JP3977659B2 - ヘテロ接合電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロ接合電界効果トランジスタに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体素子の一つであるトランジスタには、種々のものが知られているが、近年では、低電圧・高速動作が可能で、低雑音性能が得られることから、ヘテロ接合電界効果トランジスタが注目されている。
ヘテロ接合電界効果トランジスタは、III−V族化合物半導体基板上にノンドープIII−V族化合物半導体層とn型III−V族化合物半導体層とを形成したときに、そのヘテロ接合面に発生する高い移動度の二次元電子ガス濃度をゲート電極により制御する構成となっている。
【0003】
当該ヘテロ接合電界効果トランジスタとしては、III−Nitride系(特に、AlGaN/GaN系)の半導体素子として、Stacia Keller et al.:IEFE Trans. Electron Devices,48,552(2001),’’Gallium nitride Based High Power Heterojunction Field effect Transistors:Process Development and Present Status at UCSB’’に記載のものが挙げられる。
【0004】
AlGaN/GaN系のヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて上記文献では、有機金属気相成長法(MOCVD法)により成長させたAlGaN/GaN積層膜表面のAlGaN膜が、Al組成比0.25より大きいとグレイン状になり、積層膜成長パラメータのアンモニア流量を減らすことにより、グレイン状から平坦状に改善できることが記述されている。しかしながら、この方法においても、なお、グレイン状態は残っており、良質な平坦膜は得られていない。
【0005】
AlGaN表面層がグレイン状になると、二次元電子濃度を大きくできなくなり、ヘテロ接合電界効果トランジスタの電流値を大きくすることが不可能となる。また、グレイン状となることで、表面欠陥が多くなり、高周波特性が劣化する。つまり、ヘテロ接合電界効果トランジスタ特性が劣化する。
【0006】
図5に、上記文献を参考にしたヘテロ接合電界効果トランジスタのAl0.26Ga0.74N/GaN積層構造を示す。
その構造としては、サファイア(Al2O3)からなる基板101上に、GaN層(低温バッファ層)102、ノンドープGaN層(チャネル層)103、ノンドープAl0.26Ga0.74N層(スペーサ層)104、n型のAl0.26Ga0.74N層(電子供給層)105およびノンドープAl0.26Ga0.74N層(キャップ層)106が順次形成されたものとなっている。
【0007】
上記文献と同様に、本発明者らの実験でも、最表面層であるノンドープAl0.26Ga0.74N層106を、その表面が完全な平坦膜として形成することは不可能で、その表面には亀裂が見られる等、依然としてグレイン状であった。
【0008】
グレイン状になる一因としては、前記電子供給層およびスペーサ層のAl0.26Ga0.74Nの格子定数(原子間距離と等価)が、チャネル層であるGaNの格子定数より小さいために、格子不整合が生じることで、表面から内部に向かって亀裂が入るためと考えられる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
以上から、本発明は、表面を平坦な状態とし、上述の表面がグレイン状となることに起因する特性劣化を生じないヘテロ接合電界効果トランジスタを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく鋭意検討の結果、本発明者らは、以下に示す本発明により当該課題を解決することができることを見出した。すなわち、本発明は、
<1> 基板上に、少なくとも、低温バッファ層、チャネル層、スペーサー層、電子供給層のそれぞれの半導体層が順次形成された半導体素子であって、
前記電子供給層上に、さらに、キャップ層が形成されており、
該キャップ層の格子定数が、前記チャネル層の格子定数と略同一であり、前記スペーサー層および前記電子供給層の格子定数とは異なり、
前記チャネル層がGaNからなり、
前記スペーサー層および前記電子供給層がAl i Ga 1−i N(0<i<1)からなり、
前記キャップ層がAl x In y Ga 1−x−y N(0≦x<1、0<y<1)からなる
ことを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタである。
【0012】
【発明の実施の形態】
<ヘテロ接合電界効果トランジスタ>
本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタは、基板上に、少なくとも、ノンドープのGaNまたはAlGaN等からなる低温バッファ層、ノンドープGaN等からなるチャネル層、ノンドープAlGaN等からなるスペーサー層、n型AlGaN等からなる電子供給層が順次形成されており、前記電子供給層上に、さらに、n型のAlxInyGa1-x-yN(0≦x<1、0<y<1)等からなるキャップ層が形成されている。
上記キャップ層は、平坦な状態で形成されているため、表面欠陥に起因する二次元電子濃度の減少を防ぎ、高周波特性の低下等といったヘテロ接合電界効果トランジスタ特性の劣化を防止することができる。
なお、上記「平坦」とは、キャップ層表面に亀裂がほとんど無い、もしくは全く無い状態をいい、具体的には、原子間力顕微鏡(AFM)で測定した表面粗さ(下記式(1)で表わされるRMS)が、0.4nm以下、好ましくは、0.3nm以下の範囲にあることをいう。
RMSが0.4nmを超えると、表面の亀裂が多くなり、その結果、欠陥の数が多くなって、表面層(キャップ層)が平坦でなくなり、ヘテロ接合電界効果トランジスタの特性が劣化しやすくなることがある。
【0013】
【数1】
【0014】
上記式(1)中、Ziは、測定点iでの表面の高さを示し、Zaveは、全ての測定点に対する平均高さを示し、nは、測定点の数を示す。
【0015】
前記「平坦」なキャップ層は、これを構成するn型のAlxInyGa1-x-yNの格子定数をGaNの格子定数と略同一となるように、格子整合させることで得られる。
ここで、前記「略同一」とは、GaNの格子定数をCとした場合、AlxInyGa1-x-yNの格子定数が、0.997C〜1.01Cの範囲にあることをいう。かかる範囲にあることで、亀裂(表面欠陥)が無くなり、平坦な表面が得られる。
【0016】
既述のように、従来のヘテロ接合電界効果トランジスタの表面に亀裂が生じるのは、チャネル層と、該チャネル層と接触するスペーサー層や電子供給層と、の格子定数が異なるため、格子不整合が生じ、チャネル層から厚み方向に離れるほど格子がフリーなるためと考えられる。
従って、キャップ層を、チャネル層を構成する材料(例えば、GaN)と格子整合させることができれば、電子供給層の格子は、この上のキャップ層の格子からも応力を受け、亀裂を生じなくなると考えられる。その結果、キャップ層表面は、欠陥がほとんどない、もしくは全くない平坦な状態となり、ヘテロ接合電界効果トランジスタの特性劣化を防ぐことができる。
【0017】
本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタでは、キャップ層として、好ましくは、n型のAlxInyGa1-x-yNからなる層を電子供給層上に形成する。前記AlxInyGa1-x-yNは、当該式中のx、yを、0≦x<1、0<y<1の範囲で適宜設定することで、GaNからなるチャネル層と格子整合するようになる。
【0018】
GaN(チャネル層)と格子整合するAlxInyGa1-x-yNをキャップ層とすることで、電子供給層の上部(キャップ層と電子供給層との界面)がキャップ層から応力を受け、下層のチャネル層との相互作用により、亀裂の発生が抑制されると考えられる
このような亀裂の発生が抑制されることによって、表面が平坦となって、既述の効果が奏されると考えられる。
【0019】
AlxInyGa1-x-yNの当該式中のx、yは、図1に示すGaN系積層構造を有する材料の格子定数とバンドギャップとの関係から設定することができる。
【0020】
すなわち、GaNと格子整合するAlxInyGa1-x-yNは、前記「略同一」の意義を考慮して、図1に示すように、AlN、GaN、InNからなる三角形内で格子定数の値が3.179〜3.221Å(CをGaNの格子定数3.189Åとして、0.997C〜1.01Cに対応)の領域(図1の斜線で示された部分)で表わされる。
従って、上記領域内で、x、yの値を定めることで、GaNと格子整合するAlxInyGa1-x-yNからなる平坦なキャップ層が形成される。
なお、図1中のAlN、GaN、InNの格子定数(Å)は、それぞれ、3.112、3.189、3.548であり、バンドギャップ(eV)は、それぞれ、3.39.6.20、1.89である。
【0021】
ここで、n型のAlxInyGa1-x-yNにおいて、x=y=0の場合のGaNをキャップ層として電子供給層を被った場合のその表面の原子間力顕微鏡(AFM)像を図2に示す。図2から明らかなように、その表面に亀裂は見られない。また、表面粗さ(RMS)は、0.31nmであり、その表面は平坦であることが確認できる。
すなわち、AFMの結果から、格子整合することで、表面に欠陥がない平坦なキャップ層が形成されることが確認できる。
【0022】
さらに、n型のAlxInyGa1-x-yNからなるキャップ層を、そのバンドギャップが、図1の三角形内で斜線で示した範囲内で、例えば、Al0.26Ga0.74Nのバンドギャップと一致するような組成にすれば、AlxInyGa1-x-yNとAl0.26Ga0.74Nとのバンドギャップが等しくなり、バンドの不連続が小さくなるため、ヘテロ接合電界効果トランジスタの直列抵抗成分を低くすることが可能で、ヘテロ接合電界効果トランジスタ特性をより良好にすることができる。
なお、直列抵抗成分を低くする手段としては、他に、キャップ層と電子供給層とのキャリア濃度を高める手段等を挙げることもできる。
【0023】
以上から、n−AlxInyGa1-x-yNからなるキャップ層は、GaNと格子整合させ、そのバンドギャップを電子供給層を構成する材料(例えば、Al0.26Ga0.74N)と一致させた状態を中心として、図1に示される三角形内の斜線領域に入るような組成にすることが好ましいといえる。
【0024】
<ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法>
本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法は、少なくとも、電子供給層上にGaN(チャネル層)と略同一の格子定数を有するn型のAlxInyGa1-x-yNからなるキャップ層を形成するキャップ層形成工程、を有することが好ましい。
以下、本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法について図面を参照して説明する。
【0025】
図3は、本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタの製造工程を示す図である。
図3(a)は、半導体素子の積層構造を示したものである。かかる積層構造は、例えば、有機金属気相成長法(MOCVD法)により作製することができる。
ここで、窒素(N)の原料ガスとしては、例えば、アンモニア(NH3)、ガリウムの原料ガスとしては、例えば、トリメチルガリウム(TMG);アルミニウムの原料ガスとしては、例えば、トリメチルアルミニウム;インジウムの原料ガスとしては、例えば、トリメチルインジウム(TMI);n型ドーパントとしては、シラン(SiH4);を適用することが好ましい。
【0026】
具体的には、まず、成長装置に設置した500〜700℃の基板1上に、低温バッファ層2を厚さ20〜60nmで形成し、その後、基板1の温度を1000〜1100℃として、チャネル層3を厚さ2〜3μmで形成する。
ここで、チャネル層形成時の原料ガスの流量としては、NH3:5リットル/分、TMG:69μmol/分で行うことが好ましい。
【0027】
基板1としては、サファイア(Al2O3)やSiCの他、最近研究レベルで使われているGaN単結晶の基板を使用することが好ましい。また、低温バッファ層2を構成する材料としては、GaNやAlGaN等を挙げることができる。さらに、チャネル層3を構成する材料としては、ノンドーブGaN等を挙げることができる。
【0028】
形成したチャネル層3上に、スペーサー層4を厚さ5〜15nmで形成する。形成したスペーサー層4上に、キャリア濃度が(1〜10)×1018cm-3の電子供給層5を厚さ10〜40nmで形成する。
【0029】
スペーサー層4を構成する材料としては、Al、GaおよびNからなる半導体材料で、特に、ノンドープAl0.26Ga0.74N等を挙げることができる。また、電子供給層5を構成する材料としては、Al、GaおよびNからなる半導体材料で、特に、n−Al0.26Ga0.74N等を挙げることができる。
ここで、スペーサー層4および電子供給層5を形成する際の温度は、1000〜1100℃とすることが好ましい。また、NH3、TMG、TMAの流量は、Al0.26Ga0.74N層については、それぞれ、5リットル/分、29.5μmol/分、5.2μmol/分といった条件で行うことが好ましい。
【0030】
次に、形成した電子供給層上に、キャリア濃度を(1〜5)×1018cm-3としたn型のAlxInyGa1-x-yN(0≦x<1、0<y<1、)からなるキャップ層を厚さ10〜20nmで形成する(キャップ層形成工程)。AlxInyGa1-x-yNのx、yは、既述のように、GaNと格子整合するように設定するが、バンドギャップ等を考慮して、x、yをそれぞれ、0.29、0.07程度とすることが好ましい。
なお、かかるキャップ層も、一般的なMOCVD法によって形成することができる。
【0031】
次に、キャップ層6が形成された積層体(ウエハ)を成長装置から取り出し、公知のフォトリソグラフィにより図3(b)のようなレジストパターン11を形成する。
【0032】
その後、オーミック電極(ソース電極、ドレイン電極)形成用として、金属積層薄膜21を厚さ300〜400nmで真空蒸着により形成し、リフトオフ法によりレジストパターン11上の金属積層薄膜21を除去し、図3(c)に示すような電極構造を形成する。当該電極構造を形成したウエハを窒素雰囲気中、450℃以上で数分間アニールすることによりオーミック接触を有するオーミック電極(ソース電極、ドレイン電極)21’が得られる。
【0033】
オーミック電極21’積層構造としては、例えば、Ti薄膜、Al薄膜、Ni薄膜、Au薄膜をこの順に積層した構成とすることができる。
このオーミック電極21’におけるキャップ層5に接触する第一層目の金属(金属薄膜21を構成する金属)としては、Ti以外に、Al、Pd、Nd等から1種を選択して用いることもできる。
なお、前記アニール条件は一例であってこれに限定されるものではない。
【0034】
次いで、再びフォトリソグラフィにより図3(d)のレジストパターン31を形成し、ショットキー金属を蒸着し、リフトオフ法により、図3(e)に示すようなゲート電極41が形成されたヘテロ接合電界効果トランジスタが作製される。
なお、前記ショットキー金属としては、Re、W、Pt、Ni、Pd、Au等から1種を適宜選択することができる。
【0035】
以上のようにして、本発明のヘテロ接合電界効果トランジスタが製造される。なお、上記製造方法は例示であって、種々の公知の層を適宜設ける等、本発明から奏される効果を阻害しない範囲で種々の変更を加えることができる。
【0036】
【実施例】
以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0037】
(実施例1)
この実施例において、層の形成には、有機金属気相成長法(MOCVD法)を用い、窒素(N)の原料ガスとしては、アンモニア(NH3)、ガリウムの原料ガスとしては、トリメチルガリウム(TMG);アルミニウムの原料ガスとしては、トリメチルアルミニウム;インジウムの原料ガスとしては、トリメチルインジウム(TMI);n型ドーパントとしては、シラン(SiH4);を用いる。まず、成長装置に設置した600℃のサファイア基板(厚さ0.3mm)上に、GaN低温バッファ層を厚さ30nmで形成し、その後、基板の温度を1050℃として、ノンドープGaNからなるチャネル層を厚さ2.5μmで形成した。
また、チャネル層形成時の原料ガスの流量としては、NH3:5リットル/分、TMG:69μmol/分で行った(以下、同様)。
【0038】
形成したチャネル層上に、ノンドープAl0.26Ga0.74Nからなるスペーサー層を厚さ10nmで形成した。その後、前記スペーサー層上に、n型のAl0.26Ga0.74Nからなる電子供給層(キャリア濃度5×1018cm-3)を厚さ20nmで形成した。
ここで、スペーサー層4および電子供給層5を形成する際の温度は、1050℃とした。
【0039】
形成した電子供給層上に、キャリア濃度を1×1018cm-3としたn型のAl0.29In0.07Ga0.64N(格子定数:3.189Å、バンドギャップ:4.12eV)からなるキャップ層を厚さ10nmで形成した(キャップ層形成工程)。
【0040】
形成したキャップ層の表面を原子間力顕微鏡(AFM)で測定した。測定したAFM像は、図2とほぼ同様で、その表面には欠陥が存在しないことが確認できた。また、その表面粗さ(RMS)を測定したところ、0.2nmであった。
すなわち、作製した積層体の表面(キャップ層の表面)は、平坦であり表面欠陥が無いに等しい状態であることが確認できた。
【0041】
次に、キャップ層が形成された積層体(ウエハ)を成長装置から取り出し、公知のフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、オーミック電極(ソース電極、ドレイン電極)形成用として、Ti薄膜を厚さ15nm、Al薄膜を厚さ220nm、Ni薄膜を厚さ40nm、Au薄膜を厚さ50nmでこの順に真空蒸着して金属積層薄膜を形成し、リフトオフ法によりレジストパターン上の金属積層薄膜を除去した。
【0042】
この金属積層薄膜が形成されたウエハを窒素雰囲気中、450℃以上で数分間アニールすることによりオーミック接触を有するオーミック電極(ソース電極、ドレイン電極)が得られた。
次いで、再びフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ショットキー金属としてReを蒸着し、リフトオフ法により、ゲート電極を形成し、ヘテロ接合電界効果トランジスタを作製した。
【0043】
(比較例1)
キャップ層に、n型のAl0.29In0.07Ga0.64Nの代わりにノンドープのAl0.26Ga0.74Nからなる層(厚さ5nm)を形成した以外は、実施例1と同様にして、ヘテロ接合電界効果トランジスタを作製した。
図4に、オーミック接触する前のノンドープAl0.26Ga0.74Nからなるキャップ層の表面状態について、AFMの測定結果を示す。図4より、表面がグレイン状であることが確認された。さらに、AFMから算出した表面粗さ(RMS)は0.94nmで、表面欠陥の存在が確認された。これは、格子不整合により表面に細かい亀裂が生じたためと考えられる。
【0044】
実施例1および比較例1で作製したヘテロ接合電界効果トランジスタについて、ホール効果測定および電流−電圧特性測定によりその特性を評価したところ、比較例1では、表面欠陥に起因する特性の劣化が見られたのに対し、実施例1では、常に良好な特性が得られた。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば、表面を平坦なものとし、表面がグレイン状となることに起因する特性劣化を生じないヘテロ接合電界効果トランジスタを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 半導体のバンドギャップと格子定数との関係を示す図である。
【図2】 キャップ層表面の原子間力顕微鏡像を示す写真である。
【図3】 ヘテロ接合電界効果トランジスタの製造工程の例を示す図である。
【図4】 比較例1のノンドープAl0.26Ga0.74Nからなるキャップ層の原子間力顕微鏡像を示す写真である。
【図5】 ヘテロ接合電界効果トランジスタのAl0.26Ga0.74N/GaN積層構造を示す断面図である。
【符号の説明】
1・・・基板
2・・・低温バッファ層
3・・・チャネル層
4・・・スペーサー層
5・・・電子供給層
6・・・キャップ層
11,31・・・レジストパターン
21・・・金属薄膜
21’・・・オーミック電極
41・・・ゲート電極
Claims (1)
- 基板上に、少なくとも、低温バッファ層、チャネル層、スペーサー層、電子供給層のそれぞれの半導体層が順次形成された半導体素子であって、
前記電子供給層上に、さらに、キャップ層が形成されており、
該キャップ層の格子定数が、前記チャネル層の格子定数と略同一であり、前記スペーサー層および前記電子供給層の格子定数とは異なり、
前記チャネル層がGaNからなり、
前記スペーサー層および前記電子供給層がAl i Ga 1−i N(0<i<1)からなり、
前記キャップ層がAl x In y Ga 1−x−y N(0≦x<1、0<y<1)からなる
ことを特徴とするヘテロ接合電界効果トランジスタ。
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