JP3283806B2 - アンダシュート・オーバシュート防止回路 - Google Patents
アンダシュート・オーバシュート防止回路Info
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
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- H03K5/153—Arrangements in which a pulse is delivered at the instant when a predetermined characteristic of an input signal is present or at a fixed time interval after this instant
- H03K5/1534—Transition or edge detectors
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- H03K5/08—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding
- H03K5/082—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold
- H03K5/086—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold generated by feedback
- H03K5/088—Shaping pulses by limiting; by thresholding; by slicing, i.e. combined limiting and thresholding with an adaptive threshold generated by feedback modified by switching, e.g. by a periodic signal or by a signal in synchronism with the transitions of the output signal
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Description
ーバシュート防止回路に関し、特に波形入力回路におけ
るノイズを除去するためのアンダシュート・オーバシュ
ート防止回路に関する。
lk)は、隣接する信号との浮遊結合によって生じる。
このクロストークは波形に対してノイズとして現れる。
このクロストークによるノイズの量は、波形のレベルや
オーバシュート・アンダシュートの量によって変化す
る。したがって、クロストークによるノイズを低減する
ためには、オーバシュート・アンダシュートを防止する
ことが必要となる。
Integrated Circuit)では、波形入
力回路において、クランプダイオードのみによって、オ
ーバシュートやアンダシュートを防止しようとしてい
た。
オードを設ける上述した従来の回路では、入力波形のス
ルーレートを調整することができず、急峻な立上り波形
や立下り波形が入力されると、LSI内部のリード線間
等にクロストークが生じるという欠点がある。
ては、高速バスにおけるリンギングを問題としており、
上述した従来技術の欠点を解決することはできない。
るためになされたものであり、その目的は入力波形のス
ルーレートを調整し、急峻な波形が入力されても、遅延
時間を増加させることなく、LSI内のリード線間にク
ロストークを生じさせることのないアンダシュート・オ
ーバシュート防止回路を提供することである。
ート防止回路は、入力信号を反転して出力するインバー
タ回路と、このインバータ回路の出力を微分する微分回
路と、入力信号線に直列に接続され前記入力信号の波形
のアンダシュートを抑制する抵抗器と、前記微分回路の
微分出力が所定閾値を越えている期間内においてのみ前
記抵抗器を介して前記入力信号を送出するように前記入
力信号線の接続状態を切替える切替回路とを含むことを
特徴とする。
入力信号をバッファリングして出力するバッファ回路
と、このバッファ回路の出力を微分する微分回路と、入
力信号線に直列に接続され前記入力信号の波形のオーバ
シュートを抑制する抵抗器と、前記微分回路の微分出力
が所定閾値を越えている期間内においてのみ前記抵抗器
を介して前記入力信号を送出するように前記入力信号線
の接続状態を切替える切替回路とを含むことを特徴とす
る。
オーバシュートを防止し、しかも波形のスレッショルド
レベル(閾値)までの時間は変化しないので、遅延時間
が増加することなく、クロストークノイズを発生しにく
くすることができるのである。
いて図面を参照して説明する。
バシュート防止回路の実施の一形態を示すブロック図で
ある。同図において、入力端子100はセレクタ1の端
子11に接続され、セレクタ1の端子12はセレクタ2
の端子22と接続されている。
201と接続され、抵抗器20の端子202はセレクタ
2の端子23と接続されている。セレクタ2の端子21
はセレクタ3の端子31に接続され、セレクタ3の端子
32はセレクタ4の端子42に接続されている。
101と接続され、抵抗器10の端子102はセレクタ
4の端子43と接続されている。
とバッファ回路BUFの入力部とインバータ回路INV
の入力部と接続されている。
2の入力部と接続され、微分回路12の出力部はプルダ
ウン抵抗40の一方の端子と接続されている。微分回路
12の出力はセレクタ1のセレクタ信号SEL1及びセ
レクタ2のセレクタ信号SEL2となる。プルダウン抵
抗40の他方の端子はGNDに接続されている。
11の入力部と接続され、微分回路11の出力部はプル
ダウン抵抗30の一方の端子と接続されている。微分回
路11の出力は、セレクタ3のセレクタ信号SEL3及
びセレクタ4のセレクタ信号SEL4となる。プルダウ
ン抵抗30の他方の端子はGNDに接続されている。
Ts,バッファ回路のゲート遅延時間をTb,インバー
タ回路のゲート遅延時間をTi,微分回路の内部遅延時
間をTd,バッファ回路BUF,インバータ回路INV
及びセレクタ信号SEL1〜SEL4のスレッショルド
電圧値をVtとする。このとき、入力端子に図2(a)
に示されているような、オーバシュートが大きい波形が
入力されるものとする。
ウン抵抗30によってGNDに接続されローレベル状態
となっており、微分回路12の出力部がプルダウン抵抗
40によってGNDに接続されローレベル状態となって
いるものとする。すると、セレクタ1のセレクタ信号S
EL1,セレクタ2のセレクタ信号SEL2,セレクタ
3のセレクタ信号SEL3及びセレクタ4のセレクタ信
号SEL4が全てローレベル状態となる。このとき、セ
レクタ1の端子11における波形は、セレクタ1におい
て端子12を通過し、セレクタ2においては端子22と
端子21を通過する。そして、セレクタ3においては端
子31と端子32を通過し、セレクタ4においては端子
42と端子41を通過する。このため、波形入力部20
0,バッファ回路BUFの入力部及びインバータ回路I
NVの入力部には、図2(b)に示されているような波
形となって入力される。
いて出力される波形は、微分回路12の入力部に入力さ
れ、図2(c)に示されているような波形となる。ま
た、インバータ回路INVの出力部において出力される
波形は、微分回路11の入力部に入力され、図2(d)
に示されているような波形となる。
波形は図2(e)に示されているようになり、これがセ
レクタ3のセレクタ信号SEL3とセレクタ4のセレク
タ信号SEL4として入力される。この場合、スレッシ
ョルド電圧値Vtを越えないので、セレクタ3及びセレ
クタ4の選択状態は変わらない。
は図2(f)に示されているようになり、これがセレク
タ1のセレクタ信号SEL1とセレクタ2のセレクタ信
号SEL2として入力される。この場合、スレッショル
ド電圧値Vtを越えるので、その越えている間の時間T
dsだけ、セレクタ1においては端子12から端子13
に選択状態が切替わり、セレクタ2においては端子22
から端子23に選択状態が切替わることになる。
レクタ2に入力されるまでの間の、セレクタ1の端子1
3とセレクタ2の端子23が選択されている間、抵抗器
20によって、波形がなまり、波形入力部200には、
クロストークノイズを発生させにくい波形が入力される
ことになる。
が入力端子に入力されるときも上記と同様に波形の立下
り時間が緩和される。よって、波形入力部200には、
クロストークノイズを発生させにくい波形が入力される
ことになる。
は、例えば図3に示されているように、入力部と出力部
との間の信号線に直列接続されたコンデンサCと、その
信号線とグランドとの間に接続された抵抗器Rとから構
成されるるものとする。かかる構成により、周知の微分
回路が構成でき、時定数を適切に選定すれば、図2
(e)及び(f)の波形を得ることができる。
2,セレクタ1及び2並びに抵抗器20のみを設けれ
ば、少なくともオーバシュートを防止できることは明ら
かである。また、インバータ回路INV,微分回路1
1,セレクタ3及び4並びに抵抗器10のみを設けれ
ば、少なくともアンダシュートを防止できることは明ら
かである。
オーバシュート防止回路について説明したが、LSI以
外におけるアンダシュートやオーバシュートを防止する
場合においても本回路を利用できることは明らかであ
る。
態様をとりうる。
ンダシュート防止回路と、請求項4〜6のいずれかに記
載のオーバシュート防止回路とを含むことを特徴とする
アンダシュート・オーバシュート防止回路。
路の出力信号線に直列接続されたコンデンサと、該出力
信号とグランドとの間に接続された抵抗器とを含むこと
を特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のアンダシ
ュート防止回路。
の出力信号線に直列接続されたコンデンサと、該出力信
号とグランドとの間に接続された抵抗器とを含むことを
特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載のオーバシュ
ート防止回路。
レッショルドレベルまでの時間を変化させずに、アンダ
シュート及びオーバシュートを防止することにより、遅
延時間を増加させることなく、クロストークノイズを発
生しにくくすることができるという効果がある。
オーバシュート防止回路の構成を示すブロック図であ
る。
ーバシュート防止回路の各部の動作を示す波形図であ
る。
る。
Claims (4)
- 【請求項1】 入力信号を反転して出力するインバータ
回路と、 このインバータ回路の出力を微分する微分回路と、 入力信号線に直列に接続され前記入力信号の波形のアン
ダシュートを抑制する抵抗器と、 前記微分回路の微分出力が所定閾値を越えている期間内
においてのみ前記抵抗器を介して前記入力信号を送出す
るように前記入力信号線の接続状態を切替える切替回路
とを含むことを特徴とするアンダシュート防止回路。 - 【請求項2】 前記切替回路は、前記微分出力のレベル
に応じて、前記抵抗器を前記入力信号線に電気的に接続
する接続状態と該抵抗器を前記入力信号線に電気的に接
続しない未接続状態とのいずれか一方の状態にするセレ
クタであることを特徴とする請求項1記載のアンダシュ
ート防止回路。 - 【請求項3】 入力信号をバッファリングして出力する
バッファ回路と、 このバッファ回路の出力を微分する微分回路と、 入力信号線に直列に接続され前記入力信号の波形のオー
バシュートを抑制する抵抗器と、 前記微分回路の微分出力が所定閾値を越えている期間内
においてのみ前記抵抗器を介して前記入力信号を送出す
るように前記入力信号線の接続状態を切替える切替回路
とを含むことを特徴とするオーバシュート防止回路。 - 【請求項4】 前記切替回路は、前記微分出力のレベル
に応じて、前記抵抗器を前記入力信号線に電気的に接続
する接続状態と該抵抗器を前記入力信号線に電気的に接
続しない未接続状態とのいずれか一方の状態にするセレ
クタであることを特徴とする請求項3記載のオーバシュ
ート防止回路。
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