JP3531523B2 - 半導体加速度センサの製造方法 - Google Patents
半導体加速度センサの製造方法Info
- Publication number
- JP3531523B2 JP3531523B2 JP11645199A JP11645199A JP3531523B2 JP 3531523 B2 JP3531523 B2 JP 3531523B2 JP 11645199 A JP11645199 A JP 11645199A JP 11645199 A JP11645199 A JP 11645199A JP 3531523 B2 JP3531523 B2 JP 3531523B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- weight portion
- acceleration sensor
- sensor chip
- semiconductor acceleration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体加速度セン
サの製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の半導体加速度センサの断面図を図
４に、上部キャップが接合されていない状態を上側から
見た図を図５にそれぞれ示す。尚、説明を簡単にするた
め図４中の上下を上下方向として説明を行う。 【０００３】この半導体加速度センサは、重り部２と、
一端が重り部２とそれぞれ一体的に連結された薄肉の２
本の撓み部３と、撓み部３の他端が一体的に連結され、
撓み部３を介して重り部２を揺動自在に支持する支持部
４とを半導体シリコン基板をエッチング加工することに
より一体に形成したセンサチップ１と、センサチップ１
の上下面にそれぞれ陽極接合により固定された上部キャ
ップ５及び下部キャップ６を有し、重り部２は撓み部３
を介して支持部４に片持ち支持されている。尚、重り部
２の外周と支持部４との間には略コ字状のスリット８
（図５の斜線部）が形成されている。また、撓み部３の
表面には、歪みに応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗７
が半導体シリコン基板への拡散技術などにより形成して
ある（例えば特開平９−２０３７４８号公報参照）。 【０００４】各撓み部３には２個のピエゾ抵抗７が形成
されており、センサチップ１の表面には、４個のピエゾ
抵抗７をブリッジ接続するようにＰ+拡散層からなる配
線パターン１０が形成されている。また、センサチップ
１の表面には、センサチップ１の一端部に設けられた複
数のボンディングパッド１１と配線パターン１０とを電
気的に接続するアルミニウム配線１２が設けられてお
り、アルミニウム配線１２はコンタクト部９で配線パタ
ーン１０と電気的に接続される。 【０００５】ここで、センサチップ１と垂直な方向（す
なわち図４中の上下方向）に加速度αが加わった場合、
重り部２の質量をｍとすると、重り部にはＦ＝ｍ・αの
力が加わり、この力によって撓み部３が撓められる。撓
み部３が撓むと、撓み部３の表面に歪みが発生し、この
歪みによってピエゾ抵抗７の抵抗値が変化する。そし
て、撓み部３に設けられた４個のピエゾ抵抗７はブリッ
ジ接続されており、ピエゾ抵抗７の抵抗値変化を電圧出
力として取り出すことにより、センサチップ１に印加さ
れた加速度αの大きさを検出することができる。 【０００６】この半導体加速度センサの製造方法につい
て以下に簡単に説明する。先ず、結晶面が（１００）面
であるシリコン単結晶のウェハを酸化して、ウェハの表
面側に酸化膜を形成する。そして、重り部２と支持部４
との間や撓み部３，３間のスリット８となる部位の酸化
膜を、フォトリソグラフィ技術により除去した後、この
酸化膜をエッチングマスクとしてウェハをエッチングす
る。尚、エッチングの深さは一般に６〜３０μｍ程度で
ある。エッチング終了後、ウェハの表面を再度酸化し、
ウェハの表面近傍にＰ+拡散層からなる配線パターン１
０を形成する。そして、４個のピエゾ抵抗７がブリッジ
回路を構成するように、各撓み部３にピエゾ抵抗７を２
個づつイオン注入により形成する。さらに、センサチッ
プ１の一端部に複数のボンディングパッド１１を形成し
た後、ボンディングパッド１１と配線パターン１０との
間を電気的に接続するアルミニウム配線１２を形成す
る。この時、アルミニウム配線１２はコンタクト部９で
配線パターン１０と電気的に接続される。 【０００７】次に、ウェハの表面側に絶縁性保護膜であ
る酸化膜１４と窒化膜１５とをパッシベーションし、上
部キャップ５が陽極接合されるウェハ表面の部位にアル
ミニウム薄膜１６を形成した後、さらにウェハの表面に
窒化膜をパッシベーションする。そして、ウェハの裏面
側からアルカリ異方性エッチングを行い、撓み部３，３
を薄肉にするとともに、重り部２と支持部４との間や撓
み部３，３間にウェハの表裏を貫通する略コ字状のスリ
ット８を形成し、アルミニウム配線１２、ボンディング
パッド１１及びアルミニウム薄膜１６上に形成された窒
化膜を除去する。 【０００８】そして、ウェハの上下面にそれぞれ上部キ
ャップ５及び下部キャップ６を陽極接合し、重り部２及
び撓み部３を封止する。ここに、センサチップ１と上部
キャップ５と下部キャップ６とで囲まれる空間（この空
間をキャビティという）２１によりエアダンピング構造
が形成され、重り部２に過度の加速度が加わることによ
って、撓み部３が破損するのを防止している。 【０００９】最後にウェハをダイシングして、個々のセ
ンサチップ１に分割し、分割されたセンサチップ１を基
板３０に接着剤を用いてダイボンドし、ボンディングパ
ッド１１と基板３０の電極（図示せず）とをワイヤ１３
により電気的に接続する。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】上述した半導体加速度
センサでは、ウェハをエッチングすることにより、重り
部２が撓み部３を介して支持部４に片持ち支持されるよ
うな構造を一旦形成すると、薬液や純水での洗浄工程
や、ウェハの搬送工程や、上部キャップ５及び下部キャ
ップ６のウェハへの接合工程や、ウェハのダイシング工
程や、センサチップ１を基板にダイボンドする工程や、
ワイヤ１３をワイヤボンディングする工程などの各工程
で重り部２に過度の振動が加わって撓み部３が破損し、
最終の特性検査工程まで破損せずに到達するのは数割以
下であり、収率が低いという問題があり、半導体加速度
センサが非常にコスト高となるという問題があった。 【００１１】本発明は上記問題点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、撓み部の歩留まりを
向上させた半導体加速度センサの製造方法を提供するこ
とにある。 【００１２】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、重り部と、一端が重り部に一
体的に連結された弾性を有する撓み部と、撓み部の他端
部が一体的に連結され撓み部を介して重り部を揺動自在
に支持する支持部とが半導体基板を加工して形成され、
前記撓み部にピエゾ抵抗が形成されたセンサチップと、
センサチップの両面にそれぞれ接合され、重り部の移動
範囲を規制する第１及び第２のキャップとを備え、重り
部が支持部に片持ち支持された半導体加速度センサの製
造方法において、半導体基板をエッチングして重り部と
撓み部と支持部とを形成し、重り部を支持部に仮固定す
る仮固定部を重り部の外周と支持部との間に少なくとも
１個形成し、第１及び第２のキャップと対向する重り部
の面にそれぞれ磁性体薄膜を形成した後、第１及び第２
のキャップを半導体基板の両面に接合し、少なくとも第
１及び第２のキャップを半導体基板の両面に接合した後
に厚み方向における両側から両磁性体薄膜を磁力で交互
に吸引して仮固定部を切断し、重り部を揺動自在とする
ことを特徴とする。 【００１３】 【００１４】この発明によれば、少なくとも第１及び第
２のキャップを半導体基板に接合する工程までは、重り
部の外周と支持部との間に形成された仮固定部により、
重り部と支持部とを結合しているので、撓み部だけで重
り部を片持ち支持する場合に比べて重り部が振動しにく
く、製造過程で撓み部の破損を防止することができ、且
つ、重り部の両面に磁性体薄膜が形成されているので、
重り部の両面に形成された磁性体薄膜をそれぞれ第１の
キャップ側又は第２のキャップ側から磁力で交互に吸引
することにより、仮固定部を破断させることができ、重
り部を一方向から吸引する場合に比べて仮固定部を容易
に破断できる。しかも、センサチップの外部から重り部
の両面にそれぞれ形成された磁性体薄膜を磁力で交互に
吸引することにより、仮固定部を破断させているので、
仮固定部を機械的に破断する場合に比べて破断時に仮固
定部の破片などが発生するのを防止できる。 【００１５】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。 【００１６】（参考例１） 半導体加速度センサの断面図を図１に示す。この半導体
加速度センサは、重り部２と、一端が重り部２とそれぞ
れ一体的に連結された薄肉の２本の撓み部（カンチレバ
ー）３と、撓み部３の他端が一体的に連結され、撓み部
３を介して重り部２を揺動自在に支持する支持部４とを
半導体シリコン基板をエッチング加工することにより一
体に形成したセンサチップ１と、センサチップ１の上下
面にそれぞれ陽極接合により固定され重り部２の移動範
囲を規制する第１及び第２のキャップたる上部キャップ
５及び下部キャップ６を有し、重り部２は撓み部３を介
して支持部４に片持ち支持されている。また、撓み部３
の表面には、歪みに応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗
７が半導体シリコン基板への拡散技術などにより形成し
てある。尚、基本的な構成は上述した図４及び図５に示
す半導体加速度センサと同様であるので、同一の構成要
素には同一の符号を付して、その説明を省略する。 【００１７】ここで、上部キャップ５と対向する重り部
２の面には磁性体薄膜１７が形成されている。また、重
り部２の外周と支持部４との間に形成されたスリット８
には、重り部２と支持部４との間を結合し、重り部２を
支持部４に仮固定するための磁性体薄膜からなるブリッ
ジ（仮固定部）１８が少なくとも１個形成されている。
したがって、ブリッジ１８が切断される前は、重り部２
は撓み部３とブリッジ１８とを介して支持部４に結合さ
れているので、センサチップ１に加わった加速度によっ
て、重り部２が振動しにくくなり、製造過程でセンサチ
ップ１に過度の加速度が加わり、撓み部３が破損するの
を防止できる。そして、製造工程の最終段階でセンサチ
ップ１の外部から例えば電磁石２０を用い、磁性体薄膜
からなるブリッジ１８や重り部２に形成された磁性体薄
膜１７を吸引することによって、重り部２における撓み
部３と反対側の端部を図１中上方に移動させ、重り部２
と支持部４との間を結合するブリッジ８を破断し、重り
部２を揺動自在とする。尚、ブリッジ１８の数を１個に
限定する趣旨のものではなく、ブリッジ１８を複数設け
ても良いことは言うまでもない。 【００１８】各撓み部３には２個のピエゾ抵抗７が形成
されており、センサチップ１の表面には、４個のピエゾ
抵抗７をブリッジ接続するようにＰ+拡散層からなる配
線パターン１０が形成されている。また、センサチップ
１の表面には、センサチップ１の一端部に設けられた複
数のボンディングパッド１１と配線パターン１０とを電
気的に接続するアルミニウム配線１２が設けられてお
り、アルミニウム配線１２はコンタクト部９で配線パタ
ーン１０と電気的に接続される。また、ボンディングパ
ッド１１と外部の基板３０とはボンディングワイヤ１３
により電気的に接続される。 【００１９】尚、上部キャップ５及び下部キャップ６に
おけるセンサチップ１と対向する面には、重り部２の揺
動空間を確保するとともに、エアダンピング効果を得る
ための凹所５ａ，６ａが夫々エッチングにより形成して
ある。また、上部キャップ５及び下部キャップ６は、セ
ンサチップ１の重り部２及び撓み部３を封止するもので
あって、半導体シリコン基板と略等しい熱膨張率を有す
るガラス（耐熱ガラス）で形成してある。 【００２０】この半導体加速度センサの製造方法につい
て以下に簡単に説明する。先ず、結晶面が（１００）面
であるシリコン単結晶のウェハを酸化して、ウェハの表
面側に酸化膜を形成する。そして、重り部２と支持部４
との間や撓み部３，３間のスリット８となる部位の酸化
膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて除去した後、こ
の酸化膜をエッチングマスクとしてウェハをエッチング
する。尚、エッチングの深さは一般に６〜３０μｍ程度
である。エッチング終了後、ウェハの表面を再度酸化
し、ウェハの表面近傍にＰ+拡散層からなる配線パター
ン１０を形成する。そして、４個のピエゾ抵抗がブリッ
ジ回路を構成するように、各撓み部３にピエゾ抵抗７を
２個づつイオン注入により形成する。 【００２１】次に、スパッタリングによりセンサチップ
の一端部にアルミニウムからなる複数のボンディングパ
ッド１１と、ボンディングパッド１１及びコンタクト部
９の間を電気的に接続するアルミニウム配線１２を形成
した後、約４５０℃の温度で熱処理（シンターリング）
を行う。この時、アルミニウム配線１２はコンタクト部
９で配線パターン１０と電気的に接続される。 【００２２】その後、ウェハの表面側に絶縁性保護膜で
ある酸化膜１４と窒化膜１５とをパッシベーションし、
上部キャップ５が陽極接合されるウェハ表面の部位にア
ルミニウム薄膜１６を形成する。次に重り部２の上面に
ＮｉやＣｏなどの磁性体薄膜１７をスパッタリングによ
り形成するとともに、重り部２の外周と支持部４との間
にＮｉやＣｏなどの磁性体薄膜からなるブリッジ１８を
少なくとも１個スパッタリングにより形成し、さらにウ
ェハ表面に窒化膜やレジストをパッシベーションする。 【００２３】そして、ウェハの裏面側からアルカリ異方
性エッチングを行い、撓み部３，３を薄肉にするととも
に、重り部２と支持部４との間や撓み部３，３間にウェ
ハの表面側と連通する略コ字状のスリット８を形成す
る。この時、上述の工程で形成された撓み部３及びブリ
ッジ１８によって重り部２が支持部４に支持される。 【００２４】その後、アルミニウム配線１２、ボンディ
ングパッド１１、アルミニウム薄膜１６、磁性体薄膜１
７及びブリッジ１８上に形成された窒化膜をバッファー
ドフッ酸でエッチングして除去するとともに、レジスト
をアッシング処理した後有機溶剤を用いて除去し、セン
サチップ１の上下面にそれぞれ上部キャップ５及び下部
キャップ６を陽極接合し、重り部２及び撓み部３を封止
する。而して、センサチップ１と上部キャップ５と下部
キャップ６とで囲まれる空間２１によりエアダンピング
構造が形成され、重り部２に過度の加速度が加わること
によって、撓み部３が破損するのを防止している。 【００２５】次にウェハをダイシングして、個々のセン
サチップ１に分割し、分割されたセンサチップ１を基板
３０に接着剤を用いてダイボンドし、ボンディングパッ
ド１１と基板３０の電極（図示せず）とをボンディング
ワイヤ１３により電気的に接続する。 【００２６】最後に、センサチップ１の上部キャップ５
側に電磁石２０を外部から近づけて、重り部２の上面に
形成された磁性体薄膜１７及びブリッジ１８を磁力によ
り上部キャップ５側に引き寄せることにより、ブリッジ
１８を破断し、重り部２を揺動自在とする。このよう
に、本参考例の半導体加速度センサでは、磁性体薄膜１
７及びブリッジ１８を磁力で吸引することにより、重り
部２を上部キャップ５側に傾けてブリッジ１８を破断し
ており、ブリッジ１８を機械的に破断していないので、
ブリッジ１８の破片などの飛散物やパーティクルが発生
することが無い。尚、ブリッジ１８を破断する工程は、
少なくとも上部キャップ５及び下部キャップ６をセンサ
チップ１に陽極接合する工程の後であれば良いが、最終
工程に近いほど製造過程における振動や衝撃の影響を撓
み部３が受けにくく、歩留まりが良くなるのは言うまで
もない。 【００２７】（参考例２）参考例１ の半導体加速度センサでは磁性体薄膜からなる
ブリッジ１８を設けているが、本参考例では、図２に示
すように、磁性体薄膜からなるブリッジ１８の代わり
に、重り部２の外周と支持部４との間のスリット８に、
重り部２と支持部４との間を結合し、重り部２を支持部
４に仮固定するためのアルミニウムの薄膜からなるブリ
ッジ１９を少なくとも１個形成してある。尚、ブリッジ
１９以外の構成は参考例１の半導体加速度センサと同様
であるので、同一の構成要素には同一の符号を付して、
その説明を省略する。 【００２８】この半導体加速度センサの製造方法は、参
考例１の半導体加速度センサと基本的には同じであるの
で、異なる部分についてのみ説明する。 【００２９】本参考例では、参考例１で説明したアルミ
ニウム薄膜１６をウェハ表面にスパッタリングにより形
成する工程で、重り部２と支持部４との間にアルミニウ
ムの薄膜からなるブリッジ１９を同時に形成する。その
後、ウェハの表面にさらに窒化膜をパッシベーション
し、重り部２の上面にＮｉからなる磁性体薄膜１７をス
パッタリングにより形成する。以下の工程は参考例１と
同様であるので、その説明は省略する。 【００３０】そして、最終の組立工程において、センサ
チップ１の上部キャップ５側に電磁石２０を外部から近
づけて、重り部２の上面に形成された磁性体薄膜１７を
磁力により上部キャップ５側に引き寄せることにより、
ブリッジ１９を破断し、重り部２を揺動自在とする。
尚、ブリッジ１９を破断する工程は、少なくとも上部キ
ャップ５及び下部キャップ６をセンサチップ１に陽極接
合する工程の後であれば良いが、最終工程に近いほど製
造過程における振動や衝撃の影響を撓み部３が受けにく
く、歩留まりが良くなるのは言うまでもない。 【００３１】（実施形態１）参考例 ２の半導体加速度センサでは、上部キャップ５と
対向する重り部２の面のみに磁性体薄膜１７を形成して
いるが、本実施形態では、図３に示すように、上部キャ
ップ５及び下部キャップ６と対向する重り部２の面にそ
れぞれ磁性体薄膜１７，１７’を形成している。尚、磁
性体薄膜１７，１７’以外の構成は参考例２の半導体加
速度センサと同様であるので、同一の構成要素には同一
の符号を付して、その説明を省略する。 【００３２】この半導体加速度センサの製造方法は、参
考例１の半導体加速度センサの製造方法と基本的には同
じであるので、異なる部分についてのみ説明する。 【００３３】本実施形態では、参考例１で説明したアル
ミニウム薄膜１６をウェハ表面にスパッタリングにより
形成する工程で、重り部２と支持部４との間にアルミニ
ウムの薄膜からなるブリッジ１９を同時に形成する。そ
の後、ウェハの表面にさらに窒化膜をパッシベーション
し、重り部２の上面及び下面にＮｉからなる磁性体薄膜
１７，１７’をスパッタリングにより形成する。以下の
工程は参考例１と同様であるので、その説明は省略す
る。 【００３４】そして、最終の組立工程において、センサ
チップ１の上部キャップ５側に電磁石２０を外部から近
づけて、重り部２の上面に形成された磁性体薄膜１７を
磁力により上部キャップ５側に引き寄せた後、時間をお
いてセンサチップ１の下部キャップ６側に電磁石２０’
を外部から近づけて、重り部２の下面に形成された磁性
体薄膜１７’を磁力により下部キャップ６側に引き寄せ
る。このように、電磁石２０，２０’をセンサチップ１
の上部キャップ５側又は下部キャップ６側から交互に近
づけることにより、重り部２の上下面にそれぞれ形成さ
れた磁性体薄膜１７，１７’を上部キャップ５側或いは
下部キャップ６側に交互に引きつけることができ、アル
ミニウムの薄膜からなるブリッジ１９を破断して、重り
部２を揺動自在とすることができる。 【００３５】尚、電磁石２０，２０’をセンサチップ１
に近づけることによって、重り部２に形成された磁性体
薄膜１７，１７’を吸引しているが、電磁石２０，２
０’は固定したままで、電磁石２０，２０’への通電を
オン／オフすることにより、重り部２０に形成された磁
性体薄膜１７，１７’を上方又は下方に交互に吸引し
て、ブリッジ１９を破断するようにしても良く、例えば
上下の電磁石２０，２０’を交流電源に接続し、その電
源周波数を調整することにより、電磁石２０，２０’で
磁性体薄膜１７，１７’を交互に吸引するようにしても
良い。 【００３６】 【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、重り
部と、一端が重り部に一体的に連結された弾性を有する
撓み部と、撓み部の他端部が一体的に連結され撓み部を
介して重り部を揺動自在に支持する支持部とが半導体基
板を加工して形成され、前記撓み部にピエゾ抵抗が形成
されたセンサチップと、センサチップの両面にそれぞれ
接合され、重り部の移動範囲を規制する第１及び第２の
キャップとを備え、重り部が支持部に片持ち支持された
半導体加速度センサの製造方法において、半導体基板を
エッチングして重り部と撓み部と支持部とを形成し、重
り部を支持部に仮固定する仮固定部を重り部の外周と支
持部との間に少なくとも１個形成し、第１及び第２のキ
ャップと対向する重り部の面に磁性体薄膜をそれぞれ形
成した後、第１及び第２のキャップを半導体基板の両面
に接合し、少なくとも第１及び第２のキャップを半導体
基板の両面に接合した後に厚み方向における両側から両
磁性体薄膜を磁力で交互に吸引して仮固定部を切断し、
重り部を揺動自在とすることを特徴とする。 【００３７】 【００３８】この発明によれば、少なくとも第１及び第
２のキャップを半導体基板に接合する工程までは、重り
部の外周と支持部との間に形成された仮固定部により、
重り部と支持部とを結合しているので、撓み部だけで重
り部を片持ち支持する場合に比べて重り部が振動しにく
く、製造過程で撓み部の破損を防止することができ、且
つ、重り部の両面に磁性体薄膜が形成されているので、
重り部の両面に形成された磁性体薄膜をそれぞれ第１の
キャップ側又は第２のキャップ側から磁力で交互に吸引
することにより、仮固定部を破断させることができ、重
り部を一方向から吸引する場合に比べて仮固定部を容易
に破断できる。しかも、センサチップの外部から重り部
の両面にそれぞれ形成された磁性体薄膜を磁力で交互に
吸引することにより、仮固定部を破断させているので、
仮固定部を機械的に破断する場合に比べて破断時に仮固
定部の破片などが発生するのを防止できる。
サの製造方法に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】従来の半導体加速度センサの断面図を図
４に、上部キャップが接合されていない状態を上側から
見た図を図５にそれぞれ示す。尚、説明を簡単にするた
め図４中の上下を上下方向として説明を行う。 【０００３】この半導体加速度センサは、重り部２と、
一端が重り部２とそれぞれ一体的に連結された薄肉の２
本の撓み部３と、撓み部３の他端が一体的に連結され、
撓み部３を介して重り部２を揺動自在に支持する支持部
４とを半導体シリコン基板をエッチング加工することに
より一体に形成したセンサチップ１と、センサチップ１
の上下面にそれぞれ陽極接合により固定された上部キャ
ップ５及び下部キャップ６を有し、重り部２は撓み部３
を介して支持部４に片持ち支持されている。尚、重り部
２の外周と支持部４との間には略コ字状のスリット８
（図５の斜線部）が形成されている。また、撓み部３の
表面には、歪みに応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗７
が半導体シリコン基板への拡散技術などにより形成して
ある（例えば特開平９−２０３７４８号公報参照）。 【０００４】各撓み部３には２個のピエゾ抵抗７が形成
されており、センサチップ１の表面には、４個のピエゾ
抵抗７をブリッジ接続するようにＰ+拡散層からなる配
線パターン１０が形成されている。また、センサチップ
１の表面には、センサチップ１の一端部に設けられた複
数のボンディングパッド１１と配線パターン１０とを電
気的に接続するアルミニウム配線１２が設けられてお
り、アルミニウム配線１２はコンタクト部９で配線パタ
ーン１０と電気的に接続される。 【０００５】ここで、センサチップ１と垂直な方向（す
なわち図４中の上下方向）に加速度αが加わった場合、
重り部２の質量をｍとすると、重り部にはＦ＝ｍ・αの
力が加わり、この力によって撓み部３が撓められる。撓
み部３が撓むと、撓み部３の表面に歪みが発生し、この
歪みによってピエゾ抵抗７の抵抗値が変化する。そし
て、撓み部３に設けられた４個のピエゾ抵抗７はブリッ
ジ接続されており、ピエゾ抵抗７の抵抗値変化を電圧出
力として取り出すことにより、センサチップ１に印加さ
れた加速度αの大きさを検出することができる。 【０００６】この半導体加速度センサの製造方法につい
て以下に簡単に説明する。先ず、結晶面が（１００）面
であるシリコン単結晶のウェハを酸化して、ウェハの表
面側に酸化膜を形成する。そして、重り部２と支持部４
との間や撓み部３，３間のスリット８となる部位の酸化
膜を、フォトリソグラフィ技術により除去した後、この
酸化膜をエッチングマスクとしてウェハをエッチングす
る。尚、エッチングの深さは一般に６〜３０μｍ程度で
ある。エッチング終了後、ウェハの表面を再度酸化し、
ウェハの表面近傍にＰ+拡散層からなる配線パターン１
０を形成する。そして、４個のピエゾ抵抗７がブリッジ
回路を構成するように、各撓み部３にピエゾ抵抗７を２
個づつイオン注入により形成する。さらに、センサチッ
プ１の一端部に複数のボンディングパッド１１を形成し
た後、ボンディングパッド１１と配線パターン１０との
間を電気的に接続するアルミニウム配線１２を形成す
る。この時、アルミニウム配線１２はコンタクト部９で
配線パターン１０と電気的に接続される。 【０００７】次に、ウェハの表面側に絶縁性保護膜であ
る酸化膜１４と窒化膜１５とをパッシベーションし、上
部キャップ５が陽極接合されるウェハ表面の部位にアル
ミニウム薄膜１６を形成した後、さらにウェハの表面に
窒化膜をパッシベーションする。そして、ウェハの裏面
側からアルカリ異方性エッチングを行い、撓み部３，３
を薄肉にするとともに、重り部２と支持部４との間や撓
み部３，３間にウェハの表裏を貫通する略コ字状のスリ
ット８を形成し、アルミニウム配線１２、ボンディング
パッド１１及びアルミニウム薄膜１６上に形成された窒
化膜を除去する。 【０００８】そして、ウェハの上下面にそれぞれ上部キ
ャップ５及び下部キャップ６を陽極接合し、重り部２及
び撓み部３を封止する。ここに、センサチップ１と上部
キャップ５と下部キャップ６とで囲まれる空間（この空
間をキャビティという）２１によりエアダンピング構造
が形成され、重り部２に過度の加速度が加わることによ
って、撓み部３が破損するのを防止している。 【０００９】最後にウェハをダイシングして、個々のセ
ンサチップ１に分割し、分割されたセンサチップ１を基
板３０に接着剤を用いてダイボンドし、ボンディングパ
ッド１１と基板３０の電極（図示せず）とをワイヤ１３
により電気的に接続する。 【００１０】 【発明が解決しようとする課題】上述した半導体加速度
センサでは、ウェハをエッチングすることにより、重り
部２が撓み部３を介して支持部４に片持ち支持されるよ
うな構造を一旦形成すると、薬液や純水での洗浄工程
や、ウェハの搬送工程や、上部キャップ５及び下部キャ
ップ６のウェハへの接合工程や、ウェハのダイシング工
程や、センサチップ１を基板にダイボンドする工程や、
ワイヤ１３をワイヤボンディングする工程などの各工程
で重り部２に過度の振動が加わって撓み部３が破損し、
最終の特性検査工程まで破損せずに到達するのは数割以
下であり、収率が低いという問題があり、半導体加速度
センサが非常にコスト高となるという問題があった。 【００１１】本発明は上記問題点に鑑みて為されたもの
であり、その目的とするところは、撓み部の歩留まりを
向上させた半導体加速度センサの製造方法を提供するこ
とにある。 【００１２】 【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、重り部と、一端が重り部に一
体的に連結された弾性を有する撓み部と、撓み部の他端
部が一体的に連結され撓み部を介して重り部を揺動自在
に支持する支持部とが半導体基板を加工して形成され、
前記撓み部にピエゾ抵抗が形成されたセンサチップと、
センサチップの両面にそれぞれ接合され、重り部の移動
範囲を規制する第１及び第２のキャップとを備え、重り
部が支持部に片持ち支持された半導体加速度センサの製
造方法において、半導体基板をエッチングして重り部と
撓み部と支持部とを形成し、重り部を支持部に仮固定す
る仮固定部を重り部の外周と支持部との間に少なくとも
１個形成し、第１及び第２のキャップと対向する重り部
の面にそれぞれ磁性体薄膜を形成した後、第１及び第２
のキャップを半導体基板の両面に接合し、少なくとも第
１及び第２のキャップを半導体基板の両面に接合した後
に厚み方向における両側から両磁性体薄膜を磁力で交互
に吸引して仮固定部を切断し、重り部を揺動自在とする
ことを特徴とする。 【００１３】 【００１４】この発明によれば、少なくとも第１及び第
２のキャップを半導体基板に接合する工程までは、重り
部の外周と支持部との間に形成された仮固定部により、
重り部と支持部とを結合しているので、撓み部だけで重
り部を片持ち支持する場合に比べて重り部が振動しにく
く、製造過程で撓み部の破損を防止することができ、且
つ、重り部の両面に磁性体薄膜が形成されているので、
重り部の両面に形成された磁性体薄膜をそれぞれ第１の
キャップ側又は第２のキャップ側から磁力で交互に吸引
することにより、仮固定部を破断させることができ、重
り部を一方向から吸引する場合に比べて仮固定部を容易
に破断できる。しかも、センサチップの外部から重り部
の両面にそれぞれ形成された磁性体薄膜を磁力で交互に
吸引することにより、仮固定部を破断させているので、
仮固定部を機械的に破断する場合に比べて破断時に仮固
定部の破片などが発生するのを防止できる。 【００１５】 【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面を参照
して説明する。 【００１６】（参考例１） 半導体加速度センサの断面図を図１に示す。この半導体
加速度センサは、重り部２と、一端が重り部２とそれぞ
れ一体的に連結された薄肉の２本の撓み部（カンチレバ
ー）３と、撓み部３の他端が一体的に連結され、撓み部
３を介して重り部２を揺動自在に支持する支持部４とを
半導体シリコン基板をエッチング加工することにより一
体に形成したセンサチップ１と、センサチップ１の上下
面にそれぞれ陽極接合により固定され重り部２の移動範
囲を規制する第１及び第２のキャップたる上部キャップ
５及び下部キャップ６を有し、重り部２は撓み部３を介
して支持部４に片持ち支持されている。また、撓み部３
の表面には、歪みに応じて抵抗値の変化するピエゾ抵抗
７が半導体シリコン基板への拡散技術などにより形成し
てある。尚、基本的な構成は上述した図４及び図５に示
す半導体加速度センサと同様であるので、同一の構成要
素には同一の符号を付して、その説明を省略する。 【００１７】ここで、上部キャップ５と対向する重り部
２の面には磁性体薄膜１７が形成されている。また、重
り部２の外周と支持部４との間に形成されたスリット８
には、重り部２と支持部４との間を結合し、重り部２を
支持部４に仮固定するための磁性体薄膜からなるブリッ
ジ（仮固定部）１８が少なくとも１個形成されている。
したがって、ブリッジ１８が切断される前は、重り部２
は撓み部３とブリッジ１８とを介して支持部４に結合さ
れているので、センサチップ１に加わった加速度によっ
て、重り部２が振動しにくくなり、製造過程でセンサチ
ップ１に過度の加速度が加わり、撓み部３が破損するの
を防止できる。そして、製造工程の最終段階でセンサチ
ップ１の外部から例えば電磁石２０を用い、磁性体薄膜
からなるブリッジ１８や重り部２に形成された磁性体薄
膜１７を吸引することによって、重り部２における撓み
部３と反対側の端部を図１中上方に移動させ、重り部２
と支持部４との間を結合するブリッジ８を破断し、重り
部２を揺動自在とする。尚、ブリッジ１８の数を１個に
限定する趣旨のものではなく、ブリッジ１８を複数設け
ても良いことは言うまでもない。 【００１８】各撓み部３には２個のピエゾ抵抗７が形成
されており、センサチップ１の表面には、４個のピエゾ
抵抗７をブリッジ接続するようにＰ+拡散層からなる配
線パターン１０が形成されている。また、センサチップ
１の表面には、センサチップ１の一端部に設けられた複
数のボンディングパッド１１と配線パターン１０とを電
気的に接続するアルミニウム配線１２が設けられてお
り、アルミニウム配線１２はコンタクト部９で配線パタ
ーン１０と電気的に接続される。また、ボンディングパ
ッド１１と外部の基板３０とはボンディングワイヤ１３
により電気的に接続される。 【００１９】尚、上部キャップ５及び下部キャップ６に
おけるセンサチップ１と対向する面には、重り部２の揺
動空間を確保するとともに、エアダンピング効果を得る
ための凹所５ａ，６ａが夫々エッチングにより形成して
ある。また、上部キャップ５及び下部キャップ６は、セ
ンサチップ１の重り部２及び撓み部３を封止するもので
あって、半導体シリコン基板と略等しい熱膨張率を有す
るガラス（耐熱ガラス）で形成してある。 【００２０】この半導体加速度センサの製造方法につい
て以下に簡単に説明する。先ず、結晶面が（１００）面
であるシリコン単結晶のウェハを酸化して、ウェハの表
面側に酸化膜を形成する。そして、重り部２と支持部４
との間や撓み部３，３間のスリット８となる部位の酸化
膜を、フォトリソグラフィ技術を用いて除去した後、こ
の酸化膜をエッチングマスクとしてウェハをエッチング
する。尚、エッチングの深さは一般に６〜３０μｍ程度
である。エッチング終了後、ウェハの表面を再度酸化
し、ウェハの表面近傍にＰ+拡散層からなる配線パター
ン１０を形成する。そして、４個のピエゾ抵抗がブリッ
ジ回路を構成するように、各撓み部３にピエゾ抵抗７を
２個づつイオン注入により形成する。 【００２１】次に、スパッタリングによりセンサチップ
の一端部にアルミニウムからなる複数のボンディングパ
ッド１１と、ボンディングパッド１１及びコンタクト部
９の間を電気的に接続するアルミニウム配線１２を形成
した後、約４５０℃の温度で熱処理（シンターリング）
を行う。この時、アルミニウム配線１２はコンタクト部
９で配線パターン１０と電気的に接続される。 【００２２】その後、ウェハの表面側に絶縁性保護膜で
ある酸化膜１４と窒化膜１５とをパッシベーションし、
上部キャップ５が陽極接合されるウェハ表面の部位にア
ルミニウム薄膜１６を形成する。次に重り部２の上面に
ＮｉやＣｏなどの磁性体薄膜１７をスパッタリングによ
り形成するとともに、重り部２の外周と支持部４との間
にＮｉやＣｏなどの磁性体薄膜からなるブリッジ１８を
少なくとも１個スパッタリングにより形成し、さらにウ
ェハ表面に窒化膜やレジストをパッシベーションする。 【００２３】そして、ウェハの裏面側からアルカリ異方
性エッチングを行い、撓み部３，３を薄肉にするととも
に、重り部２と支持部４との間や撓み部３，３間にウェ
ハの表面側と連通する略コ字状のスリット８を形成す
る。この時、上述の工程で形成された撓み部３及びブリ
ッジ１８によって重り部２が支持部４に支持される。 【００２４】その後、アルミニウム配線１２、ボンディ
ングパッド１１、アルミニウム薄膜１６、磁性体薄膜１
７及びブリッジ１８上に形成された窒化膜をバッファー
ドフッ酸でエッチングして除去するとともに、レジスト
をアッシング処理した後有機溶剤を用いて除去し、セン
サチップ１の上下面にそれぞれ上部キャップ５及び下部
キャップ６を陽極接合し、重り部２及び撓み部３を封止
する。而して、センサチップ１と上部キャップ５と下部
キャップ６とで囲まれる空間２１によりエアダンピング
構造が形成され、重り部２に過度の加速度が加わること
によって、撓み部３が破損するのを防止している。 【００２５】次にウェハをダイシングして、個々のセン
サチップ１に分割し、分割されたセンサチップ１を基板
３０に接着剤を用いてダイボンドし、ボンディングパッ
ド１１と基板３０の電極（図示せず）とをボンディング
ワイヤ１３により電気的に接続する。 【００２６】最後に、センサチップ１の上部キャップ５
側に電磁石２０を外部から近づけて、重り部２の上面に
形成された磁性体薄膜１７及びブリッジ１８を磁力によ
り上部キャップ５側に引き寄せることにより、ブリッジ
１８を破断し、重り部２を揺動自在とする。このよう
に、本参考例の半導体加速度センサでは、磁性体薄膜１
７及びブリッジ１８を磁力で吸引することにより、重り
部２を上部キャップ５側に傾けてブリッジ１８を破断し
ており、ブリッジ１８を機械的に破断していないので、
ブリッジ１８の破片などの飛散物やパーティクルが発生
することが無い。尚、ブリッジ１８を破断する工程は、
少なくとも上部キャップ５及び下部キャップ６をセンサ
チップ１に陽極接合する工程の後であれば良いが、最終
工程に近いほど製造過程における振動や衝撃の影響を撓
み部３が受けにくく、歩留まりが良くなるのは言うまで
もない。 【００２７】（参考例２）参考例１ の半導体加速度センサでは磁性体薄膜からなる
ブリッジ１８を設けているが、本参考例では、図２に示
すように、磁性体薄膜からなるブリッジ１８の代わり
に、重り部２の外周と支持部４との間のスリット８に、
重り部２と支持部４との間を結合し、重り部２を支持部
４に仮固定するためのアルミニウムの薄膜からなるブリ
ッジ１９を少なくとも１個形成してある。尚、ブリッジ
１９以外の構成は参考例１の半導体加速度センサと同様
であるので、同一の構成要素には同一の符号を付して、
その説明を省略する。 【００２８】この半導体加速度センサの製造方法は、参
考例１の半導体加速度センサと基本的には同じであるの
で、異なる部分についてのみ説明する。 【００２９】本参考例では、参考例１で説明したアルミ
ニウム薄膜１６をウェハ表面にスパッタリングにより形
成する工程で、重り部２と支持部４との間にアルミニウ
ムの薄膜からなるブリッジ１９を同時に形成する。その
後、ウェハの表面にさらに窒化膜をパッシベーション
し、重り部２の上面にＮｉからなる磁性体薄膜１７をス
パッタリングにより形成する。以下の工程は参考例１と
同様であるので、その説明は省略する。 【００３０】そして、最終の組立工程において、センサ
チップ１の上部キャップ５側に電磁石２０を外部から近
づけて、重り部２の上面に形成された磁性体薄膜１７を
磁力により上部キャップ５側に引き寄せることにより、
ブリッジ１９を破断し、重り部２を揺動自在とする。
尚、ブリッジ１９を破断する工程は、少なくとも上部キ
ャップ５及び下部キャップ６をセンサチップ１に陽極接
合する工程の後であれば良いが、最終工程に近いほど製
造過程における振動や衝撃の影響を撓み部３が受けにく
く、歩留まりが良くなるのは言うまでもない。 【００３１】（実施形態１）参考例 ２の半導体加速度センサでは、上部キャップ５と
対向する重り部２の面のみに磁性体薄膜１７を形成して
いるが、本実施形態では、図３に示すように、上部キャ
ップ５及び下部キャップ６と対向する重り部２の面にそ
れぞれ磁性体薄膜１７，１７’を形成している。尚、磁
性体薄膜１７，１７’以外の構成は参考例２の半導体加
速度センサと同様であるので、同一の構成要素には同一
の符号を付して、その説明を省略する。 【００３２】この半導体加速度センサの製造方法は、参
考例１の半導体加速度センサの製造方法と基本的には同
じであるので、異なる部分についてのみ説明する。 【００３３】本実施形態では、参考例１で説明したアル
ミニウム薄膜１６をウェハ表面にスパッタリングにより
形成する工程で、重り部２と支持部４との間にアルミニ
ウムの薄膜からなるブリッジ１９を同時に形成する。そ
の後、ウェハの表面にさらに窒化膜をパッシベーション
し、重り部２の上面及び下面にＮｉからなる磁性体薄膜
１７，１７’をスパッタリングにより形成する。以下の
工程は参考例１と同様であるので、その説明は省略す
る。 【００３４】そして、最終の組立工程において、センサ
チップ１の上部キャップ５側に電磁石２０を外部から近
づけて、重り部２の上面に形成された磁性体薄膜１７を
磁力により上部キャップ５側に引き寄せた後、時間をお
いてセンサチップ１の下部キャップ６側に電磁石２０’
を外部から近づけて、重り部２の下面に形成された磁性
体薄膜１７’を磁力により下部キャップ６側に引き寄せ
る。このように、電磁石２０，２０’をセンサチップ１
の上部キャップ５側又は下部キャップ６側から交互に近
づけることにより、重り部２の上下面にそれぞれ形成さ
れた磁性体薄膜１７，１７’を上部キャップ５側或いは
下部キャップ６側に交互に引きつけることができ、アル
ミニウムの薄膜からなるブリッジ１９を破断して、重り
部２を揺動自在とすることができる。 【００３５】尚、電磁石２０，２０’をセンサチップ１
に近づけることによって、重り部２に形成された磁性体
薄膜１７，１７’を吸引しているが、電磁石２０，２
０’は固定したままで、電磁石２０，２０’への通電を
オン／オフすることにより、重り部２０に形成された磁
性体薄膜１７，１７’を上方又は下方に交互に吸引し
て、ブリッジ１９を破断するようにしても良く、例えば
上下の電磁石２０，２０’を交流電源に接続し、その電
源周波数を調整することにより、電磁石２０，２０’で
磁性体薄膜１７，１７’を交互に吸引するようにしても
良い。 【００３６】 【発明の効果】上述のように、請求項１の発明は、重り
部と、一端が重り部に一体的に連結された弾性を有する
撓み部と、撓み部の他端部が一体的に連結され撓み部を
介して重り部を揺動自在に支持する支持部とが半導体基
板を加工して形成され、前記撓み部にピエゾ抵抗が形成
されたセンサチップと、センサチップの両面にそれぞれ
接合され、重り部の移動範囲を規制する第１及び第２の
キャップとを備え、重り部が支持部に片持ち支持された
半導体加速度センサの製造方法において、半導体基板を
エッチングして重り部と撓み部と支持部とを形成し、重
り部を支持部に仮固定する仮固定部を重り部の外周と支
持部との間に少なくとも１個形成し、第１及び第２のキ
ャップと対向する重り部の面に磁性体薄膜をそれぞれ形
成した後、第１及び第２のキャップを半導体基板の両面
に接合し、少なくとも第１及び第２のキャップを半導体
基板の両面に接合した後に厚み方向における両側から両
磁性体薄膜を磁力で交互に吸引して仮固定部を切断し、
重り部を揺動自在とすることを特徴とする。 【００３７】 【００３８】この発明によれば、少なくとも第１及び第
２のキャップを半導体基板に接合する工程までは、重り
部の外周と支持部との間に形成された仮固定部により、
重り部と支持部とを結合しているので、撓み部だけで重
り部を片持ち支持する場合に比べて重り部が振動しにく
く、製造過程で撓み部の破損を防止することができ、且
つ、重り部の両面に磁性体薄膜が形成されているので、
重り部の両面に形成された磁性体薄膜をそれぞれ第１の
キャップ側又は第２のキャップ側から磁力で交互に吸引
することにより、仮固定部を破断させることができ、重
り部を一方向から吸引する場合に比べて仮固定部を容易
に破断できる。しかも、センサチップの外部から重り部
の両面にそれぞれ形成された磁性体薄膜を磁力で交互に
吸引することにより、仮固定部を破断させているので、
仮固定部を機械的に破断する場合に比べて破断時に仮固
定部の破片などが発生するのを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】参考例１を説明する半導体加速度センサの断面
図である。 【図２】参考例２を説明する半導体加速度センサの断面
図である。 【図３】実施形態１を説明する半導体加速度センサの断
面図である。 【図４】従来の半導体加速度センサを示す断面図であ
る。 【図５】同上の半導体加速度センサの上部キャップを外
した状態を示す平面図である。 【符号の説明】 １ センサチップ ２ 重り部 ３ 撓み部 ４ 支持部 ５ 上部キャップ ６ 下部キャップ ７ ピエゾ抵抗 ８ スリット １７ 磁性体薄膜 １８ ブリッジ ２０ 電磁石
図である。 【図２】参考例２を説明する半導体加速度センサの断面
図である。 【図３】実施形態１を説明する半導体加速度センサの断
面図である。 【図４】従来の半導体加速度センサを示す断面図であ
る。 【図５】同上の半導体加速度センサの上部キャップを外
した状態を示す平面図である。 【符号の説明】 １ センサチップ ２ 重り部 ３ 撓み部 ４ 支持部 ５ 上部キャップ ６ 下部キャップ ７ ピエゾ抵抗 ８ スリット １７ 磁性体薄膜 １８ ブリッジ ２０ 電磁石
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−258175（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−325105（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−22032（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−85461（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01P 15/12
H01L 29/84
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】重り部と、一端が重り部に一体的に連結さ
れた弾性を有する撓み部と、撓み部の他端部が一体的に
連結され撓み部を介して重り部を揺動自在に支持する支
持部とが半導体基板を加工して形成され、前記撓み部に
ピエゾ抵抗が形成されたセンサチップと、センサチップ
の両面にそれぞれ接合され、重り部の移動範囲を規制す
る第１及び第２のキャップとを備え、重り部が支持部に
片持ち支持された半導体加速度センサの製造方法におい
て、半導体基板をエッチングして重り部と撓み部と支持
部とを形成し、重り部を支持部に仮固定する仮固定部を
重り部の外周と支持部との間に少なくとも１個形成し、
第１及び第２のキャップと対向する重り部の面にそれぞ
れ磁性体薄膜を形成した後、第１及び第２のキャップを
半導体基板の両面に接合し、少なくとも第１及び第２の
キャップを半導体基板の両面に接合した後に厚み方向に
おける両側から両磁性体薄膜を磁力で交互に吸引して仮
固定部を切断し、重り部を揺動自在とすることを特徴と
する半導体加速度センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11645199A JP3531523B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11645199A JP3531523B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000304765A JP2000304765A (ja) | 2000-11-02 |
| JP3531523B2 true JP3531523B2 (ja) | 2004-05-31 |
Family
ID=14687451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11645199A Expired - Fee Related JP3531523B2 (ja) | 1999-04-23 | 1999-04-23 | 半導体加速度センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3531523B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007066945A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Pioneer Electronic Corp | 光電集積回路装置の製造方法 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5824876B2 (ja) | 2011-05-30 | 2015-12-02 | セイコーエプソン株式会社 | 物理量検出器の製造方法 |
| US10551215B2 (en) | 2015-06-11 | 2020-02-04 | Analog Devices Global Unlimited Company | Systems, circuits and methods for determining a position of a movable object |
| US10145906B2 (en) | 2015-12-17 | 2018-12-04 | Analog Devices Global | Devices, systems and methods including magnetic structures |
| CN112461413B (zh) * | 2020-11-15 | 2022-03-08 | 沈阳工业大学 | 一种一体化微悬臂梁检测芯片及其制备方法 |
-
1999
- 1999-04-23 JP JP11645199A patent/JP3531523B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007066945A (ja) * | 2005-08-29 | 2007-03-15 | Pioneer Electronic Corp | 光電集積回路装置の製造方法 |
| JP4663450B2 (ja) * | 2005-08-29 | 2011-04-06 | パイオニア株式会社 | 光電集積回路装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000304765A (ja) | 2000-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6225145B1 (en) | Method of fabricating vacuum micro-structure | |
| EP1749794A2 (en) | Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same | |
| US20110170376A1 (en) | Fabrication process and package design for use in a micro-machined seismometer or other device | |
| JPH07335908A (ja) | 運動センサーを製造する方法 | |
| CN111174951A (zh) | 一种压电式传感器及其制备方法 | |
| US20070170525A1 (en) | Discrete stress isolator | |
| CN100373161C (zh) | 加速度传感器 | |
| JP2000330067A (ja) | ねじり揺動体 | |
| TWI222956B (en) | Packaged optical micro-mechanical device | |
| JP3531523B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JPH09199549A (ja) | ワイヤボンディング方法 | |
| CN108751119B (zh) | 一种具有应力缓冲结构的mems芯片及其制造方法 | |
| JP2007015101A (ja) | 隠れヒンジｍｅｍｓデバイス | |
| JP3290047B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
| JP3173256B2 (ja) | 半導体加速度センサとその製造方法 | |
| JP2007222957A (ja) | Ｍｅｍｓデバイスの製造方法 | |
| CN114655916A (zh) | 一种mems器件的应力缓冲封装结构 | |
| JPH11186566A (ja) | 微小装置の製造方法 | |
| JP2600393B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
| JP2003156509A (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
| JPH1144705A (ja) | 半導体加速度センサおよびその製造方法 | |
| JP3435647B2 (ja) | 振動型半導体センサの製造方法 | |
| TWI846496B (zh) | 微型揚聲器之封裝結構及其形成方法 | |
| JP3870637B2 (ja) | シリコンウェハの接合方法 | |
| JP3580179B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040113 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040210 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040223 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080312 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090312 Year of fee payment: 5 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100312 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110312 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120312 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |