JP3859259B2 - 紫外線照射装置 - Google Patents
紫外線照射装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3859259B2 JP3859259B2 JP09703096A JP9703096A JP3859259B2 JP 3859259 B2 JP3859259 B2 JP 3859259B2 JP 09703096 A JP09703096 A JP 09703096A JP 9703096 A JP9703096 A JP 9703096A JP 3859259 B2 JP3859259 B2 JP 3859259B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light source
- ultraviolet
- vacuum chuck
- view
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 title description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 40
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 33
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 32
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 17
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 232
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 11
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N ZrO2 Inorganic materials O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical group [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体製造工程に用いられる紫外線照射装置に係り、さらにウェーハをバックグラインディングした後、その前面に接着された保護用テープを取り除くに用いられる紫外線照射装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体装置はウェーハ上に多様な工程を通じて製造される。このような多様な工程により製造された半導体装置は電気的な特性を測定して良品を分類した後、該良品に対してパッケージを施すべきである。この際、前記パッケージ工程を施すためには少なくとも一つ以上の半導体装置が形成された前記ウェーハを薄く形成しなければならない。
【0003】
このように、ウェーハを薄く形成するための手段としては半導体製造工程が完了されたウェーハをバックグラインディングする方法が広く用いられいる。該バックグラインディング工程は、1)半導体装置を保護するためにウェーハの前面に保護用テープを接着させる段階と、2)前記保護用テープが接着されたウェーハをバックグラインディングして薄く形成する段階と、3)前記バックグラインディングされたウェーハの前面に接着された保護用テープを取り除く段階とより行われる。
【0004】
ここで、前記保護用テープを取り除くためには紫外線照射装置を広く用いる。これは、保護用テープの一面にコーティングされて前記保護用テープとウェーハを互いに接着させる接着剤が紫外線に露出されると化学的に反応して接着力を失うからである。従って、前記保護用テープの付けられたウェーハを紫外線照射装置に投入して前記保護用テープの上部に紫外線を照射する。この際、紫外線は接着剤の接着力を失わせるので前記保護用テープがウェーハから取り除ける。かかる接着剤の化学反応に影響を与える因子としては接着剤に加わる温度及び紫外線照射量の分布度が挙げられる。
【0005】
前記従来の紫外線照射装置はチャンバ内に固定されて紫外線を発生させる紫外線ランプ、前記紫外線ランプの下に設けられてウェーハを移動させるウェーハ移送手段及び前記ウェーハ移送手段に紫外線が集まるように前記紫外線ランプを取り囲む反射鏡より構成されている。ここで、前記ウェーハ移送手段は真空チャック又はローラによる方式を広く用いる。
【0006】
一般に、真空チャックによる方式はウェーハが置かれた真空チャックを回転させながら水平移動させたり、または水平移動のみさせることによってウェーハを移送させる。この際、真空チャックを回転させる場合、その上部のウェーハはウェーハの中央部分を中心に回る。従って、ウェーハの縁部に比べてウェーハの中央部分に相対的に多量の紫外線が集中的に照射される。ローラによる方式は複数のローラ上にウェーハを載せ前記複数のローラを回してウェーハを水平移動させる。この際、複数のローラがいずれも均一の速度で回転しないか、又はそれぞれのローラが均一にウェーハに力を伝えられない場合、ウェーハの円滑な移動を妨げる。従って、後続ウェーハの進行を妨げて望む紫外線照射工程を不可能にする。そして、前記紫外線ランプは一反的に紫外線の他に赤外線及び可視光線を共に発生させるのでウェーハに赤外線も照射される。これは、ウェーハの温度を上げて以後紫外線の照射が完了された後ウェーハが常温に急冷される現象を引き起こす。したがって、接着剤が接着力を完全に失わなくなる。
【0007】
さらに、前記従来の紫外線照射装置は紫外線ランプがチャンバ内に固定されているので紫外線ランプとウェーハとの距離を任意に調節し得ない。従って、ウェーハ上に照射される紫外線の量が適切に調節できないので接着剤の化学反応を極大化し難い。そして、ウェーハの周囲の温度は紫外線ランプから発生される熱だけによって決定されるので接着剤の接着力を失う最適の温度を任意に提供し難い。
【0008】
さらに、前記従来の紫外線照射装置はローラによりウェーハを伝える場合ウェーハがうまく水平移動されない。従って、紫外線照射が完了されたウェーハをキャリアにローディングする時ウェーハとキャリアとの激しい衝突によるウェーハの損傷または割れの恐れがある。
【0009】
前記したように従来の紫外線照射装置によれば、紫外線の照射時ウェーハの上部全体に紫外線が均一に照射されなく、ウェーハに照射される紫外線の量及びウェーハの温度を任意に調節し難い。さらに、紫外線ランプから熱を発生させる赤外線が照射されるので紫外線の照射時ウェーハの温度が上がり、紫外線照射済みのウェーハは常温に急冷されてウェーハの表面の接着剤が接着力を全て失わなくなる。従って、ウェーハの表面の保護用テープを容易に取り除き難い。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
従って、本発明の目的はバックグラインディングされたウェーハの前面に接着された保護用テープを容易に取り除く紫外線照射装置を提供するにある。
【0011】
本発明の他の目的はバックグラインディングされたウェーハの前面に接着された保護用テープを容易に取り除き保護用テープが取り除かれたウェーハをキャリアに正確に安着させる紫外線照射装置を提供するにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための請求項1記載の本発明は、チャンバ内に設けられて紫外線を発生させるランプを含む光源、前記光源の下部に設けられ接着剤により前面に保護用テープが付けられたウェーハを支持する真空チャック、前記真空チャックを移動させるウェーハ移送手段、及び前記光源から発生された紫外線を前記真空チャックに集中させるために前記光源を取り囲む反射鏡を含む紫外線照射装置であって、前記真空チャックの両側にウェーハを所定温度に加熱するヒーティングブロックを有し、前記ヒーティングブロックは多量の熱を放出させるために上面が凸凹状である放熱板と、前記放熱板の下面及び前記真空チャックの反対側の側壁に前記放熱板から放出される熱を遮断させるために取り付けられた断熱板と、前記断熱板が取り付けられた前記放熱板の側壁に形成された少なくとも一つ以上の穴と、前記穴に嵌入され温度調節可能なヒータとを含むことを特徴とする紫外線照射装置である。
【0014】
さらに、本発明は、前記ヒーティングブロックは着脱自在に形成されることが好ましい。また、本発明は、前記ヒーティングブロックは、2つに分割されており、分割された間を前記真空チャックが移動可能となっていることを特徴とする。
【0036】
【実施例】
以下、添付した図面に基づき本発明を詳細に説明する。
【0037】
実施例1
図1乃至図3は本発明の実施例1による紫外線照射装置を説明するための図面である。
【0038】
図1は本発明の実施例1による紫外線照射装置の正面図であり、参照番号1は紫外線を発生させる紫外線ランプ、3は前記紫外線ランプ1の下に設けられ、接着剤により前面に保護用テープが付けられたウェーハ、5は前記ウェーハ3を支持する真空チャック、7は前記紫外線ランプ1を取り囲みながら紫外線ランプから発生される紫外線を前記ウェーハ3に接続させるための反射鏡、9a及び9bはそれぞれ前記真空チャック5の左右に設けられ上面が凸凹状に形成されて多量の熱を放出する放熱板、11a及び11bはそれぞれ前記二枚の放熱板9a,9bに取り付けられて熱を遮断する断熱板を示す。ここで、前記断熱板11a,11bは前記放熱板9a,9bの下面と前記真空チャック5の反対側壁に取り付けられて前記放熱板9a,9bから放出された熱の殆どを上部のウェーハに伝える。
【0039】
次いで、参照番号13a及び13bは熱を発生させるヒータ、15a及び15bはそれぞれ前記ヒータ13a,13bが装着できるように前記放熱板9a,9bの側壁に形成された穴、17は前記紫外線ランプ1の周囲に投入される窒素などを排出させるための排出口を示す。さらに矢印Aは前記窒素が前記排出口17を通じて外部に抜け出る経路を示した。ここで、前記ヒータ13a,13bは温度調節可能である。
【0040】
このように構成された本発明による紫外線照射装置において、前記放熱板9a,9b、前記断熱板11a,11b、前記ヒータ13a,13b及び前記放熱板の側壁に形成された穴15a,15bは本発明によるヒーティングブロックを形成し着脱可能である。
【0041】
図2は図1に示した本発明による紫外線照射装置の側面図である。ここで、前記図1の参照番号と同一な番号は同一部分を示し、これに対する説明は省く。
【0042】
図2によれば、参照番号5aは前記真空チャック5の移動状態を示した図面である。即ち、前記ウェーハ3を紫外線に露出させるために外部から前記紫外線ランプ1の下に移動させたり紫外線照射が完了されたウェーハを外部に移動させるために前記ウェーハの置かれた真空チャックを移動させなければならない。このように前記真空チャック5を移動させるために前記図1のように二つのヒーティングブロックを一定間隔に分離させて設けることによって、その空間を通じて前記真空チャックを水平移動させる。
【0043】
図3は本発明によるヒーティングブロックを示した斜視図である。ここで、前記図1の参照番号と同一な番号は同一部分を示し、これに対する説明は省く。図3に示したように、二つのヒーティングブロックは互いに一定間隔ほど離れている。このような一定間隔は前記した真空チャックが移動し得る空間を提供する。また、それぞれのヒーティングブロックの上面は凸凹状なので多量の熱を上部に発生させ得る。
【0044】
前記したように、本発明の実施例1による紫外線照射装置は真空チャックの両側に温度調節可能なヒーティングブロックを設けて紫外線照射済のウェーハが冷却されないように一定温度に保たせる。従って、ウェーハの全面に付けられた保護用テープの接着剤が最適条件で化学反応するので保護用テープが容易に取り除ける。
【0045】
参考例1
図4乃至図8は本発明の参考例1による紫外線照射装置を説明するための図面である。ここに示される各図面において、同一参照番号及び同一参照符号は同一部分を意味し、繰り返される説明は省く。
【0046】
図4は本発明の参考例1による紫外線照射装置の正面図であり、参照番号111はチャンバ、101は前記チャンバ111内に設けられた光源、103は前記光源101の下に設けられた真空チャック、105は前記真空チャック103により支持され前面に接着剤により保護用テープが付けられたウェーハ、107は前記光源101から発生される光を前記真空チャック103、即ちウェーハ105上に集中させるために光源101を取り囲む反射鏡、109は前記チャンバ111内から発生される熱と前記チャンバ111内に流入される空気及び窒素などを前記チャンバ111の外部に排出させるための排出口、そして113は前記光源101を支持する光源セット支持台を示す。さらに、円内部の参照符号Cは前記チャンバ111と前記光源セット支持台113との間に設けられて前記光源セット支持台113を上下に移動させる第1手段、円内部の参照符号Bは前記光源セット支持台113と前記光源101との間に設けられて前記光源101を上下に微細に移動させる第2手段を示す。
【0047】
図5は前記図4に示された本発明の参考例1による紫外線照射装置の側面図である。
【0048】
図5を参照すれば、前記反射鏡107は示されたように前記光源101の両側に斜めに設けられて前記光源101から発生される光をその下のウェーハ105に集中させる。そして、矢印Dは前記ウェーハ105が真空吸着されて支持されるように製作された前記真空チャック103の移動方向を示す。
【0049】
図6は前記図4のC、即ち第1手段を拡大した図面である。
【0050】
図6を参照すれば、参照番号111は前記図4及び図5に示されたチャンバ111の一部、115は前記チャンバ111に設けられた第1ナット、119は前記第1ナット115に螺合されて回転可能な第1リードスクリュー、113は前記第1リードイクリュー119の下部に連結された前記図4の光源セット支持台113の一部分及び117は前記光源セット支持台113を前記第1リードスクリュー119の下部に固定させる光源セット固定ブロックを示す。ここで、円の内部に示した第1手段は前記光源セット支持台113の上昇状態を示し、前記円の右側に示した第1手段は前記光源セット支持台113の下降状態を示す。このように、前記光源セット支持台113を上下に移動させる作業は前記第1リードスクリュー119を矢印Eのように回転させることによって可能となる。
【0051】
図7は前記図4のB、即ち第2手段を拡大した図面である。
【0052】
図7によれば、参照符号101は図4の光源、113は前記図6の光源セット支持台113が延長されて垂直方向に曲がった部分、123は前記光源セット支持台113と連結され第2ナットが具備された固定ブロック、121は前記固定ブロック123を支持する固定ブロックアーム、127は前記固定ブロック123の第2ナットに螺合されて回転させる第2リードスクリュー、131は前記第2リードスクリュー127の下部に連結された光源ソケット支持ブロック、125は一端が前記固定ブロック123に固定され他端は前記光源ソケット支持ブロック123に形成されたホームに嵌入されて、前記第2リードスクリュー127を回転させるとき前記光源ソケット支持ブロック131もともに回転されることを防止する固定ピン、そして129は前記光源ソケット支持ブロック131に固定されて前記光源101を差し込める光源ソケットを示す。
【0053】
図8は前記図7に示された第2手段を右側面、即ち参照符号Fの矢印方向にみた側面図である。
【0054】
図8を参照すれば、参照番号135は前記光源ソケット支持ブロック131に前記光源101を差し込める前記光源ソケット129を固定させる光源ソケット固定ブロック、133は前記光源ソケット固定ブロック135を前記光源ソケット支持ブロック131に固着させるためのボルト、そして137は前記第2リードスクリュー127が前記光源ソケット支持部ブロック131から外れることを防止するワッシャを示す。ここで、前記光源101を上下に微細に移動させるためには前記第2リードスリュー127を矢印Gのように回転させて調節する。
【0055】
前記した本発明の参考例1によれば、図4の参照符号C及びBで示した第1手段及び第2手段をそれぞれチャンバと光源セット支持台との間及び光源セット支持台と光源との間に設けることにより、光源の高さを調節し得る。したがって、ウェーハに照らす紫外線の量が適切に調節できるのでウェーハと保護用テープを付ける接着剤の化学反応を極大化し得る。結果的に、保護用テープが容易に取り除ける。
【0056】
参考例2
図9乃至図11は本発明の参考例2による紫外線照射装置を説明するための図面である。ここに示される各図面において、同一な参照番号及び同一な参照符号は同一部分を意味し、繰り返される説明は省く。
【0057】
図9は本発明の参考例2による紫外線照射装置の側面図であり、参照番号211はチャンバ、201は前記チャンバ211内に設けられて紫外線と共に赤外線及び可視光線も発生させる光源、205は前記光源201の下に位置しその前面、即ち上面に接着剤により保護用テープが付けられたウェーハ、203は前記ウェーハ205を支持する真空チャック、207は前記ウェーハ205に紫外線のみ照射されるように前記光源201の両側と上部を取り囲む紫外線反射鏡、そして213は前記光源201から発生された多種の光のうち前記紫外線反射鏡207を透過する可視光線及び紫外線を示す。ここで、前記紫外線反射鏡207は耐熱ガラスの一側表面、即ち前記光源201側の表面に複数の第1特殊物質層をコーティングして制作する。このような第1特殊物質層は二酸化チタン(TiO2)層と二酸化シリコン(SiO2)層とを交互に積層させて形成することが好ましい。
【0058】
次いで、参照番号215は前記光源201と前記ウェーハ205との間に設けられて紫外線のみ透過させ赤外線及び可視光線は反射させる紫外線透過フィルタ、217は前記光源201から入射される光のうち前記紫外線透過フィルタ215により反射される赤外線及び可視光線、219は前記紫外線透過フィルタ215を通過して前記ウェーハ205に至る赤外線、221は前記チャンバ211内に空気が流入されように前記チャンバ211と一定間隔を保つ上に外部からの光を遮断させる吸入口パネル、そして209は前記チャンバ211の上部に設けられて前記チャンバ211内に吸い込まれた空気を外部に排出させる排出口を示す。ここで、前記紫外線透過フィルタ215は石英基板の一面、即ち前記光源側の表面に複数の第2特殊物質層をコーティングして制作する。該第2特殊物質は二酸化ジルコニウム(ZrO2 )層と二酸化シリコン(SiO2 )層とを交互に積層させて形成することが好ましい。
【0059】
さらに、前述の参考例1による第1手段B及び第2手段Aを、図9に示したように、それぞれ参照符号I及びHで示した部分にさらに具備して、前記光源201と前記ウェーハ205との距離を適切に調節することによって、前記ウェーハ205の前面に保護用テープを付ける接着剤の接着力が完全に失われるように接着剤の化学反応を極大化させ得る。
【0060】
図10は前記ウェーハ205を詳細に示した断面図であり、参照符号223は半導体装置が形成されたシリコン基板、227は前記シリコン基板141の背面をバックグラインディングする際前面に形成された半導体装置を保護するために付ける保護用テープ、そして225は前記シリコン基板223と前記保護用テープ227とを互い接着させる接着剤を示す。
【0061】
図11は前記図9の主要構成要素を示した斜視図であり、前記光源201から発生される紫外線が前記紫外線反射鏡207及び前記紫外線透過フィルタ215により前記ウェーハ205に効率的に照射されるように構成されている。
【0062】
前記した本発明の参考例2によれば、接着剤により保護用テープが前面に付けられたウェーハ上に熱を発生させる赤外線が照射されることを防止し得る。従って、紫外線照射済みのウェーハの温度と常温との差が縮まるので、保護用テープを取り除き易い。
【0063】
参考例3
図12乃至図20は本発明の参考例3による紫外線照射装置の一つのウェーハ移送手段を説明するための図面である。ここに示される各図面において、同一の参照符号は同一部分を意味し、繰り返される説明は省く。
【0064】
図12は本発明によるウェーハ移送手段の側断面図とその一部分の平面図である。
【0065】
図12を参照すれば、参照番号301は真空チャック、303は前記真空チャック301上に真空吸着されて支持されたウェーハ、305は前記真空チャック301の中心軸と連結され前記真空チャック301を参照符号Lの矢印方向のように上下に移動させるシリンダ部、307は前記シリンダ部305の底に固着されシリンダ部305の一側に突出されたシリンダ固定ブロック、309は前記シリンダ部305の一側に突出された前記シリンダ固定ブロック307と結着されたピニオンギヤ、311は前記ピニオンギヤ309と噛み合う一字形ラックギヤ、313は前記ラックギヤ311を固定させるラック固定ブロックを示す。ここで、前記ピニオンギヤ309は底の中央部分に円形の溝が形成されている。そして、前記シリンダ部305は前記したようにウェーハ303が置かれた真空チャック301を上下に移動させることにより、ウェーハ303をカセット(図示せず)から紫外線照射装置にローディングさせたり紫外線照射装置からカセットにアンローディングさせる。
【0066】
さらに、参照番号301a及び303aはそれぞれ前記真空チャック301及び前記ウェーハ303が前記シリンダ部305により上昇した状態を示し、301b,309a,311a及び313aはそれぞれ前記真空チャック301、前記ピニラオンギヤ309、前記ラックギヤ311及び前記ラック固定ブロック313を上から見た平面図である。ここで、前記ラックギヤ311aは前記ラック固定ブロックにより固定され、前記ピニオンギヤ309aは前記ラックギヤ311と噛み合って回転すると同時に参照符号Kの矢印方向に直進できる。この際、前記ピニオンギヤ309の中心軸は前記真空チャック301bの中心軸、即ち前記ウェーハ303の中心と一致しないように制作する。したがって、前記ピニオンギヤ309が参照符号Mの矢印のように回転するとき前記ウェーハ303はその中心が円運動すると同時にK方向に直進することができる。
【0067】
次いで、参照番号315は前記ピニオンギヤ309の底の円形の溝にその上部が嵌入されて前記ピニオンギヤ309を支持しながらその中央部分の回りに溝が形成され下部には同一方向に貫通する複数の溝が形成されたピニオンギヤ支持台、317は前記ピニオンギヤ309が前記ピニオンギヤ支持台315から外れないように前記ピニオンギヤ309の底に固着され前記ピニオンギヤ支持台315の中央部分の回りに形成された溝に嵌入された平ワッシャ、319は前記ピニオンギヤ支持台315の下部に同一方向に貫通する複数の溝にそれぞれ嵌入されて前記ピニオンギヤ支持台315が水平方向に動くようにレールの役割をするシャフト、321は前記シャフト319の両端に連結されて前記シャフト319を固定させるシャフト固定ブロックを示す。
【0068】
図13は前記図12のシリンダ部305と前記シリンダ固定ブロック307の側面図及び平面図である。参照番号305aはシリンダ部305を上から見たものであり円形で示され、307aは前記シリンダ部305の底に固着されたシリンダ固定ブロック307の平面図を示す。図13に示されたように前記シリンダ固定ブロック307aは前記シリンダ部305aの一側に突出した形態を有する。
【0069】
図14は前記図12の参照符号Jで示した部分を拡大した図面と平ワッシャ317に対する平面図である。ここで、参照番号317は前記平ワッシャ317の平面図である。図14に示されたように平ワッシャ317はリング状に制作される。従って、前記ピニオンギヤ支持台315の中央部分の回りの溝に嵌入され前記ピニオンギヤ309の底に固定されて、前記ピニオンギヤ309が回転できる上に前記ピニオンギヤ支持台315から抜けることを防止し得る。
【0070】
図15は図12のピニオンギヤ支持台315を詳しく説明するための平面図及び側面図である。参照番号315aは前記ピニオンギヤ支持台315の上部であり、前記ピニオンギヤ309の底の溝に嵌入される部分を示し、315bは前記ピニオンギヤ支持台315の下部であり、前記シャフト319が貫通する部分を含む。
【0071】
こごで、前記ピニオンギヤ支持台315の上部315aと下部315bとの間に形成された溝は前記ピニオン平ワッシャ317が嵌入される部分である。さらに、参照番号315c及び315dは前記ピニオンギヤ支持台315を上から見たものであり、それぞれピニオンギヤ支持台315の上部315a及び下部315bに対する平面図である。
【0072】
図16は本発明の参考例3による一つのウェーハ移送手段を有する紫外線照射装置の一部特徴要素に対する平面図であり、参照番号301bは真空チャック301の平面図、303bは前記真空チャック301b上に支持されたウェーハ303の平面図、309aは前記真空チャック301bの中心軸から一定距離離れた部分に中心軸を有するピニオンギヤ309の平面図、311aは前記ピニオンギヤ309aと噛み合う一字形のラックギヤ311の平面図、319aは前記ピニオンギヤ309aが参照符号Kの矢印方向に直進できるようにレールの役割をするシャフト319の平面図、そして321aは前記シャフト319aの両端に連結されてシャフト319aを固定させるシャフト固定ブロックを示す。
【0073】
ここで、前記ピニオンギヤ309aがKの矢印方向に移動される時前記ピニオンギヤ309aは回動する。従って、前記ピニオンギヤ309aの中心軸に連結された前記真空チャック301b上のウェーハ303bは参照符号Mの矢印と同一方向に回転すると同時にK方向に直進する。この際、前記ウェーハ303bの中心は円運動しながらK方向に直進する。
【0074】
図17A及びBは本発明の参考例3による一つのウェーハ移送手段を有する紫外線照射装置の主要要素を示したものである。参照番号303は図12乃至図16で説明したウェーハ移送手段の真空チャック301上に置かれたウェーハ、331は前記ウェーハ303の上部に設けられた光源、335は前記光源331と前記ウェーハ303との間に設けられて前記光源331から発生される多種の光のうち紫外線のみを通過させ赤外線及び可視光線は反射させる紫外線透過フィルタを示す。
【0075】
ここで、前記紫外線透過フィルタ335は石英基板の一側表面に複数の特殊物質層をコーティングして形成する。このような特殊物質層は二酸化ジルコニウム(ZrO2 )層と二酸化シリコン(SiO2 )層とを交互に積層させて形成することが好ましい。したがって、前記紫外線透過フィルタ335を設けることによって、ウェーハに赤外線が照射されるのを防止し得る。結果的に、ウェーハに紫外線照射時ウェーハが常温に近い温度を保つように紫外線照射済みのウェーハが大気中に露出されるときウェーハの温度が急変することを防止し得る。これは、紫外線照射済みのウェーハの接着剤が接着力を完全に失った状態を続けて保ち得るので保護用テープが容易に取り除ける。
【0076】
さらに、参照番号333は前記光源331から発生される光を前記ウェーハ303に集中させるために、前記光源331を取り囲む一般的な反射鏡を示す。ここで、前記反射鏡333の代わりに本発明の参考例2で説明した紫外線反射鏡207を用いる場合ウェーハ303に紫外線が照射される効率を極大化させ得る。従って、保護用テープをさらに容易に取り除ける。
【0077】
図18及び図19は従来の技術による紫外線照射装置を用いた場合ウェーハに照射される紫外線の分布図であり、図20は本発明の参考例3による一つのウェーハ移送手段を有する紫外線照射装置を用いた場合にウェーハに照射される紫外線の分布図である。
【0078】
図18はウェーハがウェーハの中心を軸に回転する場合にウェーハに照射される紫外線の分布図である。そして、図19はウェーハに紫外線照射時ウェーハがローラによるウェーハ移送手段により水平移動のみする場合にウェーハに照射される紫外線の分布図である。示されたように、図18はウェーハの中心部に紫外線が集中的に照射された結果を示し、図19は紫外線がウェーハ表面の全体に不揃いに照射された結果を示す。
【0079】
次に、図20は本発明の参考例3による一つのウェーハ移送手段を有する紫外線照射装置でウェーハに紫外線を照射する場合紫外線の分布図である。図20のR>0に示されたように、紫外線がウェーハの全表面に均一に照射されることが判る。
【0080】
図21乃至図23は本発明の参考例3によるもう一つのウェーハ転送手段を有する紫外線照射装置を説明するための図面である。ここに示される各図面において、同一の参照番号及び同一の参照符号は同一部分を意味し、繰り返される説明は省く。
【0081】
図21は本発明によるウェーハ移送手段の正面図とその一部分の平面図である。
【0082】
図21を参照すれば、参照番号401は真空チャック、403は前記真空チャック401上に真空により支持されたウェーハ、405は前記真空チャック401の中心軸と連結され前記真空チャック401を参照符号Nの矢印方向のように上下に移動させるシリンダ部、407は前記シリンダ部405の底に固着されシリンダ部405の一側に突出されたシリンダ固定ブロック、409は前記シリンダ部405の一側に突出された前記シリンダ固定ブロック407と結着され前記シリンダ部405を円運動させる動力源、そして411は前記動力源409の上部に接触されて動力源409を固定させる動力源固定ブロックを示す。ここで、前記動力源409はモータであることが好ましい。
【0083】
さらに参照番号413は前記動力源固定ブロック411を貫通する複数のシャフトを示す。したがって、前記動力源固定ブロック411は前記複数のシャフト413に沿って直進運動できる。
【0084】
このように構成された前記ウェーハ移送手段は動力源409、即ちモータを駆動させると同時に前記動力源固定ブロック411を直進運動させることにより、参照符号Oの矢印のように前記真空チャック401を円運動させると同時に直進運動させ得る。この際、ウェーハ403の中心部分も円形に水平移動されるので前記ウェーハ403に紫外線照射時中心部分に紫外線が集中される現象を防止し得る。そして、前記シリンダ部405は前記したようにウェーハ403が置かれた真空チャック401を上下に移動させることによって、ウェーハ403をカセット(図示せず)から紫外線照射装置にローディングさせたり紫外線照射装置からカセットにアンローディングさせ得る。
【0085】
図22は前記図21のウェーハ移送手段を上から見た平面図である。参照番号419は前記複数のシャフト413を固定させるために両端に取り付けられたシャフト固定ブロックを示す。ここで、参照符号Pの矢印は前記ウェーハ403の旋回方向を示し、その中心が円形に回転するものを示す。さらに参照符号Qの矢印は前記ウェーハ403が水平方向に直進運動する方向を示し、前記固定された複数のシャフト413に沿って前記動力源固定ブロック411の移動方向を示す。
【0086】
図23は本発明によるウェーハ移送手段を具備する紫外線照射装置を概略的に示した斜視図である。
【0087】
図23を参照すれば、参照番号421はチャンバ(図示せず)内に設けられた光源、423は前記光源421から発生される光をその下のウェーハ403に集中させるために前記光源421を取り囲む反射鏡、425は前記光源421と前記ウェーハ403との間に設けられて前記光源421から発生される多種の光中紫外線のみを透過させ赤外線及び可視光線は反射させる紫外線透過フィルタを示す。
【0088】
ここで、前記紫外線透過フィルタ425はその下にウェーハ403に赤外線が照射されることを防止する。したがって、ウェーハ403に紫外線照射時接着剤の温度の上昇が抑えられることによって接着剤が紫外線により化学反応した後急冷される現象が避けられる。結果的に、紫外線照射が完了された後保護用テープをうまく取り除かせる。
【0089】
かかる紫外線透過フィルタ425は石英基板の一側表面に複数の特殊物質層をコーティングして形成する。この際、特殊物質層は二酸化ジルコニウム(ZrO2 )層と二酸化シリコン(SiO2 )層とを交互に積層して形成することが好ましい。
【0090】
さらに、参照番号423は前記光源421から発生される光を前記ウェーハ403に集中させるために前記光源421を取り囲む一般的な反射鏡を示す。ここで、前記反射鏡423の代わりに本発明の参考例2に説明されたように紫外線反射鏡207を用いる場合ウェーハ403に紫外線が照射される効率を極大化させ得る。従って、保護用テープをより容易に取り除ける。
【0091】
前記したように本発明の参考例3によれば、紫外線をウェーハの全表面に均一に照射させ得るのでウェーハの全表面に分布された接着剤の化学反応を極大化させ得る。さらに、紫外線反射鏡及び紫外線透過フィルタをいずれも取り付けるか、紫外線反射鏡又は紫外線透過フィルタ中いずれか一つを取り付けることによって、ウェーハに紫外線のみを照射させ得る。従って、保護用テープが円滑に取り除ける照射装置が具現できる。
【0092】
参考例4
図24乃至図26は参考例4による紫外線照射装置のウェーハ移送手段を説明するための図面である。ここに示される該図面において、同一参照符号及び同一参照符号は同一部分を意味し、繰り返される説明は省く。
【0093】
図24は本発明によるウェーハ移送手段の平面図であり、参照番号100は前面に保護用テープが付けられた状態で紫外線照射済みのウェーハ99aを一定時間待機させる緩衝部、200は前記緩衝部100から参照符号Rの矢印方向に移送されたウェーハ99bを停止させ真空により固定させた後、前記保護用テープを取り除くウェーハ固定部、そして300は前記ウェーハ固定部200から参照符号Sの矢印方向に移送されたウェーハ99cを所定位置に整列させるウェーハ整列部を示す。
【0094】
さらに、参照番号501は前記ウェーハ99a,99b,99cが置かれるテーブル、503は前記テーブル501の両側面に形成された穴、505は前記穴503に装着されてテーブルに熱を加えるヒータを示す。従って、前記テーブル501の温度は前記ヒータ505により調節できるので、紫外線が照射する間に常温より一層高温となったウェーハを前記テーブル501上で移動させる時ウェーハの温度が急に下がることを防止し得る。
【0095】
次いで、参照番号507は前記緩衝部100のウェーハ99aが前記テーブル501と接触する面積を縮めるために前記テーブルの表面に突出されたウェーハ支持パネル、509a又は509bは前記ウェーハ固定部200に移送されるウェーハ99bを一定位置に停止させるために前記テーブル501の一定部分を貫通する溝を通じて前記テーブル501の表面の上部に突出してウェーハ99bを停止させるバー状のストッパー、そして511は前記ストッパー509a又は509bにより停止されたウェーハ99bを前記テーブル501の表面に固定させるために真空ポンプ(図示せず)と連結されるように前記テーブル501の表面に形成された溝を示す。
【0096】
ここで、前記ストッパー509a又は前記ストッパー509bは示されたようにそれぞれ直径が異なるウェーハを一定位置に停止させ得る。即ち、大きい直径のウェーハに対してはストッパー509aを選択し小さい直径のウェーハに対してはストッパー509bを選択して動作させる。
【0097】
次に、前記ウェーハ整列部300に対して詳細に説明すれば、参照番号513は前記ウェーハ固定部200からウェーハ99bが転送される方向に垂直方向、即ち、参照符号Sの矢印方向と垂直方向に前記テーブル501を貫通しながら固定された複数のシャフト、そして515は前記テーブル501の両側に突出した前記シャフト513にそれぞれ挿入されて前記シャフト513に沿ってスライディングする一対のウェーハホルダを示す。
【0098】
ここで、前記一対のウェーハホルダ515は前記ウェーハ固定部200からウェーハが移送する間に前記テーブル501から遠く離れて互いの間隔を延ばす。そして、ウェーハ移送が完了された後に前記一対のウェーハホルダ515は前記テーブル501の方に移動してウェーハを取り囲みながら所定の位置に整列させる。
【0099】
図25は前記図24のTT′線によるウェーハ固定部200の断面図と前記断面図の一部を拡大した図面である。
【0100】
図25を参照すれば、参照番号521は前記ウェーハ固定部200の表面に形成された溝511と連結されながら前記テーブル501の背面に設けられた真空配管、523は前記テーブル501上でウェーハを移送させるための手段(図示せず)が移動し得る空間、そして525は前記溝511と前記真空配管521を互いに連結させるために前記テーブル501を貫く真空通路を示す。
【0101】
図26は図24のウェーハ整列部300に対する平面図及びと側面図である。
【0102】
図26を参照すれば、参照番号515aは前記図24で説明した一対のウェーハホルダ515が互い近づいて前記ウェーハ99cが所定の位置に置かれるように整列させた状態を示し、515bは前記ウェーハ99cが移送される時前記ウェーハ99cが移動し得るように互いに遠く離れた状態のウェーハホルダを示す。
【0103】
さらに、参照番号517aは一端が前記ウェーハホルダ515aの底に連結されて前記ウェーハホルダ515aが前記シャフト513に沿ってスライディングし得るように力を伝えるエンドロードを示し、517bは前記ウェーハ99cが移動し得るように互いに遠く離れた前記ウェーハホルダ515bと連結された状態のエンドロードを示す。ここで、参照符号Uの矢印はウェーハホルダ515の移動方向を示す。
【0104】
ついで、参照番号531は前記一対のエンドロード517aの他端と連結されたアーム及び前記アームを参照符号Vの矢印のように回転させる中心軸より構成されるウェーハホルダ駆動手段を示し、533は前記ウェーハホルダ515a又は515bが前記シャフト513に沿って移動する時発生する摩擦力を減らすためのスライドブッシュを示す。
【0105】
前記したように、本発明の参考例4によるウェーハ移送手段を含む紫外線照射装置は緩衝部及びウェーハ固定部のテーブルにヒータを内蔵させて紫外線照射が完了されたウェーハを加熱し得る。従って、紫外線照射が行われる間に温度が上がったウェーハを徐冷させ得る。結果的に、ウェーハの前面に付けられた保護用テープをウェーハから容易に分離させ得る条件を提供する。さらに、保護用テープが取り除かれたウェーハを所定の位置に整列させるウェーハ整列部を具備して、ウェーハをキャリアに正確にローディングさせ得る。従って、ウェーハがキャリアに移動される時ウェーハとキャリアとが衝突する問題を解決してウェーハの損傷を防止し得る。
【0106】
なお、本発明は以上説明した実施例に限定されず、多様な変形が本発明の技術的思想内で当分野で通常の知識を持つものにより可能なことは明白である。
【0107】
【発明の効果】
以上説明した本発明によれば、ウェーハ移送手段にヒーティングブロックを装着させたりウェーハと光源との距離を調節し得る手段を具備して、ウェーハの温度及びウェーハに照射される紫外線の照射量を適切に調節し得る。従って、ウェーハ上の接着剤が接着力を失う最適条件を提供し得る。
【0108】
さらに本発明は、光源とウェーハとの間に紫外線透過フィルタを設けて光源から発生する多種の光のうち紫外線のみをウェーハに照射させることによって、赤外線などによるウェーハの温度上昇を排除させ得る。従って、紫外線照射済みのウェーハが常温に冷却される現象を防止し得るのでウェーハ上の保護用テープを取り除き易い。
【0109】
さらに本発明は、ウェーハに紫外線を照射する時ウェーハの中心から一定距離離れた部分を中心にウェーハが回転しながら水平方向に進ませるウェーハ移送手段を具備してウェーハの全面に紫外線を均一に照射させ得る。従って、ウェーハ全面にコーティングされた接着剤を均一に化学反応させて保護用テープが局部的に取り除かれない問題を防止し得る。
【0110】
さらに本発明は、ウェーハ移送手段に温度調節可能なヒータと紫外線照射済みのウェーハを一定位置に整列させるウェーハ整列部を具備して、保護用テープを円滑に取り除くと共にウェーハをキャリアに移動させる時のウェーハとキャリアとの衝突を防止し得る。よって、ウェーハが損傷されない。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例1による紫外線照射装置の正面図である。
【図2】 本発明の実施例1による紫外線照射装置の側面図である。
【図3】 図1中のヒーティングブロックの斜視図である。
【図4】 本発明の参考例1による紫外線照射装置の正面図である。
【図5】 本発明の参考例1による紫外線照射装置の側面図である。
【図6】 図4中の符号Cで示した円内の拡大した図面である。
【図7】 図4中の符号Bで示した円内の拡大した図面である。
【図8】 図7に示した部分の側面図である。
【図9】 本発明の参考例2による紫外線照射装置の側面図である。
【図10】 図9に示したウェーハを拡大した図面である。
【図11】 図9に示した主要構成要素を示した斜視図である。
【図12】 本発明の参考例3による一つのウェーハ移送手段の一部抜粋平面図及び側断面図である。
【図13】 図12に示したシリンダ部及びシリンダ固定ブロックの平面図及び断面図である。
【図14】 図12中の符号Jで示した円内の拡大図及び平ワッシャの平面図である。
【図15】 図12に示したピニオンギヤ支持台の平面図及び側面図である。
【図16】 図12に示したウェーハ移送手段の平面図である。
【図17】 (A)は本発明の参考例3による紫外線照射装置の光源、反射鏡及び紫外線透過フィルタを概略的に示した斜視図であり、(B)は本発明の参考例3による紫外線照射装置の一部分であるウェーハ移送手段を示した側断面図である。
【図18】 従来の技術による紫外線照射装置を用いた場合ウェーハに照射される紫外線の分布図である。
【図19】 従来の技術による紫外線照射装置を用いた場合ウェーハに照射される紫外線の分布図である。
【図20】 本発明の参考例3による一つのウェーハ移送手段を有する紫外線照射装置を用いた場合にウェーハに照射される紫外線の分布図である。
【図21】 本発明の参考例3によるもう一つのウーハ移送手段を示した正面図である。
【図22】 図21に示したウーハ移送手段の平面図である。
【図23】 本発明の参考例3によるもう一つのウェーハ移送手段を有する紫外線照射装置の斜視図である。
【図24】 本発明の参考例4によるウェーハ移送手段の平面図である。
【図25】 図24のTT’線に沿った断面図とその一部を拡大した図面である。
【図26】 図24に示したウェーハ整列部の平面図及び側面図である。
【符号の説明】
1…紫外線ランプ、
101,201,331,421…光源、
3,105,205,303,403,99a,99b,99c…ウェーハ、
5,103,203,301,401…真空チャック、
7,107,333,423…反射鏡、
207…紫外線反射鏡、
9a,9b…放熱板、
11a,11b…断熱板、
13a,13b,505…ヒータ、
111,211…チャンバ、
113…光源セット支持台、
215,335,425…紫外線透過フィルタ、
305,403…シリンダ部、
307,407…シリンダ固定ブロック、
309…ピニオンギヤ、
311…ラックギヤ、
313…ラック固定ブロック、
315…ピニオンギヤ支持台、
100…緩衝部、
200…ウェーハ固定部、
300…ウェーハ整列部、
501…テーブル。
Claims (3)
- チャンバ内に設けられて紫外線を発生させるランプを含む光源、前記光源の下部に設けられ接着剤により前面に保護用テープが付けられたウェーハを支持する真空チャック、前記真空チャックを移動させるウェーハ移送手段、及び前記光源から発生された紫外線を前記真空チャックに集中させるために前記光源を取り囲む反射鏡を含む紫外線照射装置であって、
前記真空チャックの両側にウェーハを所定温度に加熱するヒーティングブロックを有し、
前記ヒーティングブロックは多量の熱を放出させるために上面が凸凹状である放熱板と、
前記放熱板の下面及び前記真空チャックの反対側の側壁に前記放熱板から放出される熱を遮断させるために取り付けられた断熱板と、
前記断熱板が取り付けられた前記放熱板の側壁に形成された少なくとも一つ以上の穴と、
前記穴に嵌入され温度調節可能なヒータとを含むことを特徴とする紫外線照射装置。 - 前記ヒーティングブロックは着脱自在に形成されることを特徴とする請求項1に記載の紫外線照射装置。
- 前記ヒーティングブロックは、2つに分割されており、分割された間を前記真空チャックが移動可能となっていることを特徴とする請求項1または2記載の紫外線照射装置。
Applications Claiming Priority (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019950020641A KR0168350B1 (ko) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 자외선 조사장치 |
KR1019950020640A KR0151074B1 (ko) | 1995-07-13 | 1995-07-13 | 자외선 조사장치 |
KR1019950022944A KR0144876B1 (ko) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 자외선 조사장치 |
KR95P20640 | 1995-07-28 | ||
KR95P20641 | 1995-07-28 | ||
KR1019950022942A KR0144878B1 (ko) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 자외선 조사장치 |
KR95P22944 | 1995-07-28 | ||
KR95P22942 | 1995-07-28 | ||
KR95P22943 | 1995-07-28 | ||
KR1019950022943A KR0144877B1 (ko) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 자외선 조사장치 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006222028A Division JP2006352155A (ja) | 1995-07-13 | 2006-08-16 | 紫外線照射装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0936068A JPH0936068A (ja) | 1997-02-07 |
JP3859259B2 true JP3859259B2 (ja) | 2006-12-20 |
Family
ID=27532182
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP09703096A Expired - Fee Related JP3859259B2 (ja) | 1995-07-13 | 1996-04-18 | 紫外線照射装置 |
JP2006222028A Pending JP2006352155A (ja) | 1995-07-13 | 2006-08-16 | 紫外線照射装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006222028A Pending JP2006352155A (ja) | 1995-07-13 | 2006-08-16 | 紫外線照射装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5872365A (ja) |
JP (2) | JP3859259B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5951509A (en) * | 1996-11-22 | 1999-09-14 | Therakos, Inc. | Blood product irradiation device incorporating agitation |
JP2000218156A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-08 | Hooya Shot Kk | 紫外光照射装置 |
US6320266B1 (en) * | 1999-03-18 | 2001-11-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Technique for reducing breakage of thinned flip-chip multi-layer integrated circuit devices |
JP3356115B2 (ja) * | 1999-05-20 | 2002-12-09 | ウシオ電機株式会社 | レジスト硬化装置 |
US7589032B2 (en) * | 2001-09-10 | 2009-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laser apparatus, laser irradiation method, semiconductor manufacturing method, semiconductor device, and electronic equipment |
JP3877157B2 (ja) * | 2002-09-24 | 2007-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
US7671346B2 (en) * | 2003-01-09 | 2010-03-02 | Con-Trol-Cure, Inc. | Light emitting apparatus and method for curing inks, coatings and adhesives |
WO2007051276A1 (en) * | 2005-11-03 | 2007-05-10 | Uv Light Sciences Group, Inc. | Uv sterilizing wand |
US20080219883A1 (en) * | 2007-03-09 | 2008-09-11 | Charles Thur | Toothbrush sanitizer |
JP5195111B2 (ja) * | 2008-07-17 | 2013-05-08 | ウシオ電機株式会社 | エキシマランプ装置 |
US9000353B2 (en) * | 2010-06-22 | 2015-04-07 | President And Fellows Of Harvard College | Light absorption and filtering properties of vertically oriented semiconductor nano wires |
JP5424616B2 (ja) * | 2008-11-11 | 2014-02-26 | タツモ株式会社 | エキシマ照射装置 |
JP5356842B2 (ja) * | 2009-01-28 | 2013-12-04 | リンテック株式会社 | 光照射装置及び光照射方法 |
JP2011003463A (ja) * | 2009-06-19 | 2011-01-06 | Quark Technology Co Ltd | エキシマ照射装置 |
JP6314682B2 (ja) * | 2014-06-18 | 2018-04-25 | ウシオ電機株式会社 | エキシマ光照射装置 |
JP6763243B2 (ja) * | 2016-09-07 | 2020-09-30 | ウシオ電機株式会社 | 光照射器 |
KR102516339B1 (ko) | 2018-04-06 | 2023-03-31 | 삼성전자주식회사 | 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4243500A (en) * | 1978-12-04 | 1981-01-06 | International Coatings, Co., Inc. | Pressure sensitive adhesives |
US4581248A (en) * | 1984-03-07 | 1986-04-08 | Roche Gregory A | Apparatus and method for laser-induced chemical vapor deposition |
CH660489A5 (de) * | 1984-08-31 | 1987-04-30 | Bernhard Glaus | Verfahren und vorrichtung zum aushaerten polymerisierbarer beschichtungsmassen auf nicht textilen substraten. |
US4694180A (en) * | 1985-09-20 | 1987-09-15 | Loctite Corporation | Curing oven for adhesive |
EP0282703B1 (en) * | 1987-03-20 | 1991-01-16 | Ushio Denki | Method of treating photoresists |
DE3813421A1 (de) * | 1988-04-21 | 1989-11-02 | Philips Patentverwaltung | Hochdruck-quecksilberdampfentladungslampe |
DE3842771A1 (de) * | 1988-12-19 | 1990-06-21 | Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh | Hochdruckentladungslampe kleiner elektrischer leistung und verfahren zum betrieb |
US5231291A (en) * | 1989-08-01 | 1993-07-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Wafer table and exposure apparatus with the same |
DE69118315T2 (de) * | 1990-11-01 | 1996-08-14 | Canon Kk | Waferhaltebefestigung für Belichtungsgerät |
US5435379A (en) * | 1992-08-14 | 1995-07-25 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for low-temperature semiconductor processing |
US5426308A (en) * | 1993-05-28 | 1995-06-20 | Lesco, Inc. | Ultraviolet curing device having movable reflector |
US5440137A (en) * | 1994-09-06 | 1995-08-08 | Fusion Systems Corporation | Screw mechanism for radiation-curing lamp having an adjustable irradiation area |
-
1996
- 1996-04-18 JP JP09703096A patent/JP3859259B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-12 US US08/679,084 patent/US5872365A/en not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-08-16 JP JP2006222028A patent/JP2006352155A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5872365A (en) | 1999-02-16 |
JP2006352155A (ja) | 2006-12-28 |
JPH0936068A (ja) | 1997-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006352155A (ja) | 紫外線照射装置 | |
US9240341B2 (en) | Top wafer rotation and support | |
US5766824A (en) | Method and apparatus for curing photoresist | |
CN103456661B (zh) | 用于半导体的uv固化系统 | |
KR102101139B1 (ko) | 웨이퍼 형상 물품들의 액체 처리를 위한 방법 및 장치 | |
KR102489737B1 (ko) | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
WO2021131711A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2007088257A (ja) | 基板処理装置および基板乾燥方法 | |
KR20190117373A (ko) | 기판 지지 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
CN114597158A (zh) | 支撑单元和包括该支撑单元的基板处理装置 | |
KR20230119620A (ko) | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 | |
KR102407266B1 (ko) | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
US6862404B1 (en) | Focused photon energy heating chamber | |
KR102037908B1 (ko) | 기판 가열 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
JP6955904B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR102054222B1 (ko) | 기판 가열 유닛 | |
KR0144876B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
KR0168350B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
WO2021131710A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JPH11102956A (ja) | Uv照射装置及び該uv照射装置を搭載したダイシング装置 | |
JP3488165B2 (ja) | 膜形成方法及び膜形成装置 | |
KR0144878B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
KR0151074B1 (ko) | 자외선 조사장치 | |
JP7534270B2 (ja) | 基板搬送装置、基板処理装置、及び基板搬送方法 | |
WO2024161640A1 (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、半導体チップおよび半導体チップの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050304 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050628 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20050928 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20051003 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051227 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060418 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060718 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20060828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090929 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100929 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110929 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |