JP3585025B2 - Ac/dcコンバータ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、スイッチ素子のオン,オフ動作で入力力率改善を行なう際に発生するスイッチング損失、およびスイッチング時に発生するノイズを低減するための力率改善回路を備えたAC/DC(交流/直流)コンバータに関する。
【0002】
【従来の技術】
図6に部分電圧共振形DC/DCコンバータと力率改善回路を備えたAC/DCコンバータの従来例を示す。
すなわち、力率改善回路は、商用電源を整流するダイオードブリッジDBの出力端子の一端にリアクトルL1とダイオードD1の直列回路を接続し、ダイオードD1とダイオードブリッジDBの出力端子の他端との間に平滑用コンデンサC1を接続し、リアクトルL1とダイオードD1の接続点とダイオードブリッジDBとコンデンサC1の接続点の間にスイッチ素子S1を接続して構成される。
【0003】
また、部分電圧共振形DC/DCコンバータは、平滑用コンデンサC1の正極端子と負極端子と並列に絶縁トランスTR1の一次巻線と主スイッチ素子S2の直列回路を接続し、絶縁トランスTR1と主スイッチ素子S2の接続点と、平滑用コンデンサC1の正極端子との間にコンデンサC5と補助スイッチ素子S3の直列回路を接続し、主スイッチ素子S2と補助スイッチ素子S3の各々に並列にそれぞれコンデンサC3,C4を接続して構成される。
また、主スイッチ素子S2と補助スイッチ素子S3の各々に逆並列にそれぞれダイオードD3,D4を接続する。スイッチ素子がMOSFETの場合、このダイオードはMOSFETの寄生ダイオードで代用可能である。また、絶縁トランスの二次巻線の両端にダイオードD2とコンデンサC2の直列回路を接続し、コンデンサC2の両端が直流出力端子となる。
【0004】
ここで、上記力率改善回路を、電流不連続モードで動作させる場合(入力電流が必ず零になる期間を設けた運転)について説明する。
スイッチ素子S1のオン,オフはコンデンサC1の電圧VDCを一定に保つように制御される。いま、スイッチ素子S1がオンすると交流入力→ダイオードブリッジDB→リアクトルL1→スイッチ素子S1→ダイオードブリッジDB→交流入力の経路で入力電流が流れ、リアクトルL1にエネルギーが蓄積される。また、スイッチ素子S1の電流上昇率はリアクトルL1によって制限され、零電流スイッチング(以下、ZCSとも略記する)となりターンオン損失はほとんど発生しない。
【0005】
次に、スイッチ素子S1がオフすると、S1の両端電圧VS1が上昇し、平滑電圧VDCに達するとダイオードD1が導通し、交流入力→ダイオードブリッジDB→リアクトルL1→ダイオードD1→コンデンサC1→ダイオードブリッジDB→交流入力の経路で入力電流が流れ、リアクトルL1に蓄積されていたエネルギーがコンデンサC1に移されるとともに電流が減少し、リアクトルL1に蓄積されていたエネルギーが零になるとダイオードD1は阻止状態となり、入力電流は零となる。このように、ダイオードブリッジDBで整流された電圧の大小に関わらず入力電流が流れることにより、入力力率が改善される。
【0006】
次に、図7を参照して、部分電圧共振形DC/DCコンバータの動作について説明する。
主スイッチ素子S2と補助スイッチ素子S3は短絡状態とならないよう、或るデッドタイム時間を設けて図7(a),(b)のように交互にオン,オフし、直流出力電圧Voを一定に保つように制御される。
まず、主スイッチ素子S2がオフ,補助スイッチ素子S3がオンしている状態から説明する。コンデンサC5は図6に矢印で示す方向に、直流出力電圧Voの一次換算値で充電されており、このときの電圧をVC5とする。また、コンデンサC4の電圧は零、コンデンサC3は(VDC+VC5)で充電されている。コンデンサC5の静電容量は、コンデンサC3,C4より十分大きいとする。補助スイッチ素子S3はオンしているので、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC5→補助スイッチ素子S3→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路で絶縁トランスの励磁インダクタンスを逆方向に励磁する電流が流れている。
【0007】
時刻t1で補助スイッチ素子S3をオフすると、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC5→コンデンサC4→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路でコンデンサC4が充電され、補助スイッチ素子S3の電圧VS3は図7(d)のように上昇する。補助スイッチ素子S3は、電圧上昇率がコンデンサC4の充電スピードにより制限され、零電圧スイッチング(以下、ZVSとも略記する)となり、ターンオフ損失はほとんど発生しない。このときコンデンサC4の電圧上昇にともない、コンデンサC3はコンデンサC3→絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC1→コンデンサC3の経路で放電される。このとき主スイッチ素子S2は電圧減少率がコンデンサC3の放電スピードで制限される。
【0008】
時刻t2でコンデンサC3の電圧は零となり、ダイオードD3が導通し、補助スイッチ素子S3の電圧は(VDC+VC5)にクランプされ、コンデンサC5とコンデンサC4に流れる電流は零となる。また、ダイオードD3→絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC1→ダイオードD3の経路で電流が流れ、絶縁トランスTR1の励磁インダクタンスに逆方向に蓄積されていたエネルギーがコンデンサC1に移される。ダイオードD3が導通している時刻t3で、図7(a)のように主スイッチ素子S2をオンすることで、主スイッチ素子S2はZVSとなり、ターンオン損失は零となる。
【0009】
時刻t4でダイオードD3の電流が零となり、コンデンサC1→絶縁トランスTR1の一次巻線→主スイッチ素子S2→コンデンサC1の経路で電流が流れ始めることで、絶縁トランスTR1の励磁インダクタンスにエネルギーが蓄積される。
時刻t5で主スイッチ素子S2をオフすると、絶縁トランスTR1の一次巻線に流れていた電流の一部は、コンデンサC1→絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC3→コンデンサC1の経路で流れてコンデンサC3を充電し、残りの電流は絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC4→コンデンサC5→絶縁トランスTR1の一次巻線なる経路で、コンデンサC4を放電するように流れる。このとき主スイッチ素子S2は、電圧上昇率がコンデンサC3の充電スピードで制限されZVSとなり、ターンオフ損失はほとんど発生しない。また、補助スイッチ素子S3は電圧減少率がコンデンサC4の放電スピードで制限される。
【0010】
時刻t6で絶縁トランスTR1の二次巻線の電圧VTR2が直流出力電圧Voを越えると、絶縁トランスTR1の励磁インダクタンスに蓄積されていたエネルギーの一部が、二次巻線を介して出力に放出される。また、このときコンデンサC4の電圧は零となってダイオードD4が導通し、絶縁トランスに蓄積されていたエネルギーの残りの一部が、絶縁トランスTR1の一次巻線→ダイオードD4→コンデンサC5→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路でコンデンサC5に移される。このとき主スイッチ素子S2の電圧は(VDC+VC5)にクランプされる。
【0011】
ダイオードD4に電流が流れている時刻t7で補助スイッチ素子S3をオンすると、補助スイッチ素子S3はZVSとなり、ターンオン損失は零となる。
時刻t8でダイオードD4に流れていた電流が零になると、絶縁トランスTR1は、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC5→補助スイッチ素子S3→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路で、逆方向に励磁される。以後は、上記t1〜t8の繰り返しである。
このように、主スイッチ素子S2と補助スイッチ素子S3のスイッチング動作によって、絶縁トランスのインダクタンスと共振コンデンサC3,C4およびC5による共振作用により、いずれの素子のターンオン,ターンオフともZVSとなり、スイッチング時の電圧上昇率,減少率が低く制限されるため、スイッチング損失およびスイッチング時に発生するノイズの低減が可能となる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、上記のような力率改善回路では、スイッチ素子S1のターンオフがハードスイッチングとなってターンオフ損失が大きく、数十〜数百kHzの高周波でスイッチングさせる場合にこの損失が増大し、変換効率の低下や冷却体の大型化などの問題が発生する。また、ターンオフ時に発生するノイズも大きい。さらに、スイッチ素子S1のターンオン時はZCSとなり、ターンオン損失はほとんど発生しないが、スイッチ素子の電圧が急激に零まで下がるときに大きなノイズが発生するという問題もある。
したがって、この発明の課題は、力率改善回路のスイッチ素子をZVSでオン,オフさせることにより、スイッチング損失の低減とスイッチング時に発生するノイズの低減を図ることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
このような課題を解決すべく、請求項1の発明では、商用電源を整流する整流手段と、この整流手段の出力電圧をスイッチ素子により断続して昇圧するとともに電流不連続モードで動作して入力力率を改善する力率改善手段と、この力率改善手段の出力を平滑する平滑コンデンサと、この平滑された直流電圧をスイッチ素子により断続して得た電圧を絶縁トランスの一次巻線に印加して二次側に電力を供給するDC/DCコンバータとを備えたAC/DCコンバータにおいて、
前記DC/DCコンバータは、主スイッチ素子の他にこの主スイッチ素子と直列に接続された補助スイッチ素子と共振コンデンサとの並列回路を有し、前記主スイッチ素子と補助スイッチ素子のスイッチ動作に伴う、前記絶縁トランスのインダクタンスと前記共振コンデンサの共振動作により、主スイッチ素子と補助スイッチ素子のオン,オフとも零電圧スイッチング(ZVS)動作をするものとし、
かつ、前記力率改善手段に用いられる第1のスイッチ素子に並列に第1のコンデンサを接続し、この第1のスイッチ素子の正極側端子と第1のコンデンサの接続点と、前記DC/DCコンバータの主スイッチ素子の正極側端子との間に第2のコンデンサを接続し、前記第1のスイッチ素子と前記DC/DCコンバータの主スイッチ素子がオンするタイミングを同一としたことを特徴とする。
上記請求項1の発明においては、前記第2のコンデンサを、リアクトルと第1のダイオードと第3のコンデンサとの直列回路に置き換え、第1のダイオードと第3のコンデンサとの接続点と、前記平滑コンデンサの正極端子との間に第2のダイオードを接続することができる(請求項2の発明)。
【0014】
請求項3の発明では、商用電源を整流する整流手段と、この整流手段の出力電圧をスイッチ素子により断続し昇圧して入力力率を改善する力率改善手段と、この力率改善手段の出力を平滑する平滑コンデンサと、この平滑された直流電圧をスイッチ素子により断続して得た電圧を絶縁トランスの一次巻線に印加して二次側に電力を供給するDC/DCコンバータとを備えたAC/DCコンバータにおいて、
前記DC/DCコンバータは、平滑コンデンサの両端に前記絶縁トランスの一次巻線と主スイッチ素子との直列回路を接続し、この主スイッチ素子と並列に零電圧スイッチング(ZVS)を実現するための共振コンデンサを接続し、さらに、この共振コンデンサと並列にダイオードと前記絶縁トランスの三次巻線と補助スイッチ素子との直列回路を接続し、前記主スイッチ素子がオンする以前に補助スイッチ素子をオンすることにより、前記共振コンデンサに蓄積された電荷を放電し、共振コンデンサの電圧が零となった時点で主スイッチ素子をオンして、零電圧ターンオンを実現するものとし、
かつ、前記力率改善手段に用いられる第1のスイッチ素子に並列に第1のコンデンサを接続し、この第1のスイッチ素子の正極側端子と前記共振コンデンサの放電経路との間にダイオードを接続し、前記第1のスイッチ素子と前記DC/DCコンバータの主スイッチ素子がオンするタイミングを同一としたことを特徴とする。
【0015】
【発明の実施の形態】
図1は、この発明の第1の実施の形態としてのAC/DCコンバータ回路を示す。図6に示した従来例と同一機能を有するものには同一符号を付して、その説明は省略する。
すなわち、図1では、図6に示したスイッチ素子S1と並列にコンデンサC6を接続するとともに、スイッチ素子S1の正極側と部分電圧共振形DC/DCコンバータの主スイッチ素子S2の正極側との間にコンデンサC7を接続して構成している。
【0016】
図1における動作について、まず、スイッチ素子S1がオフ、主スイッチ素子S2がオフ、補助スイッチ素子S3がオンしている状態から説明する。このとき力率改善回路は電流不連続モードで動作するものとする。また、コンデンサC5は図1に矢印で示す方向に、直流出力電圧Voの一次換算値で充電されており、その電圧をVC5とする。コンデンサC6は、コンデンサC1の電圧VDCとほぼ同じ電圧で充電されている。また、コンデンサC7は図1に矢印で示す方向に、コンデンサC5の電圧VC5とほぼ同じ電圧で充電されている。コンデンサC7の静電容量はコンデンサC3,コンデンサC6よりも十分大きく、コンデンサC5の静電容量はコンデンサC7よりも十分大きいものとする。
【0017】
図4に図1の動作波形を示す。以下、スイッチ素子S1のパルス幅がスイッチ素子S2のパルス幅より長い場合(図4の左側参照)と、短い場合(図4の右側参照)に分けて説明する。
まず、スイッチ素子S1のパルス幅がスイッチ素子S2のパルス幅よりも長い場合には、補助スイッチ素子S3をオフすると、絶縁トランスTR1の一次巻線に流れていた電流により、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC5→コンデンサC4→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路でコンデンサC4が充電され、補助スイッチ素子S3の電圧が上昇する。補助スイッチ素子S3は、電圧上昇率がコンデンサC4の充電スピードで制限されるのでZVSとなり、ターンオフ損失はほとんど発生しない。これにともない、コンデンサC6とコンデンサC7の直列回路とコンデンサC3の並列回路に充電されていたエネルギーは、絶縁トランスTR1の一次巻線を介してコンデンサC1に移され放電する。このときスイッチ素子S1と主スイッチ素子S2の電圧減少率は、それぞれコンデンサC6とコンデンサC3の放電スピードで制限される。やがて、コンデンサC6とコンデンサC7とコンデンサC3の電圧はそれぞれ零となり、ダイオードD5とダイオードD3が導通する。ダイオードD5とダイオードD3に電流が流れているときに、スイッチ素子S1と主スイッチ素子S2を同時にオンすることにより、スイッチ素子S1,S2のターンオンがZVSとなり、いずれもターンオン損失は零となる。なお、主スイッチ素子S2がオンしてからオフする直前までの動作は図6の場合と同様なので、説明は省略する。
【0018】
次に、主スイッチ素子S2がオフすると、絶縁トランスTR1の一次巻線に流れていた電流の一部は、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC3→コンデンサC1→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路と、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC7→スイッチ素子S1→コンデンサC1→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路に流れ、コンデンサC3とコンデンサC7を充電し、電圧が上昇する。この電圧上昇にともない、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC4→コンデンサC5→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路で、コンデンサC4が放電する。このとき、スイッチ素子S1に流れる電流はリアクトルL1から流入する電流に、コンデンサC7の充電電流が重畳される。コンデンサC4の電圧が零になると、ダイオードD4が導通するため、コンデンサC3とコンデンサC7の電圧は(VDC+VC5)にクランプされる。このとき絶縁トランスTR1の二次巻線電圧は直流出力電圧Voに達し、絶縁トランスTR1に蓄積されていた励磁エネルギーの一部が、二次巻線を介して直流出力に出力される。
【0019】
スイッチ素子S1がオフする直前までの動作は、従来と同様である。
次に、スイッチ素子S1がオフすると、交流入力→ダイオードブリッジDB→リアクトルL1→コンデンサC6→ダイオードブリッジDB→交流入力の経路でコンデンサC6を充電し、スイッチ素子S1は電圧上昇率がコンデンサC6の充電スピードで抑制されるためZVSとなり、ターンオフ損失はほとんど発生しない。また、スイッチ素子S1の電圧上昇にともないコンデンサC7は、コンデンサC7→ダイオードD4→コンデンサC5→コンデンサC1→ダイオードブリッジDB→交流入力→ダイオードブリッジDB→リアクトルL1→コンデンサC7の経路で放電される。スイッチ素子S1の電圧が、コンデンサC1の電圧VDCに達するとダイオードD1が導通し、コンデンサC7の電圧はコンデンサC5の電圧VC5にクランプされる。また、リアクトルL1に蓄積されたエネルギーがコンデンサC1に移る動作は従来回路と同様である。
【0020】
次に、スイッチ素子S1のパルス幅がスイッチ素子S2のパルス幅より短い場合の動作について、説明する。
スイッチ素子S1がオフする直前までの動作は上記と同様である。
いま、スイッチ素子S1がオフすると、スイッチ素子S2はオンしているため、リアクトルL1に流れていた電流により、コンデンサC6とコンデンサC7を充電する。コンデンサC6とコンデンサC7の電圧は徐々に上昇し、コンデンサC1の電圧VDCに達すると、ダイオードD1が導通しクランプされる。このとき、スイッチ素子S2に流れる電流は、コンデンサC1→絶縁トランスTR1の一次巻線→スイッチ素子S1→コンデンサC1の経路で流れる電流に、コンデンサC7の充電電流が重畳される。スイッチ素子S1は電圧上昇率がコンデンサC6の充電スピードで制限されるのでZVSとなり、ターンオフ損失はほとんど発生しない。
【0021】
次にスイッチ素子S2がオフすると、絶縁トランスTR1の一次巻線に流れていた電流は、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC3→コンデンサC1→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路でコンデンサC3を充電する電流と、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC7→ダイオードD1→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路でコンデンサC7を放電する電流と、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC4→コンデンサC5→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路でコンデンサC4を放電する電流に分流する。コンデンサC4の電圧が零になるとダイオードD4が導通するため、コンデンサC3の電圧は(VDC+VC5)にクランプされる。また、コンデンサC7の電圧は、VC5にクランプされる。このとき絶縁トランスTR1の二次巻線電圧は直流出力電圧Voに達し、絶縁トランスTR1に蓄積されていた励磁エネルギーの一部が、二次巻線を介して直流出力に出力される。
【0022】
図2はこの発明の第2の実施の形態を示す回路図である。図1と同一の機能を有するものには同一符号を付して、その説明を省略する。
すなわち、図2に示すものは、図1に示すコンデンサC7の代わりに、リアクトルL1とダイオードD6とコンデンサC7の直列回路を接続し、ダイオードD6とコンデンサC7の接続点とコンデンサC1の正極端子の間にダイオードD7を接続して構成される。
そして、図2のAC/DCコンバータでは、スイッチ素子S1がオフ、主スイッチ素子S2がオフ、補助スイッチ素子S3がオンしている状態では、コンデンサC6はコンデンサC1の電圧VDCとほぼ同じ電圧で充電されている。また、コンデンサC7は図2に矢印で示す方向に、コンデンサC5の電圧VC5とほぼ同じ電圧で充電されている。コンデンサC7の静電容量はコンデンサC3,C6よりも十分に大きいものとする。
【0023】
図2の動作波形を図5に示す。図1と同じ動作をするものについては、説明を省略する。
まず、スイッチ素子S1のパルス幅がスイッチ素子S2のパルス幅より短いときの動作につき、その相違点を重点的に説明する。
スイッチ素子S2がオフすると、コンデンサC7を充電する電流は、ダイオードD6でブロックされ、絶縁トランスTR1の一次巻線→コンデンサC7→絶縁トランスTR1の一次巻線の経路で流れる。このため、スイッチ素子S1にはコンデンサC7を充電する電流は重畳されない。また、電圧コンデンサC7の電圧は、コンデンサC5の電圧VC5にクランプされる。
【0024】
スイッチ素子S1のパルス幅がスイッチ素子S2のパルス幅より長いときの動作につき、図1との相違点を重点的に説明する。
スイッチ素子S1がオフすると、スイッチ素子S2はオンしているので、リアクトルL1に流れていた電流は、コンデンサC6を充電する電流と、リアクトルL2を介してコンデンサC7を充電する電流に分流する。このとき、コンデンサC7を充電する電流はリアクトルL2によって小さく抑えられているため、スイッチ素子S2の電流に重畳して流れる電流が小さくなる。
【0025】
図3はこの発明の第3の実施の形態を示す回路図である。図1と同一の機能を有するものには同一符号を付して、その説明を省略する。
すなわち、図3ではDC/DCコンバータの構成は、平滑コンデンサC1の両端に絶縁トランスTR2の一次巻線N1と主スイッチ素子S2の直列回路を接続し、主スイッチ素子S2に並列にコンデンサC3を接続し、さらにコンデンサC3に並列にダイオードD8と絶縁トランスTR2の三次巻線N3と補助スイッチ素子S3を接続する。また、力率改善回路のスイッチ素子S1の正極側と、DC/DCコンバータのダイオードD8と絶縁トランスTR2の三次巻線N3の接続点との間にダイオードD9を接続する。
【0026】
上記のような構成において、スイッチ素子S1のターンオフ動作は図1と同様なので説明を省略し、スイッチ素子S1のターンオンがZVSになる動作についてのみ、説明する。
スイッチ素子S1とスイッチ素子S2は、同時にオンするとする。スイッチ素子S1と主スイッチ素子S2がオンする前に補助スイッチ素子S3をオンすると、コンデンサC3とコンデンサC6に蓄積されていたエネルギーが、コンデンサC3→ダイオードD8→絶縁トランスTR2の三次巻線N3→補助スイッチ素子S3→コンデンサC3の経路と、コンデンサC6→ダイオードD9→絶縁トランスTR2の三次巻線N3→補助スイッチ素子S3→コンデンサC6の経路でトランスの三次巻線に移り、放電する。コンデンサC3とコンデンサC6の電圧が零となった時点で、スイッチ素子S1とスイッチ素子S2をオンすると、いずれもZVSでターンオンし、ターンオン損失は零となる。このとき、絶縁トランスTR2の一次巻線N1には、図3に矢印で示す方向の電圧が印加されるので、絶縁トランスTR2の三次巻線N3に発生する電圧によって、N3に流れる電流は零まで低下する。この時点でスイッチ素子S3をオフすると、スイッチ素子S3はZVS,ZCSとなり、ターンオフ損失は発生しない。なお、図3の力率改善回路は電流不連続モードだけでなく、電流連続モードでも動作可能である。
【0027】
【発明の効果】
この発明によれば、力率改善回路のスイッチ素子のオン,オフがZVSとなり、しかもオン,オフ時の電圧上昇,減少率も小さく制御されるので、以下のような効果がもたらされる。
(1)ターンオン損失は零、ターンオフ損失はほとんど発生しないので、力率改善回路の効率が上がる。
(2)スイッチング損失はほとんど発生しないので、高周波スイッチング動作が可能となり、リアクトルの小形化,入力フィルタの小形化等が達成される。
(3)スイッチング時に発生するノイズを小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態を示す回路図である。
【図2】この発明の第2の実施の形態を示す回路図である。
【図3】この発明の第3の実施の形態を示す回路図である。
【図4】図1の動作説明図である。
【図5】図2の動作説明図である。
【図6】従来例を示す回路図である。
【図7】図6の動作説明図である。
【符号の説明】
S1〜S3…スイッチ素子、C1〜C7…コンデンサ、D1〜D9…ダイオード、L1,L2…リアクトル、TR1,TR2…絶縁トランス、DB…ダイオードブリッジ。
Claims (3)
- 商用電源を整流する整流手段と、この整流手段の出力電圧をスイッチ素子により断続して昇圧するとともに電流不連続モードで動作して入力力率を改善する力率改善手段と、この力率改善手段の出力を平滑する平滑コンデンサと、この平滑された直流電圧をスイッチ素子により断続して得た電圧を絶縁トランスの一次巻線に印加して二次側に電力を供給するDC/DCコンバータとを備えたAC/DCコンバータにおいて、
前記DC/DCコンバータは、主スイッチ素子の他にこの主スイッチ素子と直列に接続された補助スイッチ素子と共振コンデンサとの並列回路を有し、前記主スイッチ素子と補助スイッチ素子のスイッチ動作に伴う、前記絶縁トランスのインダクタンスと前記共振コンデンサの共振動作により、主スイッチ素子と補助スイッチ素子のオン,オフとも零電圧スイッチング(ZVS)動作をするものとし、
かつ、前記力率改善手段に用いられる第1のスイッチ素子に並列に第1のコンデンサを接続し、この第1のスイッチ素子の正極側端子と第1のコンデンサの接続点と、前記DC/DCコンバータの主スイッチ素子の正極側端子との間に第2のコンデンサを接続し、前記第1のスイッチ素子と前記DC/DCコンバータの主スイッチ素子がオンするタイミングを同一としたことを特徴とするAC/DCコンバータ。 - 前記第2のコンデンサを、リアクトルと第1のダイオードと第3のコンデンサとの直列回路に置き換え、第1のダイオードと第3のコンデンサとの接続点と、前記平滑コンデンサの正極端子との間に第2のダイオードを接続したことを特徴とする請求項1に記載のAC/DCコンバータ。
- 商用電源を整流する整流手段と、この整流手段の出力電圧をスイッチ素子により断続し昇圧して入力力率を改善する力率改善手段と、この力率改善手段の出力を平滑する平滑コンデンサと、この平滑された直流電圧をスイッチ素子により断続して得た電圧を絶縁トランスの一次巻線に印加して二次側に電力を供給するDC/DCコンバータとを備えたAC/DCコンバータにおいて、
前記DC/DCコンバータは、平滑コンデンサの両端に前記絶縁トランスの一次巻線と主スイッチ素子との直列回路を接続し、この主スイッチ素子と並列に零電圧スイッチング(ZVS)を実現するための共振コンデンサを接続し、さらに、この共振コンデンサと並列にダイオードと前記絶縁トランスの三次巻線と補助スイッチ素子との直列回路を接続し、前記主スイッチ素子がオンする以前に補助スイッチ素子をオンすることにより、前記共振コンデンサに蓄積された電荷を放電し、共振コンデンサの電圧が零となった時点で主スイッチ素子をオンして、零電圧ターンオンを実現するものとし、
かつ、前記力率改善手段に用いられる第1のスイッチ素子に並列に第1のコンデンサを接続し、この第1のスイッチ素子の正極側端子と前記共振コンデンサの放電経路との間にダイオードを接続し、前記第1のスイッチ素子と前記DC/DCコンバータの主スイッチ素子がオンするタイミングを同一としたことを特徴とするAC/DCコンバータ。
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