JP3412856B2 - 情報処理装置及びこれに用いるデバイス - Google Patents
情報処理装置及びこれに用いるデバイスInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は圧電体により駆動できる
アクチュエータ、とりわけ圧電体の振動により媒体をス
ライド移動させることが可能な手段を備えた情報処理装
置に関する。とりわけ本発明は、超音波モータの原理に
基づき相対的にプローブと媒体を面内内方向に移動させ
る手段を備えた情報処理装置に関する。更に本発明は、
かかる情報処理装置に用いられ、媒体を精度良く変位さ
せることができるデバイスに関する。
アクチュエータ、とりわけ圧電体の振動により媒体をス
ライド移動させることが可能な手段を備えた情報処理装
置に関する。とりわけ本発明は、超音波モータの原理に
基づき相対的にプローブと媒体を面内内方向に移動させ
る手段を備えた情報処理装置に関する。更に本発明は、
かかる情報処理装置に用いられ、媒体を精度良く変位さ
せることができるデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年半導体プロセス技術を背景にして半
導体を機械的構造体として用いた半導体圧力センサー、
半導体加速度センサー、マイクロアクチュエーター等の
機械的電気素子（マイクロメカニクス）が脚光を浴びる
ようになってきた。
導体を機械的構造体として用いた半導体圧力センサー、
半導体加速度センサー、マイクロアクチュエーター等の
機械的電気素子（マイクロメカニクス）が脚光を浴びる
ようになってきた。
【０００３】かかる素子の特徴として、小型でかつ高精
度の機械機構部品を提供でき、かつ半導体ウエハを用い
るためにＳｉウエハ上に素子と電気回路を一体化できる
ことが挙げられる。また、半導体プロセスをベースに作
製することで、半導体プロセスのバッチ処理による生産
性の向上を期待できる。特に微小変位素子としては、圧
電体薄膜を利用したカンチレバー（片持ち梁）状のもの
が挙げられ、これは非常に微細な動きを制御することが
可能なため、原子レベル、分子レベルを直接観察できる
走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴＭと称す）に応用され
ている。
度の機械機構部品を提供でき、かつ半導体ウエハを用い
るためにＳｉウエハ上に素子と電気回路を一体化できる
ことが挙げられる。また、半導体プロセスをベースに作
製することで、半導体プロセスのバッチ処理による生産
性の向上を期待できる。特に微小変位素子としては、圧
電体薄膜を利用したカンチレバー（片持ち梁）状のもの
が挙げられ、これは非常に微細な動きを制御することが
可能なため、原子レベル、分子レベルを直接観察できる
走査型トンネル顕微鏡（以下ＳＴＭと称す）に応用され
ている。
【０００４】例えばスタンフォード大学のクエート等に
より提案された微小変位素子を用いたＳＴＭプローブ
（ＩＥＥＥ Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ｐ１８８−１９９，Ｆｅ
ｂ．１９９０）がある。これは図１０に示すようにＳｉ
ウエハ８１のウエハの裏面を一部除去しシリコンメンブ
レンを形成し、表面にＡｌ８２とＺｎＯ８３の薄膜を順
次積層し、バイモルフのカンチレバーを形成しその後、
裏面より反応性のドライエッチによりシリコンメンブレ
ンとウエハ表面のエッチングの保護層（シリコン窒化
膜）を除去して、ＳＴＭプローブ変位用のバイモルフカ
ンチレバーを作製している。このカンチレバーの上面自
由端部にトンネル電流検知用プローブを取り付け、良好
なＳＴＭ像を得ている。
より提案された微小変位素子を用いたＳＴＭプローブ
（ＩＥＥＥ Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａ
ｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ，ｐ１８８−１９９，Ｆｅ
ｂ．１９９０）がある。これは図１０に示すようにＳｉ
ウエハ８１のウエハの裏面を一部除去しシリコンメンブ
レンを形成し、表面にＡｌ８２とＺｎＯ８３の薄膜を順
次積層し、バイモルフのカンチレバーを形成しその後、
裏面より反応性のドライエッチによりシリコンメンブレ
ンとウエハ表面のエッチングの保護層（シリコン窒化
膜）を除去して、ＳＴＭプローブ変位用のバイモルフカ
ンチレバーを作製している。このカンチレバーの上面自
由端部にトンネル電流検知用プローブを取り付け、良好
なＳＴＭ像を得ている。
【０００５】さらに図１１の様な圧電体９１と電極９２
を積層し圧電体を４ブロックに分け、３軸駆動が可能な
自由端部にトンネル電流検知用プローブ９３を設けたカ
ンチレバー型プローブが提案されている。かかる構成に
よれば図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す様に各電極
間に適当なバイアスをかけることにより、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸
の各々単独での駆動は可能となる。例えば、圧電体にＺ
ｎＯを使用し、その微小変位素子の厚さを５μｍ、長さ
を１０００μｍ、幅を２００μｍとした時、１０Ｖ印加
で、その変位量はＸ軸で約２００ｎｍ、Ｙ軸で約２０ｎ
ｍ、Ｚ軸で約７５００ｎｍである。これはＳＴＭプロー
ブとして３軸駆動が可能でかつ集積化が容易となり、優
れたものである。しかし広範囲な領域でのＳＴＭ観察を
行なうためには、被観察物側のＸＹステージによる微動
駆動を必要とした。
を積層し圧電体を４ブロックに分け、３軸駆動が可能な
自由端部にトンネル電流検知用プローブ９３を設けたカ
ンチレバー型プローブが提案されている。かかる構成に
よれば図１２（ａ），（ｂ），（ｃ）に示す様に各電極
間に適当なバイアスをかけることにより、Ｘ，Ｙ，Ｚ軸
の各々単独での駆動は可能となる。例えば、圧電体にＺ
ｎＯを使用し、その微小変位素子の厚さを５μｍ、長さ
を１０００μｍ、幅を２００μｍとした時、１０Ｖ印加
で、その変位量はＸ軸で約２００ｎｍ、Ｙ軸で約２０ｎ
ｍ、Ｚ軸で約７５００ｎｍである。これはＳＴＭプロー
ブとして３軸駆動が可能でかつ集積化が容易となり、優
れたものである。しかし広範囲な領域でのＳＴＭ観察を
行なうためには、被観察物側のＸＹステージによる微動
駆動を必要とした。
【０００６】一方、ＳＴＭの手法を用いて、半導体ある
いは高分子材料等の原子オーダー、分子オーダーの観察
評価、微細加工（Ｅ．Ｅ．Ｅｈｒｉｃｈｓ，４ｔｈ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｙ／ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，８９，Ｓ１
３−３），及び記録再生装置の様々な分野への応用が研
究されている。なかでも、コンピューターの計算情報等
では大容量を有する記録装置の要求がますます高まって
おり、半導体プロセス技術の進展により、マイクロプロ
セッサが小型化し、計算能力が向上したために記録装置
の小型化が望まれている。これらの要求を満たす目的
で、記録媒体との間隔を微調整可能な駆動手段上に存在
するトンネル電流発生用プローブからなる変換器から電
圧印加することによって、記録媒体表面の仕事関数を変
化させる事により記録書き込みし、仕事関数の変化によ
るトンネル電流の変化を検知することにより情報の読み
だしを行ない最小記録面積が１０ｎｍ平方となる記録再
生装置が提案されている。
いは高分子材料等の原子オーダー、分子オーダーの観察
評価、微細加工（Ｅ．Ｅ．Ｅｈｒｉｃｈｓ，４ｔｈ Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍｉｃｒ
ｏｓｃｏｐｙ／ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ，８９，Ｓ１
３−３），及び記録再生装置の様々な分野への応用が研
究されている。なかでも、コンピューターの計算情報等
では大容量を有する記録装置の要求がますます高まって
おり、半導体プロセス技術の進展により、マイクロプロ
セッサが小型化し、計算能力が向上したために記録装置
の小型化が望まれている。これらの要求を満たす目的
で、記録媒体との間隔を微調整可能な駆動手段上に存在
するトンネル電流発生用プローブからなる変換器から電
圧印加することによって、記録媒体表面の仕事関数を変
化させる事により記録書き込みし、仕事関数の変化によ
るトンネル電流の変化を検知することにより情報の読み
だしを行ない最小記録面積が１０ｎｍ平方となる記録再
生装置が提案されている。
【０００７】また、ＳＴＭの探針（プローブ）をカンチ
レバーの自由端側に形成し、それぞれ独立に変位するカ
ンチレバーをマルチ化し、さらに半導体プロセスと一体
化して同一基板上にトンネル電流検知用のプローブ付き
カンチレバーと、そのトンネル電流を増幅処理するアン
プ、カンチレバー駆動とトンネル電流の選択のためのマ
ルチプレクサ、シフトレジスタ、等を積載する記録再生
装置が提案されている。
レバーの自由端側に形成し、それぞれ独立に変位するカ
ンチレバーをマルチ化し、さらに半導体プロセスと一体
化して同一基板上にトンネル電流検知用のプローブ付き
カンチレバーと、そのトンネル電流を増幅処理するアン
プ、カンチレバー駆動とトンネル電流の選択のためのマ
ルチプレクサ、シフトレジスタ、等を積載する記録再生
装置が提案されている。
【０００８】しかし、従来の装置においては大粗動機
構、粗動機構、微動機構など多数の移動機構を必要と
し、装置を複雑化するばかりか装置が大型化してしまい
可搬性を考慮すると好ましくない。
構、粗動機構、微動機構など多数の移動機構を必要と
し、装置を複雑化するばかりか装置が大型化してしまい
可搬性を考慮すると好ましくない。
【０００９】一方、駆動時に恒常的な物理的形状変化を
伴う変位素子を用いて初期プローブ位置よりトンネル電
流を検知できる領域にまで移動させる粗動を行わせ、更
にウォブリング等極めて微小な範囲で追従させるための
微動機構を同時に一つの移動機構で行わせようとする
と、どちらかの機能が十分に発揮できなくなる。更に粗
動駆動時に素子に過剰な負荷がかかる場合があり、でき
れば機能分離する方が好ましい。
伴う変位素子を用いて初期プローブ位置よりトンネル電
流を検知できる領域にまで移動させる粗動を行わせ、更
にウォブリング等極めて微小な範囲で追従させるための
微動機構を同時に一つの移動機構で行わせようとする
と、どちらかの機能が十分に発揮できなくなる。更に粗
動駆動時に素子に過剰な負荷がかかる場合があり、でき
れば機能分離する方が好ましい。
【００１０】更に停電等急に電源がおちた場合、プロー
ブが記録媒体に接触し記録媒体を損傷する場合がある。
ブが記録媒体に接触し記録媒体を損傷する場合がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的と
するところは、プローブを記録媒体に再現良く近接させ
ることができ、しかも走査ステージを要しない小型化さ
れた情報処理装置及びこれに用いるデバイスを提供する
ことにある。
するところは、プローブを記録媒体に再現良く近接させ
ることができ、しかも走査ステージを要しない小型化さ
れた情報処理装置及びこれに用いるデバイスを提供する
ことにある。
【００１２】更に本発明の目的は、高速処理の可能な走
査型トンネル顕微鏡及びその原理を応用した情報処理装
置を提供することにある。
査型トンネル顕微鏡及びその原理を応用した情報処理装
置を提供することにある。
【００１３】
【００１４】
【００１５】
【課題を解決するための手段及び作用】 本
発明は、プロ
ーブを媒体に近接させ、媒体が有する情報を読み出した
り、媒体に情報を書き込む情報処理装置であって、プロ
ーブがカンチレバー状変位素子の自由端部にプローブを
備えたカンチレバータイプのプローブであり、該カンチ
レバーと同一基板上に圧電体膜とこれを逆圧電効果によ
り変位させる電極を備え、これにより媒体の面内方向に
進行波を発生させて媒体を変位させることを特徴とする
情報処理装置である。
ーブを媒体に近接させ、媒体が有する情報を読み出した
り、媒体に情報を書き込む情報処理装置であって、プロ
ーブがカンチレバー状変位素子の自由端部にプローブを
備えたカンチレバータイプのプローブであり、該カンチ
レバーと同一基板上に圧電体膜とこれを逆圧電効果によ
り変位させる電極を備え、これにより媒体の面内方向に
進行波を発生させて媒体を変位させることを特徴とする
情報処理装置である。
【００１６】更に本発明は、プローブを媒体に近接さ
せ、媒体が有する情報を読み出したり、媒体に情報を書
き込む情報処理装置に用いるデバイスであって、プロー
ブがカンチレバー状変位素子の自由端部にプローブを備
えたカンチレバータイプのプローブであり、該カンチレ
バーと同一基板上に圧電体膜とこれを逆圧電効果により
変位させる電極を備え、これにより媒体の面内方向に進
行波を発生させて媒体を変位させることを特徴とするデ
バイスである。
せ、媒体が有する情報を読み出したり、媒体に情報を書
き込む情報処理装置に用いるデバイスであって、プロー
ブがカンチレバー状変位素子の自由端部にプローブを備
えたカンチレバータイプのプローブであり、該カンチレ
バーと同一基板上に圧電体膜とこれを逆圧電効果により
変位させる電極を備え、これにより媒体の面内方向に進
行波を発生させて媒体を変位させることを特徴とするデ
バイスである。
【００１７】即ち、本発明の好ましい態様はプローブと
媒体を相対的に記録媒体面内方向に移動させる手段に超
音波モータの原理に基づいた駆動機構を用いることにあ
る。本発明に係る駆動機構によれば媒体を面内方向に精
度良く移動させることができ、更にはプローブ／媒体間
隔（Ｚ）を制御することが可能である。
媒体を相対的に記録媒体面内方向に移動させる手段に超
音波モータの原理に基づいた駆動機構を用いることにあ
る。本発明に係る駆動機構によれば媒体を面内方向に精
度良く移動させることができ、更にはプローブ／媒体間
隔（Ｚ）を制御することが可能である。
【００１８】又、本発明の好ましい態様においては、少
なくとも一層の圧電体膜と該圧電体膜を逆圧電効果によ
り変位させるための電極とでなるカンチレバー状変位素
子の上面自由端部に、情報入出力用のプローブを有する
少なくとも１つのカンチレバー型プローブと、少なくと
も一層の圧電体膜と該圧電体膜を逆圧電効果により変位
させるための電極とでなる少なくとも１つの圧電体メン
ブレンとを、同一基板上に具備するマルチプローブヘッ
ドであって、該圧電体メンブレンは、該マルチプローブ
ヘッドに対向配置される媒体を、該圧電体メンブレンの
振動によって、該媒体の面内方向に走査する手段である
ことを特徴とするマルチプローブヘッドであり、好まし
くは、上記カンチレバー状変位素子が、３軸方向に駆動
することを特徴とするデバイス（マルチプローブヘッ
ド）である。
なくとも一層の圧電体膜と該圧電体膜を逆圧電効果によ
り変位させるための電極とでなるカンチレバー状変位素
子の上面自由端部に、情報入出力用のプローブを有する
少なくとも１つのカンチレバー型プローブと、少なくと
も一層の圧電体膜と該圧電体膜を逆圧電効果により変位
させるための電極とでなる少なくとも１つの圧電体メン
ブレンとを、同一基板上に具備するマルチプローブヘッ
ドであって、該圧電体メンブレンは、該マルチプローブ
ヘッドに対向配置される媒体を、該圧電体メンブレンの
振動によって、該媒体の面内方向に走査する手段である
ことを特徴とするマルチプローブヘッドであり、好まし
くは、上記カンチレバー状変位素子が、３軸方向に駆動
することを特徴とするデバイス（マルチプローブヘッ
ド）である。
【００１９】更に本発明の好ましい態様は、トンネル電
流を用いて記録媒体に対して情報の記録、再生、消去を
行なう情報処理装置において、上記のマルチプローブヘ
ッドを有することを特徴とする情報処理装置であり、更
に、該装置は走査型トンネル顕微鏡や記録再生装置とな
り得る。
流を用いて記録媒体に対して情報の記録、再生、消去を
行なう情報処理装置において、上記のマルチプローブヘ
ッドを有することを特徴とする情報処理装置であり、更
に、該装置は走査型トンネル顕微鏡や記録再生装置とな
り得る。
【００２０】本発明のデバイス（マルチプローブヘッ
ド）によれば、上記圧電体メンブレンに超音波振動を起
こさせて、この振動によって記録媒体を面内方向に搬送
させるとともに、垂直方向は圧電体カンチレバーにより
位置決めさせることができる。
ド）によれば、上記圧電体メンブレンに超音波振動を起
こさせて、この振動によって記録媒体を面内方向に搬送
させるとともに、垂直方向は圧電体カンチレバーにより
位置決めさせることができる。
【００２１】図３は本発明の原理を模式的に示した図で
ある。これはＳｉ基板４上に一体形成された圧電体カン
チレバー１と記録書き込み読みだしを行なうプローブ２
と記録媒体３１をスライドさせる圧電体メンブレン３で
構成される。ここで圧電体メンブレン３を適当な電極構
成にし、それぞれに位相の異なる交流電圧を加えると、
図のように縦波と横波の結合した進行波によって圧電体
メンブレン３の表面が楕円運動をする。この結果、記録
媒体３１は図示の方向へスライドする。圧電体カンチレ
バー１はＺ方向にアクチュエートすることができ、プロ
ーブ２によって記録媒体３１に対して情報の記録再生を
することができる。尚、３２は記録ビットであり、３３
は記録媒体３１の基板である。
ある。これはＳｉ基板４上に一体形成された圧電体カン
チレバー１と記録書き込み読みだしを行なうプローブ２
と記録媒体３１をスライドさせる圧電体メンブレン３で
構成される。ここで圧電体メンブレン３を適当な電極構
成にし、それぞれに位相の異なる交流電圧を加えると、
図のように縦波と横波の結合した進行波によって圧電体
メンブレン３の表面が楕円運動をする。この結果、記録
媒体３１は図示の方向へスライドする。圧電体カンチレ
バー１はＺ方向にアクチュエートすることができ、プロ
ーブ２によって記録媒体３１に対して情報の記録再生を
することができる。尚、３２は記録ビットであり、３３
は記録媒体３１の基板である。
【００２２】記録媒体のスライドとＳＴＭの原理による
記録書き込み再生を同時に行なうためには、圧電体カン
チレバーの固有振動数と圧電体メンブレンの固有振動数
に注意して設計しなければならない。例えば、圧電体カ
ンチレバーの固有振動数Ｆｒ1 は次の式で表される。
記録書き込み再生を同時に行なうためには、圧電体カン
チレバーの固有振動数と圧電体メンブレンの固有振動数
に注意して設計しなければならない。例えば、圧電体カ
ンチレバーの固有振動数Ｆｒ1 は次の式で表される。
【００２３】
Ｆｒ1 ＝０．３５６３×πｈ／４１2 ×（Ｅ／３ρ）1/2
ｈ：圧電体カンチレバーの膜厚 ｌ：圧電体カン
チレバーの長さ Ｅ：圧電体カンチレバーのヤング率 ρ：圧電体カン
チレバーの密度 また、圧電体メンブレンの固有振動数Ｆｒ2 は次式で表
される。
チレバーの長さ Ｅ：圧電体カンチレバーのヤング率 ρ：圧電体カン
チレバーの密度 また、圧電体メンブレンの固有振動数Ｆｒ2 は次式で表
される。
【００２４】Ｆｒ2 ＝Ｖ／２Ｌ
Ｖ：圧電体メンブレン弾性体中の音速
Ｌ：圧電体メンブレンを構成する電極の長さ
以上の式より圧電体カンチレバーの固有振動数Ｆｒ1 が
圧電体メンブレンの固有振動数Ｆｒ2 より高くなるよう
に寸法、形状、材質等を設計すれば良い。
圧電体メンブレンの固有振動数Ｆｒ2 より高くなるよう
に寸法、形状、材質等を設計すれば良い。
【００２５】また、圧電体カンチレバーをＸ，Ｙ，Ｚ軸
の３軸駆動可能なように作製すれば、圧電体メンブレン
による記録媒体のスライドをステップ的にさせてやるこ
とができるので、固有振動数のことにあまり左右されな
い。
の３軸駆動可能なように作製すれば、圧電体メンブレン
による記録媒体のスライドをステップ的にさせてやるこ
とができるので、固有振動数のことにあまり左右されな
い。
【００２６】また、この場合には、より高速な駆動が可
能となる。
能となる。
【００２７】また圧電体の振動による進行波の発生に基
づく搬送の原理を用いた超音波モータが知られている。
この超音波モータは制御良くプローブ／記録媒体を相対
的に移動させることが可能である。
づく搬送の原理を用いた超音波モータが知られている。
この超音波モータは制御良くプローブ／記録媒体を相対
的に移動させることが可能である。
【００２８】
【実施例】以下、実施例を用いて本発明を具体的に詳述
する。
する。
【００２９】実施例１
本実施例で示すものは本発明のマルチプローブヘッド
（デバイス）である。
（デバイス）である。
【００３０】図１に本発明のマルチプローブヘッドの斜
視図を示す。これは、Ｓｉ基板上に、通常のＩＣ作製プ
ロセスとＳｉの異方性エッチングとにより作製したもの
であり、Ｓｉ基板４上に圧電体カンチレバー１と情報入
出力用プローブ２と圧電体メンブレン３とがマトリクス
状に配置されている。図示していないが、Ｓｉ基板４上
にはマルチプローブヘッドの動作用回路および信号処理
用回路等のＩＣが搭載されている。これについては後述
する。圧電体メンブレン３を動作させることによって、
記録媒体をＸ軸、Ｙ軸に走査することができる。図２に
図１のＡ−Ａ断面の模式図を示す。圧電体カンチレバー
１は圧電体に電圧を印加するための下部電極５および中
電極６、上部電極７と圧電体膜８、９とを積層して構成
されている。この構成によるとバイモルフ圧電素子とし
てアクチュエートすることができる。この圧電体カンチ
レバー１の自由端部にプローブ２が形成されている。次
に圧電体メンブレン３は圧電体膜に電圧を印加するため
の下部電極１０、中電極１１、および上部電極１２と圧
電体膜１３、１４が積層され、さらに最上部には、絶縁
体からなる保護層１５が形成されている。図のように多
数個２次元配置され分割された上電極１２に、それぞれ
位相の異なる交流電圧を加えることによって圧電体メン
ブレン３上に進行波をたたせることができる。この場
合、下部の圧電体膜１３は弾性体としてはたらき、上部
の圧電体１４によるユニモルフ動作をする。
視図を示す。これは、Ｓｉ基板上に、通常のＩＣ作製プ
ロセスとＳｉの異方性エッチングとにより作製したもの
であり、Ｓｉ基板４上に圧電体カンチレバー１と情報入
出力用プローブ２と圧電体メンブレン３とがマトリクス
状に配置されている。図示していないが、Ｓｉ基板４上
にはマルチプローブヘッドの動作用回路および信号処理
用回路等のＩＣが搭載されている。これについては後述
する。圧電体メンブレン３を動作させることによって、
記録媒体をＸ軸、Ｙ軸に走査することができる。図２に
図１のＡ−Ａ断面の模式図を示す。圧電体カンチレバー
１は圧電体に電圧を印加するための下部電極５および中
電極６、上部電極７と圧電体膜８、９とを積層して構成
されている。この構成によるとバイモルフ圧電素子とし
てアクチュエートすることができる。この圧電体カンチ
レバー１の自由端部にプローブ２が形成されている。次
に圧電体メンブレン３は圧電体膜に電圧を印加するため
の下部電極１０、中電極１１、および上部電極１２と圧
電体膜１３、１４が積層され、さらに最上部には、絶縁
体からなる保護層１５が形成されている。図のように多
数個２次元配置され分割された上電極１２に、それぞれ
位相の異なる交流電圧を加えることによって圧電体メン
ブレン３上に進行波をたたせることができる。この場
合、下部の圧電体膜１３は弾性体としてはたらき、上部
の圧電体１４によるユニモルフ動作をする。
【００３１】上記圧電体カンチレバーの作製方法を図４
を用いて説明する。図４は圧電体カンチレバーの製造工
程を示す図である。（１００）Ｓｉ基板４１の両面にＬ
ＰＣＶＤ装置でＳｉ3 Ｎ4 膜４２を１０００Å成膜し
て、裏面のみをパターニングし（図４（ａ）参照）、Ｋ
ＯＨ水溶液等を用いＳｉ3 Ｎ4 膜４２をマスクとしカン
チレバー領域のＳｉの異方性エッチングを行ない、数１
０μｍ厚のＳｉメンブレンを形成する（図４（ｂ）参
照）。次に、表面にＡＩ等の電極層４３を成膜してパタ
ーニングし、同様にしてＺｎＯのような圧電体膜層４４
をスパッタで成膜しパターニングを繰り返す。最後にリ
フトオフ法によりプローブ４５を形成する（図４（ｃ）
参照）。次に、ポリイミド等でプローブ４５等の表面を
保護し、ＳｉとＳｉ3 Ｎ4 をエッチングし、最後にポリ
イミドを除去する（図４（ｄ）参照）。以上が圧電体カ
ンチレバーの作製方法であるが、圧電体メンブレンも全
く同様の方法で同時に形成することができる。
を用いて説明する。図４は圧電体カンチレバーの製造工
程を示す図である。（１００）Ｓｉ基板４１の両面にＬ
ＰＣＶＤ装置でＳｉ3 Ｎ4 膜４２を１０００Å成膜し
て、裏面のみをパターニングし（図４（ａ）参照）、Ｋ
ＯＨ水溶液等を用いＳｉ3 Ｎ4 膜４２をマスクとしカン
チレバー領域のＳｉの異方性エッチングを行ない、数１
０μｍ厚のＳｉメンブレンを形成する（図４（ｂ）参
照）。次に、表面にＡＩ等の電極層４３を成膜してパタ
ーニングし、同様にしてＺｎＯのような圧電体膜層４４
をスパッタで成膜しパターニングを繰り返す。最後にリ
フトオフ法によりプローブ４５を形成する（図４（ｃ）
参照）。次に、ポリイミド等でプローブ４５等の表面を
保護し、ＳｉとＳｉ3 Ｎ4 をエッチングし、最後にポリ
イミドを除去する（図４（ｄ）参照）。以上が圧電体カ
ンチレバーの作製方法であるが、圧電体メンブレンも全
く同様の方法で同時に形成することができる。
【００３２】次に、本発明の前記マルチプローブヘッド
のＩＣ回路について述べる。
のＩＣ回路について述べる。
【００３３】図５は本発明のマルチプローブヘッドのブ
ロック図を示したものである。
ロック図を示したものである。
【００３４】５１は圧電体メンブレン３により、記録媒
体６を駆動するＸＹ駆動機構回路である。５２はプロー
ブ２と記録媒体６との間に電圧を印加する電圧印加回
路、５３はプローブ２と記録媒体６との間をトンネルす
る電流を増幅する電流増幅器、５４は電流増幅器５３を
用いて検出される電流が一定になるように圧電体カンチ
レバー１に印加する電圧を調整するサーボ回路である。
５５は複数の圧電体カンチレバー１を順次制御するため
のマルチプレクサユニットである。これらの回路はマル
チプローブヘッドのＳｉ基板４上にＩＣとして搭載され
ており、マイクロコンピューター５６により、制御する
ことができる。このマルチプローブヘッドと媒体は移動
の軸がずれないように図６のようなフレーム６１に固定
されている。６２は記録媒体６が見える窓、６３はマル
チプローブヘッドからの配線である。このように記録媒
体とマルチプローブヘッドは一体化した。
体６を駆動するＸＹ駆動機構回路である。５２はプロー
ブ２と記録媒体６との間に電圧を印加する電圧印加回
路、５３はプローブ２と記録媒体６との間をトンネルす
る電流を増幅する電流増幅器、５４は電流増幅器５３を
用いて検出される電流が一定になるように圧電体カンチ
レバー１に印加する電圧を調整するサーボ回路である。
５５は複数の圧電体カンチレバー１を順次制御するため
のマルチプレクサユニットである。これらの回路はマル
チプローブヘッドのＳｉ基板４上にＩＣとして搭載され
ており、マイクロコンピューター５６により、制御する
ことができる。このマルチプローブヘッドと媒体は移動
の軸がずれないように図６のようなフレーム６１に固定
されている。６２は記録媒体６が見える窓、６３はマル
チプローブヘッドからの配線である。このように記録媒
体とマルチプローブヘッドは一体化した。
【００３５】次に、このマルチプローブヘッドを用いた
記録再生結果について述べる。記録媒体としてガラス基
板上にＣｒ／Ａｕを蒸着し、その上部にポリイミドＬＢ
膜を４層（約１５Å）成膜したものを用いた。記録媒体
の電極と複数のプローブに１Ｖの電圧を印加し、全ての
プローブが、それぞれ１ｎＡ程度のトンネル電流になる
ように圧電体カンチレバーの圧電体膜に電界を加えてプ
ローブの位置を図５のＺ軸方向に移動させた。
記録再生結果について述べる。記録媒体としてガラス基
板上にＣｒ／Ａｕを蒸着し、その上部にポリイミドＬＢ
膜を４層（約１５Å）成膜したものを用いた。記録媒体
の電極と複数のプローブに１Ｖの電圧を印加し、全ての
プローブが、それぞれ１ｎＡ程度のトンネル電流になる
ように圧電体カンチレバーの圧電体膜に電界を加えてプ
ローブの位置を図５のＺ軸方向に移動させた。
【００３６】尚、この記録媒体には、パルス電圧を加え
ると、記録媒体の抵抗率が２桁程度変化する特徴があ
る。
ると、記録媒体の抵抗率が２桁程度変化する特徴があ
る。
【００３７】その後、複数のプローブにパルス電圧（５
Ｖ １μｓｅｃ）を加え、圧電体メンブレンにより記録
媒体を走査させ、所望の位置に情報を記録した。尚、そ
の個々の領域は約１００Å×１００Å程度と非常に小さ
く、超高密度の記録を行なうことができた。
Ｖ １μｓｅｃ）を加え、圧電体メンブレンにより記録
媒体を走査させ、所望の位置に情報を記録した。尚、そ
の個々の領域は約１００Å×１００Å程度と非常に小さ
く、超高密度の記録を行なうことができた。
【００３８】次に、プローブと記録媒体の電極間に１Ｖ
の電圧を印加し、同様にプローブを走査させ、トンネル
電流の変化をみたところ、先ほど記録した領域に抵抗値
が変化した部分を検出した。このように、本実施例にお
いては、記録情報の書き込み、読みだしが行なえること
を確認した。
の電圧を印加し、同様にプローブを走査させ、トンネル
電流の変化をみたところ、先ほど記録した領域に抵抗値
が変化した部分を検出した。このように、本実施例にお
いては、記録情報の書き込み、読みだしが行なえること
を確認した。
【００３９】また、記録情報の消去は、プローブを記録
媒体の記録領域上に走査し、プローブと記録媒体の電極
間に、閾値を越えたパルス電圧（４Ｖ／μｓｅｃ）を印
加すると、記録ビットが特性変化を起こして抵抗値が記
録ビットのない部分と同じ値になり、記録情報の消去が
行なえることを確認した。
媒体の記録領域上に走査し、プローブと記録媒体の電極
間に、閾値を越えたパルス電圧（４Ｖ／μｓｅｃ）を印
加すると、記録ビットが特性変化を起こして抵抗値が記
録ビットのない部分と同じ値になり、記録情報の消去が
行なえることを確認した。
【００４０】尚、情報記録用の上記記録媒体としては、
前記以外にも、メモリースイッチング現象（電気メモリ
ー効果）を持つものであれば利用できるここで言う電気
メモリー効果とは、電圧印加に対応して少なくとも２つ
以上の異なる抵抗状態を示し、各状態間は記録層の導電
率を変化させる閾値を越えた電圧又は電流を印加するこ
とにより自由に遷移し、また得られた各抵抗状態は閾値
を越えない電圧又は電流を印加する限りにおいてその状
態を保持し得ることを言う。
前記以外にも、メモリースイッチング現象（電気メモリ
ー効果）を持つものであれば利用できるここで言う電気
メモリー効果とは、電圧印加に対応して少なくとも２つ
以上の異なる抵抗状態を示し、各状態間は記録層の導電
率を変化させる閾値を越えた電圧又は電流を印加するこ
とにより自由に遷移し、また得られた各抵抗状態は閾値
を越えない電圧又は電流を印加する限りにおいてその状
態を保持し得ることを言う。
【００４１】実施例２
本実施例では、本発明のマルチプローブヘッドの他の態
様を示す。実施例１と違う点は記録媒体が回転する点で
ある。
様を示す。実施例１と違う点は記録媒体が回転する点で
ある。
【００４２】図７は、本実施例での本発明のマルチプロ
ーブヘッドの斜視図である。実施例１と同様にＳｉ基板
４上に圧電体カンチレバー１とプローブ２があり、圧電
体メンブレン３上に電極７が形成されている。中心軸７
１に記録媒体６をさしこみ圧電体メンブレン３上の上電
極７に交流電圧を印加すると記録媒体が回転する。なお
圧電体カンチレバー１はそれぞれ広範囲に記録できるよ
うに半径を少しずつずらしてある。このマルチプローブ
ヘッドを用いても実施例１と同様な結果が得られた。
ーブヘッドの斜視図である。実施例１と同様にＳｉ基板
４上に圧電体カンチレバー１とプローブ２があり、圧電
体メンブレン３上に電極７が形成されている。中心軸７
１に記録媒体６をさしこみ圧電体メンブレン３上の上電
極７に交流電圧を印加すると記録媒体が回転する。なお
圧電体カンチレバー１はそれぞれ広範囲に記録できるよ
うに半径を少しずつずらしてある。このマルチプローブ
ヘッドを用いても実施例１と同様な結果が得られた。
【００４３】参考例
本参考例においては超音波駆動機構を有するマルチプロ
ーブヘッドの代わりに超音波モータを用い、記録媒体を
回転振動させ、プローブ及び記録媒体を相対的に記録媒
体の面内方向に駆動可能にしたものである。
ーブヘッドの代わりに超音波モータを用い、記録媒体を
回転振動させ、プローブ及び記録媒体を相対的に記録媒
体の面内方向に駆動可能にしたものである。
【００４４】図８及び図９において３１は記録媒体であ
り、ＵＳＰ４，５７５，８２２に示されているようなＳ
ｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／ｐ−Ｓｉからなる媒体を用いる事が
可能である。この記録媒体を用いプローブ／媒体間に電
圧を印加することにより記録する事ができる。再生はプ
ローブ／媒体間に流れるトンネル電流を検知することに
より行われる。２０１は超音波モータであり、ロータ２
０２、ロータ回転駆動機構２０３から構成されている。
ロータ回転駆動機構２０３はロータを回転駆動させるた
めの機構であり、基台３０４、基台３０４上に形成され
た１２分割パターニングされた不図示の一対の電極、一
対の電極に挟持されたＰＺＴ等からなる圧電シート３０
３及びステータ３０１から構成されている。２０４はリ
ニアアクチュエータであり、記録媒体及びロータ・ロー
タ回転駆動機構からなる超音波モータを一軸に駆動する
機構である。２０５は電流増幅器であり、２０６はプロ
ーブにより得られる電流を検知し、電流値を一定になる
ように圧電体カンチレバー素子を用いたＺ微動制御機構
２０９を制御するサーボ回路である。２１０は記録、再
生を行うためのパルス、バイアス電圧を印加するための
電源である。パルス電圧を印加する時プローブに流れる
電流が急激に変化するため、サーボ回路２０６はその間
に出力電圧が一定になるようにＨＯＬＤ回路をＯＮにす
るように制御している。これらの各機能はすべてマイク
ロコンピュータにより制御されている。また２０８は表
示機器を示している。
り、ＵＳＰ４，５７５，８２２に示されているようなＳ
ｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／ｐ−Ｓｉからなる媒体を用いる事が
可能である。この記録媒体を用いプローブ／媒体間に電
圧を印加することにより記録する事ができる。再生はプ
ローブ／媒体間に流れるトンネル電流を検知することに
より行われる。２０１は超音波モータであり、ロータ２
０２、ロータ回転駆動機構２０３から構成されている。
ロータ回転駆動機構２０３はロータを回転駆動させるた
めの機構であり、基台３０４、基台３０４上に形成され
た１２分割パターニングされた不図示の一対の電極、一
対の電極に挟持されたＰＺＴ等からなる圧電シート３０
３及びステータ３０１から構成されている。２０４はリ
ニアアクチュエータであり、記録媒体及びロータ・ロー
タ回転駆動機構からなる超音波モータを一軸に駆動する
機構である。２０５は電流増幅器であり、２０６はプロ
ーブにより得られる電流を検知し、電流値を一定になる
ように圧電体カンチレバー素子を用いたＺ微動制御機構
２０９を制御するサーボ回路である。２１０は記録、再
生を行うためのパルス、バイアス電圧を印加するための
電源である。パルス電圧を印加する時プローブに流れる
電流が急激に変化するため、サーボ回路２０６はその間
に出力電圧が一定になるようにＨＯＬＤ回路をＯＮにす
るように制御している。これらの各機能はすべてマイク
ロコンピュータにより制御されている。また２０８は表
示機器を示している。
【００４５】次に記録再生の手順について説明する。
【００４６】まずＳｉ3Ｎ4／ＳｉＯ2／ｐ−Ｓｉからな
る上記に示した記録媒体３１をロータ２０２上に接着剤
（エポキシ系接着剤）を用いて固着させる。この接着剤
の膜自体は極めて薄いものであるが超音波モータの極微
小な振動にとってはその振動除去に対して有効に作用す
る。プローブ２と記録媒体３１とはその間隔（Ｚ）を数
μｍ程離した状態に保持しておく。次にロータ２０２を
回転させる。ロータ２０２を回転させるためには、回転
駆動制御機構２１１により所定の入力周波数の電圧をそ
れぞれ分割パターニングされた一対の電極に印加し、圧
電素子（ＰＺＴ）を振動させステータ３０１に進行波を
発生させることにより行われる。この入力電圧及び入力
周波数を適当に選択することにより超音波モータを好ま
しい条件で駆動させることができる。
る上記に示した記録媒体３１をロータ２０２上に接着剤
（エポキシ系接着剤）を用いて固着させる。この接着剤
の膜自体は極めて薄いものであるが超音波モータの極微
小な振動にとってはその振動除去に対して有効に作用す
る。プローブ２と記録媒体３１とはその間隔（Ｚ）を数
μｍ程離した状態に保持しておく。次にロータ２０２を
回転させる。ロータ２０２を回転させるためには、回転
駆動制御機構２１１により所定の入力周波数の電圧をそ
れぞれ分割パターニングされた一対の電極に印加し、圧
電素子（ＰＺＴ）を振動させステータ３０１に進行波を
発生させることにより行われる。この入力電圧及び入力
周波数を適当に選択することにより超音波モータを好ま
しい条件で駆動させることができる。
【００４７】またその駆動条件を任意に選択することに
より、その印加電圧条件の大きさによって振動させる圧
電シート３０３の振幅を調整することができるようにな
る。図９を用いて説明する。図９（ａ）は非駆動時の超
音波モータの断面図であり、図９（ｂ）は駆動時の超音
波モータの断面図である。図９（ｃ）は超音波モータの
鳥瞰図及び分解図である。圧電体は電圧印加により周期
的に振動する。この振動は実質的なそのステータ３０１
の厚さ（ｈ）を増大させ、その厚み（ｈ’）となる。こ
のときプローブ／記録媒体間隔Ｚはその厚さの増加分だ
け接近することになり記録再生が可能な距離（数ｎｍ）
まで制御良く近接させることができるようになる。
より、その印加電圧条件の大きさによって振動させる圧
電シート３０３の振幅を調整することができるようにな
る。図９を用いて説明する。図９（ａ）は非駆動時の超
音波モータの断面図であり、図９（ｂ）は駆動時の超音
波モータの断面図である。図９（ｃ）は超音波モータの
鳥瞰図及び分解図である。圧電体は電圧印加により周期
的に振動する。この振動は実質的なそのステータ３０１
の厚さ（ｈ）を増大させ、その厚み（ｈ’）となる。こ
のときプローブ／記録媒体間隔Ｚはその厚さの増加分だ
け接近することになり記録再生が可能な距離（数ｎｍ）
まで制御良く近接させることができるようになる。
【００４８】このように非回転時にはプローブを記録媒
体表面から遠く離しておくことができるようになり、非
記録再生時に外部振動の影響を受けてもプローブ接触が
原因となる記録媒体の損傷劣化を防止することが可能に
なる。特にこれらの機構をカセット（図６）に格納する
ことにより可搬性の記録媒体には特に効果がある。
体表面から遠く離しておくことができるようになり、非
記録再生時に外部振動の影響を受けてもプローブ接触が
原因となる記録媒体の損傷劣化を防止することが可能に
なる。特にこれらの機構をカセット（図６）に格納する
ことにより可搬性の記録媒体には特に効果がある。
【００４９】プローブを記録媒体表面にステータの厚さ
を増大させることによって十分に近接させた後、記録再
生を行う。記録再生はＵＳＰ４，５７５，８２２に示さ
れている方法と同様な方法で行われる。装置を停止させ
る場合には電源を切ることにより行われる。装置停止時
においては圧電素子の振動による実質的なステータの厚
さ増大が圧電素子に加えられる電圧を切った瞬間に圧電
素子の振動は止まり、その実質的なステータの厚さの増
大がなくなるため、プローブが自動的に初期位置にまで
退避するようになる。このように記録再生終了時にプロ
ーブを一旦記録媒体から離す退避作業は必要とせず、そ
のままスイッチをＯＦＦにするだけで退避作業をも同時
に行われ操作が容易となる。更に退避機構を特に設ける
必要がなくなる。また能動的に電源を切る場合に限らず
停電時等受動的に電源が切れる場合においてもプローブ
退避が行われるため媒体の損傷劣化を避けることが可能
になる。
を増大させることによって十分に近接させた後、記録再
生を行う。記録再生はＵＳＰ４，５７５，８２２に示さ
れている方法と同様な方法で行われる。装置を停止させ
る場合には電源を切ることにより行われる。装置停止時
においては圧電素子の振動による実質的なステータの厚
さ増大が圧電素子に加えられる電圧を切った瞬間に圧電
素子の振動は止まり、その実質的なステータの厚さの増
大がなくなるため、プローブが自動的に初期位置にまで
退避するようになる。このように記録再生終了時にプロ
ーブを一旦記録媒体から離す退避作業は必要とせず、そ
のままスイッチをＯＦＦにするだけで退避作業をも同時
に行われ操作が容易となる。更に退避機構を特に設ける
必要がなくなる。また能動的に電源を切る場合に限らず
停電時等受動的に電源が切れる場合においてもプローブ
退避が行われるため媒体の損傷劣化を避けることが可能
になる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のデバイス
（マルチプローブヘッド）によって記録媒体自体をＸＹ
軸に走査することができ、本発明のマルチプローブヘッ
ドを用いた情報処理装置はより小型、軽量化されるとと
もに、より高速で高密度の情報処理が可能となる。
（マルチプローブヘッド）によって記録媒体自体をＸＹ
軸に走査することができ、本発明のマルチプローブヘッ
ドを用いた情報処理装置はより小型、軽量化されるとと
もに、より高速で高密度の情報処理が可能となる。
【図１】本発明のマルチプローブヘッドの斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明のマルチプローブヘッドの断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の原理を示す図である。
【図４】本発明のマルチプローブヘッドの作製工程を示
す図である。
す図である。
【図５】本発明のマルチプローブヘッドのブロック図で
ある。
ある。
【図６】本発明のマルチプローブヘッドを用いた情報処
理装置の図である。
理装置の図である。
【図７】本発明のマルチプローブヘッドの他の態様を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図８】参考例の超音波モータを利用した態様を示す図
である。
である。
【図９】図８における超音波モータの動作を示す図であ
る。
る。
【図１０】従来の圧電体バイモルフからなるカンチレバ
ー型プローブの例である。
ー型プローブの例である。
【図１１】従来の圧電体バイモルフからなるカンチレバ
ー型プローブの断面図である。
ー型プローブの断面図である。
【図１２】圧電体バイモルフからなるカンチレバーの駆
動方法を説明するための図である。
動方法を説明するための図である。
１ 圧電体カンチレバー
２ 情報入出力用プローブ
３ 圧電体メンブレン
４ Ｓｉ基板
５ 下部電極
６ 中電極
７ 上部電極
８，９ 圧電体膜
１０ 下部電極
１１ 中電極
１２ 上部電極
１３，１４ 圧電体膜
１５ 保護層
３１ 記録媒体
３２ 記録ビット
３３ 記録媒体の基板
４１ （１００）Ｓｉ基板
４２ Ｓｉ3Ｎ4膜
４３ 電極層
４４ 圧電体膜層
５１ ＸＹ駆動機構回路
５２ 電圧印加回路
５３ 電流増幅器
５４ サーボ回路
５５ マルチプレクサユニット
５６ マイクロコンピューター
６１ フレーム
６２ 窓
６３ 配線
７１ 中心軸
８１ Ｓｉウエハ
８２ Ａｌ膜
８３ ＺｎＯ膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 河田 春紀
東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キ
ヤノン株式会社内
(56)参考文献 特開 平４−95804（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−291249（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−291250（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−278368（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 3/00 - 9/14
G11B 15/00 - 19/28
H01J 37/28
H01L 41/08
Claims (6)
- 【請求項１】 プローブを媒体に近接させ、媒体が有す
る情報を読み出したり、媒体に情報を書き込む情報処理
装置であって、プローブがカンチレバー状変位素子の自
由端部にプローブを備えたカンチレバータイプのプロー
ブであり、該カンチレバーと同一基板上に圧電体膜とこ
れを逆圧電効果により変位させる電極を備え、これによ
り媒体の面内方向に進行波を発生させて媒体を変位させ
ることを特徴とする情報処理装置。 - 【請求項２】 前記プローブが複数設けられている請求
項１に記載の情報処理装置。 - 【請求項３】 前記情報処理装置が、走査型トンネル顕
微鏡である請求項１あるいは２に記載の情報処理装置。 - 【請求項４】 前記情報処理装置が、記録再生装置であ
る請求項１〜３いずれかに記載の情報処理装置。 - 【請求項５】 プローブを媒体に近接させ、媒体が有す
る情報を読み出したり、媒体に情報を書き込む情報処理
装置に用いるデバイスであって、プローブがカンチレバ
ー状変位素子の自由端部にプローブを備えたカンチレバ
ータイプのプローブであり、該カンチレバーと同一基板
上に圧電体膜とこれを逆圧電効果により変位させる電極
を備え、これにより媒体の面内方向に進行波を発生させ
て媒体を変位させることを特徴とするデバイス。 - 【請求項６】 前記プローブが複数設けられている請求
項５に記載のデバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07741893A JP3412856B2 (ja) | 1992-04-01 | 1993-03-12 | 情報処理装置及びこれに用いるデバイス |
| US08/040,277 US5444191A (en) | 1992-04-01 | 1993-03-30 | Information processing apparatus and device for use in same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-105271 | 1992-04-01 | ||
| JP10527192 | 1992-04-01 | ||
| JP07741893A JP3412856B2 (ja) | 1992-04-01 | 1993-03-12 | 情報処理装置及びこれに用いるデバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668528A JPH0668528A (ja) | 1994-03-11 |
| JP3412856B2 true JP3412856B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=26418501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07741893A Expired - Fee Related JP3412856B2 (ja) | 1992-04-01 | 1993-03-12 | 情報処理装置及びこれに用いるデバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3412856B2 (ja) |
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| US6011664A (en) * | 1995-08-31 | 2000-01-04 | Carnegie Mellon University | Techniques for ultrahigh density writing with a probe on erasable magnetic media |
| US5889541A (en) * | 1996-10-09 | 1999-03-30 | Xerox Corporation | Two-dimensional print cell array apparatus and method for delivery of toner for printing images |
| US7260051B1 (en) | 1998-12-18 | 2007-08-21 | Nanochip, Inc. | Molecular memory medium and molecular memory integrated circuit |
| US6823739B2 (en) * | 2001-12-20 | 2004-11-30 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Thin pressure sensor and biological information measuring device using same, and biological information measuring method |
| US6982898B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-03 | Nanochip, Inc. | Molecular memory integrated circuit utilizing non-vibrating cantilevers |
| US7233517B2 (en) | 2002-10-15 | 2007-06-19 | Nanochip, Inc. | Atomic probes and media for high density data storage |
| FR2869027B1 (fr) * | 2004-04-15 | 2006-07-14 | Commissariat Energie Atomique | Systeme d'enregistrement comportant une couche memoire et un reseau de micro-pointes |
| US7463573B2 (en) | 2005-06-24 | 2008-12-09 | Nanochip, Inc. | Patterned media for a high density data storage device |
| US7367119B2 (en) | 2005-06-24 | 2008-05-06 | Nanochip, Inc. | Method for forming a reinforced tip for a probe storage device |
| US7309630B2 (en) | 2005-07-08 | 2007-12-18 | Nanochip, Inc. | Method for forming patterned media for a high density data storage device |
| US7603909B2 (en) * | 2006-10-03 | 2009-10-20 | Oes, Inc. | Piezoelectric polymer sensor device |
| US7597717B1 (en) * | 2007-06-25 | 2009-10-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Rotatable multi-cantilever scanning probe microscopy head |
| JP5316203B2 (ja) | 2009-04-24 | 2013-10-16 | ミツミ電機株式会社 | 圧電アクチュエータ及びその製造方法 |
| CN102735880B (zh) * | 2012-06-20 | 2013-11-27 | 浙江大学 | 用于大幅度微纳结构的扫描探针测量系统及其方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA1208269A (en) * | 1982-02-25 | 1986-07-22 | Toshiiku Sashida | Motor device utilizing ultrasonic oscillation |
| US4575822A (en) * | 1983-02-15 | 1986-03-11 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Method and means for data storage using tunnel current data readout |
| JPS6083126A (ja) * | 1983-10-14 | 1985-05-11 | Hitachi Ltd | 入力位置座標検出装置 |
| US5253187A (en) * | 1988-11-11 | 1993-10-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Coordinate input apparatus |
| JP2628790B2 (ja) * | 1989-06-23 | 1997-07-09 | ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ リーランド スタンフォード ジュニア ユニバーシティ | ディジタル情報を記憶された電荷の形態で記憶する方法および装置 |
| US5126618A (en) * | 1990-03-06 | 1992-06-30 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Longitudinal-effect type laminar piezoelectric/electrostrictive driver, and printing actuator using the driver |
| JP2761801B2 (ja) * | 1990-10-04 | 1998-06-04 | キヤノン株式会社 | 角度的位置関係検出方法及びこれを用いたエンコーダ |
| US5345137A (en) * | 1991-04-08 | 1994-09-06 | Olympus Optical Co., Ltd. | Two-dimensionally driving ultrasonic motor |
| DE69228103T2 (de) * | 1991-10-15 | 1999-07-15 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Informationsverarbeitungsgerät mit Spurausrichtungsmechanismus |
-
1993
- 1993-03-12 JP JP07741893A patent/JP3412856B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-30 US US08/040,277 patent/US5444191A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0668528A (ja) | 1994-03-11 |
| US5444191A (en) | 1995-08-22 |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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