JP3788104B2 - Gallium nitride single crystal substrate and a manufacturing method thereof - Google Patents

Gallium nitride single crystal substrate and a manufacturing method thereof Download PDF

Info

Publication number
JP3788104B2
JP3788104B2 JP14415199A JP14415199A JP3788104B2 JP 3788104 B2 JP3788104 B2 JP 3788104B2 JP 14415199 A JP14415199 A JP 14415199A JP 14415199 A JP14415199 A JP 14415199A JP 3788104 B2 JP3788104 B2 JP 3788104B2
Authority
JP
Grant status
Grant
Patent type
Prior art keywords
gan
oxygen
substrate
crystal
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP14415199A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2000044400A (en )
Inventor
健作 元木
拓司 岡久
政人 松島
直樹 松本
Original Assignee
住友電気工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Grant date

Links

Images

Description

【0001】 [0001]
【発明の属する技術分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、3−5族窒化物系化合物半導体を用いた発光ダイオードや半導体レ−ザなどの発光デバイス用あるいは高出力電界効果トランジスタ等の電子デバイス用のGaN単結晶基板、およびその製造方法に関する。 The present invention is a light emitting diode or semiconductor laser using a III-V nitride-based compound semiconductor - GaN single crystal substrate for an electronic device or the like high power field effect transistor for light emitting devices, such as The, and a manufacturing method thereof . 特にn型GaN基板の製造方法に関する。 And more particularly to a method of manufacturing the n-type GaN substrate. 半導体の伝導型を問題にするので、ここでは伝導型を与える不純物をドーパントという。 Since the problems semiconductor conductivity type, referred to herein as a dopant impurity providing conductivity type. それ以外の不純物は単に不純物といい、区別することにする。 The other impurities are simply referred to as impurities, to be distinguished.
【0002】 [0002]
3−5化合物半導体で基板結晶が容易に得られるのは、GaAs、InP、GaPなどである。 Is the substrate crystal can be easily obtained in 3-5 compound semiconductor, GaAs, InP, GaP, and the like. これらはブリッジマン法やチョコラルスキー法で大型の単結晶を成長させることができる。 These can be grown a large single crystal in the Bridgman method or the Czochralski method. 単結晶インゴットを切断して基板とする。 To the substrate by cutting a single crystal ingot. ところがGaNはいまだ大型の単結晶を製造する技術がない。 However GaN Yes there is still no technology to manufacture the large single crystal. したがって実用的なサイズを有するGaN基板結晶は製造できない。 Thus GaN substrate crystal having a practical size can not be manufactured.
【0003】 [0003]
GaNはバンドギャップが広いので青色発光素子材料として利用されている。 GaN is the band gap is wide is used as a blue light emitting device material. GaN基板が存在しないから他の物質を基板としている。 It is a substrate other substances because the GaN substrate does not exist. 適当な基板の上にGaNやその他の窒化物混晶の薄膜を積層して青色発光素子とする事ができる。 It can be a blue light emitting element by laminating thin films of GaN or other nitride mixed crystal on a suitable substrate. 他物質の基板の上にGaNを成長させるのであるからヘテロエピタキシャルになる。 It becomes heteroepitaxial since it is to grow GaN on a substrate of a different material. 格子定数も違うし格子構造も違うのでGaN薄膜には欠陥が大量に発生する。 Since lattice constant different to be different lattice structure defects in GaN thin film in large quantities produced. しかし欠陥密度の高さにも拘らずGaNの発光ダイオードは青く光る。 But the light emitting diodes despite the height of the defect density GaN glows blue. 発光ダイオードとしての寿命も長い。 Lifetime of the light emitting diode is long. このような高密度の欠陥にもかかわらず効率よく発光するというのはGaNに独特のものである。 Is unique to GaN because such emit well density efficiency despite defects. GaAsやInPのレ−ザでは欠陥を減らすということが至上命令であったのに比べて全く違う。 GaAs and InP Les - The In completely different compared to that of reducing the defect was imperative.
【0004】 [0004]
ここで窒化物系半導体という表現は、GaNだけでなくAlNや、InN、GaNとAlNとInNの混晶の薄膜を積層した発光素子を意味する。 Here expression nitride semiconductor means AlN and well GaN, InN, a light emitting element formed by laminating a thin film of GaN and AlN and InN mixed crystal. 広く窒素を含む一般の半導体という意味ではない。 It does not mean that a general semiconductor, including a wide nitrogen. GaNが主体であるがAlNも一部に含むからGaNといってしまうと不正確である。 GaN but is the subject are inaccurate and would say that GaN because AlN is also included in the part. それで窒化物系半導体というが主体はあくまでGaNである。 So say the nitride-based semiconductor, but mainly is the only GaN.
【0005】 [0005]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
従来、窒化物系半導体を用いた発光素子は基板としてサファイヤを用いていた。 Conventionally, a light-emitting element using nitride semiconductors have used sapphire as the substrate. サファイヤ基板の上にGaN薄膜をMOCVD法によってエピタキシャル成長させて素子を作製している。 And A device was produced by epitaxially grown by MOCVD method GaN film on a sapphire substrate. 原料はGa有機金属とアンモニアでありこれらを直接に反応させる。 Material is a Ga organometallic and ammonia are reacted them directly. n型のエピタキシャル膜とするためには、シランガスSiH を原料に添加している。 To the n-type epitaxial layer is added silane SiH 4 as a raw material. Siがn型ドーパントとなっている。 Si has become an n-type dopant.
【0006】 [0006]
GaN薄膜を載せるのであるから、GaN基板がもっとも良いはずである。 Since it is to put the GaN thin film, it should GaN substrate is the most good. が、GaNの基板がないからやむを得ない。 But unavoidable because there is no GaN of the substrate. サファイヤ基板のGaN系青色発光ダイオードやレ−ザが製作されている。 Sapphire substrate GaN-based blue light-emitting diode and Le - The are manufactured. サファイヤは非常に安定な基板材料である。 Sapphire is a very stable substrate material. 化学的にも安定し高温にも良く耐える。 Chemically withstand steady well to high temperatures. GaNとの格子定数の違いは大きいがそれにもかかわらず実用レベルの特性を有したGaNエピタキシャル成長膜を比較的容易に得ることができる。 The difference in lattice constant between GaN is large can be obtained GaN epitaxial film having a property of practical nevertheless relatively easy. サファイヤは比較的安価である。 Sapphire are relatively inexpensive. 入手しやすい材料である。 It is a readily available material. このようなわけでGaN発光素子の基板はサファイヤが独占的に用いられる。 Substrate of GaN light emitting element in this is why the sapphire is used exclusively. 研究室段階ではサファイヤ以外のものの可能性が検討されるが製品化されているGaN発光素子の基板は例外なくサファイヤである。 In the laboratory phase substrate of the GaN light emitting device, but the possibility of other than sapphire may be considered has been commercialized it is without exception sapphire.
【0007】 [0007]
しかしサファイヤ基板にも欠点がある。 However, even in the sapphire substrate there is a drawback. 最大の欠点は劈開面がないということである。 The biggest drawback is that there is no cleavage plane. もう一つの難点は非常に硬いということである。 Another difficulty is that very hard. 半導体レ−ザを作製する場合、共振器のミラーとして劈開面を使うのが良い。 Semiconductor laser - the case of manufacturing a The, good to use a cleaved surface as a mirror of the resonator. GaAsレ−ザやInPレ−ザでは自然の劈開面が共振器に利用される。 GaAs Les - The InP and Les - natural cleavage plane at The is used to the resonator. 劈開面は容易にしかも綺麗に切断され鏡面となる。 Cleavage plane is easily and cleanly cut the mirror. 劈開面であるから反射率が高い。 High reflectivity because it is the cleavage plane. サファイヤは劈開面がないから強制的に刃物で適当な面を切断する。 Sapphire is cut a suitable surface by forcing tool because there is no cleavage plane. 切断が難しく手間が掛かる。 Cutting is difficult time-consuming. さらに切断面は凹凸があるので研磨して反射率を高めている。 Further cut surface is increased reflectance polished because there is uneven. これを共振器ミラーとする。 This is referred to as a resonator mirror. 研磨による面であるからなお劈開面程でない。 Since a surface by the polishing still not as much as the cleavage plane. 反射率は低く閾値電流が高く損失も多くなる。 Reflectance becomes larger high loss low threshold current. 半導体レ−ザの場合の欠点はこのようである。 Semiconductor laser - drawback in the case of The is like this.
【0008】 [0008]
発光ダイオードを作る場合は面発光のため共振器が不要である。 It is not necessary for the surface-emitting resonator when making a light emitting diode. しかしサファイヤは劈開面がないためダイシングが難しくコスト高になる。 But sapphire will dicing difficult cost because there is no cleavage plane. 発光ダイオードの場合でも切断の困難は問題である。 Difficulty is the problem of cutting can be applied to a light-emitting diode. 自然の劈開面があれば余程楽にウエハからチップに分離できる。 If there is a natural cleavage plane to a large extent it can be comfortably separated from the wafer to chip. 劈開面の欠如がサファイヤ基板の最大の問題である。 The lack of cleavage surface is the biggest problem of the sapphire substrate.
【0009】 [0009]
そこで劈開面のあるSiCを基板として用いる事が研究されている。 Therefore the use of SiC with a cleavage plane as a substrate have been studied. SiCは格子定数もGaNに近似し硬くて耐熱性もありその上にGaNが成長する。 SiC has a lattice constant larger GaN on even there its in heat resistance hard approximate GaN is grown. 劈開面があるから自然劈開することもできる。 It is also possible to natural cleavage because there is a cleavage plane. しかしこれはなお研究室段階にとどまっている。 However, this still has remained in the laboratory stage. SiCは極めて高価な材料である。 SiC is a very expensive material. 大量に製造できず供給に難がある。 It can not be mass-produced a difficulty in supply. SiCを基板とするとコスト高になる。 The cost is high and the SiC is employed as the substrate. SiC基板のGaN発光素子を量産することはできない。 It can not be mass-produced GaN light emitting element of the SiC substrate. 既に流布しているサファイヤ基板GaN素子に打ち勝つ可能性は低い。 Already unlikely to overcome the sapphire substrate GaN devices are circulated.
【0010】 [0010]
サファイヤ基板を用いると、GaNとサファイヤの格子定数が違うので、エピタキシャル層中に多数の転位が生ずるという問題がある。 With sapphire substrates, since the lattice constant of GaN and sapphire it is different, there is a problem that a large number of dislocations in the epitaxial layer occurs. 現に現在市販されているGaNデバイスのGaNエピタキシャル層には10 cm −2程度の高密度の転位が含まれる。 The GaN epitaxial layer of GaN devices that are currently currently marketed include high dislocation density of about 10 9 cm -2. GaAs基板の場合例えば引き上げ法で作った基板には10 cm −2程度の転位がありエピタキシャル層ではもっと転位密度が小さい。 A substrate made in the case of GaAs substrate, for example pulling method is small more dislocation density 10 4 cm -2 order of dislocations there epitaxial layer. それでも欠陥密度が高すぎるとして無転位化が図られた。 Still dislocation as the defect density is too high is achieved. GaNは10 cm −2もの驚くべき高密度の欠陥密度があっても発光ダイオードとして機能する。 GaN is even with high-density defect density surprising 10 9 cm -2 things functions as a light emitting diode. 不思議な材料だといえる。 It can be said that the mysterious material. しかしGaNレ−ザの場合はそのような高密度の欠陥が寿命を強く制限しているのではないかと考えられている。 However GaN Les - such a high density of defects in the case of The It is believed that it would be strongly limits the life. レ−ザの場合駆動電流密度が高くて発熱も著しいからである。 Le - heating when the drive current density is high for The also because significant.
【0011】 [0011]
GaN青色発光素子において、GaNエピタキシャル層での欠陥密度は10 cm −2にも達するのは一つには基板がサファイヤだからである。 In GaN blue light emitting device, the defect density in GaN epitaxial layer is to be reached 10 9 cm -2 in part because the substrate is it sapphire. 基板がサファイヤで薄膜がGaNであるというへテロエピタキシャル成長をおこなっている。 Board is performing a hetero epitaxial growth of thin film in the sapphire is GaN. 結晶構造も違うし、格子定数も違う。 It is also different crystal structure, also different lattice constant. このような高密度の欠陥は発光ダイオードの場合はあまり差し支えない。 So no problem in the case of such high-density defects emitting diodes. 寿命も十分に長いからである。 Life is because long enough. しかしレ−ザダイオードの場合は、電流が大きいので発熱も激しく欠陥での発熱の不均一によって欠陥が拡大する可能性がある。 But Le - For The diode is likely to expand defects by uneven heating of vigorously defects heating since the current is large. サファイヤ上に後述のELO(Epitaxial Lateral Overgrowth)により低欠陥のGaN層を形成し、その上にレ−ザ素子構造を作る事により、レ−ザ寿命が延びることが確認されている。 Forming a GaN layer with a low defect by ELO below on a sapphire (Epitaxial Lateral Overgrowth), Les thereon - by making the laser device structure, Le - The lifetime that extends has been confirmed.
【0012】 [0012]
サファイヤ基板を使いつつ、より欠陥の少ないGaNをつくる、これが一つの方向である。 While using a sapphire substrate, it makes with less defect GaN, which is one of the directions. そのような指針にそって、最近、サファイヤ基板上にストライプ状窓を有するマスクを付け、その上からGaNを成長させるという試みがなされた。 Along such guidelines recently, with a mask having a stripe-shaped window on a sapphire substrate, it attempts to grow the GaN thereon have been made. これをエピタキシャルラテラルオーバーグロース(ELO)という。 This is called epitaxial lateral overgrowth (ELO).
電子情報通信学会論文誌C−II,vol. IEICE Transactions C-II, vol. J81−C−II、p58〜64 J81-C-II, p58~64
【0013】 [0013]
これによると従来のものよりも欠陥密度が低減したと言う。 According to this means a defect density is reduced than the conventional. 単結晶サファイヤ基板のある結晶軸方向に平行な幾つもの長窓を(ストライプ窓)を有するマスクを介してGaNを成長させる。 Number parallel to the crystal axis with the single-crystal sapphire substrate also grow GaN via a mask having a long window (stripe window) of. その方向をyとすると、窓の長辺はx=kΔ、x=(k+ε)Δ(kは整数、Δはx方向の周期、εΔは窓幅)によって簡単に示す事ができる。 When the direction is y, the long side of the window x = kΔ, x = (k + ε) Δ (k is an integer, delta is the period of the x-direction, .epsilon..DELTA the window width) can be shown simply by. すなわちストライプの方向がサファイヤの[11−2]又は[1−10]方向である。 That is, the direction of the stripe is [11-2] or [1-10] direction of sapphire. 成長抑制作用のある材料を使うのでマスクの上にはGaNは成長しない。 Since the use of growth inhibitory effect material on top of the mask is GaN does not grow. すると初めは長い窓に現れた下地のサファイヤ面に孤立した核が生ずる。 Then initially nuclei isolated in the sapphire surface of the base, which appeared in the long window occurs. その核からGaNが成長する。 GaN is grown from the nucleus. その方位は下地のサファイヤの結晶方位によって決まる。 Its orientation is determined by the crystal orientation of the underlying sapphire. マスクの平行窓を埋め尽くすように成長するとさらにその上方に結晶成長は持続する。 Further crystal growth thereabove to grow to fill the parallel windows of the mask lasts. マスクより上に出た結晶から成長面が横方向に伸びマスクの上にも結晶成長が起こる。 Crystal growth also on the growth surface from the crystals out on top than the mask is a mask extending in the horizontal direction occurs.
【0014】 [0014]
成長がさらに持続すると窓の長手方向と直角な方向に進展した隣接窓からのGaN結晶がやがて境を接するようになる。 Growth GaN crystal from the adjacent window so eventually abuts further that progress in the longitudinal direction perpendicular to the direction of sustained when windows. 方位は下地のサファイヤで決まるから同一である。 Orientation is the same because determined by the underlying sapphire. つまりGaNは単結晶なのである。 This means that GaN is of a single crystal. 隣接窓同士の結晶がそれまで相合しなかったのであるから内部応力が小さくそれまでの成長において欠陥は余り発生していない。 Defects in the growth of from crystals of adjoining windows to each other is than not congruent far Until small internal stress is not generated so much. 隣接結晶が合体したところで応力歪みが生ずるが割合としてはわずかである。 Although the stress-strain where the adjacent crystals were combined occurs is small as a percentage. さらに厚くGaN結晶を積んで行く事によって欠陥も減少する。 Also reduced defects by going laden with thicker GaN crystal.
【0015】 [0015]
ストライプマスクによって作ったGaN/サファイヤ結晶は、欠陥密度が低下したというものの、サファイヤは化学的、熱的に安定な物質であり、サファイヤのみを除去する方法がない。 GaN / sapphire crystal made by the stripe mask, although referred to as the defect density is lowered, sapphire is chemically and thermally stable material, there is no way to remove only sapphire. サファイヤを研磨除去する方法も考えられるが後述の反りのため研磨困難である。 Method of polishing removal of sapphire is conceivable but difficult polishing for warp below. 結局サファイヤをくっつけたまま使用するしかない。 After all there is no choice but to use while stuck a sapphire. すると従来の青色発光素子と同じように劈開できないという問題がある。 Then it is impossible to just as cleavage with conventional blue light emitting element. 基板のサファイヤとGaN薄膜の熱膨張率が違うから基板が反る、という問題もある。 Substrate is warped because sapphire and thermal expansion coefficient of GaN thin film of the substrate is different, there is a problem that. 基板が反るとリソグラフィによってパターンを正確に描出できない。 When the substrate is warped it can not be accurately visualized the pattern by lithography. レジストに書いたパターンが歪む。 Pattern wrote to resist is distorted. デバイスの製造工程に適さない、という難点もある。 Is not suitable for a device manufacturing process, there is also a disadvantage that. このような問題はサファイヤに付けたままの複合基板では解決できない。 Such problem can not be solved by a composite substrate that remains attached to the sapphire.
【0016】 [0016]
GaN素子の基板はなんと言ってもGaNが最も良い。 Substrate of GaN element is GaN is best to say the least. GaN単結晶の上にGaNエピタキシャル成長させると欠陥密度はより低減するであろう。 Defect density when to GaN epitaxially grown on the GaN single crystal will be further reduced. GaNは劈開面があるから劈開によってチップを切断できる。 GaN can cut chip by cleavage because there is a cleavage plane. ダイシングが容易になる。 Dicing is facilitated. しかも劈開面で切るから鏡面が得られてレ−ザとしての性能を高めることができよう。 In addition to the mirror surface is obtained because it is cut at a cleavage plane Les - will be able to enhance the performance of the as The. 機械的相性からしても物性的な相性からしてもGaN基板はサファイヤ基板に勝るであろう。 GaN substrate be from the physical properties of compatibility be from the mechanical compatibility will be over the sapphire substrate.
【0017】 [0017]
しかしチョコラルスキー法によってもブリッジマン法によってもGaN結晶を製造できない。 But it can not manufacture a GaN crystal by the Bridgman method by the Czochralski method. これらは液相と固相の平衡状態を維持しつつ結晶成長させるので大型結晶ができる。 Since they crystal growth while maintaining the equilibrium of the liquid and solid phases can large crystal. これら大型単結晶を製造するに適した方法が使えないのでGaN基板が製造できない。 Since processes for the preparation of these large single crystal is not available GaN substrate can not be manufactured. 超高圧を掛けると平衡状態を維持しつつ成長させることができるといわれている。 It is said that it is possible to grow while maintaining equilibrium with applying an ultra-high pressure. 超高圧で高温にしなければならないから容器が限られ極極小さい結晶しかできない。 Can only limited gulp small crystals container do not have to be high temperature at ultrahigh pressure. GaNは平衡状態から大型結晶ができない材料なのである。 GaN is of a material that can not be a large crystal from the equilibrium state. しかしそれにも拘らず本発明者は、やはりGaN基板を作るべきだと考える。 However, the present inventors have in spite of it, consider also that we should make a GaN substrate.
【0018】 [0018]
本発明者は、このような信念から、GaAs基板上にELOによりGaNを成長した後にGaAs基板をエッチング除去するという新しいGaN基板の作製法を編みだした。 The present inventors have, from such belief, a GaAs substrate after growing the GaN by ELO devised a method for preparing new GaN substrate that is removed by etching on a GaAs substrate. 適当な方位のGaAs基板にマスク材料を付け、リソグラフィによってストライプ状、あるいはドット状に窓を設ける。 With a mask material to the appropriate orientation of the GaAs substrate, stripe-shaped, or provided with a window in a dot shape by lithography. ストライプ状の窓を設けた場合は、反りが発生しやすいという欠点があるものの成長速度は速いという長所がある。 If provided with stripe-shaped window, the growth rate of the thing with the disadvantage that warpage is likely to occur has the advantage that fast. 千鳥ドット状の窓を開けたものは反りが小さいという長所がある。 Which opened the staggered dot-shaped window has an advantage that the warp is small. したがって、本発明の窒化ガリウム単結晶基板は上記いずれの方法を用いても得る事ができる。 Accordingly, the gallium nitride single crystal substrate of the present invention can be obtained even by using any of the above methods. ここではドット状窓を千鳥に設ける場合について説明する。 Here it will be described the case of providing a dot Jomado in a zigzag. ある方位に1辺を有する正三角形群の頂点の位置に窓を開ける。 Open the window at the position of the vertices of an equilateral triangle group having one side to a direction. 窓自体の形状は任意である。 Shape of the window itself is arbitrary. 正三角形の1辺の大きさdも任意であって数μm程度であってよい。 The size d of one side of the equilateral triangle may also be several μm order be arbitrary. ある方位yに1辺を有する正三角形によって面を埋め尽くし、その正三角形の頂点に窓を開けることが重要である。 Filled the surface by an equilateral triangle with one side to a direction y, it is important to open the window at the vertices of the equilateral triangle.
【0019】 [0019]
繰り返す正三角形パターンの三角形頂点に分布する点状の窓群である。 It is a point-shaped window Group distributed in a triangular apexes of an equilateral triangle pattern that repeats. そのような窓を通してGaAs面にGaNを気相成長させる。 GaN-GaAs surface through such a window is grown in vapor phase. 気相成長法は薄膜をエピタキシャル成長させる技術である。 Vapor deposition is a technique for epitaxial growth of a thin film. この技術を利用する事によりGaN大型基板を容易に得る事ができる。 By utilizing this technique it is possible to obtain a GaN large substrate easily.
【0020】 [0020]
ラテラル成長法は本発明者による特願平9−298300号、特願平10−9008号に説明してある。 Lateral growth method in Japanese Patent Application No. Hei 9-298300 by the present inventors, are described in Japanese Patent Application No. 10-9008. GaAs(111)A面またはB面にマスクを付け[11−2]方向に1辺を持つ正三角形群を想定しその正三角形頂点に窓を設ける。 GaAs (111) with a mask surface A or B surface [11-2] assuming an equilateral triangle group having one side in a direction providing a window on the equilateral triangle vertices. 図1はマスクの窓の配置を示している。 Figure 1 shows the arrangement of the windows of the mask. (111)A面というのは、Ga原子が面上に並んでいる面である。 (111) because A plane is the plane in which Ga atoms are arranged on the surface. 結晶方位のマイナス量については数字の上に−を付す事によって表すが特許明細書ではそのような表現ができないから、数字の前に−をつける。 Since it represents by subjecting unable such expressions in patent specification, before the number - - above a numeral for a negative amount of crystal orientation put. GaAs(111)A面に直交する2軸は[11−2]と[1−10]である。 Two axes perpendicular to the GaAs (111) A plane is a [11-2] and [1-10]. そこでy=[11−2]、x=[1−10]というふうに(111)面上に座標をとる。 So y = [11-2], take the coordinates (111) plane Fu that x = [1-10]. 三角形の1辺をdとすると、窓は【0021】 When one side of the triangle is d, the window [0021]
第1群 x=3 1/2 kd, y=hd (1) The first group x = 3 1/2 kd, y = hd (1)
第2群 x=3 1/2 (k+0.5)d, y=(h+0.5)d (2) Group 2 x = 3 1/2 (k + 0.5 ) d, y = (h + 0.5) d (2)
【0022】 [0022]
ここにk、hは整数である。 Here k, h is an integer. 一つの窓は6つの最近接窓を持つ。 One of the window has six nearest window. その方向の単位ベクトルは、(±3 1/2 /2,±1/2)、(0,±1)である。 Unit vector in that direction is the (± 3 1/2 / 2, ± 1/2), (0, ± 1).
【0023】 [0023]
これら正三角形の頂点に窓を開けてGaAs面からGaNを成長させると、窓で孤立した核発生をして、c軸を上として、GaAs[1−10]方向とGaN[1−210]方向とを平行にして成長する。 When growing GaN from the vertex GaAs surface by opening a window in these equilateral triangle, and the isolated nucleation windows, as the upper c-axis, GaAs [1-10] direction and a GaN [1-210] direction door to growth in the parallel. GaAsの結晶方位と同じ向きの結晶が成長する。 Crystal of the same orientation as the GaAs crystal orientation is grown. マスクには成長しない。 The mask does not grow. 窓の厚みだけ成長すると窓の上に回り込み横向きにGaNが結晶成長する。 To grow by the thickness of the window GaN sideways sneak on top of the window is crystal growth. ある窓の廻りには6つの最近接窓がある。 Is around of a window there are six of the nearest window. 最近接窓に向かって等速で結晶成長するので正六角形状に結晶が広がって行く。 Since the crystal growth at a constant speed toward the nearest window spread is crystal in regular hexagonal shape. 図2はその途中の状態をしめす。 Figure 2 show the intermediate states. 窓からGaNが正六角形で成長してゆく。 GaN Yuku is growing at a regular hexagon from the window. つまり結晶の最先端の面は、最近接原子間に引いた線分の垂直二等分線に平行になる。 That leading edge of the surface of the crystal is parallel to the perpendicular bisector of the line segment drawn between the nearest atoms. 全ての窓から正六角形状に結晶が肥大してくるから、同時に全周において結晶が接触する。 Since the crystals regular hexagonal from all windows come enlarged, crystals are in contact all around the same time. 図3にこれをしめす。 This is shown in Figure 3. ほぼ同時接触ということが重要である。 It is important that the nearly simultaneous contact. その後は上向きに厚みを増やすように結晶は成長する。 Then the crystal so as to increase the thickness upwards grows.
【0024】 [0024]
反対にいえば正六角形の繰り返しによって基板面を覆った場合正六角形の中心に当たる位置を窓とする。 Speaking to oppose the position corresponding to the center of the regular hexagon when covering the substrate surface by the regular hexagonal repeat the window. GaAs(111)A面においてGaNが核発生して六角形に広がるときその1辺はy軸に直角である。 GaAs (111) one side thereof when GaN in the A face spreads hexagon and nucleation is perpendicular to the y-axis. 残りの辺はy軸に対して30゜をなす。 The remaining sides forms a 30 ° to the y-axis. (111)A面で正六角形成長するがその1辺が[11−2]に直角だということである。 (111) is a regular hexagon grown A surface but one side thereof is that it's perpendicular to the 11-2. 残りの辺は[2−1−1]、[−12−1]である。 The remaining sides [2-1-1], - a [12-1]. この方位は全てGaAs結晶の方位である。 All this orientation is the orientation of the GaAs crystal.
【0025】 [0025]
その上にエピタキシャル成長したGaNの方位は、これとは違う。 GaN orientation epitaxially grown thereon, different from this. GaAsは閃亜鉛鉱型(zinc blende)立方晶系である。 GaAs is a zinc blende type (zinc blende) cubic. GaNは六方晶系であるから4つのパラメータ(klmn)によって方位を表現する。 GaN is expressed orientation by four parameters (Use klmn) because it is hexagonal. このうちk、l、mは一平面でのパラメータであり独立でない。 Among k, l, m are not independent are parameters in one plane. これは互いに120゜をなす主軸(a、b、dとする)を面が切るときその軸を切断した値の逆数がk、l、mである。 This is the inverse of a value obtained by cutting the axis k, l, m when the spindle (a, b, and d) is a plane cut forming a 120 ° to each other. k+l+m=0という規則がある。 There is a rule that k + l + m = 0. nはc軸を切る値の逆数である。 n is the reciprocal of a value to cut the c-axis. c軸はこれらの面(a、b、d面)に垂直であり、c軸廻りに6回対称性がある。 c-axis is perpendicular to these surfaces (a, b, d surface), there is a 6-fold symmetry in the c-axis around. GaAsの[111]軸とGaNのc軸を平行にするような結晶成長が行われる。 Crystal growth so as to collimate the c-axis of [111] axis and GaN of GaAs is performed. GaAs(111)面は3回対称性があるから、その上に6回対称性の方位にGaNを載せている。 Since GaAs (111) plane has three-fold symmetry, which lists GaN on orientations of 6-fold symmetry thereon. GaAs(111)面にGaNのc軸が直交する。 c-axis of GaN is perpendicular to the GaAs (111) surface. GaAs(111)面に、GaN(0001)面が平行である。 The GaAs (111) plane, GaN (0001) plane is parallel. GaAsの[11−2]方向(y軸)に、GaN[10−10]が平行である。 The GaAs of [11-2] direction (y-axis), GaN [10-10] is parallel. GaAsの[−110]方向(x軸)にGaNの[1−210]が平行である。 Are parallel [110] direction (x-axis) [1-210] of GaN on the GaAs.
【0026】 [0026]
このようなELOを用いたGaN基板の製造プロセスを本発明者が開発し、かなり厚いGaN単結晶をGaAs基板上に成長させる事に成功した。 This kind of ELO inventors the manufacturing process of the GaN substrate is developed using, succeeded fairly thick GaN single crystal can be grown on a GaAs substrate. さらにGaAs基板をエッチング除去し、GaNの自立膜を得た。 Furthermore the GaAs substrate is removed by etching, to obtain a GaN free-standing film.
【0027】 [0027]
図4はGaNのエピタキシャル成長の過程を示す。 Figure 4 shows the process of the epitaxial growth of GaN. 図4(1)はGaAs基板にマスクを付け窓を開けた状態である。 4 (1) is a state in which the opening windows with a mask on the GaAs substrate. 図4(2)はマスクの窓の部分に低温でGaNバッファ層を成長させた状態を示す。 4 (2) shows a state in which grown GaN buffer layer at a low temperature portion of the window of the mask. 図4(3)はさらにGaNを堆積させ、厚みを増やしたものを表す。 4 (3) causes further deposition of GaN, represents those increased thickness. 低温で成長させたバッファ層は微結晶のGaNであるが、高温でGaNを成長させる過程で積層欠陥の多い結晶となるのでバッファ層を明示していない。 The buffer layer grown at a low temperature is a GaN microcrystal but not clearly buffer layer since the large crystals stacking faults in the process of growing GaN at a high temperature. 時間をかけてエピタキシャル成長し厚い結晶を作製する。 Over time to produce the epitaxially grown thick crystal. その後、GaAsをエッチング除去する。 Thereafter, the GaAs is etched off. マスクの部分は研磨によって除く。 Portion of the mask is removed by polishing. そうするとGaNの自立結晶ができる。 Then it is GaN free-standing crystal. 十分な厚みがあるからGaN基板となる。 The GaN substrate because there is sufficient thickness. これまで大型GaN単結晶が存在しないから基板にできなかったのであるが、この発明によってGaN基板の可能性が現実性を帯びてきたのである。 Than is large GaN single crystals can not be not present in the substrate to this, the possibility of the GaN substrate by the present invention is to have tinged with reality. しかし、自立膜が得られたといっても未だ厚み、強度、大きさ、反り等の克服すべき問題がある。 However, still the thickness to say that self-supporting membrane is obtained, strength, size, there is a problem to be overcome, such as warpage.
【0028】 [0028]
【発明が解決しようとする課題】 [Problems that the Invention is to Solve
ここで取り上げるのは伝導型である。 Is a conduction type of pick up here. 従来GaN薄膜はMOCVD法でつくられた。 Conventional GaN thin films were made by the MOCVD method. GaNエピタキシャル層をn型にするためSiをドープしていた。 The GaN epitaxial layer has been doped with Si to the n-type. Siを含む気体化合物でもっとも入手しやすいものはシランガス(SiH )である。 Most those accessible with gaseous compounds containing Si is silane gas (SiH 4). しかしシランガスは爆発しやすい危険なガスである。 But silane gas is a dangerous gas that is easy explosion. できれば使用したくない。 I do not want to use if possible. より安全でしかも活性化率が高いn型ドーパントが望まれる。 Safer, yet activation rate is desired a higher n-type dopant.
【0029】 [0029]
通常GaNエピタキシャル成長層は、ノンドープでn型の伝導型を示す。 Usually GaN epitaxial layer, an n-type conductivity type non-doped. ここでラテラル成長法によって作製したGaNもノンドープであってもn型の電子伝導型を示す。 Here shows an electron conduction type GaN also of n-type even undoped produced by lateral growth method.
【0030】 [0030]
ノンドープであるのにどうしてn型なのか? Why the n-type of the to a non-doped? ノンドープGaNの伝導型を決めるものはいったいなにか? Something on earth is intended to determine the non-doped GaN conductivity type? 一歩進んでキャリア濃度を増減するにはどうすればよいのか? How can I increase or decrease the carrier concentration progressed one step? これが本発明の課題である。 This is an object of the present invention. n型伝導の原因はなにか? What is the cause of the n-type conduction? さまざまの可能性がある。 There are a variety of possibilities. 空格子なのか? Or vacancy of the? 水素が混入したからか? Maybe because hydrogen is mixed? 炭素原子のせいなのか? Whether such because of the carbon atom? そのほかの元素が不純物として混入しているからか? The one from the other elements are mixed as impurities?
【0031】 [0031]
半導体は意図的に不純物を加えない場合必ず真性半導体(n=p)になるかというとそうではない。 The semiconductor is not the case and say whether always be an intrinsic semiconductor (n = p) the absence of added intentionally impurities. ノンドープであっても何れかの伝導型になるものが多い。 Made either conductivity type even undoped often. ノンドープSiはn型になる。 The non-doped Si is n-type. GaAsは意図的に不純物を入れないとn型を呈する。 GaAs exhibits the n-type and not intentionally put the impurities. GaNはノンドープであるとn型半導体である。 GaN is an n-type semiconductor and a non-doped. どうしてドーパントを入れないのにn型になるか? Why become an n-type to not put the dopant? これが未だに不明である。 This is still unknown. ノンドープであるのにn型になるGaNの伝導機構を明かにし伝導制御する方法を提供することが本発明の第1の目的である。 It is a first object of the present invention to provide a method of conducting control to clear the GaN conduction mechanism comprising a n-type to a non-doped. さらにn型キャリア濃度を制御したGaN単結晶を提供することが本発明の第2の目的である。 It is a second object of the present invention further provides a GaN single crystal by controlling the n-type carrier concentration.
【0032】 [0032]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
n型をGaN結晶に与えているのは酸素である。 What gives the n-type to GaN crystal is oxygen. 酸素をドープしなくてもガス中に不純物として酸素が含まれる。 Without oxygen doped contains oxygen as an impurity in the gas. この酸素がGaN結晶の中で電子を供出するn型ドーパントとして機能することを本発明者は突き止めた。 The oxygen present inventors to function as an n-type dopant for dispensing the electrons in the GaN crystal was discovered.
【0033】 [0033]
例えばHVPE法(ハライド気相成長法)でGaNをエピタキシャル成長させる場合、原料はGa金属、塩化水素HCl、アンモニアNH である。 For example, when the GaN is epitaxially grown by HVPE (halide vapor phase epitaxy), the raw material is Ga metal, hydrogen chloride HCl, ammonia NH 3. 酸素は原料中に含まれないはずである。 Oxygen should not be included in the raw material. それにも拘らず、GaNエピタキシャル層はn型である。 Nevertheless, GaN epitaxial layer is n-type. 原料ガスに不純物として含まれる酸素がGaNをn型にするのである。 Oxygen contained in the raw material gas as an impurity is to a GaN n-type.
【0034】 [0034]
GaN結晶に於いて酸素がn型ドーパントであり、意図的に酸素を付加しなくてもn型の伝導性を示す。 Oxygen is an n-type dopant at the GaN crystal, intentionally without adding oxygen exhibits n-type conductivity. という事はGaNの伝導型を自在に与えるには原料ガスなどに含まれる酸素不純物を厳密に制御しなければならない、ということである。 It must be tightly controlled oxygen impurity contained the like in the raw material gas to give freely GaN conductivity type is that referred to. 原料ガスには思いの他大量の酸素が不純物として含まれているのである。 The raw material gas is the other large amounts of oxygen of thought has been included as an impurity. 酸素が別段GaNに於いて何の役割もないのであれば酸素の混入は差し支えない事である。 Oxygen is that no problem is contamination of oxygen as long as there is no role at the otherwise GaN. ところが本発明者の実験によれば酸素がGaNのn型ドーパントとして機能しているという事があきらかになった。 However, the fact that oxygen is functioning as an n-type dopant of GaN According to the experiments conducted by the present inventors has revealed.
【0035】 [0035]
そこでn型GaN基板としてはドーパントとして酸素を採用する。 So as the n-type GaN substrate employing oxygen as a dopant. これが本発明の骨子である。 This is the gist of the present invention. 酸素は後に述べるようにn型ドーパントとして殆ど100%の活性化率を示す。 Oxygen represents 100% activation rate nearly as n-type dopant as described later. これは酸素がn型ドーパントとして優れていると言う事である。 This is to say that oxygen is excellent as an n-type dopant.
浅いドナー準位を形成するのであろう。 It would form a shallow donor level.
【0036】 [0036]
しかも広い範囲で酸素は高い活性化率を示す。 Moreover oxygen exhibits a high activation rate in a wide range. 1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3の範囲で酸素はn型ドーパントであり、活性化率が高い。 1 oxygen in the range of × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm -3 and an n-type dopant, a high activation rate. これによって得られるn型基板のキャリア濃度は、1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3となる。 This carrier concentration of the n-type substrate obtained by becomes 1 × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm -3.
【0037】 [0037]
原料ガスとして有機金属を使用した場合、具体的にはMOCVDや、有機金属気相成長法などがあるが、この場合、メチル基の分解により炭素が結晶中に取り込まれ、炭素不純物として存在する事が知られている。 When using an organic metal as a raw material gas, specifically or MOCVD, there is a metal organic vapor phase epitaxy, in this case, carbon is incorporated into the crystal by the decomposition of methyl groups, it exists as carbon impurities It has been known. 発明者らの研究によれば、炭素は電気特性においてキャリアの発生に対しては不安定で、成長条件によってはn型キャリアが発生しドナーとなることがわかっている。 According to the inventors' studies, carbon is unstable with respect to generation of carriers in the electrical characteristics, n-type carrier is found to be generated donors by growth conditions. また、発明者らの研究によれば炭素濃度が高く1×10 18 cm −3以上になると、フォトルミネッセンス強度が低下する事も明らかになっている。 Further, when the carbon concentration of 1 × 10 18 cm -3 or more higher According to the inventors' studies, photoluminescence intensity is revealed also be reduced. これらの状況において、酸素キャリアを有効に機能させるためには、炭素濃度を1×10 18 cm −3以下、好ましくは10 17 cm −3以下に制御するのが望ましい。 In these circumstances, in order to function effectively the oxygen carrier, the carbon concentration of 1 × 10 18 cm -3 or less, preferably desirable to control the 10 17 cm -3 or less. GaAs基板上に成長させる場合、この制御が可能である事がわかった。 When grown on GaAs substrates, it was found to be capable of this control.
【0038】 [0038]
【発明の実施の形態】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
GaNのエピタキシャル成長方法としては、4つの方法が知られている。 As the epitaxial growth method of a GaN are known four methods.
1. 1. HVPE(Halide Vapor Phase Epitaxy)塩化物気相成長法2. HVPE (Halide Vapor Phase Epitaxy) chloride vapor phase growth method 2. MOC(Metallorganic Chloride Vapor Phase Epitaxy)有機金属塩化物気相成長法3. MOC (Metallorganic Chloride Vapor Phase Epitaxy) organic metal chloride vapor phase growth method 3. MOCVD(Metallorganic Chemical Vapor Phase Deposition)有機金属CVD法4. MOCVD (Metallorganic Chemical Vapor Phase Deposition) metal organic CVD method 4. 昇華法【0039】 Sublimation method [0039]
塩化物気相成長法は、Ga金属を原料とする。 Chloride vapor phase growth method, the Ga metal as a raw material. Ga+HCl→GaClという反応で一旦GaClを作り、アンモニアNH とGaClの反応によって、GaNを生成する。 Once it created a GaCl by reaction of Ga + HCl → GaCl, by reaction of ammonia NH 3 and GaCl, to produce a GaN. GaClを作るので塩化物というのである。 Is because chloride since making the GaCl. MOCはGaの有機金属Ga(CH を原料とする。 MOC will organometallic Ga (CH 3) 3 and Ga as the raw material. Ga(CH +HCl→GaClと言う反応で一旦GaClを作る。 Ga (CH 3) once make a GaCl in the 3 + HCl → GaCl say reaction. アンモニアNH とGaClの反応によってGaNを合成する。 Synthesizing GaN by the reaction of ammonia NH 3 and GaCl. これによってGaAs基板上に900℃以上の高温で、高品質のGaNをエピタキシャル成長させているのは本出願人だけである。 Thus at a high temperature of at least 900 ° C. on a GaAs substrate, is only present Applicant's have a high quality of GaN is epitaxially grown.
【0040】 [0040]
MOCVD法はGaの有機金属Ga(CH を原料とする。 MOCVD method to the organometallic Ga (CH 3) 3 and Ga as the raw material. NH と直接に反応させて、Ga(CH +NH →GaNと言う反応を起こさせる。 Directly reacted with NH 3, causing a reaction called Ga (CH 3) 3 + NH 3 → GaN. GaNのエピタキシャル成長は現在殆どこの方法によって行われている。 GaN epitaxial growth is being carried out by the current most this method.
【0041】 [0041]
本発明は1、2の方法には適する。 The present invention is suitable for methods 1 and 2. しかし最も普通に行われている3のMOCVD法には不適であることが分かった。 However, the most commonly 3 of the MOCVD method has been carried out was found to be unsuitable. この方法は有機金属Gaを原料に使う。 This method uses an organic metal Ga in the raw material. しかも一旦GaClを作るという工程がない。 Moreover, there is no process that once make a GaCl. そのために、有機金属の構成元素である炭素がGaNエピタキシャル層に混入する。 Therefore, carbon as an element of the organic metal is mixed into the GaN epitaxial layer. 言い換えると、炭素濃度を10 18 cm −3以下に保ち且つ高品質のGaNを得ようとするとき、MOCVD法では成長速度が遅すぎて、経済的にHVPE法、MOC法に対抗できない。 In other words, when trying to obtain a and high-quality GaN of keeping the concentration of carbon 10 18 cm -3 or less, in the MOCVD method the growth rate too slow economically HVPE method, can not compete with MOC method. 炭素もn型或いはp型の不純物として作用するらしい。 Carbon also appears to act as an n-type or p-type impurity. 炭素が含まれると電子数(n型キャリア)と酸素数の間に正比例関係が成り立たない場合がある。 In some cases is not established directly proportional relationship between the number of oxygen is contained carbon number of electrons and (n-type carrier). 酸素がn型ドーパントとして機能し、電子と酸素数が比例するのは炭素がほとんど存在しない(10 18 cm −3以下)場合である。 Oxygen acts as an n-type dopant, the electrons and the number of oxygen is proportional is the case almost no carbon (10 18 cm -3 or less). 炭素がGaN中で酸素といかなる関係にあるのかは未だはっきりしない。 Carbon is still not clear whether there oxygen and any relationship in GaN. しかし炭素がきわめて少ないことが酸素によるn型キャリア制御の条件になる。 But very little carbon is a condition of n-type carrier control by oxygen.
【0042】 [0042]
それゆえ、本発明は、GaClを経由してGaNを生成するHVPE法かMOC法が適する。 Thus, the present invention is, HVPE method or MOC method produces a GaN are suitable via GaCl. いずれも炭素がGaNにまったく含まれないか極ごく僅かしか含まれず、酸素ドーパントとキャリアの数が比例する。 Both carbon not contain any included either not very negligible in GaN, proportional number of oxygen dopant and carrier. 意図的に酸素ドープ量によりn型キャリアを制御するには、原料中の酸素の量を正確に規定できることが必要である。 To control the n-type carrier by intentionally oxygen doping amount, it is necessary to the amount of oxygen in the feed can be defined accurately. 原料は精製して酸素、水を除く。 Raw materials except purified oxygen, the water. 酸素、水が検出限界以下になるまで精製してから原料に所望のキャリア数になるよう酸素を含ませる。 Oxygen, water to include oxygen so that the desired number of carriers on the raw material from purified to below the detection limit.
【0043】 [0043]
酸素をドープするために、酸素ガス、水などを利用できる。 To dope oxygen available oxygen gas, water and the like. 酸素ガス、水を原料ガスのいずれに含ませても良いはずであるが、おのずと原料ガスにも適不適がある。 Oxygen gas, but should water may be included in any of the raw material gas, there is appropriateness to naturally feed gas. MOCもHVPEもHClガスを用いる。 MOC also HVPE also with HCl gas. 実際には水素+HClとして用いる。 In practice, use as hydrogen + HCl. アンモニアNH も気体である。 Ammonia (NH 3) is also a gas. この3種類の気体原料のうちHClに酸素、水を含ませるのが最も有効である。 Oxygen HCl Of these three gas material, that the inclusion of water is most effective. 酸素、水は、HClに含まれるとGa金属、Ga有機金属と反応してGa Oを形成し、ためにGaN結晶中に有効に取り込まれる、と考えられる。 Oxygen, water, to be within the HCl Ga metal, reacts with Ga organometallic forming a Ga 2 O, are effectively incorporated into the GaN crystal to be considered.
【0044】 [0044]
また、他に酸素をドープするのに有効な方法として、NH ガス中に酸素及び水を含ませることも効果があることを確認した。 Further, as an effective way to other doping of oxygen, it was confirmed that there was also effective to include oxygen and water NH 3 gas. NH ガスは、NH +水素ガスとして、水素ガスで希釈して用いる。 NH 3 gas, a NH 3 + hydrogen gas is used by diluting with hydrogen gas. このガス中に、酸素、あるいは水を気体として加える。 This gas is added oxygen, or water as a gas. この方法の実施にあたっては、酸素、水を含んだ水素ガスを、アンモニアガスと混合することが容易であり効果がある。 In practice of the method, oxygen, a hydrogen gas containing water, there is the effect can be easily mixed with the ammonia gas.
【0045】 [0045]
本発明によって、GaN結晶に関し、高精度に電気伝導性の制御を行う事が可能になる。 The present invention relates to a GaN crystal, it becomes possible to control the electrical conductivity with high accuracy. 酸素濃度が1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3の範囲でって、n型キャリア濃度が1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm− の範囲のGaN結晶を作る事ができる。 Oxygen concentration I the range of 1 × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm -3, n -type carrier concentration of 1 × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm- 3 range of GaN crystal it can make. 酸素濃度、キャリア濃度は好ましくは5×10 17 cm −3 〜5×10 19 cm −3である。 Oxygen concentration, the carrier concentration is preferably 5 × 10 17 cm -3 ~5 × 10 19 cm -3. より好ましくは1×10 18 cm −3 〜1×10 19 cm −3である。 More preferably 1 × 10 18 cm -3 ~1 × 10 19 cm -3. キャリア濃度が高いと抵抗率が下がり良好である。 Carrier concentration is good edge is high, the resistivity. 一方、酸素濃度が高すぎると結晶性が低下する。 On the other hand, the crystallinity is reduced and the oxygen concentration is too high.
【0046】 [0046]
GaNは従来サファイヤ基板の上にMOCVD法によってつくられていた。 GaN was made by MOCVD method on a conventional sapphire substrate. その場合n型ドーパントはSiであり、シランガス(SiH )がドーピングガスとして使われる。 In this case n-type dopant is Si, silane gas (SiH 4) is used as the doping gas. しかしシランガスは危険なガスである。 But silane gas is a dangerous gas. 本発明はそのような危険なガスを使う事なくn型GaN結晶をつくることができる。 The present invention can be made an n-type GaN crystal without using such dangerous gas. ただしガラス容器からSiがGaN単結晶中に混入する。 However Si is mixed in GaN single crystal from the glass container. あるいは原料ガス中不純物としてGaN結晶中に混入する。 Or mixed into GaN crystal as a material gas impurities. この量は制御困難である。 This amount is difficult to control. GaN中のSi含有量を低減することが重要である。 It is important to reduce the Si content in the GaN. 1×10 17 cm −3以下であることが必要である。 It is required to be 1 × 10 17 cm -3 or less.
【0047】 [0047]
【実施例】 【Example】
[実施例1:GaN/GaAs:HVPE法、3種類のHClガス] Example 1: GaN / GaAs: HVPE method, three kinds of HCl gases]
GaAs(111)A面基板上に、SiO 絶縁膜を一様に形成した。 The GaAs (111) A-plane substrate was uniformly formed a SiO 2 insulating film. フォトリソグラフィによって点状の窓を規則的に多数設けたマスクを形成した(図1)。 Forming a mask provided many regularly punctate windows by photolithography (FIG. 1). 点状の窓一つは2μm角である。 Point-like window one is a 2μm angle. GaAs基板の<11−2>方向に4μmピッチ(=d)で1列に並べる。 In the GaAs substrate <11-2> direction 4μm pitch (= d) arranged in a row. その列から3.5μm(=3 1/2 d/2)離れた位置に半ピッチずらせて、同じピッチで別の点状窓を1列に並べる。 Its 3.5μm from the column (= 3 1/2 d / 2) by shifting a half pitch away, arranging the separate point-like windows in a row at the same pitch. 以下同様の繰り返しの点状窓を配置したマスクを作製する。 Preparing a mask arranged similar repetitive punctate window below. つまり点状窓の中心を結ぶと<11−2>方向に一辺をもつ一辺4μmの正三角形の群になる。 That is, when connecting the centers of the point-like window becomes an equilateral triangle group of side 4μm with one side in the <11-2> direction.
【0048】 [0048]
その後、HVPE法により、約490℃の低温において、マスク/GaAsの上にGaNからなるバッファ層を80nm形成した。 Thereafter, by HVPE, at low temperatures of about 490 ° C., a buffer layer made of GaN on the mask / GaAs was 80nm formed. さらに昇温し920℃〜1050℃の高温において、GaNエピタキシャル層を約200μmの厚みに形成した。 In still hot was raised 920 ° C. to 1050 ° C., it was formed to a thickness of about 200μm the GaN epitaxial layer.
【0049】 [0049]
つまり成長条件は(GaNバッファ層) 490℃ 80nm That growth conditions (GaN buffer layer) 490 ° C. 80 nm
(GaNエピタキシャル層) 920℃〜1050℃ 200μm (GaN epitaxial layer) 920 ℃ ~1050 ℃ 200μm
である。 It is.
【0050】 [0050]
この成長の初期においてマスクの窓(2μm角)の中のGaAs表面上に孤立したGaN結晶の核ができる。 Nucleus of GaN crystal isolated on a GaAs surface in the windows of the mask in the early this growth (2 [mu] m square) is possible. 核から次第にGaN結晶がマスク上を表面方向に広がって行くが核と方位は一致するので下地のGaAsと所定の方位関係となる(図2)。 While gradually GaN crystal from the nucleus spreads over a mask on the surface direction nucleus and orientation is the underlying GaAs and the predetermined orientation relationship because match (Figure 2). 結晶の対称性にしたがって六角形状に広がって行く。 It will spread to the hexagonal shape in accordance with the symmetry of the crystal. 結晶の方位は窓内の結晶方位に一致するはずである。 Orientation of the crystal should match the crystal orientation of the window. やがて隣接した窓から孤立して成長したGaN結晶が接触するようになる(図3)。 GaN crystal grown in isolation from adjacent windows come into contact before long (Figure 3). 正三角形の配列の窓から六角形状に等速度に広がって来たものが接触するので接触面は蜂の巣のような六角形の繰り返しになる。 Contact surface so that the window of an array of equilateral triangle came spread constant speed hexagonal contacts becomes hexagonal repeat like honeycomb. こうしてさらに厚膜化してゆく。 Slide into further thickened this way.
【0051】 [0051]
この実施例でHVPE(HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY)法というのは、常圧の反応炉内部にGaメタルを入れたボートを収容し、Gaボートを800℃以上に加熱しておき、HClガスを流して、GaClを合成し、基板付近に流されているNH と反応させ、基板上にGaNを成長させるものである。 Because HVPE (HALIDE VAPOR PHASE EPITAXY) method in this example, to accommodate a boat containing Ga metal inside the reactor atmospheric pressure, kept heated the Ga boat above 800 ° C., by flowing HCl gas , to synthesize GaCl, is reacted with NH 3 being flowed around the substrate, it is intended to grow the GaN on the substrate. キャリアガスは全て水素である。 All carrier gas is hydrogen.
【0052】 [0052]
図5に概略の装置構成を示す。 It shows the device structure of schematically in FIG. 縦長の反応炉1の廻りには円筒状のヒ−タ2が設けられる。 Vertical reactor 1 of cylindrical heat is around - motor 2 is provided. 反応炉1の上方には原料ガス入口管3、4が差し込まれている。 The raw material gas inlet pipe 3, 4 is inserted above the reactor 1. 短い方の原料ガス入口管3の直下にGa溜5がある。 Shorter there is Ga reservoir 5 directly below the raw material gas inlet pipe 3. ここにはGa6が溶融状態で収容される。 Here Ga6 is accommodated in the molten state. 反応炉1の下方には、サセプタ7がシャフト8によって昇降回転自在に支持される。 The downward reactor 1, a susceptor 7 is lift rotatably supported by the shaft 8. サセプタ7の上にGaAs基板9が戴置してある。 GaAs substrate 9 on the susceptor 7 are to the placing. 反応炉1の下方には排気口10があり真空排気装置によって真空に引かれている。 The lower the reactor 1 is evacuated by an exhaust port 10 has evacuation device. 原料ガス入口3から、HCl+H ガスが導入される。 From the raw material gas inlet 3, HCl + H 2 gas is introduced. これが溶融状態のGa6と反応する。 This reacts with Ga6 molten. 原料ガス入口4から、アンモニアNH +H ガスが導入される。 From the source gas inlet 4, ammonia NH 3 + H 2 gas is introduced.
【0053】 [0053]
反応式は、2Ga+2HCl→2GaCl+H である。 Scheme is a 2Ga + 2HCl → 2GaCl + H 2 . 金属Gaを原料とする。 The metal Ga as a raw material. 金属であって気体にはならないから塩化水素によって一旦Gaの塩化物GaClを作る。 A metal temporarily making chloride GaCl and Ga with hydrogen chloride do not become a gas. これは高温では蒸気になり水素によって運ぶことができる。 This can be carried by the hydrogen becomes steam at high temperature. 塩化物のGa原料を使うからハライドVPEというのである。 It is because the halide VPE from using the Ga raw materials of chloride. Ga→GaClとなり、有機金属を使わない。 Ga → GaCl next, do not use an organic metal. エピタキシャル法の違いはGaを与える形態の違いにある。 Of the epitaxial method difference lies in the difference of form which gives Ga. 窒素の原料としては気体であるアンモニアNH を用いる。 As the raw material of nitrogen with ammonia NH 3 is a gas. その他の方法でもアンモニアを使う点は同じである。 The point to use the ammonia also in other ways is the same.
【0054】 [0054]
ここでHClガスはつぎの3種類のものを使用した。 Here HCl gas used was of 3 types follows.
(a)不純物として水を約2000ppm含んだHClガス(b)不純物として水を約150ppm含んだHClガス(c)精製を繰り返した高純度のHClガス【0055】 (A) water approximately 2000ppm inclusive HCl gas as an impurity (b) high purity HCl gas [0055] that repeated water about 150ppm inclusive HCl gas (c) Purification as impurities
先述のようにHClガスは不純物として通常酸素、水を含んでおり酸素、水を除くためには何度も精製を繰り返さなければならない。 Normoxia HCl gas as an impurity as described above, contains water oxygen, to remove the water must be repeated purified many times.
【0056】 [0056]
GaAsウエハを反応炉から取り出すと、鏡面状にGaN膜が連続膜を形成してしていた。 Upon removal of GaAs wafers from the reactor, GaN films had to form a continuous film on the mirror-like. これはGaN/GaAs構造であるから、王水に入れて、GaAs基板を溶解除去した。 Since this is GaN / GaAs structure, placed in aqua regia, to dissolve and remove the GaAs substrate. 残ったのはGaN膜である。 The remaining one is a GaN film. これは厚さが約200μmあるので自立膜である。 This is a free standing film because the thickness there about 200μm. GaN自立膜が得られたのである。 Is the GaN free-standing film was obtained. 単結晶であり、結晶成長等のGaN基板とすることができる。 A single crystal can be a GaN substrate, such as a crystal growth.
【0057】 [0057]
HClについて(a)〜(c)の条件で複数枚のGaN基板を作製し、酸素濃度Oとキャリア濃度nを測定した。 A plurality of GaN substrates were prepared under the conditions of (a) ~ (c) for HCl, and measuring the oxygen concentration O and the carrier concentration n. 酸素濃度はSIMS(Secondary Ion-Mass Spectrography)によって測定した。 Oxygen concentration was measured by SIMS (Secondary Ion-Mass Spectrography). これは不活性ガスのイオンを出力に当てて二次イオンを発生させ質量別に発生量を調べて表面に存在する元素の比率を求めるものである。 This is what determining the ratio of the elements existing on the surface by examining the generation amount by mass to generate secondary ions against the output ions of inert gas. キャリア濃度はHall測定によっている。 The carrier concentration are by Hall measurement.
【0058】 [0058]
精製したHClガスにも酸素、水は含まれている。 In purified HCl gas oxygen, water is included. またキャリアガスの水素にも酸素、水が幾分含まれる。 Also the hydrogen carrier gas oxygen, water is contained somewhat. 窒素源であるアンモニアにも酸素、水がわずかに含まれる。 Ammonia in oxygen is also a nitrogen source, water is included in the just. そういう訳で(c)のHClを用いたGaNでも、やはり僅かな酸素が含まれる。 Even GaN with HCl (c), in such, includes also a slight oxygen.
【0059】 [0059]
[実施例2:GaN/GaAs:HVPE法、水添加HClガス] Example 2: GaN / GaAs: HVPE method, water is added HCl gas]
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。 To produce GaN crystal on a GaAs substrate by the same method as in Example 1. つまりマスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点は同じである。 That that generates a GaN buffer layer and the GaN epitaxial layer by HVPE with the mask is the same. HClガスが少し違う。 HCl gas is a little different. HClガスはキャリアとしての水素ガスとともにGaに供給するのであるが、キャリアガスに水を含ませる。 Although HCl gas is to supply to the Ga with hydrogen gas as a carrier, the carrier gas to include water. 水をガスに添加する事によって意図的に酸素をGaClに含ませることができる。 Water can be included intentionally oxygen by the addition to the gas GaCl.
【0060】 [0060]
(d)繰り返し精製した高純度HClガス(e)超純水を入れたバブラを水素ガスによってバブリングした湿潤水素【0061】 (D) high purity HCl gas was repeatedly purified (e) wet hydrogen [0061] a bubbler containing the ultrapure water was bubbled with hydrogen gas
これら2種類のガスを適当な比率で混合したガス(d+e)を、HClガスとして利用する。 These two types of gases were mixed in the appropriate ratio gas (d + e), used as HCl gas. HClに対する水の比率を3000ppm以下の範囲で変えた。 The ratio of water to HCl was varied in the following range 3000 ppm. つまり、H O/HCl=0〜3000ppmの範囲で連続的に変化させた。 That is, continuously varied in the range of H 2 O / HCl = 0~3000ppm. 初めの2Ga+2HCl→2GaCl+H の反応において水があるから、酸素がGaClの一部に混入する。 Since the reaction of the beginning of 2Ga + 2HCl → 2GaCl + H 2 is water, oxygen is mixed into part of GaCl. 酸素をドーパントとして利用するため、水を用いても良いという事が分かった。 In order to use the oxygen as a dopant, it was found that water may be used.
【0062】 [0062]
[実施例3:GaN/GaAs:HVPE法、酸素添加HClガス] Example 3: GaN / GaAs: HVPE method, oxygenated HCl gas]
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。 To produce GaN crystal on a GaAs substrate by the same method as in Example 1. 正三角形分布窓を有するマスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点は同じである。 Is that it produces a GaN buffer layer and the GaN epitaxial layer by HVPE with a mask having a regular triangle distribution window is the same. 塩化水素(HCl)ガスが少し違う。 Different hydrogen chloride (HCl) gas is little. HClガスに意図的に酸素ガスを混合する。 Mixed intentionally oxygen gas HCl gas. HClガスに水を含ませる事によって酸素を意図的にGaClに含ませることができる。 It can be included intentionally GaCl oxygen to HCl gas by the inclusion of water.
【0063】 [0063]
(f)繰り返し精製した高純度HClガス(g)高純度酸素ガス【0064】 (F) high purity HCl gas was repeatedly purified (g) high purity oxygen gas [0064]
これら2種類のガスを適当な比率で混合したガス(f+g)を、HClガスとして利用する。 These two types of gases were mixed in the appropriate ratio gas (f + g), used as HCl gas. HClに対する酸素の比率を3000ppm以下の範囲で変えた。 The proportion of oxygen to HCl was varied in the following range 3000 ppm. つまり、O /HCl=0〜3000ppmの範囲で連続的に変化させた。 That was continuously changed in the range of O 2 / HCl = 0~3000ppm. 初めの2Ga+2HCl→2GaCl+H の反応において酸素があるから、酸素がGaClの一部に混入する。 Because there is oxygen in the reaction at the beginning of 2Ga + 2HCl → 2GaCl + H 2 , oxygen is mixed into part of GaCl.
【0065】 [0065]
[実施例4:GaN/GaAs:HVPE法、水添加NH ガス] Example 4: GaN / GaAs: HVPE method, water is added NH 3 gas]
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。 To produce GaN crystal on a GaAs substrate by the same method as in Example 1. つまり、マスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点では同じである。 That is, in terms of generating a GaN buffer layer and the GaN epitaxial layer by HVPE with the mask is the same. NH ガスが違う。 NH 3 gas is different. NH ガスは、キャリアガスとして水素ガスを使用する。 NH 3 gas, hydrogen gas is used as the carrier gas. この水素ガスに水を添加することによって、意図的に酸素をNH ガスに含ませることができる。 By the addition of water to the hydrogen gas, it is possible to intentionally include oxygen NH 3 gas.
【0066】 [0066]
(h)繰り返し精製した高純度NH ガス(i)超純水を入れたバブラを水素ガスによってバブリングした湿潤水素【0067】 (H) high purity NH 3 gas was repeatedly purified (i) wet hydrogen [0067] a bubbler containing the ultrapure water was bubbled with hydrogen gas
これら2種類のガスを適当な比率で混合したガス(h+i)をアンモニアガスとして使用する。 These two types of gases were mixed in the appropriate ratio gas (h + i) for use as an ammonia gas. また、必ずしもすべての水素キャリアガスはバブラを通す必要はなく、その一部についてバブラを通せばよい。 Moreover, not all of the hydrogen carrier gas is not required to pass bubbler, it passed, bubbler For its part. バブラの温度を変化させ、アンモニアガス中に含まれる水の量を変化させた。 Changing the temperature of the bubbler was varied the amount of water contained in the ammonia gas. その結果、アンモニアガス中の水の量を5ppmから、50ppmまで変化させた。 As a result, the amount of water in the ammonia gas from 5 ppm, was changed to 50 ppm. NH ガスはこれまでのHClガスに比べ大量に使用するため、アンモニアガス中に含ませる水の量は少なくできる。 NH 3 for gas used in large quantities compared to gaseous HCl far, the amount of water to be contained in the ammonia gas can be reduced. 少なくしても比較的効率的に、GaN中に取り込まれることがわかった。 With less relatively efficient was also found to be incorporated into the GaN.
【0068】 [0068]
[実施例5:GaN/GaAs:HVPE法、酸素添加NH ガス] Example 5: GaN / GaAs: HVPE method, oxygenated NH 3 gas]
実施例1と同じ方法によってGaAs基板の上にGaN結晶を作製した。 To produce GaN crystal on a GaAs substrate by the same method as in Example 1. つまり、マスクを使ってHVPE法によりGaNバッファ層とGaNエピタキシャル層を生成するという点では同じである。 That is, in terms of generating a GaN buffer layer and the GaN epitaxial layer by HVPE with the mask is the same. NH ガスが違う。 NH 3 gas is different. NH ガス中に微量酸素を混入させたNH ガスを使用した。 The trace oxygen was used NH 3 gas was mixed into NH 3 gas. アンモニアガス中の酸素の量が10ppmのもの、100ppmのものを使用した。 Those amount of oxygen ammonia gas is 10 ppm, was used for 100 ppm. NH ガスは、これまでのHClガスに比べ大量に使用するため、アンモニアガス中の酸素の量は少なくできる。 NH 3 gas, for extensive use compared with HCl gas to date, the amount of oxygen in the ammonia gas can be reduced.
【0069】 [0069]
図6に実施例1〜実施例5についての38の試料についての酸素濃度/キャリア濃度の測定結果を示す。 Figure 6 shows the results of measurement of oxygen concentration / carrier concentrations for 38 samples for Examples 1 to 5. ここでキャリアというのは電子である。 Here, because the carrier is an electron. 横軸が酸素濃度O(cm− )である。 The horizontal axis is the oxygen concentration O (cm- 3). 縦軸がキャリア濃度n(cm −3 )である。 The vertical axis represents the carrier concentration n (cm -3). 斜め対角線はO=nの直線である。 Oblique diagonal is a straight line of O = n. この直線の少し上に測定点群が並ぶ。 Little measurement point group to the top of the straight line are lined up. O=n直線の上にも2つの点がある。 O = also on the n straight lines I have two points. 下には4点がある。 Below there is a 4-point. O=n直線の上には32の点がある。 O = on top of n linear there is a point of 32. 測定点が大体O=n直線に平行に並ぶということは、つまり酸素がn型ドーパントであるということを意味する。 That the measuring point is arranged parallel to the generally O = n linear means that i.e. oxygen is an n-type dopant. さらに大体にO=nであるから、酸素ドーパントは殆ど全部が電子を放出し活性率が100%であることを意味する。 Since addition is approximately the O = n, oxygen dopant almost entirely emits electrons activity rate means that it is 100%. それだけでなく、O<nの測定点の方が多いので酸素活性率は見かけ上100%を越える。 Not only that, the oxygen activity rate because towards the measuring point O <n is large exceeding 100% apparent.
【0070】 [0070]
なぜに100%を越えるのは理由は分からない。 Why in the more than 100% I do not know why. SIMS分析位置とHall測定位置の差に起因する分布による差などが考え得る。 Such differences by distribution due to the difference in SIMS analysis position and Hall measurement position possible. しかし図6の測定結果からキャリア濃度nが酸素濃度Oに比例するということは言える。 But from the measurement results shown in FIG. 6 that the carrier density n is proportional to the oxygen concentration O it can be said. つまり酸素濃度によってキャリア濃度を制御できるという事である。 That is the fact that it controls the carrier concentration by oxygen concentration. 1×10 16 〜1×10 20 cm −3の広い範囲においてキャリア濃度を制御することができるのである。 It is possible to control the carrier concentration in a wide range of 1 × 10 16 ~1 × 10 20 cm -3.
【0071】 [0071]
半導体研究においてキャリア濃度は頻繁に測定される対象であるが酸素濃度はそうでない。 The carrier concentration in the semiconductor studies are subject to be measured frequently, but the oxygen concentration is not. だからキャリアを供出するドーパントがなにであるかはっきりしないのであるが、酸素濃度を測定してみて分かったことがいくつかある。 So although the dopant to let out a career is not clear how many, there are some that were found try to measure the oxygen concentration. 酸素の比率が一定であるa〜cのいずれかのHClガスを使っても、GaN基板の内部に取り込まれる酸素量は一様でない。 Also the ratio of oxygen using either HCl gas is constant a to c, the amount of oxygen taken into the GaN substrate is not uniform. 原料のHCl中酸素量以外にも、結晶中に混入する酸素を決めるパラメータが存在する。 Besides HCl oxygen amount of raw materials, there are parameters for determining the oxygen mixed in the crystal. GaNの成長温度T、成長速度vが、酸素濃度に強い影響を持つ。 GaN growth temperature T, the growth speed v, have a strong influence on the oxygen concentration. さらに同じ条件で成長させたとしても、面内で酸素濃度はばらつく。 Even grown further under the same conditions, the oxygen concentration varies within the plane. しかしながら、酸素濃度を上げるためには水や酸素の投入量を増加させ、酸素濃度を下げるためには水や酸素の投入量を減少させればよいことは明らかである。 However, in order to increase the oxygen concentration increases the input of water or oxygen, in order to lower the oxygen concentration it is clear that it is sufficient to reduce the input of water or oxygen.
【0072】 [0072]
以上の結果は、HVPE法(ハライド気相成長法)によるものである。 As a result of the above is due to the HVPE method (hydride vapor phase epitaxy). それ以外にも有機金属塩化物気相成長法(MOC法:MetallOrganic Chloride)によってGaAs基板上にGaN結晶を成長させ自立膜としたものであっても同様の相関が見られた。 Otherwise the organic metal chloride vapor phase growth method also (MOC method: MetallOrganic Chloride) similar correlation be one in which a self-supporting film grown GaN crystal on a GaAs substrate was observed by. これはGa(CH にHClガスを当てて、GaClを一旦生成し、これにアンモニアNH を作用させて、GaNをつくるものである。 This is against the HCl gas Ga (CH 3) 3, GaCl once generates, by the ammonia NH 3 to act on this, but to make GaN. 炭素はGaClを作る段階で排除され、GaN結晶には取り込まれる量は極めて少ない。 Carbon is eliminated at the stage of making GaCl, amount is incorporated into the GaN crystal is extremely small.
【0073】 [0073]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明は、酸素がGaNにおいてn型のドーパントとして働き活性化率が100%近いということを始めて明らかにしている。 The present invention, oxygen is activation rate serves as an n-type dopant in the GaN makes clear start that close to 100%. GaN結晶に取り込まれる酸素量を制御することによって、任意のキャリア濃度のn型GaN基板を作製することができる。 By controlling the amount of oxygen taken into the GaN crystal can be made an n-type GaN substrate of any carrier concentrations. Siをドーパントとしないから危険なシランガスを使う必要がない。 There is no need to use dangerous silane gas because no dopant Si. 安全性が高い。 Safety is high.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】GaAs(111)A面を基板としてその上に付けるマスクの窓の配置を示すマスク一部平面図。 [1] GaAs (111) masks a portion plan view showing the arrangement of a window of the mask to attach thereon the A-plane as a substrate.
【図2】マスクの上からGaNエピタキシャル成長させるとマスク厚みを越えて成長したときGaNが正六角形状にマスクの上にまで広がることを示すマスク平面図。 [2] Mask plan view showing that the GaN extends to above the mask regular hexagonal shape when grown beyond the mask thickness when is GaN epitaxial over the mask.
【図3】マスク厚みを越えた成長した正六角形のGaN結晶が隣接する窓から成長した正六角形のGaNと接触して隙間なくマスクを埋め尽くすことを示す平面図。 Figure 3 is a plan view of contact regular hexagonal GaN crystal grown over the mask thickness and GaN regular hexagons grown from adjacent windows indicating that fill the gaps without mask.
【図4】GaNのエピタキシャル成長の過程をあらわした図。 FIG. 4 is a diagram that represents the process of the epitaxial growth of GaN. (1)はGaAs基板にマスクをつけた図。 (1) wearing a mask on the GaAs substrate Fig. (2)はマスクの窓の部分にGaNバッファ層を成長させた図。 (2) it was grown GaN buffer layer on a portion of the window of the mask FIG. (3)はさらにGaNを堆積させた図。 (3) was further deposited GaN FIG. (4)はエッチングを除去した図。 (4) removal of the etching FIG.
【図5】 HVPE法(ハライド気相成長法)の装置概略構成図。 FIG. 5 is a device schematic diagram of the HVPE method (hydride vapor phase epitaxy).
【図6】GaN結晶中の酸素濃度(cm −3 )とキャリア濃度(cm −3 )の関係を表すグラフ。 Figure 6 is a graph representing the relationship between the oxygen concentration in the GaN crystal (cm -3) and a carrier concentration (cm -3).
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1反応炉2ヒ−タ3原料ガス入口管4原料ガス入口管5Ga溜6Ga 1 reactor 2 heat - motor 3 raw material gas inlet pipe 4 the raw material gas inlet pipe 5Ga reservoir 6Ga
7サセプタ8シャフト9GaAs基板10排気口 7 susceptor 8 shaft 9GaAs substrate 10 exhaust port

Claims (3)

  1. n型の電子伝導を示すドーパントとして1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3 の濃度の酸素を添加してあり、n型キャリヤ濃度が1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3 でありn型ドーパントとしての酸素の活性化率が100%であることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板。 Yes added at 1 × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 Concentration of cm -3 oxygen as an n-type dopant having an electron conduction, n-type carrier concentration of 1 × 10 16 cm -3 to 1 × 10 20 cm -3 at and gallium nitride single crystal substrate, wherein the oxygen activation rate of the n-type dopant is 100%.
  2. GaAs(111)基板の上に、マスクを付け、[11−2]方向に一辺を持つ正三角形の頂点に位置する窓をマスクに設け、キャリアガスとしてH を用いGa金属とHClによりGaClを作りアンモニアによってGaNを生成するHVPE法又はキャリアガスとしてH を用いGa有機金属とHClによってGaClを作りアンモニアによってGaNを生成するMOC法によってGaNバッファ層を成長させ、さらに酸素又は水を含むHCl、NH ガス、H ガスを原料およびキャリアガスとして用いHVPE法またはMOC法によってマスク厚みを越えてGaNエピタキシャル層を厚く生成し、GaAs基板とマスクを除去して、酸素濃度が1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3であり、n型キャリア濃度が1×1 On the GaAs (111) substrate, with a mask, [11-2] direction a window located at the apexes of an equilateral triangle with one side as a mask, the GaCl by Ga metal and HCl with H 2 as a carrier gas growing a GaN buffer layer by MOC method produces a GaN by ammonia produce a GaCl by Ga organometallic and HCl and H 2 is used as HVPE method or a carrier gas to generate a GaN by making ammonia, comprising the further oxygen or water HCl, NH 3 gas, thick produces a GaN epitaxial layer beyond the mask thickness by the HVPE method or MOC method using H 2 gas as a raw material and the carrier gas, and removing the GaAs substrate and the mask, the oxygen concentration of 1 × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm -3 der Ri, n-type carrier concentration of 1 × 1 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3 でありn型ドーパントとしての酸素の活性化率が100%であるn型GaNの自立膜とすることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm -3 and is the production method of the gallium nitride single crystal substrate, characterized in that oxygen activation rate of the n-type dopant and n-type GaN free-standing film is 100% .
  3. GaAs(111)基板の上に、マスクを付け、[11−2]方向または[1−10]方向に平行な複数の窓を設けて[11−2]方向または[1−10]方向に平行なストライプ状のマスクとし、キャリヤガスとしてH を用いGa金属とHClによりGaClを作りアンモニアによってGaNを生成するHVPE法又はキャリアガスとしてH を用いGa有機金属とHClによってGaClを作りアンモニアによってGaNを生成するMOC法によってGaNバッファ層を成長させ、さらに酸素又は水を含むHCl、NH ガス、H ガスを原料及びキャリアガスとして用いHVPE法またはMOC法によってマスク厚みを越えてGaNエピタキシャル層を厚く生成し、GaAs基板とマスクを除去して、酸素濃度が1×10 16 On the GaAs (111) substrate, with a mask, [11-2] direction or [1-10] to provide a plurality of windows parallel to the direction [11-2] direction or [1-10] parallel to the direction and such stripe-like mask, GaN by ammonia produce a GaCl by Ga organometallic and HCl and H 2 is used as HVPE method or a carrier gas to generate a GaN by ammonia produce a GaCl by Ga metal and HCl and H 2 is used as carrier gas growing a GaN buffer layer by MOC method for generating, HCl further containing oxygen or water, NH 3 gas, HVPE method using H 2 gas as a raw material and a carrier gas or a GaN epitaxial layer beyond the mask thickness by MOC method thickened product, and removing the GaAs substrate and the mask, the oxygen concentration of 1 × 10 16 c −3 〜1×10 20 cm −3であり、n型キャリヤ濃度が1×10 16 cm −3 〜1×10 20 cm −3 でありn型ドーパントとしての酸素の活性化率が100%であるn型GaNの自立膜とすることを特徴とする窒化ガリウム単結晶基板の製造方法。 -3 Ri to 1 × 10 20 cm -3 der, with n-type carrier concentration of 1 × 10 16 cm -3 ~1 × 10 20 cm -3 and is oxygen activation rate of the n-type dopant 100% method for producing a gallium nitride single crystal substrate, characterized in that there n-type GaN free-standing film.
JP14415199A 1998-05-28 1999-05-25 Gallium nitride single crystal substrate and a manufacturing method thereof Active JP3788104B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14771698 1998-05-28
JP10-147716 1998-05-28
JP14415199A JP3788104B2 (en) 1998-05-28 1999-05-25 Gallium nitride single crystal substrate and a manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14415199A JP3788104B2 (en) 1998-05-28 1999-05-25 Gallium nitride single crystal substrate and a manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000044400A true JP2000044400A (en) 2000-02-15
JP3788104B2 true JP3788104B2 (en) 2006-06-21

Family

ID=26475663

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14415199A Active JP3788104B2 (en) 1998-05-28 1999-05-25 Gallium nitride single crystal substrate and a manufacturing method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3788104B2 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2055811A2 (en) 2007-10-24 2009-05-06 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES Ltd Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same and field-effect transistor
US8110484B1 (en) 2010-11-19 2012-02-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Conductive nitride semiconductor substrate and method for producing the same

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006193422A (en) * 1998-05-28 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Gallium nitride single crystal substrate and its manufacturing method
JP3639789B2 (en) 2001-01-31 2005-04-20 シャープ株式会社 Nitride-based semiconductor light-emitting device
US6773504B2 (en) 2001-04-12 2004-08-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate and oxygen-doped N-type gallium nitride freestanding single crystal substrate
US8633093B2 (en) 2001-04-12 2014-01-21 Sumitomo Electric Industries Ltd. Oxygen doping method to gallium nitride single crystal substrate
JP3933592B2 (en) 2002-03-26 2007-06-20 三洋電機株式会社 Nitride-based semiconductor device
US6791120B2 (en) * 2002-03-26 2004-09-14 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
US7372077B2 (en) 2003-02-07 2008-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device
JP2005005378A (en) * 2003-06-10 2005-01-06 Sumitomo Electric Ind Ltd Group iii nitride crystal and its manufacturing method
JP3841092B2 (en) 2003-08-26 2006-11-01 住友電気工業株式会社 The light-emitting device
JP2005191530A (en) 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting device
CA2563418A1 (en) * 2004-04-15 2005-11-03 Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
JP2006179511A (en) 2004-12-20 2006-07-06 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting device
JP4244953B2 (en) 2005-04-26 2009-03-25 住友電気工業株式会社 Emitting device and manufacturing method thereof
KR100673873B1 (en) * 2005-05-12 2007-01-25 삼성코닝 주식회사 Single crystalline gallium nitride plate having improved thermal conductivity
JP2006332267A (en) * 2005-05-25 2006-12-07 Sumitomo Electric Ind Ltd Light emitting device and method for manufacturing same, and nitride semiconductor substrate
CN100412238C (en) 2006-03-30 2008-08-20 中国科学院合肥物质科学研究院 Equipment and process for preparing monocrystalline GaN film material
EP2019155A3 (en) 2007-05-02 2010-09-22 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gallium nitride substrate and gallium nitride film deposition method
JP5045388B2 (en) * 2007-11-20 2012-10-10 住友電気工業株式会社 Method for producing a growing methods and iii nitride semiconductor crystal substrate Iii nitride semiconductor crystal
KR100893360B1 (en) * 2008-05-02 2009-04-15 (주)그랜드 텍 A formation method of buffer layer for gan single crystal
JP4730422B2 (en) * 2008-10-24 2011-07-20 住友電気工業株式会社 Iii nitride semiconductor electronic device, a method of making iii nitride semiconductor electronic device, and iii nitride semiconductor epitaxial wafer
JP4375497B1 (en) * 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Iii nitride semiconductor device, a method of manufacturing an epitaxial substrate, and iii nitride semiconductor device
JP5045955B2 (en) 2009-04-13 2012-10-10 日立電線株式会社 Iii nitride semiconductor free-standing substrate
JP5326787B2 (en) 2009-05-11 2013-10-30 住友電気工業株式会社 Iii nitride semiconductor laser diode, and a method of making iii nitride semiconductor laser diode
CN102549203B (en) 2009-09-28 2014-09-03 株式会社德山 Method for production of laminate
JP5729182B2 (en) * 2010-08-31 2015-06-03 株式会社リコー Method for producing n-type III nitride single crystal, the n-type III-nitride single crystal and crystal substrate
JP2012074544A (en) * 2010-09-29 2012-04-12 Ngk Insulators Ltd Semiconductor element, and method of manufacturing the same
JP5938871B2 (en) * 2010-11-15 2016-06-22 住友電気工業株式会社 Method of manufacturing a GaN-based film
US8697564B2 (en) 2010-11-16 2014-04-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing GaN-based film
US9024310B2 (en) 2011-01-12 2015-05-05 Tsinghua University Epitaxial structure
US9184228B2 (en) 2011-03-07 2015-11-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite base including sintered base and base surface flattening layer, and composite substrate including that composite base and semiconductor crystalline layer
JP5754191B2 (en) * 2011-03-18 2015-07-29 株式会社リコー Process for producing a Group 13 and process for producing a Group 13 nitride crystal substrate of the nitride crystal
CN102719888B (en) * 2011-03-29 2015-11-25 清华大学 The method of preparing a substrate having a microstructure nano
CN102723414B (en) * 2011-03-29 2015-04-01 清华大学 Preparation method for epitaxial structure body
JP5546514B2 (en) * 2011-09-20 2014-07-09 古河電気工業株式会社 Nitride semiconductor device and a manufacturing method
WO2013058350A1 (en) 2011-10-21 2013-04-25 三菱化学株式会社 Method for producing nitride semiconductor crystal of group 13 metal of periodic table, and nitride semiconductor crystal of group 13 metal of periodic table produced by said production method
EP3312310A1 (en) 2011-10-28 2018-04-25 Mitsubishi Chemical Corporation Gallium nitride crystal
WO2014129544A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 三菱化学株式会社 Crystal of nitride of group-13 metal on periodic table, and method for producing same
JP2015211053A (en) * 2014-04-24 2015-11-24 住友電気工業株式会社 Semiconductor laminate and light-receiving element

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2055811A2 (en) 2007-10-24 2009-05-06 SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES Ltd Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same and field-effect transistor
US8110484B1 (en) 2010-11-19 2012-02-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Conductive nitride semiconductor substrate and method for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date Type
JP2000044400A (en) 2000-02-15 application

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Manasevit et al. The Use of Metal‐Organics in the Preparation of Semiconductor Materials I. Epitaxial Gallium‐V Compounds
Keller et al. Influence of sapphire nitridation on properties of gallium nitride grown by metalorganic chemical vapor deposition
US5011549A (en) Homoepitaxial growth of Alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon
Nakamura GaN growth using GaN buffer layer
US4912064A (en) Homoepitaxial growth of alpha-SiC thin films and semiconductor devices fabricated thereon
US6596079B1 (en) III-V nitride substrate boule and method of making and using the same
US20020074552A1 (en) Gallium nitride materials and methods
US7387677B2 (en) Substrate for epitaxy and method of preparing the same
US20050082564A1 (en) Group-III-element nitride crystal semiconductor device
US6447604B1 (en) Method for achieving improved epitaxy quality (surface texture and defect density) on free-standing (aluminum, indium, gallium) nitride ((al,in,ga)n) substrates for opto-electronic and electronic devices
US6069021A (en) Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer
US6890809B2 (en) Method for fabricating a P-N heterojunction device utilizing HVPE grown III-V compound layers and resultant device
US20040147096A1 (en) Method of manufacturing Group III nitride substrate
US6693021B1 (en) GaN single crystal substrate and method of making the same
US20080217645A1 (en) Thick nitride semiconductor structures with interlayer structures and methods of fabricating thick nitride semiconductor structures
EP1246233A2 (en) Semiconductor substrate made of group III nitride, and process for manufacture thereof
US20080220555A1 (en) Nitride semiconductor structures with interlayer structures and methods of fabricating nitride semiconductor structures with interlayer structures
US6440823B1 (en) Low defect density (Ga, Al, In)N and HVPE process for making same
US20070072320A1 (en) Process for producing an epitalixal layer of galium nitride
US20040144300A1 (en) Method of manufacturing group III nitride substrate and semiconductor device
US20090093122A1 (en) Method For Producing Group III-V Nitride Semiconductor Substrate
US7364619B2 (en) Process for obtaining of bulk monocrystalline gallium-containing nitride
US6413627B1 (en) GaN single crystal substrate and method of producing same
Porowski Near defect free GaN substrates
US6194744B1 (en) Method of growing group III nitride semiconductor crystal layer and semiconductor device incorporating group III nitride semiconductor crystal layer

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051208

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20051208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060117

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20051216

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060206

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20060307

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20060320

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090407

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100407

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110407

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120407

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130407

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140407

Year of fee payment: 8

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250