JP3948084B2 - Electron beam lithography for precision measurement method - Google Patents

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    • G03F7/70483Information management, control, testing, and wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70616Wafer pattern monitoring, i.e. measuring printed patterns or the aerial image at the wafer plane
    • G03F7/70633Overlay

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は電子線描画用精度測定方法の改良、特に2次元方向に同時に測定を行う電子線描画用精度測定方法に関するものである。 The present invention is an improvement of an electron beam drawing accuracy measurement method, an electronic beam drawing accuracy measurement method for performing a particular measured simultaneously in two-dimensional directions.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
近年、半導体集積回路の高集積化、高性能化に伴い、半導体のパターンの形成においても、パターンの微細化、精度の向上が要求されている。 Recently, high integration of a semiconductor integrated circuit, with the high performance, even in the formation of the semiconductor pattern, finer pattern, accuracy of is required. 微細パターンをチップやウェハ上に形成する方法として、電子線描画方法が用いられている。 As a method for forming a fine pattern on a chip or wafer, it is used an electron beam drawing method. 電子線描画方法は、電子線を用いて直接チップ等上にあるいはチップ等に塗布されているレジストの上にパターンの描画を行う方法をいう。 Electron beam lithography method, refers to a method for drawing a pattern on a resist coated on the direct chip or the like on or in the chip or the like using an electron beam.
【0003】 [0003]
この電子線描画方法を用いてチップやウェハ等へのパターンの描画は、偏向器によって電子線を偏向させていくことにより行われる。 The drawing of the pattern of the electron beam lithography method using the chip or wafer or the like is performed by going to deflect the electron beam by the deflector. しかし、偏向器による偏向だけでは描画しきれない程チップ等の大きさが大きい場合は、偏向器のみではチップ全体にパターンを描画することができない。 However, only deflection by the deflector when the magnitude of the chips enough not be drawn, only the deflector is unable to draw a pattern on an entire chip. このため、チップをX−Yテーブルの上に配置し、チップをいくつかのフィールドに分けてパターンを描画していく。 Therefore, to place the chip on a an X-Y table, and the continue to draw a pattern by dividing the chip into several fields. この描画方法をステップ式投射露光方法という。 The drawing method of stepped projection exposure method.
【0004】 [0004]
ステップ式投射露光方法でチップにパターンを描画すると、必然的にフィールド間につなぎ目が発生してしまう。 When drawing the pattern on the chip stepped projection exposure method, the joint occurs between inevitably field. すなわち、チップがX−Yテーブルで移動するときにアクチュエータの誤差等により、チップの位置にずれが生じる場合がある。 That is, the chip is the error of the actuator when moving in an X-Y table, and the sometimes deviation occurs in the position of the chip. また、電子ビームや偏向器の誤差により、分割されたチップのフィールド内に電子線による描画を行ったとき、位置ずれが生じてしまう場合がある。 Further, the error of the electron beam and a deflector, when performing drawing by an electron beam in a field of the divided chips, there is a case where positional shift occurs. このフィールド内の描画のずれやX−Yテーブルの位置決め誤差は、分割されたフィールド間同士の接続ずれの原因となっている。 Positioning errors of displacement and X-Y table of the drawing in this field, causing the connection shift between between the divided fields.
【0005】 [0005]
具体的には、可変成形ビーム描画装置を用いて、主偏向、副偏向、副副偏向の3段偏向方式でパターン描画を行った場合、通常最大5005μm□、455μm□、65μm□周期でそれぞれパターンに接続誤差が生じてしまう。 Specifically, by using a variable shaped beam writing apparatus, the main deflection, auxiliary deflection, if the pattern drawing was performed in three stages deflection scheme of the sub-sub-deflection, typically up to 5005μm □, 455μm □, respectively pattern 65 .mu.m □ cycle connection error occurs in.
そこで、隣り合うフィールドのつなぎ目が接続されているか否かを測定して、もし接続されていない場合は、修正を施す必要がある。 Therefore, to determine whether the joint of adjacent fields are connected, if not connected if it is necessary to apply a correction.
【0006】 [0006]
従来、フィールド間の接続精度の検査は、図6(A)に示すような#型の目盛1が用いられている。 Conventionally, the connection accuracy of the inspection between fields, scale 1 # type as shown in FIG. 6 (A) is used. この#型の目盛1を用いた接続精度測定方法について説明する。 This # type connection accuracy measurement method using the scale 1 will be described.
まず、水平方向に隣り合うフィールドF1とF2の垂直方向の接続精度を測定する。 First, to measure the vertical connection accuracy of fields F1 and F2 adjacent in the horizontal direction. 図6(B)に示すように、フィールドF1に#型の半分の目盛1aを描画した後、X−Yテーブルを作動させて、フィールドF2に#型の半分の目盛1bを描画する。 As shown in FIG. 6 (B), after drawing the half of the scale 1a of # type field F1, it actuates the an X-Y table, and the drawing the # type of half scale 1b in the field F2. そして、測長走査型電子顕微鏡(以下「CD−SEM」という)を用いて#型の目盛のずれ量ΔXを測定する。 Then, the shift amount ΔX of # type of the scale is measured using a critical dimension scanning electron microscope (hereinafter referred to as "CD-SEM"). これにより、フィールドF1とF2の水平方向に対する接続精度が求められる。 Thus, the connection accuracy with respect to the horizontal direction of the field F1 and F2 are determined.
【0007】 [0007]
次に、水平方向に隣り合うフィールドF1とF3の垂直方向の接続精度を測定する。 Next, to measure the vertical connection accuracy of the field F1 and F3 to adjacent in the horizontal direction. 図6(C)に示すように、フィールドF1に#型の半分の目盛1cを描画した後、X−Yテーブルを作動させて、フィールドF3に#型の半分の目盛1dを描画する。 As shown in FIG. 6 (C), after drawing the # type of half scale 1c field F1, it actuates the an X-Y table, and the drawing the # type of half scale 1d field F3. そして、CD−SEMを用いて#型の目盛のずれ量ΔYを測定する。 Then, to measure the shift amount ΔY of # type memory using a CD-SEM. これにより、フィールドF1とF3の垂直方向に対する接続精度が求められる。 Thus, the connection accuracy with respect to the vertical direction of the field F1 and F3 are determined.
【0008】 [0008]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかし、上述した測定方法は、フィールド間の接続精度については測定することができるが、それぞれのフィールド内の位置ずれについては測定することができない。 However, the measuring method described above, can be measured for the connection accuracy between the fields can not be measured for the positional deviation in the respective fields. よって、各フィールド内に電子線が正確にパターンを描画するか否かについては測定することができないという問題がある。 Therefore, there is a problem that the electron beam in each field can not be measured whether to draw a precise pattern.
さらに、上述した測定方法では、X方向の測定とY方向の測定を別々に行わなければならず、測定に時間と手間がかかってしまうという問題がある。 Further, in the measurement method described above, must be performed to measure the X-direction of the measurement and the Y direction separately, there is a problem that it takes time and effort for the measurement.
【0009】 [0009]
また、精度マーク描画露光量にも測定値が依存するという問題がある。 Further, there is a problem that the measured value is dependent on the accuracy mark forming exposure. すなわち、レジストに対する露光量が多すぎると、レジストが帯電することにより、入射する電子の位置が変化してしまう、いわゆるチャージアップを引き起こしてしまうという問題がある。 That is, when the exposure amount for the resist is too large, by the resist is charged, the position of the incident electrons is changed, there is a problem that causes the so-called charge-up. さらに、この測定方法においては、測定精度が悪いという問題がある。 Further, in this measuring method, it is poor measurement accuracy. 具体的には、標準偏差3σで20mm程度であり、測定再現性が悪いため、測定精度が疑問視されている。 Specifically, a 20mm about the standard deviation 3 [sigma], due to poor measurement reproducibility, the measurement accuracy is questionable.
【0010】 [0010]
そこで本発明は上記課題を解消し、効率的にかつ正確に位置ずれを検出するするとともに接続精度を測定することができる電子線描画用測定装置を提供することを目的としている。 The present invention is intended to provide the above-mentioned problems and overcome efficiently and electron beam drawing measurement apparatus capable of measuring the connection accuracy while accurately detect the positional deviation.
【0011】 [0011]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上記目的は、本発明にあっては、主尺パターンと副尺パターンを用いて、対象物に対して電子線によりパターンを描画する電子線描画装置の位置ずれ精度を測定する電子線描画用精度測定方法にであって、メッシュ状の主尺パターンを対象物に塗布されたレジストに描画し、主尺パターンとピッチの違うメッシュ状のパターンの副尺パターンを、対象物に描画された主尺パターンに重ねて描画して、主尺パターンと副尺パターンの重ね合わされた領域である複数のバーニアパターンの面積を測定し、バーニアパターンのうち最も面積が大きいバーニアパターンの座標を測定する電子線描画用精度測定方法により、達成される。 The above object is achieved, according to the present invention, main scale pattern using a vernier pattern, electron beam drawing accuracy of measuring the positional deviation accuracy of the electron beam drawing apparatus which draws a pattern by an electron beam to the object a is a measuring method, to draw the resist applied to the main scale pattern meshed to the object, the vernier pattern of the main scale pattern and the mesh-like pattern of different pitch, which is drawn on the object main scale and draw over the pattern, the area of ​​the plurality of vernier patterns is a region superimposed with the main scale pattern and the vernier patterns is measured, the electron beam lithography for measuring the coordinates of the largest area vernier pattern of the vernier pattern the use precision measurement method, is achieved.
【0012】 [0012]
本発明では、主尺パターンと副尺パターンを重ねて描画することによって、主尺パターンと副尺パターンの重なった領域に2次元のバーニアパターンが形成される。 In the present invention, by drawing overlapping the main scale pattern and the vernier pattern, main scale pattern and two-dimensional vernier pattern overlapping regions of the vernier pattern is formed. 複数のバーニアパターンのそれぞれの面積を求めて、最も面積の大きいバーニアパターンを検出してその座標を測定する。 Seeking the area of ​​each of the plurality of vernier patterns, and measuring the coordinates by detecting the large vernier patterns on the most area.
これにより、これにより、2次元方向に対して同時に位置ずれを測定できるとともに、ずれ量を定量的に求めることができるため、精度よく位置ずれを測定することができる。 Thus, Thus, it is possible to measure the positional deviation at the same time for two-dimensional direction, it is possible to determine the shift amount quantitatively, it is possible to accurately measure the positional deviation.
【0013】 [0013]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明の好適な実施の形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。 It will be described in detail with reference to preferred embodiments of the present invention in the accompanying drawings.
なお、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。 The embodiments described below are preferred specific examples of the present invention, various technically preferable limitations are imposed, the scope of the present invention, particularly limit the present invention in the following description unless there are descriptions of, not limited to these forms.
【0014】 [0014]
本発明の電子線描画用接続精度測定方法の好ましい実施の形態について図面を参照しながら詳しく説明する。 It will be described in detail with reference to the accompanying drawings a preferred embodiment of the electron beam drawing connection accuracy measurement method of the present invention. 図1には、電子線描画用接続精度測定方法に用いられる主尺パターン10のパターン図を示しており、図2には、電子線描画用接続精度測定方法に用いられる副尺パターン20のパターン図を示している。 FIG 1 shows a pattern diagram of a main scale pattern 10 used for the electron beam drawing connection accuracy measurement method, FIG. 2, the vernier pattern 20 used for the electron beam drawing connection accuracy measurement method pattern It shows a view.
図1の主尺パターン10はメッシュ状に形成されていて、メッシュサイズは例えば0.2μm□、ピッチ0.4μmで形成されている。 Main scale pattern 10 of Figure 1 is formed into a mesh shape, a mesh size of for example 0.2 [mu] m □, are formed with a pitch 0.4 .mu.m. また、図2の副尺パターン20もメッシュ状に形成されており、例えばメッシュサイズは0.18μm□、ピッチ0.36μmで形成されている。 Further, vernier pattern 20 of FIG. 2 is also formed in a mesh shape, for example, mesh size 0.18 .mu.m □, are formed with a pitch 0.36 .mu.m. 副尺パターン20のメッシュサイズは主尺パターン10のメッシュサイズよりも所定の割合、例えば90%の縮小率で形成されている。 Mesh size vernier pattern 20 is formed at a predetermined rate, for example 90% of reduction ratio than the mesh size of the main scale pattern 10.
【0015】 [0015]
図3にはウェハWのフィールド上に主尺パターン10と副尺パターン20を電子線描写したときの平面図を示している。 It shows a plan view when the main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is depicted an electron beam on the field of the wafer W in FIG.
図3の対象物であるウェハW上にはレジストが塗布されており、そのレジストの上に主尺パターン10と副尺パターン20が描画される。 The on the wafer W as an object of Figure 3 and the resist is applied, main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is drawn on top of the resist. この描画は、主尺パターン10の露光量と副尺パターン20の露光量をあわせた露光量がレジストの最適な露光量となるように、電子線により描画される。 This drawing is exposure to match the exposure amount of the exposure amount and the vernier pattern 20 of the main scale pattern 10 so that the optimal exposure amount of the resist, is drawn by an electron beam. 例えば、化学増幅レジストの最適露光量が7.0(μC/cm 2 )であるとき、主尺パターン10と副尺パターン20は、それぞれ3.5(μC/cm 2 )ずつで電子線により描画される。 For example, when the optimum exposure of chemically amplified resist is 7.0 (μC / cm 2), main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is drawn by an electron beam at each respective 3.5 (μC / cm 2) It is.
ウェハWに塗布されたレジストの最適の露光量で、主尺パターン10と副尺パターン20が描画されることにより、チャージアップを低減して、高精度測定を行うことができる。 In the optimum amount of exposure of the resist coated on the wafer W, by main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is drawn, it is possible to reduce the charge-up, perform high accuracy measurement.
【0016】 [0016]
ウェハWは複数のフィールドに分割されており、このフィールドの範囲は電子線が偏向レンズによる偏向で描画できる範囲になっている。 Wafer W is divided into a plurality of fields, the range of this field is in a range where the electron beam can be drawn by the deflection by the deflection lens. 主尺パターン10と副尺パターン20は各領域の4隅と中央部に配置される。 Main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is disposed at the four corners and the center of each region. 領域の4隅に主尺パターン10と副尺パターン20を描画するのは、主に隣接する領域との接続精度を測定するためであり、領域の中央部に描画するのは、主に領域内の位置ずれを検出するためである。 Is to draw main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 at the four corners of the region, it is for measuring the main connection accuracy between the adjacent regions, to draw the central part of the region, mainly in the area in order to detect the positional deviation of.
【0017】 [0017]
主尺パターン10と副尺パターン20がレジスト上に描画された後、現像液により主尺パターン10と副尺パターン20の重ね合わされた領域(以下「バーニアパターン」と呼ぶ)を解像する。 After main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is drawn on the resist, to resolve superposed regions of main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 by a developer (hereinafter referred to as "vernier pattern"). すなわち、主尺パターン10と副尺パターン20の露光量はそれぞれレジストの最適露光量の50%ずつ露光されているので、レジストを現像することにより複数のバーニアパターンBPが形成されることになる。 That is, since the main exposure amount of scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is exposed at 50% of the optimum exposure of each resist, a plurality of vernier patterns BP is formed by developing the resist.
【0018】 [0018]
図4には、主尺パターン10と副尺パターン20により形成されたバーニアパターンBPの平面図を示している。 Figure 4 shows a plan view of the vernier pattern BP formed by main scale pattern 10 and the vernier pattern 20.
図4において、主尺パターン10と副尺パターン20が重ね合った領域がバーニアパターンBPとして解像する。 4, the main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is Kasanea' region is resolved as vernier pattern BP. このとき、解像されたバーニアパターンBPの最も領域が大きいバーニアパターンBPを探すことにより、ずれ値を定量的に評価することができる。 In this case, by looking for the most region is large vernier pattern BP of resolved vernier pattern BP, it is possible to quantitatively evaluate the deviation value.
すなわち、主尺パターン10と副尺パターン20はピッチが違うため、所定の場所以外では完全に重なり合わず、バーニアパターンBPが最大とはならない。 That is, the main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is the pitch is different, do not overlap completely except in place, vernier pattern BP is not maximized. この場所以外でバーニアパターンBPの面積が最大となる場合、位置ずれを起こしていることになり、そのバーニアパターンBPの面積が最大となる座標を求めることでずれ量を定量的に測定することができる。 If outside of this location area of ​​the vernier pattern BP maximized, will be undergoing positional deviation, that area of ​​the vernier pattern BP is quantitatively measure the shift amount by determining the coordinates of the maximum it can.
【0019】 [0019]
具体的には、図4において最大寸法に解像するバーニアパターンの座標を(i,j)で定義し、副尺パターン20の縮小率を1/nとする。 Specifically, to define the coordinates of the vernier pattern resolvable maximum dimension (i, j) in FIG. 4, the reduction ratio of the vernier patterns 20 and 1 / n. このとき、X方向のずれ量は2i/n、Y方向のずれ量は2j/nで表される。 At this time, the shift amount in the X direction 2i / n, the deviation amount in the Y direction is represented by 2j / n. 主尺パターン10に対する副尺パターン20の縮小率は予め設定されているので、最大寸法に解像するバーニアパターンの座標(i,j)の値さえわかれば、X方向とY方向のずれ量を即座に求めることができる。 Since the reduction ratio of the vernier pattern 20 with respect to the main scale pattern 10 is set in advance, the vernier pattern resolvable maximum dimension coordinates (i, j) knowing only the value of the X direction and the Y direction displacement amount it can be obtained immediately.
【0020】 [0020]
図5は、最も面積の大きいバーニアパターンBPを検出するためのフローチャート図であり、図4と図5を参照しながら最も大きい領域をしたバーニアパターンBPをCD−SEMで検索する方法を説明する。 Figure 5 is a largest area is a flowchart for detecting a large vernier pattern BP of, explaining how to find the vernier pattern BP that the largest area with reference to FIGS. 4 and 5 in CD-SEM.
まず、始点となるバーニアパターンBP1のX方向、Y方向の長さWx、Wyを測定し、バーニアパターンBP1の面積S1を算出する(ST1)。 First, X-direction vernier pattern BP1 as a starting point, Y-direction length Wx, a Wy measured to calculate the area S1 of the vernier pattern BP1 (ST1). 具体的には、形成されたバーニアパターンBPに電子線を照射し、反射電子又は2次電子の検出信号の1次微分もしくは2次微分波形のピーク値からバーニアパターンBPの面積Sを測定する。 Specifically, by irradiating an electron beam to the formed vernier pattern BP, measuring the area S of the vernier pattern BP from the peak value of the first derivative or second derivative waveform of the detection signal of reflected electrons or secondary electrons.
次に、その始点に隣接する8つのバーニアパターンBPについてそれぞれX方向の長さWx、Y方向の長さWyを測定し、面積Sを算出する(ST2)。 Then, the length Wx in the X direction, the Y-direction length Wy measured for eight vernier patterns BP adjacent to the starting point, it calculates an area S (ST2).
【0021】 [0021]
隣接する8つのバーニアパターンBPと始点となったバーニアパターンBP1の面積S1をぞれぞれ比較して、そのうち一番大きい面積を有するバーニアパターンBPmaxを選び出す(ST3)。 Compared, respectively, respectively the area S1 of the vernier pattern BP1 became neighboring eight vernier pattern BP and the starting point, select the vernier pattern BPmax with them largest area (ST3). このようにして、すべてのバーニアパターンBPについて面積Sを求めて、面積が最大となるバーニアパターンBPmaxを検索する(ST4)。 In this manner, for all the vernier pattern BP seeking area S, searches the vernier pattern BPmax which area is maximized (ST4). バーニアパターンBPmaxが検出されたら、その座標を測定する(ST5)。 When vernier pattern BPmax is detected, to measure the coordinates (ST5). 測定された座標に基づいて測定したフィールドにおける位置ずれを検出することができる。 Positional deviation in the field of measurement based on the measured coordinates can be detected.
これにより、測定したフィールドにおける位置ずれを検出することができる。 Thereby, positional deviation in the measured field can be detected. この作業をすべてのフィールドについて行う。 Do this for all of the fields. そして、すべてのフィールドについて位置ずれを定量的に測定する。 Then, quantitatively measuring the positional deviation for all fields.
【0022】 [0022]
上記実施の形態によれば、複数に分割された各フィールドの位置ずれを検出することにより、各フィールドの位置ずれ精度を求めることができる。 According to the above embodiment, by detecting the positional deviation of each field is divided into a plurality, it is possible to obtain the positional deviation accuracy of each field. ぞして、各フィールドの位置ずれ精度を求めることにより、各フィールド間の接続精度をも求めることができる。 Each to, by obtaining the positional deviation accuracy of each field can be obtained even the connection accuracy between the respective fields. すなわち、各フィールドの位置ずれがなければ、接続精度が生じることがないという観点から、各フィールドの位置ずれを検出さえすれば、接続精度も検出できることになる。 That is, if there is no positional deviation of each field, from the viewpoint of never connecting accuracy occurs, if only detecting the positional deviation of each field, the connection precision can be detected.
【0023】 [0023]
また、上述したような位置ずれ検出は、2次元方向の位置ずれを同時に検出することができるので、短時間に効率よく、かつ高精度な測定を行うことができる。 Further, positional deviation detection as described above, since it is possible to detect positional deviation of a two-dimensional direction simultaneously, can be efficiently performed, and highly accurate measurement in a short time.
さらに、位置ずれを検出する際に、バーニアパターンBPの寸法を直接測定することにより、測定精度を向上させることができる。 Furthermore, when detecting the positional deviation, by measuring the dimensions of the vernier pattern BP directly, it is possible to improve the measurement accuracy. そして、レジストの最適露光量により、主尺パターンと副尺パターンを露光するので、チャージアップを低減し、測定精度を向上させることができる。 Then, the optimum exposure amount of the resist, since to expose the main scale pattern and the vernier pattern to reduce charge-up, it is possible to improve the measurement accuracy.
【0024】 [0024]
ところで、本発明は、上記実施の形態に限定されない。 Incidentally, the present invention is not limited to the above embodiment.
上記実施の形態において、主尺パターン10と副尺パターン20のピッチは10%ずれたパターンで形成されているが、この割合はいくつであっても構わない。 In the above embodiment, the pitch of the main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 is formed with a 10% offset pattern, but this percentage may be any number. また、露光量がレジストの最適の露光量になるように、主尺パターンと副尺パターンの露光量をそれぞれ3.5μm/cm 2にしたが、このレジスト及び露光量に限られず、他のレジスト及び露光量を用いてもよい。 Also, as the exposure amount is optimal exposure amount of the resist, the exposure amount of the main scale pattern and the vernier patterns each was a 3.5 [mu] m / cm 2, not limited to the resist and the exposure amount, other resist and it may be used exposure. つまり、主尺パターン10と副尺パターン20の全体の露光量がレジストの最適な露光量であればよい。 That may be a optimum exposure amount of the exposure amount resist entire main scale pattern 10 and the vernier pattern 20. 例えば、ノボラック樹脂系化学増幅ネガレジストの場合、最適露光量は0.2μm/cm 2である。 For example, in the case of novolak resin based chemical amplification negative resist, the optimum exposure dose is 0.2 [mu] m / cm 2. 従って、主尺パターン10と副尺パターン20はそれぞれ露光量0.1μm/cm 2でパターン描画されることになる。 Therefore, the main scale pattern 10 and the vernier pattern 20 will be patterned drawn with each exposure dose 0.1 [mu] m / cm 2.
【0025】 [0025]
図5のST2において、隣接する8つのバーニアパターンBPをみることとしたのは、一度に3×3のバーニアパターンBPしかみることができないCD−SEMを用いて測定しているからである。 In ST2 of FIG. 5, the it was to see the adjacent eight vernier pattern BP is because measured using CD-SEM can not be a 3 × 3 vernier pattern BP Shikamiru at a time. 従って、測定するバーニアパターンの数は8つに限定されるものではない。 Therefore, the number of vernier patterns to be measured is not limited to eight.
【0026】 [0026]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように、効率的にかつ正確に位置ずれを検出するするとともに接続精度を測定することができる電子線描画用測定装置を提供することができる。 It is possible to provide a As described above, efficient and electron beam drawing measurement apparatus capable of measuring the connection accuracy while accurately detect the positional deviation.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明の電子線描画用精度測定方法の好ましい実施形態において使用する主尺パターンを示す平面図。 Plan view showing a main scale patterns used in the preferred embodiment of the electronic beam drawing accuracy measurement method of the present invention; FIG.
【図2】本発明の電子線描画用精度測定方法の好ましい実施形態において使用する副尺パターンを示す平面図。 Figure 2 is a plan view showing a vernier patterns used in the preferred embodiment of the electronic beam drawing accuracy measurement method of the present invention.
【図3】複数の領域に分割されたウェハ上に主尺パターンと副尺パターンを配置した平面図。 Figure 3 is a plan view of arranging the main scale pattern and the vernier pattern on the wafer which is divided into a plurality of regions.
【図4】ウェハ上に配置された主尺パターンと副尺パターンにより解像されたバーニアパターンを示す平面図。 Figure 4 is a plan view showing a vernier patterns were resolved by main scale pattern and the vernier pattern disposed on a wafer.
【図5】解像されたバーニアパターンBPのうち、最も面積の大きいバーニアパターンを検出するフローチャート図。 [5] Among the resolved vernier pattern BP, flowchart for detecting a large vernier patterns on the most area.
【図6】従来の電子線描画用精度測定方法を示す平面図。 6 is a plan view showing a conventional electron beam drawing accuracy measurement method.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
10・・・主尺パターン、20・・・副尺パターン、W・・・ウェハ、BP・・・バーニアパターン。 10 ... main scale pattern, 20 ... vernier pattern, W ··· wafer, BP ··· vernier pattern.

Claims (1)

  1. 主尺パターンと副尺パターンを用いて、対象物に対して電子線によりパターンを描画する電子線描画装置の位置ずれ精度を測定する電子線描画用精度測定方法あって、 Using main scale pattern and the vernier pattern, an electron beam drawing accuracy measuring method for measuring the positional deviation accuracy of the electron beam drawing apparatus which draws a pattern by an electron beam to the object,
    メッシュ状の主尺パターンを、対象物に塗布されたレジストに対して当該レジストの最適露光量の50%の露光量で描画し、 A mesh main scale pattern, for the resist applied to the object drawn with 50% of the exposure amount of optimum exposure of the resist,
    主尺パターンとピッチの違うメッシュ状の副尺パターンを、対象物に描画された主尺パターンに重ねて前記レジストの最適露光量の50%の露光量で描画して、 The main scale pattern and the mesh-shaped vernier patterns with different pitches, by drawing with 50% of the exposure amount of optimum exposure of the resist to overlap the main scale pattern drawn on the object,
    主尺パターンと副尺パターンの重ね合わされた領域である複数のバーニアパターンの面積を測定し、バーニアパターンのうち最も面積が大きいバーニアパターンの座標を測定し、測定された座標に基づいて位置ずれ精度を測定する ことを特徴とする電子線描画用精度測定方法。 Measuring the area of ​​a plurality of vernier patterns is a region superimposed with the main scale pattern and the vernier pattern, measuring the coordinates of the largest area vernier pattern of vernier pattern, positional deviation accuracy based on the measured coordinates electron beam drawing accuracy measurement method characterized by measuring the.
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