JP3255786B2 - 半導体製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、反応室の中でウェハ
を加熱し、反応ガスを分解することによりウェハ表面に
薄膜を形成する半導体製造装置に係り、特にウェハの保
持に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、ウェハの表面に薄膜を生成する
にはウェハ加熱源の上にウェハを載置してウェハ保持部
材で保持し、ウェハ表面に反応ガスを供給することによ
り、化学気相を成長させるようにしている。ウェハは、
加熱した状態で反応ガスで処理されるので、ウェハ加熱
源に保持された状態では全く歪が生じないように保持さ
れることが望ましい。つまり、ウェハをソフトに保持す
る必要がある。なぜならば、歪がウェハに存在すると、
ウェハと加熱源との接触熱抵抗が変化してウェハの温度
分布が一定とならない。しかもウェハ保持部材による保
持部に応力が集中したまま、加熱されかつ化学気相が成
長されると、ウェハ保持部材をウェハより離したとき
に、ウェハの上記応力が解除される結果、ウェハが元の
形状に戻るので、この戻るときの応力が化学気相にあら
われてしまい、電気的特性を損ってしまう。この点を配
慮して従来ウェハの保持機構として種々のものが提案さ
れている。

【０００３】図９に特開平２−２２２５２６号の化学気
相成長装置に記載されている従来装置の断面図を示す。
図において、１はウェハ、２はウェハ１を加熱するウェ
ハ加熱源である。３はウェハ１に反応ガスを供給する反
応ガス供給部、４はウェハ１を収容する反応室であり、
後述の予備室１１４に接続されている。５は反応後の反
応ガスを排気する反応ガス排気部である。また、８ａは
ウェハ１を保持するツメであり、ウェハ加熱源２方向に
弾性が与えられた弾性片より成る。

【０００４】このような構成において、薄膜を形成する
には、先ず、搬送装置（図示せず）によってウェハ１を
保持して搬送しウェハ加熱源２の下面に位置決め載置す
る。次に、ウェハ加熱源２に設置されているツメ８ａの
弾性力により、ウェハ１の両面をウェハ加熱源２に押え
つける。ついで、反応ガス供給部３から反応ガスを反応
室４内に供給する。このとき、ウェハ加熱源２によって
ウェハ１が加熱されているため、反応ガスはウェハ１上
で熱化学反応を起こし、ウェハ１上に薄膜が形成され
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は図９に
示すように、ウェハ１をツメ８ａにより挟んでウェハ加
熱源２に押し付けているので、押し付け力の調整を精度
良く行うことができなかった。また、ツメ８ａでウェハ
１を挟んで、ウェハ加熱源２にウェハ１を押し付けると
きに挟んだ所に応力が集中し、ウェハ１の面内に押し付
け圧の分布が生じ、それに伴いウェハ１とウェハ加熱源
２間の接触熱抵抗が変化し、ウェハ１の温度分布を均一
化することができなかった。

【０００６】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、ウェハ保
持部材４０として、反応室４の内，外を連通する連通孔
４１に挿通されて、ウェハ１の表面方向に進退自在とな
り、先端に押圧子８を有するロッド１０と、一端が上記
連通孔４１の周縁に接続され、他端が上記ロッド１０の
外周に接続されて、ウェハ１方向に伸縮自在となった筒
状のベローズ９とから構成し、さらに、上記ロッド１０
をウェハ１から離れる方向に引いた後ウェハ保持時に解
放する制御部材５０（軸受１４，カップリング１５，モ
ータ１６，上板１７，下板１８）と、上記反応室４内を
排気する反応ガス排気部５と、反応室４内の圧力を調整
する圧力制御器６とから構成する。

【０００７】 第２の発明は、ウェハ１をウェハ加熱源２
の下面に位置させ、ウェハ１を押圧子８で下から押圧し
て保持するようロッド１０の先端を上向きとし、ロッド
１０の自重が、ウェハ１の押圧力を低減するように構成
する。

【０００８】 第３の発明は、ロッド１０に、ウエイト２
１を取付ける。

【０００９】 第４の発明は、ロッド１０に取付けられた
ウエイト２１ａに、微調整用ウエイト２１ｂを取付け
る。

【００１０】 第５の発明は、ウェハ１の押圧力を調整す
るばねをロッド１０の外周に設ける。

【００１１】 第６の発明は、連通孔４１の外側に隔壁２
６で形成される圧力室５３を設け、この圧力室５３にガ
ス供給器２４ａと、圧力調整器６ａとを接続して、圧力
室５３内の圧力でウェハ１の押圧力を調整可能とした。

【００１２】 第７の発明は、連通孔４１の外側の周縁と
ロッド１０の後端との間に筒状のベローズ９ａを設ける
ことにより、連通孔４１の外側に圧力室５５を設け、こ
の圧力室５５にガス供給器２４ｂと、圧力調整器６ｂと
を接続して、圧力室５５内の圧力でウェハ１の押圧力を
調整可能とした。

【００１３】

【作用】第１の発明は、反応室４内の負圧力にもとづき
ベローズ９が伸長し、ロッド１０がウェハ１方向に移動
してウェハ１をソフトに支持し、これによりウェハ１の
一箇所に押圧力が集中してかかることがなく、押し付け
分布が生じるおそれがなくなる。また、上記負圧力を圧
力制御器６で調整することにより、ウェハ１の押圧力を
自在に調整できる。

【００１４】 第２の発明は、ロッド１０が上向きとなっ
てウェハ１を下から押す構造であるので、ロッド１０の
自重が、ウェハ１の押圧力を低減するように作用し、ロ
ッド１０に下方向の体勢力を与えることができ、ウェハ
１にロッド１０の荷重が直接かかるのを防止でき、より
ソフトに保持できる。

【００１５】 第３の発明は、ウエイト２１の重さの調整
により、ウェハ１に作用する押圧力を自由に調整でき
る。

【００１６】 第４の発明は、ウエイト２１ａに取付けら
れる微調整用ウエイト２１ｂの重さの微調整により、押
圧力の微調整ができる。粗調整は、上記ウエイト２１ａ
で行えば良い。

【００１７】 第５の発明は、ロッド１０のウェハ１にか
かる圧力を調整するためのばねがロッド１０の外周に設
けられるので、ロッド１０にウエイト２１を外付けする
ものと異なり装置全体の小型化が図れる。

【００１８】 第６の発明は、圧力室５３内の圧力が一定
であり、これがロッド１０の後端に作用するので、ロッ
ド１０のウェハ１に対する押圧力を一定にでき、押圧力
が気象の気圧の高，低の影響を受けるおそれがなくな
る。

【００１９】 第７の発明は、各ロッド１０毎に設けた圧
力室５５の圧力をそれぞれ調整することにより、各ロッ
ド１０毎の押圧力の調整が可能となる。

【００２０】

【実施例】実施例１． この発明の半導体製造装置の一実施例の断面図を図１に
示す。図１において、ウェハ１は図示しないヒータを内
蔵するウェハ加熱源２の下面に保持されるもので、上記
ウェハ１の下表面には、下側に位置された反応ガス供給
部３からの反応ガスが吹付けられて化学気相処理され
る。上記ウェハ加熱源２は、両サイドに通口４ａ，４ｂ
を有する箱体より成る反応室４の天部４ｃの内面に取付
けられ、上記反応ガス供給部３はこのウェハ加熱源２に
対向するように上記反応室４の床部４ｄ上に取付けられ
る。上記通口４ａには圧力制御器６を介して反応ガス排
気部５が、また上記通口４ｂには圧力測定器７が接続さ
れる。上記ウェハ加熱源２の上の所定箇所に、図示しな
いウェハ搬送装置により上記ウェハ１が位置決めされ
る。このウェハ１の外周に対向して、上記床部４ｄに開
口部４ｅが設けられ、この開口部４ｅに、連通孔４１を
有する封止板４２が固定される。上記連通孔４１には、
先端に押圧子８を有するロッド１０が、上記ウェハ１の
外周方向に進退自在に挿通される。上記ロッド１０は、
上向きであり、その外周には、ウェハ１方向に伸縮自在
となったベローズ９が位置される。上記ベローズ９の先
端は、上記ロッド１０の先端側に固着され、上記ベロー
ズ９の後端は上記連通孔４１の周縁に固着される。この
ベローズ９は上記ロッド１０を持ち上げる方向のばね力
を有する。上記ロッド１０の後端は上記連通孔４１から
下方外側に一部突出し、キー１０ａを介してピストン部
１０ｂが接続される。このピストン部１０ｂはロッド１
０の一部として機能し、上，下方向に作動するもので、
ロッド１０と一体なものでもよく、シリンダとしてのガ
イド１１で支承されている。上記ピストン部１０ｂの最
下端に、水平方向に延長される上，下小板１９，２０が
上下端に取付けられたスライド軸１０ｃがねじ１０ｄで
固定されている。上記床部４ｄの下面に、固定子４ｆが
固定され、この固定子４ｆの下端には、ねじ４ｇで水平
枠４ｈが固定され、この水平枠４ｈの先端に、上記ガイ
ド１１が取付けられている。上記水平枠４ｈにはステー
４ｉが植設され、このステー４ｉの下端に固定板４ｊが
取付けられ、この固定板４ｊに設けられた軸受１４に、
回転軸１２ａが支承され、この回転軸１２ａの上端側に
送りねじ１２が取付けられ、その下端側に、上記固定板
４ｊに固定されたモータ１６の回転軸１２ａに連結され
るカップリング１５が接続される。送りねじ１２の外周
に、送りナット１３が螺着され、この送りナット１３
は、水平な下板１８に固定され、この下板１８は軸１８
ａを介して、上記下板１８と平行な上板１７に連結され
る。この上板１７はガイド１１ａを介して上記ステー４
ｉに取付けられ、その先端の孔１７ａに上記スライド軸
１０ｃが挿通される。

【００２１】 モータ１６は、その一定方向の回転により
上記送りねじ１２を回転して、上記送りナット１３を下
方向に移送し、これに伴い上記下板１８を下方向に移動
させて、上記上板１７を同様に下方向に送る。これによ
り、上記上板１７の先端が上記下小板２０を下に押すこ
とにより、上記ロッド１０を下方向に移送するものであ
る。上記上板１７はウェハ１の押圧保持に際して、上記
下小板２０に先立って上記モータ１６で上方向に送られ
て、上記下小板２０より離れて、上記ロッド１０の下方
向への押圧を解放する。

【００２２】 上記反応室４内は上記反応ガス排気部５で
排気されることにより負圧に設定されるので、この負圧
で上記ベローズ９には、上記ウェハ１方向に伸びる方向
（伸長方向）の力が大気圧より与えられる。つまり、上
記ロッド１０は上記負圧、上記ベローズ９のばね力で上
記ウェハ１方向に伸びようとする。上記ロッド１０後端
に、下方向の力が作用していないとすれば、上記ロッド
１０が上記の負圧，ベローズ９のばね力の作用で上方向
に伸びるので、その先端の上記押圧子８が上記ウェハ１
の外周の表面を上記ウェハ加熱源２方向に押圧する。

【００２３】 ここで、上記ベローズ９，上記ロッド１
０，上記連通孔４１等の機構で、上記ウェハ１を保持す
るウェハ保持部材４０が構成される。これは、例えば図
８に示すように、１２０度間隔で上記ウェハ１の外周に
対向する如く位置される。また、上記軸受１４，上記カ
ップリング１５，上記モータ１６，上記上板１７，上記
下板１８等の機構で上記ロッド１０を下方向に移動した
後、このロッド１０を解放する制御部材５０が構成され
る。

【００２４】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２にセッ
トする前は上記反応ガス供給部３のガスはリーク状態又
は、全く放出されない状態にある。また、反応室４内の
圧力は、反応ガス排気部５の動作により負圧に設定され
ている。上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２にセットす
るときは、上記モータ１６が一定方向に回転し、上記カ
ップリング１５を介して上記送りねじ１２が回転し、そ
れにともない上記送りナット１３が取り付けられている
上記下板１８が下がる。これにより、上記下板１８と連
結されている上記上板１７が下がり、上記上板１７が上
記下小板２０にあたる。これに連結されているロッド１
０が引き下げられ、上記ロッド１０に取り付けられてい
る上記押圧子８が下がる。この状態でウェハ搬送装置
（図示せず）により上記ウェハ１が上記予備室１１４を
経由してから上記ウェハ加熱源２に搬送され、位置決め
される。その後、上記モータ１６が反転し、上記カップ
リング１５を介して上記送りねじ１２が反転し、それに
ともない上記送りナット１３が取り付けられている上記
下板１８が上がる。これにより、上記下板１８と連結さ
れている上記上板１７が下小板２０に先立って上がり、
上記上板１７が上記下小板２０から離れ、上記上小板１
９と上記下小板２０の両板と非接触の状態に設置され
る。これにより、上記ロッド１０は解放される。また、
上記反応室４の圧力は反応ガス排気部５の動作によって
負圧に設定され、また上記圧力測定器７により計測さ
れ、上記圧力制御器６により負圧制御されている。

【００２５】 したがって、上記ロッド１０は上記反応室
４内の負の圧力と大気圧と上記ベローズ９のばね力と構
造部材の自重と摺動部の摩擦力との差により、上方向に
徐々移動して行き，その先端の上記押圧子８により、上
記ウェハ１の外周側の下面が上記ウェハ加熱源２方向に
押えつけられる。上記反応室４圧力を制御することによ
り上記押圧子８の押え圧を調整できる。また、上記押圧
子８が少なくとも２本以上ある場合に、上記ベローズ９
のばね定数または長さまたは両方を変えることにより上
記押圧子８毎に押え圧を制御できる。

【００２６】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００２７】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起こして、気相薄膜が形成される。不要な反応ガスは上
記反応ガス排気部５により上記反応室４から排気され
る。この反応ガス排気部５は常時動作状態となっている
ので、圧力室４内の圧力は負圧に設定されるので、ウェ
ハ１はロッド１０で保持されたままとなる。

【００２８】 実施例２． この一実施例の断面図を図２に示す。図２において２は
ウェハ加熱源であり、この場合ヒータである。５は反応
ガス排気部、６は圧力制御器、７は圧力測定器、３は反
応ガス供給部、１はウェハである。８は押圧子であり、
９はベローズである。１０は押圧子を支えるロッド、１
１はガイド、１２は送りねじ、１３は送りナット、１４
は軸受、１５はカップリング、１６はモータである。１
７は上板、１８は下板である。また、１９は上小板、２
０は下小板である。２１はねじ６０で取付けられるバラ
ンスウエイトである。

【００２９】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押し
当てるときの動作を説明すると、上記モータ１６が回転
し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１２が
回転し、それにともない上記送りナット１３が取り付け
られている上記下板１８が下がる。これにより、上記下
板１８と連結されている上記上板１７が下がり、上記上
板１７が上記下小板２０にあたる。これに連結されてい
る上記ロッド１０が引き下げられ、上記ロッド１０に取
り付けられている上記押圧子８が下がる。この状態でウ
ェハ搬送装置（図示せず）により上記ウェハ１が上記ウ
ェハ加熱源２に搬送される。その後、上記モータ１６が
反転し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１
２が反転し、それにともない上記送りナット１３が取り
付けられている上記下板１８が上がる。これにより、上
記下板１８と連結されている上記上板１７が上がり、上
記上板１７が上記下小板２０から離れ、上記上小板１９
と上記下小板２０の両板と非接触の状態に設置される。
また、上記反応室４の圧力は上記圧力測定器７により計
測され、上記圧力制御器６により負圧に制御されてい
る。

【００３０】 したがって、上記押圧子８は上記反応室４
内の負の圧力と大気圧と上記ベローズ９のばね力と構造
部材の自重と上記バランスウエイト２１と摺動部の摩擦
力との差により、上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に
押えつける。上記バランスウエイト２１の重量を調整す
ることにより上記押圧子８の押え圧を制御することがで
きる。また、上記押圧子８が少なくとも２本以上ある場
合には各々の上記押圧子８毎に上記バランスウエイト２
１を調整することにより、上記押圧子８毎に押え圧を制
御できる。

【００３１】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００３２】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起こし薄膜が形成される。不要な反応ガスは上記反応ガ
ス排気部５により上記反応室４から排気される。

【００３３】 実施例３． この一実施例の断面図を図３に示し、図１と同じものは
同一符号を用いている。２はウェハ加熱源であり、この
場合ヒータである。５は反応ガス排気部、６は圧力制御
器、７は圧力測定器、３は反応ガス供給部、１はウェハ
である。８は押圧子であり、９はベローズである。１０
は押圧子８を支えるロッド、１１はガイド、１２は送り
ねじ、１３は送りナット、１４は軸受、１５はカップリ
ング、１６はモータである。１７は上板、１８は下板で
ある。また、１９は上小板、２０は下小板である。２１
ａは粗調整用バランスウエイト、２１ｂは微調整用バラ
ンスウエイトである。

【００３４】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押し
当てるときの動作を説明すると、上記モータ１６が回転
し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１２が
回転し、それにともない上記送りナット１３が取り付け
られている上記下板１８が下がる。これにより、上記下
板１８と連結されている上記上板１７が下がり、上記上
板１７が上記下小板２０にあたる。これに連結されてい
る上記ロッド１０が引き下げられ、上記ロッド１０に取
り付けられている上記押圧子８が下がる。この状態でウ
ェハ搬送装置（図示せず）により上記ウェハ１が上記ウ
ェハ加熱源２に搬送される。その後、上記モータ１６が
反転し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１
２が反転し、それにともない上記送りナット１３が取り
付けられている上記下板１８が上がる。これにより、上
記下板１８と連結されている上記上板１７が上がり、上
記上板１７が上記下小板２０から離れ、上記上小板１９
と上記下小板２０の両板と非接触の状態に設置される。
また、上記反応室４の圧力は上記圧力測定器７により計
測され、上記圧力制御器６により制御されている。

【００３５】 したがって、上記押圧子８は上記反応室４
内の負の圧力と大気圧と上記ベローズ９のばね力と構造
部材の自重と上記バランスウエイト２１ａ， ２１ｂと
摺動部の摩擦力との差により、上記ウェハ１を上記ウェ
ハ加熱源２に押えつける。上記粗調整用バランスウエイ
ト２１ａによりおおまかな押え圧を調整し、微小な調整
を微調整用バランスウエイト２１ｂにより行う。押え圧
を微小に変更する場合には、微調整用バランスウエイト
２１ｂのみの変更で行うことができるため、取り扱いが
簡便となり、低コストとなる。また、上記押圧子８が少
なくとも２本以上ある場合には各々の上記押圧子８毎に
上記微調整用バランスウエイト２１ｂを調整することに
より、上記押圧子８毎に押え圧を制御できる。

【００３６】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００３７】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起し、薄膜が形成される。不要な反応ガスは上記反応ガ
ス排気部５により上記反応室４から排気される。

【００３８】 実施例４． この一実施例の断面図を図４に示し、図１と同じものは
同一符号を用いている。図４において、ウェハ１は図示
しないヒータを内蔵するウェハ加熱源２の上面に保持さ
れるもので、上記ウェハ１の上表面には、上に位置され
た反応ガス供給部３からの反応ガスが吹付けられて処理
される。上記ウェハ加熱源２は、両サイドに通口４ａ，
４ｂを有する箱体より成る反応室４の床部４ｄの内面に
取付けられ、上記反応ガス供給部３はこのウェハ加熱源
２に対向するように上記反応室４の天部４ｃに取付けら
れる。上記通口４ａに圧力制御器６を介して反応ガス排
気部５が、上記通口４ｂに圧力測定器７が接続される。
上記ウェハ加熱源２の上の所定箇所に図示しないウェハ
搬送装置で上記ウェハ１が位置決めされ、このウェハ１
の外周に対向して、上記天部４ｃに開口部４ｅが設けら
れ、この開口部４ｅに、連通孔４１を有する封止板４２
が固定される。上記連通孔４１には、先端に押圧子８を
有するロッド１０が、上記ウェハ１の外周方向に進退自
在に挿通される。上記ロッド１０は、下向きであり、そ
の外周には、ウェハ１方向に伸縮自在となったベローズ
９が位置される。上記ベローズ９の先端は、上記ロッド
１０の先端側に固着され、上記ベローズ９の後端は上記
連通孔４１の周縁に固着される。このベローズ９は上記
ロッド１０を下げる方向のばね力を有する。上記ロッド
１０の後端は上記連通孔４１から上方に一部突出し、キ
ー１０ａを介してピストン部１０ｂが接続される。この
ピストン部１０ｂはロッド１０の一部として上，下方向
に作動するもので、ロッド１０と一体なものでもよく、
シリンダとしてのガイド１１で支承されている。上記ピ
ストン部１０ｂの最上端に、水平方向に延長される上，
下小板２２０，２１９が上下端に取付けられたスライド
軸１０ｃがねじ１０ｄで固定されている。上記天部４ｃ
の上面に、固定子４ｆが固定され、この固定子４ｆの上
端には、ねじ４ｇで水平枠４ｈが固定され、この水平枠
４ｈの先端に、上記ガイド１１が取付けられている。上
記水平枠４ｈにはステー４ｉが植設され、このステー４
ｉの上端に固定板４ｊが取付けられ、この固定板４ｊに
設けられた軸受１４に、回転軸１２ａが支承され、この
回転軸１２ａの下端側に送りねじ１２が取付けられ、そ
の上端側に、上記固定板４ｊに固定されたモータ１６の
回転軸１２ａに連結されるカップリング１５が接続され
る。送りねじ１２の外周に、送りナット１３が螺着さ
れ、この送りナット１３は、水平な上板２１８に固定さ
れ、この上板２１８は軸１８ａを介して、上記上板２１
８と平行な下板２１７に連結される。この下板２１７は
ガイド１１ａを介して上記ステー４ｉに取付けられ、そ
の先端の孔１７ａに上記スライド軸１０ｃが挿通され
る。

【００３９】 モータ１６は、その一定方向の回転により
上記送りねじ１２を回転して、上記送りナット１３を上
方向に移送し、これに伴い上記上板２１８を上方向に移
動させて、上記下板２１７を同様に上方向に送る。これ
により、上記下板２１７の先端が上記上小板２２０を上
に押すことにより、上記ロッド１０を上方向に移送する
ものである。上記下板２１７はウェハ１の押圧保持に際
して、上記上小板２２０に先立って、上記モータ１６で
下方向に送られて、上記上小板２２０より離れて、上記
ロッド１０の上方向への押圧を解放する。

【００４０】 上記反応室４内は上記反応ガス排気部５で
排気されることにより負圧に設定されるので、この負圧
で上記ベローズ９には、上記ウェハ１方向に伸びる方向
の力が大気圧より与えられる。つまり、上記ロッド１０
は上記負圧、上記ベローズ９のばね力で上記ウェハ１方
向に伸びようとする。上記ロッド１０の後端に、下板２
１７による上方向の押圧力が作用していないとすれば、
上記ロッド１０が上記の負圧，ベローズ９のばね力の作
用で下方向に伸びるので、その先端の上記押圧子８が上
記ウェハ１の外周の表面を上記ウェハ加熱源２方向に押
圧する。

【００４１】 ここで、上記ベローズ９，上記ロッド１
０，上記連通孔４１等の機構で、上記ウェハ１を保持す
るウェハ保持部材４０が構成され、これは、例えば図８
に示すように、１２０度間隔で上記ウェハ１の外周に対
向する如く位置される。また、上記軸受１４，上記カッ
プリング１５，上記モータ１６，上記下板２１７，上記
上板２１８等の機構で上記ロッド１０を上方向に移動し
た後、このロッド１０を解放する制御部材５０が構成さ
れる。

【００４２】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２にセッ
トする前は上記反応ガス供給部３のガスはリーク状態又
は、全く放出されない状態にある。上記ウェハ１を上記
ウェハ加熱源２にセットするときは、上記モータ１６が
一定方向に回転し、上記カップリング１５を介して上記
送りねじ１２が回転し、それにともない上記送りナット
１３が取り付けられている上記上板２１８が上がる。こ
れにより、上記上板２１８と連結されている上記下板２
１７が上がり、上記下板２１７が上記上小板２２０にあ
たる。これに連結されているロッド１０が引き上げら
れ、上記ロッド１０に取り付けられている上記押圧子８
が上がる。この状態でウェハ搬送装置（図示せず）によ
り上記ウェハ１が上記予備室１１４を経由してから上記
ウェハ加熱源２に搬送され、位置決めされる。その後、
上記モータ１６が反転し、上記カップリング１５を介し
て上記送りねじ１２が反転し、それにともない上記送り
ナット１３が取り付けられている上記上板２１８が下が
る。これにより、上記上板２１８と連結されている上記
下板２１７が下小板２２０に先立って下がり、上記下板
２１７が上記上小板２２０から離れ、上記下小板２１９
と上記上小板２２０の両板と非接触の状態に設置され
る。これにより、上記ロッド１０は解放される。また、
上記反応室４の圧力は上記圧力測定器７により計測さ
れ、上記圧力制御器６により負圧制御されている。

【００４３】 したがって、上記ロッド１０は上記反応室
４内の負の圧力と大気圧と上記ベローズ９のばね力と構
造部材の自重と摺動部の摩擦力との差により、下方向に
徐々移動して行き，その先端の上記押圧子８により、上
記ウェハ１の外周側の下面が上記ウェハ加熱源２方向に
押えつけられる。上記反応室４圧力を制御することによ
り上記押圧子８の押え圧を調整できる。また、上記押圧
子８が少なくとも２本以上ある場合に、上記ベローズ９
のばね定数または長さまたは両方を変えることにより上
記押圧子８毎に押え圧を制御できる。

【００４４】 ２１ｃは粗調整用バランスウエイトであ
り、滑車２２を介して上記上小板２２０に連結されてい
る。

【００４５】 したがって、上記粗調整用バランスウエイ
ト２１ｃの重量を調整することにより上記押圧子８の押
え圧を制御することができる。また、押圧子８が少なく
とも２本以上ある場合には各々の押圧子８毎に上記粗調
整用バランスウエイト２１ｃを調整することにより、上
記押圧子８毎に押え圧を制御できる。

【００４６】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００４７】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起こし薄膜が形成される。不要な反応ガスは上記反応ガ
ス排気部５により上記反応室４から排気される。

【００４８】 実施例５．この一実施例の断面図を図５に
示し、図１と同じものは同一符号を用いている。２はウ
ェハ加熱源であり、この場合ヒータである。５は反応ガ
ス排気部、６は圧力制御器、７は圧力測定器、３は反応
ガス供給部、１はウェハである。８は押圧子であり、９
はベローズである。１０は上記押圧子８を支えるロッ
ド、１１はガイド、１２は送りねじ、１３は送りナッ
ト、１４は軸受、１５はカップリング、１６はモータで
ある。１７は上板、１８は下板である。また、１９は上
小板、２０は下小板である。２３は反応室４に固定され
ている固定板である。２１ｆはばねであり、上記ロッド
１０の一部としてのピストン部１０ｂの外周に巻装さ
れ、封止板４２と水平枠４ｈとの間に介在される。この
ばね２１ｆが上記バランスウエイト２１の役割であり、
このばね２１ｆでロッド１０を常に下方向に付勢する。

【００４９】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押し
当てるときの動作を説明すると、上記モータ１６が回転
し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１２が
回転し、それにともない上記送りナット１３が取り付け
られている上記下板１８が下がる。これにより、上記下
板１８と連結されている上記上板１７が下がり、上記上
板１７が上記下小板２０にあたる。これに連結されてい
る上記ロッド１０が引き下げられ、上記ロッド１０に取
り付けられている上記押圧子８が下がる。この状態でウ
ェハ搬送装置（図示せず）により上記ウェハ１が上記ウ
ェハ加熱源２に搬送される。その後、上記モータ１６が
反転し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１
２が反転し、それにともない上記送りナット１３が取り
付けられている上記下板１８が上がる。これにより、上
記下板１８と連結されている上記上板１７が上がり、上
記上板１７が上記下小板２０から離れ、上記上小板１９
と上記下小板２０の両板と非接触の状態に設置される。
また、上記反応室４の圧力は上記圧力測定器７により計
測され、上記圧力制御器６により制御されている。

【００５０】 したがって、上記押圧子８は上記反応室４
の負の圧力と大気圧と上記ベローズ９のばね力と構造部
材の自重と上記バランスウエイト２１である上記ばね２
１ｆのばね力と摺動部の摩擦力との差により、上記ウェ
ハ１を上記ウェハ加熱源２に押えつける。上記バランス
ウエイト２１である上記ばね２１ｆのばね定数やばねの
長さを調整することにより上記押圧子８の押え圧を制御
することができる。また、上記押圧子８が少なくとも２
本以上ある場合には各々の上記押圧子８毎に上記バラン
スウエイト２１である上記ばね２１ｆを調整することに
より、上記押圧子８毎に押え圧を制御できる。

【００５１】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００５２】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起こし薄膜が形成される。不要な反応ガスは上記反応ガ
ス排気部５により上記反応室４から排気される。

【００５３】 実施例６． この一実施例の断面図を図６に示し、図１と同じものは
同一符号を用いている。２はウェハ加熱源でありこの場
合ヒータである。５は反応ガス排気部、６は圧力制御
器、７は圧力測定器、３は反応ガス供給部、１はウェハ
である。８は押圧子であり、９はベローズである。１０
は押圧子８を支えるロッド、１１はガイド、１２は送り
ねじ、１３は送りナット、１４は軸受、１５はカップリ
ング、１６はモータである。１７は上板、１８は下板で
ある。また、１９は上小板、２０は下小板である。

【００５４】 ウェハ保持部材４０の大気側は隔壁２６に
より被われている。すなわち、隔壁２６は、上側が開口
して、床部４ｄの下面全体を下から、制御部材５０とと
もに被っている。この隔壁２６で圧力室５３が形成さ
れ、その内部の圧力は、ロッド１０，ベローズ９をウェ
ハ１方向に付勢するように働く。この隔壁２６に、ガス
供給器２４ａ、圧力測定器７ａ、圧力調整器６ａ、ガス
排気部２５が設けられている。ガス供給器２４ａはマス
フローコントローラ、流量計、流量調整バルブなどであ
る。また、上記圧力測定器７ａとしては液柱差真空計、
マクレオド真空計、ブルドン管真空計、ダイアフラム真
空計、ピラニ真空計などである。圧力調整器６ａとして
はバタフライバルブ、オートプレッシャーコントロール
装置などである。ガス排気部２５は油回転ポンプ、メカ
ニカルブースターポンプ、油拡散ポンプ、ドライポン
プ、またこれらの組み合わせなどである。

【００５５】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押し
当てるときの動作を説明すると、上記モータ１６が回転
し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１２が
回転し、それにともない上記送りナット１３が取り付け
られている上記下板１８が下がる。これにより、上記下
板１８と連結されている上記上板１７が下がり、上記上
板１７が上記下小板２０にあたる。これに連結されてい
る上記ロッド１０が引き下げられ、上記ロッド１０に取
り付けられている上記押圧子８が下がる。この状態でウ
ェハ搬送装置（図示せず）により上記ウェハ１が上記ウ
ェハ加熱源２に搬送される。その後、上記モータ１６が
反転し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１
２が反転し、それにともない上記送りナット１３が取り
付けられている上記下板１８が上がる。これにより、上
記下板１８と連結されている上記上板１７が上がり、上
記上板１７が上記下小板２０から離れ、上記上小板１９
と上記下小板２０の両板と非接触の状態に設置される。
また、上記反応室４の圧力は上記圧力測定器７により計
測され、上記圧力制御器６により制御されている。

【００５６】 ウェハ保持部材４０の後部に作用する隔壁
２６による圧力室５３内の圧力制御方法としては、例え
ば上記ガス供給器２４ａからのガスの供給量を一定とし
上記圧力測定器７ａにより圧力を測定しつつ上記ガス供
給器２４ａからのガスの供給量を上記圧力調整器６ａに
より、排気コンダクタンスを変化させて圧力を制御する
方法、上記圧力調整器６ａの排気コンダクタンスを一定
とし上記圧力測定器７ａにより圧力を測定しつつ上記ガ
ス供給器２４ａからのガス供給量を変化させて圧力を制
御する方法、上記ガス供給器２４ａからのガスの供給量
と上記圧力調整器６ａの排気コンダクタンスを両方可変
とし上記圧力測定器７ａにより圧力を測定しつつ上記隔
壁２６内の圧力を制御する方法などがある。

【００５７】 したがって、上記押圧子８は反応室４の負
の圧力と圧力室５３内の圧力と上記ベローズ９のばね力
と構造部材の自重と摺動部の摩擦力との差により、上記
ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押えつける。反応室４
内の圧力と圧力室５３内の圧力を制御することにより、
装置外部の大気圧の影響を全く受けない。このため大気
圧が変動しても上記反応室４との差圧を精度良く調整で
き、上記ウェハ１の押し付け圧力の精度が向上する。そ
して、この実施例では、上記ロッド１０の後方に作用す
る圧力が、上記隔壁２６内の圧力（正圧）であり、常に
一定であるので、上記ウェハ１に常に一定の圧力を与え
得る。つまり、上記隔壁２６が存在しないと、上記ロッ
ド１０の後方には大気圧が作用するが、この大気圧は、
気象が低気圧か高気圧かで変動するので押圧力を変動さ
せてしまうが、本実施例では、これを防止できる。

【００５８】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００５９】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起して薄膜が形成される。不要な反応ガスは上記反応ガ
ス排気部５により上記反応室４から排気される。

【００６０】 実施例７． この発明による一実施例の断面図を図７、平面図を図８
に示す。押圧子８は多数本例えばこの場合３本設置され
ているが、図７においては１本のみを表示している。２
はウェハ加熱源であり、この場合ヒータである。５は反
応ガス排気部、６は圧力制御器、７は圧力測定器、３は
反応ガス供給部、１はウェハである。８は押圧子であ
り、９はベローズである。１０は押圧子８を支えるロッ
ド、１１はガイド、１２は送りねじ、１３は送りナッ
ト、１４は軸受、１５はカップリング、１６はモータで
ある。１７は上板、１８は下板である。また、１９は上
小板、２０は下小板である。

【００６１】 ウェハ保持部材４０の下端側はベローズ９
ａにより被われている。すなわち、ロッド１０の一部で
あるピストン１０ａの外周を被うとともに、一端が床部
４ｄに、他端が上小板１９に接続されて圧力室５５を形
成するベローズ９ａが設けられ、このベローズ９ａに、
ガス供給器２４ｂと圧力測定器７ｂと、圧力調整器６ｂ
と、ガス排気部２５とが設けられている。上記ガス供給
器２４ｂはマスフローコントローラ、流量計、流量調整
バルブなどである。また、上記圧力測定器７ｂとしては
液柱差真空計、マクレオド真空計、ブルドン管真空計、
ダイアフラム真空計、ピラニ真空計などである。上記圧
力調整器６ｂとしてはバタフライバルブ、オートプレッ
シャーコントロール装置などである。ガス排気部２５は
油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、油拡散ポ
ンプ、ドライポンプ、またはこれらの組み合わせなどで
ある。この場合、上記圧力室５５は、ロッド１０，ベロ
ーズ９より成る３本のウェハ保持部材４０を図８に示す
如く３本設けた場合には、各ウェハ保持部材４０毎に設
けられる。

【００６２】 上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押し
当てるときの動作を説明すると、上記モータ１６が回転
し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１２が
回転し、それにともない上記送りナット１３が取り付け
られている上記下板１８が下がる。これにより、上記下
板１８と連結されている上記上板１７が下がり、上記上
板１７が上記下小板２０にあたる。これに連結されてい
る上記ロッド１０が引き下げられ、上記ロッド１０に取
り付けられている上記押圧子８が下がる。この状態でウ
ェハ搬送装置（図示せず）により上記ウェハ１が上記ウ
ェハ加熱源２に搬送される。その後、上記モータ１６が
反転し、上記カップリング１５を介して上記送りねじ１
２が反転し、それにともない上記送りナット１３が取り
付けられている上記下板１８が上がる。これにより、上
記下板１８と連結されている上記上板１７が上がり、上
記上板１７が上記下小板２０から離れ、上記上小板１９
と上記下小板２０の両板と非接触の状態に設置される。
また、上記反応室４の負の圧力は上記圧力測定器７によ
り計測され、上記圧力制御器６により制御されている。

【００６３】 ウェハ保持部材４０の下端に作用するベロ
ーズ９ａ内の圧力制御方法としては、例えばガス供給器
２４ｂからのガスの供給量を一定とし圧力測定器７ｂに
より圧力を測定しつつガス供給器２４ｂからのガスの供
給量を、圧力調整器６ｂにより、排気コンダクタンスを
変化させて圧力を制御する方法、圧力調整器６ｂの排気
コンダクタンスを一定とし圧力測定器７ｂにより圧力を
測定しつつガス供給器２４ｂからのガス供給量を変化さ
せて圧力を制御する方法、ガス供給器２４ｂからのガス
の供給量と圧力調整器６ｂの排気コンダクタンスを両方
可変とし圧力測定器７ｂにより圧力を測定しつつベロー
ズ９ａ内の圧力を制御する方法などがある。

【００６４】 したがって、上記押圧子８は反応室４内の
負の圧力とベローズ９ａ内の圧力室５５の圧力と上記ベ
ローズ９のばね力と構造部材の自重と摺動部の摩擦力と
の差により、上記ウェハ１を上記ウェハ加熱源２に押え
つける。反応室４内の圧力と圧力室５５内の圧力を制御
することにより、大気圧が変動しても上記反応室４内の
圧力との差圧を精度よく調整でき、上記ウェハ１の押し
付け圧力の精度が向上する。

【００６５】 また、各ウェハ保持部材４０毎に上記ベロ
ーズ９ａ内の圧力室５５の圧力を制御するので各押圧子
８の押し付け力を独立に精度良く調整できる。つまり、
上記ベローズ９及びロッド１０を例えば３組取付けた場
合、この各ベローズ９が市販のものでは、ばね力にバラ
ツキが生じることがあるが、本実施例のように、各上記
ベローズ９毎にベローズ９ａによる上記圧力室５５を設
けて圧力を調整することにより、上記ベローズ９毎のば
ね力のバラツキを吸収でき、上記ウェハ１の押圧力を各
上記押圧子８相互間で一定にできる。

【００６６】 上記押圧子８としては石英ガラス、単結晶
サファイアガラス、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化
アルミニウム、カーボングラファイト、カーボングラフ
ァイトに炭化シリコン膜をコーティングしたもの、窒化
シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、炭
化シリコンに窒化シリコン膜をコーティングしたもの、
窒化アルミニウムに窒化シリコン膜をコーティングした
もの、カーボングラファイトに窒化シリコン膜をコーテ
ィングしたもの、炭素繊維強化炭素材料などがある。

【００６７】 薄膜の形成方法について説明すると、上記
ウェハ１の処理面に対向する上記反応ガス供給部３によ
り反応ガスが上記ウェハ１表面に供給される。このと
き、上記ウェハ加熱源２により上記ウェハ１が加熱され
ているため、反応ガスは上記ウェハ１上で熱化学反応を
起こし薄膜が形成される。不要な反応ガスは上記反応ガ
ス排気部５により上記反応室４から排気される。

【００６８】 尚、本発明の 半導体製造装置の種類として
はホットウォール型の枚葉式減圧ＣＶＤ装置への適用が
最も有効であるが、その他の薄膜形成、加工等の半導体
製造装置にも利用可能である。

【００６９】

【発明の効果】以上のように第１の発明によれば、ウェ
ハ保持部材として、反応室４の内，外を連通する連通孔
に挿通されて、ウェハの表面方向に進退自在となり、先
端に押圧子を有するロッドと、一端が上記連通孔の周縁
に接続され、他端が上記ロッドの外周に接続されて、ウ
ェハ方向に伸縮自在となった筒状のベローズとから構成
し、さらに、上記ロッドを、ウェハから離れる方向に引
いた後、ウェハ保持時に解放する制御部材と、上記反応
室内を排気する反応ガス排気部と、反応室内の圧力を調
整する圧力制御器とから構成したので、反応室内の負圧
力にもとづきベローズを伸長させることができ、これに
よりロッドが ウェハ方向に移動してウェハをソフトに
支持できるので、ウェハの一箇所に押圧力が集中してか
かることがなく、押し付け分布生じるおそれがなくな
る。また、圧力を圧力制御器で調整することにより、ウ
ェハの押圧力を自在に調整できるという効果が得られ
る。

【００７０】 第２の発明によれば、ウェハをウェハ加熱
源の下面に位置させ、ウェハを押圧子で下から押圧して
保持するようロッドの先端を上向きとし、ロッドの自重
が、ウェハの押圧力を低減するように構成したので、ロ
ッドの自重にもとずき、ロッドに下方向の付勢力を与え
ることができ、その分、ロッドを下方向に不勢するため
の部材を取付ける必要がなくなり、全体として小型化が
図れるという効果が得られる。

【００７１】 第３の発明によれば、ロッドにはウエイト
を取付けたので、このウエイトの重さ調整により、ウェ
ハに作用する押圧力を自由に調整できるという効果が得
られる。

【００７２】 第４の発明によれば、ロッドに取付けられ
たウエイトに、微調整用ウエイトを取付けたので、微調
整ウエイトの重さ調整により、ウェハに作用する押圧力
を微調整できる。

【００７３】 第５の発明によれば、ばねがロッドの一部
の外周に設けられるので、余分なスペースを専有するこ
となく、ロッドによる押圧力を調整でき、全体として小
型化が図れるという効果が得られる。

【００７４】 第６の発明によれば、圧力室内の圧力でウ
ェハの押圧力を調整可能としたので、圧力室内の圧力を
一定にすることにより、ロッドの後端に一定の圧力が作
用するので、ロッドのウェハに対する押圧力を一定にで
き、押圧力が気象の気圧の高，低の影響を受けるおそれ
がなくなるという効果が得られる。

【００７５】 第７の発明によれば、連通孔の外周縁と各
ロッドの後端との間に筒状のベローズを設けて圧力室を
形成したので、この圧力室内の圧力を一定とすることに
よりロッドのウェハに対する押圧力一定にでき、押圧力
が気象の気圧の高，低の影響を受けるおそれがなくな
り、しかも圧力室の圧力をそれぞれ調整することによ
り、各ロッド毎の押圧力の調整が可能となるという効果
が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係わる半導体製造装置の実施例１を
示す断面図である。

【図２】この発明に係わる半導体製造装置の実施例２を
示す断面図である。

【図３】この発明に係わる半導体製造装置の実施例３を
示す断面図である。

【図４】この発明に係わる半導体製造装置の実施例４を
示す断面図である。

【図５】この発明に係わる半導体製造装置の実施例５を
示す断面図である。

【図６】この発明に係わる半導体製造装置の実施例６を
示す断面図である。

【図７】この発明に係わる半導体製造装置の実施例７を
示す断面図である。

【図８】この発明に係わる半導体製造装置の実施例７を
示す平面図である。

【図９】 従来の半導体製造装置の一例を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１ ウェハ ２ ウェハ加熱源 ３ 反応ガス供給部 ４ 反応室 ５ 反応ガス排気部 ６ 圧力制御器 ７ 圧力測定器 ８ 押圧子 ９ ベローズ １０ ロッド １１ ガイド １２ 送りねじ １３ 送りナット １４ 軸受 １５ カップリング １６ モータ １７ 上板 １８ 下板 １９ 上小板 ２０ 下小板 ２１ バランスウエイト ２２ 滑車 ２３ 固定板 ２４ ガス供給器 ２５ ガス排気部 ２６ 隔壁

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神田 智幸 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 高浜 亨 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 山西 健一郎 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 大西 寛 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 草壁 嘉彦 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電 機株式会社 生産技術研究所内 (72)発明者 蔦原 晃一郎 伊丹市瑞原４丁目１番地 三菱電機株式 会社 北伊丹製作所内 (72)発明者 河田 良信 福岡市西区今宿東一丁目１番１号 三菱 電機株式会社福岡製作所内 (56)参考文献 特開 平１−136329（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−106036（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−174719（ＪＰ，Ａ) 実開 平４−15230（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/31 C23C 14/50 C23C 16/458 H01L 21/205 H01L 21/68

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応室と、この反応室内に位置されるウ
   ェハ加熱源と、このウェハ加熱源の上に位置決めされる
   ウェハを保持するウェハ保持部材と、上記反応室内に収
   納され、かつ上記ウェハに反応ガスを供給する反応ガス
   供給部とを備えた半導体製造装置において、 上記ウェハ保持部材として、上記反応室の内，外を連通
   する連通孔に挿通されて、上記ウェハの表面方向に進退
   自在となり、先端に押圧子を有するロッドと、一端が上
   記連通孔の周縁に接続され、他端が上記ロッドの外周に
   接続されて、上記ウェハ方向に伸縮自在となった筒状の
   ベローズとから構成し、 上記ロッドをウェハから離れる方向に引いてから、上記
   ウェハを保持する時にこのロッドを解放する制御部材
   と、上記反応室内を排気する反応ガス排気部と、反応室
   内の圧力を調整する圧力制御器とを備えることを特徴と
   する半導体製造装置。
2. 【請求項２】 反応室と、この反応室内に位置されるウ
   ェハ加熱源と、このウェハ加熱源の上に位置決めされる
   ウェハを保持するウェハ保持部材と、上記反応室内に収
   納され、かつ上記ウェハに反応ガスを供給する反応ガス
   供給部とを備えた半導体製造装置において、 上記ウェハ保持部材として、上記反応室の内，外を連通
   する連通孔に挿通されて、上記ウェハの表面方向に進退
   自在となり、先端に押圧子を有するロッドと、一端が上
   記連通孔の周縁に接続され、他端が上記ロッドの外周に
   接続されて、上記ウェハ方向に伸縮自在となった筒状の
   ベローズとから構成し、上記ウェハをウェハ加熱源の下
   面に位置させ、このウェハを押圧子で下から押圧して保
   持するようロッドの先端を上向きとし、ロッドの自重
   が、ウェハの押圧力を低減するように構成し、 上記ロッドをウェハから離れる方向に引いてから、上記
   ウェハを保持する時にこのロッドを解放する制御部材
   と、上記反応室内を排気する反応ガス排気部と、反応室
   内の圧力を調整する圧力制御器とを備えたことを特徴と
   する半導体製造装置。
3. 【請求項３】 ロッドにはウエイトを取付けたことを特
   徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
4. 【請求項４】 ロッドに取付けられたウエイトに、この
   ウエイトより軽量の微調整用ウエイトを取付けるように
   したことを特徴とする請求項３記載の半導体製造装置。
5. 【請求項５】 ウェハの押圧力を調整するばねをロッド
   の外周に設けたことを特徴とする請求項２記載の半導体
   製造装置。
6. 【請求項６】 連通孔の外側に、隔壁で形成される圧力
   室を設け、この圧力室にガス供給器と、圧力調整器とを
   接続して、圧力室内の圧力でウェハの押圧力を調整可能
   としたことを特徴とする請求項２記載の半導体製造装
   置。
7. 【請求項７】 連通孔の外側の周縁と上記連通孔より外
   側に突出したロッドの後端との間に筒状のベローズを設
   けることにより、連通孔の外側に圧力室を設け、この圧
   力室に、ガス供給器と、圧力調整器とを接続して、この
   圧力室内の圧力でウェハの押圧力を調整可能としたこと
   を特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。