JP3543589B2 - 光源装置 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードを用いた光源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7は一般的な発光ダイオードの構造を示す側面断面図である。発光ダイオードチップ1は反射板を兼ねるカソードリード4のリード片4aに導電性接着剤によって接合され、上面に形成された他方の電極にワイヤ(金線)5の一端がワイヤボンディングにより接続され、ワイヤ5の他端がアノードリード2に接続されている。さらに発光ダイオードチップ1、リード片4a、カソードリード4並びにアノードリード2の一部を透光性を有する樹脂(エポキシ樹脂など)でモールドすることにより発光ダイオードチップ1の保護が図られている。
【0003】
而して、カソードリード4とアノードリード2の間に電圧を印加することで発光ダイオードチップ1から光が発せられ、その光の一部が反射板6によって反射され、樹脂のモールド体12内部を伝搬して外部へ放射される。このときモールド体12が曲率を有する形状に形成されている場合には、モールド体12がレンズの役割を果たして光が集光あるいは拡散されることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような発光ダイオードを用いた光源装置において配光特性を変化させるためには、発光ダイオードを機械的に移動させるか、あるいは発光ダイオード自体に複数の発光ダイオードチップ1を設ける方法が考えられる。しかしながら、前者の方法では発光ダイオードを移動させるための構造並びにスペースが必要となって光源装置が大型化するという問題がある。一方、後者の方法では発光ダイオードチップ1を複数設けるためにコストがアップするという問題がある。
【0005】
本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、簡単な構造で配光特性を容易に変化させることができる光源装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、上記目的を達成するために、発光ダイオードを用いた光源装置であって、発光ダイオードチップと該発光ダイオードチップに対向配置される反射板との距離を可変する可変手段を備え、発光ダイオードチップが取着されたリード片と、導電性を有する反射板とで上記可変手段を構成したことを特徴とし、可変手段によって発光ダイオードチップと反射板との距離(相対的な位置関係)を可変し、光の配光特性を簡単な構造で容易に変化させることができる。また、リード片と反射板の間に電圧を印加することでリード片と反射板との間に静電力を作用させ、両者の距離、すなわち発光ダイオードチップと反射板との距離を簡単な構造で容易に可変することができる。
【0008】
なお、請求項2の発明のように、リード片を可動自在に形成することが望ましい。
また、請求項3の発明のように、発光ダイオードチップの両電極を導電性接着剤によりリード片に接着固定すれば、発光ダイオードチップの電極を接続するためにワイヤ(金線)を用いずに済み、ワイヤにより発光ダイオードチップから発せられた光の一部が遮られることが無くなり、光の利用効率を向上することができる。
【0009】
なお、請求項4の発明のように、絶縁体と導体とを層状に重ねて上記リード片を形成することが望ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
図1は本実施形態における発光ダイオードLDの要部側面図を示している。アノードリード2の先端部分に一端が片持ち支持されたリード片3を形成し、このリード片3の先端近傍の上面に発光ダイオードチップ1を導電性接着剤等により固定してある。なお、リード片3に接着される面は発光ダイオードチップ1のアノード電極である。さらに発光ダイオードチップ1の他方の面のカソード電極がワイヤ(金線)5によりカソードリード4に接続される。そして、アノードリード2とカソードリード4の間に電圧を印加することで発光ダイオードチップ1が発光する。
【0011】
一方、リード片3の先端近傍の下側には、発光ダイオードチップ1の発する光を反射するために反射板6が配設されている。なお、図示は省略しているが、反射板6には外部から電圧が印加できるように端子が設けてある。
アノードリード2と反射板6の端子の間に電圧を印加すると、リード片3と反射板6の間に電界が生じる。この電界によってアノードリード2に片持ち支持されたリード片3の先端部分と反射板6の間に静電力がはたらき、この静電力によりリード片3が撓んで反射板6の方(下方)へ微小距離だけ移動する。その結果、発光ダイオードチップ1と反射板6との相対的な位置関係が変化するため、発光ダイオードチップ1から発せられた光が外部へ放射される経路を変え、配光特性を変化させることができる。
【0012】
例えば、リード片3の面積を1×10-6〔m2 〕、電圧を印加していない定常状態でのリード片3と反射板6との距離(間隔)を0.5〔mm〕とし、アノードリード2と反射板6の間に10〔V〕の電圧を印加すれば、リード片3と反射板6に蓄積される電荷は1.8×10-13 〔C〕であるから、両者の間にはたらく静電力の大きさは1×10-9〔N〕程度となる。従って、リード片3をアルミニウムのように7×1010程度の弾性率を有する材料で形成した場合であれば、リード片3の厚みが0.1〔mm〕程度のときに約0.2〔mm〕の撓みがリード片3に生じることになる。発光ダイオードチップ1と図示しないレンズの焦点との距離が1〔mm〕程度ならば、上記撓みによる発光ダイオードチップ1の変動は20%程度である。よって、図2に示すように発光ダイオードLDから1〔m〕離れた位置においては、定常状態の配光特性(同図中イで示す)に対して電圧印加時の配光特性(同図中ロで示す)を周囲に約20〔cm〕程度広げることができる。なお、リード片3を可動させるためにリード片3、発光ダイオードチップ1などは樹脂によりモールドしないことは言うまでもない。
【0013】
上述のようにアノードリード2と反射板6の間に数十ボルトの電圧を印加し、静電力によって発光ダイオードチップ1が取着されているリード片3を撓ませ、発光ダイオードチップ1を数百μm移動させて発光ダイオードチップ1と反射板6との相対的な距離(位置関係)を可変するようにしたので、簡単な構造で発光ダイオードチップ1と反射板6との距離を変えて配光特性を照射距離に対して数十%変化させることができる。また、実際の光源装置はこのような発光ダイオードLDを複数個列設して構成されるのであるが、上述のような配光特性の変化を個々の発光ダイオードLDについて行うことができるため、光源装置全体での微妙な配光特性の調整が可能となる。しかも、発光ダイオードLD内部の発光ダイオードチップ1の僅かな変位を利用して配光特性を変化させているので、光源装置は非常にコンパクトに形成することが可能である。
【0014】
(実施形態2)
ところで、実施形態1の構成では発光ダイオードチップ1のカソード電極とカソードリード4をワイヤ5で接続しているため、リード片3を撓ませることによる振動などによってワイヤ5が断線する虞がある。また、ワイヤ5によって発光ダイオードチップ1から発せられた光の一部が遮られて光の利用効率が低下する場合がある。
【0015】
そこで、本実施形態では、図3に示すように板状の絶縁体7aの上に金属薄膜から成り絶縁層7cを挟んで長手方向に並ぶ一対の導体7bを層状に形成してリード片7を構成し、このリード片7の先端近傍に発光ダイオードチップ1を配置し、発光ダイオードチップ1両側面の電極を導電性接着剤8によってそれぞれ導体7bに接着して、機械的な固定と電気的な接続とを行うようにしている。
【0016】
上述のような構造を採用することにより、発光ダイオードチップ1の電極とカソードリード4とを接続していたワイヤ5が不要となり、上記のようなワイヤ5の断線や光の利用効率の低下といった不具合を回避することができる。なお、図示は省略しているが、各導体7bがそれぞれアノードリード2とカソードリード4に接続されることは言うまでもない。
【0017】
なお、図4に示すように板状の導体9aの表面に酸化膜などから成る絶縁体9bを形成し、さらにその絶縁体9bの上に金属薄膜から成り絶縁層9cを挟んで長手方向に並ぶ一対の導体9dを層状に形成してリード片9を構成するようにしてもよい。この場合には最下層の導体9aと反射板6との間に電圧を印加することでリード片9を撓ませるようにすればよい。
【0018】
(実施形態3)
実施形態1では発光ダイオードチップ1をリード片3の上面(反射板6と反対側の面)に接着固定しているが、上述の実施形態2のリード片9の構造を用いれば、図5に示すように発光ダイオードチップ1をリード片9の下面(反射板6側の面)に接着固定することが可能となる。
【0019】
例えば、リード片9と反射板6との距離(間隔)を0.5〔mm〕、発光ダイオードチップ1の厚みを0.2〔mm〕とすれば発光ダイオードチップ1と反射板6との最短距離は0.3〔mm〕となる。従って、実施形態1で説明したようにリード片9と反射板6の間に10〔V〕の電圧を印加してリード片9が下方へ0.2〔mm〕程度撓めば、撓みによる発光ダイオードチップ1の変動が60%以上にもなる。そのため、発光ダイオードLDから1〔m〕離れた距離における配光特性を周囲に60〔cm〕程度も広げることができ、実施形態1に比較して配光特性の変化幅を大きくすることができる。なお、本実施形態では発光ダイオードチップ1から発せられる光の制御は反射板6によって行われる。
【0020】
(実施形態4)
図6は本実施形態の要部を示す側面図である。上記実施形態1〜3ではリード片3,9を上下方向(反射板6に近づく又は遠ざかる方向)に移動させていたが、本実施形態では反射板6の反射面6aに対して略平行な方向(左右方向)にリード片10を移動させるようにした点に特徴がある。
【0021】
本実施形態におけるリード片10は略L形に形成されてリード11の先端に設けてあり、リード片10の先端近傍の外側面に発光ダイオードチップ1が接着固定されている。
一方、反射板6のリード11側の側端縁からはリード片10と略平行に対向する対向片6aが突設されている。
【0022】
而して、リード11と反射板6の間に電圧を印加すれば、静電力によってリード片10を左右方向に撓ませることができる。その結果、リード片10の先端近傍に接着固定されている発光ダイオードチップ1と反射板6との相対的な位置関係を変えて配光特性を変化させることができる。
【0023】
【発明の効果】
請求項1の発明は、発光ダイオードを用いた光源装置であって、発光ダイオードチップと該発光ダイオードチップに対向配置される反射板との距離を可変する可変手段を備えたので、可変手段によって発光ダイオードチップと反射板との距離(相対的な位置関係)を可変し、光の配光特性を簡単な構造で容易に変化させることができるという効果がある。また、発光ダイオードチップが取着されたリード片と、導電性を有する反射板とで上記可変手段を構成し、さらに請求項2の発明ではリード片を可動自在に形成したので、リード片と反射板の間に電圧を印加することでリード片と反射板との間に静電力を作用させ、両者の距離、すなわち発光ダイオードチップと反射板との距離を簡単な構造で容易に可変することができるという効果がある。
【0025】
また、請求項3の発明では、発光ダイオードチップの両電極を導電性接着剤によりリード片に接着固定し、さらに請求項4の発明では絶縁体と導体とを層状に重ねて上記リード片を形成したので、発光ダイオードチップの電極を接続するためにワイヤ(金線)を用いずに済み、ワイヤにより発光ダイオードチップから発せられた光の一部が遮られることが無くなり、光の利用効率を向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1を示す要部側面図である。
【図2】同上の配光特性の変化を説明するための説明図である。
【図3】実施形態2の要部を示し、(a)はリード片の平面図、(b)はリード片の側面断面図である。
【図4】同上のリード片の他の構造を示し、(a)は平面図、(b)は側面断面図である。
【図5】実施形態3を示す要部側面図である。
【図6】実施形態4を示す要部側面図である。
【図7】従来例を示す側面断面図である。
【符号の説明】
1 発光ダイオードチップ
2 アノードリード
3 リード片
4 カソードリード
5 ワイヤ
6 反射板
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオードを用いた光源装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図7は一般的な発光ダイオードの構造を示す側面断面図である。発光ダイオードチップ1は反射板を兼ねるカソードリード4のリード片4aに導電性接着剤によって接合され、上面に形成された他方の電極にワイヤ(金線)5の一端がワイヤボンディングにより接続され、ワイヤ5の他端がアノードリード2に接続されている。さらに発光ダイオードチップ1、リード片4a、カソードリード4並びにアノードリード2の一部を透光性を有する樹脂(エポキシ樹脂など)でモールドすることにより発光ダイオードチップ1の保護が図られている。
【0003】
而して、カソードリード4とアノードリード2の間に電圧を印加することで発光ダイオードチップ1から光が発せられ、その光の一部が反射板6によって反射され、樹脂のモールド体12内部を伝搬して外部へ放射される。このときモールド体12が曲率を有する形状に形成されている場合には、モールド体12がレンズの役割を果たして光が集光あるいは拡散されることになる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような発光ダイオードを用いた光源装置において配光特性を変化させるためには、発光ダイオードを機械的に移動させるか、あるいは発光ダイオード自体に複数の発光ダイオードチップ1を設ける方法が考えられる。しかしながら、前者の方法では発光ダイオードを移動させるための構造並びにスペースが必要となって光源装置が大型化するという問題がある。一方、後者の方法では発光ダイオードチップ1を複数設けるためにコストがアップするという問題がある。
【0005】
本発明は上記問題点の解決を目的とするものであり、簡単な構造で配光特性を容易に変化させることができる光源装置を提供しようとするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
請求項1の発明は、上記目的を達成するために、発光ダイオードを用いた光源装置であって、発光ダイオードチップと該発光ダイオードチップに対向配置される反射板との距離を可変する可変手段を備え、発光ダイオードチップが取着されたリード片と、導電性を有する反射板とで上記可変手段を構成したことを特徴とし、可変手段によって発光ダイオードチップと反射板との距離(相対的な位置関係)を可変し、光の配光特性を簡単な構造で容易に変化させることができる。また、リード片と反射板の間に電圧を印加することでリード片と反射板との間に静電力を作用させ、両者の距離、すなわち発光ダイオードチップと反射板との距離を簡単な構造で容易に可変することができる。
【0008】
なお、請求項2の発明のように、リード片を可動自在に形成することが望ましい。
また、請求項3の発明のように、発光ダイオードチップの両電極を導電性接着剤によりリード片に接着固定すれば、発光ダイオードチップの電極を接続するためにワイヤ(金線)を用いずに済み、ワイヤにより発光ダイオードチップから発せられた光の一部が遮られることが無くなり、光の利用効率を向上することができる。
【0009】
なお、請求項4の発明のように、絶縁体と導体とを層状に重ねて上記リード片を形成することが望ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
(実施形態1)
図1は本実施形態における発光ダイオードLDの要部側面図を示している。アノードリード2の先端部分に一端が片持ち支持されたリード片3を形成し、このリード片3の先端近傍の上面に発光ダイオードチップ1を導電性接着剤等により固定してある。なお、リード片3に接着される面は発光ダイオードチップ1のアノード電極である。さらに発光ダイオードチップ1の他方の面のカソード電極がワイヤ(金線)5によりカソードリード4に接続される。そして、アノードリード2とカソードリード4の間に電圧を印加することで発光ダイオードチップ1が発光する。
【0011】
一方、リード片3の先端近傍の下側には、発光ダイオードチップ1の発する光を反射するために反射板6が配設されている。なお、図示は省略しているが、反射板6には外部から電圧が印加できるように端子が設けてある。
アノードリード2と反射板6の端子の間に電圧を印加すると、リード片3と反射板6の間に電界が生じる。この電界によってアノードリード2に片持ち支持されたリード片3の先端部分と反射板6の間に静電力がはたらき、この静電力によりリード片3が撓んで反射板6の方(下方)へ微小距離だけ移動する。その結果、発光ダイオードチップ1と反射板6との相対的な位置関係が変化するため、発光ダイオードチップ1から発せられた光が外部へ放射される経路を変え、配光特性を変化させることができる。
【0012】
例えば、リード片3の面積を1×10-6〔m2 〕、電圧を印加していない定常状態でのリード片3と反射板6との距離(間隔)を0.5〔mm〕とし、アノードリード2と反射板6の間に10〔V〕の電圧を印加すれば、リード片3と反射板6に蓄積される電荷は1.8×10-13 〔C〕であるから、両者の間にはたらく静電力の大きさは1×10-9〔N〕程度となる。従って、リード片3をアルミニウムのように7×1010程度の弾性率を有する材料で形成した場合であれば、リード片3の厚みが0.1〔mm〕程度のときに約0.2〔mm〕の撓みがリード片3に生じることになる。発光ダイオードチップ1と図示しないレンズの焦点との距離が1〔mm〕程度ならば、上記撓みによる発光ダイオードチップ1の変動は20%程度である。よって、図2に示すように発光ダイオードLDから1〔m〕離れた位置においては、定常状態の配光特性(同図中イで示す)に対して電圧印加時の配光特性(同図中ロで示す)を周囲に約20〔cm〕程度広げることができる。なお、リード片3を可動させるためにリード片3、発光ダイオードチップ1などは樹脂によりモールドしないことは言うまでもない。
【0013】
上述のようにアノードリード2と反射板6の間に数十ボルトの電圧を印加し、静電力によって発光ダイオードチップ1が取着されているリード片3を撓ませ、発光ダイオードチップ1を数百μm移動させて発光ダイオードチップ1と反射板6との相対的な距離(位置関係)を可変するようにしたので、簡単な構造で発光ダイオードチップ1と反射板6との距離を変えて配光特性を照射距離に対して数十%変化させることができる。また、実際の光源装置はこのような発光ダイオードLDを複数個列設して構成されるのであるが、上述のような配光特性の変化を個々の発光ダイオードLDについて行うことができるため、光源装置全体での微妙な配光特性の調整が可能となる。しかも、発光ダイオードLD内部の発光ダイオードチップ1の僅かな変位を利用して配光特性を変化させているので、光源装置は非常にコンパクトに形成することが可能である。
【0014】
(実施形態2)
ところで、実施形態1の構成では発光ダイオードチップ1のカソード電極とカソードリード4をワイヤ5で接続しているため、リード片3を撓ませることによる振動などによってワイヤ5が断線する虞がある。また、ワイヤ5によって発光ダイオードチップ1から発せられた光の一部が遮られて光の利用効率が低下する場合がある。
【0015】
そこで、本実施形態では、図3に示すように板状の絶縁体7aの上に金属薄膜から成り絶縁層7cを挟んで長手方向に並ぶ一対の導体7bを層状に形成してリード片7を構成し、このリード片7の先端近傍に発光ダイオードチップ1を配置し、発光ダイオードチップ1両側面の電極を導電性接着剤8によってそれぞれ導体7bに接着して、機械的な固定と電気的な接続とを行うようにしている。
【0016】
上述のような構造を採用することにより、発光ダイオードチップ1の電極とカソードリード4とを接続していたワイヤ5が不要となり、上記のようなワイヤ5の断線や光の利用効率の低下といった不具合を回避することができる。なお、図示は省略しているが、各導体7bがそれぞれアノードリード2とカソードリード4に接続されることは言うまでもない。
【0017】
なお、図4に示すように板状の導体9aの表面に酸化膜などから成る絶縁体9bを形成し、さらにその絶縁体9bの上に金属薄膜から成り絶縁層9cを挟んで長手方向に並ぶ一対の導体9dを層状に形成してリード片9を構成するようにしてもよい。この場合には最下層の導体9aと反射板6との間に電圧を印加することでリード片9を撓ませるようにすればよい。
【0018】
(実施形態3)
実施形態1では発光ダイオードチップ1をリード片3の上面(反射板6と反対側の面)に接着固定しているが、上述の実施形態2のリード片9の構造を用いれば、図5に示すように発光ダイオードチップ1をリード片9の下面(反射板6側の面)に接着固定することが可能となる。
【0019】
例えば、リード片9と反射板6との距離(間隔)を0.5〔mm〕、発光ダイオードチップ1の厚みを0.2〔mm〕とすれば発光ダイオードチップ1と反射板6との最短距離は0.3〔mm〕となる。従って、実施形態1で説明したようにリード片9と反射板6の間に10〔V〕の電圧を印加してリード片9が下方へ0.2〔mm〕程度撓めば、撓みによる発光ダイオードチップ1の変動が60%以上にもなる。そのため、発光ダイオードLDから1〔m〕離れた距離における配光特性を周囲に60〔cm〕程度も広げることができ、実施形態1に比較して配光特性の変化幅を大きくすることができる。なお、本実施形態では発光ダイオードチップ1から発せられる光の制御は反射板6によって行われる。
【0020】
(実施形態4)
図6は本実施形態の要部を示す側面図である。上記実施形態1〜3ではリード片3,9を上下方向(反射板6に近づく又は遠ざかる方向)に移動させていたが、本実施形態では反射板6の反射面6aに対して略平行な方向(左右方向)にリード片10を移動させるようにした点に特徴がある。
【0021】
本実施形態におけるリード片10は略L形に形成されてリード11の先端に設けてあり、リード片10の先端近傍の外側面に発光ダイオードチップ1が接着固定されている。
一方、反射板6のリード11側の側端縁からはリード片10と略平行に対向する対向片6aが突設されている。
【0022】
而して、リード11と反射板6の間に電圧を印加すれば、静電力によってリード片10を左右方向に撓ませることができる。その結果、リード片10の先端近傍に接着固定されている発光ダイオードチップ1と反射板6との相対的な位置関係を変えて配光特性を変化させることができる。
【0023】
【発明の効果】
請求項1の発明は、発光ダイオードを用いた光源装置であって、発光ダイオードチップと該発光ダイオードチップに対向配置される反射板との距離を可変する可変手段を備えたので、可変手段によって発光ダイオードチップと反射板との距離(相対的な位置関係)を可変し、光の配光特性を簡単な構造で容易に変化させることができるという効果がある。また、発光ダイオードチップが取着されたリード片と、導電性を有する反射板とで上記可変手段を構成し、さらに請求項2の発明ではリード片を可動自在に形成したので、リード片と反射板の間に電圧を印加することでリード片と反射板との間に静電力を作用させ、両者の距離、すなわち発光ダイオードチップと反射板との距離を簡単な構造で容易に可変することができるという効果がある。
【0025】
また、請求項3の発明では、発光ダイオードチップの両電極を導電性接着剤によりリード片に接着固定し、さらに請求項4の発明では絶縁体と導体とを層状に重ねて上記リード片を形成したので、発光ダイオードチップの電極を接続するためにワイヤ(金線)を用いずに済み、ワイヤにより発光ダイオードチップから発せられた光の一部が遮られることが無くなり、光の利用効率を向上することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施形態1を示す要部側面図である。
【図2】同上の配光特性の変化を説明するための説明図である。
【図3】実施形態2の要部を示し、(a)はリード片の平面図、(b)はリード片の側面断面図である。
【図4】同上のリード片の他の構造を示し、(a)は平面図、(b)は側面断面図である。
【図5】実施形態3を示す要部側面図である。
【図6】実施形態4を示す要部側面図である。
【図7】従来例を示す側面断面図である。
【符号の説明】
1 発光ダイオードチップ
2 アノードリード
3 リード片
4 カソードリード
5 ワイヤ
6 反射板
Claims (4)
- 発光ダイオードを用いた光源装置であって、発光ダイオードチップと該発光ダイオードチップに対向配置される反射板との距離を可変する可変手段を備え、発光ダイオードチップが取着されたリード片と、導電性を有する反射板とで上記可変手段を構成したことを特徴とする光源装置。
- リード片を可動自在に形成したことを特徴とする請求項1記載の光源装置。
- 発光ダイオードチップの両電極を導電性接着剤によりリード片に接着固定したことを特徴とする請求項1又は2記載の光源装置。
- 絶縁体と導体とを層状に重ねて上記リード片を形成したことを特徴とする請求項3記載の光源装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP32363797A JP3543589B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32363797A JP3543589B2 (ja) | 1997-11-25 | 1997-11-25 | 光源装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11163413A JPH11163413A (ja) | 1999-06-18 |
JP3543589B2 true JP3543589B2 (ja) | 2004-07-14 |
Family
ID=18156954
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3543589B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3659635B2 (ja) * | 2001-04-10 | 2005-06-15 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
-
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11163413A (ja) | 1999-06-18 |
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