JP3907414B2 - Polishing apparatus - Google Patents

Polishing apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP3907414B2
JP3907414B2 JP2001008326A JP2001008326A JP3907414B2 JP 3907414 B2 JP3907414 B2 JP 3907414B2 JP 2001008326 A JP2001008326 A JP 2001008326A JP 2001008326 A JP2001008326 A JP 2001008326A JP 3907414 B2 JP3907414 B2 JP 3907414B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
polishing
surface
current sensor
eddy current
turntable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2001008326A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001274126A (en )
Inventor
博之 大澤
憲雄 木村
一男 清水
英次 磯部
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明はポリッシング装置に係り、特に半導体ウエハ等の基板を研磨する際、基板をトップリングに装着した状態で基板の被研磨面を露出させることなく、基板の被研磨面に形成された導電性膜の膜厚をリアルタイムで連続的に検出することができるポリッシング装置に関するものである。 The present invention relates to a polishing apparatus, in particular when polishing a substrate such as a semiconductor wafer without exposing the polished surface of the substrate in a state of mounting the substrate to the top ring, conductivity formed on the polished surface of the substrate it relates polishing apparatus which is capable of continuously detecting the thickness of the film in real time.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
従来、半導体基板上に配線回路を形成するためには、基板面上にスパッタリング等を用いて導体の成膜を行った後、さらにレジスト等のパターンマスクを用いたケミカルドライエッチングにより膜の不要部分を除去していた。 Conventionally, in order to form a wiring circuit on a semiconductor substrate, after the formation of the conductor by a sputtering or the like on the substrate surface, further unnecessary portions of the film by chemical dry etching using a pattern mask such as a resist, the had been removed.
配線回路を形成するための材料としては、一般にアルミニウム(Al)又はアルミニウム合金が用いられていた。 As a material for forming a wiring circuit, generally aluminum (Al) or an aluminum alloy has been used. しかしながら、半導体の集積度が高くなるにつれて配線が細くなり、電流密度が増加して熱応力や温度上昇を生じる。 However, wiring As semiconductor integration density becomes higher becomes narrower, resulting in thermal stress and temperature rise current density is increased. これはストレスマイグレーションやエレクトロマイグレーションによってAl等が薄膜化するに従いさらに顕著となり、ついには断線或いは短絡等のおそれが生じる。 This becomes more remarkable according Al or the like is thinned by stress migration or electromigration, finally resulting the risk of such disconnection or short circuit.
【0003】 [0003]
そこで、通電による過度の発熱を避けるため、より導電性の高い銅などの材料を配線形成に採用することが要求されている。 Therefore, to avoid excessive heat generation due to energization, employing a material such as more conductive copper wiring formation is required. しかしながら、銅又はその合金はドライエッチングが難しく、基板全面に成膜してからパターンを形成する上記の方法の採用は困難である。 However, copper or its alloys are difficult to dry etching, the adoption of the above method of forming a pattern after the deposition on the entire surface of the substrate is difficult. そのため、予め所定パターンの配線用の溝を形成しておき、その中に銅又はその合金を充填する工程が考えられる。 Therefore, previously formed grooves for wiring in advance predetermined pattern, copper or filling the alloy is considered therein. これによれば、膜をエッチングにより除去する工程は不要で、表面段差を取り除くための研磨工程を行えばよい。 According to this, the step of removing the film by etching is not required and may be performed polishing process for removing the surface step. また、多層回路の上下を連絡する配線孔と呼ばれる部分も同時に形成することができる利点がある。 The portion called wiring holes to contact the upper and lower multilayer circuit also can be advantageously formed simultaneously.
【0004】 [0004]
しかしながら、このような配線溝或いは配線孔の形状は、配線幅が微細化するに伴いかなりの高アスペクト比(深さと直径又は幅の比)となり、スパッタリング成膜では均一な金属の充填が困難であった。 However, the shape of such a wiring grooves or wiring holes (the ratio of depth to diameter or width) fairly high aspect ratio due to the wiring width becomes finer, and the is difficult filling of uniform metal in sputtering there were. また、種々の材料の成膜手段として気相成長(CVD)法が用いられるが、銅又はその合金では、適当な気体原料を準備することが困難であり、また、有機原料を採用する場合には、これから堆積膜中へ炭素(C)が混入してマイグレーション性が上がるという問題点があった。 Although vapor deposition (CVD) method is used as the film forming means for various materials, the copper or its alloy, it is difficult to prepare an appropriate gas material, also when employing an organic material has a problem that now carbon (C) migration properties and contamination rises to a deposition film.
【0005】 [0005]
そこで、基板をめっき液中に浸漬させて例えば銅(Cu)の無電解又は電解めっきを行ない、その後表面の不要部分を化学機械研磨(CMP)により除去する方法が提案されている。 Therefore, by immersing the substrate in a plating solution subjected to electroless or electrolytic plating of example copper (Cu), a method of removing has been proposed by the subsequent chemical mechanical polishing an unnecessary portion of the surface (CMP). 斯かるめっきによる成膜では、高アスペクト比の配線溝を均一に高導電率の金属で充填することが可能となる。 In film formation by such plating, it is possible to fill with metal uniformly high conductivity wiring grooves having a high aspect ratio. 前記CMPプロセスは、ターンテーブル上に貼設された研磨布にトップリングによって保持された半導体ウエハを押圧し、同時に砥粒を含有した研磨砥液を供給しつつ、半導体ウエハ上のCu層を研磨するものである。 The CMP process, presses the semiconductor wafer held by the top ring in the polishing cloth is affixed onto the turntable, while supplying a polishing abrasive liquid containing abrasive grains simultaneously polish a Cu layer on a semiconductor wafer it is intended to.
【0006】 [0006]
前記Cu層をCMPプロセスにより研磨する場合、配線用の溝内に形成されたCu層のみを残して半導体基板からCu層を選択的に除去することが必要とされる。 Wherein when the Cu layer is polished by CMP process, it is the semiconductor substrate while leaving only the Cu layer formed in the groove for wiring is necessary to selectively remove the Cu layer. 即ち、Cu層を配線用の溝部以外の箇処では、酸化膜(SiO )が露出するまで除去することが求められる。 That is, in the箇処other than the groove for the wiring Cu layer, it is required to remove up to the oxide film (SiO 2) is exposed. この場合、過剰研磨となって、配線用の溝内のCu層を酸化膜(SiO )とともに研磨してしまうと、回路抵抗が上昇し、半導体基板全体を廃棄しなければならず、多大な損害となる。 In this case, becomes excessive polishing, if the Cu layer in the grooves for wiring become polished with oxide film (SiO 2), and increase circuit resistance, it is necessary to discard the entire semiconductor substrate, a great deal the damage. 逆に、研磨が不充分で、Cu層が酸化膜上に残ると、回路の分離がうまくいかず、短絡が起こり、その結果、再研磨が必要となり、製造コストが増大する。 Conversely, insufficient polishing, the Cu layer remains on the oxide film, Ikazu well separation circuit, occurs a short circuit, as a result, re-grinding is required, manufacturing costs increase. この事情は、Cu層に限らず、Al層等の他の導電性膜を形成し、この導電性膜をCMPプロセスで研磨する場合も同様である。 This situation is not limited to the Cu layer to form another conductive film of the Al layer, etc., it is the same case of polishing the conductive film by CMP process.
【0007】 [0007]
そのため、CMPプロセスの終点を検出するために、うず電流センサを用いた終点検出方法が提案されている。 Therefore, in order to detect the end point of the CMP process, the end point detection method using the eddy current sensor has been proposed. 図7は、従来のポリッシング装置の主要部を示す図である。 Figure 7 is a diagram showing a main portion of a conventional polishing apparatus. ポリッシング装置は、上面に研磨布42を貼った回転するターンテーブル41と、回転および押圧可能に半導体基板である半導体ウエハ43を保持するトップリング45と、研磨布42に砥液Qを供給する砥液供給ノズル48を備えている。 Polishing apparatus includes a turntable 41 that rotates pasted the polishing cloth 42 on the upper surface, and supplies the top ring 45 for holding the semiconductor wafer 43 is rotated and pressed capable semiconductor substrate, the abrasive liquid Q to the polishing cloth 42 abrasive and a liquid supply nozzle 48. トップリング45はトップリングシャフト49に連結されており、またトップリング45はその下面にポリウレタン等の弾性マット47を備えており、弾性マットに接触させて半導体ウエハ43を保持する。 The top ring 45 is coupled to a top ring shaft 49, also the top ring 45 is provided with an elastic mat 47 such as polyurethane on its lower surface, for holding a semiconductor wafer 43 in contact with the elastic pad. さらにトップリング45は、研磨中に半導体ウエハ43がトップリング45の下面から外れないようにするため、円筒状のリテーナリング46を外周縁部に備えている。 Furthermore the top ring 45, the semiconductor wafer 43 to prevent removal from the lower surface of the top ring 45 includes a cylindrical retainer ring 46 to the outer peripheral edge portion during polishing.
【0008】 [0008]
ここで、リテーナリング46はトップリング45に対して固定されており、その下端面はトップリング45の保持面から突出するように形成され、半導体ウエハ43が保持面内に保持され、研磨中に研磨布42との摩擦力によってトップリング外へ飛び出さないようになっている。 Here, the retainer ring 46 is fixed to the top ring 45, the lower end surface thereof is formed so as to protrude from the holding surface of the top ring 45, the semiconductor wafer 43 is held in the holding surface, during polishing so as not protrude to the outside of the top ring by the frictional force between the polishing cloth 42. またトップリング45内には、うず電流センサ50が埋め込まれており、このうず電流センサ50は配線51を介してトップリングシャフト49内を通って外部のコントローラ(図示せず)に接続されている。 In the top ring 45 also are embedded eddy current sensor 50, the eddy current sensor 50 is connected through the top ring shaft 49 via a wire 51 to an external controller (not shown) .
【0009】 [0009]
半導体ウエハ43をトップリング45の下面の弾性マット47の下部に保持し、ターンテーブル41上の研磨布42に半導体ウエハ43をトップリング45によって押圧するとともに、ターンテーブル41およびトップリング45を回転させて研磨布42と半導体ウエハ43を相対運動させて研磨する。 Holding the semiconductor wafer 43 in the lower portion of the lower surface of the elastic pad 47 of the top ring 45, as well as pressed by the top ring 45 of the semiconductor wafer 43 to the polishing cloth 42 on the turntable 41 rotates the turntable 41 and the top ring 45 It moved relative to the polishing pad 42 and the semiconductor wafer 43 Te polished. このとき、砥液供給ノズル48から研磨布42上に砥液Qを供給する。 At this time, it supplies a polishing liquid Q onto the polishing cloth 42 from the abrasive liquid supply nozzle 48. 砥液は、例えばCu(銅)を研磨する場合は酸化剤にアルミナやシリカといった微粒子からなる砥粒を懸濁したものを用い、Cu表面を化学反応で酸化させながら、砥粒による機械的研磨作用との複合作用によって半導体ウエハを研磨する。 Polishing liquid is, for example, when polishing the Cu (copper) is used as a suspension of abrasive particles consisting of particles such as alumina or silica to the oxidant, while oxidizing the Cu surface in a chemical reaction, mechanical polishing with abrasive grains polishing a semiconductor wafer by the combined action of the working.
【0010】 [0010]
上述の研磨中に、前記うず電流センサ50によって半導体ウエハ43の被研磨面に形成されたCu層等の導電性膜の膜厚の変化を検出しつづける。 During polishing of the above, it continues to detect a change in the thickness of the electrically conductive film of the Cu layer or the like formed on the polished surface of the semiconductor wafer 43 by the eddy current sensor 50. そして、うず電流センサ50の信号をモニターし、配線用の溝内に形成されたCu層等の導電体のみを残して、酸化膜(SiO )上の導電性膜が除去されたときの周波数変化によりCMPプロセスの終点を検出する。 The frequency at which to monitor the signal of the eddy current sensor 50, leaving only the conductive material of the Cu layer or the like formed in the groove for wiring, a conductive film on the oxide film (SiO 2) has been removed detecting the end point of the CMP process by the change.
【0011】 [0011]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
しかしながら、図7に示すうず電流センサを用いた方法では、該うず電流センサをトップリング側に設けていたため、半導体ウエハ上に形成されたCu層等の導電性膜の膜厚はうず電流センサの直下しか計測できないという欠点があった。 However, the method using an eddy current sensor shown in FIG. 7, because it was provided with the eddy current sensor to the top ring side, of the conductive film of the Cu layer or the like formed on a semiconductor wafer thickness of the eddy current sensor directly under only has a drawback that can not be measured. この場合、トップリング側に埋め込むセンサの数を増やせば、膜厚の計測箇処は増加するが、それでも、互いに離間した複数点(又は多数点)の断続的な計測値が得られるにすぎず、連続したプロファイルとしての計測値を得ることができないという問題点があった。 In this case, increasing the number of sensors embedded in the top ring side, but the thickness of the measurement 箇処 increases, still only intermittent measurements of spaced apart plurality of points (or multiple points) is obtained together , there is a problem that can not be obtained a measurement of the continuous profile point. またセンサ数の増加に伴って、装置コストが増加するとともに信号処理が複雑になるという問題点があった。 Also with the increase in the number of sensors, there is a problem that signal processing becomes complicated with the apparatus cost increases.
【0012】 [0012]
本発明は、上述の事情に鑑みなされたもので、研磨布又は固定砥粒プレートを備えたターンテーブル側にうず電流センサ等のセンサを配置することにより、半導体基板上の被研磨面に形成されたCu層やAl層等の導電性膜の膜厚をリアルタイムで連続した計測値として検出できるポリッシング装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, by placing the sensors such as eddy current sensor on the turntable side with a polishing cloth or a fixed abrasive plate, it is formed on the polished surface of a semiconductor substrate It aims to the thickness of the conductive film such as a Cu layer or an Al layer to provide a polishing apparatus which can be detected as a continuous measurement in real time was.
【0013】 [0013]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
上述の目的を達成するため、本発明は基板を保持するトップリングと研磨面を有したターンテーブルとを備え、基板上に半導体デバイスを形成した面を前記研磨面に摺接させて研磨するポリッシング装置において、前記ターンテーブルの研磨面の下方に前記基板上の被研磨面に形成された導電性膜の膜厚を計測できる少なくとも1つのうず電流センサを設け、 前記少なくとも1つのうず電流センサに隣接して、投光素子から前記基板の被研磨面に光を照射し該被研磨面からの反射光を受光素子で受光する少なくとも1つの光学式センサを設け、前記少なくとも1つのうず電流センサは、前記基板の被研磨面の円弧状の軌道を通過して前記基板の概略直径方向の面内均一性を検出するように構成され、前記少なくとも1つのうず電流センサによ To achieve the above object, the present invention is polished by sliding contact with a turntable having a polishing surface and a top ring for holding a substrate to form a semiconductor device on a substrate surface to the polishing surface polishing in the apparatus, provided at least Tsunouzu current sensor can measure the film thickness of the conductive film formed on the polished surface of the substrate beneath the polished surface of the turntable, adjacent to said at least Tsunouzu current sensor and, providing at least one optical sensor receives light reflected by the light receiving element from the irradiating light on the polished surface of the substrate from the light emitting element該被polishing surface, said at least Tsunouzu current sensor, is configured through the arc-shaped trajectory of the polished surface of the substrate so as to detect the in-plane uniformity of the schematic diametrical direction of the substrate, to said at least Tsunouzu current sensor 検出された被研磨面の面内均一性に基づいて研磨条件を変更する制御部を設け、前記制御部は、前記基板上の導電性膜が所定の膜厚になるまで前記少なくとも1つのうず電流センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターし、前記基板上の導電性膜が前記所定の膜厚になった後に前記少なくとも1つの光学式センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターすることを特徴とするものである。 A control unit for changing the polishing conditions based on the in-plane uniformity of the detected polished surface provided, the control unit, said at least Tsunouzu current to the conductive film on the substrate has a predetermined thickness monitoring the thickness of the conductive film by processing the signals of the sensor, the conductive film on the substrate to process signals of the at least one optical sensor after reaching the predetermined film thickness it is characterized in that to monitor the thickness of the conductive film. 前記研磨面は研磨布又は固定砥粒プレートからなる。 The polishing surface is made of a polishing cloth or a fixed abrasive plate. 研磨面が研磨布からなる場合には、センサはターンテーブル内に設置されている。 When the polishing surface is made of the polishing cloth, the sensor is installed in the turntable. 研磨面が固定砥粒プレートからなる場合には、センサは固定砥粒プレート内に設置されている。 If the polishing surface comprises a fixed abrasive plate, the sensor is installed on the fixed abrasive grain plate.
【0014】 [0014]
本発明によれば、基板を研磨面に摺接させて導電性膜の研磨を行なう。 According to the present invention performs the polishing of the conductive layer by sliding contact of the substrate with the polishing surface. この研磨中に、うず電流センサは、ターンテーブルが一回転する毎に半導体基板の被研磨面の直下を通過する。 During this polishing, the eddy current sensor, the turntable passes immediately below the surface to be polished of the semiconductor substrate in every one rotation. この場合、うず電流センサは半導体基板の中心を通る軌道上に設置されているため、センサの移動に伴って半導体基板の被研磨面の円弧状の軌道上で連続的に膜厚検出が可能である。 In this case, the eddy current sensor because it is placed in orbit passing through the center of the semiconductor substrate, along with the movement of the sensor can be continuously film thickness detected on the arcuate trajectory of the polished surface of the semiconductor substrate is there.
【0015】 [0015]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、本発明に係るポリッシング装置の実施の形態を図1乃至図5を参照して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the polishing apparatus according to the present invention with reference to FIGS.
図1は、本発明のポリッシング装置の全体構成を示す縦断面図である。 Figure 1 is a longitudinal sectional view showing the overall arrangement of a polishing apparatus of the present invention. 図1に示されるように、ポリッシング装置は、ターンテーブル1と、半導体ウエハ2を保持しつつターンテーブル1に押圧するトップリング3とを具備している。 As shown in FIG. 1, the polishing apparatus comprises a turntable 1, and a top ring 3 for pressing the turntable 1 while holding the semiconductor wafer 2. ターンテーブル1はモータ7に連結されており、矢印で示すようにその軸心回わりに回転可能になっている。 The turntable 1 is connected to a motor 7, and is rotatable on its own axis comparatively as indicated by the arrows. また、ターンテーブル1の上面には、研磨布4が貼設されている。 Further, the upper surface of the turntable 1, the polishing cloth 4 is affixed.
【0016】 [0016]
また、トップリング3は、モータ(図示せず)に連結されるとともに昇降シリンダ(図示せず)に連結されている。 Further, the top ring 3 is connected to a lifting cylinder (not shown) while being connected to a motor (not shown). これによって、トップリング3は、矢印で示すように昇降可能かつその軸心回わりに回転可能になっており、半導体ウエハ2を研磨布4に対して任意の圧力で押圧することができるようになっている。 Thus, the top ring 3, can now be pressed at any pressure vertically movable and which is rotatable on its own axis comparatively, the semiconductor wafer 2 against the polishing cloth 4 as indicated by the arrow ing. トップリング3はトップリングシャフト8に連結されており、またトップリング3はその下面にポリウレタン等の弾性マット9を備えている。 The top ring 3 is coupled to a top ring shaft 8, also the top ring 3 is provided with a resilient mat 9 of polyurethane or the like on its lower surface. またトップリング3の下部外周部には、半導体ウエハ2の外れ止めを行うガイドリング6が設けられている。 Also in the lower outer peripheral portion of the top ring 3, the guide ring 6 for the latch of the semiconductor wafer 2 is provided.
また、ターンテーブル1の上方には研磨砥液ノズル5が設置されており、研磨砥液ノズル5によってターンテーブル1に貼設された研磨布4上に研磨砥液Qが供給されるようになっている。 Further, above the turntable 1 it is installed abrasive liquid nozzle 5, so as abrasive liquid Q is supplied onto the polishing cloth 4 which is affixed to the turntable 1 by the abrasive liquid nozzle 5 ing.
【0017】 [0017]
図1に示すように、ターンテーブル1内にはうず電流センサ10が埋め込まれている。 As shown in FIG. 1, the eddy current sensor 10 is embedded in the turntable 1. うず電流センサ10の配線14は、ターンテーブル1およびターンテーブル支持軸1a内を通り、ターンテーブル支持軸1aの軸端に設けられたロータリコネクタ(又はスリップリング)11を経由してコントローラ12に接続されている。 Wiring of an eddy current sensor 10 14 passes through the turntable 1 and the turntable support shaft inner 1a, connected via a turntable rotary connector provided on the shaft end of the support shaft 1a (or slip ring) 11 to the controller 12 It is. コントローラ12は表示装置(ディスプレイ)13に接続されている。 The controller 12 is connected to a display device (display) 13.
【0018】 [0018]
図2は、図1に示すポリッシング装置の平面図である。 Figure 2 is a plan view of the polishing apparatus shown in FIG. 図示するように、うず電流センサ10は、トップリング3に保持された研磨中の半導体ウエハ2の中心Cwを通過する位置に設置されている。 As shown, the eddy current sensor 10 is installed at a position passing through the center Cw of the semiconductor wafer 2 during polishing held by the top ring 3. 符号C はターンテーブル1の回転中心である。 Code C T is the rotational center of the turntable 1. うず電流センサ10は、半導体ウエハ2の下方を通過している間、通過軌跡上で連続的に半導体ウエハ2のCu層等の導電性膜の膜厚を検出できるようになっている。 Eddy current sensor 10, and is capable of detecting between, the film thickness of the conductive film of the Cu layer or the like of continuous semiconductor wafer 2 on the passing track which passes below the semiconductor wafer 2.
【0019】 [0019]
図3はうず電流センサ10の埋め込み状態を示す要部拡大断面図であり、図3(a)はターンテーブル上に研磨布を貼設した場合を示し、図3(b)はターンテーブル上に固定砥粒プレートを設置した場合を示している。 Figure 3 is an enlarged sectional view showing a state of filling of the eddy current sensor 10, FIG. 3 (a) shows the case of stuck the polishing cloth on the turntable, Fig. 3 (b) on the turntable It shows a case of installing a fixed abrasive plate. 図3(a)に示すように、ターンテーブル1上に研磨布4を貼設する場合には、うず電流センサ10はターンテーブル1内に埋め込む。 As shown in FIG. 3 (a), when stuck to the polishing cloth 4 on the turntable 1, the eddy current sensor 10 is embedded in the turntable 1. また図3(b)に示すように、ターンテーブル1上に固定砥粒プレート15を設置する場合には、うず電流センサ10は固定砥粒プレート15内に埋め込む。 Also as shown in FIG. 3 (b), when installing the fixed abrasive plate 15 on the turntable 1, the eddy current sensor 10 is embedded in the fixed abrasive plate 15.
【0020】 [0020]
図3(a)及び図3(b)に示すいずれの方法においても、研磨布4の上面の研磨面又は固定砥粒プレート15の上面の研磨面、即ち半導体ウエハの被研磨面からうず電流センサ10の上面までの距離Lは1.3mm以上あってもよい。 3 (a) and in any of the methods shown in FIG. 3 (b), the eddy current sensor polished surface of the upper surface of the top polishing surface or the fixed abrasive plate 15 of the polishing cloth 4, i.e., from the surface to be polished of the semiconductor wafer the distance L to the upper surface of 10 may be more than 1.3 mm. 図3(a)および図3(b)には、酸化膜(SiO )2a上にCu層やAl層からなる導電性膜2bが形成された半導体ウエハ2が示されている。 In FIGS. 3 (a) and 3 (b), an oxide film (SiO 2) semiconductor wafer 2 in which the conductive film 2b is formed of Cu layer or an Al layer on the 2a is shown.
【0021】 [0021]
研磨布には、例えば、ロデール社製のポリテックス(Politex)などの不織布やIC1000のような発泡ポリウレタンが用いられる。 The polishing cloth, for example, foamed polyurethane such as nonwoven fabric or IC1000 such Rodel Co. Polytex (Politex) is used. また固定砥粒プレート15は粒度が数μm以下であるような微細な砥粒(例えばCeO )を樹脂を結合剤として固め、円板状に成形したものが用いられる。 The fixed abrasive plate 15 is compacted fine abrasive grains, such as grain size is several μm or less (e.g., CeO 2) a resin as a binder, is used as molded in a disc shape.
【0022】 [0022]
上記構成のポリッシング装置において、トップリング3の下面に半導体ウエハ2を保持させ、半導体ウエハ2を回転しているターンテーブル1の上面の研磨布4に昇降シリンダにより押圧する。 In the polishing apparatus having the above structure, the lower surface of the top ring 3 is held to the semiconductor wafer 2 is pressed by the lifting cylinder of the semiconductor wafer 2 to the polishing cloth 4 on the top surface of the turntable 1 which is rotating. 一方、研磨砥液ノズル5から研磨砥液Qを流すことより、研磨布4に研磨砥液Qが保持されており、半導体ウエハ2の被研磨面(下面)と研磨布4の間に研磨砥液Qが存在した状態でポリッシングが行われる。 On the other hand, from flowing the abrasive liquid Q from the polishing abrasive liquid nozzle 5, the abrasive liquid Q to the polishing cloth 4 and is held, the abrasive between the semiconductor surface to be polished of the wafer 2 (the lower surface) and the polishing pad 4 polishing is performed in a state in which the liquid Q was present. この研磨中に、うず電流センサ10は、ターンテーブル1が一回転する毎に半導体ウエハ2の被研磨面の直下を通過する。 During this polishing, the eddy current sensor 10, the turntable 1 passes directly below the polished surface of the semiconductor wafer 2 each time one rotation. この場合、うず電流センサ10は半導体ウエハ2の中心Cwを通る軌道上に設置されているため、センサの移動に伴って半導体ウエハ2の被研磨面の円弧状の軌道上で連続的に膜厚検出が可能である。 In this case, since the eddy current sensor 10 is installed on the track passing through the center Cw of the semiconductor wafer 2, continuously thickness on arcuate trajectory of the polished surface of the semiconductor wafer 2 along with the movement of the sensor it is possible to detect. また、検出時間の間隔を短くするため、図2の仮想線で示すようにうず電流センサ10を追加してテーブル上に2ヶ以上のセンサを設けても良い。 Further, in order to shorten the interval of the detection time it may be provided two months or more sensors on the table by adding the eddy current sensor 10 as shown in phantom in FIG. 2.
【0023】 [0023]
次に、うず電流センサを用いてCu層やAl層からなる半導体ウエハ上の導電性膜の膜厚を検出する原理を簡単に説明する。 Next, brief description of the principle of detecting the thickness of the conductive film on a semiconductor wafer comprising a Cu layer or an Al layer using eddy current sensors.
うず電流式プロセスモニタのシステム原理は、センサコイルに高周波電流を流して、ウエハの導電性膜(金属膜)中にうず電流を発生させ、このうず電流が膜厚によって変化し、センサー回路との合成インピーダンスを監視することで、終点の検出を行なうものである。 System principle of eddy current process monitor, by flowing a high-frequency current to the sensor coil, the wafer of the conductive film (metal film) to generate eddy currents in, the eddy current varies with the film thickness, the sensor circuit by monitoring the combined impedance, and performs detection of the end point. すなわち、センサコイルに高周波電流を流すと、導電性膜(金属膜)中にうず電流が発生する。 That is, when high frequency current to the sensor coil, the eddy current is generated in the conductive film (metal film). そして、回路中のインピーダンスを監視する。 Then, monitoring the impedance in the circuit.
回路中のインピーダンスは、センサ部のL,Cと導電性膜のRが並列に結合された形となり、以下に示す(1)式のRが変化することによりZが変化することとなる。 Impedance in the circuit is, L of the sensor section becomes a shape which R is coupled in parallel C and the conductive film, so that the Z is changed by changing the R in the following equation (1). また、この時、共振周波数も同時に変化し、この変化の度合いを監視することでCMPプロセスの終点の判定を行なうことができる。 At this time, the resonance frequency is also changed at the same time, it is possible to determine the end point of the CMP process by monitoring the degree of change.
【数1】 [Number 1]
ここで、Z:合成インピーダンス,j:−1の平方根(虚数),L:インダクタンス,f:共振周波数,C:コンデンサの静電容量,R:導電性膜(金属膜)の抵抗分,ω=2πfである。 Here, Z: combined impedance, j: -1 square root (imaginary), L: inductance, f: resonance frequency, C: capacitance of the capacitor, R: resistance of the conductive film (metal film), omega = it is 2πf.
【0024】 [0024]
図4は、上述の原理に基づき、半導体ウエハの研磨中に得られたうず電流センサ10の検出信号をコントローラ12で処理した結果を示すグラフである。 Figure 4 is based on the principles described above, is a graph showing the results of the detection signal was processed by the controller 12 of the eddy current sensor 10 obtained during polishing of the semiconductor wafer. 図4において、横軸は研磨時間を示し、縦軸は共振周波数(Hz)を表している。 4, the horizontal axis represents polishing time, and the vertical axis represents the resonance frequency (Hz). そして、図4(a)は研磨中にうず電流センサ10が半導体ウエハ2の直下を複数回通過する間の共振周波数の変化を表し、図4(b)は図4(a)のA部拡大図である。 Then, FIGS. 4 (a) represents the change in the resonance frequency between the multiple passes directly below the eddy current sensor 10 is a semiconductor wafer 2 during polishing, expanding A section of FIG. 4 (b) FIGS. 4 (a) it is a diagram. 図4(a)および図4(b)においては、半導体ウエハ上に形成された導電性膜はCu(銅)の場合を示している。 In FIGS. 4 (a) and 4 (b), a conductive film formed on a semiconductor wafer is shown in the case of Cu (copper).
【0025】 [0025]
図4(a)に示すように、研磨が進行するにつれて、うず電流センサ10の信号をコントローラ12で処理した値は漸次減少してゆく。 As shown in FIG. 4 (a), as the polishing progresses, the value of the signal was processed by the controller 12 of the eddy current sensor 10 is Yuku gradually decreased. 即ち、導電性膜の膜厚が減少するにつれて、うず電流センサ10の信号をコントローラ12で処理した値である共振周波数が減少してゆく。 That is, as the film thickness of the conductive film is reduced, the resonance frequency is slide into reduced is a value obtained by processing the signals of the eddy current sensor 10 in the controller 12. 図4(a)においては、初期の6800(Hz)から漸次減少してゆく。 In FIG. 4 (a), slide into gradually decreases from the initial 6800 (Hz). したがって、予め、導電性膜が配線部を除いて除去されたときの共振周波数の値を調べておけば、共振周波数の値をモニターすることにより、CMPプロセスの終点を検出できる。 Therefore, in advance, if examine the value of the resonance frequency when the conductive film is removed except for a wiring portion, by monitoring the value of the resonant frequency can be detected the end point of the CMP process. 図4(a)においては、導電性膜が配線部を除いて除去されたときの共振周波数の値は6620(Hz)である。 In FIG. 4 (a), the value of the resonant frequency when the conductive film is removed except for a wiring portion is 6620 (Hz). また研磨終点に至らない手前のある周波数を閾値として設定しておけば、この閾値に到達するまで、研磨速度(ポリッシングレート)が高い固定砥粒プレート15(図3(b)参照)を用いて研磨し、閾値に到達した後に固定砥粒プレート15より遅い研磨速度の研磨布4(図3(a)参照)を用いて研磨し、研磨終点に達したら、CMPプロセスを終了させることもできる。 Further, by setting the frequencies of the front does not reach the polishing end point as a threshold, reaching the threshold value in using the polishing rate (polishing rate) is higher fixed abrasive plate 15 (see FIG. 3 (b)) polished, polished with the polishing cloth 4 of slower polishing rate than the fixed abrasive grain plate 15 after reaching the threshold value (see FIG. 3 (a)), reaches the end point of polishing, it is also possible to terminate the CMP process.
【0026】 [0026]
また、うず電流センサはセンサコイルへ供給する高周波電流の周波数によって導電性膜厚の測定感度が異なる。 Further, eddy current sensor measurement sensitivity of the conductive film thickness by the frequency of the high frequency current supplied to the sensor coil are different. 例えば、周波数が20MHzの高周波電流をセンサコイルへ供給した場合、導電性膜厚が0〜10000Åの広範囲に渡って測定可能であるのに対して、周波数が160MHzの高周波電流をセンサコイルへ供給した場合、導電性膜厚が0〜1000Åの狭範囲に敏感なセンサとなる。 For example, if the frequency is supplied to the high-frequency current 20MHz to the sensor coil, the conductive film thickness whereas a measurable over a wide range of 0~10000A, frequency is supplied to the high-frequency current 160MHz to the sensor coil If the conductive film thickness of sensitive sensor to a narrow range of 0~1000A. このように、研磨加工プロセス(測定すべき膜厚や膜種)によってうず電流センサに供給する高周波電流の周波数を選択したり、複数のうず電流センサを組み合わせることにより、導電性膜厚を正確に測定することが可能になり、プロセスの効率化を図ることができる。 Thus, to select the frequency of the high frequency current supplied by the polishing process (the thickness and type of film to be measured) in the eddy current sensor, by combining a plurality of eddy current sensors, conductive film thickness accurately it is possible to measure, it is possible to improve the efficiency of the process. また、研磨加工プロセスによってうず電流センサを変更してもよい。 It is also possible to change the eddy current sensor by polishing process.
【0027】 [0027]
また図4(b)に示すように、うず電流センサ10が半導体ウエハ2の直下を通過したときに、被研磨面の面内の共振周波数の変化が検出できる。 Further, as shown in FIG. 4 (b), when the eddy current sensor 10 passes directly below the semiconductor wafer 2 can be detected change in the resonant frequency of the plane of the polished surface. すなわち、周波数変化は膜厚の変化に対応しており、うず電流センサ10は研磨中の半導体ウエハ2の中心Cwを通過する位置に設置されているため、うず電流センサの信号をモニターすることにより、半導体ウエハの概略直径方向の研磨の均一性を検出できる。 That is, the frequency variation corresponds to a change in film thickness, for eddy current sensor 10 is installed at a position passing through the center Cw of the semiconductor wafer 2 during polishing by monitoring a signal of the eddy current sensor , it can be detected polishing uniformity of a schematic diametrical direction of the semiconductor wafer. この検出された被研磨面の面内均一性をポリッシング装置の制御部に入力することにより、トップリングの押圧力や半導体ウエハの上面に加える圧力分布を変える等の研磨条件の変更を行うことができ、被研磨面の面内均一性の向上を達成できる。 By entering the in-plane uniformity of the detected surface to be polished controller of the polishing apparatus, it is possible to change the polishing conditions such as changing the pressure distribution applied to the upper surface of the pressing force and the semiconductor wafer of the top ring It can be achieved to improve the surface uniformity of the polished surface.
【0028】 [0028]
図5は、1枚の研磨布によって、複数枚の半導体ウエハを研磨した場合のうず電流センサの信号をコントローラで処理して得られた共振周波数の変化を表わすグラフである。 5, by one of the polishing pad is a graph showing the change in the resulting resonance frequency by processing the signal of the eddy current sensor when polishing a plurality of semiconductor wafers in the controller. 図5において、横軸は研磨時間を示し、縦軸は共振周波数(Hz)を表している。 5, the horizontal axis represents polishing time, and the vertical axis represents the resonance frequency (Hz). 研磨布は、1枚目の半導体ウエハを研磨した状態から、複数回のドレッシングおよび複数回の研磨による消耗のために0.7mm消耗している。 Polishing cloth, from a state in which polishing the first sheet of the semiconductor wafer, and 0.7mm consumed for multiple dressing and consumption due to multiple polishing. 図5に示すように、各研磨の研磨開始時にうず電流センサの信号を処理することにより得られる周波数は、研磨布の使用開始時よりも研磨布を繰り返し使用して消耗した時の方が上昇している。 As shown in FIG. 5, the frequency obtained by processing the signals of the eddy current sensor when polishing the beginning of each polishing rise better when since the beginning use of the polishing cloth were depleted using repeated polishing cloth are doing. 即ち、研磨布の使用開始時の6800(Hz)から6900(Hz)に上昇している。 In other words, it is rising at the start of the use of the polishing cloth from 6800 (Hz) to 6900 (Hz). したがって、各研磨の研磨開始時の共振周波数の値をモニターすることにより、研磨布の消耗度合を判定できるため、研磨布の取り換え時期を正確に知ることができる。 Therefore, by monitoring the value of the resonant frequency at the start polishing of the polishing, since it is possible to determine the exhaustion degree of the polishing cloth, it is possible to know when replacement of the polishing pad exactly.
【0029】 [0029]
図6は本発明のポリッシング装置の他の実施形態を示す図であり、図6(a)はポリッシング装置のターンテーブルの平面図であり、図6(b)はポリッシング装置の断面図である。 Figure 6 is a diagram showing another embodiment of the polishing apparatus of the present invention, FIG. 6 (a) is a plan view of a turntable of the polishing apparatus, FIG. 6 (b) is a sectional view of the polishing apparatus.
本実施形態のポリッシング装置は、図6(a)および図6(b)に示すように、うず電流センサ10に隣接して光学式センサ30が設置されている。 Polishing apparatus of the present embodiment, as shown in FIG. 6 (a) and 6 (b), the optical sensor 30 is positioned adjacent the eddy current sensor 10. 光学式センサ30は、投光素子と受光素子を具備し、投光素子から半導体ウエハの被研磨面に光を照射し、被研磨面からの反射光を受光素子で受光するように構成されている。 Optical sensor 30 includes a light emitting element a light-receiving element is irradiated with light from the light emitting element to the surface to be polished of the semiconductor wafer, configured to receive the reflected light from the surface to be polished by the light receiving element there. この場合、投光素子から発せられる光は、レーザー光もしくはLEDである。 In this case, light emitted from the light emitting element is a laser light or LED. 光学式センサ30は、Cu層やAl層等の導電性膜が所定厚の薄膜になってくると、投光素子から被研磨面に照射された光の一部が導電性膜を透過し、導電性膜の下層の酸化膜から反射された反射光と、導電性膜の表面から反射された反射光との二種類の反射光が存在することになる。 Optical sensor 30, when the conductive film such as a Cu layer or an Al layer becomes a thin film having a predetermined thickness, a part of the light applied to the polished surface is transmitted through the conductive film from the light emitting element, conductive film and the light reflected from the oxide film underlying the two types of reflected light and the reflected light reflected from the surface of the conductive film will be present. この二種類の反射光を受光素子で受光し、受光素子からの信号をコントローラ32で処理することにより酸化膜上に残存した導電性膜の膜厚をうず電流センサよりも正確に検出できる。 The two types of reflected light received by the light receiving element can be accurately detected than eddy current sensor the thickness of the remaining conductive film on the oxide film by processing the signals from the light receiving element by the controller 32.
【0030】 [0030]
このように、二種類の膜厚計測用のセンサをポリッシング装置に搭載することにより、導電性膜が所定厚の薄膜になるまでは、うず電流センサ10の信号を処理することにより膜厚をモニターし、所定厚の薄膜になって膜厚を光学式センサ30で検出できるようになった時点で光学式センサ30の信号を処理することにより薄膜の膜厚をモニターする。 Thus, monitoring by mounting the sensor for two kinds of film thickness measurement in a polishing apparatus, until the conductive film becomes thin film having a predetermined thickness, the film thickness by processing the signals of the eddy current sensor 10 and, to monitor the thickness of a thin film by processing the signals of the optical sensor 30 when it becomes the film thickness becomes thin film having a predetermined thickness can be detected by the optical sensor 30. これにより、薄膜に対する測定感度が高い光学式センサ30を用いて導電性膜が配線部を除いて除去されたことを正確に検出でき、CMPプロセスの終点を決定できる。 This can accurately detect that the conductive film by using the optical sensor 30 is high measurement sensitivity to thin film is removed except for a wiring portion, it can determine the end point of the CMP process. 勿論、うず電流センサ10と光学式センサ30をCMPプロセスの終点まで併用することもできる。 Of course, it can be used in combination eddy current sensor 10 and optical sensor 30 to the end of the CMP process. 即ち、導電性膜が配線部を除いて除去されることをうず電流センサ10と光学式センサ30の両者からの信号を処理し、モニターすることにより検出し、CMPプロセスの終点を決定することもできる。 That is, that the conductive film is removed except for a wiring portion processes the signals from both the eddy current sensor 10 and optical sensor 30, detects by monitoring, also determine the end point of the CMP process it can. 本実施の形態においては、導電性膜としてCuおよびAlを説明したが、Cr,W,Ti等の他の金属であってもよい。 In the present embodiment has been described with Cu and Al as the conductive film, Cr, W, it may be another metal such as Ti.
【0031】 [0031]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように本発明によれば、研磨布又は固定砥粒プレートを備えたターンテーブル側にうず電流センサ等のセンサを配置することにより、半導体基板上の被研磨面に形成されたCu層やAl層等の導電性膜の膜厚をリアルタイムで連続した計測値として検出できる。 According to the present invention described above, by disposing the sensors such as eddy current sensor on the turntable side with a polishing cloth or a fixed abrasive plate, Cu layer formed on the polished surface of a semiconductor substrate the thickness of the conductive film and the Al layer and the like can be detected as a continuous measurement in real time.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明のポリッシング装置の全体構成を示す縦断面図である。 1 is a longitudinal sectional view showing an entire structure of a polishing apparatus of the present invention.
【図2】本発明のポリッシング装置の平面図である。 2 is a plan view of the polishing apparatus of the present invention.
【図3】うず電流センサの埋め込み状態を示す要部拡大断面図であり、図3(a)はターンテーブル上に研磨布を貼設した場合を示し、図3(b)はターンテーブル上に固定砥粒プレートを設置した場合を示している。 [Figure 3] is an enlarged sectional view showing a state of filling of an eddy current sensor, FIG. 3 (a) shows the case of stuck the polishing cloth on the turntable, in FIG. 3 (b) on the turntable It shows a case of installing a fixed abrasive plate.
【図4】半導体ウエハの研磨中に得られたうず電流センサの検出信号をコントローラで処理した結果を示すグラフであり、図4(a)は研磨中にうず電流センサが半導体ウエハの直下を複数回通過する間の周波数の変化を表し、図4(b)は図4(a)のA部拡大図である。 [Figure 4] is a graph showing the results of processing a detection signal of the eddy current sensor obtained during the polishing of the semiconductor wafer in the controller, FIG. 4 (a) a plurality of just under eddy current sensor is a semiconductor wafer during polishing represents a change in frequency during the passage times, FIG. 4 (b) is an enlarged view of a portion a of FIG. 4 (a).
【図5】1枚の研磨布によって、複数枚の半導体ウエハを研磨した場合のうず電流センサの信号をコントローラで処理して得られた周波数の変化を表わすグラフである。 By [5] One of the polishing pad is a graph showing the change in the obtained frequency by processing the signal of the eddy current sensor when polishing a plurality of semiconductor wafers in the controller.
【図6】本発明のポリッシング装置の他の実施形態を示す図であり、図6(a)はポリッシング装置のターンテーブルの平面図であり、図6(b)はポリッシング装置の断面図である。 A diagram showing another embodiment of a polishing apparatus of the present invention; FIG, 6 (a) is a plan view of a turntable of the polishing apparatus, FIG. 6 (b) is a sectional view of the polishing apparatus .
【図7】従来のポリッシング装置の主要部を示す図である。 7 is a diagram showing a main portion of a conventional polishing apparatus.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 ターンテーブル1a ターンテーブル支持軸2 半導体ウエハ3 トップリング4 研磨布5 研磨砥液ノズル6 ガイドリング7 モータ8 トップリングシャフト9 弾性マット10 うず電流センサ11 ロータリコネクタ(又はスリップリング) 1 turntable 1a turntable support shaft 2 semiconductor wafer 3 top ring 4 polishing cloth 5 abrasive liquid nozzle 6 the guide ring 7 motor 8 top ring shaft 9 elastic pad 10 eddy current sensor 11 rotary connector (or slip ring)
12 コントローラ13 表示装置(ディスプレイ) 12 controller 13 display (display)
14 配線15 固定砥粒プレート30 光学式センサ32 コントローラ41 ターンテーブル42 研磨布43 半導体ウエハ45 トップリング46 リテーナリング47 弾性マット48 砥液供給ノズル49 トップリングシャフト50 うず電流センサ51 配線 14 wiring 15 fixed abrasive plate 30 optical sensor 32 the controller 41 the turntable 42 abrasive cloth 43 semiconductor wafer 45 the top ring 46 retaining ring 47 elastic pad 48 abrasive liquid supply nozzle 49 the top ring shaft 50 eddy current sensor 51 wire

Claims (4)

  1. 基板を保持するトップリングと研磨面を有したターンテーブルとを備え、基板上に半導体デバイスを形成した面を前記研磨面に摺接させて研磨するポリッシング装置において、 And a turntable having a top ring and the polishing surface for holding a substrate, the polishing apparatus for polishing a surface to form a semiconductor device on a substrate brought into sliding contact with the polishing surface,
    前記ターンテーブルの研磨面の下方に前記基板上の被研磨面に形成された導電性膜の膜厚を計測できる少なくとも1つのうず電流センサを設け、 At least Tsunouzu current sensor can measure the thickness of the turntable the conductive film formed on the polished surface of the substrate beneath the polished surface of formed,
    前記少なくとも1つのうず電流センサに隣接して、投光素子から前記基板の被研磨面に光を照射し該被研磨面からの反射光を受光素子で受光する少なくとも1つの光学式センサを設け、 Adjacent to said at least Tsunouzu current sensor, provided at least one optical sensor is received by the light receiving element the reflected light from irradiating the light on the polished surface of the substrate from the light emitting element該被polished surface,
    前記少なくとも1つのうず電流センサは、前記基板の被研磨面の円弧状の軌道を通過して前記基板の概略直径方向の面内均一性を検出するように構成され、 Wherein at least Tsunouzu current sensor is configured to pass through the arc-shaped trajectory of the polished surface of the substrate so as to detect the in-plane uniformity of the schematic diametrical direction of the substrate,
    前記少なくとも1つのうず電流センサにより検出された被研磨面の面内均一性に基づいて研磨条件を変更する制御部を設け A control unit for changing the polishing conditions based on the in-plane uniformity of the polished surface that has been detected by the at least Tsunouzu current sensor is provided,
    前記制御部は、前記基板上の導電性膜が所定の膜厚になるまで前記少なくとも1つのうず電流センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターし、前記基板上の導電性膜が前記所定の膜厚になった後に前記少なくとも1つの光学式センサの信号を処理することにより前記導電性膜の膜厚をモニターすることを特徴とするポリッシング装置。 Wherein the control unit monitors the thickness of the conductive film by the conductive film on the substrate to process signals of the at least Tsunouzu current sensor to a predetermined film thickness, conductivity on said substrate polishing apparatus sex film is characterized by monitoring the film thickness of the conductive film by processing the signals of the at least one optical sensor after reaching the predetermined film thickness.
  2. 前記センサは前記ターンテーブル内に設置されていることを特徴とする請求項1記載のポリッシング装置。 Said sensor polishing apparatus according to claim 1, characterized in that it is installed in the turntable.
  3. 前記少なくとも1つのうず電流センサは、前記基板の中心を通る軌道上に設置されていることを特徴とする請求項1 又は2記載のポリッシング装置。 Wherein at least Tsunouzu current sensor polishing apparatus according to claim 1 or 2, characterized in that it is placed in orbit passing through the center of the substrate.
  4. 前記研磨条件は、前記トップリングの押圧力または前記基板の上面に加える圧力分布であることを特徴とする請求項1乃至記載のポリッシング装置。 The polishing conditions, the polishing apparatus of claims 1 to 3, wherein it is a pressure distribution applied to the upper surface of the pressing force or the substrate of the top ring.
JP2001008326A 2000-01-17 2001-01-16 Polishing apparatus Active JP3907414B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000008393 2000-01-17
JP2000-8393 2000-01-17
JP2001008326A JP3907414B2 (en) 2000-01-17 2001-01-16 Polishing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001008326A JP3907414B2 (en) 2000-01-17 2001-01-16 Polishing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001274126A true JP2001274126A (en) 2001-10-05
JP3907414B2 true JP3907414B2 (en) 2007-04-18

Family

ID=26583664

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001008326A Active JP3907414B2 (en) 2000-01-17 2001-01-16 Polishing apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3907414B2 (en)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60132385T2 (en) * 2000-05-19 2008-05-15 Applied Materials, Inc., Santa Clara polishing pad
JP3916375B2 (en) 2000-06-02 2007-05-16 株式会社荏原製作所 Polishing method and apparatus
JP2002198334A (en) * 2000-10-16 2002-07-12 Ulvac Japan Ltd Substrate polishing apparatus
KR101078007B1 (en) * 2004-06-21 2011-10-28 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 Polishing apparatus and polishing method
KR100971839B1 (en) * 2007-09-24 2010-07-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Wafer edge characterization by successive radius measurements
JP5160954B2 (en) * 2008-05-15 2013-03-13 株式会社荏原製作所 Polishing method
JP6033751B2 (en) * 2013-10-07 2016-11-30 株式会社荏原製作所 Polishing method

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2001274126A (en) 2001-10-05 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5142828A (en) Correcting a defective metallization layer on an electronic component by polishing
US5643050A (en) Chemical/mechanical polish (CMP) thickness monitor
US6783436B1 (en) Polishing pad with optimized grooves and method of forming same
US5081796A (en) Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer
US6077147A (en) Chemical-mechanical polishing station with end-point monitoring device
US5234868A (en) Method for determining planarization endpoint during chemical-mechanical polishing
US6191864B1 (en) Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US6520834B1 (en) Methods and apparatuses for analyzing and controlling performance parameters in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates
US6426288B1 (en) Method for removing an upper layer of material from a semiconductor wafer
US5637185A (en) Systems for performing chemical mechanical planarization and process for conducting same
US6432823B1 (en) Off-concentric polishing system design
US6296548B1 (en) Method and apparatus for optical monitoring in chemical mechanical polishing
US5637031A (en) Electrochemical simulator for chemical-mechanical polishing (CMP)
US5655951A (en) Method for selectively reconditioning a polishing pad used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US5609718A (en) Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers
US20050026542A1 (en) Detection system for chemical-mechanical planarization tool
US20030224596A1 (en) Method and system for improving the manufacturing of metal damascene structures
US5663797A (en) Method and apparatus for detecting the endpoint in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers
US5439551A (en) Chemical-mechanical polishing techniques and methods of end point detection in chemical-mechanical polishing processes
US20010024878A1 (en) Polishing pad, polishing apparatus and polishing method
US5216843A (en) Polishing pad conditioning apparatus for wafer planarization process
US20040058620A1 (en) System and method for metal residue detection and mapping within a multi-step sequence
US7046001B2 (en) Frequency measuring device, polishing device using the same and eddy current sensor
US5823854A (en) Chemical-mechanical polish (CMP) pad conditioner
US6261157B1 (en) Selective damascene chemical mechanical polishing

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20040130

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20051102

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20051102

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051220

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060216

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060613

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20060724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060731

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060724

RD13 Notification of appointment of power of sub attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7433

Effective date: 20060908

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060908

A072 Dismissal of procedure

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A072

Effective date: 20070109

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070116

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070116

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100126

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140126

Year of fee payment: 7

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250