JP3901623B2 - 成膜方法 - Google Patents
成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3901623B2 JP3901623B2 JP2002286935A JP2002286935A JP3901623B2 JP 3901623 B2 JP3901623 B2 JP 3901623B2 JP 2002286935 A JP2002286935 A JP 2002286935A JP 2002286935 A JP2002286935 A JP 2002286935A JP 3901623 B2 JP3901623 B2 JP 3901623B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- powder
- raw material
- aerosol
- substrate
- material powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、粉体を高速で基板に吹き付け、堆積させることによって膜を形成する成膜方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
セラミックスや金属等の膜を形成する技術として、エアロゾルデポジション法、又は、ジェットプリンティングシステム(JPS)と呼ばれる方式が知られている。エアロゾルデポジション法とは、サブミクロンオーダーの原料の粉体をキャリアガスにより噴き上げることによってエアロゾルを生成し、ノズル等を用いてそのエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、原料の粉体を高速気流によって加速して基板に衝突させ、その際の衝突エネルギーによって粉体を堆積させる成膜方法である。ここで、エアロゾルとは、気体中に浮遊している固体や液体の微粒子のことをいう。
【0003】
ところで、成膜原料として用いられる微粒子(1次粒子)は、成膜の過程において、時間の経過と共に静電気力、ファンデルワールス力、又は、水分の架橋効果等により凝集し、直径数μm〜数mmの大きさの凝集粒子を形成してしまう。このような凝集粒子は、1次粒子に比較して質量が大きく、加速され難いので、十分な運動エネルギーを得ることができない。また、そのような運動エネルギーは、凝集粒子が基板に衝突したときに凝集粒子を解砕するために消費されてしまう。エアロゾルデポジション法においては、1次粒子を破砕させ、微細な断片粒子を生成してそれらを基板に密着させるので、凝集粒子を解砕しただけでは、緻密で強度の高い膜を形成することができなくなる。また、このような凝集粒子の内、ミクロンオーダー以上の巨大な凝集粒子は、重力の影響を受け、キャリアガスによって噴き上げられることなくエアロゾル生成容器の一部に留まってしまう。このような状態になると、サブミクロンの粒子がキャリアガスの噴出口付近に近づけなくなるので、サブミクロンの粒子を噴き上げることができなくなり、エアロゾルの濃度が低下してしまう。このようなことから、エアロゾルデポジション法においては、エアロゾルが安定的に供給されず、経時的に成膜速度が低下するという問題が生じている。
【0004】
凝集粒子が形成されることによる影響を低減するために、特許文献1には、不要な粒径の超微粒子を除去する超微粒子の成膜、成形方法及びその装置として、超微粒子分級装置を超微粒子の搬送路途中に配設するか或いは超微粒子の発生装置の後方に配設することによって、均質な超微粒子のみを被膜や薄膜或いは成型品の原料とすることが開示されている。また、特許文献2には、セラミック超微粒子のエアロゾルを発生させ、分級あるいは解砕によりエアロゾル中の二次粒子を排除した後に、一次粒子あるいはそれに準じる粒径の粒子のみを基板上に吹き付けることにより、焼成させることなく高密度の緻密質のセラミック構造物を基板上に得ることが開示されている。
しかしながら、成膜装置に凝集粒子を分級或いは解砕する手段を設けると、装置全体が複雑になり、大きなスペースを要するようになってしまう。
【0005】
【特許文献1】
特開平11−21677号公報
【特許文献2】
特開2001−181859号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、上記の点に鑑み、本発明は、エアロゾルデポジション法において、凝集粒子が生成されるのを抑制して高い割合で1次粒子を含むエアロゾルを生成すると共に、そのようなエアロゾルを安定的に供給することができる成膜方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため、本発明の1つの観点に係る成膜方法は、少なくとも内面が導電性を有する材料によって形成されると共に接地配線が接続されている容器に、絶縁性を有する原料の粉体と共に少なくとも1μmの粒子径を有する導電性粉体を配置し、原料の粉体を除電しながらガス中に分散させることによってエアロゾルを生成する工程(a)と、生成されたエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、原料の粉体を基板上に堆積させる工程(b)とを具備する。
【0009】
本発明によれば、エアロゾルの生成が行われる容器やエアロゾルの搬送経路の内側を接地するので、原料の粉体が帯電するのを防止し、微粒子が静電気によって凝集するのを抑制することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、同一の構成要素には同一の参照番号を付して、説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置を示す模式図である。この成膜装置は、エアロゾルデポジション法によって成膜を行うための装置であり、エアロゾルの生成が行われるエアロゾル生成容器10と、成膜が行われる成膜チャンバ20とを有している。
【0011】
エアロゾル生成容器10は、原料の粉体が配置される容器であり、ここでエアロゾルの生成が行われる。エアロゾル生成容器10は、金属等の導電体によって作製されており、そこには接地配線が接続されている。接地配線を用いてエアロゾル生成容器10を大地や導電性の構造物等に接地することにより、エアロゾル生成容器10に配置された原料の粉体に帯電した静電気が放電される。なお、成膜を行う際に用いられる原料の粉体としては、サブミクロン単位の粉体が望ましく、例えば、PZT(チタン酸ジルコン酸鉛:Pb(lead) zirconate titanate)膜を形成する場合には、粒子径1μm以下、望ましくは、平均粒子径0.3μmを有するPZTの粉体が用いられる。
【0012】
エアロゾル生成容器10には、キャリアガス導入部11、エアロゾル導出部12、及び、圧力調整ノズル13が設けられている。キャリアガス導入部11は、原料の粉体をキャリアするために用いられる気体、即ち、キャリアガスをエアロゾル生成容器10の内部に導入する。即ち、エアロゾル生成容器10に配置された原料の粉体をキャリアガスによって噴き上げることにより、エアロゾルが生成される。キャリアガス導入部11は、少なくともエアロゾル生成容器10の内部においては金属等の導電体によって作製されている。なお、キャリアガスとしては、乾燥空気、窒素ガス、酸素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス等が用いられる。
【0013】
エアロゾル導出部12は、エアロゾルの搬送経路であり、生成されたエアロゾルを吸引して成膜チャンバ20に導く。エアロゾル導出部12は、金属等の導電体によって作製されており、直接、或いは、エアロゾル生成容器10を介して接地されている。それにより、エアロゾル導出部12を通過するエアロゾルに帯電した静電気が放電される。
【0014】
圧力調整ノズル13は、少なくともエアロゾル生成容器10の内部においては金属等の導電体によって作製されており、エアロゾル生成容器11と成膜チャンバ20との圧力差を調整する際に用いられる。
【0015】
このようなエアロゾル生成容器10は、振動台14の上に戴置されている。振動台14は、エアロゾル生成容器10に、例えば、周波数50Hz、振幅0.1mm程度の振動を与える。この振動により、エアロゾル生成容器10に配置されている原料の粉体に、浮上するための運動エネルギーが与えられると共に、キャリアガス導入部10のガス噴出口付近に次々と粉体が供給される。
【0016】
成膜チャンバ20においては、エアロゾルデポジション法により成膜が行われる。成膜チャンバ20には、排気管21と、エアロゾル導入部22と、ノズル23と、可動ステージ24とが備えられている。排気管21は、真空ポンプに接続されており、成膜チャンバ20内を排気する。
【0017】
エアロゾル導入部22は、エアロゾル生成部10のエアロゾル導出部12に接続されており、エアロゾル生成部10において生成されたエアロゾルは、エアロゾル導入部22を通って成膜チャンバ20内に導入される。エアロゾル導入部22は、金属等の導電体によって作製されており、直接、或いは、エアロゾル導出部12を介して接地されている。それにより、エアロゾル導入部22を通過するエアロゾルに帯電した静電気が放電される。
【0018】
ノズル23は、エアロゾル導入部22を通って導入されたエアロゾルを基板2に吹き付ける。それにより、加速された原料の粉体は基板2に衝突して破砕され、微細な断片粒子が生成される。このような断片粒子が基板に接合し、或いは、このような断片同士が接合して、基板2に緻密な構造物が形成される。
可動ステージ24は、基板とノズル24との相対位置を制御するための3次元に移動可能なステージである。
【0019】
このように、本実施形態においては、エアロゾル生成容器10や、エアロゾルの搬送経路であるエアロゾル導出部12及びエアロゾル導入部22を接地することにより、原料の粉体やエアロゾルを除電し、原料の粉体やエアロゾルが凝集するのを抑制している。それにより、エアロゾルに含まれる1次粒子の割合が高くなり、そのようなエアロゾルを基板に吹き付けることにより、緻密で強度の高い膜が形成される。また、エアロゾル生成容器10において、キャリアガスによって噴き上げることができない程度(例えば、数μm〜数mm)の巨大な凝集粒子が生成されることがないので、エアロゾルの濃度が低下することもなくなる。
【0020】
ところで、形成される膜の原料が絶縁体である場合には、原料の粉体やエアロゾルをさらに効率良く除電することが望まれる。そのような場合には、エアロゾル生成容器10に、原料の粉体と共に導電性を有する粉体を配置することにより、導電性粉体を介して原料の粉体から静電気を効率的に放電させれば良い。導電性を有する粉体(導電性粉体)は、次のような観点から選択されることが望ましい。
【0021】
(1)質量の大きな金属粉体
キャリアガスによって噴き上がらせることのできない程度の質量の大きな導電性粉体を配置することにより、導電性粉体がエアロゾルに混入することなく、エアロゾル生成容器において原料の粉体を除電することができる。そのような導電性粉体としては、例えば、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、ジルコン(Zr)、スズ(Sn)、ビスマス(Bi)、鉛(Pb)、タングステン(W)、金(Au)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)等を含む金属を用いることができ、特に、W、Au、Pt、Ir等の比重の大きい金属を用いることが望ましい。また、金属粉体の大きさについては、金属粉体が原料の粉体よりも重くなるように粒子径を決定する。例えば、粒子径が1μm以下のPZT粉体を用いてPZT膜を形成する際に、PZTの比重より小さいか、その前後の比重を有する金属を用いる場合には、粒子径を1μm以上にすると良い。また、W、Au、Pt、Ir等の重金属を用いる場合には、金属粉体の粒子径をさらに小さくしても良い。
【0022】
(2)形成された膜の結晶構造に影響しない物質の粉体
形成された膜に混入したとしても膜の結晶構造に影響を及ぼさない物質であれば、原料の粉体と共にエアロゾルとして搬送させても良い。例えば、トランスデューサに用いられるPZT膜を形成する場合には、導電性酸化物材料であるSrRuO3(酸化ストロンチウム(II)ルテニウム(IV))の粉体を混入させることが考えられる。SrRuO3は、PZTと同じペロブスカイト構造と呼ばれる結晶構造を有しており、形成された膜に混入してもPZTの結晶構造には影響を及ぼさないからである。なお、この他にも、同様の結晶構造を有する導電性物質や半導体の粉体を用いても良い。
【0023】
(3)低融点を有する導電性物質の粉体
成膜時に導電性粉体が混入しても、成膜後の工程によってそれを除去することができる物質であれば、原料の粉体と共にエアロゾルとして搬送させても良い。例えば、PZT膜を形成する場合には、結晶性を良くするために、成膜後に700℃〜800℃程度でポストアニールを行うことが必要になる。このようなポストアニール工程が付随する場合には、アニール温度よりも融点が低い導電性物質の粉体を原料の粉体に混入することが考えられる。形成された膜に混入された導電性物質の粉体は、ポストアニール時に消失して膜内に残留しないので、完成した膜の結晶構造には影響を及ぼさないからである。PZT膜を形成する場合には、このような導電性物質として鉛(Pb)、スズ(Sn)、ビスマス(Bi)等の低融点金属が挙げられる。特に、Pbは、PZTの構造に含まれる元素であり、仮に、形成された膜内に多少残留していても、不純物としてPZTの結晶構造に影響を及ぼすことは少ないので、原料の粉体に混入する物質として適当である。
【0024】
(4)強磁性金属材料の粉体
原料の粉体を除電する導電性粉体として強磁性金属材料の粉体を用い、基板2にエアロゾルを吹き付ける前に、磁石を用いて強磁性金属材料の粉体を除去するようにしても良い。例えば、図1に示すエアロゾル生成容器10の外側に磁石を設け、キャリアガスによって噴き上げられた粉体の中から強磁性金属材料の粉体のみを除去したり、エアロゾル導入部12やエアロゾル導入部22の外側に磁石を設け、これらの内側を通過しようとする粉体の中から強磁性金属材料の粉体のみを除去する。強磁性金属材料としては、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、LaSrMnO3等が用いられる。特に、PZT膜を形成する場合に、LaSrMnO3は、PZTと同様にペロブスカイト構造を有しており、仮に、原料の粉体中に多少残留していても、形成されたPZT膜の結晶構造に影響を及ぼすことは少ないので、原料の粉体に混入する物質として望ましい。
【0025】
このように、原料の粉体と共に導電性粉体を用いることにより、原料の粉体が導電性を有する粉体を介してエアロゾル生成容器やエアロゾル導出部等に接続されるので、容器等に直接触れていない原料の粉体であっても除電することができる。特に、上記の(2)〜(4)に示したような観点から選択された導電性粉体を用いる場合には、導電性粉体が原料の粉末と共にエアロゾル生成容器10からエアロゾル導入部22までを通過するので、それらの搬送経路に渡って原料の粉体が除電され、微粒子の凝集を効果的に防ぐことができる。
【0026】
或いは、原料の粉体に導電性を有する粉体を混入する替わりに、キャリアガス導入部11から噴出させるキャリアガスに、N2 +、N+、O2 +、O+、O2 -等のイオンを含ませても良い。それにより、エアロゾルを生成し、成膜チャンバ20に搬送される過程において原料の粉体が除電され、或いは、一方の電荷に揃えられるので、微粒子の凝集が抑制される。
【0027】
次に、本発明の第2の実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置について、図2及び図3を参照しながら説明する。この成膜装置は、図1に示すエアロゾル生成容器10、エアロゾル導出部12及びエアロゾル導入部22の替わりに、エアロゾル生成容器30、エアロゾル導出部31及びエアロゾル導入部32を有している。その他の構成ついては、図1に示す成膜装置と同様である。
【0028】
図2に示すように、エアロゾル生成容器30は絶縁体によって作製されており、その内側には、金属等の導体膜30aが蒸着等によって形成されている。
エアロゾル導出部31及びエアロゾル導入部32を含む搬送経路は、エアロゾル生成容器30及び成膜チャンバ20の内側においては金属によって作製されており、外側においては、テフロン(登録商標)等の絶縁体材料によって作製されている。図3は、容器の外側におけるエアロゾル導出部31及びエアロゾル導入部32の断面を示している。図3に示すように、エアロゾル導出部31及び導入部32の内面には、金属等の導体膜31aが蒸着等によって形成されている。
【0029】
これらの導体膜30a及び31aには、接地配線が接続されている。それにより、原料の粉体や生成されたエアロゾルに帯電した静電気を放電し、凝集粒子が生成されるのを抑制することができる。
【0030】
本実施形態によれば、エアロゾル生成容器30、エアロゾル導出部31、エアロゾル導入部32等の材料として、金属以外の材料を用いることができるので、材料選択の幅が広がる。従って、例えば、配管の基材としてテフロン(登録商標)等の所定の弾性を有する材料を用いることにより、エアロゾル生成容器30と成膜チャンバ20との配置を自由に変更することができる。また、エアロゾル生成容器30に振り子運動等の所定の運動をさせることができるので、原料の粉体を撹拌しながらエアロゾルを生成することも可能になる。
【0031】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明によれば、エアロゾル生成容器の内部やエアロゾルの搬送経路の内部を接地することにより、原料の粉体や生成されたエアロゾルが帯電するのを防止し、凝集粒子が生成されるのを抑制することができる。それにより、エアロゾルに含まれる1次粒子の割合が高くなるので、緻密で強度の高い膜を形成することが可能になる。また、エアロゾル生成容器において巨大な凝集粒子が生成されるのを抑えることができるので、安定的にエアロゾルを生成し、成膜速度を低下させることなく、効率良く成膜を行うことができる。従って、大きなスペースを要することのない、構成の簡単な装置を用いて、品質の安定した製品を低コストで作製することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の構成を示す模式図である。
【図2】 本発明の第2の実施形態に係る成膜方法を実施するための成膜装置の構成を示す模式図である。
【図3】 図2に示す成膜装置の一部を示す断面図である。
【符号の説明】
1 原料の粉体
2 基板
10、30 エアロゾル生成容器
30a、31a 導体膜
11 キャリアガス導入部
12、31エアロゾル導出部
13 圧力調整ノズル
20 成膜チャンバ
21 排気管
22、32 エアロゾル導入部
23 ノズル
24 可動ステージ
Claims (5)
- 少なくとも内面が導電性を有する材料によって形成されると共に接地配線が接続されている容器に、絶縁性を有する原料の粉体と共に少なくとも1μmの粒子径を有する導電性粉体を配置し、前記原料の粉体を除電しながらガス中に分散させることによってエアロゾルを生成する工程(a)と、
生成されたエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、前記原料の粉体を基板上に堆積させる工程(b)と、
を具備する成膜方法。 - 少なくとも内面が導電性を有する材料によって形成されると共に接地配線が接続されている容器に、結晶構造を有する原料の粉体と共に前記原料の粉体と同様の結晶構造を有する導電性粉体を配置し、前記原料の粉体を除電しながら前記原料の粉体及び前記導電性粉体をガス中に分散させることによってエアロゾルを生成する工程(a)と、
生成されたエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、前記原料の粉体を基板上に堆積させる工程(b)と、
を具備する成膜方法。 - 少なくとも内面が導電性を有する材料によって形成されると共に接地配線が接続されている容器に、絶縁性を有する原料の粉体と共に前記原料の粉体の融点よりも低い融点を有する導電性粉体を配置し、前記原料の粉体を除電しながら前記原料の粉体及び前記導電性粉体をガス中に分散させることによってエアロゾルを生成する工程(a)と、
生成されたエアロゾルを基板に向けて噴射することにより、前記原料の粉体を基板上に堆積させる工程(b)と、
前記基板上に形成された構造物を、前記導電性粉体の融点よりも高温でアニールする工程(c)と、
を具備する成膜方法。 - 前記原料の粉体が、セラミックの粉体を含む、請求項1〜3のいずれか1項記載の成膜方法。
- 前記原料の粉体が、ペロブスカイト構造を有するPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)の粉体を含み、前記導電性粉体が、ペロブスカイト構造を有するSrRuO 3 (酸化ストロンチウムルテニウム)の粉体を含む、請求項2記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002286935A JP3901623B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002286935A JP3901623B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004124126A JP2004124126A (ja) | 2004-04-22 |
JP3901623B2 true JP3901623B2 (ja) | 2007-04-04 |
Family
ID=32279883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002286935A Expired - Fee Related JP3901623B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3901623B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4560619B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-10-13 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 永久磁石膜 |
JP4949668B2 (ja) * | 2004-12-09 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | セラミックス膜の製造方法及びセラミックス膜を含む構造物 |
JP4920912B2 (ja) * | 2005-06-10 | 2012-04-18 | 富士フイルム株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
JP2007231390A (ja) * | 2006-03-02 | 2007-09-13 | Fujifilm Corp | エアロゾル生成装置及び方法、並びに、それを用いた成膜装置及び方法 |
-
2002
- 2002-09-30 JP JP2002286935A patent/JP3901623B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004124126A (ja) | 2004-04-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2963993B1 (ja) | 超微粒子成膜法 | |
JP3256741B2 (ja) | 超微粒子成膜法 | |
TWI232894B (en) | Composite structure and the manufacturing method and apparatus thereof | |
CN111819018B (zh) | 微粒子的制造方法及微粒子 | |
US20090293675A1 (en) | Method and apparatus of producing nanoparticles using nebulized droplet | |
JP2002235181A (ja) | 複合構造物及びその製造方法並びに作製装置 | |
JP2007023379A (ja) | 成膜方法及び構造物 | |
JP3901623B2 (ja) | 成膜方法 | |
CN114728338A (zh) | 微粒子的制造装置及微粒子的制造方法 | |
US10266938B2 (en) | Deposition method, deposition apparatus, and structure | |
JP2008045191A (ja) | 被膜形成装置および被膜形成方法 | |
JP2005262108A (ja) | 成膜装置及び圧電材料の製造方法 | |
JP2007162077A (ja) | 成膜装置、成膜方法、セラミック膜、無機構造体、及び、デバイス | |
JP2006193785A (ja) | エアロゾルデポジッション成膜装置 | |
JPH1121677A (ja) | 超微粒子の成膜,成形方法及びその装置 | |
JP4075716B2 (ja) | 複合構造物作製装置 | |
JP4920912B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP4086627B2 (ja) | 成膜方法 | |
JP4496380B2 (ja) | エアロゾルデポジッション成膜装置 | |
JP2007063582A (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
JP2007217765A (ja) | エアロゾル発生装置 | |
JP2004267893A (ja) | セラミック系薄膜形成用霧化器及びそれを用いた薄膜製造方法 | |
JP2006326572A (ja) | 成膜方法 | |
JP5928132B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP2005076104A (ja) | 複合構造物作製装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050323 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060822 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061019 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061204 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20061226 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20061226 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110112 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120112 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130112 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |