JP3466081B2 - The liquid crystal display device and the position detecting device - Google Patents

The liquid crystal display device and the position detecting device

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JP3466081B2
JP3466081B2 JP7167398A JP7167398A JP3466081B2 JP 3466081 B2 JP3466081 B2 JP 3466081B2 JP 7167398 A JP7167398 A JP 7167398A JP 7167398 A JP7167398 A JP 7167398A JP 3466081 B2 JP3466081 B2 JP 3466081B2
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豊 中井
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政彦 秋山
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株式会社東芝
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【発明の詳細な説明】 【0001】 【発明の属する技術分野】本発明は表示画面に位置検出機能を内蔵した表示装置に関し、特に表示画面に位置検出機能を内蔵した液晶表示装置に関する。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] [Technical Field of the Invention The present invention relates to a display device with a built-in position detection function on the display screen, a liquid crystal display device, particularly a built-in position detection function on the display screen. また本発明は位置検出装置に関し、特に表示装置との整合性の高い位置検出装置に関する。 The present invention relates to a position detecting apparatus, and more particularly to consistent high position detecting device and the display device. 【0002】 【従来の技術】近年、液晶表示装置は高画質化、高精細化が進められており、パーソナルコンピュータ用ディスプレイなどの中小型ディスプレイとしてはブラウン管に代わり主流になりつつある。 [0002] In recent years, liquid crystal display device high image quality, and high definition is advanced, as the small and medium-sized display, such as a personal computer for display is becoming the mainstream instead CRT. また、最近は移動通信技術の進歩により、液晶表示装置の携帯端末としての展開が期待されている。 Also, advances in mobile communication technology has recently expanded as a mobile terminal of a liquid crystal display device has been expected. 【0003】携帯端末には、書込み用入力ペンまたは指からの加圧点の座標の検出機能を備えることか望ましい。 [0003] the portable terminal, it either desirable to have a function of detecting the coordinates of the pressure point from write input pen or a finger. 現在このような入力方式として、透明な抵抗膜を2 Currently Such input method, the transparent resistive film 2
枚対向させ、圧力印加により抵抗膜がショートすることを利用した抵抗膜抵抗膜感圧方式が主流であり、この位置検出デバイスを液晶表示装置における観測側に外付けして用いている。 Single not face is, and it mainly resistive film resistive film feeling pressure system which utilizes the a resistance film by the pressure applied to short, are used to put out the position detection device to the observation side in the liquid crystal display device. 【0004】このような位置検出デバイスの外付け方式においては、以下のような問題点がある。 [0004] In an external system such position sensing device has the following problems. まず、(1) First of all, (1)
外付けした位置検出デバイスによる反射/吸収に由来する光ロスにより表示品質が低下したり、(2)外付した位置検出デバイスでの反射により表示画像が2重像となるという問題がある。 Lowered display quality by light loss resulting from the reflection / absorption by externally connected position detecting device, there are (2) a problem that a displayed image becomes double image by reflection on the outer subjected position detection device. 抵抗膜感圧方式における透明電極/空気界面での反射は界面あたり5[%]程度であり、 Reflection at the transparent electrode / air interface in the resistance film feeling pressure system is 5% of around per interface,
基板および透明電極での吸収は5[%]程度である。 Absorption in the substrate and the transparent electrode is about 5%. したがって、光ロスは透過型液晶表示装置で(1−0.9 Accordingly, the optical loss in the transmission type liquid crystal display device (1-0.9
2 =)20[%]程度、反射型液晶表示装置では光路が倍になるため(1−0.9 4 =)35[%]程度となる。 2 =) 20 [%] or so, the optical path is doubled in the reflective type liquid crystal display device (1-0.9 4 =) is 35 [%] degree. このような光ロスをバックライトの輝度で補償することも可能だが、その場合消費電力が増大してしまう。 It also possible to compensate for such light loss in luminance of the backlight, in which case the power consumption is increased.
反射型液晶表示では表示画面上に外付けした位置検出デバイスに起因する反射率不足により、画質が低下してしまう。 The reflectance shortage due to a position detection device that externally on the display screen in the reflective type liquid crystal display, the image quality is degraded. 特に反射型液晶表示装置の場合もともと表示輝度に制約があるため、この光ロスによる画質低下は大きな問題となる。 In particular, since there is inherently constrained to the display luminance when a reflection type liquid crystal display device, the image quality degradation due to this light loss becomes a serious problem. 【0005】また位置検出デバイスを外付けした場合、 [0005] If externally the position detection device,
(3)位置検出デバイスと表示装置との張り合わせ精度が十分に得ることが困難で、入力位置と液晶表示装置の表示座標とにずれが生じてしまうという問題がある。 (3) difficulty in bonding precision between the position detecting device and a display device obtained sufficiently, there is a problem that deviation occurs in the display coordinates of the input position and the liquid crystal display device. 外付け方式においては、座標入力等を行う位置検出デバイスを表示装置に貼り合わせる工程を必要とするが、両装置を精度良く貼りあわせることは難しく、表示位置と座標入力位置とのズレを生じる原因となる。 Cause in external system, requires a step of bonding the display position detecting device for a coordinate input or the like, it is difficult to align the two devices accurately bonding, resulting in displacement of the display position and the coordinate input position to become. この位置ズレを解決するためには、個々の製品に対して回路的な補正を施す必要があり、コストアップの原因となる。 To solve this displacement, it is necessary to apply a circuit specific correction for each product, causing a cost increase. 【0006】また、(4)位置検出デバイスの厚さに由来する、入力位置・表示位置の視差ズレの問題もある。 Further, there is (4) from the thickness of the position detecting device also parallax displacement issues the input position and display position. 【0007】表示装置の表示画面と位置検出デバイスとを互いに接して貼り合わせると、ギャップムラによる干渉縞が発生して表示品質を著しく低下させてしまう。 [0007] bonded in contact with each other and the display screen and the position detecting device of the display device, thus greatly reducing the display quality interference fringes caused by uneven gap occurs. そのため、表示装置の表示画面と位置検出デバイスとの間には1[mm]程度のギャップを設ける必要がある。 Therefore, between the display screen and the position detecting device of the display device it is necessary to provide a gap of about 1 [mm]. その結果、位置検出デバイスの座標検出面と表示装置の表示画面との間には、位置検出デバイスの厚さにさらにギャップの厚さを加えた分の距離が存在し、装置のユーザー(観測者)の視線の方向によって表示位置と座標入力位置とのズレ(パララックス)が生じてしまうという問題がある。 As a result, between the display screen of the coordinate detection surface and the display device of the position detecting device, further there is a thickness minute distance plus the gap to the thickness of the position detecting device, the user of the device (the observer the direction of the line of sight) is a problem that deviation (parallax) occurs between the display position and the coordinate input position. 【0008】さらに、(5)外付けした位置検出デバイスにより、表示装置全体の厚さ、重量が大きくなってしまうという問題もある。 Furthermore, there is (5) externally connected to the position detecting device, the thickness of the entire display device, a problem that the weight increases. 外付け抵抗膜感圧方式においては、外付け部材の重量・厚さに加え、上述のギャップ分の厚さか加わり、モジュールの軽量・薄膜化が困難になるという問題点がある。 In external resistor film feeling pressure system, in addition to the weight and thickness of the external member, joined or the thickness of the above-mentioned gap amount, weight-thinning of the module is disadvantageously difficult. 特に携帯型電子機器の場合には、重量、大きさの増大は可搬性を低下させてしまう。 Especially in the case of a portable electronic device, the weight, the increase in size leads to a lowering portability. 【0009】 【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問題点を解決するためになされたものである。 [0009] SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems. すなわち本発明は、従来の外付け位置検出機能付き表示装置における上述の問題点を解決し、位置検出機能を付加することによる画質低下のない、高い表示品質を備えた表示装置を提供することを目的とする。 That is, the present invention is to solve the above problems in the conventional external display device with position detecting function, no degradation in image quality due to adding the position detection function, to provide a display device having a high display quality for the purpose. また本発明は、位置ずれやパララックスのない、入力位置精度の高い位置検出機能を備えた表示装置を提供することを目的とする。 The present invention, positional deviation and no parallax, and to provide a display device having a high position detection function of the input positional accuracy. また本発明は位置検出機能の付加による重量、大きさの増大の少ない、軽量薄型で携帯用途にも適した表示装置を提供することを目的とする。 The present invention is by weight by the addition of a position detection function, less increase in size, and an object thereof is to provide a display device suitable to carry applications with lightweight and thin. 【0010】また本発明は消費電力の小さな位置検出機能つき表示装置を提供することを目的とする。 [0010] The present invention aims to provide a small display device with position detecting function of the power consumption. さらに本発明は、生産性の高い構造を備えた位置検出機能つき表示装置を提供することを目的とする。 The present invention aims at providing a position detecting function with a display device having a high productivity structure. 【0011】 【課題を解決するための手段】上記した問題点は、いずれも座標入力機能を例えば液晶セルのような表示装置自体に内蔵させることにより解決することができる。 [0011] Means for Solving the Problems] above problems can be solved by either to incorporate the coordinate input function example in the display device itself, such as a liquid crystal cell. しかしながら、液晶表示装置はセルギャップ両端の電極の電位差により表示状態をするため、従来の抵抗膜感圧(接触)方式を単純に液晶セルに内蔵させることはできなかった。 However, the liquid crystal display device to the display state by a potential difference of the cell gap across the electrodes, it was not possible to incorporate conventional resistive film pressure sensitive (contact) method to simply a liquid crystal cell. 本発明は以下に説明するような構成を採用することにより、座標入力機能を表示装置に内蔵させたものである。 The present invention is by adopting a configuration as described below, in which is incorporated in the display device of the coordinate input function. 【0012】前述のような課題を解決するため、本発明は以下のような構成を備えている。 [0012] To solve the problems as described above, the present invention includes the following configuration. 本発明の液晶表示装置は、第1の電極が配設された第1の基板と、第2の電極が配設された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間にマトリクス状に配設された柱状のスペーサーと、前記スペーサーにより保持された前記第1の基板と前記第2の基板との間隙に挟持された液晶層と、 The liquid crystal display device of the present invention includes a first substrate on which the first electrode was arranged, a second substrate a second electrode disposed, and the first substrate and the second substrate a liquid crystal layer and the columnar spacers arranged in a matrix, are sandwiched in a gap between the first substrate held between the second substrate by the spacer between,
前記第1の電極または前記第2の電極に表示信号電圧を印加する手段と、前記第1の基板と前記スペーサーの It means for applying a display signal voltage to the first electrode or the second electrode, the spacer and the first substrate
間、または前記第2の基板前記スペーサーの間に配設された圧力検出素子と、前記圧力検出素子に圧力が加わった時、前記圧力検出素子の出力信号に基づいて、前記圧力が加わった圧力検出素子の位置を検出する手段とを具備したことを特徴とする。 Or between the second substrate and disposed pressure sensing element between the spacers, when the pressure is applied to the pressure sensing element, on the basis of an output signal of the pressure sensing element, wherein the pressure is applied characterized by comprising a means to detect the position of the pressure detection element. 【0013】また、第1の電極が配設された第1の基板と、第2の電極が配設された第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間にマトリクス状に配設されたスペーサと、前記第1の基板と前記第2の基板との間に挟持された液晶層と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に表示信号に対応した電圧を印加する手段と、 Further, a first substrate on which the first electrode was arranged, a second substrate a second electrode disposed, between said first substrate and said second substrate a spacer arranged in a matrix, and a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, a display signal between the first electrode and the second electrode It means for applying a corresponding voltage,
前記第1の基板と前記スペーサーの間、または前記第2 Between the spacer and the first substrate or the second,
の基板前記スペーサーの間に配設された圧力検出素子と、前記圧力検出素子に圧力が加わった時、前記圧力検出素子の抵抗変化または誘起電位に基づいて、前記圧力が加わった圧力検出素子の位置を検出する手段とを具備するようにしてもよい。 Substrate and the disposed pressure sensing element between the spacers, when the pressure is applied to the pressure sensing element, on the basis of the change in resistance or induced potential of the pressure detection element, pressure detection element, wherein the pressure is applied it may be and a means to detect the position. 【0014】また、第1の領域と第2の領域とを有し、 Further, having a first region and a second region,
前記第1の領域に第1の電極が配設された第1の基板と、第1の領域と第2の領域とを有し、前記第1の領域に第2の電極が配設された第2の基板と、前記第1の基板の前記第2の領域および前記第2の基板の前記第2の領域と対向するように、前記第1の基板と前記第2の基板との間にマトリクス状に配設された柱状のスペーサと、前記スペーサにより保持された前記第1の基板と前記第2の基板との間隙に挟持された液晶層と、前記第1 A first substrate provided with the first electrode disposed on the first region, and a first region and a second region, a second electrode disposed on the first region a second substrate so as to face the second region of said second region and said second substrate of said first substrate, between said second substrate and said first substrate a columnar spacer arranged in a matrix, and a liquid crystal layer sandwiched in a gap between the first substrate held between the second substrate by the spacer, the first
の電極または前記第2の電極に表示信号電圧を印加する手段と、前記第1の基板の前記第2の領域または前記第2の基板の前記第2の領域に配設された圧力検出素子と、前記圧力検出素子に圧力が加わった時、前記圧力検出素子の出力信号に基づいて、前記圧力が加わった圧力検出素子の位置を検出する手段、とを具備するようにしてもよい。 It means for the electrode or applying a display signal voltage to the second electrode, the first substrate of the second region or the second pressure sensing elements wherein arranged in the second region of the substrate when pressure is applied to the pressure sensing element, on the basis of an output signal of the pressure sensing element, means for detecting the position of the pressure detecting element wherein the pressure is applied, it may be provided and. 【0015】液晶表示装置の表示領域の一部に圧力がかかった場合、その圧力のほとんどはその領域に配設されたスペーサが支えることか知られている。 [0015] If the pressure is applied to the part of the display area of ​​the liquid crystal display device, most of the pressure is known or to support the spacer disposed in that region. 本発明は、このスペーサ部への圧力集中を利用して、スペーサ部に設けられた圧力検出素子により位置座標を検出するものである。 The present invention utilizes the pressure concentration to the spacer portion, and detects the position coordinates by the pressure sensing element provided in the spacer portion. 【0016】本発明は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用するようにしてもよいし、単純マトリクス型の液晶表示装置に適用するようにしてもよい。 [0016] The present invention may be applied to an active matrix type liquid crystal display device may be applied to a simple matrix type liquid crystal display device. 【0017】またアクティブマトリクス型液晶表示装置の場合、走査線駆動回路から走査線へ走査信号が、信号線駆動回路から信号線へは表示信号が印加される。 [0017] In the case of an active matrix type liquid crystal display device, the scanning signal from the scanning line driving circuit to the scanning lines, the display signal is applied from the signal line driver circuit to the signal line. そして、各画素電極ごとに配設された例えば薄膜トランジスタ、MIMなどの非線形スイッチング素子は走査信号によりオン、オフしオン状態のときに信号線に印加された表示信号を選択して画素電極に印加する。 Then, disposed the example thin film transistors for each pixel electrode, the non-linear switching elements such as MIM is applied to the pixel electrode by selecting the applied display signal to the signal line when the ON, OFF and ON state by the scan signal . 【0018】また、柱状スペーサの高さを調整することにより、液晶層の厚さ(セルギャップ)を、スペーサの密度を調整することにより、スペーサ1個あたりにかかる圧力範囲を最適化することが可能となる。 Further, by adjusting the height of the columnar spacer, the thickness of the liquid crystal layer (cell gap), by adjusting the density of the spacers, to optimize the pressure range according to per spacer It can become. スペーサーを画素と重複しないようなかつ圧力検出素子と対応するような適切な位置に配設することができれば、柱状スペーサ以外の例えば球状スペーサ等を用いるようにしてもよい。 If it is possible to dispose the spacers in position to correspond with such and the pressure detection element so as not to overlap with the pixel, it may be used other than the columnar spacer example, spherical spacers or the like. また、前記スペーサの少なくとも一部は圧電性材料により構成されていてもよい。 Further, at least a portion of the spacer may be made of a piezoelectric material. 【0019】また、前記圧力検出素子と接触するよう配設された抵抗膜をさらに具備し、前記圧力検出素子の前記出力信号は前記抵抗膜を介して検出するようにしてもよい。 Moreover, the further comprising a disposed a resistor film to be in contact with the pressure sensing element, said output signal of said pressure sensing element may be detected through the resistive film. この場合抵抗膜は、液晶表示素子の画素領域と重ならないようにパターニングするようにしてもよい。 In this case, the resistor film may be patterned so as not to overlap with the pixel area of the liquid crystal display device.
またいわゆるブラックマトリクスと呼ばれる遮光膜と共用するようにしてもよい。 Or it may be shared with the light shielding film, so-called black matrix. このような構成を採用することにより、抵抗膜の吸収による光ロスや抵抗膜の電位の液晶表示への影響を回避することができる。 By adopting such a configuration, it is possible to avoid the influence of the liquid crystal display of the potential of the optical loss and the resistance film due to absorption of the resistance film. また抵抗膜として、液晶表示装置にもともと存在するブラックマトリクスを用いることにより、抵抗膜を別に形成する場合に比べ工程数が削減し、生産性を向上することができる。 As the resistance film by using a black matrix originally present in the liquid crystal display device, a resistive film reduced the number of steps compared with the case of forming separately, it is possible to improve productivity. 【0020】圧力検出素子からの出力信号を抵抗膜を通して出力することにより、抵抗または容量の加圧部からの距離依存性を利用して、例えば画素領域の外周部など基板の端部から出力される信号の比から位置座標を検出するようにしてもよい。 [0020] By the output signal from the pressure detection element outputs through resistive film, resistance or using a distance dependent from pressing capacity, for example, is output from an end of the substrate such as the outer peripheral portion of the pixel region it may be detected positional coordinates from the ratio of that signal. 【0021】本発明の位置検出装置は、第1の基板と、 The position detecting apparatus of the present invention includes a first substrate,
第2の基板と、前記第1の基板と前記第2の基板との間にマトリクス状に配設された柱状のスペーサと、前記第1の基板と前記スペーサの間、または前記第2の基板 A second substrate, the columnar spacers arranged in a matrix between the first substrate and the second substrate, between said spacer and said first substrate or said second substrate, When
前記スペーサーの間に配設された圧力検出素子と、前記圧力検出素子に圧力が加わった時、前記圧力検出素子の出力信号に基づいて、前記圧力が加わった圧力検出素子の位置を検出する手段とを具備したことを特徴とする。 A pressure sensing element disposed between said spacer, when pressure is applied to the pressure sensing element, on the basis of an output signal of the pressure sensing element, means for detecting the position of the pressure detecting element wherein the pressure is applied characterized by comprising and.
このような構成を採用することにより本発明の位置検出装置は表示装置との整合性を高めることができる。 Position detecting device of the present invention by adopting such a configuration can increase the consistency of the display device. 例えばスペーサにより保持された第1の基板と第2の基板との間隙に液晶組成物を配設し、第1の基板または第2の基板に電極を配設して液晶層の電気−光学応答を制御するようにすれば、表示品質を損ねることなく、かつ表示装置の大きさをコンパクトに保ちながら位置検出機能と表示機能とを両立することができる。 For example, the first arranged the liquid crystal composition to a substrate and a gap between the second substrate, electric liquid crystal layer disposed electrodes on the first substrate or the second substrate held by the spacer - optical response if to control, without compromising the display quality, and can achieve both a position detection function and display function while maintaining the compact size of the display device. また例えば、スペーサにより保持された第1の基板と第2の基板との間隙に電界効果型冷陰極をアレイ状に配設してフィールドエミッションディスプレイを構成するようにしてもよい。 Further, for example, a field effect type cold cathode in a gap between the first substrate and the second substrate may be constituted of a field emission display be disposed in an array held by a spacer.
またプラズマアドレス型液晶表示装置に本発明を適用するようにしてもよい。 Or it may be applied to the present invention to a plasma addressed liquid crystal display device. 【0022】すなわち本発明の液晶表示装置は、圧力検出素子スペーサとが対向するように配設した液晶表示装置である。 [0022] That is the liquid crystal display device of the present invention, is a pressure detecting element and the spacer is a liquid crystal display device arranged to face each other. 【0023】第1の電極パターンが配設された第1の基板と、第2の電極パターン配設された第2の基板と、前記第1の基板と第2の基板との間に挟持された液晶層と、前記第1の電極または前記第2の電極に表示信号電圧を印加する手段と、前記第1の基板と前記第2の基板との間に前記液晶層の厚さを保持するように挟持されたスペーサとを有する液晶表示装置において、前記第1の基板あるいは前記第2の基板のいずれか一方または前記第1の基板と前記第2の基板間に配設された圧力検出素子とを具備し、前記圧力検出素子と前記スペーサが対向させたものである。 [0023] a first substrate on which the first electrode pattern is disposed, and a second substrate which is the second electrode pattern disposed, are sandwiched between the first substrate and the second substrate a liquid crystal layer, hold means for applying a display signal voltage to the first electrode or the second electrode, the thickness of the liquid crystal layer between the first substrate and the second substrate in the liquid crystal display device having a sandwiched a spacer as the first substrate or the second one or the first substrate and the second disposed pressure sensing element between the substrates of the substrate comprising the door, the said pressure sensing element spacers is obtained by the counter. また前記スペーサの一部が圧力検出素子からなり、前記液晶表示装置の観測側から前記液晶表示装置の表示領域の一部に圧力を加えることにより、 The A part of the spacer is made of the pressure sensing element, applying pressure from the observation side of the liquid crystal display device in a display region of a liquid crystal display device,
前記表示領域における前記圧力を加えた位置近傍の前記圧力検出素子に圧力が印加され、前記圧力検出素子からの出力信号に基づいて圧力が印加された位置を検出する手段を備えたものである。 Wherein a pressure is applied to the pressure detecting element near a position plus the pressure in the display area, in which the pressure on the basis of an output signal from said pressure sensing element comprising means for detecting the applied position. また、前記第1の基板あるいは前記第2の基板の少なくとも一方に配設された抵抗膜を具備し、前記抵抗膜の一部と前記圧力検出素子が対向しており、前記抵抗膜と前記第1の電極および第2の電極の少なくとも一方が電気的に絶縁されており)、前記圧力検出素子からの出力信号が、前記抵抗膜を介して前記液晶表示装置の非表示領域で電気信号として出力されるようにしてもよい。 Furthermore, comprising the first substrate or the resistive film disposed on at least one of said second substrate, said is a part and the pressure sensing element is opposed resistive film, the said resistive film first at least one is electrically insulated) of the first electrode and the second electrode, the output signal from the pressure detecting element is outputted as an electric signal in the non-display area of ​​the liquid crystal display device through said resistive film it may be as is. 【0024】このような圧力検出素子としては、例えば、圧力により表面電荷を発生する圧電体を用い、前記電気信号として電流または電荷量を用いて位置を検出するようにしてもよい。 [0024] As such a pressure sensing element, e.g., a piezoelectric element for generating a surface charge by the pressure, may be detected a position using current or charge amount as the electrical signal. 圧電体とは、圧力を加えたときに表面電荷を発生するものである。 The piezoelectric body, and generates a surface charge when a pressure is applied. 圧電定数(d 33 )と発生する電荷(Q)には圧電体に加わる力をFとすると、 When the force applied to the piezoelectric element and F is the piezoelectric constant (d 33) and generating electric charge (Q),
以下の関係がある。 The following relationship. Q=d 33 ×F [C] したがって、この電荷を利用して位置検出を行うことができる。 Q = d 33 × F [C ] Accordingly, it is possible to detect the position by utilizing the charge. 例えば、電荷は電流の時間積分により検出するようにしてもよい。 For example, the charge may be detected by the time integral of the current. 圧電体の面積は、上式にもとづき、 Area of ​​the piezoelectric body on the basis of the above equation,
適切な電荷量が得られるように調節するようにすればよい。 It may be to adjust so that the amount of appropriate charge is obtained. 【0025】また、圧力検出素子として、例えば圧力により電気抵抗が変化する感圧体を用い、前記電気信号として電流または電圧を用いて位置を検出するようにしてもよい。 Further, as the pressure detecting element, for example, using a pressure sensitive element whose electrical resistance varies with pressure, may be detected a position using the current or voltage as said electrical signal. 感圧体とは、ここでは圧力を加えたときに抵抗が変化する素子をいう。 The pressure sensitive element refers to element whose resistance changes when a pressure is applied here. 感圧体としては、例えば絶縁性材料に導電性の微粒子を分散したものを用いるようにしてもよい。 The pressure sensitive element, for example may be used those obtained by dispersing conductive fine particles in the insulating material. 圧力により導電性の微粒子同士か接触することにより、抵抗か大きく変化する。 By contacting or conductive fine particles by the pressure, the resistance or large changes. すなわち、理想的には圧力印加により絶縁状態から導通状態への変化か起こる。 That is, ideally occur or change to a conductive state from an insulating state by applying pressure. したがって、この感圧体に圧力を印加することによる抵抗変化(ON/OFF)を利用して位置検出を行うようにすればよい。 Therefore, it is sufficient to perform the position detection using the resistance change by applying a pressure to the pressure sensitive element (ON / OFF). また感圧体の面積・厚さは、適切なON/OFF比が得られる圧力が加わるように調節するようにすればよい。 The area and thickness of the pressure sensitive element may be so adjusted to the pressure appropriate ON / OFF ratio is obtained is applied. 【0026】さらに前記圧力検出素子を、圧電体がゲートに電気的に接続されたトランジスタから構成し、前記電気信号として電流または電圧を用いて位置を検出するようにすればよい。 [0026] The further the pressure detecting element, a piezoelectric body is constituted of an electrically connected transistor to the gate, it is sufficient to detect the position using the current or voltage as said electrical signal. 例えばTFTのゲート電極に接続された圧電体に圧力を印加することにより、ゲート電圧を変化させて、ソース・ドレイン間の抵抗のON/OFF For example by applying a pressure to the piezoelectric element which is connected to the gate electrode of the TFT, by changing the gate voltage, ON / OFF of the resistance between the source and drain
制御を行い、位置検出を行うようにしてもよい。 And controls may be performed to detect position. 適切なON/OFFマージンを確保するために、圧電体の面積・厚さ、およひ圧電ゲートに印加するバイアス電圧を調整するようにしてもよい。 To ensure proper ON / OFF margin, the piezoelectric body area and thickness, may be adjusting the bias voltage applied to the Oyohi piezoelectric gate. 【0027】また第1の電極(画素電極)がマトリクス状に配設されたスイッチング素子に電気的に結合されており、前記第2の電極が液晶駆動用の共通(コモン)電極であり、前記圧力検出素子を介して前記抵抗膜に電気的に結合された位置検出用の対向電極を具備し、前記液晶駆動用の共通電極と前記位置検出用の対向電極とを電気的に導通させるようにしてもよい。 Further is electrically coupled to the switching element the first electrode (pixel electrode) are arranged in a matrix, wherein the second electrode is a common (common) electrodes for driving the liquid crystal, the It comprises a counter electrode for electrically coupling position detection in the resistive film through a pressure sensing element, and a common electrode and the counter electrode for the position detection for the liquid crystal drive so as to be electrically conductive it may be. 例えば液晶表示装置にもともと存在する共通(コモン)電極と、表面分割型の位置検出素子のバイアス電極とを同電位とすることにより、両者のカップリングに由来するノイズを低減することができる。 For example a common (common) electrode originally present in the liquid crystal display device, by the same potential and the bias electrode of the position detecting device of a surface split, it is possible to reduce the noise from both the coupling. またバイアス電極を別に形成する場合に比べ工程数を削減し、生産性を向上することもできる。 Further reducing the number of steps compared with the case of separately forming the bias electrode, it is also possible to improve productivity. 【0028】ここで本発明の液晶表示装置および位置検出装置におけるスペーサの設計方法について説明する。 [0028] will now be described in spacer design method of the liquid crystal display device and the position detecting device of the present invention for. 【0029】液晶セルに加圧した場合、圧力のほとんどはスペーサが支える。 [0029] When pressurized the liquid crystal cell, most of the pressure spacer support. スペーサ密度n[個/cm 2 ]のセルに、N[N/cm 2 ]の力を加えた場合、スペーサ1個あたりに加わる力はN/n[N/個]となる。 The cells of the spacer density n [pieces / cm 2], When exerting a force of N [N / cm 2], the force applied to the per spacer becomes N / n [N / piece]. 【0030】柱状のスペーサは、例えばレジストの塗布、露光、現像、ベーク等の一連のフォトエッチングプロセスにより形成することができる。 The columnar spacers, for example, resist coating, exposure, it can be formed developed by a series of photo-etching process bake like. また、露光の際のマスクパターンにより、スペーサの2次的な形状・密度・位置を制御するようにしてもよい。 Further, the mask pattern during the exposure, may be controlled secondary shape, density, position of the spacer. スペーサの配設密度により、スペーサ1個あたりにかかる圧力範囲を最適化することができる。 The arrangement density of the spacers, it is possible to optimize the pressure range according to per spacer. 【0031】スペーサの配設位置と圧電体の配設位置を重複させるか、スペーサ自体を圧電体により構成する場合、スペーサー1個の両端に発生する電荷量(Q)は以下のように計算される。 [0031] or to duplicate the arrangement position of the arrangement position and the piezoelectric spacer, if the spacer itself a piezoelectric element, the charge quantity generated in one ends spacer (Q) is calculated as follows that. Q=d 33 ×N÷n [C] 書込み用入力ペンまたは指を用いて加圧を行う場合、常識的な圧力はN=0.1〜1[kg/cm 2 ]=9.8 When performing pressurization with Q = d 33 × N ÷ n [C] input pen or finger writing, commonsense pressure N = 0.1~1 [kg / cm 2 ] = 9.8
〜98[N/cm 2 ]である。 98 is a [N / cm 2]. この値と、用いる圧電材料の圧電定数(d 33 )、出力信号の検出方法や、そのS And this value, the piezoelectric constant of the piezoelectric material used (d 33), and the detection method of the output signal, the S
/N設定等により、最適なスペーサ密度を設定するようにしればよい。 The / N setting etc., it may possible to set an optimum spacer density. 【0032】スペーサ位置に感圧体があるか、スペーサ自体が感圧体の場合も、感圧体の抵抗の圧力依存性から同様に最適なスペーサの配設密度を設定するようにすればよい。 [0032] or a spacer position is pressure sensitive element, even if the spacer itself has a pressure sensitive element may be a pressure dependence of the pressure sensitive element resistance so as to set the density of arrangement of the same optimal spacer . 【0033】次に、本発明の液晶表示装置または表示装置における抵抗膜の設計方法について説明する。 Next, a description method of designing the resistive film in the liquid crystal display device or the display device of the present invention. 【0034】本発明においては、圧電体または感圧体と抵抗膜とが接触するように配設されている。 [0034] In the present invention, a piezoelectric or pressure sensitive element and a resistor film is disposed in contact. 図9は液晶セルと抵抗膜との関係を説明するための図である。 Figure 9 is a diagram for explaining the relationship between the liquid crystal cell resistance film. 抵抗膜1は圧電体または感圧体が配設された第1の基板と第2の基板とからなる液晶セル2の片面(図9(a))に形成されていてもよいし、両面(図9(b))に形成されていてもよい。 Resistive 1 may be formed on one side of the liquid crystal cell 2 comprising a first substrate and a second substrate on which the piezoelectric element or the pressure sensitive element is disposed (FIG. 9 (a)), both sides ( may be formed in FIG. 9 (b)). 片面に形成する場合には、もう一方を抵抗膜1に比べ十分抵抗の低いバイアス印加用電極とすることが有効である(図9(a))。 In the case of forming on one surface, it is effective to sufficiently low resistance bias application electrode than the other to the resistance film 1 (FIG. 9 (a)). ベタの抵抗膜を用いる場合、周辺部に抵抗膜に比べ十分抵抗の低い信号取り出し電極3を設け、そこから出力信号を得ることが有効である(図9(a)、図9(b))。 When using a solid resistive film, the lower the signal extraction electrode 3 sufficiently resistance compared with the resistance film in the peripheral portion is provided, it is effective to obtain an output signal therefrom (FIG. 9 (a), the to FIG. 9 (b)) . 表面分割型の場合は抵抗膜の4辺に(図9(a))、両面分割型の抵抗膜あたり2辺づつに(図9(b))信号取り出し電極3 For surface split into four sides of the resistive film (FIG. 9 (a)), the two sides at a time per resistive film of the double-sided split (FIG. 9 (b)) signal extraction electrode 3
を設けることが有効である。 It is effective to provide a. さらに、信号取り出し電極3間の干渉を低減する目的で、信号取り出し電極3の形状を変形するようにしてもよい。 Furthermore, in order to reduce interference between the signal extraction electrodes 3 may be deformed to the shape of the signal extraction electrode 3. 【0035】また、例えば画素領域と相補的なパターン等にパターニングされた抵抗膜を用いる場合についても、抵抗膜2は液晶セルの片面(図11(a))に形成されていても両面(図11(b))に形成されていてもよい。 Further, for example, the case of using a patterned resistor film complementary patterns such as the pixel region, the resistive film 2 is one side (FIG. 11 (a)) both sides (Fig be formed in the liquid crystal cell 11 (b)) may be formed on. 片面に形成する場合には、もう一方を抵抗膜に比べ十分抵抗の低いバイアス印加用電極とすることが有効である(図11(a))。 In the case of forming on one surface, it is effective to sufficiently low resistance bias application electrode than the other to the resistor film (FIG. 11 (a)). バイアス印加用の電極もパターニングされていても構わない。 Electrode for bias application also may be patterned. ただしこの場合には、 However, in this case,
圧電体または感圧体のある部分にバイアス印加用の電極が残っていることが必要である。 It is necessary to remain piezoelectric or electrode for bias applied to some portion of the pressure sensitive element. 抵抗膜を両面に形成する場合も、両面がストライプ上に互いに直交するようにパターニングされていても(図11(b))、片面のみがパターニングされ、残る片面がベタ膜であっても構わない。 When forming a resistive film on both surfaces also be patterned so both surfaces are perpendicular to each other on the stripe (FIG. 11 (b)), only one side is patterned, leaving one surface may be a solid film . 両面がストライプ上に互いに直交するようにパターニングされている場合には、その交点の部分に圧電体または感圧体を配設するようにすればよい。 If both sides are patterned so as to be perpendicular to each other on the stripe, it is sufficient to dispose the piezoelectric or pressure sensitive element to the portion of the intersection. 抵抗膜をストライプ上にパターニングする場合は、ストライプ電極からの出力をそのまま出力信号として用いても、周辺部に抵抗膜に比べ十分抵抗の低い信号取り出し用電極を設け、そこから出力信号を得ても構わない。 When patterning a resistive film on the stripe, it is used as it is as the output signal output from the stripe electrodes, the low signal extraction electrodes sufficiently resistance compared with the resistance film in the peripheral portion is provided to obtain an output signal therefrom it may be. 出力信号処理回路のコスト低減のためには、周辺部に信号取り出し用極3を設け、一括信号処理を行うことが望ましい(図1 For cost reduction of the output signal processing circuit, the provided signal extraction electrode 3 in the peripheral portion, it is desirable to make bulk signal processing (Fig. 1
1(a)、図11(b))。 1 (a), FIG. 11 (b)). 信号取り出し電極3は、表面分割型の場合は抵抗膜の4辺に(図11(a))、両面分割型の抵抗膜あたり2辺づつに(図11(b))配設される。 Signal extraction electrode 3, in the case of surface split into four sides of the resistive film (FIG. 11 (a)), the two sides at a time per resistive film of the double-sided split (FIG. 11 (b)) are arranged. 抵抗膜の抵抗は、出力信号の検出方法・出力範囲、S/N設定等により、最適設計するようにすればよい。 Resistance of the resistance film, the detection method and the output range of the output signal, the S / N setting etc., may be to optimally design. 【0036】また、抵抗膜2を液晶表示装置の非開口部にのみ設置することにより、抵抗膜の吸収による光ロスや、抵抗膜の電位の液晶表示への影響を回避することができ、表示品質を向上することができる。 Further, the resistive film 2 by installing only the non-opening portion of the liquid crystal display device, and the light loss due to absorption of the resistance film, it is possible to avoid the influence of the liquid crystal display of the potential of the resistive film, the display it is possible to improve the quality. 【0037】図10は抵抗膜のパターンの例を概略的に示す図である。 FIG. 10 is an example of a pattern of the resistive film is a diagram schematically showing. 抵抗膜3を黒色の遮光膜として、抵抗膜3を液晶表示装置のブラックマトリクスとして形成することにより、プロセスを削減してコスト低下を図る上で有効である。 The resistance film 3 as a light-shielding film of black, by forming a resistance film 3 as a black matrix of a liquid crystal display device, by reducing the process is effective in achieving cost reduction. 【0038】また、表面分割型のバイアス電極をTFT Further, the bias electrode surface split TFT
液晶表示装置のコモン電極電位とすることにより、コモン電極とのカップリング容量に由来するノイズを低減すると共に、バイアス電極形成プロセスを削減してコスト低下を図る上で有効てある。 By the common electrode potential of the liquid crystal display device, while reducing noise resulting from the coupling capacitance between the common electrode, it is effective in reducing the cost reduction by reducing the bias electrode formation process. 次に、本発明の位置検出機能内蔵液晶表示装置おける座標算出方法について述べる。 Next, we describe the position detection function liquid crystal display device definitive coordinate calculation method of the present invention. 【0039】図12は、圧力検出素子が圧電体からなり、電荷量を検出する場合の座標算出方法の例を説明するための図である。 [0039] Figure 12, the pressure sensing element is a piezoelectric material, is a diagram for explaining an example of a coordinate calculation method in the case of detecting the amount of charge. 圧電体に圧力を加えると、圧力が加わった位置に表面電荷が誘起される。 Pressure on the piezoelectric body, the surface charge is induced at the position where pressure is applied. この電荷は抵抗膜による抵抗Rと、容量Cとの積に比例した時定数で減衰しつつ、両端の引き出し線から電流として出力される。 This charge and the resistance R by the resistance film, while attenuated by a time constant which is proportional to the product of the capacitance C, is output as a current from the lead wire ends.
両端から出力される電流の積分値すなわち電荷量の比は、加圧点で分断された容量に比例する。 The ratio of the integrated value or charge amount of current output from both ends is proportional to the capacitance which is divided at the pressure point. すなわち、Q In other words, Q
とQx(1)、Qx(2)、Qy(1)、Qy(2)との間にそれぞれ形成される容量は、圧力Fが加わった点と、引き出し電極との距離の2乗に比例する。 And Qx (1), Qx (2), Qy (1), the capacitance formed respectively between the Qy (2) are that the pressure F is applied, in proportion to the square of the distance between the extraction electrode . したがって、位置座標は以下のように算出される。 Therefore, the position coordinates are calculated as follows. (2x/Lx ) 2 ={Qx(2)−Qx(1)}/{Q (2x / Lx) 2 = { Qx (2) -Qx (1)} / {Q
x(2)+Qx(1)} (2y/Lx ) 2 ={Qy(2)−Qy(1)}/{Q x (2) + Qx (1 )} (2y / Lx) 2 = {Qy (2) -Qy (1)} / {Q
y(2)+Qy(1)} また、引き出し線近傍でのゆがみが生じる場合には、この分は補正するようにしればよい。 y (2) + Qy (1)} Further, when the distortion in the lead wire near occurs, it may as this amount is corrected. 【0040】図12の例においては、抵抗膜の抵抗として、表面分割型を用いているが、両面分割型を用いても構わない。 [0040] In the example of FIG. 12, as the resistance of the resistance film, but using a surface split, it may be used a double-sided split. 図14は、表面分割型を用い、バイアス電位VB を設定したときの等価回路の例であり、図16は表面分割型を用い対向をフローティングとしたときの等価回路の例であり、図17は両面分割型を用いたときの等価回路の例である。 14, using a surface split, an example of an equivalent circuit at the time of setting the bias potential VB, FIG. 16 is an example of an equivalent circuit when the opposed with surface split was floating, 17 it is an example of an equivalent circuit when using the double-sided split. 【0041】表面分割型を用いた場合の等価回路においては、簡略のためX座標側のみ記し、Y座標側については同様のため省略している。 [0041] In the equivalent circuit in the case of using a surface split type, marked only X-coordinate side for simplification, are omitted for the same for Y coordinate side. (表面分割型については以下同様にY座標側の等価回路を省略する。)圧電体を用い電荷量を検出する場合、圧力が変化したときのみ電流が流れ、電荷量のピーク値を用いて位置座標を検出する。 (Omitted similarly equivalent circuit of the Y-coordinate-side below the surface split.) To detect the amount of charge using a piezoelectric element, the current only when the pressure change flow position using the peak value of the charge quantity to detect the coordinates. このため、圧力が変化した瞬間の電流を精度良く検出することが必要となる。 Therefore, it is necessary to accurately detect the moment of the current pressure changes. 抵抗膜の抵抗Rは、電流出力の時定数を調節し、電前検出回路の帯域を落としてS/ Resistance R of the resistance film, by adjusting the time constant of the current output, dropped the band of conductive prior to detection circuit S /
N比を上げるよう貨定される。 It is 貨定 to raise N ratio. ペンまたは指からの加圧で入力する場合、帯域は1[kHz]〜数[Hz]の間に設定するようにすればよい。 When entering a pressurized from the pen or finger, the band may be so set between 1 [kHz] ~ Number [Hz]. これは、1[kHz]以上の速さで人か入力するのは困難であり、数[Hz]以下だと遅いと感じることが主たる理由である。 This is is difficult to input or people in the 1 [kHz] or more of the speed, to feel the slow and they number [Hz] The following is the main reason. 特に、液晶の駆動周波数である60[Hz]周期で検出することが、駆動周期由来のノイズを効果的に低減する上で望ましい。 In particular, detecting at 60 [Hz] period is a driving frequency of the liquid crystal is desirable for effectively reducing the noise from the driving cycle. 【0042】図21、図23は圧電体を用いたときの座標検出回路の構成の例を示す図である。 [0042] Figure 21, Figure 23 is a diagram showing an example of a structure of a coordinate detection circuit when using a piezoelectric element. 図22、図24 FIGS. 22, 24
は感圧体をゲートに接続した薄膜トランジスタを用いた時の座標検出回路の構成の例を示す図である。 Is a diagram showing an example of a configuration of a coordinate detector when using a thin film transistor connected to the pressure sensitive element to the gate. 図21においては、Q−Vアンプからの出力をA/D変換して、 In Figure 21, the output from the Q-V amplifier converts A / D,
その後デジタル演算により座標演算・ピーク検出を行う。 Then it performs coordinate calculation and peak detection by digital calculation. このとき、液晶表示のクロックと同期させることにより、たとえばコモン反転時のコモン電極とのカップリングノイズ等を除去することがS/N比向上の点で有効である。 At this time, by synchronizing with the liquid crystal display clock, for example, it is effective in terms of S / N ratio improvement for removing coupling noise or the like of the common electrode at the time of the common inversion. さらに、デジタル演算により引き出し線近傍のゆがみ補正を行うことが、位置精度向上の点で有効である。 Further, by performing the lead wire near the distortion correction by a digital operation, it is effective in terms of location accuracy. 図23においては、加算、減算、割り算、ピークホールドまでアナロク処理し、最後にA/D変換をするようにすればよい。 In 23 addition, subtraction, division, and Anaroku treated to a peak-hold, finally it may be such that the A / D conversion. この場合もA/D変換後のデジタル演算において、駆動周期依存のノイズ除去、引き出し線近傍のゆがみ補正等を行うことが好ましい。 In this case the digital calculation after A / D conversion, the drive cycle dependent noise removal, it is preferable to perform the distortion correction and the like of the lead wire near. 【0043】図13は圧力検出素子が感圧体からなり、 [0043] FIG. 13 is the pressure sensing element is made of the pressure sensitive element,
電流または電圧を検出する場合の座標算出方法の例を説明するための図である。 It is a diagram for explaining an example of a coordinate calculation method in the case of detecting the current or voltage. 感圧体に圧力を加えると、圧力が加わった位置の抵抗が低下し、理想的にはバイアス電極とショートする。 Pressure on the pressure sensitive element, lowers the resistance of the position where the pressure is applied, ideally short and the bias electrode. バイアス電圧は抵抗膜により抵抗分割されて、両端の引き出し線から電流または電圧として出力される。 Bias voltage is resistively divided by the resistance film, is output as a current or voltage from the lead line at both ends. 両端から出力される電流の比は抵抗に反比例する。 The ratio of the current output from both ends is inversely proportional to the resistance. 抵抗は引き出し線からの距離に比例するため、 Because the resistance is proportional to the distance from the lead line,
位置座標は以下のように算出される。 Position coordinates are calculated as follows. (2x/Lx ) 2 ={Ix(2)−Ix(1)}/{I (2x / Lx) 2 = { Ix (2) -Ix (1)} / {I
x(2)+Ix(1)} (2y/Lx ) 2 ={Iy(2)−Iy(1)}/{I x (2) + Ix (1 )} (2y / Lx) 2 = {Iy (2) -Iy (1)} / {I
y(2)+Iy(1)} 図13においては、抵抗膜の構造として表面分割型を用いているが、両面分割型を用いても構わない。 In y (2) + Iy (1)} 13, is used a surface split the structure of the resistance film, it may be used a double-sided split. 【0044】図15は表面分割型を用いバイアス電位を設定したときの等価回路の例であり、図18は、両面分割型を用いたときの等価回路の例である。 [0044] Figure 15 is an example of an equivalent circuit at the time of setting the bias potential using a surface split, FIG. 18 is an example of an equivalent circuit when using a double-sided split. また、感圧体を用いたときの座標検出回路構成例を図22、図24に示している。 Also shows the coordinate detection circuit configuration example of a case of using the pressure sensitive element 22, in Figure 24. 図22の例では、I−Vアンプからの出力をA/D変換して、その後デシタル演算により座標演算を行う。 In the example of FIG. 22, and outputs the A / D conversion of I-V amplifier, performs coordinate calculation by subsequent Deshitaru operation. このとき、液晶表示のクロックと同期させることにより、たとえばコモン反転時のコモン電極とのカップリングノイズ等を除去することがS/N比向上の点で有効である。 At this time, by synchronizing with the liquid crystal display clock, for example, it is effective in terms of S / N ratio improvement for removing coupling noise or the like of the common electrode at the time of the common inversion. さらに、デシタル演算により引き出し線近傍のゆがみの補正を行うことが、位置精度向上の点で有効である。 Further, it is effective in terms of location accuracy for correcting the distortion of the lead wire near the Deshitaru operation. 図24の例においては、加算、減算、割り算までアナロダ処理し、最後にA/D変換をする。 In the example of FIG. 24, addition, subtraction, and Anaroda processing until division, the last A / D conversion. この場合もA/D変換後のデジタル演算において、駈動周期依存のノイズ除去、引き出し線近傍のゆがみ補正を行うことが有効である。 In digital operation after this case A / D conversion, Kado cycle dependent noise removal, it is effective to perform distortion correction of the lead wire near. 【0045】圧力検出素子が圧電ゲートトランジスタからなり、電流または電圧を検出する場合の座標算出方去こついては、感圧体と同様である。 The pressure sensing element is a piezoelectric gate transistor, For come coordinate calculating how the case of detecting the current or voltage is the same as the pressure sensitive element. 図19は圧電ゲートトランジスタを用いた表面分割型の等価回路の例を示す図であり、図20は両面分割型の等価回路の例を示す図である。 Figure 19 is a diagram showing an example of a surface-division of the equivalent circuit using a piezoelectric gate transistor, FIG. 20 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of the double-sided split. 図19においては、圧電ゲートトランジスタのソースはすべて共通電位(図中COMで表示)に設定される。 In Figure 19, it is all set to the source common potential of the piezoelectric gate transistor (displayed in figure COM). 圧電ゲートにはTFTのON/OFFマージンを見込んだバイアス電圧が印加される(図中の電池記号)。 Bias voltage in anticipation of the ON / OFF margin of TFT is applied to the piezoelectric gate (battery symbol in the figure). 圧電体を圧縮したときに発生する電圧の極性は圧電体の分極方向によって決められる。 The polarity of the voltage generated when compressing the piezoelectric body is determined by the polarization direction of the piezoelectric element. 【0046】図20においては、圧電ゲートトランジスタのソース・ドレイン電極がそれぞれX軸座標・Y軸座標出用の抵抗配線につながれている。 [0046] In Figure 20, source and drain electrodes of the piezoelectric gate transistor is connected to the resistance wire for output X-axis coordinate · Y axis coordinates, respectively. 圧電ゲートにはT T is the piezoelectric gate
FTのON/OFFマージンを見込んだバイアス電圧(図中V B )が印加される。 Bias voltage in anticipation of the ON / OFF margin FT (figure V B) is applied. 圧電体を圧縮したときに発生する電圧の極性は圧電体の分極方向によって決められる。 The polarity of the voltage generated when compressing the piezoelectric body is determined by the polarization direction of the piezoelectric element. 図19、図20いずれの場合も圧電体に圧力を加えると、圧力が加わった位置のTFTがON状態となり、 19, when pressure is applied to the piezoelectric element in any case 20, the position of the TFT pressure is applied in an ON state,
抵抗膜により抵抗分割されて、両端の引き出し線から電流または電圧として出力される。 Is the resistance divided by the resistance film, is output as a current or voltage from the lead line at both ends. 【0047】次に表示装置に用いる圧電材料およびその分極処理方法について説明する。 Next, a description will be given of a piezoelectric material and a polarization processing method used in a display device. 【0048】圧電材料としては、代表的な圧電体であるPZTの他、例えばBaTiO 3 、PbTiO 3 、Bi [0048] As the piezoelectric material, other PZT which is a typical piezoelectric, for example BaTiO 3, PbTiO 3, Bi
2 SrTa 29 、Bi 3 Ti 412 、BaMgF 4 2 SrTa 2 O 9, Bi 3 Ti 4 O 12, BaMgF 4,
Gd 2 (MoO 43などを用いることができる。 Gd 2 or the like can be used (MoO 4) 3. 圧電性を示すためには、分極方向がそろっている必要がある。 To demonstrate the piezoelectric needs to have all the polarization direction. 分極方向を揃えるには、圧電材料に電圧を印加して分極反転させることが有効である。 To align the polarization direction, it is effective to polarization inversion voltage is applied to the piezoelectric material. 表面分割型でバイアス電極が形成されている場合には、信号取り出し用電極とバイアス電極との間に、圧電体分極反転電圧より大きい電圧を与えることにより分極方向を揃えることが可能である。 When the bias electrode is formed on the surface split, between the signal extraction electrodes and the bias electrode, it is possible to align the polarization direction by applying a voltage higher than the piezoelectric polarization inversion voltage. 両面分割型の場合も同様に、両側の対向電極間に圧電体より大きい電圧を与えることにより分極方向を揃えることが可能である。 Similarly, for double-sided split, it is possible to align the polarization direction by applying a voltage higher than the piezoelectric body between the two sides of the counter electrode. 【0049】また、表面分割型で対向電立がフローティングの場合には、フローティング側を空気側として、イオナイザーを照射しつつ、信号取り出し用し電極にグランド電位を基準として圧電体の分極反転電圧より大きい電圧を与えることにより分極方向を揃えるようにしてもよい。 [0049] When opposing electrostatic standing surface division type is floating, the floating side as the air side, while irradiating the ionizer, than the polarization inversion voltage of the piezoelectric element relative to the ground potential and signal extraction electrode it may be aligned with the polarization direction by applying a large voltage. 【0050】なお圧力検出素子として圧電体を用いた場合、圧電体の少なくとも一方の電極がフローティングの場合には偏加重がかかって高電圧が発生し短絡する恐れがある。 [0050] In the case of using a piezoelectric element as a pressure sensing element, at least one of the electrodes of the piezoelectric body in the case of floating, there is a possibility that it takes unbalanced load high voltage is generated a short circuit. 例えば圧力検出素子としてゲート電極に圧電体を用いた圧電ゲート薄膜トランジスタを用いるような場合には、このような短絡を回避する構成を備えておくことが好ましい。 For example, when the gate electrode as a pressure detection element such as a piezoelectric gate thin film transistor using a piezoelectric body, it is preferable that a configuration to avoid such short circuits. 例えば、過大電圧が発生した場合の保護のための保護回路を圧電体の一方のフローティング電極に接続しておくようにしてもよい。 For example, it may be a protective circuit for protection when an excessive voltage is generated so keep connected to one of the floating electrode of the piezoelectric body. このような例としては例えば図8に例示した構成をあげることができる。 Such example can be mentioned a structure illustrated in FIG. 8, for example. いずれも薄膜トランジスタで構成することができるので、 Since both can be a thin film transistor,
画素選択用の薄膜トランジスタと同時に形成することができる。 It can be formed simultaneously with the thin film transistor for pixel selection. このため保護回路の形成による液晶表示装置の生産性の低下を回避することができる。 Therefore it is possible to avoid a decrease in productivity of the liquid crystal display device due to the formation of the protection circuit. 【0051】 【発明の実施の形態】以下に本発明についてさらに詳細に説明する。 The present invention will be described in more detail in the following DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION. (実施形態1)図1は本発明の液晶表示装置の構成の例を概略的に示す図である。 (Embodiment 1) FIG. 1 is a diagram schematically illustrating an example of a configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 図1の液晶表示装置は、座標入力機能を内蔵した液晶表示装置であり、液晶表示方式として、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Fil The liquid crystal display device of FIG. 1 is a liquid crystal display device with a built-in coordinate input function, a liquid crystal display method, a thin film transistor (TFT: Thin Fil
m Transistor)を用いたアクティブマトリクス方式が用いられている。 m Transistor) active matrix system using have been used. また、液晶表示モードとしては、透過型のTN(Twisted Nemati Further, as the liquid crystal display mode, transmission type TN (Twisted Nemati
c)方式が用いられている。 c) method is used. 圧力検出のための感圧素子としては圧電体が用いられている、また、感圧素子の電極構造は表面分割型であり、バイアス電極が液晶表示用のコモン電極としての機能を兼ねており、さらに抵抗膜がブラックマトリクスとしての機能を兼ねている(図1 The pressure sensitive element for pressure detection piezoelectric body is used, also, the electrode structure of the pressure-sensitive element is a surface split type, the bias electrode also serves a function as a common electrode for liquid crystal display, further resistance film also functions as a black matrix (Fig. 1
1(a)参照)。 1 (a) see). この液晶表示装置は、アレイ基板11 The liquid crystal display device includes an array substrate 11
と対向基板12との間に液晶層13を挟持したものである。 It is obtained by sandwiching a liquid crystal layer 13 between the counter substrate 12 and. アレイ基板11と対向基板12との間隙は柱状のスペーサ14により保持されている。 The gap between the array substrate 11 and the counter substrate 12 is held by the columnar spacer 14. アレイ基板11は、 Array substrate 11,
ガラス基板などの絶縁性基板15と、この絶縁性基板1 An insulating substrate 15 such as a glass substrate, the insulating substrate 1
5上にマトリクス状に配設された画素電極16と、この画素電極16に表示信号に対応した電圧を印加するための薄膜トランジスタ17とを備えている。 5 and the pixel electrode 16 arranged in a matrix on, and a thin film transistor 17 for applying a voltage corresponding to the display signal to the pixel electrode 16. なおアレイ基板11と対向基板12の液晶層13挟持面には図示しない配向膜が配設されている。 Note the liquid crystal layer 13 holding surface of the array substrate 11 and the counter substrate 12 alignment film (not shown) is disposed. 薄膜トランジスタ17は、 Thin film transistor 17,
絶縁性基板15上に配設されたゲート電極17gと、ゲート電極17gを覆うように配設されたゲート絶縁膜と18、ゲート絶縁膜18を介してゲート電極17gと対向した例えばa−Si、p−Siなどの半導体膜17i A gate electrode 17g disposed on the insulating substrate 15, a gate insulating film arranged to cover the gate electrode 17g and 18, facing the gate electrode 17g through a gate insulating film 18 was e.g. a-Si, semiconductor film 17i, such as p-Si
と、半導体膜17iと接合したソース電極17s、ドレイン電極17dと、チャネル保護膜17eと、薄膜トランジスタを覆うように配設されたパッシベーション膜1 When the semiconductor film 17i and joining with the source electrode 17s, and the drain electrode 17d, the channel protective film 17e and the passivation film 1 disposed so as to cover the thin film transistors
9とを備えている。 And a 9. なお、半導体膜17iのソース・ドレイン電極との接合面には、ソース・ドレイン電極と半導体膜とがオーミック接合するように図示しない例えばn + a−Siなどのコンタクト層が配設されている。 Incidentally, at the interface between the source and drain electrodes of the semiconductor films 17i, the source-drain electrode and the semiconductor film are contact layer disposed (not shown) such as for example n + a-Si to ohmic contact. 【0052】対向基板12は、例えばガラス基板などの絶縁性基板21と、この絶縁性基板21上に画素電極と相補的な所定のパターンで配設された抵抗膜22と、抵抗膜22とスペーサ14との間に配設された感圧素子2 The counter substrate 12 includes, for example, an insulating substrate 21 such as a glass substrate, a resistor layer 22 disposed in a complementary predetermined pattern between the pixel electrode on the insulating substrate 21, resistive layer 22 and the spacer 14 disposed between been sensitive element 2
3と、抵抗膜22および感圧素子23を覆うように配設されたカラーフィルタ24と、液晶層挟持面に配設されたコモン電極(対向電極)25とを備えている。 3, a resistive film 22 and the pressure-sensitive element 23 color filter 24 disposed so as to cover the, and a liquid crystal layer disposed a common electrode on the holding surface (counter electrode) 25. なおこの例では抵抗膜22は遮光性を有する材料から構成されており、隣接する画素領域間を遮光するブラックマトリクスとしても機能するように構成されている。 Note resistive film 22 in this example is composed of a material having a light shielding property, and is configured to function as a black matrix for shielding between adjacent pixel regions. またカラーフィルタ24は、R(赤)、G(緑)、B(青)の加法混色の3原色に着色した絶縁材料を、各画素領域を覆うように配設されている。 The color filter 24 is, R (red), G (green), B a colored insulating material to the three primary colors of additive color mixture of (blue) are disposed so as to cover the pixel region. 【0053】この構造における座標座標算出方法は図1 [0053] coordinate coordinate calculation method in the structure 1
2に、等価回路は図14に示したとおりである。 2, the equivalent circuit is as shown in FIG. 14. また、 Also,
座標検出回路の構成例は図21、図23で説明したとおりであり、図23の座標検出回路の構成例を用いたときの座標検出回路は図25に示した通りである。 Configuration example of the coordinate detection circuit 21 are as described in FIG. 23, the coordinate detection circuit when using a configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 23 is as shown in FIG. 25. すなわち、対向基板12に圧力が加わると、感圧素子が加圧されて例えば誘起電荷、電流、電圧などの電気信号を出力する。 That is, when a pressure is applied to the counter substrate 12, the pressure-sensitive element is pressurized by for example induced charge, current, and outputs an electrical signal such as voltage. そして前述したようにこの電気信号に基づいて、 Then, based on the electrical signal as described above,
圧力が加わった表示画面上の位置を検出する。 Detecting the position on the display screen the pressure applied. 本発明の液晶表示装置では、位置検出機能の付加を、表示に寄与する各画素領域と相補的に配設することができる。 In the liquid crystal display device of the present invention, the addition of position detection function can be complementarily arranged to contribute each pixel region on the display. また従来の液晶表示装置のように、表示に寄与する領域に位置検出のための電極を配設する必要もない。 Also as in the conventional liquid crystal display device, there is no need to dispose the electrodes for position detection that contribute to the display area. さらに視差等による検出位置のずれもなく高精度な位置検出を行うことができる。 It can be further carried out a deviation of the detected position even without highly accurate position detection by the parallax and the like. 【0054】次に、上述した液晶表示装置の製造方法の例について説明する。 Next, an example of a manufacturing method of a liquid crystal display device described above. まず、アレイ基板11の製造方法について述べる。 First, a method for manufacturing the array substrate 11. 【0055】まず、絶縁性基板15上にMo−Ta合金を厚さ300[nm]堆積し、パターニングすることによりゲート線およびゲート線と連続したゲート電極17 Firstly, an insulating substrate 15 a Mo-Ta alloy thickness 300 [nm] is deposited on the gate electrode and contiguous with the gate line and the gate line by patterning 17
g、および図示しない補助容量線を同時に形成する。 g, and not shown to form the auxiliary capacitance line at the same time. 次いで、シリコン酸化膜を厚さ400[nm]、SiNx Next, the silicon oxide film thickness of 400 [nm], SiNx
を厚さ50[nm]、a−Siを厚さ50[nm]、エッチングストッパ層用SiNx を厚さ200[nm]を堆積する。 The thickness of 50 [nm], the thickness of the a-Si 50 [nm], depositing a thickness of 200 [nm] a SiNx an etching stopper layer. そしてレジスト塗布後に裏面露光および通常露光することによりゲート線上のみに自己整合的にSi The self-aligned manner only Si gate line by back exposure and the normal exposure after the resist coating
Nx からなるストッパ層17eを残し、他はエッチングする。 Leaving the stopper layer 17e composed of Nx, the other is etching. 次にオーミックなコンタクト層となるn + a−S Then the ohmic contact layer n + a-S
iを50[nm]堆積し、n + a−Si層/a−Si層/SiNx 層を一括パターニングすることにより、半導体膜17i、コンタクト層を形成する。 The i was 50 [nm] is deposited, by collectively patterning the n + a-Si layer / a-Si layer / SiNx layer, the semiconductor film 17i, to form a contact layer. 【0056】ついで、ITO(酸化インジウム錫)を厚さ100[nm]堆積し、パターニングすることにより画素電極16を形成する。 [0056] Then, ITO (indium tin oxide) thickness 100 [nm] is deposited to form a pixel electrode 16 by patterning. さらに、図示しない引き出し線上の酸化膜をパターニングし、スルーホールを形成する。 Further, by patterning the oxide film of the drawer line (not shown) to form a through hole. 【0057】次に、Cr80[nm]、Al30[n Next, Cr80 [nm], Al30 [n
m]、Cr80[nm]を堆積し、パターニングすることにより信号線、薄膜トランジスタのソース電極17 m], deposited CR80 [nm], the signal line by patterning, the source of the TFT electrode 17
s、ドレイン電極17dを形成する。 s, the drain electrode 17d. そして、Cr/A Then, Cr / A
l/CrをマスクにしてRIE(Reactive I And the l / Cr to mask RIE (Reactive I
on Etching)を行うことにより、コンタクト領域以外のいらない部分のn + a−Si層を除去する。 By performing on Etching), to remove the n + a-Si layer portions do not need other than the contact region. 【0058】そして、SiNx を厚さ20[nm]堆積し、パターニングすることにより、アレイ基板の画素電極以外の部分にパッシベーション膜19を成膜する。 [0058] Then, SiNx and a thickness 20 [nm] is deposited, by patterning, a passivation film 19 in the portion other than the pixel electrodes of the array substrate. 【0059】次に、対向基板の製造方法について説明する。 Next, a method for manufacturing the counter substrate. 【0060】まず、ガラスなどの絶縁性基板21上にC Firstly, C on the insulating substrate 21 such as glass
rを30[nm]堆積し、パターニングすることにより、ブラックマトリクスと兼ねた抵抗膜22を形成する。 r was 30 [nm] is deposited, by patterning, to form the resistance film 22 that also functions as a black matrix. 次に、圧電体であるPZTをスパッタリング法等により厚さ1[μm]堆積し、レジストのマスク露光・ドライエッチングにより、画素領域と相補的な形状にパターニングする。 Then, thickness of 1 [[mu] m] is deposited by sputtering a PZT a piezoelectric material, the mask exposure and dry etching of the resist is patterned into a shape complementary to the pixel region. 【0061】その後、顔料分散レジストを2[μm]塗布しパターニングすることを、赤、緑、青の三色について繰り返すことにより、カラーフィルタを形成する。 [0061] Thereafter, the patterning the pigment dispersion resist 2 [μm] coated, red, green, by repeated for three colors of blue, to form a color filter. 次に、透明電極であるITOをマスクスパッタで厚さ15 Next, the thickness of the ITO transparent electrode by mask sputtering of 15
0[nm]堆積することにより、抵抗膜へのバイアス電極を兼ねたコモン電極25を形成する。 By 0 [nm] is deposited to form the common electrode 25 which also serves as a bias electrode to the resistive film. 【0062】次に、液晶セルの製造方法について述べる。 [0062] Next, the process for producing the liquid crystal cell. 【0063】まず、対向基板12に、ポリイミド等からなる、液晶分子の配向を制御する配向膜を印刷法により厚さ70[nm]形成し、焼成する。 [0063] First, the counter substrate 12, made of polyimide or the like, an alignment film for controlling the alignment of liquid crystal molecules thick 70 [nm] is formed by a printing method and fired. この配向膜に、液晶の配向方向を規定するためのラビング処理を行う。 This alignment film is rubbed for controlling the alignment of the liquid crystal. 【0064】その後、スペーサ14形成のために、例えばアクリル系レジストを塗布、マスク露光、現像、ベークすることにより、圧電体からなる感圧素子23と対応する領域に選択的に絶縁性のスペーサ14を形成する。 [0064] Then, for the spacer 14 formation, for example, coating the acrylic resist, mask exposure, development, by baking, for selectively insulating the region corresponding to the pressure-sensitive element 23 composed of a piezoelectric spacer 14 to form. 【0065】一方、アレイ基板11も、対向基板12と同様に配向膜の印刷、焼成、ラビング処理を行う。 [0065] On the other hand, the array substrate 11 also performs printing similarly oriented film and the counter substrate 12, firing, rubbing treatment. その後、対向基板12にシール剤を塗布、乾燥する。 Thereafter, the sealant applying and drying the counter substrate 12. シール剤は、信号線側基板と走査線側基板を接着し液晶だめを作る役割を担う。 Sealant adheres scanning line side substrate and the signal line side substrate responsible for making the liquid crystal reservoir. 次に封着時の合わせズレをおさえる役割を担う紫外線硬化樹脂(仮止め剤)を対向基板12のシールの外側に塗布し、アレイ基板11と対向基板12 Then applying a UV curable resin plays a role of suppressing misalignment during sealing (temporary bonding agent) outside the seal of the counter substrate 12, the array substrate 11 and the counter substrate 12
の配向膜形成面を対向させるように組み立てる。 Assembling the alignment film forming surface so as to face each other. 次にアレイ基板と対向基板の位置合わせ(目ズレ修正)を行い、仮止め位置に紫外線を照射することにより、仮止め剤を硬化させる。 Then do the array substrate and the alignment of the opposite substrate (misalignment corrected) by irradiating ultraviolet rays to the tacking position, to cure the temporary bonding agent. そして、セル全面を荷重しつつオーブンで加熱することにより、シール剤を硬化させる。 Then, by heating in an oven while the load cell the entire surface, to cure the sealant. 【0066】その後、真空状態でシール剤のオープンになっている部分(注入口)に液晶組成物を浸すことにより、液晶組成物の注入を行う。 [0066] Thereafter, by immersing the liquid crystal composition to a portion (inlet) which are open in the sealant in a vacuum state, the injection of the liquid crystal composition. 次に注入口に紫外線硬化剤を付け、紫外線を照射することにより、注入口を封止する。 Then name UV curing agent inlet, by irradiating ultraviolet light to seal the injection port. 【0067】次に、この液晶セルをオーブンで加熱し、 Next, heating the liquid crystal cell in the oven,
冷却することにより、液晶の配向を均一化する。 By cooling, to equalize the orientation of the liquid crystal. 最後に、この液晶セルの両側の基板の表面にそれそれのラビング方向と平行または垂直となるように偏光板を接着する。 Finally, to bond the polarizer to be parallel or perpendicular thereto to that of the rubbing direction on the surface of the substrate on both sides of the liquid crystal cell. 【0068】(実施形態2)図1に例示した液晶表示装置の感圧素子23として、圧電性材料に換えて、感圧素子として圧力により抵抗値が変化する感圧体を用いて液晶表示装置を構成した。 [0068] As Embodiment 2 sensitive element 23 of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 1, in place of the piezoelectric material, the liquid crystal display device using a pressure sensitive element whose resistance value changes by the pressure as the pressure-sensitive element you configure. この構造における座標座標算出方法を図13に、等価回路を図15に示す。 Coordinate coordinate calculation method in the structure in FIG. 13 shows an equivalent circuit in FIG. 15. また、座標検出回路の構成例を図22、図24に、図24の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図26に示す。 Further, FIG. 22 an example of the configuration of a coordinate detector, FIG. 24 shows the case of using a configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 24, the embodiment of the coordinate detection circuit in FIG. 26. 【0069】製造方法についても、圧電体形成プロセスの代わりに、感圧体である金属微粒子分散レジストを塗布、露光・現像によりパターニングすることを除いては実施形態1と同様であるので説明を省略する。 [0069] For the manufacturing method, instead of the piezoelectric element formation process, applying a metal fine particle dispersed resist is pressure sensitive element, omitted because except patterning by exposure and development is the same as in the first embodiment to. 【0070】(実施形態3)図2は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0070] (Embodiment 3) FIG. 2 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 【0071】図2に例示した液晶表示装置の構造と機能について図面を参照しながら説明する。 [0071] Structure and function of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 2 will be described with reference to the drawings. 図2の液晶表示装置においては、液晶表示方式として、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transisto In the liquid crystal display device of FIG. 2, a liquid crystal display method, a thin film transistor (TFT: Thin Film Transisto
r)を用いたアクディブマトリクス方式が用いられている。 Aku Dave matrix method using a r) have been used. また、液晶表示モードとしては、透過型のTN(T Further, as the liquid crystal display mode, transmission type TN (T
wisted Nematic)方式が用いられている。 wisted Nematic) method is used. 感圧素子23としては、圧電体が用いられ、その構造は表面分割型であり、ブラックマトリクス31はバイアス電極としての機能を兼ねている。 The pressure sensitive element 23, the piezoelectric body is used, the structure is a surface-division, the black matrix 31 also functions as a bias electrode. ブラックマトリクス31とコモン電極25とは接触することにより導通している。 The black matrix 31 and the common electrode 25 are electrically connected by contact. ここで、ブラックマトリクス31はパターニングされることによるコモン電極25の抵抗アップ分を補償する役割を担っている。 Here, the black matrix 31 has a role to compensate for the resistance increment for the common electrode 25 by being patterned. また、抵抗膜22(図10参照)はコモン電極25と同じ層で構成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている。 The resistance film 22 (see FIG. 10) is formed of the same layer as the common electrode 25, both of which are insulated by being patterned. 抵抗膜22 Resistance film 22
のパターンは、ブラックマトリクス31に対向する非開口部に形成されている。 Pattern is formed on the non-opening portion that faces the black matrix 31. この構造における座標座標算出方法、等価回路、座標検出回路の構成例については実施形態1と同様であるのでここでは説明を省略する。 Coordinate coordinate calculation method in the structure, equivalent circuit, since the configuration example of the coordinate detection circuit are the same as in the first embodiment will not be described here. 【0072】次に、図2に例示した本発明の液晶表示装置の製造方法の例について説明する。 Next, an example of manufacturing method of liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. アレイ基板11 The array substrate 11
の製造方法については、実施形態1で説明した製造方法と同様に製造することができる。 For the method of production, it can be manufactured in the similar method described in Embodiment 1. 【0073】対向基板の製造方法については、まず、絶縁性基板21上にCrを500[nm]堆積し、パターニングすることにより、ブラックマトリクス31を形成する。 [0073] A method for manufacturing the counter substrate, first, a Cr on the insulating substrate 21 to 500 [nm] is deposited, by patterning, to form a black matrix 31. 次に、圧電体であるPZTをスパッタリングにより厚さ1[μm]堆積し、レジストのマスク露光・ドライエッチングにより圧電体23をパターニングする。 Then, thickness of 1 [[mu] m] is deposited by sputtering a PZT a piezoelectric material, patterning the piezoelectric body 23 by a mask exposure and dry etching of the resist. 次に、顔料分散レジストを21[μm]塗布しパターニングすることを、赤、緑、青の色について繰り返すことにより、カラーフィルタ24を形成する。 Next, patterning the pigment dispersion resist 21 [[mu] m] coating, red, green, and by repeating the color blue to form a color filter 24. 次に、透明電極であるITOをスパッタ法等で厚さ150[nm]堆積し、レジストのマスク露光・ウェットエッチングによりITOをパターニングすることにより、コモン電極25 Then, thickness of 0.99 [nm] is deposited by like sputtering ITO is a transparent electrode, by patterning the ITO by mask exposure and wet etching of the resist, the common electrode 25
と抵抗膜22とを同時形成する。 And a resistive film 22 formed simultaneously. 【0074】液晶セルの製造方法については、実施形態1と同様であるので、ここでは省略する。 [0074] The preparation method of the liquid crystal cell is the same as Embodiment 1 is omitted here. 【0075】(実施形態4)図2に例示した液晶表示装置の感圧素子23として、圧電性材料に換えて、感圧素子として圧力により抵抗値が変化する感圧体を用いて液晶表示装置を構成した。 [0075] As Embodiment 4 sensitive element 23 of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 2, instead of the piezoelectric material, the liquid crystal display device using a pressure sensitive element whose resistance value changes by the pressure as the pressure-sensitive element you configure. この構造における座標座標算出方法は実施形態2と同様である。 Coordinate coordinate calculation method in the structure is the same as in Embodiment 2. また製造方法についても、圧電体形成プロセスの代わりに、感圧体である金属微粒子分散レジストを塗布、露光・現像によりパターニングすることを除いては実施形態1と同様であるので説明を省略する。 As for the manufacturing method is omitted in place of the piezoelectric body forming process, applying a metal fine particle dispersed resist is pressure sensitive element, so description except that is patterned by exposure and development is the same as in the first embodiment. 【0076】(実施形態5)図3は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0076] (Embodiment 5) FIG. 3 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 図3に例示した液晶表示装置の構造と機能について図面を参照しながら説明する。 Structure and function of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 3 will be described with reference to the drawings. 【0077】図3の座標入力機能内蔵液晶表示装置においては、液晶表示方式として、薄膜トランジスタ(TF [0077] In the coordinate input function-equipped liquid crystal display device of FIG. 3, a liquid crystal display method, a thin film transistor (TF
T:Thin Film Transistor)を用いたアクディブマトリクス方式が用いられている。 T: Thin Film Transistor) Aku Dave matrix method using have been used. また、液晶表示モードとしては、透過型のTN(Twis Further, as the liquid crystal display mode, transmission type TN (Twis
ted Nematic)方式が用いられている。 ted Nematic) method is used. 感圧素子としては、圧電体が用いられ、その構造は表面分割型であり、バイアス電極が画素電極とともに液晶層に電界を形成するためのコモン電極としての機能を兼ねている(図11(a)参照)。 The pressure sensitive element, the piezoelectric element is used, the structure is a surface-division, the bias electrode also functions as a common electrode for forming an electric field to the liquid crystal layer together with the pixel electrode (FIG. 11 (a )reference). また、抵抗膜22(図10参照)はアレイ基板15側に画素電極16と同層で構成され、両者は絶縁するように分離してパターニングされている。 The resistance film 22 (see FIG. 10) is composed of the same layer as the pixel electrode 16 on the array substrate 15 side, and both are patterned in isolation to isolate. 抵抗膜22のパターンは、ブラックマトリクス3 Pattern of the resistive film 22, a black matrix 3
1に対向する領域に、画素電極16と重ならないような非開口部に形成されている(図10参照)。 A region facing to 1, is formed in the non-opening portion so as not to overlap with the pixel electrode 16 (see FIG. 10). 【0078】すなわちこの例では、抵抗膜22はアレイ基板11側に配設され、例えば圧電材料からなる感圧素子23の電気信号をこの抵抗膜22を介して検出することにより、圧力が加わった位置の座標を検出する。 [0078] That is, in this example, resistive film 22 is disposed on the array substrate 11 side, for example by an electrical signal of the pressure-sensitive element 23 made of a piezoelectric material detected via the resistor film 22, applied pressure detecting the position of coordinates. 【0079】また、この例ではアレイ基板11と対向基板12との間隙を保持するスペーサの一部は、カラーフィルタにより構成されている。 [0079] Also, part of the spacer in this example to hold the gap between the array substrate 11 and the counter substrate 12 is constituted by a color filter. すなわち、RGBのカラーフィルタ24R、24G、24Bは、順次形成されるが、このときにカラーフィルタ24Rと、カラーフィルタ24Bとを一部重なるように配設し、さらにカラーフィルタ24Bと、カラーフィルタ24Gとを一部重なるように配設することにより、重なるり部分のロフトを高くしたものである。 That, RGB color filters 24R, 24G, 24B is formed sequentially, and the color filter 24R in this case, arranged so as to partially overlap the color filters 24B, and further the color filter 24B, the color filter 24G by arranging so as to partially overlap the door, it is obtained by increasing the loft of Ri overlap. このような構成を採用することにより、スペーサを個別に形成する工程を省くことができ、 By adopting such a configuration, it is possible to omit the step of forming a spacer separately,
生産性を向上することができる。 It is possible to improve the productivity. 【0080】図3に例示した液晶表示装置においても、 [0080] In the liquid crystal display device illustrated in FIG. 3,
座標算出方法、等価回路、座標検出回路の構成例については実施形態1と同様てあるのでここでは省略する。 Coordinate calculation method, the equivalent circuit, since the configuration example of the coordinate detection circuit are similar to the first embodiment will be omitted here. 【0081】ここで、図3に例示した液晶表示装置の製造方法の例について説明する。 [0081] Here, an example of a manufacturing method of a liquid crystal display device illustrated in FIG. アレイ基板11の製造方法こついては、画素電極16と同時に抵抗膜パターンを形成することを除いては実施形態1と同様であるのでここでは省略する。 For the manufacturing method this array substrate 11 will be omitted here because with the exception of forming a resistive film pattern at the same time as the pixel electrode 16 is the same as in the first embodiment. 【0082】次に、対向基板の製造方法について説明する。 [0082] Next, a method for manufacturing the counter substrate. まず、絶縁性基板21上にCrを50[nm]堆積し、パターニングすることにより、ブラックマトリクス31を形成する。 First, a Cr on the insulating substrate 21 was 50 [nm] is deposited, by patterning, to form a black matrix 31. 次に、顔料分散レジストを2[μm] Then, the pigment dispersion resist 2 [[mu] m]
塗布しパターニングすることを、赤、緑、青の三色について繰り返すことにより、カラーフィルタ24R、24 To be applied and patterned, red, green, by repeated for three colors of blue, the color filters 24R, 24
B、24Gを形成する。 B, to form a 24G. このとき、スペーサに対応する部分のレジストを重ねて残しておくことにより、スペーサの一部をカラーフィルタレジストに分担させる。 In this case, by leaving overlapping the resist in the portion corresponding to the spacer, thereby sharing part of the spacer to the color filter resist. 【0083】この後、透明電極であるITOをスパッタ法などにより厚さ15[nm]堆積し、コモン電極25 [0083] Thereafter, the ITO transparent electrode thickness 15 deposited [nm] by a sputtering method, the common electrode 25
を形成する。 To form. 【0084】液晶セルの製造方法については、スペーサ材料として、圧電体微粒子を分散したレジストを用いることを除いては前述と同様であるので、ここでは説明を省略する。 [0084] The preparation method of the liquid crystal cell is omitted as the spacer material, since except for using a resist containing dispersed piezoelectric fine particles is the same as described above, the description here. 【0085】(実施形態6)図3に例示した液晶表示装置の感圧素子23として、圧電性材料に換えて、感圧素子として圧力により抵抗値が変化する感圧体を用いて液晶表示装置を構成した。 [0085] As Embodiment 6 sensitive element 23 of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 3, instead of the piezoelectric material, the liquid crystal display device using a pressure sensitive element whose resistance value changes by the pressure as the pressure-sensitive element you configure. この構造における座標座標算出方法は前述と同様である。 Coordinate coordinate calculation method in the structure is the same as described above. また製造方法についても、圧電体形成プロセスの代わりに、感圧体である金属微粒子分散レジストを塗布、露光・現像によりパターニングすることを除いては前述の実施形態と同様であるのでここでは説明を省略する。 As for the manufacturing method, instead of the piezoelectric element formation process, applying a metal fine particle dispersed resist is pressure sensitive element, except that patterned by exposure and development described here because it is similar to the above embodiment omitted. 【0086】(実施形態7)図4は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0086] (Embodiment 7) FIG. 4 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 図4に例示した本発明の液晶表示装置の構造と機能について図面を参照しながら説明する。 Structure and function of the liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. 4 will be described with reference to the drawings. 図4の座標入力機能内蔵液晶表示装置においては、液晶表示方式として、薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transist In the coordinate input function-equipped liquid crystal display device of FIG. 4, a liquid crystal display method, a thin film transistor (TFT: Thin Film Transist
or)を用いたアクディブマトリクス方式が用いられている。 Aku Dave matrix method using the or) is used. また、液晶表示モードとしては、透過型のTN Further, as the liquid crystal display mode, transmission type TN
(Twisted Nematic)方式が用いられている。 (Twisted Nematic) method is used. 感圧素子としては、圧電体が用いられ、その構造は表面分割型であり、バイアス電極26が薄膜トランジスタのゲート電極17iと同じ層で構成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている。 The pressure sensitive element, the piezoelectric element is used, the structure is a surface split type, the bias electrode 26 is formed of the same layer as the gate electrode 17i of the thin film transistor, both of which are insulated by being patterned. また、抵抗膜22(図10参照)は画素電極16と同一材料から同層で構成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている。 The resistance film 22 (see FIG. 10) it is constructed in the same layer from the same material as the pixel electrode 16, both of which are insulated by being patterned. 抵抗膜22パターンは、ブラックマトリクス31に対向する非開口部に形成されている(図1 Resistance film 22 pattern is formed on the non-opening portion that faces the black matrix 31 (Fig. 1
0参照)。 0 reference). 【0087】すなわち、図4に例示した本発明の液晶表示装置においては、アレイ基板11のスペーサ14と対向する領域に感圧素子23配設されている。 [0087] That is, in the liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. 4 is pressure-sensitive element 23 disposed in a region facing the spacer 14 of the array substrate 11. スペーサ1 Spacer 1
4と感圧素子23との間には抵抗膜22が挟持されている。 The resistance film 22 is interposed between the 4 and the pressure sensitive element 23. また感圧素子23の抵抗膜22と反対側の面にはバイアス電極26が配設されている。 The bias electrode 26 is disposed on the surface opposite to the resistive film 22 of the pressure-sensitive element 23. 【0088】このような構成の液晶表示装置における座標座標算出方法、等価回路、座標検出回路の構成例についても前述の実施形態と同様であるのでここでは説明を省略する。 [0088] coordinate coordinate calculation method in the liquid crystal display device having such a configuration is omitted, an equivalent circuit, the description is also here because it is similar to the embodiment described above an example of the configuration of the coordinate detector. 【0089】ここで、図4に例示した本発明の液晶表示装置の製造方法の例について説明する。 [0089] Here, an example of manufacturing method of liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. まず、アレイ基板11の製造方法について説明する。 First, a method for manufacturing the array substrate 11. 【0090】まず、ガラス、無アルカリガラス、石英、 [0090] First of all, glass, non-alkali glass, quartz,
樹脂等からなる絶縁性基板15上にMo−Ta合金を厚さ300[nm]堆積し、パターニングすることによりゲート電極17g、ゲート線、バイアス電極26、および図示しない補助容量線を同時に形成する。 Mo-Ta alloy thickness 300 [nm] is deposited on the insulating substrate 15 made of resin or the like, the gate electrode 17g by patterning, the gate line, forming the bias electrode 26, and an unillustrated storage capacitance line simultaneously. 【0091】次いで、圧電材料であるPZTをスパッタリングにより厚さ11[μm]堆積し、レジストのマスク露光・ドライエッチングにより圧電体23をパターニングする。 [0091] Then, thickness 11 [[mu] m] is deposited by sputtering a PZT a piezoelectric material, patterning the piezoelectric body 23 by a mask exposure and dry etching of the resist. 【0092】次いで、シリコン酸化膜SiNx を厚さ4 [0092] Then, the thickness of the silicon oxide film SiNx of 4
00[nm]、シリコン窒化膜SiNx を厚さ50[n 00 [nm], a thickness of 50 silicon nitride film SiNx [n
m]、a−Si半導体膜を厚さ50[nm]、エッチングストッパ用SiNx を厚さ200[nm]を堆積する。 m], a thickness of the a-Si semiconductor film 50 [nm], depositing a thickness of 200 [nm] a SiNx an etching stopper. 【0093】次にレジスト塗布後に裏面露光および通常露光することによりゲート線上のみにSiNx ストッパ層17eを残し、他はエッチングする。 [0093] Then leave SiNx stopper layer 17e only to the gate line by back exposure and the normal exposure after resist coating, other etches. 次にコンタクト層となるn + a−Siを[nm]堆積し、n + a−Si Then the n + a-Si as a contact layer [nm] is deposited, n + a-Si
層/a−Si層/SiNx 層を一括パターニングすることによりa−Siの島を形成する。 Forming islands of a-Si by collectively patterning the layer / a-Si layer / SiNx layer. 【0094】次にCr80[nm]、Al[nm]、C [0094] Next, Cr80 [nm], Al [nm], C
r80[nm]を堆積し、パターニングすることにより信号線、薄膜トランジスタのソース電極17s、ドレイン電極17dを形成する。 r80 deposited [nm], the signal line, the source electrode 17s of the thin film transistor, the drain electrode 17d by patterning. 【0095】次に、Cr/Al/CrをマスクにしてR [0095] Next, the Cr / Al / Cr to mask R
IE(Reactive IonEtching)することにより、コンタクト領域以外のn + a−Si層を除去する。 By IE (Reactive IonEtching), to remove the n + a-Si layer other than the contact region. 【0096】次に、圧電体23上の酸化膜、および図示しない引き出し線上の酸化膜をパターニングしスルーホールを形成する。 [0096] Next, patterning the oxide film, and an unillustrated pull-out line oxide film on the piezoelectric body 23 to form a through hole. 次に、アクリル系レジストを厚さ2 Next, the thickness of the acrylic resist of 2
[μm]塗布し、パターニングすることにより、ソース電極との間にコンタクトホールの空いたパッシベーション膜19を作成する。 [[Mu] m] is applied, by patterning, to create a passivation film 19 vacant contact hole between the source electrode. 【0097】そして、ITOをスパッタ法などにより厚さ100[nm]堆積し、パターニングすることにより画素電極16を形成する。 [0097] Then, ITO thickness was 100 [nm] is deposited by a sputtering method to form the pixel electrode 16 by patterning. 【0098】次に、対向基板の製造方法について説明する。 [0098] Next, a method for manufacturing the counter substrate. 【0099】まず、ガラス等の透光性を有する絶縁性基坂21上にCrを500[nm]堆積し、パターニングすることにより、ブラックマトリクス31を形成する。 [0099] First, a Cr on an insulating base slope 21 having translucency such as glass and 500 [nm] is deposited, by patterning, to form a black matrix 31. 【0100】次に、透明導電性材料であるITOをスパッタ法等で厚さ150[nm]堆積し、コモン電極25 Next, the thickness of the ITO is a transparent conductive material by a sputtering method, or the like 0.99 [nm] is deposited, the common electrode 25
を形成する。 To form. 【0101】液晶セルの製造方法については、実施形態1と同様であるので、ここでは省略する。 [0102] The preparation method of the liquid crystal cell is the same as Embodiment 1 is omitted here. 【0102】(実施形態8)図4に例示した液晶表示装置の感圧素子23として、圧電性材料に換えて、感圧素子として圧力により抵抗値が変化する感圧体を用いて液晶表示装置を構成した。 [0102] As (Embodiment 8) sensitive element 23 of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 4, in place of the piezoelectric material, the liquid crystal display device using a pressure sensitive element whose resistance value changes by the pressure as the pressure-sensitive element you configure. この構造における座標座標算出方法は前述と同様である。 Coordinate coordinate calculation method in the structure is the same as described above. また製造方法についても、圧電体形成プロセスの代わりに、感圧体である金属微粒子分散レジストを塗布、露光・現像によりパターニングすることを除いては前述の実施形態と同様であるのでここでは説明を省略する。 As for the manufacturing method, instead of the piezoelectric element formation process, applying a metal fine particle dispersed resist is pressure sensitive element, except that patterned by exposure and development described here because it is similar to the above embodiment omitted. 【0103】(実施形態9)図5は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0103] (Embodiment 9) FIG. 5 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 図5に例示した液晶表示装置の構造と機能について図面を参照しながら説明する。 Structure and function of the liquid crystal display device illustrated in FIG. 5 will be described with reference to the drawings. 図5の座標入力機能内蔵液晶表示装置においては、液晶表示方式として、ストライプ電極を対向させた単純マトリクス方式が用いられている。 In the coordinate input function-equipped liquid crystal display device of FIG. 5, a liquid crystal display system, a simple matrix system are opposed to the stripe electrodes are used. また、液晶表示モードとしては、透過型のSTN(Super Further, as the liquid crystal display mode, transmission type STN (Super
Twisted Nematic)方式が用いられている。 Twisted Nematic) method is used. 感圧素子23としては、圧電体が用いられ、感圧素子の電極構造は表面分割型であり(図9(a)参照)、 The pressure sensitive element 23, the piezoelectric body is used, the electrode structure of the pressure-sensitive element is a surface-division (see FIG. 9 (a)),
抵抗膜22がブラックマトリクスとしての機能を兼ねている。 Resistance film 22 also functions as a black matrix. この構造における座標座標算出方法は図12に、 Coordinate coordinate calculation method in the structure in FIG. 12,
等価回路は図16に、また、座標検出回路の構成例は図21、図23に示したとおりである。 The equivalent circuit in FIG. 16, also an example of the configuration of the coordinate detection circuit 21 is as shown in FIG. 23. さらに図23の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図25に示している。 When further using the configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 23, it is shown in Figure 25 an embodiment of a coordinate detection circuit. 【0104】図5に例示した液晶表示装置は単純マトリクス型の液晶表示装置であり、走査電極41が配設された基板15と、信号電極42が配設された基板21との間に液晶層13を挟持したものである。 [0104] The liquid crystal display device illustrated in FIG. 5 is a simple matrix type liquid crystal display device, a substrate 15 to the scanning electrodes 41 are disposed, the liquid crystal layer between the substrate 21 where the signal electrodes 42 are disposed 13 is obtained by sandwiching the. ITOなどの透明絶縁性材料からなる走査電極41は、ガラスなどの絶縁性材料からなる基板15上に、例えばストライプ状に配設されている。 Scanning electrodes 41 made of a transparent insulating material such as ITO are on a substrate 15 made of an insulating material such as glass, are arranged for example in a stripe pattern. また、基板21上には上述したようなブラックマトリクスを兼ねた抵抗膜22のパターンが配設されている。 The pattern of the resistance film 22 which also serves as a black matrix as described above is disposed on the substrate 21. そして抵抗膜22とスペーサ14との間には圧電体23が挟持されており、液晶セルに圧力が加わると、この圧力に応じてその表面に誘起電荷を生じるように構成されている。 And between the resistor film 22 and the spacer 14 are sandwiched piezoelectric element 23, when a pressure is applied to the liquid crystal cell, it is configured to produce the induced charge on the surface thereof in accordance with the pressure. 誘起電荷は抵抗膜22を通じて表示領域の外側等で取り出されて位置検出のための信号処理がなされる。 Induced charge signal processing for position detection is taken out outside of the display area through the resistor film 22 is performed. また抵抗膜22の上側からカラーフィルタ24が配設されており、信号電極42はこのカラーフィルター24の上側に配設されている。 The upper color filter 24 is disposed from the resistive film 22, the signal electrode 42 is arranged on the upper side of the color filter 24. 【0105】このように本発明はアクティブマトリクス型の液晶表示装置に限ることなく、単純マトリクス型の液晶表示装置にも適用することができる。 [0105] Thus, the present invention is not limited to an active matrix liquid crystal display device can be applied to a simple matrix type liquid crystal display device. 【0106】ここで、図5に例示した本発明の液晶表示装置の製造方法について説明する。 [0106] Here, a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. まず、基板21の製造方法について述べる。 First, a method for manufacturing the substrate 21. 【0107】まず、絶縁性を有する基板21上にCrを300[nm]堆積し、パターニングすることにより、 [0107] First, the Cr was 300 [nm] is deposited on the substrate 21 having an insulating property, by patterning,
ブラックマトリクスを兼ねた抵抗膜22を形成する。 To form a resistance film 22 which also serves as a black matrix. 次に、圧電体23としてPZTをスパッタリングにより厚さ11[μm]にわたって堆積し、レジストのマスク露光・ドライエッチングによりパターニングする。 Then deposited over the thickness 11 [[mu] m] by sputtering a PZT as the piezoelectric member 23, patterned by mask exposure and dry etching of the resist. 【0108】さらに、顔料分散レジストを21[μm] [0108] In addition, the pigment dispersion resist 21 [μm]
塗布しパターニングすることを、赤、緑、青の三色について繰り返すことにより、カラーフィルタ24を形成する。 To be applied and patterned, red, green, by repeated for three colors of blue, to form a color filter 24. 【0109】この後、透明導電性膜として例えばITO [0109] Thereafter, for example, ITO as a transparent conductive film
を150[nm]堆積し、パターニングすることにより、液晶駆動用の信号電極42を形成する。 Was 0.99 [nm] is deposited, by patterning, to form the signal electrodes 42 for driving the liquid crystal. 【0110】次に、基板15の製造方法について説明する。 [0110] Next, a method for manufacturing the substrate 15. まず、ガラス基板上に、透明電極であるITOを1 First, on a glass substrate, an ITO transparent electrode 1
50[nm]堆積し、パターニングすることにより、液晶駆動用の走査電極41を形成する。 50 [nm] is deposited, by patterning, to form the scan electrodes 41 for driving the liquid crystal. 【0111】液晶セルの製造方法については、前述した実施形態と同様にであるので、ここでは説明を省略する。 [0111] The preparation method of the liquid crystal cell, since it is similar to the embodiment described above, description thereof will be omitted here. 【0112】(実施形態10)図6は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0112] (Embodiment 10) FIG 6 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 図6に例示した本発明の液晶表示装置の構造と機能について図面を参照しながら説明する。 Structure and function of the liquid crystal display device of the invention illustrated in FIG. 6 will be described with reference to the drawings. 【0113】図6に例示した座標入力機能を内蔵した本発明の液晶表示装置においては、液晶表示方式として、 [0113] In the liquid crystal display device of the present invention with a built-illustrated coordinate input function in FIG. 6, a liquid crystal display system,
ストライプ電極を対向させた単純マトリクス方式が用いられている。 Simple matrix system made to face the stripe electrodes are used. また、液晶表示モードとしては、透過型のSTN(Super Twisted Nemati Further, as the liquid crystal display mode, transmission type STN (Super Twisted Nemati
c)方式が用いられている。 c) method is used. 図6に例示した液晶表示装置も単純マトリクス型の液晶表示装置であり、図示しない走査電極41が配設された基板15と、信号電極42 The liquid crystal display device illustrated in FIG. 6 is also simple matrix type liquid crystal display device, the substrate 15 scan electrode 41 (not shown) is disposed, the signal electrode 42
が配設された基板21との間に液晶層13を挟持したものである。 There is obtained by sandwiching a liquid crystal layer 13 between a substrate 21 disposed. ITOなどの透明絶縁性材料からなる走査電極41は、ガラスなどの絶縁性材料からなる基板15上に、例えばストライプ状に配設されている。 Scanning electrodes 41 made of a transparent insulating material such as ITO are on a substrate 15 made of an insulating material such as glass, are arranged for example in a stripe pattern. また抵抗膜22bは走査電極41と平行に、走査電極41と絶縁されて配設されている。 The resistive film 22b is in parallel to the scan electrodes 41, it is insulated from the scan electrodes 41 are disposed. また、基板21上には上述したようなブラックマトリクス31のパターンが配設されている。 The pattern of the black matrix 31 as described above is disposed on the substrate 21. さらにこの例では、スペーサが圧電体23から構成されており、抵抗膜22と圧電体23からなるスペーサとの間には抵抗膜22が挟持されている。 Further in this example, the spacer is constituted of a piezoelectric body 23, the resistance film 22 is sandwiched between the spacer made of a resistive film 22 and the piezoelectric body 23. 液晶セルに圧力が加わると、この圧力に応じて圧電体の表面に誘起電荷を生じるように構成されている。 When pressure is applied to the liquid crystal cell, it is configured to produce the induced charge on the surface of the piezoelectric response to the pressure. 誘起電荷は抵抗膜2 Induced charge is resistance film 2
2を通じて表示領域の外側等で取り出されて位置検出のための信号処理がなされる。 Signal processing for position detection is taken out outside of the display area through 2 are made. また基板21の上側からカラーフィルタ24が配設されており、信号電極42はこのカラーフィルター24の上側に配設されている。 Also been color filter 24 is disposed from the upper side of the substrate 21, the signal electrode 42 is arranged on the upper side of the color filter 24. 【0114】上述のようにこの例ではスペーサーと圧力検出素子を兼ねており、その構成材料としては圧電体2 [0114] In this example as described above also serves as a spacer and pressure sensing elements, as the constituent material thereof piezoelectric body 2
3が用いられており、さらに圧力検出素子の電極構造は両面分割型である(図11(b)参照)。 3 is used and the electrode structure of the further pressure detecting element is a double-sided split (see FIG. 11 (b)). 抵抗膜22 Resistance film 22
は、信号電極42と同一材料から同層で形成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている。 It is formed in the same layer from the same material as the signal electrode 42, both of which are insulated by being patterned. 同様に、走査電極41と抵抗膜22bは同じ層で構成され、 Similarly, a scanning electrode 41 resistive film 22b is formed of the same layer,
両者はパターニングされることにより絶縁されている。 Both are insulated by being patterned.
さらに、抵抗膜22、抵抗膜22bともに、ブラックマトリクス31で遮光されている部分にのみ選択的に形成されている。 Further, the resistive film 22, resistive film 22b together, only is selectively formed on the portion light-shielded by the black matrix 31. 【0115】この構造における座標座標算出方法を図1 [0115] Figure 1 coordinate coordinate calculation method in the structure
2に(図12では表面分割型の模式図を示しているが、 2 (but depicts a schematic view of a surface split 12,
計算方法については同じである。 It is the same for the calculation method. )、等価回路を図17 ), The equivalent circuit Figure 17
に示す。 To show. また、座標検出回路の構成例を図21、23 Further, FIG. 21 and 23 a configuration example of a coordinate detection circuit
に、図23の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図25に示す。 To, when using a configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 23, an embodiment of a coordinate detection circuit shown in FIG. 25. 【0116】次に、図6に例示した本発明の液晶表示装置の製造方法について説明する。 [0116] Next, a method for manufacturing a liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. 【0117】まず、基板21の製造方法について説明する。 [0117] First, a method for manufacturing the substrate 21. 【0118】まず、ガラスなどからなる基板21上に、 [0118] First, on the substrate 21 made of glass or the like,
顔料分散レジストを2[μm]塗布しパターニングすることを、黒、赤、緑、青の4色について繰り返すことにより、ブラックマトリクス31とカラーフィルタ24を形成する。 The patterning a pigment dispersed resist 2 [[mu] m] coating, black, red, green, and by repeating the four colors blue, to form a black matrix 31 and the color filter 24. そして透明電極であるITOを150[n Then the ITO transparent electrode 0.99 [n
m]堆積し、パターニングすることにより、液晶駆動用の信号電極42と抵抗膜22を同時形成する。 m] is deposited, by patterning, formed simultaneously with the signal electrode 42 for liquid crystal driving a resistive film 22. 【0119】次に、基板15の製造方法について説明する。 [0119] Next, a method for manufacturing the substrate 15. 【0120】まず、ガラスなどからなる基板上15に、 [0120] First, the substrate 15 made of glass or the like,
透明電極であるITOを150[nm]堆積し、パターニングすることにより、走査電極41と抵抗膜22bとを同時形成する。 The ITO is a transparent electrode and 0.99 [nm] is deposited, by patterning, formed simultaneously with the scanning electrodes 41 and the resistive film 22b. 液晶セルの製造方法については、前述の実施形態と同様てあるので、ここでは説明を省略する。 Since the manufacturing method of the liquid crystal cell, are similar to the embodiment described above, description thereof will be omitted here. 【0121】(実施形態11)次に、本発明の液晶表示装置の別の例について説明する。 [0121] (Embodiment 11) Next, a description will be given of another example of the liquid crystal display device of the present invention. 【0122】図6に例示した液晶表示装置では圧力検出を行う感圧素子として圧電体を採用したが、この例では感圧体を採用している。 [0122] Having adopted the piezoelectric as pressure-sensitive element for performing pressure detection in the liquid crystal display device illustrated in FIG. 6, in this example it employs a pressure sensitive element. この構造における座標算出方法を図13に(図13では表面分割型の模式図を示しているが、計算方法については同じである。)、等価回路を図18に示す。 (It is shown schematic diagram of a surface split in FIG. 13, the same method for calculating.) Figure 13 coordinates calculation method in this structure, an equivalent circuit in FIG. 18. また、座標検出回路の構成例を図22、 Further, FIG. 22 an example of the configuration of a coordinate detector,
24に、図24の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図26に示す。 24 shows the case of using a configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 24, the embodiment of the coordinate detection circuit in FIG. 26. 【0123】(実施形態12)図7は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0123] (Embodiment 12) FIG 7 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. まず、本発明の第12の実施形態にかかわる座標入力機能内蔵液晶表示装置の構造と機能について図面を参照しながら説明する。 First, with reference to the drawings The structure and function of the coordinate input function-equipped liquid crystal display device according to the twelfth embodiment of the present invention. 図7の液晶表示装置においては、液晶表示方式として、MIM(MetalInsulator Me In the liquid crystal display device in FIG. 7, a liquid crystal display method, MIM (MetalInsulator Me
tal)素子40を用いたアクティブマトリクス方式が用いられている。 Active matrix system using tal) element 40 is used. すなわち、信号線43に印加される電位に応じてオン・オフが制御され、オンのときにその表示信号が画素電極16に印加される。 That is, on and off depending on the potential applied to the signal line 43 is controlled, the display signal when the on is applied to the pixel electrode 16. 【0124】また、液晶表示モードとしては、透過型のTN(Twisted Nematic)方式が用いられている。 [0124] Further, as the liquid crystal display mode, transmission type TN (Twisted Nematic) method is used. 圧力検出素子としては、圧電体23が用いられ、圧力検出素子の電極構造は表面分割型であり、抵抗膜22がブラックマトリクスとしての機能を兼ねている(図11(a)、図10参照)。 The pressure detecting element, a piezoelectric element 23 is used, the electrode structure of the pressure detecting element is a surface split, resistive film 22 also functions as a black matrix (FIG. 11 (a), the reference 10) . また、バイアス電極2 The bias electrode 2
6は画素電極16と同じ層およびMIM40の上部電極40aと同じ層を重ねた構造で構成され、バイアス電極26と画素電極16、バイアス電極26とMIM上部電極40aはパターニングされることにより絶縁されている。 6 is constructed in a structure in which overlapping the same layer as the upper electrode 40a in the same layer and MIM40 the pixel electrode 16, the bias electrode 26 and the pixel electrode 16, the bias electrode 26 and the MIM upper electrode 40a is insulated by being patterned there. 【0125】この構造における座標算出方法を図12 [0125] Figure 12 a coordinate calculation method in the structure
に、等価回路を図14に示す。 A shows an equivalent circuit in FIG. 14. また、座標検出回路の構成例を図21、23に、図23の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図25に示す。 Further, in FIG. 21 and 23 an example of the configuration of a coordinate detector, when using a configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 23, an embodiment of a coordinate detection circuit shown in FIG. 25. 【0126】次に、本発明の第12の実施形態にかかわる座標入力機能内蔵液晶表示装置の製造方法について説明する。 [0126] Next, a method for manufacturing the twelfth embodiment coordinate input function-equipped liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention. まず、MIMを形成したアレイ基板11bの製造方法について説明する。 First, a method for manufacturing the array substrate 11b formed with MIM. 【0127】まず、ガラスなどの絶縁性基板15上にT [0127] First, T on the insulating substrate 15 such as glass
aを厚さ500[nm]堆積し、パターニングすることにより信号線43を形成する。 a the thickness 500 [nm] is deposited to form the signal line 43 by patterning. つづいて、タンタル酸化膜を厚さ300[nm]堆積する。 Subsequently, thickness 300 [nm] tantalum oxide film is deposited. 次に、Crを厚さ4 Then, the thickness of the Cr 4
00[nm]堆積し、パターニングすることにより、M 00 [nm] is deposited, by patterning, M
IM上部電極40aおよびバイアス電極26を同時形成する。 The IM upper electrode 40a and the bias electrode 26 are simultaneously formed. 次に、ITOを厚さ100[nm]堆積し、パターニングすることにより画素電極16およびバイアス電極を同時形成する。 Then, ITO was thick 100 [nm] is deposited, simultaneously form the pixel electrode 16 and bias electrode by patterning. 【0128】次に、圧電体微粒子分散レジストを2[μ [0128] Next, piezoelectric particles dispersed resist 2 [mu
m]塗布し、露光・現像によりパターニングすることにより、圧電体23を成膜、パターニングする。 m] is applied, patterned by exposure and development, the piezoelectric body 23 formed and patterned. 次に、顔料分散レジストを2[μm]塗布しパターニンダすることを、赤、緑、青の三色について繰り返すことにより、 Then, to make a pigment dispersion resist 2 [μm] coated Pataninda, red, green, by repeated for three colors of blue,
カラーフィルタ24を形成する。 To form a color filter 24. この後、Crを厚さ3 After this, the thickness of the Cr of 3
00[nm]堆積し、パターニンダすることによりブラックマトリックスを兼ねた抵抗膜22のパターンを作成する。 00 [nm] is deposited, creating a pattern of the resistive film 22 which also serves as a black matrix by Pataninda. 【0129】次に、対向基板12bの製造方法について説明する。 [0129] Next, a method for manufacturing the counter substrate 12b. ガラス基板21上に透明電極であるITOを厚さ150[nm]堆積し、パターニングすることにより、走査電極41を形成する。 The ITO is a transparent electrode on a glass substrate 21 to a thickness of 0.99 [nm] is deposited, by patterning, to form the scan electrodes 41. 【0130】液晶セルの製造方法については、前述した実施形態と同様であるためここでは説明を省略する。 [0130] The preparation method of the liquid crystal cell, a description thereof will be omitted here because it is similar to the embodiment described above. 【0131】(実施形態13)次に図7に例示した本発明の液晶表示装置の変形例について説明する。 [0131] For modification of the liquid crystal display device of the present invention illustrated in (Embodiment 13) Next FIG be described. この例では、圧力検出素子として圧電体23の代わりに、圧力に応じて抵抗値が変化する感圧体が用いられていることを除いては、図7に例示した本発明の液晶表示装置と同様の構造を有している。 In this example, in place of the piezoelectric body 23 as a pressure sensing element, except that the pressure sensitive element is used whose resistance value changes according to the pressure, the liquid crystal display device of the present invention illustrated in FIG. 7 It has the same structure. この構造における座標算出方法を図13に、等価回路を図15に示す。 The coordinate calculation method in the structure in FIG. 13 shows an equivalent circuit in FIG. 15. また、座標検出回路の構成例を図22、24に、図24の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図2 Further, in FIG. 22 and 24 an example of the configuration of a coordinate detector, FIG embodiments, the coordinate detection circuit when using a configuration example of the coordinate detection circuit in FIG. 24 2
6に示す。 It is shown in 6. 【0132】製造方法についても、圧電体形成プロセスの代わりに、感圧体である金属微粒子分散レジストを塗布、露光・現像によりパターニングすることを除いては実施形態12と同様である。 [0132] The manufacturing method also, instead of the piezoelectric element formation process, applying a metal fine particle dispersed resist is pressure sensitive element, except that patterned by exposure and development is the same as in Embodiment 12. 【0133】(実施形態14)図8は本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図である。 [0133] (Embodiment 14) FIG. 8 is a diagram schematically showing another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 図8に例示した本発明の座標入力機能を内蔵した液晶表示装置の構成と櫟能について図面を参照しながら説明する。 The configuration and yew ability of a liquid crystal display device with a built-in coordinate input function of the present invention illustrated in FIG. 8 will be described with reference to the drawings. 【0134】図8に例示した本発明の液晶表示装置おいては、液晶表示方式として、薄膜トランジスタ(TF [0134] The keep liquid crystal display device of the invention illustrated in FIG. 8, a liquid crystal display method, a thin film transistor (TF
T:Thin Film Transistor)を用いたアクティブマトリクス方式が用いられている。 T: active matrix system using a Thin Film Transistor) is used. また、液晶表示モードとしては、透過型のTN(Twis Further, as the liquid crystal display mode, transmission type TN (Twis
ted Nematic)方式が用いられている。 ted Nematic) method is used. 圧力検出素子としては、圧電ゲートトランジスタが用いられ、圧力検出素子の電極構造は表面分割型である。 The pressure detecting element, a piezoelectric gate transistor is used, the electrode structure of the pressure detecting element is a surface split. この構造の等価回路を図19に示す。 It shows an equivalent circuit of the structure in Figure 19. 図8において液晶駆動用の薄膜トランジスタ17のゲート線17gと圧電ゲートTFT50のゲートバイアス線51、バイアス電極2 Gate bias line 51 of the gate lines 17g and the piezoelectric gate TFT50 of the thin film transistor 17 for driving the liquid crystal 8, the bias electrode 2
6は同じ層で構成され、その三者はパターニングされることによりそれぞれ絶縁されている。 6 is composed of the same layer and are insulated respectively by its tripartite to be patterned. また、液晶駆動用のTFT17のチャンネル半導体膜17i(例えばa− The channel semiconductor layer 17i of TFT17 for driving the liquid crystal (e.g., a-
Si)と圧電ゲートTFTのチャンネル半導体膜50i Channel semiconductor films 50i of Si) and piezoelectric gate TFT
(a−Si)は同じ層で構成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている。 (A-Si) is formed of the same layer, it is insulated by being patterned. また、抵抗膜22は画素電極16と同じ層で構成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている。 The resistor film 22 is formed of the same layer as the pixel electrode 16, both of which are insulated by being patterned. そして圧力が加わると、スペーサ14により圧電体23が加圧され、薄膜トランジスタ50のチャネル半導体膜50iが導通状態になる。 When the pressure is applied, the piezoelectric element 23 is pressurized by the spacer 14, the channel semiconductor film 50i of the thin film transistor 50 is turned on. このとき、バイアス電極26と抵抗膜22とはドレイン電極50dを通じて同電位となる。 In this case, the same potential via the drain electrode 50d and the bias electrode 26 and the resistor film 22. したがって、 Therefore,
図19に例示した等価回路では、導通状態になった点でIx(1)、Ix(2)、Iy(1)、Iy(2)が分割され、したがって圧力がかかった座標を検出することができる。 In the equivalent circuit illustrated in FIG. 19, Ix (1) at a point in a conductive state, Ix (2), Iy (1), Iy (2) is divided, thus to detect the coordinates under pressure it can. なお、 It should be noted that,
ゲートバイアス電極51により圧電体23に適当なバイアスを印加することにより、加わった力に対する圧力検出素子の感度を調節することができる。 By applying an appropriate bias to the piezoelectric element 23 by the gate bias electrode 51, it is possible to adjust the sensitivity of the pressure sensing element against applied force. 【0135】また、この構造における座標算出方法を図13に、圧電ゲートトランシスタをスイッチとして表した等価回路を図15に示す。 [0135] In addition, the coordinate calculation method in the structure in FIG. 13 shows an equivalent circuit showing the piezoelectric gate Tran Kista as a switch in FIG. 15. また、座標検出回路の構成例を図22、24に、図24の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図26に示す。 Further, in FIG. 22 and 24 an example of the configuration of a coordinate detector, shown when using an example of the configuration of a coordinate detector in FIG. 24, the embodiment of the coordinate detection circuit in FIG. 26. 【0136】ここで図8に例示した本発明の液晶表示装置の製造方法について説明する。 [0136] a method for manufacturing the liquid crystal display device of the present invention illustrated here in Figure 8. まず、アレイ基板の製造方法について説明する。 First, a method for manufacturing the array substrate. 【0137】まず、ガラス基板上にMo−Ta合金を厚さ300[nm]堆積し、パターニンダすることによりゲート電極17g、ゲー卜線、圧電ゲートTFTのゲートバイアス線51、圧電ゲートTFTのバイアス電極2 [0137] First, a Mo-Ta alloy thickness 300 [nm] is deposited on a glass substrate, a gate electrode 17g by Pataninda, gate Bokusen, gate bias line 51 of the piezoelectric gate TFT, the bias electrodes of the piezoelectric gate TFT 2
6および図示しない補助容量線を同時に形成する。 Simultaneously forming 6 and not shown auxiliary capacitance line. 【0138】次いで、圧電体23としてPZTをスパッタリングにより厚さ1[μm]堆積し、レジストのマスク露光・ドライエッチングによりパターニングする。 [0138] Then, the PZT thickness 1 [[mu] m] is deposited by sputtering as the piezoelectric body 23, patterned by mask exposure and dry etching of the resist. 次いで、シリコン酸化膜SiOx を厚さ400[nm]堆積し、パターニングすることにより圧電体23上および図示しない引き出し線上の酸化膜をパターニングし、スルーホールを形成する。 Then, a silicon oxide film SiOx to a thickness 400 [nm] is deposited, patterning the oxide film of the drawer line not above and illustrated piezoelectric body 23 by patterning, to form a through hole. 【0139】次いで、SiNx を厚さ50[nm]、a [0139] Then, the SiNx thickness 50 [nm], a
−Si半導体膜を厚さ50[nm]、iストッパ用Si -Si semiconductor film thickness 50 [nm], i Si stopper
Nx を厚さ200[nm]を堆積する。 The Nx thickness 200 is deposited a [nm]. 次にレジスト塗布後に裏面露光および通常露光することにより薄膜トランジスタ17のゲート電極17g上のみに自己整合的にSiNx からなるストッパ層17eを残し、他はエッチングにより除去する。 Then leaving the stopper layer 17e made of a self-aligned manner SiNx only on the gate electrode 17g of the thin film transistor 17 by back exposure and the normal exposure after resist coating, the other is removed by etching. 次に、n + a−Siを50[n Then, the n + a-Si 50 [n
m]堆積し、n + a−Si層/a−Si層/SiNx層を一括パターニングすることにより、薄膜トランジスタ17のp半導体膜17iおよび圧電ゲートTFTの半導体膜50iの島を同時に形成する。 m] is deposited, by collectively patterning the n + a-Si layer / a-Si layer / SiNx layer to form an island of p semiconductor films 17i and the semiconductor film 50i of the piezoelectric gate TFT of the TFT 17 at the same time. 【0140】次にCrを80[nm]、Alを350 [0140] Next, Cr 80 [nm], the Al 350
[nm]、Crを80[nm]を堆積し、パターニングすることにより信号線、薄膜トランジスタ17のソース電極17s、ドレイン電極17d、圧電ゲートTFT5 [Nm], deposited 80 [nm] to Cr, the signal line by patterning, the source electrode 17s of the thin film transistor 17, the drain electrode 17d, a piezoelectric gate TFT5
0のドレイン電極50dを同時形成する。 The drain electrode 50d of 0 formed at the same time. 【0141】次に、Cr/Al/CrをマスクにしてR [0141] Next, the Cr / Al / Cr to mask R
IE (Reactive IonEtching)することにより、コンタクト領域以外の部分のn + a−S By IE (Reactive IonEtching), portions other than the contact region n + a-S
i層を除去する。 i layer is removed. 次に顔料分散レジストを2[μm]塗布し・露光・現像を赤・緑・青について繰り返すことによりカラーフィルタ24を形成する。 Next, the pigment dispersion resist 2 [[mu] m] applied, exposed and developed to form a color filter 24 by repeating the red, green, and blue. その後、ITOを厚さ100[nm]堆積し、パターニングすることにより画素電極16および抵抗膜33を同時に形成する。 Thereafter, ITO was thick 100 [nm] is deposited simultaneously to form the pixel electrode 16 and the resistive film 33 by patterning. 【0142】次に、対向基板12の製造方法について説明する。 [0142] Next, a method for manufacturing the counter substrate 12. まず、ガラス基板21上にCrを300[n First, a Cr on the glass substrate 21 300 [n
m]堆槓し、パターニングすることにより、ブラックマトリクス31を形成する。 m] and Uzutaka槓, by patterning, to form a black matrix 31. 【0143】次に、透明導電性材料としてITOをマスクスパッタで厚さ150[nm]堆積することにより、 [0143] Then, by the ITO to a thickness of 0.99 [nm] is deposited by mask sputtering as a transparent conductive material,
コモン電極25を形成する。 Forming the common electrode 25. 液晶セルの製造方法については、アレイ基板上にスペーサを形成することを除いては前述の実施形態と同様である。 The preparation method of the liquid crystal cell, except that to form the spacers on the array substrate is the same as the above-described embodiment. 【0144】(実施形態15)実施形態14では、圧力検出素子の電極構造を表面分割型にした例について説明したが、前述したように両面分割型にするようにしてもよい。 [0144] In (Embodiment 15) Embodiment 14, an example has been described in which the electrode structure of the pressure sensing element on the surface split may be on both sides split as described above. 【0145】図20は圧力検出素子の電極構造を両面型にした場合の等価回路の例である。 [0145] Figure 20 is an example of an equivalent circuit when the electrode structure of the pressure sensing element in double-sided. この場合、図8に例示した液晶表示装置において、液晶駆動用の薄膜トランジスタ17のゲート電極17gと圧電ゲート薄膜トランジスタのゲートバイアス線51とは同じ層で構成され、 In this case, the liquid crystal display device illustrated in FIG. 8, the gate bias line 51 of the gate electrode 17g and the piezoelectric gate thin film transistor TFT 17 for driving the liquid crystal is composed of the same layer,
両者はパターニングされることによりそれぞれ絶縁される。 Both of which are insulated respectively by being patterned. また、液晶駆動用の薄膜トランジスタ17のチャンネル半導体膜17i(a−Si)と圧電ゲート薄膜トランジスタのチャンネル半導体膜50i(a−Si)および抵抗膜パターン22bは同じ層で構成され、三者はそれぞれパターニングされることにより絶縁されている。 The channel semiconductor layer 17i (a-Si) and piezoelectric gate TFT channel semiconductor film 50i (a-Si) and the resistive film pattern 22b of the TFT 17 for driving liquid crystal is formed of the same layer, tripartite are patterned respectively They are insulated from each other by Rukoto. 【0146】また、抵抗膜22は画素電極16と同層で構成され、両者はパターニングされることにより絶縁されている(図10参照)。 [0146] The resistance layer 22 is composed of the same layer as the pixel electrode 16, both of which are insulated by being patterned (see FIG. 10). 【0147】また、この構造における座標算出方法を図13に、圧電ゲートトランジスタをスイッチとして表した等価回路を図15に示す。 [0147] In addition, the coordinate calculation method in the structure in FIG. 13 shows an equivalent circuit showing the piezoelectric gate transistor as the switch in FIG. 15. また、座標検出回路の構成例を図22、24に、図24の座標検出回路の構成例を用いたときの、座標検出回路の実施形態を図26に示す。 Further, in FIG. 22 and 24 an example of the configuration of a coordinate detector, shown when using an example of the configuration of a coordinate detector in FIG. 24, the embodiment of the coordinate detection circuit in FIG. 26. 【0148】次に、圧力検出素子の電極構造を両面型にした場合の液晶表示装置の製造方法について説明する。 [0148] Next, a method for manufacturing a liquid crystal display device when the electrode structure of the pressure sensing element in double-sided.
アレイ基坂11の製造方法については、ゲート線およびゲート電極17gとゲートバイアス線51、図示しない補助容量線が同時形成されること、薄膜トランジスタ1 The preparation method of the array groups slope 11, the gate line and the gate electrode 17g and the gate bias line 51, the auxiliary capacitance lines (not shown) are simultaneously formed, the thin film transistor 1
7の半導体膜17i、圧電ゲート薄膜トランジスタ50 7 of the semiconductor film 17i, a piezoelectric-gate TFT 50
の半導体膜50iTFTのa−Siの島、抵抗膜22b The semiconductor film 50iTFT of a-Si island, resistive film 22b
が同時形成されることを除いては実施形態14と同様である。 There is except that it is simultaneously formed the same as in Embodiment 14. 対向基板の製造方法、液晶セルの製造方法についても実施形態14と同様に行うことができる。 A method of manufacturing the counter substrate, can be performed in the same manner as well Embodiment 14 A method for manufacturing a liquid crystal cell. 【0149】なお上述の実施形態では、液晶表示装置を例にとって説明したが、本発明は液晶表示装置に限ることなく、例えばフィールドエミッションディスプレイや、プラズマアドレス型液晶表示装置など、他のタイプの平面型表示装置にも適用することができる。 [0149] Note that in the embodiment described above has been described a liquid crystal display device as an example, the present invention is not limited to the liquid crystal display device, for example, a field emission display, a plasma addressed liquid crystal display device, other types of plane it can be applied to mold the display device. 【0150】(実施形態16)上述の例では、位置検出の手法として例えば圧力検出素子が出力した電流を検出して位置検出を行う例を説明したが、本発明の液晶表示装置に適用可能な位置検出の手法はこれに限ることはない。 [0150] In (Embodiment 16) of the above example, although techniques for example as a pressure detection element of the detection position has been described an example of performing detecting and position detecting a current outputted, applicable to a liquid crystal display device of the present invention technique of the position detection is not limited to this. ここで位置検出の手法の別の例について説明する。 Here will be described another example of a position detection method. 【0151】図27は、ペン入力機能を備えた表示装置の構成の例を示す図である。 [0151] Figure 27 is a diagram illustrating an example of the configuration of a display apparatus having a pen input function. 図27において、195は抵抗膜を示し、196は抵抗膜を示し、197は抵抗膜195上に配設された導電層を示し、198は抵抗膜1 27, 195 indicates a resistance film, 196 represents a resistance film, 197 denotes a disposed on the resistive layer 195 conductive layer 198 is resistive film 1
96上に配設された導電層を示し、5は抵抗膜196上に配置された導電層を示し、200は抵抗膜196上に配設された導電層を示し、SW1およびSW2はCNT It shows the conductive layer disposed over 96, 5 indicates a conductive layer disposed on the resistive film 196, 200 represents a disposed on the resistive film 196 conductive layer, SW1 and SW2 CNT
1で制御されるスイッチであり、SW3およびSW4はCNT2で制御されるスイッチであり、204は一定電圧を各抵抗膜に供給する電圧源でありここでは5Vを供給している。 A switch controlled by 1, SW3 and SW4 are switch controlled by CNT2, 204 is here a voltage source for supplying a constant voltage to each resistor film is supplying 5V. インピーダンス変換部202は導電層19 Impedance converter 202 conductive layer 19
8及び導電層6からアナログの電気信号で検出ペン20 8 and detection pen 20 in the analog electrical signal from the conductive layer 6
5の表示装置10´上での位置を示しているX方向信号とY方向信号を、インピーダンス変換した後X´、Y´ The 5 X direction signal and the Y-direction signal indicates the position on the display device 10 ', after impedance conversion X', Y'
として出力するインピーダンス変換部であり、203はアナログ信号であるX´、Y´をそれぞれDX、DYのディジタル信号に変換するA/D変換部である。 An impedance converter for output as, 203 is an analog signal X', Y'respectively DX, an A / D converter for converting the digital signal DY. 以上説明した各構成要素の動作は後述するが、これらの参考文献として例えば「東芝レビュー、1994、Vol.4 Will be described later in operations of the components described above, these references as for example, "Toshiba Review, 1994, Vol.4
9、No. 9, No. 12」等がある。 There is a 12 ", and the like. なお移動ベクトル方向(X The movement vector direction (X
方向、Y方向)の定義は図27に示すとおりである。 Direction, defined in the Y direction) is shown in Figure 27. 【0152】図28はペン座標検出装置の原理を説明するための図である。 [0152] Figure 28 is a diagram for explaining the principle of the pen coordinate detection device. 図28(a)は195と196の抵抗膜で形成されるタブレットの断面図を示しており、1 Figure 28 (a) shows a cross-sectional view of a tablet formed by resistive films 195 and 196, 1
13は非ペン入力時に抵抗膜195と196とを接触させておくためのスペーサである。 13 is a spacer for keeping contact with the resistive layer 195 and 196 during the non-pen input. このように、抵抗膜1 In this way, the resistance film 1
95と196とに検出ペン圧力を加えていないと抵抗膜195と196は非接触状態を保っている。 95 and 196 and to the no added detecting pen pressure and the resistor layer 195 196 is keeping the non-contact state. 【0153】図28(b)は、抵抗膜195と196に検出ペン205が圧力を加えている状態を示す図であり、このように検出ペンからの圧力が加えられると抵抗膜195と196とは接触状態になる。 [0153] FIG. 28 (b), a diagram the resistance layer 195 and 196 show a state where the detection pen 205 by applying pressure, thus the pressure from the detecting pen is applied to the resistive film 195 196 and It is in contact state. また検出ペン2 The detection pen 2
05から圧力を加えられている箇所を対向電極207とし、図28(c)に示すように導電層197と対向電極207との間の抵抗をR15とし、導電層198と対向電極207との間の抵抗をR16とし、200と検出ペン205との間の抵抗をR20とする。 The locations 05 are under pressure and the counter electrode 207, between the resistor and R15, conductive layer 198 and the counter electrode 207 between the conductive layer 197 and the counter electrode 207 as shown in FIG. 28 (c) the resistor and R16, and a resistor R20 between the 200 and the detection pen 205. なお、195と196の抵抗膜にはある一定のシート抵抗が存在するが、導電層197、198、199、200ではこのシート抵抗が無視できるほど小さい。 Although certain of the sheet resistance is present in the resistor film 195 and 196, the conductive layer 197,198,199,200 this sheet resistance is negligibly small. 【0154】図29に、インピーダンス変換部202の構成を示す。 [0154] Figure 29 shows the configuration of the impedance conversion portion 202. 図29の208および209はオペアンプであり、いわゆるボルテージフォロワーとして用いられており、入力信号をインピーダンス変換して出力する。 208 and 209 in FIG. 29 is an operational amplifier, is used as a so-called voltage follower, and outputs an input signal by the impedance transformation. 【0155】図30にSW1〜SW4の制御を示す。 [0155] Figure 30 shows the control of SW1 to SW4. C
NT1がHighレベルのとき、SW1、SW2はオン状態であり、CNT1がLowレベル時はSW1、SW When NT1 is High level, SW1, SW2 is turned on, when CNT1 is Low level SW1, SW
2はオフ状態である。 2 is in the off state. CNT2がHighレベル時にはSW3、SW4はオン状態であり、CNT2がLowレベルのときにはSW3、SW4はオフ状態である。 CNT2 is at the time of High level SW3, SW4 are turned on, when CNT2 is Low level SW3, SW4 are turned off. CN CN
T1及びCNT2は常に両方が逆位相で駆動されている。 T1 and CNT2 are always both are driven in opposite phases. 【0156】図31に図28(c)の場合の等価回路を示す。 [0156] Figure 31 shows an equivalent circuit in the case of FIG. 28 (c). 図31(a)はCNT1=High、CNT2= Figure 31 (a) is CNT1 = High, CNT2 =
Lowの場合の等価回路を示しており、導電層199および6に電圧が印加されておらず導電層197に0Vが198に5Vが印加されている。 Shows an equivalent circuit in the case of Low, the conductive layer 199 and 6 conductive layers 197 no voltage is applied to the 0V is 198 5V is applied. したがって、6の電圧は(5×R15)/(R15+R16)となるためX´ Accordingly, the voltage of 6 (5 × R15) / (R15 + R16), and therefore X'
=(5×R15)/(R15+R16)である。 = A (5 × R15) / (R15 + R16). つまり、検出ペンのX方向の位置14がアナログ信号X´として検出された。 That, X-direction position 14 of the detection pen is detected as an analog signal X'. 【0157】図31(b)はCNT1=Low、CNT [0157] Figure 31 (b) is CNT1 = Low, CNT
2=Highの場合の等価回路を示しており、導電層1 2 = shows an equivalent circuit in the case of High, conductive layer 1
97および導電層198には電圧が印加されておらず導電層199に0Vが、6に5Vが印加されている。 97 and the conductive layer 198 0V to the conductive layer 199 no voltage is applied to the, 5V is applied to the 6. したがって、200の電圧は5VとなるためX´=5Vである。 Accordingly, the voltage of 200 is X'= 5V for a 5V. 本実施例では、X´=5Vの場合には、これをペンのX方向の位置を示すアナログ信号として取り扱わない。 In this embodiment, when the X'= 5V is not treated it as an analog signal indicating the position of the X-direction of the pen. 【0158】図32に図28(c)の場合の等価回路図を示す。 [0158] Figure 32 shows an equivalent circuit diagram in the case of FIG. 28 (c). 図32(a)はCNT1=High、CNT2 Figure 32 (a) is CNT1 = High, CNT2
=Lowの場合の等価回路を示しており、導電層199 = Indicates an equivalent circuit in the case of Low, conductive layer 199
および6に電圧が印加されておらず導電層197に0V And 6 0V to the conductive layer 197 no voltage is applied to
が198に5Vが印加されている。 5V is applied to but 198. したがって、198 Therefore, 198
の電圧は5Vであり、Y´=5Vとなる。 Of voltage is 5V, the Y'= 5V. 本実施例ではY´=5Vの場合これをペンのY方向の位置を示すアナログ信号として取り扱わない。 In the present embodiment not treated as an analog signal indicating this position of the pen in the Y-direction when the Y'= 5V. 【0159】図32(b)はCNT1=Low、CNT [0159] Figure 32 (b) is CNT1 = Low, CNT
2=Highの場合の等価回路を示しており、導電層1 2 = shows an equivalent circuit in the case of High, conductive layer 1
97及び導電層198に電圧が印加されておらず、導電層199に0Vが導電層200に5Vが印加されている。 97 and no voltage is applied to the conductive layer 198, 0V to the conductive layer 199 is 5V to the conductive layer 200 is applied. したがって、6の電圧は5Vとなるため、Y´= Accordingly, the voltage of the 6 becomes 5V, Y'=
(5×R19)/(R19+R20)である。 (5 × R19) is / (R19 + R20). つまり、 That is,
検出ペンのY方向の位置14がアナログ信号Y´として検出された。 Y-direction position 14 of the detection pen is detected as an analog signal Y'. 【0160】図27に例示した表示装置では以上のようにペンの位置を検出する。 [0160] In the illustrated display device 27 detects the position of the pen as described above. すなわち、CNT1=Hig In other words, CNT1 = Hig
h、CNT2=Lowの場合には検出ペンのX方向の位置をアナログ信号として検出し、一方、CNT196= h, CNT2 = the position of the X direction of the detection pen in the case of Low is detected as an analog signal, whereas, CNT196 =
High、CNT1=Lowの場合には検出ペンのY方向の位置をアナログ信号として検出する。 High, if the CNT1 = Low detects the position in the Y direction of the detection pen as an analog signal. そして、得られたアナログ信号をA/D変換部203によりディジタル信号DX、DYに変換する。 Then, to convert the resulting analog signal digital signal DX by the A / D converter 203, a DY. ディジタル信号DX、D Digital signal DX, D
Yに変換する。 It is converted into Y. ディジタル信号DX、DYは図27のペンスピード検出部170、ベクトル変化検出部171および補正部172に出力されて補正される。 Digital signal DX, DY pen speed detecting section 170 of FIG. 27, is corrected is output to the vector change detecting unit 171 and the correction unit 172. 【0161】この例で説明したような構成、手法により本発明の液晶表示装置において位置検出を行うようにしてもよい。 [0161] configured as described in this example, the position detection in the liquid crystal display device of the present invention may be performed by the technique. 【0162】 【発明の効果】以上説明したように本発明の液晶表示装置によれば、二重像、視差ズレ(パララックス)などの画質低下、厚さ・重量アップの問題を、製造コストを増加させることなく、液晶表示装置等の表示装置に位置検出機能を付加することができる。 [0162] According to the liquid crystal display device of the present invention as described above, according to the present invention, double image, image quality degradation such as the parallax displacement (parallax), thickness and weight up the problem, the manufacturing cost without increasing, it is possible to add a position detection functionality to a display device such as a liquid crystal display device. したがって本発明によれば、高画質で消費電力が小さく、かつ軽量薄型の座標入力機能付き液晶表示装置を提供することができる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to power high image quality is small and provides a coordinate input function-equipped liquid crystal display device thin and light. また本発明の表示装置を例えば携帯型情報端末に適用することにより、可搬性が高く、表示品質が良好で、かつ入力精度の高い位置検出機能内蔵型表示装置を提供することができる。 Also by applying the display device of the present invention to a portable information terminal for example, high portability, a good display quality, and can provide a high input accuracy location function built-in type display device.

【図面の簡単な説明】 【図1】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Diagram schematically illustrating an example of a sectional structure of a liquid crystal display device BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS [Figure 1] present invention. 【図2】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Diagram schematically illustrating an example of a sectional structure of a liquid crystal display device of the present invention; FIG. 【図3】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Diagram schematically illustrating an example of a sectional structure of a liquid crystal display device of the present invention; FIG. 【図4】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Diagram schematically illustrating an example of a sectional structure of a liquid crystal display device of the present invention; FIG. 【図5】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Figure 5 schematically illustrates an example of a sectional structure of a liquid crystal display device of the present invention. 【図6】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Diagram schematically illustrating an example of a sectional structure of a liquid crystal display device of the present invention; FIG. 【図7】本発明の液晶表示装置の断面構造の例を概略的に示す図。 Figure 7 schematically illustrates an example of a sectional structure of a liquid crystal display device of the present invention. 【図8】本発明の液晶表示装置の構成の別の例を概略的に示す図。 Figure 8 schematically illustrates another example of the configuration of a liquid crystal display device of the present invention. 【図9】液晶セルと抵抗膜との関係を説明するための図。 Figure 9 is a diagram for explaining the relationship between the liquid crystal cell resistance film. 【図10】本発明の液晶表示装置が備える抵抗膜のパターンの例を概略的に示す図。 Figure 10 schematically illustrates an example of the pattern of the resistance film included in the liquid crystal display device of the present invention. 【図11】本発明の液晶表示装置が備える抵抗膜のパターンの例を概略的に示す図。 11 is a diagram schematically showing an example of the pattern of the resistance film included in the liquid crystal display device of the present invention. 【図12】圧力検出素子が圧電体からなる場合の座標算出方法の例を説明するための図。 Figure 12 is a diagram for explaining an example of a coordinate calculation method in the case where the pressure sensing element is made of a piezoelectric material. 【図13】圧力検出素子が感圧体からなる場合の座標算出方法の例を説明するための図。 13 is a diagram for explaining an example of a coordinate calculation method in the case where the pressure sensing element is made of a pressure sensitive element. 【図14】表面分割型を用いバイアス電位VB を設定したときの等価回路。 [14] equivalent circuit when setting the bias potential VB using a surface split. 【図15】圧力検出素子として感圧体または圧電ゲート薄膜トランジスタを用いた場合の等価回路。 [15] Equivalent circuit in the case of using the pressure sensitive element or a piezoelectric-gate TFT as a pressure sensing element. 【図16】圧力検出素子が圧電体からなり、表面分割型を用い対向をフローティングとしたときの等価回路。 [16] The pressure sensing element is a piezoelectric material, the equivalent circuit when the opposed with surface split was floating. 【図17】圧力検出素子が圧電体からなり、両面分割型を用いたときの等価回路。 Equivalent circuit when [17] the pressure sensing element is a piezoelectric material, using a double-sided split. 【図18】圧力検出素子として感圧体または圧電ゲート薄膜トランジスタを用い、両面分割型を用いたときの等価回路。 [Figure 18] using the pressure sensitive element or a piezoelectric-gate TFT as a pressure sensing element, an equivalent circuit in the case of using a double-sided split. . 【図19】圧力検出素子として圧電ゲート薄膜トランジスタを用いた場合の等価回路(表面分割型)。 Figure 19 is an equivalent in the case of using a piezoelectric gate thin film transistor as a pressure detection element circuit (surface division type). 【図20】圧力検出素子として圧電ゲート薄膜トランジスタを用いた場合の等価回路(両面分割型)。 Figure 20 is an equivalent in the case of using a piezoelectric gate thin film transistor as a pressure detection element circuit (duplex division type). 【図21】圧電体を用いたときの座標検出回路の構成の例を示す図。 FIG. 21 shows an example of a configuration of a coordinate detection circuit when using a piezoelectric element. 【図22】感圧体をゲートに接続した薄膜トランジスタを用いた時の座標検出回路の構成の例を示す図。 Diagram illustrating an example of a configuration of a coordinate detector when using a thin film transistor connected to the gate of Figure 22 pressure sensitive substance. 【図23】圧電体を用いたときの座標検出回路の構成の例を示す図。 FIG. 23 is a diagram showing an example of a configuration of a coordinate detection circuit when using a piezoelectric element. 【図24】感圧体をゲートに接続した薄膜トランジスタを用いた時の座標検出回路の構成の例を示す図。 Diagram illustrating an example of a configuration of a coordinate detector when using a thin film transistor connected to the gate of Figure 24 pressure sensitive substance. 【図25】圧電体を用いたときの座標検出回路の構成の例を示す図。 Figure 25 is a diagram showing an example of a configuration of a coordinate detection circuit when using a piezoelectric element. 【図26】圧力検出素子として感圧体または圧電ゲート薄膜トランジスタを用いた場合の座標検出回路の構成の例を示す図。 26 shows an example of a configuration of a coordinate detector in the case of using the pressure sensitive element or a piezoelectric-gate TFT as a pressure sensing element. 【図27】ペン入力機能を備えた表示装置の構成の例を示す図。 Figure 27 is a diagram showing an example of configuration of a display apparatus having a pen input function. 【図28】ペン座標検出装置の原理を説明するための図。 Figure 28 is a diagram for explaining the principle of the pen coordinate detection device. 【図29】インピーダンスの構成の例を説明するための図。 Diagram for explaining an example of FIG. 29 impedance configuration. 【図30】SW1〜SW4の制御を説明するための図。 Diagram for explaining the control of Figure 30 SW1 to SW4. 【図31】図28(c)に対応する等価回路。 [Figure 31] corresponding equivalent circuit in FIG. 28 (c). 【図32】図28(c)に対応する等価回路。 [Figure 32] corresponding equivalent circuit in FIG. 28 (c). 【図33】図28(c)に対応する等価回路。 [Figure 33] corresponding equivalent circuit in FIG. 28 (c). 【符号の説明】 11………アレイ基板12………対向基板13………液晶層14………スペーサ15………絶縁性基板16………画素電極17………薄膜トランジスタ17g………ゲート電極17s………ソース電極17d………ドレイン電極17i………半導体膜18…………ゲート絶縁膜19…………パッシベーション膜21…………絶縁性基板22…………抵抗膜23…………圧電体24…………カラーフィルタ25…………コモン電極26…………バイアス電極31…………ブラックマトリクス40…………MIM 50…………感圧ゲート薄膜トランジスタ [EXPLANATION OF SYMBOLS] 11 ......... array substrate 12 ......... counter substrate 13 ......... liquid crystal layer 14 ......... spacer 15 ......... insulating substrate 16 ......... pixel electrode 17 ......... TFT 17 g ......... The gate electrode 17s ......... source electrode 17d ......... drain electrode 17i ......... semiconductor film 18 ............ gate insulating film 19 ............ passivation film 21 ............ insulating substrate 22 ............ resistive film 23 ............ piezoelectric 24 ............ color filter 25 ............ common electrode 26 ............ bias electrode 31 ............ black matrix 40 ............ MIM 50 ............ pressure sensitive gate thin film transistor

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平9−127521(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) G02F 1/1333 G02F 1/133 540 G09G 3/36 G06F 3/033 350 A G09F 9/00 366 G Following (56) references of the front page Patent flat 9-127521 (JP, A) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) G02F 1/1333 G02F 1/133 540 G09G 3/36 G06F 3/033 350 A G09F 9/00 366 G

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 第1の電極が配設された第1の基板と、 第2の電極が配設された第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間にマトリクス状に配設された柱状のスペーサーと、 前記スペーサーにより保持された前記第1の基板と前記第2の基板との間隙に挟持された液晶層と、 前記第1の電極または前記第2の電極に表示信号電圧を印加する手段と、 前記第1の基板と前記スペーサーの間、または前記第2 (57) a first substrate Claims 1. A first electrode is arranged, a second substrate a second electrode disposed, said first substrate wherein the columnar spacers arranged in a matrix between the second substrate, a liquid crystal layer sandwiched in a gap between the first substrate held between the second substrate by the spacer, the It means for applying a display signal voltage to the first electrode or the second electrode, between the spacer and the first substrate or the second,
    の基板前記スペーサーの間に配設された圧力検出素子と、 前記圧力検出素子に圧力が加わった時、前記圧力検出素<br>子の出力信号に基づいて、前記圧力が加わった圧力検出 Substrate and the disposed pressure sensing element between the spacers, when the pressure is applied to the pressure sensing element, on the basis of an output signal of the pressure detecting element <br> element, pressure detection the pressure is applied
    素子の位置を検出する手段とを具備したことを特徴とする液晶表示装置。 A liquid crystal display device characterized by including a means for detecting the position of the element. 【請求項2】 前記スペーサの少なくとも一部は圧電性材料により構成されていることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least a portion of the spacer is constituted by a piezoelectric material. 【請求項3】 前記圧力検出素子と接触するよう配設された抵抗膜をさらに具備し、前記圧力検出素子の前記出力信号は前記抵抗膜を介して検出されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。 Wherein further comprising a disposed a resistor film to be in contact with the pressure sensing element, according to claim 1 wherein the output signal of the pressure sensing element, characterized in that it is detected via the resistor film the liquid crystal display device according to. 【請求項4】 第1の基板と、 第2の基板と、 前記第1の基板と前記第2の基板との間にマトリクス状に配設された柱状のスペーサーと、 前記第1の基板と前記スペーサーの間、または前記第2 4. A first substrate, a second substrate, a columnar spacers arranged in a matrix between said first substrate and said second substrate, said first substrate between the spacer or the second,
    の基板前記スペーサーの間に配設された圧力検出素子と前記圧力検出素子に圧力が加わった時、前記圧力検出素<br>子の出力信号に基づいて、前記圧力が加わった圧力検出 Substrate and the disposed pressure sensing element between the spacers, when the pressure is applied to the pressure sensing element, on the basis of an output signal of the pressure detecting element <br> element, pressure detection the pressure is applied
    素子の位置を検出する手段とを具備したことを特徴とする位置検出装置。 Position detecting device being characterized in that and means for detecting the position of the element.
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4507480B2 (en) * 2001-12-27 2010-07-21 ソニー株式会社 Display device
US7924269B2 (en) * 2005-01-04 2011-04-12 Tpo Displays Corp. Display devices and methods forming the same
US7852324B2 (en) 2005-07-21 2010-12-14 Tpo Displays Corp. Process of integrating a digitizer input device in a display
JP4974670B2 (en) * 2006-12-27 2012-07-11 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド Touch panel device
JP4345820B2 (en) 2007-01-22 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 Preparation and electronic paper display apparatus and a display device
US8390771B2 (en) 2008-09-08 2013-03-05 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device
CN101685212B (en) 2008-09-26 2012-08-29 奇美电子股份有限公司 Liquid crystal display panel
US8988360B2 (en) 2008-12-24 2015-03-24 Samsung Display Co., Ltd. Method and apparatus for detecting a touch position, and touchscreen display apparatus having the same
JP2009199095A (en) * 2009-06-03 2009-09-03 Casio Comput Co Ltd Driving method of liquid crystal display device
KR100970256B1 (en) * 2009-09-03 2010-07-16 삼성전자주식회사 Liquid crystal display
CN102667678A (en) * 2009-11-20 2012-09-12 夏普株式会社 Flexible display panel with touch sensor function
WO2011122347A1 (en) 2010-03-29 2011-10-06 シャープ株式会社 Display device with touch panel functionality
CN102822777A (en) 2010-03-29 2012-12-12 夏普株式会社 Display device, and manufacturing method of pressure detection device and display device
JP2013140190A (en) 2010-04-21 2013-07-18 Sharp Corp Display device
CN102402068B (en) * 2011-10-28 2014-04-09 深圳市华星光电技术有限公司 Multi-domain vertical alignment LCD (liquid crystal display) panel
CN102707504B (en) * 2011-11-21 2016-04-27 京东方科技集团股份有限公司 The liquid crystal panel and its preparation method, a display device
JP2015096986A (en) * 2012-03-01 2015-05-21 シャープ株式会社 Vibration plate, touch panel with vibration plate, touch panel with vibration function, and display device
JP5953848B2 (en) * 2012-03-19 2016-07-20 大日本印刷株式会社 The color filter forming substrate and a liquid crystal display device
CN104641327B (en) * 2012-09-28 2017-06-23 株式会社村田制作所 Pressing amount detection sensor, a touch type input device
KR20140143646A (en) * 2013-06-07 2014-12-17 삼성디스플레이 주식회사 Display device including touch sensor and manufacturing method thereof
CN104407466B (en) * 2014-12-25 2017-12-26 厦门天马微电子有限公司 A display board, a display panel and a display device
JP2016224206A (en) * 2015-05-29 2016-12-28 ソニー株式会社 Display device
CN105278175A (en) * 2015-11-12 2016-01-27 深圳市华星光电技术有限公司 Curved-surface liquid crystal display panel and liquid crystal display panel
CN105549245A (en) * 2016-01-20 2016-05-04 昆山龙腾光电有限公司 Colored film substrate and touch display device
CN105911774A (en) * 2016-06-30 2016-08-31 京东方科技集团股份有限公司 Spacer, manufacturing method thereof and display device

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