JP3326466B2 - Electrode forming method of a semiconductor device - Google Patents

Electrode forming method of a semiconductor device

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JP3326466B2 JP27246696A JP27246696A JP3326466B2 JP 3326466 B2 JP3326466 B2 JP 3326466B2 JP 27246696 A JP27246696 A JP 27246696A JP 27246696 A JP27246696 A JP 27246696A JP 3326466 B2 JP3326466 B2 JP 3326466B2
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和彦 松村
哲郎 河北
博昭 藤本
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    • H01L2924/3511Warping

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、トランジスタ、ICあるいはLSIといった半導体素子を、パッケージ無しの裸状態で実装する、いわゆるベアチップ実装に好適な接合用の電極形成方法に関するものである。 BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is, for example, a transistor, a semiconductor device such as IC or LSI, implemented naked state without package, it relates to electrode forming method for a suitable bonding the so-called bare chip mounting.

【0002】 [0002]

【従来の技術】近年、電子機器の小型、高機能化の要求から、従来の樹脂パッケージに代わって、リード配線を形成したテープ状の絶縁フィルムにベアチップを載せてリードと接続した表面実装型のパッケージであるTCP In recent years, electronic devices small, the demand for higher performance, instead of the conventional resin package, a tape-like formation of the lead wires of the surface mount type which is connected to the lead put a bare chip on an insulating film it is a package TCP
(Tape CarrierPackage)、あるいは、ベアチップを直接、回路基板に実装するフリップチップ方式等の高密度実装技術に対する要望は、ますます強まっている。 (Tape CarrierPackage), or directly to the bare chip, demand for high-density packaging technologies such as flip-chip method of mounting on a circuit board is increasingly growing. これらの高密度実装技術に用いられる半導体素子においては、外部と電気的な接続をするための外部電極には、接合用の突起電極が必要である。 In the semiconductor device used in these high-density mounting technology, the external electrodes for external electrical connection is required protruding electrode for bonding.

【0003】かかる接合用の突起電極の形成方法の一例を、図5および図6に基づいて説明する。 [0003] One example of a method of forming such a joining of the bump electrode, will be described with reference to FIGS.

【0004】図5は、無電解めっき法によって突起電極を形成する前のAl電極付近の半導体素子の断面図であり、図6は、無電解めっき法による突起電極の形成方法を示す工程断面図である。 [0004] Figure 5 is a cross-sectional view of a semiconductor device in the vicinity of Al electrodes before the formation of the protruding electrodes by electroless plating, FIG. 6, step sectional views showing a method of forming the projection electrodes by electroless plating it is.

【0005】これらの図において、1は半導体素子、2 [0005] In these drawings, 1 is a semiconductor element, 2
は半導体素子1の外部電極としてのAl電極、3は自然酸化膜、4はAl電極2の縁部を覆うように形成されたシリコン窒化膜などの保護膜、5はシリコン酸化膜、6 The Al electrode as external electrodes of the semiconductor element 1, a natural oxide film 3, a protective film such as a silicon nitride film is formed to cover an edge portion of the Al electrode 2 4, 5 a silicon oxide film, 6
はウェハ、7はZn粒子膜、8はNi膜、9はAu膜を示している。 The wafer, 7 Zn particle film, 8 Ni film, 9 denotes an Au film.

【0006】先ず、図6(a)は、ウエハ6の半導体素子1上に形成されたAl電極2のウエットエッチング工程を示したものである。 [0006] First, FIG. 6 (a) shows the wet etching process of the Al electrode 2 formed on the semiconductor device 1 of the wafer 6. この工程において、ウェハ6をリン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬することにより、Al電極2の表面に形成された自然酸化膜3を除去する。 In this step, by immersing the wafer 6 in an aqueous solution of phosphoric acid and sodium hydroxide, to remove the natural oxide film 3 formed on the surface of the Al electrode 2. この自然酸化膜3の除去後、室温付近に保持した純水により洗浄を行う。 After removal of the natural oxide film 3, it is cleaned with pure water maintained at around room temperature.

【0007】自然酸化膜3を除去したまま放置すると、 [0007] When the left to remove the natural oxide film 3,
再びAl電極2上に自然酸化膜3が形成されてしまうために、図6(b)に示すように、Al電極2上にZn粒子膜7を形成して自然酸化膜3の再形成を防止する。 To undesirably formed natural oxide film 3 on the Al electrode 2 again, preventing reformation of 6 (b), the natural oxide film to form a Zn particle film 7 on Al electrodes 2 3 to. このZn粒子膜7の形成は、室温に保持したZnを含有するアルカリ性(pH13〜14)の溶液中に30秒程度浸漬することにより行われ、Alと溶液中のZnイオンとの置換反応を利用してAl電極2の表面に、膜厚30 The formation of the Zn particle film 7 is performed by the solution immersion for about 30 seconds in an alkaline (pH13~14) containing Zn was maintained at room temperature, utilizing a substitution reaction with Zn ions of Al in solution on the surface of the Al electrode 2 and a thickness 30
0〜500Å程度のZn粒子膜7を形成するものである。 And it forms a Zn particle film 7 of about 0~500A. このZn粒子膜7の形成後は、室温付近に保持した純水により洗浄を行う。 After formation of the Zn particle film 7 is cleaned with pure water maintained at around room temperature.

【0008】次に、図6(c)に示すように、Al電極2上に無電解めっき法によりNi膜8を形成する。 [0008] Next, as shown in FIG. 6 (c), to form a Ni film 8 by an electroless plating method on Al electrodes 2.

【0009】具体的には、90℃程度に保持した無電解Niめっき浴中に、2〜5分の浸漬を行い、これによって、Zn粒子膜7が無電解Niめっき液中で溶解することで、Znと無電解Niめっき液中のNiイオンとの置換反応によりNiが析出した後に、無電解Niめっき液の自己還元反応によりNi上にNiが自己析出し、半導体素子1のAl電極2上に0.7〜1.2μm程度のNi [0009] Specifically, in an electroless Ni plating bath kept at about 90 ° C., subjected to immersion of 2-5 minutes, whereby, by Zn particle film 7 is dissolved in an electroless Ni plating solution after the Ni is precipitated by the substitution reaction between Zn and electroless Ni Ni ions in the plating solution, Ni is autodeposition on Ni by self reduction of the electroless Ni plating solution, the upper Al electrode 2 of the semiconductor element 1 to 0.7~1.2μm about Ni
膜8を形成するものである。 And it forms a film 8.

【0010】次に、室温の純水によりウエハ6の洗浄を行い、その後、図6(d)に示すように、Ni膜8上に無電解めっき法によりAu膜9を形成する。 [0010] Next, the cleaning of the wafer 6 with pure water at room temperature, then, as shown in FIG. 6 (d), to form the Au film 9 by electroless plating on the Ni film 8. 具体的には、90℃程度に保持した無電解Auめっき浴中に、4 Specifically, in an electroless Au plating bath kept at about 90 ° C., 4
0分程度の浸漬を行い、Niと無電解Auめっき液中のAuイオンとの置換反応によってNi膜8上に0.2μ Perform immersion of about 0 minutes, 0.2.mu. on the Ni film 8 by substitution reaction between Ni and Au ions electroless Au plating solution
mのAu膜9を形成するものである。 And it forms an Au film 9 m.

【0011】このようにAu膜9を形成するのは、Ni [0011] to form the Au film 9 as described above, Ni
膜8単独ではNiの酸化膜の存在により電気的な接続性が悪く、これを改善して電気的な接続性を高めるためである。 Poor electrical connectivity through the presence of the oxide film of Ni in the film 8 alone, in order to increase the electrical connectivity to improve this.

【0012】なお、上記図6(a)から図6(d)工程は、通常ウエハ単位で行われる。 [0012] Note that shown in FIG. 6 (d) Step of FIG. 6 (a) is carried out in a conventional wafer units.

【0013】このようにして、半導体素子1の外部電極であるAl電極2上に無電解めっき法によりNi膜8を析出により形成し、更にその上にAu膜9を無電解めっき法により析出して接合用の突起電極を形成する。 [0013] Thus, the Ni film 8 is formed by precipitation by an electroless plating method on Al electrodes 2 is an external electrode of the semiconductor element 1, and precipitated by addition electroless plating method and an Au film 9 is formed thereon Te forming a projecting electrode for bonding. この半導体素子1をベアチップ実装する場合は、この突起電極を直接回路基板にフリップチップ実装で接続したり、 If you bare chip mounting the semiconductor element 1, or connected by flip-chip mounting the projection electrodes directly a circuit board,
あるいは、TCPにパッケージングするものである。 Or, it is intended to packaging to TCP.

【0014】 [0014]

【発明が解決しようとする課題】このように半導体素子のAl電極上に、無電解めっき法によってNi膜およびAu膜といった第1,第2の金属膜を形成する場合には、Alに対して反応性があるめっき液を使用することが多く、このため、Al電極上に形成した第1の金属膜上に、第2の金属膜を形成する際には、Al電極と第1 [Problems that the Invention is to Solve on Al electrodes of the thus semiconductor device, the first such Ni film and Au film by an electroless plating method, in the case of forming the second metal film with respect to Al often use plating solution is reactive, Therefore, on the first metal film formed on the Al electrode, when forming the second metal film, and the Al electrode and the first
の金属膜との界面に、第2の金属膜のめっき液が浸入するのを防止しなければ、Al電極と第1の金属膜との界面において、第2の金属膜のめっき液とAl電極とが反応してしまい、Al電極と第1の金属膜との密着性が悪くなり、しかも接触抵抗値が増加してしまうことになる。 To the interface between the metal film, to be prevented from the plating solution of the second metal film from entering, at the interface between the Al electrode and the first metal film, the plating solution and the Al electrode of the second metal film DOO ends up reaction deteriorates the adhesion between the Al electrode and the first metal film, yet so that the contact resistance value is increased.

【0015】ところが、上述のような従来例の無電解めっき法を利用した電極形成では、ウエハ単位で半導体素子のAl電極上に第1,第2の金属膜を形成する際の8 [0015] However, in the electrode formation using the electroless plating method of the prior art as described above, the first on the Al electrodes of the semiconductor device in wafer units, when forming the second metal film 8
0°C〜90°C程度のめっき処理温度では、ウェハに反りが発生する。 0 In ° C~90 ° C approximately plating temperature, warpage occurs in the wafer. すなわち、ウェハ上に半導体素子を形成するために積層した材料の熱膨張率の相違により、めっき処理温度では、ウエハの半導体素子の形成面側に反りが発生し、この反りが発生した状態で金属膜が形成されることになる。 That is, the metal in the state due to the difference in the coefficient of thermal expansion of the material laminated to form a semiconductor device on a wafer, the plating temperature, a warp occurs in the forming surface side of the semiconductor device wafer, the warpage occurs so that the film is formed.

【0016】したがって、第1の金属膜を形成した後の室温の洗浄工程においては、反りがなくなって元の状態に戻るので、Al電極上に形成された保護膜4と無電解めっきにより形成した第1の金属膜であるNi膜8との界面に微細な隙間を生じ、第2の金属膜であるAu膜9 [0016] Thus, in the room temperature washing process after forming the first metal film, since gone warped returns to its original state, it was formed by electroless plating with a protective film 4 formed on the Al electrode produce fine gaps at the interface between the Ni film 8 which is a first metal film, Au film 9 is a second metal film
を無電解めっき法により形成する時に、前記微細な隙間よりAu膜9のめっき液が浸入し、Al電極2と反応し、Al電極2とNi膜8との密着性が悪くなり、しかも接触抵抗値が増加してしまうという問題点を有していた。 The when formed by electroless plating, the plating solution infiltrates the Au film 9 finer gap and reacts with Al electrodes 2, adhesion between the Al electrode 2 and the Ni film 8 is deteriorated, moreover contact resistance value there has been a problem arises in that increase.

【0017】本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、半導体素子の外部電極上に、無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜からなる接合用の電極を形成する方法において、密着性がよく、接続性の高い電極を形成できるようにすることを目的とする。 [0017] The present invention was made in view of the above, on the external electrodes of the semiconductor element to form an electrode for bonding made of at least two kinds of metal film by an electroless plating method in the method, adhesion is good, and an object thereof is to allow forming high connection electrode.

【0018】 [0018]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本発明では、次のように構成している。 In order to solve the above problems SUMMARY OF THE INVENTION, in the present invention is configured as follows.

【0019】すなわち、本発明の半導体素子の電極形成方法は、外部電極上に金属膜を形成する工程で生じるウエハの反りに起因して外部電極上に形成された保護膜と無電解めっきにより形成した第1の金属膜との界面に微細な隙間が生じ、この隙間から第2の金属膜のめっき液が浸入して外部電極と反応するのを防止するために、金属膜を形成するすべての処理工程でのウエハの反りを一定にし、あるいは、反りを強制的に防止し、さらには、 [0019] That is, the electrode forming method of a semiconductor device of the present invention is formed by due to the warp of the wafer protective film and electroless plating formed on the external electrodes produced by forming a metal film on the external electrodes the resulting fine gap at the interface between the first metal film, in order to prevent the reaction with the external electrode plating solution enters the second metal film from the gap, all forming a metal film the warp of the wafer in the processing step is kept constant, or forcibly prevent warping, furthermore,
反りの影響で生じた隙間をめっき法により再度埋めるようにしている。 And to fill again by plating the gap formed by the influence of the warpage.

【0020】本発明によれば、外部電極と第1の金属膜との界面への第2の金属膜のめっき液の浸入を阻止して前記めっき液と外部電極との反応を防止できることになり、これによって、外部電極と第1の金属膜との密着性が向上し、接触抵抗値が小さく接続性の高い電極を形成することができる。 According to the present invention, it will be possible to prevent the reaction between the plating liquid and the external electrode by preventing infiltration of the plating solution of the second metal film to the interface between the external electrode and the first metal film thereby, it is possible to improve the adhesion between the external electrode and the first metal film, the contact resistance value is formed a small high connection electrode.

【0021】 [0021]

【発明の実施の形態】本発明の請求項1に記載の発明は、半導体素子の外部電極上に無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜を積層することにより電極を形成する方法において、 第1の金属膜を無電解めっ The invention according to claim 1 of the embodiment of the present invention provides a method of forming an electrode by laminating at least two kinds of metal film by electroless plating on external electrodes of the semiconductor element, a first metal layer electroless plating
き法によって形成する第1の金属膜形成工程と、前記第 A first metal film forming step of forming the can process, the first
1の金属膜が形成された半導体素子を洗浄する洗浄工程 Cleaning step of cleaning the semiconductor device 1 of the metal film is formed
と、第2の金属膜を無電解めっき法によって形成する第 When, the forming a second metal film by an electroless plating method
2の金属膜形成工程とからなり、少なくとも前記第1の金属膜形成工程から前記第2の金属膜形成工程までのすべての処理工程における処理温度を、ほぼ等しい温度に保持するものであり、 これら各工程における処理温度が Consists of a second metal film forming step, the treatment temperature in all the processing steps of at least said first metal film forming step to about the second metal film forming Engineering, which holds approximately equal temperature, treatment temperature in each of these steps
ほぼ等しいので、ほぼ等しい反り状態で各工程の処理が Since approximately equal, the process of each step is approximately equal warped state
為されることになり、保護膜と第1の金属膜との界面に Will made is that, at the interface between the protective film and the first metal film
微細な隙間が生じることがなく、したがって、第2の金 Without fine gap is formed, thus, the second gold
属膜のめっき液が外部電極と反応することがない。 Plating solution Shokumaku is not able to react to the external electrode.

【0022】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記ほぼ等しい温度を、前記外部電極の縁部を覆う保護膜と外部電極上に形成された前記第1 The claimed invention described in claim 2 is the invention according to claim 1, wherein the substantially equal temperature, the protective cover the edges of the external electrode film and the first formed on the external electrodes
の金属膜との境界部分に、隙間が生じない温度としており、これによって、第2の金属膜のめっき液が外部電極と反応するのを確実に防止することができる。 Of the boundary between the metal film, and a temperature at which no gap, whereby the plating solution of the second metal film can be prevented reliably from reacting with external electrodes.

【0023】 [0023]

【0024】請求項に記載の発明は、半導体素子の外部電極上に無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜を積層することにより電極を形成する方法において、少なくとも第1の金属膜を形成する処理温度における前記半導体素子の変形を、補強材によって防止するものであり、これによって、第1の金属膜の形成工程で半導体素子に反りが生じることがなくなり、室温に戻しても外部電極上に形成された保護膜と第1の金属膜との界面に微細な隙間が生じることがなく、したがって、 [0024] According to a third aspect of the invention, a method of forming an electrode by laminating at least two kinds of metal film by electroless plating on external electrodes of the semiconductor element, at least a first metal film the deformation of the semiconductor device in the formation to the processing temperature, which prevents the reinforcing member, which eliminates the warpage occurs in the semiconductor device in the step of forming the first metal film, external electrodes be returned to room temperature without fine gap is produced at the interface between the protective film and the first metal film formed above, therefore,
第2の金属膜のめっき液が外部電極と反応することがない。 Never plating solution of the second metal film reacts with external electrodes. しかも、金属膜を形成した後の洗浄工程を、室温付近の温度で行うことができる。 Moreover, the washing step after formation of the metal film, can be carried out at temperatures near room temperature.

【0025】請求項に記載の発明は、半導体素子の外部電極上に無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜を積層することにより電極を形成する方法において、第1の金属膜を無電解めっき法によって形成する第1の金属膜形成工程と、第1の金属膜が形成された半導体素子を室温付近の温度で洗浄する洗浄工程と、第2の金属膜を無電解めっき法によって形成する第2の金属膜形成工程とを含み前記第1の金属膜形成工程は、室温よりも高温で第1の金属膜を形成する第1形成工程と、室温付近の温度で第1の金属膜を形成する第2形成工程とを含むものであり、第1の金属膜を形成する第1 [0025] According to a fourth aspect of the invention, a method of forming an electrode by laminating at least two kinds of metal film by electroless plating on external electrodes of the semiconductor device, the first metal film-free a first metal film forming step of forming by electrolytic plating, a cleaning step of cleaning at temperatures of room temperature nearby the semiconductor device the first metal film is formed, forming a second metal film by an electroless plating method said first metal film forming step and a second metal film forming step includes a first forming step of forming a first metal film at a temperature higher than room temperature, the first metal film at a temperature around room temperature It is intended to include a second forming step of forming a first forming the first metal film
形成工程で半導体素子に反りが生じ、室温付近に戻した時に、外部電極上に形成された保護膜と第1の金属膜との界面に微細な隙間が生じたとしても、室温付近の温度の第2形成工程で第1の金属膜が再び形成されて前記隙間が埋め込まれることになり、これによって、第2の金属膜のめっき液が外部電極と反応することがない。 Warpage occurs in the semiconductor device in the forming process, when the return to near room temperature, even as fine gap is formed at the interface between the protective film and the first metal film formed on the external electrodes, the temperature around room temperature will be the first metal film is embedded the gap is formed once again in the second forming step, thereby, never plating solution of the second metal film reacts with external electrodes. しかも、第1の金属膜を形成した後の洗浄工程を、室温付近の温度で行うことができる。 Moreover, the cleaning process after forming the first metal film may be carried out at a temperature near room temperature.

【0026】 [0026]

【0027】 [0027]

【0028】以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。 [0028] Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0029】(実施の形態1)図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体素子の断面図であり、図2は、ウエハ単位での半導体素子の電極形成方法を示す工程断面図であり、図5および図6の従来例に対応する部分には、 [0029] (Embodiment 1) FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a process cross-sectional view showing the electrode forming method of a semiconductor device in wafer units There, the portion corresponding to the conventional example of FIGS. 5 and 6,
同一の参照符号を付す。 Denoted by the same reference numerals. なお、図2(a)〜(c)は、 Incidentally, FIG. 2 (a) ~ (c) are
めっき浴および洗浄槽内での変形した状態をそれぞれ示している。 The deformed state of the plating bath and the cleaning tank are shown, respectively.

【0030】この実施の形態の半導体素子1は、図1に示されるように、その外部電極であるAl電極2上に無電解めっき法により、第1の金属膜としてのNi膜8を析出により形成し、更にその上に第2の金属膜としてA The semiconductor device 1 of this embodiment, as shown in FIG. 1, by an electroless plating method on Al electrodes 2 which is the external electrodes, by precipitation of Ni film 8 as a first metal film formed, further a as a second metal film thereon
u膜9を無電解めっき法で析出した構成となっており、 The u film 9 has a configuration in which precipitated in the electroless plating method,
この図1に示した半導体素子1をベアチップ実装する場合は、従来と同様に、接合用の突起電極を直接回路基板にフリップチップ実装で接続したり、あるいは、TCP If bare-chip mounting the semiconductor device 1 shown in FIG. 1, as in the prior art, or to connect the projection electrodes for bonding directly to the circuit board by flip chip mounting, or, TCP
にパッケージングするものである。 It is intended to packaging.

【0031】次に、図2を参照しながら、本発明の実施の形態1に係るウエハ単位での半導体素子の電極形成方法を工程順に説明する。 Next, with reference to FIG. 2, forming the electrodes in the semiconductor device in a wafer unit according to the first embodiment of the present invention in order of steps.

【0032】先ず、図2(a)は、ウエハ6上の半導体素子1上に形成されたAl電極2のウエットエッチング工程を示したものである。 [0032] First, FIG. 2 (a) shows the wet etching process of the Al electrode 2 formed on the semiconductor element 1 on the wafer 6. この工程において、ウェハ6 In this process, wafer 6
をリン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬することにより、Al電極2の表面に形成された自然酸化膜を除去する。 The by immersion in an aqueous solution of phosphoric acid and sodium hydroxide, to remove the natural oxide film formed on the surface of the Al electrode 2. その後、室温付近に保持した純水により洗浄を行う。 Thereafter, the washed with pure water maintained at around room temperature.

【0033】この自然酸化膜を除去したまま放置すると、再びAl電極2上に自然酸化膜が形成されてしまうために、図2(b)に示すように、Al電極2上にZn [0033] When left to remove the natural oxide film, in order to become a natural oxide film is formed on the Al electrode 2 again, as shown in FIG. 2 (b), Zn on Al electrodes 2
粒子膜7を形成して自然酸化膜の再形成を防止する。 Forming a particle film 7 to prevent re-formation of a natural oxide film. このZn粒子膜7の形成は、室温に保持したZnを含有するアルカリ性(pH13〜14)の溶液中に30秒程度浸漬することにより行われ、Alと溶液中のZnイオンとの置換反応を利用してAl電極2の表面に、膜厚30 The formation of the Zn particle film 7 is performed by the solution immersion for about 30 seconds in an alkaline (pH13~14) containing Zn was maintained at room temperature, utilizing a substitution reaction with Zn ions of Al in solution on the surface of the Al electrode 2 and a thickness 30
0〜500Å程度のZn粒子膜7を形成するものである。 And it forms a Zn particle film 7 of about 0~500A. このZn粒子膜7の形成後は、室温付近に保持した純水により洗浄を行う。 After formation of the Zn particle film 7 is cleaned with pure water maintained at around room temperature.

【0034】以上の前処理工程は、上述の従来例と同様である。 The more pretreatment steps are the same as the conventional example described above.

【0035】次に、図2(c)に示すように、Al電極2上に無電解めっき法により第1の金属膜であるNi膜8を形成する。 Next, as shown in FIG. 2 (c), to form a Ni film 8 is the first metal film by electroless plating on the Al electrode 2.

【0036】具体的には、90℃に保持した無電解Ni [0036] Specifically, electroless Ni kept at 90 ° C.
めっき浴10中に、2〜5分の浸漬を行い、これによって、Zn粒子膜7が無電解Niめっき液中で溶解することで、Znと無電解Niめっき液中のNiイオンとの置換反応によりNiが析出した後に、無電解Niめっき液の自己還元反応によりNi上にNiが自己析出し、半導体素子1のAl電極2上に0.7〜1.2μm程度のNi In the plating bath 10, performs immersion 2-5 minutes, whereby, by Zn particle film 7 is dissolved in an electroless Ni plating solution, a substitution reaction between Zn and Ni ions electroless Ni plating solution after the Ni is precipitated by, Ni is autodeposition on Ni by self reduction of the electroless Ni plating solution, about 0.7~1.2μm on Al electrodes 2 of the semiconductor element 1 Ni
膜8を形成するものである。 And it forms a film 8.

【0037】処理温度90°Cの無電解Niめっき浴1 [0037] Electroless Ni plating bath treatment temperature 90 ° C 1
0中では、上述のように、ウェハ6上に半導体素子1を形成するために積層した材料の熱膨張率の相違により、 Among 0, as described above, the difference in thermal expansion of the material laminated to form a semiconductor device 1 on the wafer 6,
図2(c)に示されるように、ウエハ6の半導体素子1 As shown in FIG. 2 (c), the semiconductor device 1 of the wafer 6
の形成面側に反りが発生し、上面方向に反った状態でN Warpage occurs in the forming surface, N in a state in which warps on the upper surface direction
i膜8を形成している。 Forming the i layer 8.

【0038】次に、図2(d)に示すように、洗浄槽1 Next, as shown in FIG. 2 (d), the cleaning tank 1
1で無電解Niめっき浴10と同温度である90°Cの純水によりウエハ6の洗浄を行う。 To clean the wafer 6 with pure water with an electroless Ni plating bath 10 at 1 is the same temperature 90 ° C. 具体的には、図2 Specifically, FIG. 2
(c)の無電解Niめっき処理工程後の洗浄処理工程を無電解Niめっき浴10と同一温度の90℃に保持した純水により行うことで、洗浄工程におけるウエハ6の反りは、無電解Niめっき浴10にウエハ6を浸漬した時の反りと同じ状態を保持することになり、これによって、室温付近の温度の純水で洗浄する従来例のように反りがなくなって保護膜4とNi膜8との界面に微細な隙間が生じるといったことがない。 The washing treatment step after electroless Ni plating treatment step (c) is performed by introduction of pure water maintained at 90 ° C. in the same temperature and the electroless Ni plating bath 10, the warpage of the wafer 6 in the wash step, electroless Ni will be holding the same state as warp when the wafer 6 was immersed in a plating bath 10, whereby the protective film 4 and the Ni film gone warp as in the conventional example washing with pure water at around room temperature never such fine gap is generated at the interface between 8.

【0039】次に、図2(e)に示すように、Ni膜8 Next, as shown in FIG. 2 (e), Ni film 8
上に無電解めっき法によりAu膜9を形成する。 Forming an Au film 9 by electroless plating thereon. 具体的には、Ni膜8のめっき処理温度および洗浄処理温度と同一の90℃に保持した無電解Auめっき浴12中に、 Specifically, in an electroless Au plating bath 12 maintained at the same 90 ° C. and plating temperature and wash treatment temperature of the Ni film 8,
40分程度の浸漬を行い、Niと無電解Auめっき液中のAuイオンとの置換反応によってNi膜8上に0.2 Perform immersion of about 40 minutes, 0.2 on the Ni film 8 by substitution reaction between Ni and Au ions electroless Au plating solution
μmのAu膜9を形成する。 Forming an Au film 9 [mu] m.

【0040】このようにNi膜8のめっき処理温度および洗浄処理温度と同一温度の無電解Auめっき浴12中に浸漬するので、ウエハ6の反り状態も同じとなり、室温付近に戻した場合のように保護膜4とNi膜8との界面に微細な隙間が生じることがなく、これによって、A [0040] Since the immersion Thus during plating treatment temperature and wash treatment temperature and an electroless Au plating bath 12 of the same temperature of the Ni film 8, warped state same next to the wafer 6, as in the case of return to near room temperature without fine gap is produced at the interface between the protective film 4 and the Ni film 8, whereby, a
l電極2とNi膜8の界面への無電解Auめっき液の浸入を防止することができるので、無電解Auめっき液とAl電極2とが反応することがなく、Al電極2とNi Since the intrusion of an electroless Au plating solution into the interface of l electrode 2 and the Ni film 8 can be prevented, without the electroless Au plating solution and Al electrodes 2 are reacted, Al electrodes 2 and Ni
膜8との密着性が高く、接触抵抗値が低い突起電極を形成することができる。 High adhesion between the film 8, it is possible to contact resistance forms a low protruding electrodes.

【0041】なお、この実施の形態では、Ni膜8の無電解めっき処理工程、洗浄処理工程およびAu膜9の無電解めっき処理工程の処理温度をすべて同一の温度にしたけれども、本発明の他の実施の形態として、ウェハ6 [0041] In this embodiment, an electroless plating process of the Ni film 8, although all the processing temperature of the electroless plating treatment step of the cleaning process and the Au film 9 was the same temperature, the other of the present invention the form of embodiment, the wafer 6
の反り状態がほぼ同じ状態となって、保護膜4とNi膜8との境界部分に隙間が生じない範囲であれば、同一温度である必要はなく、ほぼ等しい温度にすればよい。 It becomes warped state substantially the same state, as long as it does not create a gap in the boundary portion between the protective film 4 and the Ni film 8 need not be the same temperature, may be set to a temperature approximately equal.

【0042】(実施の形態2)次に、本発明の実施の形態2に係る半導体素子の電極形成方法を、図3に基づいて説明する。 [0042] (Embodiment 2) Next, an electrode forming method of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0043】この実施の形態2では、上述の従来例と同様の工程で突起電極を形成するのであるが、少なくとも無電解めっき法によってAl電極2上にNi膜8を形成するめっき処理工程においては、ウェハ6の反りを防止する補強材13を、ウェハ6に装着して処理するものである。 [0043] In the second embodiment, although to form a protruding electrode in the same process as the conventional example described above, the plating treatment step of forming a Ni layer 8 on the Al electrode 2 by at least an electroless plating method the reinforcing member 13 for preventing the warping of the wafer 6, and processes by mounting the wafer 6.

【0044】この補強材13は、図3に示されるように、ウェハ6の裏面から表面の周縁に延びるように形成されており、補強材13にウェハ6を嵌め込むようにして装着した後にNi膜8のめっき処理工程に移行するものであり、これによって、めっき処理温度におけるウェハ6の反りを防止するものである。 [0044] The reinforcing member 13, as shown in FIG. 3, Ni film 8 after mounting as being formed so as to extend to the periphery of the surface from the back surface of the wafer 6, fitting the wafer 6 to the reinforcing member 13 is intended to shift to the plating treatment step, whereby, thereby preventing warping of the wafer 6 in the plating process temperature.

【0045】この補強材13は、80°C〜90°C程度の温度で変形することのない耐食性の材料、例えば、 [0045] The reinforcing member 13, 80 ° C~90 ° C about corrosion resistant materials that will not deform at temperatures, for example,
テトラフロロエチレンあるいはセラミックなどから構成される。 Such as it comprised of tetrafluoroethylene or ceramic.

【0046】この実施の形態2の電極形成方法では、実施の形態1の図2(c)におけるNi膜8のめっき処理工程において、前記補強材13によってウェハ6に反りが生じない状態でめっき処理を行うので、その後に、従来例と同様に、室温に戻して室温の純水で洗浄しても、 [0046] In this second embodiment of the electrode forming method, in the plating treatment step of the Ni film 8 in FIG. 2 of the first embodiment (c), a plating treatment in a state in which no warp on the wafer 6 by the reinforcing member 13 since the, thereafter, similarly to the conventional example, be washed with pure water at room temperature returned to room temperature,
保護膜4とNi膜8との界面に微細な隙間が生じることがなく、したがって、Au膜9のめっき処理工程において、Al電極2とNi膜8との界面への無電解Auめっき液の浸入を防止することができ、密着性が高く、接触抵抗値が低い突起電極を形成することができる。 Interface without fine gap is formed between the protective film 4 and the Ni film 8, thus, the plating treatment step of the Au film 9, intrusion of an electroless Au plating solution into the interface between the Al electrode 2 and the Ni film 8 can be prevented, high adhesion, can contact resistance forms a low protruding electrodes.

【0047】しかも、この実施の形態2では、上述の実施の形態1のように、Ni膜8を形成した後の洗浄処理を、90°C程度の高温の純水で行う必要がなく、室温の純水を使用できるので、純水を高温にする必要がない。 [0047] Moreover, in the second embodiment, as in the first embodiment described above, a cleaning process after forming the Ni film 8, it is not necessary to carry out with pure water at a high temperature of about 90 ° C, room temperature since the pure water can be used, there is no need to pure water at a high temperature.

【0048】その他の構成は、実施の形態1と同様である。 [0048] Other configurations are the same as in the first embodiment.

【0049】なお、補強材13は、Au膜9のめっき処理工程においても使用してよいのは勿論である。 [0049] Incidentally, the reinforcing member 13, the may also be used in the plating process of the Au film 9 as a matter of course.

【0050】また、補強材13の形状は、図3の形状に限ることなく、例えば、ウェハ6の裏面側と表面側とを別部材で構成するとともに、両部材を連結部材で連結してウェハ6の反りを防止するようにしてもよい。 [0050] The shape of the reinforcing member 13 is not limited to the shape shown in FIG. 3, for example, and connected by a connecting member with the two members constituting the back surface side and the surface side of the wafer 6 in another member wafer 6 warping of may be prevented.

【0051】(実施の形態3)次に、本発明の実施の形態3に係る半導体素子の電極形成方法を、図4に基づいて説明する。 [0051] (Embodiment 3) Next, an electrode forming method of a semiconductor device according to a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0052】図4は、本実施の形態3における半導体素子の電極形成方法の工程断面図であり、上述の実施の形態に対応する部分には、同一の参照符号を付す。 [0052] Figure 4 is a process cross-sectional view of an electrode forming method of a semiconductor device in the third embodiment, the parts corresponding to the embodiment described above, the same reference characters.

【0053】先ず、図4(a)は、ウエハ6上の半導体素子1上に形成されたAl電極2のウエットエッチング工程を示したものである。 [0053] First, FIG. 4 (a) shows the wet etching process of the Al electrode 2 formed on the semiconductor element 1 on the wafer 6. この工程において、ウェハ6 In this process, wafer 6
をリン酸や水酸化ナトリウムの水溶液中に浸漬することにより、Al電極2の表面に形成された自然酸化膜を除去する。 The by immersion in an aqueous solution of phosphoric acid and sodium hydroxide, to remove the natural oxide film formed on the surface of the Al electrode 2. その後、室温付近に保持した純水により洗浄を行う。 Thereafter, the washed with pure water maintained at around room temperature.

【0054】この自然酸化膜を除去したまま放置すると、再びAl電極2上に自然酸化膜が形成されてしまうために、図4(b)に示すように、Al電極2上にZn [0054] When left to remove the natural oxide film, in order to become a natural oxide film is formed on the Al electrode 2 again, as shown in FIG. 4 (b), Zn on Al electrodes 2
粒子膜7を形成して自然酸化膜の再形成を防止する。 Forming a particle film 7 to prevent re-formation of a natural oxide film. このZn粒子膜7の形成は、室温に保持したZnを含有するアルカリ性(pH13〜14)の溶液中に30秒程度浸漬することにより行われ、Alと溶液中のZnイオンとの置換反応を利用してAl電極2の表面に、膜厚30 The formation of the Zn particle film 7 is performed by the solution immersion for about 30 seconds in an alkaline (pH13~14) containing Zn was maintained at room temperature, utilizing a substitution reaction with Zn ions of Al in solution on the surface of the Al electrode 2 and a thickness 30
0〜500Å程度のZn粒子膜7を形成するものである。 And it forms a Zn particle film 7 of about 0~500A. このZn粒子膜7の形成後は、室温付近に保持した純水により洗浄を行う。 After formation of the Zn particle film 7 is cleaned with pure water maintained at around room temperature.

【0055】次に、Al電極2上に無電解めっき法によって第1の金属膜であるNi膜を形成するのであるが、 Next, although to form an Ni film serving as the first metal film by electroless plating on the Al electrode 2,
この実施の形態では、Ni膜を、第1,第2の形成工程によって形成している。 In this embodiment, an Ni film, is formed by the first, second forming step.

【0056】すなわち、図4(c)に示すように、Al [0056] That is, as shown in FIG. 4 (c), Al
電極2上に無電解めっき法により第1のNi膜8 1を形成する。 By an electroless plating method on the electrode 2 to form a first Ni layer 81.

【0057】具体的には、90℃に保持した無電解Ni [0057] Specifically, electroless Ni kept at 90 ° C.
めっき浴10中に、2〜5分の浸漬を行い、これによって、Zn粒子膜7が無電解Niめっき液10中で溶解することで、Znと無電解Niめっき液中のNiイオンとの置換反応によりNiが析出した後に、無電解Niめっき液の自己還元反応によりNi上にNiが自己析出し、 In the plating bath 10, performs immersion 2-5 minutes, whereby the replacement of the Zn particle film 7 by dissolving in an electroless Ni plating solution 10, Zn and electroless Ni Ni ions in the plating solution after the Ni is precipitated by the reaction, Ni is autodeposition on Ni by self reduction of the electroless Ni plating solution,
半導体素子1のAl電極2上に0.7〜1.2μm程度の第1のNi膜8 1を形成するものである。 On the Al electrode 2 of the semiconductor element 1 and forms a first Ni layer 81 of about 0.7~1.2Myuemu.

【0058】処理温度90°Cの無電解Niめっき浴1 [0058] electroless Ni plating bath of the processing temperature 90 ° C 1
0中では、ウェハ6は、上面方向に反っており、この反った状態でNi膜8 1を形成している。 Among 0, the wafer 6 is warped on the upper surface direction to form a Ni film 81 in a state this where warped.

【0059】以上の工程は、上述の実施の形態1と基本的に同様である。 [0059] The above steps are basically similar to the first embodiment described above.

【0060】実施の形態1では、その後の洗浄処理工程を、90°Cの純水により行ったのに対して、この実施の形態3では、図4(d)に示すように、従来例と同様に、洗浄槽14で室温の純水により洗浄を行う。 [0060] In the first embodiment, the subsequent cleaning process, whereas was performed by pure water 90 ° C, in the third embodiment, as shown in FIG. 4 (d), the conventional example Similarly, to wash with pure water at room temperature in the cleaning tank 14.

【0061】この室温の洗浄処理工程では、ウェハ6の反りがなくなって元に戻るために、第1のNi膜8 1と半導体素子1の保護膜4との界面に微細な隙間15を生じることになる。 [0061] In this room the cleaning process, in order to return to the original lost warpage of the wafer 6, to yield a fine gap 15 at the interface between the first Ni layer 81 and the protective film 4 of the semiconductor element 1 become. 従来例では、この隙間15が生じた状態で、無電解めっき法によってAu膜9を形成したけれども、この実施の形態3では、図4(e)に示すように、第1のNi膜8 1上に、室温付近において再度第2 In the conventional example, in a state where the gap 15 occurs, but the formation of the Au film 9 by electroless plating, in this third embodiment, as shown in FIG. 4 (e), first Ni layer 8 1 above, the re near room temperature 2
のNi膜8 2を無電解めっき法によって形成する。 A Ni film 8 2 formed by electroless plating.

【0062】すなわち、ウエハ6を室温にしてウエハ6 [0062] In other words, the wafer 6 in the room temperature wafer 6
の反りを元に戻すことにより生じた第1のNi膜8 1と保護膜4との界面の隙間15を、室温付近の無電解Ni First the interface gap 15 between the Ni film 81 and the protective film 4, electroless Ni near room caused by returning the warp based on
めっき浴16中に浸漬することにより第2のNi膜8 2 The second Ni layer 8 by dipping in the plating bath 16 2
を形成し、これによって、隙間15を埋めるのである。 Forming a, thereby, it is to fill the gap 15.

【0063】具体的には、27℃に保持した無電解Ni [0063] Specifically, electroless Ni kept at 27 ° C.
めっき浴16中で30分浸漬し、第1のNi8 1膜上に0.05〜0.1μmの第2のNi膜8 2を形成する。 Plating bath 16 immersed for 30 minutes in, forming a second Ni layer 82 of 0.05~0.1μm on the first NI8 1 film.

【0064】この第2のNi膜8 2を形成後に、室温に保持した純水により洗浄を行う。 [0064] After forming the second Ni layer 82, it is cleaned with pure water maintained at room temperature.

【0065】次に、図4(f)に示すように、Ni膜8 Next, as shown in FIG. 4 (f), Ni film 8
2上に無電解めっき法によりAu膜9を形成する。 Forming an Au film 9 by electroless plating on 2. 具体的には、90℃に保持した無電解Auめっき浴12中に、40分程度の浸漬を行い、Niと無電解Auめっき液中のAuイオンとの置換反応によってNi膜8 2上に0.2μmのAu膜9を形成する。 Specifically, in an electroless Au plating bath 12 kept at 90 ° C., subjected to immersion of about 40 minutes, by substitution reaction between Ni and Au ions electroless Au plating solution on the Ni film 8 2 0 forming an Au film 9 .2Myuemu.

【0066】図4(c)における第2のNi膜8 2の形成工程において、隙間15が埋め込まれているので、A [0066] In the second Ni layer 82 of the forming step in FIG. 4 (c), the the gap 15 is embedded, A
u膜9のめっき処理工程において、Al電極2とNi膜8 1の界面への無電解Auめっき液の浸入が防止され、 In the plating treatment step of u film 9, intrusion of an electroless Au plating solution into the interface of Al electrode 2 and the Ni film 81 is prevented,
極めて容易にAl電極2表面に密着性の高い金属膜を形成することが出来る。 Very easily it is possible to form the metal film having a high adhesion to the Al electrode 2 surface.

【0067】しかも、この実施の形態3では、上述の実施の形態1のように、Ni膜を形成した後の洗浄処理を、90°C程度の高温の純水で行う必要がなく、室温の純水を使用できることになる。 [0067] Moreover, in the third embodiment, as in the first embodiment described above, a cleaning process after forming the Ni film, there is no need to pure water of high temperature of about 90 ° C, room temperature so that pure water can be used.

【0068】(その他の実施の形態)上述の各実施の形態では、第1の金属膜としてNi膜を用いたけれども、 [0068] (Other Embodiment) Each embodiment described above, but using a Ni film as the first metal film,
本発明の他の実施の形態として、Ni膜に代えて、Cu Another embodiment of the present invention, instead of the Ni film, Cu
膜、Pd膜あるいはAu膜を用いてよく、また、上述の各実施の形態では、第2の金属膜としてAu膜を用いたけれども、本発明の他の実施の形態として、Au膜に代えて、Cu膜あるいはPd膜を用いてもよい。 Film, may be used Pd film or Au film, also, in the embodiments described above, but using the Au film as the second metal film, as another embodiment of the present invention, instead of the Au film it may be used a Cu film or a Pd film.

【0069】また、上述の各実施の形態では、外部電極としてAl電極を用いたけれども、本発明の他の実施の形態として、Al電極に代えて、Pt電極あるいはAg [0069] In the embodiments described above, but using Al electrode as external electrodes, as another embodiment of the present invention, in place of the Al electrode, Pt electrode or Ag
電極を用いてもよい。 It may be used with electrodes.

【0070】上述の各実施の形態では、外部電極上に、 [0070] In the embodiments described above, on the external electrodes,
2種類の金属膜を形成したけれども、本発明の他の実施の形態として、3種類以上、例えば、Inなどの金属膜を、さらに形成してもよい。 Although the formation of the two kinds of metal films, as another embodiment of the present invention, three or more, for example, a metal film such as In, may be further formed.

【0071】なお、各処理工程における処理温度や処理時間などの処理条件は、上述の実施の形態に限らないのは勿論である。 [0071] The processing conditions such as processing temperature and processing time in each processing step is of course not limited to the above embodiments.

【0072】 [0072]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、Al電極などの外部電極上に、Ni膜やAu膜などの金属膜を無電解めっき法によって形成する際に、その処理温度をほぼ等しい温度に保持することによってウエハの反り状態を一定に保持し、あるいは、ウエハの反りを補強材で防止し、さらには、第1の金属膜の形成を異なる2つのめっき処理温度で行うことにより、第1の金属膜と保護膜との隙間からの第2の金属膜のめっき液の浸入を完全に防止するので、密着性が良く、接触抵抗値が低い接続性の高い電極を形成することができる。 According to the present invention as described above, according to the present invention, on the external electrodes, such as Al electrode, when forming the electroless plating film of a metal such as Ni film and Au film, approximately equal to the processing temperature holding the warp condition of the wafer constant by keeping the temperature, or to prevent warping of the wafer reinforcement, furthermore, by forming a first metal film in two different plating temperature, since completely prevent the entry of the plating solution of the second metal film from the gap between the first metal film and the protective film, good adhesion, to form a high contact resistance with low connectivity electrode it can.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の実施の形態に係る半導体素子の断面図である。 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施の形態1に係る工程断面図である。 2 is a process cross-sectional view according to a first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態2に係る補強材を装着した状態の断面図である。 3 is a cross-sectional view of a state in which the reinforcing member is mounted according to the second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の実施の形態3に係る工程断面図である。 4 is a process cross-sectional view according to a third embodiment of the present invention.

【図5】従来例の半導体素子の断面図である。 5 is a cross-sectional view of a semiconductor device of a conventional example.

【図6】従来例の無電解めっき法による半導体素子の工程断面図である。 6 is a process cross-sectional view of a semiconductor device according to the electroless plating method of a conventional example.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 半導体素子 2 Al電極 8,8 1 ,8 2 Ni膜 9 Au膜 6 ウェハ 10,16 無電解Niめっき浴 11,14 洗浄槽 12 無電解Auめっき浴 13 補強材 15 隙間 1 semiconductor element 2 Al electrodes 8, 8 1, 8 2 Ni film 9 Au film 6 wafers 10, 16 an electroless Ni plating bath 11, 14 cleaning tank 12 an electroless Au plating bath 13 stiffener 15 gap

フロントページの続き (56)参考文献 特開 平7−263493(JP,A) 特開 平6−140409(JP,A) 特開 平8−264541(JP,A) 特開 平6−232136(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl. 7 ,DB名) H01L 21/60 Following (56) references of the front page Patent flat 7-263493 (JP, A) JP flat 6-140409 (JP, A) JP flat 8-264541 (JP, A) JP flat 6-232136 (JP , a) (58) investigated the field (Int.Cl. 7, DB name) H01L 21/60

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】 (57) [the claims]
  1. 【請求項1】 半導体素子の外部電極上に無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜を積層することにより電極を形成する方法において、 第1の金属膜を無電解めっき法によって形成する第1の 1. A method of forming an electrode by laminating at least two kinds of metal film by electroless plating on external electrodes of the semiconductor element, the forming the first metal film by electroless plating 1 of
    金属膜形成工程と、前記第1の金属膜が形成された半導 A metal film forming step, semiconductor of the first metal film is formed
    体素子を洗浄する洗浄工程と、第2の金属膜を無電解め A cleaning step of cleaning the body element, electroless Me a second metal film
    っき法によって形成する第2の金属膜形成工程とからな I and a second metal film forming step of forming by Kki method
    り、少なくとも前記第1の金属膜形成工程から前記第2の Ri, at least the second metal from the first metal film forming step
    属膜形成工程までのすべての処理工程における処理温度を、ほぼ等しい温度に保持することを特徴とする半導体素子の電極形成方法。 The treatment temperature in all the processing steps up as Shokumaku formed Engineering, electrode forming method of a semiconductor device characterized by retaining substantially the same temperature.
  2. 【請求項2】 前記ほぼ等しい温度は、前記外部電極の縁部を覆う保護膜と外部電極上に形成された前記第1の金属膜との境界部分に、隙間が生じない温度である請求項1記載の半導体素子の電極形成方法。 Wherein said approximately equal temperature claim wherein the boundary between the protective film and the first metal film formed on the external electrode covering the edges of the external electrodes, is a temperature at which no gap 1 electrode forming method of a semiconductor device according.
  3. 【請求項3】 半導体素子の外部電極上に無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜を積層することにより電極を形成する方法において、 少なくとも第1の金属膜を形成する処理温度における前記半導体素子の変形を、補強材によって防止することを特徴とする半導体素子の電極形成方法。 3. A method of forming an electrode by laminating at least two kinds of metal film by electroless plating on external electrodes of the semiconductor element, wherein in the processing temperature of forming at least a first metal-semiconductor the deformation of the element, the electrode forming method of a semiconductor device characterized by preventing the reinforcing member.
  4. 【請求項4】 半導体素子の外部電極上に無電解めっき法によって少なくとも2種類以上の金属膜を積層することにより電極を形成する方法において、 第1の金属膜を無電解めっき法によって形成する第1の金属膜形成工程と、 第1の金属膜が形成された半導体素子を室温付近の温度で洗浄する洗浄工程と、 第2の金属膜を無電解めっき法によって形成する第2の金属膜形成工程とを含み、 前記第1の金属膜形成工程は、室温よりも高温で第1の金属膜を形成する第1形成工程と、室温付近の温度で第1の金属膜を形成する第2形成工程とを含むことを特徴とする半導体素子の電極形成方法。 4. A method of forming an electrode by laminating at least two kinds of metal film by electroless plating on external electrodes of the semiconductor element, the forming the first metal film by electroless plating a first metal film forming step, a cleaning step of a semiconductor device the first metal layer is formed is washed at a temperature near room, the second metal film forming of forming a second metal film by an electroless plating method and a step, the first metal film forming step, the second forming for forming a first forming step of forming a first metal film at a temperature higher than room temperature, the first metal film at a temperature around room temperature electrode forming method of a semiconductor device, which comprises a step.
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