JP3271336B2 - 導電膜の陽極酸化装置 - Google Patents

導電膜の陽極酸化装置

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JP3271336B2
JP3271336B2 JP32383492A JP32383492A JP3271336B2 JP 3271336 B2 JP3271336 B2 JP 3271336B2 JP 32383492 A JP32383492 A JP 32383492A JP 32383492 A JP32383492 A JP 32383492A JP 3271336 B2 JP3271336 B2 JP 3271336B2
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邦宏 松田
久敏 森
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カシオ計算機株式会社
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    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02Anodisation

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に形成した導電
膜を陽極酸化するための陽極酸化装置に関するものであ
る。

【0002】

【従来の技術】例えばTFTアクティブマトリックス液
晶表示素子に用いられるTFTパネルは、ガラス等から
なる透明な絶縁性基板の上にゲート配線とデータ配線と
を互いに直交させて形成するとともに、このゲート配線
とデータ配線との交差部にそれぞれ薄膜トランジスタ
(TFT)を形成し、これら薄膜トランジスタにそれぞ
れ対応させて画素電極を配列形成したもので、通常のT
FTパネルでは、ゲート配線を基板上に形成し、このゲ
ート配線を覆う絶縁膜の上にデータ配線を形成してい
る。

【0003】このTFTパネルの上記薄膜トランジスタ
は、上記ゲート配線に一体に形成されたゲート電極と、
このゲート電極およびゲート配線を覆って基板上のほぼ
全面に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜の
上に前記ゲート電極と対向させて形成されたa−Si
(アモルファスシリコン)からなるi型半導体膜と、こ
のi型半導体膜の上にn型不純物をドープしたa−Si
からなるn型半導体膜を介して形成されたソース,ドレ
イン電極とからなっており、そのソース電極は画素電極
に接続され、上記ドレイン電極はデータ配線につながっ
ている。

【0004】なお、画素電極は上記ゲート絶縁膜の上に
その一端縁部を上記ソース電極の上に重ねて形成されて
いる。また、データ配線は一般に、上記ゲート絶縁膜の
上に薄膜トランジスタを覆って形成した層間絶縁膜の上
に形成されており、このデータ配線は、前記層間絶縁膜
に設けたコンタクト孔において上記ドレイン電極に接続
されている。

【0005】ところで、このTFTパネルにおいては、
下層の導電膜であるゲート配線およびゲート電極と上層
の導電膜であるデータ配線およびドレイン電極との間を
絶縁している絶縁膜にピンホールやクラック等の欠陥が
あると、この欠陥部分において下層導電膜と上層導電膜
とが短絡してしまう。

【0006】このため、上記TFTパネルでは、下層導
電膜であるゲート配線およびゲート電極をゲート配線の
端子部を除いて陽極酸化し、その表面に酸化膜を生成さ
せ、この酸化膜と上記絶縁膜とによって下層導電膜と上
層導電膜との間を二重に絶縁している。

【0007】上記下層導電膜の陽極酸化は、導電膜を形
成した基板を電解液中に浸漬してこの基板上の導電膜を
電解液中において陰極と対向させ、前記導電膜を陽極と
して、この導電膜と陰極との間に電圧を印加することに
よって行なわれており、このように電解液中において導
電膜と陰極との間に電圧を印加すると、陽極である導電
膜が化成反応を起してその表面から陽極酸化されて行
き、この導電膜の表面に酸化膜が生成する。

【0008】この陽極酸化は、導電膜の酸化を防止すべ
非酸化部分(ゲート配線の端子部)をレジストマスク
で覆っておいて行われており、このようにすれば、導電
膜のレジストマスクで覆われている部分は電解液に触れ
ないために、この部分は化成反応を起さないから、導電
膜をその非酸化部分を除いて陽極酸化することができ
る。

【0009】上記レジストマスクは、基板上に導電膜を
形成した後にその上に形成されており、導電膜とその非
酸化部分を覆うレジストマスクとを形成した基板は、キ
ャリヤラックまたはコンベア等によって陽極酸化装置に
送られ、この陽極酸化装置によって導電膜を陽極酸化さ
れている。

【0010】上記陽極酸化装置は、従来、槽内に電解液
を満たすとともにこの電解液中に陰極を設けた電解液槽
と、前段の処理ライン(基板上に導電膜を形成するとと
もにこの導電膜の非酸化部分の上にレジストマスクを形
成する処理ライン)から送られてくる基板を前記電解液
槽に搬入するとともにこの電解液槽において導電膜を陽
極酸化された酸化済み基板を搬出する基板搬送系とで構
成されており、前段の処理ラインから送られてきた基板
は、即座に電解液槽に搬入されて導電膜を陽極酸化され
ている。

【0011】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
陽極酸化装置は、前段の処理ラインから送られてきた基
板を即座に電解液槽に搬入して導電膜の陽極酸化を行な
うものであるため、基板を電解液中に浸漬して導電膜を
陽極酸化している最中に導電膜の非酸化部分を覆ってい
るレジストマスクが剥離し、導電膜の非酸化部分も酸化
されてしまうことがあるという問題をもっていた。

【0012】本発明は、基板上に導電膜の非酸化部分を
覆って形成されているレジストマスクが陽極酸化中に剥
離してしまうのを防いで、導電膜の非酸化部が酸化され
てしまうを確実に防止することができる陽極酸化装置を
提供することを目的としたものである。

【0013】

【課題を解決するための手段】本発明の陽極酸化装置
は、前記電解液が満され 陽極酸化される導電膜とこの導
電膜の非酸化部分を覆うレジストマスクとが形成された
基板を前記電解液に浸漬して前記基板上の前記レジスト
マスクに覆われた非酸化部分を除く前記導電膜を陽極酸
化するための電解液槽と 前記基板を前記電解液槽に浸
漬し 陽極酸化が終了した基板を搬出する基板搬送手段
とを有する陽極酸化室と 前記基板搬送手段による基板
の搬送経路の直前に配置され 前記基板の前記導電膜上
に形成されたレジストマスクをその焼成温度に加熱する
ためのヒータと 前記ヒータによる加熱処理が終了した
前記基板を前記陽極酸化室の前記基板搬送手段に搬出す
る手段とを有する基板搬入室とを備えたことを特徴とす
るものである。

【0014】

【作用】すなわち、本発明の陽極酸化装置は、基板を電
解液槽に搬入する直前に前記基板を加熱することによ
り、基板上に導電膜の非酸化部分を覆って形成されてい
るレジストマスクを焼成してから、この基板を電解液槽
に搬入して導電膜の陽極酸化を行なうものであり、この
ように導電膜の陽極酸化を行なう直前にレジストマスク
を焼成してやれば、導電膜に対するレジストマスクの密
着力が高くなるため、このレジストマスクが陽極酸化中
に剥離してしまうことはなくなる。

【0015】

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して説
明する。図1は陽極酸化装置の側面図であり、この陽極
酸化装置は、基板搬入室10と、陽極酸化室20と、洗
浄室30と、乾燥室40とを連続的に配置して構成され
ている。

【0016】上記基板搬入室10は、前段の処理ライン
から搬送されてくる基板(導電膜を形成するとともにこ
の導電膜の非酸化部分の上にレジストマスクを形成した
基板)1を1枚ずつ陽極酸化室20に搬入する室であ
り、この基板搬入室10内には、基板1上の前記レジス
トマスクを焼成するための第1および第2の基板加熱ヒ
ータ(基板1とほぼ同じ面積をもつパネル状ヒータ)1
1,12と、放熱台13とが配置されている。

【0017】図2は基板搬入室10内に配置されたヒー
タ11,12および放熱台13の拡大図であり、前段の
処理ラインからキャリヤラックに移されて搬送される
か、あるいは前段の処理ラインラインからコンベアによ
って搬送されてくる基板1は、図示しないロボットアー
ムにより1枚ずつ取出され、導電膜形成面を上に向けた
状態で第1ヒータ11の上に水平に載せられる。

【0018】この第1ヒータ11は、基板1をレジスト
マスク焼成温度(約150℃)近くまで加熱する予熱ヒ
ータであり、基板1は、第1ヒータ11の上面に突設し
た基板支持ピン11aの上に載せられ、ヒータ11から
の輻射熱によりゆっくりと加熱される。

【0019】また、第1ヒータ11によりレジストマス
ク焼成温度近くまで予熱された基板1は、上記ロボット
アームによって第2ヒータ12の上に移され、レジスト
マスク焼成温度に加熱される。この第2ヒータ12は、
基板1を直接加熱するヒータであり、この第2ヒータ1
2により基板1をレジストマスク焼成温度に加熱する
と、基板1上に導電膜2の非酸化部分を覆って形成され
ているレジストマスク3(図7および図9参照)が焼成
され、このレジストマスク3の基板1および導電膜2に
対する密着力が高くなる。

【0020】そして、レジストマスク3を焼成された基
板1は、上記ロボットアームによって第2ヒータ12か
ら放熱台13の上に移され、この放熱台13上において
室温近くまで自然放熱により徐冷された後、前記ロボッ
トアームによって陽極酸化室20に搬入される。

【0021】なお、上記基板搬入室10において、第1
ヒータ11による基板1の加熱を輻射熱によってゆっく
りと行ない、また第2ヒータ12によってレジストマス
ク3を焼成された基板1を放熱台13上において徐冷し
てから陽極酸化室20に搬入しているのは、基板1を急
激に加熱したり、レジストマスク焼成温度に加熱した基
板1を即座に陽極酸化室20に搬入して電解液に浸漬す
ると、ガラス等からなる基板1に熱歪みが生じて、基板
1に変形や割れが発生するためである。

【0022】この陽極酸化室20には、図1に示すよう
に、電解液槽21と、上記基板搬入室10からロボット
アームにより1枚ずつ搬入されてくる基板1を受け取っ
てこの基板1を水平状態から垂直に立て起こす基板立上
げ機構26と、この基板立上げ機構26によって立て起
こされた基板1の上端部を保持してこの基板1を電解液
槽21に搬入搬出する基板搬送機構27と、電解液槽2
1から搬出された酸化済み基板1を前記基板搬送機構2
7から受け取ってこの基板1を再び水平状態に寝かせる
基板倒伏機構29とが設けられている。

【0023】上記電解液槽21は、図5および図6に示
すように、上面が開放する槽内に電解液22を満たすと
ともに、この電解液22中に白金等の耐蝕性金属からな
る陰極23を垂直に浸漬させて設けたもので、前記陰極
23は、基板1の浸漬位置に対向させて配置され、酸化
電源(直流電源)24の−側に接続されている。

【0024】また、この電解液槽21の一側壁の上端部
には、図5に示すように、電解液22中に浸漬された基
板1上の導電膜2に酸化電圧(+電圧)を供給する給電
器25が設けられている。この給電器25は、基板1の
上端部を側方から自動的に挾持する導電性クリップ25
aを進退可能に設けたもので、この導電性クリップ25
aは上記酸化電源24の+側に接続されている。

【0025】そして、基板1上に形成されている導電膜
2の陽極酸化は、基板搬送機構27により基板1を1枚
ずつ電解液槽21に搬入搬出して行なわれる。

【0026】この陽極酸化について説明すると、上記基
板1は、その導電膜形成面が電解液槽21内の陰極23
に対向する姿勢で基板搬送機構27により電解液槽21
に搬入され、その上端部を除いて電解液22中に浸漬さ
れて、導電膜2を陽極酸化される。

【0027】なお、この基板1は、例えばTFTアクテ
ィブマトリックス液晶表示素子に用いられるTFTパネ
ルの基板(ガラス等からなる透明基板)であり、その上
に形成された導電膜2はゲート配線およびゲート電極で
ある。

【0028】すなわち、図7および図8は上記基板1の
一端部の拡大図であり、この基板1上には、Al 系合金
等の金属膜からなる複数のゲート配線GLとこのゲート
配線GLに一体に形成されたゲート電極Gとが形成され
るとともに、ゲート配線GLの端子部GLaを覆うレジ
ストマスク3が形成されている。また、この基板1上の
周縁部(TFTパネルの完成後または液晶表示素子の組
立て後に分離される部分)には、その全周にわたって、
各ゲート配線GLに電圧を供給するための給電路VLが
形成されている。なお、この給電路VLは、ゲート配線
GLおよびゲート電極Gと同じ金属膜で形成されてい
る。

【0029】そして、上記ゲート配線GLおよびゲート
配線Gの陽極酸化は、電解液22中に浸漬した基板1の
上端部を給電器25の導電性クリップ25aで挾持して
上記給電路VLを酸化電源24の+側に接続し、この給
電路VLから全てのゲート配線GLおよびゲート電極G
に酸化電圧(+電圧)を供給して行なわれる。

【0030】このように電解液22中において基板1上
の導電膜2(ゲート配線GLおよびゲート電極Gゲート
配線GL)に酸化電圧を供給すると、この導電膜2の電
解液22中に浸漬された部分がレジストマスク3で覆わ
れている非酸化部(ゲート配線GLの端子部GLa)を
除いてその表面から陽極酸化されて行き、その表面に酸
化膜が生成する。

【0031】この場合、導電膜2の非酸化部を覆ってい
るレジストマスク3は、基板1を陽極酸化室20に搬入
する直前に基板搬入室10において焼成されているた
め、このレジストマスク3が陽極酸化中に剥離してしま
うことはない。

【0032】すなわち、上記レジストマスク3は、前段
の処理ラインにおいて、基板1上にフォトレジストを塗
布して焼成し、このフォトレジストを露光および現像処
理して形成されるが、このレジストマスク3は、その焼
成後に現像液にさらされたものであるため、基板1およ
び導電膜2に対する密着力が時間の経過にともなって低
下し、基板1を電解液22中に浸漬して導電膜2を陽極
酸化している最中に剥離してしまうことがある。

【0033】そして、レジストマスク3が陽極酸化中に
剥離すると、導電膜2の非酸化部も電解液22に触れて
化成反応を起こすため、この非酸化部にも酸化膜が生成
してしまう。

【0034】しかし、上記のように、前段の処理ライン
において基板1上に形成されたレジストマスク3を導電
膜2の陽極酸化を行なう直前に再び焼成すれば、基板1
および導電膜2に対するレジストマスク3の密着力が高
くなるため、このレジストマスク3が陽極酸化中に剥離
してしまうことはなく、したがって、導電膜2の非酸化
部をレジストマスク3で確実に保護して、この非酸化部
の酸化を防止することができる。

【0035】図9は図7のIX−IX線に沿う陽極酸化後の
状態の拡大断面図であり、2aは導電膜2(ゲート配線
GLおよびゲート電極G)の表面に生成した酸化膜であ
る。なお、この酸化膜2aの生成厚さは、導電膜3と陰
極23との間に印加する電圧の強さによって決まるた
め、印加電圧を制御すれば任意の厚さの酸化膜2aを得
ることができる。

【0036】一方、上記基板立上げ機構26は、図3に
示すように、基端を回動軸26aに支持されて垂直に立
ち上がる状態と基板搬入室10の方向に水平に倒伏する
状態とに回動される基板支持プレート26bからなって
おり、基板搬入室10からロボットアームにより1枚ず
つ搬入されてくる基板1は、前もって倒伏回動されてい
る基板支持プレート26bの上に前記ロボットアームに
よって載せられ、この後、基板支持プレート26bを立
ち上がり回動させることによって、導電膜形成面が電解
液槽21側に向いた姿勢で垂直に立て起こされる。な
お、基板支持プレート26bは、その上に載せらた基板
1を真空吸着して回動するようになっており、したがっ
て、基板支持プレート26bを立ち上がり回動させたと
きに基板1が落下することはない。

【0037】また、上記基板搬送機構27は、図3に示
すように、図示しない移動機構によって上下方向におよ
び横方向に移動される基板搬送治具28からなってお
り、この基板搬送治具28には、垂直に立て起こされた
基板1の上端部をつかみ保持する基板ホルダ28aが垂
直軸を中心として回転可能に設けられている。

【0038】この基板搬送機構27による基板1の搬送
について説明すると、上記基板搬送治具28は、まず基
板立上げ機構26によって垂直に立て起こされた基板1
の上方に下降し、この基板1の上端部を基板ホルダ28
でつかみ保持して上昇した後、図3および図4に示す
ように基板ホルダ28aを90°回転させて、この基板
ホルダ28aに保持した基板1を、その搬送方向(基板
搬送治具28の横移動方向)に対して基板面が平行にな
る姿勢に回動させる。

【0039】この後、基板搬送治具28は、基板立上げ
機構26の上方位置から電解液槽21の上方に向かって
横移動し、基板1を電解液槽21の上方に搬送する。こ
の場合、基板1はその搬送方向に対して基板面が平行に
なっている姿勢で搬送されるため、基板1が空気抵抗に
よって反り変形することはないから、基板1を高速で搬
送することができる。

【0040】そして、電解液槽21の上方に移動した基
板搬送治具28は、電解液槽21に向かって下降して、
図5および図6に示すように基板1を電解液槽21内の
電解液22中に浸漬し、基板1上の導電膜2の陽極酸化
が終了するまでこの状態で待機する。

【0041】なお、電解液槽21内の陰極23は、基板
浸漬位置から所定距離だけ離間させて基板搬送方向と平
行に配置されており、したがって、電解液槽21の上方
に搬送した基板1をそのまま下降させて電解液22中に
浸漬すれば、基板1上の導電膜2を前記陰極23に対向
させて上述した陽極酸化を行なうことができる。いで電
解液槽21の上方位置から基板倒伏機構29の上方に向
かって横移動して、基板1を基板倒伏機構29の上方に
搬送する。この場合も、基板1はその搬送方向に対して
基板面が平行になっている姿勢で搬送されるため、基板
1を高速で搬送することができる。

【0042】そして、基板倒伏機構29の上方に移動し
た基板搬送治具28は、この位置において図11に示す
ように基板ホルダ28aを90°回転させ、基板1を搬
送方向の姿勢に対して直交する姿勢に回動させる。この
ときの基板ホルダ28aの回転方向は、図3および図4
に示した基板立上げ機構26の上方での基板ホルダ回転
方向と同じ方向であり、したがって、基板1は、基板立
上げ機構26によって立て起こされたときの姿勢に対し
て、導電膜形成面が反対向きとなった姿勢(導電膜形成
面が電解液槽21側に向いた姿勢)になる。

【0043】この後、基板搬送治具28は、基板倒伏機
構29に向かって下降して、基板ホルダ28aに保持し
ている基板1を基板倒伏機構29に受け取らせ、その
後、図1に矢線で示したように基板立上げ機構26の上
方に移動して、次の基板1を同様にして搬送する。

【0044】上記基板倒伏機構29は、図11に示すよ
うに、基端を回動軸29aに支持されて垂直に立ち上が
る状態と洗浄室30の方向に水平に倒伏する状態とに回
動される基板支持プレート29bからなっている。

【0045】この基板倒伏機構29は、上記基板搬送治
具28により垂直に立てた状態で搬送されてくる基板1
を水平に寝かせて洗浄室30に送るもので、上記基板支
持プレート29bは、基板搬送治具28により基板倒伏
機構29の上方に搬送された基板1の下降を待って立ち
上がり回動し、前記基板1の裏面(導電膜形成面に対し
て反対側の面)に接面して基板1を真空吸着する。な
お、基板搬送治具28は、基板1が基板支持プレート2
9bに吸着された後に基板ホルダ28aを開いて基板1
を放す。

【0046】そして、基板1を吸着した基板支持プレー
ト29bは、洗浄室30の方向に水平に倒伏回動して基
板1を水平に寝かせ、この基板1を、洗浄室30および
乾燥室40を通して設置されている基板搬送コンベア
(例えばローラコンベア)50の上に載せる。

【0047】この場合、基板1は、その導電膜形成面が
電解液槽21側に向いた姿勢で基板支持プレート29b
に吸着され、この基板支持プレート29bの洗浄室30
方向への倒伏回動によって水平に寝かされるため、この
基板1は、導電膜形成面を上にした状態で上記基板搬出
コンベア50に載せられる。

【0048】次に、洗浄室30および乾燥室40につい
て説明すると、洗浄室30内の上部には、複数の洗浄水
散布ノズル31が配設されており、また乾燥室40内の
上部にはエアドライヤ41が設けられている。

【0049】そして、基板搬送コンベア50の上に導電
膜形成面を上にした状態で載せられて順次搬送されてく
る酸化済み基板1は、洗浄室30内を通過しながら上記
ノズル31から散布される洗浄水(純水)で洗浄され、
次いで乾燥室40内を通過しながら上記エアドライヤ4
1から吹き付けられる乾燥空気により乾燥される。

【0050】なお、乾燥室40を出た基板1は、基板搬
送コンベア50からロボットアームによりキャリヤラッ
クに移されて次の処理ラインに送られるか、あるいは、
前記基板搬送コンベア50から連絡コンベアに移されて
次の処理ラインに送られる。

【0051】すなわち、上記陽極酸化装置は、基板1を
陽極酸化室20に搬入する基板搬入室10に基板加熱ヒ
ータ11,12を設けておき、前段の処理ラインから送
られてきた基板1を電解液槽21に搬入する前に前記ヒ
ータ11,12によって基板1を加熱することにより、
この基板1上に導電膜2の非酸化部分を覆って形成され
ているレジストマスク3を焼成してから、この基板1を
陽極酸化室20の電解液槽に搬入して導電膜2の陽極酸
化を行なうものであり、このように、導電膜2の陽極酸
化を行なう直前にレジストマスク3を焼成してやれば、
導電膜2に対するレジストマスク3の密着力が高くなる
ため、このレジストマスク3が陽極酸化中に剥離してし
まうことはないから、導電膜2の非酸化部が酸化されて
しまうのを確実に防止することができる。

【0052】なお、上記実施例では、TFTアクティブ
マトリックス液晶表示素子に用いられるTFTパネルの
基板上に形成されたゲート配線GLおよびゲート電極G
の酸化処理について説明したが、上記陽極酸化装置は、
他の導電膜の陽極酸化にも利用することができる。

【0053】その例としては、各種配線パネルの製造に
おいて、絶縁性基板の上に成膜した導電性金属膜をフォ
トリソグラフィ法によりパターニングする代わりに、前
記金属膜の配線となる部分をレジストマスクで覆ってお
いてこの金属膜をその全厚にわたって陽極酸化し、その
非酸化部分を配線とする場合等が考えられる。

【0054】

【発明の効果】本発明の陽極酸化装置は、導電膜を形成
するとともにこの導電膜の非酸化部分をレジストマスク
で覆った基板を前記電解液槽に搬入する基板搬送経路
に、前記基板を前記レジストマスクの焼成温度に加熱す
るヒータを設けたものであるから、基板上に導電膜の非
酸化部分を覆って形成されているレジストマスクが陽極
酸化中に剥離してしまうのを防いで、導電膜の非酸化部
が酸化されてしまうを確実に防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の一実施例を示す陽極酸化装置の全体構
成図。

【図2】陽極酸化装置の基板搬入室に設けられた基板加
熱ヒータおよび放熱台の拡大図。

【図3】陽極酸化装置の陽極酸化室における搬入基板の
搬送動作を示す図。

【図4】図3のIV−IV線に沿う断面図。

【図5】陽極酸化室に設けられた電解液槽の拡大図。

【図6】図5のVI−VI線に沿う断面図。

【図7】導電膜を形成した基板の一端部の拡大図。

【図8】図7に示した基板の側面図

【図9】図7のIX−IX線に沿う導電膜を陽極酸化した後
の状態の拡大断面図。

【図10】酸化済み基板を電解液槽から引き上げた状態
を示す図。

【図11】陽極酸化室における酸化済み基板の搬出動作
を示す図。

【符号の説明】

1…基板 2…導電膜 GL…ゲート配線 G…ゲート電極 VL…給電路 3…レジストマスク 10…基板搬入室 11,12…基板加熱ヒータ 13…放熱台 20…陽極酸化室 21…電解液槽 22…電解液 23…陰極 25…給電器25 26…基板立上げ機構 27…基板搬送機構 28…基板搬送治具 29…基板倒伏機構 30…洗浄室 31…洗浄水散布ノズル 40…乾燥室 41…エアドライヤ 50…基板搬送コンベア

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 11/00 - 11/34 C25D 5/00 - 7/12 H01L 21/316

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板上に形成した導電膜を電解液中におい
    て陽極酸化する装置であって、前記電解液が満され 陽極
    酸化される導電膜とこの導電膜の非酸化部分を覆うレジ
    ストマスクとが形成された基板を前記電解液に浸漬して
    前記基板上の前記レジストマスクに覆われた非酸化部分
    を除く前記導電膜を陽極酸化するための電解液槽と
    記基板を前記電解液槽に浸漬し 陽極酸化が終了した基
    板を搬出する基板搬送手段とを有する陽極酸化室と 前記基板搬送手段による基板の搬送経路の直前に配置さ
    前記基板の前記導電膜上に形成されたレジストマス
    クをその焼成温度に加熱するためのヒータと 前記ヒー
    タによる加熱処理が終了した前記基板を前記陽極酸化室
    の前記基板搬送手段に搬出する手段とを有する基板搬入
    室とを備えた ことを特徴とする導電膜の陽極酸化装置。
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