JP3579492B2 - The method for manufacturing a display device - Google Patents

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    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector

Description

【0001】 [0001]
【産業上の利用分野】 BACKGROUND OF THE INVENTION
本発明は、液晶表示装置等のパッシブマトリクス型もしくはアクティブマトリクス型の表示装置に関し、特に、表示画面の周辺に取り付ける半導体集積回路を効果的に実装する方法であり、プラスチックフィルム等の薄型の基板にも実装可能な、表示装置の作製方法に関する。 The present invention relates to a passive matrix type or an active matrix display device such as a liquid crystal display device, particularly, a method of effectively mounting a semiconductor integrated circuit attached to the periphery of the display screen, the thin substrate such as a plastic film which can also be mounted to a method for manufacturing a display device.
【0002】 [0002]
【従来の技術】 BACKGROUND OF THE INVENTION
マトリクス型の表示装置としては、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型の構造が知られている。 The matrix type display device, the structure of a passive matrix type and active matrix type are known. パッシブマトリクス型では、第1の基板上に透明導電膜等でできた多数の短冊型の電気配線(ロー配線)をある方向に形成し、第2の基板上には、前記第1の基板上の電気配線とは概略垂直な方向に同様な短冊型の電気配線(カラム配線)を形成する。 Passive The matrix, the first formed in a certain direction electric wiring (row wiring) of a number of strip-type made of a transparent conductive film or the like on the substrate, the second substrate, said first substrate the electrical wiring to form a substantially perpendicular direction to the same strip-type electric wires (column wires). そして、両基板上の電気配線が対向するように基板を配置する。 Then, the electric wiring on the substrates are arranged a substrate so as to face each other.
【0003】 [0003]
基板間に液晶材料のように電圧・電流等によって、透光性、光反射・散乱性の変化する電気光学材料を設けておけば、第1の基板の任意のロー配線と第2の基板の任意のカラム配線との間に電圧・電流等を印加すれば、その交差する部分の透光性、光反射・散乱性等を選択できる。 The voltage and current or the like as the liquid crystal material between the substrates, translucent, if provided an electro-optical material of varying light reflection and scattering, of any row wiring of the first substrate and the second substrate When a voltage is applied, current or the like between the arbitrary column line, transparent portions thereof intersecting the light reflected and scattered, and the like can be selected. このようにして、マトリクス表示が可能となる。 In this way, the matrix display is possible.
【0004】 [0004]
アクティブマトリクス型では、第1の基板上に多層配線技術を用いて、ロー配線とカラム配線とを形成し、この配線の交差する部分に画素電極を設け、画素電極には薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子を設けて、画素電極の電位や電流を制御する構造とする。 In an active matrix type, by using a multilayer wiring technique on the first substrate to form a row wiring and column wiring, the pixel electrode at the intersection of the wiring provided, such as a thin film transistor (TFT) to the pixel electrode provided an active element, a structure for controlling the potential or current of the pixel electrode. また、第2の基板上にも透明導電膜を設け、第1の基板の画素電極と、第2の基板の透明導電膜とが対向するように基板を配置する。 Further, a transparent conductive film for the second substrate is provided, and the pixel electrode of the first substrate, a transparent conductive film of the second substrate is to place the substrate so as to face each other.
【0005】 [0005]
通常、これらの表示装置は、ガラスが基板として用いられた。 Usually, these display devices, the glass was used as the substrate. パッシブマトリクス型では、基板上に透明導電膜を形成し、これをエッチングして、ロー・カラム配線パターンを形成する以外には特に複雑なプロセスのないため、プラスチックを基板とすることも可能であった。 In passive matrix type, a transparent conductive film on a substrate, which was etched, because otherwise complicated process in addition to forming the row-column wiring pattern, there can also be a plastic substrate It was. 一方、比較的、高温の成膜工程を有し、また、ナトリウム等の可動イオンを避ける必要のあるアクティブマトリクス型では、基板としてアルカリ濃度の極めて低いガラス基板を用いる必要があった。 On the other hand, relatively has a high-temperature film-forming step, and in an active matrix type that needs to avoid the mobile ions such as sodium, it is necessary to use a very low glass substrate alkali concentration as the substrate.
【0006】 [0006]
【発明の解決しようとする課題】 [Problem to be solved to the invention]
いずれにせよ、従来のマトリクス型表示装置においては、特殊なもの以外は、マトリクスを駆動するための半導体集積回路(周辺駆動回路、もしくは、ドライバー回路という)を取り付ける必要があった。 Anyway, in the conventional matrix-type display device, except a special semiconductor integrated circuit for driving a matrix (peripheral driving circuit, or that the driver circuit) has been necessary to attach the. 従来は、これは、テープ自動ボンディング(TAB)法やチップ・オン・グラス(COG)法によってなされてきた。 Conventionally, this has been done by tape automated bonding (TAB) method or a chip-on-glass (COG) method. しかしながら、マトリクスの規模は数100行にも及ぶ大規模なものであるので、集積回路の端子も非常に多く、対するドライバー回路は、長方形状のICパッケージや半導体チップであるため、これらの端子を基板上の電気配線と接続するために配線を引き回す必要から、表示画面に比して、周辺部分の面積が無視できないほど大きくなった。 However, since the scale of the matrix is ​​large ones which reaches several hundred lines, terminals of the integrated circuit is also very much, against the driver circuit are the rectangular IC package and the semiconductor chip, these terminals the need to route the wiring to connect the electrical wiring on the substrate, as compared with the display screen has become larger as the area of ​​the peripheral portion can not be ignored.
【0007】 [0007]
この問題を解決する方法として、特開平7−14880には、ドライバー回路を、マトリクスの1辺とほぼ同じ程度の細長い基板(スティック、もしくは、スティック・クリスタルという)上に形成し、これをマトリクスの端子部に接続するという方法が開示されている。 As a method for solving this problem, JP-A 7-14880, a driver circuit, the elongated substrate having about the same extent as the one side of the matrix (the stick or, referred to stick crystal) is formed on which a matrix of how that connected to the terminal portion is disclosed. ドライバー回路としては、幅2mmほど程度で十分であることにより、このような配置が可能となる。 The driver circuit by a sufficient extent as the width 2 mm, it is possible to such an arrangement. このため、基板のほとんどを表示画面とすることができた。 For this reason, it was possible to display the screen most of the substrate.
【0008】 [0008]
しかしながら、スティック・クリスタルに関しては、ドライバー回路の基板の厚さが、表示装置全体の小型化に支障をきたした。 However, with respect to the stick crystal, the thickness of the substrate of the driver circuit, went wrong in the overall size of the display device. 例えば、表示装置をより薄くする必要から基板の厚さを0.3mmとすることは、基板の種類や工程を最適化することにより可能である。 For example, be 0.3mm in the thickness of the substrate from the need to further reduce the display device, it is possible by optimizing the substrate type and process. しかし、スティック・クリスタルの厚さは、製造工程で必要とされる強度から0.5mm以下とすることは困難であり、結果として、基板を張り合わせたときに、0.2mm以上もスティック・クリスタルが出ることとなる。 However, the thickness of the stick-crystal, it is difficult to the strength required in the manufacturing process as 0.5mm or less, as a result, when bonding the substrates, even stick crystal least 0.2mm so that the exit.
【0009】 [0009]
さらに、スティック・クリスタルと表示装置の基板の種類が異なると、熱膨張の違い等の理由により、回路に欠陥が生じることがあった。 Furthermore, the type of substrate stick crystal display device is different, for reasons such as a difference in thermal expansion, there is a defect occurs in the circuit. 特に、表示装置の基板として、プラスチック基板を用いると、この問題が顕著であった。 In particular, as the substrate of the display device, when a plastic substrate, this problem is remarkable. なぜならば、スティック・クリスタルの基板としては、プラスチックを用いることは、耐熱性の観点から、実質的に不可能なためである。 Because, the substrate of the stick-crystal, the use of plastic, from the viewpoint of heat resistance, because substantially impossible.
【0010】 [0010]
また、この問題を解決するための他の方法として、TFTを有する半導体集積回路を他の支持基板上に形成し、これを剥離して、他の基板に接着する方法や、または、他の基板に接着した後、元の支持基板を除去する方法が知られている。 Further, as another method for solving this problem, a semiconductor integrated circuit having a TFT to another support substrate, and peeling it, and how to adhere to another substrate, or other substrate after bonding, a method of removing the original support substrate is known. これは、一般にはシリコン・オン・インシュレタ─(SOI)の技術として知られている。 This is generally known as a technique for silicon-on-Inshureta ─ (SOI). しかし、この技術では半導体集積回路は、支持基板のサイズで規定されてしまい、例えば、表示素子の大面積化には十分対応できないことは明らかであった。 However, the semiconductor integrated circuit in this technique, will be defined by the size of the supporting substrate, for example, was clear that not sufficiently compatible for a larger display device.
【0011】 [0011]
さらに、支持基板を除去するに際して、半導体集積回路に損傷を与えることが多く、よって、歩留りが低下することも問題であった。 Furthermore, when removing the supporting substrate, often damaging the semiconductor integrated circuit, thus, it was also a problem that the yield is lowered. 本発明は、このような問題点を解決し、表示装置のより一層の小型・軽量化を実現せしめ、かつ、高い歩留りを達成するための、表示装置の作製方法を提供することを目的とする。 The present invention is to solve such problems, allowed achieve a more compact and lighter display device, and to achieve a high yield, and to provide a method for manufacturing a display device .
【0012】 [0012]
【課題を解決するための手段】 In order to solve the problems]
本発明は、表示装置の基板上に、スティック・クリスタルと同等な半導体集積回路を機械的に接着し、かつ、電気的な接続を完了したのち、該スティック・クリスタルの支持基板のみを除去することによって、ドライバー回路部分の薄型化を実施することを特徴とする。 The present invention, on a substrate of a display device, mechanically bonding the same semiconductor integrated circuit and the stick-crystal, and, after completing the electrical connection, removing only the support substrate of the stick Crystal by, which comprises carrying out the thinning of the driver circuit portion. このような構造では、基板の熱膨張による変形応力は、回路全般に均一にかかり、したがって、特定の箇所にのみ応力が集中して、欠陥が発生するということは避けられる。 In such a structure, deformation stress due to thermal expansion of the substrate relates to uniform circuits in general, therefore, concentrates stress only certain locations, is avoided that defects occur.
【0013】 [0013]
この場合、最も高い技術が要求されるのは支持基板を除去し、半導体集積回路を剥離する方法である。 In this case, the supporting substrate is removed most high technology is required, a method for peeling a semiconductor integrated circuit. 本発明では、前記支持基板から半導体集積回路を剥離するに際し、ハロゲン、特に、フッ化ハロゲン、を含む気体を用いることを特色とする。 In the present invention, when peeling off the semiconductor integrated circuit from the supporting substrate, a halogen, in particular, featuring the use of a gas containing halogen fluoride, the. フッ化ハロゲンとは、化学式XF (Xはフッ素以外のハロゲン、nは整数)で示される物質であり、例えば、一フッ化塩素(ClF)、三フッ化塩素(ClF )、一フッ化臭素(BrF)、三フッ化臭素(BrF )、一フッ化沃素(IF)、三フッ化沃素(IF )等が知られている。 The halogen fluoride chemical formula XF n (X is halogen other than fluorine, n represents an integer) is a substance represented by, for example, chlorine monofluoride (ClF), chlorine trifluoride (ClF 3), monofluoride bromine (BrF), bromine trifluoride (BrF 3), monofluoride iodine (IF), trifluoride iodine (IF 3) and the like are known.
【0014】 [0014]
フッ化ハロゲンは、シリコンを非プラズマ状態でもエッチングするが、酸化珪素は全くエッチングしないという特徴を有する。 Halogen fluoride is also etched silicon in a non-plasma state, has a characteristic that the silicon oxide is not etched at all. プラズマを用いる必要がないということは、プラズマダメージによる回路の破壊がなく、よって歩留り向上に効果的である。 That there is no need to use a plasma, no destruction of the circuit according to plasma damage, thus is effective in improving yields. さらに、酸化珪素とシリコンとのエッチングの選択性が極めて高いことも、回路や素子を破壊しないという意味で有益である。 Furthermore, it is very selective etching of the silicon oxide and silicon is also beneficial in the sense that it does not destroy the circuits and elements.
【0015】 [0015]
本発明においては、支持基板上にシリコンを主成分とする剥離層を形成し、その上に、酸化珪素によって被覆された半導体集積回路を形成する。 In the present invention, the silicon to form a release layer mainly composed of a support substrate, is formed thereon a semiconductor integrated circuit covered by silicon oxide. シリコンは、前記したようにフッ化ハロゲンにより、プラズマを用いないでもエッチングされるが、その他のハロゲンを有する気体、例えば、四フッ化炭素(CF )や三フッ化窒素(NF )等も、プラズマ状態になるとシリコンをエッチングするので、本発明に用いることができる。 Silicon, by halogen fluoride as described above, but also etched without using a plasma gas having other halogen, e.g., carbon tetrafluoride (CF 4) or nitrogen trifluoride (NF 3) or the like is also since etching the silicon becomes a plasma state, it can be used in the present invention.
したがって、支持基板をフッ化ハロゲン等のハロゲンを有する気体中、もしくはプラズマ中に置くことにより、支持基板の剥離層をエッチングし、よって半導体集積回路を剥離することができる。 Therefore, by placing the supporting substrate in a gas having a halogen or a halogen fluoride, or in the plasma, it can be a release layer of the support substrate is etched, thus separating the semiconductor integrated circuit.
【0016】 [0016]
本発明によって作製されるべき表示装置は、電気配線と、これに電気的に接続され、TFTを有する細長い半導体集積回路を有する第1の基板の電気配線の形成された面に対して、表面に透明導電膜を有する第2の基板の透明導電膜を対向させた構造を有し、特開平7−14880のスティック・クリスタルと同様、前記半導体集積回路は、表示装置の表示面(すなわち、マトリクス)の1辺の長さに概略等しい。 Display device to be manufactured according to the present invention, and the electric wiring, to which are electrically connected, to the first formed surface of the electric wiring board having an elongate semiconductor integrated circuit having a TFT, on the surface a second transparent conductive film was opposed structure of the substrate having a transparent conductive film, as with the stick-crystal Hei 7-14880, the semiconductor integrated circuit, the display surface of the display device (i.e., matrix) approximately equal to the length of one side of the. そして、この半導体集積回路は、他の支持基板上に作製されたものを、前記したように、ハロゲンを有する気体を用いて剥離して、前記第1の基板に装着する方法である。 Then, the semiconductor integrated circuit, the ones made in the other supporting substrate, as described above, and stripped using a gas having a halogen, a method of mounting the first substrate.
【0017】 [0017]
特に、パッシブマトリクス型の場合には、第1の方向に延びる複数の透明導電膜の第1の電気配線と、これに接続され、TFTを有し、第1の方向に概略垂直な第2の方向に延びる細長い第1の半導体集積回路とを有する第1の基板と、第2の方向に延びる複数の透明導電膜の第2の電気配線と、これに接続され、TFTを有し、前記第1の方向に延びる第2の半導体集積回路とを有する第2の基板とを、第1の電気配線と第2の電気配線が対向するように配置した表示装置で、第1および第2の半導体集積回路は他の支持基板上に作製されたものを剥離して、それぞれの基板に装着する。 Particularly, in the case of a passive matrix type, a first electrical interconnection of a plurality of transparent conductive films extending in a first direction, connected thereto, it has a TFT, substantially perpendicular second to the first direction a first substrate having an elongated first semiconductor integrated circuit extending in a direction, and a second electrical interconnection of a plurality of transparent conductive films extending in the second direction, is connected thereto, has a TFT, said first a second substrate having a second semiconductor integrated circuit that extends in one direction, in a display device a first electric wiring and the second electric wiring is arranged so as to face the first and second semiconductor the integrated circuit is peeled off those made in other support substrate, is mounted on each substrate.
【0018】 [0018]
また、アクティブマトリクス型の場合には、第1の方向に延びる複数の第1の電気配線と、これに接続され、TFTを有し、第1の方向に概略垂直な第2の方向に延びる第1の半導体集積回路と、第2の方向に延びる複数の第2の電気配線と、これに接続され、TFTを有し、第1の方向に延びる第2の半導体集積回路とを有する第1の基板を表面に透明導電膜を有する第2の基板に、第1の基板の第1および第2の電気配線と、第2の基板の透明導電膜とが、対向するように、配置させた表示装置で、第1および第2の半導体集積回路は他の支持基板上に作製されたものを剥離して、第1の基板に装着する。 In the case of an active matrix type, a plurality of first electric wires extending in a first direction, connected thereto, has a TFT, extending in a second direction perpendicular schematically in a first direction first a first semiconductor integrated circuit, a plurality of second electrical wiring extending in a second direction, connected thereto, has a TFT, a first and a second semiconductor integrated circuit extending in a first direction a second substrate having a transparent conductive film substrate on the surface display, and the first and second electrical wiring of the first substrate, and a transparent conductive film of the second substrate so as to face, in which is disposed in the apparatus, the first and second semiconductor integrated circuit is peeled off those made in other support substrate is attached to the first substrate.
【0019】 [0019]
本発明によって作製された表示装置の断面の例を示すと、図1のようになる。 By way of example of a cross-section of a display device manufactured in accordance with the present invention, it is shown in Figure 1. 図1(A)は、比較的、小さな倍率で見たものである。 1 (A) it is relatively, is viewed in a small magnification. 図の左側は、半導体集積回路の設けられたドライバー回路部7を、また、右側は、マトリクス部8を示す。 The left side of the figure, the driver circuit portion 7 provided with the semiconductor integrated circuit, also, the right shows the matrix portion 8. 基板1上には透明等電膜等の材料でできた電気配線4のパターンを形成し、さらに、金のような材料で突起物(バンプ)6を設ける。 On the substrate 1 to form a pattern of electrical wires 4 made of a material such as transparent isoelectric membranes, furthermore, the material in the projections, such as gold (bump) 6 provided. 一方、半導体集積回路2は、実質的にTFTと同程度の厚さのもので、これには、接続部分に導電性酸化物のように、酸化によって接触抵抗の変動しない材料によって、電極5を設けておき、これをバンプ6に接触させる。 On the other hand, the semiconductor integrated circuit 2 is of a substantially TFT and comparable thickness, To do this, such as the conductive oxide to the connection portion, a material that does not change in the contact resistance due to oxidation, the electrode 5 It provided advance, contacting this bump 6. そして、機械的に固定するために、半導体集積回路2と基板1の間には、樹脂3を封入する。 Then, in order to mechanically fixed, it is provided between the semiconductor integrated circuit 2 and the substrate 1, encapsulating resin 3. (図1(A)) (FIG. 1 (A))
【0020】 [0020]
図1(A)のうち、点線で囲まれた接触部を拡大したのが、図1(B)である。 Figure 1 of the (A), the enlarged contact portion surrounded by a dotted line, is a 1 (B). 符号は、図1(A)と同じ物を示す。 Numbers indicate the same thing as FIG. 1 (A). さらに、図1(B)の点線で囲まれた部分を拡大したのが、図1(C)である。 Further, that the enlarged dotted portion surrounded by the FIG. 1 (B), the diagrams 1 (C). すなわち、半導体集積回路は、Nチャネル型TFT(12)とPチャネル型TFT(13)が、下地絶縁膜11、層間絶縁物14、あるいは、窒化珪素等のパッシベーション膜15で挟まれた構造となる。 That is, the semiconductor integrated circuit, N channel-type TFT (12) and the P-channel type TFT (13) is, the underlying insulating film 11, interlayer insulator 14 or becomes sandwiched between the passivation film 15 such as silicon nitride structure . (図1(B)、図1(C)) (FIG. 1 (B), the Fig. 1 (C))
【0021】 [0021]
通常、半導体集積回路を形成する際の下地膜11としては酸化珪素を用いるが、それだけでは、耐湿性等が劣るので、別途、パッシベーション膜をその上に設けなければならないが、図3に示すように、半導体回路とその接触部の厚さが液晶の基板間厚さよりも薄ければ、対向基板16を回路の上に重ねることも可能である。 Usually, a silicon oxide as the base film 11 for forming the semiconductor integrated circuit, but it just because moisture resistance is poor, separately, must be provided a passivation film thereon, as shown in FIG. 3 to, if the thickness of the semiconductor circuit and the contact portion is thin than between the liquid crystal of the substrate thickness, it is also possible to overlap the counter substrate 16 on the circuit. その場合には、特開平5−66413に開示されている液晶表示装置と同等に、ドライバー回路部7の外側で、エポキシ樹脂等のシール剤17によって液晶封止(シール)処理をおこない、また、基板1と16の間には、液晶材料18を満たすので、外部から可動イオン等が侵入することが無く、特別にパッシベーション膜を設ける必要はない。 In that case, equivalent to a liquid crystal display device disclosed in JP-A-5-66413, outside the driver circuit portion 7 performs a liquid crystal sealing (seal) treated with a sealing agent 17 such as an epoxy resin, also, between the substrate 1 and 16, is satisfied the liquid crystal material 18, without being movable ions or the like from entering from the outside, it is not necessary to provide a special passivation film. (図3) (Fig. 3)
【0022】 [0022]
また、接触部分に関しては、バンプを用いる方法の他に、図1(D)に示すように、金の粒9のような導電性粒子を接着部分に拡散させ、これによって、電気的な接触を得るようにしてもよい。 With respect to the contact portion, in addition to the method using the bump, as shown in FIG. 1 (D), the conductive particles, such as gold particle 9 is diffused into the bonded portion, thereby, an electrical contact it may be obtained. 粒子の直径は、半導体集積回路2と基板1の間隔よりやや大きくするとよい。 The diameter of the particles may be slightly greater than the distance of the semiconductor integrated circuit 2 and the substrate 1. (図1(D)) (FIG. 1 (D))
このような表示装置の作製順序の概略は、図2に示される。 Summary of preparation order of such a display device is shown in FIG. 図2はパッシブマトリクス型の表示装置の作製手順を示す。 Figure 2 shows the procedure for manufacturing a passive matrix display device. まず、多数の半導体集積回路22が、剥離層を介して支持基板21の上に形成する。 First, a large number of semiconductor integrated circuit 22 is formed through a peeling layer on the support substrate 21. (図2(A)) (FIG. 2 (A))
【0023】 [0023]
そして、これを分断して、スティック・クリスタル23、24を得る。 Then, cut it, get a stick-crystal 23 and 24. 得られたスティック・クリスタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、良品・不良品に選別するとよい。 The resulting stick crystal tests the electrical characteristics before moving on to the next step may be sorted into non-defective products. (図2(B)) (FIG. 2 (B))
次に、スティック・クリスタル23、24の回路の形成された面を、それぞれ、別の基板25、27の透明導電膜による配線のパターンの形成された面26、28上に接着し、電気的な接続を取る。 Then, the formed surface of the circuit of the stick crystal 23, respectively, and bonded onto a surface 26, 28 which are formed in the pattern of the wiring by the transparent conductive film of another substrate 25, 27, electrical take the connection. (図2(C)、図2(D)) (FIG. 2 (C), the FIG. 2 (D))
【0024】 [0024]
その後、本発明の方法によって、ハロゲンを含む気体によって、剥離層をエッチングし、よって、スティック・クリスタル23、24の支持基板をはがし、半導体集積回路29、30のみを前記基板の面26、28上に残す。 Thereafter, the method of the present invention, by a gas containing halogen, the release layer is etched, thus, remove the support substrate of the stick-crystal 23, a semiconductor integrated circuit 29 and 30 only on the sides 26 of the substrate leave to. (図2(E)、図2(F)) (FIG. 2 (E), FIG. 2 (F))
最後に、このようにして得られた基板を向かい合わせることにより、パッシブマトリクス型表示装置が得られる。 Finally, by face each other the substrate obtained in this way, a passive matrix display device is obtained. なお、面26は、面26の逆の面、すなわち、配線パターンの形成されていない方の面を意味する(図2(G)) The surface 26, opposite surface of the surface 26, ie, a surface of which is not formed in the wiring pattern (FIG. 2 (G))
【0025】 [0025]
上記の場合には、ロー・スティック・クリスタル(ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティック・クリスタル)とカラム・スティック・クリスタル(カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック・クリスタル)を同じ基板21から切りだしたが、別の基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。 In the above case, the low stick Crystal the same substrate 21 (Stick crystal for driver circuits for driving the column lines) and column Stick Crystal (stick crystal for driver circuit for driving the row wiring) was cut out, it is needless to say that may be cut out from another substrate.
また、図2ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示したが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様におこなえることは言うまでもない。 Also, although an example of a passive matrix type display device in FIG. 2, in an active matrix type display device, it is needless to say that enables as well. さらに、フィルムのような材料を基板として形成される場合は実施例に示した。 Further, when formed of materials such as a film as a substrate are shown in the examples.
【0026】 [0026]
【実施例】 【Example】
〔実施例1〕 Example 1
本実施例は、パッシブマトリクス型液晶表示装置の一方の基板の作製工程の概略を示すものである。 This embodiment shows an outline of a manufacturing process of one substrate of a passive matrix type liquid crystal display device. 本実施例を図4および図5を用いて説明する。 The present embodiment will be described with reference to FIGS. 図4には、スティック・クリスタル上にドライバー回路を形成する工程の概略を示す。 FIG. 4 shows a schematic of a process for forming a driver circuit on a stick crystal. また、図5には、スティック・クリスタルを液晶表示装置の基板に実装する工程の概略を示す。 Further, FIG. 5 shows a schematic of a process of mounting the stick-crystal substrate of a liquid crystal display device.
【0027】 [0027]
スティック・クリスタルの支持基板にはガラス基板を用いた。 The supporting substrate of stick-crystal using a glass substrate. まず、ガラス基板31上に剥離層として、厚さ3000Åのシリコン膜32を堆積した。 First, as a release layer on the glass substrate 31, depositing a silicon film 32 having a thickness of 3000 Å. シリコン膜32は、その上に形成される回路と基板とを分離する際にエッチングされるので、膜質についてはほとんど問題とされないので、量産可能な方法によって堆積すればよい。 Silicon film 32, since it is etched in separating circuits from the substrate formed thereon, since it is not a few problems for the film quality, may be deposited by mass-producible manner. さらに、シリコン膜はアモルファスでも結晶性でもよい。 Further, the silicon film may be a crystalline in amorphous.
【0028】 [0028]
また、ガラス基板は、コーニング7059、同1737、NHテクノグラスNA45、同35、日本電気硝子OA2等の無アルカリもしくは低アルカリガラスや石英ガラスを用いればよい。 Further, the glass substrate, Corning 7059, the 1737, NH Techno Glass NA45, the 35, may be used alkali-free or low-alkali glass or quartz glass, such as Nippon Electric Glass OA2. 石英ガラスを用いる場合には、そのコストが問題となるが、本発明では1つの液晶表示装置に用いられる面積は極めて小さいので、単位当たりのコストは十分に小さい。 When using a quartz glass, its cost is an issue, the area used in the liquid crystal display device of one in the present invention is so very small, the cost per unit is sufficiently small.
【0029】 [0029]
シリコン膜32上には、厚さ1000Åの酸化珪素膜33を堆積した。 On the silicon film 32 was deposited a silicon oxide film 33 having a thickness of 1000 Å. この酸化珪素膜は下地膜となるので、作製には十分な注意が必要である。 Since the silicon oxide film serving as a base film, it is necessary to exercise great care in manufacturing. そして、公知の方法により、結晶性の島状シリコン領域(シリコン・アイランド)34、35を形成した。 Then, by a known method, to form a crystalline silicon island region (silicon island) 34, 35. このシリコン膜の厚さは、必要とする半導体回路の特性を大きく左右するが、一般には、薄いほうが好ましかった。 The thickness of the silicon film, influences significantly the characteristics of the semiconductor circuit that requires, in general, thinner was preferred. 本実施例では400〜600Åとした。 It was 400~600Å in this embodiment.
【0030】 [0030]
また、結晶性シリコンを得るには、アモルファスシリコンにレーザー等の強光を照射する方法(レーザーアニール法)や、熱アニールによって固相成長させる方法(固相成長法)が用いられる。 Further, to obtain a crystalline silicon, a method of irradiating strong light such as laser to an amorphous silicon (a laser annealing method), a method for solid-phase growth by heat annealing (solid phase growth method) is used. 固相成長法を用いる際には、特開平6−244104に開示されるように、ニッケル等の触媒元素をシリコンに添加すると、結晶化温度を下げ、アニール時間を短縮できる。 When using solid-phase growth method, as disclosed in JP-A-6-244104, the addition of catalytic element such as nickel into the silicon, lowering the crystallization temperature can be reduced annealing time. さらには、特開平6−318701のように、一度、固相成長法によって結晶化せしめたシリコンを、レーザーアニールしてもよい。 Furthermore, as in JP-A 6-318701, once the silicon was allowed crystallized by solid phase growth method may be laser annealing. いずれの方法を採用するかは、必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定すればよい。 Or to adopt any method may be determined by the heat resistance temperature of the characteristic and the substrate of the semiconductor circuit that is required.
【0031】 [0031]
その後、プラズマCVD法もしくは熱CVD法によって、厚さ1200Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜36を堆積し、さらに、厚さ5000Åの結晶性シリコンによって、ゲイト電極・配線37、38を形成した。 Thereafter, by a plasma CVD method or a thermal CVD method, and depositing a gate insulating film 36 of silicon oxide having a thickness of 1200 Å, further by crystalline silicon having a thickness of 5000 Å, to form a gate electrode and wiring 37 and 38. ゲイト配線は、アルミニウムやタングステン、チタン等の金属や、あるいはそれらの珪化物でもよい。 Gate wiring, aluminum, tungsten, or titanium, or other metal, or may be their silicide. さらに、金属のゲイト電極を形成する場合には、特開平5−267667もしくは同6−338612に開示されるように、その上面もしくは側面を陽極酸化物で被覆してもよい。 Furthermore, in the case of forming a gate electrode of metal, as disclosed in JP-A 5-267667 or the 6-338612, may be coated with the upper surface or the side surface with an anodic oxide. ゲイト電極をどのような材料で構成するかは、必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定すればよい。 Whether constituting the gate electrode of any material it may be determined by the heat resistance temperature of the characteristic and the substrate of the semiconductor circuit that is required. (図4(A)) (FIG. 4 (A))
【0032】 [0032]
その後、セルフアライン的に、イオンドーピング法等の手段によりN型およびP型の不純物をシリコン・アイランドに導入し、N型領域39、P型領域40を形成した。 Thereafter, a self-aligned manner, the N-type and P-type impurity introduced into the silicon island by means such as ion doping method to form a N-type region 39, P-type region 40. そして、公知の手段で、層間絶縁物(厚さ5000Åの酸化珪素膜)41を堆積した。 Then, by known means, it was deposited 41 (silicon oxide film having a thickness of 5000 Å) interlayer insulator. そして、これにコンタクトホールを開孔し、アルミニウム合金配線41〜44を形成した。 And this in the contact hole opening, to form an aluminum alloy wiring 41-44. (図4(B)) (FIG. 4 (B))
【0033】 [0033]
さらに、これらの上に、パッシベーション膜として、厚さ2000Åの窒化珪素膜46をプラズマCVD法によって堆積し、これに、出力端子の配線44に通じるコンタクトホールを開孔した。 Furthermore, on these, as a passivation film, a silicon nitride film 46 having a thickness of 2000Å is deposited by a plasma CVD method, this was a contact hole leading to the wiring 44 of the output terminal. そして、スパッタ法によって、インディウム錫酸化物被膜(ITO、厚さ1000Å)の電極47を形成した。 Then, by sputtering, to form an electrode 47 of indium tin oxide film (ITO, thickness 1000 Å). ITOは透明の導電性酸化物である。 ITO is a transparent conductive oxide. その後、直径約50μm、高さ約30μmの金のバンプ48を機械的にITO電極47の上に形成した。 Then, to form a diameter of about 50 [mu] m, the bumps 48 of gold height of about 30μm on the mechanically ITO electrode 47. このようにして得られた回路を適当な大きさに分断し、よって、スティック・クリスタルが得られた。 And dividing the circuit thus obtained to a suitable size, thus stick crystal was obtained. (図4(C)) (FIG. 4 (C))
【0034】 [0034]
一方、液晶表示装置の基板49にも、厚さ1000ÅのITOによって電極50を形成した。 On the other hand, also the substrate 49 of the liquid crystal display device, to form an electrode 50 of ITO having a thickness of 1000 Å. 本実施例では、液晶表示装置の基板としては、厚さ0.3mmのポリエチレン・サルファイル(PES)を用いた。 In this embodiment, the substrate of the liquid crystal display device, using a thickness of 0.3mm polyethylene monkeys file (PES). そして、この基板49に、スティックドライバーの基板31を圧力を加えて接着した。 Then, on the substrate 49, and the substrate 31 of the stick driver is bonded under pressure. このとき、電極47と電極50はバンプ48によって、電気的に接続される。 At this time, the electrode 47 and the electrode 50 by the bumps 48 are electrically connected. (図5(A)) (FIG. 5 (A))
【0035】 [0035]
次に熱硬化性の有機樹脂を混合した接着剤51をスティック・クリスタル31と液晶表示装置の基板49の隙間に注入した。 Was then injected adhesive 51 obtained by mixing thermosetting organic resin into a gap of the stick crystal 31 and the substrate 49 of the liquid crystal display device. なお、接着剤は、スティック・クリスタル31と液晶表示装置の基板49を圧着する前に、いずれかの表面に塗布しておいてもよい。 Incidentally, the adhesive prior to bonding the stick crystal 31 and the substrate 49 of the liquid crystal display device, may be coated on either surface.
【0036】 [0036]
そして、120℃の窒素雰囲気のオーブンて、15分間処理することにより、スティック・クリスタル31と基板49との電気的な接続と機械的な接着を完了した。 Then, Te oven nitrogen atmosphere at 120 ° C., by treatment for 15 minutes to complete the electrical connection and mechanical adhesion with the stick crystal 31 and the substrate 49. なお、完全な接着の前に、電気的な接続が不十分であるか否かを、特開平7−14880に開示される方法によってテストした後、本接着する方法を採用してもよい。 Incidentally, before the perfect adhesion, whether the electrical connection is insufficient, after testing by the method disclosed in JP-A-7-14880, it may be employed a method of the adhesive. (図5(B)) (FIG. 5 (B))
【0037】 [0037]
このように処理した基板を、三フッ化塩素(ClF )と窒素の混合ガスの気流中に放置した。 The thus treated substrate was left in a stream of chlorine trifluoride (ClF 3) a mixed gas of nitrogen. 三フッ化塩素と窒素の流量は、共に500sccmとした。 The flow rate of chlorine trifluoride and nitrogen, was both a 500sccm. 反応圧力は1〜10Torrとした。 Reaction pressure was 1~10Torr. 温度は室温とした。 Temperature was room temperature. 三フッ塩素等のハロゲン化物は、シリコンを選択的にエッチングするが、酸化物(酸化珪素やITO)はほとんどエッチングせず、アルミニウムも表面に安定な酸化物被膜を形成すると、その段階で反応が停止するので、エッチングされない。 Halides such as trifluoride chlorine is selectively etch silicon oxide (silicon oxide or ITO) are hardly etched, the aluminum also forms a stable oxide film on the surface, the reaction at that stage is It will stop, not etched.
【0038】 [0038]
本実施例では、三フッ化塩素に侵される可能性のある材料は、剥離層(シリコン)32、シリコン・アイランド34、35、ゲイト電極37、38、アルミニウム合金配線41〜44、接着剤51であるが、このうち、剥離層と接着剤以外は外側に酸化珪素等の材料が存在するため、三フッ化塩素が到達できない。 In this embodiment, possible materials affected by chlorine trifluoride, the release layer (silicon) 32, the silicon island 34 and 35, gate electrodes 37 and 38, the aluminum alloy wiring 41 to 44, with adhesive 51 some, of which, except the adhesive and the release layer due to the presence of materials such as silicon oxide on the outside, it can not reach chlorine trifluoride. 実際には、図5(C)に示すように、剥離層32のみが選択的にエッチングされ、空孔52が形成された。 In fact, as shown in FIG. 5 (C), only the release layer 32 is selectively etched, holes 52 are formed. (図5(C)) (FIG. 5 (C))
【0039】 [0039]
さらに、経過すると剥離層は完全にエッチングされ、下地膜の底面53が露出し、スティック・クリスタルの基板31を半導体回路と分離することができた。 Moreover, it elapsed and the release layer is completely etched, the bottom surface 53 of the underlying film is exposed, it was possible to separate the substrate 31 of the stick-crystal semiconductor circuit. 三塩化フッ素によるエッチングでは、下地膜の底面でエッチングが停止するので、該底面53は極めて平坦であった。 The etching by the three fluorine chloride, the etching in the bottom surface of the base film is stopped, bottom surface 53 was extremely flat. (図5(D)) (FIG. 5 (D))
このようにして、液晶表示装置の一方の基板への半導体集積回路の形成を終了した。 Thus, to complete the formation of a semiconductor integrated circuit to one substrate of a liquid crystal display device. このようにして得られる基板を用いて、液晶表示装置が完成される。 Using the substrate obtained in this manner, the liquid crystal display device is completed.
【0040】 [0040]
〔実施例2〕 Example 2
本実施例は、フィルム状のパッシブマトリクス型液晶表示装置を連続的に形成する方法(ロール・トゥー・ロール法)に関するものである。 This embodiment relates to a method for continuously forming a film-like passive matrix liquid crystal display device (roll-to-roll method). 図6に本実施例の生産システムを示す。 It shows the production system of the present embodiment in FIG. フィルム状の液晶表示装置を得るための基板材料としては、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、ポリイミドから選ばれたものを用いればよい。 As a substrate material for obtaining a film-like liquid crystal display device, PES (polyethylene sulfile), PC (polycarbonate) may be used those selected from polyimide. PET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)は、多結晶性のプラスチックであるため、特に偏光に用いて表示をおこなう液晶材料には用いることが適切でなかった。 PET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate) are the polycrystalline plastic, it is not appropriate to use the liquid crystal material, especially for displaying by using polarization.
【0041】 [0041]
図6に示すシステムは、液晶電気光学装置を構成する基板として、カラーフィルターの設けられた基板を作製する流れ(図の下側)と、その対向基板を作製する流れ(図の上側)とに大別される。 The system shown in FIG. 6, a substrate constituting a liquid crystal electro-optical device, in the flow (lower side in the drawing) for producing a substrate provided with the color filter, the flow (upper side in the drawing) for making the counter substrate It is roughly classified. まず、カラーフィルター側基板の作製工程について説明する。 First, it will be described a manufacturing process of a color filter side substrate.
【0042】 [0042]
ロール71に巻き取られているフィルムに、印刷法により、その表面にRGBの3色のカラーフィルタを形成する。 The film being wound into a roll 71, a printing method, to form the three RGB color filters on the surface thereof. カラーフィルタの形成は、3組のロール72によっておこわれる。 The formation of the color filter, breaks you by three sets of roll 72. なお作製する液晶表示装置がモノクロの場合は、この工程は不要である。 Note if the liquid crystal display device is monochrome to produce, this step is unnecessary. (工程「カラーフィルター印刷」) (Process "color filter print")
【0043】 [0043]
さらに、ロール73によって、オーバーコート剤(平坦化膜)を印刷法によって形成する。 Moreover, the roll 73, the overcoat agent (leveling film) is formed by a printing method. オーバーコート剤は、カラーフィルタの形成によって凹凸となった表面を平坦化するためのものである。 Overcoating agent is for planarizing the surface became uneven by forming a color filter. このオーバーコート剤を構成する材料としては、透光性を有する樹脂材料を用いればよい。 As a material for forming the overcoating agent may be used a resin material having translucency. (工程「オーバーコート剤(平坦化膜)印刷」) (Process "over-coating agent (flattening film) print")
次に、ロール74を用い、印刷法により必要とするパターンにロー(カラム)電極を形成する。 Next, using a roll 74 to form a row (column) electrodes in a pattern required by a printing method. この印刷法による電極の形成は、導電性のインクを用いておこなう。 Forming an electrode according to the printing method, performed using a conductive ink. (工程「電極形成」) (Process "electrode formation")
【0044】 [0044]
さらに、ロール75によって、配向膜を印刷法で形成し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉76を通過させることによって、配向膜を焼き固める。 Moreover, the roll 75, to form an alignment film by a printing method (step "alignment layer printing"), by passing through a heating furnace 76, hardened baked alignment films. (工程「配向膜焼成」) (Process "orientation film firing")
さらに、ロール77を通過させることによって、配向膜の表面にラビング処理をおこなう。 Further, by passing the roll 77, it is rubbed on the surface of the alignment film. こうして配向処理が完了する。 Thus, the alignment process is completed. (工程「ラビング」) (Process "rubbing")
【0045】 [0045]
次に、圧着装置78によって、基板上にスティック・クリスタルを装着し(工程「スティック装着」)、加熱炉79を通過させることにより、接着剤が硬化し、接着が完了する。 Next, the crimping device 78, the stick crystal mounted on the substrate (step "stick mounting"), by passing the heating furnace 79, the adhesive is cured, the adhesive is completed. (工程「接着剤硬化」) (Process "curing adhesive")
本実施例では、剥離層は実施例1と同様にシリコンを用いたので、次に、三フッ化塩素チャンバー80(差圧排気して、三フッ化塩素が外部に漏出しないようにしたチャンバー)によって、剥離層をエッチングし、よって、スティック・クリスタルの基板を剥離する。 In this embodiment, since the release layer using silicon as in Example 1, then, chlorine trifluoride chamber 80 (by gas differential retraction, chamber chlorine trifluoride is prevented from leaking to the outside) Accordingly, the separation layer is etched, thus peeling off the substrate of the stick crystal. (工程「スティック剥離」 (Process "stick peeling"
【0046】 [0046]
その後、スペーサー散布器81より、フィルム基板上にスペーサーを散布し(工程「スペーサー散布」)、ロール82を用いて、シール材を印刷法によって形成する。 Then, from the spacer sprayer 81, sprayed with spacers on a film substrate (step "spacer spraying"), using a roll 82 to form a sealing material by a printing method. シール剤は、対向する基板同士を接着するためと、液晶が一対の基板間から漏れ出ないようにするためのものである。 Sealant, and to bond the substrates facing each other, is for the liquid crystal is prevented from leaking from between the pair of substrates. なお、本実施例では、半導体回路の厚みを液晶基板間よりも薄くすることにより、図3のように、半導体集積回路の外部がシールされるような構造(特開平5−66413に開示されている)とした。 In this embodiment, by thinning than between the liquid crystal substrates the thickness of the semiconductor circuit, as shown in FIG. 3, the outside of the semiconductor integrated circuit is disclosed in structure (JP-A-5-66413, such as sealed I was there). (工程「シール印刷」) (Process "seal print")
【0047】 [0047]
この後、液晶滴下装置83を用いて液晶の滴下をおこない、液晶層をフィルム基板上に形成する。 This is followed dropping of the liquid crystal using a liquid crystal dropping device 83, to form a liquid crystal layer on a film substrate. こうして、カラーフィルター側基板が完成する。 In this way, the color filter side substrate is completed. 以上の工程は、各ロールが回転することにより、連続的に進行していく。 Above steps, by each roll is rotated, it progresses continuously.
次に、対向基板の作製工程を示す。 Next, a manufacturing process of the counter substrate. ロール61から送りだされたフィルム基板上に、ロール62によって、所定のパターンにカラム(ロー)電極を形成する。 In the film on a substrate sent out from the roll 61, the roll 62, to form a column (row) electrodes in a predetermined pattern. (工程「電極形成」) (Process "electrode formation")
さらにロール63によって、配向膜を印刷法により形成し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉64を通過させることによって、配向膜を焼き固める。 According to yet a roll 63, an alignment film was formed by a printing method (step "alignment layer printing"), by passing through a heating furnace 64, hardened baked alignment films. (工程「配向膜焼成」) (Process "orientation film firing")
【0048】 [0048]
その後、フィルム基板を、ロール65に通過させることによって、配向処理をおこなう。 Thereafter, the film substrate, by passing the roller 65, performs the alignment process. (工程「ラビング」) (Process "rubbing")
次に、圧着装置66によって、基板上にスティック・クリスタルを装着し(工程「スティック装着」)、加熱炉67を通過することにより、接着剤が硬化する。 Next, the crimping device 66, the stick crystal mounted on the substrate (step "stick mounting"), by passing through the heating furnace 67, the adhesive cures. (工程「接着剤硬化」) (Process "curing adhesive")
さらに、三フッ化塩素チャンバー68によって、スティック・クリスタルの基板を剥離する。 Further, the chlorine trifluoride chamber 68, separating the substrate of the stick crystal. この際の条件等については実施例1と同じとした。 The conditions at this time were the same as in Example 1. (工程「スティック剥離」 (Process "stick peeling"
【0049】 [0049]
以上の処理を経たフィルム基板はロール69を経由して、次のロール84に送られる。 The film substrate after the above processing through a roll 69, and sent to the next roll 84. ロール84では、カラーフィルター側基板と対向基板を貼り合わせて、セルとする。 In roll 84, by bonding a color filter-side substrate and the counter substrate, and the cell. (工程「セル組」) (Process "cell group")
その後、加熱炉85において加熱することにより、シール材を硬化せしめ、基板同士の貼り合わせが完了する。 Thereafter, by heating in a heating furnace 85, allowed to cure the sealing material, bonding between the substrates is completed. (工程「シール剤硬化」) (Step "sealant cure")
さらにカッター86によって所定の寸法に切断することにより、フィルム状の液晶表示装置が完成する。 Further by cutting into a predetermined size by the cutter 86, the film-like liquid crystal display device is completed. (工程「分段」) (Process "Bundang")
【0050】 [0050]
【発明の効果】 【Effect of the invention】
本発明によって、表示装置の基板の種類や厚さ、大きさに関して、さまざななバリエーションが可能となった。 The present invention, the type and thickness of the substrate of the display device, with respect to size, has enabled the Mazanana variations. 例えば、実施例2に示したように、極めて薄いフィルム状の液晶表示装置を得ることもできる。 For example, as shown in Example 2, it is also possible to obtain a liquid crystal display device of an extremely thin film form. この場合には、表示装置を曲面に合わせて張りつけてもよい。 In this case, it may be stuck together display a curved surface. さらに、基板の種類の制約が緩和された結果、プラスチック基板のように、軽く、耐衝撃性の強い材料を用いることもでき、携行性も向上する。 Furthermore, as a result of the type of constraint of the substrate is alleviated, such as a plastic substrate, lighter, it can also be used the impact resistance strong material is also improved portability.
【0051】 [0051]
また、ドライバー回路の専有する面積が小さいので、表示装置と他の装置の配置の自由度が高まる。 Further, since the area of ​​proprietary driver circuit is small, it increases the degree of freedom of arrangement of the display device and other devices. 典型的には、ドライバー回路を表示面の周囲の幅数mmの領域に押し込めることが可能であるので、表示装置自体は極めてシンプルであり、ファッション性に富んだ製品となり、その応用範囲もさまざまに広がる。 Typically, since it is possible of sticking a driver circuit region having a width of several mm of the periphery of the display surface, the display device itself is very simple, becomes rich product fashionable, variety also its application range spread. このように本発明の工業的価値は極めて高い。 In this way the industrial value of the present invention is extremely high.
【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
【図1】本発明による表示装置の断面構造を示す。 1 shows a cross-sectional structure of a display device according to the present invention.
【図2】本発明による表示装置の作製方法の概略を示す。 Figure 2 shows a schematic of a method for manufacturing a display device according to the present invention.
【図3】本発明によって作製される1例の表示装置の断面構造を示す。 3 shows a cross-sectional structure of one example of a display device manufactured by the present invention.
【図4】本発明に用いるスティック・クリスタルの作製工程を示す。 Illustrating a manufacturing process of the stick-crystal used in the present invention; FIG.
【図5】スティック・クリスタルを基板に接着する工程を示す。 FIG. 5 shows a step of bonding the stick-crystal to the substrate.
【図6】フィルム液晶表示装置の連続的製法システムを示す。 6 shows a continuous process system of the film liquid crystal display device.
【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS
1 ・・・ 液晶表示装置の基板2 ・・・ 半導体集積回路3 ・・・ 接着剤4 ・・・ 液晶表示装置の電極5 ・・・ 半導体集積回路の電極6 ・・・ バンプ7 ・・・ ドライバー回路部8 ・・・ マトリクス部9 ・・・ 導電性粒子11・・・ 下地膜12・・・ Nチャネル型TFT 1 ... liquid crystal display substrate 2 ... semiconductor integrated circuit 3 ... adhesive 4 ... electrode 6 ... bumps 7 ... driver electrode 5 ... semiconductor integrated circuit of the liquid crystal display device of the device circuit portion 8 ... matrix portion 9 ... conductive particles 11 ... base film 12 ... N-channel type TFT
13・・・ Pチャネル型TFT 13 ··· P-channel type TFT
14・・・ 層間絶縁物15・・・ パッシベーション膜16・・・ 液晶表示装置の対向基板17・・・ シール剤18・・・ 液晶材料21・・・ スティック・クリスタルを形成する基板22・・・ 半導体集積回路23、24 スティック・クリスタル25、27 液晶表示装置の基板26、28 配線パターンの形成されている面29、30 液晶表示装置の基板上に移されたドライバー回路 14 ... interlayer insulator 15 ... passivation film 16 facing the substrate 17 of ... liquid crystal display device ... sealant 18 ... liquid crystal material 21 ... substrate 22 to form a stick crystal ... the semiconductor integrated circuits 23 and 24 stick crystal 25,27 LCD driver circuit has been transferred onto a substrate formed by being face 29, 30 liquid crystal display device of the substrate 26, 28 wiring pattern of the device
26・・・ 配線パターンの形成されている面と逆の面31・・・ スティック・クリスタルを形成する基板32・・・ 剥離層33・・・ 下地膜34、35 シリコン・アイランド36・・・ ゲイト絶縁膜37、38 ゲイト電極39・・・ N型領域40・・・ P型領域41・・・ 層間絶縁物42〜44 アルミニウム合金配線46・・・ パッシベーション膜47・・・ 導電性酸化物膜48・・・ バンプ49・・・ 液晶表示装置の基板50・・・ 液晶表示装置の電極51・・・ 接着剤52・・・ 空孔53・・・ 下地膜の底面 26 ... substrate 32 ... peeling layer 33 ... base film 35 silicon island 36 ... gate to form a surface opposite to the surface 31 ... stick crystals that are formed of a wiring pattern insulating film 37 gate electrode 39 ... N-type region 40 ... P-type region 41 ... interlayer insulator 42 to 44 aluminum alloy wiring 46 ... passivation film 47 ... conductive oxide film 48 ... bump 49 ... bottom surface of the substrate 50 ... liquid crystal display device electrodes 51 ... adhesive 52 ... air holes 53 ... base film of the liquid crystal display device

Claims (9)

  1. 表示装置用基板にマトリクス部と、前記マトリクス部の電気配線に接続され半導体集積回路とが設けられた表示装置の作製方法であって、 And a matrix portion in the substrate for a display device, connected to the electrical wiring of the matrix portion to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit and a display device provided is,
    前記半導体集積回路を作製するためのガラスでなる仮基板上にシリコンでなる剥離層を形成し、 Wherein a release layer made of silicon formed on a semiconductor integrated circuit composed of glass for making temporary substrate,
    前記剥離層上に下地膜を形成し、 The base film is formed on the peeling layer,
    前記下地膜上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路を複数作製し、 Produce a plurality of semiconductor integrated circuit having a thin film transistor on the underlayer,
    前記半導体集積回路ごとに前記仮基板を複数に分割し、 Said temporary substrate is divided into a plurality for each of the semiconductor integrated circuit,
    前記半導体集積回路及び前記電気配線が内側になるように前記分割された仮基板を前記表示装置用基板に対向させ、前記半導体集積回路を前記電気配線に電気的に接続した状態で、接着剤により前記分割された仮基板を前記表示用基板に固定し、 In a state where the semiconductor integrated circuit and the electrical wiring the divided the temporary substrate is opposed to the substrate for the display device so that the inside and electrically connected to the semiconductor integrated circuit to the electrical wiring, the adhesive fixing the temporary substrate which is the divided on the display substrate,
    ハロゲン化フッ素ガスを含む気流中に前記表示装置用基板に固定された前記仮基板を放置して、前記シリコンでなる剥離層を除去し、前記分割された仮基板を前記表示装置用基板に固定された半導体集積回路から分離することを特徴とする表示装置の作製方法。 And left the temporary substrate having the fixed to the display device substrate in air flow containing fluorine halide gas, the peeling layer is removed made of silicon, a temporary substrate that is the divided, on the display device substrate the method for manufacturing a display device and separating from the fixed semiconductor integrated circuit.
  2. ハロゲン化フッ素ガスとは、一フッ化塩素(ClF)、三フッ化塩素(ClF 3 )、一フッ化臭素(BrF)、三フッ化臭素(BrF 3 )、一フッ化沃素(IF)又は三フッ化沃素(IF 3 )のいずれかである請求項1に記載の表示装置の作製方法。 The halogenated fluorine gas, chlorine monofluoride (ClF), chlorine trifluoride (ClF 3), bromine monofluoride (BrF), bromine trifluoride (BrF 3), monofluoride iodine (IF) or three the method for manufacturing a display device according to claim 1 which is either a fluoride iodine (iF 3).
  3. 表示装置用基板にマトリクス部と、前記マトリクス部の電気配線に接続され半導体集積回路とが設けられた表示装置の作製方法であって、 And a matrix portion in the substrate for a display device, connected to the electrical wiring of the matrix portion to a method for manufacturing a semiconductor integrated circuit and a display device provided is,
    前記半導体集積回路を作製するためのガラスでなる仮基板上にシリコンでなる剥離層を形成し、 Wherein a release layer made of silicon formed on a semiconductor integrated circuit composed of glass for making temporary substrate,
    前記剥離層上に酸化珪素でなる下地膜を形成し、 Wherein forming a base film made of silicon oxide on the release layer,
    前記下地膜上に薄膜トランジスタを有する半導体集積回路を複数作製し、 Produce a plurality of semiconductor integrated circuit having a thin film transistor on the underlayer,
    前記半導体集積回路ごとに前記仮基板を複数に分割し、 Said temporary substrate is divided into a plurality for each of the semiconductor integrated circuit,
    前記半導体集積回路と前記電気配線とが内側になるように前記分割された仮基板を前記表示装置用基板に対向させ、前記半導体集積回路を前記電気配線に電気的に接続した状態で、接着剤により前記分割された仮基板を前記表示用基板に固定し、 In a state where the semiconductor integrated circuit and the electrical wiring the divided the temporary substrate is opposed to the substrate for the display device so that the inside and electrically connected to the semiconductor integrated circuit to the electrical wiring, the adhesive the temporary substrate that is the divided fixed to the display substrate by,
    プラズマ化された四フッ化炭素(CF 4 )ガスまたは三フッ化窒素(NF 3 )ガスにより、前記シリコンでなる剥離層をエッチングすることにより、前記分割された仮基板を前記表示装置用基板から分離することを特徴とする表示装置の作製方法。 The plasma has been carbon tetrafluoride (CF 4) gas or nitrogen trifluoride (NF 3) gas, by etching the peeling layer made of the silicon, a temporary substrate that is the split from the substrate for the display device the method for manufacturing a display device and separating.
  4. 前記剥離層として、アモルファスシリコン膜を形成し、前記アモルファスシリコン膜上に下地膜を形成する請求項1乃至のいずれか一に記載の表示装置の作製方法。 Wherein as the release layer, an amorphous silicon film is formed, a method for manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 3 forming a base film on the amorphous silicon film.
  5. 前記下地膜は、酸化珪素膜である請求項1乃至のいずれか一に記載の表示装置の作製方法。 The base film, a method for manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 4 which is a silicon oxide film.
  6. 前記表示装置用基板は、プラスチック基板である請求項1乃至のいずれか一に記載の表示装置の作製方法。 The substrate for a display device, a method for manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 5, which is a plastic substrate.
  7. 前記表示装置用基板は、フィルム状の基板である請求項1乃至のいずれか一に記載の表示装置の作製方法。 The display device substrate, a method for manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 5 which is film-like substrate.
  8. 前記電気配線は、導電性酸化物でなる請求項1乃至のいずれか一に記載の表示装置の作製方法。 The electrical wiring, the method for manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 7 comprising a conductive oxide.
  9. 前記ガラスでなる仮基板は、無アルカリガラス基板、低アルカリガラス基板又は石英ガ ラス基板のいずれかである請求項1乃至8のいずれか一に記載の表示装置の作製方法。 Temporary substrate made of the glass, non-alkali glass substrate, a method for manufacturing a display device according to any one of claims 1 to 8 which is either a low alkali glass substrate or a quartz glass substrate.
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