JP3335348B2 - Electrical device containing conductive polymer - Google Patents

Electrical device containing conductive polymer

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JP3335348B2
JP3335348B2 JP50911888A JP50911888A JP3335348B2 JP 3335348 B2 JP3335348 B2 JP 3335348B2 JP 50911888 A JP50911888 A JP 50911888A JP 50911888 A JP50911888 A JP 50911888A JP 3335348 B2 JP3335348 B2 JP 3335348B2
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    • H05B3/12Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
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    • H05B3/146Conductive polymers, e.g. polyethylene, thermoplastics

Abstract

Circuit protection systems which comprise a PTC resistor (1) and a second resistor (6), e.g. a thick film resistor (6), which is thermally and electrically connected to the PTC resistor have a break current IB and a hold current IH such that the ratio IB/IH is at most 20. Suitable PTC resistors (1) are conductive polymer devices which comprise a PTC element (10) which has been radiation crosslinked under conditions such that the average dose rate is at most 3.0 Mrad/minute or during which no part of the PTC element (10) which is in contact with the electrodes (2, 3) reaches a temperature greater than (Tm-60) DEG C, where Tm is the melting point of the polymeric component of the conductive polymer (10).

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 この発明は、電気的デバイスに関し、特にPTC導電性
重合体構成を含む回路保護デバイスに関する。
Description: TECHNICAL FIELD This invention relates to electrical devices, and more particularly, to circuit protection devices that include a PTC conductive polymer configuration.

発明への序論 PTC(正温度係数)の特性を呈する導電性重合体構成
及びこれらを含む電気的デバイスは、広く知られてい
る。これに関する明細書が作成されており、例えば、米
国では、特許番号、3,243,753;3,351,882;3,861,029;4,
177,376;4,237,441;4,238,812;4,255,698;4,286,376;4,
315,237;4,317,027;4,329,726;4,330,703;4,352,083;4,
413,301;4,426,633;4,450,496;4,475,138;4,481,498;4,
534,889;4,543,474;4,562,313;4,647,894;4,647,896;4,
685,025;4,654,511;4,689,475;4,724,417;4,761,541;及
び4,774,024;フランス特許明細書第7623707(Moyer);
欧州特許明細書第158,410及び、欧州特許第38,713とし
て提出されたシリアル番号141,989(MP0715,Evans);
欧州特許第63,440として提出された656,046(MP0762,Ja
cobsその他);欧州特許第231,068として提出された81
8,846及び75,929(MP1100,Barma);83,093(MP1090,Kle
iner);102,989(MP1220,Fangその他);103,077(MP122
2,Fangその他);115,089(MP0906,Fangその他);124,69
6(MP0906,Fangその他),150,005(MP0906,Faheyその
他);及び219,416(MP1266,Horsmaその他)がある。
Introduction to the Invention Conductive polymer configurations exhibiting the properties of PTC (Positive Temperature Coefficient) and electrical devices containing them are widely known. A specification has been prepared in this regard, for example, in the United States, Patent Numbers: 3,243,753; 3,351,882; 3,861,029; 4,
177,376; 4,237,441; 4,238,812; 4,255,698; 4,286,376; 4,
315,237; 4,317,027; 4,329,726; 4,330,703; 4,352,083; 4,
413,301; 4,426,633; 4,450,496; 4,475,138; 4,481,498; 4,
534,889; 4,543,474; 4,562,313; 4,647,894; 4,647,896; 4,
685,025; 4,654,511; 4,689,475; 4,724,417; 4,761,541; and 4,774,024; French Patent Specification No. 7623707 (Moyer);
EP 158,410 and serial number 141,989 (MP0715, Evans) filed as EP 38,713;
656,046 filed as European Patent 63,440 (MP0762, Ja
cobs et al.); 81 filed as EP 231,068
8,846 and 75,929 (MP1100, Barma); 83,093 (MP1090, Kle
iner); 102,989 (MP1220, Fang and others); 103,077 (MP122
2, Fang other); 115,089 (MP0906, Fang other); 124,69
6 (MP0906, Fang et al.), 150,005 (MP0906, Fahey et al.); And 219,416 (MP1266, Horsma et al.).

特に、PTC導電性重合体を含む有用なデバイスは、回
路保護デバイスである。このようなデバイスは、通常の
動作状態においては比較的に低い抵抗値を有するが、故
障状態、例えば過度の電流あるいは温度が生じたとき、
前記デバイスは、“トリップ”される、つまり、高抵抗
状態に移行される。デバイスが過大電流によりトリップ
されたとき、PTC素子を通過する電流がPTC素子を自己加
熱させ、高抵抗状態となる温度に上昇させる。回路保護
デバイスが“トリップ”されたとき、熱的勾配が作り出
される。電流が流れたときと同一方向における熱的勾配
が流れる箇所にて、熱的勾配のピーク温度を確かめるた
めの測定を行うことができる。つまり、“ホットライ
ン”や“ホットゾーン”が電極の近くで形成されないた
めである。このような予防的な測定は、米国特許第4,31
7,027及び4,352,083に開示されており、これらの開示を
参照してここで述べる。
In particular, useful devices that include PTC conductive polymers are circuit protection devices. Such devices have a relatively low resistance under normal operating conditions, but when a fault condition occurs, such as when excessive current or temperature occurs.
The device is "tripped", that is, transitioned to a high resistance state. When the device is tripped due to excessive current, the current passing through the PTC element causes the PTC element to self-heat and rise to a temperature at which it becomes a high resistance state. When the circuit protection device is "tripped", a thermal gradient is created. At the point where the thermal gradient flows in the same direction as when the current flows, measurement can be performed to confirm the peak temperature of the thermal gradient. That is, "hot lines" and "hot zones" are not formed near the electrodes. Such a prophylactic measurement is described in U.S. Pat.
7,027 and 4,352,083, which are described herein with reference to these disclosures.

米国特許第4,467,310(Jacab)を参考としてここで述
べるが、この特許は、厚膜抵抗及び円盤形状のPTC抵抗
を含む、電池により給電される抵抗を述べている。厚膜
抵抗及びPTC抵抗は、電気的に直列に接続され、そし
て、両抵抗間で密着した熱的結合を達成させる目的のた
めに、厚膜抵抗を担うセラミック基板の一方の面上に、
互いに対向するようにして装着されるか、あるいは別の
絶縁層の各々の側に装着される。この構成の目的は、厚
膜抵抗に印加される電力ラインの電圧に故障が発生し、
厚膜抵抗が過熱されることにより、この厚膜抵抗が火災
の危険にさらされるのを防止するためである。もしこの
ような故障が生じると、厚膜抵抗の初期温度の上昇がPT
C抵抗を加熱し、これにより、厚膜抵抗が過熱される前
に、急速に抵抗を増大させ、電流を安全レベルに減じ
る。その結果、PTC抵抗は、電流を微弱な電流に減じる
ことにより、(厚膜抵抗及び回路の他の部品の双方に対
して)保護を与える。Jacabによるすべてのデバイスに
おいて、PTC抵抗は、セラミック材料で構成され、そし
て、このセラミック材料と厚膜抵抗とにおいて可能な限
りに密着した熱的結合が与えられるように装着される。
Reference is made here to U.S. Pat. No. 4,467,310 (Jacab), which describes resistors powered by batteries, including thick-film resistors and disc-shaped PTC resistors. The thick-film resistor and the PTC resistor are electrically connected in series, and on one side of the ceramic substrate that carries the thick-film resistor, for the purpose of achieving close thermal coupling between the two resistors.
They are mounted facing each other or on each side of another insulating layer. The purpose of this configuration is to break down the power line voltage applied to the thick film resistor,
This is to prevent the thick film resistor from being exposed to a danger of fire due to overheating of the thick film resistor. If such a failure occurs, the rise in the initial temperature of
Heats the C resistor, thereby rapidly increasing the resistance and reducing the current to a safe level before the thick film resistor is overheated. As a result, PTC resistors provide protection (both for thick film resistors and other components of the circuit) by reducing the current to a weaker current. In all devices according to Jacab, the PTC resistor is composed of a ceramic material and is mounted so as to provide as close a thermal connection as possible between this ceramic material and the thick film resistor.

優れた物理的な特性及び優れた電気的な性能を有する
回路保護デバイスは、デバイスを含む導電性重合体の組
織が架橋結合されたときに得られる。このような架橋結
合は、化学的な架橋剤あるいはガンマ線あるいは電子照
射あるいはこれらの複合使用により達成され得る。電子
ビームで発生されたイオン照射が架橋させるのに最も迅
速でコスト効果のある手段であるということがしばしば
真実である。
Circuit protection devices with good physical properties and good electrical performance are obtained when the conductive polymer tissue containing the device is cross-linked. Such cross-linking can be achieved by a chemical cross-linking agent or gamma ray or electron irradiation, or a combination thereof. It is often true that electron beam generated ion irradiation is the fastest and most cost-effective means of crosslinking.

発明の概要 過大電流(及びこのような電流を生じさせる電圧)に
対する優れた回路保護が、PTCデバイス(“PTCデバイ
ス”及び“PTC抵抗”の語は同義的に用いられる)と、
保護が必要とされる少なくともある故障状況下におい
て、故障状態に対するPTCデバイスの応答を所望の程度
に加減する第2の電気的要素とを含む複合保護デバイス
の使用によって得られるということを発見した。例え
ば、第2の要素は、故障状態で熱を発生させる抵抗であ
ってもよく、この熱がPTCデバイスに印加され、その結
果、デバイスの“トリップ時間”、つまり、回路電流が
安全なレベルに低減されるように、PTCデバイスが高抵
抗状態,高温度状態に変換されるのに要する時間を減じ
る。第2の要素は、トリップ時間のみを実質的に減じる
ために機能させてもよいが、好ましくは、回路保護シス
テムの一部となる。PTCデバイスによる電流の低減が、
第2の要素を保護するため、および/又は、回路の他の
要素を保護するために役立ててもよい。
SUMMARY OF THE INVENTION Good circuit protection against excessive currents (and the voltages that cause such currents) is due to the fact that PTC devices (the terms "PTC device" and "PTC resistor" are used interchangeably)
It has been discovered that at least under certain failure situations where protection is needed, the response of the PTC device to a failure condition can be obtained by using a composite protection device that includes a second electrical element that modifies the desired degree. For example, the second element may be a resistor that generates heat in a fault condition, and this heat is applied to the PTC device, resulting in a device "trip time", that is, a reduction in circuit current to a safe level. As a result, the time required for the PTC device to be converted to a high resistance state and a high temperature state is reduced. The second element may function to substantially reduce trip time only, but is preferably part of a circuit protection system. The reduction of current by PTC device
It may help to protect the second element and / or to protect other elements of the circuit.

この発明によれば、PTC抵抗及び、このPTC抵抗と直列
に接続され、オープン回路状態になることのない、第2
の抵抗を備える回路保護構成では、二つの重要な保護機
構が存在するということも発見した。第1の機構は、比
較的に低い電圧が保護構成に加わった時に機能するもの
であり、抵抗値を増大させて電流を安全レベルに減じる
PTC抵抗により保護が与えられる。第2の機構は、比較
的に高い電圧が保護構成に加わった時に機能するもので
あり、この状態下でもオープン回路状態とならない第2
の抵抗により保護が与えられる。この発明によれば、PT
C抵抗と第2の抵抗との間の熱的結合の程度が、これら
の保護機構が特定の電圧によって機能させられることに
深い影響を持つということを更に発見した。抵抗の間で
の熱的結合がより良好であればある程、第1の機構に優
先して第2の機構を生じさせるためにより高い電圧が必
要とされる。
According to the present invention, the PTC resistor and the second PTC resistor are connected in series with the PTC resistor and do not enter the open circuit state.
It has also been discovered that there are two important protection mechanisms in a circuit protection configuration with the following resistors. The first mechanism works when a relatively low voltage is applied to the protection configuration, increasing the resistance and reducing the current to a safe level.
Protection is provided by PTC resistors. The second mechanism functions when a relatively high voltage is applied to the protection configuration, and the second mechanism does not enter the open circuit state even in this state.
Protection is provided by the resistance of According to the present invention, PT
It has further been discovered that the degree of thermal coupling between the C resistance and the second resistance has a profound effect on the ability of these protection mechanisms to function with a particular voltage. The better the thermal coupling between the resistors, the higher the voltage required to cause the second mechanism to take precedence over the first mechanism.

PTC抵抗は、いずれのタイプであってもよく、例え
ば、セラミックあるいは導電性重合体で構成され得る。
しかしながら、この発明は、PTC材料、特に導電性重合
体に対して特定の値を持ち、これにより、もしこれらが
過度の電気的なストレス(つまり、通常の予想される故
障状態に含まれるものよりも大きいストレス)を被った
とき、危険性な状況を低減できる。このような危険的な
状況は、本発明によれば、PTC抵抗を第2の抵抗と結び
つけることにより、避けることができる。即ち、同様な
過度のストレス(または、PTC抵抗に電気的なストレス
にある特定の方法で関係する電気的なストレス)を被っ
たとき、PTC材料が危険的な劣化を被ることのない十分
に短い時間内に、第2の抵抗がオープン回路状態になら
ないようにする。そのような構成とすることにより、過
度の電気的ストレスの影響下において、PTC抵抗および
第2の抵抗を含む保護的構成で先に作用したルールの逆
が起きる。即ち、第2の抵抗がPTC抵抗を保護するより
も(前に)PTC抵抗が第2の抵抗を保護する。
The PTC resistor may be of any type, for example, it may be composed of a ceramic or a conductive polymer.
However, the present invention has specific values for PTC materials, especially conductive polymers, which allow them to be subjected to excessive electrical stress (i.e., those included in normal expected failure conditions). Can also reduce dangerous situations when subjected to high stress. Such a dangerous situation can be avoided according to the invention by coupling the PTC resistor with the second resistor. That is, when subjected to a similar excessive stress (or an electrical stress related to the electrical stress in a certain way to the PTC resistance), the PTC material is short enough that it does not suffer from dangerous degradation. Ensure that the second resistor does not go into an open circuit state in time. With such a configuration, under the influence of excessive electrical stress, the reversal of the rule that previously worked in the protective configuration including the PTC resistor and the second resistor occurs. That is, the PTC resistor protects the second resistor before (before) the second resistor protects the PTC resistor.

第2の抵抗は、いずれの種類であってもよいが、好ま
しくは、ZTC抵抗であり、そして、オープン回路状態を
なくせる能力は、いずれかの方法により達成される。こ
の発明は、セラミック基板により支援される厚膜あるい
は他の抵抗に対する特定の値に関する。このような厚膜
抵抗は、過度の電気的ストレス下において、抵抗及び基
板、及び/又は基板の異なった部分、及び/又は抵抗の
分離に導く、抵抗の異なった部分、及び/又は、基板上
に位置する抵抗への一つあるいは多数の接続体の膨張の
差異の結果として、オープン回路状態にならないように
できる。その結果、このようなオープン回路状態をなく
せる状態は、基板の寸法及び構成に大きく依存し、例え
ば、使用時に存在する熱的勾配を受けることによって割
れを生じる弱い面(例えばレーザーあるいはダイヤモン
ドで描かれた、くびれの部分あるいは溝)に形成でき
る。このような熱的勾配は、例えば、電気的リード線の
手段により、および/又は電流が流れない(基板から延
在する)金属の面あるいは帯の手段により、及び/又は
例えばくさび形状のような不規則な形状の抵抗の使用に
より、基板に浸透する熱の差異に影響され得る。
The second resistor may be of any type, but is preferably a ZTC resistor, and the ability to eliminate open circuit conditions is achieved by any method. The present invention relates to specific values for thick films or other resistors supported by a ceramic substrate. Such a thick film resistor may have different resistances and / or different parts of the substrate and / or on the substrate which, under excessive electrical stress, can lead to different parts of the resistance and / or the substrate and / or separation of the resistance. Open circuit conditions as a result of the differential expansion of one or more connections to the resistor located at As a result, conditions that can eliminate such open circuit conditions are highly dependent on the dimensions and configuration of the substrate, for example, weak surfaces (e.g., drawn with a laser or diamond) that can crack due to thermal gradients that exist during use. (A constricted portion or groove). Such thermal gradients may be provided, for example, by means of electrical leads and / or by means of metal surfaces or strips (extending from the substrate) through which current does not flow, and / or such as, for example, wedge-shaped The use of irregularly shaped resistors can be affected by differences in heat penetrating the substrate.

このPTC抵抗及び第2の抵抗は、好ましくは、一つの
複合デバイスの一部である。
The PTC resistor and the second resistor are preferably part of one composite device.

PTC抵抗は多数存在し、このようなPTC抵抗は、同一あ
るいは異なるもので、互いに直列あるいは並列に接続さ
れ、及び/又、第2の抵抗は多数存在し、このような抵
抗は、同一あるいは異なるもので、直列あるいは並列に
接続される。
There are many PTC resistors, such PTC resistors may be the same or different, connected in series or parallel to each other, and / or there may be many second resistors, such resistors may be the same or different And are connected in series or in parallel.

従って、その第1の態様において、この発明は、PTC
抵抗及びこのPTC抵抗と直列に接続され、かつPTC抵抗と
熱的に接触している第2の抵抗を備える回路保護システ
ムを提供し、このシステムは、(後述するごとく測定さ
れた)遮断電流IB、及び(後述すごとく測定された)保
持電流IH、及び多くて20、好ましくは多くて15、特に好
ましくは多くて10のIB/IH比を有する。
Accordingly, in its first aspect, the present invention provides a PTC
There is provided a circuit protection system comprising a resistor and a second resistor connected in series with the PTC resistor and in thermal contact with the PTC resistor, the system comprising an interrupting current I (measured as described below). B , and a holding current I H (measured as described below), and an I B / I H ratio of at most 20, preferably at most 15, and particularly preferably at most 10.

PTC抵抗が抵抗でない第2の要素に接続される複合デ
バイスも又、この発明により提供される。従って、第2
の態様においては、この発明は、電気的装置を提供し、
この装置は、 (1)少なくとも1枚の薄板状の基板と; (2)少なくとも一つの第1の電気的要素であって、
(i)少なくとも上記の基板の一つに物理的に接近し、
(ii)抵抗R1を有し、そして(iii) (a)スイッチング温度TsでPTC特性を呈する導電性
重合体で構成された薄板状のPTC素子、及び (b)PTC素子を通して電極間で電流が流れるよう
に、電源に接続された少なくとも2枚の薄板状の電極 を有する第1の電気的要素と; (3) (a)少なくとも上記基板の一つに物理的に接近し、 (b)少なくとも第1の要素の一つに良好な熱的接触
状態にあり、 (c)少なくとも第1の要素に電気的に接続され、 (d)電圧の関数として変化する抵抗R2を有する、 少なくとも一つの第2の電気的要素と; (4)少なくとも第1の要素の一つと電気的に接続さ
れ、少なくとも一つの第2の要素と熱的に接触している
電気的コネクターと; を含む。
A composite device in which the PTC resistor is connected to a second element that is not a resistor is also provided by the present invention. Therefore, the second
In an aspect, the present invention provides an electrical device,
The apparatus comprises: (1) at least one sheet-like substrate; and (2) at least one first electrical element,
(I) physically approaching at least one of the above substrates;
(Ii) the resistance R 1 has, and (iii) (a) switching temperature Ts in laminar PTC element composed of a conductive polymer exhibiting PTC behavior, and (b) current through the PTC element between the electrodes (A) physically approaching at least one of said substrates; and (b) providing a first electrical element having at least two sheet-like electrodes connected to a power supply such that in good thermal contact with the at least one of the first element is electrically connected to at least a first element (c), it has a resistance R 2 which changes as a function of (d) the voltage, at least a And (4) an electrical connector electrically connected to at least one of the first elements and in thermal contact with the at least one second element.

複合デバイスにおいて薄板状のPTCデバイスの使用
は、PTCデバイスと第2の要素との間で十分な接触と、
迅速な熱伝達を達成するのに有利であり、そして、特に
複合デバイスがプリント回路基板上の使用のために設計
されたとき、利用可能な空間の最適利用を提供する。ほ
とんどの応用に対しては、PTCデバイスが照射されるの
が望ましく、そして、印加される電圧が交流60Vあいる
はこれ以上の多くの応用に対しては、例えば50Mradより
大きい、高い照射が役に立つ。電子ビーム照射における
一つの困難は、これらに対する高照射の結果、導電性重
合体における急速な温度上昇がある。付加的な問題は、
これらの状況下において、架橋処理の間に、消費される
より以上により急速にガスが発生することである。その
結果、ガス発生による金属箔電極の層分離を避けるため
に、高電圧状態下の使用のために設計されたデバイス
は、薄板状導電性重合体素子の表面に取り付けられた、
要素薄板状の金属箔あるいは網の電極で形成されるより
もむしろ、導電性重合体のマトリックスに拡散された並
列の柱状電極で形成される。例えば、欧州特許出願第6
3,440として提出された、米国番号第656,046は、薄板状
電極が装置を形成するために取り付けられる前に、薄板
状導電性重合体素子に照射することが必要である。拡散
された柱状電極を含むデバイスに対しては、照射の間の
急速な加熱及びガス発生が、重合体/電極の境界で空間
を形成する結果となり、接触抵抗を生じ、そして、高電
圧での動作の間における電気的故障に対して位置を占め
る。
The use of a sheet-like PTC device in a composite device requires sufficient contact between the PTC device and the second element,
It is advantageous to achieve rapid heat transfer, and provides optimal utilization of the available space, especially when the composite device is designed for use on a printed circuit board. For most applications, it is desirable for the PTC device to be illuminated, and for many applications where the applied voltage is 60V AC or higher, high illumination, e.g., greater than 50Mrad, is useful. . One difficulty with electron beam irradiation is that there is a rapid rise in temperature in the conductive polymer as a result of high irradiation to them. An additional problem is
Under these circumstances, the evolution of gas during the crosslinking process is more rapid than is consumed. As a result, devices designed for use under high voltage conditions to avoid delamination of the metal foil electrode due to gas evolution were mounted on the surface of the laminar conductive polymer element,
Rather than being formed by sheet metal foil or mesh electrodes, they are formed by parallel columnar electrodes that are diffused into a conductive polymer matrix. For example, European Patent Application No. 6
U.S. Pat. No. 656,046, filed as 3,440, requires irradiating a lamellar conductive polymer element before the lamellar electrodes are mounted to form a device. For devices that include diffused columnar electrodes, rapid heating and gassing during irradiation results in the formation of a space at the polymer / electrode interface, resulting in contact resistance and high voltage application. Occupies a position for electrical failure during operation.

薄板状デバイスを効率的にかつ安価に作製するため、
薄板状金属箔電極が照射の前に取り付けられ、そして、
柱状電極を有する上記デバイスが、重合体/電極の境界
で急速なガス放出の結果として空間の形成を被らないよ
うにすることが望ましい。又、薄板状電極を積層化する
ことなく、薄板状装置が比較的に高い電圧及び電流に耐
えることができことが望ましい。もし、導電性重合体素
子が照射の間に低温度に保たれるならば、優れた性能を
有する電気的デバイスを製造できるということを発見し
た。
In order to efficiently and inexpensively manufacture thin plate devices,
A sheet metal foil electrode is attached prior to irradiation, and
It is desirable that such devices with columnar electrodes not suffer from the formation of spaces at the polymer / electrode interface as a result of rapid outgassing. It is also desirable that the sheet-like device can withstand relatively high voltages and currents without laminating the sheet-like electrodes. It has been discovered that if the conductive polymer element is kept at a low temperature during irradiation, an electrical device with excellent performance can be manufactured.

従って、第3の態様では、この発明は、(1)PTC特
性を呈し、かつ重合体要素を含み、そして重合体要素内
に分散された導電性充填剤の粒子を含む架橋導電性重合
体からなるPTC素子と;そして、(2)PTC素子に電気的
に接続され、該PTC素子を通して電流を生じさせるため
に電源に接続可能とした2つの電極とを含む、電気的デ
バイスの作製方法を提供し、 (a)平均照射速度は速くて3.0Mrad/分であり;そし
て、本方法は、PTC素子に放射線架橋を行い、その架橋
は電子ビームの使用により行われ、そして、次の条件、 (b)PTC素子の各々の電流−供給部分で吸収される照
射量は少なくとも50Mradであり、そして、架橋反応にお
いて、電極に接触しているPTC素子のいずれの部分も(T
m−60)℃より高温に達せず、ここでTmは、重合体要素
において最低融点を持つ重合体の示す差動走査熱量計に
よる吸熱曲線のピークで測定された温度である、 の内の一つを満たす。
Thus, in a third aspect, the present invention relates to a method for preparing a crosslinked conductive polymer that exhibits (1) PTC properties and includes a polymer element and includes particles of a conductive filler dispersed within the polymer element. And (2) two electrodes electrically connected to the PTC element and capable of being connected to a power supply to generate a current through the PTC element. (A) the average irradiation rate is as fast as 3.0 Mrad / min; and the method comprises subjecting the PTC device to radiation crosslinking, the crosslinking being performed by using an electron beam, and the following conditions: b) The dose absorbed in each current-supplying part of the PTC element is at least 50 Mrad, and in the crosslinking reaction any part of the PTC element in contact with the electrode (T
m-60) ° C., where Tm is the temperature measured at the peak of the differential scanning calorimeter endothermic curve for the polymer with the lowest melting point in the polymer element. Meet one.

この発明は、電源,負荷及び回路保護装置あるいは上
述したデバイスを備える電気的回路を更に含む。このよ
うな回路では、第1及び第2の電気的要素は、回路の通
常の動作状態及び故障状態下(例えば第2の要素が電話
機の回路におけるサージ抵抗のとき)では、双方が直列
に接続され、あるいは、第2の要素は、通常の動作状態
ではこれに電流が流れないが、故障状態(例えば第2の
要素が電話機回路におけるクランプ手段を与えるために
大地に接続されるVDRであるとき)では第1の要素と直
列に位置する。
The invention further includes an electrical circuit comprising a power supply, a load and a circuit protection device or the device described above. In such a circuit, the first and second electrical elements are connected in series under normal operating and fault conditions of the circuit (eg, when the second element is a surge resistor in a telephone circuit). Alternatively, the second element may have no current flowing under normal operating conditions, but have a fault condition (eg, when the second element is a VDR connected to ground to provide clamping means in a telephone circuit). ) Is in series with the first element.

発明の詳細な説明 この発明の回路保護デバイスは、PTC特性を呈する。
この“PTC"という語は、この明細書では、少なくとも2.
5のR14値あるいは少なくとも10のR100値を有し、そして
好ましくは双方の値を有し、そして特に好ましくは、少
なくとも6のR30値を有する、デバイス(例えばPTC抵
抗)あるいは構成を意味するために用いられ、ここで、
R14とは、14℃の範囲における終わりと始めとの抵抗率
の比であり、R30とは、30℃の範囲における終わりと始
めとの抵抗率の比であり、R100とは、100℃の範囲にお
ける終わりと始めとの抵抗率の比である。“ZTC特性”
は、ヒーターの動作範囲内のいずれかの30℃の温度範囲
で抵抗率が6倍、好ましくは2倍以上に増大するデバイ
スあるいは構成を意味するために用いられる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The circuit protection device of the present invention exhibits PTC characteristics.
The term "PTC" is used in this specification for at least 2.
A 5 R 14 value or at least 10 R 100 value of, and preferably have both values, and particularly preferably means having the R 30 value of at least 6, the device (e.g., PTC resistor) or structure Where:
R 14 is the ratio of the end-to-start resistivity in the range of 14 ° C., R 30 is the ratio of the end-to-start resistivity in the range of 30 ° C., and R 100 is 100 It is the ratio of the end-to-start resistivity in the range of ° C. “ZTC characteristics”
Is used to mean a device or configuration whose resistivity increases by a factor of 6, preferably 2 or more, at any temperature range of 30 ° C. within the operating range of the heater.

ここで述べられた発明は、導電性重合体素子を含む電
気的デバイス、及びこのようなデバイスを作製するため
の製法に関する。この導電性重合体素子は、重合性要素
と、この重合性要素に分散された、粒子状の導電性充填
剤とで構成される。この重合性要素は、好ましくは、結
晶性組織の重合体あるいは、少なくとも一つの結晶性組
織の重合体を含む混合物であり、このような語は、シロ
キサンを包含して用いられる。重合体要素は、差動走査
熱量計により発生された吸熱曲線でのピーク温度として
定義される融点を有する。もし、重合体要素が重合体の
混合物であるならば、その融点は、最低の融点の重合性
要素の融点として定義される。導電性充填剤は、グラフ
ァイト、カーボンブラック、金属、金属酸化物、それ自
身が有機重合体及び粒子状の導電性充填剤を含む、粒子
状の導電性重合体あるいはこれらの物の複合であっても
よい。この導電性重合体素子は、又、非酸化物,不活性
の充填剤,プロラッド(prorads),安定化剤,分散用
作用剤,あるいは他の要素であってもよい。導電性充填
剤及び他の要素の分散は、乾式混合,溶融処理あるいは
拡散により行われてもよい。導電性重合体の抵抗率は、
23℃(つまり室温)で測定される。
The invention described herein relates to electrical devices that include a conductive polymer element, and a method for making such devices. The conductive polymer element is composed of a polymerizable element and a particulate conductive filler dispersed in the polymerizable element. The polymerizable element is preferably a polymer of crystalline structure or a mixture comprising at least one polymer of crystalline structure, such terms being used to include siloxane. The polymer element has a melting point defined as the peak temperature in the endothermic curve generated by the differential scanning calorimeter. If the polymer element is a mixture of polymers, its melting point is defined as the melting point of the lowest melting polymerizable element. The conductive filler is graphite, carbon black, a metal, a metal oxide, itself containing an organic polymer and a particulate conductive filler, a particulate conductive polymer or a composite of these. Is also good. The conductive polymer element may also be a non-oxide, inert filler, prorads, stabilizers, dispersing agents, or other elements. Dispersion of the conductive filler and other elements may be accomplished by dry mixing, melt processing or diffusion. The resistivity of the conductive polymer is
Measured at 23 ° C (ie, room temperature).

導電性重合体素子は、スイッチング温度TsでPTC特性
を呈し、この温度は、抵抗率対温度の対数曲線における
比較的にフラットな部分に対する接線と、曲線の急峻な
部分との交点として定義される。適した構成及び、構成
を含むPTCデバイスは、米国特許番号4,237,411;4,238,8
12;4,255,698;4,315,237;4,317,027;4,329,726;4,452,0
83;4,413,301;4,450,496;4,475,138;4,481,498;4,534,8
89;4,562,313;4,647,894;4,647,896;4,685,025;4,724,4
17;4,774,024;及び米国特許出願番号141,989(MP0715)
に開示されており、これらの開示を参考としてここで述
べる。もし、PTC素子が、一つ以上の層を含み、そし
て、PTC特性を示さない層の一つあるいはより多くが重
合性構成から作製されるならば、複合層の素子は、PTC
特性を呈するに違いない。導電性重合体は、Tsから(Ts
+20)℃、好ましくはTsから(Ts+40)℃、特に好まし
くはTsから(Ts+75)℃の範囲で減少しない抵抗率を有
すべきである。
The conductive polymer element exhibits PTC characteristics at the switching temperature Ts, which is defined as the intersection of the tangent to the relatively flat part of the logarithmic curve of resistivity versus temperature and the steep part of the curve. . Suitable configurations and PTC devices including configurations are described in U.S. Pat.Nos. 4,237,411;
12; 4,255,698; 4,315,237; 4,317,027; 4,329,726; 4,452,0
83; 4,413,301; 4,450,496; 4,475,138; 4,481,498; 4,534,8
89; 4,562,313; 4,647,894; 4,647,896; 4,685,025; 4,724,4
17; 4,774,024; and U.S. Patent Application No. 141,989 (MP0715)
And are described herein with reference to these disclosures. If the PTC device includes one or more layers and one or more of the layers that do not exhibit PTC properties are made from a polymerizable configuration, the composite layer device is a PTC device.
Must exhibit characteristics. The conductive polymer can be converted from Ts to (Ts
+20) ° C, preferably from Ts to (Ts + 40) ° C, particularly preferably from Ts to (Ts + 75) ° C.

PTC素子に取り付けられた二つの電極は、このPTC素子
内に電流を生じさせるために、電源に接続できるように
なっている。この電極は、導電性重合体内な埋め込まれ
た平行の柱状電極であってもよく、あるいは、PTC素子
の表面に取り付けられた、硬質あるいは穴をあけた金属
あるいは金属網を含む薄板状電極であってもよい。特に
好ましいのは、電着による微視的な表面粗さを有するニ
ッケルあるいは銅の金属箔による電極である。
Two electrodes attached to the PTC element are adapted to be connected to a power source to generate a current in the PTC element. This electrode may be an embedded parallel columnar electrode in a conductive polymer, or a sheet-like electrode comprising a hard or perforated metal or metal mesh attached to the surface of the PTC element. You may. Particularly preferred is an electrode made of a metal foil of nickel or copper having a microscopic surface roughness by electrodeposition.

電気的デバイスは、化学的架橋剤あるいは、コバルト
源または電子ビームのようなイオン化放射源の使用によ
って架橋結合されてもよい。電子ビームは、照射の効
率,速度及びコストに対して特に好ましい。このデバイ
スは、いかなるレベルで照射されてもよいが、高電圧印
加の使用を目的としたデバイスに対しては、50ないし10
0Mradあるいはこれ以上(例えば150Mrad)の照射が好ま
しい。この照射は、1段階あるいはより多い段階で行わ
れてもよく、各々の照射は、PTC素子が重合体要素の融
点を上回る温度に加熱され、そして重合体要素を結晶化
させるために冷却される、熱処理段階によって分けられ
てもよい。架橋結合処理は、PTC素子に取り付けられた
電極を用いて、あるいは用いずに行われる。放射線の照
射は、PTC素子の各々の電流を伝える部分によって吸収
される放射線照射の最小量として定義される。電流が薄
板状電極に面に対する法線の向きに(つまりPTC素子の
厚さ方向に)電流が流れる薄板状電極の場合、PTC素子
全体が最小の照射量に照射されなければならない。円柱
状電極が埋設されたデバイスに対しては、電極の間でか
つ電極に対して平行になっているPTC素子の中央部が、
最小の照射量に照射されるべきである。
The electrical device may be cross-linked by use of a chemical cross-linking agent or an ionizing radiation source such as a cobalt source or an electron beam. Electron beams are particularly preferred for irradiation efficiency, speed and cost. The device may be irradiated at any level, but for devices intended for use with high voltage application, 50 to 10
Irradiation at 0 Mrad or more (eg 150 Mrad) is preferred. This irradiation may be performed in one or more stages, each irradiation being heated to a temperature above the melting point of the polymer element and cooled to crystallize the polymer element. And the heat treatment step. The cross-linking treatment is performed with or without an electrode attached to the PTC element. Irradiation is defined as the minimum amount of radiation absorbed by each current-carrying portion of the PTC element. In the case of a lamella where current flows through the lamella in a direction normal to the plane (ie in the thickness direction of the PTC element), the entire PTC element must be irradiated to a minimum dose. For devices with embedded columnar electrodes, the center of the PTC element between and parallel to the electrodes is
It should be irradiated at the minimum dose.

照射段階の間では、電極と接した状態にあるPTC素子
のいずれの部分においても温度が(Tm−60)℃、好まし
くは(Tm−80)℃より高温にならないことが好ましい。
およそ130℃のTmを有する、高濃度のポリエチレンで構
成されたデバイスの場合、温度は60℃以下、好ましくは
50℃以下、特に好ましくは40℃以下に留めることが肝要
である。電子ビームの場合、ファンあるいはガスを使用
して、あるいは熱−吸収容量の大きい対象物に隣接させ
てデバイスを設置してデバイスを冷却することにより、
照射が行われる。これとは別に、平均照射速度が速くて
も3.0Mrad/分とした低電子ビーム電流の使用により低温
度に維持して行われてもよい。この値は、電子ビームの
強度及びビーム経路をデバイスが通過する速度に基づ
き、ビーム経路におけるデバイスの位置の関数としてプ
ロットされた瞬時の照射速度のベル曲線における半分の
高さの値をとることにより、計算される。もしデバイス
が照射過程で冷たく保たれるならば、ガス(つまり、架
橋結合段階からの水素)の発生速度は、デバイスからの
ガスの拡散速度と平衡し、たとえガス発生があっても、
PTC素子と電極との間の境界でほとんど気泡は観察され
ない。その結果、薄板状デバイスの場合では、薄板状電
極は、層分離に至らず、そして、円柱状の電極が埋設さ
れている場合、重合体/電極の境界で気泡及び空隙の個
数が制限される。このことは、電流が印加される間の電
気的性能が改善されたことになる。
During the irradiation phase, it is preferred that the temperature of any part of the PTC element in contact with the electrode does not rise above (Tm-60) C, preferably above (Tm-80) C.
For devices composed of high-concentration polyethylene having a Tm of approximately 130 ° C., the temperature is below 60 ° C., preferably
It is important to keep the temperature at 50 ° C or lower, particularly preferably at 40 ° C or lower. In the case of an electron beam, the device is cooled using a fan or gas or by placing the device adjacent to an object with a large heat-absorption capacity.
Irradiation is performed. Alternatively, it may be performed while maintaining a low temperature by using a low electron beam current of 3.0 Mrad / min at a high average irradiation speed. This value is based on the intensity of the electron beam and the speed at which the device passes through the beam path, taking the half height value in the instantaneous irradiation rate bell curve plotted as a function of the position of the device in the beam path. Is calculated. If the device is kept cool during the irradiation process, the rate of evolution of gas (ie, hydrogen from the cross-linking step) will be balanced with the rate of diffusion of gas from the device, and even if there is gas evolution,
Almost no bubbles are observed at the boundary between the PTC element and the electrode. As a result, in the case of lamellar devices, lamellar electrodes do not lead to layer separation, and the number of bubbles and voids is limited at the polymer / electrode boundary when columnar electrodes are embedded. . This results in improved electrical performance while the current is being applied.

この発明の薄板状の電気的デバイスは、3層あるいは
より多くの層の導電性重合体を含むPTC素子を含んでも
よい。この層は、同一あるいは異なった重合性要素、あ
るいは同一あるいは異なった導電性充填剤を有してもよ
い。特に第1,第2及び第3の層を備え、電極間のすべて
の電流経路が連続的に第1,第2及び第3の層を通る構成
のデバイスが好ましい。第1と第3の層で挟まれる第2
の層は、デバイスが電流に曝されたときに形成されるホ
ットラインの所に位置するのが望ましい。この構成は、
室温の抵抗率が第1及び第3の双方のものよりもより大
きい第2の層の使用により達成される。動作の間、I2R
の加熱を通して、最大の抵抗率の箇所で熱が発生し、こ
の作用は、デバイスの(第1あるいは第3の層)の上部
あるいは底部に対して、(第2の層)の中央領域の限定
された熱発散により強められる。もし、ホットラインが
デバイスの中央で制御されるならば、ホットラインは電
極で形成されず、薄板状デバイスに共通する、失敗の一
つの機構を排除させる。
The laminar electrical device of the present invention may include a PTC element containing three or more layers of conductive polymer. This layer may have the same or different polymerizable elements, or the same or different conductive fillers. In particular, a device having the first, second, and third layers, and in which all current paths between the electrodes continuously pass through the first, second, and third layers, is preferable. The second sandwiched between the first and third layers
Is preferably located at a hot line formed when the device is exposed to current. This configuration,
A room temperature resistivity is achieved by using a second layer that is greater than both the first and third. During operation, I 2 R
Through the heating of the device, heat is generated at the point of maximum resistivity, the effect of which is to limit the central region of the (second layer) to the top or bottom of the (first or third layer) of the device. Enhanced heat dissipation. If the hot line is controlled in the center of the device, the hot line is not formed with electrodes, eliminating one mechanism of failure common to laminar devices.

3層の抵抗率は、幾つかの方法により変化させること
ができる。層の重合性要素は、同一であるが、導電性充
填剤の充填量が第2の層に対して異なる。ほとんどの場
合、第1の層の充填剤よりもより低い導電率である導電
性充填剤の充填量をより少なくするか、あるいは同量と
することにより、より高い抵抗率が達成される。ある場
合には、同一量の導電性充填剤であるがより少ない非導
電性充填剤の使用により、より高い抵抗率が達成され得
る。導電性充填剤がカーボンブラックであるとき、重合
性要素が層に対して同じであるが、第2の層へのカーボ
ンブラックの充填量は、第1及び第3の層に対する量よ
りも少なく、少なくとも2、好ましくは少なくとも3、
特に好ましくは少なくとも4%体積である時、有用な構
成が達成されるということが見いだされた。第2の層の
抵抗率は、第1及び第3の抵抗率よりも、好ましくは少
なくとも20%、特に少なくとも2倍、特に好ましくは少
なくとも5倍、高い。3層で形成されたPTC素子は、50
オーム・cm以下の抵抗率、あるいは100オーム以下の抵
抗を有する第2の層を備えてもよい。別の実施例では、
第1の層及び第3の層の抵抗率は、第2の層の抵抗率の
0.1倍である。
The resistivity of the three layers can be varied in several ways. The polymerizable elements of the layers are the same, but the loading of the conductive filler is different for the second layer. In most cases, higher resistivity is achieved by lowering or equaling the loading of conductive filler, which has a lower conductivity than the filler of the first layer. In some cases, higher resistivity may be achieved by using the same amount of conductive filler but less non-conductive filler. When the conductive filler is carbon black, the polymerizable element is the same for the layers, but the loading of carbon black in the second layer is less than in the first and third layers, At least 2, preferably at least 3,
It has been found that a useful configuration is achieved, especially when at least 4% by volume. The resistivity of the second layer is preferably at least 20%, in particular at least two times, particularly preferably at least five times higher than the first and third resistivity. The PTC element formed by three layers is 50
A second layer having a resistivity of less than ohm-cm or less than 100 ohms may be provided. In another embodiment,
The resistivity of the first and third layers is the resistivity of the second layer.
It is 0.1 times.

積層されたデバイスは、抵抗率が少なくとも一桁違う
PTC及びZTC材料の形成に対する箇所で述べられている。
もし、各々の層のスイッチング温度Tsが第2の層のスイ
ッチング温度の15℃内ならば、3層すべてがPTC性質を
呈するときに有効な薄板状デバイスを形成できるという
ことが見いだされている。上記Tsをすべての3層に対し
て同一にすることが好ましく、このことは、各々の層に
対して導電性重合体構成において同一の重合性要素の使
用により達成され得る。
Stacked devices differ in resistivity by at least an order of magnitude
Reference is made to the formation of PTC and ZTC materials.
It has been found that if the switching temperature Ts of each layer is within 15 ° C. of the switching temperature of the second layer, an effective lamellar device can be formed when all three layers exhibit PTC properties. Preferably, the Ts is the same for all three layers, which can be achieved by using the same polymerizable element in the conductive polymer configuration for each layer.

第2の層が、第1,第2及び第3の層のトータルの厚さ
の1/4以下、特に1/5以下の厚さであるとき、ホットライ
ンが制御される、有用な積層された薄板状デバイスも
又、形成される。好ましいデバイスは、少なくとも0.06
0インチ、特に少なくとも0.100インチのトータルの厚さ
を有する。それらは100オーム以下の抵抗を有する。こ
のようなデバイスは、印加電圧が120Vあるいはこれ以上
で特に、50Mrad以上のレベルの照射に曝されるとき、回
路保護の適用に対して有利である。特にこのような適用
に対しては、少なくとも第2の層、好ましくは第1及び
第3の層が同様に無機のフィルターを含む構成を含むデ
バイスが好ましい。特に好ましいのは、これらの無機の
フィルターが、アーク制御手段として役立ち、そして空
気の存在しない状態で加熱されたとき、分解して水,炭
酸ガスあるいは窒素を与えるのが好ましい。アルミナ三
酸化物及びマグネシウム水酸化物を含む適した材料は、
米国特許番号第4,774,024号及び出願番号第141,989号に
開示されており、こられの開示を参考としてここで述べ
る。
When the second layer has a thickness of 1/4 or less, especially 1/5 or less of the total thickness of the first, second and third layers, the hot line is controlled and useful lamination. Laminated devices are also formed. Preferred devices are at least 0.06
It has a total thickness of 0 inches, especially at least 0.100 inches. They have a resistance of less than 100 ohms. Such a device is advantageous for circuit protection applications, especially when the applied voltage is 120 V or higher and is exposed to irradiation at a level of 50 Mrad or higher. Particularly for such applications, preference is given to devices comprising a configuration in which at least the second layer, preferably the first and third layers, likewise comprise an inorganic filter. It is particularly preferred that these inorganic filters serve as arc control means and decompose to provide water, carbon dioxide or nitrogen when heated in the absence of air. Suitable materials, including alumina trioxide and magnesium hydroxide, include:
Nos. 4,774,024 and 141,989, the disclosures of which are incorporated herein by reference.

この発明の電気的装置の態様は、しばしば薄板状のPT
C抵抗である少なくとも一つの第1の要素、少なくとも
一つの第2の要素、薄板状の基板、及び電気的リード線
を含む。第2の要素は、通常、抵抗であり、その抵抗値
は、比較的に電圧と無関係であるが、この発明の一つの
態様では、第2の要素は、電圧の関数として変化する抵
抗値を有するのが好ましい。このような要素は、バリス
タ,トランジスタあるいは他の電気的要素のような電圧
−依存抵抗(VDR)を含む。これとは別に、第2の要素
は、例えば、厚膜抵抗、薄膜抵抗、金属フィルム抵抗カ
ーボン抵抗、金属ワイヤーあるいは、例えば溶解成型
(溶解押出,移動成型及び射出成型を含む)、溶解成型
(印刷法及び鋳造法を含む)、シンタリングあるいは他
のいずれかの適した技術により形成された導電性重合体
抵抗であってもよい。これらのある技術により形成され
た抵抗の抵抗値は、レーザートリミングの技術により変
化可能である。23℃での抵抗の抵抗値は、23℃でのPTC
素子の抵抗と比較して、好ましくは、少なくとも2倍、
特に好ましくは少なくとも5倍、特別には少なくとも10
倍あるいは更に高く、例えば少なくとも20倍である。抵
抗の抵抗値は、好ましくは温度により実質的に増加しな
い。例えばおよそ200V以上の高電圧印加のためには、抵
抗の抵抗値は、23℃でのPTC素子の抵抗と比較して、一
般に少なくとも20倍、好ましくは少なくとも40倍、特に
好ましくは少なくとも60倍、あるいは更に高く、例えば
少なくとも100倍である。23℃での第1及び第2の要素
を合わせた合計の好ましい抵抗は、使用目的に依存し、
例えば、3ないし2000オーム、例えば5ないし1500オー
ムであってもよいが、一般には、5ないし200オームで
あり、PTC素子の抵抗値は例えば1ないし100オームであ
り、一般には1ないし5オームである。
The embodiment of the electric device of the present invention is often a thin plate-shaped PT.
Including at least one first element, at least one second element, a laminar substrate, and electrical leads that are C-resistance. The second element is typically a resistor, whose resistance is relatively independent of voltage, but in one aspect of the invention, the second element has a resistance that varies as a function of voltage. It is preferred to have. Such elements include voltage-dependent resistance (VDR) such as varistors, transistors or other electrical elements. Separately, the second element may be, for example, a thick film resistor, a thin film resistor, a metal film resistor, a carbon resistor, a metal wire or, for example, melt molding (including melt extrusion, transfer molding and injection molding), melt molding (printing). , Sintering, or any other suitable technique. The resistance value of a resistor formed by one of these techniques can be changed by a laser trimming technique. Resistance value of resistor at 23 ° C is PTC at 23 ° C
Preferably at least twice the resistance of the device,
Particularly preferably at least 5 times, especially at least 10 times
Double or even higher, for example at least 20 times. The resistance of the resistor preferably does not substantially increase with temperature. For example, for high voltage application of about 200 V or more, the resistance of the resistor is generally at least 20 times, preferably at least 40 times, particularly preferably at least 60 times, compared to the resistance of the PTC element at 23 ° C. Or even higher, for example at least 100 times. The total preferred resistance of the first and second components at 23 ° C. depends on the intended use,
For example, it may be 3 to 2000 ohms, for example, 5 to 1500 ohms, but is generally 5 to 200 ohms, and the resistance value of the PTC element is, for example, 1 to 100 ohms, and is generally 1 to 5 ohms. is there.

二つあるいはそれ以上の第2の電気的要素を設けるこ
とができ、各要素は同一あるいは別のものであってもよ
い。第2の電気的要素の一方が厚膜抵抗を含み、他方の
第2の電気的要素が電圧制限用デバイスを含むといっ
た、2層の混成された保護として作用するのが好まし
い。もし、二つあるいはより多くの第2の電気的要素を
設けたとき、1個のPTC素子と直列に接続される第2の
電気的要素の合成された抵抗値は、抵抗(あるいは他の
第2の要素)の抵抗値対PTC素子の抵抗値との所望の比
率を決定するときに用いられる抵抗である。もし、電気
的装置が、複数のPTC素子及び複数の第2の要素を備え
るとき、装置の抵抗値は、各々個々のPTC素子の抵抗値
及び結合された第2の要素の抵抗(つまり、PTC素子と
直列に接続されているこれらの第2の要素)として決定
される。このような装置のために、PTC素子及び第2の
要素を備える、各々の“ユニット”の抵抗は、好ましく
は同一である。複数の第1及び/又は第2の要素及び基
板を備える電気的装置は、小形の装置を提供できる点で
有利である。このような装置は、回路基板上により少な
いスペースを要求し、より小さいカプセル化あるいは絶
縁容器を要求し、そして、要素間のより良好な熱的接触
に基づき、電気的故障状態により迅速に応答する。これ
とは別に、複数の要素の使用は、複数の機能に対して電
圧を与える。
Two or more second electrical components can be provided, each of which can be the same or different. Preferably, one of the second electrical components comprises a thick film resistor and the other second electrical component comprises a hybrid protection of two layers, wherein the second electrical component comprises a voltage limiting device. If two or more second electrical elements are provided, the combined resistance of the second electrical element connected in series with one PTC element will be the resistance (or other 2) is used to determine a desired ratio of the resistance of the PTC element to the resistance of the PTC element. If the electrical device comprises a plurality of PTC elements and a plurality of second elements, the resistance of the device is the resistance of each individual PTC element and the resistance of the combined second element (ie, the PTC (These second elements connected in series with the element). For such a device, the resistance of each "unit" comprising the PTC element and the second element is preferably the same. An electrical device comprising a plurality of first and / or second components and a substrate is advantageous in that it can provide a compact device. Such devices require less space on circuit boards, require smaller encapsulation or insulating containers, and respond more quickly to electrical fault conditions based on better thermal contact between elements. . Alternatively, the use of multiple elements provides voltage for multiple functions.

要素間の電気的な接続は、ワイヤー、インクによるコ
ネクターパッド、クリップあるいは他の適した手段によ
って行われる。要素が基板の反対面に位置するときは、
基板を通して穴あけされた箇所を金属化することにより
接続手段としてもよい。
The electrical connection between the elements is made by wires, connector pads with ink, clips, or other suitable means. When the element is on the opposite side of the board,
The connection means may be formed by metallizing a portion drilled through the substrate.

好ましい基板は、電気的に絶縁するものであるが、例
えばアルミナあるいはベリリア(berylia)のごとく、
いくらかの熱導電率を有する。このような基板は、ワイ
ヤー,スクリーン印刷のインキ,スパッタートレースあ
るいは他の適した材料の手段により、プリント印刷基板
に容易に装着可能である。回路基板上の装置のサイズを
最小にするために、アルミナ(あるいは他の)基板が厚
さ0.100インチ、幅1.5インチ、そして高さ0.400インチ
の最大寸法を有するのが好ましい。このように構成すれ
ば、装置は、一般に多くの回路基板での最大の拘束高さ
である12mm(0.47インチ)を下回ることを可能にする。
Preferred substrates are electrically insulating, but for example, alumina or berylia,
It has some thermal conductivity. Such a substrate can be easily mounted on a printed circuit board by means of wires, screen printing inks, sputter traces or other suitable materials. To minimize the size of the device on the circuit board, the alumina (or other) substrate preferably has a maximum dimension of 0.100 inches thick, 1.5 inches wide, and 0.400 inches high. When configured in this manner, the device generally allows the maximum restraint height on many circuit boards to be less than 12 mm (0.47 inches).

要素の相対的な位置は、装置の電気的応答を決定する
のに重要となる。ある具体例では、第1及び第2の電気
的要素は、好ましくは、PTC素子に生じる熱勾配がPTC素
子内の電流の方向と直角になるように構成される。この
ことは重要であり、その理由は、熱の流れは、そうしな
ければ、電極の一つに接近した、望ましくないホットゾ
ーンの形成を強めるからである。薄板状PTCデバイスが
用いられたとき、薄板状基盤に対してより良い熱的接触
を与え、他の比較し得る抵抗による構成のPTC素子より
もより小さくできる。このような薄板状PTCデバイスは
又、柔軟性を示す。このPTCデバイスは、薄板状素子あ
るいは第2の要素の表面に直接に設けられてもよく、あ
るいは基板の反対側に装着されてもよい。回路保護のシ
ステムに対しては、保持電流(システムを流れる電流
が、PTCデバイスが高抵抗の“トリップ”状態に生じさ
せない最大の電流)及び遮断電流(つまりシステムを開
回路に至らしめる最小電流)の双方は、PTCデバイスの
内外への熱放散の速度に影響される。熱移動は、PTCデ
バイス及び第2の要素間の距離に影響される。ある適用
に対しては、PTCデバイスは、第2の要素のオフセット
である位置を有することが好ましい。このことは、第2
の要素が、もし熱勾配が余りにも過酷ならば、割れを呈
する厚膜抵抗を含むとき、特に重要である。これによ
り、多くのシステムに対して、システムを第2の要素の
面と直角に眺めたとき、少なくともPTC装置の一部が、
第2の要素に重ならないことが望ましい。PTC素子及び
厚膜抵抗が実質的に互いに平行にあったとき、(厚膜抵
抗の面と直角に眺めたとき、)厚膜抵抗に重なるPTC素
子の部分は、好ましくは多くて50%、特に多くて25%、
特別には0%である。
The relative positions of the elements are important in determining the electrical response of the device. In certain embodiments, the first and second electrical elements are preferably configured such that the thermal gradient created in the PTC element is orthogonal to the direction of the current in the PTC element. This is important because the heat flow would otherwise create an undesirable hot zone close to one of the electrodes. When a laminar PTC device is used, it provides better thermal contact to the laminar substrate and can be smaller than other comparable resistance configured PTC elements. Such sheet PTC devices also exhibit flexibility. The PTC device may be provided directly on the surface of the laminar element or the second element, or may be mounted on the opposite side of the substrate. For circuit protection systems, holding current (the maximum current through the system that does not cause the PTC device to go into a high-resistance "trip" condition) and breaking current (that is, the minimum current that causes the system to open circuit) Are affected by the rate of heat dissipation into and out of the PTC device. Heat transfer is affected by the distance between the PTC device and the second element. For some applications, the PTC device preferably has a position that is an offset of the second element. This is the second
Is especially important if the thermal gradient is too severe, including a thick film resistor that exhibits cracking. Thus, for many systems, when the system is viewed at right angles to the plane of the second element, at least a portion of the PTC device will
Desirably, it does not overlap the second element. When the PTC element and the thick film resistor are substantially parallel to each other, the portion of the PTC element that overlaps the thick film resistance (when viewed perpendicular to the plane of the thick film resistor) is preferably at most 50%, especially At most 25%
In particular, it is 0%.

ある場合には、この発明の装置は、厚膜抵抗あるいは
他の第2の電気的要素を、高温に曝されることにより生
じる劣化から保護するために使用されてもよい。これら
の状況下では、抵抗に劣化を生じさせる以下の温度で高
抵抗状態に変化されるように、PTCデバイスが選択され
る。
In some cases, the devices of the present invention may be used to protect thick film resistors or other second electrical components from degradation caused by exposure to high temperatures. Under these circumstances, the PTC device is selected to be changed to a high resistance state at a temperature below which the resistance degrades.

保持電流IH及び遮断電流IBは、PTCデバイス及び第2
の要素を含む電気的装置を二つの試験回路で試験して決
定され得る。第1図に示された、第1の回路において、
複合デバイスR1は、可変抵抗R2、直流電源VDC、及び電
流計Aと直列に接続される。R2の値(試験中は固定され
る)は、電圧が0Vから70Vに変化されたとき、電流計で
測定される電流が0から100mAに変化するように選択さ
れる。複合デバイスは、空気の流れ及び温度が制御さ
れ、かつ、23℃に安定化されたチャンバー内に設置され
る。その後、電圧が増大され、回路における電流がモニ
ターされる。電流が0に降下したとき(あるいは測定さ
れた最大電流の10%にほぼ等しくなったとき)の電圧が
VHとして記録される。保持電流は次式から計算される。
Holding current I H and a breaking current I B is, PTC device and a second
Can be determined by testing an electrical device including the above components with two test circuits. In the first circuit shown in FIG.
Composite device R 1 is a variable resistor R 2, are connected a DC power source V DC, and a current meter A series. The value of R 2 (during the test is fixed), when a voltage is changed to 70V from 0V, it is selected so that the current measured by the ammeter changes from 0 to 100mA. The composite device is installed in a chamber where the air flow and temperature are controlled and stabilized at 23 ° C. Thereafter, the voltage is increased and the current in the circuit is monitored. When the current drops to zero (or nearly equals 10% of the maximum measured current)
Recorded as VH . The holding current is calculated from the following equation.

IH=VH/(R1+R2) 遮断電流は、第2図に示した回路を用いて決定され
る。抵抗R1を有する複合デバイスは、可変抵抗R3及び交
流電源VACと直列に接続される。23℃でのデバイスの抵
抗が測定されてR0が得られ、そして、可変抵抗R3が1000
オームに調節される。110Vの交流電源が1秒間印加され
る。そのデバイスは、その後、1時間の間、23℃に冷却
され、そして抵抗が測定される。もし、複合デバイスが
試験の間に十分に高抵抗状態にトリップしたならば、抵
抗は、0.5R0ないし1.5R0に等しくなる。これらの状況下
で、R3を減少して試験が繰り返される。この試験は、冷
却状態で抵抗が高くなるように、つまりデバイスが開状
態となるように、この試験は、R3が十分に小さくなるま
で繰り返される。
I H = V H / (R 1 + R 2 ) The breaking current is determined by using the circuit shown in FIG. Composite device with a resistance R 1 is connected to a variable resistor R 3 and the AC power supply V AC series. The resistance of the device at 23 ° C. is measured to obtain R 0 , and the variable resistance R 3 is 1000
Adjusted to ohms. 110V AC power is applied for 1 second. The device is then cooled to 23 ° C. for one hour and the resistance is measured. If the composite device has tripped sufficiently high resistance state during the test, the resistance is equal to 0.5 R 0 not to 1.5R 0. Under these circumstances, the test reduced the R 3 are repeated. This test, as resistance increases in cooled state, i.e. the device to the open state, the test is repeated until R 3 is sufficiently small.

この遮断電流は、次式から計算される。This interruption current is calculated from the following equation.

IB=V/(R1f+R3f) ここで、R1fは、最後の“遮断”サイクルの前に測定
されたデバイスの抵抗であり、R3fは、最後の“遮断”
サイクルでの可変抵抗の抵抗である。
I B = V / (R 1 f + R 3 f) where R 1 f is the resistance of the device measured before the last “cut-off” cycle and R 3 f is the last “cut-off”
This is the resistance of the variable resistor in the cycle.

これらの二つの状況の下で試験されたとき、PTC抵
抗、及びこのPTC抵抗と直列に接続され、かつ、PTC抵抗
と熱的に接触した、第2の抵抗を含むこの発明のデバイ
スは、遮断電流IB及び保持電流IHを有し、そのIB/IH
は多くて20、好ましくは多くて15、特に好ましくは多く
て10である。IB/IH比は又、少なくとも3、好ましくは
少なくとも5、特に好ましくは少なくとも7であること
が好ましい。
When tested under these two circumstances, the device of the present invention, including a PTC resistor and a second resistor connected in series with the PTC resistor and in thermal contact with the PTC resistor, has has a current I B and the holding current I H, the I B / I H ratio is often 20, preferably at most 15, particularly preferably at most 10. I B / I H ratio is also at least 3, preferably at least 5, and particularly preferably at least 7.

第3図は、PTC素子10に装着された2枚の薄板状金属
電極2,3を有する回路保護デバイス(つまりPTCデバイ
ス)1を示している。このPTC素子は第1の導電性重合
体層11及び、第2の導電性重合体層13を挟む第3の重合
体層12より構成される。
FIG. 3 shows a circuit protection device (that is, a PTC device) 1 having two thin metal electrodes 2, 3 mounted on a PTC element 10. This PTC element comprises a first conductive polymer layer 11 and a third polymer layer 12 sandwiching a second conductive polymer layer 13.

第4図ないし第12図は、回路保護デバイス1が硬質の
薄板状絶縁基板に接近している、この発明の変形であ
る。各々の変形例では、PTCデバイス1と第2の電気的
要素との間に接続を作るのに適したパターン内に、スク
リーン印刷あるいは他の手段により、銀あるいは他の導
電ペーストが設けられる。
FIGS. 4 to 12 show a modification of the present invention in which the circuit protection device 1 is close to a hard thin insulating substrate. In each variation, silver or other conductive paste is provided by screen printing or other means in a pattern suitable for making a connection between the PTC device 1 and the second electrical element.

第4図は、PTCデバイス1及び第2の電気的要素、厚
膜抵抗6が基板5の同じ面側に配された装置を示してい
る。第4図のA−Aラインにおける断面図である第5図
に示されたように、PTC素子1は、薄板状であり、そし
て、第3図で示されたようなPTC素子を含む。この装置
を回路に接続するためのリード線21,22は、厚膜抵抗下
の銀の導電性パッド9の一つの端部と、PTCデバイスの
頂部電極2とに設けられる。
FIG. 4 shows an apparatus in which the PTC device 1, the second electric element, and the thick film resistor 6 are arranged on the same side of the substrate 5. As shown in FIG. 5, which is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4, the PTC element 1 is thin and includes a PTC element as shown in FIG. Leads 21, 22 for connecting the device to the circuit are provided at one end of the silver conductive pad 9 under thick film resistance and at the top electrode 2 of the PTC device.

第6図及び第7図(第4図のB−Bラインにおける断
面図)は、この発明の別の変形を示しており、厚膜抵抗
6及びPTCデバイス1が、アルミナ基板5の相対する面
にそれぞれ配されている。リード線21,22は、示された
ように、プリント基板30に挿通するのに適している。
FIGS. 6 and 7 (cross-sectional views taken along the line BB in FIG. 4) show another modification of the present invention, in which the thick film resistor 6 and the PTC device 1 It is arranged in each. The leads 21 and 22 are suitable for passing through the printed circuit board 30 as shown.

第8図は、第6図に示された型のデバイスを2個含む
装置の断面図であり、回路基板上に要求される空間を最
小するためにパッケージ化されたものである。
FIG. 8 is a cross-sectional view of an apparatus including two devices of the type shown in FIG. 6, packaged to minimize the space required on a circuit board.

第9図及び第10図は、3つの電極要素を含むこの発明
の変形例に使用されたアルミナ基板5のそれぞれの面を
示している。二つの厚膜抵抗6,6'は、基板の一方の側に
互いに接近するようにしてスクリーン印刷される。基板
の他方の側には、二つのPTCデバイス1,1'が電圧制限用
デバイス30に接近して設けられる。PTCデバイス1と厚
膜抵抗6との間、及びPTCデバイス1'と厚膜抵抗6'との
間の電気的接続は、半田ペーストあるいは半田リード線
4,4'の手段により独立して行われる。PTCデバイス1と
電圧制限用デバイス30との接続は、リード線41の手段に
より行われる。同様に、PTC素子1'への接続はリード線4
1'の手段により行われる。リード線21,22及び23,24は、
デバイスを回路に接続するために用いられる。接地リー
ド線25は、電圧制限用デバイス30に取り付けられる。
FIG. 9 and FIG. 10 show the respective surfaces of the alumina substrate 5 used in the modification of the present invention including three electrode elements. The two thick film resistors 6, 6 'are screen printed on one side of the substrate so as to approach each other. On the other side of the substrate, two PTC devices 1, 1 'are provided close to the voltage limiting device 30. The electrical connection between the PTC device 1 and the thick-film resistor 6 and between the PTC device 1 'and the thick-film resistor 6' are made of solder paste or solder lead.
Performed independently by means of 4,4 '. The connection between the PTC device 1 and the voltage limiting device 30 is made by means of a lead wire 41. Similarly, the connection to PTC element 1 'is
This is performed by means of 1 '. Lead wires 21,22 and 23,24
Used to connect devices to circuits. The ground lead 25 is attached to the voltage limiting device 30.

第11図は、離れているアルミナ基板5,5'上にそれぞれ
印刷された、二つのルテニウム酸化物6,6'の間にPTC1が
積層された装置を示す。このPTCデバイスは、電極形成
された箔電極2,3と抵抗6,6'の間の半田層40の手段によ
り、基板に取り付けられる。ワイヤーリード線21,22
は、導体パッド91,91'に装着され、第1の抵抗6、PTC
デバイス1及び第2の抵抗6'を通してリード線から電流
が流れるのを可能にする。
FIG. 11 shows a device in which the PTC 1 is stacked between two ruthenium oxides 6, 6 ′ printed on separate alumina substrates 5, 5 ′, respectively. This PTC device is mounted on a substrate by means of a solder layer 40 between the foil electrodes 2, 3 on which the electrodes are formed and the resistors 6, 6 '. Wire leads 21,22
Are mounted on the conductor pads 91 and 91 ', the first resistor 6, the PTC
Allow current to flow from the lead through device 1 and second resistor 6 '.

第12図は、複数の要素を含む装置を示している。二つ
のPTCデバイス1,1'は、層40の手段により、薄板状基板
5"のそれぞれの面に印刷された抵抗61,61'の上に半田つ
けされる。2枚の付加的な基板5,5'がPTC要素の残りの
面に取り付けられる。ワイヤーリード線21,22,21',22'
は、個々に対して電力が印加される二つの分離したユニ
ットを与えるために、導体パッド91,91'に取り付けられ
る。
FIG. 12 shows an apparatus including a plurality of elements. The two PTC devices 1, 1 'are laminated by means of layer 40
Solder over resistors 61, 61 'printed on each side of the 5 ". Two additional boards 5, 5' are attached to the remaining sides of the PTC element. Wire leads 21, 22,21 ', 22'
Are attached to the conductor pads 91, 91 'to provide two separate units to which power is applied individually.

第13図ないし第18図は、PTC抵抗を含む複合デバイス
に対する可能な設計を示し、このPTC抵抗は、第2の抵
抗、および/又は、IB及びIH間の関係に影響を与える手
段から隔てられ、その手段としては、例えば、付加的な
リード線(第15図)、熱−収縮性チップ(第14図)、不
定形(例えば次第に狭くなる)抵抗(第16図)、カット
あるいは切り出し基板(個々に第17図及び第18図)の使
用がある。
Figure 13 through Figure 18 show a possible design for a composite device including a PTC resistor, the PTC resistor, a second resistor, and / or from means for influencing the relationship between I B and I H Separated means include, for example, additional leads (FIG. 15), heat-shrinkable tips (FIG. 14), irregular (eg, tapering) resistors (FIG. 16), cuts or cuts. There is the use of substrates (FIGS. 17 and 18 respectively).

例1 表Iに掲げられた導電性化合物A及びBはバンブリイ
(Banbury)ミキサーを用いて、微細化され、そしてシ
ートに押し出されることにより準備された。各々が厚さ
0.025インチ(0.064cm)の2枚の化合物のAのシート
を、0.020インチ(0.051cm)厚の化合物のBシートの各
々の面上に積層することにより、厚さ0.120インチ(0.3
04cm)の薄板状化された板が作製された。フクダ社市販
の厚さ0.0014インチ(0.0036cm)の電着されたニッケル
箔の電極は、前記の板の各々の面に装着された。PTCデ
バイスは、板から0.3×0.3インチ(0.76×0.76cm)のチ
ップに切断されることにより、準備された。これらのチ
ップは、150℃で1時間加熱され、5mAで1.5MeVの電子ビ
ームを用いて25Mradの照射値にて照射され、2時間加熱
され、5mAで1.5MeVの電子ビームを用いて50Mradの照射
値にて照射され、そして3時間加熱されることにより、
処理された。デバイスの電気的性能は、二つの回路で試
験することにより決定された。リード線は、半田により
電極に取り付けられた。デバイスの電気的性能は、二つ
の回路で試験することにより行われた。最初の試験で
は、デバイスに交流260V、10Aの電力が5秒間印加さ
れ、第2の試験では、デバイスに交流600V、1Aの電力が
5秒間印加された。火炎、スパーク、あるいは電極の層
剥離なく、試験に耐えたデバイスの個数が各々のサイク
ル後に決定された。
Example 1 The conductive compounds A and B listed in Table I were prepared by micronizing and extruding into sheets using a Banbury mixer. Each is thick
By laminating two 0.025 inch (0.064 cm) compound A sheets on each side of a 0.020 inch (0.051 cm) thick compound B sheet, a 0.120 inch (0.3 mm) thick
(04 cm). Electrodes of 0.0014 inch (0.0036 cm) electrodeposited nickel foil, commercially available from Fukuda, were mounted on each side of the plate. The PTC device was prepared by cutting 0.3 × 0.3 inch (0.76 × 0.76 cm) chips from the board. These chips were heated at 150 ° C for 1 hour, irradiated at 5 mA with a 1.5 MeV electron beam at an irradiation value of 25 Mrad, heated for 2 hours, and irradiated at 5 mA with a 1.5 MeV electron beam at 50 Mrad. By irradiation and heating for 3 hours,
It has been processed. The electrical performance of the device was determined by testing on two circuits. The leads were attached to the electrodes by solder. The electrical performance of the device was performed by testing on two circuits. In the first test, 260V AC, 10A power was applied to the device for 5 seconds, and in the second test, 600V AC, 1A power was applied to the device for 5 seconds. The number of devices that survived the test without flame, spark, or electrode delamination was determined after each cycle.

例2 体積比40%の化合物Cと体積比60%の化合物Dとが混
合され、その混合物が0.010インチ(0.025cm)の厚さの
シートに押し出されることによって化合物Eが準備され
た。5枚の化合物Eのシートは、1層の化合物Bのシー
トの両面に積層され、0.130インチ(0.330cm)の厚さの
面に形成された。ニッケル電極を取り付けた後、デバイ
スは切断処理され、そして、例1で述べたごとく試験さ
れた。その結果は表IIに示されている。3枚の層すべて
に非有機フィルターを備えたデバイスは、中央の層にの
みフィルターを有するものと比較してより良好に機能す
ることがわかる。
Example 2 Compound E was prepared by mixing 40% by volume of Compound C with 60% by volume of Compound D and extruding the mixture into a 0.010 inch (0.025 cm) thick sheet. Five Compound E sheets were laminated on both sides of a single layer of Compound B sheet, forming a 0.130 inch (0.330 cm) thick face. After attaching the nickel electrode, the device was cut and tested as described in Example 1. The results are shown in Table II. It can be seen that devices with non-organic filters in all three layers perform better than those with filters in the middle layer only.

例3 化合物F及びGが準備され、個々に0.014インチ(0.0
36cm)及び0.024インチ(0.061cm)の厚さのシートに押
し出された。2枚の化合物Fのシートを化合物Gのシー
トの両面に積層されることにより、0.082インチ(0.208
cm)の厚さの板が作製され、そして電極が取り付けられ
た。デバイスは、切断され、そして例1のごとく、第1
の段階で4.5MeV、15mAの電子ビームを用いて25Mradに照
射され、第2段階で1.5MeV、5mAの電子ビームを用いて5
0Mradに照射された。これらのデバイスを、交流260V、1
0A及び260V、1Aで試験した結果は表IIに示されている。
Example 3 Compounds F and G are prepared and individually 0.014 inch (0.014 inch).
(36 cm) and 0.024 inch (0.061 cm) thick sheets. By laminating two sheets of compound F on both sides of the sheet of compound G, a 0.082 inch (0.208 inch)
cm) thick plates were made and electrodes were mounted. The device is disconnected and, as in Example 1, the first
Is irradiated to 25 Mrad using an electron beam of 4.5 MeV and 15 mA in the step, and is irradiated in a second step by using an electron beam of 1.5 MeV and 5 mA.
Irradiated at 0 Mrad. Connect these devices to 260V AC, 1
The results tested at 0A and 260V, 1A are shown in Table II.

例4 化合物Hが準備され、0.020インチ(0.051cm)の厚さ
に押し出された。2枚の化合物Fが1層の化合物Hの両
面に積層されることにより、0.080インチ(0.203cm)の
厚さの板に形成され、そして、電極取り付けの後、デバ
イスは切断処理され、例3の手順に従って試験された。
表IIで示されたごとく、その結果は、中央に非有機物の
フィルターを有するデバイスが、フィルターを有しない
例3と同様なデバイスよりも良好に機能するを示してい
る。
Example 4 Compound H was prepared and extruded to a thickness of 0.020 inches (0.051 cm). The two compounds F were laminated on both sides of a single layer of compound H to form a 0.080 inch (0.203 cm) thick plate, and after electrode attachment, the device was cut and processed. The test was performed according to the following procedure.
As shown in Table II, the results show that the device with the non-organic filter in the center performs better than a similar device as Example 3 without the filter.

Mariex6003は、フィリップ・ペトローレウム社市販の
高濃度ポリエチレン。
Mariex6003 is a high-density polyethylene marketed by Phillip Petroleum.

Raven600は、コロンビア・ケミカル社市販のカーボン
ブラック。Kisuma5Aは、ミツイ社市販のマグネシウム水
酸化物。
Raven600 is a carbon black commercially available from Columbia Chemical Company. Kisuma5A is a magnesium hydroxide commercially available from Mitsui.

例5 表IIIで示したような導電性化合物I,J,L及びMは、バ
ンブリイミキサーを用い、各々が微細化されることによ
り準備された。等量の化合物I及びJが混合され、厚さ
0.010インチ(0.025cm)の厚さのシートに押し出された
化合物Kが作られた。等量の化合物L及びMが混合さ
れ、厚さ0.020インチ(0.050cm)の厚さのシートに押し
出された化合物Nが作られた。1層の化合物Nの両面に
5層の化合物Kを積層し、ニッケル箔電極を取り付ける
ことにより、板が作られた。PTCデバイスは、板から切
り出され、例1の手順に従って処理され、即ち、第1段
階で2.5MeVの電子ビームを用いて25Mradに照射され、そ
して第2段階で150Mradに照射され、その間にデバイス
はは70℃の表面温度に達する。これが終了すると、交流
250V、2Aの下で電力が印加され、ニツケル箔は直ちに除
去された。
Example 5 The conductive compounds I, J, L, and M as shown in Table III were prepared by using a Bambury mixer, each of which was refined. Equal amounts of compounds I and J are mixed and
Compound K was extruded into a 0.010 inch (0.025 cm) thick sheet. Equal amounts of Compounds L and M were mixed to make Compound N extruded into a 0.020 inch (0.050 cm) thick sheet. A plate was made by laminating 5 layers of compound K on both sides of 1 layer of compound N and attaching nickel foil electrodes. The PTC device is cut from the plate and processed according to the procedure of Example 1, i.e., irradiating 25 Mrad with a 2.5 MeV electron beam in the first stage and 150 Mrad in the second stage, during which the device is Reaches a surface temperature of 70 ° C. When this is done,
Power was applied under 250V, 2A and the nickel foil was immediately removed.

例6 デバイスは、第2段階の放射が2.5MeVで電子ビーム電
流2mAで行われ、デバイスがおよそ35℃の表面温度に達
する以外は、例1の手順により準備された。これらのデ
バイスのすべては、交流250V,2Aで60回に耐え、そし
て、交流600V,1Aでの60回にそれらのデバイスの60%が
耐えた。
Example 6 A device was prepared according to the procedure of Example 1, except that the second stage radiation was performed at 2.5 MeV and an electron beam current of 2 mA, and the device reached a surface temperature of approximately 35 ° C. All of these devices survived 60 cycles at 250 VAC, 2 A, and 60% of those devices survived 60 cycles at 600 VAC, 1 A.

例7 例7に従って作られた電気的装置が第2図及び第3図
に示されている。厚膜の銀のインク(ESL社市販)で作
られた導体パッド9が、1.0×0.375×0.050インチ(2.5
4×0.95×0.13cm)のアルミニウム基板5の端部にスク
リーン印刷される。ルテニウム酸化物による厚膜抵抗イ
ンク(ESL3900系の10オーム/単位面積及び100オーム/
単位面積が混合され、抵抗20オーム/単位面積としたも
の)の層6がアルミニウム基板の一つの端部に、0.6×
0.375インチ(1.52×0.935cm)のパターンに印刷され、
導体パッドを橋絡させた。2.5オームの抵抗を有するPTC
デバイス1が半田により、他の端部にて導体パッドの頂
部に取り付けられた。厚膜抵抗とPTCデバイスとはワイ
ヤー4の手段により接続された。リード線21,22は、PTC
デバイスの頂部の表面電極2と、厚膜抵抗の端部とに取
り付けられた。その結果、複合デバイスはおよそ37.5オ
ームの抵抗を有する。
Example 7 An electrical device made according to Example 7 is shown in FIGS. A conductive pad 9 made of thick silver ink (commercially available from ESL) is 1.0 × 0.375 × 0.050 inch (2.5
Screen printing is performed on the edge of the aluminum substrate 5 (4 × 0.95 × 0.13 cm). Thick film resistance ink with ruthenium oxide (10 ohm / unit area and 100 ohm /
A layer 6 with a unit area mixed and a resistance of 20 ohms / unit area) is placed on one end of the aluminum substrate at 0.6 ×
Printed on a 0.375 inch (1.52 x 0.935 cm) pattern,
The conductor pads were bridged. PTC with 2.5 ohm resistance
Device 1 was attached by solder to the top of the contact pad at the other end. The thick film resistor and the PTC device were connected by wire 4 means. Lead wires 21 and 22 are PTC
Attached to the surface electrode 2 at the top of the device and the end of the thick film resistor. As a result, the composite device has a resistance of approximately 37.5 ohms.

Mariex HXM50100は、フィリップ・ペトローレウム社
市販の高濃度ポリエチレン。
Mariex HXM50100 is a high concentration polyethylene marketed by Philippe Petroleum.

Statex Gは、コロンビア・ケミカル社市販のカーボン
ブラック。
Statex G is a carbon black commercially available from Columbia Chemical Company.

Kisuma5Aは、ミツイ社市販のマグネシウム水酸化物。 Kisuma5A is a magnesium hydroxide commercially available from Mitsui.

非酸化物は、4−4'−シィオビィス(thiobis)のオ
リゴマー(oli−gomer)であり、米国特許第3,986,981
号に述べられたごとく、平均の重合程度は3−4。
The non-oxide is an oli-gomer of 4-4'-thiobis and is described in U.S. Pat. No. 3,986,981.
The average degree of polymerization is 3-4, as described in the above item.

例8 化合物Kの5枚のシートが、二つの電着されたニッケ
ル箔電極の間に積層された。PTCデバイスは板から切り
出され、例6の手順に従って処理された。この例に従っ
て準備された電気的装置は、第4図及び第5図に示され
ている。
Example 8 Five sheets of Compound K were laminated between two electrodeposited nickel foil electrodes. The PTC device was cut from the board and processed according to the procedure of Example 6. Electrical devices prepared according to this example are shown in FIGS. 4 and 5.

銀インクの導体パッド9は、0.8×0.4×0.050インチ
(2.0×1.0×0.13cm)のアルミニウム基板の両面にスク
リーン印刷された。ルテニウム酸化厚膜抵抗6は、基板
の一方の面上の0.8×0.3インチ(2.0×0.76cm)の長方
形内にスクリーン印刷された。PTCデバイスは他の面に
半田により取り付けられた。要素間の電気的な接続は、
PTCデバイスの底部の電極3から厚膜抵抗6の一方の端
部へのスクリーン印刷のリード線の手段によりに行われ
た。
The silver ink conductor pads 9 were screen printed on both sides of a 0.8 x 0.4 x 0.050 inch (2.0 x 1.0 x 0.13 cm) aluminum substrate. The ruthenium oxide thick film resistor 6 was screen printed in a 0.8 x 0.3 inch (2.0 x 0.76 cm) rectangle on one side of the substrate. The PTC device was soldered to the other side. The electrical connection between the elements
This was done by means of screen printed leads from the electrode 3 at the bottom of the PTC device to one end of the thick film resistor 6.

例9 例6の手順に従って電気的装置が作られた。二つの個
別のユニットは、第8図に示されるように、同一面内の
PTCデバイスと互いに接近して置かれる。この組み合わ
せは、二つのユニットを回路基板上の同じスペースに一
つのユニットとして適応させることを可能にする。
Example 9 An electrical device was made according to the procedure of Example 6. The two individual units are in the same plane, as shown in FIG.
Placed close to each other with PTC device. This combination makes it possible to adapt the two units to the same space on the circuit board as one unit.

例10 この例に従った電気的装置は、第9図及び第8図に示
されている。二つのPTCデバイス1,1'は、アルミナ基板
の一方の面上に、電圧制限用デバイス30に接近して設置
される。二つのルテニウム酸化物の厚膜抵抗6,6'は、基
板の反対側に互いに接近して設けられる。抵抗6とPTC
デバイス1との間の電気的接続は、スクリーン印刷のリ
ード線4の手段により行われる。PTCデバイス1と電圧
制限用デバイス30との間の電気的接続も又、別のスクリ
ーン印刷のリード線41の手段により行われる。第2の抵
抗6'は、リード線4'により、第2のPTCデバイス1'に接
続される。この第2のPTCデバイス1'は、第1のPTC素子
と同様な手段41'により、電圧制限用デバイス10に接続
される。
Example 10 An electrical device according to this example is shown in FIGS. The two PTC devices 1, 1 'are placed on one side of the alumina substrate, close to the voltage limiting device 30. The two ruthenium oxide thick film resistors 6, 6 'are provided on opposite sides of the substrate and close to each other. Resistance 6 and PTC
The electrical connection to the device 1 is made by means of screen printed leads 4. The electrical connection between the PTC device 1 and the voltage limiting device 30 is also made by means of another screen printed lead 41. The second resistor 6 'is connected to the second PTC device 1' by a lead 4 '. This second PTC device 1 'is connected to the voltage limiting device 10 by means 41' similar to the first PTC element.

例11 この例に従って作られた電気的装置が第11図に示され
ている。PTCデバイスは、例1の手順に従って作製され
た。導体パッド9,9',91,91'及び厚膜抵抗6,6'は、例7
と同じように、2枚のアルミナ基板の一方の面にスクリ
ーン印刷される。抵抗2オームを有するPTCデバイス1
は、各々の基板上の抵抗の間に位置し、かつ、半田40に
て取り付けられる。リード線21,22は、各々の基板上の
導体パッド91,91'に取り付けられ、このリード線が電源
に接続されたとき、リード線21から抵抗6、PTCデバイ
ス1及び抵抗6'を通って電流が流れる。装置の合計抵抗
は、100オームである。
Example 11 An electrical device made in accordance with this example is shown in FIG. The PTC device was made according to the procedure of Example 1. Contact pads 9, 9 ', 91, 91' and thick film resistors 6, 6 '
In the same manner as described above, screen printing is performed on one surface of two alumina substrates. PTC device 1 with 2 ohm resistance
Are located between the resistors on each substrate and are attached with solder 40. Leads 21 and 22 are attached to conductor pads 91 and 91 'on each substrate, and when the leads are connected to a power supply, lead 21 passes through resistor 6, PTC device 1 and resistor 6'. Electric current flows. The total resistance of the device is 100 ohms.

例12 この例の電気的装置が第12図に示されている。二つの
PTCデバイスは、例6の手順に従って作製された。2枚
の薄板状基板5,5'は、例11で述べられたごとく準備され
た。第3の薄板状基板5"は、双方の薄板状基板の表面上
に導体パッド及びルテニウム酸化物を印刷することによ
り準備された。半田を用いて、PTCデバイスは、1層コ
ーティングの基板5と、2層コーティングの基板5"との
間と、この2層コーティングの基板5"と1層コーティン
グの基板5'との間に設けられる。4本のワイヤー21,22,
21',22'は、4個の導体パッド91,91'に取り付けられ
た。
Example 12 The electrical device of this example is shown in FIG. two
A PTC device was made according to the procedure of Example 6. Two sheet-like substrates 5, 5 'were prepared as described in Example 11. A third laminar substrate 5 "was prepared by printing contact pads and ruthenium oxide on the surfaces of both laminar substrates. Using solder, the PTC device was combined with a one-layer coated substrate 5 Between the two-layer coated substrate 5 ″ and the two-layer coated substrate 5 ″ and the one-layer coated substrate 5 ′.
21 ', 22' were attached to four conductive pads 91, 91 '.

例13 148.5オームの抵抗を有する厚膜抵抗は、アルミナ基
板の一方の表面に設けられ、そして、1.5オームの抵抗
を有するPTCデバイスは抵抗の反対側の表面中央に設け
られた。その結果による装置が試験され、23℃でほぼ10
0mA(70℃では60mA)の電流が保持され、遮断電流は2A
であった。
Example 13 A thick film resistor having a resistance of 148.5 ohms was provided on one surface of the alumina substrate, and a PTC device having a resistance of 1.5 ohms was provided in the center of the surface opposite the resistor. The resulting device was tested and tested at 23 ° C for almost 10
0mA (60mA at 70 ° C) current is maintained and the cutoff current is 2A
Met.

例14 例13の手順によって電気的装置が準備されたが、PTC
デバイスのどの部分もが厚膜抵抗のいずれの部分の上に
位置しないように、PTCデバイスは基板上に位置され
た。装置は、例13と同じ保持電流を有するが、遮断電流
は1Aであった。
Example 14 An electrical device was prepared according to the procedure of Example 13, but the PTC
The PTC device was positioned on the substrate so that no part of the device was located on any part of the thick film resistor. The device had the same holding current as in Example 13, but the breaking current was 1A.

図面の簡単な説明 この発明は、添付した図面に図示されており、こられ
の図面において、 第1図及び第2図は、IH及びIBを決定するための回路
図、 第3図は、この発明の電気的デバイスの平面図、 第4図は、この発明の装置の平面図であり、第5図
は、第4図のA−Aラインにおける断面図、 第6図は、この発明の別の装置の平面図であり、第7
図は、第6図のB−Bラインにおける断面図、 第8図は、この発明の更に別の装置の断面図、 第9図及び第10図は、この発明の付加的な装置を二つ
の異なった側から見た平面図、 第11図及び第12図は、この発明の選択的な装置の断面
図、 第13図ないし第18図は、この発明の複合デバイスに対
する可能な設計を示す図である。
BRIEF DESCRIPTION The present invention in the drawings are illustrated in the accompanying drawings, in the drawings of Korare, FIGS. 1 and 2 is a circuit diagram for determining the I H and I B, FIG. 3 is FIG. 4 is a plan view of an apparatus of the present invention, FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 4, and FIG. 6 is a plan view of the electric device of the present invention. FIG. 13 is a plan view of another device of FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 6, FIG. 8 is a cross-sectional view of still another apparatus of the present invention, and FIGS. Plan views from different sides, FIGS. 11 and 12 are cross-sectional views of an optional device of the present invention, FIGS. 13 to 18 show possible designs for the composite device of the present invention It is.

フロントページの続き (31)優先権主張番号 124,696 (32)優先日 昭和62年11月24日(1987.11.24) (33)優先権主張国 米国(US) (72)発明者 ペロネット、ジローム アメリカ合衆国 94301 カリフォルニ ア、パロアルト、クーパー・ストリート 215番 (72)発明者 キャンプハウス、チャールズ・エイチ アメリカ合衆国 94040 カリフォルニ ア、マウンテンビュー、ナンバーフォ ー、ビクター・ウェイ 602番 合議体 審判長 大森 蔵人 審判官 紀本 孝 審判官 菅澤 洋二 (56)参考文献 米国特許4467310(US,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H02H 5/04,9/02 Continuation of the front page (31) Priority claim number 124,696 (32) Priority date November 24, 1987 (November 24, 1987) (33) Priority claim country United States (US) (72) Inventor Pelonet United States 94301 California, Palo Alto, Cooper Street, 215 (72) Inventor Camphouse, Charles H. USA Takashi Kimoto, Judge Yuji Sugasawa (56) Reference US Patent 4,467,310 (US, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H02H 5/04, 9/02

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】回路保護システムであって、 (1)導電性重合体で構成されたPTC抵抗および少なく
とも2枚の薄板状の電極を備える薄板状のPTC素子から
なるPTC抵抗と、 (2)このPTC抵抗と直列に接続されかつPTC抵抗と熱的
に接触している第2の抵抗とからなる回路保護システム
であって、 (a)第2の抵抗の面に対し直角方向からシステムを眺
めたとき、少なくともPTC抵抗の一部が第2の抵抗に重
ならないように形成され、そして (b)該システムは、PTC抵抗が高抵抗状態に移行して
回路電流を遮断する時の遮断電流をIB、及びPTC抵抗が
高抵抗とならない最大電流を保持電流IHとした時、IB/I
H比が多くても20であることを特徴とする回路保護シス
テム。
1. A circuit protection system, comprising: (1) a PTC resistor composed of a conductive polymer and a PTC resistor comprising a sheet-like PTC element having at least two sheet-like electrodes; A circuit protection system comprising a second resistor connected in series with the PTC resistor and in thermal contact with the PTC resistor, comprising: (a) viewing the system from a direction perpendicular to the plane of the second resistor; And at least a portion of the PTC resistor is formed such that it does not overlap the second resistor, and (b) the system provides a blocking current when the PTC resistor transitions to a high resistance state to cut off circuit current. When the maximum current at which I B and the PTC resistance do not become high resistance is defined as the holding current I H , I B / I
A circuit protection system characterized in that the H ratio is at most 20.
【請求項2】IB/IHの比が少なくとも3である請求の範
囲第1項記載のシステム。
2. The system according to claim 1, wherein the ratio of I B / I H is at least three.
【請求項3】第2の抵抗が、30℃の温度変化で抵抗率が
2倍以上となるZTC抵抗である請求の範囲第1項記載の
システム。
3. The system according to claim 1, wherein the second resistor is a ZTC resistor whose resistivity becomes twice or more at a temperature change of 30 ° C.
【請求項4】第2の抵抗が、絶縁基板セラミック上に形
成された厚膜抵抗である請求の範囲第3項記載のシステ
ム。
4. The system of claim 3, wherein said second resistor is a thick film resistor formed on an insulating substrate ceramic.
【請求項5】PTC素子の面が、厚膜抵抗の面と実質的に
平行であり、そして厚膜抵抗の面に対して直角方向から
眺めたとき、厚膜抵抗と重なるPTC素子が、多くて75%
である請求の範囲第1項記載のシステム。
5. The PTC element, wherein the plane of the PTC element is substantially parallel to the plane of the thick-film resistance, and when viewed from a direction perpendicular to the plane of the thick-film resistance, many PTC elements overlap the thick-film resistance. 75%
The system of claim 1 wherein:
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