JP3387833B2 - セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 - Google Patents
セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法Info
- Publication number
- JP3387833B2 JP3387833B2 JP31601398A JP31601398A JP3387833B2 JP 3387833 B2 JP3387833 B2 JP 3387833B2 JP 31601398 A JP31601398 A JP 31601398A JP 31601398 A JP31601398 A JP 31601398A JP 3387833 B2 JP3387833 B2 JP 3387833B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic
- substrate
- paste
- rib
- ribs
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、PDP(plasma d
isplay panel: プラズマディスプレイパネル)、PAL
C(plasma addressed liquid crystal display)等の
FPD(flat panel display)の製造工程におけるセラ
ミックキャピラリリブ(ceramic capillaryrib)の形成
方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法に関す
るものである。
isplay panel: プラズマディスプレイパネル)、PAL
C(plasma addressed liquid crystal display)等の
FPD(flat panel display)の製造工程におけるセラ
ミックキャピラリリブ(ceramic capillaryrib)の形成
方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来、この種のリブの第1の形成方法で
は、図9に示すようにリブ8はガラス基板1の上にガラ
ス粉末を含むリブ形成用ペースト2を厚膜印刷法により
所定のパターンで位置合わせをして多数回重ね塗りし、
乾燥した後、焼成して、基板1上に所定の間隔をあけて
作られる。このリブ8の高さHは通常100〜300μ
m、リブの幅Wは通常50〜100μm程度であって、
リブとリブで挟まれるセル9の広さSは通常100〜3
00μm程度である。またリブの第2の形成方法とし
て、サンドブラスト法が知られている。この方法では、
図10に示すようにガラス基板1の全面にガラス粉末を
含むセラミックペーストを厚膜法で塗布し、乾燥するこ
とにより、或いはガラス粉末を含むセラミックグリーン
テープを積層することにより、150〜200μmの高
さのパターン形成層3を形成した後、このパターン形成
層3を感光性フィルム4で被覆し、更にこのフィルム4
上をマスク5で覆って、露光、現像を行うことにより所
定のパターンのレジスト層6を形成する。次にこのレジ
スト層6の上方からサンドブラスト処理を施してセル9
となる部分を取除いた後、更に剥離剤等を用いて上記レ
ジスト層6を除去して、所望のリブ8を得ている。
は、図9に示すようにリブ8はガラス基板1の上にガラ
ス粉末を含むリブ形成用ペースト2を厚膜印刷法により
所定のパターンで位置合わせをして多数回重ね塗りし、
乾燥した後、焼成して、基板1上に所定の間隔をあけて
作られる。このリブ8の高さHは通常100〜300μ
m、リブの幅Wは通常50〜100μm程度であって、
リブとリブで挟まれるセル9の広さSは通常100〜3
00μm程度である。またリブの第2の形成方法とし
て、サンドブラスト法が知られている。この方法では、
図10に示すようにガラス基板1の全面にガラス粉末を
含むセラミックペーストを厚膜法で塗布し、乾燥するこ
とにより、或いはガラス粉末を含むセラミックグリーン
テープを積層することにより、150〜200μmの高
さのパターン形成層3を形成した後、このパターン形成
層3を感光性フィルム4で被覆し、更にこのフィルム4
上をマスク5で覆って、露光、現像を行うことにより所
定のパターンのレジスト層6を形成する。次にこのレジ
スト層6の上方からサンドブラスト処理を施してセル9
となる部分を取除いた後、更に剥離剤等を用いて上記レ
ジスト層6を除去して、所望のリブ8を得ている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の第1の形成
方法では、リブの幅Wが50〜100μm程度と比較的
狭くかつ印刷後にペーストがだれ易いため、厚膜の一回
塗りの厚さは焼成上がりで10〜20μm程度に小さく
抑えなければならない。この結果、この方法では高さH
が100〜300μmのリブを作るために、厚膜を10
〜20回もの多くの回数重ね塗りする必要があり、その
上重ね塗りした後のリブの高さHをリブの幅Wで除した
H/Wが1.5〜4程度と大きいために、厚膜印刷時に
十分に位置合わせをしても精度良くリブを形成しにくい
欠点があった。また上記従来の第2の形成方法は、レジ
スト層の形成のために感光性フィルムの被覆し、露光、
現像等の複雑な工程を必要とし、またサンドブラスト処
理でパターン形成層の大部分を取除くため、パターン形
成層の材料を多く必要とする不具合があった。本発明の
目的は、少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度
良く形成できるセラミックキャピラリリブの形成方法及
びこれを用いたセラミックリブの形成方法を提供するこ
とにある。
方法では、リブの幅Wが50〜100μm程度と比較的
狭くかつ印刷後にペーストがだれ易いため、厚膜の一回
塗りの厚さは焼成上がりで10〜20μm程度に小さく
抑えなければならない。この結果、この方法では高さH
が100〜300μmのリブを作るために、厚膜を10
〜20回もの多くの回数重ね塗りする必要があり、その
上重ね塗りした後のリブの高さHをリブの幅Wで除した
H/Wが1.5〜4程度と大きいために、厚膜印刷時に
十分に位置合わせをしても精度良くリブを形成しにくい
欠点があった。また上記従来の第2の形成方法は、レジ
スト層の形成のために感光性フィルムの被覆し、露光、
現像等の複雑な工程を必要とし、またサンドブラスト処
理でパターン形成層の大部分を取除くため、パターン形
成層の材料を多く必要とする不具合があった。本発明の
目的は、少ない工程で材料の無駄なく、簡便にかつ精度
良く形成できるセラミックキャピラリリブの形成方法及
びこれを用いたセラミックリブの形成方法を提供するこ
とにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】請求項1に係る発明は、
図1に示すように、ペーストを基板10表面に塗布して
ペースト膜11を形成する工程と、エッジ12aにくし
歯12bが形成されたブレード12のそのくし歯12b
をペースト膜11につき刺してエッジ12aを基板10
表面に接触させる工程と、ブレード12又は基板10を
一定方向に移動することによりペースト膜11の一部を
掃き取って基板10表面にセラミックキャピラリリブ1
3を形成する工程とを含むセラミックキャピラリリブの
形成方法である。くし歯12bをペースト膜11につき
刺し、エッジ12aを基板10表面に接触させた状態で
ブレード12又は基板10を一定方向に移動することに
より、基板10表面に形成された膜11のブレード12
のくし歯12bに対応する箇所のペースト11はくし歯
12bの隙間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯
12bの隙間に位置する膜11のみが基板10上に残存
して、基板10表面にセラミックキャピラリリブ13が
形成される。
図1に示すように、ペーストを基板10表面に塗布して
ペースト膜11を形成する工程と、エッジ12aにくし
歯12bが形成されたブレード12のそのくし歯12b
をペースト膜11につき刺してエッジ12aを基板10
表面に接触させる工程と、ブレード12又は基板10を
一定方向に移動することによりペースト膜11の一部を
掃き取って基板10表面にセラミックキャピラリリブ1
3を形成する工程とを含むセラミックキャピラリリブの
形成方法である。くし歯12bをペースト膜11につき
刺し、エッジ12aを基板10表面に接触させた状態で
ブレード12又は基板10を一定方向に移動することに
より、基板10表面に形成された膜11のブレード12
のくし歯12bに対応する箇所のペースト11はくし歯
12bの隙間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯
12bの隙間に位置する膜11のみが基板10上に残存
して、基板10表面にセラミックキャピラリリブ13が
形成される。
【0005】請求項2に係る発明は、請求項1に係る発
明であって、ペーストが、ガラス粉末又はガラス・セラ
ミック混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ0.
3〜15重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70重量
%を含むセラミックキャピラリリブの形成方法である。
明であって、ペーストが、ガラス粉末又はガラス・セラ
ミック混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ0.
3〜15重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70重量
%を含むセラミックキャピラリリブの形成方法である。
【0006】ペーストをこのように配合することにより
粘度が1000〜500,000cpsのペーストを得
ることができ、基板10上に形成されたセラミックキャ
ピラリリブのだれを抑制してセラミックキャピラリリブ
を精度良く形成する。なお、ペーストの粘度は5,00
0〜500,000cpsが好ましく、10,000〜
300,000cpsが更に好ましい。
粘度が1000〜500,000cpsのペーストを得
ることができ、基板10上に形成されたセラミックキャ
ピラリリブのだれを抑制してセラミックキャピラリリブ
を精度良く形成する。なお、ペーストの粘度は5,00
0〜500,000cpsが好ましく、10,000〜
300,000cpsが更に好ましい。
【0007】請求項3に係る発明は、図7に示すよう
に、ペーストを基板10表面に塗布してペースト膜11
を形成する工程と、エッジ12aにくし歯12bが形成
されたブレード12のそのくし歯12bをペースト膜1
1につき刺してエッジ12aを基板10表面から所定の
高さ浮上させる工程と、ブレード12又は基板10を一
定方向に移動することにより基板10表面にセラミック
キャピラリ層22とこのセラミックキャピラリ層22上
にセラミックキャピラリリブ23を形成する工程とを含
むセラミックキャピラリリブの形成方法である。エッジ
12aを基板10表面から所定の高さ浮上するようにく
し歯12bをペースト膜11につき刺した状態でブレー
ド12を移動するか、又は基板10を一定方向に移動さ
せることにより、基板10表面から所定の高さまでのペ
ーストは基板表面上に残存してセラミックキャピラリ層
22を形成し、このセラミックキャピラリ層22より上
方のペーストであってブレード12のくし歯12bに対
応する箇所はくし歯12bの隙間に移動するか若しくは
掃き取られ、くし歯12bの隙間に位置するペーストの
みがセラミックキャピラリ層22上に残存してセラミッ
クキャピラリ層22上にセラミックキャピラリリブ23
が形成される。
に、ペーストを基板10表面に塗布してペースト膜11
を形成する工程と、エッジ12aにくし歯12bが形成
されたブレード12のそのくし歯12bをペースト膜1
1につき刺してエッジ12aを基板10表面から所定の
高さ浮上させる工程と、ブレード12又は基板10を一
定方向に移動することにより基板10表面にセラミック
キャピラリ層22とこのセラミックキャピラリ層22上
にセラミックキャピラリリブ23を形成する工程とを含
むセラミックキャピラリリブの形成方法である。エッジ
12aを基板10表面から所定の高さ浮上するようにく
し歯12bをペースト膜11につき刺した状態でブレー
ド12を移動するか、又は基板10を一定方向に移動さ
せることにより、基板10表面から所定の高さまでのペ
ーストは基板表面上に残存してセラミックキャピラリ層
22を形成し、このセラミックキャピラリ層22より上
方のペーストであってブレード12のくし歯12bに対
応する箇所はくし歯12bの隙間に移動するか若しくは
掃き取られ、くし歯12bの隙間に位置するペーストの
みがセラミックキャピラリ層22上に残存してセラミッ
クキャピラリ層22上にセラミックキャピラリリブ23
が形成される。
【0008】請求項4に係る発明は、請求項1に係る発
明であって、ペーストが、ガラス粉末又はガラス・セラ
ミック混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ0.
3〜15重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70重量
%を含むセラミックキャピラリリブの形成方法である。
明であって、ペーストが、ガラス粉末又はガラス・セラ
ミック混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ0.
3〜15重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70重量
%を含むセラミックキャピラリリブの形成方法である。
【0009】ペーストをこのように配合することにより
粘度が1000〜500,000cpsのペーストを得
ることができ、基板10上に形成されたセラミックキャ
ピラリ層22及びセラミックキャピラリリブ23のだれ
を抑制してセラミックキャピラリ層22及びセラミック
キャピラリリブ23を精度良く形成する。なお、ペース
トの粘度は5,000〜500,000cpsが好まし
く、10,000〜300,000cpsが更に好まし
い。
粘度が1000〜500,000cpsのペーストを得
ることができ、基板10上に形成されたセラミックキャ
ピラリ層22及びセラミックキャピラリリブ23のだれ
を抑制してセラミックキャピラリ層22及びセラミック
キャピラリリブ23を精度良く形成する。なお、ペース
トの粘度は5,000〜500,000cpsが好まし
く、10,000〜300,000cpsが更に好まし
い。
【0010】請求項5に係る発明は、図1及び図2に示
すように、請求項1又は2記載の方法で形成されたセラ
ミックキャピラリリブ13を焼成して基板10表面に直
接セラミックリブ14を形成するセラミックリブの形成
方法である。このセラミックリブの形成方法により、図
2に示すように、基板10上に形成されたセラミックリ
ブ14において、このリブ14の高さをHとし、高さ
(1/2)Hのところのリブの幅をW C 、高さ(3/
4)Hのところのリブの幅をW M 及び高さ(9/10)
Hのところのリブの幅をW T とするとき、H、W C 、W M
及びW T のそれぞれの(最大値又は最小値−平均値)/
平均値で表されるばらつきが5%以下であって、H/W
C で表されるアスペクト比が2〜10であるセラミック
リブを得ることができる。
すように、請求項1又は2記載の方法で形成されたセラ
ミックキャピラリリブ13を焼成して基板10表面に直
接セラミックリブ14を形成するセラミックリブの形成
方法である。このセラミックリブの形成方法により、図
2に示すように、基板10上に形成されたセラミックリ
ブ14において、このリブ14の高さをHとし、高さ
(1/2)Hのところのリブの幅をW C 、高さ(3/
4)Hのところのリブの幅をW M 及び高さ(9/10)
Hのところのリブの幅をW T とするとき、H、W C 、W M
及びW T のそれぞれの(最大値又は最小値−平均値)/
平均値で表されるばらつきが5%以下であって、H/W
C で表されるアスペクト比が2〜10であるセラミック
リブを得ることができる。
【0011】請求項6に係る発明は、図7及び図8に示
すように、請求項3又は4記載の方法で形成されたセラ
ミックキャピラリ層(22)及びセラミックキャピラリリブ
23を焼成して基板10表面に絶縁層24を介してセラ
ミックリブ25を形成するセラミックリブの形成方法で
ある。このセラミックリブの形成方法により、図8に示
すように、基板10上に絶縁層24が形成され、この絶
縁層24上に形成されたセラミックリブ25において、
このリブ25の高さをHとし、高さ(1/2)Hのとこ
ろのリブの幅をW C 、高さ(3/4)Hのところのリブ
の幅をW M 及び高さ(9/10)Hのところのリブの幅
をW T とするとき、H、W C 、W M 及びW T のそれぞれの
(最大値又は最小値−平均値)/平均値で表されるばら
つきが5%以下であって、H/W C で表されるアスペク
ト比が2〜10であるセラミックリブを得ることができ
る。なお、本明細書で「セラミックキャピラリ」とは、
本発明のガラス粉末又はガラス・セラミック混合粉末と
有機バインダと溶剤と可塑剤と分散剤を含むペーストを
塗布した後の大部分の有機バインダと溶剤と可塑剤と分
散剤が残存している状態をいう。
すように、請求項3又は4記載の方法で形成されたセラ
ミックキャピラリ層(22)及びセラミックキャピラリリブ
23を焼成して基板10表面に絶縁層24を介してセラ
ミックリブ25を形成するセラミックリブの形成方法で
ある。このセラミックリブの形成方法により、図8に示
すように、基板10上に絶縁層24が形成され、この絶
縁層24上に形成されたセラミックリブ25において、
このリブ25の高さをHとし、高さ(1/2)Hのとこ
ろのリブの幅をW C 、高さ(3/4)Hのところのリブ
の幅をW M 及び高さ(9/10)Hのところのリブの幅
をW T とするとき、H、W C 、W M 及びW T のそれぞれの
(最大値又は最小値−平均値)/平均値で表されるばら
つきが5%以下であって、H/W C で表されるアスペク
ト比が2〜10であるセラミックリブを得ることができ
る。なお、本明細書で「セラミックキャピラリ」とは、
本発明のガラス粉末又はガラス・セラミック混合粉末と
有機バインダと溶剤と可塑剤と分散剤を含むペーストを
塗布した後の大部分の有機バインダと溶剤と可塑剤と分
散剤が残存している状態をいう。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明の第1の実施の形態を図面
に基づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピ
ラリリブを形成する方法は、図1に示すように、基板1
0の表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜1
1に、ブレード12に形成されたくし歯12bをつき刺
し、ブレード12のエッジ12aを基板10表面に接触
させた状態でブレード12又は基板10を一定方向に移
動することにより基板10表面にセラミックキャピラリ
リブ13を形成する方法である。ペーストは、ガラス粉
末又はガラス・セラミック混合粉末と有機バインダと溶
剤と可塑剤と分散剤を含むペーストであり、ガラス粉末
はSiO2、ZnO、PbO等を主成分として、その軟
化点が300℃〜600℃であることが必要である。
に基づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピ
ラリリブを形成する方法は、図1に示すように、基板1
0の表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜1
1に、ブレード12に形成されたくし歯12bをつき刺
し、ブレード12のエッジ12aを基板10表面に接触
させた状態でブレード12又は基板10を一定方向に移
動することにより基板10表面にセラミックキャピラリ
リブ13を形成する方法である。ペーストは、ガラス粉
末又はガラス・セラミック混合粉末と有機バインダと溶
剤と可塑剤と分散剤を含むペーストであり、ガラス粉末
はSiO2、ZnO、PbO等を主成分として、その軟
化点が300℃〜600℃であることが必要である。
【0013】ガラス・セラミック混合粉末とはSi
O2、ZnO、PbO等を主成分とするガラス粉末と、
フィラーの役割を果すアルミナ、コージライト、ムライ
ト、フォルステライト等のセラミック粉末とを含むもの
であり、このセラミック粉末は形成されるリブ13の熱
膨張係数をガラス基板10の熱膨張係数と均等にするた
めに混合される。セラミック粉末は60容積%以下が好
ましい。セラミック粉末が60容積%以上になるとリブ
が多孔質になり好ましくない。なお、ガラス粉末及びセ
ラミック粉末の粒径はそれぞれ0.1〜30μmである
ことが好ましい。ガラス粉末及びセラミック粉末の粒径
が0.1μm未満であると凝集し易くその取扱いが煩わ
しくなる。また、30μmを越えると後述するブレード
12の移動時に所望のリブ13が形成できなくなる不具
合がある。
O2、ZnO、PbO等を主成分とするガラス粉末と、
フィラーの役割を果すアルミナ、コージライト、ムライ
ト、フォルステライト等のセラミック粉末とを含むもの
であり、このセラミック粉末は形成されるリブ13の熱
膨張係数をガラス基板10の熱膨張係数と均等にするた
めに混合される。セラミック粉末は60容積%以下が好
ましい。セラミック粉末が60容積%以上になるとリブ
が多孔質になり好ましくない。なお、ガラス粉末及びセ
ラミック粉末の粒径はそれぞれ0.1〜30μmである
ことが好ましい。ガラス粉末及びセラミック粉末の粒径
が0.1μm未満であると凝集し易くその取扱いが煩わ
しくなる。また、30μmを越えると後述するブレード
12の移動時に所望のリブ13が形成できなくなる不具
合がある。
【0014】ペーストは、ガラス粉末又はガラス・セラ
ミック混合粉末を30〜95重量%、有機バインダを
0.3〜15重量%、溶剤と可塑剤と分散剤を3〜70
重量%それぞれ配合することが好ましい。また、ガラス
粉末又はガラス・セラミック混合粉末を70〜90重量
%、有機バインダを1〜3.5重量%、溶剤と可塑剤と
分散剤を7〜20重量%それぞれ配合することが更に好
ましい。有機バインダは熱分解しやすく、溶剤に溶けて
高粘度を有するポリマー(樹脂)であって、エチルセル
ロース、アクリル又はポリビニルブチラールなどが挙げ
られる。溶剤は常温での揮発性が比較的小さい有機溶媒
であることが必要であり、ターピネオール、プチルカル
ビトール、アセテート又はエーテル等が挙げられる。可
塑剤ではグリセリン、ジブチルフタレート等が挙げら
れ、分散剤としてはベンゼンやスルフォン酸等が挙げら
れる。ペーストをこのように構成することにより所定の
粘度を有するペーストを得ることができ、基板10上に
形成されたセラミックキャピラリリブ13のだれを抑制
して焼成することによりセラミックリブを精度良く形成
することができる。
ミック混合粉末を30〜95重量%、有機バインダを
0.3〜15重量%、溶剤と可塑剤と分散剤を3〜70
重量%それぞれ配合することが好ましい。また、ガラス
粉末又はガラス・セラミック混合粉末を70〜90重量
%、有機バインダを1〜3.5重量%、溶剤と可塑剤と
分散剤を7〜20重量%それぞれ配合することが更に好
ましい。有機バインダは熱分解しやすく、溶剤に溶けて
高粘度を有するポリマー(樹脂)であって、エチルセル
ロース、アクリル又はポリビニルブチラールなどが挙げ
られる。溶剤は常温での揮発性が比較的小さい有機溶媒
であることが必要であり、ターピネオール、プチルカル
ビトール、アセテート又はエーテル等が挙げられる。可
塑剤ではグリセリン、ジブチルフタレート等が挙げら
れ、分散剤としてはベンゼンやスルフォン酸等が挙げら
れる。ペーストをこのように構成することにより所定の
粘度を有するペーストを得ることができ、基板10上に
形成されたセラミックキャピラリリブ13のだれを抑制
して焼成することによりセラミックリブを精度良く形成
することができる。
【0015】ペーストの基板10表面への塗布は、スク
リーン印刷法、ディップ法又はドクタブレード法等の既
存の手段により行われる。ペースト膜11の形成された
基板10表面に接触させるブレード12には複数のくし
歯12bが等間隔にかつ同一方向に形成される。このブ
レード12はペーストとの反応やペーストに溶解される
ことのない金属、セラミック又はプラスチック等により
作られ、特に、寸法精度、耐久性の観点からセラミック
若しくはFe,Ni,Co基の合金が好ましい。それぞ
れのくし歯12bの隙間はこのブレード12により形成
されるセラミックキャピラリリブ13の断面形状に相応
して形成される。図3及び図4に示すように、本実施の
形態におけるブレード12は厚さtが0.1mmのステ
ンレススチールにより形成され、くし歯12bのピッチ
Pが100〜200μmであって、くし歯12bの隙間
の深さhが300μmに形成される。
リーン印刷法、ディップ法又はドクタブレード法等の既
存の手段により行われる。ペースト膜11の形成された
基板10表面に接触させるブレード12には複数のくし
歯12bが等間隔にかつ同一方向に形成される。このブ
レード12はペーストとの反応やペーストに溶解される
ことのない金属、セラミック又はプラスチック等により
作られ、特に、寸法精度、耐久性の観点からセラミック
若しくはFe,Ni,Co基の合金が好ましい。それぞ
れのくし歯12bの隙間はこのブレード12により形成
されるセラミックキャピラリリブ13の断面形状に相応
して形成される。図3及び図4に示すように、本実施の
形態におけるブレード12は厚さtが0.1mmのステ
ンレススチールにより形成され、くし歯12bのピッチ
Pが100〜200μmであって、くし歯12bの隙間
の深さhが300μmに形成される。
【0016】ここで、ブレード12は、厚さtが0.0
1mm以上3.0mm以下であって、くし歯12bのピ
ッチをPとし、くし歯12bの隙間をw、その隙間の深
さをhとするとき、0.03mm≦h≦1.0mmであ
りかつw/P≦0.9の関係にあることが好ましい。こ
の式を満たすブレード12により形成されたセラミック
キャピラリリブ13は、その後の乾燥及び焼成により引
き締り、所望のリブの隙間を有する緻密なセラミックリ
ブを得ることができる。また、くし歯12bの隙間の形
状は図3に示すように方形状に形成する場合のみ成ら
ず、最終的に作られるFPDの用途によりくし歯12b
の隙間の形状を図5に示すような台形状、又は図6に示
すような逆台形に形成してもよい。くし歯12bの隙間
の形状を台形にすれば、開口部を広くした用途に適した
セラミックキャピラリリブ13を形成することができ、
くし歯12bの隙間の形状を逆台形にすれば、リブの頂
部が広い面積で平坦化したセラミックキャピラリリブ1
3を形成することができる。
1mm以上3.0mm以下であって、くし歯12bのピ
ッチをPとし、くし歯12bの隙間をw、その隙間の深
さをhとするとき、0.03mm≦h≦1.0mmであ
りかつw/P≦0.9の関係にあることが好ましい。こ
の式を満たすブレード12により形成されたセラミック
キャピラリリブ13は、その後の乾燥及び焼成により引
き締り、所望のリブの隙間を有する緻密なセラミックリ
ブを得ることができる。また、くし歯12bの隙間の形
状は図3に示すように方形状に形成する場合のみ成ら
ず、最終的に作られるFPDの用途によりくし歯12b
の隙間の形状を図5に示すような台形状、又は図6に示
すような逆台形に形成してもよい。くし歯12bの隙間
の形状を台形にすれば、開口部を広くした用途に適した
セラミックキャピラリリブ13を形成することができ、
くし歯12bの隙間の形状を逆台形にすれば、リブの頂
部が広い面積で平坦化したセラミックキャピラリリブ1
3を形成することができる。
【0017】図1に戻って、このように構成されたブレ
ード12によるセラミックキャピラリリブ13の形成
は、ブレード12のエッジ12aをペースト膜11を形
成した基板10表面に接触させた状態で基板10を固定
して図1の実線矢印で示すようにブレード12を一定方
向に移動するか、又はブレード12を固定して図1の破
線矢印で示すように基板10を一定方向に移動させるこ
とにより行われる。この移動により基板10表面に塗布
されたペーストのブレード12のくし歯12bに対応す
る箇所はくし歯12bの隙間に移動するか若しくは掃き
取られ、くし歯12bの隙間に位置するペーストのみが
基板10上に残存して基板10表面にセラミックキャピ
ラリリブ13が形成される。くし歯の溝の深さがペース
ト膜11の厚さより大きい場合にはブレード12又はガ
ラス基板10を移動するときに掃き取られたペーストが
溝に入り込みペースト膜11の厚さ以上の高さを有する
セラミックキャピラリリブ13を形成できる。
ード12によるセラミックキャピラリリブ13の形成
は、ブレード12のエッジ12aをペースト膜11を形
成した基板10表面に接触させた状態で基板10を固定
して図1の実線矢印で示すようにブレード12を一定方
向に移動するか、又はブレード12を固定して図1の破
線矢印で示すように基板10を一定方向に移動させるこ
とにより行われる。この移動により基板10表面に塗布
されたペーストのブレード12のくし歯12bに対応す
る箇所はくし歯12bの隙間に移動するか若しくは掃き
取られ、くし歯12bの隙間に位置するペーストのみが
基板10上に残存して基板10表面にセラミックキャピ
ラリリブ13が形成される。くし歯の溝の深さがペース
ト膜11の厚さより大きい場合にはブレード12又はガ
ラス基板10を移動するときに掃き取られたペーストが
溝に入り込みペースト膜11の厚さ以上の高さを有する
セラミックキャピラリリブ13を形成できる。
【0018】このようして形成されたセラミックキャピ
ラリリブ13はその後乾燥されてセラミックグリーンリ
ブ(図示せず)になり、更に脱バインダのため加熱さ
れ、引続いて焼成することにより図2に示すセラミック
リブ14になる。基板10上に形成されたセラミックリ
ブ14は、図2の拡大した円内に示すように、リブ14
の高さをHとし、高さ(1/2)Hのところのリブ14
の幅をWC、高さ(3/4)Hのところのリブ14の幅
をWM及び高さ(9/10)Hのところのリブ14の幅
をWTとするとき、H、WC、WM及びWTのそれぞれの
(最大値−平均値)/平均値で表されるばらつきが5%
以下であって、H/WCで表されるアスペクト比が2〜
10であることが好ましい。アスペクト比が2〜10で
あることにより、極めて高精細なセラミックリブ14が
得られる。
ラリリブ13はその後乾燥されてセラミックグリーンリ
ブ(図示せず)になり、更に脱バインダのため加熱さ
れ、引続いて焼成することにより図2に示すセラミック
リブ14になる。基板10上に形成されたセラミックリ
ブ14は、図2の拡大した円内に示すように、リブ14
の高さをHとし、高さ(1/2)Hのところのリブ14
の幅をWC、高さ(3/4)Hのところのリブ14の幅
をWM及び高さ(9/10)Hのところのリブ14の幅
をWTとするとき、H、WC、WM及びWTのそれぞれの
(最大値−平均値)/平均値で表されるばらつきが5%
以下であって、H/WCで表されるアスペクト比が2〜
10であることが好ましい。アスペクト比が2〜10で
あることにより、極めて高精細なセラミックリブ14が
得られる。
【0019】次に本発明の第2の実施の形態を図面に基
づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピラリ
リブを形成する方法は、図7に示すように、基板10の
表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜11に
ブレード12周辺の少なくとも一部に形成されたくし歯
12bをペースト膜11につき刺し、ブレード12のエ
ッジ12aを基板10表面から所定の高さ浮上した状態
でブレード12又は基板10を一定方向に移動すること
により基板10表面にセラミックキャピラリ層22とこ
のセラミックキャピラリ層22上にセラミックキャピラ
リリブ23を形成する方法である。ペースト及びペース
トの塗布に関しては上述した実施の形態と同一であるの
で繰返しての説明を省略する。
づいて詳しく説明する。本発明のセラミックキャピラリ
リブを形成する方法は、図7に示すように、基板10の
表面にペーストを塗布して形成されたペースト膜11に
ブレード12周辺の少なくとも一部に形成されたくし歯
12bをペースト膜11につき刺し、ブレード12のエ
ッジ12aを基板10表面から所定の高さ浮上した状態
でブレード12又は基板10を一定方向に移動すること
により基板10表面にセラミックキャピラリ層22とこ
のセラミックキャピラリ層22上にセラミックキャピラ
リリブ23を形成する方法である。ペースト及びペース
トの塗布に関しては上述した実施の形態と同一であるの
で繰返しての説明を省略する。
【0020】即ち、ブレード12によるセラミックキャ
ピラリリブ23の形成は、図7に示すように、ブレード
12のエッジ12aをペースト膜11を形成した基板1
0表面から所定の高さ浮上した状態で基板10を固定し
て実線矢印で示すようにブレード12を一定方向に移動
するか、又はブレード12を固定して破線矢印で示すよ
うに基板10を一定方向に移動させることにより行われ
る。この移動により基板10表面から所定の高さまでの
ペーストは基板表面上に残存してセラミックキャピラリ
層22を形成し、このセラミックキャピラリ層22より
上方のペーストにおけるブレード12のくし歯12bに
対応する箇所はくし歯12bの隙間に移動するか若しく
は掃き取られ、くし歯12bの隙間に位置するペースト
のみがセラミックキャピラリ層22上に残存してセラミ
ックキャピラリ層22上にセラミックキャピラリリブ2
3が形成される。
ピラリリブ23の形成は、図7に示すように、ブレード
12のエッジ12aをペースト膜11を形成した基板1
0表面から所定の高さ浮上した状態で基板10を固定し
て実線矢印で示すようにブレード12を一定方向に移動
するか、又はブレード12を固定して破線矢印で示すよ
うに基板10を一定方向に移動させることにより行われ
る。この移動により基板10表面から所定の高さまでの
ペーストは基板表面上に残存してセラミックキャピラリ
層22を形成し、このセラミックキャピラリ層22より
上方のペーストにおけるブレード12のくし歯12bに
対応する箇所はくし歯12bの隙間に移動するか若しく
は掃き取られ、くし歯12bの隙間に位置するペースト
のみがセラミックキャピラリ層22上に残存してセラミ
ックキャピラリ層22上にセラミックキャピラリリブ2
3が形成される。
【0021】このようにして形成されたセラミックキャ
ピラリ層22及びセラミックキャピラリリブ23はその
後乾燥されてセラミックグリーン層及びセラミックグリ
ーンリブ(図示せず)になり、更に脱バインダのため加
熱され、引続いて焼成することにより図8に示す基板1
0上に形成された絶縁層24と、この絶縁層24上に形
成されたセラミックリブ25になる。絶縁層24上に形
成されたセラミックリブ25は、図8の拡大した円内に
示すように、リブ25の高さをHとし、高さ(1/2)
Hのところのリブ25の幅をWC、高さ(3/4)Hの
ところのリブ25の幅をWM及び高さ(9/10)Hの
ところのリブ25の幅をWTとするとき、H、WC、WM
及びWTのそれぞれの(最大値−平均値)/平均値で表
されるばらつきが5%以下であって、H/WCで表され
るアスペクト比が2〜10であることが好ましい。アス
ペクト比が2〜10であることにより、極めて高精細な
セラミックリブ25が得られる。
ピラリ層22及びセラミックキャピラリリブ23はその
後乾燥されてセラミックグリーン層及びセラミックグリ
ーンリブ(図示せず)になり、更に脱バインダのため加
熱され、引続いて焼成することにより図8に示す基板1
0上に形成された絶縁層24と、この絶縁層24上に形
成されたセラミックリブ25になる。絶縁層24上に形
成されたセラミックリブ25は、図8の拡大した円内に
示すように、リブ25の高さをHとし、高さ(1/2)
Hのところのリブ25の幅をWC、高さ(3/4)Hの
ところのリブ25の幅をWM及び高さ(9/10)Hの
ところのリブ25の幅をWTとするとき、H、WC、WM
及びWTのそれぞれの(最大値−平均値)/平均値で表
されるばらつきが5%以下であって、H/WCで表され
るアスペクト比が2〜10であることが好ましい。アス
ペクト比が2〜10であることにより、極めて高精細な
セラミックリブ25が得られる。
【0022】
【実施例】次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく
説明する。 <実施例1>平均粒径3μmのPbO−SiO2−B2O
3系ガラス粉末を70重量%と、フィラーとして平均粒
径5μmのアルミナ粉末を30重量%用意し、両者を十
分に混合した。この混合粉末と有機バインダであるエチ
ルセルロースと溶媒とを重量比で55/5/40の割合
で配合し、十分に混練してペーストを得た。なお、溶媒
は溶剤であるテレピネオールと可塑剤であるグリセリン
と分散剤であるスルフォン酸の混合物である。図1に示
すように、このようにして得られたペーストを対角寸法
が40インチであって、厚さが3mmのソーダライム系
のガラス基板10上にスクリーン印刷法により厚さ20
0μmで塗布してペースト膜11を形成した。
説明する。 <実施例1>平均粒径3μmのPbO−SiO2−B2O
3系ガラス粉末を70重量%と、フィラーとして平均粒
径5μmのアルミナ粉末を30重量%用意し、両者を十
分に混合した。この混合粉末と有機バインダであるエチ
ルセルロースと溶媒とを重量比で55/5/40の割合
で配合し、十分に混練してペーストを得た。なお、溶媒
は溶剤であるテレピネオールと可塑剤であるグリセリン
と分散剤であるスルフォン酸の混合物である。図1に示
すように、このようにして得られたペーストを対角寸法
が40インチであって、厚さが3mmのソーダライム系
のガラス基板10上にスクリーン印刷法により厚さ20
0μmで塗布してペースト膜11を形成した。
【0023】一方、くし歯12bのピッチPが100μ
mであって、くし歯12bの隙間wが40μm、その深
さhが300μmである厚さ0.1mmのステンレス鋼
により形成されたブレード12を用意した(図4)。こ
のブレード12のくし歯12bをペースト膜11につき
刺し、エッジ12aをペースト膜の形成された基板10
表面に接触させた状態で基板10を固定し、図1の実線
矢印で示すように、ブレード12を一定方向に移動する
ことにより基板10表面にセラミックキャピラリリブ1
3を形成した。
mであって、くし歯12bの隙間wが40μm、その深
さhが300μmである厚さ0.1mmのステンレス鋼
により形成されたブレード12を用意した(図4)。こ
のブレード12のくし歯12bをペースト膜11につき
刺し、エッジ12aをペースト膜の形成された基板10
表面に接触させた状態で基板10を固定し、図1の実線
矢印で示すように、ブレード12を一定方向に移動する
ことにより基板10表面にセラミックキャピラリリブ1
3を形成した。
【0024】<実施例2>平均粒径2μmのZnO−B
2O3系ガラス粉末と、有機バインダであるポリビニルブ
チラールと、エーテル(溶剤),ジブチルフタレート
(可塑剤)及びベンゼン(分散剤)からなる溶媒とを重
量比で60/10/30の割合で配合し、十分に混練し
てペーストを得た。このようにして得られたペーストを
実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン印刷法
により厚さ100μmで塗布してペースト膜を形成し
た。一方、くし歯12bのピッチPが200μmであっ
て、くし歯12bの隙間wが70μm、その深さhが3
00μmである厚さ0.1mmのステンレス鋼により形
成されたブレード12を用意した(図4)。このブレー
ド12のくし歯12bをペースト膜11につき刺し、そ
のエッジ12aをペースト膜の形成された基板10表面
に接触させた状態で基板10を固定し、図1の実線矢印
で示すように、ブレード12を一定方向に移動すること
により基板10表面にセラミックキャピラリリブ13を
形成した。
2O3系ガラス粉末と、有機バインダであるポリビニルブ
チラールと、エーテル(溶剤),ジブチルフタレート
(可塑剤)及びベンゼン(分散剤)からなる溶媒とを重
量比で60/10/30の割合で配合し、十分に混練し
てペーストを得た。このようにして得られたペーストを
実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン印刷法
により厚さ100μmで塗布してペースト膜を形成し
た。一方、くし歯12bのピッチPが200μmであっ
て、くし歯12bの隙間wが70μm、その深さhが3
00μmである厚さ0.1mmのステンレス鋼により形
成されたブレード12を用意した(図4)。このブレー
ド12のくし歯12bをペースト膜11につき刺し、そ
のエッジ12aをペースト膜の形成された基板10表面
に接触させた状態で基板10を固定し、図1の実線矢印
で示すように、ブレード12を一定方向に移動すること
により基板10表面にセラミックキャピラリリブ13を
形成した。
【0025】<実施例3>平均粒径2.5μmのPbO
−ZnO−SiO2系ガラス粉末を50重量%と、フィ
ラーとして平均粒径3μmのアルミナ粉末を50重量%
用意し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バ
インダであるポリメタクリレートと溶剤であるエーテル
とを重量比で30/15/55の割合で配合し、十分に
混練してペーストを得た。このようにして得られたペー
ストを実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン
印刷法により厚さ200μmで塗布してペースト膜を形
成した。一方、くし歯12bのピッチPが100μmで
あって、くし歯12bの隙間wが30μm、その深さh
が300μmである厚さ0.1mmのステンレス鋼によ
り形成されたブレード12を用意した(図4)。このブ
レード12のくし歯12bをペースト膜11につき刺
し、そのエッジ12aをペースト膜11の形成された基
板10表面に接触させた状態で基板10を固定し、図1
の実線矢印で示すように、ブレード12を一定方向に移
動することにより基板10表面にセラミックキャピラリ
リブ13を形成した。
−ZnO−SiO2系ガラス粉末を50重量%と、フィ
ラーとして平均粒径3μmのアルミナ粉末を50重量%
用意し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バ
インダであるポリメタクリレートと溶剤であるエーテル
とを重量比で30/15/55の割合で配合し、十分に
混練してペーストを得た。このようにして得られたペー
ストを実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン
印刷法により厚さ200μmで塗布してペースト膜を形
成した。一方、くし歯12bのピッチPが100μmで
あって、くし歯12bの隙間wが30μm、その深さh
が300μmである厚さ0.1mmのステンレス鋼によ
り形成されたブレード12を用意した(図4)。このブ
レード12のくし歯12bをペースト膜11につき刺
し、そのエッジ12aをペースト膜11の形成された基
板10表面に接触させた状態で基板10を固定し、図1
の実線矢印で示すように、ブレード12を一定方向に移
動することにより基板10表面にセラミックキャピラリ
リブ13を形成した。
【0026】<実施例4>平均粒径3μmのPbO−S
iO2−B2O3系ガラス粉末を80重量%と、フィラー
として平均粒径1μmのアルミナ粉末を20重量%用意
し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バイン
ダであるアクリル系樹脂と溶媒とを重量比で90/3/
7の割合で配合し、十分に混練してペーストを得た。な
お、溶媒は溶剤であるエーテルのみとした。図7に示す
ように、このようにして得られたペーストを対角寸法が
40インチであって、厚さが2mmのソーダライム系の
ガラス基板10上にロールコータ法によって厚さ300
μmで塗布してペースト膜11を形成した。一方、くし
歯12bのピッチPが200μmであって、くし歯12
bの隙間wが150μm、その深さhが200μmであ
る厚さ0.05mmのNiにより形成されたブレード1
2を用意した(図4)。このブレード12のくし歯12
bをペースト膜11につき刺し、エッジ12aをペース
ト膜の形成された基板10表面より20μm浮かせた状
態で基板10を固定し、図7の実線矢印で示すように、
ブレード12を一定方向に移動することにより基板10
表面にセラミックキャピラリ層22とこのセラミックキ
ャピラリ層22上にセラミックキャピラリリブ23を形
成した。
iO2−B2O3系ガラス粉末を80重量%と、フィラー
として平均粒径1μmのアルミナ粉末を20重量%用意
し、両者を十分に混合した。この混合粉末と有機バイン
ダであるアクリル系樹脂と溶媒とを重量比で90/3/
7の割合で配合し、十分に混練してペーストを得た。な
お、溶媒は溶剤であるエーテルのみとした。図7に示す
ように、このようにして得られたペーストを対角寸法が
40インチであって、厚さが2mmのソーダライム系の
ガラス基板10上にロールコータ法によって厚さ300
μmで塗布してペースト膜11を形成した。一方、くし
歯12bのピッチPが200μmであって、くし歯12
bの隙間wが150μm、その深さhが200μmであ
る厚さ0.05mmのNiにより形成されたブレード1
2を用意した(図4)。このブレード12のくし歯12
bをペースト膜11につき刺し、エッジ12aをペース
ト膜の形成された基板10表面より20μm浮かせた状
態で基板10を固定し、図7の実線矢印で示すように、
ブレード12を一定方向に移動することにより基板10
表面にセラミックキャピラリ層22とこのセラミックキ
ャピラリ層22上にセラミックキャピラリリブ23を形
成した。
【0027】<実施例5>実施例3と同一のペーストを
得、実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン印
刷法により厚さ200μmで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯12bのピッチPが200μmであ
って、くし歯12bの先端隙間wが150μm、基端隙
間whが100μm、深さhが200μmでくし歯12
bの隙間の形状が台形である厚さ0.1mmのステンレ
ス鋼により形成されたブレード12を用意した(図
5)。このブレード12のくし歯12bをペースト膜1
1につき刺し、そのエッジ12aをペースト膜11の形
成された基板10表面に接触させた状態で基板10を固
定し、図1の実線矢印で示すように、ブレード12を一
定方向に移動することにより基板10表面にセラミック
キャピラリリブ13を形成した。
得、実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン印
刷法により厚さ200μmで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯12bのピッチPが200μmであ
って、くし歯12bの先端隙間wが150μm、基端隙
間whが100μm、深さhが200μmでくし歯12
bの隙間の形状が台形である厚さ0.1mmのステンレ
ス鋼により形成されたブレード12を用意した(図
5)。このブレード12のくし歯12bをペースト膜1
1につき刺し、そのエッジ12aをペースト膜11の形
成された基板10表面に接触させた状態で基板10を固
定し、図1の実線矢印で示すように、ブレード12を一
定方向に移動することにより基板10表面にセラミック
キャピラリリブ13を形成した。
【0028】<実施例6>実施例3と同一のペーストを
得、実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン印
刷法により厚さ200μmで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯12bのピッチPが200μmであ
って、くし歯12bの先端隙間wが100μm、基端隙
間whが150μm、深さhが200μmでくし歯12
bの隙間の形状が逆台形である厚さ0.1mmのステン
レス鋼により形成されたブレード12を用意した(図
6)。このブレード12のくし歯12bをペースト膜1
1につき刺し、そのエッジ12aをペースト膜11の形
成された基板10表面に接触させた状態で基板10を固
定し、図1の実線矢印で示すように、ブレード12を一
定方向に移動することにより基板10表面にセラミック
キャピラリリブ13を形成した。
得、実施例1と同一のガラス基板10上にスクリーン印
刷法により厚さ200μmで塗布してペースト膜を形成
した。一方、くし歯12bのピッチPが200μmであ
って、くし歯12bの先端隙間wが100μm、基端隙
間whが150μm、深さhが200μmでくし歯12
bの隙間の形状が逆台形である厚さ0.1mmのステン
レス鋼により形成されたブレード12を用意した(図
6)。このブレード12のくし歯12bをペースト膜1
1につき刺し、そのエッジ12aをペースト膜11の形
成された基板10表面に接触させた状態で基板10を固
定し、図1の実線矢印で示すように、ブレード12を一
定方向に移動することにより基板10表面にセラミック
キャピラリリブ13を形成した。
【0029】<比較例1>図9に示すように、ソーダラ
イム系ガラス基板1上にガラス粉末と有機バインダと溶
媒とを含む粘度が50,000psのリブ形成用ペース
ト2をスクリーン印刷法により所定のパターンで位置合
わせをして印刷し150℃で10分間乾燥する工程を1
2回繰返して重ね塗りした。この重ね塗りはセラミック
グリーンリブ2の高さHが200μmとなるように設定
した。上記リブ形成用ペーストとしてはSiO2、Zn
O及びPbOを主成分とするガラス粉末とAl2O3粉末
とを含む。また有機バインダとしてはエチルセルロース
を用い、更に溶媒としてはα−テレピネオールを用い
た。これにより所定の間隔(セル9の広さS)をあけて
セラミックグリーンリブ2を形成した。次に基板1上に
セラミックグリーンリブ2が形成された構造体を大気中
で550℃で1時間熱処理することにより、基板1上に
高さHが約170μmのセラミックリブ8を形成した。
イム系ガラス基板1上にガラス粉末と有機バインダと溶
媒とを含む粘度が50,000psのリブ形成用ペース
ト2をスクリーン印刷法により所定のパターンで位置合
わせをして印刷し150℃で10分間乾燥する工程を1
2回繰返して重ね塗りした。この重ね塗りはセラミック
グリーンリブ2の高さHが200μmとなるように設定
した。上記リブ形成用ペーストとしてはSiO2、Zn
O及びPbOを主成分とするガラス粉末とAl2O3粉末
とを含む。また有機バインダとしてはエチルセルロース
を用い、更に溶媒としてはα−テレピネオールを用い
た。これにより所定の間隔(セル9の広さS)をあけて
セラミックグリーンリブ2を形成した。次に基板1上に
セラミックグリーンリブ2が形成された構造体を大気中
で550℃で1時間熱処理することにより、基板1上に
高さHが約170μmのセラミックリブ8を形成した。
【0030】<比較試験及び評価>実施例1〜6の基板
10に形成されたセラミックキャピラリリブ13を乾燥
してセラミックグリーンリブ(図示せず)にし、更に脱
バインダのため加熱し、引続いて焼成してセラミックリ
ブ14とした。焼成することにより得られたそれぞれの
セラミックリブ14の任意の100本と、比較例1で得
られたセラミックリブ8の任意の100本について、そ
の高さH及び幅を以下のようにそれぞれ測定した。な
お、実施例1におけるセラミックキャピラリリブ13は
150℃において30分乾燥させて溶媒を脱離させてセ
ラミックグリーンリブにし、脱バインダのため加熱した
後、560℃において1時間焼成してセラミックリブを
得た。
10に形成されたセラミックキャピラリリブ13を乾燥
してセラミックグリーンリブ(図示せず)にし、更に脱
バインダのため加熱し、引続いて焼成してセラミックリ
ブ14とした。焼成することにより得られたそれぞれの
セラミックリブ14の任意の100本と、比較例1で得
られたセラミックリブ8の任意の100本について、そ
の高さH及び幅を以下のようにそれぞれ測定した。な
お、実施例1におけるセラミックキャピラリリブ13は
150℃において30分乾燥させて溶媒を脱離させてセ
ラミックグリーンリブにし、脱バインダのため加熱した
後、560℃において1時間焼成してセラミックリブを
得た。
【0031】実施例2におけるセラミックキャピラリリ
ブ13は150℃において30分乾燥させて溶媒を脱離
させてセラミックグリーンリブにし、脱バインダのため
加熱した後、580℃において1時間焼成してセラミッ
クリブを得た。また、実施例3におけるセラミックキャ
ピラリリブ13は150℃において30分乾燥させて溶
媒を脱離させてセラミックグリーンリブにし、脱バイン
ダのため加熱した後、550℃において1時間焼成して
セラミックリブを得た。更に、実施例4〜6におけるセ
ラミックキャピラリリブ13は室温において10分間乾
燥させ、その後脱バインダのため更に加熱した後、55
0℃において10分間焼成してセラミックリブ及びセラ
ミック絶縁層を得た。
ブ13は150℃において30分乾燥させて溶媒を脱離
させてセラミックグリーンリブにし、脱バインダのため
加熱した後、580℃において1時間焼成してセラミッ
クリブを得た。また、実施例3におけるセラミックキャ
ピラリリブ13は150℃において30分乾燥させて溶
媒を脱離させてセラミックグリーンリブにし、脱バイン
ダのため加熱した後、550℃において1時間焼成して
セラミックリブを得た。更に、実施例4〜6におけるセ
ラミックキャピラリリブ13は室温において10分間乾
燥させ、その後脱バインダのため更に加熱した後、55
0℃において10分間焼成してセラミックリブ及びセラ
ミック絶縁層を得た。
【0032】図2に示すように、実施例1〜6及び比較
例1の基板上の任意の100本のセラミックリブの幅の
測定は、セラミックリブの高さをHとしたときの高さ
(1/2)Hのところのリブの幅WCと、高さ(3/
4)Hのところのリブの幅WMと、高さ(9/10)H
のところのリブの幅WTとをそれぞれ測定することによ
り行った。またこれらの測定値の平均値を算出した後、
H、WC、WM及びWTのそれぞれの(最大値又は最小値
−平均値)/平均値で表されるばらつきを算出した。表
1に実施例1〜3の結果を比較例1の結果と対比させて
示し、表2に実施例4〜6の結果を比較例1の結果と対
比させて示す。
例1の基板上の任意の100本のセラミックリブの幅の
測定は、セラミックリブの高さをHとしたときの高さ
(1/2)Hのところのリブの幅WCと、高さ(3/
4)Hのところのリブの幅WMと、高さ(9/10)H
のところのリブの幅WTとをそれぞれ測定することによ
り行った。またこれらの測定値の平均値を算出した後、
H、WC、WM及びWTのそれぞれの(最大値又は最小値
−平均値)/平均値で表されるばらつきを算出した。表
1に実施例1〜3の結果を比較例1の結果と対比させて
示し、表2に実施例4〜6の結果を比較例1の結果と対
比させて示す。
【0033】
【表1】
【0034】
【表2】
【0035】表1及び表2から明らかなように、実施例
1〜実施例6の結果により、本発明の方法により有効に
セラミックキャピラリリブを基板上に形成することが明
らかになった。また、このセラミックキャピラリリブを
乾燥して、更に脱バインダのため加熱し、引続いて焼成
することによりセラミックリブを得ることができること
が判明し、比較例1に比較して少ない工程で材料の無駄
なく、簡便にセラミックリブを得ることが明らかになっ
た。更に、このセラミックキャピラリリブを乾燥、加熱
及び焼成して得られたセラミックリブのアスペクト比は
2〜10であることから本発明により極めて精度の高い
セラミックリブが得られることも判明した。
1〜実施例6の結果により、本発明の方法により有効に
セラミックキャピラリリブを基板上に形成することが明
らかになった。また、このセラミックキャピラリリブを
乾燥して、更に脱バインダのため加熱し、引続いて焼成
することによりセラミックリブを得ることができること
が判明し、比較例1に比較して少ない工程で材料の無駄
なく、簡便にセラミックリブを得ることが明らかになっ
た。更に、このセラミックキャピラリリブを乾燥、加熱
及び焼成して得られたセラミックリブのアスペクト比は
2〜10であることから本発明により極めて精度の高い
セラミックリブが得られることも判明した。
【0036】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ブ
レードに形成されたくし歯をペースト膜につき刺し、ブ
レードのエッジを成膜した基板表面に接触させた状態で
ブレード又は基板を一定方向に移動することにより、ブ
レードのくし歯に対応する箇所のペーストはくし歯の隙
間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯の隙間に位
置するペーストのみが基板上に残存して、基板の表面に
セラミックキャピラリリブを形成することができる。こ
の結果、本発明の方法では、少ない工程で材料の無駄な
く、簡便にかつ精度良くセラミックキャピラリリブを形
成することができる。このように形成されたセラミック
キャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成することに
より基板上にセラミックリブを形成することができる。
このため、リブとなる部分を厚膜印刷で重ね塗りする従
来の厚膜印刷法や、或いはレジスト層形成のための露
光、現像等の複雑な工程を経てセルとなる部分をサンド
ブラスト処理で取除く従来の方法と比べて、極めて簡便
である。この結果、プラズマディスプレイパネル、液晶
表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路等の製造工程に
おける発光体のセルの隔壁やバス電極上に形成される絶
縁保護層となるセラミックリブの効率の良い量産を図る
ことができる。
レードに形成されたくし歯をペースト膜につき刺し、ブ
レードのエッジを成膜した基板表面に接触させた状態で
ブレード又は基板を一定方向に移動することにより、ブ
レードのくし歯に対応する箇所のペーストはくし歯の隙
間に移動するか若しくは掃き取られ、くし歯の隙間に位
置するペーストのみが基板上に残存して、基板の表面に
セラミックキャピラリリブを形成することができる。こ
の結果、本発明の方法では、少ない工程で材料の無駄な
く、簡便にかつ精度良くセラミックキャピラリリブを形
成することができる。このように形成されたセラミック
キャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成することに
より基板上にセラミックリブを形成することができる。
このため、リブとなる部分を厚膜印刷で重ね塗りする従
来の厚膜印刷法や、或いはレジスト層形成のための露
光、現像等の複雑な工程を経てセルとなる部分をサンド
ブラスト処理で取除く従来の方法と比べて、極めて簡便
である。この結果、プラズマディスプレイパネル、液晶
表示装置、蛍光表示装置、混成集積回路等の製造工程に
おける発光体のセルの隔壁やバス電極上に形成される絶
縁保護層となるセラミックリブの効率の良い量産を図る
ことができる。
【0037】また、ガラス粉末又はガラス・セラミック
混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ0.3〜1
5重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70重量%を含
むペーストを使用すれば、基板上に形成されたセラミッ
クキャピラリリブのだれを抑制してセラミックキャピラ
リリブを精度良く形成し、乾燥、加熱及び焼成すること
により得られるセラミックリブを従来より更に精度良く
形成できる。また、厚さが0.01mm以上3.0mm
以下であって、くし歯のピッチをPとし、くし歯の隙間
をw、その隙間の深さをhとするとき、0.03mm≦
h≦1.0mmでありかつw/P≦0.9の関係が成立
するブレードでセラミックキャピラリリブを形成すれ
ば、そのセラミックキャピラリリブは、その後の乾燥及
び焼成により引き締り、所望のリブの隙間を有する緻密
なセラミックリブを得ることができる。
混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ0.3〜1
5重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70重量%を含
むペーストを使用すれば、基板上に形成されたセラミッ
クキャピラリリブのだれを抑制してセラミックキャピラ
リリブを精度良く形成し、乾燥、加熱及び焼成すること
により得られるセラミックリブを従来より更に精度良く
形成できる。また、厚さが0.01mm以上3.0mm
以下であって、くし歯のピッチをPとし、くし歯の隙間
をw、その隙間の深さをhとするとき、0.03mm≦
h≦1.0mmでありかつw/P≦0.9の関係が成立
するブレードでセラミックキャピラリリブを形成すれ
ば、そのセラミックキャピラリリブは、その後の乾燥及
び焼成により引き締り、所望のリブの隙間を有する緻密
なセラミックリブを得ることができる。
【0038】更に本発明の方法により形成されたセラミ
ックリブでは、高さ(1/2)Hのところのリブの幅を
WC、高さ(3/4)Hのところのリブの幅をWM及び
高さ(9/10)Hのところのリブの幅をWTとすると
き、H、WC、WM及びWTのそれぞれの(最大値又は最
小値−平均値)/平均値で表されるばらつきが5%以下
になり、極めて精度の高いセラミックリブが得られる。
ックリブでは、高さ(1/2)Hのところのリブの幅を
WC、高さ(3/4)Hのところのリブの幅をWM及び
高さ(9/10)Hのところのリブの幅をWTとすると
き、H、WC、WM及びWTのそれぞれの(最大値又は最
小値−平均値)/平均値で表されるばらつきが5%以下
になり、極めて精度の高いセラミックリブが得られる。
【0039】なお、ブレードに形成されたくし歯をペー
スト膜につき刺し、ブレードのエッジをペースト膜を形
成した基板表面から所定の高さ浮上した状態でブレード
又は基板を一定方向に移動させれば、基板表面から所定
の高さまでのペーストは基板表面上に残存してセラミッ
クキャピラリ層を形成し、このセラミックキャピラリ層
上にセラミックキャピラリリブを形成することもでき
る。このように形成されたセラミックキャピラリ層及び
セラミックキャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成
することにより基板上に絶縁層を介してセラミックリブ
を形成することができる。このため、本発明によれば絶
縁層付セラミックリブであっても極めて簡便に得ること
ができ、絶縁層付セラミックリブの効率の良い量産を図
ることができる。
スト膜につき刺し、ブレードのエッジをペースト膜を形
成した基板表面から所定の高さ浮上した状態でブレード
又は基板を一定方向に移動させれば、基板表面から所定
の高さまでのペーストは基板表面上に残存してセラミッ
クキャピラリ層を形成し、このセラミックキャピラリ層
上にセラミックキャピラリリブを形成することもでき
る。このように形成されたセラミックキャピラリ層及び
セラミックキャピラリリブをその後乾燥、加熱及び焼成
することにより基板上に絶縁層を介してセラミックリブ
を形成することができる。このため、本発明によれば絶
縁層付セラミックリブであっても極めて簡便に得ること
ができ、絶縁層付セラミックリブの効率の良い量産を図
ることができる。
【図1】本発明におけるセラミックキャピラリリブの形
成状態を示す斜視図。
成状態を示す斜視図。
【図2】図1のA−A線断面におけるセラミックキャピ
ラリリブを乾燥、加熱及び焼成することにより得たセラ
ミックリブを示す断面図。
ラリリブを乾燥、加熱及び焼成することにより得たセラ
ミックリブを示す断面図。
【図3】そのブレードの正面図。
【図4】図3のB−B線断面図。
【図5】別のブレードの図3に対応する正面図。
【図6】更に別のブレードの図3に対応する正面図。
【図7】本発明におけるセラミックキャピラリ層付リブ
の形成状態を示す図1に対応する斜視図。
の形成状態を示す図1に対応する斜視図。
【図8】図7のB−B線断面におけるセラミックキャピ
ラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た
絶縁層付セラミックリブを示す図2に対応する断面図。
ラリ層付リブを乾燥、加熱及び焼成することにより得た
絶縁層付セラミックリブを示す図2に対応する断面図。
【図9】従来のセラミックリブの形成を工程順に示す断
面図。
面図。
【図10】従来の別のセラミックリブの形成を工程順に
示す断面図。
示す断面図。
10 ガラス基板
11 ペースト膜
12 ブレード
12a エッジ
12b くし歯
13、23 セラミックキャピラリリブ
14、25 セラミックリブ
22 セラミックキャピラリ層
25 絶縁層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平4−262338(JP,A)
特開 平9−161670(JP,A)
特開 平10−183018(JP,A)
特開 平4−163126(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01J 9/02
H01J 11/02
B29C 59/00
Claims (6)
- 【請求項1】 ペーストを基板(10)表面に塗布してペー
スト膜(11)を形成する工程と、 エッジ(12a)にくし歯(12b)が形成されたブレード(12)の
前記 くし歯(12b)を前記ペースト膜(11)につき刺して前
記エッジ(12a)を前記基板(10)表面に接触させる工程
と、 前記ブレード(12)又は前記基板(10)を一定方向に移動す
ることにより前記ペースト膜(11)の一部を掃き取って前
記基板(10)表面にセラミックキャピラリリブ(13)を形成
する工程とを含むセラミックキャピラリリブの形成方
法。 - 【請求項2】 ペーストが、ガラス粉末又はガラス・セ
ラミック混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ
0.3〜15重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70
重量%を含む請求項1記載のセラミックキャピラリリブ
の形成方法。 - 【請求項3】 ペーストを基板(10)表面に塗布してペー
スト膜(11)を形成する工程と、 エッジ(12a)にくし歯(12b)が形成されたブレード(12)の
前記くし歯(12b)を前記ペースト膜(11)につき刺して前
記エッジ(12a)を基板(10)表面から所定の高さ浮上させ
る工程と、 前記ブレード(12)又は前記基板(10)を一定方向に移動す
ることにより前記ペースト膜(11)の一部を掃き取って前
記基板(10)表面にセラミックキャピラリ層(22)と前記セ
ラミックキャピラリ層(22)上にセラミックキャピラリリ
ブ(23)を形成する工程とを含むセラミックキャピラリリ
ブの形成方法。 - 【請求項4】 ペーストが、ガラス粉末又はガラス・セ
ラミック混合粉末30〜95重量%と、有機バインダ
0.3〜15重量%と、溶剤と可塑剤と分散剤3〜70
重量%を含む請求項3記載のセラミックキャピラリリブ
の形成方法。 - 【請求項5】 請求項1又は2記載の方法で形成された
セラミックキャピラリリブ(13)を焼成して基板(10)表面
に直接セラミックリブ(14)を形成するセラミックリブの
形成方法。 - 【請求項6】 請求項3又は4記載の方法で形成された
セラミックキャピラリ層(22)及びセラミックキャピラリ
リブ(23)を焼成して基板(10)表面に絶縁層(24)を介して
セラミックリブ(25)を形成するセラミックリブの形成方
法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31601398A JP3387833B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-11-06 | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 |
TW91103460A TWI245951B (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Blade for forming ceramic capillary rib, flat panel display having ceramic ribs, and plasma display panel having ceramic ribs and method of forming the same |
KR10-1999-0002869A KR100388698B1 (ko) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | 세라믹 캐필러리 리브 형성 방법, 그에 사용되는 세라믹 페이스트 및 그 형성 장치 |
TW88101396A TW498180B (en) | 1998-01-30 | 1999-01-29 | Method of forming ceramic capillary rib, ceramic paste used therefor, and apparatus for forming same |
US09/240,858 US20020180353A1 (en) | 1998-01-30 | 1999-02-01 | Method of forming ceramic capillary rib, ceramic paste used therefor, and apparatus for forming same |
US10/694,902 US20040085266A1 (en) | 1998-01-30 | 2003-10-29 | Method of forming ceramic capillary rib, ceramic paste used therefor, and apparatus for forming same |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1889498 | 1998-01-30 | ||
JP10-18894 | 1998-01-30 | ||
JP31601398A JP3387833B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-11-06 | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001356790A Division JP2002197980A (ja) | 1998-01-30 | 2001-11-22 | セラミックリブ及びこれを有するfpd |
JP2001356789A Division JP3528967B2 (ja) | 1998-01-30 | 2001-11-22 | セラミックキャピラリリブの形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11283497A JPH11283497A (ja) | 1999-10-15 |
JP3387833B2 true JP3387833B2 (ja) | 2003-03-17 |
Family
ID=26355634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31601398A Expired - Fee Related JP3387833B2 (ja) | 1998-01-30 | 1998-11-06 | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3387833B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4590664B2 (ja) * | 1999-11-09 | 2010-12-01 | 凸版印刷株式会社 | プラズマアドレス液晶パネルの背面板及びその製造方法 |
JP4631153B2 (ja) * | 1999-12-02 | 2011-02-16 | パナソニック株式会社 | ディスプレイ用部材およびディスプレイ |
FR2818798B1 (fr) * | 2000-12-22 | 2003-02-21 | Thomson Multimedia Sa | Procede de fabrication d'un reseau de barrieres en materiau mineral sur une dalle pour panneau de visualisation a plasma |
JP2002274884A (ja) * | 2001-01-09 | 2002-09-25 | Mitsubishi Materials Corp | セラミックリブを形成するためのペースト及びその製造方法並びにそれを用いたリブ状物の形成方法 |
JP3987701B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2007-10-10 | 三菱マテリアル株式会社 | リブ状物の形成用ブレード及びこのブレードの製造方法 |
JP2003242881A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-08-29 | Mitsubishi Materials Corp | バリアリブを形成するためのペースト |
-
1998
- 1998-11-06 JP JP31601398A patent/JP3387833B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11283497A (ja) | 1999-10-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5985460A (en) | Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib | |
KR100369565B1 (ko) | 전기발열체용 저항 페이스트 조성물 | |
KR20140013875A (ko) | 구리 전극의 제조 방법 | |
JP3387833B2 (ja) | セラミックキャピラリリブの形成方法及びこれを用いたセラミックリブの形成方法 | |
JP3941321B2 (ja) | ガラス組成物及びその混合体、並びにそれを用いたペースト、グリーンシート、絶縁体、誘電体、厚膜及びfpd | |
JP4240577B2 (ja) | 誘電体ペーストおよびそれを用いたディスプレイ基板の製造方法 | |
KR100739061B1 (ko) | 전극 형성용 감광성 조성물, 전사필름, 전극 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 | |
KR20050042284A (ko) | 세라믹 리브를 형성하기 위한 페이스트 및 그 제조 방법 및이를 이용한 리브형 물질의 형성 방법 | |
EP0008782B1 (en) | Process for providing overglaze for fired metallizations and ac plasma display panel comprising two overglazed substrates | |
JP3528967B2 (ja) | セラミックキャピラリリブの形成方法 | |
JP2876029B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの障壁の製造方法 | |
JPH11100232A (ja) | プラズマディスプレー装置のバリアリブを作成するための複合材料および方法 | |
JP2002197980A (ja) | セラミックリブ及びこれを有するfpd | |
JP4116676B2 (ja) | 絶縁体組成物、グリーンテープおよびそれらを用いるプラズマディスプレイ装置の隔壁形成方法 | |
JP3427884B2 (ja) | セラミックリブを形成するためのペースト | |
JP3440988B2 (ja) | プラズマディスプレイパネルの製造方法及びこれに用いるセラミックペースト | |
JP2000185937A (ja) | セラミックキャピラリリブ形成用ペースト | |
JP3991500B2 (ja) | 基板表面にリブ状物を形成する方法及びその成形装置 | |
JPH10226584A (ja) | セラミックリブ及びその形成方法 | |
JPH09286955A (ja) | パターン形成用ペーストおよびパターン形成方法 | |
JP2003020253A (ja) | ペーストの製造方法及びそれを用いたリブ状物の形成方法 | |
JP2000185963A (ja) | セラミックキャピラリリブを形成するためのセラミックペースト | |
JPH09265833A (ja) | パターン形成用ペースト | |
JPH09275266A (ja) | 微細パターンおよびパターン形成方法 | |
Kim et al. | 32.2: Development of PDP Rear Panel by Etching Technology |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20021211 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080110 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090110 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |