JP3559750B2 - Cmosインバータ回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はCMOSインバータ回路に関し、特に低電源電圧デバイスなどの基板電位を制御するCMOSインバータ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、プロセスの微細化によりLSIの高速化、大規模化とともに、高性能化が進む反面、デバイスの消費電力が問題視されている。
【0003】
特に、海外ではLSIのパワーマネージメントに対する関心が高く、各方面で消費電力に対する対策を施している。その一例として、北米の大手CPUメーカーのモバイルPC用CPUは、電池駆動時にそのCPUの電源電圧や動作周波数を低下させ、デバイスの充放電電流を低く抑えることにより、消費電力を低減している。このように、LSIの高速化が進む中、低消費電力化は重要な課題となっている。
【0004】
また、プロセスの微細化、高速化に伴い、デバイスの低電圧化が急速に進み、トランジスタのしきい値(Vt)が急激に低くなっている。例えば、0.18μmプロセスでは、電源電圧が1.8V以下となり、前述したVtが0.3V付近になるため、プロセス的に最早トランジスタ単体では完全にOFFしきれない状態となっている。つまり、Vt低下により、オフリーク電流が問題視されている。
【0005】
本来、デバイスの低電圧化により、低消費電力の恩恵を受けるはずが、オフリーク電流により逆に低消費電力化そのものが危ぶまれている。
【0006】
さらに、デバイスの高集積化(7Mゲート)と高速動作(1GHz)により消費電力は数Wと益々大きくなっている。このため、オフリークを防止すると同時に、消費電力を低減することは、マイグレーション等の信頼性からも重要な問題となっている。
【0007】
このようなオフリーク対策を施したCMOS回路としては、例えば特開平7−95032号公報などで知られている。
【0008】
図4はかかる従来の一例を示すCMOSインバータ回路図である。図4に示すように、従来のCMOSインバータ回路は、電源電圧VDDと接地電圧GND間に、ソースおよび基板を接続したPチャネルMOSトランジスタQ5と、NチャネルMOSトランジスタQ6をこの順に接続するとともに、それぞれのゲートを入力端子INに且つ各ドレインを出力端子OUTに接続している。また、このインバータ回路には、ドレインおよび基板を接続し、ソースをGNDに且つゲートを入力端子に接続したNチャネルMOSトランジスタQ7と、NチャネルMOSトランジスタQ6,Q7のゲートおよび基板間に接続した結合容量素子Csとを設けている。なお、CLは負荷容量素子である。
【0009】
このCMOSインバータ回路は、入力端子INに供給される入力電圧VINがNチャネルMOSトランジスタQ7のしきい値電圧(Vt)よりも下がったときに、結合容量素子CsによってNチャネルMOSトランジスタQ6の基板に負の基板電圧を印加するようにしたものである。
【0010】
以下に、このCMOSインバータ回路の動作を説明する。なお、VDDは1.8V、GNDは0V、各MOSトランジスタのVtは、つぎの値であると仮定する。なお、Vbsはバックバイアス電圧である。
【0011】
Q5:−0.3V(Vbs=0V)
Q6:+0.3V(Vbs=0V),+0.6V(Vbs=−0.3V)
Q7:+0.3V(Vbs=0V)
今、CMOSインバータ回路の入力電圧VINが0.3Vまで下がると、NチャネルMOSトランジスタQ7がオフとなるので、NチャネルMOSトランジスタQ7の基板であるPウエルはGNDから切り離され、フローティング状態になる。そして、入力電圧VINが0.3Vよりさらに下がると、NチャネルMOSトランジスタQ6のゲート容量C6と、NチャネルMOSトランジスタQ7のゲート容量C7および結合容量Csとの容量結合により、Pウエルの電圧が下がり、基板バイアス効果によりNチャネルMOSトランジスタQ6のVtが上昇する。これにより、NチャネルMOSトランジスタQ6の弱反転領域でのソース・ドレイン間リーク電流が低減する。
【0012】
図5は図4における出力端子およびB点の電圧レベル特性図である。図5に示すように、VOHおよびVOLはそれぞれ出力端子OUTのハイレベル電位およびロウレベル電位であり、VBはNチャネルMOSトランジスタQ6の基板電位である。入力端子INに対する入力電位の供給開始後、50μSで基板電位にマイナス0.19Vの負電圧を発生させているが、51μSを過ぎたあたりからその負電位が上昇し、94μSになるとほぼ0Vに近いマイナス0.03V程度になっている。すなわち、前述した図4のような回路では、時間が経つにつれて基板電位VBが上昇してしまい、NチャネルMOSトランジスタQ6のしきい値Vtが本来の値に戻ってしまう。
【0013】
図6は図4におけるMOSトランジスタのオフリーク電流スパイス・シュミレーション波形図である。図6に示すように、上述したCMOSインバータ回路において、シュミレーションによって求めたオフリーク電流Iofは、ほぼ−0.420μAである。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
上述した従来のCMOSインバータ回路は、基板電位に負電位を発生することはできるが、途中から負電位が上昇し、0V付近になるため、トランジスタのしきい値が本来の値にもどってしまう。このため、CMOSインバータ回路におけるトランジスタのオフリーク電流を完全に防止することは困難であると同時に、スタンバイ時の消費電力を低減することも出来ないという問題がある。
【0015】
また、従来のCMOSインバータ回路では負電位しか発生出来ないので、NチャネルMOSトランジスタQ6がOFFしているハイレベル出力時はオフリーク電流に短時間だけ効果があるが、PチャネルMOSトランジスタQ5がOFFしている時には対応できない。従って、オフリーク対策効果が半減し、LSIの約半分の回路しか消費電力を低減出来ないという問題がある。
【0016】
本発明の目的は、入力信号を感知してリアルタイムにインバータ部を形成しているトランジスタの基板電位を制御し、トランジスタ個々のオフリーク電流を防止するとともに、低消費電力化を実現するCMOSインバータ回路を提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】本発明のCMOSインバータ回路は、電源およびグランド間に第1のPチャネルMOSトランジスタおよび第1のNチャネルMOSトランジスタを接続するとともに、双方のトランジスタの共通接続したゲートに入力信号を供給し且つ双方のトランジスタの共通接続したドレインから出力を取り出すCMOSインバータ部と、前記第1のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第1のNチャネルMOSトランジスタの基板間に接続し、前記電源と同一の電源電圧で動作する基板電位制御部とを有し、前記基板電位制御部は、ソースを電源に且つドレインを前記第1のPチャネルMOSトランジスタの基板にそれぞれ接続し、ゲートに前記入力信号を供給する第2のPチャネルMOSトランジスタと、ソースをグランドに且つドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタの基板にそれぞれ接続し、ゲートに前記入力信号を供給する第2のNチャネルMOSトランジスタと、前記第2のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第2のNチャネルMOSトランジスタのドレイン間に接続する容量素子とで形成され、前記第1のPチャネルMOSトランジスタあるいは前記第1のNチャネルMOSトランジスタのOFFしている側のトランジスタのしきい値電圧を上昇させ、オフリークを防止するように構成される。
【0020】
また、本発明における前記第2のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第2のNチャネルMOSトランジスタは、それぞれドレインおよび基板間を接続して形成される。
【0021】
また、本発明における前記第1,第2のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第1,第2のNチャネルMOSトランジスタは、それぞれ基板電位を等しくし、前記基板電位制御部で発生する昇圧電圧および降圧電圧を前記容量素子により保持するように形成される。
【0023】
【発明の実施の形態】
本実施の形態は、電源と接地間に接続した第1のPチャネルMOSトランジスタと第1のNチャネルMOSトランジスタを備えるとともに、双方のゲートを入力端子に且つ双方のドレインを出力端子に接続した通常のCMOSインバータ部と、このCMOSインバータ部における第1の各MOSトランジスタの基板電位を制御する制御部とを有して構成される。しかも、この制御部は、ソースを電源に、ドレインおよび基板を接続し且つゲートを入力端子に接続した第2のPチャネルMOSトランジスタと、ソースを接地し、ドレインおよび基板を接続し且つゲートを入力端子に接続した第2のNチャネルMOSトランジスタと、これら第2のPチャネルMOSトランジスタおよび第2のNチャネルMOSトランジスタのドレイン間に接続した結合容量素子とを有している。
【0024】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1は本発明の一実施の形態を示すCMOSインバータ回路図である。図1に示すように、本実施の形態は、通常のCMOSインバータ部1に対し、基板電位(A点,B点の電位)を制御するにあたり、制御部2のPチャネルMOSトランジスタQ3とNチャネルMOSトランジスタQ4各々のドレイン間に接続した容量素子Cdによりスイッチングを行う。この際、容量素子CdはPチャネルMOSトランジスタQ3およびNチャネルMOSトランジスタQ4のゲート、すなわち入力端子INと基板間の電位差を保持するため、制御部2で発生する昇圧電位および降圧電位を長時間保持することができる。そして、通常のCMOSインバータ部1におけるPチャネルMOSトランジスタQ1とNチャネルMOSトランジスタQ2の基板に、上述した昇圧電位および降圧電位を印加し、OFFしているPチャネルMOSトランジスタQ1又はNチャネルMOSトランジスタQ2のしきい値Vtを制御することにより、オフリーク電流を防止する。
【0025】
ここで、CMOSインバータ部1は、PチャネルMOSトランジスタQ1およびNチャネルMOSトランジスタQ2の基板は分離独立して形成されており、またCMOSインバータ部1と基板電位制御部2の電源は同一の電源電圧VDDを用いている。
【0026】
以下、図1に基づいて、具体的実施例を説明する。本実施例は、電源電圧VDDと接地電圧GNDの間に、PチャネルMOSトランジスタQ1とNチャネルMOSトランジスタQ2とをこの順に接続し、各ゲートに入力端子INを接続し且つ各ドレインを出力端子OUTに接続してなるCMOS型インバータ部1と、ゲートが入力端子INに且つソースがVDDにそれぞれ接続され、ドレインおよび基板がCMOS型インバータ部1のPチャネルMOSトランジスタQ1の基板に接続されたPチャネルMOSトランジスタQ3と,ゲートが入力端子INに且つソースがGNDにそれぞれ接続され、ドレインおよび基板がCMOS型インバータ部1のNチャネルMOSトランジスタQ2の基板に接続されたNチャネルMOSトランジスタQ4と,PチャネルMOSトランジスタQ3のドレインとNチャネルMOSトランジスタQ4のドレイン間に接続された結合容量素子Cdとを設けた基板電位制御部2とを有している。かかるCMOSインバータ回路において、入力端子INに供給される入力電圧VINがNチャネルMOSトランジスタQ4のしきい値電圧Vtよりも下がった時に、容量結合によってCMOSインバータ部1のNチャネルMOSトランジスタQ2の基板に負の基板電圧を印加する。また、入力端子INにおける入力電圧VINがPチャネルMOSトランジスタQ3のVtよりも上がったときに、容量結合によってCMOSインバータ部1のPチャネルMOSトランジスタQ1の基板にVDDよりも高い基板電圧を印加するようにしたものである。
【0027】
次に、このCMOSインバータ回路の具体的動作を説明する。なお、ここではVDDは1.8V、GNDは0Vとし、各MOSトランジスタのしきい値電圧は、つぎに示す値であると仮定する。
【0028】
Q1:−0.3V(Vbs=0V),−0.6V(Vbs=+0.3V)
Q2:+0.3V(Vbs=0V),+0.6V(Vbs=−0.3V)
Q3:−0.3V(Vbs=0V)
Q4:+0.3V(Vbs=0V)
今、CMOSインバータ回路の入力電圧VINが0.3Vまで下がると、NチャネルMOSトランジスタQ4がオフし、NチャネルMOSトランジスタQ4の基板であるPウェルは、GNDから切り離されてフローティング状態となる。そして、入力電圧VINがさらに下がると、NチャネルMOSトランジスタQ2のゲート容量(以下、C2と称す)と、NチャネルMOSトランジスタQ4のゲート容量(以下、C4と称す)と、容量素子Cdとの容量結合により、Pウェルの電圧が下がる。この結果、基板バイアス効果により、NチャネルMOSトランジスタQ2のしきい値Vtが上昇する。これにより、NチャネルMOSトランジスタQ2の弱反転領域でのソース・ドレイン間リーク電流、すなわちオフリーク電流は低減する。
【0029】
逆に、入力電圧VINが1.5Vまで上がった場合には、PチャネルMOSトランジスタQ1のゲート容量(以下、C1と称す)と、PチャネルMOSトランジスタQ3のゲート容量(以下、C3と称す)と、容量素子Cdとの容量結合により、Nウェルの電圧が上がる。この結果、基板バイアス効果により、PチャネルMOSトランジスタQ1の基板電圧が上昇し、同様にソース・ドレイン間リーク電流が低減する。
【0030】
図2は図1における出力端子とA,B点の電圧レベル特性図である。図2に示すように、VOHおよびVOLはそれぞれ出力端子OUTのハイレベル電位およびロウレベル電位であり、VAはPチャネルMOSトランジスタQ1の基板電位、VBはNチャネルMOSトランジスタQ2の基板電位である。入力端子INに対する入力電位の供給が開始されても、すなわち時間が経っても、同一区間内(例えば、時間0.1〜0.15mS区間、あるいは0.15〜0.2mS区間)では、基板電位VA,VBが変化しない。ここでは、一例としてVA=2.09V、VB=0.22Vの場合を示している。このことは、基板電位制御部2によって昇圧および降圧を可能にしているので、PチャネルMOSトランジスタQ1,NチャネルMOSトランジスタQ2がオフしている時にも、オフリーク電流を防止することができる。このように、本実施例では、時間が経っても、同一区間内であれば、基板電位が変化しないため、各トランジスタのしきい値Vtを上げ続けることができ、したがってオフリーク電流を防止することができる。
【0031】
また、図2からも明らかなように、VAおよびVBの電位は100nSを超え50μSの時間が経っても降圧した電位および昇圧した電位を保持出来るため、動作していない回路やLSIがスタンバイ時の消費電力を低減することが出来る。
【0032】
図3図1におけるMOSトランジスタのオフリーク電流スパイス・シュミレーション波形図である。図3に示すように、上述したCMOSインバータ回路において、ハイレベル時の出力電圧レベルVOHは1.8Vであり、シュミレーションによって求めたオフリーク電流Iofは、ほぼ−0.110μAである。このため、前述した図6の従来例(Iofはほぼ−0.42μA)と比較すると、本実施の形態における回路によれば、約74%も低減することができる。
【0033】
また、本実施の形態では、個々の機能ブロック(ファンクション・ブロック)毎にしきい値電圧の制御が可能であるので、従来のようなLSI(Vt−CMOSタイプ)が動作していないスタンバイ時のみのオフリークを防止する回路とは異なり、スタンバイ時は勿論、LSI使用時でも動作していないトランジスタのオフリークを防止することが出来、LSIの使用時及びスタンバイ時の消費電力を低減することができる。かかるLSIの使用時でも、常に動作しているトランジスタは、約30から40%と言われており、また0.18μmプロセスでゲート幅が10μmのトランジスタのオフリーク電流が約0.4μAと大きい事を考えると、近年益々大規模、高集積になるLSIへの効果は絶大である。
【0034】
さらに、本実施の形態では、一般的に考えられているVt−CMOSタイプと異なり、オフリーク電流を防止するための特別な電源を必要とせず、LSI動作に必要な単一電源でオフリーク電流を防止することができる。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明のCMOSインバータ回路は、入力信号を感知してリアルタイムにインバータ部を形成しているトランジスタの基板電位を制御し、トランジスタ個々のオフリーク電流を防止するとともに、低消費電力化を実現できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態を示すCMOSインバータ回路図である。
【図2】図1における出力端子とA,B点の電圧レベル特性図である。
【図3】図1におけるMOSトランジスタのオフリーク電流スパイス・シュミレーション波形図である。
【図4】従来の一例を示すCMOSインバータ回路図である。
【図5】図4における出力端子およびB点の電圧レベル特性図である。
【図6】図4におけるMOSトランジスタのオフリーク電流スパイス・シュミレーション波形図である。
【符号の説明】
1 CMOSインバータ部
2 制御部
Q1,Q3 PチャネルMOSトランジスタ
Q2,Q4 NチャネルMOSトランジスタ
Cd 結合容量素子
VOH 出力ハイレベル電位
VOL 出力ロウレベル電位
VA,VB 基板電位
Iof オフリーク電流
Claims (3)
- 電源およびグランド間に第1のPチャネルMOSトランジスタおよび第1のNチャネルMOSトランジスタを接続するとともに、双方のトランジスタの共通接続したゲートに入力信号を供給し且つ双方のトランジスタの共通接続したドレインから出力を取り出すCMOSインバータ部と、前記第1のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第1のNチャネルMOSトランジスタの基板間に接続し、前記電源と同一の電源電圧で動作する基板電位制御部とを有し、前記基板電位制御部は、ソースを電源に且つドレインを前記第1のPチャネルMOSトランジスタの基板にそれぞれ接続し、ゲートに前記入力信号を供給する第2のPチャネルMOSトランジスタと、ソースをグランドに且つドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタの基板にそれぞれ接続し、ゲートに前記入力信号を供給する第2のNチャネルMOSトランジスタと、前記第2のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第2のNチャネルMOSトランジスタのドレイン間に接続する容量素子とで形成され、前記第1のPチャネルMOSトランジスタあるいは前記第1のNチャネルMOSトランジスタのOFFしている側のトランジスタのしきい値電圧を上昇させ、オフリークを防止することを特徴とするCMOSインバータ回路。
- 前記第2のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第2のNチャネルMOSトランジスタは、それぞれドレインおよび基板間を接続した請求項1記載のCMOSインバータ回路。
- 前記第1,第2のPチャネルMOSトランジスタおよび前記第1,第2のNチャネルMOSトランジスタは、それぞれ基板電位を等しくし、前記基板電位制御部で発生する昇圧電圧および降圧電圧を前記容量素子により保持する請求項1記載のCMOSインバータ回路。
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