JP3478612B2 - 半導体デバイス検査システム - Google Patents
半導体デバイス検査システムInfo
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
- G01R31/311—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation of integrated circuits
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの異常
発生解析や信頼性評価などに供される半導体デバイス検
査システムに関する。
発生解析や信頼性評価などに供される半導体デバイス検
査システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＶＬＳＩなどの半導体デバイスの
高集積化に伴い、半導体チップに形成されている内部回
路などの異常解析や信頼性評価を行うことの困難性が益
々増大してきている。
高集積化に伴い、半導体チップに形成されている内部回
路などの異常解析や信頼性評価を行うことの困難性が益
々増大してきている。
【０００３】このような現状において、半導体デバイス
の異常箇所から発生する極めて微弱な光（以下、極微弱
光という）を検出することにより異常箇所を突き止める
解析技術が注目され、この解析技術を適用した半導体デ
バイス検査装置として、エミッション顕微鏡が知られて
いる。
の異常箇所から発生する極めて微弱な光（以下、極微弱
光という）を検出することにより異常箇所を突き止める
解析技術が注目され、この解析技術を適用した半導体デ
バイス検査装置として、エミッション顕微鏡が知られて
いる。
【０００４】エミッション顕微鏡は、半導体デバイス内
部の異常箇所に電界が集中したときに生じるホットキャ
リアに起因して発生する極微弱光や、ラッチアップなど
に起因する赤外域の極微弱光を高感度で撮像するので、
被検査半導体デバイスを非接触且つ高精度で測定するこ
とができるという優れた機能を有する。
部の異常箇所に電界が集中したときに生じるホットキャ
リアに起因して発生する極微弱光や、ラッチアップなど
に起因する赤外域の極微弱光を高感度で撮像するので、
被検査半導体デバイスを非接触且つ高精度で測定するこ
とができるという優れた機能を有する。
【０００５】ところが、エミッション顕微鏡は、可視な
いし赤外域の発光を検出するものであるので、極微弱光
の発生箇所とエミッション顕微鏡との間になんらかの遮
蔽物が存在すると、測定不能となる問題がある。具体例
としては、図７に示す半導体デバイスのように、高集積
化を図るために、膨大な数のトランジスタなどの素子間
接続を表面側の多層配線で行うチップ構造が適用される
ようになったことから、多層配線下の素子の異常に起因
して発生した極微弱光が多層配線によって遮られてしま
い、半導体デバイスの表面側からでは、測定不能若しく
は高精度の測定ができないなどの問題を招来する。又、
リードオンチップ（Lead On Chip）と呼ばれるパッケー
ジング構造が適用された半導体デバイスにあっては、半
導体チップの表面側をリードフレームが覆う構造となっ
ているので、多層配線の場合と同様に、リードフレーム
が遮蔽物となって極微弱光を遮断してしまい、測定不能
若しくは高精度の測定ができない。
いし赤外域の発光を検出するものであるので、極微弱光
の発生箇所とエミッション顕微鏡との間になんらかの遮
蔽物が存在すると、測定不能となる問題がある。具体例
としては、図７に示す半導体デバイスのように、高集積
化を図るために、膨大な数のトランジスタなどの素子間
接続を表面側の多層配線で行うチップ構造が適用される
ようになったことから、多層配線下の素子の異常に起因
して発生した極微弱光が多層配線によって遮られてしま
い、半導体デバイスの表面側からでは、測定不能若しく
は高精度の測定ができないなどの問題を招来する。又、
リードオンチップ（Lead On Chip）と呼ばれるパッケー
ジング構造が適用された半導体デバイスにあっては、半
導体チップの表面側をリードフレームが覆う構造となっ
ているので、多層配線の場合と同様に、リードフレーム
が遮蔽物となって極微弱光を遮断してしまい、測定不能
若しくは高精度の測定ができない。
【０００６】更にエミッション顕微鏡を適用した他の問
題点として、例えば、図８に示すように、プラスチック
モールドの表面側を発煙硝酸などで化学的に除去するこ
とによって、内部の半導体チップの表面を露出させ、更
に、リードフレームに所定のバイアス電源を接続するこ
とによって半導体チップの内部回路に電力を供給したと
きに異常箇所から発生する極微弱光ｈνを半導体チップ
の表面側から観測する方法が知られている。しかし、発
煙硝酸などで化学的に除去すると、半導体チップ内の回
路パターンなどに損傷を与え、本来観測すべき異常箇所
を観測できないという問題を招来する。
題点として、例えば、図８に示すように、プラスチック
モールドの表面側を発煙硝酸などで化学的に除去するこ
とによって、内部の半導体チップの表面を露出させ、更
に、リードフレームに所定のバイアス電源を接続するこ
とによって半導体チップの内部回路に電力を供給したと
きに異常箇所から発生する極微弱光ｈνを半導体チップ
の表面側から観測する方法が知られている。しかし、発
煙硝酸などで化学的に除去すると、半導体チップ内の回
路パターンなどに損傷を与え、本来観測すべき異常箇所
を観測できないという問題を招来する。
【０００７】そこで、このようなエミッション顕微鏡の
問題点を解決するために、半導体デバイス検査システム
（特願平５−１７７９５７号）が開発された。この検査
システムは、半導体デバイスの裏面側、即ち、半導体チ
ップにおける多層配線などの遮蔽物が形成されていない
裏面側（基板側）を赤外落射照明手段にて照明しつつそ
の反射光像を撮像し、更に、無照明下で半導体デバイス
の異常箇所から生じる極微弱光の異常光像を撮像して、
これらの反射光像の左右反転画像と異常光像の左右反転
画像とを重畳加算することによって、半導体デバイスの
表面側から撮像したのと等価な観測画像を得るようにし
ている。即ち、上記の赤外線落射照明による撮像時に
は、赤外線が半導体チップ内（基板内）を透過し且つ反
射するので、半導体チップに形成されている配線パター
ンなどを裏面側から透視撮像することができ、更に、こ
れによって得られる反射光像を左右反転画像に変換する
ことで、配線パターンなどを表面側から見たのと等価な
第１の画像を得ることができる。一方、無照明下での撮
像時には、半導体チップ内で生じる極微弱光の光像を裏
面側から撮像することができ、更に、これによって得ら
れる異常光像を左右反転画像に変化することで、極微弱
光の光像を表面側から見たのと等価な第２の画像を得る
ことができる。そして、これら表面側から見たのと等価
な第１，第２の画像同士を重畳加算することによって、
配線パターン中の異常箇所を特定する観測画像を得るこ
とができる。
問題点を解決するために、半導体デバイス検査システム
（特願平５−１７７９５７号）が開発された。この検査
システムは、半導体デバイスの裏面側、即ち、半導体チ
ップにおける多層配線などの遮蔽物が形成されていない
裏面側（基板側）を赤外落射照明手段にて照明しつつそ
の反射光像を撮像し、更に、無照明下で半導体デバイス
の異常箇所から生じる極微弱光の異常光像を撮像して、
これらの反射光像の左右反転画像と異常光像の左右反転
画像とを重畳加算することによって、半導体デバイスの
表面側から撮像したのと等価な観測画像を得るようにし
ている。即ち、上記の赤外線落射照明による撮像時に
は、赤外線が半導体チップ内（基板内）を透過し且つ反
射するので、半導体チップに形成されている配線パター
ンなどを裏面側から透視撮像することができ、更に、こ
れによって得られる反射光像を左右反転画像に変換する
ことで、配線パターンなどを表面側から見たのと等価な
第１の画像を得ることができる。一方、無照明下での撮
像時には、半導体チップ内で生じる極微弱光の光像を裏
面側から撮像することができ、更に、これによって得ら
れる異常光像を左右反転画像に変化することで、極微弱
光の光像を表面側から見たのと等価な第２の画像を得る
ことができる。そして、これら表面側から見たのと等価
な第１，第２の画像同士を重畳加算することによって、
配線パターン中の異常箇所を特定する観測画像を得るこ
とができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
従来の半導体デバイス検査システムを更に改良すること
を目的とし、特に、赤外落射照明下での反射光像をより
鮮明に裏面撮像すると共に、無照明下での極微弱光の光
像をより鮮明に裏面撮像することを目的とする。
従来の半導体デバイス検査システムを更に改良すること
を目的とし、特に、赤外落射照明下での反射光像をより
鮮明に裏面撮像すると共に、無照明下での極微弱光の光
像をより鮮明に裏面撮像することを目的とする。
【０００９】更にかかる課題を詳述すれば、一般的な赤
外落射照明は、光源としてのハロゲンランプと光学的バ
ンドパスフィルタとを組み合わせて、ハロゲンランプか
ら出射された光のうち所望の波長帯域の赤外光のみを光
学的バンドパスフィルタから出射させる構成となってい
る。例えば、シリコン半導体デバイスを透過撮像する場
合には、シリコン基板のバンドギャップエネルギー（約
１．１ｅＶ）に相当する吸収端波長（約１１００ｎｍ）
よりも長波長の赤外光が得られる光学的バンドパスフィ
ルタを適用することによって、シリコン半導体デバイス
における透過率の向上を図り、ひいては鮮明な反射光像
を得るようにしている。
外落射照明は、光源としてのハロゲンランプと光学的バ
ンドパスフィルタとを組み合わせて、ハロゲンランプか
ら出射された光のうち所望の波長帯域の赤外光のみを光
学的バンドパスフィルタから出射させる構成となってい
る。例えば、シリコン半導体デバイスを透過撮像する場
合には、シリコン基板のバンドギャップエネルギー（約
１．１ｅＶ）に相当する吸収端波長（約１１００ｎｍ）
よりも長波長の赤外光が得られる光学的バンドパスフィ
ルタを適用することによって、シリコン半導体デバイス
における透過率の向上を図り、ひいては鮮明な反射光像
を得るようにしている。
【００１０】しかし、このハロゲンランプ自体は赤外域
でも高精度の光を出射するものの、一般的に、光学的バ
ンドパスフィルタの透過特性は、ある特定波長での透過
率が最大となりその両側帯域での透過率が減少するとい
う、いわゆる三角形状の透過特性を有するので、光学的
バンドパスフィルタから出射される赤外光は、半導体デ
バイスに対して最大透過率が得られるものとはならな
い。即ち、所望の波長帯域にわたって高強度の赤外光を
得ることができない。また、半導体デバイスを透過し且
つ反射してきた反射光像の波長帯域と、この反射光像を
撮像するための撮像デバイスの分光特性が一致しないた
めに、十分な撮像感度が得られない。
でも高精度の光を出射するものの、一般的に、光学的バ
ンドパスフィルタの透過特性は、ある特定波長での透過
率が最大となりその両側帯域での透過率が減少するとい
う、いわゆる三角形状の透過特性を有するので、光学的
バンドパスフィルタから出射される赤外光は、半導体デ
バイスに対して最大透過率が得られるものとはならな
い。即ち、所望の波長帯域にわたって高強度の赤外光を
得ることができない。また、半導体デバイスを透過し且
つ反射してきた反射光像の波長帯域と、この反射光像を
撮像するための撮像デバイスの分光特性が一致しないた
めに、十分な撮像感度が得られない。
【００１１】また、半導体チップの基板を可能な限り薄
く研磨することによって、赤外光の基板内での減衰を低
減して、反射光像の光強度を高く維持することが考えら
れるが、損傷なく半導体チップを薄く研磨することは極
めて煩雑且つ困難である。また、たとえ薄く研磨するこ
とができたとしても、基板から反射されてくる反射光像
と、拡大撮像するために設けられている対物レンズの焦
点深度の深さによる研磨表面の像とが重なってしまい、
鮮明な反射光像を撮像することができないなどの問題が
ある。
く研磨することによって、赤外光の基板内での減衰を低
減して、反射光像の光強度を高く維持することが考えら
れるが、損傷なく半導体チップを薄く研磨することは極
めて煩雑且つ困難である。また、たとえ薄く研磨するこ
とができたとしても、基板から反射されてくる反射光像
と、拡大撮像するために設けられている対物レンズの焦
点深度の深さによる研磨表面の像とが重なってしまい、
鮮明な反射光像を撮像することができないなどの問題が
ある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明の半導体デバイス検査システムは、半
導体デバイスの裏面側を撮像する撮像手段と、照明光源
から放射された赤外域まで延びる広波長帯域の光を通す
位置に、前記半導体デバイスと同材質からなる光学フィ
ルタを配置することによって、前記半導体デバイスの裏
面側を照明する赤外域の光を形成する赤外落射照明手段
と、前記撮像手段が前記赤外落射照明手段による照明下
で前記半導体デバイスの裏面側を撮像することによって
出力する画素データの画素単位の配列を左右反転させて
第１の左右反転画素データを作成する画像反転手段と、
前記第１の左右反転画素データに基づいて表示手段に再
生画像を表示させる表示制御手段とを備え、前記画像反
転手段は、前記第１の左右反転画素データを作成すると
ともに、無照明下で前記撮像手段が半導体デバイスの異
常箇所から生じる極微弱光の像を撮像することによって
出力する画素データの画素単位の配列を左右反転させて
第２の左右反転画素データを作成し、前記画像反転手段
で作成された前記第１の左右反転画素データと前記第２
の左右反転画素データとを画素配列を一致させて重畳加
算して出力する加算手段と、前記加算手段から出力され
る重畳加算データに基づいて表示手段に再生画像を表示
させる前記表示制御手段である重畳表示制御手段と、を
さらに備えることとした。
るために、本発明の半導体デバイス検査システムは、半
導体デバイスの裏面側を撮像する撮像手段と、照明光源
から放射された赤外域まで延びる広波長帯域の光を通す
位置に、前記半導体デバイスと同材質からなる光学フィ
ルタを配置することによって、前記半導体デバイスの裏
面側を照明する赤外域の光を形成する赤外落射照明手段
と、前記撮像手段が前記赤外落射照明手段による照明下
で前記半導体デバイスの裏面側を撮像することによって
出力する画素データの画素単位の配列を左右反転させて
第１の左右反転画素データを作成する画像反転手段と、
前記第１の左右反転画素データに基づいて表示手段に再
生画像を表示させる表示制御手段とを備え、前記画像反
転手段は、前記第１の左右反転画素データを作成すると
ともに、無照明下で前記撮像手段が半導体デバイスの異
常箇所から生じる極微弱光の像を撮像することによって
出力する画素データの画素単位の配列を左右反転させて
第２の左右反転画素データを作成し、前記画像反転手段
で作成された前記第１の左右反転画素データと前記第２
の左右反転画素データとを画素配列を一致させて重畳加
算して出力する加算手段と、前記加算手段から出力され
る重畳加算データに基づいて表示手段に再生画像を表示
させる前記表示制御手段である重畳表示制御手段と、を
さらに備えることとした。
【００１３】
【作用】かかる構造を有する本発明の赤外線半導体デバ
イス検査システムにあっては、測定すべき半導体デバイ
スをその裏面から撮像すると共に、パターン像と異常発
生箇所からの極微弱光の像を撮像し、表面から観測した
のと等価な像としてスーパーインポーズ表示するので、
表面側にアルミニウム配線のような光を遮蔽する物体が
存在していても、異常発生箇所の特定を高精度で実現す
る。更に、裏面側から撮像した極微弱光の像を表面から
観測したのと等価な像にリアルタイムで変換して表示す
るので、異常発生解析を短時間に行うことができる。
イス検査システムにあっては、測定すべき半導体デバイ
スをその裏面から撮像すると共に、パターン像と異常発
生箇所からの極微弱光の像を撮像し、表面から観測した
のと等価な像としてスーパーインポーズ表示するので、
表面側にアルミニウム配線のような光を遮蔽する物体が
存在していても、異常発生箇所の特定を高精度で実現す
る。更に、裏面側から撮像した極微弱光の像を表面から
観測したのと等価な像にリアルタイムで変換して表示す
るので、異常発生解析を短時間に行うことができる。
【００１４】更に、測定すべき半導体デバイスと同材質
からなる光学フィルタを適用して照明用の赤外光を形成
するようにしたので、その半導体デバイスに対して透過
率の高い赤外光が得られ、半導体デバイスの表面で反射
し易い短波長の光が遮断される結果、雑音成分やオフセ
ット成分の少ない鮮明な反射光像を撮像することができ
る。
からなる光学フィルタを適用して照明用の赤外光を形成
するようにしたので、その半導体デバイスに対して透過
率の高い赤外光が得られ、半導体デバイスの表面で反射
し易い短波長の光が遮断される結果、雑音成分やオフセ
ット成分の少ない鮮明な反射光像を撮像することができ
る。
【００１５】典型例として、シリコン半導体から成る半
導体デバイスを測定するために、それと同じ材質のシリ
コンフィルタを光学フィルタに適用するものとすれば、
シリコンフィルタの吸収端波長は、シリコンのバンドギ
ャップエネルギー（約１．１ｅＶ）に相当する波長（約
１１００ｎｍ）であるので、この吸収端波長より短波長
の光が除去されそれより長波長の赤外光が半導体デバイ
スに照射されることとなり、この赤外光の波長帯域と半
導体デバイスの透過感度域が一致する結果、高感度の撮
像を実現することができる。
導体デバイスを測定するために、それと同じ材質のシリ
コンフィルタを光学フィルタに適用するものとすれば、
シリコンフィルタの吸収端波長は、シリコンのバンドギ
ャップエネルギー（約１．１ｅＶ）に相当する波長（約
１１００ｎｍ）であるので、この吸収端波長より短波長
の光が除去されそれより長波長の赤外光が半導体デバイ
スに照射されることとなり、この赤外光の波長帯域と半
導体デバイスの透過感度域が一致する結果、高感度の撮
像を実現することができる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明による赤外線半導体デバイス検
査システムの一実施例を図面と共に説明する。まず、こ
の実施例の全体構成を図１に基づいて説明すると、この
半導体デバイス検査システムは、暗箱１を有する観測部
Ａと、暗箱１内に設置される冷却ＣＣＤカメラ２その他
の構成要素を制御するための制御部Ｂと、冷却ＣＣＤカ
メラ２から出力される画像信号を上記の制御部Ｂを介し
て入力して所定の画像処理を行う解析部Ｃとを具備して
いる。
査システムの一実施例を図面と共に説明する。まず、こ
の実施例の全体構成を図１に基づいて説明すると、この
半導体デバイス検査システムは、暗箱１を有する観測部
Ａと、暗箱１内に設置される冷却ＣＣＤカメラ２その他
の構成要素を制御するための制御部Ｂと、冷却ＣＣＤカ
メラ２から出力される画像信号を上記の制御部Ｂを介し
て入力して所定の画像処理を行う解析部Ｃとを具備して
いる。
【００１７】外部からの光の入射を遮断する暗箱１内に
は、測定対象である半導体デバイスＳを載せてＸＹＺ座
標方向へ移動させることにより半導体デバイスＳを位置
決めする電動ＸＹＺステージ３と、電動ＸＹＺステージ
３に対向配置されると共に半導体デバイスＳからの像を
所定範囲内での任意倍率で拡大などする撮像光学系４
と、撮像光学系４を通過した像を撮像する冷却ＣＣＤカ
メラ２と、撮像光学系４を介して半導体デバイスＳに落
射照明用の赤外光を照射する赤外線落射照明装置５と、
電動ＸＹＺステージ３に給電することによって駆動制御
するステージ駆動部６と、半導体デバイスＳを作動させ
るための電力供給や制御信号などの供給を行うためのテ
ストフィクスチャ７と、これら制御信号などの供給をテ
ストフィクスチャ７に指令するためのコネクタパネル８
が備えられている。
は、測定対象である半導体デバイスＳを載せてＸＹＺ座
標方向へ移動させることにより半導体デバイスＳを位置
決めする電動ＸＹＺステージ３と、電動ＸＹＺステージ
３に対向配置されると共に半導体デバイスＳからの像を
所定範囲内での任意倍率で拡大などする撮像光学系４
と、撮像光学系４を通過した像を撮像する冷却ＣＣＤカ
メラ２と、撮像光学系４を介して半導体デバイスＳに落
射照明用の赤外光を照射する赤外線落射照明装置５と、
電動ＸＹＺステージ３に給電することによって駆動制御
するステージ駆動部６と、半導体デバイスＳを作動させ
るための電力供給や制御信号などの供給を行うためのテ
ストフィクスチャ７と、これら制御信号などの供給をテ
ストフィクスチャ７に指令するためのコネクタパネル８
が備えられている。
【００１８】次に、撮像光学系４及び赤外線落射照明装
置５の構成を図２に基づいて詳述する。撮像光学系４
は、半導体デバイスＳからの像を所定範囲内での任意の
倍率で拡大することができる対物レンズ系４ａと、この
対物レンズ系４ａで拡大された像を冷却ＣＣＤカメラ２
の受光面に結像させるための結像レンズ系４ｂと、対物
レンズ系４ａないし結像レンズ系４ｂの間に介在された
ハーフミラー４ｃとを有し、これらの対物レンズ系４ａ
とハーフミラー４ｃ及び結像レンズ系４ｂの光軸が、冷
却ＣＣＤカメラ２の受光面の中心の法線方向に一致して
いる。尚、ハーフミラー４ｃは、対物レンズ系４ａから
の像を結像レンズ系４ｂへ透過させると共に、赤外線落
射照明装置５からの照明用赤外光を対物レンズ系４ａ側
へ反射させる。
置５の構成を図２に基づいて詳述する。撮像光学系４
は、半導体デバイスＳからの像を所定範囲内での任意の
倍率で拡大することができる対物レンズ系４ａと、この
対物レンズ系４ａで拡大された像を冷却ＣＣＤカメラ２
の受光面に結像させるための結像レンズ系４ｂと、対物
レンズ系４ａないし結像レンズ系４ｂの間に介在された
ハーフミラー４ｃとを有し、これらの対物レンズ系４ａ
とハーフミラー４ｃ及び結像レンズ系４ｂの光軸が、冷
却ＣＣＤカメラ２の受光面の中心の法線方向に一致して
いる。尚、ハーフミラー４ｃは、対物レンズ系４ａから
の像を結像レンズ系４ｂへ透過させると共に、赤外線落
射照明装置５からの照明用赤外光を対物レンズ系４ａ側
へ反射させる。
【００１９】赤外線落射照明装置５は、光源であるハロ
ゲンランプ５ａを備えると共に、ハロゲンランプ５ａか
ら放射される光から照明用赤外光を形成してハーフミラ
ー４ｃへ出射するための、コンデンサレンズ５ｂ、透過
型光学フィルタ５ｃ、コンデンサレンズ５ｄ、拡散板５
ｅ、及び視野絞り５ｆが同一光軸に沿って設けられてい
る。即ち、ハロゲンランプ５ａから放射された光はコン
デンサレンズ５ｂで平行光となり、光学フィルタ５ｃが
平行光のうち所定波長以上の赤外光だけを透過し、コン
デンサレンズ５ｄがこの赤外光をその焦点位置に集光す
る。拡散板５ｅはコンデンサレンズ５ｄの焦点位置に配
置されており、集光した赤外光を均一に変換し、更に、
視野絞り５ｆが、均一化された赤外光を所定光束に絞っ
てハーフミラー４ｃへ出射する。
ゲンランプ５ａを備えると共に、ハロゲンランプ５ａか
ら放射される光から照明用赤外光を形成してハーフミラ
ー４ｃへ出射するための、コンデンサレンズ５ｂ、透過
型光学フィルタ５ｃ、コンデンサレンズ５ｄ、拡散板５
ｅ、及び視野絞り５ｆが同一光軸に沿って設けられてい
る。即ち、ハロゲンランプ５ａから放射された光はコン
デンサレンズ５ｂで平行光となり、光学フィルタ５ｃが
平行光のうち所定波長以上の赤外光だけを透過し、コン
デンサレンズ５ｄがこの赤外光をその焦点位置に集光す
る。拡散板５ｅはコンデンサレンズ５ｄの焦点位置に配
置されており、集光した赤外光を均一に変換し、更に、
視野絞り５ｆが、均一化された赤外光を所定光束に絞っ
てハーフミラー４ｃへ出射する。
【００２０】尚、この実施例では、光学フィルタ５ｃ
は、測定すべき半導体デバイスＳがシリコン半導体によ
り形成されているのに対応して、半導体デバイスＳと同
材質の透過型光学フィルタが適用されている。そして、
視野絞り５ｆから出射された赤外光はハーフミラー４ｃ
で反射されて対物レンズ４ａを透過し、半導体デバイス
Ｓへ照射される。
は、測定すべき半導体デバイスＳがシリコン半導体によ
り形成されているのに対応して、半導体デバイスＳと同
材質の透過型光学フィルタが適用されている。そして、
視野絞り５ｆから出射された赤外光はハーフミラー４ｃ
で反射されて対物レンズ４ａを透過し、半導体デバイス
Ｓへ照射される。
【００２１】次に、冷却ＣＣＤカメラ２及び制御部Ｂの
構成を図３に基づいて説明する。まず、冷却ＣＣＤカメ
ラ２は、例えば、１０００×１０１８個の画素を有する
ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａと、ＣＣＤ固体撮像デバイ
ス２ａに固着されたペルチェ素子２ｂを備え、これらの
ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａとペルチェ素子２ｂは真空
ポンプ（図示せず）によって常に真空状態に設定された
真空雰囲気中に収容されている。更に、ＣＣＤ固体撮像
デバイス２ａの受光面（結像レンズ系４ｂによる結像面
と一致する）の前方には、シャッタ機構２ｃが配設され
ている。そして、ＣＣＤ駆動回路２ｄが、制御部Ｂ内の
タイミングジェネレータ９ｂから供給される同期信号Ｃ
Ｋに同期してＣＣＤ固体撮像デバイス２ａの撮像動作を
制御し、シャッタ駆動回路２ｅが、マイクロプロセッサ
などを有する中央処理部９ａからの指令に基づいて、シ
ャッタ機構２ｃの開閉動作を制御し、更に、ペルチェ素
子２ｂが制御部内のペルチェ素子制御回路９ｃから供給
される電流によって駆動されることにより、ＣＣＤ固体
撮像デバイス２ａを常に一定温度で冷却して、内部での
暗電流の発生を抑制すると同時に、冷却ＣＣＤカメラ２
全体での熱雑音の発生を抑制する。尚、この冷却ＣＣＤ
カメラ２は、長い露光時間で撮像して低周波数の点順次
タイミングでＣＣＤ固体撮像デバイス２ａから各画素信
号ＰL を読み出す低速撮像モードと、それより短い露光
時間で撮像して高周波数の点順次タイミングでＣＣＤ固
体撮像デバイス２ａから各画素信号ＰH を読み出す高速
撮像モードとを切換え設定することができ、低速撮像モ
ードでは、１フレーム周期（１静止画像分の全画素信号
を読み出すための周期）が４秒、高速撮像モードでは、
０．１２５秒に設定されている。
構成を図３に基づいて説明する。まず、冷却ＣＣＤカメ
ラ２は、例えば、１０００×１０１８個の画素を有する
ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａと、ＣＣＤ固体撮像デバイ
ス２ａに固着されたペルチェ素子２ｂを備え、これらの
ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａとペルチェ素子２ｂは真空
ポンプ（図示せず）によって常に真空状態に設定された
真空雰囲気中に収容されている。更に、ＣＣＤ固体撮像
デバイス２ａの受光面（結像レンズ系４ｂによる結像面
と一致する）の前方には、シャッタ機構２ｃが配設され
ている。そして、ＣＣＤ駆動回路２ｄが、制御部Ｂ内の
タイミングジェネレータ９ｂから供給される同期信号Ｃ
Ｋに同期してＣＣＤ固体撮像デバイス２ａの撮像動作を
制御し、シャッタ駆動回路２ｅが、マイクロプロセッサ
などを有する中央処理部９ａからの指令に基づいて、シ
ャッタ機構２ｃの開閉動作を制御し、更に、ペルチェ素
子２ｂが制御部内のペルチェ素子制御回路９ｃから供給
される電流によって駆動されることにより、ＣＣＤ固体
撮像デバイス２ａを常に一定温度で冷却して、内部での
暗電流の発生を抑制すると同時に、冷却ＣＣＤカメラ２
全体での熱雑音の発生を抑制する。尚、この冷却ＣＣＤ
カメラ２は、長い露光時間で撮像して低周波数の点順次
タイミングでＣＣＤ固体撮像デバイス２ａから各画素信
号ＰL を読み出す低速撮像モードと、それより短い露光
時間で撮像して高周波数の点順次タイミングでＣＣＤ固
体撮像デバイス２ａから各画素信号ＰH を読み出す高速
撮像モードとを切換え設定することができ、低速撮像モ
ードでは、１フレーム周期（１静止画像分の全画素信号
を読み出すための周期）が４秒、高速撮像モードでは、
０．１２５秒に設定されている。
【００２２】一方、制御部Ｂは、観測部Ａと制御部Ｂと
の全体動作を制御する中央処理部９ａと、ＣＣＤ駆動回
路２ｄを介してＣＣＤ固体撮像デバイス２ａの上記低速
撮像モード及び高速撮像モードでの撮像タイミングを設
定するための同期信号ＣＫを発生するタイミングジェネ
レータ９ｂと、ペルチェ素子２ｂを温度制御するペルチ
ェ素子制御回路９ｃと、観測部Ａと制御部Ｂとの全体動
作に必要な電力供給源９ｄが設けられている。
の全体動作を制御する中央処理部９ａと、ＣＣＤ駆動回
路２ｄを介してＣＣＤ固体撮像デバイス２ａの上記低速
撮像モード及び高速撮像モードでの撮像タイミングを設
定するための同期信号ＣＫを発生するタイミングジェネ
レータ９ｂと、ペルチェ素子２ｂを温度制御するペルチ
ェ素子制御回路９ｃと、観測部Ａと制御部Ｂとの全体動
作に必要な電力供給源９ｄが設けられている。
【００２３】更に、制御部Ｂには、低速撮像モードにお
いてＣＣＤ固体撮像デバイス２ａから所定の点順次タイ
ミング（１画素毎の読出しタイミング、以下、低速点順
次タイミングという）で読み出される画素信号ＰL をそ
の低速点順次タイミングに同期してサンプルホールドす
る低速走査回路９ｅと、高速撮像モードにおいてＣＣＤ
固体撮像デバイス２ａから所定の点順次タイミング（以
下、高速点順次タイミングという）で読み出される画素
信号ＰH をその高速点順次タイミングに同期してサンプ
ルホールドする高速走査回路９ｆと、ＣＣＤ固体撮像デ
バイス２ａから読み出される上記の画素信号ＰL ，ＰH
を、撮像モード毎に切換えて低速走査回路９ｅ並びに高
速走査回路９ｆへ転送する切換回路９ｇを具備してい
る。
いてＣＣＤ固体撮像デバイス２ａから所定の点順次タイ
ミング（１画素毎の読出しタイミング、以下、低速点順
次タイミングという）で読み出される画素信号ＰL をそ
の低速点順次タイミングに同期してサンプルホールドす
る低速走査回路９ｅと、高速撮像モードにおいてＣＣＤ
固体撮像デバイス２ａから所定の点順次タイミング（以
下、高速点順次タイミングという）で読み出される画素
信号ＰH をその高速点順次タイミングに同期してサンプ
ルホールドする高速走査回路９ｆと、ＣＣＤ固体撮像デ
バイス２ａから読み出される上記の画素信号ＰL ，ＰH
を、撮像モード毎に切換えて低速走査回路９ｅ並びに高
速走査回路９ｆへ転送する切換回路９ｇを具備してい
る。
【００２４】更に、コントラスト強調回路９ｈは、高速
撮像モードにおいて高速走査回路９ｆより出力される画
素信号ＰH ’から不要な信号成分を除去した後、所定増
幅率で増幅することによってコントラストの高い画素信
号ＨＰH を形成する。即ち、高速走査回路９ｅから出力
される画素信号ＰH ’の振幅のうち、しきい値電圧ＶTH
よりも低レベルに在る雑音成分及びオフセット成分を除
去して、真の画素信号の振幅成分だけを増幅することに
よって、コントラストの高い画素信号ＨＰH を出力す
る。尚、上記しきい値電圧ＶTHは、観測者が任意に可変
調整することができるようになっている。
撮像モードにおいて高速走査回路９ｆより出力される画
素信号ＰH ’から不要な信号成分を除去した後、所定増
幅率で増幅することによってコントラストの高い画素信
号ＨＰH を形成する。即ち、高速走査回路９ｅから出力
される画素信号ＰH ’の振幅のうち、しきい値電圧ＶTH
よりも低レベルに在る雑音成分及びオフセット成分を除
去して、真の画素信号の振幅成分だけを増幅することに
よって、コントラストの高い画素信号ＨＰH を出力す
る。尚、上記しきい値電圧ＶTHは、観測者が任意に可変
調整することができるようになっている。
【００２５】そして、低速撮像モードにおいて低速走査
回路９ｅから出力されるアナログの画素信号ＰL ’を、
Ａ／Ｄ変換器９ｉがデジタルの画素データＤL に変換
し、一方、高速撮像モードにおいてコントラスト強調回
路９ｈから出力されるアナログの画素信号ＨＰH を、Ａ
／Ｄ変換器９ｊがデジタルの画素データＤH に変換し、
これらの画素データＤL ，ＤH は共通の出力端子９ｋを
介して解析部Ｃへ転送される。
回路９ｅから出力されるアナログの画素信号ＰL ’を、
Ａ／Ｄ変換器９ｉがデジタルの画素データＤL に変換
し、一方、高速撮像モードにおいてコントラスト強調回
路９ｈから出力されるアナログの画素信号ＨＰH を、Ａ
／Ｄ変換器９ｊがデジタルの画素データＤH に変換し、
これらの画素データＤL ，ＤH は共通の出力端子９ｋを
介して解析部Ｃへ転送される。
【００２６】更に、低速走査回路９ｅと高速走査回路９
ｆの上記サンプルホールドタイミングは、タイミングジ
ェネレータ９ｂから出力される同期信号ＣＫに同期する
ので、低速撮像モード並びに高速撮像モードにおけるＣ
ＣＤ固体撮像デバイス２ａの各点順次読出しタイミング
とも同期する。また、画素データＤL ，ＤH を解析部Ｃ
へ確実に転送するために、同期信号ＣＫが同期信号出力
端子９ｍを介して解析部Ｃへ供給され、また、中央処理
部９ａと解析部Ｃとの間で種々の制御データＣＤを、Ｒ
Ｓ２３２Ｃ規格に準拠したインターフェース回路９ｎを
介して授受するようになっている。
ｆの上記サンプルホールドタイミングは、タイミングジ
ェネレータ９ｂから出力される同期信号ＣＫに同期する
ので、低速撮像モード並びに高速撮像モードにおけるＣ
ＣＤ固体撮像デバイス２ａの各点順次読出しタイミング
とも同期する。また、画素データＤL ，ＤH を解析部Ｃ
へ確実に転送するために、同期信号ＣＫが同期信号出力
端子９ｍを介して解析部Ｃへ供給され、また、中央処理
部９ａと解析部Ｃとの間で種々の制御データＣＤを、Ｒ
Ｓ２３２Ｃ規格に準拠したインターフェース回路９ｎを
介して授受するようになっている。
【００２７】次に、解析部Ｃの構成を図１及び図４と共
に説明する。まず、図１において、解析部Ｃは、種々の
演算機能を有するマイクロプロセッサ１０ａを内蔵する
画像処理部１０と、画像処理部１０に付随して接続され
るマウス入力装置１１とキーボード入力装置１２及びカ
ラーモニタ装置１３を備えている。ここで、画像処理部
１０は、制御部９から転送されてくるデジタルの画素デ
ータＤL ，ＤH を入力すると共に、制御部Ｂ内のインタ
ーフェース回路９ｎに接続されるインターフェース回路
１０ｂを介して中央処理部９ａとの間で種々の制御デー
タＣＤをＲＳ２３２Ｃ規格に準拠して授受し、更にタイ
ミングジェネレータ９ｄからの同期信号ＣＫを入力する
ようになっている。
に説明する。まず、図１において、解析部Ｃは、種々の
演算機能を有するマイクロプロセッサ１０ａを内蔵する
画像処理部１０と、画像処理部１０に付随して接続され
るマウス入力装置１１とキーボード入力装置１２及びカ
ラーモニタ装置１３を備えている。ここで、画像処理部
１０は、制御部９から転送されてくるデジタルの画素デ
ータＤL ，ＤH を入力すると共に、制御部Ｂ内のインタ
ーフェース回路９ｎに接続されるインターフェース回路
１０ｂを介して中央処理部９ａとの間で種々の制御デー
タＣＤをＲＳ２３２Ｃ規格に準拠して授受し、更にタイ
ミングジェネレータ９ｄからの同期信号ＣＫを入力する
ようになっている。
【００２８】更に画像処理部１０の内部構成を図４に基
づいて説明すると、制御部Ｂから転送されてくる所定個
数ずつの画素データＤL （またはＤH ）の配列を変更す
ることにより、左右が反転した再生画像を得るための左
右反転画素データＤL ’（またはＤH ’）を作成する画
像反転部１０ｃと、低速撮像モードにおいて画像反転部
１０ｃから出力される左右反転画素データＤL ’を１フ
レーム画相当分格納する画像メモリ１０ｄと、高速撮像
モードにおいて画像反転部１０ｃから出力される左右反
転画素データＤH ’を１フレーム画相当分格納する画像
メモリ１０ｅと、１フレーム画像相当分を格納した後に
これらの画像メモリ１０ｄ及び１０ｅから読み出されて
くる左右反転画素データＤL ’及びＤH ’を配列を崩す
ことなく画素単位で重畳加算してその加算画素データ
（ＤL ’＋ＤH ’）を出力する加算回路１０ｆと、加算
回路１０ｆからの各加算画素データ（ＤL ’＋ＤH ’）
をビデオレートの映像信号ＶD に変換してカラーモニタ
装置１３に供給する重畳表示制御部１０ｇを備えてい
る。
づいて説明すると、制御部Ｂから転送されてくる所定個
数ずつの画素データＤL （またはＤH ）の配列を変更す
ることにより、左右が反転した再生画像を得るための左
右反転画素データＤL ’（またはＤH ’）を作成する画
像反転部１０ｃと、低速撮像モードにおいて画像反転部
１０ｃから出力される左右反転画素データＤL ’を１フ
レーム画相当分格納する画像メモリ１０ｄと、高速撮像
モードにおいて画像反転部１０ｃから出力される左右反
転画素データＤH ’を１フレーム画相当分格納する画像
メモリ１０ｅと、１フレーム画像相当分を格納した後に
これらの画像メモリ１０ｄ及び１０ｅから読み出されて
くる左右反転画素データＤL ’及びＤH ’を配列を崩す
ことなく画素単位で重畳加算してその加算画素データ
（ＤL ’＋ＤH ’）を出力する加算回路１０ｆと、加算
回路１０ｆからの各加算画素データ（ＤL ’＋ＤH ’）
をビデオレートの映像信号ＶD に変換してカラーモニタ
装置１３に供給する重畳表示制御部１０ｇを備えてい
る。
【００２９】ここで、画像反転部１０ｃは、図５に示す
ように、制御部Ｂから転送されていくる画素データＤL
（またはＤH ）を１水平ライン分（この実施例では、１
０１８個）ずつ格納して出力する１組のラインバッファ
１０c1と１０c2を有し、各画素データＤL （または
ＤH ）の入力タイミング及び各左右反転画素データ
ＤL ’またはＤH ’）の出力タイミングが、低速撮像モ
ードにおいては低速点順次タイミングに同期し、高速撮
像モードにおいては高速点順次タイミングに同期してい
る。即ち、ラインバッファ１０c1，１０c2は、同期信号
ＣＫに同期して動作することにより、低速撮像モードに
おいては低速点順次タイミングに同期して、画素データ
ＤL を左右反転画素データＤL ’に配列変換し、高速撮
像モードにおいては高速点順次タイミングに同期して、
画素データＤH を左右反転画素データＤH’に配列変換
する。更に、これらのラインバッファ１０c1，１０
c2は、画素データＤL （またはＤH ）を入力するときに
は、点順次読出しタイミングに同期して画素データＤL
（またはＤH ）を図中の矢印Ｒで示す方向に順次にシフ
トさせつつ入力することによって、１水平ライン分の画
素データＤL （またはＤH ）を格納し、逆に出力すると
きには、図中の矢印Ｌで示す方向に順次にシフトさせつ
つ出力することにより、一旦格納した画素データＤ
L （またはＤH ）を入力時とは逆の順番で出力する。し
たがって、このように出力される画素データＤL ’（ま
たはＤH ’）は、１水平ラインにおいて、画素データＤ
L （またはＤH ）の画素配列に対して左右が反転したデ
ータとなる。
ように、制御部Ｂから転送されていくる画素データＤL
（またはＤH ）を１水平ライン分（この実施例では、１
０１８個）ずつ格納して出力する１組のラインバッファ
１０c1と１０c2を有し、各画素データＤL （または
ＤH ）の入力タイミング及び各左右反転画素データ
ＤL ’またはＤH ’）の出力タイミングが、低速撮像モ
ードにおいては低速点順次タイミングに同期し、高速撮
像モードにおいては高速点順次タイミングに同期してい
る。即ち、ラインバッファ１０c1，１０c2は、同期信号
ＣＫに同期して動作することにより、低速撮像モードに
おいては低速点順次タイミングに同期して、画素データ
ＤL を左右反転画素データＤL ’に配列変換し、高速撮
像モードにおいては高速点順次タイミングに同期して、
画素データＤH を左右反転画素データＤH’に配列変換
する。更に、これらのラインバッファ１０c1，１０
c2は、画素データＤL （またはＤH ）を入力するときに
は、点順次読出しタイミングに同期して画素データＤL
（またはＤH ）を図中の矢印Ｒで示す方向に順次にシフ
トさせつつ入力することによって、１水平ライン分の画
素データＤL （またはＤH ）を格納し、逆に出力すると
きには、図中の矢印Ｌで示す方向に順次にシフトさせつ
つ出力することにより、一旦格納した画素データＤ
L （またはＤH ）を入力時とは逆の順番で出力する。し
たがって、このように出力される画素データＤL ’（ま
たはＤH ’）は、１水平ラインにおいて、画素データＤ
L （またはＤH ）の画素配列に対して左右が反転したデ
ータとなる。
【００３０】更に、上記の１水平読出し周期に同期し
て、一方のラインバッファ１０c1が入力動作するとき
は、他方のラインバッファ１０c2が出力動作して、夫々
が上記の１水平読出し周期に同期して交互に切換わるよ
うになっている。したがって、ラインバッファ１０c1が
入力動作することによって１水平ライン分の画素データ
ＤL （またはＤH ）の格納動作をしているときは、他方
のラインバッファ１０c2が、１水平読出し周期前に格納
した画素データＤL （またはＤH ）を矢印Ｌで示す方向
から出力することによって左右反転画素データＤL ’
（またはＤH ’）を画像メモリ１０ｄ（又は１０ｅ）へ
出力し、逆に、ラインバッファ１０c2が入力動作するこ
とによって１水平ライン分の画素データＤL （またはＤ
H ）の格納動作をしているときは、他方のラインバッフ
ァ１０c1が、１水平読出し周期前に格納した画素データ
ＤL （またはＤH ）を矢印Ｌで示す方向から出力するこ
とによって左右反転画素データＤL ’（またはＤH ’）
を画像メモリ１０ｄ（又は１０ｅ）へ出力し、そして、
かかる左右反転処理を１水平読出し周期毎に切換えつつ
繰り返すので、例えば、図５（ａ）に示すような画素デ
ータＤL （またはＤH ）が同図（ｂ）に示すような左右
反転画素データＤL ’（またはＤH ’）に変換されるこ
ととなる。そして、かかる左右反転処理は、ＣＣＤ固体
撮像デバイス２ａの１水平読出し周期及び画素単位の点
順次走査読出しのタイミングに同期してリアルタイムで
行われることとなる。
て、一方のラインバッファ１０c1が入力動作するとき
は、他方のラインバッファ１０c2が出力動作して、夫々
が上記の１水平読出し周期に同期して交互に切換わるよ
うになっている。したがって、ラインバッファ１０c1が
入力動作することによって１水平ライン分の画素データ
ＤL （またはＤH ）の格納動作をしているときは、他方
のラインバッファ１０c2が、１水平読出し周期前に格納
した画素データＤL （またはＤH ）を矢印Ｌで示す方向
から出力することによって左右反転画素データＤL ’
（またはＤH ’）を画像メモリ１０ｄ（又は１０ｅ）へ
出力し、逆に、ラインバッファ１０c2が入力動作するこ
とによって１水平ライン分の画素データＤL （またはＤ
H ）の格納動作をしているときは、他方のラインバッフ
ァ１０c1が、１水平読出し周期前に格納した画素データ
ＤL （またはＤH ）を矢印Ｌで示す方向から出力するこ
とによって左右反転画素データＤL ’（またはＤH ’）
を画像メモリ１０ｄ（又は１０ｅ）へ出力し、そして、
かかる左右反転処理を１水平読出し周期毎に切換えつつ
繰り返すので、例えば、図５（ａ）に示すような画素デ
ータＤL （またはＤH ）が同図（ｂ）に示すような左右
反転画素データＤL ’（またはＤH ’）に変換されるこ
ととなる。そして、かかる左右反転処理は、ＣＣＤ固体
撮像デバイス２ａの１水平読出し周期及び画素単位の点
順次走査読出しのタイミングに同期してリアルタイムで
行われることとなる。
【００３１】更に、マウス入力装置１１とキーボード入
力装置１２は、操作者が測定開始の指示や上記のしきい
値電圧ＶTHの調整、その他システムの動作を制御するた
めの入力装置として機能する。
力装置１２は、操作者が測定開始の指示や上記のしきい
値電圧ＶTHの調整、その他システムの動作を制御するた
めの入力装置として機能する。
【００３２】次に、かかる構成の半導体検査システムの
作動を図６に示すフローチャートに基づいて説明する。
作動を図６に示すフローチャートに基づいて説明する。
【００３３】まず、同図中のステップ(a) において、観
測者は、半導体デバイスＳのモールドパッケージの裏面
部分を除去して半導体チップの基板側を鏡面研磨し、そ
の半導体デバイスＳをその裏面側が対物レンズ系４ａに
対向するようにしてテストフィクスチュア４ｃに装着す
る。
測者は、半導体デバイスＳのモールドパッケージの裏面
部分を除去して半導体チップの基板側を鏡面研磨し、そ
の半導体デバイスＳをその裏面側が対物レンズ系４ａに
対向するようにしてテストフィクスチュア４ｃに装着す
る。
【００３４】次に、ステップ(b) において、観測者はマ
ウス入力装置１１若しくはキーボード入力装置１２を操
作し、赤外落射照明装置５により半導体デバイスＳを照
明する。
ウス入力装置１１若しくはキーボード入力装置１２を操
作し、赤外落射照明装置５により半導体デバイスＳを照
明する。
【００３５】次に、ステップ(c) において、冷却ＣＣＤ
カメラ２を高速撮像モードに設定すると、中央処理部９
ａが、１フレーム周期を０．１２５秒に設定すると共
に、その１フレーム周期内の所定期間を露光期間として
シャッター駆動回路２ｅに指示する。そして、後述する
高速撮像モードの停止がなされるまでは、各フレーム周
期に同期して、シャッター機構２ｃが露光のための開閉
動作を繰り返すと共に、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａが
撮像動作を繰り返す。したがって、カラーモニタ１３に
は、０．１２５秒毎の静止画像が逐次表示される。
カメラ２を高速撮像モードに設定すると、中央処理部９
ａが、１フレーム周期を０．１２５秒に設定すると共
に、その１フレーム周期内の所定期間を露光期間として
シャッター駆動回路２ｅに指示する。そして、後述する
高速撮像モードの停止がなされるまでは、各フレーム周
期に同期して、シャッター機構２ｃが露光のための開閉
動作を繰り返すと共に、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａが
撮像動作を繰り返す。したがって、カラーモニタ１３に
は、０．１２５秒毎の静止画像が逐次表示される。
【００３６】１フレーム周期における撮像動作を代表し
て述べる。図２に示すように、半導体デバイスＳの裏面
側に照射される赤外線落射光が半導体チップの半導体基
板を透過・反射し、この反射光像が撮像光学系４に入射
する。そして、所定の露光時間の間、シャッタ機構２ｃ
が開状態となることにより冷却ＣＣＤカメラ２が反射光
像を撮像する。即ち、半導体チップの表面側に形成され
ている回路パターンなどの像を裏面撮像する。更に、所
定の露光時間経過後、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａは高
速点順次タイミングに同期して各画素信号ＰH を出力
し、各画素信号ＰH は、切り換え回路９ｇを介して高速
走査回路９ｆでサンプリングされ且つコントラスト強調
回路９ｈで雑音及びオフセット成分が除去され、更にＡ
／Ｄ変換器９ｊでデジタルの画素データＤH に変換され
る。
て述べる。図２に示すように、半導体デバイスＳの裏面
側に照射される赤外線落射光が半導体チップの半導体基
板を透過・反射し、この反射光像が撮像光学系４に入射
する。そして、所定の露光時間の間、シャッタ機構２ｃ
が開状態となることにより冷却ＣＣＤカメラ２が反射光
像を撮像する。即ち、半導体チップの表面側に形成され
ている回路パターンなどの像を裏面撮像する。更に、所
定の露光時間経過後、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａは高
速点順次タイミングに同期して各画素信号ＰH を出力
し、各画素信号ＰH は、切り換え回路９ｇを介して高速
走査回路９ｆでサンプリングされ且つコントラスト強調
回路９ｈで雑音及びオフセット成分が除去され、更にＡ
／Ｄ変換器９ｊでデジタルの画素データＤH に変換され
る。
【００３７】ここで、注目すべき点は、基板（チップ）
がシリコン半導体で形成されている半導体デバイスＳを
観測する場合には、透過型光学フィルタ５ｃは半導体デ
バイスＳと同材質のシリコンフィルタが用いられ、高感
度撮像が可能となる。即ち、シリコンフィルタ５ｃの吸
収端波長は、シリコンのバンドギャップエネルギー（約
１．１ｅＶ）に相当する波長（約１１００ｎｍ）である
ので、この吸収端波長より短波長の光が除去され、それ
より長波長の赤外光が照明用に供され、一方、半導体デ
バイスＳのシリコン半導体基板のバンドギャップエネル
ギーも約１．１ｅＶであり、したがって、約１１００ｎ
ｍ以上の長波長の赤外光の透過率に優れている。そし
て、シリコンフィルタ５ｃを適用して生じた照明用の赤
外光は、まさしくこのシリコン半導体の透過特性に合致
した長波長のスペクトルを有するので、最適な高感度撮
像を可能にする。また、照明用の赤外光は、約１１００
ｎｍの波長を境にしてそれより短波長のスペクトル成分
が除去され且つシリコン半導体に対して最適な透過率と
なるので、基板の研磨表面（裏面の表面）で反射する光
が大幅に低減されることとなり、反射光像のほとんどが
半導体チップの基板内を透過・反射してきた長波長の光
によるものとなる。したがって、雑音及びオフセット成
分の極めて少ない反射光像を得ることが可能となり、ひ
いては半導体チップに形成されている回路パターン等を
鮮明に裏面撮像することができる。
がシリコン半導体で形成されている半導体デバイスＳを
観測する場合には、透過型光学フィルタ５ｃは半導体デ
バイスＳと同材質のシリコンフィルタが用いられ、高感
度撮像が可能となる。即ち、シリコンフィルタ５ｃの吸
収端波長は、シリコンのバンドギャップエネルギー（約
１．１ｅＶ）に相当する波長（約１１００ｎｍ）である
ので、この吸収端波長より短波長の光が除去され、それ
より長波長の赤外光が照明用に供され、一方、半導体デ
バイスＳのシリコン半導体基板のバンドギャップエネル
ギーも約１．１ｅＶであり、したがって、約１１００ｎ
ｍ以上の長波長の赤外光の透過率に優れている。そし
て、シリコンフィルタ５ｃを適用して生じた照明用の赤
外光は、まさしくこのシリコン半導体の透過特性に合致
した長波長のスペクトルを有するので、最適な高感度撮
像を可能にする。また、照明用の赤外光は、約１１００
ｎｍの波長を境にしてそれより短波長のスペクトル成分
が除去され且つシリコン半導体に対して最適な透過率と
なるので、基板の研磨表面（裏面の表面）で反射する光
が大幅に低減されることとなり、反射光像のほとんどが
半導体チップの基板内を透過・反射してきた長波長の光
によるものとなる。したがって、雑音及びオフセット成
分の極めて少ない反射光像を得ることが可能となり、ひ
いては半導体チップに形成されている回路パターン等を
鮮明に裏面撮像することができる。
【００３８】そして、このようにして得られる画素デー
タＤH は、画像反転部１０ｃにおいて、画素毎に左右の
配列が反転された左右反転画素データＤH ’に変換され
て、画像メモリ１０ｅに一時記憶され、更に、画像メモ
リ１０ｅからリアルタイムで左右反転画素データＤH ’
が読み出され、且つ加算回路１０ｆ及び重畳表示制御部
１０ｇを介してカラーモニタ１３に画像再生される。こ
こで、画像反転部１０ｃに入力される画像データＤ
H は、半導体デバイスＳの半導体チップを裏側から見た
ときの回路パターン像などのデータであるので、左右反
転画素データＤH は、半導体デバイスＳの半導体チップ
を表側から見たときの回路パターン像（通常の表面パタ
ーンの像）のデータとなり、カラーモニタ１３に表示さ
れる再生画像は通常の表面パターンの静止画像となる。
タＤH は、画像反転部１０ｃにおいて、画素毎に左右の
配列が反転された左右反転画素データＤH ’に変換され
て、画像メモリ１０ｅに一時記憶され、更に、画像メモ
リ１０ｅからリアルタイムで左右反転画素データＤH ’
が読み出され、且つ加算回路１０ｆ及び重畳表示制御部
１０ｇを介してカラーモニタ１３に画像再生される。こ
こで、画像反転部１０ｃに入力される画像データＤ
H は、半導体デバイスＳの半導体チップを裏側から見た
ときの回路パターン像などのデータであるので、左右反
転画素データＤH は、半導体デバイスＳの半導体チップ
を表側から見たときの回路パターン像（通常の表面パタ
ーンの像）のデータとなり、カラーモニタ１３に表示さ
れる再生画像は通常の表面パターンの静止画像となる。
【００３９】そして、観測者がカラーモニタ１３に逐次
表示される画像（見掛け上、駒落としの画像となる）を
見ながら電動ＸＹＺステージ３をＸＹ方向に移動させる
ことにより、半導体デバイスＳの観測すべき部分を特定
することができ、また、電動ＸＹＺステージ３をＺ方向
に高さ調節することによって合焦状態を設定することが
できる。また、コントラスト強調回路９ｈのしきい値電
圧ＶTHを適宜に調節することによって、雑音やオフセッ
ト成分を除去した鮮明画像を設定することができる。
表示される画像（見掛け上、駒落としの画像となる）を
見ながら電動ＸＹＺステージ３をＸＹ方向に移動させる
ことにより、半導体デバイスＳの観測すべき部分を特定
することができ、また、電動ＸＹＺステージ３をＺ方向
に高さ調節することによって合焦状態を設定することが
できる。また、コントラスト強調回路９ｈのしきい値電
圧ＶTHを適宜に調節することによって、雑音やオフセッ
ト成分を除去した鮮明画像を設定することができる。
【００４０】次に、図６のステップ(d) において、異常
解析の開始を指示すると、画像メモリ１０ｅがその指示
直前までに記憶していた１フレーム画分の左右反転画素
データＤH ’を保持し、高速撮像モードが停止されると
同時に低速撮像モードに切換わる。この低速撮像モード
では、中央処理部９ａがハロゲンランプ５ａを消灯させ
ることで赤外落射照明装置５の照明動作を停止させ（ス
テップ(e) ）、テストフィクスチュア７が半導体デバイ
スＳに動作電圧の印加や動作タイミングクロック等の所
定の信号の印加を開始する（ステップ(f) ）。更に、中
央処理部９ａが、１フレーム周期を４秒に設定すると共
に、その１フレーム周期内の所定期間を露光期間として
シャッター駆動回路２ｅに指示する。尚、低速撮像モー
ドでの露光期間は、高速撮像モードでのそれよりも長時
間であり、低速点順次タイミングの各周期も高速撮像モ
ードでのそれよりも長時間となる。即ち、ＣＣＤ固体撮
像デバイス２ａの各画素に生じる画素信号は、高速撮像
モード時よりも低速で読み出される。
解析の開始を指示すると、画像メモリ１０ｅがその指示
直前までに記憶していた１フレーム画分の左右反転画素
データＤH ’を保持し、高速撮像モードが停止されると
同時に低速撮像モードに切換わる。この低速撮像モード
では、中央処理部９ａがハロゲンランプ５ａを消灯させ
ることで赤外落射照明装置５の照明動作を停止させ（ス
テップ(e) ）、テストフィクスチュア７が半導体デバイ
スＳに動作電圧の印加や動作タイミングクロック等の所
定の信号の印加を開始する（ステップ(f) ）。更に、中
央処理部９ａが、１フレーム周期を４秒に設定すると共
に、その１フレーム周期内の所定期間を露光期間として
シャッター駆動回路２ｅに指示する。尚、低速撮像モー
ドでの露光期間は、高速撮像モードでのそれよりも長時
間であり、低速点順次タイミングの各周期も高速撮像モ
ードでのそれよりも長時間となる。即ち、ＣＣＤ固体撮
像デバイス２ａの各画素に生じる画素信号は、高速撮像
モード時よりも低速で読み出される。
【００４１】次に、ステップ(g) において、ＣＣＤ固体
撮像デバイス２ａは、低速撮像モードでの撮像を開始す
る。そして、低速撮像モードの停止がなされるまでは、
各フレーム周期に同期して、シャッター機構２ｃが露光
のための開閉動作を繰り返すと共に、ＣＣＤ固体撮像デ
バイス２ａが撮像動作を繰り返す。したがって、カラー
モニタ１３には、４秒毎の静止画像が逐次表示される。
撮像デバイス２ａは、低速撮像モードでの撮像を開始す
る。そして、低速撮像モードの停止がなされるまでは、
各フレーム周期に同期して、シャッター機構２ｃが露光
のための開閉動作を繰り返すと共に、ＣＣＤ固体撮像デ
バイス２ａが撮像動作を繰り返す。したがって、カラー
モニタ１３には、４秒毎の静止画像が逐次表示される。
【００４２】１フレーム周期における撮像動作を代表し
て述べるものとする。半導体デバイスＳの半導体チップ
に何等かの異常発生箇所が存在すると、その箇所から極
微弱光が発生するので、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａは
露光期間においてこの極微弱光の像を撮像することとな
る。また、低速撮像モードによる長期間露光が実現され
るので、極微弱光の像が鮮明に撮像される。そして、所
定の露光時間経過後、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａは低
速点順次タイミングに同期して各画素信号ＰLを出力
し、各画素信号ＰL は、切り換え回路９ｇを介して低速
走査回路９ｅでサンプリングされ、更にＡ／Ｄ変換器９
ｉでデジタルの画素データＤL に変換される。
て述べるものとする。半導体デバイスＳの半導体チップ
に何等かの異常発生箇所が存在すると、その箇所から極
微弱光が発生するので、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａは
露光期間においてこの極微弱光の像を撮像することとな
る。また、低速撮像モードによる長期間露光が実現され
るので、極微弱光の像が鮮明に撮像される。そして、所
定の露光時間経過後、ＣＣＤ固体撮像デバイス２ａは低
速点順次タイミングに同期して各画素信号ＰLを出力
し、各画素信号ＰL は、切り換え回路９ｇを介して低速
走査回路９ｅでサンプリングされ、更にＡ／Ｄ変換器９
ｉでデジタルの画素データＤL に変換される。
【００４３】ここで、注目すべき点は、低速走査回路９
ｅが低速点順次タイミングに同期した低速度で各画素信
号ＰL をサンプルホールドするので、サンプルホールド
における高周波のスイッチングノイズなどの発生を大幅
に抑制することができ、高Ｓ／Ｎの画素信号ＰL ’を得
ることができる。
ｅが低速点順次タイミングに同期した低速度で各画素信
号ＰL をサンプルホールドするので、サンプルホールド
における高周波のスイッチングノイズなどの発生を大幅
に抑制することができ、高Ｓ／Ｎの画素信号ＰL ’を得
ることができる。
【００４４】そして、このように得られた画素データＤ
L は、画像反転部１０ｃにおいて画素に対して左右の配
列が反転された左右反転画像データＤL ’に変換され
て、画像メモリ１０ｄに記憶される。尚、図５に示すよ
うに、左右反転画像データＤL’は半導体デバイスＳの
半導体チップを表側から見たのと等価なデータとなる。
L は、画像反転部１０ｃにおいて画素に対して左右の配
列が反転された左右反転画像データＤL ’に変換され
て、画像メモリ１０ｄに記憶される。尚、図５に示すよ
うに、左右反転画像データＤL’は半導体デバイスＳの
半導体チップを表側から見たのと等価なデータとなる。
【００４５】更に、画像メモリ１０ｅは、左右反転画像
データＤL ’を格納すると同時に左右反転画素データＤ
L ’を出力し、画像メモリ１０ｄも、左右反転画素デー
タＤL ’の画素に対応する左右反転画素データＤH ’を
出力する。したがって、各画素に対応する左右反転画像
データＤL ’と左右反転画素データＤH ’が低速点順次
タイミングに同期して同時に加算回路１０ｆへ供給さ
れ、加算回路１０ｆは重畳加算画素データ（ＤL ’＋Ｄ
H ’）を出力し、重畳表示制御部１０ｇが重畳加算画素
データ（ＤL ’＋ＤH ’）に基づいてビデオ信号を形成
する。この結果、カラーモニタ１３には、半導体デバイ
スＳの回路パターンなどの像に異常発生箇所を示す極微
弱光の像がいわゆるスーパーインポーズされて、４秒毎
に切換わる静止画像が表示されることとなる。
データＤL ’を格納すると同時に左右反転画素データＤ
L ’を出力し、画像メモリ１０ｄも、左右反転画素デー
タＤL ’の画素に対応する左右反転画素データＤH ’を
出力する。したがって、各画素に対応する左右反転画像
データＤL ’と左右反転画素データＤH ’が低速点順次
タイミングに同期して同時に加算回路１０ｆへ供給さ
れ、加算回路１０ｆは重畳加算画素データ（ＤL ’＋Ｄ
H ’）を出力し、重畳表示制御部１０ｇが重畳加算画素
データ（ＤL ’＋ＤH ’）に基づいてビデオ信号を形成
する。この結果、カラーモニタ１３には、半導体デバイ
スＳの回路パターンなどの像に異常発生箇所を示す極微
弱光の像がいわゆるスーパーインポーズされて、４秒毎
に切換わる静止画像が表示されることとなる。
【００４６】そして、観測者が異常解析の停止を指示す
ると、その指示直前までに画像メモリ１０ｄ及び１０ｅ
に記憶された夫々の１フレーム画像分の左右反転画像デ
ータＤL ’と左右反転画素データＤH ’が保持され、こ
の保持された左右反転画像データＤL ’と左右反転画素
データＤH ’による静止画像がカラーモニタ１３に継続
して表示される。
ると、その指示直前までに画像メモリ１０ｄ及び１０ｅ
に記憶された夫々の１フレーム画像分の左右反転画像デ
ータＤL ’と左右反転画素データＤH ’が保持され、こ
の保持された左右反転画像データＤL ’と左右反転画素
データＤH ’による静止画像がカラーモニタ１３に継続
して表示される。
【００４７】このように、この実施例によれば、観測者
はカラーモニタ１３の表示を見ながら容易に異常発生箇
所を観察することができる。
はカラーモニタ１３の表示を見ながら容易に異常発生箇
所を観察することができる。
【００４８】尚、この実施例では、シリコン半導体から
成る半導体デバイスを測定するために、シリコンフィル
タを光学フィルタ５ｃに適用した場合を述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、測定すべき半導体
デバイスと同材質の光学フィルタ５ｃを適用する全ての
場合を含むものである。
成る半導体デバイスを測定するために、シリコンフィル
タを光学フィルタ５ｃに適用した場合を述べたが、本発
明はこれに限定されるものではなく、測定すべき半導体
デバイスと同材質の光学フィルタ５ｃを適用する全ての
場合を含むものである。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、測定すべ
き半導体デバイスをその裏面から撮像すると共に、パタ
ーン像と異常発生箇所からの極微弱光の像を撮像し、表
面から観測した像としてスーパーインポーズ表示するた
め、表面側にＡｌ配線のような光を遮蔽する物体が存在
していても、異常発生箇所の特定を可能にする。更に、
極微弱光の像を表面から観測した像にリアルタイムで変
換して表示するので、異常発生解析を短時間に行うこと
ができる。更に、測定すべき半導体デバイスと同材質か
らなる光学フィルタを適用して照明用の赤外光を形成す
るようにしたので、その半導体デバイスに対して透過率
の高い赤外光が得られ、半導体デバイスの表面で反射し
易い短波長の光が遮断される結果、雑音成分やオフセッ
ト成分の少ない鮮明な反射光像を撮像することができ
る。
き半導体デバイスをその裏面から撮像すると共に、パタ
ーン像と異常発生箇所からの極微弱光の像を撮像し、表
面から観測した像としてスーパーインポーズ表示するた
め、表面側にＡｌ配線のような光を遮蔽する物体が存在
していても、異常発生箇所の特定を可能にする。更に、
極微弱光の像を表面から観測した像にリアルタイムで変
換して表示するので、異常発生解析を短時間に行うこと
ができる。更に、測定すべき半導体デバイスと同材質か
らなる光学フィルタを適用して照明用の赤外光を形成す
るようにしたので、その半導体デバイスに対して透過率
の高い赤外光が得られ、半導体デバイスの表面で反射し
易い短波長の光が遮断される結果、雑音成分やオフセッ
ト成分の少ない鮮明な反射光像を撮像することができ
る。
【００５０】更に、かかる光学フィルタを適用すること
によって、このように、半導体デバイスの異常発生解析
等を高速で行うことができると共に、操作性に優れ且つ
測定精度に優れた半導体検査システムを提供することが
できる。
によって、このように、半導体デバイスの異常発生解析
等を高速で行うことができると共に、操作性に優れ且つ
測定精度に優れた半導体検査システムを提供することが
できる。
【図１】本発明による半導体検査システムの一実施例の
全体構成を示すブロック図である。
全体構成を示すブロック図である。
【図２】一実施例中の撮像光学系と赤外線落射照明装置
の構成を詳細に示すブロック図である。
の構成を詳細に示すブロック図である。
【図３】一実施例中の冷却ＣＣＤカメラと制御部の構成
を詳細に示すブロック図である。
を詳細に示すブロック図である。
【図４】一実施例中の解析部の構成を詳細に示すブロッ
ク図である。
ク図である。
【図５】解析部内の画像反転部の構成及び機能を説明す
るための説明図である。
るための説明図である。
【図６】一実施例の作動を説明するためのフローチャー
トである。
トである。
【図７】従来のエミッション顕微鏡を適用した場合の問
題点を説明するための説明図である。
題点を説明するための説明図である。
【図８】従来のエミッション顕微鏡を適用した場合の他
の問題点を説明するための説明図である。
の問題点を説明するための説明図である。
Ａ…観測部、Ｂ…制御部、Ｃ…解析部、１…暗箱、２…
冷却ＣＣＤカメラ、２ａ…ＣＣＤ固体撮像デバイス、２
ｂ…ペルチェ素子、２ｃ…シャッタ機構、２ｄ…ＣＣＤ
駆動回路、２ｅ…シャッタ駆動回路、３…電動ＸＹＺス
テージ、４…撮像光学系、４ａ…対物レンズ系、４ｂ…
結像レンズ系、４ｃ…ハーフミラー、５…赤外落射照明
装置、５ａ…ハロゲンランプ、５ｃ…光学フィルタ、９
ｅ…低速走査回路、９ｆ…高速走査回路、９ｈ…コント
ラスト強調回路、１０…画像処理部、１０ｃ…画像反転
部、１０c1，１０c2…シフトレジスタ、１０ｄ，１０ｅ
…画像メモリ、１０ｆ…加算回路、１０ｇ…重畳表示制
御部、１３…カラーモニタ。
冷却ＣＣＤカメラ、２ａ…ＣＣＤ固体撮像デバイス、２
ｂ…ペルチェ素子、２ｃ…シャッタ機構、２ｄ…ＣＣＤ
駆動回路、２ｅ…シャッタ駆動回路、３…電動ＸＹＺス
テージ、４…撮像光学系、４ａ…対物レンズ系、４ｂ…
結像レンズ系、４ｃ…ハーフミラー、５…赤外落射照明
装置、５ａ…ハロゲンランプ、５ｃ…光学フィルタ、９
ｅ…低速走査回路、９ｆ…高速走査回路、９ｈ…コント
ラスト強調回路、１０…画像処理部、１０ｃ…画像反転
部、１０c1，１０c2…シフトレジスタ、１０ｄ，１０ｅ
…画像メモリ、１０ｆ…加算回路、１０ｇ…重畳表示制
御部、１３…カラーモニタ。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 永田 渉
静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松
ホトニクス株式会社内
(72)発明者 晝馬 靖
静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松
ホトニクス株式会社内
(56)参考文献 特開 平３−180046（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−100959（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−1560（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−122133（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01N 21/84 - 21/958
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体デバイスの裏面側を撮像する撮像
手段と、 照明光源から放射された赤外域まで延びる広波長帯域の
光を通す位置に、前記半導体デバイスと同材質からなる
光学フィルタを配置することによって、前記半導体デバ
イスの裏面側を照明する赤外域の光を形成する赤外落射
照明手段と、 前記撮像手段が前記赤外落射照明手段による照明下で前
記半導体デバイスの裏面側を撮像することによって出力
する画素データの画素単位の配列を左右反転させて第１
の左右反転画素データを作成する画像反転手段と、 前記第１の左右反転画素データに基づいて表示手段に再
生画像を表示させる表示制御手段とを備え、 前記画像反転手段は、前記第１の左右反転画素データを
作成するとともに、無照明下で前記撮像手段が半導体デ
バイスの異常箇所から生じる極微弱光の像を撮像するこ
とによって出力する画素データの画素単位の配列を左右
反転させて第２の左右反転画素データを作成し、 前記画像反転手段で作成された前記第１の左右反転画素
データと前記第２の左右反転画素データとを画素配列を
一致させて重畳加算して出力する加算手段と、 前記加算手段から出力される重畳加算データに基づいて
表示手段に再生画像を表示させる前記表示制御手段であ
る重畳表示制御手段と、 をさらに備えることを特徴とする半導体デバイス検査シ
ステム。 - 【請求項２】 前記光学フィルタは前記半導体デバイス
と同材質のシリコンフィルタであることを特徴とする請
求項１記載の半導体デバイス検査システム。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27251994A JP3478612B2 (ja) | 1993-11-16 | 1994-11-07 | 半導体デバイス検査システム |
| EP94308385A EP0653626B1 (en) | 1993-11-16 | 1994-11-14 | Semiconductor device inspection system |
| DE1994632737 DE69432737T2 (de) | 1993-11-16 | 1994-11-14 | Halbleiterinspektionssystem |
| US08/607,873 US6002792A (en) | 1993-11-16 | 1996-02-29 | Semiconductor device inspection system |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28682093 | 1993-11-16 | ||
| JP5-286820 | 1993-11-16 | ||
| JP27251994A JP3478612B2 (ja) | 1993-11-16 | 1994-11-07 | 半導体デバイス検査システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07190946A JPH07190946A (ja) | 1995-07-28 |
| JP3478612B2 true JP3478612B2 (ja) | 2003-12-15 |
Family
ID=26550244
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27251994A Expired - Fee Related JP3478612B2 (ja) | 1993-11-16 | 1994-11-07 | 半導体デバイス検査システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0653626B1 (ja) |
| JP (1) | JP3478612B2 (ja) |
| DE (1) | DE69432737T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JP3183390B2 (ja) | 1995-09-05 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いた撮像装置 |
| US5821549A (en) * | 1997-03-03 | 1998-10-13 | Schlumberger Technologies, Inc. | Through-the-substrate investigation of flip-chip IC's |
| DE19742093A1 (de) | 1997-09-24 | 1999-03-25 | Kostal Leopold Gmbh & Co Kg | Photoelektrisches Sensorarray |
| US6344750B1 (en) * | 1999-01-08 | 2002-02-05 | Schlumberger Technologies, Inc. | Voltage contrast method for semiconductor inspection using low voltage particle beam |
| JP2000252240A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2002014145A (ja) * | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体デバイス検査装置及び半導体デバイス検査方法 |
| US6621275B2 (en) | 2001-11-28 | 2003-09-16 | Optonics Inc. | Time resolved non-invasive diagnostics system |
| EP1612590A4 (en) | 2003-03-20 | 2011-05-04 | Hamamatsu Photonics Kk | SOLID IMMERSION LENS AND MICROSCOPE |
| JP4567594B2 (ja) | 2003-03-20 | 2010-10-20 | 浜松ホトニクス株式会社 | 顕微鏡、試料観察方法、及び半導体検査方法 |
| TWI269886B (en) | 2003-03-20 | 2007-01-01 | Hamamatsu Photonics Kk | Microscope and specimen observation method |
| US7576928B2 (en) | 2003-10-31 | 2009-08-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | Solid immersion lens holder |
| CN100410718C (zh) * | 2003-10-31 | 2008-08-13 | 浜松光子学株式会社 | 试样观察方法 |
| US7312921B2 (en) | 2004-02-27 | 2007-12-25 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
| US7110172B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-09-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Microscope and sample observation method |
| JP5210998B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-06-12 | レイリサーチ株式会社 | シリコンウエハー検査装置 |
| US11725985B2 (en) * | 2018-05-03 | 2023-08-15 | Verity Instruments, Inc. | Signal conversion system for optical sensors |
| EP4387252A1 (en) * | 2021-10-20 | 2024-06-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Autofocus assistance method, autofocus assistance device, and autofocus assistance program |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60134675A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Fuji Photo Film Co Ltd | 固体撮像デバイスおよびその製造方法 |
| US4692690A (en) * | 1983-12-26 | 1987-09-08 | Hitachi, Ltd. | Pattern detecting apparatus |
| US4659220A (en) * | 1984-10-22 | 1987-04-21 | International Business Machines Corporation | Optical inspection system for semiconductor wafers |
| JPS61263235A (ja) * | 1985-05-17 | 1986-11-21 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
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