JP3326833B2 - Semiconductor laser and light emitting diode - Google Patents
Semiconductor laser and light emitting diodeInfo
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Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザーに関
し、特に、青色ないし緑色で発光が可能な半導体レーザ
ーに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser, and more particularly, to a semiconductor laser capable of emitting blue or green light.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、光ディスクの記録密度の向上やレ
ーザープリンタの解像度の向上を図るために、短波長の
半導体レーザーに対する要求が高まってきており、その
実現を目指して研究が活発に行われている。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an increasing demand for a semiconductor laser having a short wavelength in order to improve the recording density of an optical disc and the resolution of a laser printer. I have.
【0003】その結果、最近になって、ZnSSe系化
合物半導体をクラッド層の材料として用いて発光波長が
490〜520nmの青色ないし緑色発光の半導体レー
ザーを実現することができたとの報告がなされている
(例えば、日経エレクトロニクス、1992年4月27
日号、no.552、第90頁〜第91頁)。[0003] As a result, it has recently been reported that a semiconductor laser emitting blue or green light having an emission wavelength of 490 to 520 nm can be realized by using a ZnSSe-based compound semiconductor as a material of a cladding layer. (For example, Nikkei Electronics, April 27, 1992
No., no. 552, pp. 90-91).
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述のように、ZnS
Se系化合物半導体をクラッド層の材料として用いて青
色ないし緑色発光が可能な半導体レーザーは実現されて
いるが、ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の
材料として用いて青色ないし緑色で発光が可能な半導体
レーザーを実現することは困難であった。As described above, ZnS
A semiconductor laser capable of emitting blue or green light using a Se-based compound semiconductor as a material for a cladding layer has been realized, but a semiconductor laser capable of emitting blue or green light using a ZnMgSSe-based compound semiconductor as a material for a cladding layer. Was difficult to achieve.
【0005】従って、この発明の目的は、ZnMgSS
eなどのZnx Mgy Cd1-x-y Sa Seb Te1-a-b
系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、青色
ないし緑色で発光が可能な半導体レーザーを提供するこ
とにある。Accordingly, an object of the present invention is to provide a ZnMgSS
Zn x such e Mg y Cd 1-xy S a Se b Te 1-ab
It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser capable of emitting blue or green light using a compound semiconductor as a material of a cladding layer.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、この発明の第1の発明による半導体レーザーは、化
合物半導体基板(1)上に積層されたZnMgSSeか
ら成る第1導電型の第1のクラッド層(3)と、第1の
クラッド層(3)上に積層されたZnSSeから成る第
1の光導波層(4)と、第1の光導波層(4)上に積層
されたZnCdSeから成る活性層(5)と、活性層
(5)上に積層されたZnSSeから成る第2の光導波
層(6)と、第2の光導波層(6)上に積層されたZn
MgSSeから成る第2導電型の第2のクラッド層
(7)とを具備し、第1のクラッド層(3)、第1の光
導波層(4)、第2の光導波層(6)及び第2のクラッ
ド層(7)は化合物半導体基板(1)と格子整合してお
り、かつ、活性層(5)はひずみ層であるものである。In order to achieve the above object, a semiconductor laser according to a first aspect of the present invention comprises a first semiconductor of a first conductivity type made of ZnMgSSe laminated on a compound semiconductor substrate (1). A cladding layer (3), a first optical waveguide layer (4) made of ZnSSe laminated on the first cladding layer (3), and a ZnCdSe laminated on the first optical waveguide layer (4). Active layer (5), a second optical waveguide layer (6) made of ZnSSe laminated on the active layer (5), and Zn laminated on the second optical waveguide layer (6).
A second cladding layer (7) of MgSSe of a second conductivity type , wherein the first cladding layer (3) and the first light
A waveguide layer (4), a second optical waveguide layer (6) and a second cladding layer;
The layer (7) is lattice-matched with the compound semiconductor substrate (1).
The active layer (5) is a strained layer .
【0007】この発明の第2の発明による半導体レーザ
ーは、化合物半導体基板(1)上に積層されたZnMg
SSeから成る第1導電型の第1のクラッド層(3)
と、第1のクラッド層(3)上に積層されたZnMgS
Seから成る第1の光導波層(11)と、第1の光導波
層(11)上に積層されたZnCdSeから成る活性層
(5)と、活性層(5)上に積層されたZnMgSSe
から成る第2の光導波層(12)と、第2の光導波層
(12)上に積層されたZnMgSSeから成る第2導
電型の第2のクラッド層(7)とを具備し、第1のクラ
ッド層(3)、第1の光導波層(11)、第2の光導波
層(12)及び第2のクラッド層(7)は化合物半導体
基板(1)と格子整合しており、かつ、活性層(5)は
ひずみ層であるものである。[0007] A semiconductor laser according to a second aspect of the present invention.
Chromatography was stacked on the compound semiconductor substrate (1) ZnMg
A first conductivity type first cladding layer made of SSe;
And ZnMgS laminated on the first cladding layer (3)
A first optical waveguide layer (11) made of Se, an active layer (5) made of ZnCdSe laminated on the first optical waveguide layer (11), and a ZnMgSSe laminated on the active layer (5).
A second optical waveguide layer (12) composed of: and a second conductive type second cladding layer (7) composed of ZnMgSSe laminated on the second optical waveguide layer (12) . Kula
Layer (3), first optical waveguide layer (11), second optical waveguide
The layer (12) and the second cladding layer (7) are compound semiconductors
The substrate (1) is lattice-matched and the active layer (5) is
It is a strained layer .
【0008】[0008]
【0009】この発明の第3の発明による半導体レーザ
ーは、第1の発明または第2の発明による半導体レーザ
ーにおいて、活性層(5または13)の厚さがその臨界
膜厚以下であるものである。A semiconductor laser according to a third aspect of the present invention.
Over a semiconductor laser according to the first or second aspect
In chromatography, but the thickness of the active layer (5 or 13) is below the critical thickness.
【0010】この発明の第4の発明による半導体レーザ
ーは、第1の発明、第2の発明または第3の発明による
半導体レーザーにおいて、第1の光導波層(4または1
1)及び第2の光導波層(6または12)と活性層(5
または13)とのバンドギャップの差が0.15eV以
上であるものである。[0010] A semiconductor laser according to a fourth aspect of the present invention.
Over the first invention, in a semiconductor laser according to the second invention or the third invention, the first optical waveguide layer (4 or 1
1) and the second optical waveguide layer (6 or 12) and the active layer (5
Or 13) having a band gap difference of 0.15 eV or more.
【0011】[0011]
【作用】この発明の第1の発明による半導体レーザーに
よれば、ZnMgSSeから成る第1のクラッド層
(3)及び第2のクラッド層(7)と、ZnSSeから
成る第1の光導波層(4)及び第2の光導波層(6)
と、ZnCdSeから成る活性層(5)とを用い、しか
も、第1のクラッド層(3)、第1の光導波層(4)、
第2の光導波層(6)及び第2のクラッド層(7)は化
合物半導体基板(1)と格子整合しており、かつ、活性
層(5)はひずみ層であることにより、ZnMgSSe
をクラッド層の材料として用いた、青色ないし緑色で発
光が可能な半導体レーザーを実現することができる。According to the semiconductor laser of the first aspect of the present invention, the first cladding layer (3) and the second cladding layer (7) made of ZnMgSSe and the first optical waveguide layer (4) made of ZnSSe are provided. ) And the second optical waveguide layer (6)
When, using the active layer (5) made of ZnCdSe, deer
Also, the first cladding layer (3), the first optical waveguide layer (4),
The second optical waveguide layer (6) and the second cladding layer (7) are formed
Lattice-matched with the compound semiconductor substrate (1) and active
Since the layer (5) is a strained layer , ZnMgSSe
Can be realized as a material of a cladding layer, which can emit blue to green light.
【0012】この発明の第2の発明による半導体レーザ
ーによれば、ZnMgSSeから成る第1のクラッド層
(3)、第2のクラッド層(7)、第1の光導波層(1
1)及び第2の光導波層(12)と、ZnCdSeから
成る活性層(5)とを用い、しかも、第1のクラッド層
(3)、第1の光導波層(11)、第2の光導波層(1
2)及び第2のクラッド層(7)は化合物半導体基板
(1)と格子整合しており、かつ、活性層(5)はひず
み層であることにより、ZnMgSSeをクラッド層の
材料として用いた、青色ないし緑色で発光が可能な半導
体レーザーを実現することができる。A semiconductor laser according to a second aspect of the present invention.
According to chromatography, the first cladding layer (3) made of ZnMgSSe, a second cladding layer (7), a first optical waveguide layer (1
1) and a second optical waveguide layer (12) and an active layer (5) made of ZnCdSe , and a first cladding layer
(3) First optical waveguide layer (11), second optical waveguide layer (1)
2) and the second cladding layer (7) are a compound semiconductor substrate
The active layer (5) is lattice-matched with (1)
With the only layer, a semiconductor laser capable of emitting blue or green light using ZnMgSSe as the material of the cladding layer can be realized.
【0013】[0013]
【0014】この発明の第3の発明による半導体レーザ
ーによれば、活性層(5または13)の厚さがその臨界
膜厚以下であることにより、この活性層(5または1
3)のエピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止
することができる。A semiconductor laser according to a third aspect of the present invention.
According to chromatography, the active layer by the thickness of the (5 or 13) that the critical film is thick or less, the active layer (5 or 1
Dislocation can be prevented from occurring during the epitaxial growth of 3).
【0015】この発明の第4の発明による半導体レーザ
ーによれば、第1の光導波層(4または11)及び第2
の光導波層(6または12)と活性層(5または13)
とのバンドギャップの差が0.15eV以上であること
により、室温での連続発振が可能となる。[0015] A semiconductor laser according to a fourth aspect of the present invention.
According to chromatography, the first optical waveguide layer (4 or 11) and the second
Optical waveguide layer (6 or 12) and active layer (5 or 13)
When the difference between the band gaps is 0.15 eV or more, continuous oscillation at room temperature becomes possible.
【0016】[0016]
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。なお、実施例の全図において、同一
の部分には同一の符号を付す。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings of the embodiments, the same portions are denoted by the same reference numerals.
【0017】図1はこの発明の第1実施例による半導体
レーザーを示す。FIG. 1 shows a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention.
【0018】図1に示すように、この第1実施例による
半導体レーザーにおいては、例えばn型不純物としてS
iがドープされた(100)面方位のn型GaAs基板
1上に、例えばn型不純物としてClがドープされたn
型ZnSeバッファ層2、例えばn型不純物としてCl
がドープされたn型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッ
ド層3、例えばn型不純物としてClがドープされたn
型ZnSp Se1-p 光導波層4、例えばアンドープのZ
n1-z Cdz Se活性層5、例えばp型不純物としてN
がドープされたp型ZnSp Se1-p 光導波層6及び例
えばp型不純物としてNがドープされたp型Znx Mg
1-x Sy Se1-y クラッド層7が順次積層されている。
この場合、Zn1-z Cdz Se活性層5はひずみ層であ
る。As shown in FIG. 1, in the semiconductor laser according to the first embodiment, for example, S
On an n-type GaAs substrate 1 having a (100) plane orientation doped with i, for example, n doped with Cl as an n-type impurity
-Type ZnSe buffer layer 2, for example, Cl as n-type impurity
-Doped n-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 3, for example n-doped with Cl as n-type impurity
Type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 4, for example, undoped Z
n 1 -z Cd z Se active layer 5, for example, N as a p-type impurity
-Doped p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6 and, for example, p-type Zn x Mg doped with N as a p-type impurity
1-x S y Se 1- y cladding layer 7 are sequentially laminated.
In this case, the Zn 1-z Cd z Se active layer 5 is a strained layer.
【0019】p型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド
層7の上には、ストライプ状の開口8aを有する例えば
ポリイミド、SiOx 膜、SiNx 膜などから成る絶縁
層8が形成されている。そして、この開口8aを通じて
p型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層7にp側電
極としての例えばAu電極9がコンタクトしている。一
方、n型GaAs基板1の裏面にはn側電極としてのI
n電極10がコンタクトしている。[0019] On the p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7, for example, polyimide having a stripe-shaped opening 8a, SiO x film, an insulating layer 8 consisting of a the SiN x film is formed Have been. Then, p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y Au electrode, for example 9 as a p-side electrode on the cladding layer 7 is in contact through the opening 8a. On the other hand, on the back surface of the n-type GaAs substrate 1, I
The n electrode 10 is in contact.
【0020】この場合、n型Znx Mg1-x Sy Se
1-y クラッド層3及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y
クラッド層7のZn組成比xは例えば0.97、S組成
比yは例えば0.09であり、そのときのバンドギャッ
プEg は約2.87eVである。また、n型ZnSp S
e1-p 光導波層4及びp型ZnSp Se1-p 光導波層6
のS組成比pは例えば0.06であり、そのときのバン
ドギャップEg は約2.82eVである。さらに、Zn
1-z Cdz Se活性層5のCd組成比zは例えば0.1
8であり、そのときのバンドギャップEg は約2.57
eVである。この場合、Zn1-z Cdz Se活性層5と
n型ZnSp Se1-p 光導波層4及びp型ZnSp Se
1-p 光導波層6とのバンドギャップEg の差は0.25
eVである。ここで、このバンドギャップEg の差は、
レーザー発振を可能とするためには、一般に0.3eV
以上である必要があると言われているが、本発明者の知
見によれば、このEg の差は0.15eV以上あればレ
ーザー発振が可能である。In this case, n-type Zn x Mg 1-x S y Se
1-y clad layer 3 and p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y
The Zn composition ratio x of the cladding layer 7 is, for example, 0.97, the S composition ratio y is, for example, 0.09, and the band gap E g at that time is about 2.87 eV. Also, n-type ZnS p S
e 1-p optical waveguide layer 4 and p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6
Is, for example, 0.06, and the band gap E g at that time is about 2.82 eV. Furthermore, Zn
The Cd composition ratio z of the 1-z Cd z Se active layer 5 is, for example, 0.1
8, and the band gap E g at that time is about 2.57.
eV. In this case, the Zn 1-z Cd z Se active layer 5, the n-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 4, and the p-type ZnS p Se
The difference between the band gap E g and the 1-p optical waveguide layer 6 is 0.25.
eV. Here, the difference between the band gaps E g is
In order to enable laser oscillation, generally 0.3 eV
According to the knowledge of the present inventor, laser oscillation is possible if the difference of E g is 0.15 eV or more.
【0021】なお、以上の各層のバンドギャップEg の
値は、Znx Mg1-x Sy Se1-yのZn組成比x及び
S組成比yとバンドギャップEg 及び格子定数aとの関
係を示す図4から求めたものであり、Zn組成比x及び
S組成比yに±0.05程度の誤差があることから近似
的なものである。すなわち、図4は、Znx Mg1-xS
y Se1-y のZn組成比x及びS組成比yを変化させ、
それぞれの組成の材料についての77K(液体窒素温
度)におけるフォトルミネセンス(PL)測定によりバ
ンド端発光のエネルギーを測定した結果から得られたバ
ンドギャップEgと、X線回折の(400)ピークから
求めた格子定数a(Å)とを各材料の組成を示すプロッ
ト点に〔Eg ,a〕として書き添えたものである。図3
中、直線AはGaAsと格子整合する組成を示し、y=
−1.158x+1.218で表される。[0021] Incidentally, the value of the band gap E g of the above respective layers, of the Zn x Mg 1-x S y Se 1-y of Zn composition ratio x and S composition ratio y and the band gap E g and the lattice constant a This is obtained from FIG. 4 showing the relationship, and is approximate because there is an error of about ± 0.05 in the Zn composition ratio x and the S composition ratio y. That is, FIG. 4 shows that Zn x Mg 1-x S
changing the Zn composition ratio x and the S composition ratio y of y Se 1-y ,
The band gap E g obtained from the result of measuring the energy of band edge emission by photoluminescence (PL) measurement at 77 K (liquid nitrogen temperature) of the material of each composition and the (400) peak of X-ray diffraction were obtained. The obtained lattice constant a (Å) is added to plot points indicating the composition of each material as [E g , a]. FIG.
In the equation, a straight line A indicates a composition lattice-matched with GaAs, and y =
It is represented by −1.158x + 1.218.
【0022】この場合、n型Znx Mg1-x Sy Se
1-y クラッド層3、n型ZnSp Se1-p 光導波層4、
p型ZnSp Se1-p 光導波層6及びp型Znx Mg
1-x SySe1-y クラッド層7はGaAsに格子整合す
るものである。In this case, n-type Zn x Mg 1-x S y Se
1-y cladding layer 3, n-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 4,
p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6 and p-type Zn x Mg
1-x S y Se 1- y cladding layer 7 are those lattice-matched to GaAs.
【0023】n型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド
層3の厚さは例えば0.1μm、n型ZnSp Se1-p
光導波層4の厚さは例えば0.5μm、Zn1-z Cdz
Se活性層5の厚さは例えば0.1μm、p型ZnSp
Se1-p 光導波層6の厚さは例えば0.5μm、p型Z
nx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層7の厚さは例えば
1μmである。The thickness of the n-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 3 is, for example, 0.1 μm and the n-type ZnS p Se 1-p
The thickness of the optical waveguide layer 4 is, for example, 0.5 μm, and Zn 1 -z Cd z
The thickness of the Se active layer 5 is, for example, 0.1 μm, and the p-type ZnS p
The thickness of the Se 1-p optical waveguide layer 6 is, for example, 0.5 μm, and the p-type Z
The thickness of the n x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7 is 1μm, for example.
【0024】また、n型ZnSeバッファ層2の厚さ
は、ZnSeとGaAsとの間にはわずかではあるが格
子不整合が存在することから、この格子不整合に起因し
てこのn型ZnSeバッファ層2及びその上の各層のエ
ピタキシャル成長時に転位が発生するのを防止するため
に、ZnSeの臨界膜厚(〜100nm)よりも十分に
小さく選ばれ、具体的には例えば5〜10nmの範囲に
選ばれる。Further, the thickness of the n-type ZnSe buffer layer 2 is small because there is a lattice mismatch between ZnSe and GaAs. The thickness is selected to be sufficiently smaller than the critical thickness of ZnSe (及 び 100 nm), specifically, for example, in the range of 5 to 10 nm in order to prevent the occurrence of dislocation during epitaxial growth of the layer 2 and each layer thereon. It is.
【0025】次に、上述のように構成されたこの第1実
施例による半導体レーザーの製造方法について説明す
る。Next, a method of manufacturing the semiconductor laser according to the first embodiment having the above-described structure will be described.
【0026】この第1実施例による半導体レーザーを製
造するには、まず、n型GaAs基板1上に、例えば分
子線エピタキシー(MBE)法により、n型ZnSeバ
ッファ層2、n型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド
層3、n型ZnSp Se1-p光導波層4、アンドープの
Zn1-z Cdz Se活性層5、p型ZnSp Se1-p光
導波層6及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド
層7を順次エピタキシャル成長させる。To manufacture the semiconductor laser according to the first embodiment, first, an n-type ZnSe buffer layer 2 and an n-type Zn x Mg 1 are formed on an n-type GaAs substrate 1 by, for example, molecular beam epitaxy (MBE). -x S y Se 1-y cladding layer 3, n-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 4, Zn 1-z Cd z Se active layer 5 of undoped, p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6 and sequentially epitaxially growing a p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7.
【0027】上述のMBE法によるエピタキシャル成長
においては、例えば、Zn原料としては純度99.99
99%のZnを用い、Mg原料としては純度99.9%
のMgを用い、S原料としては99.9999%のZn
Sを用い、Se原料としては純度99.9999%のS
eを用いる。また、n型ZnSeバッファ層2、n型Z
nx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層3及びn型ZnS
p Se1-p 光導波層4のn型不純物としてのClのドー
ピングは例えば純度99.9999%のZnCl2 をド
ーパントとして用いて行い、p型ZnSp Se1-p 光導
波層6及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層
7のp型不純物としてのNのドーピングは例えば電子サ
イクロトロン共鳴(ECR)により発生されたN2 プラ
ズマを照射することにより行う。In the above-mentioned epitaxial growth by the MBE method, for example, the purity of the Zn raw material is 99.99.
99% Zn, purity 99.9% as Mg raw material
And 99.9999% of Zn as the S raw material.
S is used as the Se raw material and has a purity of 99.9999%.
e is used. The n-type ZnSe buffer layer 2 and the n-type Z
nx Mg 1-x S y Se 1-y clad layer 3 and n-type ZnS
The doping of the p- Se 1-p optical waveguide layer 4 with Cl as an n-type impurity is performed using, for example, ZnCl 2 having a purity of 99.9999% as a dopant, and the p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6 and the p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y doping N as a p-type impurity of the cladding layer 7 is performed by irradiating N 2 plasma generated by, for example, electron cyclotron resonance (ECR).
【0028】次に、p型Znx Mg1-x Sy Se1-y ク
ラッド層7の全面に絶縁層8を形成した後、この絶縁層
8の所定部分を除去して開口8aを形成する。次に、全
面にAu膜を真空蒸着してp側電極としてのAu電極9
を形成した後、アロイ処理を行うことによりこのAu電
極9をp型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層7に
オーミックコンタクトさせる。一方、n型GaAs基板
1の裏面にはn側電極としてのIn電極10を形成す
る。Next, after forming the p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y whole surface insulating layer 8 of the cladding layer 7 to form an opening 8a by removing a prescribed portion of the insulating layer 8 . Next, an Au film is vacuum-deposited on the entire surface to form an Au electrode 9 as a p-side electrode.
After forming the causes ohmic contact with the Au electrode 9 on the p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7 by performing alloying process. On the other hand, on the back surface of the n-type GaAs substrate 1, an In electrode 10 is formed as an n-side electrode.
【0029】この後、このようにしてレーザー構造が形
成されたn型GaAs基板1を例えばバー状に劈開して
共振器端面を形成し、このバーを劈開してチップ化し、
パッケージングを行う。After that, the n-type GaAs substrate 1 on which the laser structure is formed is cleaved into, for example, a bar to form a cavity end face, and the bar is cleaved into chips.
Perform packaging.
【0030】この第1実施例によれば、n型Znx Mg
1-x Sy Se1-y クラッド層3、n型ZnSp Se1-p
光導波層4、ひずみ層であるZn1-z Cdz Se活性層
5、p型ZnSp Se1-p 光導波層6及びp型Znx M
g1-x Sy Se1-y クラッド層7を用いて半導体レーザ
ーが構成されていることにより、ZnMgSSe系化合
物半導体をクラッド層の材料として用いた、室温におい
て波長約498nmで発振可能な青色発光の半導体レー
ザーを実現することができる。According to the first embodiment, n-type Zn x Mg
1-x S y Se 1- y cladding layer 3, n-type ZnS p Se 1-p
Optical waveguide layer 4, Zn 1-z Cd z Se active layer 5 is strained layer, p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6 and the p-type Zn x M
Since the semiconductor laser is configured using the g 1-x S y Se 1-y cladding layer 7, blue light emission capable of oscillating at a wavelength of about 498 nm at room temperature using a ZnMgSSe-based compound semiconductor as a material of the cladding layer is provided. Semiconductor laser can be realized.
【0031】また、この第1実施例による半導体レーザ
ーは、n型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層3、
n型ZnSp Se1-p 光導波層4、Zn1-z Cdz Se
活性層5、p型ZnSp Se1-p 光導波層6及びp型Z
nx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層7から成る、いわ
ゆるSCH(Separated Confinement Heterostructure)
構造であることから、通常のDH(Double Heterostruc
ture) 構造の半導体レーザーに比べて、寿命特性などを
良好とすることができる。The semiconductor laser according to the first embodiment has an n-type Zn x Mg 1 -xS y Se 1 -y cladding layer 3.
n-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 4, Zn 1-z Cd z Se
Active layer 5, p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6, and p-type Z
consisting n x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7, the so-called SCH (Separated Confinement Heterostructure)
Due to its structure, it can be used for normal DH (Double Heterostruc
ture) The life characteristics and the like can be improved as compared with a semiconductor laser having a structure.
【0032】次に、この発明の第2実施例による半導体
レーザーについて説明する。Next, a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention will be described.
【0033】図2に示すように、この第2実施例による
半導体レーザーにおいては、第1実施例による半導体レ
ーザーにおいては光導波層としてn型ZnSp Se1-p
光導波層4及びp型ZnSp Se1-p 光導波層6が用い
られているのに対して、光導波層としてn型Znp Mg
1-p Sq Se1-q 光導波層11及びp型Znp Mg1- p
Sq Se1-q 光導波層12が用いられている。その他の
構成は第1実施例による半導体レーザーと同様である。As shown in FIG. 2, in the semiconductor laser according to the second embodiment, in the semiconductor laser according to the first embodiment, n-type ZnS p Se 1-p is used as an optical waveguide layer.
While the optical waveguide layer 4 and the p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6 are used, the n-type Zn p Mg is used as the optical waveguide layer.
1-p S q Se 1- q optical waveguide layer 11 and the p-type Zn p Mg 1-p
An S q Se 1-q optical waveguide layer 12 is used. Other configurations are the same as those of the semiconductor laser according to the first embodiment.
【0034】この場合、n型Znx Mg1-x Sy Se
1-y クラッド層3及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y
クラッド層7のZn組成比xは例えば0.92、S組成
比yは例えば0.15であり、そのときのバンドギャッ
プEg は約2.94eVである。また、n型Znp Mg
1-p Sq Se1-q 光導波層11及びp型Znp Mg1-p
Sq Se1-q 光導波層12のZn組成比pは例えば0.
96、S組成比qは例えば0.11であり、そのときの
バンドギャップEg は約2.89eVである。さらに、
Zn1-z Cdz Se活性層5のCd組成比zは例えば
0.12であり、そのときのバンドギャップEg は約
2.64eVである。この場合、Zn1-z Cdz Se活
性層5とn型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導波層11
及びp型ZnpMg1-p Sq Se1-q 光導波層12との
バンドギャップEg の差は0.25eVである。In this case, n-type Zn x Mg 1-x S y Se
1-y clad layer 3 and p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y
The Zn composition ratio x of the cladding layer 7 is, for example, 0.92, the S composition ratio y is, for example, 0.15, and the band gap E g at that time is about 2.94 eV. Also, n-type Zn p Mg
1-p S q Se 1- q optical waveguide layer 11 and the p-type Zn p Mg 1-p
The Zn composition ratio p of the S q Se 1-q optical waveguide layer 12 is, for example, 0.1.
96, the S composition ratio q is, for example, 0.11, and the band gap E g at that time is about 2.89 eV. further,
The Cd composition ratio z of the Zn 1 -z Cd z Se active layer 5 is, for example, 0.12, and the band gap E g at that time is about 2.64 eV. In this case, the Zn 1-z Cd z Se active layer 5 and the n-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 11
The difference in band gap E g between the p-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 12 is 0.25 eV.
【0035】この第2実施例による半導体レーザーの製
造方法は第1実施例による半導体レーザーの製造方法と
同様であるので説明を省略する。The method of manufacturing a semiconductor laser according to the second embodiment is the same as the method of manufacturing a semiconductor laser according to the first embodiment, and a description thereof will be omitted.
【0036】この第2実施例によれば、n型Znx Mg
1-x Sy Se1-y クラッド層3、n型Znp Mg1-p S
q Se1-q 光導波層11、ひずみ層であるZn1-z Cd
z Se活性層5、p型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導
波層12及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド
層7を用いて半導体レーザーが構成されていることによ
り、ZnMgSSe系化合物半導体をクラッド層の材料
として用いた、室温において波長約485nmで発振可
能な青色発光の半導体レーザーを実現することができ
る。According to the second embodiment, n-type Zn x Mg
1-x S y Se 1- y cladding layer 3, n-type Zn p Mg 1-p S
q Se 1-q optical waveguide layer 11, Zn 1-z Cd as strain layer
a semiconductor laser using a z Se active layer 5, p-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 12 and the p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7 is constituted Accordingly, a blue-emitting semiconductor laser that can oscillate at a wavelength of about 485 nm at room temperature using a ZnMgSSe-based compound semiconductor as a material of a cladding layer can be realized.
【0037】次に、この発明の第3実施例による半導体
レーザーについて説明する。Next, a semiconductor laser according to a third embodiment of the present invention will be described.
【0038】この第3実施例による半導体レーザーは、
図2に示す第2実施例による半導体レーザーと同様な構
成を有するが、n型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッ
ド層3、n型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導波層1
1、Zn1-z Cdz Se活性層5、p型Znp Mg1-p
Sq Se1-q 光導波層12及びp型Znx Mg1-x Sy
Se1-y クラッド層7の各層の組成が第2実施例による
半導体レーザーと異なっている。The semiconductor laser according to the third embodiment is
It has the same configuration as the semiconductor laser according to the second embodiment shown in FIG. 2, but has an n-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 3, an n-type Zn p Mg 1-p S q Se 1- q Optical waveguide layer 1
1, Zn 1-z Cd z Se active layer 5, p-type Zn p Mg 1-p
S q Se 1-q optical waveguide layer 12 and the p-type Zn x Mg 1-x S y
The composition of each layer of the Se 1-y clad layer 7 is different from the semiconductor laser according to the second embodiment.
【0039】すなわち、この場合、n型Znx Mg1-x
Sy Se1-y クラッド層3及びp型Znx Mg1-x Sy
Se1-y クラッド層7のZn組成比xは例えば0.9
0、S組成比yは例えば0.18であり、そのときのバ
ンドギャップEg は約2.97eVである。また、n型
Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導波層11及びp型Zn
p Mg1-p Sq Se1-q 光導波層12のZn組成比pは
例えば0.93、S組成比qは例えば0.14であり、
そのときのバンドギャップEg は約2.92eVであ
る。さらに、Zn1-z Cdz Se活性層5のCd組成比
zは例えば0.10であり、そのときのバンドギャップ
Eg は約2.67eVである。この場合、Zn1-z Cd
z Se活性層5とn型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導
波層11及びp型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導波層
12とのバンドギャップEg の差は0.25eVであ
る。That is, in this case, n-type Zn x Mg 1-x
S y Se 1-y clad layer 3 and p-type Zn x Mg 1-x S y
The Zn composition ratio x of the Se 1-y cladding layer 7 is, for example, 0.9.
The 0 and S composition ratio y is, for example, 0.18, and the band gap E g at that time is about 2.97 eV. The n-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 11 and the p-type Zn
p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 12 of Zn composition ratio p is for example 0.93, S composition ratio q is 0.14 for example,
The band gap E g at that time is about 2.92 eV. Further, the Cd composition ratio z of the Zn 1 -z Cd z Se active layer 5 is, for example, 0.10, and the band gap E g at that time is about 2.67 eV. In this case, Zn 1-z Cd
of z Se active layer 5 and the n-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 11 and the p-type Zn p Mg 1-p S q bandgap E g of Se 1-q optical waveguide layer 12 The difference is 0.25 eV.
【0040】この第3実施例による半導体レーザーの製
造方法は第1実施例による半導体レーザーの製造方法と
同様であるので説明を省略する。The method of manufacturing a semiconductor laser according to the third embodiment is the same as the method of manufacturing a semiconductor laser according to the first embodiment, and will not be described.
【0041】この第3実施例によれば、ZnMgSSe
系化合物半導体をクラッド層の材料として用いた、室温
において波長約480nmでレーザー発振可能な青色発
光の半導体レーザーを実現することができる。According to the third embodiment, ZnMgSSe
A blue-emitting semiconductor laser that can oscillate at a wavelength of about 480 nm at room temperature using a system compound semiconductor as a material of a cladding layer can be realized.
【0042】次に、この発明の第4実施例による半導体
レーザーについて説明する。Next, a semiconductor laser according to a fourth embodiment of the present invention will be described.
【0043】図3に示すように、この第4実施例による
半導体レーザーは、活性層として例えばアンドープのZ
nSez Te1-z 活性層13が用いられていることを除
いて、第1実施例による半導体レーザーと同様の構成を
有する。ここで、このZnSez Te1-z 活性層13は
ひずみ層である。As shown in FIG. 3, the semiconductor laser according to the fourth embodiment has, for example, an undoped Z as an active layer.
It has the same configuration as the semiconductor laser according to the first embodiment, except that the nSe z Te 1-z active layer 13 is used. Here, the ZnSe z Te 1 -z active layer 13 is a strained layer.
【0044】この場合、n型Znx Mg1-x Sy Se
1-y クラッド層3及びp型Znx Mg1-x Sy Se1-y
クラッド層7のZn組成比xは例えば0.97、S組成
比yは例えば0.09であり、そのときのバンドギャッ
プEg は約2.87eVである。また、n型ZnSp S
e1-p 光導波層4及びp型ZnSp Se1-p 光導波層6
のS組成比pは例えば0.06であり、そのときのバン
ドギャップEg は約2.82eVである。さらに、Zn
Sez Te1-z 活性層13のSe組成zは例えば0.9
0であり、そのときのバンドギャップEg は約2.5e
Vである。この場合、ZnSez Te1-z 活性層13と
n型ZnSp Se1-p 光導波層4及びp型ZnSp Se
1-p 光導波層6とのバンドギャップEg の差は0.25
eVである。In this case, n-type Zn x Mg 1-x S y Se
1-y clad layer 3 and p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y
The Zn composition ratio x of the cladding layer 7 is, for example, 0.97, the S composition ratio y is, for example, 0.09, and the band gap E g at that time is about 2.87 eV. Also, n-type ZnS p S
e 1-p optical waveguide layer 4 and p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6
Is, for example, 0.06, and the band gap E g at that time is about 2.82 eV. Furthermore, Zn
The Se composition z of the Se z Te 1 -z active layer 13 is, for example, 0.9.
0, and the band gap E g at that time is about 2.5 e
V. In this case, the ZnSe z Te 1-z active layer 13, the n-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 4 and the p-type ZnS p Se
The difference between the band gap E g and the 1-p optical waveguide layer 6 is 0.25.
eV.
【0045】この第4実施例によれば、n型Znx Mg
1-x Sy Se1-y クラッド層3、n型ZnSp Se1-p
光導波層4、ひずみ層であるZnSez Te1-z 活性層
13、p型ZnSp Se1-p 光導波層6及びp型Znx
Mg1-x Sy Se1-y クラッド層7を用いて半導体レー
ザーが構成されていることにより、ZnMgSSe系化
合物半導体をクラッド層の材料として用いた、室温にお
いて波長約511nmでレーザー発振可能な緑色発光の
半導体レーザーを実現することができる。According to the fourth embodiment, n-type Zn x Mg
1-x S y Se 1- y cladding layer 3, n-type ZnS p Se 1-p
Optical waveguide layer 4, ZnSe z Te 1-z active layer 13, which is a strain layer, p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 6, and p-type Zn x
Since the semiconductor laser is formed using the Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 7, a green color capable of lasing at a wavelength of about 511 nm at room temperature using a ZnMgSSe-based compound semiconductor as a material of the cladding layer is provided. A light emitting semiconductor laser can be realized.
【0046】以上、この発明の実施例について具体的に
説明したが、この発明は、上述の実施例に限定されるも
のではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変形
が可能である。Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications based on the technical idea of the present invention are possible.
【0047】例えば、上述の四つの実施例においては、
p側電極としてAu電極9を用いているが、このp側電
極としては、最下層にPd膜を用い、その上にAu膜を
積層したAu/Pd電極などを用いることも可能であ
る。このような最下層にPd膜を用いたp側電極は、下
地に対する密着性が良好であるという利点がある。For example, in the above four embodiments,
Although the Au electrode 9 is used as the p-side electrode, it is also possible to use an Au / Pd electrode in which a Pd film is used as the lowermost layer and an Au film is stacked thereon as the p-side electrode. Such a p-side electrode using a Pd film as the lowermost layer has an advantage that adhesion to a base is good.
【0048】また、上述の四つの実施例においては、化
合物半導体基板としてGaAs基板を用いているが、こ
の化合物半導体基板としては、例えばGaP基板などを
用いてもよい。In the above four embodiments, a GaAs substrate is used as a compound semiconductor substrate, but a GaP substrate, for example, may be used as the compound semiconductor substrate.
【0049】なお、例えば、上述の第1実施例における
Zn1-z Cdz Se活性層5のZn組成比zを0.5と
することにより、室温において黄色〜赤色で発光が可能
な半導体レーザーを実現することが可能である。For example, by setting the Zn composition ratio z of the Zn 1 -z Cd z Se active layer 5 in the first embodiment to 0.5, a semiconductor laser capable of emitting yellow to red light at room temperature can be obtained. Can be realized.
【0050】[0050]
【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
ZnMgSSeをクラッド層の材料として用いた、青色
ないし緑色で発光が可能な半導体レーザーを実現するこ
とができる。As described above, according to the present invention,
A semiconductor laser capable of emitting blue to green light using ZnMgSSe as a material of a cladding layer can be realized.
【図1】この発明の第1実施例による半導体レーザーを
示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a semiconductor laser according to a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の第2実施例による半導体レーザーを
示す断面図である。FIG. 2 is a sectional view showing a semiconductor laser according to a second embodiment of the present invention.
【図3】この発明の第4実施例による半導体レーザーを
示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a semiconductor laser according to a fourth embodiment of the present invention.
【図4】Znx Mg1-x Sy Se1-y のZn組成比x及
びS組成比yとバンドギャップ及び格子定数との関係を
測定した結果を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the results of measuring the relationship between the Zn composition ratio x and the S composition ratio y of Zn x Mg 1-x S y Se 1- y and the band gap and lattice constant.
1 n型GaAs基板 2 n型ZnSeバッファ層 3 n型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層 4 n型ZnSp Se1-p 光導波層 5 Zn1-z Cdz Se活性層 6 p型ZnSp Se1-p 光導波層 7 p型Znx Mg1-x Sy Se1-y クラッド層 8 絶縁層 9 Au電極 10 In電極 11 n型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導波層 12 p型Znp Mg1-p Sq Se1-q 光導波層 13 ZnSez Te1-z 活性層1 n-type GaAs substrate 2 n-type ZnSe buffer layer 3 n-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 4 n-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 5 Zn 1-z Cd z Se active layer Reference Signs List 6 p-type ZnS p Se 1-p optical waveguide layer 7 p-type Zn x Mg 1-x S y Se 1-y cladding layer 8 insulating layer 9 Au electrode 10 In electrode 11 n-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 12 p-type Zn p Mg 1-p S q Se 1-q optical waveguide layer 13 ZnSe z Te 1-z active layer
フロントページの続き (56)参考文献 Jpn.J.Appl.Phys.V ol.31,No.3B,p.L340−L 342(19 ELECTRONICS LETTE RS Vol.28,No.19,p.1798 −1799(1 Appl.Phys.Lett.Vo l.59,No.11,p.1272−1274 (1991 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01S 5/00 - 5/50 Continuation of front page (56) References Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31, No. 3B, p. L340-L342 (19 ELECTRONICS LETTE RS Vol. 28, No. 19, p. 1798-1799 (1 Appl. Phys. Lett. Vol. 59, No. 11, p. 1272-1274 (1991 (58) survey) Field (Int.Cl. 7 , DB name) H01S 5/00-5/50
Claims (8)
gSSeから成る第1導電型の第1のクラッド層と、 上記第1のクラッド層上に積層されたZnSSeから成
る第1の光導波層と、 上記第1の光導波層上に積層されたZnCdSeから成
る活性層と、 上記活性層上に積層されたZnSSeから成る第2の光
導波層と、 上記第2の光導波層上に積層されたZnMgSSeから
成る第2導電型の第2のクラッド層とを具備し、 上記第1のクラッド層、上記第1の光導波層、上記第2
の光導波層及び上記第2のクラッド層は上記化合物半導
体基板と格子整合しており、かつ、上記活性層はひずみ
層である ことを特徴とする半導体レーザー。1. A ZnM laminated on a compound semiconductor substrate
a first conductivity type first cladding layer made of gSSe; a first optical waveguide layer made of ZnSSe laminated on the first cladding layer; and a ZnCdSe laminated on the first optical waveguide layer. An active layer comprising: a second optical waveguide layer composed of ZnSSe laminated on the active layer; and a second cladding layer of a second conductivity type composed of ZnMgSSe laminated on the second optical waveguide layer comprising the door, the first cladding layer, said first optical waveguide layer, the second
The optical waveguide layer and the second cladding layer are formed of the compound semiconductor.
Lattice matched to the body substrate and the active layer is strained
A semiconductor laser, which is a layer .
gSSeから成る第1導電型の第1のクラッド層と、 上記第1のクラッド層上に積層されたZnMgSSeか
ら成る第1の光導波層と、 上記第1の光導波層上に積層されたZnCdSeから成
る活性層と、 上記活性層上に積層されたZnMgSSeから成る第2
の光導波層と、 上記第2の光導波層上に積層されたZnMgSSeから
成る第2導電型の第2のクラッド層とを具備し、 上記第1のクラッド層、上記第1の光導波層、上記第2
の光導波層及び上記第2のクラッド層は上記化合物半導
体基板と格子整合しており、かつ、上記活性層はひずみ
層である ことを特徴とする半導体レーザー。2. A ZnM laminated on a compound semiconductor substrate.
a first conductivity type first cladding layer made of gSSe; a first optical waveguide layer made of ZnMgSSe laminated on the first cladding layer; and a ZnCdSe laminated on the first optical waveguide layer. An active layer composed of ZnMgSSe laminated on the active layer.
And a second conductive type second cladding layer made of ZnMgSSe laminated on the second optical waveguide layer , wherein the first cladding layer and the first optical waveguide layer , The second
The optical waveguide layer and the second cladding layer are formed of the compound semiconductor.
Lattice matched to the body substrate and the active layer is strained
A semiconductor laser, which is a layer .
あることを特徴とする請求項1または2記載の半導体レ
ーザー。3. The semiconductor laser according to claim 1, wherein the thickness of said active layer is not more than its critical thickness.
User .
波層と上記活性層とのバンドギャップの差が0.15e
V以上であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか
一項記載の半導体レーザー。4. A difference in band gap between said first optical waveguide layer and said second optical waveguide layer and said active layer is 0.15e.
The semiconductor laser according to claim 1, wherein the voltage is V or more.
gSSeから成る第1導電型の第1のクラッド層と、a first conductivity type first cladding layer made of gSSe; 上記第1のクラッド層上に積層されたZnSSeから成It is composed of ZnSSe laminated on the first cladding layer.
る第1の光導波層と、A first optical waveguide layer, 上記第1の光導波層上に積層されたZnCdSeから成It is composed of ZnCdSe laminated on the first optical waveguide layer.
る活性層と、Active layer, 上記活性層上に積層されたZnSSeから成る第2の光Second light composed of ZnSSe laminated on the active layer
導波層と、A waveguide layer; 上記第2の光導波層上に積層されたZnMgSSeからFrom ZnMgSSe laminated on the second optical waveguide layer
成る第2導電型の第2のクラッド層とを具備し、A second cladding layer of a second conductivity type comprising: 上記第1のクラッド層、上記第1の光導波層、上記第2The first cladding layer, the first optical waveguide layer, the second
の光導波層及び上記第2のクラッド層は上記化合物半導The optical waveguide layer and the second cladding layer are formed of the compound semiconductor.
体基板と格子整合しており、かつ、上記活性層はひずみLattice matched to the body substrate and the active layer is strained
層であるLayer ことを特徴とする発光ダイオード。A light-emitting diode, characterized in that:
gSSeから成る第1導電型の第1のクラッド層と、a first conductivity type first cladding layer made of gSSe; 上記第1のクラッド層上に積層されたZnMgSSeかZnMgSSe laminated on the first cladding layer
ら成る第1の光導波層と、A first optical waveguide layer comprising: 上記第1の光導波層上に積層されたZnCdSeから成It is composed of ZnCdSe laminated on the first optical waveguide layer.
る活性層と、Active layer, 上記活性層上に積層されたZnMgSSeから成る第2A second layer made of ZnMgSSe laminated on the active layer;
の光導波層と、An optical waveguide layer, 上記第2の光導波層上に積層されたZnMgSSeからFrom ZnMgSSe laminated on the second optical waveguide layer
成る第2導電型の第2のクラッド層とを具備し、A second cladding layer of a second conductivity type comprising: 上記第1のクラッド層、上記第1の光導波層、上記第2The first cladding layer, the first optical waveguide layer, the second
の光導波層及び上記第2のクラッド層は上記化合物半導The optical waveguide layer and the second cladding layer are formed of the compound semiconductor.
体基板と格子整合しており、かつ、上記活性層はひずみLattice matched to the body substrate and the active layer is strained
層であるLayer ことを特徴とする発光ダイオード。A light-emitting diode, characterized in that:
あることを特徴とする請求項5または6記載の発光ダイ7. A light emitting die according to claim 5, wherein
オード。Aether.
波層と上記活性層とのバンドギャップの差が0.15eThe difference in band gap between the wave layer and the active layer is 0.15 e
V以上であることを特徴とする請求項5〜7のいずれかV is not less than V.
一項記載の発光ダイオード。A light emitting diode according to claim 1.
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DE19542241C2 (en) | 1995-11-13 | 2003-01-09 | Siemens Ag | Optoelectronic component in II-VI semiconductor material |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP31416592A patent/JP3326833B2/en not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
Appl.Phys.Lett.Vol.59,No.11,p.1272−1274(1991 |
ELECTRONICS LETTERS Vol.28,No.19,p.1798−1799(1 |
Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31,No.3B,p.L340−L342(19 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06152061A (en) | 1994-05-31 |
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