JP3320932B2 - Chip package mount, circuit board on which chip package is mounted, and method of forming circuit board - Google Patents

Chip package mount, circuit board on which chip package is mounted, and method of forming circuit board

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、チップパッケージが回
路基板に実装されたチップパッケージ実装体、及びチッ
プパッケージが実装される回路基板、並びにこの回路基
板の形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip package mounted body having a chip package mounted on a circuit board, a circuit board on which the chip package is mounted, and a method of forming the circuit board.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSIの集積度は著しく向上し、
それに伴いLSIチップのパッケージのピン数も増加し
てきた。また、LSIチップのパッケージが搭載された
電子機器については、小型化と薄型化が強く望まれてい
る。このため、LSIチップを高密度に回路基板に実装
する高密度実装技術の開発が進められてきており、LS
Iチップのパッケージについては、様々な形状や構造が
提案されている(日経エレクトロニクス1993年8-2号 n
o.587掲載『LSIパッケージ最前線高密度実装を後押
し』P93〜99)。
2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of LSI has been remarkably improved.
Accordingly, the number of pins of the package of the LSI chip has also increased. Further, there is a strong demand for downsizing and thinning of electronic devices on which LSI chip packages are mounted. For this reason, development of a high-density mounting technology for mounting an LSI chip on a circuit board with high density has been promoted.
Various shapes and structures have been proposed for I-chip packages (Nikkei Electronics 8-2, 1993 n-2
o.587, “Pushing for High-density Packaging at the Front Line of LSI Packages”, pp. 93-99).

【0003】以下の説明においては、LSIチップの電
極に接続される端子電極と、回路基板に接続されるコン
タクト電極とを備えた基板を「チップキャリア」と呼
び、また、チップキャリア上にLSIチップが実装され
たものを「チップパッケージ」と呼ぶことにする。そし
て、このようなチップパッケージは回路基板上に実装さ
れることになる。
[0003] In the following description, a substrate provided with terminal electrodes connected to the electrodes of an LSI chip and contact electrodes connected to a circuit board is called a "chip carrier". The one on which is mounted is referred to as a “chip package”. Then, such a chip package is mounted on a circuit board.

【0004】以下、従来のチップパッケージの回路基板
への実装を簡単に説明する。
Hereinafter, a conventional mounting of a chip package on a circuit board will be briefly described.

【0005】まず、両面に端子電極が形成されたプリン
ト基板またはセラミック基板に、レーザや金型パンチン
グなどでバイアホールを形成する。その後、メッキ法な
どによって基板内部導体と端子電極とを電気的に接続す
る。フェースアップ状態のLSIチップを前記チップキ
ャリアの上面にダイボンドで接着した後、LSIチップ
の電極パッドとチップキャリアの上面の端子電極とをボ
ンディングワイヤによって接続する。次に、LSIチッ
プとボンディングワイヤを覆うようにモールド樹脂によ
る封入を行い、チップパッケージを得る。
[0005] First, via holes are formed on a printed board or a ceramic board having terminal electrodes formed on both sides by laser or die punching. Thereafter, the substrate internal conductor and the terminal electrode are electrically connected by plating or the like. After bonding the face-up LSI chip to the upper surface of the chip carrier by die bonding, the electrode pads of the LSI chip and the terminal electrodes on the upper surface of the chip carrier are connected by bonding wires. Next, sealing with a mold resin is performed so as to cover the LSI chip and the bonding wires, thereby obtaining a chip package.

【0006】次に、プリント基板の下面(回路基板に対
向する面)の端子電極上に、印刷などによって半田を固
着したのち、赤外線リフローなどにより半田を溶融し、
半田ボール(直径700μm程度)に成形する。あるいは、あ
らかじめ用意された半田ボールをフラックスなどによっ
てチップキャリアの端子電極に接着させる方法もある。
Next, after solder is fixed on the terminal electrodes on the lower surface of the printed circuit board (the surface facing the circuit board) by printing or the like, the solder is melted by infrared reflow or the like.
It is formed into a solder ball (about 700 μm in diameter). Alternatively, there is a method in which a solder ball prepared in advance is bonded to a terminal electrode of a chip carrier with a flux or the like.

【0007】さらに、前記チップパッケージの半田ボー
ルが回路基板の端子電極の所定の位置に合うように、チ
ップパッケージの位置合わせを行ったのち、チップパッ
ケージを回路基板上に載置する。その後、赤外線リフロ
ーなどにより半田ボールを溶融し、チップパッケージの
下面の端子電極と回路基板の端子電極と接合する。こう
してチップパッケージ実装体が得られる。
Further, after positioning the chip package so that the solder balls of the chip package are aligned with predetermined positions of the terminal electrodes of the circuit board, the chip package is mounted on the circuit board. Thereafter, the solder balls are melted by infrared reflow or the like, and the terminal electrodes on the lower surface of the chip package are joined to the terminal electrodes on the circuit board. Thus, a chip package mounted body is obtained.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のチップパッケージ及びチップパッケージ実装体
は、以下のような問題を有している。
However, the above-described conventional chip package and chip package mounting body have the following problems.

【0009】1.チップキャリアの端子電極とLSIチ
ップの電極パッドとの接続がワイヤボンディングによっ
て行われているため、チップキャリア面積は、ワイヤボ
ンディング接続部分だけLSIチップ面積より大きくな
る。また、ワイヤボンディング接続後にモールド樹脂に
よる封入を行うため、チップパッケージは、ボンディン
グワイヤによってボンディングワイヤのループ高さ以上
に厚さが増加してしまう。このことは、チップパッケー
ジの小型化・薄型化の障害となる。
1. Since the connection between the terminal electrode of the chip carrier and the electrode pad of the LSI chip is performed by wire bonding, the chip carrier area is larger than the LSI chip area only at the wire bonding connection portion. In addition, since the encapsulation is performed with the mold resin after the wire bonding connection, the thickness of the chip package is increased by the bonding wires to a level higher than the loop height of the bonding wires. This hinders the miniaturization and thinning of the chip package.

【0010】2.比較的に長いボンディングワイヤによ
って信号が伝達するために、入出力信号遅延が起こる。
このため高周波特性が悪くなり、ノイズを拾ってしま
う。
[0010] 2. Input and output signal delays occur because signals are transmitted by relatively long bonding wires.
For this reason, the high-frequency characteristics deteriorate, and noise is picked up.

【0011】3.チップパッケージの下面にアレイ状に
配列された球状の半田ボールは、端子のピッチをより小
さくすることを困難にしている。半田ボールの配列ピッ
チは典型的には1mm程度もある。
3. The spherical solder balls arranged in an array on the lower surface of the chip package make it difficult to reduce the pitch of the terminals. The arrangement pitch of the solder balls is typically about 1 mm.

【0012】4.半田ボールのサイズが、チップパッケ
ージと回路基板との間隔を決定する。このため、チップ
パッケージと回路基板との間隔を半田ボールのサイズよ
りも狭くすることができない。
4. The size of the solder ball determines the distance between the chip package and the circuit board. Therefore, the distance between the chip package and the circuit board cannot be made smaller than the size of the solder ball.

【0013】5.チップキャリアの基板の材質と回路基
板の材質とが異なる場合は、熱衝撃により半田接合部に
応力が集中し、亀裂(クラック)が発生しやすく、亀裂の
発生により半田接合部の電気抵抗値が増大する。
5. If the material of the substrate of the chip carrier and the material of the circuit board are different, stress is concentrated on the solder joint due to thermal shock, cracks (cracks) are likely to occur, and the electric resistance of the solder joint is reduced due to the cracks. Increase.

【0014】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、小型化・薄
型化に適したチップパッケージ実装体であって、高周波
特性に優れ、しかも回路基板に対して信頼性よく安定に
接続されるチップパッケージに適した回路基板及びその
形成方法、並びに前記チップパッケージが回路基板に実
装されたチップパッケージ実装体を提供することにあ
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to provide a chip package mounted body suitable for miniaturization and thinning, which has excellent high-frequency characteristics, An object of the present invention is to provide a circuit board suitable for a chip package that is connected stably to a substrate and a method of forming the same, and a chip package mounting body in which the chip package is mounted on a circuit board.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明の請求項1記載のチップパッケージ実装体
は、チップパッケージが回路基板に実装されたチップパ
ッケージ実装体であって、チップパッケージは、チップ
キャリアとLSIチップとを備えており、チップキャリ
アは、上面及び下面を有し、内部導体を含むキャリア基
板と、キャリア基板の上面に形成され、LSIチップを
内部導体に電気的に接続した複数の端子電極と、キャリ
ア基板の下面に形成され、回路基板を内部導体に電気的
に接続した複数のコンタクト電極とを備えており、複数
のコンタクト電極は導電性接着剤によって形成され、キ
ャリア基板の下面に設けられた複数の凹部に埋め込まれ
ており、回路基板は、チップキャリアのコンタクト電極
に接続されている2段突起形状の端子電極を備え、前記
2段突起形状の端子電極はキャリア基板の凹部内に突出
していることを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a chip package mounted body in which a chip package is mounted on a circuit board. Has a chip carrier and an LSI chip, the chip carrier has an upper surface and a lower surface, and is formed on a carrier substrate including an internal conductor and an upper surface of the carrier substrate, and electrically connects the LSI chip to the internal conductor. A plurality of terminal electrodes, and a plurality of contact electrodes formed on the lower surface of the carrier substrate, the plurality of contact electrodes electrically connecting the circuit board to the internal conductor, the plurality of contact electrodes are formed by a conductive adhesive, the carrier The circuit board is embedded in a plurality of recesses provided on the lower surface of the board, and the circuit board is connected to a contact electrode of the chip carrier. Comprises a terminal electrode of the protrusion shape, the terminal electrodes of the two-stage projection shape is characterized in that protrudes into the recess of the carrier substrate.

【0016】さらに、請求項2記載のチップパッケージ
実装体は、請求項1記載のチップパッケージ実装体にお
けるLSIチップにおいて、LSIチップ上に設けられ
た電極パッドと、電極パッド上に形成された突起電極と
を備えており、突起電極は、接合層を介してチップキャ
リアの端子電極に電気的に接続され、LSIチップとチ
ップキャリアとの間隙部は、モールド樹脂によって充填
封止されていることを特徴とする。
Further, according to a second aspect of the present invention, there is provided the chip package mounted body according to the first aspect, wherein an electrode pad provided on the LSI chip and a protruding electrode formed on the electrode pad are provided. Wherein the protruding electrode is electrically connected to a terminal electrode of the chip carrier via a bonding layer, and a gap between the LSI chip and the chip carrier is filled and sealed with a mold resin. And

【0017】また、請求項3記載の回路基板は、チップ
パッケージが実装される回路基板であって、回路基板上
に形成される端子電極において、下段部と、この下段部
上に形成された上段部とを備えた2段突起形状となる端
子電極を有することを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, there is provided a circuit board on which a chip package is mounted, wherein, in a terminal electrode formed on the circuit board, a lower portion and an upper portion formed on the lower portion are provided. And a terminal electrode having a two-stage protrusion shape having a portion.

【0018】さらに、請求項4記載の回路基板は、請求
項3記載の回路基板における2段突起形状となる端子電
極において、上段部における回路基板のチップパッケー
ジ実装面と平行な面での断面積が、下段部におけるチッ
プパッケージ実装面と平行な面での断面積よりも小さい
ことを特徴とする。
Further, in the circuit board according to a fourth aspect of the present invention, in the circuit board according to the third aspect, the terminal electrode having a two-stage projection has a cross-sectional area in a plane parallel to a chip package mounting surface of the circuit board in the upper stage. However, it is characterized in that its cross-sectional area in a plane parallel to the chip package mounting surface in the lower part is smaller.

【0019】また、請求項5記載の回路基板の形成方法
は、回路基板の電極パッド上に第1の開口部を有する第
1のレジスト膜を、第1のフォトリソグラフィ工程によ
って回路基板上に形成する工程と、第1のレジスト膜の
第1の開口部内に端子電極の下段部を形成する工程と、
第1のレジスト膜の第1の開口部よりも小さく、端子電
極の下段部上に位置する第2の開口部を有する第2のレ
ジスト膜を、第2のフォトリソグラフィ工程よって回路
基板上に形成する工程と、第2のレジスト膜の第2の開
口部内に端子電極の上段部を形成する工程と、第1のレ
ジスト膜及び第2のレジスト膜を除去して、端子電極を
露出させて2段突起形状の端子電極を形成する工程とを
備えたことを特徴とする。
According to a fifth aspect of the present invention, a first resist film having a first opening is formed on an electrode pad of a circuit board by a first photolithography step. Forming a lower step of the terminal electrode in the first opening of the first resist film;
Forming a second resist film having a second opening smaller than the first opening of the first resist film and located on a lower step of the terminal electrode on the circuit substrate by a second photolithography step; Performing a step of forming an upper step portion of the terminal electrode in the second opening of the second resist film; removing the first resist film and the second resist film to expose the terminal electrode; Forming a terminal electrode having a stepped shape.

【0020】[0020]

【作用】本発明のチップキャリア実装体によれば、LS
Iチップがフリップチップ実装されるための端子電極が
キャリア基板上面に設けられ、キャリア基板下面に回路
基板上の電極に接続するためのコンタクト電極が設けら
れたチップキャリアと、回路基板の端子電極とコンタク
ト電極がキャリア基板内に設けられた内部導体により回
路的に接続するチップキャリアを介してLSIチップと
回路基板の回路とを接続して、LSIチップと回路基板
の回路とがコンパクトに接続される。即ち、LSIチッ
プと回路基板との間の比較的に短い経路を電気信号が伝
搬することになり、抵抗成分や寄生容量が減少するた
め、高周波特性が改善される。
According to the chip carrier package of the present invention, LS
A terminal electrode for mounting the I-chip on a flip-chip is provided on the upper surface of the carrier substrate, and a lower surface of the carrier substrate is provided with a contact electrode for connecting to an electrode on the circuit substrate; The LSI chip and the circuit on the circuit board are connected via a chip carrier in which the contact electrodes are connected in a circuit manner by internal conductors provided in the carrier board, and the LSI chip and the circuit on the circuit board are compactly connected. . That is, the electric signal propagates along a relatively short path between the LSI chip and the circuit board, and the resistance component and the parasitic capacitance are reduced, so that the high-frequency characteristics are improved.

【0021】さらに、キャリア基板下面の凹部内に埋め
込まれた導電性接着剤によりキャリア基板と回路基板と
を機械的に接着するとともに、キャリア基板の内部導体
と回路基板の端子電極とを電気的に接続する。また、コ
ンタクト電極が導電性接着剤から形成されていることか
ら、回路基板との接続が安定して信頼性が向上し、特
に、熱衝撃に強い接続が得られる。また、キャリア基板
下面の凹部内に位置するコンタクト電極に回路基板の2
段突起形状の端子電極を挿入することにより、キャリア
基板と回路基板との間隙が縮小され、実装されたチップ
パッケージの高さが抑制される。
Further, the carrier substrate and the circuit board are mechanically bonded to each other by a conductive adhesive embedded in the concave portion on the lower surface of the carrier substrate, and the inner conductor of the carrier substrate and the terminal electrode of the circuit board are electrically connected. Connecting. In addition, since the contact electrode is formed from the conductive adhesive, the connection with the circuit board is stabilized and the reliability is improved, and particularly, a connection resistant to thermal shock is obtained. In addition, the contact electrodes located in the recesses on the lower surface of the carrier substrate are connected to the contact electrodes of the circuit substrate.
By inserting the step-shaped terminal electrode, the gap between the carrier substrate and the circuit substrate is reduced, and the height of the mounted chip package is suppressed.

【0022】また、本発明の回路基板によれば、端子電
極が2段突起形状を有していることにより、上記チップ
キャリアの凹部のコンタクト電極に容易に挿入すること
が可能になり、機械的及び電気的に安定な接続が得られ
る。
Further, according to the circuit board of the present invention, since the terminal electrode has a two-step projection shape, the terminal electrode can be easily inserted into the contact electrode in the concave portion of the chip carrier, and mechanically. And an electrically stable connection is obtained.

【0023】また、本発明の端子電極を有する回路基板
の形成方法によれば、2段突起形状を有する微細な突起
電極がフォトリソグラフィ技術の採用により歩留まりよ
く容易に形成される。
Further, according to the method for forming a circuit board having terminal electrodes of the present invention, fine projection electrodes having a two-step projection shape can be easily formed with high yield by employing photolithography technology.

【0024】[0024]

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0025】図1は本発明の実施例を説明するための第
1参考例であるチップパッケージの概略を示す断面図で
ある。第1参考例のチップパッケージ19は、チップキャ
リア12と、このチップキャリア12にフリップチップ実装
されたLSIチップ7とを備えている。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a chip package as a first reference example for explaining an embodiment of the present invention. The chip package 19 of the first reference example includes the chip carrier 12 and the LSI chip 7 mounted on the chip carrier 12 by flip chip mounting.

【0026】LSIチップ7は、複数の電極パッド8
と、各電極パッド8上に形成された突起電極11を有して
いる。LSIチップ7としては、公知のものが適宜使用
され得る。第1参考例で使用するLSIチップのサイズ
は、典型的には10mm×10mm×0.5mmである。電極パッド
8及び突起電極11は、LSIチップ7の下面の周縁付近
の領域に設けられており、LSIチップ7に形成された
集積回路の配線を外部の回路に接続するために使用され
る。突起電極11の配列ピッチは、現在、0.200mmから0.1
20mm程度であり、今後、ますます小さくなる傾向にあ
る。突起電極11は、接合層である導電性接着剤9を介し
て、チップキャリア12の端子電極6に電気的に接続され
ている。突起電極11は、チップキャリア12の端子電極6
との接続を安定に行うために、2段突起形状を有してい
ることが好ましい。なお、接合層としては、導電性接着
剤の代わりに異方性導電材や半田によって形成したもの
でもよい。LSIチップ7とチップキャリア12との間隙
部は、モールド樹脂10によって充填封止されている。
The LSI chip 7 includes a plurality of electrode pads 8
And a protruding electrode 11 formed on each electrode pad 8. Known LSI chips 7 can be used as appropriate. The size of the LSI chip used in the first reference example is typically 10 mm × 10 mm × 0.5 mm. The electrode pads 8 and the protruding electrodes 11 are provided in a region near the periphery of the lower surface of the LSI chip 7 and are used for connecting wiring of an integrated circuit formed on the LSI chip 7 to an external circuit. The arrangement pitch of the protruding electrodes 11 is currently from 0.200 mm to 0.1
It is about 20 mm and tends to become smaller in the future. The protruding electrode 11 is electrically connected to the terminal electrode 6 of the chip carrier 12 via a conductive adhesive 9 as a bonding layer. The protruding electrode 11 is connected to the terminal electrode 6 of the chip carrier 12.
It is preferable to have a two-step projection shape in order to perform stable connection with the substrate. The bonding layer may be formed of an anisotropic conductive material or solder instead of the conductive adhesive. The gap between the LSI chip 7 and the chip carrier 12 is filled and sealed with a mold resin 10.

【0027】図3は第1参考例のチップパッケージにお
けるチップキャリアの概略を示す断面図である。図3を
参照しながら、チップパッケージ19におけるチップキャ
リア12の詳細を説明する。チップキャリア12は、内部導
体を含む多層セラミック基板(multilayered ceramic su
bstrate)をキャリア基板(carryer body)として含んでい
る。キャリア基板1の上面には、LSIチップ7の突起
電極11を内部導体に電気的に接続する複数の端子電極6
が形成されている。一方、キャリア基板1の下面には、
後述する回路基板の電極を内部導体に電気的に接続する
ための複数の凹部が形成されている。この凹部の深さは
20μm〜100μm程度であり、内径は200μm程度である。
凹部には、回路基板上の電極に接触する複数のコンタク
ト電極5が埋め込まれている。第1参考例において、コ
ンタクト電極5は、キャリア基板1の下面から10μm〜2
0μm程度突出している。しかし、回路基板の電極が後述
するような2段突起形状を有している場合には、コンタ
クト電極5をキャリア基板1の下面から突出させる必要
はない。
FIG. 3 is a sectional view schematically showing a chip carrier in the chip package of the first reference example. The details of the chip carrier 12 in the chip package 19 will be described with reference to FIG. The chip carrier 12 is a multilayer ceramic substrate including internal conductors.
bstrate) as a carrier substrate. A plurality of terminal electrodes 6 for electrically connecting the protruding electrodes 11 of the LSI chip 7 to internal conductors are provided on the upper surface of the carrier substrate 1.
Are formed. On the other hand, on the lower surface of the carrier substrate 1,
A plurality of recesses for electrically connecting electrodes of a circuit board, which will be described later, to internal conductors are formed. The depth of this recess is
It is about 20 μm to 100 μm, and the inner diameter is about 200 μm.
A plurality of contact electrodes 5 that are in contact with the electrodes on the circuit board are embedded in the recess. In the first reference example, the contact electrode 5 is 10 μm to 2 μm from the lower surface of the carrier substrate 1.
It protrudes by about 0 μm. However, when the electrodes of the circuit board have a two-step projection shape as described later, it is not necessary to make the contact electrodes 5 protrude from the lower surface of the carrier substrate 1.

【0028】コンタクト電極5と端子電極6とは、内部
導体を介して回路的に相互接続されている。その結果、
ボンディングワイヤを介することなく、図1のLSIチ
ップ7と回路基板の回路との間の電気的接続が達成さ
れ、優れた高周波特性が得られる。第1参考例の場合、
キャリア基板1の内部導体は、キャリア基板1のバイア
ホール2に埋め込まれたバイア3及び基板内層配線4か
ら形成されている。内部導体は、キャリア基板1の上面
の周辺部において比較的に小さなピッチで配列された端
子電極6を、キャリア基板1の下面において比較的に大
きなピッチで配列されたコンタクト電極5へ電気的に接
続するという機能を果たしている。LSIチップ7の電
極パッド8はチップ下面の周縁付近の領域にあり、この
ことにより、チップキャリア12での端子電極6の配置位
置も、キャリア基板1の上面の周縁付近の領域に限定さ
れる。これに対して、コンタクト電極5の配置位置は、
キャリア基板1の下面の周縁付近に限定されず、キャリ
ア基板1の下面の全面を有効に利用してコンタクト電極
5を配置すれば、コンタクト電極5の配列ピッチを大き
くすることができる。配列ピッチを大きくすれば、隣接
するコンタクト電極5間の短絡を抑制しやすくなる。ま
た、配列ピッチを大きくすれば、コンタクト電極5のサ
イズを大きくすることも可能となる。その結果、コンタ
クト電極5と回路基板との間の信頼性の高い電気的及び
機械的な接続が確保される。第1参考例では、コンタク
ト電極5の最小配列ピッチは約400μmである。なお、基
板内層配線4の一部に、抵抗や容量等の回路素子を設け
てもよい。
The contact electrode 5 and the terminal electrode 6 are interconnected in a circuit manner via an internal conductor. as a result,
The electrical connection between the LSI chip 7 of FIG. 1 and the circuit of the circuit board is achieved without any intervening bonding wires, and excellent high-frequency characteristics can be obtained. In the case of the first reference example,
The internal conductor of the carrier substrate 1 is formed from vias 3 buried in the via holes 2 of the carrier substrate 1 and the wiring 4 inside the substrate. The internal conductor electrically connects the terminal electrodes 6 arranged at a relatively small pitch on the periphery of the upper surface of the carrier substrate 1 to the contact electrodes 5 arranged at a relatively large pitch on the lower surface of the carrier substrate 1. It fulfills the function of doing. The electrode pads 8 of the LSI chip 7 are located in a region near the periphery of the lower surface of the chip, so that the position of the terminal electrodes 6 on the chip carrier 12 is also limited to a region near the periphery of the upper surface of the carrier substrate 1. On the other hand, the arrangement position of the contact electrode 5 is
The arrangement pitch of the contact electrodes 5 can be increased by arranging the contact electrodes 5 by effectively utilizing the entire lower surface of the carrier substrate 1 without being limited to the vicinity of the periphery of the lower surface of the carrier substrate 1. If the arrangement pitch is increased, short-circuiting between adjacent contact electrodes 5 can be easily suppressed. If the arrangement pitch is increased, the size of the contact electrode 5 can be increased. As a result, highly reliable electrical and mechanical connection between the contact electrode 5 and the circuit board is ensured. In the first reference example, the minimum arrangement pitch of the contact electrodes 5 is about 400 μm. Note that a circuit element such as a resistor or a capacitor may be provided on a part of the substrate inner layer wiring 4.

【0029】第1参考例のチップパッケージ19において
LSIチップ7は、以下に述べるようにしてチップキャ
リア12上に実装される。まず、LSIチップ7の電極パ
ッド8にAuの2段突起形状を有する突起電極11をボー
ルボンディング法により形成した後、その先端部に導電
性接着剤9を転写する。次に、突起電極11の位置をチッ
プキャリア12の端子電極6に位置を合わせた後、LSI
チップ7をチップキャリア12上に載置し、導電性接着剤
9を熱硬化させる。次に、モールド樹脂10で、LSIチ
ップ7とチップキャリア12との間隙を充填し、モールド
樹脂10を熱硬化させる。LSIチップ7に形成される突
起電極11は、メッキAuバンプやメッキ半田バンプや半
田ボールバンプなどフリップチップ実装のために適した
構造を有していればよい。
In the chip package 19 of the first reference example, the LSI chip 7 is mounted on the chip carrier 12 as described below. First, after a bump electrode 11 having a two-step Au shape is formed on the electrode pad 8 of the LSI chip 7 by a ball bonding method, the conductive adhesive 9 is transferred to the tip thereof. Next, after aligning the position of the protruding electrode 11 with the terminal electrode 6 of the chip carrier 12, the LSI
The chip 7 is placed on the chip carrier 12, and the conductive adhesive 9 is cured by heat. Next, the gap between the LSI chip 7 and the chip carrier 12 is filled with the mold resin 10, and the mold resin 10 is thermally cured. The bump electrodes 11 formed on the LSI chip 7 may have a structure suitable for flip-chip mounting, such as a plated Au bump, a plated solder bump, or a solder ball bump.

【0030】第1参考例のチップパッケージ19における
重要な特徴の1つは、チップキャリア12のコンタクト電
極5がキャリア基板1の凹部に埋め込んだ導電性接着剤
によって形成されている点にある。導電性接着剤として
は、例えば、エイブスティック社製ポリマー性導電性接
着剤(品番8250)が使用される。コンタクト電極5が、凹
部に埋め込んだ導電性接着剤により形成されていること
により、次のような効果が生じる。
One of the important features of the chip package 19 of the first reference example is that the contact electrode 5 of the chip carrier 12 is formed by a conductive adhesive embedded in a concave portion of the carrier substrate 1. As the conductive adhesive, for example, a polymer conductive adhesive (product number 8250) manufactured by Ave Stick Co., Ltd. is used. Since the contact electrode 5 is formed of the conductive adhesive embedded in the concave portion, the following effects are produced.

【0031】半田ボール等のような電極と比較して、チ
ップパッケージ19と回路基板との間隙が著しく縮小され
る。また、回路基板の突起電極との接続が容易となる。
回路基板の突起電極をチップパッケージ19のコンタクト
電極5に挿入すれば、導電性接着剤のはい上がりや隣接
する突起電極間でのショートを抑制することができる。
また、回路基板の突起電極と導電性接着剤との接触面積
も大きいことから、接着強度が大きく確保され、信頼性
が向上する。特に、導電性接着剤が可撓性を有している
場合には、熱衝撃を受けてもコンタクト電極5にクラッ
クが発生しにくくなり、クラックによる抵抗値の増加を
防止できる。
The gap between the chip package 19 and the circuit board is significantly reduced as compared with an electrode such as a solder ball. Further, connection with the protruding electrodes of the circuit board is facilitated.
If the projecting electrodes of the circuit board are inserted into the contact electrodes 5 of the chip package 19, it is possible to prevent the conductive adhesive from rising and short-circuiting between adjacent projecting electrodes.
In addition, since the contact area between the protruding electrode of the circuit board and the conductive adhesive is large, a large adhesive strength is secured and reliability is improved. In particular, when the conductive adhesive has flexibility, cracks are less likely to occur in the contact electrode 5 even when subjected to thermal shock, and an increase in resistance due to the cracks can be prevented.

【0032】図2は第2参考例であるチップパッケージ
の概略を示す断面図、図4は第2参考例のチップパッケ
ージにおけるチップキャリアの概略を示す断面図であ
り、図1及び図3に基づいて説明した部材に対応する部
材については、同一符号を付して説明を省略する。第2
参考例のチップパッケージ20においては、チップキャリ
ア21のキャリア基板22として、図4に示されるようなコ
ンタクト電極5と端子電極6とがバイア3により直接に
電気的に接続されたものを使用した。そして、チップパ
ッケージ20は、キャリア基板22に第1参考例と同様にL
SIチップ7がフリップフロップ実装されたものであ
る。このキャリア基板22には、基板内層配線が設けられ
てないが、キャリア基板22の上面に端子電極6から延び
る引き出し線(図示省略)が設けられ、それによって、端
子電極6の位置とは異なる位置にバイアホール2及びバ
イア3を設けることが可能である。したがって、チップ
キャリア21の場合、図3に示すチップキャリア12に比較
して設計の自由度は減少するが、コンタクト電極5の配
置パターンと端子電極6の配置パターンとを異ならしめ
ることができる。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing a chip package according to a second reference example, and FIG. 4 is a sectional view schematically showing a chip carrier in the chip package according to the second reference example. The members corresponding to those described above are denoted by the same reference numerals and description thereof will be omitted. Second
In the chip package 20 of the reference example, the one in which the contact electrode 5 and the terminal electrode 6 were directly electrically connected by the via 3 as shown in FIG. Then, the chip package 20 is mounted on the carrier substrate 22 in the same manner as in the first embodiment.
The SI chip 7 is mounted with a flip-flop. The carrier substrate 22 is not provided with the substrate inner layer wiring, but is provided with a lead line (not shown) extending from the terminal electrode 6 on the upper surface of the carrier substrate 22 so that a position different from the position of the terminal electrode 6 is provided. Can be provided with via holes 2 and vias 3. Therefore, in the case of the chip carrier 21, the degree of freedom in design is reduced as compared with the chip carrier 12 shown in FIG. 3, but the arrangement pattern of the contact electrodes 5 and the arrangement pattern of the terminal electrodes 6 can be made different.

【0033】図5はチップキャリアの製造方法の説明を
するための工程断面図であり、図5(a)〜(i)は、それぞ
れ異なる製造工程におけるチップキャリアの状態を示し
ている。
FIG. 5 is a process sectional view for explaining a method of manufacturing a chip carrier, and FIGS. 5A to 5I show states of the chip carrier in different manufacturing steps.

【0034】図3に示すチップキャリア12を製造する場
合、まず、図5(a)に示されるように、焼成前の複数の
セラミックグリーンシート1a及び1bに、レーザや金型
パンチングによってバイアホール2a及び2bを形成す
る。キャリア基板1を形成する場合、バイアホール2a
及び2bの各シート上の配置レイアウトは、セラミック
グリーンシート1a及び1b毎に異なるが、図5(a)〜(i)
では、説明を簡単化するため、全て同じ位置にバイアホ
ール2a及び2bを記載している。
When manufacturing the chip carrier 12 shown in FIG. 3, first, as shown in FIG. 5 (a), a plurality of ceramic green sheets 1a and 1b before firing are formed in the via holes 2a by laser or die punching. And 2b. When forming the carrier substrate 1, the via holes 2a
And 2b are different for each ceramic green sheet 1a and 1b.
In order to simplify the description, via holes 2a and 2b are all shown at the same position.

【0035】セラミックグリーンシート1a及び1bとし
ては、例えば、日本電気硝子社製のガラスセラミックグ
リーンシート(MLS−1000主成分)が使用される。1つ
のキャリア基板1を形成するために、例えば、200μm程
度の厚さのセラミックグリーンシート1a及び1bを5〜
10枚程度積層する。各セラミックグリーンシート1a又
は1bの厚さが焼成前に200μmであっても、焼成後に150
μm程度に収縮するので、最終的なキャリア基板1の厚
さは0.7mm〜1.5mm程度になる。チップキャリア12を薄く
してチップパッケージ19の厚みを薄くするためには、キ
ャリア基板1は薄い方が好ましい。
As the ceramic green sheets 1a and 1b, for example, glass ceramic green sheets (MLS-1000 main component) manufactured by NEC Corporation are used. In order to form one carrier substrate 1, for example, ceramic green sheets 1a and 1b having a thickness of about 200 μm are
Laminate about 10 sheets. Even if the thickness of each ceramic green sheet 1a or 1b is 200 μm before firing,
Since the carrier substrate 1 contracts to about μm, the final thickness of the carrier substrate 1 becomes about 0.7 mm to 1.5 mm. In order to reduce the thickness of the chip package 19 by reducing the thickness of the chip carrier 12, it is preferable that the carrier substrate 1 be thin.

【0036】次に、図5(b)に示されるように、セラミ
ックグリーンシート1aのバイアホール2aに印刷によっ
て導電性材料を埋め込んでバイア3aを形成した後、図
5(f)に示されるように印刷によって基板内層配線4を
形成する。こうして内部導体の構成要素が形成される。
内部導体の材料としては、例えばCuOペーストが使用
される。
Next, as shown in FIG. 5B, a conductive material is embedded in the via hole 2a of the ceramic green sheet 1a by printing to form a via 3a, and then as shown in FIG. 5F. The substrate inner layer wiring 4 is formed by printing. Thus, the components of the inner conductor are formed.
As a material for the internal conductor, for example, a CuO paste is used.

【0037】バイアホール2bにバイア3aが形成されて
いないセラミックグリーンシート1b上に、他の複数の
セラミックグリーンシート1aを積層した後、加熱しな
がらこれらの積層構造体をプレスする。次に、図5(g)
に示されるように、積層されたセラミックグリーンシー
ト1a及び1bを焼成して下面に複数の凹部が形成された
キャリア基板1を形成する。この凹部は、キャリア基板
1の最下層のセラミックグリーンシート1bのバイア3a
が充填されていないバイアホール2bによって形成され
たものである。なお、ここまでのキャリア基板1の製造
方法としては、他の従来の製造方法を使用してもよい。
After laminating a plurality of other ceramic green sheets 1a on a ceramic green sheet 1b having no via 3a formed in the via hole 2b, these laminated structures are pressed while heating. Next, FIG.
As shown in (2), the laminated ceramic green sheets 1a and 1b are fired to form a carrier substrate 1 having a plurality of concave portions formed on the lower surface. The recess is formed in the via 3a of the lowermost ceramic green sheet 1b of the carrier substrate 1.
Is formed by the unfilled via hole 2b. In addition, as the manufacturing method of the carrier substrate 1 so far, another conventional manufacturing method may be used.

【0038】焼成が終わったならば、図5(h)に示され
るように、キャリア基板1の上面に端子電極6を形成す
る。次に、図5(i)に示されるように、キャリア基板1
の回路基板に対向する面に印刷マスク14をセットし、バ
イアホール2bによって形成された複数の凹部に対し
て、導電性接着剤を印刷マスク14ごしに印刷する。この
とき、スキージ13を使用して導電性接着剤をバイアホー
ル2bに印刷する。このようにして、導電性接着剤をキ
ャリア基板1のバイアホール2b内に埋め込み、それに
よってコンタクト電極5を形成する。この導電性接着剤
としては、可撓性を有するものを使用することが好まし
い。コンタクト電極5を形成する導電性接着剤中には導
電粒子が含まれるが、その導電性粒子は、AgPd,A
u,Ag,Cuや、それらの複合合金粉のいずれかから形
成されていることが好ましい。
After the firing, the terminal electrodes 6 are formed on the upper surface of the carrier substrate 1 as shown in FIG. Next, as shown in FIG.
The print mask 14 is set on the surface facing the circuit board, and the conductive adhesive is printed through the print mask 14 on the plurality of recesses formed by the via holes 2b. At this time, a conductive adhesive is printed on the via hole 2b using the squeegee 13. Thus, the conductive adhesive is buried in the via hole 2b of the carrier substrate 1, whereby the contact electrode 5 is formed. It is preferable to use a flexible adhesive as the conductive adhesive. The conductive adhesive forming the contact electrode 5 contains conductive particles, and the conductive particles are AgPd, A
It is preferable to be formed from any of u, Ag, Cu and their composite alloy powder.

【0039】バイアホール2bに埋め込んだコンタクト
電極5は、キャリア基板1から突出してもよいし、突出
しなくてもよいが、コンタクト電極5がキャリア基板1
から突出しない場合には、回路基板上の電極がキャリア
基板1のバイアホール2b内に挿入され得る突起形状を
有する必要がある。
The contact electrode 5 embedded in the via hole 2 b may or may not project from the carrier substrate 1.
If it does not project from the carrier board, the electrode on the circuit board needs to have a projecting shape that can be inserted into the via hole 2b of the carrier board 1.

【0040】キャリア基板1を、前述した図5(a),
(b),(f),(g),(h)及び(i)に示す方法で形成する場
合、キャリア基板1の下面に垂直な方向のコンタクト電
極5のサイズ(長さ)は、キャリア基板1の最下層のセラ
ミックグリーンシート1bの厚さに依存して決まる。例
えば、このセラミックグリーンシート1bの焼成後の厚
さが150μmである場合、コンタクト電極5の長さは150
〜170μm程度に規定される。このコンタクト電極5の長
さを大きくした場合には、コンタクト電極5の持つ比較
的大きな電気抵抗成分が無視できなくなる。このため、
コンタクト電極5の長さは200μm程度以下であることが
好ましい。
The carrier substrate 1 is replaced with the above-mentioned FIG.
When formed by the method shown in (b), (f), (g), (h) and (i), the size (length) of the contact electrode 5 in the direction perpendicular to the lower surface of the carrier substrate 1 is 1 is determined depending on the thickness of the lowermost ceramic green sheet 1b. For example, when the fired thickness of the ceramic green sheet 1b is 150 μm, the length of the contact electrode 5 is 150 μm.
It is regulated to about 170 μm. When the length of the contact electrode 5 is increased, the relatively large electric resistance component of the contact electrode 5 cannot be ignored. For this reason,
The length of the contact electrode 5 is preferably about 200 μm or less.

【0041】また、内部導体が非金属である場合には、
導電性接着剤をセラミックグリーンシート1bのバイア
ホール2bに充填する前に、Auなどの無酸化導体によっ
て未充填バイアホール2b内の側壁をメッキしてもよ
い。このメッキによれば、導電性接着剤と内部導体との
間の電気的接触面積が増加するので、コンタクト電極5
と内部導体との間の電気的抵抗を低下させることができ
る。
When the inner conductor is non-metal,
Before filling the via holes 2b of the ceramic green sheet 1b with the conductive adhesive, the sidewalls in the unfilled via holes 2b may be plated with a non-oxidizing conductor such as Au. According to this plating, the electrical contact area between the conductive adhesive and the internal conductor increases, so that the contact electrode 5
Electrical resistance between the wire and the internal conductor can be reduced.

【0042】なお、コンタクト電極5を形成する工程
は、キャリア基板1の端子電極6にLSIチップ7を実
装した前であっても、後であってもよい。LSIチップ
7を実装した状態で、しかもコンタクト電極5が形成さ
れてない状態のチップパッケージ19がユーザに販売され
る場合が考えられる。その場合、そのチップパッケージ
19を回路基板に搭載する前に、キャリア基板1の下面の
バイアホール2b内にコンタクト電極5が埋め込まれる
ことになる。なお、キャリア基板1の材質は、ガラスセ
ラミック以外に、放熱性のよいアルミナであってもよ
い。
The step of forming the contact electrode 5 may be before or after the LSI chip 7 is mounted on the terminal electrode 6 of the carrier substrate 1. It is conceivable that the chip package 19 in which the LSI chip 7 is mounted and the contact electrode 5 is not formed is sold to the user. In that case, the chip package
Before mounting the circuit board 19 on the circuit board, the contact electrode 5 is buried in the via hole 2b on the lower surface of the carrier substrate 1. Note that the material of the carrier substrate 1 may be alumina having good heat dissipation properties, other than glass ceramic.

【0043】また、図4に示すチップキャリア21を製造
する場合は、キャリア基板22におけるバイアホール2a
及び2bの各シート上の配置レイアウトは、全てのセラ
ミックグリーンシート1a及び1bで共通しており、基板
内層配線4の形成が省略されるので、図5(a)〜(e)に示
される工程を実行することによりキャリア基板22が形成
される。ここで、図5(c)〜(e)に示す工程は、図5(g)
〜(i)に示す工程にそれぞれ対応している。
In the case of manufacturing the chip carrier 21 shown in FIG.
And 2b are common to all of the ceramic green sheets 1a and 1b, and the formation of the wiring 4 in the substrate is omitted, so that the steps shown in FIGS. Is performed to form the carrier substrate 22. Here, the steps shown in FIGS. 5C to 5E correspond to the steps shown in FIG.
To (i).

【0044】図6は本発明の端子電極を備えた回路基板
の第1実施例の概略を示す断面図であり、この回路基板
は、図1に示すチップパッケージ19、あるいは図2に示
すチップパッケージ20が実装されるに適した電極構造を
備えている。回路基板30は、2段突起形状の端子電極31
を備えている。この端子電極31は、キャリア基板1,22
のコンタクト電極5がキャリア基板1,22の下面から実
質的に突出してない場合に好ましく使用される。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a circuit board provided with terminal electrodes according to the present invention. This circuit board includes a chip package 19 shown in FIG. 1 or a chip package shown in FIG. 20 has an electrode structure suitable for mounting. The circuit board 30 has a terminal electrode 31 having a two-stage protrusion shape.
It has. The terminal electrodes 31 are connected to the carrier substrates 1 and 22
This is preferably used when the contact electrode 5 does not substantially protrude from the lower surfaces of the carrier substrates 1 and 22.

【0045】回路基板30においてチップパッケージ19,
20と対向する実装面30aには、電極パッド32が形成され
ており、さらに電極パッド32上に2段突起形状の端子電
極31が形成されている。この端子電極31は、電極パッド
32上に直接形成された下段部31aと、この下段部31a上に
形成された上段部31bとを備えている。端子電極31にお
いて実装面30aと平行な断面の形状は円形であってもよ
いし、あるいは四角形であってもよい。また、実装面30
aと平行な面における上段部31bの断面積は、下段部31a
の断面積よりも小さくする。この2段突起形状の端子電
極31は、Au,Cu,Ag,半田などのメッキ可能な金属
から形成され得る。また、電極パッド32の材料も、A
u,Cuなどのメッキ可能なものであればよい。また、
回路基板30は、キャリア基板1,22と同様に積層構造を
有し、内部にバイアホール33,バイア34及び基板内層配
線35が配置されている。
In the circuit board 30, the chip package 19,
An electrode pad 32 is formed on the mounting surface 30 a facing the surface 20, and a terminal electrode 31 having a two-step projection is formed on the electrode pad 32. This terminal electrode 31 is an electrode pad
It has a lower portion 31a formed directly on the upper portion 32 and an upper portion 31b formed on the lower portion 31a. The shape of the cross section of the terminal electrode 31 parallel to the mounting surface 30a may be circular or square. Also, the mounting surface 30
The cross-sectional area of the upper portion 31b in a plane parallel to a is the lower portion 31a
Smaller than the cross-sectional area of The terminal electrode 31 having the two-step protrusion shape can be formed of a metal that can be plated, such as Au, Cu, Ag, or solder. The material of the electrode pad 32 is also A
Any material that can be plated, such as u or Cu, may be used. Also,
The circuit board 30 has a laminated structure similarly to the carrier boards 1 and 22, and has via holes 33, vias 34 and board inner layer wirings 35 arranged therein.

【0046】図7は本発明の第1実施例における端子電
極を備えた回路基板の製造方法を説明するための工程断
面図であり、図7(a)〜(d)は、それぞれ異なる製造工程
における端子電極及びレジスト膜の状態を示している。
FIGS. 7A to 7D are process sectional views for explaining a method of manufacturing a circuit board having terminal electrodes according to the first embodiment of the present invention. FIGS. 7A to 7D show different manufacturing steps. 2 shows the state of the terminal electrode and the resist film.

【0047】次に、図7を参照して回路基板上の端子電
極31の製造方法を説明する。まず、図7(a)に示すよう
に、フォトリソグラフィ工程によってレジスト膜Aを回
路基板30の実装面30a上に形成する。レジスト膜Aは、
実装面30a上の複数の電極パッド32のうち、チップキャ
リア12,21のコンタクト電極5に接続されるべき電極パ
ッド上に開口部(内径:約250μm程度)を有している。
Next, a method of manufacturing the terminal electrode 31 on the circuit board will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 7A, a resist film A is formed on the mounting surface 30a of the circuit board 30 by a photolithography process. The resist film A is
Among the plurality of electrode pads 32 on the mounting surface 30a, an opening (inner diameter: about 250 μm) is provided on an electrode pad to be connected to the contact electrode 5 of the chip carrier 12, 21.

【0048】次に、図7(b)に示されるように、端子電
極31の下段部31a(厚さ:約数十μm)をレジスト膜Aの開
口部内に析出させる。このようにして、回路基板30のレ
ジスト膜Aに覆われていない領域上に選択的に端子電極
31の下段部31aを形成する。端子電極31の下段部31aの形
状及び大きさは、レジスト膜Aの開口部の形状及び大き
さにより規定される。また、端子電極31の下段部31aの
配置パターンは、レジスト膜Aの開口部の配置パターン
により規定される。
Next, as shown in FIG. 7B, a lower portion 31a (thickness: about several tens μm) of the terminal electrode 31 is deposited in the opening of the resist film A. In this manner, the terminal electrode is selectively formed on the area of the circuit board 30 which is not covered with the resist film A.
The lower part 31a of the 31 is formed. The shape and size of the lower portion 31a of the terminal electrode 31 are defined by the shape and size of the opening of the resist film A. The arrangement pattern of the lower portion 31a of the terminal electrode 31 is defined by the arrangement pattern of the openings of the resist film A.

【0049】次に、図7(c)に示されるように、フォト
リソグラフィ工程によってレジスト膜A上にレジスト膜
Bを形成する。レジスト膜Bは、端子電極31の下段部31
aの中心付近上に開口部(内径:約100μm程度)を有して
いる。この開口部は、レジスト膜Aの開口部よりも小さ
く形成される。次に、図7(d)に示されるように、メッ
キ法によって端子電極31の上段部31b(高さ:約数十μm)
を析出させる。
Next, as shown in FIG. 7C, a resist film B is formed on the resist film A by a photolithography process. The resist film B is formed on the lower portion 31 of the terminal electrode 31.
An opening (inner diameter: about 100 μm) is provided near the center of a. This opening is formed smaller than the opening of the resist film A. Next, as shown in FIG. 7D, the upper part 31b (height: about several tens μm) of the terminal electrode 31 is formed by plating.
Is precipitated.

【0050】最後に、レジスト膜A及びレジスト膜Bを
回路基板30から溶解または剥離して、回路基板30の電極
パッド32上に2段突起形状を有する端子電極31を露出さ
せ、必要な場合には回路基板30及び端子電極31を洗浄す
る。
Finally, the resist film A and the resist film B are dissolved or peeled off from the circuit board 30 to expose the terminal electrode 31 having a two-step projection on the electrode pad 32 of the circuit board 30. Cleans the circuit board 30 and the terminal electrodes 31.

【0051】第1実施例の回路基板30において端子電極
31を形成するためのメッキ材料は、特に限定されず、A
u,Cu,Ag,半田等のメッキ可能な材料であればよ
い。
In the circuit board 30 of the first embodiment, the terminal electrodes
The plating material for forming 31 is not particularly limited.
Any material that can be plated, such as u, Cu, Ag, and solder, may be used.

【0052】図8は本発明の第2実施例におけるチップ
パッケージ実装体の概略を示す断面図であり、第2実施
例のチップパッケージ実装体は、図1に示すチップパッ
ケージ19が図6に示す回路基板30に実装されたものであ
る。
FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing a chip package mounted body according to the second embodiment of the present invention. The chip package mounted body according to the second embodiment has a chip package 19 shown in FIG. It is mounted on a circuit board 30.

【0053】次に、図8を参照して本発明のチップパッ
ケージ19の回路基板30への実装方法及び第2実施例のチ
ップパッケージ実装体を説明する。チップパッケージ19
にコンタクト電極5を導電性接着剤によって形成した
後、各コンタクト電極5の位置が回路基板30の対応する
端子電極31の位置に整合するように位置合わせを行う。
ここで使用する回路基板30は、前述したようにバイアホ
ール33,バイア34及び基板内層電極35を備えている。
Next, a method of mounting the chip package 19 on the circuit board 30 of the present invention and a chip package mounted body of the second embodiment will be described with reference to FIG. Chip package 19
After the contact electrodes 5 are formed by using a conductive adhesive, alignment is performed so that the position of each contact electrode 5 matches the position of the corresponding terminal electrode 31 on the circuit board 30.
The circuit board 30 used here includes the via holes 33, the vias 34, and the substrate inner layer electrodes 35 as described above.

【0054】その後、コンタクト電極5が埋め込まれて
いる凹部であるバイアホール2bに端子電極31の上段部3
1bを挿入する。次に、50〜150℃で導電性接着剤からな
るコンタクト電極5を硬化する。このようにして、コン
タクト電極5と端子電極31とを電気的及び機械的に接合
し、チップパッケージ19を回路基板30に実装する。この
ようして実装されたチップパッケージ実装体は、次のよ
うな効果をもたらす。
After that, the upper part 3 of the terminal electrode 31 is inserted into the via hole 2b, which is a recess in which the contact electrode 5 is embedded.
Insert 1b. Next, the contact electrode 5 made of a conductive adhesive is cured at 50 to 150 ° C. In this way, the contact electrode 5 and the terminal electrode 31 are electrically and mechanically joined, and the chip package 19 is mounted on the circuit board 30. The chip package mounted body mounted as described above has the following effects.

【0055】コンタクト電極5と回路基板30の端子電極
31との接続が強固であることにより、コンタクト電極5
と端子電極31とが機械的及び電気的に安定に接続され
る。さらに、回路基板30の熱膨張係数とキャリア基板1
の熱膨張係数とが異なっていても、キャリア基板1にク
ラックが生じにくく、特に、コンタクト電極5を形成す
る導電性接着剤に可撓性を有するものを用いることによ
り、熱衝撃などに対する信頼性を極めて良好にすること
ができる。また、キャリア基板1と回路基板30との間の
距離が短縮される結果、チップパッケージ実装体の厚み
を全体として薄くできる。
Contact electrode 5 and terminal electrode of circuit board 30
Since the connection with the contact electrode 31 is strong, the contact electrode 5
And the terminal electrode 31 are mechanically and electrically stably connected. Further, the thermal expansion coefficient of the circuit board 30 and the carrier board 1
Cracks are unlikely to occur on the carrier substrate 1 even if the thermal expansion coefficient of the carrier substrate 1 is different from that of the carrier substrate 1. In particular, by using a flexible conductive adhesive for forming the contact electrode 5, reliability against thermal shock and the like can be improved. Can be made very good. Further, as a result of the distance between the carrier substrate 1 and the circuit substrate 30 being shortened, the thickness of the chip package mounted body can be reduced as a whole.

【0056】図9は本発明の第3実施例におけるチップ
パッケージ実装体の概略を示す断面図であり、このチッ
プパッケージ実装体における回路基板40は、図6に示す
回路基板30から端子電極31を省略したものである。第3
実施例のチップパッケージ実装体は、図1に示すチップ
パッケージ19が回路基板40に実装されたものである。
FIG. 9 is a cross-sectional view schematically showing a chip package mounting body according to the third embodiment of the present invention. A circuit board 40 in this chip package mounting body has terminal electrodes 31 from the circuit board 30 shown in FIG. It is omitted. Third
The chip package mounted body of the embodiment is obtained by mounting the chip package 19 shown in FIG.

【0057】次に、図9を参照して本発明のチップパッ
ケージ19の回路基板40への実装方法及び第3実施例のチ
ップパッケージ実装体を説明する。第3実施例では、コ
ンタクト電極5が回路基板40の電極パッド32上へ直接に
接着され、コンタクト電極5と電極パッド32とを電気的
及び機械的に接合することにより、チップパッケージ19
が回路基板40に実装されている。
Next, a method of mounting the chip package 19 on the circuit board 40 of the present invention and a chip package mounted body of the third embodiment will be described with reference to FIG. In the third embodiment, the contact electrode 5 is directly adhered onto the electrode pad 32 of the circuit board 40, and the contact electrode 5 and the electrode pad 32 are electrically and mechanically joined to each other.
Are mounted on the circuit board 40.

【0058】第3実施例のチップパッケージ実装体によ
れば、第2実施例のチップパッケージ実装体と同様にL
SIチップ7がチップキャリア12上にフリップチップ実
装されているため、チップパッケージ19が小面積で薄型
となる。さらに、チップパッケージ内の配線距離が短い
ことにより、極めて良好な周波数特性が得られる。さら
に、回路基板40に端子電極31を設ける必要がなくなるの
で、回路基板40の構成を簡略化することができ、かつチ
ップパッケージ19を実装した後の全体の厚みも薄くでき
る。
According to the chip package mounted body of the third embodiment, L is equal to that of the chip package mounted body of the second embodiment.
Since the SI chip 7 is flip-chip mounted on the chip carrier 12, the chip package 19 has a small area and a small thickness. Further, since the wiring distance in the chip package is short, very good frequency characteristics can be obtained. Further, since it is not necessary to provide the terminal electrodes 31 on the circuit board 40, the configuration of the circuit board 40 can be simplified, and the overall thickness after mounting the chip package 19 can be reduced.

【0059】[0059]

【発明の効果】以上説明したように、本発明のチップキ
ャリアにLSIチップをフリップチップ実装したチップ
パッケージ実装体は回路基板からの厚みが薄いので、高
密度実装に最適である。
As described above, the chip package mounting body in which the LSI chip is flip-chip mounted on the chip carrier of the present invention is thin from the circuit board, and therefore is most suitable for high-density mounting.

【0060】また、本発明の回路基板において、チップ
パッケージのコンタクト電極が可撓性を有する導電性接
着剤によって形成することにより、回路基板側の端子電
極上に形成された2段突起電極をコンタクト電極に挿入
し接続することで、実装後の回路モジュールの厚さを薄
く配線距離を短くでき良好な周波数特性を得ることがで
きる。
Further, in the circuit board of the present invention, the contact electrode of the chip package is formed of a flexible conductive adhesive, so that the two-step protruding electrode formed on the terminal electrode on the circuit board side is contacted. By inserting and connecting the electrodes, the thickness of the mounted circuit module can be reduced and the wiring distance can be shortened, so that good frequency characteristics can be obtained.

【0061】さらに、回路基板に形成された2段突起形
状の端子電極をチップパッケージのコンタクト電極中に
挿入した際に、端子電極が凸型であることにより、接着
剤のはい上がりや隣接間でのショートを抑え、また導電
性接着剤との接触確率が高く、接着面積も大きいことか
ら接着強度も大きく確保でき、信頼性が向上する。
Further, when the two-stage projecting terminal electrode formed on the circuit board is inserted into the contact electrode of the chip package, the terminal electrode is of a convex type, so that the adhesive rises and the space between the adjacent parts is increased. Short-circuit, the probability of contact with the conductive adhesive is high, and the bonding area is large, so that a large bonding strength can be secured and the reliability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を説明するための第1参考例で
あるチップパッケージの概略を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a chip package as a first reference example for explaining an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を説明するための第2参考例で
あるチップパッケージの概略を示す断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a chip package as a second reference example for explaining an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第1参考例のチップパッケージにおけ
るチップキャリアの概略を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view schematically showing a chip carrier in a chip package according to a first reference example of the present invention.

【図4】本発明の第2参考例のチップパッケージにおけ
るチップキャリアの概略を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a chip carrier in a chip package according to a second reference example of the present invention.

【図5】チップキャリアの製造方法の説明をするための
工程断面図である。
FIG. 5 is a process sectional view for describing the method for manufacturing the chip carrier.

【図6】本発明の端子電極を備えた回路基板の第1実施
例の概略を示す断面図である。
FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a first embodiment of a circuit board provided with a terminal electrode according to the present invention.

【図7】本発明の第1実施例における端子電極を備えた
回路基板の製造方法を説明するための工程断面図であ
る。
FIG. 7 is a process cross-sectional view for explaining the method for manufacturing the circuit board provided with the terminal electrodes in the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2実施例におけるチップパッケージ
実装体の概略を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view schematically showing a chip package mounted body according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3実施例におけるチップパッケージ
実装体の概略を示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view schematically showing a chip package mounted body according to a third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,22…キャリア基板、 1a,1b…セラミックグリー
ンシート、 2,2a,2b,33…バイアホール、 3,
34…バイア、 4,35…基板内層配線、 5…コンタク
ト電極、 6,31…端子電極、 7…LSIチップ、
8,32…電極パッド、 9…導電性接着剤、 10…モー
ルド樹脂、 11…突起電極、 12,21…チップキャリ
ア、 19,20…チップパッケージ、 30,40…回路基
板、 30a…実装面、 31a…下段部、 31b…上段部、
A,B…レジスト膜。
1,22: Carrier substrate, 1a, 1b: Ceramic green sheet, 2, 2a, 2b, 33: Via hole, 3,
34 ... via, 4,35 ... substrate inner layer wiring, 5 ... contact electrode, 6,31 ... terminal electrode, 7 ... LSI chip,
8, 32 ... electrode pad, 9 ... conductive adhesive, 10 ... mold resin, 11 ... projecting electrode, 12, 21 ... chip carrier, 19, 20 ... chip package, 30, 40 ... circuit board, 30a ... mounting surface, 31a ... lower part, 31b ... upper part,
A, B: resist film.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 特願平5−320126 (32)優先日 平成5年12月20日(1993.12.20) (33)優先権主張国 日本(JP) (56)参考文献 特開 平5−74973(JP,A) 特開 昭63−229842(JP,A) 特開 昭63−127557(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 23/12 H05K 1/18 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (31) Priority claim number Japanese Patent Application No. 5-320126 (32) Priority date December 20, 1993 (December 20, 1993) (33) Priority claim country Japan (JP) (56) reference Patent flat 5-74973 (JP, a) JP Akira 63-229842 (JP, a) JP Akira 63-127557 (JP, a) (58 ) investigated the field (Int.Cl. 7 , DB name) H01L 23/12 H05K 1/18

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 チップパッケージが回路基板に実装され
たチップパッケージ実装体であって、 前記チップパッケージは、チップキャリアとLSIチッ
プとを備えており、前記チップキャリアは、 上面及び下
面を有し、内部導体を含むキャリア基板と、前記キャリ
ア基板の前記上面に形成され、LSIチップを前記内部
導体に電気的に接続した複数の端子電極と、前記キャリ
ア基板の前記下面に形成され、回路基板を前記内部導体
に電気的に接続した複数のコンタクト電極とを備えてお
り、前記複数のコンタクト電極は導電性接着剤によって
形成され、前記キャリア基板の前記下面に設けられた
数の凹部に埋め込まれており、 前記回路基板は、前記チップキャリアの前記コンタクト
電極に接続されている2段突起形状の端子電極を備え、
前記2段突起形状の端子電極は前記キャリア基板の前記
凹部内に突出している ことを特徴とするチップパッケー
ジ実装体
A chip package is mounted on a circuit board.
And a chip package mounting body, said chip package, chip carrier and an LSI chip
And a flop, said chip carrier has an upper surface and a lower surface, and the carrier substrate including an inner conductor, formed on the upper surface of the carrier <br/> A substrate, electricity LSI chip to the internal conductor a plurality of terminal electrodes connected to, said formed on the lower surface of the carrier <br/> a substrate, wherein the circuit board inner conductor
Contact and a plurality of contact electrodes electrically connected to the
The plurality of contact electrodes are connected by a conductive adhesive.
Formed on the lower surface of the carrier substrate and embedded in a plurality of recesses provided on the lower surface of the carrier substrate , wherein the circuit substrate is provided with the contact of the chip carrier.
A two-stage projection-shaped terminal electrode connected to the electrode;
The terminal electrode of the two-stage protrusion is provided on the carrier substrate.
Chip package characterized by projecting into a recess
The mounting body .
【請求項2】 前記LSIチップにおいて、LSIチッ
プ上に設けられた電極パッドと、前記電極パッド上に形
成された突起電極とを備えており、前記突起電極は、接
合層を介して前記チップキャリアの前記端子電極に電気
的に接続され、前記LSIチップと前記チップキャリア
との間隙部は、モールド樹脂によって充填封止されてい
ことを特徴とする請求項1記載のチップパッケージ実
装体
2. The method according to claim 1, wherein the LSI chip includes an LSI chip.
An electrode pad provided on the electrode pad;
And a projecting electrode formed, wherein the projecting electrode is
Electricity is applied to the terminal electrodes of the chip carrier through a laminated layer.
The LSI chip and the chip carrier
Is filled and sealed with mold resin.
Claim 1, wherein the chip package fruit, characterized in that that
Body .
【請求項3】 チップパッケージが実装される回路基板
であって、回路基板上に形成される端子電極において、
下段部と、前記下段部上に形成された上段部とを備えた
2段突起形状となる端子電極を有することを特徴とする
回路基板
3. A circuit board on which a chip package is mounted.
Wherein the terminal electrode formed on the circuit board,
A lower portion, and an upper portion formed on the lower portion.
Characterized by having a terminal electrode having a two-step projection shape
Circuit board .
【請求項4】 前記2段突起形状となる端子電極におい
て、上段部における前記回路基板のチップパッケージ実
装面と平行な面での断面積が、前記下段部における前記
チップパッケージ実装面と平行な面での断面積よりも小
さいことを特徴とする請求項記載の回路基板
4. A terminal electrode having a two-stage projection shape.
The chip package of the circuit board in the upper part.
The cross-sectional area in a plane parallel to the mounting surface is
Smaller than the cross-sectional area in the plane parallel to the chip package mounting surface
4. The circuit board according to claim 3 , wherein:
【請求項5】 回路基板の電極パッド上に第1の開口部
を有する第1のレジ スト膜を、第1のフォトリソグラフ
ィ工程によって前記回路基板上に形成する工程と、 前記第1のレジスト膜の前記第1の開口部内に端子電極
の下段部を形成する工程と、前記第1のレジスト膜の前
記第1の開口部よりも小さく、前記端子電極の前記下段
部上に位置する第2の開口部を有する第2のレジスト膜
を、第2のフォトリソグラフィ工程よって前記回路基板
上に形成する工程と、 前記第2のレジスト膜の前記第2の開口部内に前記端子
電極の上段部を形成する工程と、 前記第1のレジスト膜及び前記第2のレジスト膜を除去
して、前記端子電極を露出させて2段突起形状の端子電
極を形成する工程とを備えた ことを特徴とする回路基板
の形成方法
5. A first opening on an electrode pad of a circuit board.
A first register strike film having a first photolithographic
Forming a first electrode on the circuit board by a contacting step, and connecting a terminal electrode in the first opening of the first resist film.
Forming a lower portion of the first resist film;
A lower portion of the terminal electrode than the first opening;
Resist film having a second opening located on the portion
By a second photolithography step
Forming the second resist film in the second opening in the second resist film.
Forming an upper portion of the electrode, removing the first resist film and the second resist film
Then, the terminal electrode is exposed to form a two-stage projection-shaped terminal electrode.
Circuit board, characterized in that it includes a step of forming a pole
Formation method .
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