JP3588609B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁膜の上に密着層を挟んで形成された電極又は配線を備えた半導体装置の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリにおいては、デザインの微細化によりメモリセル部の縮小が進んでいる。例えば、半導体メモリの1つであるDRAM(Dynamic Random Access Memory)のメモリセルは、パスゲートトランジスタと、容量を蓄積しておくためのキャパシタとから構成されている。このDRAMにおいては、メモリセルが縮小してキャパシタの基板への投影面積(以下、キャパシタ面積と称する)が小さくなった場合にも、消費電力を低減するために、そして、ソフトエラーを防止するために、キャパシタの蓄積容量を減少させることはできない。キャパシタの蓄積容量は、一般に、キャパシタを構成する絶縁膜(容量絶縁膜)に用いられる誘電体材料の比誘電率と、キャパシタ面積とに比例し、容量絶縁膜の膜厚に反比例する。ところで、キャパシタの蓄積容量を増大させるために容量絶縁膜の膜厚を薄くすると、キャパシタのリーク電流が増加する。その結果、メモリセルのリフレッシュサイクルを短くする必要が生じるので、消費電力が増大してしまう。すなわち、容量絶縁膜の薄膜化には限界がある。
【0003】
そこで、近年、キャパシタの蓄積容量を増大する方法として、比誘電率の高い誘電体(高誘電体)材料を容量絶縁膜に用いる方法が研究されている。高誘電体材料としては、酸化アルミニウム若しくは五酸化タンタル(組成式Ta2O5)等の金属酸化物、又はペロブスカイト結晶構造を有するバリウムストロンチウムチタンオキサイド(組成式(Ba(1−x)Srx)TiO3 :以下、BSTと称する)、鉛ジルコニウムチタンオキサイド(以下、PZTと称する)若しくはストロンチウムビスマスタンタルオキサイド(以下、SBTと称する)等の材料が詳細に研究されている。
【0004】
このような高誘電体材料を用いて絶縁膜を形成するときには、一般的に、化学反応を利用する場合が多いため、また、酸化性雰囲気中で絶縁膜形成を行なうため、従来から用いられているシリコンを電極材料として用いた場合、シリコンが容易に酸化されてしまう。すなわち、比誘電率の小さいシリコン酸化膜が形成されてしまうために、キャパシタの蓄積容量を大きくすることが困難となる。従って、このような高誘電体材料を容量絶縁膜に用いたキャパシタの電極には貴金属又は高融点金属等が用いられる。また、高誘電体材料に代えて強誘電体材料を容量絶縁膜に用いたキャパシタの電極にも貴金属又は高融点金属等が用いられる。
【0005】
具体的には、五酸化タンタルという高誘電体材料を容量絶縁膜に用いた場合にはルテニウム(元素記号Ru)、タングステン(元素記号W)又はモリブデン(元素記号Mo)等が電極に使用される。また、BSTを容量絶縁膜に用いた場合にはRu、二酸化ルテニウム(組成式RuO2 )、白金(元素記号Pt)又はイリジウム(元素記号Ir)等が電極に使用される。さらに、SBT又はPZTという強誘電体材料を容量絶縁膜に用いた場合にはPt、Ir又は二酸化イリジウム(組成式IrO2 )等が電極として使用される。
【0006】
図3は、容量絶縁膜にBSTを用いた従来のキャパシタの断面構造を示している(特許文献1参照)。
【0007】
図3に示すように、メモリセルトランジスタ(図示省略)が形成された半導体基板51の上に層間絶縁膜52が形成されている。層間絶縁膜52には、前述のメモリセルトランジスタと接続するプラグ53が形成されている。プラグ53の上を含む層間絶縁膜52の上に、密着層54を挟んで下部電極55が形成されている。密着層54は、チタン(元素記号Ti)若しくはタンタル(元素記号Ta)又はそれらの金属の酸化物若しくは窒化物よりなる。下部電極55の上には容量絶縁膜56が下部電極55の上面及び側面を覆うように形成されている。容量絶縁膜56の上には上部電極57が形成されており、下部電極55、容量絶縁膜56及び上部電極57の三層構造によってキャパシタが構成されている。下部電極55及び上部電極57はPtよりなる。容量絶縁膜56は厚さ約25nmのBST膜よりなる。
【0008】
ここで、下部電極55の絶縁膜に対する密着性は弱いので、下部電極55を層間絶縁膜52の上に直接形成した場合には、下部電極55が層間絶縁膜52から剥離してしまう可能性がある。そこで、Ti若しくはTa等の金属又はそれらの金属の酸化物(TiOx 、TaOx 等)若しくは窒化物(TiNx 、TaNx 等)よりなる密着層54を、下部電極55と層間絶縁膜52との間に介在させることによって、下部電極55の下地絶縁膜に対する密着性を改善している。尚、最近では、密着層54の材料として、チタンアルミニウム、タンタルシリコン又はタンタルアルミニウム等の酸化物又は窒化物も使用されることがある。
【0009】
【特許文献1】
特開平10−56144号公報
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、前述のような密着層は、高融点金属又は貴金属よりなる電極と比較すると非常に酸化されやすい。また、密着層の厚さ又はその形成方法によっては、密着層を構成する金属原子(以下、密着層金属と称する)が下部電極中を拡散して下部電極表面に析出してしまう。この状態でBST膜等の高誘電体膜を容量絶縁膜として成膜すると、通常、高誘電体膜は300〜700℃程度の酸化雰囲気中で成膜されるため、下部電極表面に析出した密着層金属が酸化されてしまう。その結果、下部電極表面に形成された酸化層によって体積膨張が生じるので、キャパシタ部分に余分な力がかかったり又は膜はがれが起きたりする。
【0011】
それに対して、あらかじめ十分に酸化した密着層を形成しておくことにより、密着層金属が電極中を拡散して電極表面に析出することを抑制する方法が考えられる。しかし、密着層として例えば酸化チタン(TiOx )膜を形成するにあたって、酸化雰囲気中でTi膜に対してアニールを行なってTiOx 膜を形成したり、Tiと酸素とを気相で反応させながらTiOx 膜を堆積したり、又は反応性スパッタリング法を用いてTiをスパッタする際に酸素を混入することによってTiOx 膜を堆積した場合には、以下のような問題が生じる。
【0012】
すなわち、酸化雰囲気中でTi膜をアニールする方法の場合、500℃以上の温度が必要とされるため、基板上に既に作成されているトランジスタのソース・ドレイン領域等に含まれる不純物が再拡散を起こすので、所望のトランジスタ特性が得られない。
【0013】
また、Tiと酸素とを反応させながらTiOx 膜を堆積する方法の場合、又は反応性スパッタリング法を用いてTiOx 膜を堆積する方法の場合、Tiが十分に酸化されないため、先に述べたように、下部電極となるPt膜(つまりPt電極)中をTi原子が拡散してPt電極表面に析出してしまう。このため、Pt電極の上に、比誘電率の高いBST膜、Ta2O5膜又はPZT膜等を容量絶縁膜として成膜するときに、Pt電極表面に析出したTi原子が酸化され、それにより、比誘電率の低いTi酸化膜がPt電極表面に形成されてしまう。その結果、このTi酸化膜の形成に起因して、下部電極と容量絶縁膜との間に余分な力が発生して膜はがれが起きる。また、このTi酸化膜の比誘電率が低いために、結果としてキャパシタの蓄積容量を大きくすることができない。
【0014】
また、Ti原子がPt電極表面に析出した場合、Pt電極上に形成される容量絶縁膜、例えばBST膜におけるBa、Sr及びTiの組成バランスが、Pt電極表面に析出するTi原子の影響で崩されるため、BST膜の所望の特性が得られなくなる。さらに、Ti原子がPt電極表面に析出した場合においてPZT又はSBT等のペロブスカイト構造を持つ強誘電体材料を容量絶縁膜に用いている場合、ペロブスカイト構造中にTi原子が入り込んでしまう結果、前述のような強誘電体材料を用いた容量絶縁膜に要求される所望の膜特性が得られなくなる。
【0015】
ところで、図3に示す従来例のようにスタック型のキャパシタ構造においては、密着層の膜厚が10nm以上と厚くなっても特に問題はない。一方、図4(a)に示すようなカップ型のキャパシタ構造においては、下部電極の薄膜化と共に密着層の薄膜化が要求される。
【0016】
図4(a)は、従来のカップ型キャパシタの断面構成図であり、図4(b)は、図4(a)に示すキャパシタにおける、下部電極の厚さ(密着層の厚さを含む)と、上部電極が形成されるカップ(凹部)のアスペクト比との関係を示す特性図である。
【0017】
図4(a)に示すように、絶縁膜60には、キャパシタ形成用の凹部60aが設けられていると共に、絶縁膜60における凹部60aの下側にプラグ61が埋め込まれている。プラグ61の上面を含む凹部60aの底部、及び凹部60aの壁面には、密着層(図示省略)を挟んで下部電極62が形成されており、これによって凹部60bが生じる。また、凹部60bを含む絶縁膜60の上には、凹部60cが生じるように容量絶縁膜63が形成されている。さらに、容量絶縁膜63の上には、凹部60dが生じるように上部電極64が形成されている。すなわち、下部電極62、容量絶縁膜63及び上部電極64の三層構造によってカップ型キャパシタが構成されている。ここで、下部電極62及び上部電極64はPt膜よりなる。また、容量絶縁膜63は厚さ25nmのBST膜よりなる。
【0018】
尚、図4(a)において、密着層は下部電極62と一体的に表されているものとする。また、図4(a)において、αは、密着層の厚さを含む下部電極62の厚さを示しており、βはメモリセル間のセパレーション幅を示しており、2Fはカップ型キャパシタの配列ピッチを示している。
【0019】
また、図4(b)に示すように、下部電極(密着層を含む)62の厚さαが大きくなると、それに伴って、上部電極64が形成される凹部(カップ)60cのアスペクト比が非常に大きくなるので、上部電極64の形成が実質的に不可能になる。また、図4(b)に示すように、カップ型キャパシタの配列ピッチ2F(図中においては2Fの半値Fを示している)が小さくなるに従って、同じ大きさのαで比べたときの前述のアスペクト比が大きくなっていく。
【0020】
従って、カップ型キャパシタにおいては、メモリセルの微細化に伴って、下部電極の厚さと共に密着層の厚さを小さくしていかないと、カップの中まで上部電極を埋め込むことが困難になる。
【0021】
尚、図4(b)に示す結果は、セパレーション幅βを50nmで一定に保ちながら、配列ピッチ2Fの半値Fを0.10μm、0.13μm、0.15μmと変化させることによって得られたものである。ここで、半値Fはトランジスタのデザインルールであって、現在のDRAMにおいては、このトランジスタのデザインルールFに対して、メモリセルが2F×4F=8F2 の面積を持つようにデザインされている。すなわち、キャパシタのピッチは短辺方向が2F、長辺方向が4Fとなる。従って、図4(a)は、カップ型キャパシタにおける短辺方向の断面構造を表している。
【0022】
前記に鑑み、本発明は、絶縁膜と電極又は配線との密着性を十分に保持することができ、容量素子を形成する場合に誘電率の低下を防ぐことができ、且つ、凹部に埋め込まれた電極を有するカップ型キャパシタ等の容量素子を形成する場合に電極の形成を容易に行なうことができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0023】
【課題を解決するための手段】
前記の目的を達成するために、本発明に係る第1の半導体装置の製造方法は、絶縁膜の上に金属層を形成する工程と、酸化力を持つ液体を用いて金属層に対して酸化処理を行なうことにより密着層を形成する工程と、密着層の上に電極又は配線を形成する工程とを備えている。
【0024】
第1の半導体装置の製造方法によると、絶縁膜の上に金属層を形成した後、酸化力を持つ液体を用いて金属層に対して酸化処理を行なうため、金属層を十分に酸化することができ、それにより形成された密着層の上に電極又は配線を形成することができる。このため、密着層中の金属原子が電極又は配線の中を拡散して電極又は配線の表面に析出することがないので、電極又は配線を形成した後の工程で電極又は配線の表面に酸化膜が形成されることがない。その結果、酸化物の体積膨張に起因する膜はがれの発生を防止できるので、密着性の良好な密着層を形成することができる。従って、電極又は配線と絶縁膜との密着性を十分に保持することができる半導体装置を製造することができる。
【0025】
また、第1の半導体装置の製造方法を用いて容量素子を形成した場合、下部電極下側の密着層中の金属原子が下部電極表面に析出することがないため、下部電極上に比誘電率の高い材料よりなる容量絶縁膜を形成する際に比誘電率の低い酸化膜が下部電極表面に形成されることがない。従って、容量素子の誘電率の低下つまり蓄積容量の低下を防止することができる。
【0026】
第1の半導体装置の製造方法において、金属層はチタンよりなることが好ましい。
【0027】
このようにすると、チタン金属層を十分に酸化して、酸化チタンよりなる密着性の良好な密着層を確実に形成することができる。
【0028】
第1の半導体装置の製造方法において、金属層の厚さは1nm以上で且つ10nm以下であることが好ましい。
【0029】
このようにすると、前述のような効果に加えて、金属層の厚さを1nm以上で且つ10nm以下に設定しているため、密着性を十分に保持しつつ、金属層を十分に酸化して密着層を形成することができる。さらに、密着層となる金属層の厚さが1nm以上で且つ10nm以下と薄いため、第1の半導体装置の製造方法をカップ型キャパシタの形成に適用した場合、上部電極が埋め込まれるカップ(凹部)のアスペクト比の増大を防止できる。従って、上部電極を容易に形成することができる。
【0030】
第1の半導体装置の製造方法において、酸化力を持つ液体は水、過酸化水素水又はオゾン水であることが好ましい。
【0031】
このようにすると、金属層を十分に酸化して、密着性の良好な密着層を確実に形成することができる。
【0032】
本発明に係る第2の半導体装置の製造方法は、絶縁膜の上に金属層を形成する工程と、酸化力を持つ液体を用いて金属層に対して酸化処理を行なうことにより密着層を形成する工程と、密着層の上に第1の電極を形成する工程と、第1の電極の上に容量絶縁膜を形成する工程と、容量絶縁膜の上に第2の電極を形成する工程とを備えている。
【0033】
第2の半導体装置の製造方法によると、絶縁膜の上に金属層を形成した後、酸化力を持つ液体を用いて金属層に対して酸化処理を行なうため、金属層を十分に酸化することができ、それにより形成された密着層の上に第1の電極(容量素子の下部電極)を形成することができる。このため、密着層中の金属原子が下部電極中を拡散して下部電極の表面に析出することがないので、下部電極上に比誘電率の高い材料よりなる容量絶縁膜を形成する際に下部電極表面に酸化膜が形成されることがない。その結果、酸化物の体積膨張に起因する膜はがれの発生を防止できるので、密着性の良好な密着層を形成することができる。また、比誘電率の低い酸化膜が下部電極表面に形成されることがないので、容量素子の誘電率の低下つまり蓄積容量の低下を防止することができる。従って、下部電極と下地絶縁膜との密着性が十分に保持され且つ蓄積容量が十分に確保された容量素子を持つ半導体装置を製造することができる。
【0034】
第2の半導体装置の製造方法において、金属層はチタンよりなることが好ましい。
【0035】
このようにすると、チタン金属層を十分に酸化して、酸化チタンよりなる密着性の良好な密着層を確実に形成することができる。
【0036】
第2の半導体装置の製造方法において、金属層の厚さは1nm以上で且つ10nm以下であることが好ましい。
【0037】
このようにすると、前述のような効果に加えて、金属層の厚さを1nm以上で且つ10nm以下に設定しているため、密着性を十分に保持しつつ、金属層を十分に酸化して密着層を形成することができる。さらに、密着層となる金属層の厚さが1nm以上で且つ10nm以下と薄いため、第2の半導体装置の製造方法をカップ型キャパシタの形成に適用した場合、上部電極が埋め込まれるカップ(凹部)のアスペクト比の増大を防止できる。従って、上部電極をカップの底まで容易に形成できるので、キャパシタの歩留まりを向上させることができる。
【0038】
第2の半導体装置の製造方法において、酸化力を持つ液体は水、過酸化水素水又はオゾン水であることが好ましい。
【0039】
このようにすると、金属層を十分に酸化して、密着性の良好な密着層を確実に形成することができる。
【0040】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法について、カップ型のキャパシタ構造を持つ容量素子を形成する場合を例として、図面を参照しながら説明する。
【0041】
図1(a)〜(e)及び図2(a)〜(c)は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【0042】
まず、図1(a)に示すように、例えばDRAMセル等を構成するメモリセルトランジスタのゲート電極及びソース・ドレイン領域等(図示省略)が形成されており、例えば直径が8インチのウェハよりなるシリコン基板1の上に、例えばCVD(chemical vapor deposition )法によりシリコン酸化膜よりなる第1の層間絶縁膜2を形成する。続いて、例えばリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、第1の層間絶縁膜2を貫通してシリコン基板1の所定部分(DRAMセルの場合にはメモリセルトランジスタのソース領域)に到達する接続孔2aを形成する。その後、接続孔2aにポリシリコン膜を埋め込んでポリシリコンプラグ3を形成する。
【0043】
次に、図1(b)に示すように、シリコン基板1の上に、例えばCVD法により、シリコン酸化膜よりなる第2の層間絶縁膜4、及びシリコン窒化膜よりなる第3の層間絶縁膜5を順次形成する。続いて、例えばリソグラフィ技術及びドライエッチング技術を用いて、第2の層間絶縁膜4及び第3の層間絶縁膜5を貫通してポリシリコンプラグ3の直上部に到達する凹部6を形成する。ここで、凹部6の径は例えば0.40μmであり、第1の層間絶縁膜2に形成した接続孔2aの径は例えば0.15μmである。
【0044】
次に、図1(c)に示すように、凹部6の底部及び壁面を含む第3の層間絶縁膜5の上に、例えばTiよりなる厚さ1〜10nm程度(例えば3nm)の金属層7Aを形成する。その後、金属層7Aに対して水洗を5分間程度行なう。その際、水洗の温度は25〜50℃程度が適当である。これにより、図1(d)に示すように、金属層7Aを酸化して、酸化チタン(TiOx )よりなる密着層7を形成することができる。このとき、金属層7Aの厚さが1nm以上で且つ10nm以下であると、水洗により金属層7Aを十分に酸化させることができ、それによって形成された、十分に酸化したTiOx 膜は密着性にすぐれた密着層7となる。一方、金属層7Aの厚さが1nm未満であると、密着層7によって十分な密着性が得られない。また、金属層7Aの厚さが10nmを超えると、水洗による金属層7Aの酸化が十分行なわれず、その結果、密着層7の上に形成されるPt電極中を金属原子(Ti原子)が拡散してしまうことになる。
【0045】
尚、金属層7Aを酸化するための液体としては、純水の他に、過酸化水素(H2O2)水又はオゾン(O3 )水等を用いることができる。
【0046】
次に、図1(e)に示すように、密着層7の上に、例えばスパッタ法により、下部電極となる厚さ20nm程度のPt膜8Aを、凹部6が途中まで埋まるように形成する。ここで、凹部6を含む第3の層間絶縁膜5の上に、TiOx よりなる密着層7を挟んでPt膜8Aを形成することにより、凹部6を含む第3の層間絶縁膜5の上にPt膜8Aを直接形成する場合と比べて膜はがれを防止することができる。次に、例えばCVD法を用いて、Pt膜8Aの上に厚さ400nm程度のシリコン酸化膜9を、凹部6が完全に埋まるように成膜する。
【0047】
次に、図2(a)に示すように、例えばドライエッチングを用いてシリコン酸化膜9に対して、その表面から厚さ400nm分だけ除去されるようにエッチバックを行ない、それにより凹部6内にのみシリコン酸化膜9を残存させる。続いて、残存するシリコン酸化膜9をマスクとして、Pt膜8Aにおける凹部6の外側部分を、例えばArガス、O2 ガス及びCl2 ガスを用いたドライエッチングにより選択的に除去すると共に、密着層7における凹部6の外側部分を選択的に除去する。これにより、凹部6の壁面及び底部の上に、Pt膜よりなる下部電極8が密着層7を挟んで形成される。その後、図2(b)に示すように、凹部6内に残存するシリコン酸化膜9を例えばHF(hydrogen fluoride )溶液を用いて除去する。
【0048】
次に、図2(c)に示すように、通常の方法を用いて、下部電極8が形成された凹部6に、誘電体としての容量絶縁膜10、及び上部電極11を順次形成することにより、下部電極8、容量絶縁膜10及び上部電極11の三層構造を持つカップ型キャパシタを完成させる。具体的には、凹部6内の下部電極8の上、及び第3の層間絶縁膜5の所定部分の上に、例えばCVD法を用いて高誘電体材料よりなる厚さ20nm程度の容量絶縁膜10を形成した後、容量絶縁膜10の上に、例えばRFスパッタ法を用いてPtよりなる厚さ100nm程度の上部電極11を形成する。
【0049】
尚、容量絶縁膜10には、例えば比誘電率の高い材料として、酸化アルミニウム若しくは五酸化タンタル等の金属酸化物、又は、ペロブスカイト結晶構造を有するBST、PZT若しくはSBT等の材料を用いることができる。
【0050】
次に、図2(c)に示すように、上部電極11の上を含む第3の層間絶縁膜5の上に、シリコン酸化膜よりなる第4の層間絶縁膜12を形成した後、第4の層間絶縁膜12を貫通して上部電極11と接続するコンタクトプラグ13を形成する。続いて、第4の層間絶縁膜12の上に、コンタクトプラグ13と接続する上層配線14を形成した後、上層配線14を覆う保護絶縁膜15を形成する。これにより、カップ型キャパシタを持つ半導体装置が完成する。
【0051】
以上に説明したように、本実施形態によると、容量素子形成用の凹部6が形成された第3の層間絶縁膜5の上に金属層7Aを形成した後、水洗により金属層7Aに対して酸化処理を行なうため、金属層7Aを十分に酸化でき、それにより形成された密着層7の上に容量素子の下部電極8(Pt電極)を形成できる。このため、密着層7中の金属原子(Ti原子)がPt電極中を拡散してPt電極の表面に析出することがないので、Pt電極上に比誘電率の高い材料よりなる容量絶縁膜10を形成する際にPt電極の表面にTiの酸化膜が形成されることがない。その結果、酸化物の体積膨張に起因する膜はがれの発生を防止できるので、密着層7によって十分な密着強度が得られる。また、比誘電率の低いTiの酸化膜がPt電極表面に形成されることがないので、キャパシタの誘電率の低下つまり蓄積容量の低下を防止することができる。従って、下部電極と下地絶縁膜との密着性が十分に保持され且つ蓄積容量が十分に確保された容量素子を持つ半導体装置を製造することができる。
【0052】
さらに、本実施形態によると、密着層7となる金属層7Aの厚さが1〜10nm程度と十分に薄いため、上部電極11の形成時点における凹部6のアスペクト比、つまり、密着層7、下部電極8及び容量絶縁膜10が順次形成されて途中まで埋まった凹部6のアスペクト比が極端に大きくなることがない。言い換えると、上部電極11が形成されるカップのアスペクト比の増大を防止できる。従って、上部電極11をカップ(凹部6)の底まで容易に形成することができるので、キャパシタの歩留まりを向上させることができる。すなわち、密着層7を薄膜化することによって、本実施形態の方法を、カップ型キャパシタの形成に容易に適用することができる。
【0053】
尚、本実施形態において、水洗により金属層7Aを酸化したが、これに代えて、酸化力を有する他の液体、例えば過酸化水素水又はオゾン水等を用いて金属層7Aを酸化させても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【0054】
また、本実施形態において、密着層7の材料としてTiOx を用いたが、密着層7の材料は、TiOx と同様の効果を発揮できるものであれば特に限定されるものではない。また、密着層7となる金属層7Aの材料としてTiを用いたが、これに代えて、Ta、TiAl、TiW、TaAl、TiSi又はTaSi等を用いてもよい。
【0055】
また、本実施形態において、凹部6の底部及び壁面の上に密着層7を形成したが、これに代えて、密着層7を凹部6の底部の上のみに形成してもよい。この場合にも、密着層7によって十分な密着性(第1の層間絶縁膜2と下部電極8との密着性)を確保することができる。
【0056】
また、本実施形態において、キャパシタの下部電極(下部電極8)と下地絶縁膜(第1の層間絶縁膜2)との間における密着層形成を対象とした。しかし、本発明はこれに限られず、GaN系半導体レーザの電極と絶縁膜との間、TFT液晶表示装置のアドレス線と絶縁膜との間、又はゲート電極線と絶縁膜との間等における密着層形成を対象としてもよい。
【0057】
ところで、本実施形態において、密着層7となる金属層7Aの厚さ、つまりTi膜の厚さを1〜10nmの範囲に限定するにあたって、本願発明者らは次のような実験を行ない、その実験結果に基づいてTi膜の厚さを前述の範囲に決定した。以下、その実験内容について説明する。まず、本願発明者らは、密着層としてTi膜を用いた場合における、Pt膜と絶縁膜との密着性と、Ti膜の膜厚との関係について実験を行なった。その結果、Ti膜の膜厚が1nm程度以上あれば、8N/cmの粘着力を持つテープを用いた剥離試験においても、膜はがれが起こらなかった。
【0058】
ところが、Ti膜を厚くすると(例えばTi膜の厚さを3nm以上にすると)、Ti原子がPt電極中を拡散してPt電極表面に析出するという現象を本願発明者らは見出した。このようにTi原子がPt電極表面に存在すると、Pt電極上に、比誘電率の高いBST膜、Ta2O5膜又はPZT膜を成膜したときにTi原子が酸化されて比誘電率の小さいTi酸化膜がPt電極表面に形成され、その結果、キャパシタの容量を大きくすることができない。
【0059】
また、Ti原子がPt電極表面に存在する場合においてPt電極上にBST膜を形成する場合には、BST膜におけるBa、Sr及びTiの組成バランスが、Pt電極表面に析出したTi原子の影響で崩されるため、BST膜の所望の特性が得られなくなる。さらに、Ti原子がPt電極表面に存在する場合においてPt電極上にPZT又はSBT等のペロブスカイト構造を持つ絶縁膜を形成する場合には、ぺロブスカイト構造中にTi原子が入り込んでしまう結果、これらの絶縁膜の所望の特性が得られなくなる。
【0060】
さらに、本願発明者らは、密着層として酸化Ti膜を用いた場合における、Pt膜と絶縁膜との密着性と、酸化Ti膜の膜厚との関係について実験を行なった。ここで、酸化Ti膜を形成するにあたって、「従来の技術」で述べたような方法を用いた場合には様々な弊害が生じる。すなわち、基板上に既に作成されているトランジスタのソース・ドレイン領域等に含まれる不純物が再拡散を起こしたり、又は、Ti膜に対して十分な酸化処理を施せないことに起因して膜はがれが起きたりする。そこで、本実施形態で説明したように、Ti膜を成膜した後に水洗によりTi膜を酸化し、それによって酸化Ti膜を形成したところ、Ti膜が1nm程度の極薄膜である場合でも、形成された酸化Ti膜の密着性には問題がなかった。また、Ti膜の厚さを1〜20nmに設定して同様の実験を行なったところ、Ti膜の厚さが10nmを超えるとTi膜を十分に酸化できないということが判明した。従って、本願発明者らは、密着層7となるTi膜つまり金属層7Aの厚さを1〜10nmの範囲に決定した。
【0061】
【発明の効果】
本発明によると、酸化力を持つ液体を用いて、密着層となる金属層に対して酸化処理を行なうため、該金属層を十分に酸化することができる。このため、密着層中の金属原子が電極又は配線の中を拡散して電極又は配線の表面に析出することがないので、電極又は配線を形成した後の工程で電極又は配線の表面に酸化膜が形成されることがない。その結果、酸化物の体積膨張に起因する膜はがれの発生を防止できるので、密着性の良好な密着層を形成することができる。従って、電極又は配線と絶縁膜との密着性を十分に保持することができる半導体装置を製造することができる。
【0062】
また、本発明を用いて容量素子を形成した場合、下部電極下側の密着層中の金属原子が下部電極表面に析出することがないため、下部電極上に比誘電率の高い材料よりなる容量絶縁膜を形成する際に比誘電率の低い酸化膜が下部電極表面に形成されることがない。従って、容量素子の誘電率の低下つまり蓄積容量の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(e)は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図2】(a)〜(c)は本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図3】従来のキャパシタの断面構造を示す図である。
【図4】(a)は従来のカップ型キャパシタの断面構成図であり、(b)は(a)に示すキャパシタにおける、下部電極の厚さ(密着層の厚さを含む)と、上部電極が形成されるカップ(凹部)のアスペクト比との関係を示す特性図である。
【符号の説明】
1 シリコン基板
2 第1の層間絶縁膜
2a 接続孔
3 ポリシリコンプラグ
4 第2の層間絶縁膜
5 第3の層間絶縁膜
6 凹部
7A 金属層
7 密着層
8A Pt膜
8 下部電極
9 シリコン酸化膜
10 容量絶縁膜
11 上部電極
12 第4の層間絶縁膜
13 コンタクトプラグ
14 上層配線
15 保護絶縁膜
Claims (8)
- 絶縁膜の上に金属層を形成する工程と、
酸化力を持つ液体を用いて前記金属層に対して酸化処理を行なうことにより密着層を形成する工程と、
前記密着層の上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極の上に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記容量絶縁膜の上に第2の電極を形成する工程とを備え、
前記金属層はTi、Ta、TiAl、TiW、TaAl、TiSi又はTaSiよりなり、
前記第1の電極は貴金属よりなり、
前記容量絶縁膜は、酸化雰囲気中で成膜される高誘電体膜よりなることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記貴金属は白金、イリジウム又はルテニウムよりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記貴金属は白金よりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記高誘電体膜は、金属酸化物、又はペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体材料よりなることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属酸化物は酸化アルミニウム又は五酸化タンタルよりなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記強誘電体材料はバリウムストロンチウムチタンオキサイド、鉛ジルコニウムチタンオキサイド又はストロンチウムビスマスタンタルオキサイドよりなることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記金属層の厚さは1nm以上で且つ10nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記酸化力を持つ液体は水、過酸化水素水又はオゾン水であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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