JP3420782B2 - 物体計測装置 - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の目的】
【０００２】
【産業上の利用分野】本発明は、投光角制御信号に応じ
投光装置によって被計測領域を走査するよう発生された
走査光が被計測領域に存在する被計測物体によって反射
されることにより得られた反射光を受光装置中の結像装
置で収束し被計測物体における走査光の反射点の像を受
光装置中の撮像装置上に結像せしめて検知し被計測物体
の形状ないしは存在位置を計測する物体計測装置に関
し、特に、光センサ装置に対し識別信号発生装置から所
定の周期で反復して与えられている識別信号を光センサ
装置に走査光の反射点の像が結像されている期間に通過
せしめて正論理もしくは負論理の撮像信号として記憶装
置に与え識別信号が光センサ装置に１回与えられるに際
して識別信号発生装置から記憶装置に与えられた識別同
期信号に応じ保持せしめてなる物体計測装置に関するも
のである。 【０００３】 【従来の技術】従来、この種の物体計測装置としては、
投光装置によって発生された走査光を被計測物体に照射
したときに得られた反射光を結像装置によって収束せし
めて被計測物体における走査光の反射点の像を結像せし
めることにより動作せしめられる受光装置の撮像装置に
含まれた光センサ装置中の複数の光センサに対してそれ
ぞれ増幅回路を介して記憶装置を配設しておき、被計測
物体における反射光が結像装置によって各光センサ上に
結像されたときに計数回路から与えられている計数内容
を記憶装置に記憶せしめ、記憶装置に記憶された計数内
容から被計測物体における走査光の反射点の位置を算出
することにより、被計測物体の形状を計測してなるもの
が、提案されていた (佐藤等 「高速３次元物体計測法
の提案」電子情報通信学会論文誌Ｄ vol. 570-D No.5
pp.1053 〜1055; 社団法人電子情報通信学会 1987年 5
月25日) 。 【０００４】 【解決すべき問題点】しかしながら、この種の物体計測
装置では、受光装置の撮像装置に含まれた光センサ装置
中の複数の光センサに共通に配設された計数回路で計測
した反射光の受光時刻を光センサ装置中の複数の光セン
サに対応してそれぞれ配設された記憶装置に保持せしめ
ていたので、(i) 被計測物体の形状計測を高精度化する
などの目的で受光装置の撮像装置に含まれた光センサ装
置中の光センサの個数が増加せしめられるにつれ増幅回
路および記憶装置の個数が急増してしまう欠点があり、
ひいては(ii)受光装置の撮像装置あるいは受光装置の撮
像装置に含まれた光センサ装置のチップ化ないし小型化
を阻害してしまう欠点があった。 【０００５】そこで、本発明は、これらの欠点を解決す
るために、光センサ装置に対し識別信号発生装置から所
定の周期で反復して与えられている識別信号を光センサ
装置に走査光の反射点の像が結像されている期間に通過
せしめて正論理もしくは負論理の撮像信号として記憶装
置に与え識別信号が光センサ装置に１回与えられるに際
して識別信号発生装置から記憶装置に与えられた識別同
期信号に応じ保持せしめてなる物体計測装置を提供せん
とするものである。 【０００６】 【発明の構成】 【０００７】 【問題点の解決手段】本発明による物体計測装置は、被
計測物体に対して投光角を制御しながら走査光を走査
し、前記被計測物体で反射された反射光を結像装置で光
学的に収束せしめて、撮像装置の撮像面にマトリックス
状に配列形成された光センサ上に結像させ、その結像さ
れた光によって当該光センサから出力される信号に基づ
いて、前記被計測物体の形状または存在位置を計測する
物体計測装置であって、前記撮像装置は、撮像面にマト
リックス状に配列形成され、そのマトリックスの行方向
に前記反射光が走査されて行き、その反射光の受光に応
じて撮像信号を出力するように設定された光センサと、
その光センサの各列ごとを識別するための識別信号をそ
の光センサの各列ごとに供給する識別信号発生装置と、
前記光センサの各々に対して１対１に対応するように設
けられて、前記光センサから前記撮像信号が出力される
と、そのときその光センサの列の識別信号を前記撮像信
号に付与して各々出力するように前記光センサおよび前
記識別信号発生装置に接続されたＮＡＮＤ（ナンド）回
路と、前記ＮＡＮＤ回路の各行ごとに配設され、それら
各行ごとの複数のＮＡＮＤ回路の出力端をＷＩＲＥＤ−
ＯＲ（ワイヤードオア）として各行ごとに接続する列配
線とを備えており、かつ、前記列配線から前記識別信号
を付与してなる撮像信号が出力されると、そのときの撮
像信号に対応した前記走査光の投光角に関する信号をそ
の撮像信号に付与して記憶する記憶装置を備えて、前記
各行ごとに、前記行方向に走査される反射光を受光した
光センサがそれに対応して撮像信号を出力すると、その
光センサがどの列のものであるかを識別するための識別
信号と、そのときの走査光の投光角に関する信号とを、
そのとき出力された撮像信号に対してリアルタイムに逐
一付与して記憶するようにしたことを特徴としている。 【０００８】 【０００９】 【００１０】 【００１１】 【作用】本発明による物体計測装置では、上記の「問題
点の解決手段」で述べたように、各行ごとに、行方向に
走査される反射光を受光した光センサがそれに対応して
撮像信号を出力すると、その光センサがどの列のもので
あるかを識別するための識別信号と、そのときの走査光
の投光角に関する信号とを、そのとき出力された撮像信
号に対してリアルタイムに逐一付与して記憶するように
したので、回路構成の簡易化を達成すると共に、従来の
ような各行内または各列内の全ての光センサから撮像信
号が出力された後にその各々の光センサに関する識別信
号とその各撮像信号が受光されたときの投光角に関する
情報とを突き合わせて行くといった煩雑で長い時間が掛
かる信号処理を行う必要がなくなり、延いては、撮像装
置中の光センサの個数に対し記憶装置の個数を削減する
作用、および光センサのチップ化を容易なものとする作
用、あるいはさらにチップの小型化を達成する作用、な
らびに計測に要する信号処理の高速化を達成する作用を
なす。 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【実施例】次に、本発明にかかる物体計測装置につい
て、その実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、具体的
に説明する。 【００１６】しかしながら、以下に説明する実施例は、
本発明の理解を容易化ないし促進化するために記載され
るものであって、本発明を限定するために記載されるも
のではない。 【００１７】換言すれば、以下に説明する実施例におい
て開示される各要素は、本発明の精神ならびに技術的範
囲に属する限り、各種の設計変更ならびに均等物置換を
含むものである。 【００１８】（添付図面の説明） 【００１９】図１は、本発明にかかる物体計測装置の第
１ないし第５の実施例を共通に示すための斜視図であ
る。 【００２０】図２は、図１に示した第１ないし第５の実
施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路図
であって、撮像装置32を拡大して詳細に示している。 【００２１】図３Ａは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細に
示している。 【００２２】図３Ｂは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細に
示している。 【００２３】図４Ａは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一例
について一半分を拡大して詳細に示している。 【００２４】図４Ｂは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一例
について他半分を拡大して詳細に示している。 【００２５】図５Ａは、図１に示した第１ないし第５の
実施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路
図であって、撮像装置32中の識別信号発生装置322 の一
半分を拡大して詳細に示している。 【００２６】図５Ｂは、図１に示した第１ないし第５の
実施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路
図であって、撮像装置32中の識別信号発生装置322 の他
半分を拡大して詳細に示している。 【００２７】図６は、図１に示した第１ないし第５の実
施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路図
であって、撮像装置32中の記憶装置323iを拡大して詳細
に示している。 【００２８】図７は、図１に示した第１ないし第５の実
施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路図
であって、計測制御装置40を詳細に示している。 【００２９】図８は、図１に示した第１および第４の実
施例の動作を共通に説明するためのタイムチャート図で
ある。 【００３０】図９Ａは、図１に示した第２の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細に
示している。 【００３１】図９Ｂは、図１に示した第２の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細に
示している。 【００３２】図１０Ａは、図１に示した第２の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００３３】図１０Ｂは、図１に示した第２の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００３４】図１１は、図１に示した第２および第３の
実施例の動作を共通に説明するためのタイムチャート図
である。 【００３５】図１２Ａは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細
に示している。 【００３６】図１２Ｂは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細
に示している。 【００３７】図１３Ａは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００３８】図１３Ｂは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００３９】図１４Ａは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細
に示している。 【００４０】図１４Ｂは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細
に示している。 【００４１】図１５Ａは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００４２】図１５Ｂは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００４３】図１６は、図１に示した第４および第５の
実施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路
図であって、撮像装置32中の光センサ装置321 に組み込
まれたパルス発生回路PLGij の一例を詳細に示してい
る。 【００４４】図１７は、図１に示した第４および第５の
実施例の動作の一部を共通に説明するためのタイムチャ
ート図である。 【００４５】図１８Ａは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細
に示している。 【００４６】図１８Ｂは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細
に示している。 【００４７】図１９Ａは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００４８】図１９Ｂは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００４９】（第１の実施例の構成） 【００５０】まず、図１ないし図７を参照しつつ、本発
明にかかる物体計測装置の第１の実施例について、その
構成を詳細に説明する。 【００５１】全体構成 (図１，図２，図７参照) 【００５２】10は、本発明にかかる物体計測装置に含ま
れた投光装置であって、被計測領域に存在する物体
(“被計測物体”という) の形状を計測するよう被計測
領域を走査するための光 (“走査光”という) Ｌ0 を発
生している。投光装置10は、一次元（すなわち線状）に
拡張された走査スリット光（すなわち走査光）Ｌ0 を発
生するためのスリット光発生装置12と、走査スリット光
Ｌ0 の進行方向をその拡張方向に直交する方向 (“走査
方向”という) に向けて後述の投光角制御信号SCNに対
応する適宜の角速度２ωで変化せしめつつ被計測領域を
走査するための走査装置14とを、包有している。 【００５３】スリット光発生装置12は、たとえば、気体
レーザ光源，半導体レーザ光源あるいは発光ダイオード
光源などの適宜の光源121 と、光源121 によって発生さ
れたビーム光を一次元 (すなわち線状) の走査スリット
光Ｌ0 とするための適宜のスリット光形成手段 (たとえ
ば円筒レンズ)122とを、包有している。光源121 が気体
レーザ光源である場合には、その発生するレーザ光がビ
ーム光となっているので、光源121 の発生するレーザ光
を、スリット光形成手段 (たとえば円筒レンズ)122に対
してそのまま与えればよい。これに対し、光源121 が半
導体レーザ光源である場合には、その発生するレーザ光
が二次元（すなわち面状）に拡散されているので、光源
121 の発生するレーザ光を、適宜の集光手段 (たとえば
球面レンズ（図示せず）) を用いてビーム光に収束せし
めたのち、円筒レンズ122 に対して与えればよい。ま
た、光源121 が発光ダイオード光源である場合には、そ
の発生する光がビーム光となっていないので、光源121
の発生するレーザ光を、適宜の変換手段によってビーム
光に変えたのち、円筒レンズ122 に対して与えればよ
い。 【００５４】走査装置14は、たとえば、走査スリット光
Ｌ0 を反射するためのミラー141 と、走査スリット光Ｌ
0 の拡張方向に平行する回転軸Ｍを中心としてミラー14
1 を投光角制御信号SCN に対応する適宜の角速度ωで回
転せしめるための回転駆動装置142 とを包有する回転ミ
ラー装置によって、構成されている。走査装置14は、ま
た所望により、スリット光発生装置12を載置するための
回転テーブル（図示せず）と、回転テーブルを投光角制
御信号SCN に対応する適宜の角速度ωで回転せしめるた
めの回転駆動装置（図示せず）とを包有する適宜の装置
によって、構成されていてもよい。 【００５５】20は、本発明にかかる物体計測装置の被計
測領域に存在する被計測物体であって、その形状計測に
際し、本発明にかかる物体計測装置に含まれた投光装置
10によって与えられ適宜の角速度２ωで移動する走査ス
リット光Ｌ0 が照射されている。 【００５６】40は、本発明にかかる物体計測装置に含ま
れた計測制御装置であって、まず、投光装置10中の回転
駆動装置142 と後述の受光装置30に含まれた撮像装置32
中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m のデータ入
力端（詳細には、後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG
1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;R
EGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・
・,REGmj,・・・,REGmn のデータ入出力端Ｄ) に接続されて
おり走査スリット光Ｌ0 の投光角度αを制御する投光角
制御信号SCN を発生して投光装置10中の回転駆動装置14
2 へ与えかつ後述の受光装置30に含まれた撮像装置32中
の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323mのデータ入力
端（詳細には、後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG1j,
・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;REG
i1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・・,R
EGmj,・・・,REGmn のデータ入出力端Ｄ) に走査スリット
光Ｌ0の現在の投光角度αを示す信号として与えるため
の投光角制御信号発生回路41を、包有している。ちなみ
に、投光角度データSCNij は、撮像装置32中の光センサ
装置321 に包有された光センサすなわち光ダイオード32
1ij 上に結像された反射スリット光Ｌに対応している走
査スリット光Ｌ0 の投光角度αijを示している。 【００５７】計測制御装置40は、また、受光装置30に含
まれた撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・
・,323m の第４の入力端（詳細には、後述のデコーダDEC
D12,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 の入力端) に出力
端が接続されており受光装置30に含まれた撮像装置32中
の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m （詳細には、
後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG1j,・・・,REG1n;REG
21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;REGi1,REGi2,・・・,R
EGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・・,REGmj,・・・,RE
Gmn)に保持された内容 (すなわち投光角度データSCNij
＝αij) を結像データIMG として読み込むに際し受光装
置30に含まれた撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m （詳細には、後述のレジスタREG11,REG
12,・・・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,R
EG2n;・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;RE
Gm1,REGm2,・・・,REGmj,・・・,REGmn)を１つずつ選択して指
定する読込信号ADを発生して受光装置30に含まれた撮像
装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m の第
４の入力端 (詳細には、後述のデコーダ回路DECD12,DEC
D22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 の入力端) に与えるための
読込信号発生回路42を、包有している。 【００５８】計測制御装置40は、更に、読込信号発生回
路42の出力端および受光装置30に含まれた撮像装置32中
の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m のデータ出力
端 (詳細には、後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG1j,
・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;REG
i1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・・,R
EGmj,・・・,REGmn のデータ入出力端Ｄ) に対して入力端
が接続されており計測制御装置40中の読込信号発生回路
42から与えられた読込信号ADに応じてその保持内容（す
なわち投光角度データSCNij ＝αij）を結像データIMG
として受け取り保持するための記憶装置43と、記憶装置
43の保持内容（すなわち投光角度データSCNij ＝αij）
から被計測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点
Ｐの位置を算出して被計測物体20の形状を求めるための
演算回路44とを、包有している。 【００５９】計測制御装置40は、併せて所望により、演
算回路44に接続されておりその演算結果（すなわち被計
測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの位
置）を記憶するための他の記憶装置45と、他の記憶装置
45に接続されておりその記憶内容 (すなわち被計測物体
20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの位置) を視
認可能に表示するためのブラウン管などの表示装置46
と、記憶装置45に接続されておりその記憶内容 (すなわ
ち被計測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐ
の位置) を記録するためのフロッピーディスクなどの記
録装置47とを、包有している。 【００６０】30は、本発明にかかる物体計測装置に含ま
れた受光装置であって、被計測物体20によって反射され
た走査スリット光（“反射スリット光”という）Ｌを収
束して被計測物体20の像（すなわち走査スリット光Ｌ0
の反射点Ｐの像）を結像せしめるための結像装置31と、
計測制御装置40中の投光角制御信号発生回路41から与え
られた投光角制御信号SCN を利用しつつ結像装置31によ
って結像された被計測物体20の像（すなわち走査スリッ
ト光Ｌ0 の反射点Ｐの像）の位置に対応する走査スリッ
ト光Ｌ0 の投光角度に関するデータ (すなわち投光角度
データSCNij ＝αij) を保持しその保持内容 (すなわち
投光角度データSCNij=αij) を計測制御装置40中の読込
信号発生回路42から与えられた読込信号ADに応じ結像デ
ータIMGとして計測制御装置40中の記憶装置43に向け出
力するための撮像装置32とを、包有している。 【００６１】結像装置31は、被計測領域（すなわち走査
スリット光Ｌ0 による走査領域）の全体を見込んでお
り、反射スリット光Ｌを収束せしめるための集光レンズ
によって形成されている。 【００６２】撮像装置32は、結像装置31によって反射ス
リット光Ｌを収束せしめることにより結像された被計測
物体20の像（すなわち走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの
像）を撮像した結果を第１ないし第ｍの出力端から正論
理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm として出力
するための光センサ装置321 と、光センサ装置321 の第
１ないし第ｎの識別信号入力端に対し第１ないし第ｎの
出力端がそれぞれ接続されており第１ないし第ｎの出力
端から第１ないし第ｎの識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,
IDn をそれぞれ発生し光センサ装置321 の第１ないし第
ｎの識別信号入力端に対して与えるための識別信号発生
装置322 とを、包有している。 【００６３】撮像装置32は、また、光センサ装置321 の
第１ないし第ｍの出力端に対しそれぞれ第１の入力端が
接続されかつ第２の入力端が識別信号発生装置322 の第
(ｎ＋１) の出力端に接続されかつ第３の入力端が計測
制御装置40中の投光角制御信号発生回路41の出力端に接
続されかつ第４の入力端が計測制御装置40中の読込信号
発生回路42の出力端に接続されかつ出力端が計測制御装
置40中の記憶装置43の入力端に接続されており光センサ
装置321 の第１ないし第ｍの出力端からそれぞれ与えら
れた正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm と
識別信号発生装置322 の第 (ｎ＋１) の出力端から与え
られた識別同期信号SYC とに応じて計測制御装置40中の
投光角制御信号発生回路41から与えられている投光角制
御信号SCN の内容を投光角度データSCNij=αijとして読
み込んで保持し保持内容 (すなわち投光角度データSCN
ij=αij) を計測制御装置40中の読込信号発生回路42か
ら読込信号ADが与えられたとき結像データIMG として計
測制御装置40中の記憶装置43に向け出力するための第１
ないし第ｍの記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323mと
を、包有している (ｍ，ｎは正の整数) 。 【００６４】撮像装置32は、たとえば、図４Ａおよび図
４Ｂに示したごとく基板上に配置できるので、従来技術
に比べて光センサ装置321 の構造を簡潔化でき、チップ
化を容易とできる。撮像装置32は、チップ化する場合、
その全体すなわち光センサ装置321,識別信号発生装置32
2 および記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m を同一
チップ内に収容してもよく、また光センサ装置321 およ
び識別信号発生装置322 を同一チップ内に収容しかつ記
憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m を別のチップ内に
収容してもよく、更には光センサ装置321,識別信号発生
装置322 および記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m
をそれぞれ異なるチップ内に収容してもよい。光センサ
装置321,識別信号発生装置322 および記憶装置3231,323
2,・・・,323i,・・・,323m のうちの少なくとも２つを同一チ
ップ内に収容する場合、その間を接続するための接続端
子 (いわゆる“接続ピン”) を排除できて好ましい。 【００６５】光センサ装置321 の構成 (図３Ａ，図３
Ｂ，図４Ａ，図４Ｂ参照) 【００６６】光センサ装置321 は、結像装置31によって
反射スリット光Ｌを収束せしめることにより結像された
被計測物体20の像（すなわち走査スリット光Ｌ0 の反射
点Ｐの像）を撮像するために適宜（たとえばｍ行ｎ列の
マトリックス状あるいはアレイ状；ここではマトリック
ス状の場合について主として説明する）に配列された複
数の光センサ（たとえば光ダイオード；以下この場合に
ついて主として説明する）32111,32112,・・・,3211j,・・・,
3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,32
1i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,
・・・,321mn と、光センサすなわち光ダイオード32111,32
112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,
3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321
m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の出力端に対してそれ
ぞれ１対１に接続されており反射スリット光Ｌの受光に
際し光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,32
11j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;
321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・
・,321mj,・・・,321mn によってそれぞれ発生された電流
（“受光信号”あるいは“結像電流”という）I11,I12,
・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I2 2,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;Ii1,I
i2,・・・,Iij,・・・,Iin;・・・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,Im n を
電圧に変換して適宜に増幅し適宜の基準値と比較してト
リガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,
SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;
SIm1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn を発生するための複数の
比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CA
MP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMP
i2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAM
Pmj,・・・,CAMPmn とを、包有している。 【００６７】光センサ装置321 は、また、複数の比較増
幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,C
AMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,
CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・
・,CAMPmn の出力端に一方の入力端がそれぞれ接続され
かつ他方の入力端がそれぞれ第１ないし第ｎの識別信号
入力端を介して識別信号発生装置322 の第１ないし第ｎ
の出力端に接続されており複数の比較増幅回路CAMP11,C
AMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP
2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAM
Pin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与
えられたトリガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;S
I21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,
・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn と識別信
号発生装置322 から与えられた識別信号ID1,ID2,・・・,ID
j,・・・,IDn との間でそれぞれ否定的論理積を求めトリガ
信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,S
I2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;S
Im1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn が与えられたときにのみ
識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を通過せしめてそれ
ぞれ個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n
*;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,I
IDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,
IIDmj *,・・・,IIDmn * として出力するための複数のナンド
回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAN
D22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NA
NDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,N
ANDmn を、包有している。 【００６８】複数のナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND
1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;
・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NAN
Dm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn の出力端は、各行
ごとに、異なる論理和回路に接続されたのち否定回路NO
T1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm を介して光センサ装置321
の第１ないし第ｍの出力端に接続されている。ここで
は、複数のナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,N
AND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NAND
i1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,
・・・,NANDmj,・・・,NANDm n の出力端は、各行ごとに、同一
の接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm に接続されたのち電
気抵抗Ｒ1,Ｒ2,・・・,Ｒi,・・・,Ｒm を介して定電圧源 (こ
こでは“＋５Ｖ”) に接続されているので、出力結合論
理和回路 (いわゆるワイヤードオア回路) W-OR1,W-OR2,
・・・,W-ORi,・・・,W-ORm および否定回路NOT1,NOT2,・・・,NO
Ti,・・・,NOTm を介して光センサ装置321 の第１ないし第
ｍの出力端に接続されている。このため、複数のナンド
回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAN
D2 2,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NA
NDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,N
ANDmn からそれぞれ出力された複数の個別撮像信号IID
11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・
・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・
・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn *
は、光センサ装置321 中の光センサすなわち光ダイオー
ド32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,
3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321
in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の各行ごと
に互いに加算されて負論理の撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,
MIXi *,・・・,MIXm * とされたのち、否定回路NOT1,NOT2,・・
・,NOTi,・・・,NOTm でそれぞれ反転され正論理の撮像信号
MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm として第１ないし第ｍの
出力端から第１ないし第ｍの記憶装置3231,3232,・・・,32
3i,・・・,323m の第１の入力端にそれぞれ与えられてい
る。 【００６９】識別信号発生装置322 の構成 (図５Ａ，図
５Ｂ参照) 【００７０】識別信号発生装置322 は、まず、クロック
入力端CKがクロック信号源 (図示せず) に接続されかつ
クリア入力端CLR もしくはプリセット入力端PRがリセッ
ト信号源 (図示せず) に後述のごとく接続されて最先ビ
ット信号 (すなわち第１ビット信号) D11,D21,・・・,Dj1,
・・・,Dn1 ないし最終ビット信号 (すなわち第ｋビット信
号) D1k,D2k,・・・,Djk,・・・,Dnk のそれぞれ設定された複
数のフリップフロップFF11,FF12,・・・,FF1k;FF21,FF22,・
・・,FF2k;・・・;FFj1,FFj2,・・・,FFjk;・・・;FFn1,FF n2,・・・,F
Fnk を互いに縦続接続することによって形成されており
第１ないし第ｎの識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を
発生して第１ないし第ｎの出力端からそれぞれ出力する
ための第１ないし第ｎのシフトレジスタSREG1,SREG2,・・
・,SREGj,・・・,SREGn を、包有している (“ｋ”はｍ≦２
k-1 を満足するよう決定されている) 。 【００７１】シフトレジスタSREGj では、識別信号IDj
の最先ビット信号 (すなわち第１ビット信号)Dj1を
“１”とし他のビット信号 (すなわち第２ビット信号D
j2 ないし第ｋビット信号Djk)をその内容が二進数で十
進級の“ｊ”を示すように設定する目的で、フリップフ
ロップFFj1のプリセット入力端PRとフリップフロップFF
j2,FFj3,・・・,FFjkのうちの所定のもののプリセット入力
端PRがリセット信号源 (図示せず) に接続され、かつフ
リップフロップFFj2,FFj3,・・・,FFjkのうちの残余のもの
のクリア入力端CLR がリセット信号源 (図示せず) に接
続されている (ｊ＝１，２，・・・ ，ｎ) 。これにより、
識別信号IDj は、最先ビット信号 (すなわち第１ビット
信号)Dj1の内容が“１”であり、かつ第２ビット信号D
j2 ないし最終ビット信号 (すなわち第ｋビット信号)D
jkの内容が二進数で十進数の“ｊ”を示している。 【００７２】シフトレジスタSREGj では、また、同一の
識別信号IDj を周期的に反復して出力する目的で、最先
ビット信号Dj1 を設定するフリップフロップFFj1の出力
端Ｑが最終ビット信号Djk を設定するフリップフロップ
FFjkの入力端Ｄに接続されている。 【００７３】識別信号発生装置322 は、加えて、一方の
入力端がクロック信号源 (図示せず) に接続されかつ他
方の入力端がフリップフロップFF1kの出力端Ｑに接続さ
れておりクロック信号源 (図示せず) から与えられたク
ロック信号CLOCK とフリップフロップFF1kの出力端Ｑか
ら与えられた最終ビット信号 (すなわち第ｋビット信
号)D1kとの間で論理積を求めフリップフロップFF1kの出
力端Ｑから与えられた最終ビット信号 (すなわち第ｋビ
ット信号)D1kが“１”となったときクロック信号CLOCK
のパルスに応じ第 (ｎ＋１) の出力端から識別同期信号
SYC として出力するためのアンド回路AND を、包有して
いる。 【００７４】記憶装置323iの構成 (図６参照) 【００７５】記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m
は、全て同一の構成を有しているので、便宜上ここで
は、記憶装置323iを代表として説明する(i＝1,2,・・・,
m)。ここでは、説明の便宜上、反射スリット光Ｌは、光
センサすなわち光ダイオード321ijに対し“ｊ”が増加
する向きに順次結像されるものとする(j＝1,2,・・・,n)。 【００７６】記憶装置323iは、光センサ装置321 に包有
された第ｉ行の複数のナンド回路NANDi1,NANDi2,・・・,NA
NDij,・・・,NANDin の出力端に対し出力結合論理和回路W-
ORiおよび否定回路NOTiの直列回路を介して入力端が共
通に接続されかつクロック入力端がクロック信号源 (図
示せず) に接続されており第ｉ行の複数のナンド回路NA
NDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin から論理和回路
(ここでは出力結合論理和回路W-ORi)および否定回路NOT
iを介して与えられた正論理の撮像信号MIXiを直列信号
から並列信号へ変換し並列化撮像信号PMIXi とするため
のシフトレジスタSRGiと、シフトレジスタSRGiの第２な
いし第ｋの出力端に対し第１ないし第 (ｋ−１) の入力
端Ａ1,Ａ2,・・・,Ａk-1 がそれぞれ接続されておりシフト
レジスタSRGiの第２ないし第ｋの出力端からそれぞれ与
えられた第２ビット信号ないし最終ビット信号 (すなわ
ち第ｋビット信号) から第ｉ行の第１ないし第ｎの選択
信号SELi1,SELi2,・・・,SELij,・・・,SELin を発生せしめる
ためのデコーダDECDi1とを、包有している。 【００７７】記憶装置323iは、また、デコーダDECDi1の
第１ないし第ｎの出力端に対し一方の入力端がそれぞれ
接続されておりデコーダDECDi1の第１ないし第ｎの出力
端から第ｉ行の第１ないし第ｎの選択信号SELi1,SELi2,
・・・,SELij,・・・,SELin をそれぞれ受け取ったとき他方の
入力端に与えられている後述の書込信号WTを通過せしめ
るための第ｉ行の第１ないし第ｎのアンド回路ANDi1,AN
Di2,・・・,ANDij,・・・,ANDin と、シフトレジスタSRGiの第
１および第 (ｋ＋１) の出力端と識別信号発生装置322
の第 (ｎ＋１) の出力端とに対して第１ないし第３の入
力端がそれぞれ接続されかつ出力端が第ｉ行の第１ない
し第ｎのアンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin
の他方の入力端に対して接続されておりシフトレジスタ
SRGiの第１の出力端から第１ないし第ｎの識別信号ID1,
ID2,・・・,IDj,・・・,IDn の当周期の最先ビット信号が与え
られかつシフトレジスタSRGiの第 (ｋ＋１) の出力端か
ら第１ないし第ｎの識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn
の次周期の最先ビット信号が与えられかつ識別信号発生
装置322 の第 (ｎ＋１) の出力端から識別同期信号SYC
が与えられたとき書込信号WTを発生して第ｉ行の第１な
いし第ｎのアンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,AND
in に与えるための第ｉ行の第 (ｎ＋１) のアンド回路A
NDi(n+1) とを、包有している。シフトレジスタSRG
iは、クロック入力端CKがクロック信号源 (図示せず)
に接続された複数のフリップフロップMFFi1,MFFi2,・・・,
MFFi(k+1) を互いに縦続接続して形成されており、フリ
ップフロップMFFi(k+1) の入力端Ｄが否定回路NOTiの出
力端に接続されている。 【００７８】記憶装置323iは、更に、計測制御装置40中
の読込信号発生回路42の出力端に入力端が接続されてお
り計測制御装置40中の読込信号発生回路42から与えられ
た読込信号ADから第ｉ行の第１ないし第ｎの個別読込信
号ADi1,ADi2,・・・,ADij,・・・,ADin を発生せしめるための
他のデコーダDECDi2と、第ｉ行の第１ないし第ｎのアン
ド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin の出力端に対
して書込入力端WTがそれぞれ接続されかつ読出入力端Ｇ
がデコーダDECDi2の第１ないし第ｎの出力端に対してそ
れぞれ接続されかつデータ入出力端Ｄが計測制御装置40
中の投光角制御信号発生回路41の出力端および記憶装置
43の入力端に接続されており第ｉ行の第１ないし第ｎの
アンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin から第ｉ
行の第１ないし第ｎの個別書込信号WTi1,WTi2,・・・,W
Tij,・・・,WTin がそれぞれ与えられたときデータ入出力
端Ｄに与えられている投光角制御信号SCN の内容 (すな
わち投光角度データSCNij=αij) を保持しかつデコーダ
DECDi2から第ｉ行の第１ないし第ｎの個別読込信号A
Di1,ADi2,・・・,ADij,・・・,ADin がそれぞれ与えられたと
き保持内容 (すなわち投光角度データSCNij=αij) を結
像データIMG として計測制御装置40中の記憶装置43に向
けて出力するための第ｉ行の第１ないし第ｎのレジスタ
REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin とを、包有してい
る。 【００７９】（第１の実施例の作用） 【００８０】次に、図１ないし図８を参照しつつ、本発
明にかかる物体計測装置の第１の実施例について、その
作用を詳細に説明する。 【００８１】三次元座標系 (図１参照) 【００８２】本発明にかかる物体計測装置の第１の実施
例について、その作用の説明を簡潔としかつ十分な理解
を図るために、最初に、三次元座標系を、図１に示した
ごとく導入する。 【００８３】すなわち、図１に示された三次元座標系
は、受光装置30に含まれた結像装置31の中心を原点Ｏ
(0,0,0) とし、結像装置31 (すなわち原点Ｏ) を通りか
つ走査スリット光 (すなわち走査光) Ｌ0 の拡張方向
(すなわちミラー141 の回転軸Ｍ)に平行する直線をＺ軸
とし、結像装置31 (すなわち原点Ｏ) とミラー141 の回
転軸Ｍとを結ぶ長さａの線分ＯＭ (すなわち基線) 上に
のりかつＺ軸に直交する直線をＸ軸とし、かつ結像装置
31 (すなわち原点Ｏ) を通りかつＸ軸およびＺ軸に直交
する直線をＹ軸としている。 【００８４】三次元座標系では、走査スリット光Ｌ0 と
Ｘ軸とのなす角 (すなわち投光角ひいては走査角) をα
とし、かつ走査スリット光Ｌ0 を反射した被計測物体20
上の点 (すなわち走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐ) の座
標を(X,Y,Z) としている。 【００８５】三次元座標系では、また、結像装置31 (す
なわち原点Ｏ) を通る反射スリット光ＬがＸＹ平面にお
いてＹ軸となす角をβX とし、かつＹＺ平面においてＹ
軸となす角をβZ としている。 【００８６】三次元座標系では、更に、反射点Ｐ(X,Y,
Z) において反射されたのち結像装置31の中心 (すなわ
ち原点Ｏ) を通過した反射スリット光Ｌが結像装置31か
ら距離ｆだけ離間した撮像面 (すなわち光ダイオード32
111,32112,・・・,3211j,・・・,3211 n;32121,32122,・・・,321
2j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・
・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn)上に結像された
点 (すなわち反射点Ｐの像) Ｑの座標を、(x,y,z) とし
ている。 【００８７】三次元座標系では、併せて、反射点Ｐ(X,
Y,Z) のＸ軸, Ｙ軸およびＺ軸上における投影点をそれ
ぞれＲ(X,0,0),Ｓ(0,Y,0),Ｔ(0,0,Z) とし、かつＸ軸上
におけるミラー141 の回転軸Ｍの位置を(a,0,0) として
いる。 【００８８】このとき、図１から明らかなように 【００８９】 【式１】ＯＭ＝ＯＲ＋ＲＭ 【００９０】の関係が成立するので、 【００９１】 【式２】ａ＝Ｙ tanβX ＋Ｙ cotα 【００９２】が成立し、これを整理して 【００９３】 【式３】Ｙ＝ａ［ tanβX ＋ cotα］-1 【００９４】の関係を求め得る。ここで、 tanβX ＝ｘ
ｆ-1であるので、 【００９５】 【式４】Ｙ＝ａｆ［ｘ＋ｆ cotα］-1 【００９６】と表現できる。 【００９７】また、 【００９８】 【式５】ＯＲ＝ＯＳ tanβX 【００９９】の関係が成立するので、 【０１００】 【式６】Ｘ＝Ｙ tanβX 【０１０１】の関係を求め得る。ここで、 tanβX ＝ｘ
ｆ-1であるので、 【０１０２】 【式７】Ｘ＝ａｘ［ｘ＋ｆ cotα］-1 【０１０３】と表現できる。 【０１０４】同様に、 【０１０５】 【式８】ＯＴ＝ＯＳ tanβZ 【０１０６】の関係が成立するので、 【０１０７】 【式９】Ｚ＝Ｙ tanβZ 【０１０８】の関係を求め得る。ここで、 tanβZ ＝ｚ
ｆ-1であるので、 【０１０９】 【式１０】Ｚ＝ａｚ［ｘ＋ｆ cotα］-1 【０１１０】と表現できる。 【０１１１】物体計測動作 【０１１２】初期準備動作 【０１１３】被計測物体20の形状の計測開始に先き立
ち、誤動作を回避する目的で、受光装置30および計測制
御装置40において、以下の初期準備動作が、実行され
る。 【０１１４】受光装置30では、複数の記憶装置3231,323
2,・・・,323i,・・・,323m 中のレジスタREG11,REG12,・・・,RE
G1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;
REGi 1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・
・,REGmj,・・・,REGmn の保持内容が適宜の手段 (図示せ
ず) によって特定の値 (たとえば“０”) とされ、併せ
てリセット信号源 (図示せず) から与えられたリセット
信号RESET に応じて識別信号発生装置322 中のシフトレ
ジスタSREGj に包有されたフリップフロップFFj1が
“１”に設定されかつフリップフロップFFj2,FFj3,・・・,
FFjkが二進数で十進数の“ｊ”を示すように“１”もし
くは“０”にそれぞれ適宜に設定される (j=1,2,・・・,
n)。 【０１１５】識別信号発生装置322 中のシフトレジスタ
SREGj に包有されたフリップフロップFFj1,FFj2,・・・,FF
jkは、そののち、クロック信号源 (図示せず) から与え
られたクロック信号CLOCK に応じて動作を開始し保持内
容 (すなわち最先ビット信号Dj1 ないし最終ビット信号
Djk の内容) を順次移動し始める (j=1,2,・・・,n)。これ
により、識別信号発生装置322 では、第１ないし第ｎの
出力端ひいてはシフトレジスタSREG1,SREG2,・・・,SREGj,
・・・,SREGn の出力端からそれぞれ識別信号ID1,ID2,・・・,
IDj,・・・,IDn が同一周期かつ同一タイミングで周期的に
出力されて光センサ装置321 の第１ないし第ｎの識別信
号入力端に与えられ始め、かつ第１ないし第ｎの出力端
からそれぞれ識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn が１回
出力され終えるごとに第 (ｎ＋１) の出力端ひいてはア
ンド回路AND の出力端から識別同期信号SYC が１回出力
されて第１ないし第ｎの記憶装置3231,3232,・・・,323i,・
・・,323m の第２の入力端 (すなわちアンド回路AND
1(n+1),AND2(n+1),・・・,ANDi(n+1 ),・・・,ANDm(n+1) の第
３の入力端) に与えられ始める。 【０１１６】これに対し、計測制御装置40では、記憶装
置43の保持内容が適宜の手段 (図示せず) によって特定
の値 (たとえば“０”) とされる。 【０１１７】走査スリット光Ｌ0 による走査 【０１１８】投光装置10では、走査スリット光Ｌ0 が、
スリット光発生装置12によって作成されている。すなわ
ち、スリット光発生装置12は、光源121 の発生したビー
ム光を円筒レンズ122 によって走査スリット光Ｌ0 に変
えている。 【０１１９】走査スリット光Ｌ0 は、走査装置14のミラ
ー141 に照射されている。このとき、ミラー141 が回転
駆動装置142 によって適宜の (すなわち計測制御装置40
の投光角制御信号発生回路41から与えられた投光角制御
信号SCN に応じた) 角速度ωで回転されているので、走
査スリット光Ｌ0 は、ミラー141 によって反射されたの
ち、その投光角度制御信号SCN に対応する投光角度αの
方向に向けて角速度２ωで被計測領域に対し送出され
る。ちなみに、投光角制御信号SCN は、走査スリット光
Ｌ0 が被計測領域の全体を走査するよう、回転駆動装置
14を制御している。 【０１２０】走査スリット光Ｌ0 は、投光角度制御信号
SCN に対応する角速度２ωで被計測領域を走査してお
り、被計測物体20によって反射されている。走査スリッ
ト光Ｌ0 の照射されている被計測物体20の領域は、走査
スリット光Ｌ0 の進行方向 (ひいては投光角度α) が投
光角制御信号SCN に応じた角速度２ωとなるよう変化せ
しめられているので、それに応じて徐々に移動してい
る。したがって、被計測物体20による走査スリット光Ｌ
0 の反射点Ｐ(X,Y,Z) の位置が、投光角制御信号SCN に
応じて徐々に変化している。 【０１２１】反射スリット光Ｌの結像 【０１２２】被計測物体20の表面によって反射された走
査スリット光Ｌ0(すなわち反射スリット光Ｌ) は、受光
装置30に含まれた結像装置31によって収束され、撮像装
置32の撮像面すなわち光センサ装置321(具体的には光セ
ンサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,
3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,32
1i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,
・・・,321mn)上で結像されている。 【０１２３】反射スリット光Ｌの結像位置Ｑ(x,y,z)
は、図１に明らかなごとく、走査スリット光Ｌ0 による
被計測領域の走査に応じ、光センサすなわち光ダイオー
ド3211 1,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,
3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321
in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の列方向に
そって順行する方向 (すなわち光ダイオード321ij に関
し“ｊ”が増加する方向)に向け徐々に移動している。 【０１２４】反射スリット光Ｌが結像されると、光セン
サすなわち光ダイオード32111,3211 2,・・・,3211j,・・・,32
11n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321
i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・
・・,321mn は、それぞれ導通し、その結像された反射ス
リット光Ｌの光量に応じた受光信号すなわち結像電流I1
1,I12,・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I22,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;
Ii1,Ii2,・・・,Iij,・・・,Ii n;・・・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,I
mn を発生する。 【０１２５】結像電流I11,I12,・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I
22,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;Ii1,Ii2,・・・,Iij,・・・,Iin;・・
・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,Imn は、それぞれ、光センサす
なわち光ダイオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;
32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・
・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,32
1mn の表面形状ならびに反射スリット光Ｌの結像状態に
応じて変化しているので、それに伴なう誤動作を排除す
る目的で、光センサすなわち光ダイオード32111,32112,
・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,321
2n;・・・;321i1,321i 2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,3
21m2,・・・,321mj,・・・,321mn に対して１対１に付設され
た比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;
CAMP21,CAMP2 2,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAM
Pi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CA
MPmj,・・・,CAMPmn で電圧に変換されたのち適宜に増幅さ
れ適宜の基準値と比較されることにより、トリガ信号SI
11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,S
I2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,
・・・,SImj,・・・,SImn に変換されてナンド回路NAND11,NAN
D12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAN
D2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NA
NDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn の一
方の入力端に与えられる。 【０１２６】ナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・
・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;N
ANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NAND
m2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn は、トリガ信号SI11,SI12,・
・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;S
Ii1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,SImj,
・・・,SImn が一方の入力端に与えられたとき、他方の入
力端に識別信号発生装置322 から与えられている識別信
号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を通過せしめ、それぞれ個
別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID
21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,II
Di2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,I
IDmj *,・・・,IIDmn * として出力する。個別撮像信号IID11
*,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,I
ID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,
IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn *
は、ナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;
NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2 n;・・・;NANDi1,NAN
Di2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NA
NDmj,・・・,NANDmn の一方の入力端に対してトリガ信号SI
11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,S
I2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,
・・・,SImj,・・・,SImn が与えられている期間に、ナンド回
路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND
22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NAN
Dij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NA
NDmn の他方の入力端に対して与えれれた識別信号ID1,I
D2,・・・,IDj,・・・,IDn を否定した内容を有している。 【０１２７】個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・
・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2 j *,・・・,IID2n *;・・・;
IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IID
m2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn * は、光センサ装置321 中の
光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,3211j,
・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321
i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,3
21mj,・・・,321mn の各行ごとに、論理和回路 (ここでは
出力結合論理和回路W-OR1,W-OR2,・・・,W-ORi,・・・,W-ORm)
で互いに加算されて、負論理の撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・
・,MIXi *,・・・,MIXm * とされたのち、否定回路NOT1,NOT2,
・・・,NOTi,・・・,NOTm で正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,
MIXi,・・・,MIXm に変換されてそれぞれ光センサ装置321
の第１ないし第ｍの出力端から記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m の第１の入力端へ与えられる。負論理の
撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * でそれぞれ
個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;II
D21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2
*,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IID
mj *,・・・,IIDmn * が各列に関して互いに重なり合わない
ように、光センサ装置321 中の光センサすなわち光ダイ
オード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,
・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,
321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の間隔と
走査スリット光Ｌ0 の幅とが、適宜に調節されている。 【０１２８】記憶装置323iへの受光信号の保持動作 【０１２９】記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m
は、第１の入力端に対し光センサ装置321 の第１ないし
第ｍの出力端からそれぞれ受光信号 (ここでは正論理の
撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm)が与えられ、か
つ第２の入力端に対し識別信号発生装置322 の第 (ｎ＋
１) の出力端から識別同期信号SYC が与えられており、
以下のごとく動作する。なお、記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m は、実質的に同一の動作を行なうので、
ここでは便宜上、記憶装置323iを代表として説明する(i
＝1,2,・・・,m)。 【０１３０】記憶装置323iの第１の入力端には、光セン
サ装置321 中の第ｉ行の光センサすなわち光ダイオード
321i1,321i2,・・・,321ij・・・,321inの受光信号を比較増幅
回路CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin とナンド回
路NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin と識別信号発
生装置322 とによって上述のごとく処理して得られた個
別撮像信号IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin * を論
理和回路 (ここでは出力結合論理和回路W-ORi)で互いに
加算して得られた負論理の撮像信号MIXi * が、否定回路
NOTiで正論理の撮像信号MIXiに変換されて光センサ装置
321 の第ｉの出力端から与えられている。負論理の撮像
信号MIXi * は、光センサ装置321 中の第ｉ行の光センサ
すなわち光ダイオード321i1,321i2,・・・,321ij・・・,321in
のいずれか (たとえば第ｊ列の光センサすなわち光ダイ
オード321ij;この場合を説明する) に対し反射スリット
光Ｌが結像されているとき、それに対応してナンド回路
NANDijを通過した識別信号IDj すなわち個別撮像信号II
Dj * によって形成されている。これに応じ、正論理の撮
像信号MIXiは、光センサ装置321 中の第ｉ行の光センサ
すなわち光ダイオード321ij に対し反射スリット光Ｌが
結像されているとき、それに対応してナンド回路NANDij
に与えられた識別信号IDj によって形成されている。 【０１３１】正論理の撮像信号MIXiは、シフトレジスタ
SRGi中のフリップフロップMFFi(k+1 ) の入力端Ｄに与え
られており、クロック入力端CKにクロック信号源 (図示
せず) から与えられているクロック信号CLOCK のパルス
に応じて順次読み込まれ、かつクロック信号CLOCK のパ
ルスが到来するごとにフリップフロップMFFi1 に向けて
順次移動されている。 【０１３２】シフトレジスタSRGi中のフリップフロップ
MFFi2,MFFi3,・・・,MFFik の出力端Ｑは、それぞれデコー
ダ回路DECDi1の第１ないし第 (ｋ−１) の入力端Ａ1,Ａ
2,・・・,Ａk-1 に接続されているので、正論理の撮像信号
MIXiが、直列信号から並列信号に変換され、並列化撮像
信号PMIXi とされている。 【０１３３】デコーダ回路DECDi1は、第１ないし第 (ｋ
−１) の入力端Ａ1,Ａ2,・・・,Ａk-1に与えられた信号
(すなわち並列化撮像信号)PMIXiに応じて第１ないし第
ｎの出力端Ｑ1,Ｑ2,・・・,Ｑj,・・・,Ｑn から、それぞれ第
１ないし第ｎの選択信号SELi1,SELi2,・・・,SELij,・・・,SE
Lin を出力してアンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,
ANDin の一方の入力端に与えている。たとえば、光セン
サ装置321 中の第ｉ行の光センサすなわち光ダイオード
321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in のうち第ｊ列の光セ
ンサすなわち光ダイオード321ij に対して反射スリット
光Ｌが結像されている場合、デコーダ回路DECDi1は、第
ｊの出力端Ｑj から第ｊの選択信号SELijを出力してア
ンド回路ANDij の一方の入力端に与えている。 【０１３４】シフトレジスタSRGi中のフリップフロップ
MFFi1,MFFi(k+1) の出力端Ｑおよび識別信号発生装置32
2 の第 (ｎ＋１) の出力端に第１ないし第３の入力端
が、それぞれ接続されているアンド回路ANDi(n+1) は、
識別信号IDj の連続入力すなわち最先ビットDj1 が連続
して能動となるに対応してフリップフロップMFFi1,MFFi
(k+1) の状態が“１”となりかつ識別同期信号SYC が
“１”となったとき、書込信号WTを出力してアンド回路
ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin の他方の入力端に与
えている。 【０１３５】アンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,AN
Din は、他方の入力端にアンド回路ANDi(n+1) から与え
られている書込信号WTを、一方の入力端にそれぞれデコ
ーダ回路DECDi1から第１ないし第ｎの選択信号SELi1,SE
Li2,・・・,SELij,・・・,SELin が与えられたときに通過せし
め、レジスタREGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin の書込
入力端WTに与えている。たとえば、光センサ装置321 中
の第ｉ行の光センサすなわち光ダイオード321i1,321i2,
・・・,321ij,・・・,321in のうち第ｊ列の光センサすなわち
光ダイオード321ij に対して反射スリット光Ｌが結像さ
れている場合、アンド回路ANDij が、一方の入力端にデ
コーダ回路DECDi1から第ｊの選択信号SELij が与えられ
たときに、他方の入力端にアンド回路ANDi(n+1) から与
えられている書込信号WTを通過せしめてレジスタREGij
の書込入力端WTに与える。 【０１３６】レジスタREGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REG
in は、書込入力端WTにそれぞれ書込信号WTi1,WTi2,・・
・,WTij,・・・,WTin が与えられたとき、データ入出力端Ｄ
に計測制御装置40の投光角制御信号発生回路41から与え
られている投光角制御信号SCNの内容 (すなわち投光角
度データSCNij=αij) を受光信号ひいては結像データIM
G として保持する。 【０１３７】記憶装置323iからの結像データの読出動
作 【０１３８】計測制御装置40は、読込信号発生回路42か
ら読込信号ADを発生し、受光装置30に含まれた記憶装置
3231,3232,・・・,323i,・・・,323m 中のデコーダ回路DEC
D12,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 に与えている。な
お、記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m は、実質的
に同一の動作を行なうので、ここでは便宜上、記憶装置
323iを代表として説明する(i＝1,2,・・・,m)。 【０１３９】デコーダ回路DECDi2は、読込信号ADをデコ
ード (すなわち解読) したのち、個別読込選択信号A
Di1,ADi2,・・・,ADij,・・・,ADin として、複数のレジスタR
EGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin の読出入力端Ｇにそ
れぞれ与えている。 【０１４０】これに応じて、複数のレジスタREGi1,REG
i2,・・・,REGij,・・・,REGin は、その保持内容 (すなわち
投光角度データSCNi1=αi1，SCNi2=αi2,・・・，SCNij=α
ij,・・・，SCNin=αin) を結像データIMG として順次、計
測制御装置40中の記憶装置43に向けて出力する。 【０１４１】記憶装置43は、受光装置30から与えられた
結像データIMG(すなわち投光角度データSCNi1=αi1，SC
Ni2=αi2・・・,SCNij=αij,・・・，SCNin=αin) を保持す
る。 【０１４２】被計測物体20の形状算出動作 【０１４３】計測制御装置40では、更に、演算装置44
が、記憶装置43に保持された結像データIMG を受け取
り、被計測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点
Ｐの位置(X,Y,Z) を算出する。 【０１４４】すなわち、演算装置44は、投光角度データ
α11，α12，・・・,α1j，・・・,α1n；α21，α22，・・・,α
2j，・・・,α2n；・・・;αi1，αi2，・・・,αij，・・・,αin；
・・・;αm1，αm2，・・・,αmj，・・・,αmnを、式４，式７お
よび式１０に代入することよって、光センサ装置321 中
の光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,321
1j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;3
21i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・
・,321mj,・・・,321mn に結像された反射点Ｐの位置(X,Y,
Z) すなわち反射点Ｐ11, Ｐ12,・・・, Ｐ1j,・・・，Ｐ1n ;
Ｐ21, Ｐ22,・・・, Ｐ2j,・・・，Ｐ2n;・・・; Ｐi1, Ｐi2,・・
・, Ｐij,・・・，Ｐin;・・・; Ｐm1, Ｐm2,・・・, Ｐmj,・・・，
Ｐmnの位置(X11,Y11,Z11),(X12,Y12,Z12),・・・,(X1j,
Y1j,Z1j),・・・,(X1n,Y1n,Z1n);(X21,Y21,Z21),(X22,Y22,
Z22),・・・,(X2j,Y2j,Z2j),・・・,(X2n,Y2n,Z2n);・・・;(Xi1,
Yi1,Zi1),(Xi2,Yi2,Zi2),・・・,(Xij,Yij,Zij),・・・,(Xin,
Yin,Zin);・・・;(Xm1,Ym1,Zm1),(Xm2,Ym2,Zm2),・・・,(Xmj,
Ymj,Zmj),・・・,(Xmn,Ymn,Zmn) を算出する。 【０１４５】演算装置44の演算結果 (すなわち被計測物
体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの位置(X,
Y,Z) の算出結果) は、被計測物体20の形状の計測結果
として他の記憶装置45に与えられ保持される。 【０１４６】記憶装置45の保持内容は、所望により、表
示装置46によって視認可能に表示され、また記録装置47
によって記録される。 【０１４７】(第２の実施例) 【０１４８】更に、図１，図２，図５Ａないし図７と図
９Ａないし図１１とを参照しつつ、本発明にかかる物体
計測装置の第２の実施例について、その構成および作用
を詳細に説明する。 【０１４９】第２の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れたナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;
NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NAN
Di2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NA
NDmj,・・・,NANDmn がスイッチ回路SW11,SW12,・・・,SW1j,・
・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;SWi1,SWi 2,
・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,・・・,SWmn
によって置換され、かつそれに伴なって光センサ装置32
1 に含まれた出力結合論理和回路W-OR1,W-OR2,・・・,W-OR
i,・・・,W-ORm の電気抵抗Ｒ1,Ｒ2,・・・,Ｒi,・・・,Ｒm と否
定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm とが除去されて論
理和回路OR1,OR2,・・・,ORi,・・・,ORm が単なる結線 (ここ
では“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”) によって形
成されていることを除き、実質的に第１の実施例と同一
の構成を有している。 【０１５０】したがって、第２の実施例では、第１の実
施例で比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAM
P1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAM
Pi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAM
Pm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号
SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・
・,SI2 n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SI
m2,・・・,SImj,・・・,SImn と識別信号発生装置322 から与
えられた識別信号ID11,ID12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;ID21,I
D22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,・・・,I
Din;・・・;IDm1,IDm2,・・・,IDmj,・・・,IDmn とに応じてナン
ド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,N
AND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,
NANDij,・・・,NANDi n;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・
・,NANDmn によって個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID
1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,II
D2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;I
IDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn * を発生せしめた
のち論理和回路 (具体的には出力結合論理和回路W-OR1,
W-OR2,・・・,W-ORi,・・・,W-ORm)で各行ごとに加算して負論
理の撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * とし更
に否定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm で正論理の撮
像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm に変換していたこ
とに代え、比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・
・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;C
AMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMP
m2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号S
I11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,
SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,S
Im2,・・・,SImj,・・・,SImn に応じてスイッチ回路SW11,SW
12,・・・,SW1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・
・・;SWi1,SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,S
Wmj,・・・,SWmnを導通状態とし識別信号発生装置322 から
与えられた識別信号ID11,ID12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;I
D21,ID22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,
・・・,IDin;・・・;IDm1,IDm2,・・・,IDmj,・・・,IDmn を通過せ
しめて個別撮像信号IID11,IID12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;
IID21,IID22,・・・,IID2j,・・・,IID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・
・,IIDij,・・・,IIDin;・・・;IIDm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,II
Dmn を発生せしめたのち論理和回路OR1,OR2,・・・,ORi,・・
・,ORm(ここでは“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”)
で各行ごとに加算して正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,
MIXi,・・・,MIXm を発生せしめていることを除き、実質的
に第１の実施例と同一の作用効果を有している。 【０１５１】このため、第２の実施例は、たとえば、図
１０Ａおよび図１０Ｂに示したごとく基板上に配置でき
るので、第１の実施例に比べて、光センサ装置321 の構
造を簡潔化でき、チップ化を容易とできる。ちなみに、
第２の実施例は、第１の実施例と同様に、撮像装置32を
チップ化すればよい。 【０１５２】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第１の実施例に包有された要素に対応するその他の
要素に対し、第１の実施例で付された参照符号と同一の
参照符号を付すことにより、その他の詳細な説明を省略
する。 【０１５３】ちなみに、比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・
・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP2 2,・・・,CAMP2j,・・・,C
AMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;
CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn は、スイッチ回
路SW11,SW12,・・・,SW1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・
・・,SW2n;・・・;SWi1,SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,S
Wm2,・・・,SWmj,・・・,SWmn ならびに光センサすなわち光ダ
イオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,321
22,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・
・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の動
作特性に応じて除去し、あるいは比較回路もしくは増幅
回路と置換してもよい。これにより、光センサ装置321
の構造を一層簡素化でき、チップ化を容易とできる。 【０１５４】(第３の実施例) 【０１５５】加えて、図１，図２，図５Ａないし図７，
図１１，図１２Ａ，図１２Ｂ，図１３Ａおよび図１３Ｂ
を参照しつつ、本発明にかかる物体計測装置の第３の実
施例について、その構成および作用を詳細に説明する。 【０１５６】第３の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れた光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,32
11j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;
321i 1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・
・,321mj,・・・,321mn と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,
CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAM
P2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CA
MPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とナンド回路NAND
11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,
NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・
・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn
とが光スイッチ回路たとえば光トランジスタPSW11,PSW
12,・・・,PSW1j,・・・,PSW1n;PSW21,PSW22,・・・,PSW2j,・・・,P
SW2n;・・・;PSWi1,PSWi2,・・・,PSWij,・・・,PSWin;・・・;PS
Wm1,PSWm2,・・・,PSWmj,・・・,PSWmn によって置換され、か
つそれに伴なって光センサ装置321 に含まれた出力結合
論理和回路W-OR1,W-OR2,・・・,W-ORi,・・・,W-ORm の電気抵
抗Ｒ1,Ｒ2,・・・,Ｒi,・・・,Ｒm と否定回路NOT1,NOT2,・・・,
NOTi,・・・,NOTm とが除去されて論理和回路 (便宜上、
“OR1,OR2,・・・,ORi,・・・,ORm ”と表示する) が単なる結
線 (ここでは“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”) に
よって形成されていることを除き、実質的に第１の実施
例と同一の構成を有している。 【０１５７】したがって、第３の実施例では、第１の実
施例で光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,
3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・
・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,
・・・,321mj,・・・,321mn から与えられた結像電流I11,I12,
・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I22,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;Ii1,I
i2,・・・,Iij,・・・,Iin;・・・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,Imn と
識別信号発生装置322 から与えられた識別信号ID11,ID
12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;ID21,ID22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・
・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,・・・,IDin;・・・;IDm1,IDm2,・・・,I
Dmj,・・・,IDmn とに応じて比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・
・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,
CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・
・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とナンド回路
NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1 n;NAND21,NAND22,
・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NAN
Dij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NA
NDmn とによって個別撮像信号IID1 1 *,IID12 *,・・・,IID1j
*,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・
・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,
IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn * を発生せしめたのち論
理和回路 (具体的には出力結合論理和回路W-OR1,W-OR2,
・・・,W-ORi,・・・,W-ORm)で各行ごとに加算して負論理の撮
像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * とし更に否定
回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm で正論理の撮像信号
MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm に変換していたことに代
え、結像装置31によって被計測物体20による反射スリッ
ト光Ｌの反射点Ｐの像を結像せしめて光スイッチ回路た
とえば光トランジスタPSW11,PSW12,・・・,PSW1j,・・・,PSW
1n;PSW21,PSW22,・・・,PSW2j,・・・,PSW2n;・・・;PSWi1,PS
Wi2,・・・,PSWij,・・・,PSWin;・・・;PSWm1,PSWm2,・・・,PSWmj,
・・・,PSWmn を導通状態とし識別信号発生装置322 から与
えられた識別信号ID11,ID12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;ID21,I
D22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,・・・,I
Din;・・・;IDm1,IDm2,・・・,IDmj,・・・,IDmn を通過せしめて
個別撮像信号IID11,IID12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;IID21,
IID22,・・・,IID2j,・・・,IID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・・,IID
ij,・・・,IIDin;・・・;IIDm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,IIDmn
を発生せしめたのち論理和回路OR1,OR2,・・・,ORi,・・・,OR
m(ここでは“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”) で各
行ごとに加算して正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MI
Xi,・・・,MIXm を発生せしめていることを除き、実質的に
第１の実施例と同一の作用効果を有している。ちなみ
に、第３の実施例では、説明の都合上、図１１に光スイ
ッチ回路たとえば光トランジスタPSW11,PSW12,・・・,PSW
1j,・・・,PSW1 n;PSW21,PSW22,・・・,PSW2j,・・・,PSW2n;・・・;P
SWi1,PSWi2,・・・,PSWij,・・・,PSWin;・・・;PSWm1,PSWm2,・・
・,PSWmj,・・・,PSWmn に対する反射スリット光Ｌの結像時
間をSIijで示している (ｉ＝１〜ｍ；ｊ＝１〜ｎ) 。 【０１５８】このため、第３の実施例は、たとえば、図
１３Ａおよび図１３Ｂに示したごとく基板上に配置でき
るので、第１の実施例ならびに第２の実施例に比べて、
光センサ装置321 の構造を更に簡潔化でき、チップ化を
容易とできる。ちなみに、第３の実施例は、第１の実施
例と同様に、撮像装置32をチップ化すればよい。 【０１５９】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第１の実施例に包有された要素に対応するその他の
要素に対し、第１の実施例で付された参照符号と同一の
参照符号を付すことにより、その他の詳細な説明を省略
する。 【０１６０】(第４の実施例) 【０１６１】加えてまた、図１，図２，図５Ａないし図
８，図１４Ａ，図１４Ｂ，図１５Ａ，図１５Ｂ，図１６
および図１７を参照しつつ、本発明にかかる物体計測装
置の第４の実施例について、その構成および作用を詳細
に説明する。 【０１６２】第４の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れた比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP
1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,
CAMPi 2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・
・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とナンド回路NAND11,NAND12,・・・,
NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAN
D2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NA
NDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn との間に、それぞ
れ比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;
CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAM
Pi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CA
MPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号SI11,SI12,
・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;
SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,S
Imj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは立ち下がりなどに
応じてパルス (“トリガパルス”という) PL11,PL12,・・
・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・・・;PL
i1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,PLmj,・
・・,PLmn を発生するためのパルス発生回路PLG11,PLG12,
・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG
2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,P
LGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn が挿入されていることを除
き、実質的に第１の実施例と同一の構成を有している。
パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG
21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi 2,・・・,P
LGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn
としては、周知の各種回路を所望に応じて採用すれば
よいが、たとえば図１６に示したごとく一方の入力端が
比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CA
MP21,CAMP2 2,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMP
i2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAM
Pmj,・・・,CAMPmn の出力端に直接接続された排他的論理
和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,E
XOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,
EXORij,・・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・
・,EXORmn と排他的論理和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR
1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;
・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・・・,EXORin;・・・;EXO
Rm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn の他方の入力端と
比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CA
MP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMP
i2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAM
Pmj,・・・,CAMPmn の出力端との間に挿入された遅延回路D
LAY11,DLAY12,・・・,DLAY1j,・・・,DLAY1n;DLAY21,DLAY22,・
・・,DLAY2j,・・・,DLAY2n;・・・;DLAYi1,DLAYi2,・・・,DLAYij,
・・・,DLAYin;・・・;DLAYm1,DLAYm2,・・・,DLAYmj,・・・,DLAYmn
とによって形成すればよい。 【０１６３】したがって、第４の実施例では、光センサ
装置321 中の比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・
・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;
CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAM
Pm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmnによって出力されたトリガ
信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,S
I2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;S
Im1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは立
ち下がりなどに応じてそれぞれパルス発生回路PLG1 1,PL
G12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,
PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLG
m1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn がトリガパルスPL11,PL
12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・
・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,P
Lmj,・・・,PLmn を発生してナンド回路NAND11,NAND12,・・
・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,N
AND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;
NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn に与えることを
除き、実質的に第１の実施例と同一の作用効果を有して
いる。ちなみに、パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG
1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;P
LGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・
・,PLGmj,・・・,PLGmn が図１６に示したごとく形成されて
いる場合、パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,
PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PL
Gi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,
・・・,PLGmn では、図１７に示したごとく、比較増幅回路
CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,
・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAM
Pij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CA
MPmn から与えられたトリガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・
・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・
・・,SI ij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn
と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;
CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAM
Pi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CA
MPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号SI1jを遅延
回路DLAY11,DLAY12,・・・,DLAY1j,・・・,DLAY1n;DLAY21,DLA
Y22,・・・,DLAY2j,・・・,DLAY2n;・・・;DLAYi1,DLAYi2,・・・,DL
AYij,・・・,DLAYin;・・・;DLAYm1,DLAYm2,・・・,DLAYmj,・・・,D
LAYmn で適宜に遅延せしめた遅延トリガ信号DSI11,DSI
12,・・・,DSI1j,・・・,DSI1n;DSI21,DSI22,・・・,DSI2j,・・・,D
SI2n;・・・;DSIi1,DSIi2,・・・,DSIij,・・・,DSIin;・・・;DS
Im1,DSIm2,・・・,DSImj,・・・,DSImn とが、排他的論理和回
路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR
22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXO
Rij,・・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXORm 2,・・・,EXORmj,・・・,EX
ORmn で処理され、トリガパルスPL11,PL12,・・・,PL1j,・・
・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・・・;PLi1,PLi2,・
・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,PLmj,・・・,PLmn
とされる。 【０１６４】このため、第４の実施例は、第１の実施例
に比べて、感度を改善する目的で光センサすなわち光ダ
イオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,321
22,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・
・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の面
積を拡大し互いに接近せしめても負論理の撮像信号MIX1
*,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * 中でそれぞれ個別撮像信
号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22
*,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IID
ij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,II
Dmn * が互いに重なり合うことを回避でき、また走査ス
リット光Ｌ0 の幅が比較的に大きくても同様に負論理の
撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * 中でそれぞ
れ個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;
IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IID
i2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,II
Dmj *,・・・,IIDmn * が互いに重なり合うことを回避でき、
ひいては被計測物体20の計測精度を確保ないし改善でき
る。また、第４の実施例は、たとえば、図１５Ａおよび
図１５Ｂに示したごとく基板上に配置できるので、従来
技術に比べて、光センサ装置321 の構造を簡潔化でき、
チップ化を容易とできる。ちなみに、第４の実施例は、
第１の実施例と同様に、撮像装置32をチップ化すればよ
い。 【０１６５】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第１の実施例に包有された要素に対応するその他の
要素に対し、第１の実施例で付された参照符号と同一の
参照符号を付すことにより、その他の詳細な説明を省略
する。 【０１６６】(第５の実施例) 【０１６７】加えてまた、図１，図２，図５Ａないし図
７，図１１，図１６ないし図１９Ｂを参照しつつ、本発
明にかかる物体計測装置の第５の実施例について、その
構成および作用を詳細に説明する。 【０１６８】第５の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れた比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP
1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,
CAMPi 2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・
・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とスイッチ回路SW11,SW12,・・・,SW
1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;SWi1,S
Wi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,・・・,S
Wmn との間に、それぞれ比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・
・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,C
AMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;
CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられた
トリガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・
・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・
・;SIm1,SIm 2,・・・,SImj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは
立ち下がりなどに応じてパルス (“トリガパルス”とい
う) PL11,PL12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,P
L2j,・・・,PL2n;・・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;P
Lm1,PLm2,・・・,PLmj,・・・,PLmn を発生するためのパルス
発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG
22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・
・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn が挿
入されていることを除き、実質的に第２の実施例と同一
の構成を有している。パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,
PLG1j,・・・,PLG1n;PLG2 1,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・
・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm 1,PLGm2,
・・・,PLGmj,・・・,PLGmn としては、周知の各種回路を所望
に応じて採用すればよいが、たとえば図１６に示したご
とく一方の入力端が比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CA
MP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP
2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAM
Pm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPm n の出力端に直接接
続された排他的論理和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・
・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;
EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXO
Rm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn と排他的論理和回路EXO
R11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・
・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・
・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn
の他方の入力端と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP
1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;
・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAM
Pm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn の出力端との間に
挿入された遅延回路DLAY11,DLAY12,・・・,DLAY1j,・・・,DLA
Y1n;DLAY21,DLAY22,・・・,DLAY2j,・・・,DLAY2 n;・・・;DLA
Yi1,DLAYi2,・・・,DLAYij,・・・,DLAYin;・・・;DLAYm1,DLA
Ym2,・・・,DLAYmj,・・・,DLAYmn とによって形成すればよ
い。 【０１６９】したがって、第５の実施例では、光センサ
装置321 中の比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・
・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;
CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAM
Pm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmnによって出力されたトリガ
信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,S
I2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;S
Im1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは立
ち下がりなどに応じてそれぞれパルス発生回路PLG1 1,PL
G12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,
PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLG
m1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn がトリガパルスPL11,PL
12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・
・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,P
Lmj,・・・,PLmn を発生してスイッチ回路SW11,SW12,・・・,S
W1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;SWi1,
SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,・・・,
SWmn に与えることを除き、実質的に第１の実施例と同
一の作用効果を有している。ちなみに、パルス発生回路
PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PL
G2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;
・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn が図１６に示し
たごとく形成されている場合、パルス発生回路PLG11,PL
G12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,
PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGi n;・・・;PLG
m1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn では、図１７に示した
ごとく、比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,C
AMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMP
i1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,
・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号S
I11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,
SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,S
Im2,・・・,SImj,・・・,SImn と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,
・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・
・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・
・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えら
れたトリガ信号SI1jを遅延回路DLAY11,DLAY12,・・・,DLAY
1j,・・・,DLAY1n;DLAY21,DLAY22,・・・,DLAY2j,・・・,DLAY2 n;
・・・;DLAYi1,DLAYi2,・・・,DLAYij,・・・,DLAYin;・・・;DLA
Ym1,DLAYm2,・・・,DLAYmj,・・・,DLAYmn で適宜に遅延せし
めた遅延トリガ信号DSI11,DSI12,・・・,DSI1j,・・・,DSI1n;
DSI21,DSI22,・・・,DSI2j,・・・,DSI2n;・・・;DSIi1,DSIi2,・・
・,DSIij,・・・,DSIin;・・・;DSIm1,DSIm2,・・・,DSImj,・・・,DS
Imn とが、排他的論理和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXO
R1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXO
R2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・・・,EXORin;・・・;EX
ORm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn で処理され、トリ
ガパルスPL11,PL12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,
PL2j,・・・,PL2 n;・・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;
PLm1,PLm2,・・・,PLmj,・・・,PLmn とされる。 【０１７０】このため、第５の実施例は、第２の実施例
に比べて、感度を改善する目的で光センサすなわち光ダ
イオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,321
22,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・
・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の面
積を拡大し互いに接近せしめても正論理の撮像信号MI
X1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm 中でそれぞれ個別撮像信号
IID11,IID12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;IID21,IID22,・・・,II
D2j,・・・,IID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・・,IIDij,・・・,IIDin;
・・・;IIDm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,IIDmn が互いに重なり
合うことを回避でき、また走査スリット光Ｌ0 の幅が比
較的に大きくても同様に正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・
・,MIXi,・・・,MIXm 中でそれぞれ個別撮像信号IID11,IID
12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;IID21,IID22,・・・,IID2j,・・・,I
ID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・・,IIDij,・・・,IIDin;・・・;II
Dm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,IIDmn が互いに重なり合うこ
とを回避でき、ひいては被計測物体20の計測精度を確保
ないし改善できる。また、第５の実施例は、たとえば、
図１９Ａおよび図１９Ｂに示したごとく基板上に配置で
きるので、従来技術に比べて、光センサ装置321 の構造
を簡潔化でき、チップ化を容易とできる。ちなみに、第
５の実施例は、第２の実施例と同様に、撮像装置32をチ
ップ化すればよい。 【０１７１】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第２の実施例ひいては第１の実施例に包有された要
素に対応するその他の要素に対し、第１の実施例ならび
に第２の実施例で付された参照符号と同一の参照符号を
付すことにより、その他の詳細な説明を省略する。 【０１７２】(変形例) 【０１７３】なお、上述の第１および第４の実施例にお
いては、撮像装置32中の光センサ装置321 で負論理の撮
像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * を正論理の撮
像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm に変換する目的で
否定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm が配置されてい
る場合についてのみ説明しているが、本発明は、これに
限定されるものではなく、撮像装置32中の記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m に包有されたデコーダ回路
DECD11,DECD21,・・・,DECDi1,・・・,DECDm1 およびアンド回
路AND1(n+1),AND2(n+1),・・・,ANDi(n+1),・・・,ANDm(n+1)
をそれぞれ負論理入力のデコーダ回路およびアンド回路
と置換しかつ撮像装置32中の光センサ装置321 に含まれ
た否定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm を除去する場
合、あるいは、撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m に包有されたシフトレジスタSRG1,SRG2,
・・・,SRGi,・・・,SRGm の入力端に否定回路を配置しかつ撮
像装置32中の光センサ装置321 に含まれた否定回路NO
T1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm を除去する場合も、包摂し
ている。 【０１７４】また、上述の第１ないし第５の実施例にお
いては、撮像装置32が平面内にマトリックス状ないしア
レイ状に配列された複数の光センサによって形成されて
いる場合について主として説明したが、本発明は、これ
に限定されるものではなく、所望の曲面内に複数の光セ
ンサを少なくとも１行配列して撮像装置あるいは光セン
サ装置を形成する場合も、包摂している。 【０１７５】更に、上述の第１ないし第５の実施例にお
いては、投光装置10がスリット光を発生しているが、本
発明は、これに限定されるものではなく、たとえば、投
光装置がビーム光を発生して光の強度を確保する場合
も、包摂している。この場合には、撮像装置に含まれた
光センサ装置中の複数の光センサを１行に配列すればよ
い。 【０１７６】加えて、上述の第１および第４の実施例に
おいては、光センサすなわち光ダイオード32111,32112,
・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,321
2n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,3
21m2,・・・,321mj,・・・,321mn とナンド回路NAND11,NAN
D12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAN
D2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NA
NDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn との
間に比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1
n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,C
AMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,
CAMPmj,・・・,CAMPmn が配設されているが、本発明は、こ
れに限定されるものではなく、光センサすなわち光ダイ
オードの受光感度が十分に高い場合、あるいは光センサ
すなわち光ダイオードに与えられる反射光の光量が十分
に多い場合などには、比較増幅回路を除去して光センサ
すなわち光ダイオードとナンド回路とを互いに直結して
もよく、また比較増幅回路を比較回路もしくは増幅回路
と置換してもよい。 【０１７７】併せて、上述の第２および第５の実施例に
おいては、光センサすなわち光ダイオード32111,32112,
・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,321
2n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,3
21m2,・・・,321mj,・・・,321mn とスイッチ回路SW11,SW12,・
・・,SW1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;S
Wi1,SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,
・・・,SWmn との間に比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAM
P1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAM
P2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CA
MPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn が配設されている
が、本発明は、これに限定されるものではなく、光セン
サすなわち光ダイオードの受光感度が十分に高い場合、
あるいは光センサすなわち光ダイオードに与えられる反
射光の光量が十分に多い場合などには、比較増幅回路を
除去して光センサすなわち光ダイオードとスイッチ回路
とを互いに直結してもよく、また比較増幅回路を比較回
路もしくは増幅回路と置換してもよい。 【０１７８】併せて、また、上述の第１ないし第５の実
施例においては、計測制御装置40の読込信号発生回路42
から与えられた読込信号ADを撮像装置32中の記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m にそれぞれ配置されたデコ
ーダ回路DECDi1,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 によっ
てデコードして得られた個別読込信号AD11,AD12,・・・,AD
1j,・・・,AD1n;AD21,AD22,・・・,AD2j,・・・,AD2n;・・・;ADi1,A
Di2,・・・,ADij,・・・,ADi n;・・・;ADmnに応じて記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m のレジスタREG11,REG12,・・
・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;
・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REG
m2,・・・,REGmj,・・・,REGmn から投光角度データSCN11,SCN
12,・・・,SCN1j,・・・,SCN1n;SCN21,SCN22,・・・,SCN2j,・・・,S
CN2n;・・・;SCNi1,SCNi2,・・・,SCNij,・・・,SCNin;・・・;SC
Nm1,SCNm2,・・・,SCNmj,・・・,SCNmn を読み出す場合につい
て説明したが、本発明は、これに限定されるものではな
く、撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,3
23m からデコーダ回路DECD12,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,D
ECDm2 を排除し外部から個別読込信号AD11,AD12,・・・,AD
1j,・・・,AD1n;AD21,AD22,・・・,AD2j,・・・,AD2n;・・・;ADi1,A
Di2,・・・,ADij,・・・,ADin;・・・;ADmnを与えて記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m のレジスタREG11,REG12,・・
・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;
・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REG
m2,・・・,REGmj,・・・,REGmn から投光角度データSCN11,SCN
12,・・・,SCN1j,・・・,SCN1n;SCN21,SCN22,・・・,SCN2j,・・・,S
CN2n;・・・;SCNi1,SCNi2,・・・,SCNij,・・・,SCNin;・・・;SC
Nm1,SCNm2,・・・,SCNmj,・・・,SCNmn を読み出す場合など
も、包摂している。すなわち、本発明は、記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m のレジスタREG11,REG12,・・
・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2 j,・・・,REG2n;
・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REG
m2,・・・,REGm j,・・・,REGmn から投光角度データSCN11,SCN
12,・・・,SCN1j,・・・,SCN1n;SCN21,SCN2 2,・・・,SCN2j,・・・,S
CN2n;・・・;SCNi1,SCNi2,・・・,SCNij,・・・,SCNin;・・・;SC
Nm1,SCNm 2,・・・,SCNmj,・・・,SCNmn を読み出す要領に制約
がない。 【０１７９】 【発明の効果】上述より明らかなように、本発明にかか
る物体計測装置は、投光角制御信号SCN に応じ投光装置
によって被計測領域を走査するよう発生された走査光が
被計測領域に存在する被計測物体によって反射されるこ
とにより得られた反射光を受光装置中の結像装置で収束
し被計測物体における走査光の反射点の像を受光装置中
の撮像装置上に結像せしめて検知し被計測物体の形状な
いしは存在位置を計測してなる物体計測装置であって、
［問題点の解決手段］に明示したごとく、特に、撮像装
置が、(a) 識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を発生し
て出力端から出力し、かつ識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・
・,IDn が１回出力され終わるごとに識別同期信号SYC を
発生して他の出力端から出力するための識別信号発生装
置と、(b) 識別信号発生装置の出力端に対して識別信号
入力端が接続されており、結像装置によって結像された
被計測物体における走査光の反射点の像と識別信号発生
装置から与えられた識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn
とに応じて正論理もしくは負論理の撮像信号MIX1,MIX2,
・・・,MIXi,・・・,MIXm;MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm *
を発生し出力端から出力するための光センサ装置と、
(c) 光センサ装置の出力端に第１の入力端が接続されか
つ第２の入力端が識別信号発生装置の他の出力端に接続
されかつ第３の入力端が投光角制御信号供給源に接続さ
れており、光センサ装置から与えられた正論理もしくは
負論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm;MIX1 *,
MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * と識別信号発生装置から与
えられた識別同期信号SYC とに基づいて投光角制御信号
供給源から与えられた投光角制御信号SCN の内容を結像
装置によって結像された被計測物体における走査光の反
射点に対応する投光角度データとして保持するための記
憶装置とを備えているので、 (i) 光センサ装置中の光センサの個数に対し記憶装置
の個数を削減できる効果 を有し、ひいては (ii) 光センサ装置のチップ化ないし小型化を達成でき
る効果 を有し、また (iii) 被計測物体の形状ないしは存在位置の計測を高
精度化可能とできる効果 を有する。 【０１８０】 【０１８１】 【０１８２】
投光装置によって被計測領域を走査するよう発生された
走査光が被計測領域に存在する被計測物体によって反射
されることにより得られた反射光を受光装置中の結像装
置で収束し被計測物体における走査光の反射点の像を受
光装置中の撮像装置上に結像せしめて検知し被計測物体
の形状ないしは存在位置を計測する物体計測装置に関
し、特に、光センサ装置に対し識別信号発生装置から所
定の周期で反復して与えられている識別信号を光センサ
装置に走査光の反射点の像が結像されている期間に通過
せしめて正論理もしくは負論理の撮像信号として記憶装
置に与え識別信号が光センサ装置に１回与えられるに際
して識別信号発生装置から記憶装置に与えられた識別同
期信号に応じ保持せしめてなる物体計測装置に関するも
のである。 【０００３】 【従来の技術】従来、この種の物体計測装置としては、
投光装置によって発生された走査光を被計測物体に照射
したときに得られた反射光を結像装置によって収束せし
めて被計測物体における走査光の反射点の像を結像せし
めることにより動作せしめられる受光装置の撮像装置に
含まれた光センサ装置中の複数の光センサに対してそれ
ぞれ増幅回路を介して記憶装置を配設しておき、被計測
物体における反射光が結像装置によって各光センサ上に
結像されたときに計数回路から与えられている計数内容
を記憶装置に記憶せしめ、記憶装置に記憶された計数内
容から被計測物体における走査光の反射点の位置を算出
することにより、被計測物体の形状を計測してなるもの
が、提案されていた (佐藤等 「高速３次元物体計測法
の提案」電子情報通信学会論文誌Ｄ vol. 570-D No.5
pp.1053 〜1055; 社団法人電子情報通信学会 1987年 5
月25日) 。 【０００４】 【解決すべき問題点】しかしながら、この種の物体計測
装置では、受光装置の撮像装置に含まれた光センサ装置
中の複数の光センサに共通に配設された計数回路で計測
した反射光の受光時刻を光センサ装置中の複数の光セン
サに対応してそれぞれ配設された記憶装置に保持せしめ
ていたので、(i) 被計測物体の形状計測を高精度化する
などの目的で受光装置の撮像装置に含まれた光センサ装
置中の光センサの個数が増加せしめられるにつれ増幅回
路および記憶装置の個数が急増してしまう欠点があり、
ひいては(ii)受光装置の撮像装置あるいは受光装置の撮
像装置に含まれた光センサ装置のチップ化ないし小型化
を阻害してしまう欠点があった。 【０００５】そこで、本発明は、これらの欠点を解決す
るために、光センサ装置に対し識別信号発生装置から所
定の周期で反復して与えられている識別信号を光センサ
装置に走査光の反射点の像が結像されている期間に通過
せしめて正論理もしくは負論理の撮像信号として記憶装
置に与え識別信号が光センサ装置に１回与えられるに際
して識別信号発生装置から記憶装置に与えられた識別同
期信号に応じ保持せしめてなる物体計測装置を提供せん
とするものである。 【０００６】 【発明の構成】 【０００７】 【問題点の解決手段】本発明による物体計測装置は、被
計測物体に対して投光角を制御しながら走査光を走査
し、前記被計測物体で反射された反射光を結像装置で光
学的に収束せしめて、撮像装置の撮像面にマトリックス
状に配列形成された光センサ上に結像させ、その結像さ
れた光によって当該光センサから出力される信号に基づ
いて、前記被計測物体の形状または存在位置を計測する
物体計測装置であって、前記撮像装置は、撮像面にマト
リックス状に配列形成され、そのマトリックスの行方向
に前記反射光が走査されて行き、その反射光の受光に応
じて撮像信号を出力するように設定された光センサと、
その光センサの各列ごとを識別するための識別信号をそ
の光センサの各列ごとに供給する識別信号発生装置と、
前記光センサの各々に対して１対１に対応するように設
けられて、前記光センサから前記撮像信号が出力される
と、そのときその光センサの列の識別信号を前記撮像信
号に付与して各々出力するように前記光センサおよび前
記識別信号発生装置に接続されたＮＡＮＤ（ナンド）回
路と、前記ＮＡＮＤ回路の各行ごとに配設され、それら
各行ごとの複数のＮＡＮＤ回路の出力端をＷＩＲＥＤ−
ＯＲ（ワイヤードオア）として各行ごとに接続する列配
線とを備えており、かつ、前記列配線から前記識別信号
を付与してなる撮像信号が出力されると、そのときの撮
像信号に対応した前記走査光の投光角に関する信号をそ
の撮像信号に付与して記憶する記憶装置を備えて、前記
各行ごとに、前記行方向に走査される反射光を受光した
光センサがそれに対応して撮像信号を出力すると、その
光センサがどの列のものであるかを識別するための識別
信号と、そのときの走査光の投光角に関する信号とを、
そのとき出力された撮像信号に対してリアルタイムに逐
一付与して記憶するようにしたことを特徴としている。 【０００８】 【０００９】 【００１０】 【００１１】 【作用】本発明による物体計測装置では、上記の「問題
点の解決手段」で述べたように、各行ごとに、行方向に
走査される反射光を受光した光センサがそれに対応して
撮像信号を出力すると、その光センサがどの列のもので
あるかを識別するための識別信号と、そのときの走査光
の投光角に関する信号とを、そのとき出力された撮像信
号に対してリアルタイムに逐一付与して記憶するように
したので、回路構成の簡易化を達成すると共に、従来の
ような各行内または各列内の全ての光センサから撮像信
号が出力された後にその各々の光センサに関する識別信
号とその各撮像信号が受光されたときの投光角に関する
情報とを突き合わせて行くといった煩雑で長い時間が掛
かる信号処理を行う必要がなくなり、延いては、撮像装
置中の光センサの個数に対し記憶装置の個数を削減する
作用、および光センサのチップ化を容易なものとする作
用、あるいはさらにチップの小型化を達成する作用、な
らびに計測に要する信号処理の高速化を達成する作用を
なす。 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【００１５】 【実施例】次に、本発明にかかる物体計測装置につい
て、その実施例を挙げ、添付図面を参照しつつ、具体的
に説明する。 【００１６】しかしながら、以下に説明する実施例は、
本発明の理解を容易化ないし促進化するために記載され
るものであって、本発明を限定するために記載されるも
のではない。 【００１７】換言すれば、以下に説明する実施例におい
て開示される各要素は、本発明の精神ならびに技術的範
囲に属する限り、各種の設計変更ならびに均等物置換を
含むものである。 【００１８】（添付図面の説明） 【００１９】図１は、本発明にかかる物体計測装置の第
１ないし第５の実施例を共通に示すための斜視図であ
る。 【００２０】図２は、図１に示した第１ないし第５の実
施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路図
であって、撮像装置32を拡大して詳細に示している。 【００２１】図３Ａは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細に
示している。 【００２２】図３Ｂは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細に
示している。 【００２３】図４Ａは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一例
について一半分を拡大して詳細に示している。 【００２４】図４Ｂは、図１に示した第１の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一例
について他半分を拡大して詳細に示している。 【００２５】図５Ａは、図１に示した第１ないし第５の
実施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路
図であって、撮像装置32中の識別信号発生装置322 の一
半分を拡大して詳細に示している。 【００２６】図５Ｂは、図１に示した第１ないし第５の
実施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路
図であって、撮像装置32中の識別信号発生装置322 の他
半分を拡大して詳細に示している。 【００２７】図６は、図１に示した第１ないし第５の実
施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路図
であって、撮像装置32中の記憶装置323iを拡大して詳細
に示している。 【００２８】図７は、図１に示した第１ないし第５の実
施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路図
であって、計測制御装置40を詳細に示している。 【００２９】図８は、図１に示した第１および第４の実
施例の動作を共通に説明するためのタイムチャート図で
ある。 【００３０】図９Ａは、図１に示した第２の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細に
示している。 【００３１】図９Ｂは、図１に示した第２の実施例の一
部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮像
装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細に
示している。 【００３２】図１０Ａは、図１に示した第２の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００３３】図１０Ｂは、図１に示した第２の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００３４】図１１は、図１に示した第２および第３の
実施例の動作を共通に説明するためのタイムチャート図
である。 【００３５】図１２Ａは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細
に示している。 【００３６】図１２Ｂは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細
に示している。 【００３７】図１３Ａは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００３８】図１３Ｂは、図１に示した第３の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００３９】図１４Ａは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細
に示している。 【００４０】図１４Ｂは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細
に示している。 【００４１】図１５Ａは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００４２】図１５Ｂは、図１に示した第４の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００４３】図１６は、図１に示した第４および第５の
実施例の一部を拡大して共通に示すための拡大部分回路
図であって、撮像装置32中の光センサ装置321 に組み込
まれたパルス発生回路PLGij の一例を詳細に示してい
る。 【００４４】図１７は、図１に示した第４および第５の
実施例の動作の一部を共通に説明するためのタイムチャ
ート図である。 【００４５】図１８Ａは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の一半分を拡大して詳細
に示している。 【００４６】図１８Ｂは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 の他半分を拡大して詳細
に示している。 【００４７】図１９Ａは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその一半分を拡大して詳細に示している。 【００４８】図１９Ｂは、図１に示した第５の実施例の
一部を拡大して示すための拡大部分回路図であって、撮
像装置32中の光センサ装置321 をチップ化する場合の一
例についてその他半分を拡大して詳細に示している。 【００４９】（第１の実施例の構成） 【００５０】まず、図１ないし図７を参照しつつ、本発
明にかかる物体計測装置の第１の実施例について、その
構成を詳細に説明する。 【００５１】全体構成 (図１，図２，図７参照) 【００５２】10は、本発明にかかる物体計測装置に含ま
れた投光装置であって、被計測領域に存在する物体
(“被計測物体”という) の形状を計測するよう被計測
領域を走査するための光 (“走査光”という) Ｌ0 を発
生している。投光装置10は、一次元（すなわち線状）に
拡張された走査スリット光（すなわち走査光）Ｌ0 を発
生するためのスリット光発生装置12と、走査スリット光
Ｌ0 の進行方向をその拡張方向に直交する方向 (“走査
方向”という) に向けて後述の投光角制御信号SCNに対
応する適宜の角速度２ωで変化せしめつつ被計測領域を
走査するための走査装置14とを、包有している。 【００５３】スリット光発生装置12は、たとえば、気体
レーザ光源，半導体レーザ光源あるいは発光ダイオード
光源などの適宜の光源121 と、光源121 によって発生さ
れたビーム光を一次元 (すなわち線状) の走査スリット
光Ｌ0 とするための適宜のスリット光形成手段 (たとえ
ば円筒レンズ)122とを、包有している。光源121 が気体
レーザ光源である場合には、その発生するレーザ光がビ
ーム光となっているので、光源121 の発生するレーザ光
を、スリット光形成手段 (たとえば円筒レンズ)122に対
してそのまま与えればよい。これに対し、光源121 が半
導体レーザ光源である場合には、その発生するレーザ光
が二次元（すなわち面状）に拡散されているので、光源
121 の発生するレーザ光を、適宜の集光手段 (たとえば
球面レンズ（図示せず）) を用いてビーム光に収束せし
めたのち、円筒レンズ122 に対して与えればよい。ま
た、光源121 が発光ダイオード光源である場合には、そ
の発生する光がビーム光となっていないので、光源121
の発生するレーザ光を、適宜の変換手段によってビーム
光に変えたのち、円筒レンズ122 に対して与えればよ
い。 【００５４】走査装置14は、たとえば、走査スリット光
Ｌ0 を反射するためのミラー141 と、走査スリット光Ｌ
0 の拡張方向に平行する回転軸Ｍを中心としてミラー14
1 を投光角制御信号SCN に対応する適宜の角速度ωで回
転せしめるための回転駆動装置142 とを包有する回転ミ
ラー装置によって、構成されている。走査装置14は、ま
た所望により、スリット光発生装置12を載置するための
回転テーブル（図示せず）と、回転テーブルを投光角制
御信号SCN に対応する適宜の角速度ωで回転せしめるた
めの回転駆動装置（図示せず）とを包有する適宜の装置
によって、構成されていてもよい。 【００５５】20は、本発明にかかる物体計測装置の被計
測領域に存在する被計測物体であって、その形状計測に
際し、本発明にかかる物体計測装置に含まれた投光装置
10によって与えられ適宜の角速度２ωで移動する走査ス
リット光Ｌ0 が照射されている。 【００５６】40は、本発明にかかる物体計測装置に含ま
れた計測制御装置であって、まず、投光装置10中の回転
駆動装置142 と後述の受光装置30に含まれた撮像装置32
中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m のデータ入
力端（詳細には、後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG
1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;R
EGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・
・,REGmj,・・・,REGmn のデータ入出力端Ｄ) に接続されて
おり走査スリット光Ｌ0 の投光角度αを制御する投光角
制御信号SCN を発生して投光装置10中の回転駆動装置14
2 へ与えかつ後述の受光装置30に含まれた撮像装置32中
の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323mのデータ入力
端（詳細には、後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG1j,
・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;REG
i1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・・,R
EGmj,・・・,REGmn のデータ入出力端Ｄ) に走査スリット
光Ｌ0の現在の投光角度αを示す信号として与えるため
の投光角制御信号発生回路41を、包有している。ちなみ
に、投光角度データSCNij は、撮像装置32中の光センサ
装置321 に包有された光センサすなわち光ダイオード32
1ij 上に結像された反射スリット光Ｌに対応している走
査スリット光Ｌ0 の投光角度αijを示している。 【００５７】計測制御装置40は、また、受光装置30に含
まれた撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・
・,323m の第４の入力端（詳細には、後述のデコーダDEC
D12,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 の入力端) に出力
端が接続されており受光装置30に含まれた撮像装置32中
の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m （詳細には、
後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG1j,・・・,REG1n;REG
21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;REGi1,REGi2,・・・,R
EGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・・,REGmj,・・・,RE
Gmn)に保持された内容 (すなわち投光角度データSCNij
＝αij) を結像データIMG として読み込むに際し受光装
置30に含まれた撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m （詳細には、後述のレジスタREG11,REG
12,・・・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,R
EG2n;・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;RE
Gm1,REGm2,・・・,REGmj,・・・,REGmn)を１つずつ選択して指
定する読込信号ADを発生して受光装置30に含まれた撮像
装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m の第
４の入力端 (詳細には、後述のデコーダ回路DECD12,DEC
D22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 の入力端) に与えるための
読込信号発生回路42を、包有している。 【００５８】計測制御装置40は、更に、読込信号発生回
路42の出力端および受光装置30に含まれた撮像装置32中
の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m のデータ出力
端 (詳細には、後述のレジスタREG11,REG12,・・・,REG1j,
・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;REG
i1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・・,R
EGmj,・・・,REGmn のデータ入出力端Ｄ) に対して入力端
が接続されており計測制御装置40中の読込信号発生回路
42から与えられた読込信号ADに応じてその保持内容（す
なわち投光角度データSCNij ＝αij）を結像データIMG
として受け取り保持するための記憶装置43と、記憶装置
43の保持内容（すなわち投光角度データSCNij ＝αij）
から被計測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点
Ｐの位置を算出して被計測物体20の形状を求めるための
演算回路44とを、包有している。 【００５９】計測制御装置40は、併せて所望により、演
算回路44に接続されておりその演算結果（すなわち被計
測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの位
置）を記憶するための他の記憶装置45と、他の記憶装置
45に接続されておりその記憶内容 (すなわち被計測物体
20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの位置) を視
認可能に表示するためのブラウン管などの表示装置46
と、記憶装置45に接続されておりその記憶内容 (すなわ
ち被計測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐ
の位置) を記録するためのフロッピーディスクなどの記
録装置47とを、包有している。 【００６０】30は、本発明にかかる物体計測装置に含ま
れた受光装置であって、被計測物体20によって反射され
た走査スリット光（“反射スリット光”という）Ｌを収
束して被計測物体20の像（すなわち走査スリット光Ｌ0
の反射点Ｐの像）を結像せしめるための結像装置31と、
計測制御装置40中の投光角制御信号発生回路41から与え
られた投光角制御信号SCN を利用しつつ結像装置31によ
って結像された被計測物体20の像（すなわち走査スリッ
ト光Ｌ0 の反射点Ｐの像）の位置に対応する走査スリッ
ト光Ｌ0 の投光角度に関するデータ (すなわち投光角度
データSCNij ＝αij) を保持しその保持内容 (すなわち
投光角度データSCNij=αij) を計測制御装置40中の読込
信号発生回路42から与えられた読込信号ADに応じ結像デ
ータIMGとして計測制御装置40中の記憶装置43に向け出
力するための撮像装置32とを、包有している。 【００６１】結像装置31は、被計測領域（すなわち走査
スリット光Ｌ0 による走査領域）の全体を見込んでお
り、反射スリット光Ｌを収束せしめるための集光レンズ
によって形成されている。 【００６２】撮像装置32は、結像装置31によって反射ス
リット光Ｌを収束せしめることにより結像された被計測
物体20の像（すなわち走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの
像）を撮像した結果を第１ないし第ｍの出力端から正論
理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm として出力
するための光センサ装置321 と、光センサ装置321 の第
１ないし第ｎの識別信号入力端に対し第１ないし第ｎの
出力端がそれぞれ接続されており第１ないし第ｎの出力
端から第１ないし第ｎの識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,
IDn をそれぞれ発生し光センサ装置321 の第１ないし第
ｎの識別信号入力端に対して与えるための識別信号発生
装置322 とを、包有している。 【００６３】撮像装置32は、また、光センサ装置321 の
第１ないし第ｍの出力端に対しそれぞれ第１の入力端が
接続されかつ第２の入力端が識別信号発生装置322 の第
(ｎ＋１) の出力端に接続されかつ第３の入力端が計測
制御装置40中の投光角制御信号発生回路41の出力端に接
続されかつ第４の入力端が計測制御装置40中の読込信号
発生回路42の出力端に接続されかつ出力端が計測制御装
置40中の記憶装置43の入力端に接続されており光センサ
装置321 の第１ないし第ｍの出力端からそれぞれ与えら
れた正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm と
識別信号発生装置322 の第 (ｎ＋１) の出力端から与え
られた識別同期信号SYC とに応じて計測制御装置40中の
投光角制御信号発生回路41から与えられている投光角制
御信号SCN の内容を投光角度データSCNij=αijとして読
み込んで保持し保持内容 (すなわち投光角度データSCN
ij=αij) を計測制御装置40中の読込信号発生回路42か
ら読込信号ADが与えられたとき結像データIMG として計
測制御装置40中の記憶装置43に向け出力するための第１
ないし第ｍの記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323mと
を、包有している (ｍ，ｎは正の整数) 。 【００６４】撮像装置32は、たとえば、図４Ａおよび図
４Ｂに示したごとく基板上に配置できるので、従来技術
に比べて光センサ装置321 の構造を簡潔化でき、チップ
化を容易とできる。撮像装置32は、チップ化する場合、
その全体すなわち光センサ装置321,識別信号発生装置32
2 および記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m を同一
チップ内に収容してもよく、また光センサ装置321 およ
び識別信号発生装置322 を同一チップ内に収容しかつ記
憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m を別のチップ内に
収容してもよく、更には光センサ装置321,識別信号発生
装置322 および記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m
をそれぞれ異なるチップ内に収容してもよい。光センサ
装置321,識別信号発生装置322 および記憶装置3231,323
2,・・・,323i,・・・,323m のうちの少なくとも２つを同一チ
ップ内に収容する場合、その間を接続するための接続端
子 (いわゆる“接続ピン”) を排除できて好ましい。 【００６５】光センサ装置321 の構成 (図３Ａ，図３
Ｂ，図４Ａ，図４Ｂ参照) 【００６６】光センサ装置321 は、結像装置31によって
反射スリット光Ｌを収束せしめることにより結像された
被計測物体20の像（すなわち走査スリット光Ｌ0 の反射
点Ｐの像）を撮像するために適宜（たとえばｍ行ｎ列の
マトリックス状あるいはアレイ状；ここではマトリック
ス状の場合について主として説明する）に配列された複
数の光センサ（たとえば光ダイオード；以下この場合に
ついて主として説明する）32111,32112,・・・,3211j,・・・,
3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,32
1i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,
・・・,321mn と、光センサすなわち光ダイオード32111,32
112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,
3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321
m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の出力端に対してそれ
ぞれ１対１に接続されており反射スリット光Ｌの受光に
際し光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,32
11j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;
321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・
・,321mj,・・・,321mn によってそれぞれ発生された電流
（“受光信号”あるいは“結像電流”という）I11,I12,
・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I2 2,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;Ii1,I
i2,・・・,Iij,・・・,Iin;・・・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,Im n を
電圧に変換して適宜に増幅し適宜の基準値と比較してト
リガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,
SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;
SIm1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn を発生するための複数の
比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CA
MP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMP
i2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAM
Pmj,・・・,CAMPmn とを、包有している。 【００６７】光センサ装置321 は、また、複数の比較増
幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,C
AMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,
CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・
・,CAMPmn の出力端に一方の入力端がそれぞれ接続され
かつ他方の入力端がそれぞれ第１ないし第ｎの識別信号
入力端を介して識別信号発生装置322 の第１ないし第ｎ
の出力端に接続されており複数の比較増幅回路CAMP11,C
AMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP
2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAM
Pin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与
えられたトリガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;S
I21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,
・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn と識別信
号発生装置322 から与えられた識別信号ID1,ID2,・・・,ID
j,・・・,IDn との間でそれぞれ否定的論理積を求めトリガ
信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,S
I2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;S
Im1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn が与えられたときにのみ
識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を通過せしめてそれ
ぞれ個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n
*;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,I
IDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,
IIDmj *,・・・,IIDmn * として出力するための複数のナンド
回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAN
D22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NA
NDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,N
ANDmn を、包有している。 【００６８】複数のナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND
1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;
・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NAN
Dm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn の出力端は、各行
ごとに、異なる論理和回路に接続されたのち否定回路NO
T1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm を介して光センサ装置321
の第１ないし第ｍの出力端に接続されている。ここで
は、複数のナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,N
AND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NAND
i1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,
・・・,NANDmj,・・・,NANDm n の出力端は、各行ごとに、同一
の接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm に接続されたのち電
気抵抗Ｒ1,Ｒ2,・・・,Ｒi,・・・,Ｒm を介して定電圧源 (こ
こでは“＋５Ｖ”) に接続されているので、出力結合論
理和回路 (いわゆるワイヤードオア回路) W-OR1,W-OR2,
・・・,W-ORi,・・・,W-ORm および否定回路NOT1,NOT2,・・・,NO
Ti,・・・,NOTm を介して光センサ装置321 の第１ないし第
ｍの出力端に接続されている。このため、複数のナンド
回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAN
D2 2,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NA
NDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,N
ANDmn からそれぞれ出力された複数の個別撮像信号IID
11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・
・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・
・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn *
は、光センサ装置321 中の光センサすなわち光ダイオー
ド32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,
3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321
in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の各行ごと
に互いに加算されて負論理の撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,
MIXi *,・・・,MIXm * とされたのち、否定回路NOT1,NOT2,・・
・,NOTi,・・・,NOTm でそれぞれ反転され正論理の撮像信号
MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm として第１ないし第ｍの
出力端から第１ないし第ｍの記憶装置3231,3232,・・・,32
3i,・・・,323m の第１の入力端にそれぞれ与えられてい
る。 【００６９】識別信号発生装置322 の構成 (図５Ａ，図
５Ｂ参照) 【００７０】識別信号発生装置322 は、まず、クロック
入力端CKがクロック信号源 (図示せず) に接続されかつ
クリア入力端CLR もしくはプリセット入力端PRがリセッ
ト信号源 (図示せず) に後述のごとく接続されて最先ビ
ット信号 (すなわち第１ビット信号) D11,D21,・・・,Dj1,
・・・,Dn1 ないし最終ビット信号 (すなわち第ｋビット信
号) D1k,D2k,・・・,Djk,・・・,Dnk のそれぞれ設定された複
数のフリップフロップFF11,FF12,・・・,FF1k;FF21,FF22,・
・・,FF2k;・・・;FFj1,FFj2,・・・,FFjk;・・・;FFn1,FF n2,・・・,F
Fnk を互いに縦続接続することによって形成されており
第１ないし第ｎの識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を
発生して第１ないし第ｎの出力端からそれぞれ出力する
ための第１ないし第ｎのシフトレジスタSREG1,SREG2,・・
・,SREGj,・・・,SREGn を、包有している (“ｋ”はｍ≦２
k-1 を満足するよう決定されている) 。 【００７１】シフトレジスタSREGj では、識別信号IDj
の最先ビット信号 (すなわち第１ビット信号)Dj1を
“１”とし他のビット信号 (すなわち第２ビット信号D
j2 ないし第ｋビット信号Djk)をその内容が二進数で十
進級の“ｊ”を示すように設定する目的で、フリップフ
ロップFFj1のプリセット入力端PRとフリップフロップFF
j2,FFj3,・・・,FFjkのうちの所定のもののプリセット入力
端PRがリセット信号源 (図示せず) に接続され、かつフ
リップフロップFFj2,FFj3,・・・,FFjkのうちの残余のもの
のクリア入力端CLR がリセット信号源 (図示せず) に接
続されている (ｊ＝１，２，・・・ ，ｎ) 。これにより、
識別信号IDj は、最先ビット信号 (すなわち第１ビット
信号)Dj1の内容が“１”であり、かつ第２ビット信号D
j2 ないし最終ビット信号 (すなわち第ｋビット信号)D
jkの内容が二進数で十進数の“ｊ”を示している。 【００７２】シフトレジスタSREGj では、また、同一の
識別信号IDj を周期的に反復して出力する目的で、最先
ビット信号Dj1 を設定するフリップフロップFFj1の出力
端Ｑが最終ビット信号Djk を設定するフリップフロップ
FFjkの入力端Ｄに接続されている。 【００７３】識別信号発生装置322 は、加えて、一方の
入力端がクロック信号源 (図示せず) に接続されかつ他
方の入力端がフリップフロップFF1kの出力端Ｑに接続さ
れておりクロック信号源 (図示せず) から与えられたク
ロック信号CLOCK とフリップフロップFF1kの出力端Ｑか
ら与えられた最終ビット信号 (すなわち第ｋビット信
号)D1kとの間で論理積を求めフリップフロップFF1kの出
力端Ｑから与えられた最終ビット信号 (すなわち第ｋビ
ット信号)D1kが“１”となったときクロック信号CLOCK
のパルスに応じ第 (ｎ＋１) の出力端から識別同期信号
SYC として出力するためのアンド回路AND を、包有して
いる。 【００７４】記憶装置323iの構成 (図６参照) 【００７５】記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m
は、全て同一の構成を有しているので、便宜上ここで
は、記憶装置323iを代表として説明する(i＝1,2,・・・,
m)。ここでは、説明の便宜上、反射スリット光Ｌは、光
センサすなわち光ダイオード321ijに対し“ｊ”が増加
する向きに順次結像されるものとする(j＝1,2,・・・,n)。 【００７６】記憶装置323iは、光センサ装置321 に包有
された第ｉ行の複数のナンド回路NANDi1,NANDi2,・・・,NA
NDij,・・・,NANDin の出力端に対し出力結合論理和回路W-
ORiおよび否定回路NOTiの直列回路を介して入力端が共
通に接続されかつクロック入力端がクロック信号源 (図
示せず) に接続されており第ｉ行の複数のナンド回路NA
NDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin から論理和回路
(ここでは出力結合論理和回路W-ORi)および否定回路NOT
iを介して与えられた正論理の撮像信号MIXiを直列信号
から並列信号へ変換し並列化撮像信号PMIXi とするため
のシフトレジスタSRGiと、シフトレジスタSRGiの第２な
いし第ｋの出力端に対し第１ないし第 (ｋ−１) の入力
端Ａ1,Ａ2,・・・,Ａk-1 がそれぞれ接続されておりシフト
レジスタSRGiの第２ないし第ｋの出力端からそれぞれ与
えられた第２ビット信号ないし最終ビット信号 (すなわ
ち第ｋビット信号) から第ｉ行の第１ないし第ｎの選択
信号SELi1,SELi2,・・・,SELij,・・・,SELin を発生せしめる
ためのデコーダDECDi1とを、包有している。 【００７７】記憶装置323iは、また、デコーダDECDi1の
第１ないし第ｎの出力端に対し一方の入力端がそれぞれ
接続されておりデコーダDECDi1の第１ないし第ｎの出力
端から第ｉ行の第１ないし第ｎの選択信号SELi1,SELi2,
・・・,SELij,・・・,SELin をそれぞれ受け取ったとき他方の
入力端に与えられている後述の書込信号WTを通過せしめ
るための第ｉ行の第１ないし第ｎのアンド回路ANDi1,AN
Di2,・・・,ANDij,・・・,ANDin と、シフトレジスタSRGiの第
１および第 (ｋ＋１) の出力端と識別信号発生装置322
の第 (ｎ＋１) の出力端とに対して第１ないし第３の入
力端がそれぞれ接続されかつ出力端が第ｉ行の第１ない
し第ｎのアンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin
の他方の入力端に対して接続されておりシフトレジスタ
SRGiの第１の出力端から第１ないし第ｎの識別信号ID1,
ID2,・・・,IDj,・・・,IDn の当周期の最先ビット信号が与え
られかつシフトレジスタSRGiの第 (ｋ＋１) の出力端か
ら第１ないし第ｎの識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn
の次周期の最先ビット信号が与えられかつ識別信号発生
装置322 の第 (ｎ＋１) の出力端から識別同期信号SYC
が与えられたとき書込信号WTを発生して第ｉ行の第１な
いし第ｎのアンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,AND
in に与えるための第ｉ行の第 (ｎ＋１) のアンド回路A
NDi(n+1) とを、包有している。シフトレジスタSRG
iは、クロック入力端CKがクロック信号源 (図示せず)
に接続された複数のフリップフロップMFFi1,MFFi2,・・・,
MFFi(k+1) を互いに縦続接続して形成されており、フリ
ップフロップMFFi(k+1) の入力端Ｄが否定回路NOTiの出
力端に接続されている。 【００７８】記憶装置323iは、更に、計測制御装置40中
の読込信号発生回路42の出力端に入力端が接続されてお
り計測制御装置40中の読込信号発生回路42から与えられ
た読込信号ADから第ｉ行の第１ないし第ｎの個別読込信
号ADi1,ADi2,・・・,ADij,・・・,ADin を発生せしめるための
他のデコーダDECDi2と、第ｉ行の第１ないし第ｎのアン
ド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin の出力端に対
して書込入力端WTがそれぞれ接続されかつ読出入力端Ｇ
がデコーダDECDi2の第１ないし第ｎの出力端に対してそ
れぞれ接続されかつデータ入出力端Ｄが計測制御装置40
中の投光角制御信号発生回路41の出力端および記憶装置
43の入力端に接続されており第ｉ行の第１ないし第ｎの
アンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin から第ｉ
行の第１ないし第ｎの個別書込信号WTi1,WTi2,・・・,W
Tij,・・・,WTin がそれぞれ与えられたときデータ入出力
端Ｄに与えられている投光角制御信号SCN の内容 (すな
わち投光角度データSCNij=αij) を保持しかつデコーダ
DECDi2から第ｉ行の第１ないし第ｎの個別読込信号A
Di1,ADi2,・・・,ADij,・・・,ADin がそれぞれ与えられたと
き保持内容 (すなわち投光角度データSCNij=αij) を結
像データIMG として計測制御装置40中の記憶装置43に向
けて出力するための第ｉ行の第１ないし第ｎのレジスタ
REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin とを、包有してい
る。 【００７９】（第１の実施例の作用） 【００８０】次に、図１ないし図８を参照しつつ、本発
明にかかる物体計測装置の第１の実施例について、その
作用を詳細に説明する。 【００８１】三次元座標系 (図１参照) 【００８２】本発明にかかる物体計測装置の第１の実施
例について、その作用の説明を簡潔としかつ十分な理解
を図るために、最初に、三次元座標系を、図１に示した
ごとく導入する。 【００８３】すなわち、図１に示された三次元座標系
は、受光装置30に含まれた結像装置31の中心を原点Ｏ
(0,0,0) とし、結像装置31 (すなわち原点Ｏ) を通りか
つ走査スリット光 (すなわち走査光) Ｌ0 の拡張方向
(すなわちミラー141 の回転軸Ｍ)に平行する直線をＺ軸
とし、結像装置31 (すなわち原点Ｏ) とミラー141 の回
転軸Ｍとを結ぶ長さａの線分ＯＭ (すなわち基線) 上に
のりかつＺ軸に直交する直線をＸ軸とし、かつ結像装置
31 (すなわち原点Ｏ) を通りかつＸ軸およびＺ軸に直交
する直線をＹ軸としている。 【００８４】三次元座標系では、走査スリット光Ｌ0 と
Ｘ軸とのなす角 (すなわち投光角ひいては走査角) をα
とし、かつ走査スリット光Ｌ0 を反射した被計測物体20
上の点 (すなわち走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐ) の座
標を(X,Y,Z) としている。 【００８５】三次元座標系では、また、結像装置31 (す
なわち原点Ｏ) を通る反射スリット光ＬがＸＹ平面にお
いてＹ軸となす角をβX とし、かつＹＺ平面においてＹ
軸となす角をβZ としている。 【００８６】三次元座標系では、更に、反射点Ｐ(X,Y,
Z) において反射されたのち結像装置31の中心 (すなわ
ち原点Ｏ) を通過した反射スリット光Ｌが結像装置31か
ら距離ｆだけ離間した撮像面 (すなわち光ダイオード32
111,32112,・・・,3211j,・・・,3211 n;32121,32122,・・・,321
2j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・
・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn)上に結像された
点 (すなわち反射点Ｐの像) Ｑの座標を、(x,y,z) とし
ている。 【００８７】三次元座標系では、併せて、反射点Ｐ(X,
Y,Z) のＸ軸, Ｙ軸およびＺ軸上における投影点をそれ
ぞれＲ(X,0,0),Ｓ(0,Y,0),Ｔ(0,0,Z) とし、かつＸ軸上
におけるミラー141 の回転軸Ｍの位置を(a,0,0) として
いる。 【００８８】このとき、図１から明らかなように 【００８９】 【式１】ＯＭ＝ＯＲ＋ＲＭ 【００９０】の関係が成立するので、 【００９１】 【式２】ａ＝Ｙ tanβX ＋Ｙ cotα 【００９２】が成立し、これを整理して 【００９３】 【式３】Ｙ＝ａ［ tanβX ＋ cotα］-1 【００９４】の関係を求め得る。ここで、 tanβX ＝ｘ
ｆ-1であるので、 【００９５】 【式４】Ｙ＝ａｆ［ｘ＋ｆ cotα］-1 【００９６】と表現できる。 【００９７】また、 【００９８】 【式５】ＯＲ＝ＯＳ tanβX 【００９９】の関係が成立するので、 【０１００】 【式６】Ｘ＝Ｙ tanβX 【０１０１】の関係を求め得る。ここで、 tanβX ＝ｘ
ｆ-1であるので、 【０１０２】 【式７】Ｘ＝ａｘ［ｘ＋ｆ cotα］-1 【０１０３】と表現できる。 【０１０４】同様に、 【０１０５】 【式８】ＯＴ＝ＯＳ tanβZ 【０１０６】の関係が成立するので、 【０１０７】 【式９】Ｚ＝Ｙ tanβZ 【０１０８】の関係を求め得る。ここで、 tanβZ ＝ｚ
ｆ-1であるので、 【０１０９】 【式１０】Ｚ＝ａｚ［ｘ＋ｆ cotα］-1 【０１１０】と表現できる。 【０１１１】物体計測動作 【０１１２】初期準備動作 【０１１３】被計測物体20の形状の計測開始に先き立
ち、誤動作を回避する目的で、受光装置30および計測制
御装置40において、以下の初期準備動作が、実行され
る。 【０１１４】受光装置30では、複数の記憶装置3231,323
2,・・・,323i,・・・,323m 中のレジスタREG11,REG12,・・・,RE
G1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;・・・;
REGi 1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REGm2,・・
・,REGmj,・・・,REGmn の保持内容が適宜の手段 (図示せ
ず) によって特定の値 (たとえば“０”) とされ、併せ
てリセット信号源 (図示せず) から与えられたリセット
信号RESET に応じて識別信号発生装置322 中のシフトレ
ジスタSREGj に包有されたフリップフロップFFj1が
“１”に設定されかつフリップフロップFFj2,FFj3,・・・,
FFjkが二進数で十進数の“ｊ”を示すように“１”もし
くは“０”にそれぞれ適宜に設定される (j=1,2,・・・,
n)。 【０１１５】識別信号発生装置322 中のシフトレジスタ
SREGj に包有されたフリップフロップFFj1,FFj2,・・・,FF
jkは、そののち、クロック信号源 (図示せず) から与え
られたクロック信号CLOCK に応じて動作を開始し保持内
容 (すなわち最先ビット信号Dj1 ないし最終ビット信号
Djk の内容) を順次移動し始める (j=1,2,・・・,n)。これ
により、識別信号発生装置322 では、第１ないし第ｎの
出力端ひいてはシフトレジスタSREG1,SREG2,・・・,SREGj,
・・・,SREGn の出力端からそれぞれ識別信号ID1,ID2,・・・,
IDj,・・・,IDn が同一周期かつ同一タイミングで周期的に
出力されて光センサ装置321 の第１ないし第ｎの識別信
号入力端に与えられ始め、かつ第１ないし第ｎの出力端
からそれぞれ識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn が１回
出力され終えるごとに第 (ｎ＋１) の出力端ひいてはア
ンド回路AND の出力端から識別同期信号SYC が１回出力
されて第１ないし第ｎの記憶装置3231,3232,・・・,323i,・
・・,323m の第２の入力端 (すなわちアンド回路AND
1(n+1),AND2(n+1),・・・,ANDi(n+1 ),・・・,ANDm(n+1) の第
３の入力端) に与えられ始める。 【０１１６】これに対し、計測制御装置40では、記憶装
置43の保持内容が適宜の手段 (図示せず) によって特定
の値 (たとえば“０”) とされる。 【０１１７】走査スリット光Ｌ0 による走査 【０１１８】投光装置10では、走査スリット光Ｌ0 が、
スリット光発生装置12によって作成されている。すなわ
ち、スリット光発生装置12は、光源121 の発生したビー
ム光を円筒レンズ122 によって走査スリット光Ｌ0 に変
えている。 【０１１９】走査スリット光Ｌ0 は、走査装置14のミラ
ー141 に照射されている。このとき、ミラー141 が回転
駆動装置142 によって適宜の (すなわち計測制御装置40
の投光角制御信号発生回路41から与えられた投光角制御
信号SCN に応じた) 角速度ωで回転されているので、走
査スリット光Ｌ0 は、ミラー141 によって反射されたの
ち、その投光角度制御信号SCN に対応する投光角度αの
方向に向けて角速度２ωで被計測領域に対し送出され
る。ちなみに、投光角制御信号SCN は、走査スリット光
Ｌ0 が被計測領域の全体を走査するよう、回転駆動装置
14を制御している。 【０１２０】走査スリット光Ｌ0 は、投光角度制御信号
SCN に対応する角速度２ωで被計測領域を走査してお
り、被計測物体20によって反射されている。走査スリッ
ト光Ｌ0 の照射されている被計測物体20の領域は、走査
スリット光Ｌ0 の進行方向 (ひいては投光角度α) が投
光角制御信号SCN に応じた角速度２ωとなるよう変化せ
しめられているので、それに応じて徐々に移動してい
る。したがって、被計測物体20による走査スリット光Ｌ
0 の反射点Ｐ(X,Y,Z) の位置が、投光角制御信号SCN に
応じて徐々に変化している。 【０１２１】反射スリット光Ｌの結像 【０１２２】被計測物体20の表面によって反射された走
査スリット光Ｌ0(すなわち反射スリット光Ｌ) は、受光
装置30に含まれた結像装置31によって収束され、撮像装
置32の撮像面すなわち光センサ装置321(具体的には光セ
ンサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,
3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,32
1i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,
・・・,321mn)上で結像されている。 【０１２３】反射スリット光Ｌの結像位置Ｑ(x,y,z)
は、図１に明らかなごとく、走査スリット光Ｌ0 による
被計測領域の走査に応じ、光センサすなわち光ダイオー
ド3211 1,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,
3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321
in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の列方向に
そって順行する方向 (すなわち光ダイオード321ij に関
し“ｊ”が増加する方向)に向け徐々に移動している。 【０１２４】反射スリット光Ｌが結像されると、光セン
サすなわち光ダイオード32111,3211 2,・・・,3211j,・・・,32
11n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321
i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・
・・,321mn は、それぞれ導通し、その結像された反射ス
リット光Ｌの光量に応じた受光信号すなわち結像電流I1
1,I12,・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I22,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;
Ii1,Ii2,・・・,Iij,・・・,Ii n;・・・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,I
mn を発生する。 【０１２５】結像電流I11,I12,・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I
22,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;Ii1,Ii2,・・・,Iij,・・・,Iin;・・
・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,Imn は、それぞれ、光センサす
なわち光ダイオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;
32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・
・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,32
1mn の表面形状ならびに反射スリット光Ｌの結像状態に
応じて変化しているので、それに伴なう誤動作を排除す
る目的で、光センサすなわち光ダイオード32111,32112,
・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,321
2n;・・・;321i1,321i 2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,3
21m2,・・・,321mj,・・・,321mn に対して１対１に付設され
た比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;
CAMP21,CAMP2 2,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAM
Pi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CA
MPmj,・・・,CAMPmn で電圧に変換されたのち適宜に増幅さ
れ適宜の基準値と比較されることにより、トリガ信号SI
11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,S
I2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,
・・・,SImj,・・・,SImn に変換されてナンド回路NAND11,NAN
D12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAN
D2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NA
NDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn の一
方の入力端に与えられる。 【０１２６】ナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・
・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;N
ANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NAND
m2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn は、トリガ信号SI11,SI12,・
・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;S
Ii1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,SImj,
・・・,SImn が一方の入力端に与えられたとき、他方の入
力端に識別信号発生装置322 から与えられている識別信
号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を通過せしめ、それぞれ個
別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID
21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,II
Di2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,I
IDmj *,・・・,IIDmn * として出力する。個別撮像信号IID11
*,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,I
ID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,
IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn *
は、ナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;
NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2 n;・・・;NANDi1,NAN
Di2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NA
NDmj,・・・,NANDmn の一方の入力端に対してトリガ信号SI
11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,S
I2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,
・・・,SImj,・・・,SImn が与えられている期間に、ナンド回
路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND
22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NAN
Dij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NA
NDmn の他方の入力端に対して与えれれた識別信号ID1,I
D2,・・・,IDj,・・・,IDn を否定した内容を有している。 【０１２７】個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・
・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2 j *,・・・,IID2n *;・・・;
IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IID
m2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn * は、光センサ装置321 中の
光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,3211j,
・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321
i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,3
21mj,・・・,321mn の各行ごとに、論理和回路 (ここでは
出力結合論理和回路W-OR1,W-OR2,・・・,W-ORi,・・・,W-ORm)
で互いに加算されて、負論理の撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・
・,MIXi *,・・・,MIXm * とされたのち、否定回路NOT1,NOT2,
・・・,NOTi,・・・,NOTm で正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,
MIXi,・・・,MIXm に変換されてそれぞれ光センサ装置321
の第１ないし第ｍの出力端から記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m の第１の入力端へ与えられる。負論理の
撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * でそれぞれ
個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;II
D21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2
*,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IID
mj *,・・・,IIDmn * が各列に関して互いに重なり合わない
ように、光センサ装置321 中の光センサすなわち光ダイ
オード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,
・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,
321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の間隔と
走査スリット光Ｌ0 の幅とが、適宜に調節されている。 【０１２８】記憶装置323iへの受光信号の保持動作 【０１２９】記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m
は、第１の入力端に対し光センサ装置321 の第１ないし
第ｍの出力端からそれぞれ受光信号 (ここでは正論理の
撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm)が与えられ、か
つ第２の入力端に対し識別信号発生装置322 の第 (ｎ＋
１) の出力端から識別同期信号SYC が与えられており、
以下のごとく動作する。なお、記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m は、実質的に同一の動作を行なうので、
ここでは便宜上、記憶装置323iを代表として説明する(i
＝1,2,・・・,m)。 【０１３０】記憶装置323iの第１の入力端には、光セン
サ装置321 中の第ｉ行の光センサすなわち光ダイオード
321i1,321i2,・・・,321ij・・・,321inの受光信号を比較増幅
回路CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin とナンド回
路NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin と識別信号発
生装置322 とによって上述のごとく処理して得られた個
別撮像信号IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin * を論
理和回路 (ここでは出力結合論理和回路W-ORi)で互いに
加算して得られた負論理の撮像信号MIXi * が、否定回路
NOTiで正論理の撮像信号MIXiに変換されて光センサ装置
321 の第ｉの出力端から与えられている。負論理の撮像
信号MIXi * は、光センサ装置321 中の第ｉ行の光センサ
すなわち光ダイオード321i1,321i2,・・・,321ij・・・,321in
のいずれか (たとえば第ｊ列の光センサすなわち光ダイ
オード321ij;この場合を説明する) に対し反射スリット
光Ｌが結像されているとき、それに対応してナンド回路
NANDijを通過した識別信号IDj すなわち個別撮像信号II
Dj * によって形成されている。これに応じ、正論理の撮
像信号MIXiは、光センサ装置321 中の第ｉ行の光センサ
すなわち光ダイオード321ij に対し反射スリット光Ｌが
結像されているとき、それに対応してナンド回路NANDij
に与えられた識別信号IDj によって形成されている。 【０１３１】正論理の撮像信号MIXiは、シフトレジスタ
SRGi中のフリップフロップMFFi(k+1 ) の入力端Ｄに与え
られており、クロック入力端CKにクロック信号源 (図示
せず) から与えられているクロック信号CLOCK のパルス
に応じて順次読み込まれ、かつクロック信号CLOCK のパ
ルスが到来するごとにフリップフロップMFFi1 に向けて
順次移動されている。 【０１３２】シフトレジスタSRGi中のフリップフロップ
MFFi2,MFFi3,・・・,MFFik の出力端Ｑは、それぞれデコー
ダ回路DECDi1の第１ないし第 (ｋ−１) の入力端Ａ1,Ａ
2,・・・,Ａk-1 に接続されているので、正論理の撮像信号
MIXiが、直列信号から並列信号に変換され、並列化撮像
信号PMIXi とされている。 【０１３３】デコーダ回路DECDi1は、第１ないし第 (ｋ
−１) の入力端Ａ1,Ａ2,・・・,Ａk-1に与えられた信号
(すなわち並列化撮像信号)PMIXiに応じて第１ないし第
ｎの出力端Ｑ1,Ｑ2,・・・,Ｑj,・・・,Ｑn から、それぞれ第
１ないし第ｎの選択信号SELi1,SELi2,・・・,SELij,・・・,SE
Lin を出力してアンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,
ANDin の一方の入力端に与えている。たとえば、光セン
サ装置321 中の第ｉ行の光センサすなわち光ダイオード
321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in のうち第ｊ列の光セ
ンサすなわち光ダイオード321ij に対して反射スリット
光Ｌが結像されている場合、デコーダ回路DECDi1は、第
ｊの出力端Ｑj から第ｊの選択信号SELijを出力してア
ンド回路ANDij の一方の入力端に与えている。 【０１３４】シフトレジスタSRGi中のフリップフロップ
MFFi1,MFFi(k+1) の出力端Ｑおよび識別信号発生装置32
2 の第 (ｎ＋１) の出力端に第１ないし第３の入力端
が、それぞれ接続されているアンド回路ANDi(n+1) は、
識別信号IDj の連続入力すなわち最先ビットDj1 が連続
して能動となるに対応してフリップフロップMFFi1,MFFi
(k+1) の状態が“１”となりかつ識別同期信号SYC が
“１”となったとき、書込信号WTを出力してアンド回路
ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,ANDin の他方の入力端に与
えている。 【０１３５】アンド回路ANDi1,ANDi2,・・・,ANDij,・・・,AN
Din は、他方の入力端にアンド回路ANDi(n+1) から与え
られている書込信号WTを、一方の入力端にそれぞれデコ
ーダ回路DECDi1から第１ないし第ｎの選択信号SELi1,SE
Li2,・・・,SELij,・・・,SELin が与えられたときに通過せし
め、レジスタREGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin の書込
入力端WTに与えている。たとえば、光センサ装置321 中
の第ｉ行の光センサすなわち光ダイオード321i1,321i2,
・・・,321ij,・・・,321in のうち第ｊ列の光センサすなわち
光ダイオード321ij に対して反射スリット光Ｌが結像さ
れている場合、アンド回路ANDij が、一方の入力端にデ
コーダ回路DECDi1から第ｊの選択信号SELij が与えられ
たときに、他方の入力端にアンド回路ANDi(n+1) から与
えられている書込信号WTを通過せしめてレジスタREGij
の書込入力端WTに与える。 【０１３６】レジスタREGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REG
in は、書込入力端WTにそれぞれ書込信号WTi1,WTi2,・・
・,WTij,・・・,WTin が与えられたとき、データ入出力端Ｄ
に計測制御装置40の投光角制御信号発生回路41から与え
られている投光角制御信号SCNの内容 (すなわち投光角
度データSCNij=αij) を受光信号ひいては結像データIM
G として保持する。 【０１３７】記憶装置323iからの結像データの読出動
作 【０１３８】計測制御装置40は、読込信号発生回路42か
ら読込信号ADを発生し、受光装置30に含まれた記憶装置
3231,3232,・・・,323i,・・・,323m 中のデコーダ回路DEC
D12,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 に与えている。な
お、記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,323m は、実質的
に同一の動作を行なうので、ここでは便宜上、記憶装置
323iを代表として説明する(i＝1,2,・・・,m)。 【０１３９】デコーダ回路DECDi2は、読込信号ADをデコ
ード (すなわち解読) したのち、個別読込選択信号A
Di1,ADi2,・・・,ADij,・・・,ADin として、複数のレジスタR
EGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin の読出入力端Ｇにそ
れぞれ与えている。 【０１４０】これに応じて、複数のレジスタREGi1,REG
i2,・・・,REGij,・・・,REGin は、その保持内容 (すなわち
投光角度データSCNi1=αi1，SCNi2=αi2,・・・，SCNij=α
ij,・・・，SCNin=αin) を結像データIMG として順次、計
測制御装置40中の記憶装置43に向けて出力する。 【０１４１】記憶装置43は、受光装置30から与えられた
結像データIMG(すなわち投光角度データSCNi1=αi1，SC
Ni2=αi2・・・,SCNij=αij,・・・，SCNin=αin) を保持す
る。 【０１４２】被計測物体20の形状算出動作 【０１４３】計測制御装置40では、更に、演算装置44
が、記憶装置43に保持された結像データIMG を受け取
り、被計測物体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点
Ｐの位置(X,Y,Z) を算出する。 【０１４４】すなわち、演算装置44は、投光角度データ
α11，α12，・・・,α1j，・・・,α1n；α21，α22，・・・,α
2j，・・・,α2n；・・・;αi1，αi2，・・・,αij，・・・,αin；
・・・;αm1，αm2，・・・,αmj，・・・,αmnを、式４，式７お
よび式１０に代入することよって、光センサ装置321 中
の光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,321
1j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;3
21i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・
・,321mj,・・・,321mn に結像された反射点Ｐの位置(X,Y,
Z) すなわち反射点Ｐ11, Ｐ12,・・・, Ｐ1j,・・・，Ｐ1n ;
Ｐ21, Ｐ22,・・・, Ｐ2j,・・・，Ｐ2n;・・・; Ｐi1, Ｐi2,・・
・, Ｐij,・・・，Ｐin;・・・; Ｐm1, Ｐm2,・・・, Ｐmj,・・・，
Ｐmnの位置(X11,Y11,Z11),(X12,Y12,Z12),・・・,(X1j,
Y1j,Z1j),・・・,(X1n,Y1n,Z1n);(X21,Y21,Z21),(X22,Y22,
Z22),・・・,(X2j,Y2j,Z2j),・・・,(X2n,Y2n,Z2n);・・・;(Xi1,
Yi1,Zi1),(Xi2,Yi2,Zi2),・・・,(Xij,Yij,Zij),・・・,(Xin,
Yin,Zin);・・・;(Xm1,Ym1,Zm1),(Xm2,Ym2,Zm2),・・・,(Xmj,
Ymj,Zmj),・・・,(Xmn,Ymn,Zmn) を算出する。 【０１４５】演算装置44の演算結果 (すなわち被計測物
体20における走査スリット光Ｌ0 の反射点Ｐの位置(X,
Y,Z) の算出結果) は、被計測物体20の形状の計測結果
として他の記憶装置45に与えられ保持される。 【０１４６】記憶装置45の保持内容は、所望により、表
示装置46によって視認可能に表示され、また記録装置47
によって記録される。 【０１４７】(第２の実施例) 【０１４８】更に、図１，図２，図５Ａないし図７と図
９Ａないし図１１とを参照しつつ、本発明にかかる物体
計測装置の第２の実施例について、その構成および作用
を詳細に説明する。 【０１４９】第２の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れたナンド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;
NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NAN
Di2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NA
NDmj,・・・,NANDmn がスイッチ回路SW11,SW12,・・・,SW1j,・
・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;SWi1,SWi 2,
・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,・・・,SWmn
によって置換され、かつそれに伴なって光センサ装置32
1 に含まれた出力結合論理和回路W-OR1,W-OR2,・・・,W-OR
i,・・・,W-ORm の電気抵抗Ｒ1,Ｒ2,・・・,Ｒi,・・・,Ｒm と否
定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm とが除去されて論
理和回路OR1,OR2,・・・,ORi,・・・,ORm が単なる結線 (ここ
では“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”) によって形
成されていることを除き、実質的に第１の実施例と同一
の構成を有している。 【０１５０】したがって、第２の実施例では、第１の実
施例で比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAM
P1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAM
Pi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAM
Pm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号
SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・
・,SI2 n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SI
m2,・・・,SImj,・・・,SImn と識別信号発生装置322 から与
えられた識別信号ID11,ID12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;ID21,I
D22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,・・・,I
Din;・・・;IDm1,IDm2,・・・,IDmj,・・・,IDmn とに応じてナン
ド回路NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,N
AND22,・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,
NANDij,・・・,NANDi n;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・
・,NANDmn によって個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID
1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,II
D2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;I
IDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn * を発生せしめた
のち論理和回路 (具体的には出力結合論理和回路W-OR1,
W-OR2,・・・,W-ORi,・・・,W-ORm)で各行ごとに加算して負論
理の撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * とし更
に否定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm で正論理の撮
像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm に変換していたこ
とに代え、比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・
・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;C
AMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMP
m2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号S
I11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,
SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,S
Im2,・・・,SImj,・・・,SImn に応じてスイッチ回路SW11,SW
12,・・・,SW1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・
・・;SWi1,SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,S
Wmj,・・・,SWmnを導通状態とし識別信号発生装置322 から
与えられた識別信号ID11,ID12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;I
D21,ID22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,
・・・,IDin;・・・;IDm1,IDm2,・・・,IDmj,・・・,IDmn を通過せ
しめて個別撮像信号IID11,IID12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;
IID21,IID22,・・・,IID2j,・・・,IID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・
・,IIDij,・・・,IIDin;・・・;IIDm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,II
Dmn を発生せしめたのち論理和回路OR1,OR2,・・・,ORi,・・
・,ORm(ここでは“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”)
で各行ごとに加算して正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,
MIXi,・・・,MIXm を発生せしめていることを除き、実質的
に第１の実施例と同一の作用効果を有している。 【０１５１】このため、第２の実施例は、たとえば、図
１０Ａおよび図１０Ｂに示したごとく基板上に配置でき
るので、第１の実施例に比べて、光センサ装置321 の構
造を簡潔化でき、チップ化を容易とできる。ちなみに、
第２の実施例は、第１の実施例と同様に、撮像装置32を
チップ化すればよい。 【０１５２】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第１の実施例に包有された要素に対応するその他の
要素に対し、第１の実施例で付された参照符号と同一の
参照符号を付すことにより、その他の詳細な説明を省略
する。 【０１５３】ちなみに、比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・
・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP2 2,・・・,CAMP2j,・・・,C
AMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;
CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn は、スイッチ回
路SW11,SW12,・・・,SW1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・
・・,SW2n;・・・;SWi1,SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,S
Wm2,・・・,SWmj,・・・,SWmn ならびに光センサすなわち光ダ
イオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,321
22,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・
・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の動
作特性に応じて除去し、あるいは比較回路もしくは増幅
回路と置換してもよい。これにより、光センサ装置321
の構造を一層簡素化でき、チップ化を容易とできる。 【０１５４】(第３の実施例) 【０１５５】加えて、図１，図２，図５Ａないし図７，
図１１，図１２Ａ，図１２Ｂ，図１３Ａおよび図１３Ｂ
を参照しつつ、本発明にかかる物体計測装置の第３の実
施例について、その構成および作用を詳細に説明する。 【０１５６】第３の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れた光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,32
11j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;
321i 1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・
・,321mj,・・・,321mn と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,
CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAM
P2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CA
MPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とナンド回路NAND
11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,
NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・
・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn
とが光スイッチ回路たとえば光トランジスタPSW11,PSW
12,・・・,PSW1j,・・・,PSW1n;PSW21,PSW22,・・・,PSW2j,・・・,P
SW2n;・・・;PSWi1,PSWi2,・・・,PSWij,・・・,PSWin;・・・;PS
Wm1,PSWm2,・・・,PSWmj,・・・,PSWmn によって置換され、か
つそれに伴なって光センサ装置321 に含まれた出力結合
論理和回路W-OR1,W-OR2,・・・,W-ORi,・・・,W-ORm の電気抵
抗Ｒ1,Ｒ2,・・・,Ｒi,・・・,Ｒm と否定回路NOT1,NOT2,・・・,
NOTi,・・・,NOTm とが除去されて論理和回路 (便宜上、
“OR1,OR2,・・・,ORi,・・・,ORm ”と表示する) が単なる結
線 (ここでは“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”) に
よって形成されていることを除き、実質的に第１の実施
例と同一の構成を有している。 【０１５７】したがって、第３の実施例では、第１の実
施例で光センサすなわち光ダイオード32111,32112,・・・,
3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,3212n;・・
・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,321m2,
・・・,321mj,・・・,321mn から与えられた結像電流I11,I12,
・・・,I1j,・・・,I1n;I21,I22,・・・,I2j,・・・,I2n;・・・;Ii1,I
i2,・・・,Iij,・・・,Iin;・・・;Im1,Im2,・・・,Imj,・・・,Imn と
識別信号発生装置322 から与えられた識別信号ID11,ID
12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;ID21,ID22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・
・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,・・・,IDin;・・・;IDm1,IDm2,・・・,I
Dmj,・・・,IDmn とに応じて比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・
・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,
CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・
・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とナンド回路
NAND11,NAND12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1 n;NAND21,NAND22,
・・・,NAND2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NAN
Dij,・・・,NANDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NA
NDmn とによって個別撮像信号IID1 1 *,IID12 *,・・・,IID1j
*,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・
・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,
IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,IIDmn * を発生せしめたのち論
理和回路 (具体的には出力結合論理和回路W-OR1,W-OR2,
・・・,W-ORi,・・・,W-ORm)で各行ごとに加算して負論理の撮
像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * とし更に否定
回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm で正論理の撮像信号
MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm に変換していたことに代
え、結像装置31によって被計測物体20による反射スリッ
ト光Ｌの反射点Ｐの像を結像せしめて光スイッチ回路た
とえば光トランジスタPSW11,PSW12,・・・,PSW1j,・・・,PSW
1n;PSW21,PSW22,・・・,PSW2j,・・・,PSW2n;・・・;PSWi1,PS
Wi2,・・・,PSWij,・・・,PSWin;・・・;PSWm1,PSWm2,・・・,PSWmj,
・・・,PSWmn を導通状態とし識別信号発生装置322 から与
えられた識別信号ID11,ID12,・・・,ID1j,・・・,ID1n;ID21,I
D22,・・・,ID2j,・・・,ID2n;・・・;IDi1,IDi2,・・・,IDij,・・・,I
Din;・・・;IDm1,IDm2,・・・,IDmj,・・・,IDmn を通過せしめて
個別撮像信号IID11,IID12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;IID21,
IID22,・・・,IID2j,・・・,IID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・・,IID
ij,・・・,IIDin;・・・;IIDm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,IIDmn
を発生せしめたのち論理和回路OR1,OR2,・・・,ORi,・・・,OR
m(ここでは“接続線WR1,WR2,・・・,WRi,・・・,WRm ”) で各
行ごとに加算して正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MI
Xi,・・・,MIXm を発生せしめていることを除き、実質的に
第１の実施例と同一の作用効果を有している。ちなみ
に、第３の実施例では、説明の都合上、図１１に光スイ
ッチ回路たとえば光トランジスタPSW11,PSW12,・・・,PSW
1j,・・・,PSW1 n;PSW21,PSW22,・・・,PSW2j,・・・,PSW2n;・・・;P
SWi1,PSWi2,・・・,PSWij,・・・,PSWin;・・・;PSWm1,PSWm2,・・
・,PSWmj,・・・,PSWmn に対する反射スリット光Ｌの結像時
間をSIijで示している (ｉ＝１〜ｍ；ｊ＝１〜ｎ) 。 【０１５８】このため、第３の実施例は、たとえば、図
１３Ａおよび図１３Ｂに示したごとく基板上に配置でき
るので、第１の実施例ならびに第２の実施例に比べて、
光センサ装置321 の構造を更に簡潔化でき、チップ化を
容易とできる。ちなみに、第３の実施例は、第１の実施
例と同様に、撮像装置32をチップ化すればよい。 【０１５９】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第１の実施例に包有された要素に対応するその他の
要素に対し、第１の実施例で付された参照符号と同一の
参照符号を付すことにより、その他の詳細な説明を省略
する。 【０１６０】(第４の実施例) 【０１６１】加えてまた、図１，図２，図５Ａないし図
８，図１４Ａ，図１４Ｂ，図１５Ａ，図１５Ｂ，図１６
および図１７を参照しつつ、本発明にかかる物体計測装
置の第４の実施例について、その構成および作用を詳細
に説明する。 【０１６２】第４の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れた比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP
1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,
CAMPi 2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・
・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とナンド回路NAND11,NAND12,・・・,
NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,NAN
D2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;NA
NDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn との間に、それぞ
れ比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;
CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAM
Pi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CA
MPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号SI11,SI12,
・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;
SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,S
Imj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは立ち下がりなどに
応じてパルス (“トリガパルス”という) PL11,PL12,・・
・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・・・;PL
i1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,PLmj,・
・・,PLmn を発生するためのパルス発生回路PLG11,PLG12,
・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG
2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,P
LGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn が挿入されていることを除
き、実質的に第１の実施例と同一の構成を有している。
パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG
21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi 2,・・・,P
LGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn
としては、周知の各種回路を所望に応じて採用すれば
よいが、たとえば図１６に示したごとく一方の入力端が
比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CA
MP21,CAMP2 2,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMP
i2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAM
Pmj,・・・,CAMPmn の出力端に直接接続された排他的論理
和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,E
XOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,
EXORij,・・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・
・,EXORmn と排他的論理和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR
1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;
・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・・・,EXORin;・・・;EXO
Rm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn の他方の入力端と
比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CA
MP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMP
i2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAM
Pmj,・・・,CAMPmn の出力端との間に挿入された遅延回路D
LAY11,DLAY12,・・・,DLAY1j,・・・,DLAY1n;DLAY21,DLAY22,・
・・,DLAY2j,・・・,DLAY2n;・・・;DLAYi1,DLAYi2,・・・,DLAYij,
・・・,DLAYin;・・・;DLAYm1,DLAYm2,・・・,DLAYmj,・・・,DLAYmn
とによって形成すればよい。 【０１６３】したがって、第４の実施例では、光センサ
装置321 中の比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・
・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;
CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAM
Pm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmnによって出力されたトリガ
信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,S
I2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;S
Im1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは立
ち下がりなどに応じてそれぞれパルス発生回路PLG1 1,PL
G12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,
PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLG
m1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn がトリガパルスPL11,PL
12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・
・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,P
Lmj,・・・,PLmn を発生してナンド回路NAND11,NAND12,・・
・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAND2j,・・・,N
AND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NANDin;・・・;
NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn に与えることを
除き、実質的に第１の実施例と同一の作用効果を有して
いる。ちなみに、パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG
1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;P
LGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・
・,PLGmj,・・・,PLGmn が図１６に示したごとく形成されて
いる場合、パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,
PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PL
Gi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,
・・・,PLGmn では、図１７に示したごとく、比較増幅回路
CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,
・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAM
Pij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CA
MPmn から与えられたトリガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・
・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・
・・,SI ij,・・・,SIin;・・・;SIm1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn
と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;
CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAM
Pi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CA
MPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号SI1jを遅延
回路DLAY11,DLAY12,・・・,DLAY1j,・・・,DLAY1n;DLAY21,DLA
Y22,・・・,DLAY2j,・・・,DLAY2n;・・・;DLAYi1,DLAYi2,・・・,DL
AYij,・・・,DLAYin;・・・;DLAYm1,DLAYm2,・・・,DLAYmj,・・・,D
LAYmn で適宜に遅延せしめた遅延トリガ信号DSI11,DSI
12,・・・,DSI1j,・・・,DSI1n;DSI21,DSI22,・・・,DSI2j,・・・,D
SI2n;・・・;DSIi1,DSIi2,・・・,DSIij,・・・,DSIin;・・・;DS
Im1,DSIm2,・・・,DSImj,・・・,DSImn とが、排他的論理和回
路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR
22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXO
Rij,・・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXORm 2,・・・,EXORmj,・・・,EX
ORmn で処理され、トリガパルスPL11,PL12,・・・,PL1j,・・
・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・・・;PLi1,PLi2,・
・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,PLmj,・・・,PLmn
とされる。 【０１６４】このため、第４の実施例は、第１の実施例
に比べて、感度を改善する目的で光センサすなわち光ダ
イオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,321
22,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・
・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の面
積を拡大し互いに接近せしめても負論理の撮像信号MIX1
*,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * 中でそれぞれ個別撮像信
号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;IID21 *,IID22
*,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IIDi2 *,・・・,IID
ij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,IIDmj *,・・・,II
Dmn * が互いに重なり合うことを回避でき、また走査ス
リット光Ｌ0 の幅が比較的に大きくても同様に負論理の
撮像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * 中でそれぞ
れ個別撮像信号IID11 *,IID12 *,・・・,IID1j *,・・・,IID1n *;
IID21 *,IID22 *,・・・,IID2j *,・・・,IID2n *;・・・;IIDi1 *,IID
i2 *,・・・,IIDij *,・・・,IIDin *;・・・;IIDm1 *,IIDm2 *,・・・,II
Dmj *,・・・,IIDmn * が互いに重なり合うことを回避でき、
ひいては被計測物体20の計測精度を確保ないし改善でき
る。また、第４の実施例は、たとえば、図１５Ａおよび
図１５Ｂに示したごとく基板上に配置できるので、従来
技術に比べて、光センサ装置321 の構造を簡潔化でき、
チップ化を容易とできる。ちなみに、第４の実施例は、
第１の実施例と同様に、撮像装置32をチップ化すればよ
い。 【０１６５】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第１の実施例に包有された要素に対応するその他の
要素に対し、第１の実施例で付された参照符号と同一の
参照符号を付すことにより、その他の詳細な説明を省略
する。 【０１６６】(第５の実施例) 【０１６７】加えてまた、図１，図２，図５Ａないし図
７，図１１，図１６ないし図１９Ｂを参照しつつ、本発
明にかかる物体計測装置の第５の実施例について、その
構成および作用を詳細に説明する。 【０１６８】第５の実施例は、光センサ装置321 に含ま
れた比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP
1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,
CAMPi 2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・
・,CAMPmj,・・・,CAMPmn とスイッチ回路SW11,SW12,・・・,SW
1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;SWi1,S
Wi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,・・・,S
Wmn との間に、それぞれ比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・
・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,C
AMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;
CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられた
トリガ信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・
・,SI2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・
・;SIm1,SIm 2,・・・,SImj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは
立ち下がりなどに応じてパルス (“トリガパルス”とい
う) PL11,PL12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,P
L2j,・・・,PL2n;・・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;P
Lm1,PLm2,・・・,PLmj,・・・,PLmn を発生するためのパルス
発生回路PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG
22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・
・・,PLGin;・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn が挿
入されていることを除き、実質的に第２の実施例と同一
の構成を有している。パルス発生回路PLG11,PLG12,・・・,
PLG1j,・・・,PLG1n;PLG2 1,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,PLG2n;・・
・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLGm 1,PLGm2,
・・・,PLGmj,・・・,PLGmn としては、周知の各種回路を所望
に応じて採用すればよいが、たとえば図１６に示したご
とく一方の入力端が比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CA
MP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP
2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAM
Pm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPm n の出力端に直接接
続された排他的論理和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・
・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;
EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXO
Rm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn と排他的論理和回路EXO
R11,EXOR12,・・・,EXOR1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・
・,EXOR2j,・・・,EXOR2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・
・・,EXORin;・・・;EXORm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn
の他方の入力端と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP
1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;
・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAM
Pm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn の出力端との間に
挿入された遅延回路DLAY11,DLAY12,・・・,DLAY1j,・・・,DLA
Y1n;DLAY21,DLAY22,・・・,DLAY2j,・・・,DLAY2 n;・・・;DLA
Yi1,DLAYi2,・・・,DLAYij,・・・,DLAYin;・・・;DLAYm1,DLA
Ym2,・・・,DLAYmj,・・・,DLAYmn とによって形成すればよ
い。 【０１６９】したがって、第５の実施例では、光センサ
装置321 中の比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・
・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;
CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAM
Pm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmnによって出力されたトリガ
信号SI11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,S
I2j,・・・,SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;S
Im1,SIm2,・・・,SImj,・・・,SImn の立ち上がりもしくは立
ち下がりなどに応じてそれぞれパルス発生回路PLG1 1,PL
G12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,
PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;・・・;PLG
m1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn がトリガパルスPL11,PL
12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,PL2j,・・・,PL2n;・
・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;PLm1,PLm2,・・・,P
Lmj,・・・,PLmn を発生してスイッチ回路SW11,SW12,・・・,S
W1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;SWi1,
SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,・・・,
SWmn に与えることを除き、実質的に第１の実施例と同
一の作用効果を有している。ちなみに、パルス発生回路
PLG11,PLG12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PL
G2j,・・・,PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGin;
・・・;PLGm1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn が図１６に示し
たごとく形成されている場合、パルス発生回路PLG11,PL
G12,・・・,PLG1j,・・・,PLG1n;PLG21,PLG22,・・・,PLG2j,・・・,
PLG2n;・・・;PLGi1,PLGi2,・・・,PLGij,・・・,PLGi n;・・・;PLG
m1,PLGm2,・・・,PLGmj,・・・,PLGmn では、図１７に示した
ごとく、比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,C
AMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMP
i1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,
・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えられたトリガ信号S
I11,SI12,・・・,SI1j,・・・,SI1n;SI21,SI22,・・・,SI2j,・・・,
SI2n;・・・;SIi1,SIi2,・・・,SIij,・・・,SIin;・・・;SIm1,S
Im2,・・・,SImj,・・・,SImn と比較増幅回路CAMP11,CAMP12,
・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・
・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・
・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn から与えら
れたトリガ信号SI1jを遅延回路DLAY11,DLAY12,・・・,DLAY
1j,・・・,DLAY1n;DLAY21,DLAY22,・・・,DLAY2j,・・・,DLAY2 n;
・・・;DLAYi1,DLAYi2,・・・,DLAYij,・・・,DLAYin;・・・;DLA
Ym1,DLAYm2,・・・,DLAYmj,・・・,DLAYmn で適宜に遅延せし
めた遅延トリガ信号DSI11,DSI12,・・・,DSI1j,・・・,DSI1n;
DSI21,DSI22,・・・,DSI2j,・・・,DSI2n;・・・;DSIi1,DSIi2,・・
・,DSIij,・・・,DSIin;・・・;DSIm1,DSIm2,・・・,DSImj,・・・,DS
Imn とが、排他的論理和回路EXOR11,EXOR12,・・・,EXO
R1j,・・・,EXOR1n;EXOR21,EXOR22,・・・,EXOR2j,・・・,EXO
R2n;・・・;EXORi1,EXORi2,・・・,EXORij,・・・,EXORin;・・・;EX
ORm1,EXORm2,・・・,EXORmj,・・・,EXORmn で処理され、トリ
ガパルスPL11,PL12,・・・,PL1j,・・・,PL1n;PL21,PL22,・・・,
PL2j,・・・,PL2 n;・・・;PLi1,PLi2,・・・,PLij,・・・,PLin;・・・;
PLm1,PLm2,・・・,PLmj,・・・,PLmn とされる。 【０１７０】このため、第５の実施例は、第２の実施例
に比べて、感度を改善する目的で光センサすなわち光ダ
イオード32111,32112,・・・,3211j,・・・,3211n;32121,321
22,・・・,3212j,・・・,3212n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・
・・,321in;・・・;321m1,321m2,・・・,321mj,・・・,321mn の面
積を拡大し互いに接近せしめても正論理の撮像信号MI
X1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm 中でそれぞれ個別撮像信号
IID11,IID12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;IID21,IID22,・・・,II
D2j,・・・,IID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・・,IIDij,・・・,IIDin;
・・・;IIDm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,IIDmn が互いに重なり
合うことを回避でき、また走査スリット光Ｌ0 の幅が比
較的に大きくても同様に正論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・
・,MIXi,・・・,MIXm 中でそれぞれ個別撮像信号IID11,IID
12,・・・,IID1j,・・・,IID1n;IID21,IID22,・・・,IID2j,・・・,I
ID2n;・・・;IIDi1,IIDi2,・・・,IIDij,・・・,IIDin;・・・;II
Dm1,IIDm2,・・・,IIDmj,・・・,IIDmn が互いに重なり合うこ
とを回避でき、ひいては被計測物体20の計測精度を確保
ないし改善できる。また、第５の実施例は、たとえば、
図１９Ａおよび図１９Ｂに示したごとく基板上に配置で
きるので、従来技術に比べて、光センサ装置321 の構造
を簡潔化でき、チップ化を容易とできる。ちなみに、第
５の実施例は、第２の実施例と同様に、撮像装置32をチ
ップ化すればよい。 【０１７１】それ故、ここでは、説明を簡潔とする目的
で、第２の実施例ひいては第１の実施例に包有された要
素に対応するその他の要素に対し、第１の実施例ならび
に第２の実施例で付された参照符号と同一の参照符号を
付すことにより、その他の詳細な説明を省略する。 【０１７２】(変形例) 【０１７３】なお、上述の第１および第４の実施例にお
いては、撮像装置32中の光センサ装置321 で負論理の撮
像信号MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * を正論理の撮
像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm に変換する目的で
否定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm が配置されてい
る場合についてのみ説明しているが、本発明は、これに
限定されるものではなく、撮像装置32中の記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m に包有されたデコーダ回路
DECD11,DECD21,・・・,DECDi1,・・・,DECDm1 およびアンド回
路AND1(n+1),AND2(n+1),・・・,ANDi(n+1),・・・,ANDm(n+1)
をそれぞれ負論理入力のデコーダ回路およびアンド回路
と置換しかつ撮像装置32中の光センサ装置321 に含まれ
た否定回路NOT1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm を除去する場
合、あるいは、撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,
323i,・・・,323m に包有されたシフトレジスタSRG1,SRG2,
・・・,SRGi,・・・,SRGm の入力端に否定回路を配置しかつ撮
像装置32中の光センサ装置321 に含まれた否定回路NO
T1,NOT2,・・・,NOTi,・・・,NOTm を除去する場合も、包摂し
ている。 【０１７４】また、上述の第１ないし第５の実施例にお
いては、撮像装置32が平面内にマトリックス状ないしア
レイ状に配列された複数の光センサによって形成されて
いる場合について主として説明したが、本発明は、これ
に限定されるものではなく、所望の曲面内に複数の光セ
ンサを少なくとも１行配列して撮像装置あるいは光セン
サ装置を形成する場合も、包摂している。 【０１７５】更に、上述の第１ないし第５の実施例にお
いては、投光装置10がスリット光を発生しているが、本
発明は、これに限定されるものではなく、たとえば、投
光装置がビーム光を発生して光の強度を確保する場合
も、包摂している。この場合には、撮像装置に含まれた
光センサ装置中の複数の光センサを１行に配列すればよ
い。 【０１７６】加えて、上述の第１および第４の実施例に
おいては、光センサすなわち光ダイオード32111,32112,
・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,321
2n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,3
21m2,・・・,321mj,・・・,321mn とナンド回路NAND11,NAN
D12,・・・,NAND1j,・・・,NAND1n;NAND21,NAND22,・・・,NAN
D2j,・・・,NAND2n;・・・;NANDi1,NANDi2,・・・,NANDij,・・・,NA
NDin;・・・;NANDm1,NANDm2,・・・,NANDmj,・・・,NANDmn との
間に比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAMP1j,・・・,CAMP1
n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAMP2n;・・・;CAMPi1,C
AMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CAMPm1,CAMPm2,・・・,
CAMPmj,・・・,CAMPmn が配設されているが、本発明は、こ
れに限定されるものではなく、光センサすなわち光ダイ
オードの受光感度が十分に高い場合、あるいは光センサ
すなわち光ダイオードに与えられる反射光の光量が十分
に多い場合などには、比較増幅回路を除去して光センサ
すなわち光ダイオードとナンド回路とを互いに直結して
もよく、また比較増幅回路を比較回路もしくは増幅回路
と置換してもよい。 【０１７７】併せて、上述の第２および第５の実施例に
おいては、光センサすなわち光ダイオード32111,32112,
・・・,3211j,・・・,3211n;32121,32122,・・・,3212j,・・・,321
2n;・・・;321i1,321i2,・・・,321ij,・・・,321in;・・・;321m1,3
21m2,・・・,321mj,・・・,321mn とスイッチ回路SW11,SW12,・
・・,SW1j,・・・,SW1n;SW21,SW22,・・・,SW2j,・・・,SW2n;・・・;S
Wi1,SWi2,・・・,SWij,・・・,SWin;・・・;SWm1,SWm2,・・・,SWmj,
・・・,SWmn との間に比較増幅回路CAMP11,CAMP12,・・・,CAM
P1j,・・・,CAMP1n;CAMP21,CAMP22,・・・,CAMP2j,・・・,CAM
P2n;・・・;CAMPi1,CAMPi2,・・・,CAMPij,・・・,CAMPin;・・・;CA
MPm1,CAMPm2,・・・,CAMPmj,・・・,CAMPmn が配設されている
が、本発明は、これに限定されるものではなく、光セン
サすなわち光ダイオードの受光感度が十分に高い場合、
あるいは光センサすなわち光ダイオードに与えられる反
射光の光量が十分に多い場合などには、比較増幅回路を
除去して光センサすなわち光ダイオードとスイッチ回路
とを互いに直結してもよく、また比較増幅回路を比較回
路もしくは増幅回路と置換してもよい。 【０１７８】併せて、また、上述の第１ないし第５の実
施例においては、計測制御装置40の読込信号発生回路42
から与えられた読込信号ADを撮像装置32中の記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m にそれぞれ配置されたデコ
ーダ回路DECDi1,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,DECDm2 によっ
てデコードして得られた個別読込信号AD11,AD12,・・・,AD
1j,・・・,AD1n;AD21,AD22,・・・,AD2j,・・・,AD2n;・・・;ADi1,A
Di2,・・・,ADij,・・・,ADi n;・・・;ADmnに応じて記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m のレジスタREG11,REG12,・・
・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;
・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REG
m2,・・・,REGmj,・・・,REGmn から投光角度データSCN11,SCN
12,・・・,SCN1j,・・・,SCN1n;SCN21,SCN22,・・・,SCN2j,・・・,S
CN2n;・・・;SCNi1,SCNi2,・・・,SCNij,・・・,SCNin;・・・;SC
Nm1,SCNm2,・・・,SCNmj,・・・,SCNmn を読み出す場合につい
て説明したが、本発明は、これに限定されるものではな
く、撮像装置32中の記憶装置3231,3232,・・・,323i,・・・,3
23m からデコーダ回路DECD12,DECD22,・・・,DECDi2,・・・,D
ECDm2 を排除し外部から個別読込信号AD11,AD12,・・・,AD
1j,・・・,AD1n;AD21,AD22,・・・,AD2j,・・・,AD2n;・・・;ADi1,A
Di2,・・・,ADij,・・・,ADin;・・・;ADmnを与えて記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m のレジスタREG11,REG12,・・
・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2j,・・・,REG2n;
・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REG
m2,・・・,REGmj,・・・,REGmn から投光角度データSCN11,SCN
12,・・・,SCN1j,・・・,SCN1n;SCN21,SCN22,・・・,SCN2j,・・・,S
CN2n;・・・;SCNi1,SCNi2,・・・,SCNij,・・・,SCNin;・・・;SC
Nm1,SCNm2,・・・,SCNmj,・・・,SCNmn を読み出す場合など
も、包摂している。すなわち、本発明は、記憶装置32
31,3232,・・・,323i,・・・,323m のレジスタREG11,REG12,・・
・,REG1j,・・・,REG1n;REG21,REG22,・・・,REG2 j,・・・,REG2n;
・・・;REGi1,REGi2,・・・,REGij,・・・,REGin;・・・;REGm1,REG
m2,・・・,REGm j,・・・,REGmn から投光角度データSCN11,SCN
12,・・・,SCN1j,・・・,SCN1n;SCN21,SCN2 2,・・・,SCN2j,・・・,S
CN2n;・・・;SCNi1,SCNi2,・・・,SCNij,・・・,SCNin;・・・;SC
Nm1,SCNm 2,・・・,SCNmj,・・・,SCNmn を読み出す要領に制約
がない。 【０１７９】 【発明の効果】上述より明らかなように、本発明にかか
る物体計測装置は、投光角制御信号SCN に応じ投光装置
によって被計測領域を走査するよう発生された走査光が
被計測領域に存在する被計測物体によって反射されるこ
とにより得られた反射光を受光装置中の結像装置で収束
し被計測物体における走査光の反射点の像を受光装置中
の撮像装置上に結像せしめて検知し被計測物体の形状な
いしは存在位置を計測してなる物体計測装置であって、
［問題点の解決手段］に明示したごとく、特に、撮像装
置が、(a) 識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn を発生し
て出力端から出力し、かつ識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・
・,IDn が１回出力され終わるごとに識別同期信号SYC を
発生して他の出力端から出力するための識別信号発生装
置と、(b) 識別信号発生装置の出力端に対して識別信号
入力端が接続されており、結像装置によって結像された
被計測物体における走査光の反射点の像と識別信号発生
装置から与えられた識別信号ID1,ID2,・・・,IDj,・・・,IDn
とに応じて正論理もしくは負論理の撮像信号MIX1,MIX2,
・・・,MIXi,・・・,MIXm;MIX1 *,MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm *
を発生し出力端から出力するための光センサ装置と、
(c) 光センサ装置の出力端に第１の入力端が接続されか
つ第２の入力端が識別信号発生装置の他の出力端に接続
されかつ第３の入力端が投光角制御信号供給源に接続さ
れており、光センサ装置から与えられた正論理もしくは
負論理の撮像信号MIX1,MIX2,・・・,MIXi,・・・,MIXm;MIX1 *,
MIX2 *,・・・,MIXi *,・・・,MIXm * と識別信号発生装置から与
えられた識別同期信号SYC とに基づいて投光角制御信号
供給源から与えられた投光角制御信号SCN の内容を結像
装置によって結像された被計測物体における走査光の反
射点に対応する投光角度データとして保持するための記
憶装置とを備えているので、 (i) 光センサ装置中の光センサの個数に対し記憶装置
の個数を削減できる効果 を有し、ひいては (ii) 光センサ装置のチップ化ないし小型化を達成でき
る効果 を有し、また (iii) 被計測物体の形状ないしは存在位置の計測を高
精度化可能とできる効果 を有する。 【０１８０】 【０１８１】 【０１８２】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明にかかる物体計測装置の第１ないし第５
の実施例を共通に示すための斜視図である。 【図２】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部を
拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図３Ａ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図３Ｂ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図４Ａ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図４Ｂ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図５Ａ】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部
を拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図５Ｂ】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部
を拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図６】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部を
拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図７】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部を
拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図８】図１に示した第１および第４の実施例の動作を
共通に説明するためのタイムチャート図である。 【図９Ａ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図９Ｂ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図１０Ａ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１０Ｂ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１１】図１に示した第２および第３の実施例の動作
を共通に説明するためのタイムチャート図である。 【図１２Ａ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１２Ｂ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１３Ａ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１３Ｂ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１４Ａ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１４Ｂ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１５Ａ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１５Ｂ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１６】図１に示した第４および第５の実施例の一部
を拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図１７】図１に示した第４および第５の実施例の動作
の一部を共通に説明するためのタイムチャート図であ
る。 【図１８Ａ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１８Ｂ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１９Ａ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１９Ｂ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分 【符号の説明】10・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 投光装置 12・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・スリット光発生装置 121 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光源 122 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・円筒レンズ 14・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・走査装置 141 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ミラー 142 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・回転駆動装置20・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 被計測物体30・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 受光装置 31・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・結像装置 32・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・撮像装置 321 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光センサ装置 32111 〜321mn・・・・・・・・・・・・光ダイオード CAMP11〜CAMPmn・・・・・・・・・・・・比較増幅回路 NAND11〜NANDmn・・・・・・・・・・・・ナンド回路 OR1 〜ORm・・・・・・・・・・・・・・・・論理和回路 W-OR1 〜W-ORm・・・・・・・・・・・・出力結合論理和回路 WR1 〜WRm・・・・・・・・・・・・・・・・接続線 Ｒ1 〜Ｒm・・・・・・・・・・・・・・・・電気抵抗 NOT1〜NOTm・・・・・・・・・・・・・・・・否定回路 PLG11 〜PLGmn・・・・・・・・・・・・パルス発生回路 EXOR11〜EXORmn・・・・・・・・・・・・排他的論理和回路 DLAY11〜DLAYmn・・・・・・・・・・・・遅延回路 SW11〜SWmn・・・・・・・・・・・・・・・・スイッチ回路 PSW11 〜PSWmn・・・・・・・・・・・・光スイッチ回路 322 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・識別信号発生装置 SREG1 〜SREGn・・・・・・・・・・・・シフトレジスタ FF11〜FFnk・・・・・・・・・・・・・・フリップフロップ AND ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・アンド回路 3231〜323m・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置 REGi1 〜REGin・・・・・・・・・・・・レジスタ ANDi1 〜ANDi(n+1)・・・・・・・・アンド回路 DECDi1,DECDi2・・・・・・・・・・・・デコーダ回路 SRGi・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シフトレジスタ MFFi1 〜MFFi(k+1)・・・・・・・・フリップフロップ40・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 計測制御装置 41・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・投光角制御信号発生回
路 42・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・読込信号発生回路 43・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置 44・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・演算装置 45・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置 46・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・表示装置 47・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記録装置
の実施例を共通に示すための斜視図である。 【図２】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部を
拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図３Ａ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図３Ｂ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図４Ａ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図４Ｂ】図１に示した第１の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図５Ａ】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部
を拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図５Ｂ】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部
を拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図６】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部を
拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図７】図１に示した第１ないし第５の実施例の一部を
拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図８】図１に示した第１および第４の実施例の動作を
共通に説明するためのタイムチャート図である。 【図９Ａ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図９Ｂ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大して
示すための拡大部分回路図である。 【図１０Ａ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１０Ｂ】図１に示した第２の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１１】図１に示した第２および第３の実施例の動作
を共通に説明するためのタイムチャート図である。 【図１２Ａ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１２Ｂ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１３Ａ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１３Ｂ】図１に示した第３の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１４Ａ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１４Ｂ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１５Ａ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１５Ｂ】図１に示した第４の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１６】図１に示した第４および第５の実施例の一部
を拡大して共通に示すための拡大部分回路図である。 【図１７】図１に示した第４および第５の実施例の動作
の一部を共通に説明するためのタイムチャート図であ
る。 【図１８Ａ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１８Ｂ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１９Ａ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分回路図である。 【図１９Ｂ】図１に示した第５の実施例の一部を拡大し
て示すための拡大部分 【符号の説明】10・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 投光装置 12・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・スリット光発生装置 121 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光源 122 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・円筒レンズ 14・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・走査装置 141 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ミラー 142 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・回転駆動装置20・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 被計測物体30・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 受光装置 31・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・結像装置 32・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・撮像装置 321 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・光センサ装置 32111 〜321mn・・・・・・・・・・・・光ダイオード CAMP11〜CAMPmn・・・・・・・・・・・・比較増幅回路 NAND11〜NANDmn・・・・・・・・・・・・ナンド回路 OR1 〜ORm・・・・・・・・・・・・・・・・論理和回路 W-OR1 〜W-ORm・・・・・・・・・・・・出力結合論理和回路 WR1 〜WRm・・・・・・・・・・・・・・・・接続線 Ｒ1 〜Ｒm・・・・・・・・・・・・・・・・電気抵抗 NOT1〜NOTm・・・・・・・・・・・・・・・・否定回路 PLG11 〜PLGmn・・・・・・・・・・・・パルス発生回路 EXOR11〜EXORmn・・・・・・・・・・・・排他的論理和回路 DLAY11〜DLAYmn・・・・・・・・・・・・遅延回路 SW11〜SWmn・・・・・・・・・・・・・・・・スイッチ回路 PSW11 〜PSWmn・・・・・・・・・・・・光スイッチ回路 322 ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・識別信号発生装置 SREG1 〜SREGn・・・・・・・・・・・・シフトレジスタ FF11〜FFnk・・・・・・・・・・・・・・フリップフロップ AND ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・アンド回路 3231〜323m・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置 REGi1 〜REGin・・・・・・・・・・・・レジスタ ANDi1 〜ANDi(n+1)・・・・・・・・アンド回路 DECDi1,DECDi2・・・・・・・・・・・・デコーダ回路 SRGi・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・シフトレジスタ MFFi1 〜MFFi(k+1)・・・・・・・・フリップフロップ40・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 計測制御装置 41・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・投光角制御信号発生回
路 42・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・読込信号発生回路 43・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置 44・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・演算装置 45・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記憶装置 46・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・表示装置 47・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・記録装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G01B 11/00 - 11/30
H04N 5/30 - 5/335
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 被計測物体に対して投光角を制御しなが
ら走査光を走査し、前記被計測物体で反射された反射光
を結像装置で光学的に収束せしめて、撮像装置の撮像面
にマトリックス状に配列形成された光センサ上に結像さ
せ、その結像された光によって当該光センサから出力さ
れる信号に基づいて、前記被計測物体の形状または存在
位置を計測する物体計測装置であって、 前記撮像装置は、撮像面にマトリックス状に配列形成さ
れ、そのマトリックスの行方向に前記反射光が走査され
て行き、その反射光の受光に応じて撮像信号を出力する
ように設定された光センサと、その光センサの各列ごと
を識別するための識別信号をその光センサの各列ごとに
供給する識別信号発生装置と、前記光センサの各々に対
して１対１に対応するように設けられて、前記光センサ
から前記撮像信号が出力されると、そのときその光セン
サの列の識別信号を前記撮像信号に付与して各々出力す
るように前記光センサおよび前記識別信号発生装置に接
続されたＮＡＮＤ（ナンド）回路と、前記ＮＡＮＤ回路
の各行ごとに配設され、それら各行ごとの複数のＮＡＮ
Ｄ回路の出力端をＷＩＲＥＤ−ＯＲ（ワイヤードオア）
として各行ごとに接続する列配線とを備えており、 かつ、前記列配線から前記識別信号を付与してなる撮像
信号が出力されると、そのときの撮像信号に対応した前
記走査光の投光角に関する信号をその撮像信号に付与し
て記憶する記憶装置を備えて、 前記各行ごとに、前記行方向に走査される反射光を受光
した光センサがそれに対応して撮像信号を出力すると、
その光センサがどの列のものであるかを識別するための
識別信号と、そのときの走査光の投光角に関する信号と
を、そのとき出力された撮像信号に対してリアルタイム
に逐一付与して記憶するようにしたことを特徴とする物
体計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29374192A JP3420782B2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 物体計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29374192A JP3420782B2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 物体計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06117829A JPH06117829A (ja) | 1994-04-28 |
| JP3420782B2 true JP3420782B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=17798644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29374192A Expired - Fee Related JP3420782B2 (ja) | 1992-10-07 | 1992-10-07 | 物体計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3420782B2 (ja) |
-
1992
- 1992-10-07 JP JP29374192A patent/JP3420782B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06117829A (ja) | 1994-04-28 |
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