JP3491977B2 - 多結晶シリコン太陽電池 - Google Patents
多結晶シリコン太陽電池Info
- Publication number
- JP3491977B2 JP3491977B2 JP17890794A JP17890794A JP3491977B2 JP 3491977 B2 JP3491977 B2 JP 3491977B2 JP 17890794 A JP17890794 A JP 17890794A JP 17890794 A JP17890794 A JP 17890794A JP 3491977 B2 JP3491977 B2 JP 3491977B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amorphous
- polycrystalline silicon
- solar cell
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、多結晶シリコン太陽電
池に関するものである。
池に関するものである。
【0002】
【従来の技術】多結晶シリコンは、特性及びコストを考
えたとき、太陽電池用の材料として有望である。
えたとき、太陽電池用の材料として有望である。
【0003】従来の多結晶シリコン太陽電池は、キャス
ト内に高純度のシリコン粉末あるいは砕片を入れ、熱
し、溶融した後、冷却することにより、多結晶シリコン
のインゴットを作製する。キャストをこわして取り出し
たインゴットを一定の厚さでスライスし、ポリシングす
ることにより、多結晶シリコンのウェハーを作製する。
上記多結晶シリコンウェハーに不純物の拡散によりpn
接合を形成し、その上に集電電極を印刷法等により形成
し、その上に反射防止用の層をコートすることにより、
多結晶シリコン太陽電池を作製している。
ト内に高純度のシリコン粉末あるいは砕片を入れ、熱
し、溶融した後、冷却することにより、多結晶シリコン
のインゴットを作製する。キャストをこわして取り出し
たインゴットを一定の厚さでスライスし、ポリシングす
ることにより、多結晶シリコンのウェハーを作製する。
上記多結晶シリコンウェハーに不純物の拡散によりpn
接合を形成し、その上に集電電極を印刷法等により形成
し、その上に反射防止用の層をコートすることにより、
多結晶シリコン太陽電池を作製している。
【0004】上記形成法の欠点は、コストがかかること
であり、特にインゴットのスライシング及びポリシング
にコストがかかることである。
であり、特にインゴットのスライシング及びポリシング
にコストがかかることである。
【0005】この問題を解決するために、ガラスあるい
は金属の基板上に薄膜の多結晶シリコンを作製しようと
種々試みられている。
は金属の基板上に薄膜の多結晶シリコンを作製しようと
種々試みられている。
【0006】すなわち、ガラスあるいはステンレス等の
基板上にCVD法、プラズマCVD法、液相法により直
接多結晶シリコン薄膜を形成する方法、あるいは、CV
D法、プラズマCVD法、蒸着法、スパッタリング法で
非晶質シリコン膜あるいは小粒径の多結晶シリコン膜を
形成した後、レーザーあるいは、赤外ランプ等で該シリ
コン膜を溶融あるいは固相成長させ多結晶シリコン薄膜
を形成する方法が提案されている。これらの方法は、ス
ライシング及びポリシングの工程が不要のためコスト面
で極めて有利である。
基板上にCVD法、プラズマCVD法、液相法により直
接多結晶シリコン薄膜を形成する方法、あるいは、CV
D法、プラズマCVD法、蒸着法、スパッタリング法で
非晶質シリコン膜あるいは小粒径の多結晶シリコン膜を
形成した後、レーザーあるいは、赤外ランプ等で該シリ
コン膜を溶融あるいは固相成長させ多結晶シリコン薄膜
を形成する方法が提案されている。これらの方法は、ス
ライシング及びポリシングの工程が不要のためコスト面
で極めて有利である。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、多結晶
シリコン薄膜の作製温度は通常室温よりかなり高いた
め、ガラス、金属等の異種の基板上に作製した後、室温
まで温度を下げる時に、熱膨張係数の違いのため、界面
において歪みが生じ、多結晶シリコン薄膜に欠陥が形成
される。
シリコン薄膜の作製温度は通常室温よりかなり高いた
め、ガラス、金属等の異種の基板上に作製した後、室温
まで温度を下げる時に、熱膨張係数の違いのため、界面
において歪みが生じ、多結晶シリコン薄膜に欠陥が形成
される。
【0008】この欠陥が、再結合中心として作用するた
めに電荷の走行をさまたげ、太陽電池の光電変換効率を
低下させる。
めに電荷の走行をさまたげ、太陽電池の光電変換効率を
低下させる。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、結晶シリコン
とは異なる材料の基板上に、非晶質SiGe層または非
晶質SiSn層と、多結晶シリコン層のpn接合層とで
構成されることを特徴とする多結晶シリコン太陽電池を
要旨とする。
とは異なる材料の基板上に、非晶質SiGe層または非
晶質SiSn層と、多結晶シリコン層のpn接合層とで
構成されることを特徴とする多結晶シリコン太陽電池を
要旨とする。
【0010】
【作用】本発明によれば、ガラスあるいは金属等の結晶
シリコンとは異なる基板上にまず、非晶質SiGeまた
は非晶質SiSn層を形成した後、その上に多結晶シリ
コン層を形成することにより、多結晶シリコン形成時の
温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより
生じる応力歪みに起因する欠陥の発生を抑えることを可
能にしたものである。
シリコンとは異なる基板上にまず、非晶質SiGeまた
は非晶質SiSn層を形成した後、その上に多結晶シリ
コン層を形成することにより、多結晶シリコン形成時の
温度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより
生じる応力歪みに起因する欠陥の発生を抑えることを可
能にしたものである。
【0011】
【実施態様例】本発明の太陽電池の構成について示す。
図1は、本発明の太陽電池の構成の代表例である。1は
基板であり、通常は金属、ガラス、あるいは合成樹脂等
が使用される。太陽電池の構成物質の支持体としての役
割をもつ。基板が絶縁体で構成されている場合は、その
表面に金属層2が形成され、電極としての役割をする。
金属層は通常の蒸着法、スパッタリング法、印刷法、塗
布法等が使用される。
図1は、本発明の太陽電池の構成の代表例である。1は
基板であり、通常は金属、ガラス、あるいは合成樹脂等
が使用される。太陽電池の構成物質の支持体としての役
割をもつ。基板が絶縁体で構成されている場合は、その
表面に金属層2が形成され、電極としての役割をする。
金属層は通常の蒸着法、スパッタリング法、印刷法、塗
布法等が使用される。
【0012】基板が金属等導電材料で形成されている場
合は、そのまま基板が電極としての役割をしても良い。
また電極の抵抗を低くしたいとき、あるいは、光の反射
を行わせ、再び多結晶シリコン層での光の吸収を促進し
たい場合には、基板上に抵抗率の低いAg、Al等の金
属を単層あるいは積層して形成し、電極及び反射層とす
る。
合は、そのまま基板が電極としての役割をしても良い。
また電極の抵抗を低くしたいとき、あるいは、光の反射
を行わせ、再び多結晶シリコン層での光の吸収を促進し
たい場合には、基板上に抵抗率の低いAg、Al等の金
属を単層あるいは積層して形成し、電極及び反射層とす
る。
【0013】3は非晶質SiGe層または非晶質SiS
n層で、熱による歪みの緩衝層としての役割をはたして
いる。非晶質SiGe層または非晶質SiSn層は、通
常RF、VHF、マイクロ波帯域の高周波電力によるプ
ラズマ放電により原料ガスを分解し、基板上に堆積す
る。
n層で、熱による歪みの緩衝層としての役割をはたして
いる。非晶質SiGe層または非晶質SiSn層は、通
常RF、VHF、マイクロ波帯域の高周波電力によるプ
ラズマ放電により原料ガスを分解し、基板上に堆積す
る。
【0014】非晶質SiGeを用いる場合には、原料ガ
スとしてSiを含む原料ガスとGeを含む原料ガスとを
混合したものを用い、また、非晶質SiSnを用いる場
合には、原料ガスとしてSiを含む原料ガスとSnを含
む原料ガスを混合したものを用いる。必要に応じて、H
2ガスあるいはHe,Ar,Ne,Xe等の不活性ガス
で希釈することもある。
スとしてSiを含む原料ガスとGeを含む原料ガスとを
混合したものを用い、また、非晶質SiSnを用いる場
合には、原料ガスとしてSiを含む原料ガスとSnを含
む原料ガスを混合したものを用いる。必要に応じて、H
2ガスあるいはHe,Ar,Ne,Xe等の不活性ガス
で希釈することもある。
【0015】Siを含む原料ガスとしては、SiH4,
SiCl4,SiF4,SiCl2H2,SiF2H2,Si
2H6,Si2F6,Si2Cl6等が用いられる。これらの
ガスは1種類あるいは2種類以上を用いることもある。
Geを含む原料ガスとしては、GeH4,GeCl4,G
eF4等が用いられる。これらのガスは1種類あるいは
2種類以上を用いることもある。また、Snを含む原料
ガスとしては、SnCl4,Sn(CH3)4,Sn(C2
H5)4等が用いられる。
SiCl4,SiF4,SiCl2H2,SiF2H2,Si
2H6,Si2F6,Si2Cl6等が用いられる。これらの
ガスは1種類あるいは2種類以上を用いることもある。
Geを含む原料ガスとしては、GeH4,GeCl4,G
eF4等が用いられる。これらのガスは1種類あるいは
2種類以上を用いることもある。また、Snを含む原料
ガスとしては、SnCl4,Sn(CH3)4,Sn(C2
H5)4等が用いられる。
【0016】非晶質SiGe層を用いる場合には、これ
らの原料ガスを真空チャンバー間に導入し、通常0.0
13Paから1330Paの間の圧力下でプラズマ放電
を起こし、原料ガスを分解し堆積に寄与する活性種を作
製する。このようにして所定の温度に加熱した基板上に
非晶質SiGeが堆積される。
らの原料ガスを真空チャンバー間に導入し、通常0.0
13Paから1330Paの間の圧力下でプラズマ放電
を起こし、原料ガスを分解し堆積に寄与する活性種を作
製する。このようにして所定の温度に加熱した基板上に
非晶質SiGeが堆積される。
【0017】また、非晶質SiSn層を用いる場合に
も、上述と同様にして非晶質SiSn層を基板上に堆積
できるが、非晶質SiSn膜はスパッタリング法でも作
製することができる。ターゲットとしてSiSn合金粉
末、あるいはSi粉末とSn粉末とを混合して焼結した
ものを用い、H2ガスあるいはHe,Ar,Ne,Xe
等の不活性ガスで、DC、RF、スパッタリングするこ
とにより作製することができる。
も、上述と同様にして非晶質SiSn層を基板上に堆積
できるが、非晶質SiSn膜はスパッタリング法でも作
製することができる。ターゲットとしてSiSn合金粉
末、あるいはSi粉末とSn粉末とを混合して焼結した
ものを用い、H2ガスあるいはHe,Ar,Ne,Xe
等の不活性ガスで、DC、RF、スパッタリングするこ
とにより作製することができる。
【0018】非晶質SiGe層または非晶質SiSn層
は、非晶質であるので構造柔軟性があり、非晶質SiG
e層または非晶質SiSn層上に結晶シリコン層を積層
させた構造の膜に温度変化を生じさせても、非晶質Si
Ge層または非晶質SiSn層と結晶シリコン層との間
には、熱膨張係数の違いに起因する歪みがほとんど生じ
ない。そのため高温で作製した結晶シリコン膜を、作製
後室温に冷却しても欠陥の小さい膜を得ることができ
る。
は、非晶質であるので構造柔軟性があり、非晶質SiG
e層または非晶質SiSn層上に結晶シリコン層を積層
させた構造の膜に温度変化を生じさせても、非晶質Si
Ge層または非晶質SiSn層と結晶シリコン層との間
には、熱膨張係数の違いに起因する歪みがほとんど生じ
ない。そのため高温で作製した結晶シリコン膜を、作製
後室温に冷却しても欠陥の小さい膜を得ることができ
る。
【0019】一方、基板上に直接作製した結晶シリコン
膜は作製した温度より室温に冷却したとき、熱膨張係数
の違いにより、基板との界面に応力が発生し、そのため
結晶シリコン膜中に欠陥が導入される。
膜は作製した温度より室温に冷却したとき、熱膨張係数
の違いにより、基板との界面に応力が発生し、そのため
結晶シリコン膜中に欠陥が導入される。
【0020】非晶質SiGe層または非晶質SiSn層
とガラス、金属等の基板との間には、熱膨張係数には、
大きな違いがある。しかしながら、非晶質SiGe層ま
たは非晶質SiSn層と基板との熱膨張係数の違いによ
り、作製温度から室温に冷却したときに生じる欠陥は大
きな問題にはならない。
とガラス、金属等の基板との間には、熱膨張係数には、
大きな違いがある。しかしながら、非晶質SiGe層ま
たは非晶質SiSn層と基板との熱膨張係数の違いによ
り、作製温度から室温に冷却したときに生じる欠陥は大
きな問題にはならない。
【0021】その理由としては、以下に記述の(a)及
び(b)が挙げられる。
び(b)が挙げられる。
【0022】(a)非晶質SiGeまたは非晶質SiS
n層の構造柔軟性により、冷却過程において、構造の再
編成が起こり得ることである。
n層の構造柔軟性により、冷却過程において、構造の再
編成が起こり得ることである。
【0023】(b)非晶質SiGe層または非晶質Si
Sn層の抵抗を小さくするため通常は価電制御用の不純
物をドーピングするので、フェルミレベルは、価電子帯
側、あるいは伝導帯側に強く寄っているため、多数キャ
リアで欠陥は埋められ、電荷のトラップとして寄与しな
いことである。
Sn層の抵抗を小さくするため通常は価電制御用の不純
物をドーピングするので、フェルミレベルは、価電子帯
側、あるいは伝導帯側に強く寄っているため、多数キャ
リアで欠陥は埋められ、電荷のトラップとして寄与しな
いことである。
【0024】非晶質SiGe層または非晶質SiSn層
の上にpn接合、あるいはpin接合の太陽電池を形成
したとき非晶質SiGe層または非晶質SiSn層の抵
抗が電圧降下に寄与しないことが重要である。そのため
非晶質SiGe層または非晶質SiSn層の単位面積当
りの抵抗は1Ω以下にする必要がある。また、基板と多
結晶シリコンとの熱膨張係数の違いによって生じる応力
を緩和するために必要な非晶質SiGe層または非晶質
SiSn層の膜厚の下限は50Åである。好ましくは1
00Å以上の膜厚を必要とする。
の上にpn接合、あるいはpin接合の太陽電池を形成
したとき非晶質SiGe層または非晶質SiSn層の抵
抗が電圧降下に寄与しないことが重要である。そのため
非晶質SiGe層または非晶質SiSn層の単位面積当
りの抵抗は1Ω以下にする必要がある。また、基板と多
結晶シリコンとの熱膨張係数の違いによって生じる応力
を緩和するために必要な非晶質SiGe層または非晶質
SiSn層の膜厚の下限は50Åである。好ましくは1
00Å以上の膜厚を必要とする。
【0025】従って非晶質SiGe層または非晶質Si
Sn層の膜厚方向の単位面積当りの抵抗を1Ω以下にす
るためには、膜厚が100Åの場合には非晶質SiGe
または非晶質SiSn層の抵抗率が106Ω・cm以下
であることが必要である。また膜厚が1μmの場合に
は、非晶質SiGeまたは非晶質SiSn層の抵抗率は
104Ω・cm以下であることが必要である。
Sn層の膜厚方向の単位面積当りの抵抗を1Ω以下にす
るためには、膜厚が100Åの場合には非晶質SiGe
または非晶質SiSn層の抵抗率が106Ω・cm以下
であることが必要である。また膜厚が1μmの場合に
は、非晶質SiGeまたは非晶質SiSn層の抵抗率は
104Ω・cm以下であることが必要である。
【0026】非晶質SiGeまたは非晶質SiSn層の
抵抗率を下げるには、2つの方法がある。第1の方法と
して、非晶質SiGe膜の場合は非晶質SiGe膜中G
eの含有量を85原子%以上とし、また、非晶質SiS
n膜の場合は非晶質SiSn膜中Snの含有量を50原
子%にすることにより、106Ω・cm以下にすること
ができる。
抵抗率を下げるには、2つの方法がある。第1の方法と
して、非晶質SiGe膜の場合は非晶質SiGe膜中G
eの含有量を85原子%以上とし、また、非晶質SiS
n膜の場合は非晶質SiSn膜中Snの含有量を50原
子%にすることにより、106Ω・cm以下にすること
ができる。
【0027】第2の方法は、III族あるいはV族の価
電子制御用の不純物をドーピングすることである。ドー
ピングすることにより、フェルミレベルは価電子帯側、
あるいは導電帯側に移動し、多数電荷によって、非晶質
SiGeまたは非晶質SiSn内の欠陥は満たされる。
そのため実質的に欠陥が電荷のトラップとして働くこと
がなくなる。第2の方法は、非晶質SiGe層または非
晶質SiSn層をドーピング層として用いる場合に有用
である。
電子制御用の不純物をドーピングすることである。ドー
ピングすることにより、フェルミレベルは価電子帯側、
あるいは導電帯側に移動し、多数電荷によって、非晶質
SiGeまたは非晶質SiSn内の欠陥は満たされる。
そのため実質的に欠陥が電荷のトラップとして働くこと
がなくなる。第2の方法は、非晶質SiGe層または非
晶質SiSn層をドーピング層として用いる場合に有用
である。
【0028】価電子制御用不純物の膜中への導入方法と
しては、イオン打ち込み、拡散等があるが、非晶質Si
Geまたは非晶質SiSnの場合、作製時に不純物を膜
中に取り込めるように、原料ガス中に不純物元素を含む
ガスを混合させ、プラズマ中で該ガスを分解し、膜中に
取り込む方法が生産上余分なプロセスを必要とせず有用
である。
しては、イオン打ち込み、拡散等があるが、非晶質Si
Geまたは非晶質SiSnの場合、作製時に不純物を膜
中に取り込めるように、原料ガス中に不純物元素を含む
ガスを混合させ、プラズマ中で該ガスを分解し、膜中に
取り込む方法が生産上余分なプロセスを必要とせず有用
である。
【0029】不純物元素を含むガスとしては、III族
元素を含むガスとしては、B2H6,BF3等があり、V
族元素を含むガスとしては、PF5,PH3,AsH3等
がある。
元素を含むガスとしては、B2H6,BF3等があり、V
族元素を含むガスとしては、PF5,PH3,AsH3等
がある。
【0030】図1において4は多結晶シリコン層であ
る。この層において光吸収を行い電荷を発生させ、発電
を行う。多結晶シリコン層の厚さは、入射した光を吸収
するのに十分な厚さを要する。あまり厚いと電荷の拡散
距離の増大による外部へ取り出させられる電流の減少、
及び電圧の減少につながる。またコストを考えた場合、
生産時間が長くなり、また原材料の使用量が増える分不
利である。金属反射層2との組合せにより、入射した光
を効率よく吸収させることにより、膜厚を薄くすること
ができる。好ましい膜厚は1μm以上50μm以下であ
る。また5の多結晶シリコン層とpn接合を形成するた
め価電制御用の不純物を混入させてある。
る。この層において光吸収を行い電荷を発生させ、発電
を行う。多結晶シリコン層の厚さは、入射した光を吸収
するのに十分な厚さを要する。あまり厚いと電荷の拡散
距離の増大による外部へ取り出させられる電流の減少、
及び電圧の減少につながる。またコストを考えた場合、
生産時間が長くなり、また原材料の使用量が増える分不
利である。金属反射層2との組合せにより、入射した光
を効率よく吸収させることにより、膜厚を薄くすること
ができる。好ましい膜厚は1μm以上50μm以下であ
る。また5の多結晶シリコン層とpn接合を形成するた
め価電制御用の不純物を混入させてある。
【0031】5の半導体層とは、pn接合を形成させる
ために伝導の型は5の半導体層と逆の伝導型にする必要
がある。また3の非晶質SiGe層とは接合をつくらな
いで、オーミックな接触が得られるように同じ伝導型に
する必要がある。
ために伝導の型は5の半導体層と逆の伝導型にする必要
がある。また3の非晶質SiGe層とは接合をつくらな
いで、オーミックな接触が得られるように同じ伝導型に
する必要がある。
【0032】本発明に使用する多結晶シリコン膜の作製
方法は使用する基板によって異なるが、種々の方法が適
宜用いられる。代表的なものとして次のような方法があ
る。CVD法と呼ばれる原料ガス(SiH4,SiCl2
H2,SiF4,SiF2H2等のガス)を、加熱した基板
上で分解し、多結晶シリコン膜を得る方法。
方法は使用する基板によって異なるが、種々の方法が適
宜用いられる。代表的なものとして次のような方法があ
る。CVD法と呼ばれる原料ガス(SiH4,SiCl2
H2,SiF4,SiF2H2等のガス)を、加熱した基板
上で分解し、多結晶シリコン膜を得る方法。
【0033】プラズマ放電法と呼ばれるSiH4等の原
料ガスを多量に希釈したH2中で、RF、LF、VH
F、マイクロ波等の電力を印加した条件下でプラズマ放
電を起こし堆積する方法。
料ガスを多量に希釈したH2中で、RF、LF、VH
F、マイクロ波等の電力を印加した条件下でプラズマ放
電を起こし堆積する方法。
【0034】液相法と呼ばれるSn,In,Ga等の金
属溶媒中にSiを飽和状態まで溶かし込み、基板の表面
に、金属溶媒が接するように基板を金属溶媒中に挿入
し、基板表面の溶媒温度が挿入前に比べ多少低くなるよ
うに温度設定を行った状態で、基板表面のSiの溶解を
過飽和状態にする。
属溶媒中にSiを飽和状態まで溶かし込み、基板の表面
に、金属溶媒が接するように基板を金属溶媒中に挿入
し、基板表面の溶媒温度が挿入前に比べ多少低くなるよ
うに温度設定を行った状態で、基板表面のSiの溶解を
過飽和状態にする。
【0035】以上の方法等で基板表面上に多結晶Si膜
が形成される。いずれの方法でも、熱的歪みの緩和層と
しての非晶質SiGe層またはSiSn層が結晶化し
て、消滅するような極端に高い基板温度に長時間基板を
放置するような成膜方法は適していない。
が形成される。いずれの方法でも、熱的歪みの緩和層と
しての非晶質SiGe層またはSiSn層が結晶化し
て、消滅するような極端に高い基板温度に長時間基板を
放置するような成膜方法は適していない。
【0036】価電子制御用の不純物は、イオン打ち込み
法、拡散法等膜を堆積した後に、多結晶シリコン層に混
入させる方法、成膜時に原料ガス、あるいは溶媒の中に
混合させ、堆積と共に不純物を混入させる方法等があ
り、適宜用いられる。
法、拡散法等膜を堆積した後に、多結晶シリコン層に混
入させる方法、成膜時に原料ガス、あるいは溶媒の中に
混合させ、堆積と共に不純物を混入させる方法等があ
り、適宜用いられる。
【0037】pn接合を形成したとき空乏層が多結晶シ
リコン層全体に拡がるように不純物の混入量は多過ぎて
も良くない。しかし、少な過ぎると直列抵抗成分が大き
くなるため、外部へ取り出すときに損失になってしま
う。そのため、一般的には多結晶シリコン層4の抵抗率
が0.1Ω・cm〜100Ω・cmの範囲になるように
不純物の混入量は調整される。
リコン層全体に拡がるように不純物の混入量は多過ぎて
も良くない。しかし、少な過ぎると直列抵抗成分が大き
くなるため、外部へ取り出すときに損失になってしま
う。そのため、一般的には多結晶シリコン層4の抵抗率
が0.1Ω・cm〜100Ω・cmの範囲になるように
不純物の混入量は調整される。
【0038】5は多結晶シリコン層4とpn接合を形成
するための半導体層である。
するための半導体層である。
【0039】多結晶シリコン層4とpn接合を形成した
ときに、十分に多結晶シリコン層4で光が吸収され、電
荷が発生できるためには、半導体層5の厚さは薄くなけ
ればならない。望ましい厚さは2000Å以下である。
また多結晶シリコン層4と開放電圧の大きいpn接合を
作るためには、III族あるいはV族の価電制御用の不
純物が多量に混入されることが必要である。また混入さ
れた不純物により、自由電子あるいはホールが効率よく
作られ、フェルミレベルが伝導帯側あるいは価電子帯側
に十分に動かされることが重要である。
ときに、十分に多結晶シリコン層4で光が吸収され、電
荷が発生できるためには、半導体層5の厚さは薄くなけ
ればならない。望ましい厚さは2000Å以下である。
また多結晶シリコン層4と開放電圧の大きいpn接合を
作るためには、III族あるいはV族の価電制御用の不
純物が多量に混入されることが必要である。また混入さ
れた不純物により、自由電子あるいはホールが効率よく
作られ、フェルミレベルが伝導帯側あるいは価電子帯側
に十分に動かされることが重要である。
【0040】一般には、抵抗率が1Ω・cm以下になる
ように多量にIII族あるいはV族の元素不純物が混入
される。
ように多量にIII族あるいはV族の元素不純物が混入
される。
【0041】半導体層5としては、通常は非晶質シリコ
ン、非晶質シリコン・カーバイト、多結晶シリコン、多
結晶シリコン・カーバイドが適している。
ン、非晶質シリコン・カーバイト、多結晶シリコン、多
結晶シリコン・カーバイドが適している。
【0042】図1において、6は集電電極で、半導体層
5に集められた電荷を外部回路に取り出すために用いら
れる。
5に集められた電荷を外部回路に取り出すために用いら
れる。
【0043】集電電極は、導電率の高いAg,Al,C
u等の金属をグリッド状あるいはくし形状に蒸着法、ペ
ースト塗布法等で形成するか、あるいはワイヤー状の金
属を半導体層5の上に張り付けることにより形成され
る。
u等の金属をグリッド状あるいはくし形状に蒸着法、ペ
ースト塗布法等で形成するか、あるいはワイヤー状の金
属を半導体層5の上に張り付けることにより形成され
る。
【0044】集電電極の幅はできる限り細く、間隔は広
い方が多結晶シリコン層4に入射する光量が多くなるの
で望ましいが、逆にあまり幅が細く、間隔が広いと直列
抵抗が高くなり、外部回路へ効率よく発生電荷を取り出
せない。したがって、通常は幅0.02〜1mmで間隔
1mm〜5cmに選ばれる。実際の集電電極の幅、間隔
は半導体層5及び反射防止層7の表面抵抗の値によって
適宜決められる。
い方が多結晶シリコン層4に入射する光量が多くなるの
で望ましいが、逆にあまり幅が細く、間隔が広いと直列
抵抗が高くなり、外部回路へ効率よく発生電荷を取り出
せない。したがって、通常は幅0.02〜1mmで間隔
1mm〜5cmに選ばれる。実際の集電電極の幅、間隔
は半導体層5及び反射防止層7の表面抵抗の値によって
適宜決められる。
【0045】図1において、7は太陽電池セルに入射し
た光が、効率より多結晶シリコン層4の中へ入射するよ
うに、半導体層5の上につけた反射防止層である。通常
金属酸化物例えばIn2O3,SnO2,TiO2,Zn
O,ZrO等が用いられる。
た光が、効率より多結晶シリコン層4の中へ入射するよ
うに、半導体層5の上につけた反射防止層である。通常
金属酸化物例えばIn2O3,SnO2,TiO2,Zn
O,ZrO等が用いられる。
【0046】膜厚は、反射防止層5の材料の屈折率を考
慮し、反射が最も小さくなるような厚さに設定される。
慮し、反射が最も小さくなるような厚さに設定される。
【0047】なお、反射防止層に抵抗率の低い材料を用
い、その表面抵抗が半導体層5の表面抵抗より低いとき
は、集電電極6が反射防止層7の上に配置された構造で
も良い。
い、その表面抵抗が半導体層5の表面抵抗より低いとき
は、集電電極6が反射防止層7の上に配置された構造で
も良い。
【0048】図2は本発明の太陽電池の他の一の構成例
である。図1と異なる点はn型の非晶質SiGe層また
は非晶質SiSn層23、多結晶シリコン層24、p型
半導体層25でpin接合を形成している点にある。多
結晶シリコン層24には、価電制御用の不純物は混入さ
れていない。従って、フェルミ準位はバンドギャップの
中央付近にあり、真性の伝導型を示す。この方法は多結
晶シリコン層において、少数電荷の拡散長が短かく、有
効に光を吸収する程度に多結晶シリコン層を厚くする
と、拡散電流が十分採れないときに一般に用いられる。
内部電界によるドリフトによって電流を採ろうとする方
法である。
である。図1と異なる点はn型の非晶質SiGe層また
は非晶質SiSn層23、多結晶シリコン層24、p型
半導体層25でpin接合を形成している点にある。多
結晶シリコン層24には、価電制御用の不純物は混入さ
れていない。従って、フェルミ準位はバンドギャップの
中央付近にあり、真性の伝導型を示す。この方法は多結
晶シリコン層において、少数電荷の拡散長が短かく、有
効に光を吸収する程度に多結晶シリコン層を厚くする
と、拡散電流が十分採れないときに一般に用いられる。
内部電界によるドリフトによって電流を採ろうとする方
法である。
【0049】図2において、21,22,26,27は
それぞれ図1の1,2,6,7に対応している。
それぞれ図1の1,2,6,7に対応している。
【0050】非晶質SiGe層または非晶質SiSn層
23と半導体層25とには、それぞれ異なる型の価電制
御用の不純物が混入されている。
23と半導体層25とには、それぞれ異なる型の価電制
御用の不純物が混入されている。
【0051】図3は本発明の太陽電池のさらに他の一構
成例である。
成例である。
【0052】図2と異なる点は、価電制御用の不純物を
混入した非晶質SiGe層または非晶質SiSn層33
の上に、それと同じ導電型の価電制御用元素を混入した
多結晶シリコン層38を形成し、その上に不純物を混入
していない多結晶シリコン層34を形成し、その上に該
多結晶シリコン層とは逆の伝導型の価電制御用元素を混
入した半導体層35を形成してある。半導体層35を多
結晶シリコンによって形成すれば、すべて多結晶シリコ
ンで形成されたpin構造の太陽電池になる。
混入した非晶質SiGe層または非晶質SiSn層33
の上に、それと同じ導電型の価電制御用元素を混入した
多結晶シリコン層38を形成し、その上に不純物を混入
していない多結晶シリコン層34を形成し、その上に該
多結晶シリコン層とは逆の伝導型の価電制御用元素を混
入した半導体層35を形成してある。半導体層35を多
結晶シリコンによって形成すれば、すべて多結晶シリコ
ンで形成されたpin構造の太陽電池になる。
【0053】本構成は、非晶質SiGeまたは非晶質S
iSn層33の機能を熱的歪みの緩衝層、多結晶シリコ
ン層38の機能をpinの結合形成のドーピング層と機
能を分離している点に特徴がある。したがって、非晶質
SiGeまたは非晶質SiSn33と多結晶シリコン層
38との膜厚、不純物のドーピング量をそれぞれ独立に
最適な値に設定することが可能となる。
iSn層33の機能を熱的歪みの緩衝層、多結晶シリコ
ン層38の機能をpinの結合形成のドーピング層と機
能を分離している点に特徴がある。したがって、非晶質
SiGeまたは非晶質SiSn33と多結晶シリコン層
38との膜厚、不純物のドーピング量をそれぞれ独立に
最適な値に設定することが可能となる。
【0054】
【実施例】次に本発明を実施例を上げて詳細に説明す
る。
る。
【0055】(実施例1)図1の構成の太陽電池を下記
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
ステンレス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで
超音波洗浄し、十分に乾燥した後、スパッタリング装置
に装着した。装置内を十分に排気した後、基板温度を3
00℃にした後、AgのターゲットでArを30scc
m流し、0.27Paの圧力に調整し、500WのDC
電力を印加し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の
金属反応膜2を成膜した。上記基板を取り出し、図4の
プラズマ成膜装置の基板ホルダー57上に設置した。
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
ステンレス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで
超音波洗浄し、十分に乾燥した後、スパッタリング装置
に装着した。装置内を十分に排気した後、基板温度を3
00℃にした後、AgのターゲットでArを30scc
m流し、0.27Paの圧力に調整し、500WのDC
電力を印加し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の
金属反応膜2を成膜した。上記基板を取り出し、図4の
プラズマ成膜装置の基板ホルダー57上に設置した。
【0056】以下本実施例で用いたプラズマ成膜設置に
ついて記す。
ついて記す。
【0057】図4において、41は真空チャンバー、4
2は真空排気管で不図示のターボポンプ及びロータリー
ポンプに接続され、真空チャンバー内を真空に排気す
る。43は原料ガスの吹き出し口で、原料ガスの供給管
44を通じて原料ガスが供給される。原料ガスの供給管
の途中には圧縮空気で動作するバルブ45が取り付けら
れており、ポンプの停止等、非常時に原料ガスがチャン
バー内に導入されるのを防止している。原料ガスの供給
管44には、それぞれのガスのマスフローコントローラ
46〜50が接続され、それぞれのガスの必要な流量が
それぞれチャンバーに供給される。また、本実施例で用
いたマスフローコントローラは、圧電材料を流量制御用
バルブに用いたもので、応答速度は0.2秒程度であ
る。46,47,48,49,50は、それぞれGeF
4ガス、SiF4ガス、H2ガス、H2で5%に希釈したP
H3ガス、H2で5%に希釈したBF3ガスのマスフロー
コントローラであり、51,52,53,54,55は
それぞれのガスをそれぞれのマスフローコントローラへ
供給するガスの供給管で、それぞれ不図示のガスボンベ
から、それぞれのガスが供給される。
2は真空排気管で不図示のターボポンプ及びロータリー
ポンプに接続され、真空チャンバー内を真空に排気す
る。43は原料ガスの吹き出し口で、原料ガスの供給管
44を通じて原料ガスが供給される。原料ガスの供給管
の途中には圧縮空気で動作するバルブ45が取り付けら
れており、ポンプの停止等、非常時に原料ガスがチャン
バー内に導入されるのを防止している。原料ガスの供給
管44には、それぞれのガスのマスフローコントローラ
46〜50が接続され、それぞれのガスの必要な流量が
それぞれチャンバーに供給される。また、本実施例で用
いたマスフローコントローラは、圧電材料を流量制御用
バルブに用いたもので、応答速度は0.2秒程度であ
る。46,47,48,49,50は、それぞれGeF
4ガス、SiF4ガス、H2ガス、H2で5%に希釈したP
H3ガス、H2で5%に希釈したBF3ガスのマスフロー
コントローラであり、51,52,53,54,55は
それぞれのガスをそれぞれのマスフローコントローラへ
供給するガスの供給管で、それぞれ不図示のガスボンベ
から、それぞれのガスが供給される。
【0058】56はプラズマを生起させるための電極で
あり、マッチングボックス58を介して13.56MH
zの高周波電源59と接続されている。57は基板ホル
ダーでアース接続されている。
あり、マッチングボックス58を介して13.56MH
zの高周波電源59と接続されている。57は基板ホル
ダーでアース接続されている。
【0059】原料ガスを流したとき高周波電源59より
高周波電力を印加すると、電極56と基板ホルダー57
との間でプラズマ放電が起こる。基板ホルダー57の表
面には基板1が取り付けられており、基板ホルダー57
の内部には加熱用ヒーター60と熱電対61が挿入され
ている。
高周波電力を印加すると、電極56と基板ホルダー57
との間でプラズマ放電が起こる。基板ホルダー57の表
面には基板1が取り付けられており、基板ホルダー57
の内部には加熱用ヒーター60と熱電対61が挿入され
ている。
【0060】加熱ヒーター60と熱電対61のそれぞれ
のリード線は、温度コントローラー62に接続され、基
板ホルダー57は設定した温度に保たれる。63はチャ
ンバー内の圧力を測定するための圧力計で、64はチャ
ンバー内の圧力をコントロールするための圧力コントロ
ールバルブである。65は圧力をコントロールするため
の制御系である。原料ガスの流量が変化しても、チャン
バー内の圧力は設定された一定値に保たれる。
のリード線は、温度コントローラー62に接続され、基
板ホルダー57は設定した温度に保たれる。63はチャ
ンバー内の圧力を測定するための圧力計で、64はチャ
ンバー内の圧力をコントロールするための圧力コントロ
ールバルブである。65は圧力をコントロールするため
の制御系である。原料ガスの流量が変化しても、チャン
バー内の圧力は設定された一定値に保たれる。
【0061】基板1を基板ホルダー57に設置した後、
チャンバー内を1×10-4Pa以下に排気した。
チャンバー内を1×10-4Pa以下に排気した。
【0062】その後、基板を250℃に加熱した。Ge
F4ガスマスフローコントローラ46よりGeF4ガスを
20sccm、SiF4ガスマスフローコントローラ4
7よりSiF4ガスを20sccm、H2ガスマスフロー
コントローラ48よりH2ガスを20sccm、マスフ
ローコントローラ49よりH2ガスで5%に希釈したP
H3ガスを0.2sccm流した。チャンバー内の圧力
を13Paに設定した。この状態で高周波電源より、1
3.56MHzの高周波電力を75W電極56に印加
し、プラズマ放電を電極56と基板ホルダー57との間
に生起させた。
F4ガスマスフローコントローラ46よりGeF4ガスを
20sccm、SiF4ガスマスフローコントローラ4
7よりSiF4ガスを20sccm、H2ガスマスフロー
コントローラ48よりH2ガスを20sccm、マスフ
ローコントローラ49よりH2ガスで5%に希釈したP
H3ガスを0.2sccm流した。チャンバー内の圧力
を13Paに設定した。この状態で高周波電源より、1
3.56MHzの高周波電力を75W電極56に印加
し、プラズマ放電を電極56と基板ホルダー57との間
に生起させた。
【0063】この状態を20分間維持した。その結果、
基板1の金属反射膜Ag膜の上に非晶質のSiGe膜が
2500Å堆積した。
基板1の金属反射膜Ag膜の上に非晶質のSiGe膜が
2500Å堆積した。
【0064】堆積した膜の特性は同一条件でガラス基板
上に1時間堆積した膜厚7600Åの膜で評価した。膜
の暗抵抗率は103Ω・cmであり、反射電子線回折の
結果は非晶質であった。
上に1時間堆積した膜厚7600Åの膜で評価した。膜
の暗抵抗率は103Ω・cmであり、反射電子線回折の
結果は非晶質であった。
【0065】ガスを総て止め、十分にチャンバー内を真
空排気した後、基板を550℃に加熱した。マスフロー
コントローラ47,48,49より、それぞれSiF4
ガスを100sccm、H2ガスを20sccm、H2ガ
スで5%に希釈したPH3ガスを0.2sccm流し
た。チャンバー内の圧力を圧力コントローラーで50P
aに設定した。この状態で高周波電源より、13.56
MHzの高周波電力350Wを電極56に印加し、プラ
ズマ放電を電極56と基板ホルダー57との間に生起さ
せた。
空排気した後、基板を550℃に加熱した。マスフロー
コントローラ47,48,49より、それぞれSiF4
ガスを100sccm、H2ガスを20sccm、H2ガ
スで5%に希釈したPH3ガスを0.2sccm流し
た。チャンバー内の圧力を圧力コントローラーで50P
aに設定した。この状態で高周波電源より、13.56
MHzの高周波電力350Wを電極56に印加し、プラ
ズマ放電を電極56と基板ホルダー57との間に生起さ
せた。
【0066】SiF4ガスとH2ガスで5%に希釈したP
H3ガスとは、各マスフローコントローラへの信号を制
御することにより、5秒毎に導入及び遮断を繰り返し、
チャンバー内に導入した。一方、H2ガスは常にチャン
バーに20sccm導入した。その結果、5秒毎に膜の
堆積とH2プラズマ処理が行われることとなり、結晶性
の優れた多結晶シリコン膜が形成できた。
H3ガスとは、各マスフローコントローラへの信号を制
御することにより、5秒毎に導入及び遮断を繰り返し、
チャンバー内に導入した。一方、H2ガスは常にチャン
バーに20sccm導入した。その結果、5秒毎に膜の
堆積とH2プラズマ処理が行われることとなり、結晶性
の優れた多結晶シリコン膜が形成できた。
【0067】この状態を3時間繰り返した。その結果、
基板1上には非晶質SiGe膜3の上に厚さ約12μm
の多結晶シリコン層4が形成された。得られた試料と同
条件でガラス基板上に作製した試料の抵抗率は、5 Ω
・cmでX線回折の結果(110)面が強く配向した多
結晶シリコンであった。
基板1上には非晶質SiGe膜3の上に厚さ約12μm
の多結晶シリコン層4が形成された。得られた試料と同
条件でガラス基板上に作製した試料の抵抗率は、5 Ω
・cmでX線回折の結果(110)面が強く配向した多
結晶シリコンであった。
【0068】次に基板温度は550℃に加熱したままチ
ャンバー内を十分に真空排気した後、SiF4ガスを2
0sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%に希釈し
たBF3ガスを0.4sccm流した。チャンバー内の
圧力は50Paに設定した。高周波電源より13.56
MHzの高周波電力100Wを印加した。SiF4ガス
とBF4ガスは60秒毎に導入と遮断を繰り返し、一方
H2ガスは連続的に流した。この導入と遮断を3回繰り
返した。その結果、基板1の多結晶シリコン層4の上に
厚さ250Åのp型の多結晶Si層が成膜できた。
ャンバー内を十分に真空排気した後、SiF4ガスを2
0sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%に希釈し
たBF3ガスを0.4sccm流した。チャンバー内の
圧力は50Paに設定した。高周波電源より13.56
MHzの高周波電力100Wを印加した。SiF4ガス
とBF4ガスは60秒毎に導入と遮断を繰り返し、一方
H2ガスは連続的に流した。この導入と遮断を3回繰り
返した。その結果、基板1の多結晶シリコン層4の上に
厚さ250Åのp型の多結晶Si層が成膜できた。
【0069】なお、この層の膜厚は非常に薄いため、ガ
ラス基板上に膜の堆積とH2 プラズマ処理の繰り返しを
60回行って成膜した試料によって評価した。その結果
暗抵抗率は0.02Ω・cmで、反射電子線回折の結果
は多結晶であった。
ラス基板上に膜の堆積とH2 プラズマ処理の繰り返しを
60回行って成膜した試料によって評価した。その結果
暗抵抗率は0.02Ω・cmで、反射電子線回折の結果
は多結晶であった。
【0070】上記のプロセスで、ステンレス基板1上に
Agの反射膜2、n型の非晶質SiGe膜3、n型の多
結晶シリコン層4、p型の多結晶シリコン層5を形成し
た。
Agの反射膜2、n型の非晶質SiGe膜3、n型の多
結晶シリコン層4、p型の多結晶シリコン層5を形成し
た。
【0071】多結晶シリコンのpn接合を形成した基板
をプラズマ成膜装置よりとり出し、電子ビーム蒸着機の
中に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
をプラズマ成膜装置よりとり出し、電子ビーム蒸着機の
中に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
【0072】次に上記基板をスパッタリング装置に挿入
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
【0073】このようにして図1に示す三構造の太陽電
池を作製した。以下、本発明の太陽電池1と呼ぶ。
池を作製した。以下、本発明の太陽電池1と呼ぶ。
【0074】比較のために同じ作製手順で、3のn型の
非晶質SiGe膜の堆積を省略した構造の太陽電池も作
製した。以下、比較の太陽電池1と呼ぶ。作製した太陽
電池の特性をAM1.5シュミレーター下で100mW
/cm2の光を照射し、I−V特性を測定し評価した。
非晶質SiGe膜の堆積を省略した構造の太陽電池も作
製した。以下、比較の太陽電池1と呼ぶ。作製した太陽
電池の特性をAM1.5シュミレーター下で100mW
/cm2の光を照射し、I−V特性を測定し評価した。
【0075】本発明の太陽電池1は、比較の太陽電池1
に比べ、電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の
太陽電池1の光電変換効率は比較の太陽電池1に比べ、
約5%程高かった。
に比べ、電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の
太陽電池1の光電変換効率は比較の太陽電池1に比べ、
約5%程高かった。
【0076】また長時間(約100時間)連続してAM
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においても見られなかった。
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においても見られなかった。
【0077】また、本発明の太陽電池1及び比較の太陽
電池1と同じ作製条件で、石英基板上に非晶質SiGe
層及び多結晶シリコンを積層した試料及び石英基板上に
多結晶シリコンのみを堆積した試料を作製し、セコエッ
チング(HFの50%液100ccと重クロム酸カリウ
ムの0.15モル%水溶液50ccを混合させたエッチ
ング液に浸す)を行い欠陥を顕在化させ、走査型電子顕
微鏡で膜の表面を観察したところ、非晶質SiGe層を
基板との間に積層せずに直接多結晶シリコンを堆積した
試料の欠陥密度は、非晶質SiGe層を基板と多結晶シ
リコン膜との間に堆積させた試料の欠陥密度に比べ、1
ケタ以上大きかった。
電池1と同じ作製条件で、石英基板上に非晶質SiGe
層及び多結晶シリコンを積層した試料及び石英基板上に
多結晶シリコンのみを堆積した試料を作製し、セコエッ
チング(HFの50%液100ccと重クロム酸カリウ
ムの0.15モル%水溶液50ccを混合させたエッチ
ング液に浸す)を行い欠陥を顕在化させ、走査型電子顕
微鏡で膜の表面を観察したところ、非晶質SiGe層を
基板との間に積層せずに直接多結晶シリコンを堆積した
試料の欠陥密度は、非晶質SiGe層を基板と多結晶シ
リコン膜との間に堆積させた試料の欠陥密度に比べ、1
ケタ以上大きかった。
【0078】(実施例2)図2及び図3の構造の太陽電
池を下記の手順で作製した。
池を下記の手順で作製した。
【0079】図2の構造の太陽電池は、実施例1と同様
に、ステンレス基板上にAg膜をスパッタリングで堆積
した後、図4のプラズマ装置に入れ、十分真空排気した
後、実施例1と同様の条件でn型伝導の約2500Åの
非晶質のSiGe膜をAg膜上に堆積した。次に非晶質
SiGe層の上に多結晶シリコン層24を堆積した。本
例では、多結晶シリコン層24を作製するときにPH3
ガスの導入は行わず、また膜厚は2μmになるように堆
積時間は30分とした。その他の条件は実施例1と同様
にした。このような手順で作製した太陽電池を本発明の
太陽電池2と呼ぶ。
に、ステンレス基板上にAg膜をスパッタリングで堆積
した後、図4のプラズマ装置に入れ、十分真空排気した
後、実施例1と同様の条件でn型伝導の約2500Åの
非晶質のSiGe膜をAg膜上に堆積した。次に非晶質
SiGe層の上に多結晶シリコン層24を堆積した。本
例では、多結晶シリコン層24を作製するときにPH3
ガスの導入は行わず、また膜厚は2μmになるように堆
積時間は30分とした。その他の条件は実施例1と同様
にした。このような手順で作製した太陽電池を本発明の
太陽電池2と呼ぶ。
【0080】図3の構造の太陽電池は、図2の構造の太
陽電池、すなわち本発明の太陽電池2でn型伝導の非晶
質SiGe層を堆積した後、チャンバー内を真空排気し
た状態で、基板温度を550℃にした。その後SiF4
ガスを20sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%
に希釈したPH3ガスを0.4sccm流した。チャン
バー内の圧力を50Paに設定した。高周波電源より1
3.56MHzの高周波電力100Wを電極56に印加
した。SiF4ガスとPH3ガスは60秒毎に導入と遮断
を繰り返し、一方H2ガスは連続的に流した。この導入
と遮断を6回繰り返した。その結果、基板31の非晶質
SiF433の上に、厚さ500Åのn型の多結晶Si
層38が成膜できた。
陽電池、すなわち本発明の太陽電池2でn型伝導の非晶
質SiGe層を堆積した後、チャンバー内を真空排気し
た状態で、基板温度を550℃にした。その後SiF4
ガスを20sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%
に希釈したPH3ガスを0.4sccm流した。チャン
バー内の圧力を50Paに設定した。高周波電源より1
3.56MHzの高周波電力100Wを電極56に印加
した。SiF4ガスとPH3ガスは60秒毎に導入と遮断
を繰り返し、一方H2ガスは連続的に流した。この導入
と遮断を6回繰り返した。その結果、基板31の非晶質
SiF433の上に、厚さ500Åのn型の多結晶Si
層38が成膜できた。
【0081】なお、この層の膜厚は非常に薄いため、ガ
ラス基板上に膜の堆積とH2プラズマ処理との繰り返し
を60回行って成膜した試料によって評価した。その結
果、暗抵抗率は0.01Ω・cmで、反射電子線回折の
結果は多結晶であった。
ラス基板上に膜の堆積とH2プラズマ処理との繰り返し
を60回行って成膜した試料によって評価した。その結
果、暗抵抗率は0.01Ω・cmで、反射電子線回折の
結果は多結晶であった。
【0082】その後、本発明の太陽電池2と同様の手順
で、図3の構造の太陽電池を作製した。以下、上記の手
順で作製した構造の太陽電池を本発明の太陽電池3と呼
ぶ。
で、図3の構造の太陽電池を作製した。以下、上記の手
順で作製した構造の太陽電池を本発明の太陽電池3と呼
ぶ。
【0083】比較のために、本発明の太陽電池3の作製
手順で、非晶質SiGe層33の作製過程を省略し、そ
の他の作製過程は本発明の太陽電池3と同じ手順で、図
3の構造であるが、非晶質SiGe層33のない構造の
太陽電池を作製した。以下本太陽電池を比較の太陽電池
2と呼ぶ。
手順で、非晶質SiGe層33の作製過程を省略し、そ
の他の作製過程は本発明の太陽電池3と同じ手順で、図
3の構造であるが、非晶質SiGe層33のない構造の
太陽電池を作製した。以下本太陽電池を比較の太陽電池
2と呼ぶ。
【0084】以上のようにして作製した太陽電池をAM
1.5シュミレーター下で100mW/cm2の光を照
射し、I−V特性を測定し、評価した。
1.5シュミレーター下で100mW/cm2の光を照
射し、I−V特性を測定し、評価した。
【0085】本発明の太陽電池2及び3は、いずれも比
較の太陽電池2に比べ、電流が大きく、曲線因子も良か
った。本発明の太陽電池2及び3の光電変換効率は、そ
れぞれ比較の太陽電池2の1.1倍、1.2倍と優れて
いた。
較の太陽電池2に比べ、電流が大きく、曲線因子も良か
った。本発明の太陽電池2及び3の光電変換効率は、そ
れぞれ比較の太陽電池2の1.1倍、1.2倍と優れて
いた。
【0086】また、長時間(約100時間)連続してA
M1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性
の変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
M1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性
の変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
【0087】(実施例3)図1の構造の太陽電池を下記
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
石英基板をアセトン、イソプロピールアルコールで洗浄
し、十分乾燥した後、スパッタリング装置に装着した。
装置内を十分に排気した後、基板温度を300℃にした
後、AgのターゲットでArを30sccm流し、0.
27Paの圧力に調整し、500WのDC電力を印加
し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の金属反射膜
2を成膜した。本実施例では、反射層2は電極を兼ねて
いる。
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
石英基板をアセトン、イソプロピールアルコールで洗浄
し、十分乾燥した後、スパッタリング装置に装着した。
装置内を十分に排気した後、基板温度を300℃にした
後、AgのターゲットでArを30sccm流し、0.
27Paの圧力に調整し、500WのDC電力を印加
し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の金属反射膜
2を成膜した。本実施例では、反射層2は電極を兼ねて
いる。
【0088】次に該基板を図4のプラズマ成膜装置に挿
入、基板温度を250℃にし、実施例1に記載の成膜条
件で上記基板上に、約2500Åの膜厚の非晶質SiG
e膜を成膜した。次に、この基板をプラズマ成膜装置よ
り取り出し、図5に記載したCVD成膜装置に装着し
た。
入、基板温度を250℃にし、実施例1に記載の成膜条
件で上記基板上に、約2500Åの膜厚の非晶質SiG
e膜を成膜した。次に、この基板をプラズマ成膜装置よ
り取り出し、図5に記載したCVD成膜装置に装着し
た。
【0089】図5は本実施例に使用したCVD成膜装置
である。
である。
【0090】図5において、500はCVD成膜装置の
チャンバーであり、501は基板を支持するためのホル
ダー、502は基板ホルダーを加熱するためのヒータ
ー、503は基板ホルダーの温度をモニターするための
熱電対である。ヒーター502及び熱電対503は温度
コントローラー507に接続されており、基板ホルダー
は設定した温度に保たれる。504は石英の反応管であ
り、その内部を流れるガスが赤外ランプヒーター505
により加熱できる構造になっている。506は反応管内
の温度をモニターするための熱電対である。赤外ランプ
ヒーター505及び熱電対506は温度コントローラー
508に接続され、反応管504内の温度がコントロー
ルされる構造になっている。520は反射板で赤外ラン
プの光を反応管内部に集光している。
チャンバーであり、501は基板を支持するためのホル
ダー、502は基板ホルダーを加熱するためのヒータ
ー、503は基板ホルダーの温度をモニターするための
熱電対である。ヒーター502及び熱電対503は温度
コントローラー507に接続されており、基板ホルダー
は設定した温度に保たれる。504は石英の反応管であ
り、その内部を流れるガスが赤外ランプヒーター505
により加熱できる構造になっている。506は反応管内
の温度をモニターするための熱電対である。赤外ランプ
ヒーター505及び熱電対506は温度コントローラー
508に接続され、反応管504内の温度がコントロー
ルされる構造になっている。520は反射板で赤外ラン
プの光を反応管内部に集光している。
【0091】510は原料ガス吹き出し用ノズルであ
り、ガス導入管511より導入された原料ガスはノズル
510でチャンバー内に吹き出し、反応管504内でヒ
ーター505で加熱され、分解されて堆積膜形成用ラジ
カルとなって基板に衝突し、堆積する。未分解のガス
は、不図示の真空排気装置により、チャンバー500内
より排出される。
り、ガス導入管511より導入された原料ガスはノズル
510でチャンバー内に吹き出し、反応管504内でヒ
ーター505で加熱され、分解されて堆積膜形成用ラジ
カルとなって基板に衝突し、堆積する。未分解のガス
は、不図示の真空排気装置により、チャンバー500内
より排出される。
【0092】509はチャンバー内の圧力を測定するた
めの圧力計である。圧力計509からの信号が圧力コン
トローラー518に接続されており、圧力コントローラ
ーからの出力により、圧力コントロールバルブ519の
開閉状態が制御され、チャンバー500内の圧力が設定
した圧力に保たれる。原料ガスが吹き出し口510より
吹き出される。吹き出された原料ガスは、石英の反応管
504の周りに取りつけられた赤外ランプヒーター50
5により、加熱、分解され基板1上に堆積する。原料ガ
ス吹き出しノズル510より吹き出す原料ガスはガス導
入管511より導入される。
めの圧力計である。圧力計509からの信号が圧力コン
トローラー518に接続されており、圧力コントローラ
ーからの出力により、圧力コントロールバルブ519の
開閉状態が制御され、チャンバー500内の圧力が設定
した圧力に保たれる。原料ガスが吹き出し口510より
吹き出される。吹き出された原料ガスは、石英の反応管
504の周りに取りつけられた赤外ランプヒーター50
5により、加熱、分解され基板1上に堆積する。原料ガ
ス吹き出しノズル510より吹き出す原料ガスはガス導
入管511より導入される。
【0093】514はSiH4ガス用のマスフローコン
トローラであり、不図示のSiH4ガスボンベより供給
されるSiH4ガスの流量をコントロールする。51
2,516はバルブであり、それぞれガスボンベとマス
フローコントローラ、マスフローコントローラとガス導
入管との間のガスの流れを開閉を行う。
トローラであり、不図示のSiH4ガスボンベより供給
されるSiH4ガスの流量をコントロールする。51
2,516はバルブであり、それぞれガスボンベとマス
フローコントローラ、マスフローコントローラとガス導
入管との間のガスの流れを開閉を行う。
【0094】515は、H2ガスで5%に希釈されたP
H3ガス用のマスフローコントローラで、513,51
7はそれぞれバルブである。518はH2ガスで5%に
希釈されたB2H6ガス用のマスフローコントローラで、
519,520はそれぞれバルブである。521はH2
ガス用のマスフローコントローラであり、522,52
3はそれぞれバルブである。
H3ガス用のマスフローコントローラで、513,51
7はそれぞれバルブである。518はH2ガスで5%に
希釈されたB2H6ガス用のマスフローコントローラで、
519,520はそれぞれバルブである。521はH2
ガス用のマスフローコントローラであり、522,52
3はそれぞれバルブである。
【0095】図5の装置において、SiH4ガスを50
sccm、H2で5%に希釈したPH 3ガスを0.2sc
cmH2ガスを100sccm流した。チャンバー50
0内の圧力を圧力コントローラー518により100P
aに設定、コントロールした。
sccm、H2で5%に希釈したPH 3ガスを0.2sc
cmH2ガスを100sccm流した。チャンバー50
0内の圧力を圧力コントローラー518により100P
aに設定、コントロールした。
【0096】赤外ランプヒーター505により、原料ガ
スであるSiH4ガスとPH3ガスを800℃に加熱し、
分解した。分解された原料ガスすなわちラジカルは、5
50℃に加熱した基板上に堆積し、膜となった。この状
態を3時間保った。その結果、基板1上には非晶質Si
Ge層3の上に、厚さ約15μmの多結晶シリコン層4
が形成された。
スであるSiH4ガスとPH3ガスを800℃に加熱し、
分解した。分解された原料ガスすなわちラジカルは、5
50℃に加熱した基板上に堆積し、膜となった。この状
態を3時間保った。その結果、基板1上には非晶質Si
Ge層3の上に、厚さ約15μmの多結晶シリコン層4
が形成された。
【0097】得られた試料と同条件で、石英基板のみに
作製した膜の暗抵抗率は4Ω・cmでX線回折の結果
(110)面が強く配向した多結晶シリコンであった。
作製した膜の暗抵抗率は4Ω・cmでX線回折の結果
(110)面が強く配向した多結晶シリコンであった。
【0098】次に基板温度を550℃にし、チャンバー
内を十分真空に保ったまま、SiH 4ガスを10scc
m、H2で5%に希釈したB2H6ガスを0.2scc
m、H2ガスを1slm流した。チャンバー500内の
圧力を圧力コントローラ518により100Paに設定
し、制御した。赤外ランプヒータ505により原料ガス
であるSiH4ガスとB2H6ガスを650℃に加熱し、
分解した。
内を十分真空に保ったまま、SiH 4ガスを10scc
m、H2で5%に希釈したB2H6ガスを0.2scc
m、H2ガスを1slm流した。チャンバー500内の
圧力を圧力コントローラ518により100Paに設定
し、制御した。赤外ランプヒータ505により原料ガス
であるSiH4ガスとB2H6ガスを650℃に加熱し、
分解した。
【0099】この状態を30分保った。その結果基板1
上には、厚さ260Åのp型の多結晶シリコン層が成膜
された。なお、この層の膜厚は、非常に薄いため、石英
のみの基板上に、同じ成膜条件で8時間成膜した試料に
よって膜の特性を評価した。暗抵抗率は0.05Ω・c
m、上記のプロセスでステンレス基板1上にAgの反射
膜2、非晶質SiGe層3、n型の多結晶シリコン層
4、p型の多結晶シリコン層5を形成した。
上には、厚さ260Åのp型の多結晶シリコン層が成膜
された。なお、この層の膜厚は、非常に薄いため、石英
のみの基板上に、同じ成膜条件で8時間成膜した試料に
よって膜の特性を評価した。暗抵抗率は0.05Ω・c
m、上記のプロセスでステンレス基板1上にAgの反射
膜2、非晶質SiGe層3、n型の多結晶シリコン層
4、p型の多結晶シリコン層5を形成した。
【0100】多結晶シリコンのpn接合を形成した基板
をCVD成膜装置より取り出し、電子ビーム蒸着機の中
に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
をCVD成膜装置より取り出し、電子ビーム蒸着機の中
に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
【0101】次に上記基板をスパッタリング装置に挿入
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
【0102】このようにして図1に示す構造の太陽電池
を作製した。以下、本発明の太陽電池4と呼ぶ。
を作製した。以下、本発明の太陽電池4と呼ぶ。
【0103】比較のために同じ作製手順で、3の非晶質
SiGe層の堆積を省略した構造の太陽電池も作製し
た。以下、比較の太陽電池3と呼ぶ。
SiGe層の堆積を省略した構造の太陽電池も作製し
た。以下、比較の太陽電池3と呼ぶ。
【0104】作製した太陽電池の特性をAM1.5シュ
ミレーター下で100mW/cm2の光を照射し、I−
V特性を測定し評価した。
ミレーター下で100mW/cm2の光を照射し、I−
V特性を測定し評価した。
【0105】本発明の太陽電池4は、比較の太陽電池3
に比べ電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の太
陽電池4の光電変換効率は比較の太陽電池3に比べ、約
15%程高かった。
に比べ電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の太
陽電池4の光電変換効率は比較の太陽電池3に比べ、約
15%程高かった。
【0106】また長時間(約100時間)連続してAM
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においても見られなかった。
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においても見られなかった。
【0107】(実施例4)図1の構成の太陽電池を下記
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
ステンレス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで
超音波洗浄し、十分に乾燥した後、スパッタリング装置
に装着した。装着内を十分に排気した後、基板温度を3
00℃にした後、AgのターゲットでArを30scc
m流し、0.27Paの圧力に調整し、500WのDC
電力を印加し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の
金属反応膜2を成膜した。
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
ステンレス基板をアセトン、イソプロピルアルコールで
超音波洗浄し、十分に乾燥した後、スパッタリング装置
に装着した。装着内を十分に排気した後、基板温度を3
00℃にした後、AgのターゲットでArを30scc
m流し、0.27Paの圧力に調整し、500WのDC
電力を印加し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の
金属反応膜2を成膜した。
【0108】次に、ターゲットにSi粉末とSn粉末を
5:5に混合したもの、それにP粉末を0.1at%混
入させ焼結させたものを用いて、H2を60sccm流
し、0.10Paの圧力に調整し、700WのDC電力
を印加し、60分に約1μmの厚さの非晶質SiSn膜
3を成膜した。
5:5に混合したもの、それにP粉末を0.1at%混
入させ焼結させたものを用いて、H2を60sccm流
し、0.10Paの圧力に調整し、700WのDC電力
を印加し、60分に約1μmの厚さの非晶質SiSn膜
3を成膜した。
【0109】堆積した膜の特性は、ガラス基板上に、上
記と同一条件で、60分間堆積した膜で評価した。膜の
暗抵抗率は100Ω・cmであり、反射電子線回折の結
果は、非晶質であった。
記と同一条件で、60分間堆積した膜で評価した。膜の
暗抵抗率は100Ω・cmであり、反射電子線回折の結
果は、非晶質であった。
【0110】上記基板を取り出し、図4のプラズマ成膜
装置の基板ホルダー57上に設置した。基板1を基板ホ
ルダー57に設置した後、チャンバー内を1×10-4P
a以下に排気した。
装置の基板ホルダー57上に設置した。基板1を基板ホ
ルダー57に設置した後、チャンバー内を1×10-4P
a以下に排気した。
【0111】ガスをすべて止め、十分にチャンバー内を
真空排気した後、基板を550℃に加熱した。マスフロ
ーコントローラ47,48,49より、それぞれSiF
4ガスを100sccm、H2ガスを20sccm、H2
ガスで5%に希釈したPH3ガスを0.2sccm流し
た。チャンバー内の圧力を圧力コントローラーで50P
aに設定した。
真空排気した後、基板を550℃に加熱した。マスフロ
ーコントローラ47,48,49より、それぞれSiF
4ガスを100sccm、H2ガスを20sccm、H2
ガスで5%に希釈したPH3ガスを0.2sccm流し
た。チャンバー内の圧力を圧力コントローラーで50P
aに設定した。
【0112】この状態で高周波電源より、13.56M
Hzの高周波電力350Wを電極56に印加し、プラズ
マ放電を電極56と基板ホルダー57との間に生起させ
た。SiF4ガスとH2ガスで5%に希釈したPH3ガス
は、各マスフローコントローラへの信号を制御すること
により、5秒毎に導入及び遮断を繰り返し、チャンバー
内に導入した。一方、H2ガスは常にチャンバーに20
sccm導入した。その結果、5秒毎に膜の堆積とH2
プラズマ処理が行われることとなり、結晶性の優れた多
結晶シリコン膜が形成できた。この状態を3時間繰り返
した。その結果、基板1上には非晶質SiSn膜3の上
に厚さ約12μmの多結晶シリコン層4が形成された。
Hzの高周波電力350Wを電極56に印加し、プラズ
マ放電を電極56と基板ホルダー57との間に生起させ
た。SiF4ガスとH2ガスで5%に希釈したPH3ガス
は、各マスフローコントローラへの信号を制御すること
により、5秒毎に導入及び遮断を繰り返し、チャンバー
内に導入した。一方、H2ガスは常にチャンバーに20
sccm導入した。その結果、5秒毎に膜の堆積とH2
プラズマ処理が行われることとなり、結晶性の優れた多
結晶シリコン膜が形成できた。この状態を3時間繰り返
した。その結果、基板1上には非晶質SiSn膜3の上
に厚さ約12μmの多結晶シリコン層4が形成された。
【0113】得られた試料と同条件でガラス基板上に作
製した試料の抵抗率は、5Ω・cmでX線回折の結果
(110)面が強く配向した多結晶シリコンであった。
製した試料の抵抗率は、5Ω・cmでX線回折の結果
(110)面が強く配向した多結晶シリコンであった。
【0114】次に、基板温度を550℃に加熱したまま
チャンバー内を十分に真空排気した後、SiF4ガスを
20sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%に希釈
したBF3ガスを0.4sccm流した。チャンバー内
の圧力を50Paに設定した。高周波電源より13.5
6MHzの高周波電力100Wを印加した。SiF4ガ
スとBF4ガスは60秒毎に導入と遮断を繰り返し、一
方H2ガスは連続に流した。この導入と遮断を3回繰り
返した。その結果基板1の多結晶シリコン層4の上に厚
さ250Åのp型の多結晶Si層が成膜できた。
チャンバー内を十分に真空排気した後、SiF4ガスを
20sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%に希釈
したBF3ガスを0.4sccm流した。チャンバー内
の圧力を50Paに設定した。高周波電源より13.5
6MHzの高周波電力100Wを印加した。SiF4ガ
スとBF4ガスは60秒毎に導入と遮断を繰り返し、一
方H2ガスは連続に流した。この導入と遮断を3回繰り
返した。その結果基板1の多結晶シリコン層4の上に厚
さ250Åのp型の多結晶Si層が成膜できた。
【0115】なお、この層の膜厚は非常に薄いため、ガ
ラス基板上に膜の堆積とH2プラズマ処理の繰り返しを
60回行って成膜した試料によって評価した。その結果
暗抵抗率は0.02Ω・cmで、反射電子線回折の結果
は多結晶であった。
ラス基板上に膜の堆積とH2プラズマ処理の繰り返しを
60回行って成膜した試料によって評価した。その結果
暗抵抗率は0.02Ω・cmで、反射電子線回折の結果
は多結晶であった。
【0116】上記のプロセスで、ステンレス基板1上に
Agの反射膜2、n型の非晶質SiGe膜3、n型の多
結晶シリコン層4、p型の多結晶シリコン層5を形成し
た。
Agの反射膜2、n型の非晶質SiGe膜3、n型の多
結晶シリコン層4、p型の多結晶シリコン層5を形成し
た。
【0117】多結晶シリコンのpn接合を形成した基板
をプラズマ成膜装置よりとり出し、電子ビーム蒸着機の
中に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
をプラズマ成膜装置よりとり出し、電子ビーム蒸着機の
中に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
【0118】次に上記基板をスパッタリング装置に挿入
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
【0119】このようにして図1に示す三構造の太陽電
池を作製した。以下、本発明の太陽電池5と呼ぶ。
池を作製した。以下、本発明の太陽電池5と呼ぶ。
【0120】比較のために同じ作製手順で、3のn型の
非晶質SiSn膜の堆積を省略した構造の太陽電池も作
製した。以下、比較の太陽電池4と呼ぶ。
非晶質SiSn膜の堆積を省略した構造の太陽電池も作
製した。以下、比較の太陽電池4と呼ぶ。
【0121】作製した太陽電池の特性をAM1.5シュ
ミレーター下で100mW/cm2の光を照射し、I−
V特性を測定し評価した。
ミレーター下で100mW/cm2の光を照射し、I−
V特性を測定し評価した。
【0122】本発明の太陽電池5は、比較の太陽電池4
に比べ電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の太
陽電池5の光電変換効率は比較の太陽電池4に比べ、約
5%程高かった。
に比べ電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の太
陽電池5の光電変換効率は比較の太陽電池4に比べ、約
5%程高かった。
【0123】また長時間(約100時間)連続してAM
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
【0124】また、本発明の太陽電池5、及び比較の太
陽電池4と同じ作製条件で、石英基板上に非晶質SiS
n層及び多結晶シリコンを積層した試料及び石英基板上
に多結晶シリコンのみを堆積した試料を作製し、セコエ
ッチング(HFの50%液100ccと重クロム酸カリ
ウムの0.15モル%水溶液50ccを混合させたエッ
チング液に浸す)を行い欠陥を顕在化させ、走査型電子
顕微鏡で膜の表面を観察したところ非晶質SiSn層を
基板との間に積層しないで、直接多結晶シリコンを堆積
した試料の欠陥密度は、非晶質SiSn層を基板と多結
晶シリコン膜との間に堆積させた試料の欠陥密度に比
べ、1ケタ以上大きかった。
陽電池4と同じ作製条件で、石英基板上に非晶質SiS
n層及び多結晶シリコンを積層した試料及び石英基板上
に多結晶シリコンのみを堆積した試料を作製し、セコエ
ッチング(HFの50%液100ccと重クロム酸カリ
ウムの0.15モル%水溶液50ccを混合させたエッ
チング液に浸す)を行い欠陥を顕在化させ、走査型電子
顕微鏡で膜の表面を観察したところ非晶質SiSn層を
基板との間に積層しないで、直接多結晶シリコンを堆積
した試料の欠陥密度は、非晶質SiSn層を基板と多結
晶シリコン膜との間に堆積させた試料の欠陥密度に比
べ、1ケタ以上大きかった。
【0125】(実施例5)図2及び図3の構造の太陽電
池を下記の手順で作製した。
池を下記の手順で作製した。
【0126】図2の構造の太陽電池は、実施例4と同様
に、ステンレス基板上にAg膜をスパッタリングで堆積
した後、実施例4と同様の条件でn型伝導の約7000
Åの非晶質のSiSn膜をAg膜上に堆積した。次に図
4のプラズマ成膜装置にいれ、十分真空排気した後、非
晶質SiSn層の上に24の多結晶シリコン層を堆積し
た。多結晶シリコン層24を作製するときには、PH3
ガスの導入は行わずに、また膜厚は2μmになるように
堆積時間は30分とした。その他の条件は実施例4と同
様にした。このような手順で作製した太陽電池を本発明
の太陽電池6と呼ぶ。
に、ステンレス基板上にAg膜をスパッタリングで堆積
した後、実施例4と同様の条件でn型伝導の約7000
Åの非晶質のSiSn膜をAg膜上に堆積した。次に図
4のプラズマ成膜装置にいれ、十分真空排気した後、非
晶質SiSn層の上に24の多結晶シリコン層を堆積し
た。多結晶シリコン層24を作製するときには、PH3
ガスの導入は行わずに、また膜厚は2μmになるように
堆積時間は30分とした。その他の条件は実施例4と同
様にした。このような手順で作製した太陽電池を本発明
の太陽電池6と呼ぶ。
【0127】図3の構造の太陽電池は、図2の構造の太
陽電池、すなわち本発明の太陽電池2でn型伝導の非晶
質SiSn層を堆積した後、チャンバー内を真空排気
し、基板温度を550℃にした。その後SiF4ガスを
20sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%に希釈
したPH3ガスを0.4sccm流した。チャンバー内
の圧力を50Paに設定した。高周波電源より13.5
6MHzの高周波電力100Wを電極56に印加した。
SiF4ガスとPH3ガスは60秒毎に導入と遮断を繰り
返し、一方H2ガスは連続的に流した。この導入と遮断
を6回繰り返した。その結果、基板31の非晶質SiF
433の上に、厚さ500Åのn型の多結晶Si層38
が成膜できた。
陽電池、すなわち本発明の太陽電池2でn型伝導の非晶
質SiSn層を堆積した後、チャンバー内を真空排気
し、基板温度を550℃にした。その後SiF4ガスを
20sccm、H2ガスを5sccm、H2で5%に希釈
したPH3ガスを0.4sccm流した。チャンバー内
の圧力を50Paに設定した。高周波電源より13.5
6MHzの高周波電力100Wを電極56に印加した。
SiF4ガスとPH3ガスは60秒毎に導入と遮断を繰り
返し、一方H2ガスは連続的に流した。この導入と遮断
を6回繰り返した。その結果、基板31の非晶質SiF
433の上に、厚さ500Åのn型の多結晶Si層38
が成膜できた。
【0128】なお、この層の膜厚は非常に薄いため、ガ
ラス基板上に膜の堆積とH2プラズマ処理の繰り返しを
60回行って成膜した試料によって評価した。その結果
暗抵抗率は0.01Ω・cmで、反射電子線回折の結果
は多結晶であった。
ラス基板上に膜の堆積とH2プラズマ処理の繰り返しを
60回行って成膜した試料によって評価した。その結果
暗抵抗率は0.01Ω・cmで、反射電子線回折の結果
は多結晶であった。
【0129】その後、本発明の太陽電池6と同様の手
で、図3の構造の太陽電池を作製した。
で、図3の構造の太陽電池を作製した。
【0130】以下、上記の手順で作製した構造の太陽電
池を本発明の太陽電池7と呼ぶ。比較のために、本発明
の太陽電池7の作製手順で、非晶質SiSn層33の作
製過程を省略し、その他の作製過程は本発明の太陽電池
7と同じ手順で、図3の構造であるが非晶質SiSn層
33のない構造の太陽電池を作製した。以下本太陽電池
を比較の太陽電池5と呼ぶ。
池を本発明の太陽電池7と呼ぶ。比較のために、本発明
の太陽電池7の作製手順で、非晶質SiSn層33の作
製過程を省略し、その他の作製過程は本発明の太陽電池
7と同じ手順で、図3の構造であるが非晶質SiSn層
33のない構造の太陽電池を作製した。以下本太陽電池
を比較の太陽電池5と呼ぶ。
【0131】以上のようにして作製した太陽電池をAM
1.5シュミレーター下で100mW/cm2の光を照
射し、I−V特性を測定し、評価した。
1.5シュミレーター下で100mW/cm2の光を照
射し、I−V特性を測定し、評価した。
【0132】本発明の太陽電池6及び7のいずれも比較
の太陽電池5に比べ、電流が大きく、曲線因子も良かっ
た。本発明の太陽電池6及び7の光電変換効率は、それ
ぞれ比較の太陽電池5の1.03倍、1.05倍と秀れ
ていた。
の太陽電池5に比べ、電流が大きく、曲線因子も良かっ
た。本発明の太陽電池6及び7の光電変換効率は、それ
ぞれ比較の太陽電池5の1.03倍、1.05倍と秀れ
ていた。
【0133】また長時間(約100時間)連続してAM
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性の
変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
【0134】(実施例6)図1の構造の太陽電池を下記
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
石英基板をアセトン、イソプロピルアルコールで洗浄
し、十分乾燥した後、スパッタリング装置に装着した。
装置内を十分に排気した後、基板温度を300℃にした
後、AgのターゲットでArを30sccm流し、0.
27Paの圧力に調整し、500WのDC電圧を印加
し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の金属反射膜
2を成膜した。本実施例では、反射層2は電極を兼ねて
いる。
の手順で作製した。厚さ1mm、面積5cm×5cmの
石英基板をアセトン、イソプロピルアルコールで洗浄
し、十分乾燥した後、スパッタリング装置に装着した。
装置内を十分に排気した後、基板温度を300℃にした
後、AgのターゲットでArを30sccm流し、0.
27Paの圧力に調整し、500WのDC電圧を印加
し、20分で約2000Åの厚さのAg膜の金属反射膜
2を成膜した。本実施例では、反射層2は電極を兼ねて
いる。
【0135】次に、ターゲットにSi粉末とSn粉末を
5:5に混合したもの、それにP粉末を0.1at%混
入させ焼結させたものを用いて、H2を60sccm流
し、0.10Paの圧力に調整し、700WのDC電力
を印加し、60分に約1μmの厚さの非晶質SiSn膜
3を成膜した。
5:5に混合したもの、それにP粉末を0.1at%混
入させ焼結させたものを用いて、H2を60sccm流
し、0.10Paの圧力に調整し、700WのDC電力
を印加し、60分に約1μmの厚さの非晶質SiSn膜
3を成膜した。
【0136】次に該基板を、スパッタリング装置より取
り出し、図5のCVD成膜装置に装着した。
り出し、図5のCVD成膜装置に装着した。
【0137】図5の装置において、SiH4ガスを50
sccm、H2で5%に希釈したPH 3ガスを0.2sc
cm、H2ガスを100sccm流した。チャンバー5
00内の圧力を圧力コントローラー518により100
Paに設定、コントロールした。
sccm、H2で5%に希釈したPH 3ガスを0.2sc
cm、H2ガスを100sccm流した。チャンバー5
00内の圧力を圧力コントローラー518により100
Paに設定、コントロールした。
【0138】赤外ランプヒーター505により、原料ガ
スであるSiH4ガスとPH3ガスを800℃に加熱し、
分解した。分解された原料ガスすなわちラジカルは、5
50℃に加熱した基板上に堆積し、膜となった。この状
態を3時間保った。
スであるSiH4ガスとPH3ガスを800℃に加熱し、
分解した。分解された原料ガスすなわちラジカルは、5
50℃に加熱した基板上に堆積し、膜となった。この状
態を3時間保った。
【0139】その結果、基板1上には非晶質SiSn層
3の上に、厚さ約15μmの多結晶シリコン層4が形成
された。得られた試料と同条件で、石英基板のみに作製
した膜の暗抵抗率は4Ω・cmでX線回折の結果(11
0)面が強く配向した多結晶シリコンであった。
3の上に、厚さ約15μmの多結晶シリコン層4が形成
された。得られた試料と同条件で、石英基板のみに作製
した膜の暗抵抗率は4Ω・cmでX線回折の結果(11
0)面が強く配向した多結晶シリコンであった。
【0140】次に基板温度を550℃に保ったまま、チ
ャンバー内を十分に真空排気した後、SiH4ガスを1
0sccm、H2で5%に希釈したB2H6ガスを0.2
sccm、H2ガスを1slm流した。チャンバー50
0内の圧力を圧力コントローラー518により100P
aに設定、コントロールした。赤外ランプヒータ505
により原料ガスであるSiH4ガスとB2H6ガスを65
0℃に加熱し、分解した。この状態を30分保った。
ャンバー内を十分に真空排気した後、SiH4ガスを1
0sccm、H2で5%に希釈したB2H6ガスを0.2
sccm、H2ガスを1slm流した。チャンバー50
0内の圧力を圧力コントローラー518により100P
aに設定、コントロールした。赤外ランプヒータ505
により原料ガスであるSiH4ガスとB2H6ガスを65
0℃に加熱し、分解した。この状態を30分保った。
【0141】その結果、基板1上には、厚さ260Åの
p型の多結晶シリコン層が成膜された。なお、この層の
膜厚は、非常に薄いため、石英のみの基板上に、同じ成
膜条件で8時間成膜した試料によって膜の特性を評価し
た。
p型の多結晶シリコン層が成膜された。なお、この層の
膜厚は、非常に薄いため、石英のみの基板上に、同じ成
膜条件で8時間成膜した試料によって膜の特性を評価し
た。
【0142】暗抵抗率は0.05Ω・cm、上記のプロ
セスでステンレス基板1上にAgの反射膜2、非晶質S
iSn層3、n型の多結晶シリコン層4、p型の多結晶
シリコン層5を形成した。
セスでステンレス基板1上にAgの反射膜2、非晶質S
iSn層3、n型の多結晶シリコン層4、p型の多結晶
シリコン層5を形成した。
【0143】多結晶シリコンのpn接合を形成した基板
をCVD成膜装置よりとり出し、電子ビーム蒸着機の中
に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
をCVD成膜装置よりとり出し、電子ビーム蒸着機の中
に挿入した。マスクを基板の表面に装着し、Cr,A
g,Crの三層よりなる集電電極を形成した。集電電極
の幅は0.1mmで間隔は5mm毎のくし形の集電電極
をつけた。
【0144】次に上記基板をスパッタリング装置に挿入
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
し、10Paの酸素雰囲気中で、In2O3ターゲットを
スパッタリングし、上記集電電極6の上に厚さ650Å
堆積した。
【0145】このようにして図1に示す構造の太陽電池
を作製した。以下、本発明の太陽電池8と呼ぶ。
を作製した。以下、本発明の太陽電池8と呼ぶ。
【0146】比較のために同じ作製手順で、3の非晶質
SiSn層の堆積を省略した構造の太陽電池も作製し
た。以下、比較の太陽電池6と呼ぶ。
SiSn層の堆積を省略した構造の太陽電池も作製し
た。以下、比較の太陽電池6と呼ぶ。
【0147】作製した太陽電池の特性をAM1.5シュ
ミレーター下で100mW/cm2の光を照射し、I−
V特性を測定し評価した。
ミレーター下で100mW/cm2の光を照射し、I−
V特性を測定し評価した。
【0148】本発明の太陽電池8は、比較の太陽電池6
に比べ電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の太
陽電池8の光電変換効率は比較の太陽電池6に比べ、約
6%程高かった。
に比べ電流が大きく、曲線因子も良かった。本発明の太
陽電池8の光電変換効率は比較の太陽電池6に比べ、約
6%程高かった。
【0149】また、長時間(約100時間)連続してA
M1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性
の変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
M1.5、100mW/cm2の光を照射しても、特性
の変化はいずれの太陽電池においてもみられなかった。
【0150】
【発明の効果】以上説明したように、ガラスあるいは金
属等の結晶シリコンと熱膨張係数の大きく異なる基板上
に、多結晶シリコン層を形成する際に、多結晶シリコン
の成膜前に、まず非晶質SiGe層または非晶質SiS
n層を形成することにより、多結晶シリコン形成時の温
度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより生
じる応力歪みに起因する欠陥の発生を抑えることが可能
となった。
属等の結晶シリコンと熱膨張係数の大きく異なる基板上
に、多結晶シリコン層を形成する際に、多結晶シリコン
の成膜前に、まず非晶質SiGe層または非晶質SiS
n層を形成することにより、多結晶シリコン形成時の温
度から室温に冷却する時に、熱膨張係数の違いにより生
じる応力歪みに起因する欠陥の発生を抑えることが可能
となった。
【0151】また、それによって、太陽電池の光電変換
効率も著しく向上した。
効率も著しく向上した。
【図1】本発明の太陽電池の構成例である。
【図2】本発明の太陽電池の他の構成例である。
【図3】本発明の太陽電池のさらに他の構成例である。
【図4】本発明の実施例で用いた非晶質SiGe膜また
は非晶質SiSn膜および多結晶シリコン膜を作製する
ためのプラズマCVD成膜装置の概略図である。
は非晶質SiSn膜および多結晶シリコン膜を作製する
ためのプラズマCVD成膜装置の概略図である。
【図5】本発明で用いた多結晶シリコン膜を作製するた
めのCVD成膜装置の概略図である。
めのCVD成膜装置の概略図である。
1、21、31 基板、
2 金属反射膜、
3 非晶質SiGe膜または非晶質SiSn層、
4 多結晶シリコン膜、
5 4と伝導型の異なる多結晶シリコン膜、
6、26、36 集電電極、
7、27、37 反射防止膜、
22、32 反射膜、
23、33 n型(あるいはp型)の非晶質SiGe膜
または非晶質SiSn膜、 24、34 i型の多結晶シリコン膜、 25、35 p型(あるいはn型)の多結晶シリコン
膜、 38 n型(あるいはp型)の多結晶シリコン膜、 41 プラズマCVD成膜用真空チャンバー、 42 真空排気管、 43 原料ガスの吹き出し管、 44 原料ガスの供給管、 45、512、513、516、517、519、52
0、522、523真空バルブ、 46、47、48、48、49、50、 514、51
8、521 マスフローコントローラ、 51、52、53、54、55 ガス供給管、 56 電極、 57、501 基板ホルダー、 58 マッチングボックス、 59 高周波電源、 60、502 ヒーター、 61、503、506 熱電対、 62、507、508 温度コントローラー、 63 圧力計、 64、519 圧力コントロールバルブ、 65、518 圧力コントローラー、 500 CVD成膜装置真空チャンバー、 504 反応管、 505 赤外ランプヒーター、 509 圧力計、 510 ガス吹き出し用ノズル、 511 ガス導入管、 520 赤外光反射板。
または非晶質SiSn膜、 24、34 i型の多結晶シリコン膜、 25、35 p型(あるいはn型)の多結晶シリコン
膜、 38 n型(あるいはp型)の多結晶シリコン膜、 41 プラズマCVD成膜用真空チャンバー、 42 真空排気管、 43 原料ガスの吹き出し管、 44 原料ガスの供給管、 45、512、513、516、517、519、52
0、522、523真空バルブ、 46、47、48、48、49、50、 514、51
8、521 マスフローコントローラ、 51、52、53、54、55 ガス供給管、 56 電極、 57、501 基板ホルダー、 58 マッチングボックス、 59 高周波電源、 60、502 ヒーター、 61、503、506 熱電対、 62、507、508 温度コントローラー、 63 圧力計、 64、519 圧力コントロールバルブ、 65、518 圧力コントローラー、 500 CVD成膜装置真空チャンバー、 504 反応管、 505 赤外ランプヒーター、 509 圧力計、 510 ガス吹き出し用ノズル、 511 ガス導入管、 520 赤外光反射板。
Claims (6)
- 【請求項1】 結晶シリコンとは異なる材料の基板上
に、非晶質SiGe層または非晶質SiSn層と、多結
晶シリコン層のpn接合層とで構成されることを特徴と
する多結晶シリコン太陽電池。 - 【請求項2】 前記非晶質SiGe層または非晶質Si
Sn層の膜厚方向の抵抗率が106Ω・cm以下である
ことを特徴とする請求項1に記載の多結晶シリコン太陽
電池。 - 【請求項3】 結晶シリコンとは異なる材料の基板上
に、n型もしくはP型の伝導型を有する非晶質SiGe
層または非晶質SiSn層と、真性の伝導を有する多結
晶シリコン層と、該非晶質SiGe層または非晶質Si
Sn層とは異なる伝導型を有する多結晶シリコン層とで
構成されることを特徴とする太陽電池。 - 【請求項4】 前記非晶質SiGe層または非晶質Si
Sn層の膜厚方向の抵抗率が106Ω・cm以下である
ことを特徴とする請求項3に記載の太陽電池。 - 【請求項5】 結晶シリコンとは異なる材料の基板上
に、非晶質SiGe層または非晶質SiSn層と、n型
あるいはp型の伝導型の多結晶シリコン層と、真性の伝
導型を存する多結晶シリコン層と、該n型あるいはp型
の伝導型の多結晶シリコン層とは異なる伝導型のp型あ
るいはn型の多結晶シリコン層とで構成されることを特
徴とする太陽電池。 - 【請求項6】 前記非晶質SiGe層または非晶質Si
Sn層の膜厚方向の抵抗率が106Ω・cm以下である
ことを特徴とする請求項5に記載の太陽電池。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17890794A JP3491977B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 多結晶シリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17890794A JP3491977B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 多結晶シリコン太陽電池 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0846229A JPH0846229A (ja) | 1996-02-16 |
JP3491977B2 true JP3491977B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=16056771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17890794A Expired - Fee Related JP3491977B2 (ja) | 1994-07-29 | 1994-07-29 | 多結晶シリコン太陽電池 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3491977B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020169789A1 (en) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Black-coloured photovoltaic device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO20040756L (no) | 2004-02-20 | 2005-08-22 | Renewable Energy Corp | Fremgangsmate og system for a etablere samsvar og sporbarhet mellom vaffere og solceller |
CN113948389B (zh) * | 2021-08-30 | 2023-03-14 | 西安电子科技大学 | 一种基于衬底背面SiSn外延层的硅基AlGaN/GaN HEMT及制备方法 |
-
1994
- 1994-07-29 JP JP17890794A patent/JP3491977B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020169789A1 (en) * | 2019-02-21 | 2020-08-27 | CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement | Black-coloured photovoltaic device |
US11966201B2 (en) | 2019-02-21 | 2024-04-23 | Nivarox-Far S.A. | Black-coloured photovoltaic device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0846229A (ja) | 1996-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3152328B2 (ja) | 多結晶シリコンデバイス | |
US6337224B1 (en) | Method of producing silicon thin-film photoelectric transducer and plasma CVD apparatus used for the method | |
EP0994515B1 (en) | Method of manufacturing silicon-based thin-film photoelectric conversion device | |
US6653554B2 (en) | Thin film polycrystalline solar cells and methods of forming same | |
JP2002343993A5 (ja) | ||
JP2001332749A (ja) | 半導体薄膜の形成方法およびアモルファスシリコン太陽電池素子 | |
JPH11330520A (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法とその方法に用いられるプラズマcvd装置 | |
JP3672754B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JP3491977B2 (ja) | 多結晶シリコン太陽電池 | |
JP2000252218A (ja) | プラズマcvd装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JPH07263731A (ja) | 多結晶シリコンデバイス | |
JP2004296599A (ja) | 薄膜多結晶シリコン太陽電池及びその製造方法 | |
JP2918814B2 (ja) | 光起電力素子及びその製造方法 | |
JP3201540B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
JP4335351B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JP2592809B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
JP3672750B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JP3556483B2 (ja) | シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JPH04266067A (ja) | 光起電力素子 | |
JP2675174B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JPH11214717A (ja) | 薄膜多結晶Si太陽電池 | |
JP2000252216A (ja) | プラズマcvd装置およびシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JP2004111551A (ja) | シリコン光起電力素子及びその製造方法 | |
JP2829656B2 (ja) | 光起電力素子 | |
Fujimoto et al. | Development of thin film silicon solar cells using PCVD process |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081114 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091114 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101114 Year of fee payment: 7 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |