JP3552701B2 - Adhesive member, semiconductor device and its manufacturing method, circuit board, and electronic equipment - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接着部材、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器に関する。
【0002】
【背景技術】
半導体チップのフェースダウン実装に使用される接着剤(異方性導電フィルムや異方性導電ペースト等)には、弾性率を高め、吸水率及び熱膨張係数を低くする等のため、シリカフィラー等の絶縁性のフィラーが配合されている。しかし、絶縁性のフィラーを配合することで、接着剤が流動しにくくなり、半導体チップのバンプと基板のランドとを接続する際に、バンプとランドとの接合面から、絶縁性のフィラー及び絶縁性の接着剤が排出されにくくなる。これにより、バンプとランドとの間に、絶縁性のフィラーや絶縁性の接着剤が介在して、電気的な接続に影響を与えることがあった。
【0003】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、良好な電気的接続が得られる接着部材、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】
(1)本発明に係る半導体装置は、バンプを有する半導体チップと、
前記半導体チップと対向し、前記バンプと電気的に接続する配線パターンが形成された基板と、
絶縁性のフィラーと第1のバインダを含む第1の層と、前記絶縁性のフィラーを含まず、第2のバインダを含む第2の層とを含む接着部材と、
を有し、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記接着部材は、前記半導体チップと前記基板との間に配置され、
前記バンプ及び前記配線パターンが電気的に接続する部分は、前記接着部材の前記第2の層の内部に位置してなる。
【0005】
本発明によれば、絶縁性のフィラーが配合されていない第2の層の内部で、バンプと配線パターンとが電気的に接続されている。したがって、バンプと配線パターンとの間に絶縁性のフィラーが介在しないまたは介在する量を少なくすることができるので、良好な電気的な接続が得られる。ここで、「バンプ及び配線パターンが電気的に接続する部分が第2の層の内部に位置してなる」とは、バンプと配線パターンとが直接接続している場合は、少なくともバンプと配線パターンとの接合部が第2の層の内部に位置することであり、また、バンプと配線パターンとが導電性のフィラーを介して接続している場合には、少なくともバンプのうち導電性フィラーに接する部分と配線パターンのうち該導電性フィラーに接する部分とが第2の層の内部に位置することである。
【0006】
(2)この半導体装置において、
前記接着部材の前記第1及び第2の層の少なくとも一方は、複数の層で構成されていてもよい。
【0007】
(3)この半導体装置において、
前記接着部材の前記第1の層は、第1の分割層と第2の分割層とを含み、
前記第2の層は、前記第1の分割層と前記第2の分割層との間に配置されていてもよい。
【0008】
(4)本発明に係る半導体装置は、バンプを有する半導体チップと、
前記半導体チップと対向し、前記バンプと電気的に接続する配線パターンが形成された基板と、
絶縁性のフィラーと第1のバインダを含む第1の層と、前記絶縁性のフィラーを含まず、第2のバインダを含む第2の層とを有する接着部材であって、
前記絶縁性のフィラーを前記接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で含む接着部材と、
を有し、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記接着部材は、前記半導体チップと前記基板との間に配置されてなる。
【0009】
本発明によれば、第2の層に絶縁性のフィラーが配合されていないので、バンプと配線パターンが良好に電気的接続されている。また、接着部材は、40重量%以上50重量%以下の割合で絶縁性のフィラーが配合されているので、弾性率が高く、吸水率及び熱膨張係数が低くなっている。
【0010】
(5)この半導体装置において、
前記バンプ及び前記配線パターンが電気的に接続する部分は、前記接着部材の前記第2の層の内部に位置してもよい。
【0011】
ここで、「バンプ及び配線パターンが電気的に接続する部分が第2の層の内部に位置してなる」とは、バンプと配線パターンとが直接接続している場合は、少なくともバンプと配線パターンとの接合部が第2の層の内部に位置することであり、また、バンプと配線パターンとが導電性のフィラーを介して接続している場合には、少なくともバンプのうち導電性フィラーに接する部分と配線パターンのうち該導電性フィラーに接する部分とが第2の層の内部に位置することである。
【0012】
(6)この半導体装置において、
前記接着部材は、導電性のフィラーを含んでいてもよい。
【0014】
(7)この半導体装置において、
前記第1の層は、第1のバインダを含み、
前記第2の層は、第2のバインダを含み、
前記第1のバインダの溶融粘度は、前記第2のバインダの溶融粘度よりも低くてもよい。
【0015】
(8)本発明に係る回路基板には、上記半導体装置が実装されている。
【0016】
(9)本発明に係る電子機器は、上記半導体装置を有する。
【0017】
(10)本発明に係る接着部材は、絶縁性のフィラーと第1のバインダを含む第1の層と、前記絶縁性のフィラーを含まず、第2のバインダを含む第2の層と、を有する接着部材であって、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記絶縁性のフィラーは、前記接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で含まれてなる。
【0018】
本発明によれば、第2の層に絶縁性のフィラーが配合されていないので、良好な電気的接続が得られる。また、接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で絶縁性のフィラーが配合されているので、弾性率が高く、吸水率及び熱膨張係数が低くなっている。ここで、絶縁性のフィラーとは、少なくとも表面が絶縁性の材料で覆われている粒子(例えば、絶縁性の材料からなる粒子)である。
【0019】
(11)この接着部材において、
前記第1の層の厚みL1と、前記第2の層の厚みL2と、前記第1の層の密度M1と、前記第2の層の密度M2と、前記第1の層における前記絶縁性のフィラーが占める割合であるX重量%とが、
40(L1M1+L2M2)/L1M1≦X≦50(L1M1+L2M2)/L1M1
の関係を有してもよい。
【0020】
ここで、厚みL1,L2は、厚みにバラツキがある場合には平均値であってもよいし、測定誤差を考慮して幅を持った値であってもよい。これによれば、第1の層の厚みL1と、第2の層の厚みL2を決めれば、第1の層にどれだけ絶縁性のフィラーを配合すればよいかが分かる。
【0021】
(12)この接着部材において、
前記第1及び第2の層の少なくとも一方は、複数の層で構成されていてもよい。
【0022】
(13)この接着部材において、
前記第1の層は、第1の分割層と第2の分割層とを含み、
前記第2の層は、前記第1の分割層と前記第2の分割層との間に配置されていてもよい。
【0023】
(14)この接着部材は、さらに、導電性のフィラーを含んでもよい。
【0024】
ここで、導電性のフィラーとは、少なくとも表面が導電性の材料で覆われている粒子(例えば導電性の材料からなる粒子)である。
【0025】
(15)本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを、接着部材を使用して、基板にフェースダウン実装し、前記半導体チップに設けられたバンプと前記基板に形成された配線パターンとを電気的に接続することを含み、
前記接着部材は、絶縁性のフィラーと第1のバインダが含まれた第1の層と、前記絶縁性のフィラーが含まれず、第2のバインダが含まれる第2の層とを含み、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記絶縁性のフィラーは、前記接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で含まれる。
【0026】
本発明によれば、第2の層に絶縁性のフィラーが配合されていないので、バンプと配線パターンとを良好に電気的接続することができる。また、接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で絶縁性のフィラーが配合されているので、弾性率を高め、吸水率及び熱膨張係数を低くすることができる。
【0027】
(16)この半導体装置の製造方法において、
前記バンプと前記配線パターンとを、前記接着部材の前記第2の層の内部で電気的に接続させてもよい。
【0028】
ここで、「バンプと配線パターンとを、接着部材の第2の層の内部で電気的に接続させる」とは、バンプと配線パターンとが直接接続している場合は、少なくともバンプと配線パターンとの接合部が第2の層の内部に位置するように、電気的に接続することであり、また、バンプと配線パターンとが導電性のフィラーを介して接続している場合には、少なくともバンプのうち導電性フィラーに接する部分と配線パターンのうち該導電性フィラーに接する部分とが第2の層の内部に位置するように、電気的に接続することである。
【0029】
(17)本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体チップを、接着部材を使用して、基板にフェースダウン実装し、前記半導体チップに設けられたバンプと、前記基板に形成された配線パターンと、を電気的に接続することを含み、
前記接着部材は、絶縁性のフィラーと第1のバインダが含まれた第1の層と、前記絶縁性のフィラーが含まれず、第2のバインダが含まれる第2の層とを有し、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記バンプと前記配線パターンとを、前記接着部材の前記第2の層の内部で電気的に接続させる。
【0030】
本発明によれば、絶縁性のフィラーが配合されていない第2の層の内部で、バンプと配線パターンとを電気的に接続する。したがって、バンプと配線パターンとの間に絶縁性のフィラーが介在しないまたは介在する量を少なくすることができるので、良好な電気的な接続が得られる。ここで、「バンプと配線パターンとを、接着部材の第2の層の内部で電気的に接続させる」とは、バンプと配線パターンとが直接接続している場合は、少なくともバンプと配線パターンとの接合部が第2の層の内部に位置するように、電気的に接続することであり、また、バンプと配線パターンとが導電性のフィラーを介して接続している場合には、少なくともバンプのうち導電性フィラーに接する部分と配線パターンのうち該導電性フィラーに接する部分とが第2の層の内部に位置するように、電気的に接続することである。
【0031】
(18)この半導体装置の製造方法において、
前記接着部材の前記第1及び第2の層の少なくとも一方を、複数の層で形成してもよい。
【0032】
(19)この半導体装置の製造方法において、
前記接着部材の前記第1の層は、第1の分割層と第2の分割層とを含む複数の層であり、
前記接着部材の前記第2の層は、前記第1の分割層と前記第2の分割層との間に配置してもよい。
【0033】
(20)この半導体装置の製造方法において、
前記接着部材は、導電性のフィラーを含んでもよい。
【0034】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
【0035】
(第1の実施の形態)
図1(A)は、本発明の第1の実施の形態に係る接着部材並びに半導体装置及びその製造方法を説明する図である。本実施の形態では、接着部材10を使用する。接着部材10の少なくとも表面は、接着機能を有する。接着部材10は、フィルムであってもよいし、ペーストが塗り広げられてフィルム状になっていてもよい。接着部材10は、バインダに導電性のフィラーが分散されてなる異方性導電材料(異方性導電フィルム、異方性導電ペースト)であってもよい。接着部材10は、第1の層11及び第2の層12からなる。
【0036】
第1の層11は、バインダにシリカフィラー14等の絶縁性のフィラー(以下、絶縁性のフィラーとしてシリカフィラー14を用いて説明する。)が配合されたものである。バインダは、電気的に絶縁性を有することが一般的である。バインダとして、樹脂(熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等)の接着剤を使用することができる。
【0037】
第2の層12には、シリカフィラーが配合されていない。第2の層12は、第1種類の層11のバインダとして選択できる材料に、粒子(例えば導電粒子。ただし、絶縁性のフィラーを除く。)を配合して形成してもよい。第2の層12は、第1の層11のバインダとして選択できる材料のみから形成してもよい。すなわち、第2の層12は、第1の層11と同じバインダを含むものでもよい。この場合、第1の層11と第2の層12との間の接着性がよく熱膨張率も等しいため、この間での剥離が生じにくくなる。また、第2の層12は、第1の層11と異なるバインダを含むものでもよい。この場合、接着される部品が複数ある場合に、各部品の特性に応じて各部品に接する接着剤のバインダを変えることにより、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【0038】
第1の層11の厚みL1は、第2の層12の厚みL2の5倍程度になっていてもよい。接着部材10が異方性導電材料である場合は、第1の層11及び第2の層12の両方に導電性のフィラーを分散させてもよいし、いずれか一方のみに導電性のフィラーを分散させてもよい。
【0039】
シリカフィラー14は、第1の層11及び第2の層12の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合になるように、第1の層11に配合されていることが好ましい。したがって、第1の層11の厚みL1と、第2の層12の厚みL2と、第1の層11の密度M1(例えばg/cm3)と、第2の層12の密度M2(例えばg/cm3)と、第1の層11におけるシリカフィラー14が占める割合であるX重量%とが、
40(L1M1+L2M2)/L1M1≦X≦50(L1M1+L2M2)/L1M1
の関係を有する。
【0040】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、上述した接着部材10を使用して、半導体チップ20を基板30に実装する。半導体チップ20は、バンプ22を有する。バンプ22は、基板30の配線パターン32と電気的な接続を図るためのものである。詳しくは、半導体チップ20には、複数の電極(例えばAlパッド)が形成されており、各電極にバンプ22が形成されている。複数のバンプ22が、半導体チップ20の周縁部に並んでいてもよいし、エリアアレイ状に配列されていてもよい。バンプ22は、ワイヤボンダを使用して形成するボールバンプであってもよいし、メッキで形成してもよい。バンプ22は、金で形成することができる。なお、電極(図示せず)とバンプ22との間にバンプ金属の拡散防止層として、ニッケル、クロム、チタン等を付加してもよい。
【0041】
基板30は、半導体パッケージ用のインターポーザであってもよいし、フレキシブル基板であってもよいし、マザーボードであってもよい。基板30は、有機系又は無機系のいずれの材料から形成されたものであってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。基板30として、多層基板やビルドアップ型基板を用いても良い。基板30には、配線パターン32が形成されている。配線パターン32は、他の部品との電気的な接続を図る部分(例えばランド)と、配線(ライン)とを有する。配線パターン32には、メッキを施してもよい。配線パターン32を銅で形成し、ニッケル、金、ハンダ又はスズでメッキを施してもよい。メッキを施すことで、配線パターン32に対して、ハンダ付けが容易になり、表面の酸化が防止され、電気的な接続抵抗が低下する。基板30には、図示しないスルーホールを形成し、両面の電気的な接続を図ってもよい。スルーホールは、ハンダボール等の外部端子を設けるときにも使用される。
【0042】
本実施の形態では、半導体チップ20を基板30にフェースダウン実装する。そのため、図1(A)に示すように、基板30における配線パターン32が形成された面と、半導体チップ20におけるバンプ22が設けられた面と、を対向させ、両者間に接着部材10を配置する。ここで、接着部材10は、第1の層11と第2の層12とのうち、第1の層11(シリカフィラー14が含まれる層)を第2の層12(絶縁性のフィラーが含まれない層)よりも半導体チップ20側に配置し、第2の層12(シリカフィラーが配合されていない層)を第1の層11よりも基板30側に配置する。また、配線パターン32(例えばランド)とバンプ22とを位置合わせする。
【0043】
なお、予め用意された接着部材10の総厚みL1+L2と、バンプ22及び配線パターン32(例えばランド)の合計高さH1+H2とは、
H1+H2<L1+L2
となっている。こうすることで、接着部材10が半導体チップ20及び基板30の両方に密着する。また、バンプ22の高さH1と、第1の層11の厚みL1とは、
L1<H1
となっていてもよい。この場合、バンプ22が第1の層11に入り込んで第2の層12に至りやすくなる。また、配線パターン32(例えばランド)の厚みH2と、第2の層12の厚みL2とは、
H2<L2
となっていてもよい。この場合、配線パターン32(例えばランド)が、第2の層12に入り込んでも、第1の層11に至りにくくなる。
【0044】
変形例として、第1と第2の層11,12のうち、第2の層12が第1の層11よりも半導体チップ20の側に配置され、第1の層11が第2の層12よりも基板30の側に配置されている場合、バンプ22の高さH1と、第1の層11の厚みL1とは、
L1>H1
となっていてもよい。この場合、接着部材10のうち、第1の層11が第2の層12よりも半導体チップ20の側に、第2の層12が第1の層11よりも基板30の側にきた場合に、バンプ22が、第2の層12に入り込んでも、第1の層11に至りにくくなる。また、配線パターン32(例えばランド)の厚みH2と、第2の層12の厚みL2とは、
H2>L2
となっていてもよい。この場合、接着部材10のうち、第1の層11が第2の層12よりも半導体チップ20の側に、第2の層12が第1の層11よりも基板30の側にきた場合に、配線パターン32(例えばランド)が、第1の層11に入り込んで第2の層12に至りやすくなる。ここで、接着部材10の第2の層12は、第1の層11と同じバインダを含むものでもよいし、異なるバインダを含むものでもよい。ここで、同じバインダを含むものである場合、第1の層11と第2の層12との間の接着性がよいため、この間で剥離が生じにくくなる。また、異なるバインダを含むものである場合、例えば、第1の層11の方が第2の層12よりも半導体チップの側に設けられる場合であって、第1の層11に含まれるバインダの熱膨張係数のほうが、第2の層12に含まれるバインダの熱膨張係数よりも、半導体チップ20の熱膨張係数に近いものが挙げられる。この場合、熱膨張係数の小さい半導体チップに合わせて、第1の層11の熱膨張率の補正量を小さくできるため、第1の層11に含まれるシリカフィラー14の量をより少なくすることができる。このため、バンプ22と配線パターン32(例えばランド)との接合面にシリカフィラー14がたまるのをより効果的に防止できる。また、例えば、少なくとも第2の層12に導電性のフィラーが含まれる場合であって、第1の層11に含まれるバインダの溶融粘度のほうが、第2の層12に含まれるバインダの溶融粘度よりも低いものが挙げられる。この場合、配線パターン32とバンプ22との接続時に、配線パターン32とバンプ22とが対向する部分から、シリカフィラー14等の絶縁性のフィラー及び絶縁性のバインダが排出されやすくなる。このため、バンプ22とランド32との接合面に絶縁性の接着剤及びフィラーがたまるのをより効果的に防止できる。
【0045】
そして、半導体チップ20及び基板30の間に加圧力を加える。例えば、半導体チップ20を基板30に加圧する。加圧により、接着部材10は圧縮される。また、バンプ22が接着部材10に入り込む。例えば、バンプ22は、第1の層11に入り込み、第2の層12に至る。そして、第2の層12の内部で、バンプ22と配線パターン32とが電気的に接続される。すなわち、バンプ22と配線パターン32とが直接接続している場合は、バンプ22と配線パターン32との接合部が第2の層12の内部に位置する。また、接着部材10が導電性のフィラーを含有している場合には、バンプ22と配線パターン32との間には導電性のフィラーが介在し、少なくともバンプ22のうち導電性フィラーに接する部分と配線パターン32のうち該導電性フィラーに接する部分とが第2の層12の内部に位置する。バンプ22と配線パターン32は、金属接合してもよい。金属接合を行う場合には、超音波振動を印加する。また、接着部材10の性質に応じて、硬化処理を行う。例えば、加熱や光照射を行う。ボンディングツールによって、加圧・加熱を同時に行ってもよい。
【0046】
こうして、図1(B)に示すように、半導体チップ20のフェースダウンボンディング構造が得られる。この構造では、バンプ22の高さH1と、第1の層11の圧縮された厚みL′1とは、
L′1<H1
の関係を有する。また、配線パターン32(具体的にはランド)の厚みH2と、第2の層12の圧縮された厚みL′2とは、
H2<L′2
の関係を有する。すなわち、バンプ22及び配線パターン32の電気的に接続された部分は、第2の層12の内部に位置する。なお、必要であれば、基板30にハンダボールなどの外部端子を設けてもよい。
【0047】
変形例として、第1と第2の層11,12とのうち、第2の層12が第1の層11よりも半導体チップ20の側に配置され、第1の層11が第2の層12よりも基板30の側に配置されている場合は、バンプ22の高さH1と、第1の層11の厚みL′1とは、
L′1>H1
の関係を有する。この場合、第1の層11と第2の層12のうち、第1の層11が第2の層12よりも半導体チップ20の側に、第2の層12が第1の層11よりも基板30の側にきた場合に、バンプ22が、第2の層12に入り込んでも、第1の層11に至りにくくなる。また、配線パターン32(例えばランド)の厚みH2と、第2の層12の厚みL′2とは、
H2>L′2
となっていてもよい。この場合、接着部材10のうち、第1の層11が第2の層12よりも半導体チップ20の側に、第2の層12が第1の層11よりも基板30の側にきた場合に、配線パターン32(例えばランド)が、第1の層11に入り込んで第2の層12に至りやすくなる。
【0048】
こうして製造された半導体装置は、上述した半導体チップ20、基板30及び接着部材10を有する。なお、半導体チップ20にヒートスプレッダを取り付けてもよいし、基板30にスティフナを取り付けてもよい。本実施の形態に係る半導体装置によれば、接着部材10は、その全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合でシリカフィラー14が配合されてもよい。この場合、接着部材10を見かけ上、弾性率が高く、吸水率及び熱膨張係数を低くすることができる。また、第2の層12にシリカフィラーが配合されていないので、バンプ22と配線パターン32とが良好に電気的に接続されている。詳しくは、シリカフィラーが配合されていない第2の層12の内部で、バンプ22と配線パターン32とが電気的に接続されている。すなわち、バンプ22と配線パターン32とが直接接続している場合は、バンプ22と配線パターン32との接合部が第2の層12の内部に位置する。また、バンプ22と配線パターン32とが導電性のフィラーを介して接続している場合には、少なくともバンプ22のうち導電性フィラーに接する部分と配線パターン32のうち該導電性フィラーに接する部分とが第2の層12の内部に位置する。
したがって、バンプ22と配線パターン32との間にシリカフィラーが介在しないまたは介在する量を少なくすることができるので、良好な電気的な接続が得られる。
【0049】
なお、接着部材10は、半導体チップ以外の電子素子(能動素子か受動素子かを問わない)を、基板に実装して電子部品を製造するときにも使用することができる。電子部品として、例えば、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズなどがある。
【0050】
(第2の実施の形態)
図2(A)及び図2(B)は、本発明の第2の実施の形態に係る接着部材並びに半導体装置及びその製造方法を説明する図である。第1の実施の形態では、第1の層11(シリカフィラー14が含まれる層)が1層で構成され、第2の層12(シリカフィラーが含まれない層)も1層で構成されている。本発明では、第1及び第2の層の少なくとも一方を複数の層で構成してもよい。そこで、第2の実施の形態では、第1の層を少なくとも第1の分割層と第2の分割層とを含む複数の層に分割し、第1の分割層と第2の分割層との間に第2の層が配置された例を説明する。
【0051】
図2(A)に示すように、接着部材100の第1の層110は、第1の分割層111と第2の分割層112を含み、両者間に第2の層120が配置されている。材料及び成分に関して、第1の層110についての説明の内容は、第1の実施の形態で説明した第1の層11についての説明の内容と同様であり、第2の層120についての説明の内容は、第2の層12の内容と同様であるので、ここでは省略する。なお、第1の分割層と111第2の分割層112とは、同じバインダを含むものでもよいし、異なるバインダを含むものでもよい。さらに、第1の分割層と111第2の分割層112とは、一方にのみ導電性のフィラーを含むものであってもよい。
【0052】
シリカフィラー14は、第1の層110及び第2の層120の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合になるように、第1の層110に配合されてもよい。この場合、第1の層110の厚みL10(第1及び第2の分割層111,112の厚みL11,L12の合計)と、第2の層120の厚みL20と、前記第1の層110の密度M10と、前記第2の層120の密度M20と、第1の層110におけるシリカフィラー14が占める割合であるX重量%とが、
40(L10M10+L20M20)/L10M10≦X≦50(L10M10+L20M20)/L10M10
の関係を有する。
【0053】
なお、図2(A)に示す例では、基板30側に配置される第2の分割層112が、第1の分割層111よりも薄くなっている。あるいは、第1の分割層111の厚みL11と、第2の分割層112の厚みL12とは、同じであってもよい。また、第1及び第2の分割層111、112のそれぞれにおけるシリカフィラーの占める割合は、同じであってもよいし、前者が後者よりも大きくてもよいし、前者が後者よりも小さくてもよい。
【0054】
本実施の形態では、第1の実施の形態で説明した半導体チップ20を使用する。バンプ22の高さH1と、半導体チップ20側に配置される第1の分割層111の厚みL11とは、
L11<H1
となっていてもよい。この場合、バンプ22が第1の分割層111に入り込んで第2の層120に至りやすくなる。また、
H1<L11+L20
となっていてもよい。こうすることで、バンプ22が第2の層120を超えて、第2の分割層112に至らないようにすることができる。
【0055】
本実施の形態で使用する基板30に形成される配線パターン132の厚みH20は、第1の実施の形態で説明した配線パターン32の厚みH2よりも厚く(高く)なっている。配線パターン132(例えばランド)の厚みH20と、第2の分割層112の厚みL12とは、
L12<H20
となっていてもよい。この場合、配線パターン132(例えばランド)が、第2の分割層112に入り込んで、第2の層120に至りやすくなる。また、
H20<L12+L20
となっていてもよい。こうすることで、配線パターン132が第2の層120を超えて、第1の分割層111に至らないようにすることができる。
【0056】
予め用意された接着部材100の総厚みL11+L12+L20と、バンプ22及び配線パターン132(例えばランド)の合計高さH1+H20とは、
H1+H20<L11+L12+L20
となっている。こうなっていることで、接着部材10が半導体チップ20及び基板30の両方に密着する。
【0057】
本実施の形態でも、半導体チップ20を基板30にフェースダウン実装する。詳しくは、第1の実施の形態で説明した内容が該当する。そして、図2(B)に示すように、半導体チップ20のフェースダウンボンディング構造が得られる。この構造では、バンプ22の高さH1と、配線パターン132(具体的にはランド)の厚みH20と、第1及び第2の分割層111,112の圧縮された厚みL′11,L′12と、第2の層120の圧縮された厚みL′20とは、
L′11<H1<L′11+L′20
L′12<H20<L′12+L′20
の関係を有する。すなわち、バンプ22及び配線パターン132の電気的に接続された部分は、第2の層120の内部に位置する。なお、必要であれば、基板30にハンダボールなどの外部端子を設けてもよい。
【0058】
こうして製造された半導体装置は、上述した半導体チップ20、基板30及び接着部材100を有する。接着部材100は、その全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合でシリカフィラー14が配合されてもよい。この場合、接着部材100を見かけ上、弾性率が高く、吸水率及び熱膨張係数が低くすることができる。また、第2の層120にシリカフィラーが配合されていないので、バンプ22と配線パターン132とが良好に電気的に接続されている。詳しくは、シリカフィラーが配合されていない第2の層120の内部で、バンプ22と配線パターン132とが電気的に接続されている。したがって、バンプ22と配線パターン132との間にシリカフィラーが介在しないまたは介在する量を少なくすることができるので、良好な電気的な接続が得られる。
【0059】
その他の点について、本実施の形態には、第1の実施の形態で説明した内容を適用することができる。また、本実施の形態の変形例として、第2の層を第3の分割層と第4の分割層とを含む複数の層で構成してもよい。その場合、第3の分割層又は第4の分割層のいずれかを、第1の分割層と第2の分割層とのの間に配置してもよい。
【0060】
図3には、本発明の実施の形態に係る半導体装置を実装した回路基板が示されている。半導体装置1000は、複数の外部端子1100を有する。回路基板2000には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることができる。回路基板2000には例えば銅からなる配線パターンが所望の回路となるように形成されていて、それらの配線パターンと半導体装置1000の外部端子1100とを接合することでそれらの電気的導通を図る。なお、図3に示す半導体装置1000は、CSPに分類されるものであるが、それ以外のパッケージ(BGA等)が適用されていてもよい。また、半導体装置1000は、外部端子に関して、FAN−IN型、FAN−OUT型、FAN−IN/OUT型のいずれのタイプであってもよい。また、半導体装置1000において、半導体チップの実装形態として、COF又はCOGが適用されてもよい。
【0061】
本発明の実施の形態に係る電子機器として、図4にはノート型パーソナルコンピュータ3000が示され、図5には携帯電話4000が示されている。
【0062】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成(例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び結果が同一の構成)を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1(A)〜図1(B)は、本発明の第1の実施の形態に係る接着部材並びに半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図2】図2(A)〜図2(B)は、本発明の第2の実施の形態に係る接着部材並びに半導体装置及びその製造方法を説明する図である。
【図3】図3は、本発明の実施の形態に係る回路基板を示す図である。
【図4】図4は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【図5】図5は、本発明の実施の形態に係る電子機器を示す図である。
【符号の説明】
10 接着部材
11 第1の層
12 第2の層
14 シリカフィラー
20 半導体チップ
22 バンプ
30 基板
32 配線パターン
100 接着部材
110 第1の層
111 第1の分割層
112 第2の分割層
120 第2の層
132 配線パターン[0001]
TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION
The present invention relates to an adhesive member, a semiconductor device and a method for manufacturing the same, a circuit board, and an electronic device.
[0002]
[Background Art]
Adhesives (anisotropic conductive films, anisotropic conductive pastes, etc.) used for face-down mounting of semiconductor chips include silica fillers to increase the elastic modulus and lower the water absorption and thermal expansion coefficients. Of an insulating filler. However, the incorporation of the insulating filler makes it difficult for the adhesive to flow, and when connecting the bump of the semiconductor chip to the land of the substrate, the insulating filler and the insulating material are removed from the bonding surface between the bump and the land. Adhesive is less likely to be discharged. As a result, an insulating filler or an insulating adhesive is interposed between the bump and the land, which may affect the electrical connection.
[0003]
An object of the present invention is to solve this problem, and an object of the present invention is to provide an adhesive member, a semiconductor device, a method for manufacturing the same, a circuit board, and an electronic device that can obtain good electrical connection.
[0004]
[Means for Solving the Problems]
(1) A semiconductor device according to the present invention includes: a semiconductor chip having bumps;
A substrate on which a wiring pattern facing the semiconductor chip and electrically connected to the bumps is formed;
Insulating fillerAnd the first binderA first layer comprising,The insulating fillerNot including, including the second binderAn adhesive member including a second layer;
Has,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The adhesive member is disposed between the semiconductor chip and the substrate,
A portion where the bump and the wiring pattern are electrically connected is located inside the second layer of the adhesive member.
[0005]
According to the present invention, the bump and the wiring pattern are electrically connected inside the second layer in which the insulating filler is not mixed. Therefore, the insulating filler is not interposed between the bump and the wiring pattern or the amount of the insulating filler interposed can be reduced, so that good electrical connection can be obtained. Here, "a portion where the bump and the wiring pattern are electrically connected is located inside the second layer" means that when the bump and the wiring pattern are directly connected, at least the bump and the wiring pattern are connected. Is located inside the second layer, and when the bump and the wiring pattern are connected via a conductive filler, at least the bump is in contact with the conductive filler in the bump. The part and the part of the wiring pattern that is in contact with the conductive filler are located inside the second layer.
[0006]
(2) In this semiconductor device,
At least one of the first and second layers of the adhesive member may be composed of a plurality of layers.
[0007]
(3) In this semiconductor device,
The first layer of the adhesive member includes a first division layer and a second division layer,
The second layer may be disposed between the first divided layer and the second divided layer.
[0008]
(4) A semiconductor device according to the present invention includes a semiconductor chip having bumps;
A substrate on which a wiring pattern facing the semiconductor chip and electrically connected to the bumps is formed;
Insulating fillerAnd the first binderA first layer comprising,The insulating fillerNot including, including the second binderAn adhesive member having a second layer,
An adhesive member containing the insulating filler at a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less with respect to the entirety of the adhesive member;
Has,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The bonding member is disposed between the semiconductor chip and the substrate.
[0009]
According to the present invention, since the insulating filler is not blended in the second layer, the bump and the wiring pattern are electrically connected well. Moreover, since the adhesive member contains the insulating filler in a proportion of 40% by weight or more and 50% by weight or less, the elasticity is high, the water absorption and the coefficient of thermal expansion are low.
[0010]
(5) In this semiconductor device,
A portion where the bump and the wiring pattern are electrically connected may be located inside the second layer of the adhesive member.
[0011]
Here, "a portion where the bump and the wiring pattern are electrically connected is located inside the second layer" means that when the bump and the wiring pattern are directly connected, at least the bump and the wiring pattern are connected. Is located inside the second layer, and when the bump and the wiring pattern are connected via a conductive filler, at least the bump is in contact with the conductive filler in the bump. The part and the part of the wiring pattern that is in contact with the conductive filler are located inside the second layer.
[0012]
(6) In this semiconductor device,
The adhesive member may include a conductive filler.
[0014]
(7) In this semiconductor device,
The first layer includes a first binder,
The second layer includes a second binder,
The melt viscosity of the first binder may be lower than the melt viscosity of the second binder.
[0015]
(8The semiconductor device is mounted on a circuit board according to the present invention.
[0016]
(9The electronic device according to the present invention includes the above semiconductor device.
[0017]
(10The adhesive member according to the present invention has an insulating fillerAnd the first binderA first layer containing: and the insulating fillerIncluding the second binderAnd a second layer,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The insulating filler is contained in a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less based on the whole of the adhesive member.
[0018]
According to the present invention, good electrical connection can be obtained because no insulating filler is blended in the second layer. In addition, since the insulating filler is blended at a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less with respect to the entire adhesive member, the elastic modulus is high, the water absorption rate and the thermal expansion coefficient are low. Here, the insulating filler is a particle whose surface is at least covered with an insulating material (for example, a particle made of an insulating material).
[0019]
(11) In this adhesive member,
Thickness L of the first layer1And the thickness L of the second layerTwoAnd the density M of the first layer1And the density M of the second layerTwoAnd X weight%, which is the ratio of the insulating filler in the first layer,
40 (L1M1+ LTwoMTwo) / L1M1≦ X ≦ 50 (L1M1+ LTwoMTwo) / L1M1
May have the following relationship.
[0020]
Here, the thickness L1, L2May be an average value when the thickness varies, or a value having a width in consideration of a measurement error. According to this, the thickness L of the first layer1And the thickness L of the second layer2Is determined, how much insulating filler should be added to the first layer can be understood.
[0021]
(12) In this adhesive member,
At least one of the first and second layers may be composed of a plurality of layers.
[0022]
(Thirteen) In this adhesive member,
The first layer includes a first division layer and a second division layer,
The second layer may be disposed between the first divided layer and the second divided layer.
[0023]
(14This adhesive member may further include a conductive filler.
[0024]
Here, the conductive filler is a particle having at least a surface covered with a conductive material (for example, a particle made of a conductive material).
[0025]
(FifteenIn the method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention, a semiconductor chip is mounted face down on a substrate by using an adhesive member, and a bump provided on the semiconductor chip and a wiring pattern formed on the substrate are electrically connected. Including connecting
The adhesive member is an insulating fillerAnd the first binderA first layer containing,Contains the insulating fillerNot include the second binderA second layer;
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The insulating filler is contained in a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less based on the whole of the adhesive member.
[0026]
According to the present invention, since the insulating filler is not blended in the second layer, the electrical connection between the bump and the wiring pattern can be made well. In addition, since the insulating filler is blended at a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less with respect to the entire adhesive member, the elastic modulus can be increased, and the water absorption coefficient and the thermal expansion coefficient can be reduced.
[0027]
(16In the method of manufacturing a semiconductor device,
The bump and the wiring pattern may be electrically connected inside the second layer of the adhesive member.
[0028]
Here, “electrically connect the bump and the wiring pattern inside the second layer of the adhesive member” means that when the bump and the wiring pattern are directly connected, at least the bump and the wiring pattern Is electrically connected so that the bonding portion is located inside the second layer, and when the bump and the wiring pattern are connected via a conductive filler, at least the bump The electrical connection is made such that a portion of the wiring pattern that contacts the conductive filler and a portion of the wiring pattern that contacts the conductive filler are located inside the second layer.
[0029]
(17The method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention includes the steps of: mounting a semiconductor chip face down on a substrate using an adhesive member; forming a bump provided on the semiconductor chip; and a wiring pattern formed on the substrate. Electrically connecting the
The adhesive member is an insulating fillerAnd the first binderA first layer containing,Contains the insulating fillerNot include the second binderA second layer,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The bump and the wiring pattern are electrically connected inside the second layer of the adhesive member.
[0030]
According to the present invention, the bump and the wiring pattern are electrically connected inside the second layer in which the insulating filler is not mixed. Therefore, the insulating filler is not interposed between the bump and the wiring pattern or the amount of the insulating filler interposed can be reduced, so that good electrical connection can be obtained. Here, “electrically connect the bump and the wiring pattern inside the second layer of the adhesive member” means that when the bump and the wiring pattern are directly connected, at least the bump and the wiring pattern Is electrically connected so that the bonding portion is located inside the second layer, and when the bump and the wiring pattern are connected via a conductive filler, at least the bump The electrical connection is made such that a portion of the wiring pattern that contacts the conductive filler and a portion of the wiring pattern that contacts the conductive filler are located inside the second layer.
[0031]
(18In the method of manufacturing a semiconductor device,
At least one of the first and second layers of the adhesive member may be formed of a plurality of layers.
[0032]
(19In the method of manufacturing a semiconductor device,
The first layer of the adhesive member is a plurality of layers including a first division layer and a second division layer,
The second layer of the adhesive member may be disposed between the first division layer and the second division layer.
[0033]
(20In the method of manufacturing a semiconductor device,
The adhesive member may include a conductive filler.
[0034]
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
[0035]
(First Embodiment)
FIG. 1A is a diagram illustrating an adhesive member, a semiconductor device, and a method for manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention. In the present embodiment, an
[0036]
The
[0037]
The
[0038]
Thickness L of
[0039]
It is preferable that the
40 (L1M1+ L2M2) / L1M1≦ X ≦ 50 (L1M1+ L2M2) / L1M1
Has the relationship
[0040]
In the method for manufacturing a semiconductor device according to the present embodiment, the
[0041]
The
[0042]
In the present embodiment, the
[0043]
In addition, the total thickness L of the
H1+ H2<L1+ L2
It has become. By doing so, the
L1<H1
It may be. In this case, the
H2<L2
It may be. In this case, even if the wiring pattern 32 (for example, a land) enters the
[0044]
As a modification, of the first and
L1> H1
It may be. In this case, when the
H2> L2
It may be. In this case, when the
[0045]
Then, a pressing force is applied between the
[0046]
Thus, a face-down bonding structure of the
L '1<H1
Has the relationship Further, the thickness H of the wiring pattern 32 (specifically, the land)2And the compressed thickness L ′ of the
H2<L '2
Has the relationship That is, the electrically connected portion of the
[0047]
As a modification, of the first and
L '1> H1
Has the relationship In this case, of the
H2> L '2
It may be. In this case, when the
[0048]
The semiconductor device manufactured in this manner has the above-described
Accordingly, the silica filler is not interposed between the
[0049]
Note that the
[0050]
(Second embodiment)
FIGS. 2A and 2B are diagrams illustrating an adhesive member, a semiconductor device, and a method of manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention. In the first embodiment, the first layer 11 (the layer containing the silica filler 14) is composed of one layer, and the second layer 12 (the layer containing no silica filler) is composed of one layer. I have. In the present invention, at least one of the first and second layers may be composed of a plurality of layers. Therefore, in the second embodiment, the first layer is divided into a plurality of layers including at least the first divided layer and the second divided layer, and the first divided layer and the second divided layer are separated from each other. An example in which the second layer is disposed therebetween will be described.
[0051]
As shown in FIG. 2A, the
[0052]
The
40 (L10M10+ L20M20) / L10M10≦ X ≦ 50 (L10M10+ L20M20) / L10M10
Has the relationship
[0053]
In the example shown in FIG. 2A, the
[0054]
In the present embodiment, the
L11<H1
It may be. In this case, the
H1<L11+ L20
It may be. By doing so, it is possible to prevent the
[0055]
The thickness H of the
L12<H20
It may be. In this case, the wiring pattern 132 (for example, land) easily enters the second divided
H20<L12+ L20
It may be. By doing so, it is possible to prevent the
[0056]
Total thickness L of
H1+ H20<L11+ L12+ L20
It has become. With this configuration, the
[0057]
Also in the present embodiment, the
L '11<H1<L '11+ L '20
L '12<H20<L '12+ L '20
Has the relationship That is, the electrically connected portion of the
[0058]
The semiconductor device manufactured in this manner has the above-described
[0059]
In other respects, the contents described in the first embodiment can be applied to the present embodiment. Further, as a modified example of the present embodiment, the second layer may be composed of a plurality of layers including a third divided layer and a fourth divided layer. In that case, either the third divided layer or the fourth divided layer may be arranged between the first divided layer and the second divided layer.
[0060]
FIG. 3 shows a circuit board on which the semiconductor device according to the embodiment of the present invention is mounted. The
[0061]
As an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention, a notebook
[0062]
The present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications are possible. For example, the invention includes configurations substantially the same as the configurations described in the embodiments (for example, a configuration having the same function, method, and result, or a configuration having the same object and result). Further, the invention includes a configuration in which a non-essential part of the configuration described in the embodiment is replaced. Further, the invention includes a configuration having the same operation and effect as the configuration described in the embodiment, or a configuration capable of achieving the same object. Further, the invention includes a configuration in which a known technique is added to the configuration described in the embodiment.
[Brief description of the drawings]
FIGS. 1A and 1B are diagrams illustrating an adhesive member, a semiconductor device, and a method of manufacturing the same according to a first embodiment of the present invention.
FIGS. 2A and 2B are diagrams illustrating an adhesive member, a semiconductor device, and a method of manufacturing the same according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a diagram showing a circuit board according to the embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram showing an electronic device according to the embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an electronic apparatus according to the embodiment of the present invention.
[Explanation of symbols]
10 Adhesive members
11 First layer
12 Second layer
14 Silica filler
20 Semiconductor chip
22 Bump
30 substrates
32 Wiring pattern
100 adhesive members
110 First Layer
111 first division layer
112 Second split layer
120 Second Layer
132 Wiring pattern
Claims (20)
前記半導体チップと対向し、前記バンプと電気的に接続する配線パターンが形成された基板と、
絶縁性のフィラーと第1のバインダを含む第1の層と、前記絶縁性のフィラーを含まず、第2のバインダを含む第2の層とを含む接着部材と、
を有し、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記接着部材は、前記半導体チップと前記基板との間に配置され、
前記バンプ及び前記配線パターンが電気的に接続する部分は、前記接着部材の前記第2の層の内部に位置してなる半導体装置。A semiconductor chip having bumps;
A substrate on which a wiring pattern facing the semiconductor chip and electrically connected to the bumps is formed;
A first layer containing an insulating filler and a first binder, said free of insulating filler, the adhesive member comprising a second layer comprising a second binder,
Has,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The adhesive member is disposed between the semiconductor chip and the substrate,
A semiconductor device in which a portion where the bump and the wiring pattern are electrically connected is located inside the second layer of the adhesive member.
前記接着部材の前記第1及び第2の層の少なくとも一方は、複数の層で構成されてなる半導体装置。The semiconductor device according to claim 1,
A semiconductor device, wherein at least one of the first and second layers of the adhesive member includes a plurality of layers.
前記接着部材の前記第1の層は、第1の分割層と第2の分割層とを含み、
前記第2の層は、前記第1の分割層と前記第2の分割層との間に配置されてなる半導体装置。The semiconductor device according to claim 2,
The first layer of the adhesive member includes a first division layer and a second division layer,
The semiconductor device, wherein the second layer is disposed between the first division layer and the second division layer.
前記半導体チップと対向し、前記バンプと電気的に接続する配線パターンが形成された基板と、
絶縁性のフィラーと第1のバインダを含む第1の層と、前記絶縁性のフィラーを含まず、第2のバインダを含む第2の層とを有する接着部材であって、
前記絶縁性のフィラーを前記接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で含む接着部材と、
を有し、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記接着部材は、前記半導体チップと前記基板との間に配置されてなる半導体装置。A semiconductor chip having bumps;
A substrate on which a wiring pattern facing the semiconductor chip and electrically connected to the bumps is formed;
A first layer containing an insulating filler and a first binder, said free of insulating filler, an adhesive member and a second layer comprising a second binder,
An adhesive member containing the insulating filler at a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less with respect to the entirety of the adhesive member;
Has,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The semiconductor device, wherein the adhesive member is disposed between the semiconductor chip and the substrate.
前記バンプ及び前記配線パターンが電気的に接続する部分は、前記接着部材の前記第2の層の内部に位置する半導体装置。The semiconductor device according to claim 4,
A semiconductor device in which a portion where the bump and the wiring pattern are electrically connected is located inside the second layer of the adhesive member.
前記接着部材は、導電性のフィラーを含む半導体装置。The semiconductor device according to any one of claims 1 to 5,
A semiconductor device, wherein the adhesive member includes a conductive filler.
前記第1の層は、第1のバインダを含み、
前記第2の層は、第2のバインダを含み、
前記第1のバインダの溶融粘度は、前記第2のバインダの溶融粘度よりも低い半導体装置。7. The semiconductor device according to claim 1, wherein:
The first layer includes a first binder,
The second layer includes a second binder,
A semiconductor device wherein the melt viscosity of the first binder is lower than the melt viscosity of the second binder.
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記絶縁性のフィラーは、前記接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で含まれてなる接着部材。A first layer containing an insulating filler and a first binder, said free of insulating filler, an adhesive member having a second layer comprising a second binder, and
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
An adhesive member, wherein the insulating filler is contained in a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less based on the whole of the adhesive member.
前記第1の層の厚みL1と、前記第2の層の厚みL2と、前記第1の層の密度M1と、前記第2の層の密度M2と、前記第1の層における前記絶縁性のフィラーが占める割合であるX重量%とが、
40(L1M1+L2M2)/L1M1≦X≦50(L1M1+L2M2)/L1M1 の関係を有する接着部材。The adhesive member according to claim 10 ,
The thickness L 1 of the first layer, the thickness L 2 of the second layer, and the density M 1 of the first layer, and the density M 2 of the second layer, in the first layer X weight%, which is the ratio of the insulating filler,
40 (L 1 M 1 + L 2 M 2) / L 1 M 1 ≦ X ≦ 50 (L 1 M 1 + L 2 M 2) / L 1 adhesive member having a relation of M 1.
前記第1及び第2の層の少なくとも一方は、複数の層で構成されてなる接着部材。The adhesive member according to claim 10 or claim 11 ,
At least one of the first and second layers is an adhesive member composed of a plurality of layers.
前記第1の層は、第1の分割層と第2の分割層とを含み、
前記第2の層は、前記第1の分割層と前記第2の分割層との間に配置されてなる接着部材。The adhesive member according to claim 12 ,
The first layer includes a first division layer and a second division layer,
An adhesive member, wherein the second layer is disposed between the first divided layer and the second divided layer.
さらに、導電性のフィラーを含む接着部材。The adhesive member according to any one of claims 10 to 13 ,
Further, an adhesive member containing a conductive filler.
前記接着部材は、絶縁性のフィラーと第1のバインダが含まれた第1の層と、前記絶縁性のフィラーが含まれず、第2のバインダが含まれる第2の層とを含み、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記絶縁性のフィラーは、前記接着部材の全体に対して、40重量%以上50重量%以下の割合で含まれる半導体装置の製造方法。The semiconductor chip, using an adhesive member, face-down mounted on the substrate, including electrically connecting a bump provided on the semiconductor chip and a wiring pattern formed on the substrate,
The adhesive member includes a first layer containing an insulating filler and a first binder, and a second layer containing a second binder that does not contain the insulating filler,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the insulating filler is contained in a ratio of 40% by weight or more and 50% by weight or less based on the whole of the adhesive member.
前記バンプと前記配線パターンとを、前記接着部材の前記第2の層の内部で電気的に接続させる半導体装置の製造方法。The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 15 ,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the bump and the wiring pattern are electrically connected inside the second layer of the adhesive member.
前記接着部材は、絶縁性のフィラーと第1のバインダが含まれた第1の層と、前記絶縁性のフィラーが含まれず、第2のバインダが含まれる第2の層とを有し、
前記第1のバインダの熱膨張係数は、前記第2のバインダの熱膨張係数よりも前記半導体チップの熱膨張係数に近く、
前記バンプと前記配線パターンとを、前記接着部材の前記第2の層の内部で電気的に接続させる半導体装置の製造方法。The semiconductor chip, using a bonding member, face-down mounted on a substrate, including electrically connecting a bump provided on the semiconductor chip and a wiring pattern formed on the substrate,
The adhesive member has a first layer containing an insulating filler and a first binder, and a second layer containing a second binder without containing the insulating filler,
The thermal expansion coefficient of the first binder is closer to the thermal expansion coefficient of the semiconductor chip than the thermal expansion coefficient of the second binder,
A method for manufacturing a semiconductor device, wherein the bump and the wiring pattern are electrically connected inside the second layer of the adhesive member.
前記接着部材の前記第1及び第2の層の少なくとも一方を、複数の層で形成する半導体装置の製造方法。The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 17 ,
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein at least one of the first and second layers of the adhesive member is formed of a plurality of layers.
前記接着部材の前記第1の層は、第1の分割層と第2の分割層とを含む複数の層であり、
前記接着部材の前記第2の層は、前記第1の分割層と前記第2の分割層との間に配置されてなる半導体装置の製造方法。The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 18 ,
The first layer of the adhesive member is a plurality of layers including a first division layer and a second division layer,
The method of manufacturing a semiconductor device, wherein the second layer of the adhesive member is disposed between the first division layer and the second division layer.
前記接着部材は、導電性のフィラーを含む半導体装置の製造方法。The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 15 to claim 19,
The method for manufacturing a semiconductor device, wherein the adhesive member includes a conductive filler.
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