JP3259645B2 - Acceleration sensor and method of manufacturing the same - Google Patents

Acceleration sensor and method of manufacturing the same

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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、加速度を検出し電
気的信号として出力する加速度センサ及びその製造方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an acceleration sensor for detecting acceleration and outputting it as an electric signal, and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のエアバッグ用等に応用されている
半導体ピエゾ抵抗型加速度センサは、加速度センサーチ
ップの出力信号のオフセット電圧、オフセット温度特
性、感度温度特性等の信号補償を行う回路基板に実装さ
れ、トリミング等によって信号補償をしたセンサーモジ
ュールとしての商品形態がほとんどである。しかし、低
価格品は加速度センサーチップ単体で商品とするケース
がある。
2. Description of the Related Art A conventional semiconductor piezoresistive acceleration sensor applied to an air bag or the like is provided on a circuit board for compensating signals such as offset voltage, offset temperature characteristic, and sensitivity temperature characteristic of an output signal of an acceleration sensor chip. In most cases, the product is implemented as a sensor module that is mounted and compensated for signals by trimming or the like. However, there are cases where low-priced products are made into products using only the acceleration sensor chip.

【0003】図30の断面図に基づいて半導体ピエゾ抵
抗型加速度センサの一例について説明する。(a)は断
面図、(b)は加速度が印加された状態を示す断面図、
(c)は斜視図である。半導体ピエゾ抵抗型加速度セン
サは、マイクロマシン技術を応用して単結晶シリコン基
板1に、マス1a(重り)とビーム1b(梁)を形成
し、ビーム1bの部分には、応力が加わるとその抵抗値
が変化するピエゾ抵抗2を形成する。(b)に示すよう
に、このような構造の加速度センサーチップに下向きの
加速度がかかると、マス1aの慣性力により、マス1a
は下方に移動しビーム1bが撓む。この時のビーム1b
の歪みがピエゾ抵抗2の抵抗値を変化させるので圧力に
応じた電気信号を取り出すことができる。また、図で、
3はガラスまたはシリコンで構成され、単結晶シリコン
基板1を支持し、マス1aの下限位置を制限する下部ス
トッパー、4はマス1a及びビーム1bの上面を覆い、
マス1aの上限位置を制限する上部ストッパーである。
An example of a semiconductor piezoresistive acceleration sensor will be described with reference to the sectional view of FIG. (A) is a sectional view, (b) is a sectional view showing a state where acceleration is applied,
(C) is a perspective view. The semiconductor piezoresistive acceleration sensor forms a mass 1a (weight) and a beam 1b (beam) on a single-crystal silicon substrate 1 by applying micromachining technology, and the resistance of the beam 1b when a stress is applied thereto. Form a piezoresistor 2 that changes. As shown in (b), when a downward acceleration is applied to the acceleration sensor chip having such a structure, the inertia of the mass 1a causes the mass 1a.
Moves downward, and the beam 1b is bent. Beam 1b at this time
This changes the resistance value of the piezoresistor 2, so that an electric signal corresponding to the pressure can be taken out. Also in the figure,
Reference numeral 3 denotes a lower stopper which is made of glass or silicon, supports the single crystal silicon substrate 1, and limits a lower limit position of the mass 1a, and covers upper surfaces of the mass 1a and the beam 1b.
It is an upper stopper that limits the upper limit position of the mass 1a.

【0004】図30に示す半導体ピエゾ抵抗型加速度セ
ンサの、マス1a及びビーム1bの配置、ビーム1bの
厚さ等は、各社ノウハウを持っているが、片側ビーム
(片持ち梁)構造の加速度センサは、図31(a)に示
すように、他軸(横)感度の低減のため、マス1aの重
心1cとピエゾ抵抗2を同一の水平面上に位置させなけ
ればならない。これまで、この片持ち梁構造の半導体加
速度センサは、商品の構造としては、加速度センサーチ
ップを傾斜させていない状態で販売されており、商品の
カタログ等に注意書きとして、図31(b)に示すよう
に、加速度センサ(加速度センサーチップ)を傾斜させ
て取付けを行うことが必要である旨記載されていた。
The arrangement of the mass 1a and the beam 1b, the thickness of the beam 1b, etc. of the semiconductor piezoresistive acceleration sensor shown in FIG. As shown in FIG. 31A, the center of gravity 1c of the mass 1a and the piezoresistor 2 must be located on the same horizontal plane in order to reduce the sensitivity of the other axis (lateral). Until now, this cantilever type semiconductor acceleration sensor has been sold as a product structure without accelerating the acceleration sensor chip. As a cautionary note in a product catalog or the like, FIG. As shown, it is described that it is necessary to mount the acceleration sensor (acceleration sensor chip) by inclining it.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように加速度セン
サーチップを傾斜させない状態で商品化した場合、出荷
状態で商品性能を保証することができず、誤動作を招く
可能性があった。
When the acceleration sensor chip is commercialized without being tilted as described above, the performance of the product cannot be guaranteed in a shipping state, and a malfunction may occur.

【0006】本発明は、上記の点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、信頼性を向上し他軸
感度などの商品性能を出荷時点で保証することができる
加速度センサ及びその製造方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an acceleration sensor and an acceleration sensor capable of improving reliability and guaranteeing product performance such as sensitivity to other axes at the time of shipment. It is to provide a manufacturing method thereof.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】請求項1記載の加速度セ
ンサは、半導体エッチング技術によって片持ち梁構造の
マス及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が
形成された加速度センサーチップ及びリードフレームを
有してなるピエゾ抵抗型の加速度センサであって、実装
された状態で、前記ピエゾ抵抗と前記マスの重心が略同
一の水平面上に位置するように、前記加速度センサーチ
ップを実装される基板に対して傾斜させる傾斜手段を具
備しており、前記傾斜手段を、前記リードフレームへの
加速度センサーチップの装着箇所に傾斜を付けることに
より構成させたことを特徴とするものである。
According to the first aspect of the present invention, an acceleration sensor chip and a lead frame in which a mass and a beam having a cantilever structure are formed by a semiconductor etching technique and a piezoresistor is formed in the beam are provided. A piezoresistive acceleration sensor comprising a piezoresistor and an acceleration sensor chip mounted on a substrate on which the acceleration sensor chip is mounted so that the center of gravity of the piezoresistor and the mass are located on substantially the same horizontal plane. Tilting means for tilting the lead frame with respect to the lead frame.
To incline the mounting location of the acceleration sensor chip
It is characterized in that it is constituted more .

【0008】請求項2記載の加速度センサは、半導体エ
ッチング技術によって片持ち梁構造のマス及びビームが
形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成された加速度
センサーチップと、リードフレームと、加速度センサー
チップ及びリードフレームを実装するプリモールドパッ
ケージとを備えてなるピエゾ抵抗型の加速度センサであ
って、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵抗と前記
マスの重心が略同一の水平面上に位置するように、実装
される基板に対して前記加速度センサーチップを傾斜さ
せる傾斜手段を具備しており、前記傾斜手段を、前記プ
リモールドパッケージの基板実装面及び加速度センサー
チップのプリモールドパッケージへの実装面の形状によ
り構成させたことを特徴とするものである。
[0008] The acceleration sensor according to the second aspect is a semiconductor device.
The mass and beam of the cantilever structure are
Acceleration formed and piezoresistive formed in the beam
Sensor chip, lead frame, and acceleration sensor
Pre-mold package for mounting chip and lead frame
A piezoresistive acceleration sensor with a cage
Thus, while mounted on a substrate, the piezoresistor and the
Mount so that the center of mass of the mass is located on almost the same horizontal plane
Tilt the acceleration sensor chip with respect to the substrate
Tilt means for tilting, the tilt means being
Board mounting surface of remold package and acceleration sensor
Depending on the shape of the mounting surface of the chip in the pre-mold package
It is characterized by having been constituted .

【0009】[0009]

【0010】[0010]

【0011】請求項記載の加速度センサは、請求項
記載の加速度センサにおいて、前記加速度センサーチッ
プを実装する面の下方の、前記プリモールドパッケージ
の外郭の面が、前記加速度センサーチップを実装する面
と所定間隔を隔てて略平行となるように構成されている
ことを特徴とするものである。
The acceleration sensor according to the third aspect is the second aspect.
The acceleration sensor according to claim 1, wherein an outer surface of the premold package below a surface on which the acceleration sensor chip is mounted is configured to be substantially parallel to a surface on which the acceleration sensor chip is mounted at a predetermined interval. It is characterized by having.

【0012】請求項記載の加速度センサは、請求項
又は請求項記載の加速度センサにおいて、前記プリモ
ールドパッケージの所定のリードに段差形状またはスタ
ンドオフ形状を設け、該段差形状またはスタンドオフ形
状により、プリモールドパッケージの基板実装面の形状
を構成したことを特徴とするものである。
The acceleration sensor according to the fourth aspect is the second aspect.
4. The acceleration sensor according to claim 3 , wherein a step shape or a stand-off shape is provided on a predetermined lead of the pre-mold package, and the shape of the substrate mounting surface of the pre-mold package is configured by the step shape or the stand-off shape. It is characterized by the following.

【0013】請求項記載の加速度センサは、半導体エ
ッチング技術によって片持ち梁構造のマス及びビームが
形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成された加速度
センサーチップと、リードフレームと、前記加速度セン
サーチップを実装するプリント基板と、前記加速度セン
サーチップが実装された前記プリント基板をその内部に
封止する封止枠とを備えてなるピエゾ抵抗型の加速度セ
ンサであって、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵
抗と前記マスの重心が略同一の水平面上に位置するよう
に、実装される基板に対して前記加速度センサーチップ
を傾斜させる傾斜手段を具備しており、前記傾斜手段
を、前記封止枠の前記プリント基板の取り付け位置によ
り構成させたことを特徴とするものである。
[0013] The acceleration sensor of claim 5, wherein a semiconductor et
The mass and beam of the cantilever structure are
Acceleration formed and piezoresistive formed in the beam
A sensor chip, a lead frame, and the acceleration sensor.
A printed circuit board on which a circuit chip is mounted;
The printed circuit board on which the chip is mounted
A piezoresistive acceleration sensor having a sealing frame for sealing.
Sensor mounted on a board, the piezo resistor
The center of gravity of the mass and the mass are located on substantially the same horizontal plane
The acceleration sensor chip is mounted on a substrate to be mounted.
And a tilting means for tilting the printed circuit board, wherein the tilting means is constituted by a mounting position of the printed circuit board on the sealing frame.

【0014】請求項記載の加速度センサは、半導体エ
ッチング技術によって片持ち梁構造のマス及びビームが
形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成された加速度
センサーチップと、リードフレームと、前記加速度セン
サーチップを内部に実装し、筐体を兼ねる三次元成型部
品とを備えてなるピエゾ抵抗型の加速度センサであっ
て、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵抗と前記マ
スの重心が略同一の水平面上に位置するように、実装さ
れる基板に対して前記加速度センサーチップを傾斜させ
る傾斜手段を具備しており、前記傾斜手段を、前記三次
元成型部品の基板実装面及び加速度センサーチップの三
次元成型部品への実装面の形状により構成させたことを
特徴とするものである。
[0014] The acceleration sensor of claim 6, wherein a semiconductor et
The mass and beam of the cantilever structure are
Acceleration formed and piezoresistive formed in the beam
A sensor chip, a lead frame, and the acceleration sensor.
A three-dimensional molded part that has a chip mounted inside and also serves as a housing
Piezoresistive acceleration sensor
And the piezoresistor and the
Mounted so that the center of gravity of the
Tilt the acceleration sensor chip with respect to the substrate to be
And comprising a tilting means that, the tilting means, is characterized in that is constituted by the shape of the mounting surface of the three-dimensional molded part of the three-dimensional molded parts of the substrate mounting surface and the acceleration sensor chip .

【0015】請求項記載の加速度センサは、請求項
乃至請求項4のいずれか1項に記載の加速度センサにお
いて、前記プリモールドパッケージに、前記加速度セン
チップと、該加速度センサチップが実装される基
板との平行度を高めるための、前記基板に当接させる突
起が複数形成されていることを特徴とするものである。
According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the acceleration sensor according to the second aspect.
Or in the acceleration sensor according to any one of claims 4, wherein the pre-molded package, increasing said accelerometer <br/> support over the chip, the parallelism between substrate acceleration Sensor chip is mounted A plurality of projections for making contact with the substrate are formed.

【0016】請求項記載の加速度センサは、請求項
記載の加速度センサにおいて、前記突起を、前記加速度
センサチップを保護するために、加速度センサーチッ
プが実装された凹部の開口を塞ぐ蓋の位置出しのための
形状としたことを特徴とするものである。
[0016] The acceleration sensor according to the eighth aspect is the seventh aspect.
In the acceleration sensor according, characterized in that the projection, in order to protect the acceleration <br/> Sensor chips were shaped for positioning of the lid for closing the opening of the recess accelerometer chip is mounted It is assumed that.

【0017】請求項記載の加速度センサは、請求項
乃至請求項4のいずれか1項に記載の加速度センサにお
いて、前記プリモールドパッケージの加速度センサーチ
ップが実装された凹部の開口を塞ぐ蓋に、前記加速度セ
ンサチップと、該加速度センサチップが実装される
基板との平行度を高めるための、前記基板に当接させる
突起が複数形成されていることを特徴とするものであ
る。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided the acceleration sensor according to the second aspect.
Or in the acceleration sensor according to any one of claims 4, the lid for closing the opening of the recess acceleration sensor chip is mounted in the pre-molded package, and the acceleration cell <br/> capacitors over the chip, the acceleration to enhance the parallelism between the substrate sensor chip is mounted, the protrusion is brought into contact with the substrate and is characterized in that formed in plural.

【0018】請求項10記載の加速度センサは、請求項
乃至請求項9のいずれか1項に記載の加速度センサに
おいて、前記リードフレームのセカンドパッドが、前記
加速度センサーチップの、ボンディングワイヤーが接続
される面と略同一面内に配置されていることを特徴とす
るものである。
[0018] The acceleration sensor according to the tenth aspect is the invention.
In the acceleration sensor according to any one of 1 to claim 9, the second pad of the lead frame, the acceleration sensor chip, the bonding wires are disposed on a surface substantially the same plane to be connected It is a feature.

【0019】請求項11記載の加速度センサの製造方法
は、半導体エッチング技術によって片持ち梁構造のマス
及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成
された加速度センサーチップ及びリードフレームを有し
てなるピエゾ抵抗型の加速度センサの製造方法であっ
て、トランスファ成型金型の、少なくとも一方の金型に
形成した突起を、リードフレームの、傾斜させる所定箇
所に当接させて、リードフレームの所定箇所に傾斜をつ
けた状態で樹脂成型することを特徴とするものである。
A method of manufacturing an acceleration sensor according to an eleventh aspect includes an acceleration sensor chip and a lead frame in which a mass and a beam having a cantilever structure are formed by a semiconductor etching technique, and a piezoresistor is formed in the beam. A method for manufacturing a piezoresistive acceleration sensor, comprising: contacting a projection formed on at least one mold of a transfer molding mold with a predetermined portion of a lead frame to be inclined; It is characterized in that the resin is molded in a state where it is inclined.

【0020】請求項12記載の加速度センサの製造方法
は、請求項2乃至請求項4および請 求項7乃至請求項9
のいずれか1項に記載の加速度センサの製造方法におい
て、半導体エッチング技術によって片持ち梁構造のマス
及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成
された加速度センサーチップ及びリードフレームを有し
てなるピエゾ抵抗型の加速度センサの製造方法であっ
て、プリモールドパッケージの前記加速度センサーチッ
プを実装する面の下方の外郭の面に加熱ヒーターを当接
させて、前記加速度センサーチップとリードフレームの
セカンドパッドとを電気的に接続するためのワイヤボン
ディング工程を行うことを特徴とするものである。
The method for producing an acceleration sensor according to claim 12, the second to fourth aspects and請 Motomeko 7 through claim 9
In the method for manufacturing an acceleration sensor according to any one of the above,
A method of manufacturing a piezoresistive acceleration sensor, comprising: a lead frame and an acceleration sensor chip in which a cantilever structure mass and a beam are formed by a semiconductor etching technique and a piezoresistor is formed on the beam. A wire bonding step for electrically connecting the acceleration sensor chip to a second pad of a lead frame by bringing a heater into contact with an outer surface of the pre-mold package below the surface on which the acceleration sensor chip is mounted; Is performed.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】図1に基づいて本発明の加速度セ
ンサの一実施形態について説明する。但し、加速度セン
サーチップの構造は、図31に示した構造として説明す
る。図で、5は、半導体エッチング技術によって片持ち
梁構造のマス1a及びビーム1bが形成され、ビーム1
bにピエゾ抵抗2が形成された加速度センサーチップ、
6は加速度センサーチップ5を実装するリードフレー
ム、7はリードフレーム6のセカンドパッド側リードで
あり、加速度センサーチップ5と接続される。8は加速
度センサーチップ5とセカンドパッド側リード7とを接
続するボンディングワイヤー、9は加速度センサーチッ
プ5を封止する樹脂部であり、筐体を兼ねる。図に示す
ように、リードフレーム6の、加速度センサーチップ5
がダイボンドされた部分は、ピエゾ抵抗2とマス1aの
重心1cが略同一の水平面上に位置するように、下方に
曲げられ傾斜がつけられている。樹脂部9の基板実装面
9aは、リードフレーム6のフレーム面と略平行に形成
されているので、樹脂部9の基板実装面9aを基板に当
接させて、加速度センサを実装することによって、加速
度センサーチップ5を、ピエゾ抵抗2とマス1aの重心
1cが略同一の水平面上に位置するように実装すること
ができる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. However, the structure of the acceleration sensor chip will be described as the structure shown in FIG. In FIG. 5, reference numeral 5 denotes a beam 1b and a beam 1b having a cantilever structure formed by a semiconductor etching technique.
b, an acceleration sensor chip in which a piezoresistor 2 is formed;
Reference numeral 6 denotes a lead frame on which the acceleration sensor chip 5 is mounted, and reference numeral 7 denotes a second pad-side lead of the lead frame 6, which is connected to the acceleration sensor chip 5. Reference numeral 8 denotes a bonding wire for connecting the acceleration sensor chip 5 to the second pad-side lead 7, and 9 denotes a resin portion that seals the acceleration sensor chip 5, which also serves as a housing. As shown in the figure, the acceleration sensor chip 5 of the lead frame 6
The die-bonded portion is bent downward and inclined so that the piezoresistor 2 and the center of gravity 1c of the mass 1a are located on substantially the same horizontal plane. Since the substrate mounting surface 9a of the resin portion 9 is formed substantially parallel to the frame surface of the lead frame 6, the substrate mounting surface 9a of the resin portion 9 is brought into contact with the substrate to mount the acceleration sensor. The acceleration sensor chip 5 can be mounted such that the piezoresistor 2 and the center of gravity 1c of the mass 1a are located on substantially the same horizontal plane.

【0022】図1に示す加速度センサを製造するために
は、例えば、図2に示すようにすればよい。まず、
(a)に示すように、加速度センサーチップ5を、金属
製(多くは鉄系、銅系の合金)のリードフレーム6にダ
イボンドし、(b)に示すように、ワイヤボンドを施し
た後、(c)に示すように、加速度センサーチップ5の
ダイボンドパッド部に外力を加えて、加速度センサーチ
ップ5のワイヤボンドパッド側を沈ませる方向にリード
フレーム6を変形させ、(d)に示すように、樹脂封止
して筐体を兼ねる樹脂部9を形成し、(e)に示すよう
に、端子分断、曲げを行う。また、図3に示すように、
加速度センサーチップ5とボンディングワイヤー8によ
って接続されるセカンドパッドが、リードフレーム6の
曲げ箇所の近傍にある場合は、加速度センサーチップ5
のワイヤボンドパッドが設けられている側の反対側を押
し上げる方向にリードフレーム6を曲げればよい。
In order to manufacture the acceleration sensor shown in FIG. 1, for example, the acceleration sensor shown in FIG. 2 may be used. First,
As shown in (a), the acceleration sensor chip 5 is die-bonded to a lead frame 6 made of metal (often an iron-based or copper-based alloy), and wire-bonded as shown in (b). As shown in (c), an external force is applied to the die bond pad portion of the acceleration sensor chip 5 to deform the lead frame 6 in a direction to sink the wire bond pad side of the acceleration sensor chip 5, and as shown in (d). Then, a resin portion 9 also serving as a housing is formed by resin sealing, and the terminal is cut and bent as shown in FIG. Also, as shown in FIG.
If the second pad connected to the acceleration sensor chip 5 and the bonding wire 8 is near the bent portion of the lead frame 6, the acceleration sensor chip 5
The lead frame 6 may be bent in a direction to push up the side opposite to the side where the wire bond pads are provided.

【0023】図3に示す加速度センサを製造するために
は、例えば、図4に示すようにすればよい。但し、図2
に示した工程に対して、(c)に示すように、加速度セ
ンサーチップ5のワイヤボンドパッドが設けられている
側の反対側を押し上げる方向にリードフレーム6を曲げ
ることのみ異なるので詳細な説明を省略する。
In order to manufacture the acceleration sensor shown in FIG. 3, for example, the configuration shown in FIG. However, FIG.
3C, only the bending of the lead frame 6 in the direction of pushing up the side opposite to the side on which the wire bond pads of the acceleration sensor chip 5 are provided as shown in FIG. Omitted.

【0024】図5に基づいて本発明の加速度センサのさ
らに異なる実施形態について説明する。但し、図3に示
した構成と同等構成については同符号を付すこととす
る。図5の断面図に示す加速度センサは、加速度センサ
ーチップ5を傾けるために、リードフレーム6の、曲げ
る部分と曲げない部分との間に、スペーサー10を挟ん
だものである。図1に示した方向にリードフレーム6を
曲げる場合にもスペーサー10を用いることができる。
Another embodiment of the acceleration sensor of the present invention will be described with reference to FIG. However, the same components as those shown in FIG. 3 are denoted by the same reference numerals. The acceleration sensor shown in the cross-sectional view of FIG. 5 has a structure in which a spacer 10 is interposed between a bent portion and a non-bent portion of the lead frame 6 in order to tilt the acceleration sensor chip 5. The spacer 10 can also be used when the lead frame 6 is bent in the direction shown in FIG.

【0025】図5に示す加速度センサを製造するために
は、例えば、図6に示すようにすればよい。但し、図2
に示した工程に対して、(c)に示すように、リードフ
レーム6の、曲げる部分と曲げない部分との間に、スペ
ーサー10を挟んで、リードフレーム6を曲げる工程の
みが異なるので詳細な説明を省略する。
In order to manufacture the acceleration sensor shown in FIG. 5, for example, the structure shown in FIG. 6 may be used. However, FIG.
As shown in (c), only the step of bending the lead frame 6 with the spacer 10 interposed between the bent portion and the non-bent portion of the lead frame 6 differs from the process shown in FIG. Description is omitted.

【0026】図7に基づいて本発明の加速度センサの製
造方法の一実施形態について説明する。まず、(a)に
示すように、加速度センサーチップ5を、金属製(多く
は鉄系、銅系の合金)のリードフレーム6にダイボンド
し、(b)に示すように、ワイヤボンドを施した後、
(c)に示すように、トランスファ成型金型の下金型に
形成した突起11を、リードフレーム6の、加速度セン
サーチップ5のダイボンドパッド部の下方に当接させ
て、加速度センサーチップ5のワイヤボンドパッドが設
けられている側と反対側のリードフレームの部分を押し
上げる方向にリードフレーム6を曲げた状態で樹脂封止
して筐体を兼ねる樹脂部9を形成し、(d)に示すよう
に、端子分断、曲げを行う。その後、突起によって形成
された穴を樹脂あるいは金属などで埋めてもよい。
An embodiment of a method for manufacturing an acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. First, as shown in (a), the acceleration sensor chip 5 was die-bonded to a lead frame 6 made of metal (often an iron-based or copper-based alloy), and wire-bonded as shown in (b). rear,
As shown in (c), the projection 11 formed on the lower mold of the transfer molding die is brought into contact with the lead frame 6 below the die bond pad portion of the acceleration sensor chip 5, and the wire of the acceleration sensor chip 5 is formed. A resin portion 9 also serving as a housing is formed by sealing the resin in a state where the lead frame 6 is bent in a direction to push up the portion of the lead frame opposite to the side where the bond pad is provided, as shown in FIG. Then, the terminal is cut and bent. Thereafter, the holes formed by the protrusions may be filled with resin or metal.

【0027】また、図8(a)の断面図及び図8(b)
の上面図に示すように、トランスファ成型金型の上金型
に突起を形成して、図1に示したように、リードフレー
ム6を曲げてもよい。12は上金型に形成された突起に
よって形成された穴である。製造方法は、図7に示した
方法と同様であるので説明を省略する。
FIG. 8A is a sectional view and FIG.
As shown in the top view of FIG. 1, a projection may be formed on the upper die of the transfer molding die, and the lead frame 6 may be bent as shown in FIG. Reference numeral 12 denotes a hole formed by a projection formed on the upper mold. Since the manufacturing method is the same as the method shown in FIG. 7, the description is omitted.

【0028】さらに、トランスファ成型金型の上金型及
び下金型に突起を形成して、図1に示したように、リー
ドフレーム6を曲げてもよい。図9の断面図に、そのよ
うにして形成した加速度センサの一実施形態を示す。図
で、13は上金型に形成された突起によって形成された
穴、14は下金型に形成された突起によって形成された
穴である。製造方法は、図7に示した方法と同様である
ので説明を省略する。
Further, protrusions may be formed on the upper and lower molds of the transfer molding mold, and the lead frame 6 may be bent as shown in FIG. FIG. 9 is a sectional view showing an embodiment of the acceleration sensor thus formed. In the figure, 13 is a hole formed by a projection formed on an upper mold, and 14 is a hole formed by a projection formed on a lower mold. Since the manufacturing method is the same as the method shown in FIG. 7, the description is omitted.

【0029】図10に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。図10に示す
加速度センサは、ワイヤボンドのセカンドパッド側が高
くなるように段差を形成したリードフレーム15に加速
度センサーチップ5を実装したものである。ワイヤボン
ドのセカンドパッド側15aは、加速度センサーチップ
の、ボンディングワイヤーが接続される面と略同一面内
(同一高さ)に配置されている。この場合、トランスフ
ァ成型金型は、樹脂部9の下方の基板実装面9aがリー
ドフレーム15のフレーム面に対し、所定の角度をなす
ように樹脂部9の形状(トランスファ成型金型の形状)
を設計しておく。これにより、加速度センサを基板に実
装した場合、基板水平面に対し、加速度センサーチップ
5が所定の角度傾いた状態となる。また、ワイヤボンド
時、ワイヤボンドのセカンドパッドと、加速度センサー
チップ5のパッドとの高さの差が小さくなるのでワイヤ
ボンドの信頼性が向上する。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. The acceleration sensor shown in FIG. 10 is one in which the acceleration sensor chip 5 is mounted on a lead frame 15 in which a step is formed so that the second pad side of the wire bond is higher. The second pad side 15a of the wire bond is arranged in substantially the same plane (same height) as the plane of the acceleration sensor chip to which the bonding wire is connected. In this case, the transfer molding die has a shape (the shape of the transfer molding die) of the resin portion 9 such that the substrate mounting surface 9a below the resin portion 9 forms a predetermined angle with respect to the frame surface of the lead frame 15.
Is designed. Thus, when the acceleration sensor is mounted on the board, the acceleration sensor chip 5 is inclined at a predetermined angle with respect to the horizontal plane of the board. In addition, at the time of wire bonding, the difference in height between the second pad of the wire bond and the pad of the acceleration sensor chip 5 is reduced, so that the reliability of the wire bond is improved.

【0030】図11及び図12に基づいて加速度センサ
のさらに異なる実施形態(参考例)について説明する。
図12は製造工程を示す断面図である。図11に示す加
速度センサは、加速度センサーチップ5を平面状のリー
ドフレーム16に実装したもので、樹脂部9の裏面側の
基板実装面9aが、リードフレーム16のフレーム面に
対して、所定の角度をなすように形成したものである。
Furthermore different embodiments (reference example) of acceleration sensor on the basis of FIGS. 11 and 12 will be described.
FIG. 12 is a cross-sectional view showing the manufacturing process. The acceleration sensor shown in FIG. 11 is one in which the acceleration sensor chip 5 is mounted on a flat lead frame 16, and the substrate mounting surface 9 a on the back surface side of the resin portion 9 has a predetermined position with respect to the frame surface of the lead frame 16. It is formed so as to form an angle.

【0031】図13に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。図13に示す
加速度センサは、リードフレーム17のフレーム面が、
プリモールドパッケージ18の基板実装面18aに対し
て所定角度をなすように(傾斜するように)形成された
プリモールドパッケージ18に、加速度センサーチップ
5を実装したものである。また、19は加速度センサー
チップ5を封止する封止樹脂、20はプリモールドパッ
ケージ18に形成され、その内部に加速度センサーチッ
プ5を配置する凹部18bの開口を塞ぐ蓋である。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. The acceleration sensor shown in FIG.
The acceleration sensor chip 5 is mounted on a premold package 18 formed so as to form a predetermined angle (to be inclined) with respect to a substrate mounting surface 18a of the premold package 18. Reference numeral 19 denotes a sealing resin for sealing the acceleration sensor chip 5, and reference numeral 20 denotes a lid formed on the pre-mold package 18 for closing the opening of the concave portion 18b in which the acceleration sensor chip 5 is disposed.

【0032】図13に示した加速度センサの製造工程の
一実施形態を図14に示す。まず、(a)に示すよう
に、加速度センサーチップ5を、リードフレーム17が
同時成型されたプリモールドパッケージ18の凹部18
bの底面にダイボンドする。次に、(b)に示すよう
に、ボンディングワイヤ8によりワイヤボンドを施した
後、(c)に示すように、JCR等の封止樹脂19によ
って、凹部18b内の加速度センサーチップ5を封止す
る。さらに、(d)に示すように、凹部18bの開口に
蓋20(銘板等)を張りつけて凹部18bの開口を塞
ぐ。最後に、(e)に示すように、端子分断、曲げを行
う。
FIG. 14 shows an embodiment of the manufacturing process of the acceleration sensor shown in FIG. First, as shown in (a), the acceleration sensor chip 5 is inserted into the recess 18 of the pre-mold package 18 in which the lead frame 17 is simultaneously molded.
Die-bond to the bottom of b. Next, as shown in (b), after performing wire bonding with the bonding wire 8, as shown in (c), the acceleration sensor chip 5 in the recess 18b is sealed with a sealing resin 19 such as JCR. I do. Further, as shown in (d), a lid 20 (a nameplate or the like) is attached to the opening of the recess 18b to close the opening of the recess 18b. Finally, as shown in (e), the terminal is cut and bent.

【0033】図15に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。図15に示す
加速度センサは、図13に示した加速度センサに対し
て、加速度センサーチップ5を実装した凹部18bの下
方の、プリモールドパッケージ18の外郭の面18a
が、加速度センサーチップ5を実装した面と所定間隔を
隔てて略平行となるように形成したものである。例え
ば、ザグリによって、図15に示すようにプリモールド
パッケージ18の外郭の面18aを形成してもよい。こ
のようにすることにより、外郭の面18aにワイヤボン
ディング用ヒーターの発熱部を当接させて、加速度セン
サーチップ5を迅速に加熱することができる。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. The acceleration sensor shown in FIG. 15 is different from the acceleration sensor shown in FIG. 13 in that the outer surface 18a of the pre-mold package 18 below the concave portion 18b in which the acceleration sensor chip 5 is mounted.
Are formed so as to be substantially parallel to the surface on which the acceleration sensor chip 5 is mounted at a predetermined interval. For example, the outer surface 18a of the pre-mold package 18 may be formed by counterbore as shown in FIG. By doing so, the heating section of the wire bonding heater can be brought into contact with the outer surface 18a, and the acceleration sensor chip 5 can be quickly heated.

【0034】図16及び図17に基づいて本発明の加速
度センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
17は図16に示す加速度センサの製造工程を示す断面
図である。図16に示す加速度センサは、加速度センサ
が実装された状態で、ピエゾ抵抗とマスの重心が略同一
の水平面上に位置するように、プリモールドパッケージ
の所定のリード22に、リードを屈曲させた段差形状2
3を設け、その段差形状23によって加速度センサ
ップ5が、実装される基板の表面に対して傾くように形
成されている。図17で、まず、(a)に示すように、
リードフレーム22を同時成形したプリモールドパッケ
ージ21の凹部21aの底面に、加速度センサ5を実装
し、(b)に示すように、ワイヤボンドを施し、(c)
に示すように、JCR等の封止樹脂24を凹部21a内
に供給し、(d)に示すように、凹部21aの開口に銘
板等の蓋25を貼り付ける。最後に、(e)に示すよう
に、端子分断、及び、端子曲げを行う。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 17 is a sectional view showing a manufacturing process of the acceleration sensor shown in FIG. In the acceleration sensor shown in FIG. 16, the lead is bent to the predetermined lead 22 of the pre-mold package so that the center of gravity of the piezoresistor and the mass are located on substantially the same horizontal plane when the acceleration sensor is mounted. Step shape 2
3 is provided by the step shape 23 is an acceleration sensor over Chi <br/>-up 5 is formed to be inclined with respect to the surface of the substrate to be implemented. In FIG. 17, first, as shown in FIG.
The acceleration sensor 5 is mounted on the bottom surface of the concave portion 21a of the pre-mold package 21 in which the lead frame 22 is simultaneously formed, and wire bonding is performed as shown in FIG.
As shown in (1), a sealing resin 24 such as JCR is supplied into the recess 21a, and as shown in (d), a lid 25 such as a nameplate is attached to the opening of the recess 21a. Finally, as shown in (e), the terminal is cut and bent.

【0035】また、図18に示すように、段差形状23
の代わりに、所定のリード22の所定位置に端子スタン
ドオフ形状22bを形成して、加速度センサチップ5
が、実装される基板の表面に対して傾くように形成して
もよい。
Also, as shown in FIG.
Alternatively, to form a terminal standoffs shape 22b in a predetermined position of a predetermined lead 22, the acceleration sensor over chip 5
However, it may be formed so as to be inclined with respect to the surface of the substrate on which it is mounted.

【0036】図19に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。図19に示す
加速度センサは、加速度センサーチップ5をプリント基
板26に実装し、所定角度でプリント基板26を保持す
る封止枠27に固定し、封止樹脂28でポッティング樹
脂封止を行ったものである。
Referring to FIG. 19, still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention will be described. The acceleration sensor shown in FIG. 19 is obtained by mounting the acceleration sensor chip 5 on a printed board 26, fixing the acceleration sensor chip 5 to a sealing frame 27 holding the printed board 26 at a predetermined angle, and performing potting resin sealing with a sealing resin 28. It is.

【0037】図20に基づいて図19に示した加速度セ
ンサの製造方法について説明する。まず、(a)に示す
ように、プリント基板26に加速度センサーチップ5を
実装し、(b)に示すように、ワイヤボンドを施して、
(c)に示すように、プリント基板26に端子29を接
続し、(d)に示すように、プリント基板26を封止枠
27の内部に所定の角度で取り付けて封止樹脂28によ
って封止する。最後に、端子29の分断及び曲げを行
う。
A method of manufacturing the acceleration sensor shown in FIG. 19 will be described with reference to FIG. First, as shown in (a), the acceleration sensor chip 5 is mounted on the printed board 26, and as shown in (b), wire bonding is performed.
As shown in (c), a terminal 29 is connected to the printed board 26, and as shown in (d), the printed board 26 is mounted inside the sealing frame 27 at a predetermined angle and sealed with the sealing resin 28. I do. Finally, the terminal 29 is cut and bent.

【0038】図21に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。(b)は加速
度センサを基板30に実装した状態を示す断面図であ
る。図21に示す加速度センサは、加速度センサーチッ
プ5を、筐体を兼ねる三次元成型部品31の凹部31a
の内部に実装したものであり、三次元成型部品31の、
加速度センサーチップ5を実装する面が、三次元成型部
品31の基板実装面31bに対して所定の角度をなすよ
うに構成されたものである。図21に示した加速度セン
サは、例えば、図22に示す製造工程によって形成され
る。まず、(a)に示すように、加速度センサーチップ
5を、三次元成型部品31の凹部31aの底面に実装す
る。その後、(b)に示すように、ワイヤボンドを施
し、(c)に示すように、凹部31a内に、封止樹脂3
2を供給して加速度センサーチップ5を封止する。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2B is a cross-sectional view illustrating a state where the acceleration sensor is mounted on the board 30. The acceleration sensor shown in FIG. 21 includes an acceleration sensor chip 5 and a concave portion 31a of a three-dimensional molded part 31 serving also as a housing.
Of the three-dimensional molded part 31,
The surface on which the acceleration sensor chip 5 is mounted is configured to form a predetermined angle with respect to the substrate mounting surface 31b of the three-dimensional molded component 31. The acceleration sensor shown in FIG. 21 is formed, for example, by the manufacturing process shown in FIG. First, as shown in (a), the acceleration sensor chip 5 is mounted on the bottom surface of the concave portion 31a of the three-dimensional molded part 31. Thereafter, as shown in (b), wire bonding is performed, and as shown in (c), the sealing resin 3 is placed in the recess 31a.
2 is supplied to seal the acceleration sensor chip 5.

【0039】図23に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。図23に示す
加速度センサは、加速度センサーチップ5を、リードフ
レーム33のフレーム面が所定角度に傾斜したプリモー
ルドパッケージ34に実装し、プリモールドパッケージ
34の凹部35の開口を蓋36で塞いだものである。基
板実装面となる蓋36の一方の面上には、基板と加速度
センサの平行出しを精度よく行うための突起36aが複
数形成されている。
Another embodiment of the acceleration sensor of the present invention will be described with reference to FIG. In the acceleration sensor shown in FIG. 23, the acceleration sensor chip 5 is mounted on a pre-mold package 34 in which the frame surface of the lead frame 33 is inclined at a predetermined angle, and the opening of the recess 35 of the pre-mold package 34 is closed with a lid 36. It is. A plurality of projections 36a are formed on one surface of the lid 36 serving as a substrate mounting surface for accurately parallelizing the substrate and the acceleration sensor.

【0040】図24に基づいて本発明の加速度センサの
さらに異なる実施形態について説明する。図23に示し
た加速度センサは、一方の面が基板実装面となる蓋36
に平行出し用の突起36aが形成されていたが、図24
に示す加速度センサは、加速度センサーチップ5をその
内部に配置する凹部37を塞ぐ蓋38とは別に突起39
aを形成した板39を、凹部37を形成した面とは反対
側の、プリモールドパッケージ40の基板実装面側に取
り付けたものである。また、板39を取り付ける、プリ
モールドパッケージ40の基板実装面側の面は、図15
に示したような、ワイヤボンディング用ヒーターによる
温度上昇を迅速にするためのザグリ等による削り込みが
行われた面であってもよい。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIG. The acceleration sensor shown in FIG. 23 has a lid 36 in which one surface is a substrate mounting surface.
24, a projection 36a for parallelizing is formed.
The acceleration sensor shown in FIG. 3 has a projection 39 separate from a lid 38 that closes a recess 37 in which the acceleration sensor chip 5 is disposed.
The plate 39 on which a is formed is attached to the substrate mounting surface side of the pre-mold package 40 on the side opposite to the surface on which the concave portion 37 is formed. The surface on the substrate mounting surface side of the pre-mold package 40 to which the plate 39 is attached is shown in FIG.
The surface may be cut by a counterbore or the like for speeding up the temperature rise by the wire bonding heater as shown in FIG.

【0041】図25及び図26に基づいて本発明の加速
度センサのさらに異なる実施形態について説明する。図
23に示した加速度センサでは、基板と加速度センサの
平行出し用の突起を、プリモールドパッケージ34に取
り付ける蓋36に形成していたが、図25及び図26に
示す加速度センサでは、プリモールドパッケージ41,
42に、それぞれ、平行出し用の突起41a,42aを
形成したものである。図25に示す加速度センサは、凹
部が基板実装面側に形成されたもので、図26に示す加
速度センサは、凹部が基板実装面側と反対側に形成され
たものである。
Another embodiment of the acceleration sensor according to the present invention will be described with reference to FIGS. In the acceleration sensor shown in FIG. 23, the projection for parallelizing the substrate and the acceleration sensor is formed on the lid 36 attached to the premold package 34. However, in the acceleration sensor shown in FIGS. 41,
42, projections 41a and 42a for parallelizing are formed respectively. The acceleration sensor shown in FIG. 25 has a concave portion formed on the substrate mounting surface side, and the acceleration sensor shown in FIG. 26 has a concave portion formed on the side opposite to the substrate mounting surface side.

【0042】なお、平行出し用の突起41a,42aの
形状を加速度センサーチップ5保護用の蓋44の位置出
しとなる形状にしておけば、加速度センサの基板への実
装の円滑化、容易化を図ることができる。また、図25
に示した加速度センサでは、プリモールドパッケージ4
1に蓋を接着固定するための段差部41bを凹部の全周
にわたって形成していたため、突起41aは、その平面
視略環状の段差部41bの外側に形成しなければなら
ず、加速度センサの外形が大きくなっていたが、図27
に示すように、段差部を無くしたプリモールドパッケー
ジ43を用い、蓋44に切り欠き部を形成し、その切り
欠き部を突起43aに当てて、突起43a間に蓋44を
はめ込む方式とすることによって、加速度センサの小型
化、基板占有面積の削減が図れる。
If the projections 41a and 42a for parallelizing are formed so as to position the cover 44 for protecting the acceleration sensor chip 5, the mounting of the acceleration sensor on the substrate is facilitated and facilitated. Can be planned. FIG. 25
In the acceleration sensor shown in FIG.
Since the step portion 41b for bonding and fixing the lid to the cover 1 is formed over the entire circumference of the concave portion, the projection 41a must be formed outside the substantially annular step portion 41b in plan view. Was larger, but FIG.
As shown in FIG. 3, a notch is formed in the lid 44 using the pre-mold package 43 with no step, and the notch is applied to the projection 43a, and the lid 44 is fitted between the projections 43a. Accordingly, the size of the acceleration sensor can be reduced and the area occupied by the substrate can be reduced.

【0043】次に、本発明の加速度センサの製造方法の
さらに異なる実施形態について説明する。以下に説明す
る加速度センサの製造方法は、図15に示した加速度セ
ンサを製造する方法の一実施形態である。まず、図28
に基づいて従来の構造の問題点について説明する。図2
8で、(a)は、プリモールドパッケージ45の、加速
度センサーチップ5を実装する面と、その面の下方の外
郭の面45aが平行でなく、それらの面間の樹脂厚さが
均一でない、従来構造の加速度センサの断面図であり、
(b)は、プリモールドパッケージ18の、加速度セン
サーチップ5を実装する面と、その面の下方の外郭の面
18aが略平行で、それらの面間の樹脂厚さが略均一と
なるように構成された、図15に示した加速度センサの
断面図である。(a)に示す構造の場合、プリモールド
パッケージ45の、加速度センサーチップ5を実装する
面の下方の樹脂厚さが場所によって異なるため、樹脂硬
化時の収縮寸法も場所によって異なるため、加速度セン
サーチップ5を傾ける角度の要求される精度(例えば±
0.5 度)を達成することが困難であるという問題点があ
った。この問題を解決するために、プリモールドパッケ
ージ18の、加速度センサーチップ5を実装する面の下
方の樹脂厚さが略同一となるように、プリモールドパッ
ケージ18の裏面の所定箇所にザグリを入れた場合、ワ
イヤボンディング工程で、加熱ヒーター46と、プリモ
ールドパッケージ18の、加速度センサーチップ5を実
装する面の下方の外郭の面18aが空気層を介して対向
する状態になり、加熱ヒーターの加熱領域が不均一にな
る結果、ワイヤボンド状態の不安定化を招く恐れがあっ
た。また、部分的にプリモールドパッケージ18の樹脂
精度が連続的に変化するため樹脂の硬化収縮の寸法が一
定でなく、平行度精度が保ちにくくなるという問題点が
あった。
Next, still another embodiment of the method for manufacturing an acceleration sensor according to the present invention will be described. The method for manufacturing the acceleration sensor described below is one embodiment of a method for manufacturing the acceleration sensor shown in FIG. First, FIG.
The problem of the conventional structure will be described based on FIG. FIG.
8, (a) shows that the surface of the pre-mold package 45 on which the acceleration sensor chip 5 is mounted is not parallel to the outer surface 45a below the surface, and the resin thickness between those surfaces is not uniform. It is a cross-sectional view of an acceleration sensor having a conventional structure,
(B) is such that the surface of the pre-mold package 18 on which the acceleration sensor chip 5 is mounted is substantially parallel to the outer surface 18a below the surface, and the resin thickness between the surfaces is substantially uniform. FIG. 16 is a sectional view of the configured acceleration sensor shown in FIG. 15. In the case of the structure shown in (a), since the resin thickness of the pre-mold package 45 below the surface on which the acceleration sensor chip 5 is mounted varies depending on the location, the shrinkage dimension when the resin cures also varies depending on the location. The required accuracy of the angle to tilt 5 (eg ±
(0.5 degrees) is difficult to achieve. In order to solve this problem, a counterbore is provided at a predetermined position on the back surface of the premold package 18 so that the resin thickness below the surface on which the acceleration sensor chip 5 is mounted of the premold package 18 is substantially the same. In this case, in the wire bonding step, the heater 46 and the outer surface 18a of the premold package 18 below the surface on which the acceleration sensor chip 5 is mounted face each other via an air layer, and the heating area of the heater is heated. As a result, the wire bonding state may be unstable. In addition, since the resin precision of the pre-mold package 18 partially changes continuously, there is a problem that the dimension of shrinkage due to curing of the resin is not constant, and it is difficult to maintain the parallelism precision.

【0044】そこで、図29に示すように、プリモール
ドパッケージ18を配置する略平坦な加熱ヒーター47
の上面に凹部47aを形成し、プリモールドパッケージ
18を加熱ヒーター47上に配置した際に、プリモール
ドパッケージ18のザグリによって形成された面18a
が、凹部47a内に形成された面47bに当接するよう
に加熱ヒーター47を形成する。これにより、加熱ヒー
ター47の面47bがプリモールドパッケージ18の外
郭の面18aに直接当たるため、加熱が均一になりワイ
ヤボンディングの状態が安定する。また、加速度センサ
は、検出する加速度領域により、マス(重り)とビーム
(梁)の位置関係が変わるため、測定する加速度の範囲
によって加速度センサーチップ5を傾ける角度が異なる
ため、図29に示すように、低加速度(低G)用のプリ
モールドパッケージ18(図29(a))と、高加速度
(高G)用のプリモールドパッケージ18(図29
(b))とで、それぞれの加速度センサーチップに対応
したプリモールドパッケージ18が必要となるが、それ
らのプリモールドパッケージ18の外郭の裏面側の形状
に共通性を持たせておけば、ワイヤボンディング工程で
用いる加熱ヒーター47を品種交換のために交換するこ
とが少なくなり生産性が向上する。また、工程におい
て、加速度センサを搬送する治具に、凹部47aと同様
の形状を形成しておけば、加速度センサーチップを傾け
る角度が異なる複数のプリモールドパッケージを、同一
の搬送設備を用いて搬送することができるので、品種交
換による工程変更が少なくなり生産性が向上する。
Therefore, as shown in FIG. 29, a substantially flat heater 47 for arranging the pre-mold package 18 is provided.
A concave portion 47a is formed on the upper surface of the pre-mold package 18, and when the pre-mold package 18 is disposed on the heater 47, the surface 18a formed by the counterbore of the pre-mold package 18
Forms the heater 47 so as to contact the surface 47b formed in the concave portion 47a. As a result, the surface 47b of the heater 47 directly hits the outer surface 18a of the pre-mold package 18, so that the heating becomes uniform and the state of wire bonding is stabilized. Further, in the acceleration sensor, the positional relationship between the mass (weight) and the beam (beam) changes depending on the acceleration region to be detected, and the angle at which the acceleration sensor chip 5 is tilted differs depending on the range of the acceleration to be measured. Next, a pre-mold package 18 for low acceleration (low G) (FIG. 29A) and a pre-mold package 18 for high acceleration (high G) (FIG. 29)
(B)), the pre-mold packages 18 corresponding to the respective acceleration sensor chips are required. However, if the shapes of the outer surfaces of the outer surfaces of the pre-mold packages 18 have commonality, wire bonding is performed. It is less necessary to replace the heater 47 used in the process for product type change, and the productivity is improved. In the process, if the same shape as the concave portion 47a is formed in the jig for transporting the acceleration sensor, a plurality of pre-mold packages having different inclination angles of the acceleration sensor chip are transported using the same transport equipment. Therefore, the number of process changes due to product change is reduced, and the productivity is improved.

【0045】[0045]

【発明の効果】以上のように、請求項1記載の加速度セ
ンサによれば、半導体エッチング技術によって片持ち梁
構造のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ
抵抗が形成された加速度センサーチップ及びリードフレ
ームを有してなるピエゾ抵抗型の加速度センサであっ
て、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵抗と前記マ
スの重心が略同一の水平面上に位置するように、実装さ
れる基板に対して前記加速度センサーチップを傾斜させ
る傾斜手段を具備しており、前記傾斜手段を、前記リー
ドフレームへの加速度センサーチップの装着箇所に傾斜
を付けることにより構成させたので、加速度センサを基
板に実装すれば、加速度センサーチップは基板に対して
自動的に所定の傾斜をもち、ピエゾ抵抗とマスの重心が
略同一の水平面上に位置するようになり、信頼性を向上
し他軸感度などの商品性能を出荷時点で保証することが
できる加速度センサが提供できた。
As described above, according to the acceleration sensor of the first aspect, a mass and a beam having a cantilever structure are formed by a semiconductor etching technique, and the acceleration sensor chip and the piezoresistor are formed in the beam. A piezoresistive acceleration sensor having a lead frame, wherein the piezoresistor and the mass of the mass are positioned on substantially the same horizontal plane while being mounted on the board, and are mounted on a board to be mounted. and comprises a tilting means for tilting the acceleration sensor chip against the said tilting means, said Lee
Inclined at the place where the acceleration sensor chip is mounted on the frame
When the acceleration sensor is mounted on the board, the acceleration sensor chip automatically has a predetermined inclination with respect to the board, and the center of gravity of the piezoresistor and the mass are located on substantially the same horizontal plane. As a result, an acceleration sensor that can improve reliability and guarantee product performance such as sensitivity to other axes at the time of shipment can be provided.

【0046】請求項記載の加速度センサによれば、
導体エッチング技術によって片持ち梁構造のマス及びビ
ームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成された
加速度センサーチップと、リードフレームと、加速度セ
ンサーチップ及びリードフレームを実装するプリモール
ドパッケージとを備えてなるピエゾ抵抗型の加速度セン
サであって、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵抗
と前記マスの重心が略同一の水平面上に位置するよう
に、実装される基板に対して前記加速度センサー チップ
を傾斜させる傾斜手段を具備しており、傾斜手段を、前
記プリモールドパッケージの基板実装面及び加速度セン
サーチップのプリモールドパッケージへの実装面の形状
により構成させたので、加速度センサを基板に実装すれ
ば、加速度センサーチップは基板に対して自動的に所定
の傾斜をもち、ピエゾ抵抗とマスの重心が略同一の水平
面上に位置するようになり、信頼性を向上し他軸感度な
どの商品性能を出荷時点で保証することができる加速度
センサが提供できた
According to the acceleration sensor of the second aspect , a half
Mass and via of cantilever structure by conductor etching technology
Beam was formed and a piezoresistor was formed in the beam
Acceleration sensor chip, lead frame, acceleration sensor
Pre-mold for mounting sensor chips and lead frames
Piezoresistive acceleration sensor
And the piezoresistor is mounted on a substrate.
And the center of gravity of the mass are located on substantially the same horizontal plane.
The acceleration sensor chip is mounted on a substrate to be mounted.
And a tilting means for tilting the
The board mounting surface of the pre-mold package and the acceleration sensor
Surface shape of surface chip mounted on pre-mold package
The acceleration sensor is mounted on the board.
If the acceleration sensor chip is
With a horizontal slope, the piezoresistor and the mass center of gravity are almost the same.
On the surface, improving reliability and sensitivity to other axes.
Which product performance can be guaranteed at the time of shipment
Sensors could be provided .

【0047】[0047]

【0048】[0048]

【0049】請求項記載の加速度センサによれば、請
求項記載の加速度センサにおいて、加速度センサーチ
ップを実装する面の下方の、プリモールドパッケージの
外郭の面が、加速度センサーチップを実装する面と所定
間隔を隔てて略平行となるように構成されていることに
より、外郭の面にワイヤボンディング用ヒーターの発熱
部を当接させて、加速度センサーチップを迅速に加熱す
ることができる請求項記載の加速度センサによれ
ば、請求項又は請求項記載の加速度センサにおい
て、プリモールドパッケージの所定のリードに段差形状
またはスタンドオフ形状を設け、段差形状またはスタン
ドオフ形状により、プリモールドパッケージの基板実装
面の形状を構成することができる。
[0049] According to the acceleration sensor according to claim 3, wherein, in the acceleration sensor according to claim 2, wherein, below the surface of mounting the acceleration sensor chip, the outer surface of the premolded package implements the acceleration sensor chip surface And the heat generating portion of the wire bonding heater is brought into contact with the outer surface of the outer peripheral surface, so that the acceleration sensor chip can be rapidly heated . According to the acceleration sensor according to the fourth aspect, in the acceleration sensor according to the second or third aspect , the predetermined lead of the pre-mold package is provided with a stepped shape or a standoff shape, and the preformed package has a stepped shape or a standoff shape. The shape of the substrate mounting surface of the mold package can be configured.

【0050】請求項記載の加速度センサによれば、
導体エッチング技術によって片持ち梁構造のマス及びビ
ームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成された
加速度センサーチップと、リードフレームと、前記加速
度センサーチップを実装するプリント基板と、前記加速
度センサーチップが実装された前記プリント基板をその
内部に封止する封止枠とを備えてなるピエゾ抵抗型の加
速度センサであって、基板に実装された状態で、前記ピ
エゾ抵抗と前記マスの重心が略同一の水平面上に位置す
るように、実装される基板に対して前記加速度センサー
チップを傾斜させる傾斜手段を具備しており、傾斜手段
を、前記封止枠の前記プリント基板の取り付け位置によ
り構成させたので、加速度センサを基板に実装すれば、
加速度センサーチップは基板に対して自動的に所定の傾
斜をもち、ピエゾ抵抗とマスの重 心が略同一の水平面上
に位置するようになり、信頼性を向上し他軸感度などの
商品性能を出荷時点で保証することができる加速度セン
サが提供できた
[0050] According to the acceleration sensor according to claim 5, half
Mass and via of cantilever structure by conductor etching technology
Beam was formed and a piezoresistor was formed in the beam
An acceleration sensor chip, a lead frame, and the acceleration
Printed circuit board on which the sensor chip is mounted and the acceleration
The printed circuit board on which the sensor chip is mounted
A piezoresistive type having a sealing frame for sealing inside.
A speed sensor, mounted on a board,
The erosion resistance and the center of gravity of the mass are located on substantially the same horizontal plane.
As described above, the acceleration sensor
It is provided with a tilting means for tilting the chip, and the tilting means is configured by the mounting position of the printed board of the sealing frame, so if the acceleration sensor is mounted on the board,
The acceleration sensor chip automatically tilts
It has oblique, piezoresistive and mass centroid is substantially the same horizontal plane
To improve reliability and improve sensitivity for other axes.
Acceleration sensor that can guarantee product performance at the time of shipment
Sa could provide .

【0051】請求項記載の加速度センサによれば、
導体エッチング技術によって片持ち梁構造のマス及びビ
ームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗が形成された
加速度センサーチップと、リードフレームと、前記加速
度センサーチップを内部に実装し、筐体を兼ねる三次元
成型部品とを備えてなるピエゾ抵抗型の加速度センサで
あって、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵抗と前
記マスの重心が略同一の水平面上に位置するように、実
装される基板に対して前記加速度センサーチップを傾斜
させる傾斜手段を具備しており、傾斜手段を、前記三次
元成型部品の基板実装面及び加速度センサーチップの三
次元成型部品への実装面の形状により構成させたので、
加速度センサを基板に実装すれば、加速度センサーチッ
プは基板に対して自動的に所定の傾斜をもち、ピエゾ抵
抗とマスの重心が略同一の水平面上に位置するようにな
り、信頼性を向上し他軸感度などの商品性能を出荷時点
で保証することができる加速度センサが提供できた
[0051] According to the acceleration sensor according to claim 6, half
Mass and via of cantilever structure by conductor etching technology
Beam was formed and a piezoresistor was formed in the beam
An acceleration sensor chip, a lead frame, and the acceleration
Three-dimensional with a sensor chip mounted inside and also serving as a housing
Piezoresistive acceleration sensor with molded parts
And the piezoresistor is mounted on the board.
Make sure that the centers of gravity of the squares are on substantially the same horizontal plane.
Tilt the acceleration sensor chip with respect to the substrate
Since the tilt means is configured by the shape of the mounting surface of the substrate for mounting the three-dimensional molded component and the mounting surface of the acceleration sensor chip on the three-dimensional molded component ,
If the acceleration sensor is mounted on the board, the acceleration sensor chip
The substrate automatically has a predetermined inclination with respect to the substrate and the piezo resistor
The center of gravity of the drag and the trout now lie on substantially the same horizontal plane.
At the time of shipment to improve reliability and product performance such as sensitivity to other axes
The acceleration sensor that can be guaranteed by the above was provided .

【0052】請求項記載の加速度センサによれば、請
求項乃至請求項記載の加速度センサにおいて、プリ
モールドパッケージに複数形成された突起により、加速
度センサチップと該加速度センサチップが実装され
る基板との平行度を高めることができる。
[0052] According to the acceleration sensor according to claim 7, wherein, in the acceleration sensor of claims 2 to 4, wherein the projections are plurally formed in premolded package, the acceleration sensor over the chip and the acceleration sensor over the chip mounting Parallelism with the substrate to be formed can be increased.

【0053】請求項記載の加速度センサによれば、請
求項記載の加速度センサにおいて、突起を、加速度セ
ンサチップを保護するために、加速度センサーチップ
が実装された凹部の開口を塞ぐ蓋の位置出しのための形
状とすることにより、加速度センサの基板への実装の円
滑化、容易化を図ることができる。
[0053] According to the acceleration sensor according to claim 8, in the acceleration sensor according to claim 7, the projections, in order to protect the acceleration cell <br/> capacitors over the chip, the recess accelerometer chip is mounted By providing a shape for positioning the lid that closes the opening, it is possible to facilitate and facilitate mounting of the acceleration sensor on the substrate.

【0054】請求項記載の加速度センサによれば、請
求項乃至請求項記載の加速度センサにおいて、プリ
モールドパッケージの加速度センサーチップが実装され
た凹部の開口を塞ぐ蓋に複数形成された突起により、加
速度センサチップと該加速度センサチップが実装さ
れる基板との平行度を高めることができる。
According to a ninth aspect of the present invention, in the acceleration sensor according to the second to fourth aspects, a plurality of projections are formed on a lid for closing an opening of a concave portion in which the acceleration sensor chip of the pre-mold package is mounted. Accordingly, it is possible to enhance the parallelism between substrate acceleration sensor chip and acceleration sensor chip is mounted.

【0055】請求項10記載の加速度センサによれば、
請求項1乃至請求項9のいずれか1項に記載の加速度セ
ンサにおいて、リードフレームのセカンドパッドを、加
速度センサーチップの、ボンディングワイヤーが接続さ
れる面と略同一面内に配置したことにより、ワイヤボン
ド時、ワイヤボンドのセカンドパッドと、加速度センサ
ーチップのパッドとの高さの差が小さくなるのでワイヤ
ボンドの信頼性が向上する。
According to the acceleration sensor of the tenth aspect ,
10. The acceleration sensor according to claim 1, wherein the second pad of the lead frame is disposed in substantially the same plane as the surface of the acceleration sensor chip to which the bonding wire is connected. At the time of bonding, the difference in height between the second pad of the wire bond and the pad of the acceleration sensor chip is reduced, so that the reliability of the wire bond is improved.

【0056】請求項11記載の加速度センサの製造方法
によれば、半導体エッチング技術によって片持ち梁構造
のマス及びビームが形成され、ビームにピエゾ抵抗が形
成された加速度センサーチップ及びリードフレームを有
してなるピエゾ抵抗型の加速度センサの製造方法であっ
て、トランスファ成型金型の、少なくとも一方の金型に
形成した突起を、リードフレームの、傾斜させる所定箇
所に当接させて、リードフレームの所定箇所に傾斜をつ
けた状態で樹脂成型するようにすれば、製品に残るピン
形状の底の部分にフレームが見えるので、それを基準に
すれば傾斜角度の工程管理を簡略化できる可能性もあ
る。
According to the method of manufacturing an acceleration sensor according to the eleventh aspect, there is provided an acceleration sensor chip and a lead frame in which a mass and a beam having a cantilever structure are formed by a semiconductor etching technique, and a piezoresistor is formed in the beam. A method for manufacturing a piezoresistive acceleration sensor, comprising: contacting a projection formed on at least one mold of a transfer molding mold with a predetermined portion of a lead frame to be inclined; If the resin is molded with the part inclined, the frame can be seen at the bottom of the pin shape remaining on the product, and based on that, the process control of the inclination angle may be simplified. .

【0057】請求項12記載の加速度センサの製造方法
によれば、請求項2乃至請求項4および請求項7乃至請
求項9のいずれか1項に記載の加速度センサの製造方法
において、半導体エッチング技術によって片持ち梁構造
のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ抵抗
が形成された加速度センサーチップ及びリードフレーム
を有してなるピエゾ抵抗型の加速度センサの製造方法で
あって、プリモールドパッケージの前記加速度センサー
チップを実装する面の下方の外郭の面に加熱ヒーターを
当接させて、前記加速度センサーチップとリードフレー
ムのセカンドパッドとを電気的に接続するためのワイヤ
ボンディング工程を行うようにすれば、加熱ヒーターが
外郭の面に直接当たるので、加熱が均一になりワイヤボ
ンディングの状態が安定する。
According to the method of manufacturing an acceleration sensor according to the twelfth aspect , the second to fourth aspects and the seventh to seventh aspects of the present invention provide a method for manufacturing an acceleration sensor.
10. The method for manufacturing an acceleration sensor according to claim 9
Wherein a mass and a beam having a cantilever structure are formed by a semiconductor etching technique, and a method for manufacturing a piezoresistive acceleration sensor comprising a lead frame and an acceleration sensor chip having a piezoresistor formed on the beam. A wire bonding step for electrically connecting the acceleration sensor chip to a second pad of a lead frame by bringing a heater into contact with an outer surface of the pre-mold package below the surface on which the acceleration sensor chip is mounted; Is performed, the heating heater directly hits the outer surface, so that the heating becomes uniform and the state of wire bonding is stabilized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の加速度センサの一実施形態を示す断面
図である。
FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of an acceleration sensor of the present invention.

【図2】本発明の加速度センサの製造方法の一実施形態
を示す断面図である。
FIG. 2 is a sectional view showing one embodiment of a method for manufacturing an acceleration sensor according to the present invention.

【図3】本発明の加速度センサの異なる実施形態を示す
断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図4】本発明の加速度センサの製造工程の一実施形態
を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing one embodiment of a manufacturing process of the acceleration sensor of the present invention.

【図5】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形態
を示す断面図である。
FIG. 5 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図6】本発明の加速度センサの製造工程の一実施形態
を示す断面図である。
FIG. 6 is a sectional view showing one embodiment of a manufacturing process of the acceleration sensor of the present invention.

【図7】本発明の加速度センサの製造方法の異なる実施
形態を示す断面図である。
FIG. 7 is a sectional view showing a different embodiment of the method for manufacturing an acceleration sensor according to the present invention.

【図8】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形態
を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図9】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形態
を示す断面図である。
FIG. 9 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図10】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 10 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図11】速度センサのさらに異なる実施形態(参考
例)を示す断面図である。
[11] Furthermore different embodiments of the acceleration sensor (Reference
It is sectional drawing which shows an example) .

【図12】速度センサの製造工程の一実施形態(参考
例)を示す断面図である。
An embodiment of Figure 12 the acceleration sensor manufacturing process (reference
It is sectional drawing which shows an example) .

【図13】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 13 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図14】本発明の加速度センサの製造工程の一実施形
態を示す断面図である。
FIG. 14 is a sectional view showing one embodiment of a manufacturing process of the acceleration sensor of the present invention.

【図15】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 15 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図16】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 16 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図17】本発明の加速度センサの製造工程の一実施形
態を示す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing one embodiment of a manufacturing process of the acceleration sensor of the present invention.

【図18】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 18 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図19】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 19 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図20】本発明の加速度センサの製造工程の一実施形
態を示す断面図である。
FIG. 20 is a cross-sectional view showing one embodiment of a manufacturing process of the acceleration sensor of the present invention.

【図21】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 21 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図22】本発明の加速度センサの製造工程の一実施形
態を示す断面図である。
FIG. 22 is a cross-sectional view showing one embodiment of a manufacturing process of the acceleration sensor of the present invention.

【図23】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 23 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図24】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 24 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図25】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 25 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図26】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 26 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図27】本発明の加速度センサのさらに異なる実施形
態を示す断面図である。
FIG. 27 is a sectional view showing still another embodiment of the acceleration sensor of the present invention.

【図28】ワイヤボンディング時の不具合を説明するた
めの断面図である。
FIG. 28 is a cross-sectional view for explaining the problems at the time of Waiyabon di ring.

【図29】本発明の加速度センサの製造方法のさらに異
なる実施形態を示す断面図である。
FIG. 29 is a sectional view showing still another embodiment of the method for manufacturing an acceleration sensor according to the present invention.

【図30】従来の加速度センサの一例を示す図で、
(a)、(b)は断面図、(c)は斜視図である。
FIG. 30 is a diagram showing an example of a conventional acceleration sensor.
(A), (b) is sectional drawing, (c) is a perspective view.

【図31】従来の加速度センサの取付け方法を説明する
ための断面図である。
FIG. 31 is a cross-sectional view for explaining a method of mounting a conventional acceleration sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a マス 1b ビーム 2 ピエゾ抵
抗 5 加速度セ
ンサーチップ 6,15,16,17,22,33 リードフ
レーム 11 突起 8 ボンディ
ングワイヤー 9 樹脂部
(外郭) 9a,18a,31b 基板実装
面 18,21,34,40,41,42,43 プリモー
ルドパッケージ 18c 外郭の面 22 リードフ
レーム(リード) 23 段差形状 22b スタンド
オフ形状 26 プリント
基板 27 封止枠 31 三次元成
型部品 35,37 凹部 36,39,44 蓋 36a,39a,41a,42a,43a 突起 47 加熱ヒー
ター
1a Mass 1b Beam 2 Piezoresistive 5 Acceleration sensor chip 6,15,16,17,22,33 Lead frame 11 Projection 8 Bonding wire 9 Resin (outer) 9a, 18a, 31b Board mounting surface 18,21,34,40 , 41, 42, 43 Pre-mold package 18c Outer surface 22 Lead frame (lead) 23 Step 22b Stand-off 26 Printed circuit board 27 Sealing frame 31 Three-dimensional molded part 35, 37 Recess 36, 39, 44 Cover 36a, 39a, 41a, 42a, 43a Projection 47 Heater

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷口 直博 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (72)発明者 野原 一也 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工 株式会社内 (56)参考文献 特開 平7−225242(JP,A) 特開 平7−225241(JP,A) 特開 平6−265569(JP,A) 特開 平4−297875(JP,A) 特開 平9−292408(JP,A) 特開 昭63−298165(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G01P 15/12 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naohiro Taniguchi 1048 Kazuma Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Inside Matsushita Electric Works, Ltd. References JP-A-7-225242 (JP, A) JP-A-7-225241 (JP, A) JP-A-6-265569 (JP, A) JP-A-4-297875 (JP, A) 9-292408 (JP, A) JP-A-63-298165 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) G01P 15/12

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 半導体エッチング技術によって片持ち梁
構造のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ
抵抗が形成された加速度センサーチップ及びリードフレ
ームを有してなるピエゾ抵抗型の加速度センサであっ
て、基板に実装された状態で、前記ピエゾ抵抗と前記マ
スの重心が略同一の水平面上に位置するように、実装さ
れる基板に対して前記加速度センサーチップを傾斜させ
る傾斜手段を具備しており、前記傾斜手段を、前記リー
ドフレームへの加速度センサーチップの装着箇所に傾斜
を付けることにより構成させたことを特徴とする加速度
センサ。
1. A piezoresistive acceleration sensor comprising a lead frame and an acceleration sensor chip in which a mass and a beam having a cantilever structure are formed by a semiconductor etching technique, and a piezoresistor is formed on the beam. , in a state of being mounted on the substrate such that said piezoresistive the center of gravity of the mass is positioned in substantially the same horizontal plane, and comprises a tilting means for tilting the acceleration sensor chip to the substrate to be mounted , The inclination means,
Inclined at the place where the acceleration sensor chip is mounted on the frame
An acceleration sensor, wherein the acceleration sensor is configured by attaching a mark.
【請求項2】 半導体エッチング技術によって片持ち梁
構造のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ
抵抗が形成された加速度センサーチップと、リードフレ
ームと、加速度センサーチップ及びリードフレームを実
装するプリモールドパッケージとを備えてなるピエゾ抵
抗型の加速度センサであって、基板に実装された状態
で、前記ピエゾ抵抗と前記マスの重心が略同一の水平面
上に位置するように、実装される基板に対して前記加速
度センサーチップを傾斜させる傾斜手段を具備してお
り、前記傾斜手段を、前記プリモールドパッケージの基
板実装面及び加速度センサーチップのプリモールドパッ
ケージへの実装面の形状により構成させたことを特徴と
する加速度センサ。
2. A cantilever by a semiconductor etching technique.
A structural mass and beam is formed, and the beam is
Accelerometer chip with resistance formed and lead frame
The acceleration sensor chip and lead frame.
And a pre-mold package to be mounted
Anti-acceleration sensor, mounted on the board
In the horizontal plane, the piezoresistance and the center of gravity of the mass are substantially the same.
The acceleration with respect to the board to be mounted, as located on
And a tilting means for tilting the sensor chip.
Moving the tilting means to the base of the pre-mold package.
Pre-mold package for the board mounting surface and acceleration sensor chip
Characterized by the configuration of the mounting surface to the cage
Acceleration sensor.
【請求項3】 前記加速度センサーチップを実装する面
の下方の、前記プリモールドパッケージの外郭の面が、
前記加速度センサーチップを実装する面と所定間隔を隔
てて略平行となるように構成されていることを特徴とす
る請求項記載の加速度センサ。
3. An outer surface of the pre-mold package below a surface on which the acceleration sensor chip is mounted,
The acceleration sensor according to claim 2 , wherein the acceleration sensor is configured to be substantially parallel to a surface on which the acceleration sensor chip is mounted at a predetermined interval.
【請求項4】 前記プリモールドパッケージの所定のリ
ードに段差形状またはスタンドオフ形状を設け、該段差
形状またはスタンドオフ形状により、プリモールドパッ
ケージの基板実装面の形状を構成したことを特徴とする
請求項又は請求項記載の加速度センサ。
4. The pre-mold package according to claim 1, wherein a predetermined step or a stand-off shape is provided on a predetermined lead of the pre-mold package, and the shape of the substrate mounting surface of the pre-mold package is constituted by the step shape or the stand-off shape. The acceleration sensor according to claim 2 or 3 .
【請求項5】 半導体エッチング技術によって片持ち梁
構造のマス及びビー ムが形成され、前記ビームにピエゾ
抵抗が形成された加速度センサーチップと、リードフレ
ームと、前記加速度センサーチップを実装するプリント
基板と、前記加速度センサーチップが実装された前記プ
リント基板をその内部に封止する封止枠とを備えてなる
ピエゾ抵抗型の加速度センサであって、基板に実装され
た状態で、前記ピエゾ抵抗と前記マスの重心が略同一の
水平面上に位置するように、実装される基板に対して前
記加速度センサーチップを傾斜させる傾斜手段を具備し
ており、前記傾斜手段を、前記封止枠の前記プリント基
板の取り付け位置により構成させたことを特徴とする加
速度センサ。
5. A cantilever using a semiconductor etching technique.
Mass and beam structure is formed, the piezo in the beam
Accelerometer chip with resistance formed and lead frame
And a print on which the acceleration sensor chip is mounted
A substrate on which the acceleration sensor chip is mounted;
And a sealing frame for sealing the lint substrate therein.
A piezoresistive acceleration sensor mounted on a board
The center of gravity of the piezoresistor and the mass
So that it is positioned on a horizontal plane
A tilting means for tilting the acceleration sensor chip.
And the tilting means is provided on the printing base of the sealing frame.
An acceleration sensor comprising a plate mounting position .
【請求項6】 半導体エッチング技術によって片持ち梁
構造のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエゾ
抵抗が形成された加速度センサーチップと、リードフレ
ームと、前記加速度センサーチップを内部に実装し、筐
体を兼ねる三次元成型部品とを備えてなるピエゾ抵抗型
の加速度センサであって、基板に実装された状態で、前
記ピエゾ抵抗と前記マスの重心が略同一の水平面上に位
置するように、実装される基板に対して前記加速度セン
サーチップを傾斜させる傾斜手段を具備しており、前記
傾斜手段を、前記三次元成型部品の基板実装面及び加速
度センサーチップの三次元成型部品への実装面の形状に
より構成させたことを特徴とする加速度センサ。
6. A cantilever using a semiconductor etching technique.
A structural mass and beam is formed, and the beam is
Accelerometer chip with resistance formed and lead frame
And the acceleration sensor chip mounted inside,
Piezoresistive type with three-dimensional molded parts that also function as a body
Of the acceleration sensor mounted on the board
The piezoresistor and the center of gravity of the cell are located on substantially the same horizontal plane.
The acceleration sensor relative to the board on which it is mounted.
It has a tilting means for tilting the surf chip,
Tilting means, the substrate mounting surface of the three-dimensional molded part and acceleration
The shape of the mounting surface of the temperature sensor chip on the three-dimensional molded part
An acceleration sensor which is characterized in that is further configured.
【請求項7】 前記プリモールドパッケージに、前記加
速度センサチップと、該加速度センサチップが実装
される基板との平行度を高めるための、前記基板に当接
させる突起が複数形成されていることを特徴とする請求
乃至請求項4のいずれか1項に記載の加速度セン
サ。
To wherein said pre-molded package, and the acceleration sensor over the chip, in order to increase the parallelism between substrate acceleration Sensor chip is mounted, the protrusion is brought into contact with the substrate is formed with a plurality The acceleration sensor according to any one of claims 2 to 4, wherein:
【請求項8】 前記突起を、前記加速度センサチップ
を保護するために、加速度センサーチップが実装された
凹部の開口を塞ぐ蓋の位置出しのための形状としたこと
を特徴とする請求項記載の加速度センサ。
The method according to claim 8, wherein the protrusions, in order to protect the acceleration sensor over the chip, claim 7, characterized in that a shape for the positioning of the lid for closing the opening of the recess accelerometer chip is mounted The acceleration sensor according to any one of the preceding claims.
【請求項9】 前記プリモールドパッケージの加速度セ
ンサーチップが実装された凹部の開口を塞ぐ蓋に、前記
加速度センサチップと、該加速度センサチップが実
装される基板との平行度を高めるための、前記基板に当
接させる突起が複数形成されていることを特徴とする請
求項乃至請求項4のいずれか1項に記載の加速度セン
サ。
9. A lid for closing the opening of the recess acceleration sensor chip is mounted in the pre-molded package, and the acceleration sensor over the chip, in order to increase the parallelism between substrate acceleration Sensor chip is mounted The acceleration sensor according to any one of claims 2 to 4 , wherein a plurality of protrusions are formed to contact the substrate.
【請求項10】 前記リードフレームのセカンドパッド
が、前記加速度センサーチップの、ボンディングワイヤ
ーが接続される面と略同一面内に配置されていることを
特徴とする請求項乃至請求項9のいずれか1項に記載
の加速度センサ。
10. A second pad of the lead frame, either the acceleration sensor chip of claim 1 to claim 9, characterized in that the bonding wire is disposed on a surface substantially the same plane to be connected 2. The acceleration sensor according to claim 1 .
【請求項11】 半導体エッチング技術によって片持ち
梁構造のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエ
ゾ抵抗が形成された加速度センサーチップ及びリードフ
レームを有してなるピエゾ抵抗型の加速度センサの製造
方法であって、トランスファ成型金型の、少なくとも一
方の金型に形成した突起を、リードフレームの、傾斜さ
せる所定箇所に当接させて、リードフレームの所定箇所
に傾斜をつけた状態で樹脂成型することを特徴とする加
速度センサの製造方法。
11. A method of manufacturing a piezoresistive acceleration sensor including a lead frame and an acceleration sensor chip having a cantilever structure mass and a beam formed by a semiconductor etching technique, and a piezoresistor formed in the beam. A protrusion formed on at least one of the molds of the transfer molding die is brought into contact with a predetermined portion of the lead frame to be inclined, and the resin is molded in a state where the predetermined portion of the lead frame is inclined. A method for manufacturing an acceleration sensor.
【請求項12】 半導体エッチング技術によって片持ち
梁構造のマス及びビームが形成され、前記ビームにピエ
ゾ抵抗が形成された加速度センサーチップ及びリードフ
レームを有してなるピエゾ抵抗型の加速度センサの製造
方法であって、プリモールドパッケージの前記加速度セ
ンサーチップを実装する面の下方の外郭の面に加熱ヒー
ターを当接させて、前記加速度センサーチップとリード
フレームのセカンドパッドとを電気的に接続するための
ワイヤボンディング工程を行うことを特徴とする請求項
2乃至請求項4および請求項7乃至請求項9のいずれか
1項に記載の加速度センサの製造方法。
12. A method of manufacturing a piezoresistive acceleration sensor comprising a lead frame and an acceleration sensor chip in which a cantilever-shaped mass and a beam are formed by a semiconductor etching technique and a piezoresistor is formed on the beam. Wherein a heater is brought into contact with an outer surface below a surface of the pre-molded package on which the acceleration sensor chip is mounted to electrically connect the acceleration sensor chip and a second pad of a lead frame. claims, characterized in that performing the wire bonding process
Any one of claims 2 to 4 and claims 7 to 9
2. The method for manufacturing the acceleration sensor according to claim 1 .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003227844A (en) 2002-02-04 2003-08-15 Pioneer Electronic Corp Sensor device and electronic apparatus for mobile body
TWI255346B (en) 2002-07-29 2006-05-21 Yamaha Corp Manufacturing method for magnetic sensor and lead frame therefor
US7290448B2 (en) 2004-09-10 2007-11-06 Yamaha Corporation Physical quantity sensor, lead frame, and manufacturing method therefor
US7791180B2 (en) 2004-10-01 2010-09-07 Yamaha Corporation Physical quantity sensor and lead frame used for same
TWI306297B (en) 2005-02-18 2009-02-11 Yamaha Corp Lead frame, sensor including lead frame and method of forming sensor including lead frame
KR100740358B1 (en) 2005-02-25 2007-07-16 야마하 가부시키가이샤 Sensor including lead frame and method of forming sensor including lead frame
JP2010002427A (en) * 2006-08-09 2010-01-07 Epson Toyocom Corp Inertial sensor, inertial sensor device and its manufacturing method
DE102007038515A1 (en) * 2006-11-09 2008-05-15 Robert Bosch Gmbh Device for passivating a component and method for producing the device
JP2009258012A (en) * 2008-04-18 2009-11-05 Mitsubishi Electric Corp Acceleration sensor
JP5776184B2 (en) * 2011-01-19 2015-09-09 株式会社村田製作所 Sensor device
JP2012194032A (en) * 2011-03-16 2012-10-11 Murata Mfg Co Ltd Sensor device
JP5902305B2 (en) 2012-09-12 2016-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 Semiconductor device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7886596B2 (en) 2006-08-09 2011-02-15 Epson Toyocom Corporation Inertial sensor
US8309385B2 (en) 2006-08-09 2012-11-13 Seiko Epson Corporation Inertial sensor, inertial sensor device and manufacturing method of the same

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