 ... x ...) and product B process group Bn (n = 1, 2, 3 ... y ...) is it may be a process group of different products, or may be a different process group of the same product. また、本発明にかかる洗浄工程A1またはB1は、素子材料XまたはYによる汚染が問題とならない場合には省略しても良い。 The cleaning step A1 or B1 according to the present invention, may be omitted if the contamination by the device material X or Y is not a problem.
【0016】 [0016]
次に、本発明にかかる洗浄工程の実施の形態について、図2から図4を用いて説明する。 Next, an embodiment of the cleaning process according to the present invention will be described with reference to FIGS. 2-4.
【0017】 [0017]
本発明にかかる洗浄工程の、第1の実施の形態を、図2および図3を用いて説明する。 Cleaning process according to the present invention, the first embodiment will be described with reference to FIGS. 半導体ウェハ101は、デバイス形成領域101aを下側として、チャックピン12によって回転体11に固定されている。 The semiconductor wafer 101, a device formation region 101a as the lower, is fixed to the rotor 11 by the chuck pins 12. このとき、ウェハのデバイス形成領域101aと回転体のウェハ対向領域11aとの間には、適切な間隙が設けられている。 At this time, between the wafer facing region 11a of the rotating body and the device formation region 101a of the wafer, and an appropriate gap is provided. 回転体11には、ウェハのデバイス形成領域101aを保護するための気体または液体供給機構2が設けられている。 The rotary body 11 is provided with a gas or liquid supply mechanism 2 to protect the device forming region 101a of the wafer. またウェハ裏面101bの上方には洗浄液の供給機構1が設けられている。 Also above the wafer backside 101b supply mechanism 1 of the cleaning liquid is provided. 回転体11を適切な回転数において回転しつつ、洗浄液供給機構1よりウェハ裏面101b側に、素子材料Xを除去すべく構成された洗浄液を供給することにより、ウェハ裏面101bは洗浄液と接触し、洗浄される。 While rotating the rotor 11 in a suitable rotational speed, the wafer rear surface 101b side of the cleaning liquid supply mechanism 1, by supplying the configured cleaning liquid to remove the element material X, the wafer backside 101b is in contact with the washing liquid, It is cleaned. また、ウェハ端部においては、洗浄液とウェハとの濡れ性に応じて洗浄液がデバイス形成領域101a側へ回り込むことで、ウェハ周辺101cが洗浄される。 In the wafer edge, the cleaning liquid in accordance with the wettability of the cleaning liquid and the wafer that wraps around to the device formation region 101a side, the wafer periphery 101c is cleaned.
【0018】 [0018]
本発明にかかる洗浄工程の、第2の実施の形態を、図4を用いて説明する。 Cleaning process according to the present invention, the second embodiment will be described with reference to FIG. 半導体ウェハ101は、デバイス形成領域101aを下側として、チャックピン22によって回転体21に固定されている。 The semiconductor wafer 101, a device formation region 101a as the lower is fixed to the rotating member 21 by the chuck pins 22. このとき、ウェハのデバイス形成領域101aと回転体のウェハ対向領域21aとの間には、適切な間隙が設けられている。 At this time, between the wafer facing region 21a of the rotating body and the device formation region 101a of the wafer, and an appropriate gap is provided. ウェハ101より下方に、ウェハのデバイス形成面101aへ向けて、ウェハのデバイス形成領域101aを保護するための気体または液体供給機構2が設けられている。 Below the wafer 101, toward the device formation surface 101a of the wafer, it is provided a gas or liquid supply mechanism 2 to protect the device forming region 101a of the wafer. 図4では、気体または液体供給機構2は回転体21の外部に設けられているが、回転体21の内部に設けられていても良い。 In Figure 4, the gas or liquid supply mechanism 2 is provided outside the rotating member 21, may be provided inside the rotating body 21. またウェハ裏面101bの上方には洗浄液の供給機構1が設けられている。 Also above the wafer backside 101b supply mechanism 1 of the cleaning liquid is provided. 回転体21を適切な回転数において回転しつつ、洗浄液供給機構1よりウェハ裏面101b側に、素子材料Xを除去すべく構成された洗浄液を供給することにより、ウェハ裏面101bは洗浄液と接触し、洗浄される。 While rotating the rotary body 21 in a suitable rotational speed, the wafer rear surface 101b side of the cleaning liquid supply mechanism 1, by supplying the configured cleaning liquid to remove the element material X, the wafer backside 101b is in contact with the washing liquid, It is cleaned. また、ウェハ端部においては、洗浄液とウェハとの濡れ性に応じて洗浄液がデバイス形成領域101a側へ回り込むことで、ウェハ周辺101cが洗浄される。 In the wafer edge, the cleaning liquid in accordance with the wettability of the cleaning liquid and the wafer that wraps around to the device formation region 101a side, the wafer periphery 101c is cleaned.
【0019】 [0019]
本発明にかかる洗浄工程の、第3の実施の形態を、図5を用いて説明する。 Cleaning process according to the present invention, a third embodiment will be described with reference to FIG. 半導体ウェハ101は、デバイス形成領域101aを保護膜51にて覆われており、ウェハキャリア61に搭載されている。 The semiconductor wafer 101 is covered with the device formation region 101a with the protective film 51, it is mounted on the wafer carrier 61. 洗浄槽71中で、素子材料Xを除去すべく構成された洗浄液によって処理することにより、ウェハ裏面101bならびにウェハ周辺101cが洗浄される。 In the cleaning tank 71, by processing the configuration cleaning liquid to remove the element material X, the wafer backside 101b and the wafer periphery 101c is cleaned.
【0020】 [0020]
次に、以上で述べた半導体部品の製造方法を用いて実際に半導体部品の製造を行ったので、この実施結果について説明する。 Then, since was actually manufactured semiconductor component using the method of manufacturing a semiconductor component as described above, it will be described the present results.
【0021】 [0021]
(実施例1) (Example 1)
配線材料にCuを採用する製品ウェハの、配線形成工程群において、裏面ならびに周辺からCuを除去して、露光装置に着工する製造プロセスを構築した(図6)。 Of product wafer to employ Cu as a wiring material, the wiring formation process group, by removing the Cu from the back and peripheral, to construct a manufacturing process starts in the exposure apparatus (FIG. 6). この露光装置は同じ製品の拡散工程群と共用している。 The exposure apparatus is shared with a diffusion process group of the same product. 洗浄には、概略において図2と同様の構造を持つSEZ社製スピンエッチャーを用い、洗浄液供給機構1より40ーCの硝酸70%溶液を60秒間供給して洗浄した。 The washing, with SEZ Co. spin etcher having the same structure as shown in FIG. 2 in schematic, nitric acid 70% solution of from 40-1 C cleaning liquid supply mechanism 1 was washed by supplying 60 seconds. また、ウェハの素子形成領域101bには窒素を100L/minの流量で供給し、洗浄液から保護した。 Further, in the element formation region 101b of the wafer nitrogen was supplied at a flow rate of 100L / min, and protected from the cleaning liquid. 実際に洗浄を行った結果を(表1)に示す。 The results of actual cleaning shown in (Table 1). (表1)は、本発明にかかる第1の実施例として、本発明にかかる洗浄工程によってウェハの裏面ならびに周辺からCuが除去されたことを示す表である。 (Table 1) as a first embodiment according to the present invention, a table showing that the back surface and the periphery of the wafer by the cleaning process according to the present invention Cu is removed.
【0022】 [0022]
【表1】 [Table 1]
【0023】 [0023]
ウェハの裏面ならびに周辺からCuが効率よく除去されている。 Cu is efficiently removed from the backside and periphery of the wafer. このような洗浄を行ったウェハを、露光装置に連続で1000枚着工し、その前後の露光装置内のCu汚染を測定してCu汚染の蓄積を評価した。 Such wafer after washing, the construction 1000 consecutive exposure apparatus to evaluate the accumulation of Cu contamination by measuring the Cu contamination in the preceding and the exposure apparatus. 露光装置内に蓄積したCu汚染の測定には、Cuに汚染されていないウェハを着工し、そのウェハに装置から転写したCuを測定した。 To measure the accumulated Cu contamination in the exposure apparatus, and starts a wafer free of Cu, was measured Cu has been transferred from the device to the wafer. その結果を(表2)に示す。 The results are shown in Table 2. 露光装置からウェハへのCu転写は認められなかった。 Cu transferred from the exposure device to the wafer was not observed. (表2)は、本発明にかかる第1の実施例として、本発明にかかる洗浄工程を経たウェハを1000枚着工した露光装置内のCu汚染蓄積量を示す表である。 (Table 2), as a first embodiment according to the present invention, a wafer which has undergone the washing step according to the present invention is a table showing the Cu contamination accumulated amount of 1000 starts the the exposure apparatus.
【0024】 [0024]
【表2】 [Table 2]
【0025】 [0025]
従来技術によって生産を行っていた生産工場に、図6に示した本発明にかかる製造方法を導入し、配線金属にCuを採用した製品の生産を開始した。 The production plant had been producing the prior art, by introducing a manufacturing method according to the present invention shown in FIG. 6, we started production of products employing the Cu wiring metal. その際に新規に導入した製造装置の構成を、本発明にかかる製造方法を導入しない場合の見込みと比較して、(表3)に示す。 The configuration of the manufacturing apparatus into the new time, as compared to the expected in the case of not introducing a manufacturing method according to the present invention, shown in (Table 3). 導入する装置台数を少なく抑えることで、投資を抑制できた。 By suppressing reduce the number of apparatuses to be introduced, it was able to suppress the investment. (表3)は、本発明にかかる第1の実施例として、従来技術によって生産を行っていた生産工場に、本発明にかかる製造方法を導入し、配線金属にCuを採用した製品の生産を開始した際の、新規に導入した製造装置の構成を、本発明にかかる製造方法を導入しない場合の見込みと比較して示した表である【0026】 (Table 3), as a first embodiment according to the present invention, the production plant which has been produced by the prior art to introduce a production method according to the present invention, the production of products employing the Cu wiring metal when you start a table the structure of the newly introduced production apparatus, shown in comparison with expected in the case of not introducing a manufacturing method according to the present invention [0026]
【表3】 [Table 3]
【0027】 [0027]
(実施例2) (Example 2)
本発明にかかる洗浄方法について、実施例1と異なる実施例を示す。 For cleaning method according to the present invention, showing a different embodiment of the first embodiment. 洗浄装置には概略に置いて図4のような構造を有する枚葉式洗浄装置を用い、ウェハの裏面101bを上側にして、洗浄液供給機構1より40ーCの硝酸70%溶液を60秒間供給して洗浄した。 The cleaning device is placed in the schematic with single wafer cleaning apparatus having a structure as shown in FIG. 4, and the back surface 101b of the wafer on the upper side, nitric acid 70% solution of from 40-1 C cleaning solution supply mechanism 1 supplies 60 seconds and washed. ウェハの素子形成領域101aには液体供給機構2よりヒドラジン水溶液(0.1%)を供給し、洗浄液から保護した。 The element formation region 101a of the wafer supply from aqueous hydrazine solution (0.1%) liquid supply mechanism 2, and protected from the cleaning liquid.
【0028】 [0028]
Cuを全面に成膜したウェハを洗浄し、洗浄されずに残った領域のCuの表面荒さを洗浄の前後で測定することにより、素子形成領域への影響を評価した。 Cu washed wafer was deposited on the entire surface by the surface roughness of the Cu of the remaining without being cleaned area is measured before and after washing, we evaluated the effect of the element formation region. 表面荒さの評価には、積分式散乱計を用いた。 The evaluation of the surface roughness, using the integral equation scattering meter. その結果、素子形成領域に窒素を供給した場合には、ウェハ端から5mm付近までの領域で表面荒さが増加しているのに対し、ヒドラジン水溶液を供給した場合には、洗浄されなかった領域では表面荒さの増加は認められなかった(図7)。 As a result, the case of supplying the nitrogen in the element formation region, whereas the surface roughness in the area of ​​the wafer edge to the vicinity of 5mm is increased, the case of supplying the aqueous solution of hydrazine is at was not cleaned area increase in surface roughness was observed (Figure 7). なお、周辺部はウェハ端より1.5mmまで洗浄されていた。 The peripheral portion was washed from the wafer end to 1.5 mm.
【0029】 [0029]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明によれば、金属汚染源となりうる素子材料が、ウェハ表面であって製造装置と接触する領域から洗浄によって除去されるので、製造装置への汚染が抑制できる。 According to the present invention, the element material can be a metal contamination source, since it is removed by washing from the region in contact with the manufacturing apparatus a wafer surface, contamination of the manufacturing apparatus can be suppressed. 従って、当該製造装置を介して他のウェハへ汚染が拡散することを抑制できる。 Therefore, it is possible to suppress the contamination through the manufacturing device to another wafer is diffused. その結果、現在の生産工場で新規な素子材料を導入する際にも、現在の製品を汚染することなく、現在の製造装置を用いての着工が可能となる。 As a result, even when introducing a new element material in current production plant, without contaminating the current products, construction is possible using current manufacturing apparatus. すなわち、製品間で製造装置を共用できる。 That can be shared manufacturing apparatus between products.
【0030】 [0030]
さらに、ひとつの製品であっても、おもに配線を形成する配線工程群、おもにキャパシタを形成するキャパシタ工程群、トランジスタを形成する拡散工程群など工程群の間で製造装置を共用することができる。 Further, even in a single product, it can be mainly wiring process group forming a wiring, mainly capacitors process group for forming a capacitor, share the production apparatus between the process group such as a diffusion process group for forming a transistor.
【0031】 [0031]
さらに、生産工場においては設備投資を抑えた生産ライン構成が可能となり、設備の管理コストを低減し、製品の生産コストを低減することが可能となる。 Furthermore, it is possible to produce line configuration with reduced capital investment in manufacturing plants, to reduce the management costs of the equipment, it is possible to reduce the production cost of the product.
【0032】 [0032]
さらに、新たな装置の導入を待たずに現在の製造装置を活用して新規材料を採用したデバイスの開発を開始でき、開発の早期着手が可能となる。 In addition, it is possible to start the development of a device that employs a new material to take advantage of the current manufacturing equipment without waiting for the introduction of a new device, it is possible to early start of development.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明にかかる半導体部品の製造方法を示す図である。 1 is a diagram showing a method of manufacturing a semiconductor component according to the present invention.
【図2】本発明にかかる半導体部品の洗浄方法を示す図である。 2 is a diagram illustrating a method for cleaning a semiconductor component according to the present invention.
【図3】本発明にかかる半導体部品の洗浄方法を示す図である。 3 is a diagram showing a cleaning method of a semiconductor component according to the present invention.
【図4】本発明にかかる半導体部品の洗浄方法を示す図である。 4 is a diagram showing a cleaning method of a semiconductor component according to the present invention.
【図5】本発明にかかる半導体部品の洗浄方法を示す図である。 5 is a diagram showing a cleaning method of a semiconductor component according to the present invention.
【図6】本発明にかかる第1の実施例としての半導体部品の製造方法を示す図である。 6 is a diagram showing a method of manufacturing a semiconductor component as a first embodiment according to the present invention.
【図7】本発明にかかる第2の実施例としての半導体部品の製造方法を使用した場合の、素子形成領域への影響を示す図である。 Of 7 when using the method of manufacturing a semiconductor component as a second embodiment according to the present invention, showing the effect of the element formation region.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1...洗浄液の供給機構、2...気体または液体供給機構、 1 ... cleaning liquid supply mechanism, 2 ... a gas or liquid supply mechanism,
11...回転体、11a...ウェハ対向領域、12...チャックピン、 11 ... rotating body, 11a ... wafer opposite region, 12 ... chuck pins,
21...回転体、21a...ウェハ対向領域、22...チャックピン、 21 ... rotating body, 21a ... wafer opposite region, 22 ... chuck pins,
51...保護膜、61...ウェハキャリア、71...洗浄槽、 51 ... protective film, 61 ... wafer carrier, 71 ... cleaning tank,
101...半導体ウェハ、101a...デバイス形成領域、101b...ウェハ裏面、101c...ウェハ周辺 101 ... semiconductor wafer, 101a ... device forming region, 101b ... wafer backside, 101c ... wafer around

Claims (3)

  1. 半導体ウェハの表面に、金属薄膜を成膜する第1のステップと、 The surface of the semiconductor wafer, a first step of forming a metal thin film,
    前記第1のステップの後、前記半導体ウェハの裏面及び周辺部に付着した前記金属薄膜による汚染物を溶解して除去する第2のステップと、 After the first step, a second step of removing dissolved contaminants by the metal thin film deposited on the back surface and the peripheral portion of the semiconductor wafer,
    前記第2のステップの後に着工される露光装置又は検査装置において、前記半導体ウェハの裏面又は周辺部又はその両方を把持する第3のステップとを有する、半導体部品の製造方法。 In the exposure apparatus or inspection device is construction after the second step, and a third step of gripping the rear surface or the periphery or both of the semiconductor wafer, a method of manufacturing a semiconductor component.
  2. 請求項1記載の半導体部品の製造方法において、 The method of manufacturing a semiconductor component according to claim 1,
    前記金属薄膜がCuであることを特徴とする半導体部品の製造方法。 The method of manufacturing a semiconductor component, wherein the metal thin film is a Cu.
  3. 請求項1記載の半導体部品の製造方法において、 The method of manufacturing a semiconductor component according to claim 1,
    前記除去は、薬液として硝酸を用いることを特徴とする半導体部品の製造方法。 The removal method of manufacturing a semiconductor component, characterized by using nitric acid as the chemical.
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