JP3359073B2 - Organic thin film EL device - Google Patents
Organic thin film EL deviceInfo
- Publication number
- JP3359073B2 JP3359073B2 JP35656092A JP35656092A JP3359073B2 JP 3359073 B2 JP3359073 B2 JP 3359073B2 JP 35656092 A JP35656092 A JP 35656092A JP 35656092 A JP35656092 A JP 35656092A JP 3359073 B2 JP3359073 B2 JP 3359073B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- organic
- organic thin
- metal
- interface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は表示装置用の素子に関
し、さらに詳しくは有機薄膜を用いたＥＬ素子において
その性能を高性能とした素子を提供するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a device for a display device, and more particularly, to an EL device using an organic thin film, which has high performance.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の情報化の目覚ましい進展に伴い、
情報を表示する高品位な表示装置のニーズが高まってい
る。この表示装置用の素子として、エレクトロルミネッ
センス（ＥＬ）を利用した電界発光素子（ＥＬ素子）
が、その視認性の良さ等の優れた性能から注目されてい
る。2. Description of the Related Art With the remarkable progress of computerization in recent years,
The need for a high-quality display device for displaying information is increasing. As an element for this display device, an electroluminescent element (EL element) utilizing electroluminescence (EL)
However, attention has been paid to its excellent performance such as good visibility.
【０００３】従来、無機微粒子を有機物質に分散させた
素子や、ＺｎＳ等の無機薄膜を絶縁体薄膜で挟んだ素子
等、所謂真性型と呼ばれるＥＬ素子等が開発され、実用
化されている。しかしながら、これらの素子は、駆動電
圧が高く、また青色等の発光色が得られにくい等の問題
がある。Heretofore, an EL element called an intrinsic type, such as an element in which inorganic fine particles are dispersed in an organic substance, an element in which an inorganic thin film such as ZnS is sandwiched between insulating thin films, and the like have been developed and put into practical use. However, these devices have problems such as a high driving voltage and difficulty in obtaining a luminescent color such as blue.
【０００４】一方、これら真性型ＥＬ素子の他に、注入
型ＥＬ素子が知られている。この素子は、半導体等のｐ
−ｎ接合に電子と正孔を注入し、その再結合により光を
発生させるものである。この素子の特徴として、低電圧
での直流駆動が可能で、また電流から光への変換効率が
高いこと等である。かかる材料には、主にＧａＰ等の無
機結晶半導体が用いられている。しかしながら、発光色
が限られていることや、大面積化が困難なこと等の問題
がある。したがって、駆動電圧が小さく、発光色が自由
に選べ、しかも大面積な素子の製造技術が求められてい
る。On the other hand, in addition to these intrinsic EL elements, injection type EL elements are known. This element is a p-type semiconductor.
Injects electrons and holes into the -n junction and generates light by recombination. The features of this element are that it can be driven at a low voltage by direct current, and has high conversion efficiency from current to light. For such a material, an inorganic crystalline semiconductor such as GaP is mainly used. However, there are problems such as limited emission colors and difficulty in increasing the area. Therefore, there is a demand for a technique for manufacturing a device having a small driving voltage, a freely selectable emission color, and a large area.
【０００５】最近、新たに有機薄膜を用いた注入型ＥＬ
素子が報告され（C.W.Tang：Appl.phys. Lett. 51(1
2)、(1987) 193）、注目を集めている。これは、有機化
合物により発光色を自由に選択できること、低電圧直流
駆動が可能なこと、蒸着や塗布法等の薄膜形成法により
大面積化が容易なこと等が期待できるからである。Recently, an injection type EL using a new organic thin film
A device was reported (CWTang: Appl.phys. Lett. 51 (1
2), (1987) 193). This is because it is expected that the emission color can be freely selected by an organic compound, that low-voltage DC driving can be performed, and that a large area can be easily achieved by a thin film forming method such as vapor deposition or coating.
【０００６】これらの有機薄膜を用いたＥＬ素子は、例
えば米国特許第４３５６４２９号、第４５３９５０７
号、第４７２０４３２号、第４７６９２９２号、第４８
８５２１１号等に開示されている。また本発明者等は先
に有機薄膜と無機薄膜とを積層した薄膜を用いたＥＬ素
子を発明した。これは特開平２−１９６４７５号及び特
開平２−２０７４８８号に開示されている。しかしなが
ら、これらの有機薄膜を利用したＥＬ素子は、長時間動
作させると発光輝度が低下する所謂劣化があると報告さ
れている。An EL device using such an organic thin film is disclosed in, for example, US Pat. Nos. 4,356,429 and 4,539,507.
No. 4,720,432, No. 4,769,292, No. 48
No. 85211. The present inventors have previously invented an EL element using a thin film in which an organic thin film and an inorganic thin film are stacked. This is disclosed in JP-A-2-196475 and JP-A-2-207488. However, it has been reported that EL devices using these organic thin films have a so-called deterioration in which the light emission luminance decreases when operated for a long time.
【０００７】上記の有機薄膜を用いた素子は、２つの電
極間に正孔輸送性有機薄膜と発光性有機薄膜を形成した
構造を有しており、第１電極としては主にＩＴＯの薄膜
が、第２電極としてＭｇなどの金属薄膜が利用されてい
る。一方、有機薄膜と無機薄膜を積層した薄膜を用いた
素子では、２つの電極間に正孔輸送性無機薄膜と発光性
有機薄膜を形成した構造を有しており、第１電極として
主にＩＴＯの薄膜が、第２電極としてＭｇなどの金属薄
膜が利用されている。これらの素子において、以下の劣
化の現象が観察される：大気中に放置しておくと駆動
電圧が上昇し、素子が破壊される。連続動作では、駆
動電圧の上昇や、発光能力のない黒点の発生などが観測
される。駆動電流負荷を上げると発熱により輝度が大
幅に低下する等である。The device using the above organic thin film has a structure in which a hole transporting organic thin film and a light emitting organic thin film are formed between two electrodes, and an ITO thin film is mainly used as the first electrode. As the second electrode, a metal thin film such as Mg is used. On the other hand, an element using a thin film obtained by laminating an organic thin film and an inorganic thin film has a structure in which a hole transporting inorganic thin film and a luminescent organic thin film are formed between two electrodes, and ITO is mainly used as a first electrode. And a metal thin film such as Mg is used as the second electrode. In these devices, the following degradation phenomena are observed: if left in the air, the drive voltage increases and the devices are destroyed. In the continuous operation, an increase in the driving voltage, generation of a black spot without light emission ability, and the like are observed. When the driving current load is increased, the luminance is greatly reduced due to heat generation.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】これらの劣化の原因に
ついて本発明者等が種々検討した結果、有機薄膜と金属
薄膜との界面並びに有機薄膜と無機薄膜（ＩＴＯ薄膜等
の透明な導電性無機薄膜及び正孔輸送性無機薄膜）との
界面に問題があることを見出した。即ち、例えば有機薄
膜を用いたＥＬ素子においては、ＩＴＯの無機薄膜と正
孔輸送性有機薄膜とが接触して界面を形成しており、ま
た金属薄膜と発光性有機薄膜とが接触して界面を形成し
ており、このように異種材料が積層されていると薄膜が
非常に不安定になり、これらの素子の重大な劣化の原因
になっていた。従って、素子の劣化を改善するために
は、まず始めに接触している異種材料薄膜間の界面を改
良する必要がある。As a result of various studies by the present inventors on the causes of these degradations, the inventors have found that the interface between an organic thin film and a metal thin film and between an organic thin film and an inorganic thin film (a transparent conductive inorganic thin film such as an ITO thin film). And a hole transporting inorganic thin film). That is, for example, in an EL device using an organic thin film, an inorganic thin film of ITO and an organic thin film having a hole transport contact each other to form an interface, and a metal thin film and an organic thin film emit light to form an interface. When such different kinds of materials are stacked, the thin film becomes very unstable, causing serious deterioration of these devices. Therefore, in order to improve the deterioration of the device, it is necessary to first improve the interface between the different material thin films that are in contact.
【０００９】本発明の目的は、有機薄膜上に形成される
金属薄膜の凹凸が少なく且つ金属薄膜の付着強度が大き
く、従って、駆動電圧が低く、連続駆動においても初期
駆動電圧を維持し、長期間の操作においても発光の均一
性が保たれるＥＬ素子を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a metal thin film formed on an organic thin film with little irregularities and a high adhesion strength of the metal thin film. Therefore, the driving voltage is low. An object of the present invention is to provide an EL element in which uniformity of light emission is maintained even during a period operation.
【００１０】本発明のその他の目的は、発光効率が改善
されているＥＬ素子を提供することにある。Another object of the present invention is to provide an EL device having improved luminous efficiency.
【００１１】本発明の更にその他の目的は、大面積を有
するＥＬ素子を提供することにある。It is still another object of the present invention to provide an EL device having a large area.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明の有機薄膜ＥＬ素
子は、その第１の態様として、少なくとも１層の有機薄
膜が２つの電極間に挟まれた層構造を有し、それらの電
極の少なくとも一方が金属薄膜であるＥＬ素子におい
て、該有機薄膜と該金属薄膜とが隣接していて、それら
の界面には該有機薄膜及び該金属薄膜の少なくとも一方
の界面側表面を有機リン化合物で処理することにより界
面層が形成されていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided an organic thin film EL device having a layer structure in which at least one organic thin film is sandwiched between two electrodes. In an EL element in which at least one is a metal thin film, the organic thin film and the metal thin film are adjacent to each other, and at the interface between them, at least one interface side surface of the organic thin film and the metal thin film is treated with an organic phosphorus compound. By doing so, an interface layer is formed.
【００１３】[0013]
【００１４】[0014]
【００１５】本発明の有機薄膜ＥＬ素子は、その第４の
態様として、少なくとも１層の有機薄膜が２つの電極間
に挟まれた構造を有し、それらの電極の一方が金属薄膜
であり、他方が透明な導電性無機薄膜であるＥＬ素子に
おいて、該有機薄膜と該金属薄膜とが隣接していて、そ
れらの界面には該有機薄膜及び該金属薄膜の少なくとも
一方の界面側表面を有機リン化合物で処理することによ
り第１の界面層が形成されており、該有機薄膜と該透明
な導電性無機薄膜とが隣接していて、それらの界面には
該有機薄膜及び該透明な導電性無機薄膜の少なくとも一
方の界面側表面をシランカップリング剤で処理すること
により第２の界面層が形成されていることを特徴とす
る。As a fourth aspect, the organic thin film EL device of the present invention has a structure in which at least one layer of an organic thin film is sandwiched between two electrodes, and one of the electrodes is a metal thin film; In an EL element in which the other is a transparent conductive inorganic thin film, the organic thin film and the metal thin film are adjacent to each other, and at least one of the interface side surfaces of the organic thin film and the metal thin film is an organic phosphorous thin film. A first interface layer is formed by treating with a compound, and the organic thin film and the transparent conductive inorganic thin film are adjacent to each other, and the organic thin film and the transparent conductive inorganic A second interface layer is formed by treating at least one interface side surface of the thin film with a silane coupling agent.
【００１６】本発明の有機薄膜ＥＬ素子は、その第５の
態様として、少なくとも１層の有機薄膜が２つの電極間
に挟まれた構造を有し、それらの電極の一方が金属薄膜
であり、他方が透明な導電性無機薄膜であり、該透明な
導電性無機薄膜と有機薄膜との間には無機半導体薄膜が
設けられているＥＬ素子において、該有機薄膜と該金属
薄膜とが隣接していて、それらの界面には該有機薄膜及
び該金属薄膜の少なくとも一方の界面側表面を有機リン
化合物で処理することにより第１の界面層が形成されて
おり、該有機薄膜と該無機半導体薄膜とが隣接してい
て、それらの界面には該有機薄膜及び該無機半導体薄膜
の少なくとも一方の界面側表面をシランカップリング剤
で処理することにより第２の界面層が形成されているこ
とを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided an organic thin film EL device having a structure in which at least one layer of an organic thin film is sandwiched between two electrodes, one of the electrodes being a metal thin film, The other is a transparent conductive inorganic thin film, and in an EL element in which an inorganic semiconductor thin film is provided between the transparent conductive inorganic thin film and the organic thin film, the organic thin film and the metal thin film are adjacent to each other. A first interface layer is formed at the interface by treating at least one interface side surface of the organic thin film and the metal thin film with an organic phosphorus compound. Are adjacent to each other, and a second interface layer is formed at the interface thereof by treating at least one interface side surface of the organic thin film and the inorganic semiconductor thin film with a silane coupling agent. I do.
【００１７】本発明の有機薄膜ＥＬ素子における有機薄
膜としては、従来の有機薄膜ＥＬ素子に用いられている
いかなる有機薄膜でも用いることができ、例えば蛍光性
を有する有機化合物からなる有機薄膜、蛍光性を有する
有機化合物と正孔輸送性や電子輸送性を有する有機化合
物との混合物からなる有機薄膜、発光性有機薄膜と正孔
輸送性有機薄膜との積層有機薄膜、発光性有機薄膜と正
孔輸送性有機薄膜と電子輸送性有機薄膜との積層有機薄
膜を用いることができる。As the organic thin film in the organic thin film EL device of the present invention, any organic thin film used in a conventional organic thin film EL device can be used. For example, an organic thin film made of an organic compound having fluorescence, Organic thin film composed of a mixture of an organic compound having an organic compound having a hole transporting property and an electron transporting property, a laminated organic thin film of a luminescent organic thin film and a hole transporting organic thin film, a luminescent organic thin film and a hole transporting A laminated organic thin film of a conductive organic thin film and an electron transporting organic thin film can be used.
【００１８】蛍光性を有する有機化合物として、好まし
くは、２，３，５，６−テトラキス（２−（４−メチル
フェニル）ビニル）ピラジン等のテトラビニルピラジン
誘導体、トリス−（８−ヒドロキシキノリノール）アル
ミニューム等の金属錯体化合物、ピラジン誘導体、スチ
リルアントラセン誘導体、スチリル誘導体、クマリン誘
導体、オキサジアゾール誘導体等が挙げられる。The fluorescent organic compound is preferably a tetravinylpyrazine derivative such as 2,3,5,6-tetrakis (2- (4-methylphenyl) vinyl) pyrazine, tris- (8-hydroxyquinolinol) Examples thereof include metal complex compounds such as aluminum, pyrazine derivatives, styryl anthracene derivatives, styryl derivatives, coumarin derivatives, and oxadiazole derivatives.
【００１９】電子輸送性を持つ有機化合物として、好ま
しくは、トリス−（８−ビドロキシキノリノール）アル
ミニューム等の金属錯体化合物、２，５−ビス（４’−
ジエチルアミノフェニル）−１、２、４−オキサジアゾ
ール等のオキサジアゾール誘導体が挙げられる。As the organic compound having an electron transporting property, preferably, a metal complex compound such as aluminum tris- (8-vidroxyquinolinol), 2,5-bis (4'-
Oxadiazole derivatives such as (diethylaminophenyl) -1,2,4-oxadiazole.
【００２０】正孔輸送性を持つ有機化合物として、好ま
しくは、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３
−メチルフェニル）−１、１’−ジフェニル−４、４’
−ジアミン等のジアミン化合物や、銅フタロシアニン等
のフタロシアニン化合物、ポリビニルカルバゾールや、
ポリメチルフェニルシラン等のポリマー化合物が挙げら
れる。The organic compound having a hole transporting property is preferably N, N'-diphenyl-N, N'-bis- (3
-Methylphenyl) -1,1'-diphenyl-4,4 '
-Diamine compounds such as diamines, phthalocyanine compounds such as copper phthalocyanine, polyvinyl carbazole,
Polymer compounds such as polymethylphenylsilane are exemplified.
【００２１】本発明においては、これら化合物を有機薄
膜に形成するが、有機薄膜の形成方法としては、真空蒸
着法、昇華法や、塗布法等が適宜用いられる。有機薄膜
の厚みは、通常１０〜３０００Å程度である。In the present invention, these compounds are formed into an organic thin film. As a method for forming the organic thin film, a vacuum deposition method, a sublimation method, a coating method, or the like is appropriately used. The thickness of the organic thin film is usually about 10 to 3000 °.
【００２２】本発明の有機薄膜ＥＬ素子において少なく
とも１層の有機薄膜を挟む２つの電極はその少なくとも
一方が金属薄膜である。即ち、それらの電極の一方が金
属薄膜であり、他方が透明な導電性無機薄膜であるか又
は光透過性のメッシュ状金属薄膜であるか、光の透過が
可能なように部分的に形成された金属薄膜である。好ま
しくは、金属薄膜と透明な導電性無機薄膜との組合わせ
で用いられる。In the organic thin film EL device of the present invention, at least one of the two electrodes sandwiching at least one organic thin film is a metal thin film. That is, one of the electrodes is a metal thin film, and the other is a transparent conductive inorganic thin film or a light-transmitting mesh-like metal thin film, or is partially formed so as to allow light transmission. Metal thin film. Preferably, it is used in combination with a metal thin film and a transparent conductive inorganic thin film.
【００２３】透明な導電性無機薄膜としては、金属酸化
物、金属シリサイド等の薄膜およびそれらを積層した薄
膜などが用いられる。より好ましくは、酸化スズ（Ｓｎ
Ｏ2）、酸化インジューム（Ｉｎ2 Ｏ3 ）、酸化インジ
ューム・酸化スズ（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）など
の透明導電膜等が挙げられる。厚みは、特に限定されな
いが、通常１０〜５０００Å程度が使用される。勿論、
これ以外のものも使用可能である。導電性無機薄膜の製
造方法としては、蒸着法、スパッタ法などの薄膜形成方
法が適宜用いられる。As the transparent conductive inorganic thin film, a thin film of a metal oxide, a metal silicide or the like, a thin film obtained by laminating them, and the like are used. More preferably, tin oxide (Sn
O 2 ), indium oxide (In 2 O 3 ), indium oxide / tin oxide (ITO), and zinc oxide (ZnO). The thickness is not particularly limited, but usually about 10 to 5000 ° is used. Of course,
Others can be used. As a method for producing the conductive inorganic thin film, a thin film forming method such as an evaporation method or a sputtering method is appropriately used.
【００２４】金属薄膜としては、金属、合金などの薄
膜、およびそれらを積層した薄膜などが用いられる。好
ましくは、Ｍｇ等の周期律表第II族の金属、Ａｌ等の第
III 族の金属、Ｍｇ−Ａｇ等のII−Ｉ族の金属の合金、
Ｍｇ−Ｉｎ等のII−III 族の金属の合金等の薄膜が挙げ
られる。金属薄膜の厚みは、特に限定されないが、通常
１０〜５０００Å程度が使用される。また、金属薄膜の
製造方法としては、蒸着法、スパッタ法などの薄膜形成
方法が適宜用いられる。As the metal thin film, a thin film of a metal, an alloy or the like, a thin film obtained by laminating them, and the like are used. Preferably, a metal of Group II of the periodic table such as Mg, or a second metal such as Al
Group III metals, alloys of II-I metals such as Mg-Ag,
Examples of the thin film include alloys of II-III group metals such as Mg-In. The thickness of the metal thin film is not particularly limited, but is usually about 10 to 5000 °. As a method for producing a metal thin film, a thin film forming method such as a vapor deposition method or a sputtering method is appropriately used.
【００２５】本発明の有機薄膜ＥＬ素子における無機半
導体薄膜としては、特に限定されるものではないが、好
ましくは非結晶質や微結晶質の半導体薄膜などが挙げら
れる。より好ましくは、Ｓｉ系材料やＳｉＣ系材料等が
挙げられ、水素化非結晶質Ｓｉ、水素化非結晶質Ｓｉ
Ｃ、水素化微結晶質Ｓｉ、水素化微結晶質ＳｉＣ等が挙
げられる。また、この薄膜は、組成変調やドーピングお
よび積層構造などで正孔伝導性や電子伝導性を制御する
ことは勿論可能である。厚みは、特に限定されないが、
通常１０〜３０００Å程度が使用される。勿論、これ以
外のものも使用可能である。無機半導体薄膜の製造方法
としては、光ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ
法、ＭＢＥ法、蒸着法、スパッタ法などの各種の薄膜形
成方法が用いられる。The inorganic semiconductor thin film in the organic thin film EL device of the present invention is not particularly limited, but preferably includes an amorphous or microcrystalline semiconductor thin film. More preferably, a Si-based material, a SiC-based material, or the like can be used, and hydrogenated amorphous Si, hydrogenated amorphous Si
C, hydrogenated microcrystalline Si, hydrogenated microcrystalline SiC, and the like. Further, it is of course possible to control the hole conductivity and the electron conductivity of this thin film by means of composition modulation, doping, and a laminated structure. The thickness is not particularly limited,
Usually, about 10 to 3000 ° is used. Of course, other things can also be used. As a method for producing an inorganic semiconductor thin film, there are a photo CVD method, a plasma CVD method, and a thermal CVD method.
Various thin-film forming methods such as a method, an MBE method, an evaporation method, and a sputtering method are used.
【００２６】本発明の有機薄膜ＥＬ素子においては、有
機薄膜と金属薄膜とが隣接していて、それらの界面には
有機薄膜及び金属薄膜の少なくとも一方の界面側表面を
有機リン化合物で処理することにより界面層が形成され
ている。このような界面層を形成するために用いる有機
リン化合物としては、好ましくは、リン酸エステル、酸
性リン酸エステル、亜リン酸エステル、有機フォスフィ
ン等が挙げられる。In the organic thin film EL device of the present invention, the organic thin film and the metal thin film are adjacent to each other, and at least one of the organic thin film and the metal thin film on the interface side is treated with an organic phosphorus compound. Forms an interface layer. As the organic phosphorus compound used for forming such an interface layer, preferably, a phosphoric acid ester, an acidic phosphoric acid ester, a phosphite, an organic phosphine and the like are used.
【００２７】リン酸エステルとしては、トリメチルホス
フェート、トリエチルフォスフェート、トリブチルホス
フェート、トリフェニルホスフェート、トリクレジルフ
ォスフェート、クレジル・ジフェニルフォスフェート等
が挙げられる。Examples of the phosphoric acid ester include trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, and the like.
【００２８】酸性リン酸エステルとしては、エチルアシ
ッドフォスフェート、イソプロピルアシッドフォスフェ
ート等が挙げられる。Examples of the acidic phosphate include ethyl acid phosphate and isopropyl acid phosphate.
【００２９】亜リン酸エステルとしては、第三級フォス
ファイト類と第二級フォスファイト類が挙げられる。第
三級フォスファイト類としては、トリフェニルホスファ
イト、トリス（ノニルフェニル）ホスファイト、トリイ
ソオクチルホスファイト、フェニルジイソデシルホスフ
ァイト、トリイソデシルホスファイト、トリスステアリ
ルホスファイト、トリオレイルホスファイト、トリラウ
リルトリチオホスファイト等が、第二級フォスファイト
類としては、ジ−２−エチルヘキシルハイドロゼンホス
ファイト、ジウラリルハイドロゼンホスファイト、ジオ
レイルハイドロゼンホスファイト等が挙げられる。Examples of the phosphite include tertiary phosphites and secondary phosphites. Tertiary phosphites include triphenyl phosphite, tris (nonylphenyl) phosphite, triisooctyl phosphite, phenyl diisodecyl phosphite, triisodecyl phosphite, trisstearyl phosphite, trioleyl phosphite, Examples of the secondary phosphites include lauryl trithiophosphite and the like, and examples thereof include di-2-ethylhexyl hydrogen phosphite, diuralyl hydrogen phosphite, and dioleyl hydrogen phosphite.
【００３０】有機フォスフィンとしては、トリフェニル
フォスフィン等が挙げられる。Examples of the organic phosphine include triphenylphosphine.
【００３１】本発明の有機薄膜ＥＬ素子において、有機
薄膜と金属薄膜との間に形成されている界面層の形成
は、有機薄膜を形成した後、その表面を有機リン化合物
で被い、その後金属薄膜を形成することにより行われ
る。有機リン化合物による被覆は、より好ましい方法と
しては、有機リン化合物が液体状のものや気体状のもの
では、そのままで、または加熱して蒸気を発生させ、該
気体や蒸気に曝したり、液状で塗布、浸潤（デッピン
グ）等を行うことにより実施される。また、固体状のも
のでは、溶剤に溶解しての塗布や、真空蒸着など適宜用
いられる。特に好ましいのは、蒸気として接触させるこ
とである。有機薄膜の表面に形成される有機リン化合物
界面層の厚みは、好ましくは単分子から１００Å程度で
ある。なお、有機リン化合物界面層が形成されたこと
は、表面の光反射が変わることで確認できる。なお、斯
くして形成された有機リン界面層は、引き続く金属薄膜
形成の際の加熱により、必然的に加熱され、接触界面で
反応し、一種の結合を生成するとも推察される。In the organic thin film EL device of the present invention, the interface layer formed between the organic thin film and the metal thin film is formed by forming an organic thin film, covering the surface with an organic phosphorus compound, and then forming a metal. This is performed by forming a thin film. The coating with the organic phosphorus compound is more preferable as a method in which the organic phosphorus compound is in a liquid state or a gaseous state, as it is, or is heated to generate a vapor, and is exposed to the gas or the vapor, or in a liquid state. It is performed by performing application, infiltration (dipping), and the like. In the case of a solid material, it may be used as appropriate, such as by dissolving it in a solvent or by vacuum evaporation. Particularly preferred is contacting as vapor. The thickness of the organic phosphorus compound interface layer formed on the surface of the organic thin film is preferably from a single molecule to about 100 °. The formation of the organic phosphorus compound interface layer can be confirmed by the change in light reflection on the surface. It is also assumed that the organic phosphorus interface layer thus formed is inevitably heated by the heating during the subsequent formation of the metal thin film, reacts at the contact interface, and forms a kind of bond.
【００３２】本発明の有機薄膜ＥＬ素子においては、有
機薄膜と無機薄膜（即ち、透明な導電性無機薄膜又は無
機半導体薄膜）との間にシランカップリング剤での処理
で生じた界面層が形成されている。界面層を形成するた
めに用いられるシランカップリング剤は一般式 Ｘ−Ｓi(ＯＲ)3 （式中、Ｘは有機物と反応する官能基で、アミノ基、ビ
ニル基、エポキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子等で
あり、Ｒは加水分解可能な基で、メチル基、エチル基等
である）で表される化合物である、その範囲内で特に限
定されるものではない。In the organic thin film EL device of the present invention, an interface layer formed by treatment with a silane coupling agent is formed between the organic thin film and the inorganic thin film (ie, a transparent conductive inorganic thin film or inorganic semiconductor thin film). Have been. The silane coupling agent used to form the interface layer is represented by the general formula X-Si (OR) 3 (where X is a functional group that reacts with an organic substance, and is an amino group, a vinyl group, an epoxy group, a mercapto group, a halogen R is a hydrolyzable group, such as a methyl group or an ethyl group), and is not particularly limited within the range.
【００３３】好ましいシランカップリング剤の例として
は、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン、γ−
メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリ
ルシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルシラン等の
エポキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミ
ノプロピルトリメトキシシラン等のアミノシランなどが
挙げられる。Examples of preferred silane coupling agents include vinyl silanes such as vinyl trimethoxy silane, and γ-
Examples include acrylic silanes such as methacryloxypropyltrimethoxysilane, epoxy silanes such as γ-glycidoxypropylmethylsilane, and aminosilanes such as N-β- (aminoethyl) -γ-aminopropyltrimethoxysilane.
【００３４】これらシランカップリング剤での処理で生
じた界面層とは、一般式（１）で表される一つまたはそ
れ以上のシランカップリング剤を無機薄膜表面に固定化
したものである。この形成方法は、特に限定されるもの
ではないが、好ましくは無機薄膜上に上記シランカプリ
ング剤をスピンコート法や浸潤法などにより塗布し、加
熱、紫外線照射などで無機薄膜表面とシランカップリン
グ剤を反応させて固定化し、界面層を形成する。要は、
ピンホールがなく、界面層が均一に形成でき、しかも無
機薄膜と有機薄膜の接触が良好になるように、シランカ
ップリング剤および処理方法が適宜選択される。勿論、
シランカップリング剤処理前に無機薄膜表面を熱処理、
プラズマ処理などしておいて接触をより良好にしてもよ
い。The interface layer formed by the treatment with the silane coupling agent is obtained by immobilizing one or more silane coupling agents represented by the general formula (1) on the surface of the inorganic thin film. The formation method is not particularly limited, but preferably the silane coupling agent is applied on the inorganic thin film by a spin coating method or an infiltration method, and the surface of the inorganic thin film is coated with the silane coupling agent by heating, ultraviolet irradiation, or the like. Is reacted and immobilized to form an interface layer. In short,
The silane coupling agent and the treatment method are appropriately selected so that there is no pinhole, the interface layer can be formed uniformly, and the contact between the inorganic thin film and the organic thin film is good. Of course,
Heat treatment of the inorganic thin film surface before silane coupling agent treatment,
The contact may be further improved by plasma treatment or the like.
【００３５】この界面層の厚みは、特に限定されるもの
ではないが、通常単分子膜から１００Å程度が採用され
る。勿論、この外の範囲を使用することは可能である。
要するに、無機薄膜表面にＳｉ有機化合物結合を有する
ような層が形成されていることが重要なことである。The thickness of the interface layer is not particularly limited, but is usually about 100 ° from a monomolecular film. Of course, it is possible to use other ranges.
In short, it is important that a layer having a Si organic compound bond is formed on the surface of the inorganic thin film.
【００３６】次に、本発明の有機薄膜ＥＬ素子の構造の
具体例を図示する：図１はガラス基板等の透明な支持基
板１上に透明な導電性無機薄膜（電極）２、発光性有機
薄膜４、有機リン化合物での処理で形成された界面層
７、金属薄膜（電極）３の順に積層されたＥＬ素子であ
る。図２はガラス基板等の透明な支持基板１上に透明な
導電性無機薄膜（電極）２、正孔輸送性有機薄膜５、発
光性有機薄膜４、有機リン化合物での処理で形成された
界面層７、金属薄膜（電極）３の順に積層されたＥＬ素
子である。これらのＥＬ素子の構造は特に限定されるも
のではなく、要するに、有機薄膜４と金属薄膜３との間
に有機リン化合物から誘導された界面層７が形成されて
いることが重要である。Next, a specific example of the structure of the organic thin film EL device of the present invention is illustrated: FIG. 1 shows a transparent conductive inorganic thin film (electrode) 2 on a transparent support substrate 1 such as a glass substrate, This is an EL element in which a thin film 4, an interface layer 7 formed by treatment with an organic phosphorus compound, and a metal thin film (electrode) 3 are laminated in this order. FIG. 2 shows a transparent conductive inorganic thin film (electrode) 2, a hole transporting organic thin film 5, a luminescent organic thin film 4, and an interface formed by treatment with an organic phosphorus compound on a transparent supporting substrate 1 such as a glass substrate. This is an EL element in which a layer 7 and a metal thin film (electrode) 3 are stacked in this order. The structure of these EL elements is not particularly limited. In short, it is important that an interface layer 7 derived from an organic phosphorus compound is formed between the organic thin film 4 and the metal thin film 3.
【００３７】[0037]
【００３８】本発明の有機薄膜ＥＬ素子の構造のさらに
好ましい具体例を図示する。図３はガラス基板等の透明
な支持基板１上に透明な導電性無機薄膜（電極）２、シ
ランカップリング剤での処理で生じた界面層８、正孔輸
送性有機薄膜５、発光性有機薄膜４、有機リン化合物で
の処理で形成された界面層７、金属薄膜（電極）３の順
に積層されたＥＬ素子である。図４はガラス基板等の透
明な支持基板１上に透明な導電性無機薄膜（電極）２、
無機半導体薄膜６、シランカップリング剤での処理で生
じた界面層９、発光性有機薄膜４、有機リン化合物での
処理で形成された界面層７、金属薄膜（電極）３の順に
積層されたＥＬ素子である。これらのＥＬ素子の構造は
特に限定されるものではなく、要するに、有機薄膜４と
金属薄膜３との間に有機リン化合物での処理で形成され
た界面層７が形成されており、有機薄膜５と透明な導電
性無機薄膜２との間にシランカップリング剤での処理で
生じた界面層８が形成されているか、有機薄膜４と無機
半導体薄膜６との間にシランカップリング剤での処理で
生じた界面層９が形成されていることが重要であり、こ
れらの２つの界面層により一層良好な結果が得られる。A more preferred specific example of the structure of the organic thin film EL device of the present invention is shown. FIG. 3 shows a transparent conductive inorganic thin film (electrode) 2, an interface layer 8 formed by treatment with a silane coupling agent, a hole transporting organic thin film 5, a luminescent organic material on a transparent supporting substrate 1 such as a glass substrate. This is an EL element in which a thin film 4, an interface layer 7 formed by treatment with an organic phosphorus compound, and a metal thin film (electrode) 3 are laminated in this order. FIG. 4 shows a transparent conductive inorganic thin film (electrode) 2 on a transparent support substrate 1 such as a glass substrate.
The inorganic semiconductor thin film 6, the interface layer 9 formed by the treatment with the silane coupling agent, the luminescent organic thin film 4, the interface layer 7 formed by the treatment with the organic phosphorus compound, and the metal thin film (electrode) 3 are laminated in this order. EL element. The structure of these EL elements is not particularly limited. In short, the interface layer 7 formed by the treatment with the organic phosphorus compound is formed between the organic thin film 4 and the metal thin film 3. The interface layer 8 formed by the treatment with the silane coupling agent is formed between the organic thin film 4 and the transparent conductive inorganic thin film 2, or the treatment with the silane coupling agent between the organic thin film 4 and the inorganic semiconductor thin film 6. It is important that the interfacial layer 9 formed in the above is formed, and better results can be obtained by these two interfacial layers.
【００３９】次に、本発明の有機薄膜ＥＬ素子の作成方
法及び評価方法について説明する。まず始めに、有機積
層薄膜を用いたＥＬ素子の作成方法について説明する。Next, a method for producing and an evaluation method for the organic thin film EL device of the present invention will be described. First, a method for manufacturing an EL element using an organic laminated thin film will be described.
【００４０】電子ビーム真空蒸着法により、ガラス基板
上に酸化インジューム・酸化錫（ＩＴＯ）薄膜を形成す
る。その後、有機溶媒に溶解したシランカップリング剤
をこのＩＴＯ上にスピンコート法にて塗布する。これを
加熱されたホットプレート上に置き乾燥させ、ＩＴＯ表
面上にシランカップリング剤で処理された層を形成す
る。この処理層は、元素分析やＦＴ−ＩＲ法により組成
や構造を評価する。また、表面のヌレ性をみるため水滴
の接触角度を求め評価した。An indium oxide / tin oxide (ITO) thin film is formed on a glass substrate by electron beam vacuum evaporation. Thereafter, a silane coupling agent dissolved in an organic solvent is applied on this ITO by spin coating. This is placed on a heated hot plate and dried to form a layer treated with a silane coupling agent on the ITO surface. The composition and structure of this treatment layer are evaluated by elemental analysis or FT-IR method. In addition, the contact angle of a water droplet was determined and evaluated in order to check the wettability of the surface.
【００４１】この基板を真空蒸着装置に入れて有機蒸着
膜を形成する。真空蒸着方法は、ヒータ線（１φ ５回
巻き）を巻いた複数個の石英ボート（１ｃｃ）に正孔輸
送材料、発光材料、電子輸送材料をそれぞれ数ｍｇずつ
入れ、真空中でヒータ線に電流（〜８Ａ）を流し、加熱
して蒸着するが、性質の異なる薄膜を積層する時は、そ
れぞれのボートに電流を流し、順次蒸着し、また性質の
異なる材料を混合する時は、同時にボートに電流を流し
て、蒸着速度をモニターしながら、混合比率を決め共蒸
着を行う。この時の真空度は５×１０-5（Ｔｏｒｒ）程
度で行う。その後、有機リン化合物の溶液の入ったビー
カの中に、この有機薄膜が付いたガラス基板を有機薄膜
が直接触れないよう置く。このビーカを加熱して、有機
リン化合物の蒸気を発生させ、有機薄膜の上に処理され
た層を形成する。この時、処理された層の形成は有機薄
膜の光反射色を観測して行う。この処理層は元素分析や
ＦＴ−ＩＲ法により組成や構造を評価する。その後、別
の真空蒸着装置の金属マスク上に置き、金属が一部蒸着
されないようにして、真空度２×１０-6（Ｔｏｒｒ）
下、タングステンボート内に入れた金属を加熱し、蒸着
膜を形成する。This substrate is placed in a vacuum evaporation apparatus to form an organic evaporation film. In the vacuum deposition method, several mg each of a hole transporting material, a light emitting material, and an electron transporting material are put into a plurality of quartz boats (1 cc) each wound with a heater wire (1φ5 turns), and current is applied to the heater wire in a vacuum. (~ 8A) is flowed, heated and vapor-deposited, but when laminating thin films with different properties, an electric current is applied to each boat to deposit them sequentially, and when mixing materials with different properties, they are simultaneously deposited on the boat. A current is passed, and while monitoring the deposition rate, the mixing ratio is determined and co-deposition is performed. The degree of vacuum at this time is about 5 × 10 −5 (Torr). Thereafter, the glass substrate provided with the organic thin film is placed in a beaker containing a solution of the organic phosphorus compound so that the organic thin film does not directly touch the glass substrate. The beaker is heated to generate a vapor of the organophosphorus compound and form a treated layer on the organic thin film. At this time, the processed layer is formed by observing the light reflection color of the organic thin film. The composition and structure of this treatment layer are evaluated by elemental analysis or FT-IR method. Thereafter, the substrate is placed on a metal mask of another vacuum vapor deposition apparatus so that a metal is not partially vapor-deposited, and the degree of vacuum is 2 × 10 −6 (Torr).
Below, the metal put in the tungsten boat is heated to form a deposited film.
【００４２】蒸着された基板を大気中に取り出し、ＩＴ
Ｏの部分に直流電源のプラス電圧端子を、金属蒸着膜の
部分にマイナス電圧端子を取り付け、直流電源の電圧を
徐々に上げながら、その時示される電圧と電流と発光す
る輝度を測定装置により観測した。The deposited substrate is taken out into the atmosphere, and
The positive voltage terminal of the DC power supply was attached to the portion of O, and the negative voltage terminal was attached to the portion of the metal deposition film, and while gradually increasing the voltage of the DC power supply, the voltage, current, and luminance emitted at that time were observed with a measuring device. .
【００４３】次に、無機半導体薄膜と有機積層薄膜を用
いたＥＬ素子の作成方法について説明する：電子ビーム
真空蒸着法により、ガラス基板上に酸化インジューム・
酸化錫（ＩＴＯ）薄膜を形成する。この基板をプラズマ
ＣＶＤ装置内に置き、真空中で加熱する。一定の温度に
なったら、モノシランガスを主成分をするガスを装置内
に導入し、一定の圧力になるように調整する。一定の圧
力になったら、電極に高周波の電圧を印加して放電を形
成し、導入ガスを分解してＩＴＯ上に無機半導体薄膜を
形成する。その後、有機溶媒に溶解したシランカップリ
ング剤をスピンコート法にて塗布する。これを加熱され
たホットプレート上に置き乾燥させ、ＩＴＯ表面上に処
理された層を形成する。この処理層は元素分析やＦＴ−
ＩＲ法により組成や構造を評価する。また、表面のヌレ
性をみるため水滴の接触角度を求め評価した。Next, a method for manufacturing an EL device using an inorganic semiconductor thin film and an organic laminated thin film will be described: an oxide indium oxide film is formed on a glass substrate by electron beam vacuum evaporation.
A tin oxide (ITO) thin film is formed. This substrate is placed in a plasma CVD apparatus and heated in a vacuum. When the temperature reaches a certain level, a gas containing a monosilane gas as a main component is introduced into the apparatus, and the pressure is adjusted to a certain level. When the pressure becomes constant, a high-frequency voltage is applied to the electrodes to form a discharge, and the introduced gas is decomposed to form an inorganic semiconductor thin film on the ITO. Thereafter, a silane coupling agent dissolved in an organic solvent is applied by spin coating. This is placed on a heated hot plate and dried to form a treated layer on the ITO surface. This treatment layer is used for elemental analysis and FT-
The composition and structure are evaluated by the IR method. In addition, the contact angle of a water droplet was determined and evaluated in order to check the wettability of the surface.
【００４４】この基板を真空蒸着装置に入れて有機蒸着
膜を形成する。真空蒸着方法は、ヒータ線（１φ ５回
巻き）を巻いた複数個の石英ボート（１ｃｃ）に正孔輸
送材料、発光材料、電子輸送材料をそれぞれ数ｍｇずつ
いれ、真空中でヒータ線に電流（〜８Ａ）を流し、加熱
して蒸着するが、性質の異なる薄膜を積層する時は、そ
れぞれのボートに電流を流し、順次蒸着し、また性質の
異なる材料を混合する時は、同時にボートに電流を流し
て、蒸着速度をモニターしながら、混合比率を決め共蒸
着を行う。この時の真空度は５×１０-5（Ｔｏｒｒ）程
度で行う。その後、有機リン化合物の溶液の入ったビー
カの中に、この有機薄膜が付いたガラス基板を有機薄膜
が直接触れないよう置く。このビーカを加熱して、有機
リン化合物の蒸気を発生させ、有機薄膜の上に処理され
た層を形成する。この時、処理された層の形成は有機薄
膜の光反射色を観測して行う。この処理層は元素分析や
ＦＴ−ＩＲ法により組成や構造を評価する。その後、別
の真空蒸着装置の金属マスク上に置き、金属が一部蒸着
されないようにして、真空度２×１０-6（Ｔｏｒｒ）
下、タングステンボード内に入れた金属を加熱し、蒸着
膜を形成する。The substrate is placed in a vacuum deposition apparatus to form an organic deposition film. In the vacuum deposition method, several mg each of a hole transporting material, a light emitting material, and an electron transporting material are put into a plurality of quartz boats (1 cc) each wound with a heater wire (1φ 5 turns), and current is applied to the heater wire in a vacuum. (~ 8A) is flowed, heated and vapor-deposited, but when laminating thin films with different properties, an electric current is applied to each boat to deposit them sequentially, and when mixing materials with different properties, they are simultaneously deposited on the boat. A current is passed, and while monitoring the deposition rate, the mixing ratio is determined and co-deposition is performed. The degree of vacuum at this time is about 5 × 10 −5 (Torr). Thereafter, the glass substrate provided with the organic thin film is placed in a beaker containing a solution of the organic phosphorus compound so that the organic thin film does not directly touch the glass substrate. The beaker is heated to generate a vapor of the organophosphorus compound and form a treated layer on the organic thin film. At this time, the processed layer is formed by observing the light reflection color of the organic thin film. The composition and structure of this treatment layer are evaluated by elemental analysis or FT-IR method. Thereafter, the substrate is placed on a metal mask of another vacuum vapor deposition apparatus so that a part of the metal is not vapor-deposited, and the degree of vacuum is 2 × 10 −6 (Torr).
Below, the metal put in the tungsten board is heated to form a deposited film.
【００４５】蒸着された基板を大気中に取り出し、ＩＴ
Ｏの部分に直流電源のプラス電圧端子を、金属蒸着膜の
部分にマイナス電圧端子を取り付け、直流電源の電圧を
徐々に上げながら、その時示される電圧と電流を発光す
る輝度を測定装置により観測した。The deposited substrate is taken out into the atmosphere, and
The positive voltage terminal of the DC power supply was attached to the portion of O and the negative voltage terminal was attached to the portion of the metal deposition film, and while gradually increasing the voltage of the DC power supply, the luminance at which the indicated voltage and current were emitted was observed by the measuring device. .
【００４６】[0046]
実施例１ ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚１０００Å形成し、第１
電極とした。この膜の上に、抵抗加熱真空蒸着法を用い
て、蛍光性を有する有機化合物たる２，３，５，６−テ
トラキス（２−（４−メチルフェニル）ビニル）ピラジ
ンの有機薄膜を１０００Å形成した。この有機薄膜を、
トリフェニルフォスファイトの蒸気に曝して、該有機薄
膜表面に有機リン化合物で処理された界面層を形成し
た。該界面層が形成されたことは反射光が変化したこと
により目視により確認した。この界面層上に、Ａｌ金属
薄膜を、抵抗加熱蒸着法を用いて堆積して第２電極とし
て、図１に示すＥＬ素子を得た。この素子に、ＩＴＯ側
にプラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したとき、１
５ボルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光
が観測された。この素子を大気中で、一定電流駆動で連
続動作を行った。この時駆動電圧の変化はなくしかも均
一な発光が継続し、非常に安定なＥＬ素子であることが
判った。Example 1 An ITO film was formed on a glass substrate to a thickness of 1000.
An electrode was used. On this film, an organic thin film of 2,3,5,6-tetrakis (2- (4-methylphenyl) vinyl) pyrazine, which is a fluorescent organic compound, was formed to a thickness of 1000 ° by using a resistance heating vacuum evaporation method. . This organic thin film is
The organic thin film was exposed to the vapor of triphenyl phosphite to form an interface layer treated with an organic phosphorus compound on the surface of the organic thin film. The formation of the interface layer was visually confirmed by a change in reflected light. An Al metal thin film was deposited on this interface layer by using a resistance heating evaporation method to obtain an EL element shown in FIG. 1 as a second electrode. When a positive voltage is applied to the device and a negative voltage is applied to the device,
At 5 volts, bright green light emission that could be confirmed under indoor fluorescent light was observed. The device was continuously operated in the atmosphere with a constant current drive. At this time, there was no change in the driving voltage and uniform light emission continued, indicating that the EL element was an extremely stable element.
【００４７】比較例１ トリフェニルホスファイト処理を行わなかった他は、全
く実施例１と同じようにしてＥＬ素子を作成した。ＩＴ
Ｏ側にプラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したと
き、２０ボルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色
の発光が観測された。即ち駆動電圧が実施例１のＥＬ素
子と比較して５Ｖほど高かった。さらに、この素子を大
気中で連続動作を行った。この時駆動電圧が上昇し、し
かも発光しない黒点が発生し、非常に不安定な素子であ
った。また、有機薄膜表面に有機リン化合物で処理され
た界面層を形成した実施例１に比較して、金属薄膜の付
着強度が小さく、しかも、金属光沢が失われるほど、表
面が凹凸化していた。Comparative Example 1 An EL device was prepared in the same manner as in Example 1, except that the triphenyl phosphite treatment was not performed. IT
When a positive voltage was applied to the O side and a negative voltage was applied to the Al side, bright green light emission was observed at 20 volts which could be confirmed under an indoor fluorescent lamp. That is, the driving voltage was higher by about 5 V than the EL element of Example 1. Further, the device was continuously operated in the atmosphere. At this time, the driving voltage was increased, and black spots that did not emit light were generated. This was a very unstable device. In addition, as compared with Example 1 in which an interface layer treated with an organic phosphorus compound was formed on the surface of the organic thin film, the adhesion strength of the metal thin film was smaller, and the surface became more uneven as the metallic luster was lost.
【００４８】実施例２ ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚１０００Å形成し、第１
電極とした。この膜の上に、抵抗加熱真空蒸着法を用い
て、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メ
チルフェニル）−１、１’−ジフェニル−４、４’−ジ
アミンの正孔輸送性薄膜を５００Å形成した。この膜の
上に、抵抗加熱真空蒸着法を用いて、蛍光性を有する有
機化合物たる２，３，５，６−テトラキス（２−（４−
メチルフェニル）ビニル）ピラジンの薄膜を５００Å形
成し、２層構造の有機薄膜を形成した。この有機薄膜を
トリフェニルフォスファイトの蒸気に曝し、該有機薄膜
表面に有機リン化合物で処理された界面層を形成した。
該界面層が形成されたことは反射光が変化したことによ
り目視により確認した。この界面層上に、Ａｌ金属薄膜
を、抵抗加熱蒸着法を用いて堆積して第２電極として、
図２に示すＥＬ素子を得た。この素子に、ＩＴＯ側にプ
ラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したとき、１５ボ
ルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光が観
測された。この素子を大気中で、一定電流駆動の連続動
作を行った。この時駆動電圧の変化はなく、均一な発光
が継続し、非常に安定なＥＬ素子であることが判った。Example 2 An ITO film was formed on a glass substrate to a thickness of 1000.
An electrode was used. On this film, N, N′-diphenyl-N, N′-bis- (3-methylphenyl) -1,1′-diphenyl-4,4′-diamine was formed by resistance heating vacuum evaporation. A hole transporting thin film was formed at 500 °. On this film, 2,3,5,6-tetrakis (2- (4- (4-
A thin film of methylphenyl) vinyl) pyrazine was formed at 500 ° to form an organic thin film having a two-layer structure. The organic thin film was exposed to the vapor of triphenyl phosphite to form an interface layer treated with an organic phosphorus compound on the surface of the organic thin film.
The formation of the interface layer was visually confirmed by a change in reflected light. On this interface layer, an Al metal thin film is deposited using a resistance heating evaporation method to form a second electrode,
The EL device shown in FIG. 2 was obtained. When a positive voltage was applied to the ITO side and a negative voltage was applied to the Al side to this element, bright green light emission that could be confirmed under a room fluorescent lamp at 15 V was observed. The device was operated continuously at a constant current in the atmosphere. At this time, there was no change in the drive voltage, uniform light emission continued, and it was found that the EL element was very stable.
【００４９】比較例２ トリフェニルホスファイト処理を行わなかった他は全く
実施例２と同じようにしてＥＬ素子を作成した。ＩＴＯ
側にプラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したとき、
２０ボルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発
光が観測された。即ち、駆動電圧が実施例２のＥＬ素子
と比較して５Ｖほど高かった。さらに、この素子を大気
中で連続動作を行った。この時駆動電圧が上昇し、しか
も発光しない黒点の発生し、非常に不安定な素子であっ
た。また、有機薄膜表面に有機リン化合物で処理された
界面層を形成した実施例２に比較して、金属薄膜の付着
強度が小さく、しかも、金属光沢が失われるほど、表面
が凹凸化していた。Comparative Example 2 An EL device was prepared in the same manner as in Example 2 except that the triphenyl phosphite treatment was not performed. ITO
When a positive voltage is applied to the positive side and a negative voltage is applied to the Al side,
At 20 volts, bright green light emission that could be confirmed under indoor fluorescent light was observed. That is, the driving voltage was higher by about 5 V than the EL element of Example 2. Further, the device was continuously operated in the atmosphere. At this time, the driving voltage was increased, and black spots that did not emit light were generated. Further, as compared with Example 2 in which an interface layer treated with an organic phosphorus compound was formed on the surface of the organic thin film, the adhesion strength of the metal thin film was small, and the surface became uneven as the metallic luster was lost.
【００５０】実施例３ ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚１０００Å形成し、第１
電極とした。この膜の上に、抵抗加熱真空蒸着法を用い
て、蛍光性を有する有機化合物たる２，３，５，６−テ
トラキス（２−（４−メチルフェニル）ビニル）ピラジ
ンの有機薄膜を１０００Å形成した。この有機薄膜を、
トリフェニルフォスフェートの蒸気に曝して、該有機薄
膜表面に有機リン化合物で処理された界面層を形成し
た。該界面層が形成されたことは反射光が変化したこと
により目視により確認した。この界面層上に、Ａｌ金属
薄膜を、抵抗加熱蒸着法を用いて堆積して第２電極とし
て、図１に示すＥＬ素子を得た。この素子に、ＩＴＯ側
にプラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したとき、１
５ボルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光
が観測された。この素子を大気中で、一定電流駆動で連
続動作を行った。この時駆動電圧の変化はなく、しかも
均一な発光が継続し、非常に安定なＥＬ素子であること
が判った。Example 3 An ITO film was formed on a glass substrate to a thickness of 1000.
An electrode was used. On this film, an organic thin film of 2,3,5,6-tetrakis (2- (4-methylphenyl) vinyl) pyrazine, which is a fluorescent organic compound, was formed to a thickness of 1000 ° by using a resistance heating vacuum evaporation method. . This organic thin film is
The surface of the organic thin film was exposed to the vapor of triphenyl phosphate to form an interface layer treated with an organic phosphorus compound. The formation of the interface layer was visually confirmed by a change in reflected light. An Al metal thin film was deposited on this interface layer by using a resistance heating evaporation method to obtain an EL element shown in FIG. 1 as a second electrode. When a positive voltage is applied to the device and a negative voltage is applied to the device,
At 5 volts, bright green light emission that could be confirmed under indoor fluorescent light was observed. The device was continuously operated in the atmosphere with a constant current drive. At this time, there was no change in the driving voltage, and uniform light emission continued, indicating that the EL element was very stable.
【００５１】比較例３ トリフェニルフォスフェート処理を行わなかった他は全
く実施例３と同じようにしてＥＬ素子を作成した。ＩＴ
Ｏ側にプラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したと
き、２０ボルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色
の発光が観測された。即ち、駆動電圧が実施例３のＥＬ
素子と比較して５Ｖほど高かった。さらに、この素子を
大気中で連続動作を行った。この時駆動電圧が上昇し、
しかも発光しない黒点が発生し、非常に不安定な素子で
あった。また、有機薄膜表面に有機リン化合物で処理さ
れた界面層を形成した実施例３に比較して、金属薄膜の
付着強度が小さく、しかも、金属光沢が失われるほど、
表面が凹凸化していた。Comparative Example 3 An EL device was prepared in the same manner as in Example 3 except that the triphenyl phosphate treatment was not performed. IT
When a positive voltage was applied to the O side and a negative voltage was applied to the Al side, bright green light emission was observed at 20 volts which could be confirmed under an indoor fluorescent lamp. That is, the driving voltage is the EL of the third embodiment.
It was higher by about 5 V than the device. Further, the device was continuously operated in the atmosphere. At this time, the drive voltage increases,
In addition, black spots that did not emit light were generated, and the device was very unstable. Further, as compared with Example 3 in which an interface layer treated with an organic phosphorus compound was formed on the surface of the organic thin film, the adhesion strength of the metal thin film was smaller, and the more the metallic luster was lost, the more
The surface was uneven.
【００５２】実施例４ ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚１０００Å形成し、第１
電極とした。この膜の上に、抵抗加熱真空蒸着法を用い
て、蛍光性を有する有機化合物たる２，３，５，６−テ
トラキス（２−（４−メチルフェニル）ビニル）ピラジ
ンの有機薄膜を１０００Å形成した。この有機薄膜をト
リクレジルフォスフェートの蒸気に曝して、該有機薄膜
表面に有機リン化合物で処理された界面層を形成した。
該界面層が形成されたことは反射光が変化したことによ
り目視により確認した。この界面層上に、Ａｌ金属薄膜
を、抵抗加熱蒸着法を用いて堆積して第２電極として、
図１に示すＥＬ素子を得た。この素子に、ＩＴＯ側にプ
ラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したとき、１５ボ
ルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光が観
測された。この素子を大気中で、一定電流駆動の連続動
作を行った。この時駆動電圧の変化はなく、しかも均一
な発光が継続し、非常に安定なＥＬ素子であることが判
った。Example 4 An ITO film was formed on a glass substrate to a thickness of 1000.
An electrode was used. On this film, an organic thin film of 2,3,5,6-tetrakis (2- (4-methylphenyl) vinyl) pyrazine, which is a fluorescent organic compound, was formed to a thickness of 1000 ° by using a resistance heating vacuum evaporation method. . The organic thin film was exposed to the vapor of tricresyl phosphate to form an interface layer treated with an organic phosphorus compound on the surface of the organic thin film.
The formation of the interface layer was visually confirmed by a change in reflected light. On this interface layer, an Al metal thin film is deposited using a resistance heating evaporation method to form a second electrode,
The EL device shown in FIG. 1 was obtained. When a positive voltage was applied to the ITO side and a negative voltage was applied to the Al side to this element, bright green light emission that could be confirmed under a room fluorescent lamp at 15 V was observed. The device was operated continuously at a constant current in the atmosphere. At this time, there was no change in the driving voltage, and uniform light emission continued, indicating that the EL element was very stable.
【００５３】比較例４ トリクレジルフォスフェート処理を行わなかった他は全
く実施例４と同じようにしてＥＬ素子を作成した。ＩＴ
Ｏ側にプラス、Ａｌ側にマイナスの電圧を印加したと
き、２０ボルトで室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色
の発光が観測された。即ち、駆動電圧が実施例４のＥＬ
素子と比較して５Ｖほど高かった。さらに、この素子を
大気中で連続動作を行った。この時駆動電圧が上昇し、
しかも発光しない黒点が発生し、非常に不安定な素子で
あった。また、有機薄膜表面に有機リン化合物で処理さ
れた界面層を形成した実施例４に比較して、金属薄膜の
付着強度が小さく、しかも、金属光沢が失われるほど、
表面が凹凸化していた。Comparative Example 4 An EL device was prepared in the same manner as in Example 4 except that the tricresyl phosphate treatment was not performed. IT
When a positive voltage was applied to the O side and a negative voltage was applied to the Al side, bright green light emission was observed at 20 volts which could be confirmed under an indoor fluorescent lamp. That is, the driving voltage is equal to the EL of the fourth embodiment.
It was higher by about 5 V than the device. Further, the device was continuously operated in the atmosphere. At this time, the drive voltage increases,
In addition, black spots that did not emit light were generated, and the device was very unstable. Further, as compared with Example 4 in which an interface layer treated with an organic phosphorus compound was formed on the surface of the organic thin film, the adhesion strength of the metal thin film was smaller, and the more the metallic luster was lost, the more
The surface was uneven.
【００５４】上記実施例１〜４と、比較例１〜４との比
較からも明らかなように、有機薄膜と金属薄膜との間
に、有機リン化合物での処理で生じた界面層を形成する
ことにより、有機薄膜上に形成された金属薄膜の凹凸
が低下し、付着強度が増大する。また、ＥＬ素子の
駆動電圧が低下し、連続駆動において発光の均一性が
保たれ、かつ連続駆動において電圧が上昇しない等の
効果が得られ、ＥＬ素子における動作特性の安定性が顕
著に改善される。As is clear from the comparison between Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4, an interface layer formed by treatment with an organic phosphorus compound is formed between an organic thin film and a metal thin film. Thereby, the unevenness of the metal thin film formed on the organic thin film is reduced, and the adhesion strength is increased. In addition, the driving voltage of the EL element is reduced, the uniformity of light emission is maintained in continuous driving, and the voltage is not increased in continuous driving, and other effects are obtained. Thus, the stability of operating characteristics of the EL element is significantly improved. You.
【００５５】[0055]
【００５６】[0056]
【００５７】[0057]
【００５８】[0058]
【００５９】[0059]
【００６０】[0060]
【００６１】[0061]
【００６２】[0062]
【００６３】実施例９ ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚１０００Å形成し、透明
な導電性無機薄膜とした。この上にビニルトリメトキシ
シランのアルコール溶液を塗布し、大気中１２０℃で乾
燥させて、該導電性無機薄膜表面にシランカップリング
剤で処理された界面層を形成した。この界面層の上に、
抵抗加熱真空蒸着法を用いて、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ’−ビス−（３−メチルフェニル）−１、１’−
ジフェニル−４、４’−ジアミンの正孔輸送性薄膜を６
００Å形成した。さらにこの正孔輸送性薄膜の上に、抵
抗加熱蒸着法を用いてトリス−（８−ヒドロキシキノリ
ノリール）アルミニュームの発光性薄膜を６００Å形成
して、２層構造の有機薄膜を形成した。この有機薄膜
を、トリフェニルフォスファイトの蒸気に曝して、該有
機薄膜表面に有機リン化合物で処理された界面層を形成
した。該界面層が形成されたことは反射光が変化したこ
とにより目視により確認した。さらにこの界面層上に、
抵抗加熱蒸着法を用いてＭｇ金属薄膜を堆積して電極と
して、図５に示すＥＬ素子を得た。なお、Ｍｇ金属の蒸
着膜の面積は１ｃｍ角であった。この素子に、ＩＴＯ側
にプラス、Ｍｇ側にマイナスの電圧を印加したとき、１
０ボルト以上で室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の
発光が観測された。直流印加電圧１２Ｖ、電流密度１０
０ｍＡ／ｃｍ2 において、輝度２１００ｃｄ／ｍ2 であ
った。また、１００ｃｄ／ｍ2 の輝度で８０００時間の
長時間連続動作が確認され、高輝度で安定なＥＬ素子特
性を示した。Example 9 An ITO film having a thickness of 1000 Å was formed on a glass substrate to obtain a transparent conductive inorganic thin film. An alcohol solution of vinyltrimethoxysilane was applied thereon and dried at 120 ° C. in the air to form an interface layer treated with a silane coupling agent on the surface of the conductive inorganic thin film. On top of this interface layer,
N, N'-diphenyl-
N, N'-bis- (3-methylphenyl) -1,1'-
A hole transporting thin film of diphenyl-4,4'-diamine
00 ° was formed. Further, a tris- (8-hydroxyquinolinolyl) aluminum luminous thin film was formed on the hole transporting thin film by resistance heating evaporation at 600 ° to form an organic thin film having a two-layer structure. This organic thin film was exposed to the vapor of triphenyl phosphite to form an interface layer treated with an organic phosphorus compound on the surface of the organic thin film. The formation of the interface layer was visually confirmed by a change in reflected light. Furthermore, on this interface layer,
An Mg element thin film was deposited using a resistance heating evaporation method to obtain an EL element shown in FIG. 5 as an electrode. The area of the deposited Mg metal film was 1 cm square. When a positive voltage is applied to the ITO side and a negative voltage is applied to the Mg side, 1
At 0 volts or more, bright green light emission that could be confirmed under an indoor fluorescent lamp was observed. DC applied voltage 12V, current density 10
At 0 mA / cm 2 , the luminance was 2100 cd / m 2 . In addition, long-term continuous operation of 8000 hours was confirmed at a luminance of 100 cd / m 2 , and stable EL element characteristics with high luminance were exhibited.
【００６４】比較例９ ビニルトリメトキシシランのアルコール溶液の塗布を行
わず、またトリフェニルフォスファイトの処理を行わず
他は全く実施例９と同じようにしてＥＬ素子を作成し
た。直流印加電圧１６Ｖ、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2
において、輝度１０００ｃｄ／ｍ2 であった。これは実
施例９のＥＬ素子と比較して効率がかなり低下してい
た。また、１００ｃｄ／ｍ2 の輝度で連続動作を行う
と、１０時間で輝度が低下し、劣化が大きいことが判っ
た。Comparative Example 9 An EL device was prepared in the same manner as in Example 9 except that the application of the alcohol solution of vinyltrimethoxysilane was not performed and the treatment of triphenylphosphite was not performed. DC applied voltage 16 V, current density 100 mA / cm 2
Was 1000 cd / m 2 in luminance. This showed that the efficiency was considerably lower than that of the EL device of Example 9. In addition, it was found that when continuous operation was performed at a luminance of 100 cd / m 2, the luminance decreased in 10 hours, and the deterioration was large.
【００６５】実施例１０ ガラス基板上にＩＴＯ膜を膜厚１０００Å形成し、透明
な導電性無機薄膜とした。この上にプラズマＣＶＤ法で
水素化微結晶質Ｓｉ膜を２００Å形成し無機半導体薄膜
とした。この無機半導体薄膜の上に、ビニルトリメトキ
シシランのアルコール溶液を塗布し、大気中１２０℃で
乾燥させて、該無機半導体薄膜表面にシランカップリン
グ剤で処理した界面層を形成した。次に、この界面層の
上に抵抗加熱真空蒸着法を用いてトリス−（８−ヒドロ
キシキノリノール）アルミニュームの薄膜を６００Å形
成して、有機薄膜とした。この有機薄膜を、トリフェニ
ルフォスファイトの蒸気に曝して、該有機薄膜表面に有
機リン化合物で処理された界面層を形成した。該薄膜が
形成されたことは反射光が変化したことにより目視によ
り確認した。さらに、この界面層の上に、抵抗加熱蒸着
法を用いてＭｇ金属薄膜を堆積して電極として、図６に
示すＥＬ素子を得た。なお、Ｍｇ金属の蒸着膜の面積は
１ｃｍ角であった。この素子にＩＴＯ側にプラス、Ｍｇ
側にマイナスの電圧を印加したとき、１０ボルト以上で
室内蛍光灯下で確認できる明るい緑色の発光が観測され
た。直流印加電圧１１Ｖ、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2
において、輝度４１００ｃｄ／ｍ2 であった。また、１
００ｃｄ／ｍ2 の輝度で１５０００時間の長時間連続動
作が確認され、高輝度で安定なＥＬ素子特性を示した。Example 10 A transparent conductive inorganic thin film was formed on a glass substrate by forming an ITO film having a thickness of 1000 Å. A hydrogenated microcrystalline Si film was formed thereon by plasma CVD to form an inorganic semiconductor thin film. On this inorganic semiconductor thin film, an alcohol solution of vinyltrimethoxysilane was applied and dried at 120 ° C. in the air to form an interface layer treated with a silane coupling agent on the surface of the inorganic semiconductor thin film. Next, a thin film of tris- (8-hydroxyquinolinol) aluminum was formed on this interface layer by resistance heating vacuum evaporation to form an organic thin film. This organic thin film was exposed to the vapor of triphenyl phosphite to form an interface layer treated with an organic phosphorus compound on the surface of the organic thin film. The formation of the thin film was visually confirmed by a change in reflected light. Further, an Mg metal thin film was deposited on the interface layer by using a resistance heating evaporation method to obtain an EL element shown in FIG. 6 as an electrode. The area of the deposited Mg metal film was 1 cm square. Plus this element to the ITO side, Mg
When a negative voltage was applied to the side, bright green light emission that could be confirmed under an indoor fluorescent lamp at 10 V or more was observed. DC applied voltage 11 V, current density 100 mA / cm 2
And the luminance was 4100 cd / m 2 . Also, 1
A long-time continuous operation of 15000 hours was confirmed at a luminance of 00 cd / m 2 , and stable EL element characteristics with high luminance were exhibited.
【００６６】比較例１０ ビニルトリメトキシシランのアルコール溶液の塗布を行
わず、またトリフェニルフォスファイトの処理を行わず
他は全く実施例１０と同じようにしてＥＬ素子を作成し
た。直流印加電圧１５Ｖ、電流密度１００ｍＡ／ｃｍ2
において、輝度１５００ｃｄ／ｍ2 であった。これは実
施例１０のＥＬ素子と比較して効率がかなり低下してい
た。また、１００ｃｄ／ｍ2 の輝度で連続動作を行う
と、１０時間で輝度が低下し、劣化が大きいことが判っ
た。Comparative Example 10 An EL element was prepared in the same manner as in Example 10 except that the application of the alcohol solution of vinyltrimethoxysilane was not performed and the treatment of triphenylphosphite was not performed. DC applied voltage 15 V, current density 100 mA / cm 2
And the luminance was 1500 cd / m 2 . This was much lower in efficiency than the EL device of Example 10. In addition, it was found that when continuous operation was performed at a luminance of 100 cd / m 2, the luminance decreased in 10 hours, and the deterioration was large.
【００６７】上記の実施例９〜１０と比較例９〜１０と
の比較からも明らかなように、有機薄膜を用いた電界発
光素子において、有機薄膜と無機薄膜との間にシランカ
ップリング剤での処理で生じた界面層を形成し、さらに
有機薄膜と金属薄膜との間に、有機リン化合物での処理
で生じた界面層を形成することにより発光効率および耐
劣化性が改善され、長時間動作可能なＥＬ素子が得られ
る。As is clear from the comparison between Examples 9 to 10 and Comparative Examples 9 to 10, in an electroluminescent device using an organic thin film, a silane coupling agent was used between the organic thin film and the inorganic thin film. The luminous efficiency and deterioration resistance are improved by forming the interface layer generated by the treatment with the organic phosphorus compound between the organic thin film and the metal thin film, and the luminous efficiency and deterioration resistance are improved. An operable EL element is obtained.
【００６８】[0068]
【発明の効果】本発明の有機薄膜ＥＬ素子は、有機薄膜
と金属薄膜との間に有機リン化合物での処理で生じた界
面層を形成することにより、有機薄膜上に形成された
金属薄膜の凹凸が低下し、付着強度が増大し、また、
ＥＬ素子の駆動電圧が低下し、連続駆動において発
光の均一性が保たれ、かつ連続駆動において電圧が上
昇しない等の効果が得られ、また、有機薄膜と無機薄膜
との間にシランカップリング剤での処理で生じた界面層
を形成することにより、発光効率および耐劣化性が改善
され、長時間動作可能なＥＬ素子が得られる。According to the organic thin film EL device of the present invention, an interfacial layer formed by treatment with an organic phosphorus compound is formed between an organic thin film and a metal thin film. Asperity decreases, adhesion strength increases, and
The driving voltage of the EL element is reduced, the uniformity of light emission is maintained during continuous driving, the voltage is not increased during continuous driving, and other effects are obtained. In addition, a silane coupling agent is provided between the organic thin film and the inorganic thin film. By forming the interfacial layer generated by the above-mentioned processing, the luminous efficiency and the deterioration resistance are improved, and an EL element capable of operating for a long time is obtained.
【図１】有機薄膜と金属薄膜との間に有機リン化合物で
の処理で生じた界面層が形成されている本発明の有機薄
膜ＥＬ素子の概要説明図である。FIG. 1 is a schematic explanatory view of an organic thin film EL device of the present invention in which an interface layer generated by treatment with an organic phosphorus compound is formed between an organic thin film and a metal thin film.
【図２】有機薄膜と金属薄膜との間に有機リン化合物で
の処理で生じた界面層が形成されている本発明の有機薄
膜ＥＬ素子の概要説明図である。FIG. 2 is a schematic explanatory view of an organic thin film EL device of the present invention in which an interface layer generated by treatment with an organic phosphorus compound is formed between an organic thin film and a metal thin film.
【図３】有機薄膜と金属薄膜との間に有機リン化合物で
の処理で生じた第１の界面層が形成されており、有機薄
膜と透明な導電性無機薄膜との間にシランカップリング
剤での処理で生じた第２の界面層が形成されている本発
明の有機薄膜ＥＬ素子の概略説明図である。FIG. 3 shows that a first interface layer formed by treatment with an organic phosphorus compound is formed between an organic thin film and a metal thin film, and a silane coupling agent is formed between the organic thin film and the transparent conductive inorganic thin film. FIG. 3 is a schematic explanatory view of an organic thin-film EL element of the present invention on which a second interface layer generated by the processing in FIG.
【図４】有機薄膜と金属薄膜との間に有機リン化合物で
の処理で生じた第１の界面層が形成されており、有機薄
膜と無機半導体薄膜との間にシランカップリング剤での
処理で生じた第２の界面層が形成されている本発明の有
機薄膜ＥＬ素子の概略説明図である。FIG. 4 shows that a first interface layer formed by treatment with an organic phosphorus compound is formed between an organic thin film and a metal thin film, and a treatment with a silane coupling agent is performed between the organic thin film and the inorganic semiconductor thin film. FIG. 2 is a schematic explanatory view of an organic thin-film EL device of the present invention in which a second interface layer generated in step (a) is formed.
１ ガラス基板等の透明な支持基板 ２ 透明な導電性無機薄膜（電極）２ ３ 金属薄膜（電極）３ ４ 発光性有機薄膜 ５ 正孔輸送性有機薄膜 ６ 無機半導体薄膜 ７ 有機リン化合物での処理で生じた界面層 ８ シランカップリング剤での処理で生じた界面層 ９ シランカップリング剤での処理で生じた界面層REFERENCE SIGNS LIST 1 transparent support substrate such as glass substrate 2 transparent conductive inorganic thin film (electrode) 2 3 metal thin film (electrode) 3 4 luminescent organic thin film 5 hole transporting organic thin film 6 inorganic semiconductor thin film 7 treatment with organophosphorus compound 8 Interfacial layer generated by treatment with silane coupling agent 9 Interfacial layer generated by treatment with silane coupling agent
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 貞雄 東京都千代田区霞が関三丁目２番５号 三井東圧化学株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−210792（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−62523（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−267889（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82174（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05B 33/00 - 33/28 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuation of front page (72) Inventor Sadao Kobayashi 3-5-2 Kasumigaseki, Chiyoda-ku, Tokyo Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd. (56) References JP-A-3-210792 (JP, A) JP-A JP-A-5-62523 (JP, A) JP-A-2-267889 (JP, A) JP-A-3-82174 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H05B 33 / 00-33/28
Claims (4)
間に挟まれた層構造を有し、それらの電極の少なくとも
一方が金属薄膜であるＥＬ素子において、該有機薄膜と
該金属薄膜とが隣接していて、それらの界面には該有機
薄膜及び該金属薄膜の少なくとも一方の界面側表面を有
機リン化合物で処理することにより界面層が形成されて
いることを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。1. An EL device having a layer structure in which at least one organic thin film is sandwiched between two electrodes, and at least one of the electrodes is a metal thin film, wherein the organic thin film and the metal thin film are An organic thin-film EL device which is adjacent to an organic thin-film EL device, wherein an interface layer is formed at an interface between at least one of the organic thin film and the metal thin film by treating an interface side surface with an organic phosphorus compound.
間に挟まれた構造を有し、それらの電極の一方が金属薄
膜であり、他方が透明な導電性無機薄膜であるＥＬ素子
において、該有機薄膜と該金属薄膜とが隣接していて、
それらの界面には該有機薄膜及び該金属薄膜の少なくと
も一方の界面側表面を有機リン化合物で処理することに
より第１の界面層が形成されており、該有機薄膜と該透
明な導電性無機薄膜とが隣接していて、それらの界面に
は該有機薄膜及び該透明な導電性無機薄膜の少なくとも
一方の界面側表面をシランカップリング剤で処理するこ
とにより第２の界面層が形成されていることを特徴とす
る有機薄膜ＥＬ素子。2. An EL device having a structure in which at least one organic thin film is sandwiched between two electrodes, one of the electrodes being a metal thin film and the other being a transparent conductive inorganic thin film, The organic thin film and the metal thin film are adjacent,
At the interface, a first interface layer is formed by treating at least one interface side surface of the organic thin film and the metal thin film with an organic phosphorus compound, and the organic thin film and the transparent conductive inorganic thin film are formed. Are adjacent to each other, and a second interface layer is formed at the interface thereof by treating at least one interface side surface of the organic thin film and the transparent conductive inorganic thin film with a silane coupling agent. An organic thin-film EL device characterized by the above-mentioned.
間に挟まれた構造を有し、それらの電極の一方が金属薄
膜であり、他方が透明な導電性無機薄膜であり、該透明
な導電性無機薄膜と有機薄膜との間には無機半導体薄膜
が設けられているＥＬ素子において、該有機薄膜と該金
属薄膜とが隣接していて、それらの界面には該有機薄膜
及び該金属薄膜の少なくとも一方の界面側表面を有機リ
ン化合物で処理することにより第１の界面層が形成され
ており、該有機薄膜と該無機半導体薄膜とが隣接してい
て、それらの界面には該有機薄膜及び該無機半導体薄膜
の少なくとも一方の界面側表面をシランカップリング剤
で処理することにより第２の界面層が形成されているこ
とを特徴とする有機薄膜ＥＬ素子。3. A structure in which at least one layer of an organic thin film is sandwiched between two electrodes, one of the electrodes being a metal thin film and the other being a transparent conductive inorganic thin film, In an EL device in which an inorganic semiconductor thin film is provided between a conductive inorganic thin film and an organic thin film, the organic thin film and the metal thin film are adjacent to each other, and the organic thin film and the metal thin film are located at an interface therebetween. A first interface layer is formed by treating at least one interface side surface of the organic thin film with an organic phosphorus compound, the organic thin film and the inorganic semiconductor thin film are adjacent to each other, and the organic thin film is And an organic thin film EL device, wherein a second interface layer is formed by treating at least one interface side surface of the inorganic semiconductor thin film with a silane coupling agent.
送性有機薄膜層との２層からなる請求項１〜３のいずれ
かに記載の有機薄膜ＥＬ素子。4. Any claims 1-3 in which the organic thin film is made of two layers of the luminous organic thin film layer and a hole transporting organic thin film layer
An organic thin-film EL device according to any of the above items .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35656092A JP3359073B2 (en) | 1991-12-24 | 1992-12-22 | Organic thin film EL device |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34076891 | 1991-12-24 | ||
| JP3-340768 | 1991-12-24 | ||
| JP10701192 | 1992-04-24 | ||
| JP4-107011 | 1992-04-24 | ||
| JP35656092A JP3359073B2 (en) | 1991-12-24 | 1992-12-22 | Organic thin film EL device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH065365A JPH065365A (en) | 1994-01-14 |
| JP3359073B2 true JP3359073B2 (en) | 2002-12-24 |
Family
ID=27310887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35656092A Expired - Fee Related JP3359073B2 (en) | 1991-12-24 | 1992-12-22 | Organic thin film EL device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3359073B2 (en) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10289787A (en) * | 1997-04-11 | 1998-10-27 | Tdk Corp | Organic electroluminescent element |
| JP3442363B2 (en) * | 1997-09-05 | 2003-09-02 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | Self-assembled transport layer for organic light-emitting devices |
| JP3125777B2 (en) | 1999-01-28 | 2001-01-22 | 日本電気株式会社 | Organic electroluminescence device and panel |
| KR20030000992A (en) * | 2001-06-28 | 2003-01-06 | 주식회사 엘리아테크 | OLED with a additive bonding layer between anode and organic layer |
| US7625596B2 (en) * | 2004-12-15 | 2009-12-01 | General Electric Company | Adhesion promoter, electroactive layer and electroactive device comprising same, and method |
| JP2008060034A (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings Inc | Organic electroluminescent element, manufacturing method of organic electroluminescent element, illumination device, and display device |
| JP5248910B2 (en) * | 2007-05-30 | 2013-07-31 | 住友化学株式会社 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND DISPLAY DEVICE USING THE ELEMENT |
| JP5217931B2 (en) * | 2007-11-29 | 2013-06-19 | 住友化学株式会社 | Organic electroluminescence device and method for manufacturing the same |
| EP2257126A4 (en) * | 2008-02-15 | 2011-12-28 | Showa Denko Kk | Method for treating surface of electrode, electrode, and process for producing organic electroluminescent element |
| JP2010277794A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Manufacturing method of organic electroluminescent element |
| JP2010278157A (en) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same |
| JP2011054954A (en) * | 2009-08-07 | 2011-03-17 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic electroluminescent element and method of manufacturing the same |
-
1992
- 1992-12-22 JP JP35656092A patent/JP3359073B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH065365A (en) | 1994-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0549345B1 (en) | EL element comprising organic thin film | |
| JP2879080B2 (en) | EL device | |
| US5811833A (en) | Electron transporting and light emitting layers based on organic free radicals | |
| JP3428152B2 (en) | Manufacturing method of organic EL element | |
| TW554640B (en) | Sputtered cathode having a heavy alkaline metal halide in an organic light-emitting device structure | |
| JP3359073B2 (en) | Organic thin film EL device | |
| JPWO2003045115A1 (en) | EL element | |
| JP2869446B2 (en) | EL device | |
| JP2000091084A (en) | Positive hole injection performance improving electrode | |
| JP3427539B2 (en) | Organic thin-film electroluminescence device | |
| JPH07312289A (en) | Organic electroluminescent element | |
| CN1188015C (en) | Method for depositing aluminium-lithium alloy cathode onto organic light emitting element | |
| US6917158B2 (en) | High-qualty aluminum-doped zinc oxide layer as transparent conductive electrode for organic light-emitting devices | |
| JPH0487187A (en) | Organic electroluminescence element | |
| JPH09298088A (en) | Organic electroluminescent element and its manufacture | |
| JP3865358B2 (en) | Manufacturing method of organic EL device | |
| JPH0812967A (en) | Organic electroluminescent element | |
| JP3011277B2 (en) | Manufacturing method of organic electroluminescence device | |
| JPH0762526A (en) | Production of organic electroluminescence element | |
| JPH0693256A (en) | Organic thin-film luminescent element | |
| JP3736881B2 (en) | Organic thin film EL device | |
| JP3253368B2 (en) | EL device | |
| KR19980081742A (en) | Organic electroluminescent devices | |
| JPH0922782A (en) | Organic electroluminescent element and its manufacture | |
| JPH0633047A (en) | Organic thin film luminescent element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |