JP3418268B2 - Semiconductor laser controller - Google Patents

Semiconductor laser controller

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JP3418268B2
JP3418268B2 JP02923095A JP2923095A JP3418268B2 JP 3418268 B2 JP3418268 B2 JP 3418268B2 JP 02923095 A JP02923095 A JP 02923095A JP 2923095 A JP2923095 A JP 2923095A JP 3418268 B2 JP3418268 B2 JP 3418268B2
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Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、レーザプリンタ、デジ
タル複写機、光ディスク装置、光通信装置等の分野で利
用される半導体レーザ制御装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser control device used in the fields of laser printers, digital copying machines, optical disk devices, optical communication devices and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から知られている半導体レーザは極
めて小型であり、駆動電流により高速に直接変調を行う
ことができることから、近年、レーザプリンタ等の光源
として広く使用されている。しかし、半導体レーザの駆
動電流と光出力との関係は温度により著しく変化するた
め、半導体レーザの光強度を所望の値に設定しようとす
る場合に問題となる。このため、従来においては、AP
C(Automatic PowerControl)回路を用いてそのよ
うな問題点を解決している。APC回路は、次の3つの
方式〜に分類できる。
2. Description of the Related Art Conventionally known semiconductor lasers are extremely small in size and can be directly modulated at high speed by a driving current, and thus have been widely used in recent years as light sources for laser printers and the like. However, the relationship between the drive current of the semiconductor laser and the light output changes significantly depending on the temperature, which is a problem when trying to set the light intensity of the semiconductor laser to a desired value. Therefore, in the past, AP
Such a problem is solved by using a C (Automatic Power Control) circuit. APC circuits can be classified into the following three types.

【0003】 半導体レーザの光出力を受光素子によ
りモニタし、その受光素子に発生する半導体レーザの光
出力に比例する受光電流に比例する信号と、発光レベル
指令信号とが等しくなるように、常時半導体レーザの順
方向電流を制御する光電気負帰還ループによって、半導
体レーザの光出力を所望の値に制御する方式。
The light output of the semiconductor laser is monitored by a light receiving element, and a signal proportional to the light receiving current proportional to the light output of the semiconductor laser generated in the light receiving element and the light emission level command signal are always equal to each other so that the light emitting level command signal becomes equal. A method of controlling the optical output of a semiconductor laser to a desired value by an optoelectric negative feedback loop that controls the forward current of the laser.

【0004】 パワー設定期間内には半導体レーザの
光出力を受光素子によりモニタし、その受光素子に発生
する受光電流(半導体レーザの光出力に比例する)に比
例する信号と、発光レベル指令信号とが等しくなるよう
に半導体レーザの順方向電流を制御し、一方、パワー設
定期間外にはパワー設定期間で設定した半導体レーザの
順方向電流の値を保持することによって半導体レーザの
光出力を所望の値に制御すると共に、パワー設定期間で
設定した半導体レーザの順方向電流を情報に基づいて変
調することによって半導体レーザの光出力に情報を載せ
る方式。
During the power setting period, the light output of the semiconductor laser is monitored by the light receiving element, and the signal proportional to the light receiving current (proportional to the light output of the semiconductor laser) generated in the light receiving element and the light emission level command signal The forward current of the semiconductor laser is controlled to be equal to each other, while the value of the forward current of the semiconductor laser set in the power setting period is held outside the power setting period to obtain a desired optical output of the semiconductor laser. A method of placing information on the optical output of the semiconductor laser by controlling the value to the value and modulating the forward current of the semiconductor laser set during the power setting period based on the information.

【0005】 半導体レーザの温度を測定し、その測
定した温度信号によって半導体レーザの順方向電流を制
御したり、又は、半導体レーザの温度を一定とするよう
に制御したりして半導体レーザの光出力を所望の値に制
御する方式。
The optical output of the semiconductor laser is measured by measuring the temperature of the semiconductor laser and controlling the forward current of the semiconductor laser or controlling the temperature of the semiconductor laser to be constant according to the measured temperature signal. The method of controlling to a desired value.

【0006】半導体レーザの光出力を所望の値とするた
めには、の方式が望ましいが、受光素子の動作速度、
光電気負帰還ループを構成している増幅素子の動作速度
等の限界により制御速度に限界がある。例えば、制御速
度の目安として、光電気負帰還ループでの交差周波数を
考慮した場合、交差周波数をf0 としたとき、半導体レ
ーザの光出力のステップ応答特性は、次式のように近似
することができる。
In order to set the light output of the semiconductor laser to a desired value, the method is desirable, but the operating speed of the light receiving element,
There is a limit to the control speed due to the limit of the operating speed of the amplification element that constitutes the optoelectronic negative feedback loop. For example, when the crossover frequency in the photoelectric negative feedback loop is taken into consideration as a measure of the control speed, the step response characteristic of the optical output of the semiconductor laser should be approximated by the following equation when the crossover frequency is f 0. You can

【0007】 Pout =P0{1−exp(−2πf0t)} Pout :半導体レーザの光出力 P0 :半導体レーザの設定された光強度 t :時間 この場合、半導体レーザの光出力を変化させた直後か
ら、設定された時間τ0が経過するまでの全光量(光出
力の積分値∫Pout )が所定の値となることが必要とさ
れ、 ∫Pout=P0・t0{1−〔1−exp(−2πf0τ0)〕/2πf0τ0} のような式となる。仮に、τ0 =50nS、誤差の許容
範囲を0.4%とした場合、f0 >800MHzとしな
ければならず、極めて困難である。
Pout = P 0 {1-exp (−2πf 0 t)} Pout: Light output of semiconductor laser P 0 : Set light intensity of semiconductor laser t: Time In this case, the light output of the semiconductor laser is changed. It is necessary that the total amount of light (integral value of light output ∫Pout) from the time immediately after the time lapse to the set time τ 0 becomes a predetermined value, ∫Pout = P 0 · t 0 {1- [ The expression is 1-exp (-2πf 0 τ 0 )] / 2πf 0 τ 0 }. If τ 0 = 50 nS and the allowable error range is 0.4%, f 0 > 800 MHz must be set, which is extremely difficult.

【0008】また、の方式は、のような問題は発生
せず、半導体レーザを高速に変調することが可能である
ため、多く使用されている。しかしながら、半導体レー
ザの光出力を常時制御しているわけではないため、外乱
等により容易に半導体レーザの光量変動を生じる。外乱
としては、例えば、半導体レーザのドゥループ特性があ
り、この特性によってレーザ光量は容易に数%程度の誤
差が生じてしまう。
The method (2) is widely used because it does not cause such a problem and can modulate the semiconductor laser at high speed. However, since the light output of the semiconductor laser is not always controlled, fluctuations in the light amount of the semiconductor laser easily occur due to disturbance or the like. As the disturbance, for example, there is a droop characteristic of a semiconductor laser, and this characteristic easily causes an error of about several percent in the laser light amount.

【0009】このようなドゥループ特性を抑制する試み
として、半導体レーザの熱時定数に半導体レーザ駆動電
流の周波数特性を合わせて補償する方式(例えばの方
式)が提案されているが、半導体レーザの熱時定数は各
半導体レーザ毎に個別にバラツキがあり、半導体レーザ
の周囲環境によって異なるなどの問題がある。また、こ
の他に、半導体レーザの戻り光の影響による光量変動な
どの問題もある。
As an attempt to suppress such a droop characteristic, there has been proposed a method (for example, a method) in which the frequency characteristic of the semiconductor laser drive current is matched with the thermal time constant of the semiconductor laser to compensate. The time constant has individual variations for each semiconductor laser, and there is a problem that it varies depending on the surrounding environment of the semiconductor laser. In addition to this, there is a problem such as a change in the light amount due to the influence of the return light of the semiconductor laser.

【0010】このような問題点を解決するための手段と
して、本出願人により、例えば、特開平2−20508
6号公報や、特願平6−103805号として提案され
ているものがある。まず、特開平2−205086号公
報の例では、半導体レーザの光出力を受光素子によりモ
ニタし、その光出力と発光レベル指令信号とが等しくな
るように、常時半導体レーザの順方向電流を制御する光
電気負帰還ループと、発光レベル指令信号を半導体レー
ザの順方向電流に変換する変換手段とを有し、光電気負
帰還ループの制御電流と変換手段により生成された電流
の和又は差の電流によって半導体レーザの光出力を制御
するものである。この場合、変換手段によって光電気負
帰還ループの制御電流の制御量を低減させ、半導体レー
ザの高速変調を可能としている。
As a means for solving such a problem, the present applicant has disclosed, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 20508/1990.
There are those disclosed in Japanese Patent No. 6 and Japanese Patent Application No. 6-103805. First, in the example of Japanese Patent Laid-Open No. 2-205086, the light output of the semiconductor laser is monitored by a light receiving element, and the forward current of the semiconductor laser is constantly controlled so that the light output and the light emission level command signal become equal. An optoelectronic negative feedback loop and a conversion means for converting a light emission level command signal into a forward current of a semiconductor laser, and a sum or difference current of a control current of the optoelectronic negative feedback loop and a current generated by the conversion means. The optical output of the semiconductor laser is controlled by. In this case, the conversion means reduces the control amount of the control current of the optoelectronic negative feedback loop to enable high-speed modulation of the semiconductor laser.

【0011】また、特願平6−103805号の例で
は、半導体レーザの光出力の一部を受光部によりモニタ
してその光出力の光強度に比例するモニタ信号を求め、
このモニタ信号と発光指令信号とが等しくなるように半
導体レーザの順方向電流を制御する半導体レーザ制御装
置において、モニタ信号と発光指令信号との差電流を増
幅する誤差増幅器と、発光指令信号に比例した電流を出
力する電流駆動部と、誤差増幅器の出力と前記電流駆動
部の出力とを加算した信号を増幅する電流増幅器とを備
え、電流増幅器の出力電流により半導体レーザの前記順
方向電流を制御するようにした半導体レーザ制御装置に
関するものである。この場合、出力部の電流増幅器を共
通化することによって、IC化の際の低消費電流化、チ
ップサイズの低減化を可能とし、高速な制御を可能とし
ている。
Further, in the example of Japanese Patent Application No. 6-103805, a part of the light output of the semiconductor laser is monitored by the light receiving section to obtain a monitor signal proportional to the light intensity of the light output,
In a semiconductor laser control device that controls the forward current of a semiconductor laser so that the monitor signal and the light emission command signal are equal, an error amplifier that amplifies the difference current between the monitor signal and the light emission command signal, and a proportional to the light emission command signal And a current amplifier that amplifies a signal obtained by adding the output of the error amplifier and the output of the current driver. The forward current of the semiconductor laser is controlled by the output current of the current amplifier. The present invention relates to a semiconductor laser control device configured to do so. In this case, by using a common current amplifier in the output section, it is possible to reduce the current consumption and the chip size when making an IC, and to enable high-speed control.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】図16は、従来の半導
体レーザ制御装置の一例を示す。この制御装置は、発光
指令信号Isig とモニタ信号Imとの差電流を増幅する
誤差増幅器1と、発光指令信号Isig に比例した電流を
出力する電流駆動部3と、誤差増幅器1の出力と電流駆
動部3の出力とを加算した信号(a点、トランジスタQ
1のベース)を増幅する電流増幅器2とから構成されて
いる。今、発光指令信号Isig とモニタ信号Imとの差
電流(Isig −Im)はキャパシタンスCfで充放電さ
れ、電圧Viが発生する。このViが誤差増幅器1によ
り増幅され、トランジスタQ5のベースに印加される。
このベースへの印加により、トランジスタQ5のコレク
タには出力信号ΔV3 (=AVi、A:電圧増幅率)を
得る。また、トランジスタQ6のベースへV4 を印加す
ることにより、抵抗R5の端子間に電圧変化ΔV2 (=
−R5・Isig )を発生させる。
FIG. 16 shows an example of a conventional semiconductor laser control device. This control device includes an error amplifier 1 for amplifying a difference current between a light emission command signal Isig and a monitor signal Im, a current driver 3 for outputting a current proportional to the light emission command signal Isig, an output of the error amplifier 1 and a current drive. The signal obtained by adding the output of section 3 (point a, transistor Q
1 base) and a current amplifier 2 for amplifying the base. Now, the difference current (Isig-Im) between the light emission command signal Isig and the monitor signal Im is charged and discharged by the capacitance Cf, and the voltage Vi is generated. This Vi is amplified by the error amplifier 1 and applied to the base of the transistor Q5.
By applying this to the base, an output signal ΔV 3 (= AVi, A: voltage amplification factor) is obtained at the collector of the transistor Q5. Further, by applying V 4 to the base of the transistor Q6, the voltage change ΔV 2 (=
-R5 · Isig) is generated.

【0013】図17は、a点を基準とした交流等価回路
を示す(なお、a点、c点、R1、C1は図16と一致
する)。ここで、c点にで印加される電圧信号をV1
すると、a点での電圧V0 は、 V0 =V1 ・Z0/(Z0+Z1) となる。Z0/(Z0+Z1)の項は、低周波域ではR
0/(R0+R1)、高周波域ではC1/(C0+C
1)と近似することができる。この場合、R0/(R0
+R1)≠C1/(C0+C1)となると、V1 に矩形
波を加えても、V0は完全な矩形波とはならない。例え
ば、R0/(R0+R1)>C1/(C0+C1)の場
合は、V0 は図18のような波形となり、所望とする矩
形波4との差分Δ(ハッチング領域)は、 Δ=(1/K)・exp(−t/τ0)・V1 …(1) 1/K=R0/(R0+R1)−C1/(C0+C1) τ0 :時定数 t :時間 となる。この場合、1/Kが増大すると、立上り時(t
=0)の電圧差分(1/K)V1 は増大し、所望とする
矩形波4が得られなくなる。この図18のような波形が
図16のa点に印加されると、トランジスタQ1の動作
に遅れが生じて誤動作を生じたり、安定した動作が行え
なくなり、装置の信頼性に問題が生じる。
FIG. 17 shows an AC equivalent circuit based on the point a (note that points a, c, R1 and C1 correspond to those in FIG. 16). Here, assuming that the voltage signal applied at the point c is V 1 , the voltage V 0 at the point a is V 0 = V 1 · Z0 / (Z0 + Z1). The term Z0 / (Z0 + Z1) is R in the low frequency range.
0 / (R0 + R1), C1 / (C0 + C in high frequency range
It can be approximated to 1). In this case, R0 / (R0
When + R1) ≠ C1 / (C0 + C1), V 0 does not become a perfect rectangular wave even if a rectangular wave is added to V 1 . For example, in the case of R0 / (R0 + R1)> C1 / (C0 + C1), V 0 becomes a waveform as shown in FIG. 18, the difference between the square wave 4 to the desired delta (hatched ring region), delta = (1 / K) · exp (−t / τ 0 ) · V 1 (1) 1 / K = R0 / (R0 + R1) −C1 / (C0 + C1) τ 0 : time constant t: time. In this case, when 1 / K increases, at the time of rising (t
The voltage difference (1 / K) V 1 of (= 0) increases, and the desired rectangular wave 4 cannot be obtained. When the waveform as shown in FIG. 18 is applied to the point a in FIG. 16, the operation of the transistor Q1 is delayed and malfunction occurs, or stable operation cannot be performed, which causes a problem in the reliability of the device.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項1ないし8記載の
発明では、モニタ信号と発光指令信号との差電流を増幅
する誤差増幅器と、発光指令信号に比例した電流を出力
する電流駆動部と、この電流駆動部の出力信号の前記発
光指令信号に比例した値からの差分信号を発生させる補
償器と、誤差増幅器の出力と電流駆動部の出力と補償器
の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を得る電流
増幅器とを備え、電流増幅器の出力電流により半導体レ
ーザの順方向電流を制御するようにしたという基本構成
を具備する。
Means for Solving the Problems] In the invention of claims 1 to 8, wherein the error amplifier for amplifying the difference current between the monitor signal and the light emission command signal, and a current drive unit that outputs a current proportional to the light emission command signal , A compensator for generating a differential signal from a value proportional to the light emission command signal of the output signal of the current driver, and amplifying a signal obtained by adding the output of the error amplifier, the output of the current driver and the output of the compensator basic structure that to a current amplifier to obtain an output current and the output current of the current amplifier to control a forward current of the semiconductor laser
It is equipped with.

【0015】請求項記載の発明では、上記基本構成
おいて、発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電
流を変化させる第一のトランジスタと、発光指令信号に
比例した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によ
りエミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、第
一のトランジスタのコレクタに接続された第一の抵抗
と、第一の抵抗にベースが接続された第三のトランジス
タと、この第三のトランジスタのエミッタに一端が接続
された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に接続され
た第一のキャパシタンスと、第二のトランジスタのコレ
クタに一端が接続された第三の抵抗と、この第三の抵抗
の他端に接続された第四の抵抗とを有する電圧変換手段
を設け、誤差増幅器の出力を電圧変換手段の第二の抵抗
及び第一のキャパシタンスに流れる電流に変換する第一
の電流変換手段を設け、補償器は、第三の抵抗と第四の
抵抗とにベースが接続されたベースが接続された第四の
トランジスタと、この第四のトランジスタのエミッタに
一端が接続された第二のキャパシタンスと、この第二の
キャパシタンスの他端に接続された第五の抵抗と、この
第五の抵抗の端子間電圧を電圧変換手段の第二の抵抗及
び第一のキャパシタンスに流れる電流に変換する第二の
電流変換手段とを有し、電流増幅器の入力側に、電圧変
換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタンスと、第一
の電流変換手段の出力側と、第二の電流変換手段の出力
側とを接続した請求項記載の発明では、上記基本構
において、発光指令信号に比例した電流によりエミッ
タ電流を変化させる第一のトランジスタと、発光指令信
号に比例した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流
によりエミッタ電流を変化させる第二のトランジスタ
と、第一のトランジスタのコレクタに接続された第一の
抵抗と、第一の抵抗にベースが接続された第三のトラン
ジスタと、この第三のトランジスタのエミッタに一端が
接続された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に接続
された第一のキャパシタンスと、第一のトランジスタの
エミッタにベースが接続された第四のトランジスタと、
第二のトランジスタのエミッタにベースが接続された第
五のトランジスタと、第四のトランジスタのエミッタと
第五のトランジスタのエミッタとに接続された定電流源
と、第四のトランジスタのコレクタに接続された第三の
抵抗とを有する電圧変換手段を設け、誤差増幅器の出力
を電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタンス
に流れる電流に変換する第一の電流変換手段を設け、補
償器は、第三の抵抗に一端が接続された第二のキャパシ
タンスと、この第二のキャパシタンスの他端に接続され
た第四の抵抗と、この第四の抵抗の端子間電圧を電圧変
換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタンスに流れる
電流に変換する第二の電流変換手段とを有し、電流増幅
器の入力側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキ
ャパシタンスと、第一の電流変換手段の出力側と、第二
の電流変換手段の出力側とを接続した。
According to the first aspect of the invention, in the above basic structure , the first transistor for changing the emitter current by the current proportional to the light emission command signal and the current proportional to the light emission command signal are the same. A second transistor having a current value and changing the emitter current by a current having a different sign, a first resistor connected to the collector of the first transistor, and a third transistor having a base connected to the first resistor. And a second resistor whose one end is connected to the emitter of the third transistor, a first capacitance which is connected in parallel with the second resistor, and one end of which is connected to the collector of the second transistor. A voltage conversion means having a third resistance and a fourth resistance connected to the other end of the third resistance is provided, and the output of the error amplifier is connected to the second resistance and the first capacitor of the voltage conversion means. A first current conversion means for converting into a current flowing in the shunt is provided, and the compensator includes a fourth transistor having a base connected to the third resistance and a fourth resistance, and a fourth transistor connected to the base. A second capacitance whose one end is connected to the emitter of the transistor, a fifth resistor connected to the other end of the second capacitance, and a voltage between terminals of the fifth resistor, And a second current conversion means for converting into a current flowing through the resistance and the first capacitance, and the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means and the first current on the input side of the current amplifier. The output side of the conversion means and the output side of the second current conversion means were connected . In the invention according to claim 2 , in the above basic structure
In the composition , a first transistor that changes the emitter current by a current proportional to the light emission command signal, and a second transistor that changes the emitter current by a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal but a different sign , A first resistor connected to the collector of the first transistor, a third transistor whose base is connected to the first resistor, and a second resistor whose one end is connected to the emitter of this third transistor And a first capacitance connected in parallel with the second resistor, and a fourth transistor whose base is connected to the emitter of the first transistor,
A fifth transistor whose base is connected to the emitter of the second transistor, a constant current source connected to the emitters of the fourth transistor and the fifth transistor, and a collector of the fourth transistor And a first current conversion means for converting the output of the error amplifier into a current flowing through the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means. , A second capacitance whose one end is connected to the third resistor, a fourth resistor connected to the other end of the second capacitance, and a voltage between terminals of the fourth resistor, A second resistance and a second capacitance of the voltage conversion means on the input side of the current amplifier, and a second current conversion means for converting into a current flowing through the second resistance and the first capacitance. An output side of one current converting means, and connects the output side of the second current converter.

【0016】請求項記載の発明では、請求項記載の
発明において、定電流源の電流値を変化させる定電流源
電流可変手段を設けた。
According to a third aspect of the invention, in the second aspect of the invention, the constant current source current varying means for changing the current value of the constant current source is provided.

【0017】請求項記載の発明では、上記基本構成
おいて、発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電
流を変化させる第一のトランジスタと、発光指令信号に
比例した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によ
りエミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、第
一のトランジスタのコレクタに接続された第一の抵抗
と、第一の抵抗にベースが接続された第三のトランジス
タと、この第三のトランジスタのエミッタに一端が接続
された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に接続され
た第一のキャパシタンスと、前記第二のトランジスタの
コレクタに一端が接続された第三の抵抗と、この第三の
抵抗の他端に接続された第四の抵抗とを有する電圧変換
手段を設け、誤差増幅器の出力を電圧変換手段の第二の
抵抗及び第一のキャパシタンスに流れる電流に変換する
第一の電流変換手段を設け、補償器は、第三の抵抗と第
四の抵抗とにベースが接続された第四のトランジスタ
と、この第四のトランジスタのエミッタに一端が接続さ
れた第二のキャパシタンスと、この第二のキャパシタン
スの他端に接続された第五の抵抗と、この第五の抵抗に
ベースが接続された第五のトランジスタと、この第五の
トランジスタのエミッタに接続された第六の抵抗と、第
五のトランジスタのコレクタに接続されこのコレクタ電
流のオフセット電流値に等しい電流を流す電流源とを有
し、電流増幅器の入力側に、電圧変換手段の第二の抵抗
及び第一のキャパシタンスと、第一の電流変換手段の出
力側と、第五のトランジスタのコレクタとを接続した。
According to a fourth aspect of the present invention, in the above basic configuration , the first transistor for changing the emitter current by the current proportional to the light emission command signal and the current proportional to the light emission command signal are the same. A second transistor having a current value and changing the emitter current by a current having a different sign, a first resistor connected to the collector of the first transistor, and a third transistor having a base connected to the first resistor. A second resistor having one end connected to the emitter of the third transistor, a first capacitance connected in parallel with the second resistor, and one end connected to the collector of the second transistor. The voltage conversion means having the third resistance and the fourth resistance connected to the other end of the third resistance is provided, and the output of the error amplifier is connected to the second resistance and the first resistance of the voltage conversion means. A first current converting means for converting into a current flowing through the capacitor, and the compensator includes a fourth transistor whose base is connected to the third resistance and the fourth resistance, and an emitter of the fourth transistor. A second capacitance having one end connected to it, a fifth resistor connected to the other end of the second capacitance, a fifth transistor having a base connected to the fifth resistor, and a fifth resistor It has a sixth resistor connected to the emitter of the transistor and a current source connected to the collector of the fifth transistor and flowing a current equal to the offset current value of the collector current. The second resistance and the first capacitance of the means, the output side of the first current conversion means and the collector of the fifth transistor were connected.

【0018】請求項記載の発明では、上記基本構成
おいて、発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電
流を変化させる第一のトランジスタと、発光指令信号に
比例した電流を定数倍する電流可変手段と、この電流可
変手段の出力電流によりエミッタ電流を変化させる第二
のトランジスタと、第一のトランジスタのコレクタに接
続された第一の抵抗と、第一の抵抗にベースが接続され
た第三のトランジスタと、この第三のトランジスタのエ
ミッタに一端が接続された第二の抵抗と、この第二の抵
抗と並列に接続された第一のキャパシタンスと、第二の
トランジスタのコレクタに接続された第三の抵抗とを有
する電圧変換手段を設け、誤差増幅器の出力を電圧変換
手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタンスに流れる電
流に変換する第一の電流変換手段を設け、補償器は、第
三の抵抗に一端が接続された第二のキャパシタンスと、
温度に比例した電流を流す第一の電流源と、この第一の
電流源にコレクタとベースが接続された第四のトランジ
スタと、この第四のトランジスタのエミッタに接続され
た第四の抵抗と、第四のトランジスタのベースにベース
が接続された第五のトランジスタと、この第五のトラン
ジスタのエミッタに接続された第五の抵抗と、第五のト
ランジスタのコレクタと第二のキャパシタンスの他端と
にエミッタが接続された第六のトランジスタと、この第
六のトランジスタのコレクタに接続され第一の電流源の
電流値に等しい電流を流す第二の電流源とを有し、電流
増幅器の入力側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び第一
のキャパシタンスと、第一の電流変換手段の出力側と、
第六のトランジスタのコレクタとを接続した。
According to a fifth aspect of the present invention, in the above basic structure , a first transistor for changing the emitter current by a current proportional to the light emission command signal and a constant current proportional to the light emission command signal. Current variable means for multiplying, a second transistor for changing the emitter current by the output current of the current variable means, a first resistor connected to the collector of the first transistor, and a base connected to the first resistor A third transistor, a second resistor whose one end is connected to the emitter of the third transistor, a first capacitance connected in parallel with the second resistor, and a collector of the second transistor. A voltage conversion means having a third resistance connected to the voltage conversion means, and converting the output of the error amplifier into a current flowing through the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means. Provided one of the current converting means, compensator, a second capacitance having one end to the third resistor is connected,
A first current source for flowing a current proportional to temperature, a fourth transistor having a collector and a base connected to the first current source, and a fourth resistor connected to the emitter of the fourth transistor. A fifth transistor whose base is connected to the base of the fourth transistor, a fifth resistor connected to the emitter of this fifth transistor, and the other end of the collector and second capacitance of the fifth transistor And a sixth transistor having an emitter connected to and a second current source connected to the collector of the sixth transistor and flowing a current equal to the current value of the first current source. On the side, the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means, the output side of the first current conversion means,
The collector of the sixth transistor was connected.

【0019】請求項記載の発明では、請求項記載の
発明において、第一の電流源及び第二の電流源の電流値
を変化させる電流源電流可変手段を設けた。
According to a sixth aspect of the invention, in the fifth aspect of the invention, the current source current varying means for changing the current values of the first current source and the second current source is provided.

【0020】請求項記載の発明では、請求項記載の
発明において、第一の電流源及び第二の電流源の電流値
を変化させる電流源電流可変手段と、電流可変手段の発
光指令信号に比例した電流を定数倍する比率を変化させ
る比率可変手段とを設けた。
According to a seventh aspect of the invention, in the fifth aspect of the invention, current source current varying means for varying the current values of the first current source and the second current source, and a light emission command signal of the current varying means. And a ratio changing means for changing a ratio of multiplying the current proportional to the constant by a constant.

【0021】請求項記載の発明では、上記基本構成
おいて、発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電
流を変化させる第一のトランジスタと、発光指令信号に
比例した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によ
りエミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、第
一のトランジスタのコレクタに一端が接続された第一の
抵抗と、この第一の抵抗にベースが接続された第三のト
ランジスタと、この第三のトランジスタのエミッタに一
端が接続された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に
接続された第一のキャパシタンスと、第一の抵抗の他端
に接続された第三の抵抗とを有する電圧変換手段を設
け、誤差増幅器の出力を電圧変換手段の第二の抵抗及び
第一のキャパシタンスに流れる電流に変換する第一の電
流変換手段を設け、補償器は、第一の抵抗と第三の抵抗
とにベースが接続された第四のトランジスタと、この第
四のトランジスタのエミッタに一端が接続された第四の
抵抗と、この第四の抵抗の他端に接続された第二のキャ
パシタンスと、この第二のキャパシタンスの端子間電圧
を電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタンス
に流れる電流に変換する第二の電流変換手段とを有し、
電流増幅器の入力側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び
第一のキャパシタンスと、第一の電流変換手段の出力側
と、第二の電流変換手段の出力側とを接続した。
According to an eighth aspect of the present invention, in the above basic configuration , the first transistor for changing the emitter current by the current proportional to the light emission command signal and the current proportional to the light emission command signal are the same. A second transistor having a current value and changing the emitter current by a current having a different sign, a first resistor having one end connected to the collector of the first transistor, and a first resistor having a base connected to the first resistor. Three transistors, a second resistance whose one end is connected to the emitter of this third transistor, a first capacitance which is connected in parallel with this second resistance, and the other end of the first resistance And a first current conversion means for converting the output of the error amplifier into a current flowing through the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means. , The compensator includes a fourth transistor whose base is connected to the first resistor and the third resistor, a fourth resistor whose one end is connected to the emitter of the fourth transistor, and the fourth transistor. A second capacitance connected to the other end of the resistance; and a second current conversion means for converting the terminal voltage of the second capacitance into a current flowing through the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means. Have
The second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means, the output side of the first current conversion means, and the output side of the second current conversion means were connected to the input side of the current amplifier.

【0022】請求項記載の発明では、モニタ信号と発
光指令信号との差電流を増幅する誤差増幅器と、発光指
令信号に比例した電流を出力する電流駆動部と、この電
流駆動部の出力を模擬する模擬回路と、発光指令信号に
比例した電流と模擬回路の出力との差分信号を出力する
差動増幅器と、誤差増幅器の出力と電流駆動部の出力と
差動増幅器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流
を得る電流増幅器とを備え、電流増幅器の出力電流によ
り半導体レーザの順方向電流を制御するようにした。
[0022] In the present invention of claim 9, wherein, an error amplifier for amplifying the difference current between the monitor signal and the light emission command signal, and a current drive unit that outputs a current proportional to the light emission command signal, the output of the current driving portions A simulation circuit for simulating, a differential amplifier for outputting a difference signal between the current proportional to the light emission command signal and the output of the simulation circuit, the output of the error amplifier, the output of the current driver and the output of the differential amplifier are added. A current amplifier for amplifying a signal to obtain an output current is provided, and the forward current of the semiconductor laser is controlled by the output current of the current amplifier.

【0023】請求項10記載の発明では、モニタ信号と
発光指令信号との差電流を増幅する誤差増幅器と、発光
指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部と、この
電流駆動部の出力を模擬する模擬回路と、発光指令信号
に比例した電流を定数倍する電流可変手段と、この電流
可変手段の出力と模擬回路の出力との差分信号を出力す
る差動増幅器と、誤差増幅器の出力と電流駆動部の出力
と差動増幅器の出力とを加算した信号を増幅して出力電
流を得る電流増幅器とを備え、電流増幅器の前記出力電
流により半導体レーザの順方向電流を制御するようにし
た。
According to a tenth aspect of the present invention, an error amplifier for amplifying a difference current between the monitor signal and the light emission command signal, a current driver for outputting a current proportional to the light emission command signal, and an output of the current driver are provided. A simulation circuit for simulating, a current varying means for multiplying a current proportional to a light emission command signal by a constant, a differential amplifier for outputting a differential signal between the output of the current varying means and the output of the simulation circuit, and an output of an error amplifier. A current amplifier for amplifying a signal obtained by adding the output of the current driver and the output of the differential amplifier to obtain an output current is provided, and the forward current of the semiconductor laser is controlled by the output current of the current amplifier.

【0024】[0024]

【作用】請求項1ないし8記載の発明においては、誤差
増幅器からのモニタ信号と発光指令信号との差電流に比
例した出力信号と、電流駆動部からの発光指令信号に比
例した出力信号と、その電流駆動部の発光指令信号に比
例した値からの差分信号を補償信号とした補償器から得
られた出力信号とを加算することによって、電流増幅器
の出力電流が作られ、半導体レーザの順方向電流の制御
が行われる。このように補償器により補償信号を作るこ
とにより、電流増幅器の出力波形のズレをなくし所望と
する波形を作ることができる。
[Action] In the invention of claims 1 to 8, wherein an output signal proportional to the difference current between the monitor signal and the light emission command signal from the error amplifier, an output signal proportional to the light emission command signal from the current driving portions, The output current of the current amplifier is generated by adding the output signal obtained from the compensator using the difference signal from the value proportional to the light emission command signal of the current driver as the compensation signal, and the forward direction of the semiconductor laser is generated. The current is controlled. By creating the compensation signal by the compensator in this way, it is possible to eliminate the deviation of the output waveform of the current amplifier and create the desired waveform.

【0025】請求項記載の発明においては、電流増幅
器の入力側には、電圧変換手段を構成する第二の抵抗と
第一のキャパシタンスとに流れる電流、すなわち、第一
の電流変換手段により得られる電流と、補償器を構成す
る第二の電流変換手段により得られる補償信号を示す電
流とを加算した電流が流れる。これによって、簡単な回
路構成で補償器内の補償信号量の制御を行うことができ
る。
According to the first aspect of the present invention, on the input side of the current amplifier, the current flowing through the second resistance and the first capacitance forming the voltage converting means, that is, the current obtained by the first current converting means. A current obtained by adding the current that is generated and the current indicating the compensation signal obtained by the second current conversion unit that constitutes the compensator flows. As a result, the compensation signal amount in the compensator can be controlled with a simple circuit configuration.

【0026】請求項記載の発明においては、電流増幅
器の入力側には、定電流源を備え電圧変換手段を構成す
る第二の抵抗と第一のキャパシタンスとに流れる電流、
すなわち、第一の電流変換手段により得られる電流と、
補償器を構成する第二の電流変換手段により得られる補
償信号を示す電流とを加算した電流が流れる。この場
合、定電流源の電流値によって、補償信号の最大値を設
定することができる。
According to a second aspect of the invention, a current flowing through the second resistor and the first capacitance, which comprises a constant current source on the input side of the current amplifier and constitutes the voltage conversion means,
That is, the current obtained by the first current conversion means,
A current obtained by adding the current indicating the compensation signal obtained by the second current conversion means forming the compensator flows. In this case, the maximum value of the compensation signal can be set by the current value of the constant current source.

【0027】請求項記載の発明においては、定電流源
電流可変手段を用いて定電流源の電流値を変化させるこ
とによって、補償器内の補償信号の最大値を任意に変化
させることが可能となる。
In the third aspect of the invention, the maximum value of the compensation signal in the compensator can be arbitrarily changed by changing the current value of the constant current source using the constant current source current varying means. Becomes

【0028】請求項記載の発明においては、電流増幅
器の入力側には、電圧変換手段を構成する第二の抵抗と
第一のキャパシタンスとに流れる電流、すなわち、第一
の電流変換手段により得られる電流と、補償器を構成す
る電流源が接続された第五のトランジスタのコレクタを
流れる補償信号を示す電流とを加算した電流が流れる。
この場合、第五のトランジスタのコレクタに接続された
電流源を用いて、コレクタ電流のオフセット電流値に等
しい電流を補償器内に流すことによって、補償信号にオ
フセット電流が含まれなくなる。
[0028] In the invention of claim 4 is obtained on the input side of the current amplifier, a current flowing through the second resistor and the first capacitor constituting the voltage converting means, i.e., by the first current converting means And a current indicating a compensation signal flowing through the collector of the fifth transistor to which the current source forming the compensator is connected flows.
In this case, by using a current source connected to the collector of the fifth transistor and causing a current equal to the offset current value of the collector current to flow in the compensator, the compensation signal does not include the offset current.

【0029】請求項記載の発明においては、電流増幅
器の入力側には、電圧変換手段を構成する第二の抵抗と
第一のキャパシタンスとに流れる電流、すなわち、第一
の電流変換手段により得られる電流と、補償器を構成す
る第一及び第二の電流源が接続された第六のトランジス
タのコレクタを流れる補償信号を示す電流とを加算した
電流が流れる。この場合、第六のトランジスタのコレク
タに接続された第二の電流源を用いて、コレクタ電流の
オフセット電流値に等しい電流を補償器内に流すことに
よって、補償信号にオフセット電流が含まれなくなる。
また、発光指令信号に比例した電流を定数倍する電流可
変手段によって、補償信号のリニアリティを改善するこ
とができる。
According to a fifth aspect of the present invention, on the input side of the current amplifier, the current flowing through the second resistance and the first capacitance forming the voltage converting means, that is, the current obtained by the first current converting means. And a current indicating a compensation signal that flows through the collector of the sixth transistor to which the first and second current sources that form the compensator are connected. In this case, by using the second current source connected to the collector of the sixth transistor and causing a current equal to the offset current value of the collector current to flow in the compensator, the compensation signal does not include the offset current.
Further, the linearity of the compensation signal can be improved by the current varying means for multiplying the current proportional to the light emission command signal by a constant.

【0030】請求項記載の発明においては、電流源電
流可変手段を用いて第一及び第二の電流源の電流値を変
化させることによって、補償器内の補償信号の時定数を
任意に変化させることができる。
In the sixth aspect of the invention, the time constant of the compensation signal in the compensator is arbitrarily changed by changing the current values of the first and second current sources using the current source current varying means. Can be made.

【0031】請求項記載の発明においては、電流源電
流可変手段を用いて第一及び第二の電流源の電流値を変
化させることによって、補償器内の補償信号の時定数を
任意に変化させることができ、また、比率可変手段を用
いて電流可変手段の発光指令信号に比例した電流を定数
倍する比率を変化させることによって、補償信号の最大
値を任意に変化させることができる。
According to the seventh aspect of the invention, the time constant of the compensation signal in the compensator is arbitrarily changed by changing the current values of the first and second current sources using the current source current varying means. The maximum value of the compensation signal can be arbitrarily changed by changing the ratio of multiplying the current proportional to the light emission command signal of the current changing unit by a constant using the ratio changing unit.

【0032】請求項記載の発明においては、電流増幅
器の入力側には、電圧変換手段を構成する第二の抵抗と
第一のキャパシタンスとに流れる電流、すなわち、第一
の電流変換手段により得られる電流と、補償器を構成す
る第二の電流変換手段により得られる補償信号を示す電
流とを加算した電流が流れる。この場合、第二の電流変
換手段の入力側には第二のキャパシタンスが接続されロ
ーパスフィルタとしての役割を果たすことから、補償器
内の補償信号に高周波成分が含まれなくなる。
In the eighth aspect of the invention, on the input side of the current amplifier, the current flowing through the second resistor and the first capacitance forming the voltage converting means, that is, the current flowing through the first current converting means is obtained. A current obtained by adding the current that is generated and the current indicating the compensation signal obtained by the second current conversion unit that constitutes the compensator flows. In this case, since the second capacitance is connected to the input side of the second current converting means and functions as a low-pass filter, the compensation signal in the compensator does not include a high frequency component.

【0033】請求項記載の発明においては、誤差増幅
器からのモニタ信号と発光指令信号との差電流に比例し
た出力信号と、電流駆動部からの発光指令信号に比例し
た出力信号と、発光指令信号に比例した電流と模擬回路
の出力との差分信号として得られる差動増幅器からの補
償信号とを加算することによって、電流増幅器の出力電
流が作られ、半導体レーザの順方向電流の制御が行われ
る。このように模擬回路と差動増幅器とを用いて補償信
号を作ることによって、デバイスのバラツキや温度変動
等に対応した補償を行うことができる。
[0033] In the invention of claim 9, wherein an output signal proportional to the difference current between the monitor signal and the light emission command signal from the error amplifier, an output signal proportional to the light emission command signal from the current driving portions, emission command The output current of the current amplifier is created by adding the compensation signal from the differential amplifier obtained as the difference signal between the current proportional to the signal and the output of the simulation circuit, and the forward current of the semiconductor laser is controlled. Be seen. In this way, by creating a compensation signal using the simulation circuit and the differential amplifier, it is possible to perform compensation corresponding to device variations, temperature fluctuations, and the like.

【0034】請求項10記載の発明においては、誤差増
幅器からのモニタ信号と発光指令信号との差電流に比例
した出力信号と、電流駆動部からの発光指令信号に比例
した出力信号と、発光指令信号に比例した電流を定数倍
する電流可変手段の出力と模擬回路の出力との差分信号
として得られる差動増幅器からの補償信号とを加算する
ことによって、電流増幅器の出力電流が作られ、半導体
レーザの順方向電流の制御が行われる。このように模擬
回路と差動増幅器とを用いて補償信号を作ることによっ
て、デバイスのバラツキや温度変動等に対応した補償を
行うことができる。また、電流可変手段を用いて発光指
令信号に比例した電流を定数倍することによって、補償
信号から高周波成分を取り除くことができる。
According to the tenth aspect of the invention, an output signal proportional to the difference current between the monitor signal from the error amplifier and the light emission command signal, an output signal proportional to the light emission command signal from the current driver, and a light emission command. The output current of the current amplifier is created by adding the compensation signal from the differential amplifier, which is obtained as the difference signal between the output of the current variable means for multiplying the current proportional to the signal by a constant and the output of the simulation circuit, and the semiconductor current is generated. The forward current of the laser is controlled. In this way, by creating a compensation signal using the simulation circuit and the differential amplifier, it is possible to perform compensation corresponding to device variations, temperature fluctuations, and the like. Further, by multiplying the current proportional to the light emission command signal by a constant by using the current varying means, the high frequency component can be removed from the compensation signal.

【0035】[0035]

【実施例】本発明の基本構成をなす実施例を図1及び図
2に基づいて説明する(請求項1ないし8記載の発明に
対応する)。図1は、半導体レーザ制御装置の構成を示
す。半導体レーザ5(以下、LDという)の光出力Po
の一部を受光部としてのフォトダイオード6(以下、P
Dという)によりモニタして得られた光強度に比例した
モニタ信号Imと発光指令信号Isig との差電流を増幅
する誤差増幅器1と、発光指令信号Isig に比例した電
流ΔIaを出力する電流駆動部3と、この電流駆動部3
の出力信号の発光指令信号Isig に比例した値からの差
分信号(補償信号)ΔIbを発生させる補償器7と、出
力電流(順方向電流)ILDを得る電流増幅器2とからな
っている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment forming a basic configuration of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2 (corresponding to the invention described in claims 1 to 8 ). FIG. 1 shows the configuration of a semiconductor laser control device. Optical output Po of semiconductor laser 5 (hereinafter referred to as LD)
Part of the photodiode 6 as a light receiving portion (hereinafter, P
Error amplifier 1 for amplifying the difference current between the monitor signal Im and the light emission command signal Isig, which is proportional to the light intensity obtained by monitoring with (D)), and the current driver for outputting the current ΔIa proportional to the light emission command signal Isig. 3 and this current driver 3
Compensation device 7 for generating a differential signal (compensation signal) ΔIb from a value proportional to the light emission command signal Isig of the output signal of, and a current amplifier 2 for obtaining an output current (forward current) I LD .

【0036】このような構成において、本装置の動作に
ついて説明する。LD5の光出力Poの一部はPD6に
より受光され、LD5の光強度に比例したモニタ信号I
mが誘起される。誤差増幅器1では、発光指令信号Isi
g とモニタ信号Imとの差電流Isig −Imが増幅さ
れ、この出力値をΔI1 (=A1(Isig −Im)、A
1:誤差増幅器1の電流増幅率)とする。LD5と、P
D6と、誤差増幅器1と、電流増幅器2とによって、光
電気負帰還ループが構成され、発光指令信号Isig とモ
ニタ信号Imとが等しくなるように、LD5の順方向電
流ILDが制御される。この場合、順方向電流ILDは、誤
差増幅器1の出力値であるΔI1 と、電流駆動部3の出
力値であるΔIaと、補償器7の出力値であるΔIbと
を加算した信号として示すことができる。このように補
償器7からの出力値ΔIbを電流駆動部3の出力値ΔI
aに加算することによって、電流駆動部3の出力値ΔI
aの所望値からのズレを大幅に改善することができる。
The operation of this apparatus having such a configuration will be described. A part of the optical output Po of the LD 5 is received by the PD 6, and the monitor signal I proportional to the optical intensity of the LD 5
m is induced. In the error amplifier 1, the light emission command signal Isi
The difference current Isig-Im between g and the monitor signal Im is amplified, and the output value is ΔI 1 (= A1 (Isig-Im), A
1: current amplification factor of error amplifier 1). LD5 and P
An optoelectric negative feedback loop is formed by D6, the error amplifier 1, and the current amplifier 2, and the forward current I LD of the LD 5 is controlled so that the light emission command signal Isig and the monitor signal Im become equal. In this case, the forward current I LD is shown as a signal obtained by adding ΔI 1 which is the output value of the error amplifier 1, ΔIa which is the output value of the current driver 3 and ΔIb which is the output value of the compensator 7. be able to. In this way, the output value ΔIb from the compensator 7 is changed to the output value ΔIb of the current driver 3.
The output value ΔI of the current driver 3 is added to a.
The deviation from the desired value of a can be significantly improved.

【0037】以下、補償器7を設けたことによって、電
流駆動部3の出力値ΔIaの所望値からのズレを改善で
きる理由について述べる。電流駆動部3のΔIaの波形
は、図2(a)のような波形となっている。これに対し
て、補償器7のΔIb(補償信号)の波形は、図2
(b)のようなΔIaの波形を補間するような波形とな
っている。今、電流駆動部3のΔIaと補償器7のΔI
bとの和を、ΔI2 (=k・Isig 、k:比例定数)と
する。このΔI2 は、電流駆動部3の出力値を補償した
後の信号を示す。kの値は予め設定しておく。そして、
誤差増幅器1のΔI1 と、電流駆動部3のΔIaと、補
償器7のΔIbとの加算電流を、電流増幅器2に加え、
LD5の順方向電流ILDに変換し、LD5のレーザ出力
を制御する。このときの順方向電流ILDは、 ILD=Ao・(ΔI1 +ΔIa+ΔIb) =Ao・(ΔI1 +ΔI2 ) =Ao・(A1(Isig −Im)+k・Isig ) …(2) となる。このように補償器7によりΔIbを作ることに
よって、発光指令信号Isig に比例した値からの差分Δ
((1)式参照)を補償し、レーザ出力の制御を行うこ
とができる。これにより、順方向電流ILDの波形を理想
的な出力波形(矩形波)とすることができ、誤動作をな
くし、高速処理を行うことができる。
The reason why the deviation of the output value ΔIa of the current driver 3 from the desired value can be improved by providing the compensator 7 will be described below. The waveform of ΔIa of the current driver 3 is as shown in FIG. On the other hand, the waveform of ΔIb (compensation signal) of the compensator 7 is as shown in FIG.
The waveform is such that the waveform of ΔIa as in (b) is interpolated. Now, ΔIa of the current driver 3 and ΔI of the compensator 7
The sum of b and ΔI 2 (= k · Isig, k: proportional constant). This ΔI 2 indicates the signal after compensating the output value of the current driver 3. The value of k is set in advance. And
An addition current of ΔI 1 of the error amplifier 1, ΔIa of the current driver 3 and ΔIb of the compensator 7 is added to the current amplifier 2,
It is converted into the forward current I LD of the LD 5 and the laser output of the LD 5 is controlled. The forward current I LD at this time is I LD = Ao · (ΔI 1 + ΔIa + ΔIb) = Ao · (ΔI 1 + ΔI 2 ) = Ao · (A1 (Isig −Im) + k · Isig) (2) By making ΔIb by the compensator 7 in this way, the difference Δ from the value proportional to the light emission command signal Isig
The laser output can be controlled by compensating (see the equation (1)). As a result, the waveform of the forward current I LD can be an ideal output waveform (rectangular wave), malfunction can be eliminated, and high-speed processing can be performed.

【0038】ただし、(2)式中のkの値は、以下のよ
うな考え方に基づいて、予め設定しておくようにする。
すなわち、一般に、LD5の光出力Poは、 Po=η・(ILD−Ith) η:微分量子効率 Ith:LDの閾値電流 のように近似される。また、モニタ電流Imは、LD5
とPD6との結合係数をα、PD6の放射感度をSとす
ると、 Im=αSPo =αSη・(ILD−Ith) =αSη・(Ao・(ΔI1 +ΔI2 )−Ith として表わすことができる。従って、発光指令信号Isi
g に比例した補償後の電流駆動部3の出力ΔI2 の大き
さ、すなわち、比例定数kの値は、Ao・ΔI1=Ith
としたとき、発光指令信号Isig とモニタ電流Imとが
等しくなるように、LD5の光出力・順方向電流特性、
LD5とPD6との結合係数及びPD6の光入力・受光
信号特性に基づいて予め設定しておくようにする。すな
わち、ここでは、k=1/aSηAoとなるように、予
めkの値を設定しておく。
However, the value of k in the equation (2) is set in advance based on the following concept.
That is, in general, the optical output Po of the LD 5 is approximated as Po = η · (I LD −I th ) η: differential quantum efficiency I th : LD threshold current. The monitor current Im is LD5
When the coupling coefficient between PD and PD6 is α and the radiation sensitivity of PD6 is S, it can be expressed as Im = αSPo = αSη · (I LD −I th ) = αSη · (Ao · (ΔI 1 + ΔI 2 ) −I th. Therefore, the light emission command signal Isi
The magnitude of the output ΔI 2 of the current driver 3 after compensation, which is proportional to g, that is, the value of the proportional constant k is Ao · ΔI 1 = I th
Then, the light output / forward current characteristic of the LD 5 is set so that the light emission command signal Isig and the monitor current Im become equal.
It is set in advance based on the coupling coefficient between the LD 5 and the PD 6 and the optical input / received signal characteristics of the PD 6. That is, here, the value of k is set in advance so that k = 1 / aSηAo.

【0039】上述したように、誤差増幅器1から得られ
るモニタ信号Imと発光指令信号Isig との差電流に比
例した信号ΔI1 と、電流駆動部3から得られる発光指
令信号Isig に比例した信号ΔIaと、発光指令信号I
sig に比例した値からの差分信号である補償器7から得
られる補償信号ΔIbとの3つの信号の和を、電流増幅
器2の出力電流である順方向電流ILDとして用いること
によって、電流増幅器2の出力電流の所望値からのズレ
を大幅に改善することができ、高速で、常に安定したレ
ーザ出力を得ることができる。
As described above, the signal ΔI 1 proportional to the difference current between the monitor signal Im obtained from the error amplifier 1 and the light emission command signal Isig and the signal ΔIa proportional to the light emission command signal Isig obtained from the current driver 3. And the light emission command signal I
By using the sum of the three signals with the compensation signal ΔIb obtained from the compensator 7 which is a differential signal from a value proportional to sig as the forward current I LD which is the output current of the current amplifier 2, the current amplifier 2 It is possible to greatly improve the deviation of the output current from the desired value, and it is possible to obtain a stable laser output at high speed.

【0040】次に、本発明の第の実施例を図3に基づ
いて説明する(請求項記載の発明に対応する)。な
お、前述した基本構成をなす実施例と同一部分について
の説明は省略し、その同一部分については同一符号を用
いる。
Next, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 3 (corresponding to the invention of claim 1 ). The description of the same parts as those of the above-described embodiment having the basic configuration is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0041】まず、本装置の全体構成を図3に基づいて
述べる。本装置は、誤差増幅器1と、電流駆動部3と、
補償器7と、電流増幅器2と、電圧変換手段としての電
圧変換部8とに大別される。
First, the overall structure of this apparatus will be described with reference to FIG. This device includes an error amplifier 1, a current driver 3,
It is roughly divided into a compensator 7, a current amplifier 2, and a voltage converter 8 as a voltage converter.

【0042】電圧変換部8は、発光指令信号Isig に比
例した電流によりエミッタ電流を変化させる第一のトラ
ンジスタQ6と、発光指令信号Isig に比例した電流と
同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエミッタ電流
を変化させる第二のトランジスタQ8と、第一のトラン
ジスタQ6のコレクタに接続された第一の抵抗R5と、
この第一の抵抗R5にベースが接続された第三のトラン
ジスタQ2と、この第三のトランジスタQ2のエミッタ
に一端が接続された第二の抵抗R1と、この第二の抵抗
R1と並列に接続された第一のキャパシタンスC1と、
第二のトランジスタQ8のコレクタに一端が接続された
第三の抵抗R9と、この第三の抵抗R9の他端に接続さ
れた第四の抵抗R8とによって構成されている。なお、
トランジスタQ8のエミッタには、トランジスタQ9
と、−Isig2を流す電流源9aとが接続されている。ト
ランジスタQ6のエミッタには、トランジスタQ7と、
Isig2を流す電流源9bとが接続されている。
The voltage conversion unit 8 includes a first transistor Q6 for changing the emitter current by a current proportional to the light emission command signal Isig, and an emitter having a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal Isig but having a different sign. A second transistor Q8 for changing the current, a first resistor R5 connected to the collector of the first transistor Q6,
A third transistor Q2 having a base connected to the first resistor R5, a second resistor R1 having one end connected to an emitter of the third transistor Q2, and a second transistor R1 connected in parallel with the second resistor R1. The first capacitance C1
The third resistor R9 has one end connected to the collector of the second transistor Q8, and the fourth resistor R8 connected to the other end of the third resistor R9. In addition,
The emitter of the transistor Q8 has a transistor Q9
And a current source 9a for flowing -Isig2 are connected. The transistor Q7 has an emitter connected to the transistor Q7,
The current source 9b for flowing Isig2 is connected.

【0043】誤差増幅器1の出力を電圧変換部8の抵抗
R1及びキャパシタンスC1に流れる電流に変換する第
一の電流変換手段としての第一の電流変換部10が設け
られている。この第一の電流変換部10は、トランジス
タQ5,Q4,Q3と、抵抗R4,R3,R2と、キャ
パシタンスC4,C3,C2と、ダイオードD1とを備
えている。
A first current converter 10 is provided as a first current converter for converting the output of the error amplifier 1 into a current flowing through the resistor R1 and the capacitance C1 of the voltage converter 8. The first current converter 10 includes transistors Q5, Q4, Q3, resistors R4, R3, R2, capacitances C4, C3, C2, and a diode D1.

【0044】補償器7は、抵抗R9と抵抗R8とにベー
スが接続された第四のトランジスタQ10と、この第四
のトランジスタQ10のエミッタに一端が接続された第
二のキャパシタンスC5と、この第二のキャパシタンス
C5の他端に接続された第五の抵抗R11と、この第五
の抵抗R11の端子間電圧を電圧変換部8の第二の抵抗
R1及び第一のキャパシタンスC1に流れる電流に変換
する第二の電流変換手段としての第二の電流変換部11
とによって構成されている。この第二の電流変換部11
は、トランジスタQ11,Q12,Q13と、抵抗1
2,R13,R14と、キャパシタンスC6,C7,C
8とを備えている。
The compensator 7 has a fourth transistor Q10 whose bases are connected to the resistors R9 and R8, a second capacitance C5 whose one end is connected to the emitter of the fourth transistor Q10, and a second capacitance C5. A fifth resistor R11 connected to the other end of the second capacitance C5 and a voltage across the fifth resistor R11 are converted into a current flowing through the second resistor R1 and the first capacitance C1 of the voltage conversion unit 8. Second current conversion section 11 as second current conversion means
It is composed of and. This second current converter 11
Is a transistor Q11, Q12, Q13 and a resistor 1
2, R13, R14 and capacitances C6, C7, C
8 and.

【0045】電流増幅器2は、トランジスタQ1,Q0
と、抵抗R7,REとによって構成されている。そし
て、電流増幅器2の入力側であるトランジスタQ1のベ
ースには、電圧変換部8の抵抗R1及びキャパシタンス
C1と、第一の電流変換部10の出力側であるトランジ
スタQ3のコレクタと、第二の電流変換部11の出力側
であるトランジスタQ13のコレクタとが接続されてい
る。このようにして本装置は構成されている。
The current amplifier 2 includes transistors Q1 and Q0.
And resistors R7 and RE. Then, at the base of the transistor Q1 on the input side of the current amplifier 2, the resistor R1 and the capacitance C1 of the voltage conversion unit 8, the collector of the transistor Q3 on the output side of the first current conversion unit 10, and the second The output side of the current converter 11 is connected to the collector of the transistor Q13. The apparatus is configured in this way.

【0046】以下、補償信号Icompが流れる補償器7内
の動作を中心に述べる。電圧変換部8において、発光指
令信号Isig に比例した電流Isig2(=−γk・Isig
、比例定数であるkは、予め設定しておく)は、V4
で印加されたトランジスタQ6のエミッタ電流を変化さ
せ、抵抗R5の端子間に電圧変化ΔV2 を発生させる。
また、電流−Isig (Isig2の反転信号)は、V4 で印
加されたトランジスタQ8のエミッタ電流を変化させ、
抵抗R8と抵抗R9とを直列接続したものの端子間に−
ΔV2 の電圧変化をさせる(ただし、R8+R9=R5
とし、Q8、Q6は同一トランジスタとする)。この電
圧変化は抵抗R8と抵抗R9とにより分圧され、d点で
の電圧変化ΔVdは、 ΔVd=−R8/(R8+R9)・ΔV2 となる。また、補償器7内における抵抗R11とキャパ
シタンスC5とは、バイパスフィルタを構成し、e点で
の電圧変化ΔVeは、 ΔVe=jωτ1 /(1+jωτ1 )・ΔVd τ1 =C5・R11 となる。
The operation inside the compensator 7 through which the compensation signal Icomp flows will be mainly described below. In the voltage conversion unit 8, a current Isig2 (= −γk · Isig proportional to the light emission command signal Isig
, K, which is a proportional constant, is set in advance) is V 4
Then, the emitter current of the transistor Q6 applied at is changed to generate a voltage change ΔV 2 between the terminals of the resistor R5.
Further, the current −Isig (inversion signal of Isig2) changes the emitter current of the transistor Q8 applied at V 4 ,
Between the terminals of the resistor R8 and the resistor R9 connected in series-
Change the voltage by ΔV 2 (however, R8 + R9 = R5
And Q8 and Q6 are the same transistor). This voltage change is divided by the resistors R8 and R9, and the voltage change ΔVd at the point d is ΔVd = −R8 / (R8 + R9) · ΔV 2 . Further, the resistor R11 and the capacitance C5 in the compensator 7 form a bypass filter, and the voltage change ΔVe at the point e is ΔVe = jωτ 1 / (1 + jωτ 1 ) · ΔVd τ 1 = C5 · R11.

【0047】一方、第一の電流変換部10を有する電流
駆動部3において、誤差増幅器1の入力インピーダンス
はハイインピーダンスになっており、発光指令信号Isi
g とモニタ信号Imとの差電流Isig −Imはキャパシ
タンスCfで充放電され、電圧Viが発生する。この電
圧Viが誤差増幅器1により増幅され、トランジスタQ
5のベースに印加される。この誤差増幅器1の出力信号
をΔV3 とすると、 ΔV3 =AVi =−A・(Isig −Im)/jωCf A:誤差増幅器の電圧増幅率 となる。また、第一の電流変換部10におけるトランジ
スタQ3,Q4、抵抗R2,R3は、カレントミラー回
路を構成している。ここでは、簡単化のため、R2とR
3の抵抗値及びQ3,Q4のサイズは等しいとし、ま
た、D1をQ3、Q4と同一トランジスタで構成し、特
性のバラツキが一致しているとすると、駆動電流Iは、 I=(Vcc−V3 −3Vbe)/(R3+R4) …(3) となる。
On the other hand, in the current driver 3 having the first current converter 10, the input impedance of the error amplifier 1 is high impedance, and the light emission command signal Isi.
The difference current Isig-Im between g and the monitor signal Im is charged and discharged by the capacitance Cf, and the voltage Vi is generated. This voltage Vi is amplified by the error amplifier 1 and the transistor Q
5 base. When the output signal of this error amplifier 1 is ΔV 3 , ΔV 3 = AVi = −A · (Isig −Im) / jωCf A: The voltage amplification factor of the error amplifier. Further, the transistors Q3 and Q4 and the resistors R2 and R3 in the first current converter 10 form a current mirror circuit. Here, for simplification, R2 and R
Assuming that the resistance value of 3 and the sizes of Q3 and Q4 are the same, and that D1 is composed of the same transistor as Q3 and Q4 and the variations in the characteristics are the same, the drive current I is I = (Vcc-V 3 -3Vbe) / become (R3 + R4) ... (3 ).

【0048】また、補償器7内の第二の電流変換部11
において、トランジスタQ12,Q13、抵抗R13,
R14(簡単のため、R13=R14)は、カレントミ
ラー回路を構成しており、補償電流Icompは、Icomp=
(Vcc−V6 −3Vbe)/(R12+R13)となる。
このIcompの値と、(3)式の駆動電流Iの値とがa点
に加算される。これによって、a点での電圧Vaは、 Va=Vcc−V2 −Vbe−R1・I−R1・Icomp となる。ここで、例えば、2R1=R3+R4、2R1
=R12+R13となるように抵抗値を選択すると、 Va=(1/2)V3 +(1/2)V6 −V2 +2Vbe となり、電源電圧Vccの変動の影響がなくなる。このV
aが印加されるa点は、前述した図1におけるΔIa
(ここでは駆動電流I)とΔIb(ここではIcomp)と
の電流加算点に相当する。
Further, the second current converter 11 in the compensator 7
, The transistors Q12 and Q13, the resistor R13,
R14 (for simplicity, R13 = R14) constitutes a current mirror circuit, and the compensation current Icomp is Icomp =
Become (Vcc-V 6 -3Vbe) / (R12 + R13).
The value of Icomp and the value of the drive current I of the equation (3) are added to the point a. Accordingly, the voltage Va at the point a becomes Va = Vcc-V 2 -Vbe- R1 · I-R1 · Icomp. Here, for example, 2R1 = R3 + R4, 2R1
= Selecting resistance such that R12 + R13, Va = (1/2 ) V 3 + (1/2) V 6 -V 2 + 2Vbe , and the influence of variation in the power supply voltage Vcc eliminated. This V
The point a to which a is applied is ΔIa in FIG. 1 described above.
This corresponds to the current addition point of (the driving current I here) and ΔIb (here Icomp).

【0049】そして、このようにしてa点で合成された
値I+Icompが、電流増幅器2の入力側のトランジスタ
Q1のベースに入力されることによって、トランジスタ
Q0のコレクタにLD5の順方向電流ILDが流れる。こ
のILDは、 ILD=((1/2)V3 +(1/2)V6 +V2 )/RE として表わされる。なお、V3 ,V6 ,V2 のバイアス
電圧を安定した基準(d)源により設定しておくことに
よって、電源電圧Vccの変動及びVbeの温度変化や特性
のバラツキの影響を受けない安定したオフセット電流が
流れる。
The value I + Icomp thus synthesized at the point a is input to the base of the transistor Q1 on the input side of the current amplifier 2 so that the forward current I LD of the LD5 is applied to the collector of the transistor Q0. Flowing. This I LD is expressed as I LD = ((1/2) V 3 + (1/2) V 6 + V 2 ) / RE. Incidentally, by setting the V 3, V 6, V 2 of the bias voltage stable reference (d) is a source, stable unaffected by variations in temperature change and characteristic variations and Vbe of the power supply voltage Vcc Offset current flows.

【0050】また、a点での電圧変化ΔVaは、 ΔVa=−((1/2)ΔV3 +(1/2)ΔVe−ΔV2 ') =−((1/2)ΔV3 −(1/2)jωτ1/(1+jωτ1) ・R8/(R8+R9)・ΔV2 −ΔV2 ') …(4) となる。ただし、ΔV2 'はΔV2 から(1)式の差分
Δだけズレた信号である。これによって、ΔV2 'は、 ΔV2 '=ΔV2 −Δ =ΔV2 −(1/K)・exp(−t/τ0)・ΔV2 …(5) として表わすことができる。(4),(5)式から、 (1/2)R8/(R8+R9)=1/K =R0/(R0+R1)−C1/(C0+C1) C5・R11=τ0 の条件式を満足するように、値を設定することにより、
a点での電圧変化ΔVaは、 ΔVa=−((1/2)ΔV3 −ΔV2 ) となる。これにより、LD5を流れるレーザ出力制御用
の順方向電流ILDは、 ILD=−((1/2)ΔV3 −ΔV2 )/RE =−(−(1/2)A・(Isig−Im)/jωCf+R5・Isig2)/RE =((1/2)A・(Isig−Im)/jωCf+R5・γk・Isig)/RE …(6) となる。この(6)式は、(2)式と同様な形であり、
図3の回路により図1の回路を実現することができる。
従って、このようなことから、補償器7からの出力であ
る補償信号Icompを電流駆動部3の出力である駆動信号
Iにa点にて加算することによって、電流駆動部3の出
力の所望値からのズレを改善することができ、LD5の
順方向電流ILDの波形を理想的な出力波形(矩形波)と
することができる。
The voltage change ΔVa at point a is ΔVa = − ((1/2) ΔV 3 + (1/2) ΔVe−ΔV 2 ′) = − ((1/2) ΔV 3 − (1 / 2) jωτ 1 / (1 + jωτ 1 ) · R8 / (R8 + R9) · ΔV 2 −ΔV 2 ′) (4) However, ΔV 2 ′ is a signal that is deviated from ΔV 2 by the difference Δ of the equation (1). Thus, ΔV 2 ′ can be expressed as ΔV 2 ′ = ΔV 2 −Δ = ΔV 2 − (1 / K) · exp (−t / τ 0 ) · ΔV 2 (5). From equations (4) and (5), satisfy the conditional equation of (1/2) R8 / (R8 + R9) = 1 / K = R0 / (R0 + R1) -C1 / (C0 + C1) C5 · R11 = τ 0 By setting the value,
The voltage change ΔVa at point a is ΔVa = − ((1/2) ΔV 3 −ΔV 2 ). Thereby, the forward current I LD for controlling the laser output flowing through the LD 5 is I LD = − ((1/2) ΔV 3 −ΔV 2 ) / RE = − (− (1/2) A · (Isig− Im) / jωCf + R5 · Isig2) / RE = ((1/2) A · (Isig−Im) / jωCf + R5 · γk · Isig) / RE (6) The formula (6) has the same form as the formula (2),
The circuit of FIG. 3 can realize the circuit of FIG.
Therefore, from this, by adding the compensation signal Icomp, which is the output from the compensator 7, to the drive signal I, which is the output of the current driver 3, at the point a, the desired value of the output of the current driver 3 is obtained. Can be improved, and the waveform of the forward current I LD of the LD 5 can be made an ideal output waveform (rectangular wave).

【0051】なお、抵抗R1はトランジスタQ3のコレ
クタ容量等の寄生容量Cxでローパスフィルタとなり、
高速化の妨げとなるため、抵抗R1と並列にキャパシタ
ンスC1(C1≫Cx)を接続し、これによって寄生容
量の影響を低減して高速化を図っている。同様に、抵抗
R2,R3,R4にそれぞれキャパシタンスC2,C
3,C4を並列に接続することによって、高速化を図る
ことができる。また、電圧V5をベースに印加したトラ
ンジスタQ7,Q9、抵抗R6,R10は、それぞれト
ランジスタQ6,Q8に一定のエミッタ電流をバイアス
電流として流しておくためのものであり、Isig2が小さ
い場合におけるリニアリティを改善することができる。
The resistor R1 serves as a low-pass filter with the parasitic capacitance Cx such as the collector capacitance of the transistor Q3.
Since this impedes speeding up, the capacitance C1 (C1 >> Cx) is connected in parallel with the resistor R1 to reduce the influence of the parasitic capacitance and speed up. Similarly, the resistors R2, R3, and R4 have capacitances C2 and C, respectively.
By connecting 3 and C4 in parallel, high speed operation can be achieved. Further, the transistors Q7, Q9 and the resistors R6, R10 to which the voltage V5 is applied as a base are for allowing a constant emitter current to flow as a bias current in the transistors Q6, Q8, respectively, and show linearity when Isig2 is small. Can be improved.

【0052】次に、本発明の第の実施例を図4に基づ
いて説明する(請求項2,3記載の発明に対応する)。
なお、前記実施例と同一部分についての説明は省略し、
その同一部分については同一符号を用いる。
Next, a second embodiment of the present invention (corresponding to the invention of claim 2 wherein) which will be described with reference to FIG.
It should be noted that description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted,
The same reference numerals are used for the same portions.

【0053】電圧変換部8は、発光指令信号Isig に比
例した電流によりエミッタ電流を変化させる第一のトラ
ンジスタQ6と、発光指令信号Isig に比例した電流と
同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエミッタ電流
を変化させる第二のトランジスタQ8と、第一のトラン
ジスタQ6のコレクタに接続された第一の抵抗R5と、
この第一の抵抗R5にベースが接続された第三のトラン
ジスタQ2と、この第三のトランジスタQ2のエミッタ
に一端が接続された第二の抵抗R1と、この第二の抵抗
R1と並列に接続された第一のキャパシタンスC1と、
第一のトランジスタQ6のエミッタにベースが接続され
た第四のトランジスタQ14と、第二のトランジスタQ
8のエミッタにベースが接続された第五のトランジスタ
Q15と、第四のトランジスタQ14のエミッタと第五
のトランジスタQ15のエミッタとに接続された定電流
源12と、第四のトランジスタQ14のコレクタに接続
された第三の抵抗R15とによって構成されている。な
お、トランジスタQ6のエミッタ及びトランジスタQ1
4のベースには、Isig2を流す電流源9bが接続されて
いる。トランジスタQ8のエミッタ及びトランジスタQ
15のベースには、−Isig2を流す電流源9aが接続さ
れている。また、トランジスタQ15のコレクタには抵
抗R16が接続されている。トランジスタQ8のエミッ
タ側にはトランジスタQ9と抵抗R10とが接続され、
トランジスタQ8のコレクタには抵抗R8が接続されて
いる。トランジスタQ6のエミッタ側にはトランジスタ
Q7と抵抗R6とが接続されている。
The voltage converter 8 includes a first transistor Q6 for changing the emitter current by a current proportional to the light emission command signal Isig, and an emitter with a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal Isig but having a different sign. A second transistor Q8 for changing the current, a first resistor R5 connected to the collector of the first transistor Q6,
A third transistor Q2 having a base connected to the first resistor R5, a second resistor R1 having one end connected to an emitter of the third transistor Q2, and a second transistor R1 connected in parallel with the second resistor R1. The first capacitance C1
A fourth transistor Q14 whose base is connected to the emitter of the first transistor Q6, and a second transistor Q14.
A fifth transistor Q15 whose base is connected to the emitter of 8, a constant current source 12 connected to the emitters of the fourth transistor Q14 and the fifth transistor Q15, and a collector of the fourth transistor Q14. The third resistor R15 is connected to the third resistor R15. The emitter of the transistor Q6 and the transistor Q1
A current source 9b for flowing Isig2 is connected to the base of No. 4. Transistor Q8 emitter and transistor Q
A current source 9a for flowing -Isig2 is connected to the base of 15. A resistor R16 is connected to the collector of the transistor Q15. A transistor Q9 and a resistor R10 are connected to the emitter side of the transistor Q8,
A resistor R8 is connected to the collector of the transistor Q8. A transistor Q7 and a resistor R6 are connected to the emitter side of the transistor Q6.

【0054】補償器7は、第三の抵抗R15に一端が接
続された第二のキャパシタンスC5と、この第二のキャ
パシタンスC5の他端に接続された第四の抵抗R11
と、この第四の抵抗R11の端子間電圧を電圧変換部8
の第二の抵抗R1及び第一のキャパシタンスC1に流れ
る電流に変換する第二の電流変換部11とによって構成
されている。この第二の電流変換部11は、トランジス
タQ11,Q12,Q13と、抵抗12,R13,R1
4と、キャパシタンスC6,C7,C8とを備えてい
る。
The compensator 7 has a second capacitance C5 having one end connected to the third resistor R15 and a fourth resistor R11 connected to the other end of the second capacitance C5.
And the voltage between the terminals of the fourth resistor R11 is converted to the voltage conversion unit 8
And a second current converter 11 that converts the current into a current flowing through the second resistor R1 and the first capacitance C1. The second current converter 11 includes transistors Q11, Q12, Q13 and resistors 12, R13, R1.
4 and capacitances C6, C7 and C8.

【0055】電流増幅器2の入力側のa点には、電圧変
換部8の第二の抵抗R1及び第一のキャパシタンスC1
と、第一の電流変換部10の出力側と、補償器7の第二
の電流変換部11の出力側とが接続されている。このよ
うにして本装置は構成されている。なお、図4中、誤差
増幅器1、第一の電流変換部10、電流駆動部3の回路
は省略する。
At the point a on the input side of the current amplifier 2, the second resistor R1 and the first capacitance C1 of the voltage converter 8 are provided.
Is connected to the output side of the first current converter 10 and the output side of the second current converter 11 of the compensator 7. The apparatus is configured in this way. In FIG. 4, the circuits of the error amplifier 1, the first current converter 10, and the current driver 3 are omitted.

【0056】以下、定電流源12を備えた電圧変換部8
及び補償信号Icompが流れる補償器7内の動作を中心に
述べる。電圧変換部8におけるトランジスタQ6,Q8
には、発光指令信号Isig に比例した電流Isig2、−I
sig2とバイアス電流I1とがそれぞれエミッタ電流とし
て流れており、バイアス電流I1を等しくすると、トラ
ンジスタQ6,Q8(同一のトランジスタとする)のベ
ース・エミッタ間電圧Vbe6 ,Vbe8 は、 Vbe6 =VT・ln((I1+Isig2)/Is1 ) Vbe8 =VT・ln((I1−Isig2)/Is1 ) となる。また、トランジスタQ14,Q15(同一のト
ランジスタとする)のベース・エミッタ間電圧Vbe14
Vbe15は、 Vbe14=VT・ln((I0−Isig3)/Is2 ) Vbe15=VT・ln((I0+Isig3)/Is2 ) となる。ただし、トランジスタQ14,Q15のエミッ
タ電流を、それぞれI0−Isig3、I0+Isig3とし
た。
Hereinafter, the voltage converter 8 having the constant current source 12 will be described.
And the operation inside the compensator 7 through which the compensation signal Icomp flows. Transistors Q6 and Q8 in the voltage conversion unit 8
Is a current Isig2, -I proportional to the light emission command signal Isig.
sig2 and the bias current I1 is flowing as the emitter current, respectively, when an equal bias current I1, the base-emitter voltage Vbe 6, Vbe 8 of the transistors Q6, Q8 (the same transistor), Vbe 6 = V to become T · ln ((I1 + Isig2 ) / Is 1) Vbe 8 = V T · ln ((I1-Isig2) / Is 1). Further, the base-emitter voltage Vbe 14 of the transistors Q14 and Q15 (assumed to be the same transistor),
Vbe 15 becomes Vbe 14 = V T · ln ( (I0-Isig3) / Is 2) Vbe 15 = V T · ln ((I0 + Isig3) / Is 2). However, the emitter currents of the transistors Q14 and Q15 were set to I0-Isig3 and I0 + Isig3, respectively.

【0057】一方、トランジスタQ6のエミッタはトラ
ンジスタQ14のベースに、トランジスタQ8のエミッ
タはトランジスタQ15のベースにそれぞれ接続され、
トランジスタQ6,Q8のベース、トランジスタQ1
4,Q15のエミッタはそれぞれ接続されているため、 Vbe6 −Vbe8 =Vbe15−Vbe14 となり、上式の関係から、 Isig3=(I0/I1)Isig2 となる。この場合、トランジスタQ14,Q15のエミ
ッタ電流の変化は発光指令信号Isig に比例し、トラン
ジスタQ14,Q15の電流増幅率が十分大きければ、
トランジスタQ14,Q15のエミッタ電流はコレクタ
電流に等しい。これによって、トランジスタQ14のコ
レクタに接続された抵抗R15の端子間電圧の電圧変化
ΔVdは、 ΔVd=−R15・Isig3 =−R15・(I0/I1)Isig2 となる。前記第二の実施例と同様に、抵抗R11とキャ
パシタンスC5はハイパスフィルタを構成しており、e
点での電圧変化ΔVeは、 ΔVe=jωτ1/(1+jωτ1)・ΔVd τ1=C5・R11 となり、前記第二の実施例と同様にして、補償信号Ico
mpに変換することができる。これにより、a点での電圧
変化ΔVaは、 ΔVa=−((1/2)ΔV3 −(1/2)jωτ1/(1+jωτ1) ・R15・(I0/I1)Isig2−ΔV2 ') …(7) となる。この場合、ΔV2 =R5・Isig2の関係がある
ため、 1/K=(1/2)・R15/R5・(I0/I1) C5・R11=τ0 また、本実施例では、図4の回路に定電流源I0の電流
値を変化させる定電流源電流可変手段(図示せず)を設
けるようにしてもよい。このような定電流源電流可変手
段を設けることによって、(7)式の電流値比I0/I
1の比率を外部から任意に変化させることができ、これ
により1/Kを任意に設定することができる。例(図示
せず)として、定電流源12を、トランジスタQ7,Q
9のベースにベースが接続されたトランジスタQと、こ
のトランジスタQのエミッタに一端が接続され他端が接
地された外付けの可変抵抗Rvとによって構成する。そ
して、可変抵抗Rvの抵抗値を変化させることによっ
て、電流I0を任意に変化させ、これにより1/Kを外
部から任意に設定することができる。
On the other hand, the emitter of the transistor Q6 is connected to the base of the transistor Q14, and the emitter of the transistor Q8 is connected to the base of the transistor Q15.
Bases of transistors Q6 and Q8, transistor Q1
4, since the emitter of Q15 are respectively connected, Vbe 6 -Vbe 8 = Vbe 15 -Vbe 14 next, the relation of the above equation, the Isig3 = (I0 / I1) Isig2 . In this case, the change in the emitter current of the transistors Q14 and Q15 is proportional to the light emission command signal Isig, and if the current amplification factor of the transistors Q14 and Q15 is sufficiently large,
The emitter currents of the transistors Q14 and Q15 are equal to the collector current. As a result, the voltage change ΔVd of the terminal voltage of the resistor R15 connected to the collector of the transistor Q14 becomes ΔVd = −R15 · Isig3 = −R15 · (I0 / I1) Isig2. As in the second embodiment, the resistor R11 and the capacitance C5 form a high pass filter.
The voltage change ΔVe at the point is ΔVe = jωτ 1 / (1 + jωτ 1 ) · ΔVd τ 1 = C5 · R11, and the compensation signal Ico is the same as in the second embodiment.
Can be converted to mp. Accordingly, the voltage change ΔVa at the point a is ΔVa = − ((1/2) ΔV 3 − (1/2) jωτ 1 / (1 + jωτ 1 ) · R15 · (I0 / I1) Isig 2 −ΔV 2 ′) … (7). In this case, since there is a relationship of ΔV 2 = R5 · Isig2, 1 / K = (1/2) · R15 / R5 · (I0 / I1) C5 · R11 = τ 0 Further , in this embodiment, as shown in FIG. The circuit may be provided with constant current source current varying means (not shown) for changing the current value of the constant current source I0. By providing such constant current source current varying means, the current value ratio I0 / I of the equation (7) is obtained.
The ratio of 1 can be arbitrarily changed from the outside, and thus 1 / K can be arbitrarily set. As an example (not shown), the constant current source 12 is replaced by transistors Q7 and Q.
A transistor Q having a base connected to the base of 9 and an external variable resistor Rv having one end connected to the emitter of the transistor Q and the other end grounded. Then, by changing the resistance value of the variable resistor Rv, the current I0 can be arbitrarily changed, whereby 1 / K can be arbitrarily set from the outside.

【0058】次に、本発明の第の実施例を図5に基づ
いて説明する(請求項記載の発明に対応する)。な
お、前記実施例と同一部分についての説明は省略し、そ
の同一部分については同一符号を用いる。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. 5 (corresponding to the invention of claim 4 ). The description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0059】電圧変換部8は、発光指令信号Isig に比
例した電流によりエミッタ電流を変化させる第一のトラ
ンジスタQ6と、発光指令信号Isig に比例した電流と
同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエミッタ電流
を変化させる第二のトランジスタQ8と、第一のトラン
ジスタQ6のコレクタに接続された第一の抵抗R5と、
この第一の抵抗R5にベースが接続された第三のトラン
ジスタQ2と、この第三のトランジスタQ2のエミッタ
に一端が接続された第二の抵抗R1と、この第二の抵抗
R1と並列に接続された第一のキャパシタンスC1と、
第二のトランジスタQ8のコレクタに一端が接続された
第三の抵抗R9と、この第三の抵抗R9の他端に接続さ
れた第四の抵抗R8とによって構成されている。なお、
トランジスタQ8のエミッタ側には、−Isig2を流す電
流源9aと、トランジスタQ9と、抵抗R10とが接続
されている。トランジスタQ6のエミッタ側には、Isi
g2を流す電流源9bと、トランジスタQ7と、抵抗R6
とが接続されている。
The voltage converter 8 includes a first transistor Q6 for changing the emitter current by a current proportional to the light emission command signal Isig, and an emitter having a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal Isig but having a different sign. A second transistor Q8 for changing the current, a first resistor R5 connected to the collector of the first transistor Q6,
A third transistor Q2 having a base connected to the first resistor R5, a second resistor R1 having one end connected to an emitter of the third transistor Q2, and a second transistor R1 connected in parallel with the second resistor R1. The first capacitance C1
The third resistor R9 has one end connected to the collector of the second transistor Q8, and the fourth resistor R8 connected to the other end of the third resistor R9. In addition,
A current source 9a for flowing -Isig2, a transistor Q9, and a resistor R10 are connected to the emitter side of the transistor Q8. On the emitter side of the transistor Q6, Isi
Current source 9b for flowing g2, transistor Q7, resistor R6
And are connected.

【0060】補償器7は、第三の抵抗R9と第四の抵抗
R8とにベースが接続された第四のトランジスタQ10
と、この第四のトランジスタQ10のエミッタに一端が
接続された第二のキャパシタンスC9と、この第二のキ
ャパシタンスC9の他端に接続された第五の抵抗R17
と、この第五の抵抗R17にベースが接続された第五の
トランジスタQ16と、この第五のトランジスタQ16
のエミッタに接続された第六の抵抗R18と、第五のト
ランジスタQ16のコレクタに接続されこのコレクタ電
流のオフセット電流値に等しい電流を流す電流源として
のトランジスタQ18とによって構成されている。な
お、トランジスタQ18のコレクタにはダイオードD
3、抵抗R20が接続されている。また、トランジスタ
Q18のベースにはトランジスタQ17のベースが接続
され、このトランジスタQ17のエミッタには抵抗R1
9が接続されている。
The compensator 7 has a fourth transistor Q10 whose base is connected to the third resistor R9 and the fourth resistor R8.
A second capacitance C9 having one end connected to the emitter of the fourth transistor Q10, and a fifth resistor R17 connected to the other end of the second capacitance C9.
And a fifth transistor Q16 whose base is connected to the fifth resistor R17, and a fifth transistor Q16
Of the fifth transistor Q16 and a transistor Q18 serving as a current source for supplying a current equal to the offset current value of the collector current of the fifth transistor Q16. The diode D is connected to the collector of the transistor Q18.
3, the resistor R20 is connected. The base of the transistor Q18 is connected to the base of the transistor Q17, and the emitter of the transistor Q17 has a resistor R1.
9 is connected.

【0061】電流増幅器2の入力側のa点には、電圧変
換部8の第二の抵抗R1及び第一のキャパシタンスC1
と、第一の電流変換部10の出力側と、補償器7の第五
のトランジスタQ16のコレクタとが接続されている。
このようにして本装置は構成されている。なお、図5
中、誤差増幅器1、第一の電流変換部10、電流駆動部
3の回路構成は省略する。
At the point a on the input side of the current amplifier 2, the second resistor R1 and the first capacitance C1 of the voltage converter 8 are provided.
Is connected to the output side of the first current converter 10 and the collector of the fifth transistor Q16 of the compensator 7.
The apparatus is configured in this way. Note that FIG.
The circuit configurations of the error amplifier 1, the first current converter 10, and the current driver 3 are omitted.

【0062】以下、トランジスタQ18を備えた補償信
号Icompが流れる補償器7内の動作を中心に述べる。ま
ず、補償器7におけるDC動作について述べる。トラン
ジスタQ17,18のベースは同一電位にバイアスされ
ている。トランジスタQ17,18のエミッタ電流をそ
れぞれI1,I2とし、略等しいとすると、ベース・エ
ミッタ電圧も略等しく、 R19・I1=R20・I2+VD3D3:D3の端子間電圧 の関係式が成り立つ。トランジスタQ17,18の電
増幅率が十分大きく、エミッタ電流とコレクタ電流とが
等しいとすると、トランジスタQ17のコレクタに接続
された抵抗R17の端子間電圧は、R17・I1とな
り、この電圧がトランジスタQ16のベースに印加され
る。これにより、トランジスタQ16のエミッタ電流を
I3(電流増幅率が十分大きく、エミッタ電流とコレク
タ電流が等しいとする)とし、ベース・エミッタ電圧を
Vbe17とすると、 R17・I1=Vbe17+R18・I3 の関係式が成り立つ。この場合、D3をトランジスタQ
16と同一のトランジスタで構成し、R19=R17、
R20=R18とすると、I2=I3となる。
Hereinafter, the operation in the compensator 7 including the transistor Q18 in which the compensation signal Icomp flows will be mainly described. First, the DC operation in the compensator 7 will be described. The bases of the transistors Q17 and Q18 are biased to the same potential. Assuming that the emitter currents of the transistors Q17 and Q18 are I1 and I2, respectively, and they are substantially equal, the base-emitter voltages are also substantially equal, and the relational expression of the inter-terminal voltage of R19.I1 = R20.I2 + V D3 V D3 : D3 is established. Large current amplification factor of the transistor Q17,18 enough, when the emitter current and the collector current are equal, the voltage between the terminals of the resistor R17 connected to the collector of the transistor Q17 is, R17 · I1, and this voltage the transistor Q16 Applied to the base of. Accordingly, assuming that the emitter current of the transistor Q16 is I3 (assuming that the current amplification factor is sufficiently large and the emitter current and the collector current are equal) and the base-emitter voltage is Vbe 17 , R17 · I1 = Vbe 17 + R18 · I3 The relational expression holds. In this case, set D3 to transistor Q
16 and the same transistor, R19 = R17,
If R20 = R18, then I2 = I3.

【0063】ここで、補償器7におけるAC動作を含め
て述べる。前記第の実施例と同様にして、e点での電
圧変化ΔVeは、 ΔVe=−jωC9・R17/(1+jωC9・R17) ・R8/(R8+R9)・ΔV2 となる。このΔVeがトランジスタQ16のベースに印
加され、トランジスタQ16のコレクタ電流が変化し、
この電流変化をΔI3とする。そして、トランジスタQ
18のコレクタ電流とトランジスタQ16のコレクタ電
流との差を補償信号Icompとすると、 Icomp=(I3+ΔI3)−I2 =ΔI3 =ΔVe/R18 となる。このIcompをa点に加えると、a点での電位V
aは、 Va=Vcc−V2 −Vbe−R1・I−R1・Icomp となる。ただし、Iは(3)式と同様である。ここで、
本実施例の場合、Icompにはオフセットを持たないた
め、R1=R3+R4とすれば、 Va=V3 −V2 +2Vbe−R1・Icomp となる。これにより、a点での電位変化ΔVaは、 ΔVa=−(ΔV3 +R1・Icomp−ΔV2 ') となる。ΔV2 'のΔV2 からの差分Δが Δ=−R1・Icomp =R1/R18・jωC9・R17/(1+jωC9・R17) ・R8/(R8+R9)・ΔV2 となるように満たせば、すなわち、 1/K=R1/R18・R8/(R8+R9) C9・R17=τ0 となるように各値を設定すれば、(2)式と同様な形の
LD5に流れる順方向電流ILDを得ることができる。こ
のように電流源であるトランジスタQ18を設けたこと
によって、補償器7内にトランジスタQ16のコレクタ
電流のオフセット電流値に等しい電流を流すことができ
る。これにより補償信号Icompにオフセット電流が含ま
れなくなり、DC動作の回路設計が容易となる。従っ
て、このようなことから、電流駆動部3の出力の所望値
からのズレを改善して、LD5の順方向電流ILDの波形
を理想的な出力波形(矩形波)とすることができる。
Here, the AC operation in the compensator 7 will be described. Similarly to the first embodiment, the voltage change ΔVe at point e is ΔVe = −jωC9 · R17 / (1 + jωC9 · R17) · R8 / (R8 + R9) · ΔV 2 . This ΔVe is applied to the base of the transistor Q16, the collector current of the transistor Q16 changes,
This current change is ΔI3. And the transistor Q
Assuming that the difference between the collector current of 18 and the collector current of the transistor Q16 is the compensation signal Icomp, Icomp = (I3 + ΔI3) −I2 = ΔI3 = ΔVe / R18. When this Icomp is added to the point a, the potential V at the point a
a becomes Va = Vcc-V 2 -Vbe- R1 · I-R1 · Icomp. However, I is similar to the equation (3). here,
In this embodiment, since the Icomp no offset, if R1 = R3 + R4, the Va = V 3 -V 2 + 2Vbe -R1 · Icomp. As a result, the potential change ΔVa at the point a becomes ΔVa = − (ΔV 3 + R1 · Icomp−ΔV 2 ′). If the difference Δ from ΔV 2 of ΔV 2 'is Δ = −R1 · Icomp = R1 / R18 · jωC9 · R17 / (1 + jωC9 · R17) · R8 / (R8 + R9) · ΔV 2 , that is, 1 By setting each value so that / K = R1 / R18 · R8 / (R8 + R9) C9 · R17 = τ 0 , the forward current I LD flowing through the LD5 having the same shape as the equation (2) can be obtained. it can. By providing the transistor Q18 which is a current source in this way, a current equal to the offset current value of the collector current of the transistor Q16 can flow in the compensator 7. As a result, the compensation signal Icomp does not include an offset current, which facilitates the circuit design for DC operation. Therefore, from the above, the deviation of the output of the current driver 3 from the desired value can be improved, and the waveform of the forward current I LD of the LD 5 can be made an ideal output waveform (rectangular wave).

【0064】次に、本発明の第の実施例を図6及び図
7に基づいて説明する(請求項記載の発明に対応す
る)。なお、前記実施例と同一部分についての説明は省
略し、その同一部分については同一符号を用いる。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 and 7 (corresponding to the invention of claim 5 ). The description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0065】図6において、電圧変換部8は、発光指令
信号Isig に比例した電流によりエミッタ電流を変化さ
せる第一のトランジスタQ6と、発光指令信号Isig に
比例した電流を定数倍(−α)して−αIsig2を流す電
流可変手段としての電流源13と、この電流源13の出
力電流によりエミッタ電流を変化させる第二のトランジ
スタQ8と、第一のトランジスタQ6のコレクタに接続
された第一の抵抗R5と、この第一の抵抗R5にベース
が接続された第三のトランジスタQ2と、この第三のト
ランジスタQ2のエミッタに一端が接続された第二の抵
抗R1と、この第二の抵抗R1と並列に接続された第一
のキャパシタンスC1と、第二のトランジスタQ8のコ
レクタに接続された第三の抵抗R8とによって構成され
ている。なお、トランジスタQ8のエミッタ側には、ト
ランジスタQ9と、抵抗R10とが接続されている。ト
ランジスタQ6のエミッタ側には、Isig2を流す電流源
9bと、トランジスタQ7と、抵抗R6とが接続されて
いる。
In FIG. 6, the voltage converter 8 multiplies the first transistor Q6, which changes the emitter current by the current proportional to the light emission command signal Isig, and the current proportional to the light emission command signal Isig by a constant (-α). Current source 13 as a current varying means for flowing -αIsig2, a second transistor Q8 that changes the emitter current by the output current of the current source 13, and a first resistor connected to the collector of the first transistor Q6. R5, a third transistor Q2 having a base connected to the first resistor R5, a second resistor R1 having one end connected to an emitter of the third transistor Q2, and a second resistor R1. It is composed of a first capacitance C1 connected in parallel and a third resistor R8 connected to the collector of the second transistor Q8. A transistor Q9 and a resistor R10 are connected to the emitter side of the transistor Q8. A current source 9b for flowing Isig2, a transistor Q7, and a resistor R6 are connected to the emitter side of the transistor Q6.

【0066】補償器7は、第三の抵抗R8に一端が接続
された第二のキャパシタンスC10と、温度に比例した
電流を流す第一の電流源J1と、この第一の電流源J1
にコレクタとベースが接続された第四のトランジスタQ
19と、この第四のトランジスタQ19のエミッタに接
続された第四の抵抗R21と、第四のトランジスタQ1
9のベースにベースが接続された第五のトランジスタQ
20と、この第五のトランジスタQ20のエミッタに接
続された第五の抵抗R22と、第五のトランジスタQ2
0のコレクタと第二のキャパシタンスC10の他端とに
エミッタが接続された第六のトランジスタQ21と、こ
の第六のトランジスタQ21のコレクタに接続され第一
の電流源J1の電流値に等しい電流を流す第二の電流源
J2とによって構成されている。
The compensator 7 has a second capacitance C10 whose one end is connected to a third resistor R8, a first current source J1 for supplying a current proportional to temperature, and a first current source J1.
A fourth transistor Q whose collector and base are connected to
19, a fourth resistor R21 connected to the emitter of the fourth transistor Q19, and a fourth transistor Q1.
Fifth transistor Q whose base is connected to base 9
20, a fifth resistor R22 connected to the emitter of the fifth transistor Q20, and a fifth transistor Q2.
A sixth transistor Q21 having an emitter connected to the collector of 0 and the other end of the second capacitance C10, and a current equal to the current value of the first current source J1 connected to the collector of the sixth transistor Q21. And a second current source J2 to flow.

【0067】電流増幅器2の入力側のa点には、電圧変
換部8の第二の抵抗R1及び第一のキャパシタンスC1
と、第一の電流変換部10の出力側と、補償器7の第六
のトランジスタQ21のコレクタとが接続されている。
このようにして本装置は構成されている。なお、図6
中、誤差増幅器1、第一の電流変換部10、電流駆動部
3の回路構成は省略する。
At the point a on the input side of the current amplifier 2, the second resistor R1 and the first capacitance C1 of the voltage converter 8 are provided.
The output side of the first current converter 10 is connected to the collector of the sixth transistor Q21 of the compensator 7.
The apparatus is configured in this way. Note that FIG.
The circuit configurations of the error amplifier 1, the first current converter 10, and the current driver 3 are omitted.

【0068】以下、電流源13を備えた電圧変換部8及
び電流源J2を備えた補償信号Icompが流れる補償器7
内の動作を中心に述べる。電流源J1,J2は、同一の
電流I1を供給する電流源であり、トランジスタQ1
9,Q20及び抵抗R21,R22はカレントミラー回
路を構成しており、トランジスタQ20のコレクタ電流
はI1となる。トランジスタQ21はベースにバイアス
電圧V7が印加されており、電流増幅率は十分大きく、
エミッタ電流とコレクタ電流とは等しい(I2)とす
る。トランジスタQ20の出力抵抗は十分大きいため、
キャパシタンスC10とトランジスタQ21のエミッタ
抵抗reとによってハイパスフィルタが構成される。こ
れによりトランジスタQ21のコレクタに流れる電流I
2は、 I2=I1+(1/re)・jωC10 ・re/(1+jωC10・re)・αΔV2 ただし、 re=kT/q・I1 k:ボルツマン定数 q:電気素量 T:温度(K) となる。R5=R8とし、トランジスタQ8のエミッタ
に加える電流値は−αIsig2とする(又は、R5=αR
8)。この場合、I1が温度Tに比例するような電流を
流す電流源J1,J2を用いることによって、reは温
度に対して一定となる。そして、補償器7内の補償信号
Icompは、 Icomp=I2−I1 =(1/re)・jωτ1/(1+jωτ1)・αΔV2 τ1=C10・re となり、これにより 1/K=αR1/re …(9) C10・re=τ0 …(10) となるように各値を設定すれば、(2)式と同様な形の
LD5に流れる順方向電流ILDを得ることができる。こ
のように電流源J2を設けたことによって、補償器7内
にトランジスタQ21のコレクタ電流のオフセット電流
値に等しい電流を流すことができる。これにより補償信
号Icompにオフセット電流が含まれなくなり、DC動作
の回路設計が一段と容易化する。また、発光指令信号I
sig に比例した電流を定数倍(−α)する電流源13を
設けたことによって、IcompがI1に比べて十分小さく
なるようにαを設定すれば、リニアリティが改善され
る。従って、このようなことから、電流駆動部3の出力
の所望値からのズレを改善して、LD5の順方向電流I
LDの波形を理想的な出力波形(矩形波)とすることがで
きる。
Hereinafter, the compensator 7 in which the voltage converter 8 having the current source 13 and the compensation signal Icomp having the current source J2 flows.
I will focus on the internal operations. The current sources J1 and J2 are current sources that supply the same current I1, and the transistor Q1
9, Q20 and resistors R21, R22 form a current mirror circuit, and the collector current of the transistor Q20 is I1. The bias voltage V7 is applied to the base of the transistor Q21, and the current amplification factor is sufficiently large.
The emitter current and the collector current are equal (I2). Since the output resistance of the transistor Q20 is large enough,
A high pass filter is formed by the capacitance C10 and the emitter resistance re of the transistor Q21. As a result, the current I flowing through the collector of the transistor Q21
2, I2 = I1 + (1 / re) · jωC10 · re / (1 + jωC10 · re) · αΔV 2 However, re = kT / q · I1 k: Boltzmann constant q: a temperature (K): elementary charge T . R5 = R8 and the current value applied to the emitter of the transistor Q8 is -αIsig2 (or R5 = αR
8). In this case, re becomes constant with respect to temperature by using the current sources J1 and J2 that flow currents in which I1 is proportional to temperature T. The compensation signal Icomp in the compensator 7, Icomp = I2-I1 = ( 1 / re) · jωτ 1 / (1 + jωτ 1) · αΔV 2 τ 1 = C10 · re next, thereby 1 / K = αR1 / Re ... (9) C10 · re = τ 0 (10) By setting the respective values, it is possible to obtain the forward current I LD flowing through the LD 5 having the same shape as the equation (2). By providing the current source J2 in this way, a current equal to the offset current value of the collector current of the transistor Q21 can flow in the compensator 7. As a result, the offset signal is not included in the compensation signal Icomp, and the circuit design for DC operation is further facilitated. In addition, the light emission command signal I
By providing the current source 13 for multiplying the current proportional to sig by a constant (-α), linearity is improved by setting α so that Icomp is sufficiently smaller than I 1 . Therefore, from the above, the deviation of the output of the current driver 3 from the desired value is improved, and the forward current I of the LD 5 is reduced.
The LD waveform can be an ideal output waveform (rectangular wave).

【0069】ここで、温度に依存した電流源J1,J2
の回路構成について説明しておく。図7に示すように、
電流源J3,J4は、それぞれ温度に依存しないI0、
2I0の電流を供給する電流源である。トランジスタQ
22,Q23、抵抗R23,R24はカレントミラー回
路を構成している(トランジスタQ22,Q23は同一
サイズのトランジスタ)。トランジスタQ23のコレク
タ側の電流源J4との間にはカレントミラー回路14が
接続され、このカレントミラー回路14の出力側にはカ
レントミラー回路15が接続されている。この場合、カ
レントミラー回路14は、トランジスタQ24,Q2
5,Q26と、抵抗R25,R26,R27とによって
構成され、トランジスタQ24のサイズを1としたとき
トランジスタQ26のサイズをmとし、R25=m27
とする。また、カレントミラー回路15は、トランジス
タQ27,Q28,Q29と,Q30、抵抗R28,R
29,R30,R31とによって構成され、トランジス
タQ27のサイズを1としたときトランジスタQ29,
Q30のサイズをm'とし、R28=m'R30=m'R
31とする。
Here, temperature-dependent current sources J1 and J2
The circuit configuration of will be described. As shown in FIG.
The current sources J3 and J4 respectively have a temperature independent I0,
It is a current source that supplies a current of 2I0. Transistor Q
22, Q23 and resistors R23, R24 form a current mirror circuit (transistors Q22, Q23 are transistors of the same size). The current mirror circuit 14 is connected to the collector side current source J4 of the transistor Q23, and the current mirror circuit 15 is connected to the output side of the current mirror circuit 14. In this case, the current mirror circuit 14 includes transistors Q24 and Q2.
5, Q26 and resistors R25, R26, and R27. When the size of the transistor Q24 is 1, the size of the transistor Q26 is m, and R25 = m27.
And The current mirror circuit 15 includes transistors Q27, Q28, Q29, Q30, and resistors R28, R.
29, R30, R31, and when the size of the transistor Q27 is 1, the transistor Q29,
When the size of Q30 is m ', R28 = m'R30 = m'R
31.

【0070】今、トランジスタQ22,Q23のベース
・エミッタ電圧をそれぞれVbe0 、Vbe1 とし、トラン
ジスタQ23のコレクタ電流をI2とすると、 Vbe0 +R23・I0=Vbe1 +R24・I2 ∴ VT・ln(I0/Is)+R23・I0=VT・ln(I2/Is)+R24・I2 ∴ VT・ln(I0/I1)=R24・I2−R23・I0 ここで、R24=nR23、例えば、R24=(1/
2)R23とすると、 I2=2I0+ΔI0 とおけ、Δ=ΔI0/I0≪1とすると、 −VT・ln(2+Δ)=1/2・R0(2I0+ΔI0)−R0・I0 ∴ −2VT・ln2−VT・ΔI0/I0=R0・ΔI0 (R0+re0)ΔI0=−2VT・ln2 となる。ただし、re0=VT/I0とした。ここで、
R0≫re0とすると(例えば、I0=1mAの時、r
e0=26Ω(T=300K))、 ΔI0=−2ln2/R0・k/q・T となる。これにより、電流ΔI0は温度Tに比例した電
流となる。このような回路をカレントミラー回路14,
15に接続すれば、図6に示したような電流源J1,J
2を得ることができる。これによって、電流I1は、 I1=mm'・2ln2/R0・k/q・T となり、温度に比例した電流となる。
Now, assuming that the base-emitter voltages of the transistors Q22 and Q23 are Vbe 0 and Vbe 1 , respectively, and the collector current of the transistor Q23 is I2, Vbe 0 + R23 · I0 = Vbe 1 + R24 · I2 ∴V T · ln ( I0 / Is) + R23 · I0 = V T · ln (I2 / Is) + R24 · I2 ∴V T · ln (I0 / I1) = R24 · I2-R23 · I0 where R24 = nR23, for example, R24 = ( 1 /
When 2) R23, I2 = 2I0 + ΔI0 Toke, delta = the ΔI0 / I0«1 that, -V T · ln (2 + Δ) = 1/2 · R0 (2I0 + ΔI0) -R0 · I0 ∴ -2V T · ln2- the V T · ΔI0 / I0 = R0 · ΔI0 (R0 + re0) ΔI0 = -2V T · ln2. However, it was re0 = V T / I0. here,
If R0 >> re0 (for example, when I0 = 1 mA, r0
e0 = 26Ω (T = 300K), and ΔI0 = −2ln2 / R0 · k / q · T. As a result, the current ΔI0 becomes a current proportional to the temperature T. Such a circuit is used as a current mirror circuit 14,
If connected to 15, the current sources J1, J as shown in FIG.
2 can be obtained. As a result, the current I1 becomes I1 = mm ′ · 2ln2 / R0 · k / q · T, which is a current proportional to the temperature.

【0071】次に、本発明の第の実施例を図8及び図
9に基づいて説明する(請求項6,7記載の発明に対応
する)。なお、前記実施例と同一部分についての説明は
省略し、その同一部分については同一符号を用いる。
Next, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 8 and 9 (corresponding to the invention of claims 6 and 7 ). The description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0072】本実施例は、前述した第の実施例(図6
参照)の回路に関するものである。まず、図8は、図6
の電流源J1,J2にそれぞれ流れる電流値I1を変化
させる電流源電流可変手段16の回路構成を示す。以
下、この電流源電流可変手段16の動作について説明す
る。トランジスタQ30,Q31,Q32,Q33,Q
34,Q35は、差動スイッチである。トランジスタQ
25−1のサイズを1とすると、トランジスタQ25−
2,Q25−3のサイズはそれぞれ2,4という関係と
なる。また、抵抗R27−1,R27−2,R27−3
にそれぞれ流れる電流をIa0,Ia1,Ia2とする
と、Ia1=2Ia0、Ia2=4Ia0となってい
る。D0がL(Low)レベルのときは電流Ia0がトラ
ンジスタQ31に流れ、D1もLレベルのときは電流I
a1がトランジスタQ33に流れ、これにより、電流I
a=Ia0+Ia1となる。このようにD0〜D2によ
り電流Ia、さらには電流I1が変化する。Ia0,I
a1,Ia2は温度に比例した電流であるため、電流I
1は温度に比例した電流となり、外部からデジタル的に
変化させることができる。電流I1を任意に設定できれ
ば、電流源J1,J2を用いることによって、(10)
式の関係からreを任意に設定することができ、これに
より、補償信号Icompの時定数τ0 を調整することがで
きる。
This embodiment is the same as the above-mentioned fourth embodiment (see FIG. 6).
See) circuit. First, FIG.
The circuit configuration of the current source current varying means 16 for changing the current value I1 flowing in each of the current sources J1 and J2 is shown. The operation of the current source current varying means 16 will be described below. Transistors Q30, Q31, Q32, Q33, Q
34 and Q35 are differential switches. Transistor Q
If the size of 25-1 is 1, the transistor Q25-
The sizes of 2, Q25-3 are 2, 4 respectively. Further, the resistors R27-1, R27-2, R27-3
Letting Ia0, Ia1, and Ia2 be the currents flowing in the respective lines, Ia1 = 2Ia0 and Ia2 = 4Ia0. The current Ia0 flows to the transistor Q31 when D0 is at the L (Low) level, and the current Ia0 when D1 is at the L level.
a1 flows to the transistor Q33, which causes the current I
a = Ia0 + Ia1. In this way, the current Ia and further the current I1 are changed by D0 to D2. Ia0, I
Since a1 and Ia2 are currents proportional to temperature, the current I
1 is a current proportional to temperature and can be changed digitally from the outside. If the current I1 can be set arbitrarily, by using the current sources J1 and J2, (10)
Re can be set arbitrarily from the relationship of the equation, and by this, the time constant τ 0 of the compensation signal Icomp can be adjusted.

【0073】図9は、電流源13(電流可変手段、図6
参照)の発光指令信号Isig に比例した電流を定数倍
(α)する比率を変化させる比率可変手段17の回路構
成を示す。以下、この比率可変手段17の動作について
説明する。トランジスタQ50のコレクタには、トラン
ジスタQ54の帰還により常にI0の電流が流れ、トラ
ンジスタQ51のコレクタ電流はI1−I0となる。た
だし、I1≧I0の関係がある。また、トランジスタQ
53のコレクタに流れる電流をIaとすると、トランジ
スタQ52のコレクタ電流はIT−Iaとなり、 VT ・ln(I0/Is)−VT ・ln(Ia/Is) =VT・ln((I1−I0)/Is)−VT・ln((IT−Ia)/Is) の関係が成り立つ。ただし、トランジスタQ50〜Q5
3は同一サイズのトランジスタとし、ITは温度に比例
した電流とする。
FIG. 9 shows a current source 13 (current varying means, FIG.
2) shows the circuit configuration of the ratio varying means 17 for changing the ratio of multiplying the current proportional to the light emission command signal Isig by a constant (α). The operation of the ratio varying means 17 will be described below. A current of I0 always flows through the collector of the transistor Q50 due to the feedback of the transistor Q54, and the collector current of the transistor Q51 becomes I1-I0. However, there is a relation of I1 ≧ I0. Also, the transistor Q
Assuming that the current flowing through the collector of 53 is Ia, the collector current of the transistor Q52 becomes IT-Ia, and V T · ln (I0 / Is) −V T · ln (Ia / Is) = V T · ln ((I1- I0) / is) -V T · ln ((iT-Ia) / is) of the relationship is established. However, transistors Q50 to Q5
3 is a transistor of the same size, and IT is a current proportional to temperature.

【0074】 ∴ I0/Ia=(I1−I0)/(IT−Ia) ∴ Ia=I0/I1・IT 一方、トランジスタQ55,Q56のエミッタ電流とし
て前記I0と等しい電流を流すと、トランジスタQ5
5,Q56のコレクタ電流はそれぞれ、I2、I0−I
2となり(I0≧I2)、トランジスタQ58のコレク
タ電流をIbとすると、トランジスタQ58のコレクタ
電流は−Isig2−Ibとなり、 Ib=I2/I0・(−Isig2) が成り立つ。Ia,Ibを図6中におけるI1.−αI
sig2として用いれば、(9)式から、 1/K=I2/I0・R1・I0/I1・qIT/kT ∴ 1/K=I2/I1・K1 ただし、K1=R1・qIT/kT (IT∝T) となる。また、(10)式から、 τ0=C10・I0/I1・qIT/kT ∴ τ0=C10・I0/I1・K2 ただし、K2=qIT/kT (IT∝T) となる。これにより、I0,I1.I2の値を外部から
任意に設定する(I1≧I0≧I2)ことによって、補
償信号Icomp(=I2−I1、図6参照)を調節するこ
とができ、これによりその補償信号Icompの最大値を任
意に設定することができる。
∴ I0 / Ia = (I1−I0) / (IT-Ia) ∴ Ia = I0 / I1 · IT On the other hand, when a current equal to I0 is supplied as the emitter current of the transistors Q55 and Q56, the transistor Q5
The collector currents of Q5 and Q56 are I2 and I0-I, respectively.
2 (I0 ≧ I2) and the collector current of the transistor Q58 is Ib, the collector current of the transistor Q58 becomes −Isig2−Ib, and Ib = I2 / I0 · (−Isig2) holds. Ia and Ib are I1. -ΑI
If used as sig2, 1 / K = I2 / I0 · R1 · I0 / I1 · qIT / kT ∴ 1 / K = I2 / I1 · K1 where K1 = R1 · qIT / kT (IT∝ T). Further, from the equation (10), τ0 = C10 · I0 / I1 · qIT / kT ∴τ0 = C10 · I0 / I1 · K2, where K2 = qIT / kT (IT∝T). As a result, I0, I1. By arbitrarily setting the value of I2 from the outside (I1 ≧ I0 ≧ I2), the compensation signal Icomp (= I2-I1, see FIG. 6) can be adjusted, whereby the maximum value of the compensation signal Icomp can be adjusted. It can be set arbitrarily.

【0075】次に、本発明の第の実施例を図10及び
図11に基づいて説明する(請求項記載の発明に対応
する)。なお、前記実施例と同一部分についての説明は
省略し、その同一部分については同一符号を用いる。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 10 and 11 (corresponding to the invention of claim 8 ). The description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0076】電圧変換部8は、発光指令信号Isig に比
例した電流によりエミッタ電流を変化させる第一のトラ
ンジスタQ6と、発光指令信号Isig に比例した電流と
同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエミッタ電流
を変化させる第二のトランジスタQ8と、第一のトラン
ジスタQ6のコレクタに一端が接続された第一の抵抗R
31と、この第一の抵抗R31にベースが接続された第
三のトランジスタQ2と、この第三のトランジスタQ2
のエミッタに一端が接続された第二の抵抗R1と、この
第二の抵抗R1と並列に接続された第一のキャパシタン
スC1と、第一の抵抗R31の他端に接続された第三の
抵抗R30とによって構成されている。なお、トランジ
スタQ8のエミッタ側には、−Isig2'を流す電流源1
9aと、トランジスタQ9と、抵抗R10とが接続され
ている。トランジスタQ6のエミッタ側には、Isig2'
を流す電流源19bと、トランジスタQ7と、抵抗R6
とが接続されている。
The voltage converter 8 includes a first transistor Q6 for changing the emitter current by a current proportional to the light emission command signal Isig, and an emitter with a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal Isig but having a different sign. A second transistor Q8 that changes the current, and a first resistor R whose one end is connected to the collector of the first transistor Q6.
31, a third transistor Q2 whose base is connected to the first resistor R31, and a third transistor Q2
Second resistor R1 having one end connected to the emitter of, a first capacitance C1 connected in parallel with the second resistor R1, and a third resistor connected to the other end of the first resistor R31. And R30. In addition, on the emitter side of the transistor Q8, a current source 1 that flows -Isig2 '
9a, the transistor Q9, and the resistor R10 are connected. Isig2 'is provided on the emitter side of the transistor Q6.
Current source 19b, a transistor Q7, and a resistor R6.
And are connected.

【0077】補償器7は、第一の抵抗R31と第三の抵
抗R30とにベースが接続された第四のトランジスタQ
36と、この第四のトランジスタQ36のエミッタに一
端が接続された第四の抵抗R28と、この第四の抵抗R
28の他端に接続された第二のキャパシタンスC11
と、この第二のキャパシタンスC11の端子間電圧を前
記電圧変換部8の第二の抵抗R1及び第一のキャパシタ
ンスC1に流れる電流に変換する第二の電流変換部11
とによって構成されている。この第二の電流変換部11
は、電流源18と、トランジスタQ37と、抵抗R29
とを備えている。電流源18は、トランジスタQ37の
コレクタに流れるバイアス電流と等しい電流I1を流
す。
The compensator 7 has a fourth transistor Q whose base is connected to the first resistor R31 and the third resistor R30.
36, a fourth resistor R28 having one end connected to the emitter of the fourth transistor Q36, and a fourth resistor R28.
Second capacitance C11 connected to the other end of 28
And a second current converter 11 for converting a voltage across the second capacitance C11 into a current flowing through the second resistor R1 and the first capacitance C1 of the voltage converter 8.
It is composed of and. This second current converter 11
Is a current source 18, a transistor Q37, and a resistor R29.
It has and. The current source 18 supplies a current I1 equal to the bias current flowing through the collector of the transistor Q37.

【0078】電流増幅器2の入力側のa点には、電圧変
換部8の第二の抵抗R1及び第一のキャパシタンスC1
と、第一の電流変換部10の出力側と、補償器7の第二
の電流変換部11の出力側とが接続されている。このよ
うにして本装置は構成されている。なお、図10中、誤
差増幅器1、第一の電流変換部10、電流駆動部3の回
路構成は省略する。
At the point a on the input side of the current amplifier 2, the second resistor R1 and the first capacitance C1 of the voltage converter 8 are provided.
Is connected to the output side of the first current converter 10 and the output side of the second current converter 11 of the compensator 7. The apparatus is configured in this way. In FIG. 10, the circuit configurations of the error amplifier 1, the first current converter 10, and the current driver 3 are omitted.

【0079】以下、第二のキャパシタンスC11を備え
た補償信号Icompが流れる補償器7内の動作を中心に述
べる。電圧変換部8において、発光指令信号Isig に比
例した電流Isig2を定数倍した電流Isig2'はトランジ
スタQ6のエミッタ電流を変化させて、抵抗R30と抵
抗R31とを直列接続したものの端子間に電圧変化ΔV
1 を発生させる。このΔV1 は、 ΔV1 =(R30+R31)・Isig2' として表わされる。そして、このΔV1 を抵抗R30と
抵抗R31と分圧した信号R30・Isig2'は、トラン
ジスタQ36及び抵抗R28とキャパシタンスC11と
で構成されたローパスフィルタを介して、e点に電圧変
化ΔVeを生じさせる。このΔVeは、 ΔVe=1/(1+jωτ1)・R30・Isig2' τ1 =R28・C11 となる。ここでは、トランジスタQ37のコレクタには
そのコレクタに流れるバイアス電流と等しい電流I1を
流す電流源I1が接続されているため、補償信号Icomp
は、 Icomp=1/(1+jωτ1)・R30/R29・Isig2' となる。一方、ΔV1 はa点では、 ΔV1'=ΔV1 −1/K・exp(−t/τ0)・ΔV1 =(1−1/K)ΔV1 +1/K{1−exp(−t/τ0)}ΔV1 となる。これにより、図11に示すように、出力波形の
所望値ΔV2 を ΔV2 {=(R30+R31)Isig2} とすると、 ΔV2 =(1−1/K)ΔV1 を満足し、補償信号Icompにより誤差分Δ(図11中の
ハッチング領域) Δ=1/K{1−exp(−t/τ0)}ΔV1 だけを減算すればよい。すなわち、 Isig2'=K/(K−1)Isig2 1/K=R30/(R30+R31)・R1/R29 τ1 =R28・C11=τ0 となるように各値を設定すれば、(2)式と同様な形の
LD5に流れる順方向電流ILDを得ることができる。こ
のようにトランジスタQ37の入力側にキャパシタンス
C11を接続したことによって、ローパスフィルタとし
ての機能をもたせることができ、補償器7内の補償信号
Icompに高周波成分が含まれなくなる。従って、このよ
うなことから、電流駆動部3の出力の所望値からのズレ
を改善して、LD5の順方向電流ILDの波形を理想的な
出力波形(矩形波)とすることができる。なお、Isig
2'=Isig2とし、抵抗R30,R31の抵抗値をK/
(K−1)倍したものを用いてもよい。
The operation in the compensator 7 in which the compensation signal Icomp having the second capacitance C11 flows will be mainly described below. In the voltage conversion unit 8, a current Isig2 ′ obtained by multiplying the current Isig2 proportional to the light emission command signal Isig by a constant changes the emitter current of the transistor Q6, and the voltage change ΔV is generated between the terminals of the resistors R30 and R31 connected in series.
Raises 1 . This ΔV 1 is represented as ΔV 1 = (R30 + R31) · Isig2 ′. Then, the signal R30 · Isig2 ′ obtained by dividing this ΔV 1 by the resistors R30 and R31 causes a voltage change ΔVe at the point e via the low pass filter constituted by the transistor Q36 and the resistor R28 and the capacitance C11. . This ΔVe is ΔVe = 1 / (1 + jωτ 1 ) · R30 · Isig2 ′ τ 1 = R28 · C11. Here, the collector of the transistor Q37 is connected to the current source I1 that flows a current I1 equal to the bias current flowing through the collector, so that the compensation signal Icomp
Is Icomp = 1 / (1 + jωτ 1 ) · R30 / R29 · Isig2 ′. On the other hand, ΔV 1 is ΔV 1 ′ = ΔV 1 −1 / K · exp (−t / τ 0 ) · ΔV 1 = (1-1 / K) ΔV 1 + 1 / K {1-exp (− t / τ 0 )} ΔV 1 . Thus, as shown in FIG. 11, when the desired value ΔV 2 of the output waveform is ΔV 2 {= (R30 + R31) Isig2}, ΔV 2 = (1-1 / K) ΔV 1 is satisfied, and the compensation signal Icomp is used. Only the difference Δ (hatched area in FIG. 11) Δ = 1 / K {1-exp (−t / τ 0 )} ΔV 1 needs to be subtracted. That is, by setting the values so that Isig2 '= K / (K- 1) Isig2 1 / K = R30 / (R30 + R31) · R1 / R29 τ 1 = R28 · C11 = τ 0, (2) formula It is possible to obtain the forward current I LD flowing through the LD 5 having the same shape as the above. By connecting the capacitance C11 to the input side of the transistor Q37 in this way, it is possible to have a function as a low-pass filter, and the compensation signal Icomp in the compensator 7 does not include a high frequency component. Therefore, from the above, the deviation of the output of the current driver 3 from the desired value can be improved, and the waveform of the forward current I LD of the LD 5 can be made an ideal output waveform (rectangular wave). In addition, Isig
2 '= Isig2, and the resistance value of the resistors R30 and R31 is K /
You may use what was (K-1) times.

【0080】次に、本発明の第の実施例を図12及び
図13に基づいて説明する(請求項記載の発明に対応
する)。なお、前記実施例と同一部分についての説明は
省略し、その同一部分については同一符号を用いる。
Next, a seventh embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 12 and 13 (corresponding to the invention of claim 9 ). The description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0081】本装置は、モニタ信号Imと発光指令信号
Isig との差電流を増幅する誤差増幅器1と、発光指令
信号Isig に比例した電流を出力する電流駆動部3と、
この電流駆動部3の出力を模擬する模擬回路20と、発
光指令信号Isig に比例した電流と模擬回路20の出力
との差分信号を出力する差動増幅器21と、誤差増幅器
1の出力と電流駆動部3の出力と差動増幅器21の出力
とを加算した信号を増幅して出力電流を得る電流増幅器
2とに大別される。
This apparatus comprises an error amplifier 1 for amplifying a difference current between the monitor signal Im and the light emission command signal Isig, a current driver 3 for outputting a current proportional to the light emission command signal Isig,
A simulation circuit 20 that simulates the output of the current drive unit 3, a differential amplifier 21 that outputs a differential signal between the current proportional to the light emission command signal Isig and the output of the simulation circuit 20, the output of the error amplifier 1, and the current drive. It is roughly divided into a current amplifier 2 that amplifies a signal obtained by adding the output of the section 3 and the output of the differential amplifier 21 to obtain an output current.

【0082】模擬回路20は、電流増幅器2を含む出力
部22の出力波形を模擬する回路である。この模擬回路
20は、トランジスタQ38と、抵抗R32と、キャパ
シタンスC12と、電流I4を流す定電流源23と、模
擬電流増幅器24とから構成されている。模擬電流増幅
器24は、トランジスタQ39,Q40と、抵抗R3
3,R34とから構成されている。また、出力部22
は、電流増幅器2と、トランジスタQ2と、抵抗R1
と、キャパシタンスC1とから構成されている。
The simulation circuit 20 is a circuit for simulating the output waveform of the output section 22 including the current amplifier 2. The simulation circuit 20 is composed of a transistor Q38, a resistor R32, a capacitance C12, a constant current source 23 for flowing a current I4, and a simulation current amplifier 24. The simulated current amplifier 24 includes transistors Q39 and Q40 and a resistor R3.
3, R34. Also, the output unit 22
Is a current amplifier 2, a transistor Q2, and a resistor R1.
And a capacitance C1.

【0083】差動増幅器21は、トランジスタQ42,
Q43と、抵抗R36と、電流I5を流す2個の電流源
21a,21bとから構成されている。抵抗R36は線
形動作範囲を広げるためのものであり、R36・I5の
値が差動電圧の最大値よりも大きくなるように設定して
おけばよい。また、ここでは、トランジスタQ43のコ
レクタに、補償電流Icompのオフセット電流を打消すた
めの電流I5を流す定電流源25が接続されている。
The differential amplifier 21 includes a transistor Q42,
It is composed of Q43, a resistor R36, and two current sources 21a and 21b for flowing a current I5. The resistor R36 is for expanding the linear operation range, and may be set so that the value of R36 · I5 is larger than the maximum value of the differential voltage. Further, here, the collector of the transistor Q43 is connected to a constant current source 25 for supplying a current I5 for canceling the offset current of the compensation current Icomp.

【0084】また、トランジスタQ43のコレクタはト
ランジスタQ6のエミッタに接続されている。このトラ
ンジスタQ6のエミッタ側には、電流Isig2を流す電流
源9bと、トランジスタQ7と、抵抗R6とが接続され
ている。トランジスタQ6のコレクタには抵抗R5が接
続されている。また、トランジスタQ6のベースはトラ
ンジスタQ8のベースと接続されている。トランジスタ
Q8のエミッタ側には、電流−Isig2を流す電流源9a
と、トランジスタQ9と、抵抗R10とが接続されてい
る。トランジスタQ8のコレクタには、抵抗R8が接続
されている。この抵抗R8とトランジスタQ8のコレク
タとの間には、トランジスタQ41のベースが接続され
ている。このトランジスタQ41のエミッタには、抵抗
R35及びキャパシタンスC13の一端が接続されてい
る。これら抵抗R35及びキャパシタンスC13の他端
は、電流I4を流す電流源26が接続されている。抵抗
R35及びキャパシタンスC13の他端と電流源26と
の間には、トランジスタQ43のベースが接続されてい
る。このようにして本装置は構成されている。なお、図
12中、誤差増幅器1及び電流駆動部3の回路構成は省
略する。
The collector of the transistor Q43 is connected to the emitter of the transistor Q6. A current source 9b for flowing a current Isig2, a transistor Q7, and a resistor R6 are connected to the emitter side of the transistor Q6. A resistor R5 is connected to the collector of the transistor Q6. The base of the transistor Q6 is connected to the base of the transistor Q8. On the emitter side of the transistor Q8, a current source 9a for flowing a current -Isig2
, The transistor Q9 and the resistor R10 are connected. A resistor R8 is connected to the collector of the transistor Q8. The base of the transistor Q41 is connected between the resistor R8 and the collector of the transistor Q8. A resistor R35 and one end of a capacitance C13 are connected to the emitter of the transistor Q41. The other end of the resistor R35 and the capacitance C13 is connected to the current source 26 for flowing the current I4. The base of the transistor Q43 is connected between the other end of the resistor R35 and the capacitance C13 and the current source 26. The apparatus is configured in this way. Note that the circuit configurations of the error amplifier 1 and the current driver 3 are omitted in FIG.

【0085】一般に、半導体レーザ制御装置をICで構
成する場合、各個別素子の絶対値バラツキが大きく、ま
た、温度変動や電源電圧変動により、電流増幅器2の入
力インピーダンス(図17の交流等価回路では、R0、
C0であり、R0〜hfe0・hfe1・REの範囲の値であ
る。hfe0・hfe1はそれぞれトランジスタQ0,Q1の
電流増幅率)は大きく変動し、これにより出力波形の所
望値からの差分も大きく変動する。一方、補償信号Ico
mpは抵抗値及びキャパシタンス容量により設定されるた
め、デバイスバラツキによる歩留りが低下する。また、
外部から補償信号Icompを設定したとしても完璧とは言
えず、温度変動には対応しきれないのが現状である。
In general, when the semiconductor laser control device is composed of an IC, the absolute value of each individual element varies greatly, and the input impedance of the current amplifier 2 (in the AC equivalent circuit of FIG. , R0,
C0, which is a value in the range of R0 to h fe0 · h fe1 · RE. In h fe0 and h fe1 , the current amplification factors of the transistors Q0 and Q1, respectively, greatly fluctuate, and thus the difference from the desired value of the output waveform also largely fluctuates. On the other hand, the compensation signal Ico
Since mp is set by the resistance value and the capacitance, the yield due to device variations decreases. Also,
Even if the compensation signal Icomp is set from the outside, it cannot be said to be perfect, and it is the current situation that it cannot cope with temperature fluctuations.

【0086】そこで、このような問題に対処するための
本装置の動作、特に、模擬回路20及び差動増幅器21
の動作を中心に述べる。今、定電流源26の出力抵抗及
び差動増幅器21の入力抵抗は、模擬電流増幅器24の
入力抵抗に比べて十分大きいとし、抵抗R5と抵抗R8
の抵抗値が等しいとすると、f点の電圧変化ΔVfと補
償前のaの電圧変化ΔV2 'は、 ΔVf=−ΔV2 ' となり、互いに等しくなる(ただし、符号は異なる)。
通常の場合、IC内では相対バラツキはかなり小さいた
め、模擬回路20と出力部22とを同一素子で構成して
いれば各個別素子の絶対値が変動してもf点の電圧変化
ΔVfは補償前のa点の電圧変化ΔV2 'を模擬し、ほ
ぼ等しくなっている。一方、トランジスタQ41のベー
スに印加された電圧変化−ΔV2 は、h点では電圧変化
ΔVhとなるが、図17のような交流等価回路を考えた
場合、R0はR1(ここでは、R35)に比べて十分大
きいため、キャパシタンスC13の容量をC0に比べて
十分大きくとれば、ΔVhと−ΔV2 とは ΔVh≒−ΔV2 となり、両者の差はほとんどない。なお、R35=R3
2、定電流源の値をI4としておけば、点f、点hのD
C電位は等しくなる。
Therefore, the operation of the present device for dealing with such a problem, in particular, the simulation circuit 20 and the differential amplifier 21.
The operation will be mainly described. Now, assuming that the output resistance of the constant current source 26 and the input resistance of the differential amplifier 21 are sufficiently larger than the input resistance of the simulated current amplifier 24, the resistors R5 and R8.
Assuming that the resistance values are equal, the voltage change ΔVf at point f and the voltage change ΔV 2 ′ at point a before compensation are ΔVf = −ΔV 2 ′, and are equal to each other (however, the signs are different).
In the normal case, the relative variation is quite small in the IC, so if the simulation circuit 20 and the output unit 22 are configured by the same element, the voltage change ΔVf at the point f is compensated even if the absolute value of each individual element fluctuates. The voltage change ΔV 2 'at the previous point a is simulated and is almost equal. On the other hand, the voltage change −ΔV 2 applied to the base of the transistor Q41 becomes a voltage change ΔVh at the point h, but in the case of the AC equivalent circuit as shown in FIG. 17, R0 becomes R1 (here, R35). Therefore, if the capacitance of the capacitance C13 is set sufficiently larger than C0, ΔVh and −ΔV 2 are ΔVh≈−ΔV 2 , and there is almost no difference between the two. Note that R35 = R3
2. If the value of the constant current source is I4, D at points f and h
The C potential becomes equal.

【0087】そして、ΔVfとΔVhとを差動増幅器2
1に入力すれば、これらの差、すなわち、a点での所望
値からの差分がトランジスタQ43から出力される。こ
の出力値を補償信号Icompとして出力部22に加える。
これにより、デバイスのバラツキや温度変動等によって
起こる出力波形の所望値からの差分変動に応じた補償を
行うことができる。従って、このようなことから、電流
駆動部3の出力の所望値からのズレを改善して、LD5
の順方向電流ILDの波形を理想的な出力波形(矩形波)
とすることができる。なお、ここでは、補償信号Icomp
をトランジスタQ6のエミッタに加えているが、前述し
た各実施例と同様にa点に加えるようにしてもよい。
Then, ΔVf and ΔVh are fed to the differential amplifier 2
If it is input to 1, the difference between them, that is, the difference from the desired value at point a, is output from the transistor Q43. This output value is added to the output unit 22 as the compensation signal Icomp.
As a result, it is possible to perform compensation in accordance with the variation in the output waveform from the desired value, which occurs due to variations in devices, temperature variations, and the like. Therefore, from the above, the deviation of the output of the current driver 3 from the desired value is improved, and the LD 5
Of the forward current I LD of the ideal output waveform (rectangular wave)
Can be Note that here, the compensation signal Icomp
Is added to the emitter of the transistor Q6, but it may be added to the point a as in the above-described embodiments.

【0088】また、図13は、模擬電流増幅器24の変
形例を示す。前述した図12の回路では、模擬電流増幅
器24は電流増幅器2と同一構成としたが、通常、RE
の抵抗値は10Ω程度(ΔV2 ≒500mV、ILD≒5
0mAとすると、RE≒10Ω)であり、外付け部品と
することが多く、その図12の回路でR34=REとす
るには、チップ内で構成することが困難である。そこ
で、模擬電流増幅器24を図13のような構成とし、R
40≒hfe0・REとすることによって、チップ部品と
して容易に構成することができる。
FIG. 13 shows a modified example of the simulated current amplifier 24. In the circuit of FIG. 12 described above, the simulated current amplifier 24 has the same configuration as that of the current amplifier 2.
Has a resistance value of about 10Ω (ΔV 2 ≈500 mV, I LD ≈5
When it is 0 mA, RE≈10Ω), which is often an external component, and it is difficult to configure R34 = RE in the circuit in FIG. 12 in the chip. Therefore, the simulated current amplifier 24 is configured as shown in FIG.
By setting 40≈h fe0 · RE, it can be easily configured as a chip component.

【0089】次に、本発明の第の実施例を図14及び
図15に基づいて説明する(請求項10記載の発明に対
応する)。なお、前記実施例と同一部分についての説明
は省略し、その同一部分については同一符号を用いる。
Next, an eighth embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 14 and 15 (corresponding to the invention of claim 10 ). The description of the same parts as those in the above-mentioned embodiment is omitted, and the same reference numerals are used for the same parts.

【0090】本装置の構成を示す図14の回路は、前述
した第の実施例(図12参照)の回路と基本的には同
様であるが、ここでは、発光指令信号Isig2に比例した
電流を定数倍(1+1/α)する電流可変手段としての
電流源27a,27bが、トランジスタQ6,Q8のエ
ミッタ側に接続されている。
The circuit of FIG. 14 showing the configuration of the present device is basically the same as the circuit of the seventh embodiment (see FIG. 12) described above, but here, the current proportional to the light emission command signal Isig2 is used. Are connected to the emitter side of the transistors Q6 and Q8 as current variable means for multiplying (1 + 1 / α) by a constant.

【0091】以下、回路の動作について述べる。今、入
力信号として、発光指令信号Isig2に比例した電流を定
数倍(1+1/α)した信号を用い、 R37+R38=R5、R37=αR38 の関係が成立する抵抗R37、R38により電圧に変換
する。これにより発生した電圧(1+1/α)ΔV2
ΔV2 をトランジスタQ38、Q41のベースにそれぞ
れ印加すると、模擬回路20のf点の電圧波形ΔVf、
h点のΔVhは、図15のようになる。ただし、ΔV2
=R5・Isig2とする。そして、差動増幅器21によっ
て、ΔVfとΔVhとの差分ΔVcompを発生させ、この
値を補償信号Icompに変換してトランジスタQ6のエミ
ッタ電流に加算する。これによりトランジスタQ6のコ
レクタ側の抵抗R5の端子間の電圧変化ΔViが得ら
れ、a点では所望値からのずれがほとんどない波形とな
る。これにより、デバイスのバラツキや温度変動等によ
って起こる出力波形の所望値からの差分変動に応じた補
償を行うことができる。従って、このようなことから、
電流駆動部3の出力の所望値からのズレを改善して、L
D5の順方向電流ILDの波形を理想的な出力波形(矩形
波)とすることができる。また、この場合、 1/α≧(1/K)max (1/K)max:1/Kの最大値 としておくことによって、補償信号Icompに高周波成分
が含まれないため、回路設計が容易となる。
The operation of the circuit will be described below. Now, as the input signal, a signal obtained by multiplying the current proportional to the light emission command signal Isig2 by a constant (1 + 1 / α) is used, and the voltage is converted by the resistors R37 and R38 satisfying the relationship of R37 + R38 = R5 and R37 = αR38. The voltage (1 + 1 / α) ΔV 2 generated by this,
When ΔV 2 is applied to the bases of the transistors Q38 and Q41, respectively, the voltage waveform ΔVf at the point f of the simulation circuit 20,
ΔVh at point h is as shown in FIG. However, ΔV 2
= R5 · Isig2 Then, the differential amplifier 21 generates a difference ΔVcomp between ΔVf and ΔVh, converts this value into a compensation signal Icomp, and adds it to the emitter current of the transistor Q6. As a result, the voltage change ΔVi between the terminals of the resistor R5 on the collector side of the transistor Q6 is obtained, and the waveform at the point a has almost no deviation from the desired value. As a result, it is possible to perform compensation in accordance with the variation in the output waveform from the desired value, which occurs due to variations in devices, temperature variations, and the like. Therefore, from such a thing,
The deviation of the output of the current driver 3 from the desired value is improved, and L
The waveform of the forward current I LD of D5 can be an ideal output waveform (rectangular wave). Further, in this case, by setting the maximum value of 1 / α ≧ (1 / K) max (1 / K) max: 1 / K, the compensation signal Icomp does not include a high-frequency component, which facilitates circuit design. Become.

【0092】[0092]

【発明の効果】請求項1ないし8記載の発明は、誤差増
幅器から得られるモニタ信号と発光指令信号との差電流
に比例した信号と、電流駆動部から得られる発光指令信
号に比例した信号と、補償器から得られる補償信号に相
当する前記発光指令信号に比例した値からの差分信号と
の3つの信号の和を電流増幅器の出力電流として用いる
ようにしたので、電流増幅器の出力電流の所望値からの
ズレを大幅に改善することができ、これにより、半導体
レーザの所望とする順方向電流を得て常に安定したレー
ザ出力を得ることができる。
The invention of claim 1 to 8, wherein according to the present invention includes a signal proportional to the difference current between the monitor signal and the light emission command signal obtained from the error amplifier, signal and proportional to the emission command signal obtained from the current driving portions Since the sum of the three signals of the differential signal from the value proportional to the light emission command signal corresponding to the compensation signal obtained from the compensator is used as the output current of the current amplifier, the output current of the current amplifier is desired. The deviation from the value can be greatly improved, whereby a desired forward current of the semiconductor laser can be obtained and a stable laser output can be obtained at all times.

【0093】請求項記載の発明は、電流増幅器の入力
側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタ
ンスと、第一の電流変換手段の出力側と、第二の電流変
換手段の出力側とを接続したので、補償器の補償信号量
の制御を容易に行うことができ、これにより、簡単な回
路構成で電流増幅器の出力電流量の制御を行うことがで
きる。
According to the first aspect of the invention, the input side of the current amplifier has the second resistance and the first capacitance of the voltage converting means, the output side of the first current converting means, and the second current converting means. Since it is connected to the output side, the compensation signal amount of the compensator can be easily controlled, and thus the output current amount of the current amplifier can be controlled with a simple circuit configuration.

【0094】請求項記載の発明は、電流増幅器の入力
側に、定電流源を備えた電圧変換手段の第二の抵抗及び
第一のキャパシタンスと、第一の電流変換手段の出力側
と、第二の電流変換手段の出力側とを接続したので、定
電流源の電流値により補償器の補償信号の最大値を設定
することができ、これにより、電流増幅器の出力電流量
の制御を行う補償回路の設計を容易に行うことができ
る。
According to a second aspect of the present invention, the input side of the current amplifier has a second resistance and a first capacitance of the voltage conversion means having a constant current source, and an output side of the first current conversion means. Since the output side of the second current conversion means is connected, the maximum value of the compensation signal of the compensator can be set by the current value of the constant current source, thereby controlling the output current amount of the current amplifier. The compensation circuit can be easily designed.

【0095】請求項記載の発明は、定電流源の電流値
を変化させる定電流源電流可変手段を設けたので、外部
から補償器内の補償信号の最大値を任意に変化させるこ
とができ、これにより、電流増幅器の出力電流量の制御
を一段と正確に行うことができる。
According to the third aspect of the present invention, since the constant current source current varying means for changing the current value of the constant current source is provided, the maximum value of the compensation signal in the compensator can be arbitrarily changed from the outside. Thus, the output current amount of the current amplifier can be controlled more accurately.

【0096】請求項記載の発明は、電流増幅器の入力
側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタ
ンスと、第一の電流変換手段の出力側と、コレクタ電流
のオフセット電流値に等しい電流を流す電流源を備えた
第五のトランジスタのコレクタとを接続したので、補償
信号にオフセット電流が含まれなくなり、これにより、
DC動作の回路設計を容易に行うことができる。
According to a fourth aspect of the present invention, the input side of the current amplifier has the second resistance and the first capacitance of the voltage converting means, the output side of the first current converting means, and the offset current value of the collector current. Since it is connected to the collector of the fifth transistor having a current source that supplies a current equal to, the compensation signal does not include the offset current, and
It is possible to easily design a circuit for DC operation.

【0097】請求項記載の発明は、発光指令信号に比
例した電流を定数倍する電流可変手段を備え、電流増幅
器の入力側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキ
ャパシタンスと、第一の電流変換手段の出力側と、コレ
クタ電流のオフセット電流値に等しい電流を流す第一及
び第二の電流源を備えた第六のトランジスタのコレクタ
とを接続したので、補償信号にオフセット電流が含まれ
ず、しかも、補償信号のリニアリティが改善され、これ
により、一段と簡単な構成で、DC動作の回路設計を容
易に行うことができる。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided current varying means for multiplying the current proportional to the light emission command signal by a constant, and the second side and the first capacitance of the voltage converting means are provided on the input side of the current amplifier. Since the output side of the first current conversion means is connected to the collector of the sixth transistor having the first and second current sources for supplying a current equal to the offset current value of the collector current, the offset current is added to the compensation signal. Is not included, and the linearity of the compensation signal is improved, which makes it possible to easily design a circuit for DC operation with a much simpler configuration.

【0098】請求項記載の発明は、第一の電流源及び
第二の電流源の電流値を変化させる電流源電流可変手段
を設けたので、外部から補償器内の補償信号の時定数を
任意に変化させることができ、これにより、電流増幅器
の出力電流量の制御を一段と正確に行うことができる。
According to the sixth aspect of the present invention, since the current source current varying means for changing the current values of the first current source and the second current source is provided, the time constant of the compensation signal in the compensator is externally set. It can be changed arbitrarily, and thereby the output current amount of the current amplifier can be controlled more accurately.

【0099】請求項記載の発明は、第一の電流源及び
第二の電流源の電流値を変化させる電流源電流可変手段
と、電流可変手段の発光指令信号に比例した電流を定数
倍する比率を変化させる比率可変手段とを設けたので、
外部から補償器内の補償信号の時定数及び最大値をそれ
ぞれ任意に変化させることができ、これにより、電流増
幅器の出力電流量の制御をさらに一段と正確に行うこと
ができる。
According to a seventh aspect of the present invention, the current source current varying means for varying the current values of the first current source and the second current source and the current proportional to the light emission command signal of the current varying means are multiplied by a constant. Since the ratio changing means for changing the ratio is provided,
The time constant and the maximum value of the compensation signal in the compensator can be arbitrarily changed from the outside, whereby the output current amount of the current amplifier can be controlled more accurately.

【0100】請求項記載の発明は、電流増幅器の入力
側に、電圧変換手段の第二の抵抗及び第一のキャパシタ
ンスと、第一の電流変換手段の出力側と、入力側に第二
のキャパシタンスが接続された第二の電流変換手段とを
接続したので、補償信号に高周波成分が含まれなくな
り、これにより、高速化の際の回路設計を容易にするこ
とができる。
According to the eighth aspect of the present invention, the input side of the current amplifier has the second resistance and the first capacitance of the voltage converting means, the output side of the first current converting means, and the second side of the input side. Since the second current converting means to which the capacitance is connected is connected, the compensation signal does not include a high frequency component, which facilitates the circuit design when increasing the speed.

【0101】請求項記載の発明は、誤差増幅器から得
られるモニタ信号と発光指令信号との差電流に比例した
信号と、電流駆動部から得られる発光指令信号に比例し
た信号と、発光指令信号に比例した電流と模擬回路の出
力との差分信号である差動増幅器からの補償信号に相当
する信号との3つの信号の和を電流増幅器の出力電流と
して用いるようにしたので、デバイスのバラツキや温度
変動等に対応した補償を行うことができ、これにより、
常に安定した半導体レーザの順方向電流を得ることがで
きる。
According to a ninth aspect of the invention, a signal proportional to the difference current between the monitor signal obtained from the error amplifier and the light emission command signal, a signal proportional to the light emission command signal obtained from the current driver, and a light emission command signal. Since the sum of the three signals of the signal corresponding to the compensation signal from the differential amplifier, which is the difference signal between the current proportional to and the output of the simulation circuit, is used as the output current of the current amplifier, variations in the device and It is possible to compensate for temperature fluctuations, etc.
It is possible to always obtain a stable forward current of the semiconductor laser.

【0102】請求項10記載の発明は、誤差増幅器から
得られるモニタ信号と発光指令信号との差電流に比例し
た信号と、電流駆動部から得られる発光指令信号に比例
した信号と、発光指令信号に比例した電流を定数倍する
電流可変手段の出力と模擬回路の出力との差分信号であ
る差動増幅器からの補償信号に相当する信号との3つの
信号の和を電流増幅器の出力電流として用いるようにし
たので、デバイスのバラツキや温度変動等に対応した補
償を行い、補償信号から高周波成分を取り除くことがで
き、これにより、常に安定した半導体レーザの順方向電
流を得ることができると共に、高速化の際の回路設計を
容易にすることができる。
According to the tenth aspect of the present invention, a signal proportional to the difference current between the monitor signal obtained from the error amplifier and the light emission command signal, a signal proportional to the light emission command signal obtained from the current driver, and a light emission command signal. Is used as the output current of the current amplifier, which is the difference signal between the output of the current varying means for multiplying the current proportional to the constant by the constant and the output of the simulation circuit and the signal corresponding to the compensation signal from the differential amplifier. As a result, it is possible to compensate for device variations and temperature fluctuations, and to remove high-frequency components from the compensation signal, which makes it possible to obtain a stable forward current of the semiconductor laser at all times and at high speed. It is possible to facilitate the circuit design at the time of conversion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の基本となる実施例である半導体レーザ
制御装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a semiconductor laser control device that is a basic embodiment of the present invention.

【図2】発光指令信号に比例した信号と補償信号とのそ
れぞれの波形とを示す波形図である。
FIG. 2 is a waveform diagram showing respective waveforms of a signal proportional to a light emission command signal and a compensation signal.

【図3】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 4 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図7】温度に依存した電流源の構成を示す回路図であ
る。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a configuration of a current source that depends on temperature.

【図8】本発明の第の実施例である図7とは異なる温
度に依存した電流源の構成を示す回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing the configuration of a temperature-dependent current source different from that of FIG. 7, which is the fifth embodiment of the present invention.

【図9】発光指令信号に比例した電流を定数倍する比率
を変化させる手段を備えた構成を示す回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration including means for changing a ratio of multiplying a current proportional to a light emission command signal by a constant.

【図10】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

【図11】図10のa点における信号波形と、補償信号
に対応した信号波形とを示す波形図である。
11 is a waveform diagram showing a signal waveform at point a in FIG. 10 and a signal waveform corresponding to a compensation signal.

【図12】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

【図13】模擬電流増幅器の構成を示す回路図である。FIG. 13 is a circuit diagram showing a configuration of a simulated current amplifier.

【図14】本発明の第の実施例を示す回路図である。FIG. 14 is a circuit diagram showing an eighth embodiment of the present invention.

【図15】図14の各部の電圧波形を示す波形図であ
る。
FIG. 15 is a waveform diagram showing voltage waveforms at various points in FIG.

【図16】従来の半導体レーザ制御装置の構成を示す回
路図である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing a configuration of a conventional semiconductor laser control device.

【図17】図16のa点における交流等価回路を示す回
路図である。
17 is a circuit diagram showing an AC equivalent circuit at point a in FIG.

【図18】図17の回路に対応した出力波形を示す波形
図である。
18 is a waveform diagram showing output waveforms corresponding to the circuit of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誤差増幅器 2 電流増幅器 3 電流駆動部 5 半導体レーザ 6 受光部 7 補償器 8 電圧変換手段 10 第一の電流変換手段 11 第二の電流変換手段 12 定電流源 16 電流源電流可変手段 17 比率変換手段 Q6 第一のトランジスタ Q8 第二のトランジスタ Q2 第三のトランジスタ R5 第一の抵抗 R1 第二の抵抗 C1 第一のキャパシタンス R8,R9,R15 第三の抵抗 R8,R11,R21 第四の抵抗 Q10,Q14,Q19 第四のトランジスタ C5,C9,C10 第二のキャパシタンス R11,R17,R22 第五の抵抗 Q15,Q16 第五のトランジスタ R18 第六の抵抗 Q18 電流源 J1 第一の電流源 J2 第二の電流源 Q21 第六のトランジスタ 1 Error amplifier 2 current amplifier 3 Current driver 5 Semiconductor laser 6 Light receiving part 7 compensator 8 Voltage conversion means 10 First current conversion means 11 Second current conversion means 12 constant current source 16 Current source current varying means 17 Ratio conversion means Q6 First transistor Q8 Second transistor Q2 Third transistor R5 first resistance R1 second resistance C1 first capacitance R8, R9, R15 Third resistance R8, R11, R21 Fourth resistance Q10, Q14, Q19 Fourth transistor C5, C9, C10 Second capacitance R11, R17, R22 Fifth resistance Q15, Q16 Fifth transistor R18 sixth resistance Q18 current source J1 First current source J2 Second current source Q21 Sixth transistor

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体レーザの光出力の一部を受光部に
よりモニタしてその光出力の光強度に比例するモニタ信
号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半導
体レーザ制御装置において、 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と、 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
と、 この電流駆動部の出力信号の前記発光指令信号に比例し
た値からの差分信号を発生させる補償器と、 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記補
償器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を得る
電流増幅器と、 発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電流を変化
させる第一のトランジスタと、前記発光指令信号に比例
した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエ
ミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、前記第
一のトランジスタのコレクタに接続された第一の抵抗
と、前記第一の抵抗にベースが接続された第三のトラン
ジスタと、この第三のトランジスタのエミッタに一端が
接続された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に接続
された第一のキャパシタンスと、前記第二のトランジス
タのコレクタに一端が接続された第三の抵抗と、この第
三の抵抗の他端に接続された第四の抵抗とを有する電圧
変換手段と、 前記 誤差増幅器の出力を前記電圧変換手段の前記第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスに流れる電流に変換
する第一の電流変換手段と、を具備し、 前記 補償器は、前記第三の抵抗と前記第四の抵抗とにベ
ースが接続されたベースが接続された第四のトランジス
タと、この第四のトランジスタのエミッタに一端が接続
された第二のキャパシタンスと、この第二のキャパシタ
ンスの他端に接続された第五の抵抗と、この第五の抵抗
の端子間電圧を前記電圧変換手段の前記第二の抵抗及び
前記第一のキャパシタンスに流れる電流に変換する第二
の電流変換手段とを有し 前記 電流増幅器の入力側に、前記電圧変換手段の第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスと、前記第一の電流
変換手段の出力側と、前記第二の電流変換手段の出力側
とを接続し 前記電流増幅器の前記出力電流により前記半導体レーザ
の前記順方向電流を制御するようにした ことを特徴とす
る半導体レーザ制御装置。
1. A part of the optical output of a semiconductor laser is received by a light receiving part.
Monitor and monitor signal proportional to the light intensity of its optical output
Signal, and make sure that this monitor signal and the flash command signal are equal.
To control the forward current of the semiconductor laser so that
In a body laser control device, a difference current between the monitor signal and the light emission command signal is amplified.
Error amplifier, and a current driver that outputs a current proportional to the light emission command signal
And is proportional to the light emission command signal of the output signal of the current driver.
A compensator for generating a differential signal from the output, the output of the error amplifier, the output of the current driver, and the compensation
The output current is obtained by amplifying the signal obtained by adding the output of the compensator
A current amplifier, a first transistor that changes the emitter current by a current proportional to the light emission command signal, and a second transistor that changes the emitter current by a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal but a different sign. A transistor, a first resistor connected to the collector of the first transistor, a third transistor whose base is connected to the first resistor, and one end of which is connected to the emitter of the third transistor A second resistor, a first capacitance connected in parallel with the second resistor, a third resistor whose one end is connected to the collector of the second transistor, and the other end of the third resistor. A voltage converting means having a fourth resistor connected to the voltage converting means, and an output of the error amplifier flowing through the second resistor and the first capacitance of the voltage converting means. A first current converting means for converting the current into a current , wherein the compensator has a fourth transistor having a base connected to the third resistor and the fourth resistor, and a fourth transistor connected to the base. A second capacitance having one end connected to the emitter of the fourth transistor, a fifth resistance connected to the other end of the second capacitance, and a voltage between terminals of the fifth resistance are converted into the voltage. and a second current converting means for converting the current flowing through the second resistor and the first capacitor means, the input side of the current amplifier, a second resistor and said of said voltage converting means first and one capacitance, and the output side of the first current converting means, to connect the output side of the second current converter means, said semiconductor laser by the output current of the current amplifier
It is characterized in that the forward current of
That semi conductor laser control apparatus.
【請求項2】 半導体レーザの光出力の一部を受光部に
よりモニタしてその光出力の光強度に比例するモニタ信
号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半導
体レーザ制御装置において、 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と、 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
と、 この電流駆動部の出力信号の前記発光指令信号に比例し
た値からの差分信号を発生させる補償器と、 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記補
償器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を得る
電流増幅器と、 発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電流を変化
させる第一のトランジスタと、前記発光指令信号に比例
した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエ
ミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、前記第
一のトランジスタのコレクタに接続された第一の抵抗
と、前記第一の抵抗にベースが接続された第三のトラン
ジスタと、この第三のトランジスタのエミッタに一端が
接続された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に接続
された第一のキャパシタンスと、前記第一のトランジス
タのエミッタにベースが接続された第四のトランジスタ
と、前記第二のトランジスタのエミッタにベースが接続
された第五のトランジスタと、前記第四のトランジスタ
のエミッタと前記第五のトランジスタのエミッタとに接
続された定電流源と、前記第四のトランジスタのコレク
タに接続された第三の抵抗とを有する電圧変換手段と、 前記 誤差増幅器の出力を前記電圧変換手段の前記第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスに流れる電流に変換
する第一の電流変換手段と、 を具備し、 前記 補償器は、前記第三の抵抗に一端が接続された第二
のキャパシタンスと、この第二のキャパシタンスの他端
に接続された第四の抵抗と、この第四の抵抗の端子間電
圧を前記電圧変換手段の前記第二の抵抗及び前記第一の
キャパシタンスに流れる電流に変換する第二の電流変換
手段とを有し、前記 電流増幅器の入力側に、前記電圧変換手段の第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスと、前記第一の電流
変換手段の出力側と、前記第二の電流変換手段の出力側
とを接続し 前記電流増幅器の前記出力電流により前記半導体レーザ
の前記順方向電流を制御するようにした ことを特徴とす
る半導体レーザ制御装置。
2. A part of the light output of a semiconductor laser is received by a light receiving portion.
Monitor and monitor signal proportional to the light intensity of its optical output
Signal, and make sure that this monitor signal and the flash command signal are equal.
To control the forward current of the semiconductor laser so that
In a body laser control device, a difference current between the monitor signal and the light emission command signal is amplified.
Error amplifier, and a current driver that outputs a current proportional to the light emission command signal
And is proportional to the light emission command signal of the output signal of the current driver.
A compensator for generating a differential signal from the output, the output of the error amplifier, the output of the current driver, and the compensation
The output current is obtained by amplifying the signal obtained by adding the output of the compensator
A current amplifier, a first transistor that changes the emitter current by a current proportional to the light emission command signal, and a second transistor that changes the emitter current by a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal but a different sign. A transistor, a first resistor connected to the collector of the first transistor, a third transistor whose base is connected to the first resistor, and one end of which is connected to the emitter of the third transistor A second resistor, a first capacitance connected in parallel with the second resistor, a fourth transistor whose base is connected to the emitter of the first transistor, and an emitter of the second transistor. A fifth transistor whose base is connected, and an emitter of the fourth transistor and an emitter of the fifth transistor. And a constant current source, said voltage converting means and a third resistor connected to the collector of the fourth transistor, said second resistor and said first of said voltage converting means the output of the error amplifier comprising a first current converting means for converting the current flowing to the capacitance, wherein the compensator includes a second capacitance having one end connected to the third resistor, the other end of the second capacitance A connected fourth resistance and a second current conversion means for converting a terminal voltage of the fourth resistance into a current flowing through the second resistance and the first capacitance of the voltage conversion means. and, on the input side of said current amplifier, a second resistor and said first capacitance of said voltage conversion unit, and an output side of the first current converting means, and an output side of the second current converter connect the electric It said semiconductor laser by the output current of the amplifier
It is characterized in that the forward current of
That semi conductor laser control apparatus.
【請求項3】 定電流源の電流値を変化させる定電流源
電流可変手段を設けたことを特徴とする請求項記載の
半導体レーザ制御装置。
3. The semiconductor laser control device according to claim 2, further comprising constant current source current varying means for changing the current value of the constant current source.
【請求項4】 半導体レーザの光出力の一部を受光部に
よりモニタしてその光出力の光強度に比例するモニタ信
号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半導
体レーザ制御装置において、 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と、 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
と、 この電流駆動部の出力信号の前記発光指令信号に比例し
た値からの差分信号を発生させる補償器と、 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記補
償器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を得る
電流増幅器と、 発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電流を変化
させる第一のトランジスタと、前記発光指令信号に比例
した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエ
ミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、前記第
一のトランジスタのコレクタに接続された第一の抵抗
と、前記第一の抵抗にベースが接続された第三のトラン
ジスタと、この第三のトランジスタのエミッタに一端が
接続された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に接続
された第一のキャパシタンスと、前記第二のトランジス
タのコレクタに一端が接続された第三の抵抗と、この第
三の抵抗の他端に接続された第四の抵抗とを有する電圧
変換手段と、 前記 誤差増幅器の出力を前記電圧変換手段の前記第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスに流れる電流に変換
する第一の電流変換手段と、を具備し、 前記 補償器は、前記第三の抵抗と前記第四の抵抗とにベ
ースが接続された第四のトランジスタと、この第四のト
ランジスタのエミッタに一端が接続された第二のキャパ
シタンスと、この第二のキャパシタンスの他端に接続さ
れた第五の抵抗と、この第五の抵抗にベースが接続され
た第五のトランジスタと、この第五のトランジスタのエ
ミッタに接続された第六の抵抗と、第五のトランジスタ
のコレクタに接続されこのコレクタ電流のオフセット電
流値に等しい電流を流す電流源とを有し、前記 電流増幅器の入力側に、前記電圧変換手段の前記第
二の抵抗及び前記第一のキャパシタンスと、前記第一の
電流変換手段の出力側と、第五のトランジスタのコレク
タとを接続し 前記電流増幅器の前記出力電流により前記半導体レーザ
の前記順方向電流を制御するようにした ことを特徴とす
る半導体レーザ制御装置。
4. A part of the optical output of the semiconductor laser is received by the light receiving part.
Monitor and monitor signal proportional to the light intensity of its optical output
Signal, and make sure that this monitor signal and the flash command signal are equal.
To control the forward current of the semiconductor laser so that
In a body laser control device, a difference current between the monitor signal and the light emission command signal is amplified.
Error amplifier, and a current driver that outputs a current proportional to the light emission command signal
And is proportional to the light emission command signal of the output signal of the current driver.
A compensator for generating a differential signal from the output, the output of the error amplifier, the output of the current driver, and the compensation
The output current is obtained by amplifying the signal obtained by adding the output of the compensator
A current amplifier, a first transistor that changes the emitter current by a current proportional to the light emission command signal, and a second transistor that changes the emitter current by a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal but a different sign. A transistor, a first resistor connected to the collector of the first transistor, a third transistor whose base is connected to the first resistor, and one end of which is connected to the emitter of the third transistor A second resistor, a first capacitance connected in parallel with the second resistor, a third resistor whose one end is connected to the collector of the second transistor, and the other end of the third resistor. A voltage converting means having a fourth resistor connected to the voltage converting means, and an output of the error amplifier flowing through the second resistor and the first capacitance of the voltage converting means. Comprising a first current conversion means for converting the flow, wherein the compensator comprises: a fourth transistor having the third and the resistance the fourth base resistor and is connected, the fourth transistor A second capacitance whose one end is connected to the emitter of, a fifth resistor connected to the other end of the second capacitance, and a fifth transistor whose base is connected to the fifth resistor, has a sixth resistor connected to the emitter of the fifth transistor, and a current source for supplying a current equal to the offset current value of the collector current is coupled to the collector of the fifth transistor, an input side of said current amplifier to, said second resistor and said first capacitance of said voltage converting means, connected to the output side of the first current converting means, and a collector of the fifth transistor, before the current amplifier Wherein the output current semiconductor laser
It is characterized in that the forward current of
That semi conductor laser control apparatus.
【請求項5】 半導体レーザの光出力の一部を受光部に
よりモニタしてその光出力の光強度に比例するモニタ信
号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半導
体レーザ制御装置において、 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と、 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
と、 この電流駆動部の出力信号の前記発光指令信号に比例し
た値からの差分信号を発生させる補償器と、 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記補
償器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を得る
電流増幅器と、 発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電流を変化
させる第一のトランジスタと、前記発光指令信号に比例
した電流を定数倍する電流可変手段と、この電流可変手
段の出力電流によりエミッタ電流を変化させる第二のト
ランジスタと、前記第一のトランジスタのコレクタに接
続された第一の抵抗と、前記第一の抵抗にベースが接続
された第三のトランジスタと、この第三のトランジスタ
のエミッタに一端が接続された第二の抵抗と、この第二
の抵抗と並列に接続された第一のキャパシタンスと、前
記第二のトランジスタのコレクタに接続された第三の抵
抗とを有する電圧変換手段と、 前記 誤差増幅器の出力を前記電圧変換手段の前記第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスに流れる電流に変換
する第一の電流変換手段と、を具備し、 前記 補償器は、前記第三の抵抗に一端が接続された第二
のキャパシタンスと、温度に比例した電流を流す第一の
電流源と、この第一の電流源にコレクタとベースが接続
された第四のトランジスタと、この第四のトランジスタ
のエミッタに接続された第四の抵抗と、前記第四のトラ
ンジスタのベースにベースが接続された第五のトランジ
スタと、この第五のトランジスタのエミッタに接続され
た第五の抵抗と、前記第五のトランジスタのコレクタと
前記第二のキャパシタンスの他端とにエミッタが接続さ
れた第六のトランジスタと、この第六のトランジスタの
コレクタに接続され前記第一の電流源の電流値に等しい
電流を流す第二の電流源とを有し、前記 電流増幅器の入力側に、前記電圧変換手段の前記第
二の抵抗及び前記第一のキャパシタンスと、前記第一の
電流変換手段の出力側と、第六のトランジスタのコレク
タとを接続し 前記電流増幅器の前記出力電流により前記半導体レーザ
の前記順方向電流を制御するようにした ことを特徴とす
る半導体レーザ制御装置。
5. A part of the optical output of a semiconductor laser is received by a light receiving portion.
Monitor and monitor signal proportional to the light intensity of its optical output
Signal, and make sure that this monitor signal and the flash command signal are equal.
To control the forward current of the semiconductor laser so that
In a body laser control device, a difference current between the monitor signal and the light emission command signal is amplified.
Error amplifier, and a current driver that outputs a current proportional to the light emission command signal
And is proportional to the light emission command signal of the output signal of the current driver.
A compensator for generating a differential signal from the output, the output of the error amplifier, the output of the current driver, and the compensation
The output current is obtained by amplifying the signal obtained by adding the output of the compensator
A current amplifier, a first transistor that changes an emitter current by a current proportional to a light emission command signal, a current variable unit that multiplies a current proportional to the light emission command signal by a constant, and an emitter current by an output current of the current variable unit. A second transistor for changing the voltage, a first resistor connected to the collector of the first transistor, a third transistor whose base is connected to the first resistor, and an emitter of the third transistor. Voltage conversion means having a second resistor whose one end is connected to the first resistor, a first capacitance connected in parallel with the second resistor, and a third resistor connected to the collector of the second transistor. When the first current converting means for converting a current flowing through the output of said error amplifier to said second resistor and said first capacitance of said voltage converting means , Comprising a said compensator comprises: a second capacitance the third end to the resistance of is connected, a first current source for supplying a current proportional to temperature, and the collector to the first current source A fourth transistor having a base connected to it, a fourth resistor connected to the emitter of the fourth transistor, a fifth transistor having a base connected to the base of the fourth transistor, and a fifth transistor A fifth resistor connected to the emitter of the transistor, a sixth transistor having an emitter connected to the collector of the fifth transistor and the other end of the second capacitance, and a collector of the sixth transistor. It is connected and a second current source for supplying a current equal to the current value of the first current source, the input side of the current amplifier, said second resistor and said first of said voltage converting means It connects the capacitance, and the output side of the first current converting means, and a collector of the sixth transistor, the semiconductor laser by the output current of the current amplifier
It is characterized in that the forward current of
That semi conductor laser control apparatus.
【請求項6】 第一の電流源及び第二の電流源の電流値
を変化させる電流源電流可変手段を設けたことを特徴と
する請求項記載の半導体レーザ制御装置。
6. The semiconductor laser control device according to claim 5, further comprising current source current varying means for changing the current values of the first current source and the second current source.
【請求項7】 第一の電流源及び第二の電流源の電流値
を変化させる電流源電流可変手段と、電流可変手段の発
光指令信号に比例した電流を定数倍する比率を変化させ
る比率可変手段とを設けたことを特徴とする請求項
載の半導体レーザ制御装置。
7. A current source current varying means for varying the current values of the first current source and the second current source, and a ratio varying for varying a ratio of a current proportional to the light emission command signal of the current varying means multiplied by a constant. 6. The semiconductor laser control device according to claim 5, further comprising means.
【請求項8】 半導体レーザの光出力の一部を受光部に
よりモニタしてその 光出力の光強度に比例するモニタ信
号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半導
体レーザ制御装置において、 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と、 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
と、 この電流駆動部の出力信号の前記発光指令信号に比例し
た値からの差分信号を発生させる補償器と、 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記補
償器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を得る
電流増幅器と、 発光指令信号に比例した電流によりエミッタ電流を変化
させる第一のトランジスタと、前記発光指令信号に比例
した電流と同じ電流値を持ち符号の異なる電流によりエ
ミッタ電流を変化させる第二のトランジスタと、前記第
一のトランジスタのコレクタに一端が接続された第一の
抵抗と、この第一の抵抗にベースが接続された第三のト
ランジスタと、この第三のトランジスタのエミッタに一
端が接続された第二の抵抗と、この第二の抵抗と並列に
接続された第一のキャパシタンスと、前記第一の抵抗の
他端に接続された第三の抵抗とを有する電圧変換手段
と、 前記 誤差増幅器の出力を前記電圧変換手段の前記第二の
抵抗及び前記第一のキャパシタンスに流れる電流に変換
する第一の電流変換手段と、を具備し、 前記 補償器は、前記第一の抵抗と前記第三の抵抗とにベ
ースが接続された第四のトランジスタと、この第四のト
ランジスタのエミッタに一端が接続された第四の抵抗
と、この第四の抵抗の他端に接続された第二のキャパシ
タンスと、この第二のキャパシタンスの端子間電圧を前
記電圧変換手段の前記第二の抵抗及び前記第一のキャパ
シタンスに流れる電流に変換する第二の電流変換手段と
を有し、前記 電流増幅器の入力側に、前記電圧変換手段の前記第
二の抵抗及び前記第一のキャパシタンスと、前記第一の
電流変換手段の出力側と、前記第二の電流変換手段の出
力側とを接続し 前記電流増幅器の前記出力電流により前記半導体レーザ
の前記順方向電流を制御するようにした ことを特徴とす
る半導体レーザ制御装置。
8. A part of the optical output of a semiconductor laser is received by a light receiving portion.
Monitor and monitor signal proportional to the light intensity of its optical output
Signal, and make sure that this monitor signal and the flash command signal are equal.
To control the forward current of the semiconductor laser so that
In a body laser control device, a difference current between the monitor signal and the light emission command signal is amplified.
Error amplifier, and a current driver that outputs a current proportional to the light emission command signal
And is proportional to the light emission command signal of the output signal of the current driver.
A compensator for generating a differential signal from the output, the output of the error amplifier, the output of the current driver, and the compensation
The output current is obtained by amplifying the signal obtained by adding the output of the compensator
A current amplifier, a first transistor that changes the emitter current by a current proportional to the light emission command signal, and a second transistor that changes the emitter current by a current having the same current value as the current proportional to the light emission command signal but a different sign. A transistor, a first resistor whose one end is connected to the collector of the first transistor, a third transistor whose base is connected to this first resistor, and one end of which is connected to the emitter of this third transistor. Voltage conversion means having a second resistance connected to the second resistance, a first capacitance connected in parallel with the second resistance, and a third resistance connected to the other end of the first resistance.
If, anda first current converting means for converting said second resistor and a current flowing through said first capacitance of said voltage converting means the output of said error amplifier, said compensator, said first A fourth transistor whose base is connected to the resistor and the third resistor, a fourth resistor whose one end is connected to the emitter of the fourth transistor, and the other end of the fourth resistor. And a second current conversion means for converting a voltage across the second capacitance into a current flowing through the second resistor and the first capacitance of the voltage conversion means. , to the input side of the current amplifier, said second resistor and said first capacitance of said voltage conversion unit, and an output side of the first current converting means, and an output side of the second current converter connect, before It said semiconductor laser by the output current of the current amplifier
It is characterized in that the forward current of
That semi conductor laser control apparatus.
【請求項9】 半導体レーザの光出力の一部を受光部に
よりモニタしてその光出力の光強度に比例するモニタ信
号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しくな
るように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半導
体レーザ制御装置において 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
この電流駆動部の出力を模擬する模擬回路と 前記発光指令信号に比例した電流と前記模擬回路の出力
との差分信号を出力する差動増幅器と 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記差
動増幅器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を
得る電流増幅器とを備え、前記電流増幅器の前記出力
電流により前記半導体レーザの前記順方向電流を制御す
るようにしたことを特徴とする半導体レーザ制御装置。
9. A part of the light output of the semiconductor laser is monitored by a light receiving part to obtain a monitor signal proportional to the light intensity of the light output, and the semiconductor laser is adjusted so that the monitor signal and the light emission command signal become equal. in the semiconductor laser control apparatus for controlling a forward current of the error amplifier for amplifying the difference current between the monitor signal and the emission command signal, and a current drive unit that outputs a current proportional to the light emission command signal, the current a simulation circuit for simulating the output of the drive unit, and the differential amplifier outputs a difference signal between the output of the current and the simulated circuit in proportion to the light emission command signal, the output of the error amplifier and the output of the current driving portions and a current amplifier to obtain an output current by amplifying a signal obtained by adding the output of said differential amplifier, the forward current of the semiconductor laser by the output current of the current amplifier A semiconductor laser control device characterized by being controlled.
【請求項10】 半導体レーザの光出力の一部を受光部
によりモニタしてその光出力の光強度に比例するモニタ
信号を求め、このモニタ信号と発光指令信号とが等しく
なるように前記半導体レーザの順方向電流を制御する半
導体レーザ制御装置において 前記モニタ信号と前記発光指令信号との差電流を増幅す
る誤差増幅器と 前記発光指令信号に比例した電流を出力する電流駆動部
この電流駆動部の出力を模擬する模擬回路と 発光指令信号に比例した電流を定数倍する電流可変手段
この電流可変手段の出力と前記模擬回路の出力との差分
信号を出力する差動増幅器と 前記誤差増幅器の出力と前記電流駆動部の出力と前記差
動増幅器の出力とを加算した信号を増幅して出力電流を
得る電流増幅器とを備え、前記電流増幅器の前記出力
電流により前記半導体レーザの前記順方向電流を制御す
るようにしたことを特徴とする半導体レーザ制御装置。
10. A part of the light output of the semiconductor laser is monitored by a light receiving part to obtain a monitor signal proportional to the light intensity of the light output, and the semiconductor laser is adjusted so that the monitor signal and the light emission command signal become equal. in the semiconductor laser control apparatus for controlling a forward current of the error amplifier for amplifying the difference current between the monitor signal and the emission command signal, and a current drive unit that outputs a current proportional to the light emission command signal, the current a simulation circuit for simulating the output of the drive unit, and a current varying means for current constant multiple of which is proportional to the light emission command signal, a differential amplifier for outputting a differential signal between the output of the simulation circuit and the output of the variable current means , and a current amplifier to obtain an output current by amplifying a sum signal of the outputs with the differential amplifier of the current driving portions and the output of the error amplifier, the said current amplifier A semiconductor laser control device, wherein the forward current of the semiconductor laser is controlled by an output current.
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