JP3342976B2

JP3342976B2 - 電荷結合素子と固体撮像装置

Info

Publication number: JP3342976B2
Application number: JP30624094A
Authority: JP
Inventors: 長孝田中; 信男中村; 誠之松長
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-12-09
Filing date: 1994-12-09
Publication date: 2002-11-11
Anticipated expiration: 2017-11-11
Also published as: JPH08162627A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電荷結合素子の改良に
係わり、特に二相駆動型の電荷結合素子とこれを用いた
固体撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、ビデオカメラや電子スチルカメラ
等の撮像デバイスとして固体撮像装置が用いられてい
る。この固体撮像装置は、入力した光を信号電荷に変換
して光電変換蓄積領域に蓄積し、蓄積した信号電荷を垂
直転送電荷結合素子（垂直ＣＣＤ）で水平転送電荷結合
素子（水平ＣＣＤ）まで転送し、水平ＣＣＤでオンチッ
プアンプまで転送して画像信号を出力するものである。

【０００３】水平ＣＣＤとしては通常、二相駆動のＣＣ
Ｄが用いられる。二相駆動のＣＣＤでは、埋込みチャネ
ルの中に、信号電荷を蓄積する蓄積領域とそれよりもチ
ャネルポテンシャルの低いバリア領域とが交互に形成さ
れている。一つの蓄積領域とこれに対して転送方向と逆
方向に隣り合うバリア領域は一つのペアを構成し、この
ペアの上の転送ゲートには等しい駆動電圧が印加される
ようになっている。このため、二種類の逆相で駆動され
る（二相のパルス）を一つのペアおきに印加することに
よって、信号電荷を転送方向のみに転送することが可能
となっている。

【０００４】従来の技術では、通常５Ｖで駆動する二相
駆動の水平ＣＣＤにおいて、蓄積領域とバリア領域との
チャネルポテンシャルの差（バリアの高さ）を、駆動電
圧の約半分の２．０Ｖ程度にしていた。これは、バリア
の高さを高くして水平ＣＣＤの単位面積当たりの転送電
荷容量を稼ぎ、水平ＣＣＤの面積を縮小するためであ
る。

【０００５】図８は、従来の二相駆動のＣＣＤの転送方
向の断面及び転送チャネルのチャネルポテンシャルを示
す図である。図中の１はｐ型シリコン基板、２は埋込み
ｎ型不純物層、３はｎ^- 型不純物層、１１，１２，１３
は転送ゲートを示している。この例では、蓄積領域とバ
リア領域とのチャネルポテンシャルの差（バリアの高
さ）を２．５Ｖとしている。このため、ＣＣＤの単位面
積当たりの転送電荷容量は大きくなっている。

【０００６】二相駆動ＣＣＤにおける信号電荷の転送
は、次段の転送ゲート１１への印加電圧φ１を高くし、
その下に信号電荷が蓄積されている転送ゲート１２への
印加電圧φ２を低くして行う。一般に、転送ゲートへの
印加電圧は、途中の配線のディレイによって時間と共に
徐々に変化する。転送ゲート下のチャネルポテンシャル
も、印加電圧の変化に従って時間と共に徐々に変化して
いく。そして、転送ゲート１１の下の蓄積領域のチャネ
ルポテンシャルが、転送ゲート１２の下のチャネルポテ
ンシャルよりも高くなった時点から、転送が始まる。こ
のとき、バリアの高さが２．５Ｖもあるため、転送が始
まるまで時間がかかることが分かる。即ち、駆動周波数
を高くすると、完全に転送できずに取り残しが生じてし
まうという問題があった。

【０００７】二相駆動ＣＣＤにおける信号電荷の転送の
様子を、以下に説明する。図９は、二相駆動ＣＣＤでの
信号電荷を転送する際のチャネルポテンシャルの変化と
信号電荷の動きを模式的に示す図である。φ１を“Ｌ”
レベルから“Ｈ”レベルへ、φ２を“Ｈ”レベルから
“Ｌ”レベルへと変化させて、信号電荷を左方向に転送
する場合を示している。。

【０００８】（ａ）は、φ１が“Ｌ”レベル，φ２が
“Ｈ”レベルで、転送ゲート１２の下に信号電荷が蓄積
されている様子を示す図である。次段の転送ゲート１１
の下に信号電荷を転送するときには、φ１を“Ｈ”レベ
ルに、φ２を“Ｌ”レベルに徐々に変化させて行う。

【０００９】（ｂ）は、φ１及びφ２が丁度等しくなっ
た時の様子を示す図である。転送ゲート１２の下の蓄積
領域のチャネルポテンシャルは、転送ゲート１１の下の
バリア領域のチャネルポテンシャルよりも低いので、ま
だ転送は起こらない。

【００１０】（ｃ）は、φ１をさらに“Ｈ”レベル、φ
２をさらに“Ｌ”レベルにして、転送ゲート１２の下の
蓄積領域のチャネルポテンシャルと、転送ゲート１１の
下のバリア領域のチャネルポテンシャルが等しくなった
ときの様子を示す図である。このとき、信号電荷（電
子）の転送が始まり、転送ゲート１１の下の蓄積領域に
信号電荷は移動し始める。

【００１１】（ｄ）は、φ１が完全に“Ｈ”レベル、φ
２が“Ｌ”レベルになって、転送が終了した時の様子を
示す図である。一般に固体撮像装置では、画素数を多く
するほど良好な再生画像が得られる。例えば、ＨＤＴＶ
用の固体撮像装置では、画素数がおよそ２００万個にな
る。このように固体撮像装置を多画素化した場合、デー
タレートの増大が問題となる。データレートの増大は、
固体撮像装置の内部でＣＣＤの駆動周波数を高くする必
要を生じさせる。例えば、ＨＤＴＶ用固体撮像装置の水
平ＣＣＤの駆動周波数は水平ＣＣＤをダブルチャネル構
造にしない場合、約７４ＭＨｚとなる。このように駆動
周波数が高い場合、信号電荷を転送しきれずに取り残し
が生じることによる転送効率の劣化が問題となる。

【００１２】なお、以上の説明では、信号電荷量が少な
いときの説明を行っているが、一般にＣＣＤは信号電荷
量の少ないときに転送効率が劣化しやすく、ＣＣＤの性
能を決めるのはこのときの転送効率である。従って、信
号電荷量の少ないときの議論でほぼＣＣＤの転送効率を
論じることが可能である。但し、信号電荷量の多いとき
も本発明は有効である。

【００１３】また、以上では説明の簡単のため、「転送
ゲート１１の下の蓄積領域のチャネルポテンシャルが、
転送ゲート１２の下のチャネルポテンシャルよりも高く
なった時点から転送が始まる。」としていたが、厳密に
は等しくなってから、ポテンシャルポケットを抑圧する
電圧差ΔＶだけ高くなって、転送ゲート間に存在するポ
テンシャルポケットがなくなってから転送が始まる。し
かし、本発明の本質には関係ないので、以下も同様に説
明する。

【００１４】また、以上では説明の簡単のため、チャネ
ルポテンシャルの転送ゲートへの印加電圧に対する変調
係数を１としてきた。実際にはチャネルポテンシャル
は、印加電圧の変化Ｖに対してα×Ｖだけ変化する（α
は変調係数）。変調係数は０．８から０．９程度の値に
なるが、簡単のため以下も同様に、変調係数は１として
説明する。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の二
相駆動ＣＣＤでは、転送方向のバリアの高さ（蓄積領域
とバリア領域とのポテンシャル差）が一般に２．５Ｖ程
度と大きく、このバリアのために転送が始まるまでに時
間がかかる。そして、駆動周波数を高くすると、電荷を
完全に転送できずに取り残しが生じてしまうという問題
があった。

【００１６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、二相駆動においてバリ
アの高さに起因する電荷転送の取り残しを防止すること
ができ、高速駆動を可能とした電荷結合素子とこれを用
いた固体撮像装置を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、次のような構成を採用している。即ち、本
発明（請求項１）は、半導体基板上に一方向に沿って転
送ゲートを配列し、これらの転送ゲートを二相クロック
により駆動し、各ゲート下に蓄積領域とバリア領域を形
成して信号電荷を転送する電荷結合素子において、前記
転送ゲートに０Ｖを印加した時に、前記蓄積領域とバリ
ア領域とのポテンシャルの差が０．６Ｖ以下となるよう
に、各領域のポテンシャルを設定してなることを特徴と
している。

【００１８】ここで、本発明の望ましい実施態様として
は、次のものがあげられる。 (1) 転送ゲート下には、不純物濃度の異なる蓄積領域と
バリア領域とが一つずつ形成されていること。 (2) 蓄積領域とバリア領域のポテンシャルの差を、ゲー
ト絶縁膜の膜厚の違いから生じさせていること。 (3) 転送ゲートが単一の導電層から形成されているこ
と。

【００１９】また、本発明（請求項５）は、半導体基板
上に二次元的に配列された複数の光電変換蓄積領域と、
この光電変換蓄積領域から読み出された信号電荷を垂直
方向に転送する複数本の垂直転送電荷結合素子と、これ
らの垂直転送電荷結合素子の信号を受け水平方向に転送
する水平転送電荷結合素子とを備えた固体撮像装置にお
いて、前記水平転送電荷結合素子は、二相のクロックに
より駆動されて各転送ゲート下に蓄積領域とバリア領域
とを形成するもので、かつ蓄積領域のポテンシャルとバ
リア領域のポテンシャルとの差が０．６Ｖ以下に設定さ
れてなることを特徴としている。

【００２０】

【作用】本発明によれば、信号電荷の次段への転送にお
いて、次段の転送ゲートの下のバリアの高さが１Ｖ以下
と低いため、転送ゲートへの印加電圧を変化させた時
に、信号電荷の転送が速く始まる。このため、信号電荷
の転送を速く終了させることが可能となる。従って、転
送効率の劣化なしに、二相駆動ＣＣＤの駆動周波数を高
くすることができる。より具体的には、バリアの高さを
０．６Ｖ以下とすることにより、ＨＤＴＶ等の水平ＣＣ
Ｄで使用される７４ＭＨｚの駆動周波数においては勿論
のこと、１００ＭＨｚの駆動周波数においても転送効率
の低下は全く認められず、信号電荷の良好な転送が可能
となった。

【００２１】なお、本発明ではバリアの高さを０．６Ｖ
以下と低くしているため、単位面積当たりの転送電荷容
量の低下が生じる。これは、垂直ＣＣＤのように撮像領
域に多数本配置されるものでは問題となるが、水平ＣＣ
Ｄのように撮像領域外に１本又は２本しかないもので
は、その面積を大きくすることが容易であり、これによ
り十分な転送電荷容量を確保することができる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。（実施例１）図１は、本発明の第１の実施例に係わる二
相駆動ＣＣＤの転送方向の断面及びその転送チャネルの
ポテンシャルを示す図である。

【００２３】図中１はｐ型シリコン基板であり、この基
板１の表面層に信号電荷転送方向に沿って埋込みｎ型不
純物層（埋込みチャネル）２が設けられている。ｎ型埋
込みチャネル２上には、ゲート酸化膜４を介してポリシ
リコンからなる複数の転送ゲート１０（１１，１２，１
３）が、信号電荷転送方向に沿って配置されている。そ
して、各転送ゲート下において、転送方向の前半分にバ
リア層となるｎ^- 型不純物層３が設けられている。

【００２４】本実施例では、蓄積領域のチャネルポテン
シャルとバリア領域のチャネルポテンシャルとの差（バ
リアの高さ）は、例えばイオン注入などの方法によっ
て、埋込みチャネルを形成するｎ型不純物拡散層２に、
バリア領域ｎ^- 層３を形成することによって作られてい
る。このバリアの高さは、イオン注入の条件によって設
定可能で、本実施例では０．５Ｖとするようにしてあ
る。なお、バリアの高さは、転送ゲートに０Ｖを印加し
た時の条件で規定している。印加電圧が高くなると前記
した変調係数αの影響でバリアの高さは上記値よりも若
干小さくなるが、実質的に同じと見なしても問題ない。

【００２５】上記バリア形成のための具体例を説明して
おく。基板１は硼素（Ｂ）ドープのシリコンであり、Ｂ
濃度を３×１０¹⁵ｃｍ^-3とした。ｎ型埋込みチャネル２
は燐（Ｐ）のドープにより形成され、Ｐピーク濃度を６
×１０¹⁶ｃｍ^-3とした。このとき、イオン注入により形
成するｎ^- バリア層３のＢピーク濃度を７×１０¹⁵ｃｍ
^-3とするとバリアの高さ１Ｖを得ることができた。ｎ^-
バリア層３のＢピーク濃度をさらに低くするとより低い
バリアの高さとなる。ちなみに、従来のｎ^- バリア層３
のＢピーク濃度は２×１０¹⁶ｃｍ^-3程度であった。

【００２６】本実施例のＣＣＤが、前記図８に示した従
来例と比較して、転送開始が速い理由を図２を用いて説
明する。図２は、信号電荷がその下に蓄積してある転送
ゲート１２への印加電圧φ２を“Ｈ”レベル（５Ｖ）か
ら“Ｌ”レベル（０Ｖ）に変化させ、次段の転送ゲート
１１への印加電圧φ１を“Ｌ”レベルから“Ｈ”レベル
に変化させたときの、チャネルポテンシャルの変化を示
す図である。転送ゲートへの印加電圧は、入力波形を矩
形波とした場合でも、通常は途中の配線段階での寄生容
量のために波形がなまり、完全な矩形波にはならない。
これは特に駆動周波数が高いときに顕著になる。ここで
は、簡単のため、印加電圧は直線状に変化するとして説
明してある。

【００２７】従来例における転送ゲート１１の下のチャ
ネルポテンシャルはＡ、転送ゲート１２の下のチャネル
ポテンシャルはＢで示されている。また、実施例におけ
るチャネルポテンシャルは、同様に転送ゲート１１下が
Ｃ、転送ゲート１２の下がＤで示されている。

【００２８】従来例においては、転送ゲートへの印加電
圧の変化によって次段の転送ゲート下のチャネルポテン
シャルＡがＢよりも高くなるのは時刻ｔ３である。これ
に対して、バリア高さの低い本実施例ではＣがＤよりも
高くなるのは時刻ｔ２である。即ち、本実施例の方が信
号電荷の転送開始が速い。このため、転送の終了も速く
できる。特に、ＣＣＤを５Ｖで駆動するときには、１Ｖ
以下のバリアは５Ｖの駆動電圧と比較して十分に小さい
ので、本実施例の効果は大きい。

【００２９】図３は、二相駆動ＣＣＤの転送効率の駆動
周波数依存性を測定した結果を示す図である。バリアの
高さが２Ｖの時は、１Ｖの時に比べて高周波数領域での
転送効率の劣化が顕著であり、ＨＤＴＶの水平ＣＣＤで
用いられる７４ＭＨｚの駆動周波数では転送効率１００
％を達成できていない。しかしながら、本実施例のよう
にバリアの高さを１Ｖとした場合には、７４ＭＨｚでも
転送周波数の劣化はみられない。

【００３０】図４は、７４ＭＨｚの駆動周波数における
チャネルポテンシャルと転送効率との関係を示す図であ
る。この図から、チャネルポテンシャルの差が１．２Ｖ
を越えると転送効率が急激に低下し、１Ｖ以下であれば
ほぼ１００％の転送効率が得られることが分かる。従っ
て、７４ＭＨｚの駆動周波数であれば、チャネルポテン
シャルの差を１Ｖ以下に設定することにより、転送効率
の劣化を防止できることになる。

【００３１】また、図３においてバリアの高さを０．６
Ｖとした場合には、１００ＭＨｚでも転送効率の劣化が
見られない。従って、より高い駆動周波数への適用を考
えると、バリアの高さを０．６Ｖ以下にするのが望まし
い。

【００３２】このように本実施例によれば、蓄積領域と
バリア領域とのチャネルポテンシャルの差を０．５Ｖと
低くしているので、信号電荷の次段への転送の際に転送
ゲートへの印加電圧を変化させた際に転送が速く始ま
る。このため、信号電荷の転送が従来に比べて速やかに
行われる。従って、駆動周波数を高くしても転送効率の
劣化が少ないという利点がある。

【００３３】なお、実施例ではバリアの高さが従来に比
べて低いことから、単位面積当たりの転送電荷容量が少
なくなるが、これはＣＣＤのチャネル幅を大きくするこ
とで容易に解決できる。（実施例２）図５は、本発明の第２の実施例に係わる二
相ＣＣＤの転送方向の断面図及びその転送チャネルのポ
テンシャルを示す図である。なお、図１と同一部分には
同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。

【００３４】本実施例におけるバリアの高さは、埋込み
チャネル及びゲート絶縁膜の形成後に、例えば反応性イ
オンエッチングなどの方法によって、ゲート絶縁膜を選
択的に薄くすることによって作られている。このバリア
の高さは、蓄積領域とバリア領域のゲート絶縁膜の膜厚
の差によって設定可能で、本実施例では蓄積領域のチャ
ネルポテンシャルと、バリア領域のチャネルポテンシャ
ルの差を０．５Ｖとするようにしてある。そして、バリ
ア領域の形成後に、転送ゲートが形成されている。

【００３５】具体的には、基板１１及び埋込みチャネル
層２の不純物濃度は第１の実施例と同様とし、蓄積領域
のゲート酸化膜４ａの膜厚を９０ｎｍ、バリア領域のゲ
ート酸化膜４ｂの膜厚を８０ｎｍにしたところ、バリア
の高さ０．５Ｖを得ることができた。そして、バリア領
域のゲート酸化膜４ｂの膜厚を９０ｎｍに近付ける程バ
リアの高さを低くすることができた。

【００３６】本実施例においても、バリアの高さが低い
ことから、第１の実施例と同様に従来例に比べて駆動周
波数を高くすることが可能である。本実施例において
は、第１の実施例と比較してバリア領域と転送ゲートと
の合わせのインラインのＱＣが容易になるという利点が
ある。即ち、第１の実施例においてはバリア領域はイオ
ン注入で形成しているために、次のリソグラフィ工程の
ための合わせマークを作成不可能である。このため、バ
リア領域と転送ゲートとの合わせがどれだけであったか
を測定することが困難である。

【００３７】これに対して、本実施例ではバリア領域を
反応性イオンエッチングなどの方法を用いて形成してい
るため、次のリソグラフィ工程のための合わせマークを
作成可能である。このため、バリア領域を転送ゲートと
の合わせがどれだけずれているかというＱＣが容易にな
る。

【００３８】なお、本実施例においてはバリア領域は反
応性イオンエッチングを用いて形成しているが、バリア
領域のゲート絶縁膜を選択的に剥離した後、再度酸化、
堆積などの手段を用いてゲート絶縁膜を形成し、段差を
付けてもよい。（実施例３）図６は、本発明の第３の実施例に係わる固
体撮像装置の基本構成を示す図である。

【００３９】シリコン基板６０上に複数のフォトダイオ
ード（光電変換蓄積領域）６１が二次元状に配列形成さ
れ、隣接するフォトダイオード６１間に垂直ＣＣＤ６２
が縦列方向に沿って複数本配置されている。垂直ＣＣＤ
６２の端には１本の水平ＣＣＤ６３が配置されている。
垂直ＣＣＤ６２は四相駆動であり、水平ＣＣＤ６３は二
相駆動である。そして、フォトダイオード６１で光電変
換され蓄積された信号電荷は垂直ＣＣＤ６２に読み出さ
れて垂直方向に転送され、さらに水平ＣＣＤ６３により
水平方向に転送され、出力アンプ６４を介して外部に出
力されるものとなっている。

【００４０】ここで、水平ＣＣＤ６３は、先に説明した
第１又は第２の実施例のように構成されている。即ち、
水平ＣＣＤ６３は、二相のクロックφH1，φH2により駆
動されて各転送ゲート下に蓄積領域とバリア領域とを形
成するもので、かつ蓄積領域のポテンシャルとバリア領
域のポテンシャルとの差が１Ｖ以下になるように構成さ
れている。

【００４１】このような構成であれば、ＨＤＴＶのよう
に７４ＭＨｚの駆動周波数においても水平ＣＣＤ６３で
電荷の取り残しが生じることもなく、高い転送効率で信
号電荷を転送することができる。また、水平ＣＣＤ６３
は垂直ＣＣＤ６２と異なり１本配置すればよいので、例
えＣＣＤのチャネル幅を大きくしても、全体としてのチ
ップ面積の増大には殆んど影響を及ぼさない。従って、
バリアの高さを低くしても十分な転送容量を確保するこ
とができる。

【００４２】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では、転送ゲートを単層で形
成したが、図７に示すように二層のポリシリコンで形成
してもよい。具体的には、転送ゲート７１，７２，７３
を１層目ａと２層目ｂで構成し、１層目ａと２層目ｂの
一方を蓄積領域、他方をバリア領域とする。さらに、蓄
積領域とバリア領域を形成するためには、各ゲート下の
不純物の濃度及びゲート絶縁膜の厚さの少なくとも一方
が異なるようにすればよい。その他、本発明の要旨を逸
脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、信
号電荷の次段への転送時において、次段の転送ゲートの
下のバリアの高さが０．６Ｖ以下と低いため、転送ゲー
トへの印加電圧を変化させたときに、転送が速く始ま
る。このため、信号電荷の転送を速く終了させることが
可能になる。従って、転送効率の劣化なしに、二相駆動
ＣＣＤの駆動周波数を高くすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施例に係わる二相駆動ＣＣＤの転送方
向の素子構造と転送チャネルのポテンシャルを示す図。

【図２】転送ゲートの印加電圧を変化させたときのポテ
ンシャルの変化を示す図。

【図３】バリアの高さを変えた時の駆動周波数と転送効
率との関係を示す図。

【図４】７４ＭＨｚの駆動周波数におけるチャネルポテ
ンシャルと転送効率との関係を示す図。

【図５】第２の実施例に係わる二相駆動ＣＣＤの転送方
向の素子構造と転送チャネルのポテンシャルを示す図。

【図６】第３の実施例に係わる固体撮像装置の基本構成
を示す図。

【図７】本発明の変形例を示す図。

【図８】従来の二相駆動ＣＣＤの転送方向の素子構造と
転送チャネルのポテンシャルを示す図。

【図９】従来の二相駆動ＣＣＤにおいて信号電荷を転送
する際のチャネルポテンシャルの変化と信号電荷の動き
を模式的に示す図。

【符号の説明】

１…ｐ型シリコン基板２…ｎ型不純物層（埋込みチャネル）３…ｎ^- 型不純物層４…ゲート酸化膜１１，１２，１３…転送ゲート６０…シリコン基板６１…フォトダイオード６２…垂直ＣＣＤ６３…水平ＣＣＤ６４…出力アンプ

フロントページの続き (56)参考文献特開平６−177172（ＪＰ，Ａ) 実開昭56−129761（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/339 H01L 29/762

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に一方向に沿って単一の導電
層からなる転送ゲートが配列され、各々の転送ゲート下
に不純物濃度の異なる蓄積領域とバリア領域とが一つず
つ形成され、これらの転送ゲートを二相クロックにより
駆動することにより信号電荷を転送する電荷結合素子に
おいて、前記転送ゲートに０Ｖを印加した時に、前記蓄積領域と
バリア領域とのポテンシャルの差が０．６Ｖ以下となる
ように設定したことを特徴とする電荷結合素子。
【請求項２】半導体基板上に二次元的に配列された複数
の光電変換蓄積領域と、この光電変換蓄積領域から読み
出された信号電荷を垂直方向に転送する複数本の垂直転
送電荷結合素子と、これらの垂直転送電荷結合素子の信
号を受け水平方向に転送する水平転送電荷結合素子とを
備えた固体撮像装置において、前記水平転送電荷結合素子は、半導体基板上に一方向に
沿って単一の導電層からなる転送ゲートを配列し、各々
の転送ゲート下に不純物濃度の異なる蓄積領域とバリア
領域とを一つずつ形成して構成され、二相のクロックに
より駆動されて信号電荷を転送するもので、かつ蓄積領
域のポテンシャルとバリア領域のポテンシャルとの差が
０．６Ｖ以下に設定されてなることを特徴とする固体撮
像装置。