JP3877453B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にパッケージ外形を縮小し、実装面積を低減しコストダウンが可能な半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造においては、ウェハからダイシングして分離した半導体チップをリードフレームに固着し、金型と樹脂注入によるトランスファーモールドによってリードフレーム上に固着された半導体チップを封止し、封止された半導体チップを個々の半導体装置毎に分離するという工程が行われている。このリードフレームには短冊状あるいはフープ状のフレームが用いられており、いずれにしろ1回の封止工程で複数個の半導体装置が同時に封止されている。
【0003】
図5は、トランスファーモールド工程の状況を示す図である。トランスファーモールド工程では、ダイボンド、ワイヤボンドにより半導体チップ1が固着されたリードフレーム2を、上下金型3A、3Bで形成したキャビティ4の内部に設置し、キャビティ4内にエポキシ樹脂を注入することにより、半導体チップ1の封止が行われる。このようなトランスファーモールド工程の後、リードフレーム2を各半導体チップ1毎に切断して、個別の半導体装置が製造される(例えば特開平05−129473号)。
【0004】
この時、図6に示すように、金型3Bの表面には多数個のキャビティ4a〜4fと、樹脂を注入するための樹脂源5と、ランナー6、及びランナー6から各キャビティ4a〜4fに樹脂を流し込むためのゲート7とが設けられている。これらは全て金型3B表面に設けた溝である。短冊状のリードフレームであれば、1本のリードフレームに例えば10個の半導体チップ1が搭載されており、1本のリードフレームに対応して、10個のキャビティ4と10本のゲート7、及び1本のランナー6が設けられる。そして、金型3表面には例えばリードフレーム20本分のキャビティ4が設けられる。
【0005】
図7は、上記のトランスファーモールドによって製造した半導体装置を示す図である。トランジスタ等の素子が形成された半導体チップ1がリードフレームのアイランド8上に半田等のろう材9によって固着実装され、半導体チップ1の電極パッドとリード10とがワイヤ11で接続され、半導体チップ1の周辺部分が上記キャビティの形状に合致した樹脂12で被覆され、樹脂12の外部にリード端子10の先端部分が導出されたものである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
従来のパッケージでは、外部接続用のリード端子10を樹脂12から突出させるので、リード端子10の先端部までの距離を実装面積として考慮しなくてはならず、樹脂12の外形寸法より実装面積の方が遥かに大きくなるという欠点がある。
【0007】
また、従来のトランスファーモールド技術では、圧力をかけ続けた状態で硬化させることから、ランナー6とゲート7においても樹脂が硬化し、このランナー6等に残った樹脂は廃棄処分となる。そのため、上記のリードフレームを用いた手法では、製造すべき半導体装置個々にゲート7を設けるので、樹脂の利用効率が悪く、樹脂の量に対して製造できる半導体装置の個数が少ないという欠点があった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した各事情に鑑みて成されたものであり、
複数の矩形の搭載部を有し、
前記搭載部の各々にアイランド部及びリード部が形成され、
前記アイランド部及びリード部にそれぞれ電気的に接続する外部電極が、前記搭載部の裏面に左右対称に形成されたセラミックからなる絶縁基板を準備する工程と、
前記アイランド部上に半導体チップを設け、前記半導体チップの電極パッドと前記リード部とをボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記絶縁基板の表面に樹脂を滴下することにより、すべての前記半導体チップを覆い、前記樹脂の粘性により表面が湾曲した樹脂層を形成する工程と、
前記湾曲した樹脂層の表面を、研削して平坦化する工程と、
前記平坦化した樹脂層の表面に、前記外部電極の極性を示す刻印を形成する工程と、
前記搭載部毎に前記樹脂層を切断して各々の半導体装置に分割する工程とを有することを特徴とするものである。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0010】
図1は、本発明の半導体装置を示す(A)平面図(B)断面図である。基板21は、セラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板であり、それらが1枚あるいは数枚重ね合わされて、合計の板厚が200〜350μmと製造工程における機械的強度を維持し得る板厚を有している。以下は、第1の絶縁基板22(板厚:約100μm)の上に第2の絶縁基板23(板厚:約100μm)を重ね合わせた例を説明する。
【0011】
基板21の表面には、金メッキなどの導電パターンによってアイランド部24とリード部25とが形成されている。アイランド部24の上に銀ペーストなどの接着剤によって半導体チップ26が固定されている。半導体チップ26は、バイポーラトランジスタ、パワーMOSFETなどの3端子の能動素子である。半導体チップ26の表面には外部接続用の電極パッド27が形成されている。電極パッド27とリード部25とが金線等のボンディングワイヤ28によって各々接続されている。
【0012】
第2の絶縁基板23の裏面側には、金メッキなどの導電パターンによって外部接続用の外部電極30が形成されている。第1と第2の絶縁基板22、23にはこれらを貫通するスルーホール31が設けられ、該スルーホール31を介してアイランド部24と外部電極30とが、及びリード部25と外部電極30とが各々接続される。
【0013】
第2の絶縁基板23は、第1の絶縁基板のアイランド部24に対して高さの差を与える。この高さの差が、ワイヤボンド時のボンダビリティを改善する。また、第2の絶縁基板23の板厚が、製造工程における機械的強度を維持する役割を果たす。但し第2の絶縁基板23が半導体チップ26の全周を囲むとパッケージサイズが大型化するので、パッケージの1側辺に沿う様に一部に設けている。これに伴って、アイランド部24はパッケージの中心ではなく左右どちらか一方に偏在した位置に形成され、リード部25はその反対側の偏在した位置に形成されている。
【0014】
図2に、外部電極30のパターンを示した。外部電極30は、第1の絶縁基板22の裏面側の4隅に、0.2×0.3mm程度の大きさで配置されており、中心線33に対しても、中心線34に対しても左右対称となるパターンで配置されている。また、各外部電極30の端は、パッケージの端からは0.05mm程度後退されている。3端子素子としてバイポーラ素子を搭載した場合、アイランド部24に接続された外部電極30a、30bがコレクタ端子であり、リード部25に各々接続された外部電極30c、30dがベース・エミッタ電極となる。
【0015】
再び図1を参照して、この半導体装置は、縦×横×高さが、例えば、1.0mm×0.6mm×0.5mmのごとき、極めて小さい大きさを有している。第1の絶縁基板23の上には0.5mm程度の樹脂層32が被覆して(図示t1)、半導体チップ26を封止している。半導体チップ26は約150μm程度の厚みを有する。ボンディングワイヤ28は、最も高い箇所で半導体チップ26の表面から約150μmの高さまで上昇したループを描く。この様な寸法設計下においては、ボンディングワイヤ28の上方には約100μmの樹脂層32が被覆するだけとなる(図示t2)。
【0016】
この様にサイズの小さなパッケージでは、実装基板上に半田付けする際に、溶融半田が持つ張力によって、例えばパッケージを直立させる(マンハッタン現象)、パッケージを水平方向に回転させる(θずれ)等の、実装時の障害が発生する場合がある。本発明の外部電極30のパターンでは、導電パターンがパッケージの裏面表面にだけ存在し、パッケージの側面には存在しないので、溶融半田がパッケージ側面を包み込むことによって生じるマンハッタン現象を防止できるし、左右(上下)対象の配置とすることにより溶融半田によりよる吸着力が四方八方に均等に加わるので、θずれをも防止することができる。
【0017】
そして、樹脂層32の表面には、この半導体素子の機種名などを表示する数字又はアルファベットなどからなる刻印40が、レーザーマーキング手法によって形成されている。レーザーマーキング手法は樹脂層32の表面を50μm程度掘り下げることで(図示t3)視認可能な文字等を形成するものである。斯かる刻印40は、極性表示マークとして半導体チップ26側に配置されており、アイランド部24に接続されたコレクタ端子を示すことになる。尚、刻印40は単なるマークでも良い。また、少なくともボンディングワイヤ28が延在する箇所の上部の樹脂層32表面は、レーザマーキングを行わない平坦面とする。
【0018】
斯かる構成で有れば、樹脂層32の残り膜厚が少ない第2の絶縁基板23の上部とボンディングワイヤ28の上部を避け、残り膜厚が十分に存在する箇所に配置したことによって、ボンディングワイヤ28のループ上を避けるように配置する事ができる。この様な配置によって、マーキングとワイヤとの干渉を防止し、半導体装置の薄形化を推進することができる。しかも外部端子30の極性表示の機能を持たせているので、左右(上下)対象な外部電極30の極性判別を誤ることなく実装することが可能となる。
【0019】
以下に、図1の半導体装置の製造方法を説明する。
【0020】
第1工程: 図3参照
まず、図3に示したような、1個の半導体装置に対応する搭載部20を複数個分、例えば100個分を縦横に配置した、大判の共通基板21を準備する。共通基板21は、セラミックやガラスエポキシ等からなる絶縁基板であり、それらが1枚あるいは数枚重ね合わされて、合計の板厚が200〜350μmと製造工程における機械的強度を維持し得る板厚を有している。以下は、第1の絶縁基板22(板厚:約100μm)の上に第2の絶縁基板23(板厚:約100μm)を重ね合わせて、大判の共通基板21を形成した例を説明する。第2の絶縁基板23には、半導体チップ26を搭載すべき箇所に開口部が設けられている。
【0021】
共通基板21の各搭載部20の表面には、タングステン等の金属ペーストの印刷と、金の電解メッキによる導電パターンが形成されている。導電パターンは、第1の絶縁基板22の表面にアイランド部24を形成し、第2の絶縁基板23の表面にリード部25を形成する。また、第1の絶縁基板22の裏面側には外部電極30を形成する。
【0022】
点線で囲んだ各搭載部20は、例えば長辺×短辺が1.0mm×0.8mmの矩形形状を有しており、これらは互いに20〜50μmの間隔を隔てて縦横に配置されている。前記間隔は後の工程でのダイシングラインとなる。
第2工程:図4(A)参照
斯様に重ね合わせて形成した共通基板21の各搭載部20毎に、半導体チップ26をダイボンド、ワイヤボンドする。半導体チップ26はアイランド部24表面にAgペーストなどの接着剤によって固定し、半導体チップ26の電極パッド27とリード部25とを各々ワイヤ28で接続する。
【0023】
第3工程:図4(B)参照
共通基板21の上方に移送したディスペンサから所定量のエポキシ系液体樹脂を滴下(ポッティング)し、すべての半導体チップ26を共通の樹脂層32で被覆する。例えば一枚の共通基板21に100個の半導体チップ26を搭載した場合は、100個全ての半導体チップ26を一括して被覆する。前記液体樹脂として例えばCV576AN(松下電工製)を用いた。滴下した液体樹脂は比較的粘性が高く、表面張力を有しているので、その表面が湾曲する。
【0024】
第4工程:図4(C)参照
樹脂層32の湾曲した表面を、平坦面に加工する。加工するには、樹脂が硬化する前に平坦な成形部材を押圧して平坦面に加工する手法と、滴下した樹脂層32を100〜200度、数時間の熱処理(キュア)にて硬化させた後に、湾曲面を研削することによって平坦面に加工する手法とが考えられる。研削にはダイシング装置を用い、ダイシングブレードによって樹脂層32の表面が共通基板21から一定の高さに揃うように、樹脂層32表面を削る。この工程では、樹脂層32の膜厚を0.3〜1.0mmに成形する。平坦面は、少なくとも最も外側に位置する半導体チップ26を個別半導体装置に分離したときに、規格化したパッケージサイズの樹脂外形を構成できるように、その端部まで拡張する。前記ブレードには様々な板厚のものが準備されており、比較的厚めのブレードを用いて、切削を複数回繰り返すことで全体を平坦面に形成する。
【0025】
その後、レーザーマーキングによって各搭載部20毎に、極性判別用の刻印40を形成する。
【0026】
第5工程:図4(D)参照
次に、搭載部20毎に樹脂層32を切断して各々の半導体装置に分離する。切断にはダイシング装置を用い、ダイシングブレード42によってダイシングライン43に沿って樹脂層32と共通基板21とを同時に切断することにより、搭載部20毎に分割した半導体装置を形成する。ダイシング工程においては共通基板21の裏面側にブルーシート(たとえば、商品名:UVシート、リンテック株式会社製)を貼り付け、前記ダイシングブレードがブルーシートの表面に到達するような切削深さで切断する。この時には、共通基板21の表面にあらかじめ形成した合わせマークをダイシング装置側で自動認識し、これを位置基準として用いてダイシングする。
【0027】
斯かる手法によって形成した半導体装置は、以下の効果を有する。
【0028】
多数個の素子をまとめて樹脂でパッケージングするので、個々にパッケージングする場合に比べて、無駄にする樹脂材料を少なくでき、材料費の低減につながる。
【0029】
リードフレームを用いないので、従来のトランスファーモールド手法に比べて、パッケージ外形を大幅に小型化することができる。
【0030】
外部接続用の端子が共通基板21の裏面に形成され、パッケージの外形から突出しないので、装置の実装面積を大幅に小型化できる。
【0031】
【発明の効果】
以上に説明したように、本発明によれば、リードフレームを用いた半導体装置よりも更に小型化できるパッケージ構造を提供できる利点を有する。このとき、リード端子が突出しない構造であるので、実装したときの占有面積を低減し、高密度実装を実現できる。
【0032】
さらに、小型化した装置の実装を考慮して裏面電極30を左右(上下)対象に配置したときに、樹脂層32表面に極性判別マークを形成することによって、実装時における極性判別を容易に行うことができる。
【0033】
更に、樹脂層32を削る刻印40を、半導体チップ26の上方に配置することによって、ボンディングワイヤ28との干渉を防止する事ができ、パッケージの薄形化を阻害しない利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を説明するための(A)平面図(B)断面図である。
【図2】本発明を説明するための斜視図である。
【図3】本発明を説明するための斜視図である。
【図4】本発明を説明するための断面図である。
【図5】従来例を説明するための断面図である。
【図6】従来例を説明するための平面図である。
【図7】従来例を説明するための断面図である。
Claims (4)
- 複数の矩形の搭載部を有し、
前記搭載部の各々にアイランド部及びリード部が形成され、
前記アイランド部及びリード部にそれぞれ電気的に接続する外部電極が、前記搭載部の裏面に左右対称に形成されたセラミックからなる絶縁基板を準備する工程と、
前記アイランド部上に半導体チップを設け、前記半導体チップの電極パッドと前記リード部とをボンディングワイヤにより接続する工程と、
前記絶縁基板の表面に樹脂を滴下することにより、すべての前記半導体チップを覆い、前記樹脂の粘性により表面が湾曲した樹脂層を形成する工程と、
前記湾曲した樹脂層の表面を、研削して平坦化する工程と、
前記平坦化した樹脂層の表面に、前記外部電極の極性を示す刻印を形成する工程と、
前記搭載部毎に前記樹脂層を切断して各々の半導体装置に分割する工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 前記刻印は、ボンディングワイヤのループ上を避けて設けられることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記刻印は、レーザマーキング法により形成することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体チップが3端子素子であり、前記外部端子は4個であり、前記刻印は、前記アイランド部に電気的に接続された外部電極の位置を示すものであることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
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