JP3317525B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JP3317525B2 JP3317525B2 JP25205492A JP25205492A JP3317525B2 JP 3317525 B2 JP3317525 B2 JP 3317525B2 JP 25205492 A JP25205492 A JP 25205492A JP 25205492 A JP25205492 A JP 25205492A JP 3317525 B2 JP3317525 B2 JP 3317525B2
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- dielectric
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- dielectric porcelain
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はマイクロ波やミリ波等
高周波用の共振器やフィルター等に用いて好適な誘電体
磁器組成物に関する。
高周波用の共振器やフィルター等に用いて好適な誘電体
磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】例えば
誘電体を共振器に用いた場合、誘電体の誘電率が高いほ
ど共振器を小型化できることから、かかる誘電体として
は誘電率の高いものが望ましい。ところで、近年使用さ
れるマイクロ波等の周波数が高くなってきており、従っ
てこのような高周波領域において高誘電率で且つＱ値が
高く、更に共振周波数の温度係数の小さいものが望まれ
ている。
誘電体を共振器に用いた場合、誘電体の誘電率が高いほ
ど共振器を小型化できることから、かかる誘電体として
は誘電率の高いものが望ましい。ところで、近年使用さ
れるマイクロ波等の周波数が高くなってきており、従っ
てこのような高周波領域において高誘電率で且つＱ値が
高く、更に共振周波数の温度係数の小さいものが望まれ
ている。
【０００３】この種高周波用の誘電体磁器組成物とし
て、従来ＢａＯ−ＴｉＯ２−（Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ
２Ｏ３）やＢａ２Ｔｉ９Ｏ２０等が知られている（特開
平２−８０３６６）。しかしながらこの誘電体磁器組成
物は、誘電率は大きいものの共振周波数が低く、Ｑ値も
十分高い値が得られていない。
て、従来ＢａＯ−ＴｉＯ２−（Ｎｄ２Ｏ３，Ｓｍ
２Ｏ３）やＢａ２Ｔｉ９Ｏ２０等が知られている（特開
平２−８０３６６）。しかしながらこの誘電体磁器組成
物は、誘電率は大きいものの共振周波数が低く、Ｑ値も
十分高い値が得られていない。
【０００４】他方Ｂａ（Ｎｉ，Ｚｎ，Ｔａ）Ｏ３（特公
平１−１８５２４）や、Ｂａ（Ｎｉ，Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ３
（特開昭６１−２３７３０５）等の磁器組成物も知られ
ているが、前者のＴａ系の磁器組成物の場合誘電率が低
く、また後者のＮｂ系の磁器組成物の場合には温度係数
が大きいといった問題がある。
平１−１８５２４）や、Ｂａ（Ｎｉ，Ｚｎ，Ｎｂ）Ｏ３
（特開昭６１−２３７３０５）等の磁器組成物も知られ
ているが、前者のＴａ系の磁器組成物の場合誘電率が低
く、また後者のＮｂ系の磁器組成物の場合には温度係数
が大きいといった問題がある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の誘電体磁器組成
物はこのような課題を解決するために開発されたもので
あり、その要旨は、上記の一般式［化１］で表わされ、
各原子比率を示すｕ，ｘ，ｙ，ｚがそれぞれ、０．６０
≦ｕ≦０．８５，０．４８５≦ｘ≦０．５００，０．１
４０≦ｙ≦０．１５０，０．３５０≦ｚ≦０．３６０，
ｙ＋ｚ＝０．５の範囲とされていることにある。但しｗ
は任意である。
物はこのような課題を解決するために開発されたもので
あり、その要旨は、上記の一般式［化１］で表わされ、
各原子比率を示すｕ，ｘ，ｙ，ｚがそれぞれ、０．６０
≦ｕ≦０．８５，０．４８５≦ｘ≦０．５００，０．１
４０≦ｙ≦０．１５０，０．３５０≦ｚ≦０．３６０，
ｙ＋ｚ＝０．５の範囲とされていることにある。但しｗ
は任意である。
【０００６】上記のように本発明はＢａ，Ｓｒの総量を
ＺｎとＮｂとの総量に対して１対１以下と成すとともに
その下限値を一定以上と成し、またＢａとＳｒとの量
比、Ｚｎ，Ｎｂの量比を特定量比としたもので、かかる
本発明の組成から成る磁器組成物は、高い誘電率及び高
周波領域における高いＱ値，小さい温度係数を示すこと
が確認されている。
ＺｎとＮｂとの総量に対して１対１以下と成すとともに
その下限値を一定以上と成し、またＢａとＳｒとの量
比、Ｚｎ，Ｎｂの量比を特定量比としたもので、かかる
本発明の組成から成る磁器組成物は、高い誘電率及び高
周波領域における高いＱ値，小さい温度係数を示すこと
が確認されている。
【０００７】本発明においてｙ＋ｚ＝０．５に対してｘ
の値を０．５以下に規定しているのは、つまりＢａとＳ
ｒとの総量をＺｎとＮｂとの総量に対して同等以下とし
ているのは、その値がこれよりも大きいとＱ値が小さく
なってしまうことによる。またｘの値が０．４８５より
小さくなってもＱ値は好ましくない小さな値となってし
まう。
の値を０．５以下に規定しているのは、つまりＢａとＳ
ｒとの総量をＺｎとＮｂとの総量に対して同等以下とし
ているのは、その値がこれよりも大きいとＱ値が小さく
なってしまうことによる。またｘの値が０．４８５より
小さくなってもＱ値は好ましくない小さな値となってし
まう。
【０００８】他方ｕの値を０．６０〜０．８５としてい
るのは、ｕの値が０．６０より小さいと共振周波数の温
度係数が正側に大きくなり過ぎ、また逆に０．８５より
大きくなると負側に大きくなり過ぎることによる。
るのは、ｕの値が０．６０より小さいと共振周波数の温
度係数が正側に大きくなり過ぎ、また逆に０．８５より
大きくなると負側に大きくなり過ぎることによる。
【０００９】更にｙの値を０．１４０〜０．１５０とし
ているのは、ｙが０．１４０より小さくてもまた０．１
５０より大きくてもＱ値が小さくなってしまうことによ
る。
ているのは、ｙが０．１４０より小さくてもまた０．１
５０より大きくてもＱ値が小さくなってしまうことによ
る。
【００１０】
【実施例】次に本発明の特徴を更に明確にすべく、以下
にその実施例を詳述する。高純度のＢａＣＯ３，ＳｒＣ
Ｏ３，ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５を原料として用い、これらを
表１に示す組成となるように調合し、ボールミルにて１
６時間湿式混合した。
にその実施例を詳述する。高純度のＢａＣＯ３，ＳｒＣ
Ｏ３，ＺｎＯ，Ｎｂ２Ｏ５を原料として用い、これらを
表１に示す組成となるように調合し、ボールミルにて１
６時間湿式混合した。
【００１１】この混合物を乾燥後、１１５０℃で３時間
仮焼して仮焼粉を得た。この仮焼粉を水及び有機バイン
ダーとともにボールミルに入れ、１６時間湿式粉砕し
た。このスラリーを乾燥後、めのう乳鉢で粉砕し、６０
メッシュの網を通過した粉を面圧２０００ｋｇ／ｃｍ２
の乾式プレスにより円盤状に成形した。そしてこの成形
体を１５００℃で６時間焼成し、各試料を得た。
仮焼して仮焼粉を得た。この仮焼粉を水及び有機バイン
ダーとともにボールミルに入れ、１６時間湿式粉砕し
た。このスラリーを乾燥後、めのう乳鉢で粉砕し、６０
メッシュの網を通過した粉を面圧２０００ｋｇ／ｃｍ２
の乾式プレスにより円盤状に成形した。そしてこの成形
体を１５００℃で６時間焼成し、各試料を得た。
【００１２】得られた試料について８ギガヘルツ（ＧＨ
ｚ）において誘電率Ｅｒ，Ｑ値及び共振周波数の温度係
数τｆ（ｐｐｍ／℃）を測定した。測定結果が表１に示
してある。尚、表中ｆ０は共振周波数で、単位はギガヘ
ルツである。
ｚ）において誘電率Ｅｒ，Ｑ値及び共振周波数の温度係
数τｆ（ｐｐｍ／℃）を測定した。測定結果が表１に示
してある。尚、表中ｆ０は共振周波数で、単位はギガヘ
ルツである。
【００１３】
【表１】
【００１４】表１の結果より、本発明例のものについて
は誘電率，Ｑ値，温度係数τｆの何れについても良好な
値を示していることがわかる。
は誘電率，Ｑ値，温度係数τｆの何れについても良好な
値を示していることがわかる。
【００１５】以上本発明の実施例を詳述したがこれはあ
くまで一例示であり、本発明はその主旨を逸脱しない範
囲において、当業者の知識に基づき種々変更を加えた態
様で実施可能である。
くまで一例示であり、本発明はその主旨を逸脱しない範
囲において、当業者の知識に基づき種々変更を加えた態
様で実施可能である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01B 3/12 313 C04B 35/495 H01P 7/10
Claims (1)
- 【請求項１】 下記の一般式［化１］で表わされ、各原
子比率を示すｕ，ｘ，ｙ，ｚがそれぞれ ０．６０≦ｕ≦０．８５ ０．４８５≦ｘ≦０．５００ ０．１４０≦ｙ≦０．１５０ ０．３５０≦ｚ≦０．３６０ ｙ＋ｚ＝０．５ の範囲とされていることを特徴とする誘電体磁器組成
物。 【化１】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25205492A JP3317525B2 (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25205492A JP3317525B2 (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0676631A JPH0676631A (ja) | 1994-03-18 |
| JP3317525B2 true JP3317525B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=17231928
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25205492A Expired - Fee Related JP3317525B2 (ja) | 1992-08-27 | 1992-08-27 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3317525B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2569331B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1997-01-08 | 三菱マテリアル株式会社 | 高温濃硫酸用高耐食アモルファスニッケル合金 |
| US9567263B2 (en) * | 2014-10-27 | 2017-02-14 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
-
1992
- 1992-08-27 JP JP25205492A patent/JP3317525B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0676631A (ja) | 1994-03-18 |
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