JP3416001B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
方法に関し、特に家電製品やパーソナルコンピュータ等
のオフィスオートメーション製品に使用されるリモコン
受光装置や赤外線光空間伝送素子等の表面実装型半導体
装置の製造方法に関する。
末機器の普及により、各機器間で各データ等の相互通信
が一般的になって来ている。その通信手段としてハード
ウェア面では、各機器の端末に通信用コネクタを設置
し、コネクタ間を導通ケーブルで継ぐ有線方式が主流を
占めている。
加し複雑化、乱雑化してきていることと、端末機器の普
及によりホストコンピュータへのより手軽な通信が要求
されていることから、赤外光線を利用して各機器間の相
互通信を行う受光・発光空間伝送素子が開発、製品化さ
れている。光通信のハードウェアとして最も一般的なも
のは赤外線リモコンであるが、光空間伝送素子は赤外線
リモコンよりも多量の情報をより速く通信することを目
的として開発されている。
通信や高速通信の動向があり、光空間伝送素子と融合し
ていく状況にある。
伝送素子について説明する。図14(a)及び(b)は
それぞれ、従来例による光空間伝送素子の製造工程にお
ける上面図及び側面図、図15(a)及び(b)はそれ
ぞれ、図14の工程に続く上面図及び側面図、図16
(a)及び(b)はそれぞれ、最終的に得られる光空間
伝送素子の上面図及び側面図である。
に、金属製リードフレーム100(主に鉄材が主流)に
対して、受光チップ101を導電性接着剤102(Ag
ペースト等)によって接着、導通させる。次に、金線1
03で金属製リードフレーム100と受光用チップ10
1の電極部104とを接続(ワイヤーボンド)する。
に、ワイヤーボンドした素子の保護及び光学特性を得る
ために、トランスファーモールド方式により、赤外光は
透過し、可視光については遮光する熱硬化性エポキシ樹
脂(TM樹脂)105によって、受光チップ101を覆
うように成形する。ここで、レンズ106を一体的に成
型している。
部分を切断し、金属製リードフレーム100の107を
外部接続用のリードとして二方向に折り曲げることによ
り、図16(a)及び(b)に示すような構造を得る。
に示すようなリードタイプのみであり、リードレスタイ
プのものは無い。
外線リモコン受光ユニットの製造方法について説明す
る。図17は複数のユニット取りが可能な切断前の回路
基板の斜視図、図18は図17の各ユニットの拡大図で
ある。図17及び図18に示すように、配線パターン2
00の施された回路基板201に導電性接着剤202に
よって、受光チップ203、ICチップ204、チップ
抵抗205、チップコンデンサ206等の電子部品を接
着させる。207はスルーホールであり、回路基板20
1の両面の導通を図るとともに、基板の個別切断後は、
端面電極として機能する。
ポキシ基材を使用し、配線パターン200としては約3
5μm厚のCu箔の上にNiメッキ、さらにAuメッキ
を施してワイヤーボンドが可能となるようにしている。
また、導電性接着剤202は、フィラーとしてAg粉、
接着成分としてエポキシ樹脂をそれぞれ8:2の割合で
混練したAgペーストを使用している。
ーン200間等をワイヤーボンドする。
完了した回路基板201の上部に、図19に示すよう
に、熱可塑性樹脂(PPS)で形成した樹脂枠209を
エポキシ樹脂によって貼り合わせる。この樹脂枠209
には、各ユニットの電子部品に相当する箇所に孔部21
0が形成されている。さらに、この樹脂枠209の裏面
側には、後述するように、最終形状における金属性ケー
スのフックを嵌合させるための段差も形成されている。
遮光の2液性エポキシ樹脂211を注入、封止する。
インに沿ってダイシング前の位置補正を行った後、両ラ
インに沿ってダイシングカットして、図20に示すよう
な単品状態となった各ユニットを得る。図20におい
て、212が金属性ケースのフックを嵌合させるための
段差である。
の時間は、各ライン毎に約30秒を要する。また、ダイ
シングのスピードは10mm/秒程度である。
うに、各ユニットに受光部分213が開口した金属性ケ
ース214を覆いかぶせ、前記段差212に金属性ケー
ス214のフック部215を引っ掛けて嵌合させる。図
22はその嵌合状態を示すための、図21のC面断面図
である。
防湿包装等を経て完成品を得る。このようにして得られ
る表面実装型の半導体装置はリードタイプに比べ厚みを
薄くできる利点がある。
に、多連取りの回路基板に対して樹脂枠を貼り合わせた
後、この基板を個々のユニットに分断するためにダイシ
ングカットするのであるが、このダイシングカットに際
して、以下のような問題があった。
横の位置調整を行った後に、さらに縦横にそれぞれダイ
シングカットを行わなければならず、工程数が多かっ
た。
せるのにはエポキシ樹脂を使用しており、孔部210に
対する封止用樹脂としてもエポキシ樹脂を用いている。
ところが、エポキシ樹脂は熱収縮を起こすので、図19
に示した基板が反ってしまうという場合があった。この
結果、樹脂枠を貼り合わせた基板をダイシングカットす
る際に、この基板にダイシング用に固定するためのダイ
シングシート(粘着面のあるシート)を貼りあわせるの
が困難になるという問題があった。
合わせの際、接着用のエポキシ樹脂が樹脂枠に設けた段
差212にもエポキシ樹脂が回り込んでしまうという場
合がある。このように、段差212にエポキシ樹脂が入
り込むと、金属性ケースのフック部215がかかりにく
くなってしまう。
から各ユニットをダイシングする際の工程を簡易にす
る、また、金属性ケースのフックを嵌合させる段差に樹
脂が回り込まないような半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
に本発明の請求項1は、複数のユニット回路が縦横に形
成された回路基板をダイシングカットして、個別のユニ
ット回路基板に分断する半導体装置の製造方法におい
て、予め、前記回路基板に、前記個別のユニット回路基
板に相当する領域を縦横のいずれか一方向に関して互い
に間隔を設けて配列し、その一方向に垂直な方向に関し
て並ぶ前記領域の間のラインに沿って断続的に、前記各
ユニット回路毎にスリット孔を形成し、且つ該スリット
孔の長さを、分断後の個別のユニット回路基板の端面長
よりも長くなるよう設定し、前記一方向に垂直な方向に
ダイシングカットすることを特徴とする。
形成された回路基板の上に、前記各ユニット回路が露出
するような孔部が形成された貼り合わせ基材が接着され
た基板をダイシングカットして、個別のユニット基板に
分断する半導体装置の製造方法において、予め、前記回
路基板に、前記個別のユニット回路基板に相当する領域
を縦横のいずれか一方向に関して互いに間隔を設けて配
列し、その一方向に垂直な方向に関して並ぶ前記領域の
間のラインに沿って断続的に、前記各ユニット回路毎に
スリット孔を形成するとともに、前記貼り合わせ基材の
前記スリット孔に対向する箇所にそのスリット孔に重な
るように開口した孔部を形成し、且つ前記スリット孔お
よび孔部の長さを、分断後の個別のユニット回路基板の
端面長よりも長くなるよう設定し、前記回路基板のスリ
ット孔に対向するよう設けられた前記貼り合わせ基材の
孔部に、該孔部の内方に向かう突出部を形成し、且つ前
記突出部の底面が、前記回路基板と貼り合わせ基材との
接着面から離間するようにし、前記一方向に垂直な方向
にダイシングカットすることを特徴とする。
形成された回路基板の上に、前記各ユニット回路が露出
するような孔部が形成された貼り合わせ基材が接着され
た基板をダイシングカットして、個別のユニット基板に
分断する半導体装置の製造方法において、予め、前記回
路基板に、前記個別のユニット回路基板に相当する領域
を縦横のいずれか一方向に関して互いに間隔を設けて配
列し、その一方向に垂直な方向に関して並ぶ前記領域の
間のラインに沿って断続的に、前記各ユニット回路毎に
スリット孔を形成するとともに、前記貼り合わせ基材の
前記スリット孔に対向する箇所にそのスリット孔に重な
るように開口した孔部を形成し、且つ前記スリット孔お
よび孔部の長さを、分断後の個別のユニット回路基板の
端面長よりも長くなるよう設定し、前記貼り合わせ基材
の前記孔部に接する底面部に2段からなる段差部を形成
し、且つ該段差部は、前記回路基板への接着面側の段差
によって前記接着面から離間しており、前記一方向に垂
直な方向にダイシングカットすることを特徴とする。
法では縦横2方向の位置補正と、その後に縦横2方向の
ダイシングカットが必要であったのに対して、スリット
の形成された一方向に垂直な方向のダイシングカットと
そのための位置補正のみでよいので、大幅な工程削減が
可能となる。
ユニット回路を形成した内方に向かう切り欠き部を形成
すれば、予め回路基板に形成する切り欠きが、最終的に
半導体装置を覆うケースとの嵌合部となる。この切り欠
きは本発明の大きな特徴である回路基板のスリットと同
じ箇所に形成すればよいので、形成工程をほぼ同時に行
うことができ、工程数を少なく抑えることができる。
ト孔に対向するよう設けられた前記貼り合わせ基材の孔
部に、該孔部の内方に向かう突出部を形成しており、こ
の突出部が最終的に半導体装置を覆うケースとの嵌合部
となる。この突出部の底面は、前記回路基板と貼り合わ
せ基材との接着面から離間しているので、接着面の接着
剤がはみ出しても、突出部にまで回り込むことはなく、
ケースとの嵌合を確実に行うことができる。
端面部の、前記回路基板との接着面側に2段からなる段
差部を形成しており、この段差部がケースとの嵌合部と
なる。この段差部も、前記回路基板と貼り合わせ基材と
の接着面から離間しているので、接着面の接着剤がはみ
出しても、突出部にまで回り込むことはなく、ケースと
の嵌合を確実に行うことができる。
スタイプの表面実装型の赤外線リモコン受光ユニットの
製造方法について、図1乃至図5を参照して説明する。
図1は複数のユニット回路基板取りが可能な切断前の回
路基板の斜視図、図2は図1の各ユニット部の拡大図で
ある。
ように、後工程で個別に分断される各ユニット回路基板
Dに対応して、P方向に各ユニットDの端面長aより長
いスリット2が複数個、断続的に形成されている。一
方、Q方向のスリット2、2間の幅は各ユニットの端面
長bとほぼ同じである。また、Q方向には複数のスルー
ホール3が連続的に形成されている。このスルーホール
3は、回路基板1の表裏の回路配線を接続する機能と、
製品完成時における側面外部電極の機能を有している。
に、後工程において金属性ケース等のフックを引っ掛け
るためのユニットの内方に向かう嵌合用の切り欠き部4
が形成されている。
隣の回路基板と接続されている。このスリット5は、回
路基板1の接続体全体の反りを少なくする作用を有す
る。また、回路基板1には配線パターン6が形成されて
いる。
キシを用いている。また、配線パターン6の材質として
はCuをベースとし、その上にNi、Auのメッキを順
次形成している。上記配線パターン6の内、6’は受光
素子搭載部である。
の上部に貼り合わせ基材7を貼りあわせる。貼り合わせ
には多層プレス装置等を使用する。貼り合わせ基材7に
は、回路基板1の受光素子搭載部6’に対向する部分を
開口した孔部8、回路基板1のスルーホール3に対向す
る部分を開口した孔部9及び回路基板1のスリット2と
重なるように開口した孔部10とが形成されている。こ
の貼り合わせ基材7の材料としては、ガラスエポキシ基
板やコンポジット基板(積層基板)を使用することがで
きる。図3のユニット回路基板単位の拡大図を図4に示
す。
を、孔部8を通して回路基板1の配線上に導電性接着剤
(Agペースト)12によって固着、導通させる。さら
に、金線13で受光素子11と他の回路配線6とをワイ
ヤーボンドする。
光を遮光する熱硬化性エポキシ樹脂14で受光素子11
を封止、保護する。
ダイシングカット前の位置補正をした後、孔部9に沿っ
てダイシングカットを行う。ここで、縦方向(P方向)
のユニット間には、スリット2及びその上部に位置する
孔部10が形成されているので、Q方向のカットのみで
各ユニット基板が個別に分断されることになる。この個
別に分断されたユニット基板の斜視図を図5に示す。図
2で説明した回路基板1の切り欠き部4が、図5に示す
ような形で現れる。この切り欠き部4が、このユニット
をさらに覆うケース等が嵌合する段差となる。
例を示す斜視図である。このケース15は、耐熱樹脂か
らなり、レンズ部16を有している。図示しないが、こ
のケース15の内壁には前記図5のユニット基板の切り
欠き4と嵌合する突出部が形成されている。また、この
ケース15は、レンズ部16からの光がケースの取り付
け面と平行に出射されることを前提としており、その際
にレンズの重みでバランスが崩れるのを防止するため
に、支柱17を設けている。
れぞれ、上記ユニット基板にケース15を嵌合させた状
態を示す上面図、正面図、側面図及び裏面図である。
のケースの斜視図である。図中、18は窓部、19は図
5の切り欠き4と嵌合するフックである。
方向(P方向)はユニット間に孔部10(及びスリット
2)が形成されているので、基板全体を横方向(Q方
向)にのみダイシングカット前の位置補正を行った後、
孔部9に沿ってダイシングカットを行うのみで、各ユニ
ット基板が個別に分断されることになる。つまり、従来
は縦横2方向の位置補正と、その後に縦横2方向のダイ
シングカットが必要であったが、本実施例によれば一方
向の位置補正とダイシングカットのみでよいので、大幅
な工程削減が可能となる。
(及びスリット2)が形成されているので、エポキシ樹
脂の熱収縮による基板の反りをこれらの孔部が吸収する
こととなり、基板全体の反りを従来よりも大きく抑制で
きる。この結果、ダイシングカットの際の製品を固定す
るためのダイシングシートへの貼りつけも容易となり、
製造の簡易化に寄与できる。
ト基板を覆うケースとの嵌合部となる回路基板1の切り
欠き4はスリット2と同じ箇所に形成すればよいので、
形成工程をほぼ同時に行うことができ、工程数を少なく
抑えることができる。
の斜視図、図10は図9の各ユニットの拡大図、図11
は最終製品の断面図である。この実施例は、縦横に孔部
を設ける点については図1乃至5の実施例と同様である
ので、ここでは異なる点についてのみ説明する。なお、
同一機能部分には同一記号を付している。
は、最終的にユニットを覆うケース20との嵌合の構造
である。本実施例では、上記実施例の切り欠き4に相当
する箇所の貼り合わせ基材7側に、図9及び図10に示
すように、突出部21を形成している。この突出部21
がケース等との嵌合用フックの機能を有する。
とこの上に接続される貼り合わせ基材7との接続部のエ
ポキシ接着剤12の回り込みによってケースとの嵌合の
不具合が生じないように、22のように段差を設けてい
る。
た。これによってケース20との確実な嵌合を図ること
ができる。
回路基板の部分の拡大上面図、図13は最終製品の断面
図である。この実施例も、縦横に孔部を設ける点につい
ては図1乃至5の実施例と同様であるので、異なる点に
ついてのみ説明する。
例の切り欠き4に相当する箇所の貼り合わせ基材側に、
2段からなる段差部23を設けている。この段差部23
の、接着面側に位置する23’は上記実施例と同様、エ
ポキシ接着剤12の回り込みを避けるためのものであ
る。この23’の距離も約0.2mmとした。この実施
例によっても、ケース24との確実な嵌合を図ることが
できる。
半導体装置のダイシングカット工程において、従来は縦
横2方向の位置補正と、その後に縦横2方向のダイシン
グカットが必要であったが、一方向の位置補正とダイシ
ングカットのみで済むので、大幅な工程削減が可能とな
る。
嵌合部に、半導体装置の基板部分を構成する回路基板と
その上に接着される貼り合わせ基材間の接着剤が回り込
むことを回避でき、確実な嵌合を保証できる。
を説明するための回路基板の斜視図。
を説明する、図1の工程に続く基板の斜視図。
板の斜視図。
図。
れ、図5のユニット基板に図6のケースを嵌合させた状
態の上面図、正面図、側面図及び裏面図。
斜視図。
法を説明するための回路基板の斜視図。
の製造方法を説明するための回路基板の部分拡大図。
図。
半導体装置の製造方法を説明するための上面図及び側面
図。
に続いて得られる半導体装置の上面図及び側面図。
に続いて得られる半導体装置の上面図及び側面図。
明するための回路基板の斜視図。
明する、図17の工程に続く基板の斜視図。
斜視図。
態を示す斜視図。
Claims (3)
- 【請求項1】 複数のユニット回路が縦横に形成された
回路基板をダイシングカットして、個別のユニット回路
基板に分断する半導体装置の製造方法において、 予め、前記回路基板に、前記個別のユニット回路基板に
相当する領域を縦横のいずれか一方向に関して互いに間
隔を設けて配列し、その一方向に垂直な方向に関して並
ぶ前記領域の間のラインに沿って断続的に、前記各ユニ
ット回路毎にスリット孔を形成し、且つ該スリット孔の
長さを、分断後の個別のユニット回路基板の端面長より
も長くなるよう設定し、 前記一方向に垂直な方向にダイシングカットする ことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項2】 複数のユニット回路が縦横に形成された
回路基板の上に、前記各ユニット回路が露出するような
孔部が形成された貼り合わせ基材が接着された基板をダ
イシングカットして、個別のユニット基板に分断する半
導体装置の製造方法において、 予め、前記回路基板に、前記個別のユニット回路基板に
相当する領域を縦横のいずれか一方向に関して互いに間
隔を設けて配列し、その一方向に垂直な方向に関して並
ぶ前記領域の間のラインに沿って断続的に、前記各ユニ
ット回路毎にスリット孔を形成するとともに、前記貼り
合わせ基材の前記スリット孔に対向する箇所にそのスリ
ット孔に重なるように開口した孔部を形成し、且つ前記
スリット孔および孔部の長さを、分断後の個別のユニッ
ト回路基板の端面長よりも長くなるよう設定し、 前記回路基板のスリット孔に対向するよう設けられた前
記貼り合わせ基材の孔部に、該孔部の内方に向かう突出
部を形成し、且つ前記突出部の底面が、前記回路基板と
貼り合わせ基材との接着面から離間するようにし、 前記一方向に垂直な方向にダイシングカットする ことを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項3】 複数のユニット回路が縦横に形成された
回路基板の上に、前記各ユニット回路が露出するような
孔部が形成された貼り合わせ基材が接着され た基板をダ
イシングカットして、個別のユニット基板に分断する半
導体装置の製造方法において、 予め、前記回路基板に、前記個別のユニット回路基板に
相当する領域を縦横のいずれか一方向に関して互いに間
隔を設けて配列し、その一方向に垂直な方向に関して並
ぶ前記領域の間のラインに沿って断続的に、前記各ユニ
ット回路毎にスリット孔を形成するとともに、前記貼り
合わせ基材の前記スリット孔に対向する箇所にそのスリ
ット孔に重なるように開口した孔部を形成し、且つ前記
スリット孔および孔部の長さを、分断後の個別のユニッ
ト回路基板の端面長よりも長くなるよう設定し、 前記貼り合わせ基材の前記孔部に接する底面部に2段か
らなる段差部を形成し、且つ該段差部は、前記回路基板
への接着面側の段差によって前記接着面から離間してお
り、 前記一方向に垂直な方向にダイシングカットする ことを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23873896A JP3416001B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23873896A JP3416001B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1092771A JPH1092771A (ja) | 1998-04-10 |
JP3416001B2 true JP3416001B2 (ja) | 2003-06-16 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3416001B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JP3617368B2 (ja) * | 1999-04-02 | 2005-02-02 | 株式会社村田製作所 | マザー基板および子基板ならびにその製造方法 |
JP4761493B2 (ja) * | 2001-07-23 | 2011-08-31 | シチズン電子株式会社 | リモコンセンサ |
JP6478877B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2019-03-06 | シチズンファインデバイス株式会社 | 高精度サブマウント基板及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP23873896A patent/JP3416001B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH1092771A (ja) | 1998-04-10 |
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