JP3406727B2 - Display device - Google Patents

Display device

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JP3406727B2
JP3406727B2 JP7970895A JP7970895A JP3406727B2 JP 3406727 B2 JP3406727 B2 JP 3406727B2 JP 7970895 A JP7970895 A JP 7970895A JP 7970895 A JP7970895 A JP 7970895A JP 3406727 B2 JP3406727 B2 JP 3406727B2
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【発明の詳細な説明】 【0001】 【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示装置等のパッシブマトリクス型もしくはアクティブマトリクス型の表示装置に関し、特に、駆動用の半導体集積回路を効果的に実装したことにより、表示装置の基板に占める面積を大きくした、ファッショナブルな表示装置を得ることを目的とする。 BACKGROUND OF THE INVENTION [0001] BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a passive matrix type or an active matrix display device such as a liquid crystal display device, in particular, effectively to a semiconductor integrated circuit for driving by mounting the, it increases the area occupied by the substrate of a display device, an object to obtain a fashionable display. 【0002】 【従来の技術】マトリクス型の表示装置としては、パッシブマトリクス型とアクティブマトリクス型の構造が知られている。 2. Description of the Related Art Matrix type display device, the structure of a passive matrix type and active matrix type are known. パッシブマトリクス型では、第1の基板上に透明導電膜等でできた多数の短冊型の電気配線(ロー配線)をある方向に形成し、第2の基板上には、前記第1の基板上の電気配線とは概略垂直な方向に同様な短冊型の電気配線(カラム配線)を形成する。 Passive The matrix, the first formed in a certain direction electric wiring (row wiring) of a number of strip-type made of a transparent conductive film or the like on the substrate, the second substrate, said first substrate the electrical wiring to form a substantially perpendicular direction to the same strip-type electric wires (column wires). そして、両基板上の電気配線が対向するように基板を配置する。 Then, the electric wiring on the substrates are arranged a substrate so as to face each other. 【0003】基板間に液晶材料のように電圧・電流等によって、透光性、光反射・散乱性の変化する電気光学材料を設けておけば、第1の基板の任意のロー配線と第2 [0003] The voltage and current such as a liquid crystal material between the substrates, translucent, if provided an electro-optical material of varying light reflection and scattering, any row wiring and the second first substrate
の基板の任意のカラム配線との間に電圧・電流等を印加すれば、その交差する部分の透光性、光反射・散乱性等を選択できる。 If the applied voltage and current or the like between the arbitrary column wiring board, transparent portions thereof intersecting the light reflected and scattered, and the like can be selected. このようにして、マトリクス表示が可能となる。 In this way, the matrix display is possible. 【0004】アクティブマトリクス型では、第1の基板上に多層配線技術を用いて、ロー配線とカラム配線とを形成し、この配線の交差する部分に画素電極を設け、画素電極には薄膜トランジスタ(TFT)等のアクティブ素子を設けて、画素電極の電位や電流を制御する構造とする。 [0004] In an active matrix type, by using a multilayer wiring technique on the first substrate to form a row wiring and column wiring, the pixel electrode at the intersection of the wiring is provided, the pixel electrode is a thin film transistor (TFT ) active elements are provided, such as, a structure for controlling the potential or current of the pixel electrode. また、第2の基板上にも透明導電膜を設け、第1 Further, a transparent conductive film for the second substrate, the first
の基板の画素電極と、第2の基板の透明導電膜とが対向するように基板を配置する。 A substrate of the pixel electrode, and the transparent conductive film of the second substrate is to place the substrate so as to face each other. 【0005】いずれにせよ、基板はプロセスによって選択された。 [0005] In any case, the substrate was selected by the process. 例えば、透明導電膜を形成して、これをエッチングして、ロー・カラム配線パターンを形成する以外には特に複雑なプロセスのないパッシブマトリクス型では、基板はガラス以外に、プラスチックでもよかった。 For example, by forming a transparent conductive film, which is etched, in the passive matrix type otherwise complicated process in addition to forming the row-column wiring pattern, the substrate other than glass, was good in plastic.
一方、比較的、高温の成膜工程を有し、また、ナトリウム等の可動イオンを避ける必要のあるアクティブマトリクス型では、基板としてアルカリ濃度の極めて低いガラス基板を用いる必要があった。 On the other hand, relatively has a high-temperature film-forming step, and in an active matrix type that needs to avoid the mobile ions such as sodium, it is necessary to use a very low glass substrate alkali concentration as the substrate. 【0006】 【発明の解決しようとする課題】いずれにせよ、従来のマトリクス型表示装置においては、特殊なもの以外は、 [0006] In any case [problems to be solved by the invention], except in the conventional matrix-type display device, a special,
マトリクスを駆動するための半導体集積回路(周辺駆動回路、もしくは、バー回路という)を取り付ける必要があった。 The semiconductor integrated circuit for driving a matrix (peripheral driving circuit, or, as the bar circuit) it is necessary to attach the. 従来は、これは、テープ自動ボンディング(T Conventionally, this is a tape automated bonding (T
AB)法やチップ・オン・グラス(COG)法によってなされてきた。 It has been made by AB) method or a chip-on-glass (COG) method. しかしながら、マトリクスの規模は数1 However, the scale of the matrix is ​​the number 1
00行にも及ぶ大規模なものであるので、集積回路の端子も非常に多く、対するドライバー回路は、長方形状のICパッケージや半導体チップであるため、これらの端子を基板上の電気配線と接続するために配線を引き回す必要から、表示画面に比して、周辺部分の面積が無視できないほど大きくなった。 Because those large even up to 00 lines, terminals of the integrated circuit is also very much, against the driver circuit are the rectangular IC package and the semiconductor chip, connecting the terminal and the electric wiring on the substrate the need to route the wiring to, as compared with the display screen has become larger as the area of ​​the peripheral portion can not be ignored. 【0007】この問題を解決する方法として、特開平7 As a method for solving this problem, JP-A-7
−14880には、ドライバー回路を、マトリクスの1 The -14 880, a driver circuit, the matrix 1
辺とほぼ同じ程度の細長い基板(スティック、もしくは、スティック・クリスタルという)上に形成し、これをマトリクスの端子部に接続するという方法が開示されている。 Side substantially the same extent elongated substrate (stick or referred stick crystal) is formed on, the method is disclosed of connecting it to the terminal portion of the matrix. ドライバー回路としては、幅2mmほど程度で十分であることにより、このような配置が可能となる。 The driver circuit by a sufficient extent as the width 2 mm, it is possible to such an arrangement.
このため、基板のほとんどを表示画面とすることができた。 For this reason, it was possible to display the screen most of the substrate. 【0008】もちろん、この場合には、マトリクスの面積が大きなものでは、回路をシリコンウェハー上に形成することができないので、ガラス基板等の上に形成する必要がある。 [0008] Of course, in this case, than the area of ​​the matrix large, it is impossible to form a circuit on a silicon wafer, it is necessary to form on a glass substrate or the like. したがって、半導体回路に用いられる能動素子はTFTである。 Thus, the active element used in the semiconductor circuit is TFT. 【0009】しかしながら、スティック・クリスタルに関しては、ドライバー回路の基板の厚さが、表示装置全体の小型化に支障をきたした。 [0009] However, with respect to the stick crystal, the thickness of the substrate of the driver circuit, went wrong in the overall size of the display device. 例えば、表示装置をより薄くする必要から基板の厚さを0.3mmとすることは、基板の種類や工程を最適化することにより可能である。 For example, be 0.3mm in the thickness of the substrate from the need to further reduce the display device, it is possible by optimizing the substrate type and process. しかし、スティック・クリスタルの厚さは、製造工程で必要とされる強度から0.5mm以下とすることは困難であり、結果として、基板を張り合わせたときに、 However, the thickness of the stick-crystal, it is difficult to the strength required in the manufacturing process as 0.5mm or less, as a result, when the laminated substrate,
0.2mm以上もスティック・クリスタルが出ることとなる。 Even so that the stick-crystal comes out more than 0.2mm. 【0010】また、スティック・クリスタルと表示装置の基板の種類が異なると、熱膨張の違い等の理由により、回路に欠陥が生じることがあった。 Further, the type of substrate stick crystal display device is different, for reasons such as a difference in thermal expansion, there is a defect occurs in the circuit. 特に、表示装置の基板として、プラスチック基板を用いると、この問題が顕著であった。 In particular, as the substrate of the display device, when a plastic substrate, this problem is remarkable. なぜならば、スティック・クリスタルの基板としては、プラスチックを用いることは、耐熱性の観点から、実質的に不可能なためである。 Because, the substrate of the stick-crystal, the use of plastic, from the viewpoint of heat resistance, because substantially impossible. 本発明はこのようなスティック・クリスタルの抱えていた問題を解決し、表示装置のより一層の小型・軽量化を目的とするものである。 The present invention solves the problem of such a stick-crystal was having the aims to further size and weight of the display device. 【0011】 【課題を解決するための手段】本発明は、表示装置の基板上に、スティック・クリスタルと同等な半導体集積回路を機械的に接着し、かつ、電気的な接続を完了したのち、該スティック・クリスタルの基板のみを除去することによって、ドライバー回路部分の薄型化を実施することを特徴とする。 [0011] Means for Solving the Problems The present invention has, on a substrate of a display device, mechanically bonding the same semiconductor integrated circuit and the stick-crystal, and, after completing the electrical connection, only by removing the substrate of the stick crystals, which comprises carrying out the thinning of the driver circuit portion. このような構造では、基板の熱膨張による変形応力は、回路全般に均一にかかり、したがって、特定の箇所にのみ応力が集中して、欠陥が発生するということは避けられる。 In such a structure, deformation stress due to thermal expansion of the substrate relates to uniform circuits in general, therefore, concentrates stress only certain locations, is avoided that defects occur. 【0012】本発明の基本的な構成は、電気配線と、これに電気的に接続され、TFTを有する細長い半導体集積回路を有する第1の基板の電気配線の形成された面に対して、表面に透明導電膜を有する第2の基板の透明導電膜を対向させた構造の表示装置であり、特開平7−1 [0012] The basic configuration of the present invention, and the electric wiring, to which are electrically connected, to the first formed surface of the electric wiring board having an elongate semiconductor integrated circuit having a TFT, surface a display device are opposed structure a transparent conductive film of the second substrate having a transparent conductive film, JP-a-7-1
4880号公報のスティック・クリスタルと同様、前記半導体集積回路は、概略、表示装置の表示面(すなわち、マトリクス)の1辺の長さに等しく、かつ、他の基板(なお、請求項では「仮支持板」と規定する)上に作製されたものを剥離して、前記第1の基板に装着したものである。 Similar to stick Crystal 4880 JP, said semiconductor integrated circuit is a schematic, the display surface of the display device (i.e., matrix) equal to the length of one side of the and the other substrate (In the claims "tentative it is peeled off those made on the regulatory) and the support plate ", in which attached to the first substrate. 【0013】特に、パッシブマトリクス型の場合には、 [0013] In particular, in the case of passive matrix type,
第1の方向に延びる複数の透明導電膜の第1の電気配線と、これに接続され、TFTを有し、第1の方向に概略垂直な第2の方向に延びる細長い第1の半導体集積回路とを有する第1の基板と、第2の方向に延びる複数の透明導電膜の第2の電気配線と、これに接続され、TFT A first electrical interconnection of a plurality of transparent conductive films extending in a first direction, connected thereto, has a TFT, in a first direction extending substantially perpendicular to the second direction elongated first semiconductor integrated circuit a first substrate, a second electrical wiring of the plurality of transparent conductive films extending in the second direction, is connected thereto, TFT with bets
を有し、前記第1の方向に延びる第2の半導体集積回路とを有する第2の基板とを、第1の電気配線と第2の電気配線が対向するように配置した表示装置で、第1および第2の半導体集積回路は他の基板上に作製されたものを剥離して、それぞれの基板に装着したものである。 Having, a second substrate having a second semiconductor integrated circuit and extending in the first direction, in a display device a first electric wiring and the second electric wiring is arranged so as to face, the 1 and the second semiconductor integrated circuit is peeled off those made on another substrate, in which mounted on each substrate. 【0014】また、アクティブマトリクス型の場合には、第1の方向に延びる複数の第1の電気配線と、これに接続され、TFTを有し、第1の方向に概略垂直な第2の方向に延びる第1の半導体集積回路と、第2の方向に延びる複数の第2の電気配線と、これに接続され、T Further, in the case of an active matrix type, a plurality of first electric wires extending in a first direction, connected thereto, has a TFT, a second direction schematic perpendicular to the first direction a first semiconductor integrated circuit extending, and a plurality of second electrical wiring extending in a second direction, connected thereto, T
FTを有し、第1の方向に延びる第2の半導体集積回路とを有する第1の基板を表面に透明導電膜を有する第2 Having a FT, second with a transparent conductive film of the first substrate to the surface and a second semiconductor integrated circuit extending in a first direction
の基板に、第1の基板の第1および第2の電気配線と、 To the substrate, the first and second electrical wiring of the first substrate,
第2の基板の透明導電膜とが、対向するように、配置させた表示装置で、第1および第2の半導体集積回路は他の基板上に作製されたものを剥離して、第1の基板に装着したものである。 A second transparent conductive film of the substrate so as to face, in was arranged display device, the first and second semiconductor integrated circuit is peeled off those made on another substrate, the first one in which was mounted on a substrate. 【0015】TFTを有する半導体集積回路を他の基板上に形成し、これを剥離して、他の基板に接着する(もしくは、他の基板に接着したのち、元の基板を除去する)方法は、一般的にはSOI(シリコン・オン・インシュレータ)技術の1つとして知られており、特表平6 [0015] forming a semiconductor integrated circuit having a TFT on another substrate, and peeling it, to adhere to another substrate (or, after bonding to another substrate, removing the original substrate) method , generally known as one of the SOI (silicon on insulator) technology, Kohyo 6
−504139やその他の公知の技術、あるいは、以下の実施例で用いるような技術を使用すればよい。 -504139 and other known techniques, or it may be used techniques such as used in the following examples. 【0016】本発明の表示装置の断面の例を示すと、図1のようになる。 [0016] An example of a cross-section of a display device of the present invention, is shown in Figure 1. 図1(A)は、比較的、小さな倍率で見たものである。 1 (A) it is relatively, is viewed in a small magnification. 図の左側は、半導体集積回路の設けられたドライバー回路部7を、また、右側は、マトリクス部8を示す。 The left side of the figure, the driver circuit portion 7 provided with the semiconductor integrated circuit, also, the right shows the matrix portion 8. 基板1上には透明電膜等の材料でできた電気配線4のパターンを形成し、さらに、金のような材料で突起物(バンプ)6を設ける。 On the substrate 1 to form a pattern of electrical wires 4 made of a material such as a transparent conductive film, further, the material in the projections, such as gold (bump) 6 provided. 一方、半導体集積回路2は、実質的にTFTと同程度の厚さのもので、これには、接続部分に導電性酸化物のように、酸化によって接触抵抗の変動しない材料によって、電極5を設けておき、これをバンプ6に接触させる。 On the other hand, the semiconductor integrated circuit 2 is of a substantially TFT and comparable thickness, To do this, such as the conductive oxide to the connection portion, a material that does not change in the contact resistance due to oxidation, the electrode 5 It provided advance, contacting this bump 6. そして、機械的に固定するために、半導体集積回路2と基板1の間には、樹脂3を封入する。 Then, in order to mechanically fixed, it is provided between the semiconductor integrated circuit 2 and the substrate 1, encapsulating resin 3. (図1(A)) 【0017】図1(A)のうち、点線で囲まれた接触部を拡大したのが、図1(B)である。 (FIG. 1 (A)) [0017] Among the FIG. 1 (A), the the enlarged contact portion surrounded by a dotted line, a diagram 1 (B). 符号は、図1 Code is 1
(A)と同じ物を示す。 (A) and it shows the same thing. さらに、図1(B)の点線で囲まれた部分を拡大したのが、図1(C)である。 Further, that the enlarged dotted portion surrounded by the FIG. 1 (B), the diagrams 1 (C). すなわち、半導体集積回路は、Nチャネル型TFT(12)とPチャネル型TFT(13)が、下地絶縁膜11、層間絶縁物14、あるいは、窒化珪素等のパッシベーション膜15で挟まれた構造となる。 That is, the semiconductor integrated circuit, N channel-type TFT (12) and the P-channel type TFT (13) is, the underlying insulating film 11, interlayer insulator 14 or becomes sandwiched between the passivation film 15 such as silicon nitride structure . (図1(B)、図1 (FIG. 1 (B), the 1
(C)) 【0018】通常、半導体集積回路を形成する際の下地膜11としては酸化珪素を用いるが、それだけでは、耐湿性等が劣るので、別途、パッシベーション膜をその上に設けなければならないが、図3に示すように、半導体回路とその接触部の厚さが液晶の基板間厚さよりも薄ければ、対向基板16を回路の上に重ねることも可能である。 (C)) [0018] Normally, the use of silicon oxide as the base film 11 for forming the semiconductor integrated circuit, it just so moisture resistance is poor, not separately, to be provided passivation film thereon but, as shown in FIG. 3, if the thickness of the semiconductor circuit and the contact portion is thin than between the liquid crystal of the substrate thickness, it is also possible to overlap the counter substrate 16 on the circuit. その場合には、特開平5−66413に開示されている液晶表示装置と同等に、ドライバー回路部7の外側で、エポキシ樹脂等のシール剤17によって液晶封止(シール)処理をおこない、また、基板1と16の間には、液晶材料18を満たすので、外部から可動イオン等が侵入することが無く、特別にパッシベーション膜を設ける必要はない。 In that case, equivalent to a liquid crystal display device disclosed in JP-A-5-66413, outside the driver circuit portion 7 performs a liquid crystal sealing (seal) treated with a sealing agent 17 such as an epoxy resin, also, between the substrate 1 and 16, is satisfied the liquid crystal material 18, without being movable ions or the like from entering from the outside, it is not necessary to provide a special passivation film. (図3) 【0019】また、接触部分に関しては、バンプを用いる方法の他に、図1(D)に示すように、金の粒9のような導電性粒子を接着部分に拡散させ、これによって、 (Figure 3) [0019] With respect to the contact portion, in addition to the method using the bump, as shown in FIG. 1 (D), the conductive particles, such as gold particle 9 is diffused into the adhesive portion, which by,
電気的な接触を得るようにしてもよい。 It may be obtained an electrical contact. 粒子の直径は、 The diameter of the particles,
半導体集積回路2と基板1の間隔よりやや大きくするとよい。 The semiconductor integrated circuit 2 and may be slightly larger than the distance of the substrate 1. (図1(D)) このような表示装置の作製順序の概略は、図2に示される。 Summary of preparation order of (FIG. 1 (D)) such a display device is shown in FIG. 図2はパッシブマトリクス型の表示装置の作製手順を示す。 Figure 2 shows the procedure for manufacturing a passive matrix display device. まず、多数の半導体集積回路22を適当な基板21の上に形成する。 First, a large number of semiconductor integrated circuits 22 on a suitable substrate 21. (図2(A)) 【0020】そして、これを分断して、スティック・クリスタル23、24を得る。 (FIG. 2 (A)) [0020] Then, cut it, get a stick-crystal 23 and 24. 得られたスティック・クリスタルは、次の工程に移る前に電気特性をテストして、 The resulting stick-crystal is to test the electrical characteristics before moving on to the next step,
良品・不良品に選別するとよい。 It may be sorted into good-defective product. (図2(B)) 次に、スティック・クリスタル23、24の回路の形成された面を、それぞれ、別の基板25、27の透明導電膜による配線のパターンの形成された面26、28上に接着し、電気的な接続を取る。 (FIG. 2 (B)) Next, stick the formed surface of the circuit crystal 23, respectively, a transparent conductive film by the formation of the wiring pattern the surface 26, 28 on another substrate 25, 27 adhered to, take the electrical connection. (図2(C)、図2 (FIG. 2 (C), the 2
(D)) 【0021】その後、SOI技術によって、スティック・ドライバー23、24の基板をはがし、半導体集積回路29、30のみを前記基板の面26、28上に残す。 (D)) [0021] Then, the SOI technique, peel the substrate of the stick drivers 23 and 24, leaving only the semiconductor integrated circuit 29 and 30 on surface 26, 28 of the substrate.
(図2(E)、図2(F)) 最後に、このようにして得られた基板を向かい合わせることにより、パッシブマトリクス型表示装置が得られる。 (FIG. 2 (E), FIG. 2 (F)) Finally, by face each other the substrate obtained in this way, a passive matrix display device is obtained. なお、面26は、面26の逆の面、すなわち、配線パターンの形成されていない方の面を意味する(図2 The surface 26, opposite surface of the surface 26, ie, a surface of which is not formed in the wiring pattern (FIG. 2
(G)) 【0022】上記の場合には、ロー・スティック・クリスタル(ロー配線を駆動するドライバー回路用のスティック・クリスタル)とカラム・スティック・クリスタル(カラム配線を駆動するドライバー回路用のスティック・クリスタル)を同じ基板21から切りだしたが、別の基板から切りだしてもよいことは言うまでもない。 (G)) [0022] In the above case, stick for the driver circuit to drive a stick-crystal) and the column Stick Crystal (column wiring for the driver circuit which is used to drive the low-Stick Crystal (low wiring was cut out of the crystal) from the same substrate 21, it is needless to say that may be cut out from another substrate. また、図2ではパッシブマトリクス型表示装置の例を示したが、アクティブマトリクス型表示装置でも、同様におこなえることは言うまでもない。 Also, although an example of a passive matrix type display device in FIG. 2, in an active matrix type display device, it is needless to say that enables as well. さらに、フィルムのような材料を基板として形成される場合は実施例に示した。 Further, when formed of materials such as a film as a substrate are shown in the examples. 【0023】 【実施例】 〔実施例1〕本実施例は、パッシブマトリクス型液晶表示装置の一方の基板の作製工程の概略を示すものである。 [0023] EXAMPLES Example 1 This example illustrates a schematic of a manufacturing process of one substrate of a passive matrix type liquid crystal display device. 本実施例を図4および図5を用いて説明する。 The present embodiment will be described with reference to FIGS. 図4 Figure 4
には、スティック・クリスタル上にドライバー回路を形成する工程の概略を示す。 To schematically shows the step of forming a driver circuit on a stick crystal. また、図5には、スティック・クリスタルを液晶表示装置の基板に実装する工程の概略を示す。 Further, FIG. 5 shows a schematic of a process of mounting the stick-crystal substrate of a liquid crystal display device. 【0024】まず、ガラス基板31上に剥離層として、 [0024] First, as the release layer on the glass substrate 31,
厚さ3000Åのシリコン膜32を堆積した。 Depositing a silicon film 32 having a thickness of 3000 Å. シリコン膜32は、その上に形成される回路と基板とを分離する際にエッチングされるので、膜質についてはほとんど問題とされないので、量産可能な方法によって堆積すればよい。 Silicon film 32, since it is etched in separating circuits from the substrate formed thereon, since it is not a few problems for the film quality, may be deposited by mass-producible manner. さらに、シリコン膜はアモルファスでも結晶性でもよい。 Further, the silicon film may be a crystalline in amorphous. 【0025】また、ガラス基板は、コーニング705 [0025] In addition, glass substrate, Corning 705
9、同1737、NHテクノグラスNA45、同35、 9, the same 1737, NH Techno Glass NA45, the same 35,
日本電気硝子OA2等の無アルカリもしくは低アルカリガラスや石英ガラスを用いればよい。 Nippon Electric alkali-free or may be used low-alkali glass or quartz glass such OA2. 石英ガラスを用いる場合には、そのコストが問題となるが、本発明では1 When using a quartz glass, its cost is an issue, in the present invention 1
つの液晶表示装置に用いられる面積は極めて小さいので、単位当たりのコストは十分に小さい。 Since One area used in the liquid crystal display device is extremely small, the cost per unit is sufficiently small. 【0026】シリコン膜32上には、厚さ5000Åの酸化珪素膜33を堆積した。 [0026] On the silicon film 32 was deposited a silicon oxide film 33 having a thickness of 5000 Å. この酸化珪素膜は下地膜となるので、作製には十分な注意が必要である。 Since the silicon oxide film serving as a base film, it is necessary to exercise great care in manufacturing. そして、 And,
公知の方法により、結晶性の島状シリコン領域(シリコン・アイランド)34、35を形成した。 By a known method, to form a crystalline silicon island region (silicon island) 34, 35. このシリコン膜の厚さは、必要とする半導体回路の特性を大きく左右するが、一般には、薄いほうが好ましかった。 The thickness of the silicon film, influences significantly the characteristics of the semiconductor circuit that requires, in general, thinner was preferred. 本実施例では400〜600Åとした。 It was 400~600Å in this embodiment. 【0027】また、結晶性シリコンを得るには、アモルファスシリコンにレーザー等の強光を照射する方法(レーザーアニール法)や、熱アニールによって固相成長させる方法(固相成長法)が用いられる。 Further, to obtain a crystalline silicon, a method of irradiating strong light such as laser to an amorphous silicon (a laser annealing method), a method for solid-phase growth by heat annealing (solid phase growth method) is used. 固相成長法を用いる際には、特開平6−244104に開示されるように、ニッケル等の触媒元素をシリコンに添加すると、結晶化温度を下げ、アニール時間を短縮できる。 When using solid-phase growth method, as disclosed in JP-A-6-244104, the addition of catalytic element such as nickel into the silicon, lowering the crystallization temperature can be reduced annealing time. さらには、特開平6−318701のように、一度、固相成長法によって結晶化せしめたシリコンを、レーザーアニールしてもよい。 Furthermore, as in JP-A 6-318701, once the silicon was allowed crystallized by solid phase growth method may be laser annealing. いずれの方法を採用するかは、必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定すればよい。 Or to adopt any method may be determined by the heat resistance temperature of the characteristic and the substrate of the semiconductor circuit that is required. 【0028】その後、プラズマCVD法もしくは熱CV [0028] After that, the plasma CVD method or thermal CV
D法によって、厚さ1200Åの酸化珪素のゲイト絶縁膜36を堆積し、さらに、厚さ5000Åの結晶性シリコンによって、ゲイト電極・配線37、38を形成した。 By Method D, deposited a gate insulating film 36 of silicon oxide having a thickness of 1200 Å, further by crystalline silicon having a thickness of 5000 Å, to form a gate electrode and wiring 37 and 38. ゲイト配線は、アルミニウムやタングステン、チタン等の金属や、あるいはそれらの珪化物でもよい。 Gate wiring, aluminum, tungsten, or titanium, or other metal, or may be their silicide. さらに、金属のゲイト電極を形成する場合には、特開平5− Furthermore, in the case of forming a gate electrode of metal, JP-5-
267667もしくは同6−338612に開示されるように、その上面もしくは側面を陽極酸化物で被覆してもよい。 267667 or as disclosed in the 6-338612, may be coated with the upper surface or the side surface with an anodic oxide. ゲイト電極をどのような材料で構成するかは、 Whether constituting the gate electrodes in any material,
必要とされる半導体回路の特性や基板の耐熱温度等によって決定すればよい。 It may be determined by the heat resistance temperature of the characteristic and the substrate of the semiconductor circuit that is required. (図4(A)) 【0029】その後、セルフアライン的に、イオンドーピング法等の手段によりN型およびP型の不純物をシリコン・アイランドに導入し、N型領域39、P型領域4 (FIG. 4 (A)) [0029] Then, a self-aligned manner, the N-type and P-type impurity introduced into the silicon island by means such as ion doping, N-type region 39, P-type region 4
0を形成した。 0 was formed. そして、公知の手段で、層間絶縁物(厚さ5000Åの酸化珪素膜)41を堆積した。 Then, by known means, it was deposited 41 (silicon oxide film having a thickness of 5000 Å) interlayer insulator. そして、 And,
これにコンタクトホールを開孔し、アルミニウム合金配線41〜44を形成した。 This contact holes are opening, to form an aluminum alloy wiring 41-44. (図4(B)) 【0030】さらに、これらの上に、パッシベーション膜として、厚さ2000Åの窒化珪素膜46をプラズマCVD法によって堆積し、これに、出力端子の配線44 (FIG. 4 (B)) [0030] Furthermore, on these, as a passivation film, a silicon nitride film 46 having a thickness of 2000Å is deposited by a plasma CVD method, to which the output terminal wiring 44
に通じるコンタクトホールを開孔した。 And a contact hole leading to the. そして、スパッタ法によって、インディウム錫酸化物被膜(ITO、厚さ1000Å)の電極47を形成した。 Then, by sputtering, to form an electrode 47 of indium tin oxide film (ITO, thickness 1000 Å). ITOは透明の導電性酸化物である。 ITO is a transparent conductive oxide. その後、直径約50μm、高さ約30μmの金のバンプ48を機械的にITO電極47の上に形成した。 Then, to form a diameter of about 50 [mu] m, the bumps 48 of gold height of about 30μm on the mechanically ITO electrode 47. このようにして得られた回路を適当な大きさに分断し、よって、スティック・クリスタルが得られた。 And dividing the circuit thus obtained to a suitable size, thus stick crystal was obtained. (図4(C)) 【0031】一方、液晶表示装置の基板49にも、厚さ1000ÅのITOによって電極50を形成した。 (FIG. 4 (C)) On the other hand, also the substrate 49 of the liquid crystal display device, to form an electrode 50 of ITO having a thickness of 1000 Å. 本実施例では、液晶表示装置の基板としては、厚さ0.3m In this embodiment, as the substrate of the liquid crystal display device, the thickness 0.3m
mのポリエチレン・サルファイル(PES)を用いた。 m using a polyethylene monkeys file (PES) of.
そして、この基板49に、スティックドライバーの基板31を圧力を加えて接着した。 Then, on the substrate 49, and the substrate 31 of the stick driver is bonded under pressure. このとき、電極47と At this time, the electrode 47 Doo collector
気配線 50はバンプ48によって、電気的に接続される。 The air line 50 is a bump 48 are electrically connected. (図5(A)) 【0032】次に熱硬化性の有機樹脂を混合した接着剤51をスティック・クリスタル31と液晶表示装置の基板49の隙間に注入した。 Was injected into the gap (Fig. 5 (A)) [0032] The following adhesive 51 obtained by mixing thermosetting organic resin stick crystal 31 and the substrate 49 of the liquid crystal display device. なお、接着剤は、スティック・クリスタル31と液晶表示装置の基板49を圧着する前に、いずれかの表面に塗布しておいてもよい。 Incidentally, the adhesive prior to bonding the stick crystal 31 and the substrate 49 of the liquid crystal display device, may be coated on either surface. 【0033】そして、120℃の窒素雰囲気のオーブンて、15分間処理することにより、スティック・クリスタル31と基板49との電気的な接続と機械的な接着を完了した。 [0033] Then, Te oven nitrogen atmosphere at 120 ° C., by treatment for 15 minutes to complete the electrical connection and mechanical adhesion with the stick crystal 31 and the substrate 49. なお、完全な接着の前に、電気的な接続が不十分であるか否かを、特開平7−14880に開示される方法によってテストした後、本接着する方法を採用してもよい。 Incidentally, before the perfect adhesion, whether the electrical connection is insufficient, after testing by the method disclosed in JP-A-7-14880, it may be employed a method of the adhesive. (図5(B)) 【0034】このように処理した基板を、三塩化フッ素(ClF 3 )と窒素の混合ガスの気流中に放置した。 (FIG. 5 (B)) [0034] The thus treated substrate was left in a stream of trifluoride chloride (ClF 3) a mixed gas of nitrogen. 三塩化フッ素と窒素の流量は、共に500sccmとした。 Three flow rate of fluorine chloride and nitrogen, was both a 500sccm. 反応圧力は1〜10Torrとした。 Reaction pressure was 1~10Torr. 温度は室温とした。 Temperature was room temperature. 三塩化フッ素等のハロゲン化フッ素は、珪素を選択的にエッチングする特性が知られている。 Trihalides fluorine fluorine chloride is characteristic of selectively etching silicon are known. 一方、酸化物(酸化珪素やITO)はほとんどエッチングせず、アルミニウムも表面に安定な酸化物被膜を形成すると、その段階で反応が停止するので、エッチングされない。 On the other hand, an oxide (silicon oxide or ITO) are hardly etched, the aluminum also forms a stable oxide film on the surface, since the reaction at that stage is stopped, not etched. 【0035】本実施例では、三フッ化塩素に侵される可能性のある材料は、剥離層(シリコン)32、シリコン・アイランド34、35、ゲイト電極37、38、アルミニウム合金配線41〜44、接着剤51であるが、このうち、剥離層と接着剤以外は外側に酸化珪素等の材料が存在するため、三フッ化塩素が到達できない。 [0035] In this embodiment, possible materials affected by chlorine trifluoride, the release layer (silicon) 32, the silicon island 34 and 35, gate electrodes 37 and 38, the aluminum alloy wiring 41 to 44, the adhesive it is a material 51, of which, except the adhesive and the release layer due to the presence of materials such as silicon oxide on the outside, can not reach chlorine trifluoride. 実際には、図5(C)に示すように、剥離層32のみが選択的にエッチングされ、空孔52が形成された。 In fact, as shown in FIG. 5 (C), only the release layer 32 is selectively etched, holes 52 are formed. (図5 (Figure 5
(C)) 【0036】さらに、経過すると剥離層は完全にエッチングされ、下地膜の底面53が露出し、スティック・クリスタルの基板31を半導体回路と分離することができた。 (C)) [0036] In addition, the elapsed and the release layer is completely etched, the bottom surface 53 of the underlying film is exposed, it was possible to separate the substrate 31 of the stick-crystal semiconductor circuit. 三塩化フッ素によるエッチングでは、下地膜の底面でエッチングが停止するので、該底面53は極めて平坦であった。 The etching by the three fluorine chloride, the etching in the bottom surface of the base film is stopped, bottom surface 53 was extremely flat. (図5(D)) このようにして、液晶表示装置の一方の基板への半導体集積回路の形成を終了した。 (FIG. 5 (D)) was thus finished the formation of a semiconductor integrated circuit to one substrate of a liquid crystal display device. このようにして得られる基板を用いて、液晶表示装置が完成される。 Using the substrate obtained in this manner, the liquid crystal display device is completed. 【0037】〔実施例2〕本実施例は、フィルム状のパッシブマトリクス型液晶表示装置を連続的に形成する方法(ロール・トゥー・ロール法)に関するものである。 [0037] Example 2 This example is directed to a method for continuously forming a film-like passive matrix liquid crystal display device (roll-to-roll method).
図6に本実施例の生産システムを示す。 It shows the production system of the present embodiment in FIG. フィルム状の液晶表示装置を得るための基板材料としては、PES(ポリエチレンサルファイル)、PC(ポリカーボネート)、ポリイミドから選ばれたものを用いればよい。 As a substrate material for obtaining a film-like liquid crystal display device, PES (polyethylene sulfile), PC (polycarbonate) may be used those selected from polyimide. P
ET(ポリエチレンテレフタレート)、PEN(ポリエチレンナフタレート)は、多結晶性のプラスチックであるため、特に偏光によって、表示をおこなう、液晶材料には用いることが適切でなかった。 ET (polyethylene terephthalate), PEN (polyethylene naphthalate) are the polycrystalline plastics, in particular the polarization, and displays, on the liquid crystal material that is not suitable for use. 【0038】図6に示すシステムは、液晶電気光学装置を構成する基板として、カラーフィルターの設けられた基板を作製する流れ(図の下側)と、その対向基板を作製する流れ(図の上側)とに大別される。 The system shown in FIG. 6, a substrate constituting a liquid crystal electro-optical device, the flow (lower side in the drawing) for producing a substrate provided with the color filter, the upper stream (Fig of producing the counter substrate ) it is roughly classified into. まず、カラーフィルター側基板の作製工程について説明する。 First, it will be described a manufacturing process of a color filter side substrate. 【0039】ロール71に巻き取られているフィルムに、印刷法により、その表面にRGBの3色のカラーフィルタを形成する。 [0039] film is wound into a roll 71, a printing method, to form a color filter of three colors of RGB on the surface thereof. カラーフィルタの形成は、3組のロール72によっておこわれる。 The formation of the color filter, breaks you by three sets of roll 72. なお作製する液晶表示装置がモノクロの場合は、この工程は不要である。 Note if the liquid crystal display device is monochrome to produce, this step is unnecessary. (工程「カラーフィルター印刷」) 【0040】さらに、ロール73によって、オーバーコート剤(平坦化膜)を印刷法によって形成する。 (Process "color filter printing") [0040] In addition, by the roll 73, the overcoat agent (flattening film) is formed by a printing method. オーバーコート剤は、カラーフィルタの形成によって凹凸となった表面を平坦化するためのものである。 Overcoating agent is for planarizing the surface became uneven by forming a color filter. このオーバーコート剤を構成する材料としては、透光性を有する樹脂材料を用いればよい。 As a material for forming the overcoating agent may be used a resin material having translucency. (工程「オーバーコート剤(平坦化膜)印刷」) 次に、ロール74を用い、印刷法により必要とするパターンにロー(カラム)電極を形成する。 (Step "overcoating agent (leveling film) Print") Next, using a roll 74 to form a row (column) electrodes in a pattern required by a printing method. この印刷法による電極の形成は、導電性のインクを用いておこなう。 Forming an electrode according to the printing method, performed using a conductive ink.
(工程「電極形成」) 【0041】さらに、ロール75によって、配向膜を印刷法で形成し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉76を通過させることによって、配向膜を焼き固める。 (Step "electrode forming") [0041] In addition, the roll 75, to form an alignment film by a printing method (step "alignment layer printing"), by passing through a heating furnace 76, hardened baked alignment films. (工程「配向膜焼成」) さらに、ロール77を通過させることによって、配向膜の表面にラビング処理をおこなう。 (Step "alignment film baking") Further, by passing the roll 77, it is rubbed on the surface of the alignment film. こうして配向処理が完了する。 Thus, the alignment process is completed. (工程「ラビング」) 【0042】次に、圧着装置78によって、基板上にスティック・クリスタルを装着し(工程「スティック装着」)、加熱炉79を通過させることにより、接着剤が硬化し、接着が完了する。 (Step "rubbing") Next, the crimping device 78, the stick crystal mounted on the substrate (step "stick mounting"), by passing the heating furnace 79, the adhesive is cured, the adhesive There is completed. (工程「接着剤硬化」) 本実施例では、剥離層は実施例1と同様にシリコンを用いたので、次に、三塩化フッ素チャンバー80(差圧排気して、三塩化フッ素が外部に漏出しないようにしたチャンバー)によって、剥離層をエッチングし、よって、 In (step "adhesive curing") In this example, since the release layer using silicon as in Example 1, then trifluoride chamber 80 (by vapor difference excluder chloride, trifluoride chloride leak out the chamber) that is not so, the release layer is etched, therefore,
スティック・クリスタルの基板を剥離する。 To peel off the substrate of the stick Crystal. (工程「スティック剥離」 【0043】その後、スペーサー散布器81より、フィルム基板上にスペーサーを散布し(工程「スペーサー散布」)、ロール82を用いて、シール材を印刷法によって形成する。シール剤は、対向する基板同士を接着するためと、液晶が一対の基板間から漏れ出ないようにするためのものである。なお、本実施例では、半導体回路の厚みを液晶基板間よりも薄くすることにより、図3のように、半導体集積回路の外部がシールされるような構造(特開平5−66413に開示されている)とした。 (Step "stick peel" [0043] Then, from the spacer sprayer 81, sprayed with spacers on a film substrate (step "spacer spraying"), using a roll 82 to form a sealing material by a printing method. Sealant includes for bonding substrates facing each other, is for the liquid crystal is prevented from leaking from between the pair of substrates. in this embodiment, the thickness of the semiconductor circuit thinner than between the liquid crystal substrate by, as shown in FIG. 3, the outside of the semiconductor integrated circuit is structured as sealed (as disclosed in JP-a-5-66413).
(工程「シール印刷」) 【0044】この後、液晶滴下装置83を用いて液晶の滴下をおこない、液晶層をフィルム基板上に形成する。 Thereafter (step "seal printing") [0044] performs dropping of the liquid crystal using a liquid crystal dropping device 83, to form a liquid crystal layer on a film substrate.
こうして、カラーフィルター側基板が完成する。 In this way, the color filter side substrate is completed. 以上の工程は、各ロールが回転することにより、連続的に進行していく。 Above steps, by each roll is rotated, it progresses continuously. 次に、対向基板の作製工程を示す。 Next, a manufacturing process of the counter substrate. ロール6 Roll 6
1から送りだされたフィルム基板上に、ロール62によって、所定のパターンにカラム(ロー)電極を形成する。 On a film substrate that has been fed from 1, by a roll 62, to form a column (row) electrodes in a predetermined pattern. (工程「電極形成」) さらにロール63によって、配向膜を印刷法により形成し(工程「配向膜印刷」)、加熱炉64を通過させることによって、配向膜を焼き固める。 By (step "electrode forming") further roll 63, an alignment film was formed by a printing method (step "alignment layer printing"), by passing through a heating furnace 64, hardened baked alignment films. (工程「配向膜焼成」) 【0045】その後、フィルム基板を、ロール65に通過させることによって、配向処理をおこなう。 (Step "alignment film baking") [0045] Then, the film substrate, by passing the roller 65, performs the alignment process. (工程「ラビング」) 次に、圧着装置66によって、基板上にスティック・クリスタルを装着し(工程「スティック装着」)、加熱炉67を通過することにより、接着剤が硬化する。 (Step "rubbing") Next, the crimping device 66, the stick crystal mounted on the substrate (step "stick mounting"), by passing through the heating furnace 67, the adhesive cures. (工程「接着剤硬化」) さらに、三塩化フッ素チャンバー68によって、スティック・クリスタルの基板を剥離する。 (Step "curing adhesive") In addition, by trichloride fluorine chamber 68 is peeled off the substrate of the stick crystal. (工程「スティック剥離」 【0046】以上の処理を経たフィルム基板はロール6 (Process film substrate after the "stick peeling" [0046] The above process is roll 6
9を経由して、次のロール84に送られる。 9 by way of the, are sent to the next of the roll 84. ロール84 Roll 84
では、カラーフィルター側基板と対向基板を貼り合わせて、セルとする。 In, bonded to the color filter side substrate and the counter substrate, and the cell. (工程「セル組」) その後、加熱炉85において加熱することにより、シール材を硬化せしめ、基板同士の貼り合わせが完了する。 (Step "cell pair") Thereafter, by heating in a heating furnace 85, allowed to cure the sealing material, bonding between the substrates is completed.
(工程「シール剤硬化」) さらにカッター86によって所定の寸法に切断することにより、フィルム状の液晶表示装置が完成する。 (Step "sealant cure") by further cutting into a predetermined size by the cutter 86, the film-like liquid crystal display device is completed. (工程「分段」) 【0047】 【発明の効果】本発明では、表示装置の基板の種類や厚さ、大きさに関して、さまざななバリエーションが可能である。 In (step "Bundang") [0047] According to the present invention, the type and thickness of the substrate of the display device, with respect to size, it is possible to Mazanana variations. 例えば、実施例2に示したように、極めて薄いフィルム状の液晶表示装置を得ることもできる。 For example, as shown in Example 2, it is also possible to obtain a liquid crystal display device of an extremely thin film form. この場合には、表示装置を曲面に合わせて張りつけてもよい。 In this case, it may be stuck together display a curved surface.
さらに、基板の種類の制約が緩和された結果、プラスチック基板のように、軽く、耐衝撃性の強い材料を用いることもでき、携行性も向上する。 Furthermore, as a result of the type of constraint of the substrate is alleviated, such as a plastic substrate, lighter, it can also be used the impact resistance strong material is also improved portability. 【0048】また、ドライバー回路の専有する面積が小さいので、表示装置と他の装置の配置の自由度が高まる。 [0048] Further, since the area of ​​proprietary driver circuit is small, it increases the degree of freedom of arrangement of the display device and other devices. 典型的には、ドライバー回路を表示面の周囲の幅数mmの領域に押し込めることが可能であるので、表示装置自体は極めてシンプルであり、ファッション性に富んだ製品である。 Typically, since it is possible of sticking a driver circuit region having a width of several mm of the periphery of the display surface, the display device itself is very simple, a product highly fashionable. その応用範囲もさまざまに広がり、よって、本発明の工業的価値は極めて高い。 Its application range also spread to different, therefore, industrial value of the present invention is very high.

【図面の簡単な説明】 【図1】 本発明の断面構造を示す。 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS shows a sectional structure of the present invention; FIG. 【図2】 本発明の表示装置の作製方法の概略を示す。 Figure 2 shows a schematic of a method for manufacturing a display device of the present invention. 【図3】 本発明の1例の表示装置の断面構造を示す。 3 shows a cross-sectional structure of one example of a display device of the present invention. 【図4】 本発明に用いるスティック・クリスタルの作製工程を示す。 Illustrating a manufacturing process of the stick-crystal used in the present invention; FIG. 【図5】 スティック・クリスタルを基板に接着する工程を示す。 FIG. 5 shows a step of bonding the stick-crystal to the substrate. 【図6】 フィルム液晶表示装置の連続的製法システムを示す。 6 shows a continuous process system of the film liquid crystal display device. 【符号の説明】 1 ・・・ 液晶表示装置の基板2 ・・・ 半導体集積回路3 ・・・ 接着剤4 ・・・ 液晶表示装置の電極5 ・・・ 半導体集積回路の電極6 ・・・ バンプ7 ・・・ ドライバー回路部8 ・・・ マトリクス部9 ・・・ 導電性粒子11・・・ 下地膜12・・・ Nチャネル型TFT 13・・・ Pチャネル型TFT 14・・・ 層間絶縁物15・・・ パッシベーション膜16・・・ 液晶表示装置の対向基板17・・・ シール剤18・・・ 液晶材料21・・・ スティック・クリスタルを形成する基板22・・・ 半導体集積回路23、24 スティック・クリスタル25、27 液晶表示装置の基板26、28 配線パターンの形成されている面29、30 液晶表示装置の基板上に移されたドライバー回路26・・・ 配線パターンの [Reference Numerals] 1 ... liquid crystal display device of the substrate 2 ... semiconductor integrated circuit 3 ... adhesive 4 ... electrode 5 ... semiconductor integrated circuit of the electrode 6 ... bumps of the liquid crystal display device 7 ... driver circuit portion 8 ... matrix portion 9 ... conductive particles 11 ... base film 12 ... N-channel type TFT 13 ... P-channel type TFT 14 ... interlayer insulator 15 ... passivation film 16 ... LCD counter substrate 17 ... sealing agent 18 of the display device ... liquid crystal material 21 ... substrate 22 to form a stick crystal ... semiconductor integrated circuits 23 and 24 stick crystal 25 and 27 of the driver circuit 26 ... wiring pattern transferred onto the substrate of the liquid crystal display surface 29, 30 a liquid crystal display device which is formed of a substrate 26, 28 wiring pattern of the device 成されている面と逆の面31・・・ スティック・クリスタルを形成する基板32・・・ 剥離層33・・・ 下地膜34、35 シリコン・アイランド36・・・ ゲイト絶縁膜37、38 ゲイト電極39・・・ N型領域40・・・ P型領域41・・・ 層間絶縁物42〜44 アルミニウム合金配線46・・・ パッシベーション膜47・・・ 導電性酸化物膜48・・・ バンプ49・・・ 液晶表示装置の基板50・・・ 液晶表示装置の電極51・・・ 接着剤52・・・ 空孔53・・・ 下地膜の底面 Substrate 32 ... peeling layer 33 ... base film 35 silicon island 36 to form a made which surface 31 faces the opposite is ... stick Crystal ... gate insulating film 37 gate electrode 39 ... N-type region 40 ... P-type region 41 ... interlayer insulator 42 to 44 aluminum alloy wiring 46 ... passivation film 47 ... conductive oxide film 48 ... bump 49 ... - the bottom surface of the substrate 50 ... liquid crystal display device electrodes 51 ... adhesive 52 ... air holes 53 ... base film of the liquid crystal display device

フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 29/786 H01L 21/336 G02F 1/1368 Following (58) investigated the field of front page (Int.Cl. 7, DB name) H01L 29/786 H01L 21/336 G02F 1/1368

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項1】 基板と、該基板上に設けられた電気配線と、該電気配線に電気的に接続された半導体集積回路とを有する表示装置であって、 前記半導体集積回路は、仮支持板から剥離されたものであって、下地膜と、該下地膜上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを覆うパッシベーション膜と、該パッシベーション膜上の導電性酸化物でなる (57) and [Claims 1. A substrate, a display device having an electric wiring provided on the substrate, and a semiconductor integrated circuit which is electrically connected to the electric sign line, the semiconductor integrated circuit, which has been peeled off from the temporary support plate, and the base film, and a thin film transistor provided on the lower ground layer, and a passivation film covering the thin film transistor, a conductive oxide on said passivation film made of a conductive
    と、前記電極に設けられたバンプとを有し、 前記半導体集積回路が、前記パッシベーション膜側を前記基板側にして前記バンプが前記電気配線に接触した状態で、前記基板と前記パッシベーション膜間に設けられた樹脂層により前記基板に固定されていることを特徴とする表示装置。 Has a pole, and a bump provided on said electrode, said semiconductor integrated circuit, the passivation film side in a state where the bump and the substrate side in contact with the electrical wiring, the substrate and the passivation intermembrane display apparatus characterized by being fixed to the substrate by a resin layer provided. 【請求項2】 基板と、該基板上に設けられた電気配線と、該電気配線に電気的に接続された半導体集積回路とを有する表示装置であって、 前記半導体集積回路は、仮支持板から剥離されたものであって、下地膜と、該下地膜上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを覆うパッシベーション膜と、該パッシベーション膜上の導電性酸化物でなる 2. A substrate, a display device having an electric wiring provided on the substrate, and a semiconductor integrated circuit which is electrically connected to the electric sign line, the semiconductor integrated circuit, temporary support plate be one that is peeled off from the base film, and a thin film transistor provided on the lower ground layer, and a passivation film covering the thin film transistor, photoelectric comprising a conductive oxide on said passivation film
    とを有し、 前記半導体集積回路が、前記パッシベーション膜側を前記基板側にして前記電極と前記電気配線に接触した状態で、前記基板と前記パッシベーション膜の間に設けられた導電性粒子が拡散された樹脂層により前記基板に固定されており、 前記樹脂層内の導電性粒子により、前記電極が前記電気配線に電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 And a pole, the semiconductor integrated circuit, the passivation film side in contact with the electrical wiring and the electrode to the substrate side, the conductive particles disposed between the substrate and the passivation film is fixed to the substrate by diffusion resinous layer, the conductive particles of the resin layer, the display device characterized in that the electrode is electrically connected to the electrical wiring. 【請求項3】 前記電気配線は、 透明導電膜る請求項1又は2に記載の表示装置。 Wherein the electrical wiring, the display device according to claim 1 or 2 ing a transparent conductive film. 【請求項4】 前記基板が、プラスチックである請求項1、2又は3に記載の表示装置。 Wherein said substrate is a display device according to claim 1, 2 or 3 is plastic. 【請求項5】 前記基板が、フィルム状である請求項1 Wherein said substrate, according to claim 1 which is a film-like
    ないし4のいずれか1に記載の表示装置。 To display device according to any one of the four.
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