JP3256808B2 - Peripheral polishing equipment for semiconductor wafers - Google Patents

Peripheral polishing equipment for semiconductor wafers

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JP3256808B2
JP3256808B2 JP12671291A JP12671291A JP3256808B2 JP 3256808 B2 JP3256808 B2 JP 3256808B2 JP 12671291 A JP12671291 A JP 12671291A JP 12671291 A JP12671291 A JP 12671291A JP 3256808 B2 JP3256808 B2 JP 3256808B2
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wafer
polishing
polishing wheel
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peripheral
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和夫 佐藤
秀一 三須
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東芝セラミックス株式会社
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  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの製造
に用いられるシリコンウエーハ等の半導体ウエーハの周
縁を仕上げるのに用いられる周縁ポリシング装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a peripheral polishing apparatus used for finishing a peripheral edge of a semiconductor wafer such as a silicon wafer used for manufacturing a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウエーハの周縁を仕上げる
装置としては,インゴットをスライスした半導体ウエー
ハを1枚ずつチャック固定してベベル砥石によって研削
したり、多数枚を同時に研削できるようにしたベベリン
グ装置が知られている(特開昭62−136357号公
報、特開昭62−136358号公報及び特開昭62−
136359号公報参照)。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an apparatus for finishing the peripheral edge of a semiconductor wafer, there is a beveling apparatus in which a semiconductor wafer obtained by slicing an ingot is chucked one by one and ground with a bevel grindstone, or a plurality of wafers can be ground simultaneously. It is known (JP-A-62-136357, JP-A-62-136358 and JP-A-62-136358).
No. 136359).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらのベベ
リング装置による半導体ウエーハの周縁の仕上げ加工
は、ベベル砥石による研削加工である。このため、周縁
の仕上げ平面は粗いものとなっている。
However, finishing of the peripheral edge of the semiconductor wafer by these beveling devices is grinding by a bevel grinding wheel. For this reason, the finished surface of the periphery is rough.

【0004】近年、半導体業界は超精密化の方向へ進
み、上記従来のベベリング装置により研削加工された半
導体ウエーハは、周縁からのカケ、パーティクル等の発
生が問題となっている。
[0004] In recent years, the semiconductor industry has been moving toward ultra-precision, and there has been a problem of generation of chips, particles, and the like from the periphery of a semiconductor wafer ground by the above-mentioned conventional beveling apparatus.

【0005】このため、半導体ウエーハの周縁からのカ
ケ、パーティクル等が発生しないミラー面と同等のポリ
シングの可能な周縁加工装置の出現が要望されている。
For this reason, there is a demand for a peripheral processing apparatus capable of performing the same polishing as a mirror surface that does not generate chips or particles from the peripheral edge of the semiconductor wafer.

【0006】そこで、本発明は、複数の半導体ウエーハ
の周縁をミラー面と同等に効率的にポリシング可能な半
導体ウエーハの周縁ポリシング装置の提供を目的とす
る。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a peripheral polishing apparatus for a semiconductor wafer which can polish the peripheral edges of a plurality of semiconductor wafers as efficiently as the mirror surface.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体ウエーハの周縁ポリシング装置は、
複数のポリシング用周溝を有し、適宜方向へ回転する水
平なポリシング用ホイールと、ポリシング用ホイールの
各周溝と対応する複数の周溝を有し、ポリシング用ホイ
ールと協働して複数の半導体ウエーハを垂直に支持し、
かつ各半導体ウエーハを適宜方向へ回転する送りローラ
ーと、上記複数の半導体ウエーハをポリシング用ホイー
ル及び送りローラーに個別に加圧可能な加圧装置と、前
記ポリシング用ホイールの各周溝に研磨剤を供給する研
磨剤供給装置とを備えたものである。
In order to solve the above problems, a peripheral polishing apparatus for a semiconductor wafer according to the present invention comprises:
It has a plurality of peripheral grooves for polishing, has a horizontal polishing wheel that rotates in an appropriate direction, and has a plurality of peripheral grooves corresponding to each peripheral groove of the polishing wheel, and a plurality of peripheral grooves cooperate with the polishing wheel. Supporting the semiconductor wafer vertically,
And a feed roller that rotates each semiconductor wafer in an appropriate direction, a pressing device that can individually press the plurality of semiconductor wafers onto the polishing wheel and the feed roller, and an abrasive in each circumferential groove of the polishing wheel. And a polishing agent supply device.

【0008】そして、送りローラー及び加圧装置は、ポ
リシング用ホイールに対して進退可能であることが好ま
しい。
[0008] It is preferable that the feed roller and the pressing device can move forward and backward with respect to the polishing wheel.

【0009】[0009]

【作用】上記手段においては、半導体ウエーハは、ポリ
シング用ホイール及び送りローラーの各週溝に1枚ずつ
セットされ、ポリシング用ホイール、送りローラー及び
加圧装置の3点で安定保持されながら、送りローラーに
よって回転され、研磨剤が供給されるポリシング用ホイ
ールの周溝で周縁が加圧研磨される。
In the above means, the semiconductor wafer is set one by one in each groove of the polishing wheel and the feed roller, and is stably held by three points of the polishing wheel, the feed roller and the pressing device. The periphery is pressed and polished in the peripheral groove of the polishing wheel to which the polishing agent is supplied while being rotated.

【0010】又、送りローラー及び加圧装置を水平移動
可能とすることにより、ポリシング用ホイールと送りロ
ーラー及び加圧装置との間隔が可変となる。
[0010] Further, by making the feed roller and the pressing device horizontally movable, the distance between the polishing wheel and the feed roller and the pressing device can be changed.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例を図1〜図5に基づい
て説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0012】図1は本発明の一実施例を示す半導体ウエ
ーハの周縁ポリシング装置の正面図である。
FIG. 1 is a front view of a peripheral polishing apparatus for a semiconductor wafer showing one embodiment of the present invention.

【0013】図中1はポリシング用ホイールで、機台2
上に軸受ブラケット3により水平に支承されており、図
示しないモーターによっ適宜方向(図1においては左回
り)に高速回転される。ポリシング用ホイール1は、ウ
レタン、不織布等の研磨剤保持能力があり、かつ弾性の
ある材料により円柱状に形成されており、その外周に
は、図2に示すように、シリコンウエーハ4の周縁部を
収容可能とする複数の周溝5が軸方向に適宜に離隔して
設けられている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a polishing wheel;
It is horizontally supported by a bearing bracket 3 and is rotated at a high speed in an appropriate direction (counterclockwise in FIG. 1) by a motor (not shown). The polishing wheel 1 is formed of a columnar material made of an elastic material having a polishing agent holding capacity such as urethane or non-woven fabric, and has an outer periphery on the periphery of the silicon wafer 4 as shown in FIG. Are provided at appropriate intervals in the axial direction.

【0014】ポリシング用ホイール1の側方には、機台
2上に立設した図示しない軸受ブラケットに支承され、
かつ図示しないモーターによって適宜方向(図1におい
ては左回り)に低速回転される送りローラー6が、ポリ
シング用ホイール1と平行に、かつポリシング用ホイー
ル1に対して進退すべく図示矢印Aに示すように水平移
動可能に配置されている。送りローラー6は、ポリシン
グ用ホイール1と協働して複数のシリコンウエーハ4を
垂直に支持し、かつ各シリコンウエーハ4を適宜方向
(図1においては右回り)に回転するもので、摩擦力の
大きい特殊ゴム等により円柱状に形成されており、その
外周には、シリコンウエーハ4の周縁部を収容可能とす
る複数の周溝(図示せず)が、ポリシング用ホイール1
の各周溝5と対応させて設けられている。
On the side of the polishing wheel 1, a bearing bracket (not shown) erected on the machine base 2 supports the polishing wheel 1.
A feed roller 6, which is rotated at a low speed in an appropriate direction (counterclockwise in FIG. 1) by a motor (not shown), moves parallel to the polishing wheel 1 and moves back and forth with respect to the polishing wheel 1 as shown by an arrow A in the drawing. Is arranged so as to be horizontally movable. The feed roller 6 vertically supports the plurality of silicon wafers 4 in cooperation with the polishing wheel 1 and rotates each silicon wafer 4 in an appropriate direction (clockwise in FIG. 1). A plurality of peripheral grooves (not shown) that can accommodate the peripheral edge of the silicon wafer 4 are formed on the outer periphery of the polishing wheel 1.
Are provided corresponding to the respective circumferential grooves 5.

【0015】7は加圧装置で、上記ポリシング用ホイー
ル1と送りローラー6に垂直に支持された複数のシリコ
ンウエーハ4をポリシング用ホイール1及び送りローラ
ー6に個別に加圧するものであり、ポリシング用ホイー
ル1の周溝5等と対応する複数の加圧アーム8を備えて
いる。各加圧アーム8は、シリコンウエーハ4の周辺部
と係合するウエーハ押え9を先端部(図1においては右
端部)に枢着してある。又、各加圧アーム8は、基端部
(図1においては左端部)付近をポリシング用ホイール
1と平行な支軸10に枢支されており、支軸10は、こ
の支軸10と同方向へ水平に延在するスライドプレート
11に立設した軸受ブラケット12に横架されている。
スライドプレート11は、機台2上に記置したガイドブ
ロック13に支承され、機台2上のケーシング14に取
り付けた流体圧シリンダー15により図示矢印Bに示す
ように水平移動可能に設けられており、その移動に伴っ
て加圧アーム8をポリシング用ホイール1に対して進退
させる。スライドプレート11上には、各加圧アーム8
の基端部を個別に又は一括して真空又は磁力により吸着
し、各加圧アーム8をほぼ水平に保持する水平保持装置
16が設けられている。そして、各加圧アーム8の中間
部上には、ウエーハ押え9をシリコンウエーハ4に押圧
させるウエイト17の下端部が当接可能に設けられてお
り、各ウエイト17は、ケーシング14上に付設したウ
エイトホルダー18に上下動自在に保持されている上述
したポリシング用ホイール1、送りローラー6及び加圧
装置7の位置関係は、図3に示すように設けられてい
る。すなわち、水平移動可能な送りローラー6は、その
中心と、この送りローラー6とポリシング用ホイール1
に垂直に支持されたシリコンウエーハ4の中心とのなす
線分が、ポリシング用ホイール1の中心と、シリコンウ
エーハ4の中心とのなす線分に対して80°の角度をな
す位置に配置され、又、送りローラー6と同様に水平移
動可能な加圧装置7のウエーハ押え9は、その枢着点
が、ポリシング用ホイール1の中心と、シリコンウエー
ハ4の中心とのなす線分の延長線上に位置して配置され
ている。なお、シリコンウエーハ4を安定して保持回転
するには、上記位置関係に限らず、図4に示すように、
送りローラー6の中心とシリコンウエーハ4の中心がな
す線分と、ポリシング用ホイール1の中心とシリコンウ
エーハ4の中心がなす線分とで形成される50〜80°
の角度の範囲内に送りローラー6の中心を位置させ、
又、ウエーハ押え9の枢着点を、ポリシング用ホイール
1の中心とシリコンウエーハ4の中心がなす線分の延長
線の両側において、シリコンウエーハ4の中心を中心と
する片側15°の中心角をなす範囲内に位置させればよ
い。
Reference numeral 7 denotes a pressing device which individually presses the plurality of silicon wafers 4 vertically supported by the polishing wheel 1 and the feed roller 6 on the polishing wheel 1 and the feed roller 6. A plurality of pressure arms 8 corresponding to the circumferential groove 5 of the wheel 1 and the like are provided. Each pressure arm 8 has a wafer holder 9 that engages with the peripheral portion of the silicon wafer 4 pivotally attached to a tip end (right end in FIG. 1). Each pressing arm 8 is pivotally supported at a base end (left end in FIG. 1) near a support shaft 10 parallel to the polishing wheel 1. The support shaft 10 is the same as the support shaft 10. It is horizontally mounted on a bearing bracket 12 erected on a slide plate 11 extending horizontally in the direction.
The slide plate 11 is supported by a guide block 13 placed on the machine base 2, and is provided so as to be horizontally movable as indicated by an arrow B in the drawing by a fluid pressure cylinder 15 attached to a casing 14 on the machine base 2. With the movement, the pressing arm 8 is moved forward and backward with respect to the polishing wheel 1. Each pressing arm 8 is placed on the slide plate 11.
Are provided individually or collectively by vacuum or magnetic force to hold the pressing arms 8 substantially horizontally. A lower end portion of a weight 17 for pressing the wafer holder 9 against the silicon wafer 4 is provided on an intermediate portion of each pressing arm 8 so as to be able to abut. Each weight 17 is attached to the casing 14. The positional relationship between the polishing wheel 1, the feed roller 6, and the pressurizing device 7, which are held by the weight holder 18 so as to be vertically movable, is provided as shown in FIG. That is, the feed roller 6 which can be moved horizontally has its center, this feed roller 6 and the polishing wheel 1.
A line segment formed between the center of the polishing wafer 1 and the center of the silicon wafer 4 is arranged at an angle of 80 ° with respect to a line segment formed between the center of the polishing wafer 1 and the center of the silicon wafer 4. The wafer presser 9 of the pressurizing device 7 that can move horizontally like the feed roller 6 has its pivot point on an extension of the line between the center of the polishing wheel 1 and the center of the silicon wafer 4. It is located and located. In order to stably hold and rotate the silicon wafer 4, not only the above positional relationship, but also as shown in FIG.
50-80 ° formed by a line segment formed by the center of the feed roller 6 and the center of the silicon wafer 4 and a line segment formed by the center of the polishing wheel 1 and the center of the silicon wafer 4.
Position the center of the feed roller 6 within the range of the angle of
Further, the pivot point of the wafer presser 9 is set to a central angle of 15 ° on one side centered on the center of the silicon wafer 4 on both sides of an extension of a line formed by the center of the polishing wheel 1 and the center of the silicon wafer 4. What is necessary is just to be located in the range made.

【0016】前記ポリシング用ホイール1と送りローラ
ー6の上方におけるケーシング14には、図1に示すよ
うに、方形状のウエーハ昇降口19が設けられており、
このウエーハ昇降口19を囲むケーシング14上には、
図示しなウエーハキャリア機構によって運ばれるウエー
ハキャリア20が、開口部を下方にして載量可能に設け
られている。そして、ウエーハ昇降口19の下方には、
図5に示すようにウエーハ昇降口19を通過する複数の
シリコンウエーハ4を支持して昇降するウエーハ昇降ア
ーム21が配置されている。ウエーハ昇降アーム21
は、ケーシング14上に立設した流体圧シリンダー22
により昇降されるもので、ポリシング用ホイール1及び
送りローラー6より下方へ降下可能に設けられている。
一方、ウエーハ昇降アーム21の昇降経路の両側には、
このウエーハ昇降アーム21に支持されて昇降する複数
のシリコンウエーハ4の周縁部を案内する複数のガイド
溝を有するウエーハガイド23,24がそれぞれ配置さ
れている。一側(図5においては左側)のウエーハガイ
ド23は、図示矢印Cに示すように昇降可能に、かつ加
圧装置7のウエーハ押え9の水平移動経路より下方へ降
下可能に設けられ、更に他側(図5においては右側)の
ウエーハガイド24に対して進退すべく図示矢印Dに示
すように水平移動可能に設けられている。
The casing 14 above the polishing wheel 1 and the feed roller 6 is provided with a rectangular wafer elevating port 19 as shown in FIG.
On the casing 14 surrounding the wafer lift 19,
A wafer carrier 20 transported by a wafer carrier mechanism (not shown) is provided so that the opening can be placed on the wafer carrier 20 so as to be loadable. Then, below the wafer elevator 19,
As shown in FIG. 5, a wafer elevating arm 21 that supports and elevates a plurality of silicon wafers 4 passing through the wafer elevating opening 19 is arranged. Wafer lifting arm 21
Is a fluid pressure cylinder 22 erected on the casing 14.
It is provided so as to be able to descend below the polishing wheel 1 and the feed roller 6.
On the other hand, on both sides of the elevating path of the wafer elevating arm 21,
Wafer guides 23 and 24 having a plurality of guide grooves for guiding the peripheral portions of the plurality of silicon wafers 4 supported and supported by the wafer lifting arm 21 are arranged respectively. The wafer guide 23 on one side (the left side in FIG. 5) is provided so as to be able to move up and down as shown by the arrow C in the drawing, and to be able to descend below the horizontal movement path of the wafer holder 9 of the pressurizing device 7, and further As shown by an arrow D in the drawing, the wafer guide 24 is provided so as to be able to move horizontally with respect to the wafer guide 24 on the side (the right side in FIG. 5).

【0017】図1において25はポリシング用ホイール
1の周溝5に研磨剤を供給する研磨剤供給装置26の一
部を構成する研磨剤剤供給ノズルで、上記周溝5と対応
する数だけ設けられている。一方、ポリシング用ホイー
ル1及び送りローラー6等の下方における機台2上に
は、ポリシング用ホイール1等から落下する研磨剤を受
ける研摩剤受け27が設けられており、この研磨剤受け
27によって受けられた研磨剤は、導管28により機台
2内に設けた研磨剤タンク29に貯留され、かつこの研
磨剤タンク29と前記研磨剤供給ノズル25とを接続す
る導管30に介装したポンプ31により循環使用される
ように構成されている。
In FIG. 1, reference numeral 25 designates an abrasive supply nozzle which constitutes a part of an abrasive supply device 26 for supplying an abrasive to the peripheral groove 5 of the polishing wheel 1, and is provided in a number corresponding to the peripheral groove 5. Have been. On the other hand, on the machine base 2 below the polishing wheel 1 and the feed roller 6, etc., an abrasive receiver 27 for receiving the abrasive dropped from the polishing wheel 1 or the like is provided. The obtained abrasive is stored in an abrasive tank 29 provided in the machine base 2 by a conduit 28 and is pumped by a pump 31 interposed in a conduit 30 connecting the abrasive tank 29 and the abrasive supply nozzle 25. It is configured to be used cyclically.

【0018】上記構成の周縁ポリシング装置において、
ウエーハキャリア20がウエーハキャリア移動機構によ
って図1に示すようにケーシング14上に載置される
と、その中に収容された複数のシリコンウエーハ4は、
ウエーハ昇降アーム21に支持され、図5に示すように
ウエーハ昇降アーム21の降下に伴って両側のウエーハ
ガイド23,24のガイド溝に案内されて降下した後、
ポリシング用ホイール1及び送りローラー6の各周溝5
に垂直に支持される。
In the peripheral polishing apparatus having the above structure,
When the wafer carrier 20 is placed on the casing 14 as shown in FIG. 1 by the wafer carrier moving mechanism, the plurality of silicon wafers 4 accommodated therein are
After being supported by the wafer elevating arm 21 and being guided by the guide grooves of the wafer guides 23 and 24 on both sides with the lowering of the wafer elevating arm 21 as shown in FIG.
Each peripheral groove 5 of the polishing wheel 1 and the feed roller 6
It is supported vertically.

【0019】ついで、一側のウエーハガイド23を図1
で実線で示すように降下させ、加圧装置7の流体圧シリ
ンダー15を作動してスライドプレート11を移動し、
ウエーハ押え9をシリコンウエーハ4に係合した後、水
平保持装置16よる加圧アーム8の基端部の吸着を解除
する。この吸着解除によりウエーハ17の荷重が加圧ア
ーム8に負荷されて、ウエーハ押え9がシリコンウエー
ハ4をポリシング用ホイール1及び送りローラー6の周
溝5に個々に押圧して保持する。
Next, one side of the wafer guide 23 is shown in FIG.
To move the slide plate 11 by operating the fluid pressure cylinder 15 of the pressurizing device 7 as shown by the solid line,
After the wafer holder 9 is engaged with the silicon wafer 4, the suction of the base end of the pressure arm 8 by the horizontal holding device 16 is released. Due to the release of the suction, the load of the wafer 17 is applied to the pressure arm 8, and the wafer presser 9 individually presses and holds the silicon wafer 4 against the polishing wheel 1 and the circumferential groove 5 of the feed roller 6.

【0020】シリコンウエーハ4を図1に示すようにセ
ットした後、送りローラー6を低速で回転すると共に、
ポリシング用ホイール1を高速で回転し、かつ研磨剤供
給ノズル25から研磨剤を供給すると、シリコンウエー
ハ4の周縁が研磨(ポリシング)されてミラー面とな
る。
After setting the silicon wafer 4 as shown in FIG. 1, the feed roller 6 is rotated at a low speed,
When the polishing wheel 1 is rotated at a high speed and the polishing agent is supplied from the polishing agent supply nozzle 25, the peripheral edge of the silicon wafer 4 is polished (polished) to be a mirror surface.

【0021】上記周縁ポリシングに際し、シリコンウエ
ーハ4の周縁にオリエンテーションフラット等の切欠き
があっても、シリコンウエーハ4が個々に加圧保持され
ているので、切欠きの位置に関係なく周縁をポリシング
することができる。又、研磨剤としては、アルカリベー
スのコロイダルシリカ、分散タイプのシリカ質研磨剤が
用いられる。更に、シリコンウエーハ4の大きさが変化
した場合には、送りローラ6、一側のウエーハガイド2
3及び加圧装置7を水平方向へ適宜に移動する。
In the above-mentioned peripheral edge polishing, even if there is a notch such as an orientation flat on the peripheral edge of the silicon wafer 4, the peripheral edge is polished irrespective of the position of the notch because the silicon wafers 4 are individually pressed and held. be able to. As the polishing agent, alkali-based colloidal silica or a dispersion type siliceous polishing agent is used. Further, when the size of the silicon wafer 4 changes, the feed roller 6 and the wafer guide 2 on one side are changed.
3 and the pressing device 7 are appropriately moved in the horizontal direction.

【0022】そして、周縁ポリシングが完了したシリコ
ンウエーハ4は、前述したセット時とは逆の操作手順で
ウエーハキャリア20に収容され、ウエーハキャリア機
構によって自動的に運び去られる。
The silicon wafer 4 on which the peripheral edge polishing has been completed is housed in the wafer carrier 20 by the operation procedure reverse to the setting procedure described above, and is automatically carried away by the wafer carrier mechanism.

【0023】なお、上述した実施例では、シリコンウエ
ーハの周縁ポリシングについて説明したが、ポリシング
用ホイールの材質、研磨剤を所要のものとすることによ
り、シリコン以外の半導体ウエーハにも対応できる。
又、加圧装置はデッドウエイトを使用したが、シリンダ
ー加圧でもよい。更に、ウエーハを個々に加圧アーム及
びウエーハ押えで加圧しているが、ウエーハ押えに弾性
体を使用することにより一括加圧も可能となる。
In the above-described embodiment, the peripheral edge polishing of the silicon wafer has been described. However, if the material of the polishing wheel and the polishing agent are required, semiconductor wafers other than silicon can be used.
Although a dead weight is used as the pressurizing device, a cylinder pressurizing device may be used. Furthermore, although the wafers are individually pressed by the pressing arm and the wafer press, the use of an elastic body for the wafer press makes it possible to apply the collective press.

【0024】ここで、上述した周縁ポリシング装置と、
従来のベベリング装置によって6インチのシリコンウエ
ーハの周縁を仕上げ加工し、それぞれのシリコンウエー
ハを横型拡散炉で酸化し(1100℃×90min in ste
am)、それを希HFディップした後のウエーハ面のパー
ティクルを測定したところ表1に示すようになった。
Here, the peripheral polishing apparatus described above,
The peripheral edge of a 6-inch silicon wafer is finished by a conventional beveling device, and each silicon wafer is oxidized in a horizontal diffusion furnace (1100 ° C. × 90 min in stee).
am), and the particles on the wafer surface after dip of the dilute HF were measured. The results are shown in Table 1.

【0025】[0025]

【表1】 表1からも明らかなように、本発明の周縁ポリシング装
置による周縁ミラー研磨ウエーハによる場合は、従来の
ベベリング装置による周縁ベベリング加工ウエーハより
もパーティクル等の発生を1/10程度に低減できる。
[Table 1] As is clear from Table 1, in the case of using the peripheral mirror polishing wafer by the peripheral polishing apparatus of the present invention, the generation of particles and the like can be reduced to about 1/10 compared with the peripheral beveling processing wafer by the conventional beveling apparatus.

【0026】[0026]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体ウ
エーハは、ポリシング用ホイール及び送りローラーの各
周溝に1枚ずつセットされ、ポリシング用ホイール、送
りローラー及び加圧装置の3点で安定保持されながら、
送りローラーによって回転され、研磨剤が供給されるポ
リシング用ホイールの周溝で周縁が加圧研磨されるの
で、複数の半導体ウエーハの周縁をミラー面と同等に効
率的にポリシングできる。
As described above, according to the present invention, one semiconductor wafer is set in each circumferential groove of the polishing wheel and the feed roller. While being kept stable,
Since the periphery is pressed and polished in the peripheral groove of the polishing wheel to which the abrasive is supplied by being rotated by the feed roller, the periphery of the plurality of semiconductor wafers can be polished as efficiently as the mirror surface.

【0027】又、送りローラー及び加圧装置をポリシン
グ用ホイールに対して進退可能とすることにより、ポリ
シング用ホイールと送りローラー及び加圧装置との間隔
が可変となるので、半導体ウエーハの大きさの変化に対
応できる。
Further, by making the feed roller and the pressing device advance and retreat with respect to the polishing wheel, the distance between the polishing wheel and the feed roller and the pressing device becomes variable, so that the size of the semiconductor wafer is reduced. Can respond to change.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す半導体ウエーハの周縁
ポリシング装置の正面図である。
FIG. 1 is a front view of a peripheral polishing apparatus for a semiconductor wafer showing one embodiment of the present invention.

【図2】ポリシング用ホイールの一部を省略した半断面
側面図である。
FIG. 2 is a half sectional side view in which a part of a polishing wheel is omitted.

【図3】ポリシング用ホイール、送りローラー及び加圧
装置の配置関係の説明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of an arrangement relationship between a polishing wheel, a feed roller, and a pressing device.

【図4】ポリシング用ホイール、送りローラー及び加圧
装置の許容できる配置関係の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of an allowable arrangement relationship of a polishing wheel, a feed roller, and a pressing device.

【図5】周縁ポリシング装置の要部の作用説明図であ
る。
FIG. 5 is an operation explanatory view of a main part of the peripheral edge polishing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ポリシング用ホイール 4 シリコンウエーハ 5 周溝 6 送りローラー 7 加圧装置 8 加圧アーム 9 ウエーハ押え 25 研磨剤供給ノズル 26 研磨剤供給装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing wheel 4 Silicon wafer 5 Peripheral groove 6 Feed roller 7 Pressurizing device 8 Pressing arm 9 Wafer presser 25 Abrasive supply nozzle 26 Abrasive supply device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) B24B 9/00 601 H01L 21/304 621 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int. Cl. 7 , DB name) B24B 9/00 601 H01L 21/304 621

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数のポリシング用周溝を有し、適宜方
向へ回転する水平なポリシング用ホイールと、ポリシン
グ用ホイールの各周溝と対応する複数の周溝を有し、ポ
リシング用ホイールと協働して複数の半導体ウエーハを
垂直に支持し、かつ各半導体ウエーハを適宜方向へ回転
する送りローラーと、上記複数の半導体ウエーハをポリ
シング用ホイール及び送りローラーに個別に加圧可能な
加圧装置と、前記ポリシング用ホイールの各周溝に研磨
剤を供給する研磨剤供給装置とを備えたことを特徴とす
る半導体ウエーハの周縁ポリシング装置。
1. A polishing wheel having a plurality of circumferential grooves for polishing and rotating in an appropriate direction, and a plurality of circumferential grooves corresponding to each circumferential groove of the polishing wheel. A plurality of semiconductor wafers vertically supporting each other, and a feed roller that rotates each semiconductor wafer in an appropriate direction, and a pressing device that can individually press the plurality of semiconductor wafers onto a polishing wheel and a feed roller. A polishing agent supply device for supplying a polishing agent to each peripheral groove of the polishing wheel.
【請求項2】 請求項1記載の半導体ウエーハの周縁ポ
リシング装置において、送りローラー及び加圧装置がポ
リシング用ホイールに対して進退可能であることを特徴
とする半導体ウエーハの周縁ポリシング装置。
2. The peripheral polishing apparatus for a semiconductor wafer according to claim 1, wherein the feed roller and the pressing device are capable of moving forward and backward with respect to the polishing wheel.
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