JP3744859B2 - 成形体及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯電話機等の電子機器に装備される各種電子回路を構成するための積層型複合デバイスやインダクタ等に用いることができる成形体及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、携帯電話機等の小型の電子機器においては、小型化に対する要求が厳しくなっている。このような状況において、電子機器を構成する複数の回路素子を1チップの積層型複合デバイスに集積して、積層型複合デバイスをメイン基板上に実装することが行われている。
【0003】
図7は、積層型複合デバイスの一例を示す斜視図であり、図8は分解斜視図である。図7及び図8に示すように、積層型複合デバイスは、複数のセラミックス層3及び4を積層することにより構成されている。各セラミックス層3及び4の表面には、インダクタやコンデンサを構成する複数の回路素子パターン11が形成されている。これらの回路素子パターン11は、セラミックス層3及び4上に形成された導体パターンや、セラミックス層3及び4を貫通して形成された導通路(バイアホール)12を介して互いに接続され、これによってフィルタ等の電子回路が構成されている。
【0004】
セラミックス層3が磁性体セラミックス層であり、セラミックス層4が誘電体セラミックス層である場合、インダクタを構成するパターン(Lパターン)は磁性体セラミックス層3の上に形成され、コンデンサを構成するパターン(Cパターン)は誘電体セラミックス層4上に形成することが提案されている(特開昭60−106114号公報、特開平6−333743号公報など)。
【0005】
このような積層型複合デバイスやインダクタ等に用いられる磁性材料としては、従来から一般に、NiCuZn系等のスピネル型フェライトが用いられている。図9は、NiCuZn系フェライトの透磁率の周波数特性を示す図である。図9において、複素透磁率の実数部分μ′及び虚数部分μ″は、10MHzにおけるμ′を1として規格化した値で示されている。図9に示すように、複素透磁率の実数部分μ′は、100MHz付近までは比較的高い値を示している。
【0006】
より高周波に対応することができる磁性材料としては、六方晶型フェライトが挙げられる。この六方晶型フェライトには、Z型、Y型、W型、M型などの互いに結晶構造が類似した相が存在する。これらの相の中でも、Z型は比較的高い透磁率を示し、GHz帯域まで透磁率の低下が少ない材料である。
【0007】
図10は、Z型の六方晶型フェライトの透磁率の周波数特性を示す図である。図10において、複素透磁率の実数部分μ′及び虚数部分μ″は、NiCuZn系フェライトの初透磁率(10MHzにおける複素透磁率の実数部分μ′)を1として規格化した値で示されている。なお、以下に説明する透磁率の周波数特性の図においても同様である。
【0008】
図10に示すようにZ型の六方晶型フェライトにおいては、GHz帯域まで透磁率の低下が少なく、高周波特性に優れている。しかしながら、透磁率は、NiCuZn系フェライトに比べると低くなっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
図9に示すように、従来のNiCuZn系等のスピネル型フェライトでは、100MHzまで使用可能であるが、より高周波では自然共鳴を起こし、透磁率の実数部分μ′が低下し、逆に虚数部分μ″が増大してしまう(Snoekの限界)。また、Z型の六方晶型フェライトにおいては、上述のように、GHz帯域まで透磁率の低下が少なく、高周波特性に優れているが、透磁率の値がNiCuZn系フェライトに比べて低いという問題がある。
【0010】
従って、従来の磁性材料においては、高い透磁率と優れた高周波特性を両立することは困難であった。また、磁性材料の透磁率の値や周波数特性を自由に設計することは困難であった。
【0011】
本発明の目的は、高い周波数帯においても高い透磁率を示すことができる成形体及びその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】
本発明の成形体は、第1の磁性材料からなる第1の磁性粒子と、第1の磁性材料と異なる透磁率周波数特性を示す第2の磁性材料からなる第2の磁性粒子とを混合して構成される複合磁性材料を焼成することにより得られる成形体であって、第1の磁性材料がスピネル型フェライトであるとともに第2の磁性材料がY型及び/またはZ型の六方晶フェライトであり、混合が、第1の磁性粒子及び第2の磁性粒子をボールを用いて粉砕しながら行われる混合であり、複合磁性材料中の第1の磁性粒子及び第2の磁性粒子の平均粒子径がそれぞれ1μm以下であることを特徴としている。
【0013】
本発明においては、第1の磁性材料の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線と、第2の磁性材料の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線との交点が位置する周波数において、複合磁性材料の複素透磁率の実数成分の値が、上記交点における値よりも大きくなるように第1の磁性粒子と第2の磁性粒子が混合されている。すなわち、上記交点が位置する周波数において、複合磁性材料の複素透磁率の実数成分の値が、第1の磁性材料及び第2の磁性材料の複素透磁率の実数成分よりも大きくなるように混合されている。このような混合状態は、第1の磁性粒子と第2の磁性粒子を微細な粒子として互いに近接させ、第1の磁性粒子と第2の磁性粒子の間で磁気的な交換相互作用が働くようにすることにより実現させることができる。
【0015】
本発明によれば、第1の磁性粒子と第2の磁性粒子の間で磁気的な交換相互作用が働くため、高い周波数帯域において、第1の磁性材料及び第2の磁性材料よりも高い透磁率を示す磁性材料とすることができる。
【0016】
本発明においては、上述のように、第1の磁性粒子と第2の磁性粒子が微細な粒子として均一に混合されている。従って、第1の磁性粒子及び第2の磁性粒子の粒子径はできるだけ小さいことが好ましく、具体的には平均粒子径がそれぞれ1μm以下であることが好ましい。粒子径の下限値は特に限定されるものではないが、一般に1nm未満の粒子径のものを製造することが困難であるので、通常1nm以上の平均粒子径となる。平均粒子径のさらに好ましい範囲は、10〜200nmであり、さらに好ましくは20〜100nmである。磁性粒子の平均粒子径は、電子顕微鏡で適当な数の粒子の粒子径を測定することにより求めることができる。
【0017】
図2は、本発明における複合磁性材料中における第1の磁性粒子と第2の磁性粒子の混合状態を模式的に示す図である。図2に示すように、第1の磁性粒子1及び第2の磁性粒子2は均一に混合しており、第1の磁性粒子1の周りに第2の磁性粒子2が存在しており、第2の磁性粒子2の周りに第1の磁性粒子1が存在している。第1の磁性粒子1と第2の磁性粒子2が近接するように混合されているので、第1の磁性粒子1と第2の磁性粒子2の間で磁気的な交換相互作用が働き、高い周波数帯域において高い透磁率を示すことができる。
【0018】
第1の磁性材料及び第2の磁性材料としては、フェライトを用いることが好ましい。例えば、第1の磁性材料としてスピネル型フェライトを用い、第2の磁性材料としてY型及び/またはZ型の六方晶型フェライトを用いることができる。また、磁性材料としては、Ni、Cu、及びZnの内の少なくとも1つ以上の元素を含有する磁性材料、及びBa、Sr、及びCaの内の少なくとも1つ以上の元素を含有する磁性材料などを用いることができる。
【0019】
本発明においては、第1の磁性材料及び第2の磁性材料としているが、混合する磁性材料は2種類に限定されるものではなく、3種類以上の磁性材料を混合してもよい。この場合、第1の磁性材料及び第2の磁性材料の一方または両方を、複数の磁性材料から構成されるものと考えることができる。例えば、第2の磁性材料を、磁性材料Bと磁性材料Cを混合した磁性材料とした場合、磁性材料Bと磁性材料Cを磁気的な交換相互作用が働かない程度に混合し、この混合した磁性材料について複素透磁率の実数成分の周波数特性を求め、これを第2の磁性材料の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線として考えることができる。磁気的交換相互作用が働かないような混合としては、磁性材料B及び磁性材料Cの原材料粉末を仮焼成して得られた仮焼成粉末を乳鉢等で混合する方法が挙げられる。
【0020】
上記のようにして求めた磁性材料B及び磁性材料Cからなる第2の磁性材料の透磁率の周波数特性曲線と、磁性材料Aからなる第1の磁性材料の透磁率の周波数特性曲線とを用いて、本発明において規定する混合状態となるように、磁性材料A、磁性材料B、及び磁性材料Cのそれぞれの磁性粒子を混合する。
【0021】
3種類以上の磁性材料を用いる場合において、どの磁性材料を組み合わせて第1の磁性材料または第2の磁性材料とするかは以下のようにして定めることができる。すなわち、磁性材料を初透磁率(10MHzにおける複素透磁率の実数部分μ′)の高い順に並べ、初透磁率の高いものから順にそれぞれの混合比の合計が40重量%以上となるように組み合わせたものを第1の磁性材料とし、残りの磁性材料を第2の磁性材料とする。例えば、磁性材料A、B及びCの3種類の磁性材料であって、初透磁率がA>B>Cである場合を考える。磁性材料Aを40重量%、磁性材料Bを30重量%、磁性材料Cを30重量%混合する場合、磁性材料Aの混合比は既に40重量%以上であるので、磁性材料Aを第1の磁性材料とし、残りの磁性材料B及びCの組み合わせ(重量混合比30:30、すなわち1:1)を第2の磁性材料とする。磁性材料Aを30重量%、磁性材料Bを30重量%、磁性材料Cを40重量%混合する場合は、磁性材料Aの混合比は30重量%であるので、これに磁性材料Bを組み合わせて混合比の合計を60重量%とする。すなわち、磁性材料A及びBの組み合わせ(重量混合比1:1)を第1の磁性材料とし、磁性材料C単独を第2の磁性材料とする。
【0022】
次に、磁性材料A、B、C及びDの4種類の磁性材料であって、初透磁率がA>B>C>Dの関係である場合について考える。例えば、磁性材料A、B、C及びDの混合比がそれぞれ25重量%である場合、磁性材料A及びBの組み合わせ(重量混合比1:1)を第1の磁性材料とし、磁性材料C及びDの組み合わせ(重量混合比1:1)を第2の磁性材料とする。磁性材料A、B、C及びDの混合比が、それぞれ50重量%、30重量%、10重量%、及び10重量%である場合は、磁性材料A単独を第1の磁性材料とし、磁性材料B、C及びDの組み合わせ(重量混合比3:1:1)を第2の磁性材料とする。
【0023】
本発明の製造方法は、上記本発明の成形体を製造する方法であり、第1の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第1の仮焼成粉末を調製する工程と、第2の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第2の仮焼成粉末を調製する工程と、第1の仮焼成粉末及び第2の仮焼成粉末をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ1μm以下である第1の磁性粒子及び第2の磁性粒子を有する複合磁性材料を製造する工程と、複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【0024】
この製造方法においては、別個に調製した仮焼成粉末を最終的に粉砕しながら混合することにより複合磁性材料を製造している。従って、3種類以上の磁性材料を用いる場合には、それぞれの磁性材料の仮焼成粉末を別個に調製し、これを最終的に粉砕しながら混合すればよい。
【0025】
本発明の他の局面に従う製造方法は、第1の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末と第2の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を混合した後仮焼成することにより、第1の仮焼成粉末と第2の仮焼成粉末の混合物を調製する工程と、第1の仮焼成粉末と第2の仮焼成粉末の混合物をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ1μm以下である第1の磁性粒子及び第2の磁性粒子を有する複合磁性材料を製造する工程と、複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴としている。
【0026】
この製造方法では、それぞれの磁性材料の原材料粉末を予め混合しておき、これを仮焼成粉末することにより、それぞれの仮焼成粉末の混合物を調製し、この仮焼成粉末の混合物を粉砕しながら混合している。従って、3種類以上の磁性材料を用いる場合には、それぞれの磁性材料の原材料粉末を予め混合しておき、これを仮焼成することによって、仮焼成粉末の混合物を調製し、この仮焼成粉末の混合物を粉砕しながら混合すればよい。
【0028】
本発明で用いる複合磁性材料にバインダーを添加し、所定の形状に成形した後、これを焼成して本発明の成形体としてもよいし、本発明で用いる複合磁性材料を用いてグリーンシートを形成し、このグリーンシートの表面に所定の回路を形成した後、このグリーンシートを積層し焼成して本発明の成形体としてもよい。
【0029】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的な実施例により説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【0030】
(実施例1)
高純度のNiO、CuO、ZnO、及びFe2O3を、NiO、CuO、ZnO、及びFe2O3換算で、30モル%、20モル%、15モル%、及び35モル%となるように秤量し、秤量した原材料粉末をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、24時間粉砕しながら混合した。その後、これを900℃で2時間仮焼成することにより、NiCuZn系フェライトの仮焼成粉末(平均粒子径3μm)を得た。
【0031】
高純度のBaO、CoO、及びFe2O3を、BaO、CoO、及びFe2O3換算で、18モル%、12モル%、及び70モル%となるように秤量し、秤量した原材料粉末をジルコニア製ポットを及びボールを用いたボールミルにより、24時間粉砕しながら混合した。その後、これを1300℃で2時間仮焼成することにより、Ba3Co2Fe24O41で示されるZ型の六方晶型フェライトの仮焼成粉末(平均粒子径10μm)を得た。
【0032】
得られた上記の2種類の仮焼成粉末を、配合比がそれぞれ50重量%となるようにジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルに入れ、24時間粉砕しながら混合し、複合磁性材料を得た。この複合磁性材料の平均粒子径は30nmであった。
【0033】
得られた複合磁性材料の粉末のうちの半分を、PVA(ポリビニルアルコール)系バインダー及び有機溶剤とともにボールミルに入れ、24時間湿式混合を行った。PVA系バインダー及び有機溶剤の配合量は、粉末100重量部に対してそれぞれ重量比で4重量部及び50重量部とした。その後、乾燥・分級して、得られた粉末を外径8mm、内径4mm、高さ2mmのリング形状に成形した。この成形体を900℃の温度で2時間保持して焼成した。得られたリング状試料について、インピーダンスアナライザを用いて、その透磁率を測定した。
【0034】
図3は、透磁率の測定結果を示す図である。図3に示すように、本発明に従い得られた複合磁性材料においては、透磁率の実数成分μ′は、1GHz(1000MHz)まで高い値を示している。また、透磁率の虚数成分μ″は、損失成分であるが、1GHz(1000MHz)付近までほとんど増大していないことがわかる。従って、この実施例の酸化物磁性材料は、GHz帯域において損失を抑制して使用できることがわかる。
【0035】
図1は、図3に示す本実施例の複合磁性材料の透磁率の周波数特性と、図9に示す第1の磁性材料であるNiCuZn系フェライトの透磁率の周波数特性と、図10に示す第2の磁性材料であるZ型の六方晶型フェライトの透磁率の周波数特性とを併せて示す図である。NiCuZn系フェライトの複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線と、六方晶型フェライトの複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線とは、交点μcにおいて交わっている。交点μcは、1000MHzより若干高い周波数に位置している。この周波数において、本実施例の複合磁性材料の複素透磁率の実数成分の値はμaであり、交点μcにおける値よりも大きな値を示している。NiCuZn系フェライトの粒子と六方晶型フェライトの粒子の間における磁気的な交換相互作用により、このような高い値が得られている。
【0036】
上記で得られた酸化物磁性材料粉末のうちの残りの半分については、有機溶剤とともにPVB(ポリビニルブチラール)系バインダーを5重量%となるように加え、ボールミルにより混合することによりスラリーを作製した。このスラリーを用い、ドクターブレード法により、所望の厚さのグリーンシートを作製した。グリーンシートの上に、印刷法によりAgペーストをパターニングし、所望の受動回路を形成した。このグリーンシートを複数積層し、静水圧プレスにより積層圧着した後、900℃で本焼成を行い、積層インダクタを作製した。得られた積層インダクタは、良好な高周波特性を有することが確認された。
【0037】
(比較例)
実施例1と同様にして得られたNiCuZn系フェライトの仮焼成粉末と六方晶型フェライトの仮焼成粉末をそれぞれ50重量%となるように秤量し、実施例1と同様にしてバインダーを加えた後、ボールミルを用いずに、乳鉢により混合を行った。得られた混合物を、実施例1と同様にして、リング状に成形し、900℃で焼成した。
【0038】
得られたリング状試料について、実施例1と同様にして透磁率の周波数特性を測定した。図4は、比較例の磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図である。複素透磁率の実数成分μ′は、100MHz近傍で低くなり、一方虚数成分μ″は100MHzの近傍で高くなっており、実施例1とは全く異なる周波数特性であった。
【0039】
図1には、この比較例の磁性材料の複素透磁率の実数成分も併せて示している。図1に示すように、比較例の磁性材料の複素透磁率の実数成分は、交点μcの周波数において、μbの値を示しており、μcよりも低い値となっている。
【0040】
(実施例2)
本実施例においては、第1の磁性材料の原材料粉末と、第2の磁性材料の原材料粉末を予め混合した後仮焼成して、第1の仮焼成粉末と第2の仮焼成粉末の混合物を調製した。この仮焼成粉末の混合物を粉砕しながら混合することにより複合磁性材料を製造した。
【0041】
具体的には、高純度のNiO、CuO、ZnO、及びFe2O3を、NiO、CuO、ZnO、及びFe2O3換算で、30モル%、20モル%、15モル%、及び35モル%となるように秤量して混合し、これを原材料粉末Aとした。同時に、高純度のBaO、CoO、及びFe2O3を、BaO、CoO、及びFe2O3換算で、20モル%、20モル%、及び60モル%となるように秤量して混合し、これを原材料粉末Bとした。
【0042】
原材料粉末A及び原材料粉末Bをそれぞれ50重量%となるように混合し、この混合粉末をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、24時間粉砕しながら混合した。その後、これを900℃で2時間仮焼成し、仮焼成粉末を得た。なお、この仮焼成により、原材料粉末A及びBのそれぞれ対応した別個の組成の仮焼成粉末が得られた。この仮焼成粉末の混合物をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、24時間粉砕しながら混合した。これにより、NiCuZn系フェライトの粉末と、Ba2Co2Fe12O22で示されるY型の六方晶型フェライトの粉末とが混合した複合磁性材料が得られた。NiCuZn系フェライト粉末の平均粒子径は20nmであり、六方晶型フェライトの粉末の平均粒子径は30nmであった。
【0043】
以上のようにして得られた複合材料の粉末を用いて、実施例1と同様にしてリング状試料を作製し、その透磁率を測定した。
図5は、透磁率の周波数特性を示す図である。図5に示すように、本実施例の複合磁性材料の複素透磁率の実数成分μ′は、1000MHzまで高い値を示している。また、図5には、NiCuZn系フェライトの複素透磁率の実数成分の曲線と、Y型の六方晶型フェライト粉末の複素透磁率の実数成分の曲線との交点μcを示している。交点μcが位置する周波数において、本実施例の複合磁性材料は、高い値を示している。
【0044】
(実施例3)
本実施例では、3種類の磁性材料を用いて本発明の複合磁性材料を作製した。実施例1と同様にして、NiCuZn系フェライトの仮焼成粉末及びZ型の六方晶型フェライトの仮焼成粉末を得た。
【0045】
さらに、高純度のBaO、CoO、及びFe2O3を、BaO、CoO、及びFe2O3換算で、20モル%、20モル%、及び60モル%となるように秤量して混合し、これを原材料粉末とした。この原材料粉末をジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルにより、24時間粉砕しながら混合した。その後、1100℃で2時間仮焼成を行うことにより、Ba2Co2Fe12O22で示されるY型の六方晶型フェライトの仮焼成粉末(平均粒子径7μm)を得た。
【0046】
上記の3種類の仮焼成粉末を、配合比が、NiCuZn系フェライト:50重量%、Z型の六方晶型フェライト:30重量%、Y型の六方晶型フェライト:20重量%となるようにジルコニア製ポット及びボールを用いたボールミルに入れ、このボールミル中で24時間粉砕しながら混合した。その後、これにPVA系バインダー及び有機溶剤を加え、ボールミルにより24時間湿式混合した。その後、実施例1と同様にして、リング状試料を作製した。得られたリング状試料について、X線回折のピーク強度から定量した結果、Z型29重量%、Y型19重量%の比率で存在することが確認された。このリング状試料について、その透磁率を測定した。
【0047】
図6は、透磁率の周波数特性を示す図である。図6に示すように、本実施例においても、1000MHzまで複素透磁率の実数成分μ′は大きな値を示している。また、図6には、交点μcを示している。この交点μcは、NiCuZn系フェライトの複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線と、上記2種類の六方晶型フェライトの仮焼成粉末の混合物(重量比Z型:Y型=30:20)の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示す曲線との交点である。2種類の六方晶型フェライトの仮焼成粉末は、乳鉢で混合して混合物とし、図6にはこの混合物の複素透磁率の実数成分の周波数特性を示している。
【0048】
図6に示すように、交点μcが位置する周波数において、本実施例の複合磁性材料は、交点μcよりも高い値を示している。
【0049】
【発明の効果】
本発明によれば、高い周波数帯においても高い透磁率を示すことができる成形体とすることができる。また、本発明によれば、異なる磁性材料を自由に組み合わせその配合比も自由変化させることができるので、透磁率の値や周波数特性を自由に設計することができる。従って、本発明の成形体は、積層型複合デバイス、積層インダクタ、LCフィルタ、及びRFモジュール等に用いる磁性材料として有用なものであり、また電波吸収体としても用いることができるものである。
【0050】
また、上記実施例では、2GHz付近までの透磁率の周波数特性を示しているが、本発明の成形体は、さらに高い周波数帯(例えば5GHz〜10GHz)においても用いることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図2】 本発明における複合磁性材料中における第1の磁性粒子と第2の磁性粒子の混合状態を模式的に示す図。
【図3】 実施例1の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図4】 比較例の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図5】 実施例2の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図6】 実施例3の複合磁性材料の透磁率の周波数特性を示す図。
【図7】 積層型複合デバイスの一例を示す斜視図。
【図8】 積層型複合デバイスの一例を示す分解斜視図。
【図9】 NiCuZn系フェライトの透磁率の周波数特性を示す図。
【図10】 Z型の六方晶型フェライトの透磁率の周波数特性を示す図。
【符号の説明】
1…第1の磁性粒子
2…第2の磁性粒子
3…磁性体セラミック層
4…誘電体セラミック層
11…回路素子パターン
12…バイアホール
Claims (3)
- 第1の磁性材料からなる第1の磁性粒子と、前記第1の磁性材料と異なる透磁率周波数特性を示す第2の磁性材料からなる第2の磁性粒子とを混合して構成される複合磁性材料を焼成することにより得られる成形体であって、
前記第1の磁性材料がスピネル型フェライトであるとともに前記第2の磁性材料がY型及び/またはZ型の六方晶フェライトであり、
前記混合が、前記第1の磁性粒子及び前記第2の磁性粒子をボールを用いて粉砕しながら行われる混合であり、
前記複合磁性材料中の前記第1の磁性粒子及び前記第2の磁性粒子の平均粒子径がそれぞれ1μm以下であることを特徴とする成形体。 - 請求項1に記載の成形体を製造する方法であって、
前記第1の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第1の仮焼成粉末を調製する工程と、
前記第2の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を仮焼成して第2の仮焼成粉末を調製する工程と、
前記第1の仮焼成粉末及び前記第2の仮焼成粉末をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ1μm以下である前記第1の磁性粒子及び前記第2の磁性粒子を有する前記複合磁性材料を製造する工程と、
前記複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴とする成形体の製造方法。 - 請求項1に記載の成形体を製造する方法であって、
前記第1の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末と前記第2の磁性材料を構成する元素を含む原材料粉末を混合した後仮焼成することにより、第1の仮焼成粉末と第2の仮焼成粉末の混合物を調製する工程と、
前記第1の仮焼成粉末と第2の仮焼成粉末の混合物をボールを用いて粉砕しながら混合することにより平均粒子径がそれぞれ1μm以下である前記第1の磁性粒子及び前記第2の磁性粒子を有する前記複合磁性材料を製造する工程と、
前記複合磁性材料を焼成する工程とを備えることを特徴とする成形体の製造方法。
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