JP3448785B2 - Photoelectric conversion device and automatic focusing camera incorporating the photoelectric conversion device - Google Patents
Photoelectric conversion device and automatic focusing camera incorporating the photoelectric conversion deviceInfo
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Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光電変換装置および該
光電変換装置を内蔵した自動焦点調節カメラに関するも
のである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectric conversion device and an automatic focusing camera incorporating the photoelectric conversion device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来光電変換装置として以下のような装
置が知られている。被写体からの光を受けて光電変換を
行い、発生した電荷を蓄積する光電素子（画素）が多数
配列した電荷蓄積型光電素子アレイ（フォトダイオード
アレイ）であり、その一部の光電素子が遮光された電荷
蓄積型光電素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素子アレ
イに蓄積された電荷を動作クロックに応じてシリアルに
転送し、時系列信号として出力する転送レジスタ（ＣＣ
Ｄアナログシフトレジスタ）と、前記時系列信号のうち
遮光された光電素子に対応する信号をサンプルホールド
するサンプルホールド回路と、遮光されていない光電素
子アレイ（有効画素）に対応する前記時系列信号からサ
ンプルホールドされた遮光光電素子（遮光画素）の信号
を差し引くことにより、有効画素で発生する暗電流成分
を補正して出力する暗電流補正回路と、前記補正された
有効画素の出力信号の特性（ピーク値、平均値、コント
ラスト値）に応じて前記電荷蓄積型光電素子アレイの電
荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路と、からなる光
電変換装置が知られている。2. Description of the Related Art Conventionally, the following devices are known as photoelectric conversion devices. It is a charge storage type photoelectric element array (photodiode array) in which a large number of photoelectric elements (pixels) that receive light from a subject and perform photoelectric conversion to store the generated charges are arranged. And a transfer register (CC) for serially transferring the charges stored in the charge storage type photoelectric device array according to an operation clock and outputting the charges as a time series signal.
D analog shift register), a sample hold circuit for sampling and holding a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and the time-series signal corresponding to an unshielded photoelectric element array (effective pixel). A dark current correction circuit that corrects and outputs the dark current component generated in the effective pixel by subtracting the sampled and held signal of the light shielding photoelectric element (light shielding pixel), and the characteristics of the corrected output signal of the effective pixel ( A photoelectric conversion device including a storage time control circuit that controls the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array according to a peak value, an average value, and a contrast value) is known.
【０００３】また上記光電変換装置を焦点検出用のイメ
ージセンサーとして利用し、該イメージセンサーの出力
信号に応じて撮影光学系の焦点調節状態を検出し、検出
された焦点調節状態に応じて撮影光学系を合焦点へ駆動
する自動焦点調節カメラも知られている。Further, the photoelectric conversion device is used as an image sensor for focus detection, the focus adjustment state of the photographing optical system is detected according to the output signal of the image sensor, and the photographing optical system is detected according to the detected focus adjustment state. Autofocus cameras that drive the system to a focal point are also known.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の光電変換装置および該光電変換装置を内蔵した自動焦
点調節カメラでは以下に述べる欠点があった。図は従来
の光電変換装置の構成の一部を示す図２０であって、Ｐ
Ｄ１、ＰＤ２は遮光画素、ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３は有
効画素、ＴＧは転送ゲート、ＳＲは転送レジスタを表
す。However, the above-mentioned conventional photoelectric conversion device and the automatic focusing camera incorporating the photoelectric conversion device have the following drawbacks. FIG. 20 is a diagram showing a part of the configuration of a conventional photoelectric conversion device,
D1 and PD2 are light-shielding pixels, PE1, PE2, and PE3 are effective pixels, TG is a transfer gate, and SR is a transfer register.
【０００５】遮光画素ＰＤ１、ＰＤ２で暗電流により発
生した電荷と有効画素ＰＥ１、ＰＥ２、ＰＥ３で光電変
換により発生した電荷は、蓄積終了時に転送ゲートＴＧ
が開くことにより転送レジスタＳＲにパラレルに転送さ
れ、以後転送レジスタＳＲに印可される動作クロックに
応じて図２０において右方向にシリアルに転送されてい
く。The charges generated by the dark current in the light-shielded pixels PD1, PD2 and the charges generated by the photoelectric conversion in the effective pixels PE1, PE2, PE3 are transferred to the transfer gate TG at the end of accumulation.
Is opened, the data is transferred in parallel to the transfer register SR, and thereafter serially transferred in the right direction in FIG. 20 in accordance with the operation clock applied to the transfer register SR.
【０００６】しかしながら被写体輝度が時間的に急変し
て高輝度になった場合、前回の有効画素の出力信号の特
性（ピーク値、平均値、コントラスト値）に応じて定め
られた電荷蓄積時間で次の電荷蓄積を行わせると、発生
した電荷が有効画素の蓄積容量を上回り有効画素から溢
れるというオーバーフロー現象が発生する。このような
オーバーフロー電荷が直接遮光画素に流れ込んだり、一
旦転送レジスタに流れ込んで転送されていき、蓄積終了
時に遮光画素から転送レジスタに転送される暗電流に対
応した電荷に混入する。すなわち図２０で黒矢印で示す
経路で電荷混入が起こる。However, when the brightness of the subject suddenly changes with time and becomes high, the charge accumulation time determined according to the characteristics (peak value, average value, contrast value) of the output signal of the previous effective pixel is used. When the electric charge is accumulated, the generated electric charge exceeds the storage capacity of the effective pixel and overflows from the effective pixel. Such overflow charges flow directly into the light-shielded pixels, or once flow into the transfer register and are transferred, and are mixed into the charges corresponding to the dark current transferred from the light-shielded pixels to the transfer register at the end of accumulation. That is, charge mixing occurs along the path indicated by the black arrow in FIG.
【０００７】上記のような遮光画素出力へのオーバーフ
ロー電荷の混入が発生すると、有効画素で発生する暗電
流成分を補正するために、有効画素出力から遮光画素出
力を差し引くと、補正された有効画素の出力は補正前の
電荷が飽和した有効画素出力（飽和出力）よりかなり小
さい値になってしまう。このような小さい出力に基づい
て蓄積時間を決定した場合、出力をおおきくするため次
回の蓄積時間は今回の蓄積時間より長くする。すると更
にオーバフロー電荷の混入が増加し、補正後の出力は更
に小さくなってしまう。When the overflow charge is mixed into the light-shielded pixel output as described above, the light-shielded pixel output is subtracted from the effective pixel output in order to correct the dark current component generated in the effective pixel. Output becomes considerably smaller than the effective pixel output (saturation output) in which the charge before correction is saturated. When the accumulation time is determined based on such a small output, the next accumulation time is made longer than the current accumulation time in order to make the output large. Then, the mixing of overflow charges further increases, and the output after correction becomes further smaller.
【０００８】即ち通常は蓄積時間と補正後の出力の値の
間の関係は比例関係であるが、一旦このような現象が発
生すると反比例の関係になるので、比例関係に基づいた
蓄積時間の制御を行うと補正後の出力は微小レベルにな
ってしまうととともに、このような状況から抜け出せな
くなってしまう。またこのような光電装置を利用して焦
点検出を行う自動焦点調節カメラにおいては、構図変更
により輝度の急変が発生する確率が高く、上述のような
状況にかまりこんでしまいことは大きな問題であった。That is, the relationship between the accumulation time and the corrected output value is usually proportional, but once such a phenomenon occurs, the relationship is inversely proportional. Therefore, the accumulation time is controlled based on the proportional relationship. If you do, the corrected output will be at a very small level, and you will not be able to get out of this situation. Further, in an automatic focusing camera that performs focus detection using such a photoelectric device, there is a high probability that a sudden change in brightness will occur due to composition change, and it is a big problem to get stuck in the above situation. It was
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明では、被
写体からの光を受けて光電変換を行う電荷蓄積型光電素
子アレイであり、その一部が遮光された光電素子からな
る電荷蓄積型光電素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素
子アレイに蓄積された電荷を転送し、時系列信号として
出力する転送レジスタと、前記時系列信号のうち遮光さ
れた光電素子に対応する信号をサンプルホールドするサ
ンプルホールド回路と、前記サンプルーホールド回路に
サンプルホールドされた信号に応じて、遮光されていな
い光電素子アレイに対応する前記時系列信号を補正して
出力する補正回路と、前記補正された時系列信号に応じ
て前記電荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を制御
する蓄積時間制御回路と、からなる光電変換装置におい
て、前記蓄積時間制御回路は、前記時系列信号のうち遮
光された光電素子に対応する信号が所定値以上である場
合は前記電荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短
縮する構成とした。According to a first aspect of the present invention, there is provided a charge storage type photoelectric element array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion, the charge storage type photoelectric conversion element array being partly shielded from light. A photoelectric element array, a transfer register for transferring charges accumulated in the charge storage type photoelectric element array, and outputting as a time-series signal, and a sample and hold of a signal corresponding to the light-shielded photoelectric element in the time-series signal. A sample-hold circuit, a correction circuit for correcting and outputting the time-series signal corresponding to a photoelectric element array not shielded according to the signal sample-held by the sample-hold circuit, and the corrected time-series In a photoelectric conversion device comprising a storage time control circuit for controlling the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array according to a signal, Control circuit, when the signal corresponding to the photoelectric element is shielded from among the time-series signal is a predetermined value or more has a structure to reduce the charge accumulation time of said charge accumulation type photoelectric element array.
【００１０】請求項２の発明では前記所定値を温度に応
じた値にした。請求項３の発明では被写体からの光を受
けて光電変換を行う電荷蓄積型光電素子アレイであり、
その一部が遮光された光電素子からなる電荷蓄積型光電
素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積さ
れた電荷を転送し、時系列信号として出力する転送レジ
スタと、前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対
応する信号をサンプルホールドするサンプルホールド回
路と、前記サンプルーホールド回路にサンプルホールド
された信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイ
に対応する前記時系列信号を補正して出力する補正回路
と、前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型
光電素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御
回路と、からなる光電変換装置において、被写体輝度を
検出する輝度手段を設け、前記蓄積時間制御回路は、前
記補正された時系列信号と電荷蓄積時間に応じて被写体
輝度を算出するとともに、算出された被写体輝度が前記
輝度検出手段により検出された被写体輝度を下回る場合
は、前記電荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短
縮する構成とした。According to the second aspect of the invention, the predetermined value is a value according to the temperature. According to a third aspect of the present invention, there is provided a charge storage type photoelectric device array that receives light from a subject and performs photoelectric conversion.
A charge storage type photoelectric element array composed of photoelectric elements partially shielded from the light, a transfer register for transferring the charges accumulated in the charge storage type photoelectric element array, and outputting as a time series signal; A sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element, and the time-series signal corresponding to a non-light-shielded photoelectric element array is corrected according to the signal sample-held by the sample-hold circuit. In the photoelectric conversion device, the subject brightness is detected in a photoelectric conversion device including a correction circuit that outputs the charge storage time and a storage time control circuit that controls the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array according to the corrected time series signal. Luminance means is provided, and the accumulation time control circuit calculates the subject luminance according to the corrected time series signal and the charge accumulation time. Moni, if the calculated subject brightness is below a subject luminance detected by the luminance detection means, and configured to reduce the charge accumulation time of said charge accumulation type photoelectric element array.
【００１１】請求項４の発明では、被写体からの光を受
けて光電変換を行う電荷蓄積型光電素子アレイであり、
その一部が遮光された光電素子からなる電荷蓄積型光電
素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積さ
れた電荷を転送し、時系列信号として出力する転送レジ
スタと、前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対
応する信号をサンプルホールドするサンプルホールド回
路と、前記サンプルーホールド回路にサンプルホールド
された信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイ
に対応する前記時系列信号を補正して出力する補正回路
と、前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型
光電素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御
回路と、からなる光電変換装置において、前記蓄積時間
制御回路は、前記補正された時系列信号の値に前記時系
列信号のうち遮光された光電素子に対応する信号の値を
加えた値が所定値以上である場合は前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を短縮する構成とした。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a charge storage type photoelectric element array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion.
A charge storage type photoelectric element array composed of photoelectric elements partially shielded from the light, a transfer register for transferring the charges accumulated in the charge storage type photoelectric element array, and outputting as a time series signal; A sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element, and the time-series signal corresponding to a non-light-shielded photoelectric element array is corrected according to the signal sample-held by the sample-hold circuit. In the photoelectric conversion device, the storage time control circuit includes a correction circuit that outputs the charge storage time and a storage time control circuit that controls the charge storage time of the charge storage type photoelectric device array according to the corrected time series signal. Is a value obtained by adding the value of the corrected time-series signal to the value of the signal corresponding to the light-shielded photoelectric element in the time-series signal. If it is above was configured to reduce the charge accumulation time of said charge accumulation type photoelectric element array.
【００１２】請求項５の発明では、被写体からの光を受
けて光電変換を行う電荷蓄積型光電素子アレイであり、
その一部が遮光された光電素子からなる電荷蓄積型光電
素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積さ
れた電荷を転送し、時系列信号として出力する転送レジ
スタと、前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対
応する信号をサンプルホールドするサンプルホールド回
路と、前記サンプルーホールド回路にサンプルホールド
された信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイ
に対応する前記時系列信号を補正して出力する補正回路
と、前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型
光電素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御
回路と、からなる光電変換装置と、前記補正された時系
列信号に基づき、撮影光学系の焦点状態を検出する焦点
検出手段と、検出された焦点状態に応じて前記撮影光学
系を合焦位置に駆動する駆動手段と、を備えた自動焦点
調節カメラにおいて、前記蓄積時間制御回路は、前記時
系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信号が所
定値以上である場合は前記電荷蓄積型光電素子アレイの
電荷蓄積時間を短縮する構成とした。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a charge storage type photoelectric element array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion.
A charge storage type photoelectric element array composed of photoelectric elements partially shielded from the light, a transfer register for transferring the charges accumulated in the charge storage type photoelectric element array, and outputting as a time series signal; A sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element, and the time-series signal corresponding to a non-light-shielded photoelectric element array is corrected according to the signal sample-held by the sample-hold circuit. A photoelectric conversion device comprising a correction circuit for outputting the charge storage time and a storage time control circuit for controlling the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array according to the corrected time series signal; Focus detection means for detecting the focus state of the photographing optical system based on the series signal, and driving the photographing optical system to the in-focus position according to the detected focus state. In the automatic focus adjustment camera, the charge accumulation type photoelectric device includes the charge accumulation type photoelectric device when the signal corresponding to the shielded photoelectric device in the time-series signal is equal to or more than a predetermined value. The configuration is such that the charge storage time of the array is shortened.
【００１３】請求項６の発明では、前記所定値を温度に
応じた値とした。請求項７の発明では、被写体からの光
を受けて光電変換を行う電荷蓄積型光電素子アレイであ
り、その一部が遮光された光電素子からなる電荷蓄積型
光電素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄
積された電荷を転送し、時系列信号として出力する転送
レジスタと、前記時系列信号のうち遮光された光電素子
に対応する信号をサンプルホールドするサンプルホール
ド回路と、前記サンプルーホールド回路にサンプルホー
ルドされた信号に応じて、遮光されていない光電素子ア
レイに対応する前記時系列信号を補正して出力する補正
回路と、前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄
積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間
制御回路と、からなる光電変換装置と、前記補正された
時系列信号に基づき、撮影光学系の焦点状態を検出する
焦点検出手段と、検出された焦点状態に応じて前記撮影
光学系を合焦位置に駆動する駆動手段と、を備えた自動
焦点調節カメラにおいて、被写体輝度を検出する輝度手
段を設け、前記蓄積時間制御回路は、前記補正された時
系列信号と電荷蓄積時間に応じて被写体輝度を算出する
とともに、算出された被写体輝度が前記輝度検出手段に
より検出された被写体輝度を下回る場合は、前記電荷蓄
積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短縮する構成とし
た。In the sixth aspect of the invention, the predetermined value is a value according to the temperature. According to a seventh aspect of the present invention, there is provided a charge storage type photoelectric element array that receives light from a subject and performs photoelectric conversion, and a charge storage type photoelectric element array formed of a photoelectric element partially shielded from the light. A transfer register that transfers the electric charge accumulated in the photoelectric element array and outputs it as a time-series signal, a sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to the light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and the sample-hold A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the signal sampled and held by the circuit, and the charge storage-type photoelectric converter according to the corrected time-series signal. A photoelectric conversion device including an accumulation time control circuit for controlling the charge accumulation time of the element array, and a photographing optical system based on the corrected time series signal. In an automatic focusing camera equipped with a focus detecting means for detecting a point state and a driving means for driving the photographing optical system to a focus position according to the detected focus state, a brightness means for detecting subject brightness is provided. The storage time control circuit calculates the subject brightness according to the corrected time-series signal and the charge storage time, and when the calculated subject brightness is lower than the subject brightness detected by the brightness detection unit. The charge storage time of the charge storage type photoelectric device array is shortened.
【００１４】請求項８の発明では、被写体からの光を受
けて光電変換を行う電荷蓄積型光電素子アレイであり、
その一部が遮光された光電素子からなる電荷蓄積型光電
素子アレイと、前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積さ
れた電荷を転送し、時系列信号として出力する転送レジ
スタと、前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対
応する信号をサンプルホールドするサンプルホールド回
路と、前記サンプルーホールド回路にサンプルホールド
された信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイ
に対応する前記時系列信号を補正して出力する補正回路
と、前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型
光電素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御
回路と、からなる光電変換装置と、前記補正された時系
列信号に基づき、撮影光学系の焦点状態を検出する焦点
検出手段と、検出された焦点状態に応じて前記撮影光学
系を合焦位置に駆動する駆動手段と、を備えた自動焦点
調節カメラにおいて、前記蓄積時間制御回路は、前記補
正された時系列信号の値に前記時系列信号のうち遮光さ
れた光電素子に対応する信号の値を加えた値が所定値以
上である場合は前記電荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄
積時間を短縮する構成とした。According to an eighth aspect of the present invention, there is provided a charge storage type photoelectric element array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion.
A charge storage type photoelectric element array composed of photoelectric elements partially shielded from the light, a transfer register for transferring the charges accumulated in the charge storage type photoelectric element array, and outputting as a time series signal; A sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element, and the time-series signal corresponding to a non-light-shielded photoelectric element array is corrected according to the signal sample-held by the sample-hold circuit. A photoelectric conversion device comprising a correction circuit for outputting the charge storage time and a storage time control circuit for controlling the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array according to the corrected time series signal; Focus detection means for detecting the focus state of the photographing optical system based on the series signal, and driving the photographing optical system to the in-focus position according to the detected focus state. In the automatic focusing camera provided with the driving means, the accumulation time control circuit adds the value of the corrected time series signal to the value of the signal corresponding to the light-shielded photoelectric element of the time series signal. When the value is greater than or equal to a predetermined value, the charge storage time of the charge storage type photoelectric device array is shortened.
【００１５】[0015]
【作用】本発明では以上のような構成により、前述のよ
うな遮光画素出力へのオーバーフロー電荷の混入が発生
し、遮光画素出力を差し引いて補正された有効画素の出
力が飽和時の出力から低下してしまう状況であることを
検出するとともに、このような状況においては蓄積時間
が短くなるようにしている。According to the present invention, due to the above-mentioned configuration, the overflow charge is mixed into the light-shielded pixel output as described above, and the output of the effective pixel corrected by subtracting the light-shielded pixel output is reduced from the output at the time of saturation. In addition to the detection of the situation, the accumulation time is shortened in such a situation.
【００１６】[0016]
【実施例】本発明の実施例を図１以降の図面に沿って説
明する。図１は本発明を１眼レフ交換カメラシステムに
適用した場合の実施例のブロック図である。図１に基づ
き本発明の実施例の構成と動作を説明する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings starting from FIG. FIG. 1 is a block diagram of an embodiment in which the present invention is applied to a single-lens reflex interchangeable camera system. The configuration and operation of the embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００１７】カメラボディ１に対しレンズ２は交換可能
に構成されており、図はレンズ２がカメラボディ１に装
着された状態を示している。レンズ２内には撮影光学系
３があり、撮影光学系３を通る被写体からの光束は、ハ
ーフミラーから構成されるメインミラー４によりサブミ
ラー５とファインダー６の方向に分割されるファインダ
ー６は周知のペンタプリズムより構成されている。The lens 2 is replaceable with respect to the camera body 1, and the figure shows a state in which the lens 2 is mounted on the camera body 1. A photographic optical system 3 is provided in the lens 2, and a light flux from a subject passing through the photographic optical system 3 is divided in a direction of a sub-mirror 5 and a finder 6 by a main mirror 4 composed of a half mirror. It is composed of a penta prism.
【００１８】サブミラー５は予定焦点面１１（フィルム
面）に向かう光束を、さらにボディ底に配置する焦点検
出光学系７およびイメージセンサー８に偏向する。焦点
検出光学系７およびイメージセンサー８の詳細な構成を
図２に示す。焦点検出光学系７は長方形の開口部７０を
有する視野マスク７１、コンデンサーレンズ７２、１対
の絞り開口部１７３、１７４を有する絞りマスク７５、
１対の再結像レンズ１７６、１７７をプラスチック光学
材料で一体成形した再結像手段７８からなる。イメージ
センサー８は電荷蓄積型のＣＣＤから構成された１対の
受光部１８０、１８１からなり、詳細については後述す
る。The sub-mirror 5 deflects the light beam directed to the planned focal plane 11 (film surface) to the focus detection optical system 7 and the image sensor 8 arranged on the bottom of the body. Detailed configurations of the focus detection optical system 7 and the image sensor 8 are shown in FIG. The focus detection optical system 7 includes a field mask 71 having a rectangular opening 70, a condenser lens 72, and a diaphragm mask 75 having a pair of diaphragm openings 173 and 174.
The re-imaging means 78 is formed by integrally molding the pair of re-imaging lenses 176 and 177 with a plastic optical material. The image sensor 8 is composed of a pair of light receiving portions 180 and 181 each composed of a charge storage type CCD, the details of which will be described later.
【００１９】ハウジング７９は焦点検出光学系７を構成
する光学部材を支持するホルダーであって、イメージセ
ンサー８がこのハウジング９に対して取付けられる。上
記の構成において１対の絞り開口部１７３、１７４はコ
ンデンサーレンズ７２により撮影光学系３の射出瞳近傍
の面３０の光軸に対して対称な２対の領域１３１、１３
２に投影されており、この領域を通る光束は、視野マス
ク７１付近でまず一次像を形成する。視野マスク７１の
開口部７０に形成された一次像は更に、コンデンサーレ
ンズ７２、１対の絞り開口部１７３、１７４を通り、１
対の再結像レンズ１７６、１７７によりイメージセンサ
ー８の受光部１８０、１８１上に１対の２次像として形
成される。上記１対の２次像の相対的位置関係は撮影光
学系３の焦点調節状態（即ち予定焦点面と像面との光軸
方向の隔たり）に応じて変化する。従って受光部１８
０、１８１の１対の２次像を光電変換して得られる電気
的な被写体像信号を処理することにより、上記１対の２
次像の相対的位置関係を求め、それに応じて撮影光学系
３の焦点調節状態を示すデフォーカス量を求めることが
できる。The housing 79 is a holder for supporting the optical members constituting the focus detection optical system 7, and the image sensor 8 is attached to the housing 9. In the above configuration, the pair of aperture openings 173 and 174 are formed by the condenser lens 72 so as to form two pairs of regions 131 and 13 symmetrical with respect to the optical axis of the surface 30 near the exit pupil of the photographing optical system 3.
A light beam projected on the second area and passing through this area first forms a primary image near the field mask 71. The primary image formed in the opening 70 of the field mask 71 further passes through the condenser lens 72, the pair of aperture openings 173 and 174, and
A pair of re-imaging lenses 176 and 177 form a pair of secondary images on the light receiving portions 180 and 181 of the image sensor 8. The relative positional relationship between the pair of secondary images changes depending on the focus adjustment state of the photographing optical system 3 (that is, the distance between the planned focal plane and the image plane in the optical axis direction). Therefore, the light receiving unit 18
By processing an electrical object image signal obtained by photoelectrically converting a pair of secondary images of 0 and 181, the pair of 2
The relative positional relationship of the subsequent images can be obtained, and the defocus amount indicating the focus adjustment state of the photographing optical system 3 can be obtained accordingly.
【００２０】図２においてイメージセンサー８の出力は
ワンチップマイクロコンピュータ９に送られ、ワンチッ
プマイクロコンピュータ９は該出力に周知の焦点検出演
算処理を施し、デフォーカス量を求める。ワンチップマ
イクロコンピュータ９は更に算出されたデフォーカス量
を、合焦点までの撮影光学系３の移動量（レンズ駆動
量）に変換し、モーター１０を駆動制御し、算出された
レンズ駆動量だけモーター１０と機械的に結合している
撮影光学系３を移動することにより自動焦点調節動作を
行う。In FIG. 2, the output of the image sensor 8 is sent to the one-chip microcomputer 9, and the one-chip microcomputer 9 performs well-known focus detection calculation processing on the output to obtain the defocus amount. The one-chip microcomputer 9 further converts the calculated defocus amount into a movement amount (lens drive amount) of the photographing optical system 3 to the in-focus point, drives and controls the motor 10, and drives the motor by the calculated lens drive amount. An automatic focusing operation is performed by moving the photographing optical system 3 which is mechanically coupled to 10.
【００２１】測光素子１２はファインダー６に導かれた
光束の一部を測光し、輝度検出手段１３に測光出力を送
る。輝度検出手段１３は測光出力を被写体から測光素子
に至る経路の光学特性を考慮して被写体輝度に変換し、
該被写体輝度のデータをワンチップマイクロコンピュー
タ９に送る。 温度検出手段１４はボディ底においてイ
メージセンサー８の近傍に配置された温度検出手段であ
り、検出された温度データをワンチップマイクロコピュ
ータ９に送る。The photometric element 12 measures a part of the luminous flux guided to the finder 6 and sends a photometric output to the brightness detecting means 13. The brightness detecting means 13 converts the photometric output into the object brightness in consideration of the optical characteristics of the path from the object to the photometric element,
The subject brightness data is sent to the one-chip microcomputer 9. The temperature detecting means 14 is a temperature detecting means arranged near the image sensor 8 on the bottom of the body, and sends the detected temperature data to the one-chip micro computer 9.
【００２２】またワンチップマイクロコンピュータ９は
イメージセンサー８の出力、輝度データ、温度データに
基づきイメージセンサーの電荷蓄積時間を制御する。以
上が本発明の実施例の構成および動作の概要である。次
に本発明の特徴的な構成要件である光電変換装置の構成
および動作について、図３を用いて詳しく説明する。な
お光電変換装置は図１においてイメージセンサー８およ
びワンチップマイクロコンピュータ９（電荷蓄積時間の
制御）および輝度検出手段１３および温度検出手段１４
からなる構成に相当する。The one-chip microcomputer 9 controls the charge storage time of the image sensor based on the output of the image sensor 8, the brightness data and the temperature data. The above is the outline of the configuration and operation of the embodiment of the present invention. Next, the configuration and operation of the photoelectric conversion device, which is a characteristic feature of the present invention, will be described in detail with reference to FIG. The photoelectric conversion device shown in FIG. 1 includes an image sensor 8, a one-chip microcomputer 9 (control of charge storage time), a brightness detecting means 13, and a temperature detecting means 14.
It is equivalent to the configuration consisting of.
【００２３】図３においてＰＤ１、ＰＤ２は遮光画素、
ＰＥ１、ＰＥ２、・・・、ＰＥｎが有効画素であり、全
体として電荷蓄積型光電素子アレイを構成している。ま
た有効画素ＰＥ１〜ＰＥｎが２分され、図１の一対の受
光部１８０、１８１を構成している。また遮光画素、有
効画素は全く同じ構造のフォトダイオードにより構成さ
れており、違いは光入射部が遮光されているかいなかで
ある。したがって有効画素と遮光画素で発生する暗電流
に起因する電荷は同量である。In FIG. 3, PD1 and PD2 are light-shielding pixels,
PE1, PE2, ..., PEn are effective pixels, and constitute a charge storage type photoelectric element array as a whole. In addition, the effective pixels PE1 to PEn are divided into two, and form a pair of light receiving units 180 and 181 in FIG. The light-shielding pixel and the effective pixel are composed of photodiodes having exactly the same structure, and the difference is that the light incident portion is shielded. Therefore, the charges due to the dark current generated in the effective pixel and the light-shielded pixel are the same amount.
【００２４】ＯＶＤは電荷蓄積型光電素子アレイに沿っ
て設けられたオーバーフロドレイン、ＯＶＧはオーバー
フロードレインＯＶＤと電荷蓄積型光電素子アレイの間
に設けられたオーバーフローゲートであり、電荷蓄積型
光電素子アレイの非電荷蓄積中はオーバーフローゲート
ＯＶＧを開いて電荷蓄積型光電素子アレイで発生する電
荷をオーバーフロードレインＯＶＤに捨てる。OVD is an overflow drain provided along the charge storage type photoelectric device array, OVG is an overflow gate provided between the overflow drain OVD and the charge storage type photoelectric device array, and the charge storage type photoelectric device array is provided. During non-charge storage, the overflow gate OVG is opened to discard the charge generated in the charge storage type photoelectric device array to the overflow drain OVD.
【００２５】ＳＲはＣＣＤアナログ転送レジスタ、ＳＧ
は電荷蓄積型光電素子アレイと転送レジスタＳＲの間に
設けられた転送ゲートであり、電荷蓄積型光電素子アレ
イの電荷蓄積が終了すると、転送ゲートＳＧを一旦開い
て電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送レ
ジスタＳＲに転送し、以後電荷は転送レジスタＳＲによ
り右方向にシリアルに転送されて転送レジスタＳＲより
出力される。SR is a CCD analog transfer register, SG
Is a transfer gate provided between the charge storage type photoelectric device array and the transfer register SR, and when the charge storage of the charge storage type photoelectric device array is completed, the transfer gate SG is once opened to store in the charge storage type photoelectric device array. The transferred charges are transferred to the transfer register SR, and thereafter, the charges are serially transferred rightward by the transfer register SR and output from the transfer register SR.
【００２６】ＡＭＰは転送レジスタＳＲからの信号を増
幅して信号ＣＣＤＲとして出力するアンプである。ＳＨ
はアンプＡＭＰの出力ＣＣＤＲを所定のサンプルパルス
ＳＨＰに応じてサンプルホールドして出力するサンプル
ホールド回路である。ＣＭＰはアンプＡＭＰの出力ＣＣ
ＤＲをサンプルホールド回路ＳＨの出力に応じて補正
し、補正出力ＣＣＤＣとして出力する補正回路である。
補正回路の構成は差分回路でもクランプ回路でも構わな
い。The AMP is an amplifier that amplifies the signal from the transfer register SR and outputs it as a signal CCDR. SH
Is a sample and hold circuit that samples and holds the output CCDR of the amplifier AMP in accordance with a predetermined sample pulse SHP and outputs the sample and hold. CMP is the output CC of the amplifier AMP
This is a correction circuit that corrects DR according to the output of the sample hold circuit SH and outputs it as a correction output CCDC.
The configuration of the correction circuit may be a difference circuit or a clamp circuit.
【００２７】ＭＯＮは電荷蓄積型光電素子アレイに沿っ
て設けられたモニター素子およびモニター素子で発生す
る電荷を積分する回路からなるモニター回路であり、電
荷蓄積型光電素子アレイ全体の平均的な入射光量に相当
する電荷を発生するとともに、発生した電荷の積分量に
相当するモニター信号ＭＮとして出力する。ＤＲＶはド
ライブ回路であって、転送レジスタＳＲに２相の動作ク
ロックＣＬＫ１、ＣＬＫ２を供給する。また電荷蓄積開
始、終了の制御にともないオーバーフローゲートＯＶＧ
を制御するための制御信号ＯＧＰを供給する。また電荷
蓄積終了の制御にともない転送ゲートＳＧを制御するた
めの制御信号ＳＧＰを供給する。また信号ＣＣＤＲの遮
光画素に対応する部分をサンプルホールドするためのサ
ンプルホールドパルスＳＨＰをサンプルホールド回路に
供給する。また図示は省略したが電荷蓄積開始、終了の
制御にともないモニター回路ＭＯＮの制御を行うための
制御パルスも発生する。MON is a monitor circuit comprising a monitor element provided along the charge storage type photoelectric element array and a circuit for integrating the charges generated in the monitor element, and the average incident light amount of the entire charge storage type photoelectric element array. And the charge is output as the monitor signal MN corresponding to the integrated amount of the generated charge. DRV is a drive circuit and supplies two-phase operation clocks CLK1 and CLK2 to the transfer register SR. In addition, the overflow gate OVG is controlled by controlling the start and end of charge accumulation.
And a control signal OGP for controlling the. Further, a control signal SGP for controlling the transfer gate SG is supplied with the control of the end of charge accumulation. Further, a sample hold pulse SHP for sampling and holding a portion of the signal CCDR corresponding to the light-shielded pixel is supplied to the sample hold circuit. Although not shown, a control pulse for controlling the monitor circuit MON is also generated along with the control of starting and ending the charge accumulation.
【００２８】ＭＩはモニター信号ＭＮが所定電圧を下回
った時割り込み信号ＩＮＴを発生する割り込み回路であ
る。輝度検出手段１３は輝度データを発生する。温度検
出手段１４は温度データを発生する。ＡＧＣは暗電流成
分が補正された信号ＣＣＤＣ、温度データ、輝度デー
タ、割り込み信号を受けて、電荷蓄積型光電素子アレイ
の蓄積時間を制御を行う蓄積時間制御回路であり、蓄積
時間の開始、終了の指示を駆動回路ＤＲＶに供給する。MI is an interrupt circuit which generates an interrupt signal INT when the monitor signal MN falls below a predetermined voltage. The brightness detecting means 13 generates brightness data. The temperature detecting means 14 generates temperature data. The AGC is a storage time control circuit that controls the storage time of the charge storage type photoelectric element array by receiving the signal CCDC in which the dark current component is corrected, the temperature data, the brightness data, and the interrupt signal, and starts and ends the storage time. Is supplied to the drive circuit DRV.
【００２９】暗電流成分が補正された信号ＣＣＤＣが、
蓄積時間制御回路ＡＧＣの他に不図示の自動焦点調節回
路に供給される。上述の構成からなる光電変換装置の動
作を図４のタイミングチャートにそって説明する。転送
レジスタＳＲへは動作クロックＣＬＫ１とＣＬＫ２が供
給され、転送レジスタＳＲは常時転送動作を行ってい
る。The signal CCDC whose dark current component is corrected is
In addition to the accumulation time control circuit AGC, it is supplied to an automatic focus adjustment circuit (not shown). The operation of the photoelectric conversion device having the above configuration will be described with reference to the timing chart of FIG. The operation clocks CLK1 and CLK2 are supplied to the transfer register SR, and the transfer register SR constantly performs the transfer operation.
【００３０】時刻ｔ１からｔ３までが電荷蓄積型光電素
子アレイの電荷蓄積時間であり、この蓄積時間は蓄積時
間制御回路ＡＧＣにより決定される。時刻ｔ１まで制御
信号ＯＧＰはＨでオーバーフローゲートＯＶＧは開いて
いるので、電荷蓄積型光電素子アレイで発生した電荷は
電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積されず、オーバーフロ
ードレインＯＶＤに捨てられている。時刻ｔ１に蓄積時
間制御回路ＡＧＣが蓄積開始の指示信号を駆動回路ＤＲ
Ｖに供給すると、駆動回路ＤＲＶは制御信号ＯＧＰをＬ
にしてオーバーフローゲートＯＶＧを閉め、電荷蓄積型
光電素子アレイでの電荷蓄積を開始させる。同時にモニ
ター回路ＭＯＮに対しモニター動作開始を指示する。モ
ニター回路ＭＯＮは蓄積開始前まではモニター信号ＭＮ
を電圧Ｖｃｃに維持し、モニター動作開始後に発生する
電荷量の積分値に応じて電圧Ｖｃｃよりモニター信号Ｍ
Ｎの電圧を減少させていく。即ち図４においてモニター
信号ＭＮの降下の傾斜は被写体輝度が高いほど急にな
り、被写体輝度が低いほどゆるやかになる。The time t1 to t3 is the charge storage time of the charge storage type photoelectric device array, and this storage time is determined by the storage time control circuit AGC. Since the control signal OGP is H and the overflow gate OVG is open until time t1, the charges generated in the charge storage type photoelectric device array are not stored in the charge storage type photoelectric device array and are discarded in the overflow drain OVD. At time t1, the accumulation time control circuit AGC issues an accumulation start instruction signal to the drive circuit DR.
When supplied to V, the drive circuit DRV sets the control signal OGP to L
Then, the overflow gate OVG is closed to start charge storage in the charge storage type photoelectric device array. At the same time, the monitor circuit MON is instructed to start the monitor operation. The monitor circuit MON monitors the monitor signal MN before the start of accumulation.
Is maintained at the voltage Vcc, and a monitor signal M
The voltage of N is decreased. That is, in FIG. 4, the slope of the drop of the monitor signal MN becomes steeper as the subject brightness becomes higher, and becomes gentler as the subject brightness becomes lower.
【００３１】割り込み回路ＩＮＴはモニター信号ＭＮが
基準電圧Ｖｒｅｆを下回った時刻ｔ２において割り込み
信号パルスＩＮＴを発生する。制御信号ＳＧＰは蓄積終
了時刻ｔ３まではＬで転送ゲートＳＧは閉められてい
る。時刻ｔ３に蓄積時間制御回路ＡＧＣが蓄積終了の指
示信号を駆動回路ＤＲＶに供給すると、駆動回路ＤＲＶ
は制御信号ＳＧＰをＨにして転送ゲートＳＧを開け、電
荷蓄積型光電素子アレイで蓄積された電荷を転送レジス
タＳＲに転送させる。同時にモニター回路ＭＯＮに対し
モニター動作終了を指示する。時刻ｔ３から所定時間た
った時刻ｔ４に駆動回路ＤＲＶは制御信号ＳＧＰをＬに
して転送ゲートＳＧを閉め、制御ＯＧＰをＨにしてオー
バーフローゲートＯＶＧを開け、電荷蓄積型光電素子ア
レイで発生する電荷を再びオーバーフロードレインに捨
て始める。The interrupt circuit INT generates an interrupt signal pulse INT at time t2 when the monitor signal MN falls below the reference voltage Vref. The control signal SGP is L until the accumulation end time t3, and the transfer gate SG is closed. When the storage time control circuit AGC supplies a storage end instruction signal to the drive circuit DRV at time t3, the drive circuit DRV
Controls the control signal SGP to H and opens the transfer gate SG to transfer the charges stored in the charge storage type photoelectric device array to the transfer register SR. At the same time, the monitor circuit MON is instructed to end the monitor operation. At time t4, which is a predetermined time after time t3, the drive circuit DRV sets the control signal SGP to L to close the transfer gate SG, sets the control OGP to H to open the overflow gate OVG, and restores the charges generated in the charge storage photoelectric device array again. Start discarding into the overflow drain.
【００３２】一方転送レジスタＳＲにより転送された電
荷はアンプＡＭＰにより増幅され信号ＣＣＤＲとして時
刻ｔ５より発生する。時刻ｔ５では遮光画素ＰＤ１で発
生した暗電流に相当する信号が現れる。時刻ｔ５以降ク
ロックサイクル毎に遮光画素ＰＤ２、有効画素ＰＥ１、
ＰＥ２・・・ＰＥｎで蓄積された電荷量に相当する信号
が時系列的な信号として現れる。 遮光画素ＰＤ２の蓄
積電荷量に相当する信号が信号ＣＣＤＲに現れる時刻ｔ
６に駆動回路ＤＲＶはサンプルホールドパルスＳＨＰを
発生し、サンプルホールド回路ＳＨは信号ＣＣＤＲに現
れる遮光画素ＰＤ２の蓄積電荷量に相当する信号部分を
サンプルホールドする。補正回路ＣＭＰは有効画素ＰＥ
１の蓄積電荷量に相当する信号が信号ＣＣＤＲに現れる
時刻ｔ７までは、信号ＣＣＤＲをそのまま補正された信
号ＣＣＤＣとして出力しており、時刻ｔ７以降は信号Ｃ
ＣＤＲをサンプルホールド回路ＳＨにサンプルホールド
された遮光画素ＰＤ２の蓄積電荷量に相当する信号分だ
け補正して信号ＣＣＤＣとして出力する。On the other hand, the charges transferred by the transfer register SR are amplified by the amplifier AMP and generated as a signal CCDR from time t5. At time t5, a signal corresponding to the dark current generated in the light-shielded pixel PD1 appears. After the time t5, the light-shielded pixel PD2, the effective pixel PE1, and the
A signal corresponding to the amount of charges accumulated in PE2 ... PEn appears as a time-series signal. Time t when a signal corresponding to the amount of accumulated charge of the light-shielded pixel PD2 appears in the signal CCDR.
6, the drive circuit DRV generates a sample hold pulse SHP, and the sample hold circuit SH samples and holds the signal portion that appears in the signal CCDR and corresponds to the accumulated charge amount of the light-shielded pixel PD2. The correction circuit CMP is an effective pixel PE.
The signal CCDR is output as it is as the corrected signal CCDC until a time t7 when a signal corresponding to the accumulated charge amount of 1 appears in the signal CCDR. After the time t7, the signal C is output.
The CDR is corrected by a signal corresponding to the amount of accumulated charge of the light-shielded pixel PD2 sample-held by the sample-hold circuit SH and output as a signal CCDC.
【００３３】図５は有効画素から溢れた電荷が遮光画素
の電荷に混入した場合の、信号ＣＣＤＲと信号ＣＣＤＣ
の様子を表したタイミングチャートであって、信号ＣＣ
ＤＲの状態においては遮光画素ＰＤ１、ＰＤ２の蓄積電
荷量に相当する信号部分が有効画素からのオーバーフロ
ー電荷の混入により非常に大きな値となる。一方遮光画
素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎの蓄積電荷量に相当する
信号部分は蓄積電荷量が各画素の飽和電荷量となってい
るので飽和電圧（Ｖｓａｔ）に相当する電圧値となる。FIG. 5 shows the signal CCDR and the signal CCDC when the electric charge overflowing from the effective pixel is mixed with the electric charge of the light-shielded pixel.
Is a timing chart showing the state of
In the DR state, the signal portion corresponding to the accumulated charge amount of the light-shielded pixels PD1 and PD2 has a very large value due to the mixing of overflow charges from the effective pixels. On the other hand, the signal portion corresponding to the accumulated charge amount of the light-shielded pixels PE1, PE2 ... PEn has a voltage value corresponding to the saturation voltage (Vsat) because the accumulated charge amount is the saturated charge amount of each pixel.
【００３４】信号ＣＣＤＣの状態においては遮光画素Ｐ
Ｄ１、ＰＤ２の蓄積電荷量に相当する信号部分は信号Ｃ
ＣＤＲと同様に大きな値となる。一方有効画素ＰＥ１、
ＰＥ２・・・ＰＥｎの蓄積電荷量に相当する信号部分は
飽和電圧（Ｖｓａｔ）から遮光画素ＰＤ２の蓄積電荷量
に相当する信号だけ補正された小さな値となる。このよ
うな状況を飽和異常と呼ぶ。In the state of the signal CCDC, the light-shielded pixel P
The signal portion corresponding to the accumulated charge amount of D1 and PD2 is the signal C.
It has a large value like the CDR. On the other hand, the effective pixel PE1,
The signal portion corresponding to the accumulated charge amount of PE2 ... PEn has a small value obtained by correcting only the signal corresponding to the accumulated charge amount of the light-shielded pixel PD2 from the saturation voltage (Vsat). Such a situation is called saturation abnormality.
【００３５】図４において蓄積時間制御回路ＡＧＣは、
上記飽和異常の状況も考慮した蓄積時間の制御を行うよ
うに設計されている。蓄積時間制御回路ＡＧＣは以下の
方法で飽和異常状況の発生を検知する。
信号ＣＣＤＣの遮光画素ＰＤ２に相当する部分の信号
の値が、電荷蓄積時間および温度に応じたしきい値を越
えたことを検出する。
信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎ
に相当する部分の信号の平均値とその時の蓄積時間によ
って決定される輝度が、他の輝度検出手段（輝度検出手
段１３、モニター回路から得られる信号により決定され
る輝度）により検出される輝度を下回ったことを検出す
る。
信号ＣＣＤＣの遮光画素ＰＤ２に相当する部分の信号
の値と、信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・
ＰＥｎに相当する部分の信号のピーク値とを加えた値が
所定値を越えたことを検出する。In FIG. 4, the accumulation time control circuit AGC is
It is designed to control the accumulation time in consideration of the situation of the saturation abnormality. The accumulation time control circuit AGC detects the occurrence of the saturation abnormal condition by the following method. It is detected that the value of the signal in the portion corresponding to the light-shielded pixel PD2 of the signal CCDC exceeds the threshold value according to the charge storage time and the temperature. Effective pixels PE1, PE2 ... PEn of signal CCDC
The brightness determined by the average value of the signal of the portion corresponding to and the storage time at that time is the brightness detected by other brightness detection means (the brightness detection means 13 and the brightness determined by the signal obtained from the monitor circuit). It detects that it has fallen below. The value of the signal in the portion corresponding to the light-shielded pixel PD2 of the signal CCDC and the effective pixels PE1 and PE2 of the signal CCDC.
It is detected that the value obtained by adding the peak value of the signal of the portion corresponding to PEn exceeds a predetermined value.
【００３６】また蓄積時間制御回路ＡＧＣは異常飽和が
発生していない状況では以下の方法で蓄積時間を決定す
る。
信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎ
に相当する部分の信号のピーク値とその時の蓄積時間よ
り次回の電荷蓄積によるピーク値が所定の目標値となる
ように次回の蓄積時間を決定する。
信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎ
に相当する部分の信号の平均値とその時の蓄積時間より
次回の電荷蓄積による平均値が所定の目標値となるよう
に次回の蓄積時間を決定する。
信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎ
に相当する部分の信号のコントラスト値とその時の蓄積
時間より次回の電荷蓄積によるコントラスト値が所定の
目標値となるように次回の蓄積時間を決定する。ここで
コントラスト値としては、有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・
・ＰＥｎに相当する部分の信号のピーク値とボトム値と
の差、隣接画素出力の差の絶対値の和の演算等により求
められる。Further, the storage time control circuit AGC determines the storage time by the following method in the situation where abnormal saturation does not occur. Effective pixels PE1, PE2 ... PEn of signal CCDC
From the peak value of the signal of the portion corresponding to and the storage time at that time, the next storage time is determined so that the peak value due to the next charge storage becomes a predetermined target value. Effective pixels PE1, PE2 ... PEn of signal CCDC
From the average value of the signal of the portion corresponding to and the storage time at that time, the next storage time is determined so that the average value by the next charge storage becomes a predetermined target value. Effective pixels PE1, PE2 ... PEn of signal CCDC
The next accumulation time is determined from the contrast value of the signal of the portion corresponding to and the accumulation time at that time so that the contrast value by the next charge accumulation becomes a predetermined target value. Here, as the contrast value, effective pixels PE1, PE2 ...
It is determined by calculating the difference between the peak value and the bottom value of the signal corresponding to PEn, the sum of the absolute values of the differences between the adjacent pixel outputs, and the like.
【００３７】また蓄積時間制御回路ＡＧＣは異常飽和が
発生している状況では以下の方法で蓄積時間を決定す
る。
前回の蓄積時間を所定倍率だけ短縮する。
次回蓄積時間を、輝度検出手段により検出された輝度
に応じた蓄積時間とする。この場合次回蓄積時間は前回
蓄積時間よりも短縮される。
次回電荷蓄積制御において、有効画素ＰＥ１、ＰＥ２
・・・ＰＥｎに蓄積される総電荷量をリアルタイムでモ
ニターし、モニターされる総電荷量が所定の値に達した
時電荷蓄積を終了させるような制御を行う。この場合次
回蓄積時間は前回蓄積時間よりも短縮される。Further, the accumulation time control circuit AGC determines the accumulation time by the following method when abnormal saturation occurs. The previous accumulation time is shortened by a predetermined factor. The next accumulation time is the accumulation time according to the brightness detected by the brightness detecting means. In this case, the next accumulation time is shorter than the previous accumulation time. In the next charge accumulation control, the effective pixels PE1 and PE2
... The total charge amount accumulated in PEn is monitored in real time, and control is performed so that the charge accumulation is terminated when the monitored total charge amount reaches a predetermined value. In this case, the next accumulation time is shorter than the previous accumulation time.
【００３８】上述の光電変換装置の蓄積時間制御回路
を、自動焦点調節カメラのワンチップマイクロコンピュ
ータ９の動作として実現した場合の実施例を動作フロー
チャート図６〜図１９により説明する。図６〜図１６は
第１実施例のフローチャートである。Ｓ１００以降は自
動焦点調節プログラム１（メインプログラム）である。An embodiment in which the storage time control circuit of the photoelectric conversion device described above is realized as the operation of the one-chip microcomputer 9 of the automatic focusing camera will be described with reference to operation flowcharts FIGS. 6 to 16 are flowcharts of the first embodiment. The steps after S100 are the automatic focus adjustment program 1 (main program).
【００３９】Ｓ１０１で電源ＯＮによりマイクロコンピ
ュータの動作が開始される。Ｓ１０２で蓄積時間決定サ
ブルーチン（図８）をコールする。Ｓ１０３でＣＣＤイ
メージセンサーに対し、蓄積開始指令を出力する。同時
に蓄積時間制御用タイマーにＳ１０２で決定された時間
をセットして、カウントダウンを開始する。なお蓄積時
間のデータは次回の電荷蓄積時間の決定のために内部の
メモリに記憶される。 Ｓ１０４でＣＣＤイメージセン
サーの蓄積終了を待機する。In step S101, the power supply is turned on to start the operation of the microcomputer. The accumulation time determination subroutine (FIG. 8) is called in S102. In step S103, a storage start command is output to the CCD image sensor. At the same time, the time determined in S102 is set in the accumulation time control timer, and the countdown is started. The storage time data is stored in the internal memory for determining the next charge storage time. In step S104, the CCD image sensor waits for the end of storage.
【００４０】Ｓ１０５でＣＣＤイメージセンサーからの
出力をＡＤ変換する。この時ＣＣＤＣ信号の遮光画素Ｐ
Ｄ１、ＰＤ２、有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎに
相当する部分がＡＤ変換され、内部のメモリ（ＲＡＭ）
に記憶される。Ｓ１０６でＡＤ変換された有効画素ＰＥ
１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータに基づき所定の焦点検
出演算処理を施し、デフォーカス量を算出する。In S105, the output from the CCD image sensor is AD converted. At this time, the light-shielded pixel P of the CCDC signal
A portion corresponding to D1, PD2, effective pixels PE1, PE2 ... PEn is AD-converted, and internal memory (RAM)
Memorized in. Effective pixel PE AD-converted in S106
Predetermined focus detection calculation processing is performed based on the data of 1, PE2 ... PEn to calculate the defocus amount.
【００４１】Ｓ１０７でデフォーカス量およびレンズ情
報に基づきレンズ駆動量を算出する。Ｓ１０８で求めら
れたレンズ駆動量に基づきモーター１０を駆動制御し、
撮影光学系３を合焦点へ駆動する。Ｓ１０８からＳ１０
１に戻り、上記の動作を繰り返す。In S107, the lens drive amount is calculated based on the defocus amount and the lens information. The drive of the motor 10 is controlled based on the lens drive amount obtained in S108,
The photographing optical system 3 is driven to the focal point. S108 to S10
Return to 1 and repeat the above operation.
【００４２】以上がメインプログラムである。図７は蓄
積時間制御用タイマーの割り込みプログラムである。蓄
積時間制御用タイマーは蓄積開始からセットされた時間
経過するとＳ１１０からの割り込み処理を開始する。Ｓ
１１１でＣＣＤイメージセンサーに対し、蓄積終了指令
を出力する。The above is the main program. FIG. 7 is an interrupt program of the timer for controlling the accumulation time. The accumulation time control timer starts the interrupt process from S110 when the set time has elapsed from the start of accumulation. S
At 111, a storage end command is output to the CCD image sensor.
【００４３】Ｓ１１２でリターンする。図８のＳ１２０
以降は蓄積時間決定サブルーチンである。Ｓ１２１で電
源ＯＮ直後かテストし、電源ＯＮ直後であった場合は前
回の電荷蓄積時の情報がないので、Ｓ１２２で電荷蓄積
時間を所定時間とし、Ｓ１２８でリターンする。The process returns at S112. S120 of FIG.
The subsequent steps are the accumulation time determination subroutine. In S121, a test is performed immediately after the power is turned on. If it is immediately after the power is turned on, since there is no information on the previous charge accumulation, the charge accumulation time is set to a predetermined time in S122, and the process returns in S128.
【００４４】電源ＯＮ直後でない場合は、Ｓ１２３で有
効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータが飽和して
いるデータであるかテストする。飽和しているデータが
ある場合は、前回の電荷蓄積時の情報に基づき正確な蓄
積時間の設定ができないので、Ｓ１２６の飽和時の蓄積
時間決定サブルーチン（図１５または図１６）をコール
して蓄積時間を決定し、Ｓ１２８でリターンする。If not immediately after the power is turned on, it is tested in S123 whether the data of the effective pixels PE1, PE2 ... PEn are saturated data. If there is saturated data, an accurate accumulation time cannot be set based on the information at the time of previous charge accumulation, so the accumulation time determination subroutine at S126 (FIG. 15 or FIG. 16) is called for accumulation. The time is determined, and the process returns at S128.
【００４５】飽和しているデータがない場合はＳ１２４
の飽和異常検出サブルーチン（図９または図１０または
図１１）をコールし、飽和異常状況を判定する。Ｓ１２
５で飽和異常状況が発生しているかいなかテストし、飽
和異常が発生している場合には、前回の電荷蓄積時の情
報に基づき正確な蓄積時間の設定ができないので、Ｓ１
２６の飽和時の蓄積時間決定サブルーチン（図１５また
は図１６）をコールして蓄積時間を決定し、Ｓ１２８で
リターンする。If there is no saturated data, S124
The saturation abnormality detection subroutine (FIG. 9, FIG. 10, or FIG. 11) is called to determine the saturation abnormality situation. S12
In step 5, a test is performed to see if a saturation abnormality situation has occurred. If a saturation abnormality has occurred, an accurate accumulation time cannot be set based on the information at the previous charge accumulation.
26, the accumulation time determination subroutine for saturation (FIG. 15 or 16) is called to determine the accumulation time, and the process returns at S128.
【００４６】飽和異常が発生していない場合は、Ｓ１２
７の光電素子出力（有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥ
ｎのデータ）による蓄積時間決定サブルーチン（図１２
または図１３または図１４）をコールして蓄積時間を決
定し、Ｓ１２８でリターンする。図９のＳ１３０以降は
飽和異常検出サブルーチン１である。If the saturation abnormality has not occurred, S12
7 photoelectric element outputs (effective pixels PE1, PE2 ... PE
n data) accumulation time determination subroutine (FIG. 12)
Alternatively, the storage time is determined by calling (FIG. 13 or FIG. 14), and the process returns at S128. Subsequent to S130 in FIG. 9, the saturation abnormality detection subroutine 1 is performed.
【００４７】Ｓ１３１で基準蓄積時間Ｔｓ、基準温度Ｋ
ｓ、該基準蓄積時間Ｔｓおよび基準温度Ｋｓで遮光画素
で発生する暗電流電荷量に相当する基準暗電流データＤ
ｓ、前回の蓄積時間Ｔｐ、前回の電荷蓄積時の温度デー
タＫｐは数式１のようにしきい値Ｄを定める。In S131, the reference accumulation time Ts and the reference temperature K
s, reference dark current data D corresponding to the dark current charge amount generated in the light-shielded pixel at the reference accumulation time Ts and the reference temperature Ks
s, the previous accumulation time Tp, and the temperature data Kp during the previous charge accumulation determine the threshold value D as in Expression 1.
【００４８】[0048]
【数１】Ｄ＝Ｄｓ×（Ｔｐ／Ｔｓ）×２{(Kp-Ks)}
暗電流は通常８〜１０度で約２倍となるので定数Ｋ２は
８〜１０度の値とする。なおマージンを持たせるため数
式１の右辺に１以上の係数を乗じたものをしきい値Ｄと
してもよい。## EQU1 ## D = Ds × (Tp / Ts) × 2 {(Kp-Ks)} Since the dark current is usually doubled at 8 to 10 degrees, the constant K2 is set to a value of 8 to 10 degrees. Note that the threshold D may be obtained by multiplying the right side of Expression 1 by a coefficient of 1 or more in order to provide a margin.
【００４９】Ｓ１３２で遮光画素ＰＤ１のデータがしき
い値Ｄを越えているかいなかテストし、しきい値Ｄを越
えている場合はＳ１３３で飽和異常ありと判定し、Ｓ１
３５でリターンする。 しきい値Ｄを越えていない場合
はＳ１３４で飽和異常なしと判定し、Ｓ１３５でリター
ンする。図１０のＳ１４０以降は飽和異常検出サブルー
チン２である。In S132, it is tested whether the data of the light-shielded pixel PD1 exceeds the threshold value D. If the data exceeds the threshold value D, it is determined in S133 that there is a saturation abnormality, and S1 is determined.
Return at 35. If the threshold value D is not exceeded, it is determined in S134 that there is no saturation abnormality, and the process returns in S135. S140 and subsequent steps in FIG. 10 are the saturation abnormality detection subroutine 2.
【００５０】Ｓ１４１で前回の信号ＣＣＤＣの有効画素
ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎに相当する部分の信号の平
均値（前回平均値）とその時の蓄積時間によって決定さ
れる輝度が、他の輝度検出手段１３により検出される輝
度を下回ったことを検出する。具体的には輝度検出手段
１３により検出される輝度に応じて、該輝度において信
号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎに相
当する部分の信号の平均値が基準値となるような蓄積時
間（測光輝度に対応する蓄積時間）と、該基準値と、前
回の蓄積時間から、前回平均値が数式２の条件を満たす
か検出する。In S141, the brightness determined by the average value (previous average value) of the signals of the portions corresponding to the effective pixels PE1, PE2, ... PEn of the previous signal CCDC and the storage time at that time is another brightness detection means. It is detected that the luminance is lower than the luminance detected by 13. Specifically, according to the brightness detected by the brightness detecting means 13, a storage time such that the average value of the signals of the parts corresponding to the effective pixels PE1, PE2 ... PEn of the signal CCDC becomes the reference value. From the (accumulation time corresponding to photometric brightness), the reference value, and the previous accumulation time, it is detected whether the previous average value satisfies the condition of Expression 2.
【００５１】[0051]
【数２】前回平均値＜Ｌ×基準値×（前回蓄積時間／測
光輝度に対応する蓄積時間）
なおＬはマージンを持たせるため定数で１以下である。
Ｓ１４１で数式２を満足する場合はＳ１４２で飽和異常
ありと判定し、Ｓ１４４でリターンする。## EQU00002 ## Previous average value <L.times.reference value.times. (Previous accumulation time / accumulation time corresponding to photometric brightness) L is a constant of 1 or less in order to have a margin.
If the formula 2 is satisfied in S141, it is determined that there is a saturation abnormality in S142, and the process returns in S144.
【００５２】数式２を満足しない場合はＳ１４３で飽和
異常なしと判定し、Ｓ１４４でリターンする。図１１の
Ｓ１５０以降は飽和異常検出サブルーチン３である。Ｓ
１５１で前回の信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２
・・・ＰＥｎのデータのうちのピーク値と前回の信号Ｃ
ＣＤＣの遮光画素ＰＤ１のデータの和が所定の基準値を
越えているかいなかテストし、基準値を越えている場合
はＳ１５２で飽和異常ありと判定し、Ｓ１５４でリター
ンする。If Equation 2 is not satisfied, it is determined in S143 that there is no saturation abnormality, and the process returns in S144. S150 and subsequent steps in FIG. 11 are the saturation abnormality detection subroutine 3. S
151 effective pixels PE1 and PE2 of the previous signal CCDC
... Peak value of PEn data and previous signal C
It is tested whether the sum of the data of the light-shielded pixels PD1 of the CDC exceeds a predetermined reference value. If it exceeds the reference value, it is determined in S152 that there is a saturation abnormality, and the flow returns in S154.
【００５３】基準値を越えていない場合はＳ１５３で飽
和異常なしと判定し、Ｓ１５４でリターンする。図１２
のＳ１６０以降は飽和異常がない場合の光電素子出力に
よる蓄積時間決定サブルーチン１である。Ｓ１６１で今
回の蓄積時間を、前回の蓄積時間、前回の信号ＣＣＤＣ
の有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータうちの
ピーク値と目標ピーク値から数式３のように決定し、Ｓ
１６２でリターンする。If it does not exceed the reference value, it is determined in S153 that there is no saturation abnormality, and the process returns in S154. 12
After S160, it is the subroutine 1 for determining the accumulation time by the output of the photoelectric element when there is no saturation abnormality. In step S161, the current accumulation time is changed to the previous accumulation time, the previous signal CCDC.
Of the effective pixels PE1, PE2, ..., PEn among the effective pixels PE1, PE2, ...
Return at 162.
【００５４】[0054]
【数３】蓄積時間＝前回蓄積時間×（目標ピーク値／前
回ピーク値）
図１３のＳ１７０以降は飽和異常がない場合の光電素子
出力による蓄積時間決定サブルーチン２である。Ｓ１７
１で今回の蓄積時間を、前回の蓄積時間、前回の信号Ｃ
ＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータ
の平均値と目標平均値から数式４のように決定し、Ｓ１
７２でリターンする。[Formula 3] Accumulation time = previous accumulation time × (target peak value / previous peak value) S170 and subsequent steps in FIG. 13 are the accumulation time determination subroutine 2 based on the photoelectric element output when there is no saturation abnormality. S17
1, the current accumulation time, the previous accumulation time, the previous signal C
From the average value and the target average value of the data of the effective pixels PE1, PE2, ...
Return at 72.
【００５５】[0055]
【数４】
蓄積時間＝前回蓄積時間×（目標平均値／前回平均値）
図１４のＳ１８０以降は飽和異常がない場合の光電素子
出力による蓄積時間決定サブルーチン３である。Ｓ１８
１で今回の蓄積時間を、前回の蓄積時間、前回の信号Ｃ
ＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータ
のコントラスト値と目標コントラスト値から数式５のよ
うに決定し、Ｓ１８２でリターンする。## EQU00004 ## Accumulation time = previous accumulation time × (target average value / previous average value) S180 and subsequent steps in FIG. 14 are the subroutine 3 for determining the accumulation time based on the photoelectric element output when there is no saturation abnormality. S18
1, the current accumulation time, the previous accumulation time, the previous signal C
From the contrast value of the data of the effective pixels PE1, PE2, ... PEn of the CDC and the target contrast value, it is determined as in Expression 5, and the process returns in S182.
【００５６】[0056]
【数５】蓄積時間＝前回蓄積時間×（目標コントラスト
値／前回コントラスト値）
図１５のＳ１９０以降は飽和異常がある場合の蓄積時間
決定サブルーチン１である。Ｓ１９１で今回の蓄積時間
を、前回の蓄積時間の１／Ｎ（Ｎ＞１）として、Ｓ１９
２でリターンする。[Formula 5] Accumulation time = previous accumulation time × (target contrast value / previous contrast value) S190 and subsequent steps in FIG. 15 are the accumulation time determination subroutine 1 when there is a saturation abnormality. In S191, the current accumulation time is set to 1 / N (N> 1) of the previous accumulation time, and S19 is set.
Return with 2.
【００５７】図１６のＳ２００以降は飽和異常がある場
合の蓄積時間決定サブルーチン１である。Ｓ２０１で輝
度検出手段１３により検出される輝度Ｅｐと基準輝度Ｅ
ｓと基準輝度Ｅｓにおいて光電素子出力のレベルが適正
となる蓄積時間（基準時間）から数式６で今回の蓄積時
間を求め、Ｓ２０２でリターンする。The step S200 and subsequent steps in FIG. 16 is the accumulation time determination subroutine 1 when there is a saturation abnormality. The brightness Ep and the reference brightness E detected by the brightness detection unit 13 in S201.
The current storage time is obtained from Equation 6 from the storage time (reference time) at which the level of the photoelectric element output is appropriate at s and the reference brightness Es, and the process returns at S202.
【００５８】[0058]
【数６】蓄積時間＝基準時間×２(Ep-Es)
図１７〜図１９は第２実施例のフローチャートである。
Ｓ３００以降は自動焦点調節プログラム２（メインプロ
グラム）である。Ｓ３０１で電源ＯＮによりマイクロコ
ンピュータの動作が開始される。 (Equation 6) Accumulation time = reference time × 2 (Ep-Es) FIGS. 17 to 19 are flowcharts of the second embodiment.
S300 and subsequent steps are the automatic focus adjustment program 2 (main program). In step S301, the power supply is turned on to start the operation of the microcomputer.
【００５９】Ｓ３０２で蓄積時間およびモード決定サブ
ルーチン（図１８）をコールする。Ｓ３０３でＣＣＤイ
メージセンサーに対し、蓄積開始指令を出力する。また
蓄積開始指令によりモニター回路のモニター光電素子の
電荷蓄積も開始される。同時にモニター蓄積時間測定用
タイマーによる計時を開始する。Ｓ３０４でモニターモ
ード（モニター信号を用いて有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・
・・ＰＥｎに蓄積された総電荷量をリアルタイムでモニ
ターし、総電荷量が所定値に達した時点で電荷蓄積を終
了する電荷蓄積制御モード）かいなかをテストし、モニ
ターモードの場合はＳ３０６に進む。In step S302, the accumulation time and mode determination subroutine (FIG. 18) is called. In step S303, a storage start command is output to the CCD image sensor. In addition, charge accumulation of the monitor photoelectric element of the monitor circuit is also started by the accumulation start command. At the same time, the timer for measuring the monitor storage time starts to count. Monitor mode in S304 (effective pixels PE1, PE2
..The total charge amount accumulated in PEn is monitored in real time, and the charge accumulation control mode in which the charge accumulation is terminated when the total charge amount reaches a predetermined value) is tested. In the monitor mode, the process proceeds to S306. move on.
【００６０】モニターモードでない場合はＳ３０５で蓄
積時間制御用タイマーにＳ３０２で決定された蓄積時間
をセットして、カウントダウンを開始する。この場合は
図７の蓄積時間制御用タイマー割り込み処理で蓄積を終
了することになる。Ｓ３０６でＣＣＤイメージセンサー
の蓄積終了を待機する。Ｓ３０７でＣＣＤイメージセン
サーからの出力をＡＤ変換する。この時ＣＣＤＣ信号の
遮光画素ＰＤ１、ＰＤ２、有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・
・ＰＥｎに相当する部分がＡＤ変換され、内部のメモリ
（ＲＡＭ）に記憶される。If the monitor mode is not set, the accumulation time control timer is set to the accumulation time determined in S302 and the countdown is started in S305. In this case, the accumulation is ended by the timer interruption processing for accumulation time control of FIG. In step S306, the CCD image sensor waits for the end of storage. In step S307, the output from the CCD image sensor is AD converted. At this time, the light-shielded pixels PD1 and PD2 of the CCDC signal, the effective pixels PE1 and PE2, ...
A part corresponding to PEn is AD-converted and stored in the internal memory (RAM).
【００６１】Ｓ３０８でＡＤ変換された有効画素ＰＥ
１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータに基づき所定の焦点検
出演算処理を施し、デフォーカス量を算出する。Ｓ３０
９でデフォーカス量およびレンズ情報に基づきレンズ駆
動量を算出する。Ｓ３１０で求められたレンズ駆動量に
基づきモーター１０を駆動制御し、撮影光学系３を合焦
点へ駆動する。Effective pixel PE AD-converted in S308
Predetermined focus detection calculation processing is performed based on the data of 1, PE2 ... PEn to calculate the defocus amount. S30
At 9, the lens drive amount is calculated based on the defocus amount and the lens information. The motor 10 is drive-controlled based on the lens drive amount obtained in S310, and the photographing optical system 3 is driven to the focal point.
【００６２】Ｓ３１０からＳ３０１に戻り、上記の動作
を繰り返す。以上がメインプログラムである。図１８の
Ｓ３２０以降は蓄積時間決定およびモードサブルーチン
である。Ｓ１２１で電源ＯＮ直後かテストし、電源ＯＮ
直後であった場合は前回の電荷蓄積時の情報がないの
で、Ｓ３２５でモニターモードとし、Ｓ３３４でリター
ンする。The process returns from S310 to S301 and the above operation is repeated. The above is the main program. S320 and subsequent steps in FIG. 18 are accumulation time determination and mode subroutine. In S121, test whether it is immediately after power on, power on
If it is immediately after that, since there is no information on the previous charge accumulation, the monitor mode is set in S325, and the process returns in S334.
【００６３】電源ＯＮ直後でない場合は、Ｓ３２２で有
効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎのデータが飽和して
いるデータであるかテストする。飽和しているデータが
ある場合は、前回の電荷蓄積時の情報に基づき正確な蓄
積時間の設定ができないので、Ｓ３２５でモニターモー
ドとし、Ｓ３３４でリターンする。飽和しているデータ
がない場合はＳ３２３で飽和異常が発生しているか調べ
る。飽和異常の判定は前回の信号ＣＣＤＣの有効画素Ｐ
Ｅ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎに相当する部分の信号の平均
値（前回平均値）とその時の蓄積時間によって決定され
る輝度が、モニター蓄積時間に対応する輝度を下回った
ことを検出する。具体的にはモニター蓄積時間と、該モ
ニター蓄積時間だけ電荷蓄積を行った場合に期待できる
信号ＣＣＤＣの有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎに
相当する部分の信号の平均値（基準値）と、前回の蓄積
時間と、前回平均値が数式７の条件を満たすか検出す
る。If not immediately after the power is turned on, it is tested in S322 whether the data of the effective pixels PE1, PE2 ... PEn are saturated data. If there is saturated data, an accurate accumulation time cannot be set based on the information at the time of previous charge accumulation, so the monitor mode is set in S325, and the process returns in S334. If there is no saturated data, it is checked in S323 whether a saturation abnormality has occurred. The saturation abnormality is judged by the effective pixel P of the previous signal CCDC.
It is detected that the brightness determined by the average value (previous average value) of the signals of the portions corresponding to E1, PE2 ... PEn and the storage time at that time is lower than the brightness corresponding to the monitor storage time. Specifically, the monitor storage time and the average value (reference value) of the signals of the portions corresponding to the effective pixels PE1, PE2 ... PEn of the signal CCDC that can be expected when the charge storage is performed for the monitor storage time, It is detected whether the previous accumulation time and the previous average value satisfy the condition of Expression 7.
【００６４】[0064]
【数７】前回平均値／前回蓄積時間＜Ｍ×基準値／モニ
ター蓄積時間
なおＭはマージンを持たせるため定数で１以下である。
数式７を満足した場合は飽和異常状況が発生していると
し、前回の電荷蓄積時の情報に基づき正確な蓄積時間の
設定ができないので、Ｓ３２５でモニターモードとし、
Ｓ３３４でリターンする。## EQU00007 ## Previous average value / previous accumulation time <M.times.reference value / monitor accumulation time Note that M is a constant of 1 or less in order to have a margin.
If Equation 7 is satisfied, it is determined that a saturation abnormality has occurred, and the accurate accumulation time cannot be set based on the information at the time of the previous charge accumulation. Therefore, the monitor mode is set in S325,
The process returns at S334.
【００６５】数式７を満足しない場合はＳ３２４で通常
蓄積モードとし、光電素子出力により蓄積時間を決定
（図１２または図１３または図１４）し、Ｓ３２５でリ
ターンする。図１９は割り込み回路ＩＮＴにより起動す
るモニター割り込みのプログラムである。If Equation 7 is not satisfied, the normal storage mode is set in S324, the storage time is determined by the output of the photoelectric element (FIG. 12 or 13 or 14), and the process returns in S325. FIG. 19 shows a monitor interrupt program activated by the interrupt circuit INT.
【００６６】有効画素ＰＥ１、ＰＥ２・・・ＰＥｎに蓄
積された総電荷量をリアルタイムでモニターしているモ
ニター信号が所定値に達するとＳ３３０からの割り込み
処理を開始する。Ｓ３３１でモニター蓄積時間測定用タ
イマーの計時時間をモニター蓄積時間として内部メモリ
（ＲＡＭ）に記憶する。When the monitor signal for monitoring the total charge amount accumulated in the effective pixels PE1, PE2 ... PEn in real time reaches a predetermined value, the interrupt process from S330 is started. In step S331, the time measured by the monitor storage time measurement timer is stored in the internal memory (RAM) as the monitor storage time.
【００６７】Ｓ３３２でモニターモードかいなかをテス
トし、モニターモードの場合は、Ｓ３３３でＣＣＤイメ
ージセンサーに対し、蓄積終了指令を出力し、Ｓ３３４
でリターンする。モニターモードでない場合はＳ３３４
でリターンする。以上の実施例の説明では光電素子アレ
イの電荷蓄積終了時に光電変換素子に蓄積された電荷を
転送レジスタＳＲに転送していたが、光電変換素子アレ
イと転送レジスタＳＲの間にバッファー手段を設け、電
荷蓄積終了時に光電変換素子アレイからバッファー手段
へ一時電荷転送して保持し、電荷蓄積中および蓄積終了
時の光電変換素子アレイからバッファー手段への転送時
に転送レジスタＳＲに溢れた電荷が全て転送レジスタか
ら転送された後に、バッファー手段から転送レジスタＳ
Ｒに電荷転送を行うようにしてもよい。このようにすれ
ば遮光画素の電荷をバッファー手段を介して転送レジス
タＳＲに転送した時に、転送レジスタＳＲで遮光画素電
荷にオーバーフロー電荷が混入するのを防ぐことができ
る。In S332, whether the monitor mode or not is tested. In the monitor mode, in S333, a storage end command is output to the CCD image sensor, and S334 is executed.
Return with. S334 if not in monitor mode
Return with. In the above description of the embodiments, the charge accumulated in the photoelectric conversion element was transferred to the transfer register SR at the end of charge accumulation in the photoelectric element array, but buffer means is provided between the photoelectric conversion element array and the transfer register SR. At the end of the charge accumulation, the charges are temporarily transferred from the photoelectric conversion element array to the buffer means and held, and all the charges overflowing into the transfer register SR during the transfer from the photoelectric conversion element array to the buffer means during the charge accumulation and at the end of the accumulation are transferred to the transfer register. From the buffer means after being transferred from
Charge transfer to R may be performed. By doing so, it is possible to prevent overflow charges from being mixed into the light-shielded pixel charges in the transfer register SR when the charges of the light-shielded pixels are transferred to the transfer register SR via the buffer means.
【００６８】また以上の実施例の説明では遮光画素ＰＤ
２の信号のみをサンプルホールドして、有効画素の信号
を補正していたが、遮光画素ＰＤ１、ＰＤ２の信号を両
方サンプリングして平均し、平均値により有効画素の信
号を補正するようにしても良い。このようにすれば暗電
流の画素毎のバラツキの影響を軽減できる。In the above description of the embodiment, the light-shielding pixel PD
Although the signal of the effective pixel is corrected by sampling and holding only the signal of 2, the signals of the light-shielded pixels PD1 and PD2 are both sampled and averaged, and the signal of the effective pixel is corrected by the average value. good. In this way, it is possible to reduce the influence of variations in dark current between pixels.
【００６９】[0069]
【発明の効果】以上のように本発明の光電変換装置にお
いては、飽和異常が発生した状況（遮光画素出力へのオ
ーバーフロー電荷の混入が発生し、遮光画素出力を差し
引いて補正された有効画素の出力が飽和時の出力から低
下してしまう状況）においては蓄積時間を短くするので
異常飽和の状況から短時間で抜け出すことができるの
で、安定した光電変換動作を期待できる。As described above, in the photoelectric conversion device of the present invention, a situation in which a saturation abnormality occurs (when overflow charges are mixed into the light-shielded pixel output and the effective pixel corrected by subtracting the light-shielded pixel output) In a situation in which the output decreases from the output at the time of saturation), the accumulation time is shortened, so that it is possible to get out of the abnormal saturation situation in a short time, so that stable photoelectric conversion operation can be expected.
【００７０】また本発明の光電変換装置を内蔵した自動
焦点調節カメラにおいては、構図変更時に輝度の急変が
発生しても飽和異常状況にはまりこんで、焦点検出不能
状態になってしまうことがないので、常時良好な自動焦
点動作が期待できる。Further, in the automatic focusing camera incorporating the photoelectric conversion device of the present invention, even if a sudden change in the brightness occurs at the time of changing the composition, the saturation abnormal condition does not get stuck and the focus detection becomes impossible. , Always expect good autofocus operation.
【図１】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an exemplary embodiment of the present invention.
【図２】本発明の実施例の焦点検出光学系およびイメー
ジセンサーの斜視図である。FIG. 2 is a perspective view of a focus detection optical system and an image sensor according to an embodiment of the present invention.
【図３】本発明の実施例のブロック図である。FIG. 3 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
【図４】本発明の実施例の信号のタイムチャートであ
る。FIG. 4 is a time chart of signals according to an embodiment of the present invention.
【図５】本発明の実施例の信号のタイムチャートであ
る。FIG. 5 is a time chart of signals according to an embodiment of the present invention.
【図６】本発明の実施例の動作フローチャートである。FIG. 6 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図７】本発明の実施例の動作フローチャートである。FIG. 7 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図８】本発明の実施例の動作フローチャートである。FIG. 8 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図９】本発明の実施例の動作フローチャートである。FIG. 9 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図１０】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。FIG. 10 is a block diagram showing a configuration of an exemplary embodiment of the present invention.
【図１１】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。FIG. 11 is a block diagram showing a configuration of an exemplary embodiment of the present invention.
【図１２】本発明の実施例の焦点検出光学系およびイメ
ージセンサーの斜視図である。FIG. 12 is a perspective view of a focus detection optical system and an image sensor according to an embodiment of the present invention.
【図１３】本発明の実施例のブロック図である。FIG. 13 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
【図１４】本発明の実施例の信号のタイムチャートであ
る。FIG. 14 is a time chart of signals according to the embodiment of this invention.
【図１５】本発明の実施例の信号のタイムチャートであ
る。FIG. 15 is a time chart of signals according to the embodiment of this invention.
【図１６】本発明の実施例の動作フローチャートであ
る。FIG. 16 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図１７】本発明の実施例の動作フローチャートであ
る。FIG. 17 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図１８】本発明の実施例の動作フローチャートであ
る。FIG. 18 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図１９】本発明の実施例の動作フローチャートであ
る。FIG. 19 is an operation flowchart of the embodiment of the present invention.
【図２０】電荷混入の説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram of charge mixture.
１ ボディ ２ レンズ ３ 撮影光学系 ４ メインミラー ５ サブミラー ６ ファインダー ７ 焦点検出光学系 ８ イメージセンサー ９ ワンチップマイクロコンピュータ １０ モーター １１ 予定焦点面 １２ 測光素子 １３ 輝度検出手段 １４ 温度検出手段 1 body 2 lens 3 Shooting optical system 4 main mirror 5 sub-mirror 6 finder 7 Focus detection optical system 8 image sensor 9 One-chip microcomputer 10 motors 11 Planned focal plane 12 Photometric element 13 Luminance detecting means 14 Temperature detection means
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−289143（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−242487（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−203865（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−201987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−265575（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−77487（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−1697（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−121312（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−55009（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−287945（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−57562（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−34588（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03B 7/099 G02B 7/28 - 7/40 H04N 5/335 Continuation of front page (56) Reference JP-A-5-289143 (JP, A) JP-A-6-242487 (JP, A) JP-A-5-203865 (JP, A) JP-A-6-201987 (JP , A) JP 62-265575 (JP, A) JP 3-77487 (JP, A) JP 2-1697 (JP, A) JP 9-121312 (JP, A) JP 10-55009 (JP, A) JP 11-287945 (JP, A) JP 4-57562 (JP, A) JP 5-34588 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G03B 7/099 G02B 7 /28-7/40 H04N 5/335
Claims (8)
荷蓄積型光電素子アレイであり、その一部が遮光された
光電素子からなる電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送
し、時系列信号として出力する転送レジスタと、 前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信
号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、 前記サンプルーホールド回路にサンプルホールドされた
信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイに対応
する前記時系列信号を補正して出力する補正回路と、 前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路
と、 からなる光電変換装置において、 前記蓄積時間制御回路は、前記時系列信号のうち遮光さ
れた光電素子に対応する信号が所定値以上である場合は
前記電荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短縮す
ることを特徴とする光電変換装置。1. A charge storage type photoelectric element array for receiving light from a subject and performing photoelectric conversion, the charge storage type photoelectric element array comprising photoelectric elements partially shielded from light, and the charge storage type photoelectric element. A transfer register that transfers the charge accumulated in the array and outputs it as a time-series signal, a sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and a sample-hold circuit. A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the sample-held signal, and the charge storage-type photoelectric element array according to the corrected time-series signal In a photoelectric conversion device comprising: a charge accumulation time control circuit that controls the charge accumulation time of, The photoelectric conversion device when the signal corresponding to the light to photoelectric elements is a predetermined value or more, characterized in that to reduce the charge accumulation time of said charge accumulation type photoelectric element array.
特徴とする第１項記載の光電変換装置。2. The photoelectric conversion device according to claim 1, wherein the predetermined value is a value according to temperature.
荷蓄積型光電素子アレイであり、その一部が遮光された
光電素子からなる電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送
し、時系列信号として出力する転送レジスタと、 前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信
号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、 前記サンプルーホールド回路にサンプルホールドされた
信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイに対応
する前記時系列信号を補正して出力する補正回路と、 前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路
と、 からなる光電変換装置において、 被写体輝度を検出する輝度手段を設け、 前記蓄積時間制御回路は、前記補正された時系列信号と
電荷蓄積時間に応じて被写体輝度を算出するとともに、
算出された被写体輝度が前記輝度検出手段により検出さ
れた被写体輝度を下回る場合は、前記電荷蓄積型光電素
子アレイの電荷蓄積時間を短縮することを特徴とする光
電変換装置。3. A charge storage type photoelectric element array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion, the charge storage type photoelectric element array comprising a photoelectric element partially shielded from light, and the charge storage type photoelectric element. A transfer register for transferring the charge accumulated in the array and outputting it as a time-series signal, a sample-hold circuit for sample-holding a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and a sample-hold circuit. A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the sample-held signal, and the charge storage-type photoelectric element array according to the corrected time-series signal An accumulation time control circuit for controlling the charge accumulation time of, and a photoelectric conversion device comprising: The time control circuit calculates the subject brightness according to the corrected time series signal and the charge accumulation time,
A photoelectric conversion device, wherein when the calculated subject brightness is lower than the subject brightness detected by the brightness detection means, the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array is shortened.
荷蓄積型光電素子アレイであり、その一部が遮光された
光電素子からなる電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送
し、時系列信号として出力する転送レジスタと、 前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信
号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、 前記サンプルーホールド回路にサンプルホールドされた
信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイに対応
する前記時系列信号を補正して出力する補正回路と、 前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路
と、 からなる光電変換装置において、 前記蓄積時間制御回路は、前記補正された時系列信号の
値に前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応す
る信号の値を加えた値が所定値以上である場合は前記電
荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短縮すること
を特徴とする光電変換装置。4. A charge storage type photoelectric element array for receiving light from a subject and performing photoelectric conversion, the charge storage type photoelectric element array comprising a photoelectric element partially shielded from light, and the charge storage type photoelectric element. A transfer register that transfers the charge accumulated in the array and outputs it as a time-series signal, a sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and a sample-hold circuit. A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the sample-held signal, and the charge storage-type photoelectric element array according to the corrected time-series signal In a photoelectric conversion device comprising: a charge accumulation time control circuit for controlling the charge accumulation time of, the charge accumulation time control circuit comprises: Signal is added to the value of the signal corresponding to the light-shielded photoelectric element in the time-series signal is more than a predetermined value, the charge storage time of the charge storage type photoelectric element array is shortened. And a photoelectric conversion device.
荷蓄積型光電素子アレイであり、その一部が遮光された
光電素子からなる電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送
し、時系列信号として出力する転送レジスタと、 前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信
号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、 前記サンプルーホールド回路にサンプルホールドされた
信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイに対応
する前記時系列信号を補正して出力する補正回路と、 前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路
と、 からなる光電変換装置と、 前記補正された時系列信号に基づき、撮影光学系の焦点
状態を検出する焦点検出手段と、 検出された焦点状態に応じて前記撮影光学系を合焦位置
に駆動する駆動手段と、 を備えた自動焦点調節カメラにおいて、 前記蓄積時間制御回路は、前記時系列信号のうち遮光さ
れた光電素子に対応する信号が所定値以上である場合は
前記電荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短縮す
ることを特徴とする光電変換装置を内蔵した自動焦点調
節カメラ。5. A charge storage type photoelectric element array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion, the charge storage type photoelectric element array comprising a photoelectric element partially shielded, and the charge storage type photoelectric element. A transfer register that transfers the charge accumulated in the array and outputs it as a time-series signal, a sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and a sample-hold circuit. A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the sample-held signal, and the charge storage-type photoelectric element array according to the corrected time-series signal And a photoelectric conversion device comprising: a charge accumulation time control circuit for controlling the charge accumulation time of the image pickup optical system, and a focus of the photographing optical system based on the corrected time series signal. In the automatic focusing camera, the focus time detecting circuit detects the state of the subject, and the driving unit that drives the photographing optical system to the in-focus position according to the detected focus state. When the signal corresponding to the light-shielded photoelectric element of the series signal is equal to or more than a predetermined value, the charge accumulation time of the charge accumulation type photoelectric element array is shortened, and an automatic focusing camera having a built-in photoelectric conversion device is provided. .
特徴とする第５項記載の光電変換装置を内蔵した自動焦
点調節カメラ。6. The automatic focusing camera with a built-in photoelectric conversion device according to claim 5, wherein the predetermined value is a value according to temperature.
荷蓄積型光電素子アレイであり、その一部が遮光された
光電素子からなる電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送
し、時系列信号として出力する転送レジスタと、 前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信
号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、 前記サンプルーホールド回路にサンプルホールドされた
信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイに対応
する前記時系列信号を補正して出力する補正回路と、 前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路
と、 からなる光電変換装置と、 前記補正された時系列信号に基づき、撮影光学系の焦点
状態を検出する焦点検出手段と、 検出された焦点状態に応じて前記撮影光学系を合焦位置
に駆動する駆動手段と、 を備えた自動焦点調節カメラにおいて、 被写体輝度を検出する輝度手段を設け、 前記蓄積時間制御回路は、前記補正された時系列信号と
電荷蓄積時間に応じて被写体輝度を算出するとともに、
算出された被写体輝度が前記輝度検出手段により検出さ
れた被写体輝度を下回る場合は、前記電荷蓄積型光電素
子アレイの電荷蓄積時間を短縮することを特徴とする光
電変換装置を内蔵した自動焦点調節カメラ。7. A charge storage type photoelectric device array which receives light from a subject and performs photoelectric conversion, the charge storage type photoelectric device array comprising a photoelectric device partially shielded from light, and the charge storage type photoelectric device. A transfer register that transfers the charge accumulated in the array and outputs it as a time-series signal, a sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and a sample-hold circuit. A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the sample-held signal, and the charge storage-type photoelectric element array according to the corrected time-series signal And a photoelectric conversion device comprising: a charge accumulation time control circuit for controlling the charge accumulation time of the image pickup optical system, and a focus of the photographing optical system based on the corrected time series signal. In the automatic focusing camera, the focus detection means for detecting the state of the subject and the drive means for driving the photographing optical system to the in-focus position according to the detected focus state are provided with the luminance means for detecting the subject luminance. The storage time control circuit calculates subject brightness according to the corrected time series signal and the charge storage time,
When the calculated subject brightness is lower than the subject brightness detected by the brightness detection means, the charge accumulation time of the charge storage type photoelectric element array is shortened, and an automatic focusing camera having a built-in photoelectric conversion device. .
荷蓄積型光電素子アレイであり、その一部が遮光された
光電素子からなる電荷蓄積型光電素子アレイと、 前記電荷蓄積型光電素子アレイに蓄積された電荷を転送
し、時系列信号として出力する転送レジスタと、 前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応する信
号をサンプルホールドするサンプルホールド回路と、 前記サンプルーホールド回路にサンプルホールドされた
信号に応じて、遮光されていない光電素子アレイに対応
する前記時系列信号を補正して出力する補正回路と、 前記補正された時系列信号に応じて前記電荷蓄積型光電
素子アレイの電荷蓄積時間を制御する蓄積時間制御回路
と、 からなる光電変換装置と、 前記補正された時系列信号に基づき、撮影光学系の焦点
状態を検出する焦点検出手段と、 検出された焦点状態に応じて前記撮影光学系を合焦位置
に駆動する駆動手段と、 を備えた自動焦点調節カメラにおいて、 前記蓄積時間制御回路は、前記補正された時系列信号の
値に前記時系列信号のうち遮光された光電素子に対応す
る信号の値を加えた値が所定値以上である場合は前記電
荷蓄積型光電素子アレイの電荷蓄積時間を短縮すること
を特徴とする光電変換装置を内蔵する自動焦点調節カメ
ラ。8. A charge storage type photoelectric device array, which is a charge storage type photoelectric device array that receives light from a subject and performs photoelectric conversion, and a photoelectric storage device of which a part is shielded, and the charge storage type photoelectric device. A transfer register that transfers the charge accumulated in the array and outputs it as a time-series signal, a sample-hold circuit that samples and holds a signal corresponding to a light-shielded photoelectric element in the time-series signal, and a sample-hold circuit. A correction circuit that corrects and outputs the time-series signal corresponding to the photoelectric element array that is not shielded according to the sample-held signal, and the charge storage-type photoelectric element array according to the corrected time-series signal And a photoelectric conversion device comprising: a charge accumulation time control circuit for controlling the charge accumulation time of the image pickup optical system, and a focus of the photographing optical system based on the corrected time series signal. An automatic focus adjustment camera including: a focus detection unit that detects a state of focus; and a drive unit that drives the photographing optical system to a focus position according to the detected focus state, wherein the accumulation time control circuit includes the correction unit. If the value obtained by adding the value of the signal corresponding to the light-shielded photoelectric element in the time-series signal to the value of the generated time-series signal is equal to or more than a predetermined value, the charge storage time of the charge storage photoelectric element array is shortened. An automatic focusing camera with a built-in photoelectric conversion device.
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP21340794A Expired - Lifetime JP3448785B2 (en) | 1994-09-07 | 1994-09-07 | Photoelectric conversion device and automatic focusing camera incorporating the photoelectric conversion device |
Country Status (1)
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1994
- 1994-09-07 JP JP21340794A patent/JP3448785B2/en not_active Expired - Lifetime
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