JP3802411B2 - Data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device - Google Patents

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Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
この発明は、チップ内にデータコピー機能を有する不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法に関する。 This invention relates to a data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device having a data copy function in a chip.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
不揮発性半導体記憶装置の一種として、NAND型フラッシュメモリが知られている。 As a kind of a nonvolatile semiconductor memory device, NAND-type flash memory is known. NAND型フラッシュメモリでは、メモリセルを縦続接続し、選択ゲートやビット線のコンタクトの数を削減することにより、NOR型に比べてチップサイズを小さくできる。 The NAND type flash memory, cascaded memory cells, by reducing the number of contacts of the select gate and the bit line, the chip size can be reduced as compared with the NOR type. しかしながら、ページ単位でのデータ消去が出来なくなり、ブロック単位(選択ゲートで挟まれたページ分の単位)のデータ消去を行わなければならない。 However, data can not be erased on a page-by-page basis, it must be performed data erasure of the block unit (unit of pages sandwiched between the selection gate). このため、チップサイズが小さく出来る反面、使用者に複雑さを与えている。 Therefore, although the chip size can be reduced, giving the complexity to the user.
【0003】 [0003]
ページ単位で消去が出来る場合は、ページデータを書き換える時、元のページを消去し、そこに書き換えたページデータをプログラムすることが出来る。 If the erasing can be is on a page-by-page basis, time to rewrite the page data, erasing the original page, it is possible to program the page data that was rewritten in there. これに対し、消去をブロック単位で行わなければならない場合には、同一ブロック内の他のページデータ領域を消去する必要があるため、最初に書き込まれていた物理的なページ領域に書き込むためには、同一ブロック内の他のデータを読み出して退避し、そのブロックを消去した後、退避したデータを再度プログラムする必要がある。 In contrast, when it is necessary to perform erasure in units of blocks, it is necessary to erase the other page data area in the same block, to write to the physical page area that were originally written , retracted reads other data in the same block, after erasing the block, it is necessary to program the saved data again. このような書き換え動作は、非常に複雑になり時間を要する。 Such a rewrite operation requires a very complicated time. このため、ページデータの書き換えを行う場合、物理的に他の消去された空ブロックに書き換えたページデータをプログラムする方法がとられている。 Therefore, when rewriting the page data, physically method of programming a page data rewritten to another erased empty block is taken. この場合、物理的に変わってしまったデータのアドレスは、外部から見たアドレスと対応させる処理が必要になり、通常、この処理はコントローラで行っている。 In this case, the address of the data has changed the physical process to correspond to the address as seen from the outside is required, usually, this process is performed by the controller.
【0004】 [0004]
このような、外部から見たアドレスと内部の物理的アドレスの対応は、1ページ毎に変換表をつくると変換表のデータサイズが大きくなるため、複数ページを一つの単位として対応付けを行っている。 Such correspondence between the physical address of the address and the internal viewed from the outside, since the data size of the conversion table creating a conversion table for each page increases, the correspondence performed a plurality of pages as a unit there. 上記のような制御構成の装置で、ページ単位のデータの書き換えを行おうとした場合、同じ変換単位の中にある他のページは、その移動先のブロックへコピーを行う必要がある。 In the apparatus of a control structure as described above, when an attempt is made to rewrite the data in page units, other pages within the same conversion unit, it is necessary to copy to the destination block.
【0005】 [0005]
次に、ページデータを他のページへコピーする従来の方法を図10及び図11のフローチャートにより説明する。 Next, a conventional method for copying page data to other pages by the flowchart of FIG. 10 and FIG. 11. まず、図10に示すように、ページデータを一旦チップ内のバッファへ読み出し(STEP1)、次にコピー先のページのアドレスを入力し(STEP2)、プログラムコマンドを入力して(STEP3)ステータスの読み出し(STEP4)を行う方法がある。 First, as shown in FIG. 10, reads the page data temporarily into the buffer in the chip (STEP1), then enter the address of the destination page (STEP2), by entering the program command (STEP3) read status there is a way to do (STEP4). この場合、ページバッファへの読み出し時に、データの一部にエラーが起こっていた場合、エラーのデータがそのまま別のページにプログラムされてしまう。 In this case, when reading the page buffer, if an error has occurred in a part of the data, error data may be directly programmed on a separate page. もし、次にそのページに対して同様のページコピーを行い新たなエラーが発生すると、以前のエラーと新しく発生したエラーをプログラムする事になる。 If, then when a new error occurs performs a copy of the same page with respect to the page, so that the program the newly generated error with the previous error. このように、従来のページコピー操作では、読み出し時にエラーが起こっても、それを検知できず、コピーを何回も続けた場合、エラーが蓄積されて行く可能性があった。 Thus, in the conventional page copy operation, even if error occurred when reading can not detect it, if continued copied many times, there is a possibility that errors are accumulated.
【0006】 [0006]
また、ページデータを別のページにコピーする他の方法としては、図11に示すように、通常の読み出し、書き込み動作を行う方法がある。 As another way to copy the page data to a different page, as shown in FIG. 11, there is a normal read, a method of performing a write operation. この方法は、ページデータをチップの外部に読み出し(STEP1,2)、次にコピー先のアドレスを入力(STEP3)して読み出したデータを入力し(STEP4)、プログラムコマンドを入力して(STEP5)ステータスの読み出し(STEP6)を行う方法である。 This method reads the page data to the outside of the chip (STEP1,2), then enter the address of the copy destination (STEP3) to enter the read data (STEP4), by entering the program command (STEP5) a method of performing status of the read (STEP6). この場合、ページデータを一旦チップの外に読み出すため、ページデータの一部にエラーがあった場合コントローラで検知、修正を行う事が可能になる。 In this case, to read the page data temporarily outside the chip, the detection when the controller has an error in a part of the page data, it becomes possible to perform the modification. しかしながら、コピー毎にページデータをチップ外部へ読み出し、且つそのデータを再度コピー先アドレスへ入力するため、コピー操作に時間がかかるという問題がある。 However, reading the page data for each copy to the outside of the chip, and to input the data to re copy destination address, there is a problem that it takes time to copy operation.
【0007】 [0007]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
上記のように従来の不揮発性半導体記憶装置は、コピーを続けた場合にエラーが蓄積されて行ったり、コピー操作に時間がかかるという問題があった。 Conventional nonvolatile semiconductor memory device as described above, or carried out error is accumulated when continued copying, it takes a long time to copy operation.
【0008】 [0008]
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、エラーを低減するとともに、コピー時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object, while reducing errors, it is to provide a data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device capable of shortening the copying time.
【0009】 [0009]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
この発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法は、不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御するコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して Data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device according to one embodiment of the invention, non-volatile memory cells are arranged in a matrix, a memory cell array in which data erasing is performed in block units, read out from said memory cell array a sense amplifier for latching the page data, said memory unit having a page buffer page data is transferred from the sense amplifier is provided outside the chip of the nonvolatile semiconductor memory device comprising the memory unit, said memory cell array, said sense amplifier and a controller for controlling the page buffer, a data copying method comprising the step of moving the block including the page data in different physical another block when rewriting the page data, wherein from the memory cell array through the sense amplifier 記ページバッファにページデータを読み出すステップと、前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、プログラムしているページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムを行っているデータにエラーが存在するか否かを確認するステップと、エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対しては、前記コントローラ内の読み出しデータを修正して前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先の A step of reading the page data in the serial page buffer, a step of inputting the address of the page of the copy destination in the erased block of the memory cell array, by entering the program command, the address of the copy destination page in an erased block and performing a program to the memory cell, a program to read to the controller of the page data is a step for confirming whether an error exists in the data is carried out a program, the page does not exist error memory cell array programmed to a destination address different address than in the erased block of the inner, for pages that there is an error, the destination in the erased block in the memory cell array by modifying the read data in the controller of ドレスとは別のアドレスにプログラムするステップとを具備する。 The dress and a step of the program to another address.
【0013】 [0013]
また、この発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法は、不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、エラーを検出した時にエラー修正をしたページバッファデータを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動する The data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device according to one embodiment of the invention, non-volatile memory cells are arranged in a matrix, a memory cell array in which data erasure is performed in units of blocks, read out from said memory cell array a sense amplifier for latching the page data, the memory unit having a page buffer page data from the sense amplifier is transferred, provided outside the chip of the nonvolatile semiconductor memory device comprising the memory unit, the memory cell array, and controls the sense amplifier and the page buffer, and a controller that is configured to hold the page buffer data in which the error correction when an error is detected, including the page data when rewriting the page data move block to another physically in different テップを含むデータコピー方法であって、前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムをこれから行うデータにエラーが存在するか否かを前記コントローラにより確認し、エラーを検出した時に修正して保持するステップと、エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレ A data copying method comprising the steps, entering a step of reading the page data in the page buffer from the memory cell array through the sense amplifier, an address of a destination page in an erased block in the memory cell array step If, by entering the program command, there is an error and performing a program into the memory cell of the address of the destination page in an erased block, reads the page data to be programmed now to the controller, the data to be programmed now whether to confirm by said controllers, a step of holding the fix when an error is detected, different from the destination address a page that does not exist is an error in an erased block in the memory cell array address にプログラムし、エラーが存在するページに対して前記修正して保持しているデータを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとアドレスにプログラムするステップとを具備する。 Programmed into, and a step of the program on the destination address and the address of the data held by the modifications to the page there is an error in an erased block in the memory cell array.
【0014】 [0014]
更に、この発明の一態様に係る不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法は、不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、を検出した時に、エラーの起こったページバッファー内アドレス及び修復データを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブ Furthermore, the data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device according to one embodiment of the invention, non-volatile memory cells are arranged in a matrix, a memory cell array in which data erasure is performed in units of blocks, read out from said memory cell array a sense amplifier for latching the page data, the memory unit having a page buffer page data from the sense amplifier is transferred, provided outside the chip of the nonvolatile semiconductor memory device comprising the memory unit, the memory cell array, wherein the controlling the sense amplifier and the page buffer, the when detecting, and a controller configured to hold the page buffers the address and repair data occurred error, the when rewriting the page data another of the probe that is different the block including the page data to the physical ックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、前記ページバッファからデータを読み出すステップと、前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムをこれから行うデータにエラーが存在するか否かを確認し、エラーが存在しないページは前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスに A data copying method comprising the step of moving the click, a step of reading the page data in the page buffer from the memory cell array through the sense amplifiers, reading out data from the page buffer, the memory cell array the method comprising the steps of: enter the address of the destination page in the erased block of, by entering the program commands, performing a program to the memory cell of the address of the destination page in the erased block, page data to perform the program now read into the controller checks whether there is an error in the future perform data program, the page that does not exist is an error in a different address than the destination address in the erased block in said memory cell array ログラムし、エラーが存在するページはページバッファー内データを部分修正し前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスにプログラムするステップとを具備する。 And program, pages there are errors and a step of the program on the destination address in the erased block in the memory cell array to partial correction in the page buffer data.
【0015】 [0015]
上記のような構成によれば、プログラム期間中にページデータを読み出すことが出来るので、読み出し時間を削減できる。 According to the above configuration, it is possible to read the page data in the program period can be reduced readout time.
【0016】 [0016]
また、ページデータのチップ内の移動を行う時に、エラー確認のための余分な時間を見かけ上なくす事ができる。 In addition, when performing a movement in the chip of page data, it is possible to eliminate the apparent extra time for the error check.
【0017】 [0017]
更に、ページデータのチップ内の移動を行う時に、管理データを追加して入力することができる。 Further, when performing the movement in the chip of the page data can be input by adding a management data.
【0018】 [0018]
ページデータのチップ内の移動を行う時に、少ない時間で確実にページデータのエラー確認を行える。 When performing the movement in the chip of the page data, perform an error check of reliably page data in less time.
【0019】 [0019]
また、ページデータのチップ内の移動を行う時に、管理データを追加して入力することができる。 Further, when performing the movement in the chip of the page data can be input by adding a management data.
【0020】 [0020]
更に、ページデータのチップ内の移動を行う時に、少ない時間で確実にページデータのエラー確認を行え、且つエラーが検出され修正が可能となったときに、エラー部分のデータを書き込み、移動先にプログラムを行う事ができる。 Further, when performing the movement in the chip of the page data, perform an error check of reliably page data in less time, and when the error has become possible modifications are detected, the write data of the error portion, the destination it is possible to carry out the program. よって、エラー修正による時間のロスを少なく出来る。 Thus, it is possible to reduce the time of loss due to error correction.
【0021】 [0021]
従って、エラーを低減するとともに、コピー時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置を提供できる。 Thus, while reducing the error, it is possible to provide a nonvolatile semiconductor memory device capable of shortening the copying time.
【0022】 [0022]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。 It will be described below with reference to the drawings showing preferred embodiments of the present invention.
[第1の実施の形態] First Embodiment
図1は、この発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャートである。 Figure 1 is for explaining the nonvolatile semiconductor memory device according to a first embodiment of the present invention, is a flow chart showing an operating sequence for the memory of the controller. まず、チップ内でページデータをチップ内のページバッファに読み出し(STEP1)、コピー先のアドレスを入力した後(STEP2)、プログラムコマンドを入力して(STEP3)ページデータのコピー先のセルへのプログラムを開始する。 First, read the page data in the page buffer in the chip in the chip (STEP1), after entering the address of the copy destination (STEP2), the program by entering the command (STEP3) page data is programmed to the destination of the cell the start. プログラムを開始した後、プログラムしているページデータとステータスの外部への読み出し動作を行う(STEP4,5)。 After starting the program, the read operation to the outside of the page data and status that program (STEP4,5). プログラムするページデータを外部に読み出すことで、プログラムを行っているデータにエラーが存在するか否かを外部のコントローラで確認することができる。 By reading the page data to be programmed to the outside, it is possible to confirm whether or not an error exists in the data is performed externally programmed controller.
【0023】 [0023]
当該不揮発性半導体記憶装置のチップには、従来から存在するコピーシーケンスに対し、プログラム期間中に外部にページデータを読み出す機能を備えている。 The on chip of the nonvolatile semiconductor memory device, to copy sequences present conventionally has a function of reading the page data to outside during program period. この例の場合、プログラム期間中にページデータをチップの外部に読み出す事ができる機能があるため、プログラム期間中にエラー確認が出来る。 In the case of this example, because there is a function that can read the page data to the outside of the chip during the program period, error check can be during the program period. このためエラーの確認のための時間を見かけ上隠してエラー確認が出来る。 Because of this error check can be hidden on the apparent time for confirmation of error. このような制御を行うには、メモリにプログラム期間中にデータを外部に読み出すコマンドが備えられていること、並びにこれを制御するコントローラが必要である。 To perform such control, the command to read data during the program period to the memory to the outside is provided, and it is necessary controller for controlling the same.
【0024】 [0024]
図2は、上記図1に示した動作を実現する不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図である。 Figure 2 is a block diagram showing the schematic configuration of a nonvolatile semiconductor memory device for realizing the operation shown in FIG. 1. メモリ部11には、メモリセルアレイ12、センスアンプ13及びページバッファ14が含まれている。 The memory unit 11 includes a memory cell array 12, a sense amplifier 13 and the page buffer 14 is. このメモリ部11は、コントローラ15で制御される。 The memory unit 11 is controlled by the controller 15. メモリセルアレイ12から読み出したページデータは、センスアンプ13でラッチされ、ページバッファ14に転送される。 Page data read from the memory cell array 12 is latched by the sense amplifier 13, is transferred to the page buffer 14. センスアンプ13のデータをコピー先のページにプログラムを行っている間に、センスアンプ13とページバッファ14の間の接続を切り離し、ページバッファ14のデータを外部に読み出す。 While performing the program data of the sense amplifier 13 to a destination page, disconnect the connection between the sense amplifier 13 and the page buffer 14, it reads the data of the page buffer 14 to the outside. これにより、プログラム動作に影響を与えずにページデータを読み出す事は可能となる。 Thus, reading the page data without affecting the program operation is possible. ここで、ページデータをチップの外部に読み出す時に発生する出力バッファのノイズがプログラム動作に影響を与えない様にするために、出力バッファ用の接地電位とチップ内部の接地電位を分ける事が望ましい。 Here, the noise of the output buffer that occurs when reading the page data to the outside of the chip to the way does not affect the programming operation, to separate the ground potential and the ground potential in the chip of the output buffer is preferable.
【0025】 [0025]
図3は、上述した第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャートである。 Figure 3 is for describing a modification of the nonvolatile semiconductor memory device according to the first embodiment described above, is a flow chart showing an operating sequence for the memory of the controller. 基本的な動作は第1の実施の形態と同じであるが、データをベーバッファに読み出し(STEP1)、コピー先アドレスを入力した後(STEP2)、プログラム実行前に、そのページの冗長領域にデータの管理データ(フラグデータ)を書き込む(STEP3)例である。 Although the basic operation is the same as in the first embodiment, read data in the base buffer (STEP1), after entering the destination address (STEP2), before the program execution, data in the redundant area of ​​the page writing management data (flag data) (STEP3) is an example. 例えば、そのページがコピー動作を受けたことを記すためのデータを記憶させたりできる。 For example, it or to store the data to mark that the page has undergone a copy operation. この例では、フラグデータであるが、例えば前もって読み出したデータに誤りがあることがわかっていて、訂正の必要がある場合に限り、このフラグデータを書き込む時にページデータのエラーした部分の修正の書き込みを行ってプログラムを実行することも可能である。 In this example, a flag data, have found that there is an error, for example, in previously read data, only when there is a need for correction, writing of the corrected error portion of the page data when writing the flag data it is also possible to run the program going. コピー全体の時間は、プログラム実行前にフラグデータを書き込むことで長くなるが、書き込む管理データは通常数ビットなので、全体としての時間の増大は大きくない。 The overall copying time becomes longer by writing flag data before program execution, the management data to be written, so usually the number of bits, no larger time increases as a whole. また、このフラグデータを書き込む時に、一部のページデータを書き込む事も可能である。 Also, when writing the flag data, it is also possible to write the part of the page data. なお、これらのデータの書き込みは必ずしも必要ではなく、コントローラの制御方法に依存する。 Incidentally, these data write is not necessary, depending on the control method of the controller. しかしながら、チップの動作としては、このような機能を準備しておくことは有効である。 However, as the operation of the chip, it is effective to prepare such a function.
【0026】 [0026]
なお、本第2の実施の形態を用いた場合は、コピーするデータの中にエラーが存在していて、修正が可能な場合は、これまで続けてきた一連のコピー動作を中止し、再度別の消去済みブロックにデータを書き直す必要がある。 Note that when using this second embodiment, though there is an error in the data to be copied, when correction is possible, to cancel a series of copying operations have continued up to now, another again it is necessary to rewrite the data to the erased block of.
【0027】 [0027]
図4に8ページ単位でアドレス変換表を用いて管理し、アドレスAのページ4のデータを書き換える時にページ7のデータにエラーが検出された場合の制御方法の例を示す。 Managed using the address translation table 4 with 8 units of pages, it shows an example of a control method when the data is correctly received page 7 when rewriting the data of the page 4 of the address A has been detected. ページ0からページ3までは第1の実施の形態の図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスBにコピーされる。 From page 0 to page 3 is copied to the first of each page data is erased address 1 3 way from page 0 of the address A as shown in the embodiment B. ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスBに書き込まれる。 Page 4, since the data rewriting, the page data inputted from the outside is written into the address B. アドレスAのページ5から7はアドレスBのページ5から7に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。 Page 5-7 of the address A is copied respectively in the manner shown in FIG. 1 in the page 5 of the address B 7. ページ7のコピーのプログラム期間中にデータのエラーが検出された。 Error of data is detected during the copy of page 7 of the program period. このとき、コントローラはページ7のプログラムの終了後に、再度消去済みの別の場所に(アドレスC)に同じような動作を行う。 At this time, the controller after the end of the program page 7, performs a similar operation (address C) elsewhere erased again. ページ0からページ3までは図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスCにコピーされる。 From page 0 to page 3 Each page data from page 0 of the address A in the manner shown in FIG. 1 3 is copied to the erased address C. ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスCに書き込まれる。 Page 4, since the data rewriting, the page data inputted from the outside is written to address C. アドレスAのページ5と6はアドレスCのページ5と6に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。 Page 5 of the address A and 6 are copied respectively in the manner shown in FIG. 1 in Page 5 and 6 of the address C. ページ7は、既にエラーが存在することがわかっているので、通常のページ読み出しを行い、コントローラ内部に読み出し、データの修正をかける。 Page 7, since already found that there is an error, performs the normal page read, read in the controller, applying a correction of the data. その後、修正したページデータをチップに書き込み、アドレスCのページ7にプログラムを行う。 Then, write the page data obtained by correcting the chip, performs a program to the page 7 of the address C. このようにすることによって、エラーが検出された場合の処理が可能になる。 By this way, it is possible to process when an error is detected.
【0028】 [0028]
上記図4に示した例は、最初のエラー発見時にコントローラの内部で修正したデータを保持できない場合の例である。 Example shown in FIG. 4 is an example of a case can not hold the data fixed in the inside of the controller when the first error found. コントローラ内部でエラーを検出すると同時に修正し、エラーの起こったアドレスとビットと修復データを保持できるようなメモリを持っている場合の制御の例を図5に示す。 Fixed at the same time detects an error in the controller, FIG. 5 shows an example of control when you have a memory that can hold occurred address bit and repair data errors.
【0029】 [0029]
まず、ページ0からページ3までは第1の実施の形態の図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスBにコピーされる。 First, from page 0 to page 3 is copied to the first of each page data is erased address 1 3 way from page 0 of the address A as shown in the embodiment B. ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスBに書き込まれる。 Page 4, since the data rewriting, the page data inputted from the outside is written into the address B. アドレスAのページ5から7はアドレスBのページ5から7に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。 Page 5-7 of the address A is copied respectively in the manner shown in FIG. 1 in the page 5 of the address B 7. ページ7のコピーのプログラム期間中にデータのエラーが検出された。 Error of data is detected during the copy of page 7 of the program period. このとき、コントローラはこのエラーの修正作業を行い、エラーの出たアドレスとビットと修正データを記憶しておく。 At this time, the controller performs the correction operation of the error, stores the address and bit and correction data exiting the error. また、コントローラはページ7のプログラムの終了後に、再度消去済みの別の場所に(アドレスC)に同じような動作を行う。 In addition, the controller after the end of the program of page 7, do the same kind of work (address C) to a different location erased again. ページ0からページ3までは図1に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスCにコピーされる。 From page 0 to page 3 Each page data from page 0 of the address A in the manner shown in FIG. 1 3 is copied to the erased address C. ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスCに書き込まれる。 Page 4, since the data rewriting, the page data inputted from the outside is written to address C. アドレスAのページ5と6はアドレスCのページ5と6に図1に示したような方法でそれぞれコピーされる。 Page 5 of the address A and 6 are copied respectively in the manner shown in FIG. 1 in Page 5 and 6 of the address C. ページ7は、既にエラーが存在することがわかっている。 Page 7, has already found that there is an error. 図3に示したようなコピー動作を行う。 The copying operation as shown in FIG. 3. 既にエラーの起こしているビットが記憶されているので、プログラム動作の前に、エラーの起こしているビットに対して修正の書き込みを行う。 Already since the bit that caused the error is stored, prior to a program operation, writes modifications to bit undergoing error. その後、アドレスCのページ7にプログラムを行う。 Thereafter, the program on page 7 of the address C. このようにすることによって、エラーが検出された場合の処理が可能になる。 By this way, it is possible to process when an error is detected. この場合は、ページデータのすべてを書き込む必要が無いので、修正時間を短縮できる。 In this case, since there is no need to write all of the page data, it is possible to shorten the settling time. 本例の場合、エラーが検出されると、同じ管理アドレスを持つページデータもすべて別の消去済みブロックに書き直す必要がある(本例では、ページ0からページ6のデータを意味する)。 In this example, an error is detected, the page data must also be rewritten to all alternative erased blocks with the same management address (in this example, it refers to the data of page 6 page 0). 従って、エラーが検出された場合の処理時間は大きい。 Therefore, the processing time is large when an error is detected. しかしながら、エラーが起こる確率は、通常非常に少ないため、全体の性能の劣化にはそれほど影響はしない。 However, the probability that the error occurs, because usually very small, does not affect so much to the deterioration of the overall performance.
【0030】 [0030]
[第2の実施の形態] Second Embodiment
図6は、この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作順序を示すフローチャートである。 Figure 6 is a flow chart showing an operating sequence of the non-volatile semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention. まず、チップ内でページデータをチップ内のページバッファに読み出し(STEP1)、外部に読み出す(STEP2)。 First, read the page data in the page buffer in the chip in the chip (STEP1), read to the outside (STEP2). 次にコピー先ページアドレスを入力し(STEP3)、プログラムを実行する(プログラムコマンドを入力して(STEP4)ステータスを読み出す(STEP5))。 Then enter the copy destination page address (STEP3), to run the program (by entering the program command (STEP4) reads the status (STEP5)). このようにすることにより、ページデータのコピー時に存在するかもしれないエラーを確認できる。 By doing so, you check the error that may be present when copying page data. 従来のコピー動作よりも、ページデータを外部へ読み出す時間が必要となるが、確実にエラーの存在有無の確認ができる。 Than conventional copying operation, it is necessary time to read the page data to the outside can surely confirm the presence or absence of an error. また、従来ページデータをチップ外部に読み出し、再度コピー先アドレスを入力して、ページデータの入力を行う方法より、ページデータの入力する必要が無いので、時間が短くなる。 The read conventional page data to the outside of the chip, to enter a destination address again, compared with the method for inputting page data, it is not necessary to enter the page data, the time is shortened. コントローラがこれを利用することにより、ページデータをチップ内の別の位置へコピーすることが可能となる。 By the controller using this, it is possible to copy the page data to another location within the chip. また、第1の実施の形態で述べた出力ノイズの影響をプログラム動作に与えないため、安定したプログラム動作が可能になる。 Since no influence of output noise described in the first embodiment in a program operation, it is possible to stably program operation. 図7は、本第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成及びチップ内部動作を示すブロック図である。 Figure 7 is a block diagram showing the configuration and the chip operation of the nonvolatile semiconductor memory device according to the second embodiment. メモリ部21には、メモリセルアレイ22、センスアンプ23及びページバッファ24が含まれている。 The memory unit 21, the memory cell array 22 includes a sense amplifier 23 and the page buffer 24. このメモリ部21は、コントローラ25で制御される。 The memory unit 21 is controlled by the controller 25. メモリセルアレイ22から読み出したページデータは、センスアンプ23でラッチされ、ページバッファ24に転送される。 Page data read out from the memory cell array 22 is latched by the sense amplifier 23, is transferred to the page buffer 24. ページバッファ24より外部に読み出す。 Read to the outside from the page buffer 24. その後、プログラムを実行する。 Then, to run the program.
【0031】 [0031]
図8は、上記第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例である。 Figure 8 is a modification of the nonvolatile semiconductor memory device according to the second embodiment. 基本的な動作は第1の実施の形態と同じであるが、データをページバッファ23から外部に読み出した後(STEP1)、コピー先アドレスを入力し、更にページデータの管理データ(フラグデータ)の入力を行う場合である。 Although the basic operation is the same as in the first embodiment, after reading the data from the page buffer 23 to the outside (STEP1), enter a destination address, the management data further page data (flag data) it is a case of performing the input. この例では、フラグデータであるが、例えば読み出したデータに誤りがあり、訂正の必要がある場合に限り、このフラグデータを書き込む時にページデータのエラーした部分の修正の書き込みを行ってプログラムを実行することも可能である。 In this example, a flag data, there is an error in the example read data only if there is a need for correction, executes a program by writing the modified error portion of the page data when writing the flag data it is also possible to.
【0032】 [0032]
図9は、8ページ単位でにアドレス変換表を用いて管理し、アドレスAのページ4のデータを書き換える時にページ7のデータにエラーが検出された場合の図8の手順を用いた制御方法の例を示す。 Figure 9 is managed using the address translation table at page 8 units of the control method an error using the procedure of Figure 8 when it is detected in the data of the page 7 when rewriting the data of the page 4 of the address A It shows an example. ページ0からページ3までは第2の実施の形態の図8に示したような方法でアドレスAのページ0から3のそれぞれのページデータが消去済みのアドレスBにコピーされる。 From page 0 to page 3 is copied to the second embodiment of each page data is erased address B of 3 from page 0 of the address A in the manner shown in FIG. ページ4は、書き換えのデータなので、外部から入力されたページデータがアドレスBに書き込まれる。 Page 4, since the data rewriting, the page data inputted from the outside is written into the address B. アドレスAのページ5から7はアドレスBのページ5から7に図8に示したような方法でそれぞれコピーされる。 Page 5-7 of the address A is copied respectively in the manner shown in FIG. 8 from page 5 of the address B 7. ページ7の読み出し後にデータのエラーが検出された。 Error of data is detected after the reading of the page 7. このとき、コントローラはこのエラーの修正作業をおこない、エラーの出たビットに対し修正したデータを書き込む。 At this time, the controller performs the correction operation of the error, and writes the data modifications to bit exiting errors. その後、アドレスBのページ7にプログラムを行う。 Thereafter, the program on page 7 of the address B. このように制御を行った場合、エラーが検出された時に、修正して書き込みプログラムを行う事で、すべての修正作業が終わる。 If you have made in this way control, when an error is detected, by performing the writing program to modify, the end of all of the fixes work. 図4及び図5に示した例のように再度他の消去済みブロックに書き直す必要がない。 There is no need to rewrite again another erased block as in the example shown in FIGS. よって、エラー後の処理の時間は少なくて済むというメリットがある。 Therefore, there is a merit that by time less processing after an error.
【0033】 [0033]
なお、本第1,第2の実施の形態では、データと言っているが、これはエラー検出と修正のための冗長データやその他データの管理等に必要なデータも含んでいる。 The present first, in the second embodiment, although said data, which also includes data necessary for management of the redundant data and other data for error detection and correction.
【0034】 [0034]
また、この発明においては、ページ長の限定は無いが、ページデータの読み出しや書き込み時間を実効的に削減する事がこの発明の目的であるので、ページの長い場合の方がより効果が大きい。 Further, in the present invention, but is not limited to the page length, since it reduces the read and write time of the page data effectively is the purpose of this invention, long more effective is greater when the page. また、エラーの起こったアドレスをページ7で示したが、これはどこのページでも適応可能である。 Further, although the address has occurred in error at page 7, which is also applicable where the page.
【0035】 [0035]
上述したように、ページデータを同一チップ内で移動させるとき、従来のものより高速且つエラーを確認しながら行う事が可能となる。 As described above, when moving the page data in the same chip, it is possible to carry out while checking the speed and error than the prior art. この発明はNAND型フラッシュメモリのようなブロック単位で消去を行うメモリに対して特に効果が大きいが、この発明の格子は、別にそれに限ったものではなく、コピー機能を持った不揮発半導体記憶装置とその制御装置にも有効である。 While the invention is particularly effective is larger than the memory for erasing on a block basis, such as a NAND-type flash memory, the grating of the invention is not intended to separate unique to it, and non-semiconductor memory device having a copy function it is also effective in the control device.
【0036】 [0036]
以上第1及び第2の実施の形態を用いてこの発明の説明を行ったが、この発明は上記各実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。 Using the first and second embodiments above have been described in the present invention, the invention is not limited to the above embodiments, in the implementation stage variously without departing from the scope of the invention deformation can be. また、上記各実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件の適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得る。 Further, the above each embodiment includes inventions of various stages, and various inventions can be extracted by appropriately combining a plurality of disclosed constituent elements. 例えば各実施の形態に示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少なくとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出され得る。 For example be removed several of the constituent elements shown in the embodiments, the invention can be at least one of resolution of the problems described in the section of the problems to be solved, described in the section of the effects of the invention It is when at least one of the effects obtained are the configuration from which the constituent elements are deleted can be extracted as an invention.
【0037】 [0037]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
以上説明したように、この発明によれば、エラーを低減するとともに、コピー時間を短縮できる不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法が得られる。 As described above, according to the present invention, while reducing errors, data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device capable of shortening the copying time is obtained.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャート。 [1] for the purpose of describing the non-volatile semiconductor memory device according to a first embodiment of the present invention, a flow chart illustrating the operation order for the memory of the controller.
【図2】図1に示した動作を実現する不揮発性半導体記憶装置の概略構成を示すブロック図。 2 is a block diagram showing the schematic configuration of a nonvolatile semiconductor memory device for realizing the operation shown in FIG.
【図3】第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例について説明するためのもので、コントローラのメモリに対する動作順序を示すフローチャート。 [3] for the purpose of describing a modified example of the nonvolatile semiconductor memory device according to the first embodiment, the flow chart illustrating the operation order for the memory of the controller.
【図4】第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置を用いてエラーが検出された場合の制御方法の例を示す模式図。 Figure 4 is a schematic view showing an example of a control method when an error is detected by using a non-volatile semiconductor memory device according to the first embodiment.
【図5】第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変更動作を用いてエラーが検出された場合の制御方法の例を示す模式図。 Figure 5 is a schematic view showing an example of a control method in the case where the error with the changing operation of the nonvolatile semiconductor memory device according to the first embodiment has been detected.
【図6】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の動作順序を示すフローチャート。 FIG. 6 is a flowchart showing the operation sequence of the non-volatile semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention.
【図7】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成及びチップ内部動作を示すブロック図。 FIG. 7 is a block diagram showing the configuration and the chip operation of the nonvolatile semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention.
【図8】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変形例を示すフローチャート。 8 is a flowchart showing a modified example of the nonvolatile semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention.
【図9】この発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の変更動作を用いてエラーが検出された場合の制御方法の例を示す模式図。 Figure 9 is a schematic view showing an example of a control method when an error is detected by using the change operation of the nonvolatile semiconductor memory device according to a second embodiment of the present invention.
【図10】従来の不揮発性半導体記憶装置において、ページデータを他のページへコピーする方法を示すフローチャート。 [10] In conventional non-volatile semiconductor memory device, a flow chart illustrating a method of copying the page data to another page.
【図11】従来の不揮発性半導体記憶装置において、ページデータを他のページへコピーする別の方法を示すフローチャート。 [11] In conventional non-volatile semiconductor memory device, a flow chart illustrating another method for copying page data to another page.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
11,21…メモリ部12,22…メモリセルアレイ13,23…センスアンプ14,24…ページバッファ15,25…コントローラ 11, 21 ... the memory unit 12, 22 ... the memory cell array 13, 23 ... the sense amplifier 14, 24 ... page buffer 15, 25 ... controller

Claims (6)

  1. 不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、 Nonvolatile memory cells are arranged in a matrix, a memory cell array in which the data erased in blocks, a sense amplifier for latching the page data read out from said memory cell array, a page data from said sense amplifier is transferred a memory unit having a page buffer that,
    前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御するコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、 Provided outside the chip of the nonvolatile semiconductor memory device including the memory unit, said memory cell array, and a controller for controlling the sense amplifier and the page buffer, the block including the page data when rewriting the page data the a physical data copying method comprising the step of moving to a different separate blocks,
    前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、 A step of reading the page data in the page buffer from the memory cell array through the sense amplifier,
    前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、 Inputting the address of the page of the copy destination in the erased block of the memory cell array,
    プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、 Enter the program command, performing a program to the memory cell of the address of the destination page in the erased block,
    プログラムしているページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムを行っているデータにエラーが存在するか否かを確認するステップと、 Read page data are programmed into the controller, a step for confirming whether an error exists in the data is carried out program,
    エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対しては、前記コントローラ内の読み出しデータを修正して前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムするステップと Programmed to a different address than the destination address of the page that the error is not present in the erased block in said memory cell array, for pages that there is an error, the correct the read data in the controller memory a step of programming a different address than the destination address in the erased block in the cell array
    を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 Data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device characterized by comprising a.
  2. 前記コピー先のページのアドレスを入力するステップの後で、且つ前記プログラムを行うステップの前に、前記コピー先のページの冗長領域にコピー動作を受けたことを示す管理データを書き込むステップを更に具備することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 After inputting the address of the page of the copy destination, and prior to the step of performing said program, further comprising the step of writing the management data indicating that it has received a copy operation in the redundant area of the copy destination page data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1, characterized in that.
  3. 前記プログラムを行うステップは、外部から入力された書き換え用のページデータを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるページアドレスにプログラムするステップを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 Performing the program, non-volatile according to claim 1 or 2, characterized in that it comprises the step of programming a page rewrite data input from the outside to the page address in the erased block in said memory cell array data copying method for a semiconductor memory device.
  4. 前記ページデータを読み出すステップの後で、且つコピー先のページのアドレスを入力するステップの前に、前記ページバッファから前記コントローラにデータを読み出してコピー時のエラーを確認するステップを更に具備することを特徴とする請求項1または2に記載の不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 After step of reading the page data, and prior to the step of inputting the address of the copy destination page, to step further comprising to check errors when copying the data is read into the controller from the page buffer data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device according to claim 1 or 2, characterized.
  5. 不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、 Nonvolatile memory cells are arranged in a matrix, a memory cell array in which the data erased in blocks, a sense amplifier for latching the page data read out from said memory cell array, a page data from said sense amplifier is transferred a memory unit having a page buffer that,
    前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、エラーを検出した時にエラー修正をしたページバッファデータを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、 Provided outside the chip of the nonvolatile semiconductor memory device comprising the memory unit, said memory cell array, the control sense amplifier and the page buffer, to hold the page buffer data in which the error correction when an error is detected and a controller configured, a data copying method comprising the step of moving the block including the page data in different physical another block when rewriting the page data,
    前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、 A step of reading the page data in the page buffer from the memory cell array through the sense amplifier,
    前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、 Inputting the address of the page of the copy destination in the erased block of the memory cell array,
    プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、 Enter the program command, performing a program to the memory cell of the address of the destination page in the erased block,
    プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムを これから行うデータにエラーが存在するか否かを前記コントローラにより確認し、エラーを検出した時に修正して保持するステップと、 A step of reading out the page data to be programmed now to the controller, whether or not an error exists in the data to be from this program was confirmed by the controller, and holds the corrected when detecting an error,
    エラーが存在しないページを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページに対して前記修正して保持しているデータを前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとアドレスにプログラムするステップと The pages that error does not exist to copy the address in the erased blocks in the memory cell array is programmed to a different address, in the memory cell array of data held by the modifications to the page there is an error a step of programming the destination address and the address in the erased block
    を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 Data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device characterized by comprising a.
  6. 不揮発性のメモリセルがマトリックス状に配置され、ブロック単位でデータ消去が行われるメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイから読み出されたページデータをラッチするセンスアンプと、前記センスアンプからページデータが転送されるページバッファとを有するメモリ部と、 Nonvolatile memory cells are arranged in a matrix, a memory cell array in which the data erased in blocks, a sense amplifier for latching the page data read out from said memory cell array, a page data from said sense amplifier is transferred a memory unit having a page buffer that,
    前記メモリ部を備えた不揮発性半導体記憶装置のチップ外部に設けられ、前記メモリセルアレイ、前記センスアンプ及び前記ページバッファを制御し、を検出した時に、エラーの起こったページバッファー内アドレス及び修復データを保持するように構成されたコントローラとを有し、ページデータを書き換える際に前記ページデータを含むブロックを物理的に異なる別のブロックに移動するステップを含むデータコピー方法であって、 Provided outside the chip of the nonvolatile semiconductor memory device comprising the memory unit, said memory cell array, when the control sense amplifier and the page buffer, were detected, the page buffers the address and repair data occurred error and a is configured to hold the controller, a data copying method comprising the step of moving the block including the page data in different physical another block when rewriting the page data,
    前記メモリセルアレイから前記センスアンプを介して前記ページバッファにページデータを読み出すステップと、 A step of reading the page data in the page buffer from the memory cell array through the sense amplifier,
    前記ページバッファからデータを読み出すステップと、 A step of reading the data from the page buffer,
    前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスを入力するステップと、 Inputting the address of the page of the copy destination in the erased block of the memory cell array,
    プログラムコマンドを入力して、消去済みブロックにおけるコピー先のページのアドレスのメモリセルへプログラムを行うステップと、 Enter the program command, performing a program to the memory cell of the address of the destination page in the erased block,
    プログラムをこれから行うページデータを前記コントローラへ読み出し、プログラムをこれから行うデータにエラーが存在するか否かを確認し、エラーが存在しないページは前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスとは別のアドレスにプログラムし、エラーが存在するページはページバッファー内データを部分修正し前記メモリセルアレイ内の消去済みブロックにおけるコピー先のアドレスにプログラムするステップと Reads the page data to be programmed now to the controller checks whether there is an error in the future perform data program, the page does not exist error to copy the address in the erased block in the memory cell array programmed to a different address, the steps of the program to the destination address in the erased block in the page there is an error is partially modified in the page buffer data said memory cell array
    を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置のデータコピー方法。 Data copying method for a nonvolatile semiconductor memory device characterized by comprising a.
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