JP3229035B2 - シリコンウエハーの切断方法 - Google Patents
シリコンウエハーの切断方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面に半導体素子の多
数個を形成したシリコンウエハーを、前記半導体体素子
ごとに切断する方法に関するものである。
数個を形成したシリコンウエハーを、前記半導体体素子
ごとに切断する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体素子の製造に際しては、
例えば、特開昭５３−３６４６３号公報等に記載されて
いるように、その複数個を一枚シリコンウエハーの表面
に形成したのち、このシリコンウエハーを、前記各半導
体素子の相互間における各縦切断線及び各横切断線に沿
って回転式のダイシングブレードによる切削にて切断す
ることによって、各半導体素子ごとに分離すると言うよ
うにしている。
例えば、特開昭５３−３６４６３号公報等に記載されて
いるように、その複数個を一枚シリコンウエハーの表面
に形成したのち、このシリコンウエハーを、前記各半導
体素子の相互間における各縦切断線及び各横切断線に沿
って回転式のダイシングブレードによる切削にて切断す
ることによって、各半導体素子ごとに分離すると言うよ
うにしている。
【０００３】そして、シリコンウエハーを各半導体素子
ごとに切断するに際して、従来は、ダイシングブレード
による切断の方向を各縦切断線と平行な方向にして、各
縦切断線に沿って適宜の切断速度（ダイシングブレード
を、縦切断線又は横切断線に沿って切断しながら移動す
るときの速度）で切断し、次いで、ダイシングブレード
による切断の方向を９０度振り替えて各横切断線と平行
な方向にして、各横切断線に沿って前記と同じ切断速度
で切断するようにしている。すなわち、シリコンウエハ
ーを各半導体素子ごとに切断するに際しては、最初に各
縦切断線又は各横切断線に沿って切断することと、これ
に次いで各横切断線又は縦切断線に沿って切断すること
とを、同じ切断速度で行うようにしている。
ごとに切断するに際して、従来は、ダイシングブレード
による切断の方向を各縦切断線と平行な方向にして、各
縦切断線に沿って適宜の切断速度（ダイシングブレード
を、縦切断線又は横切断線に沿って切断しながら移動す
るときの速度）で切断し、次いで、ダイシングブレード
による切断の方向を９０度振り替えて各横切断線と平行
な方向にして、各横切断線に沿って前記と同じ切断速度
で切断するようにしている。すなわち、シリコンウエハ
ーを各半導体素子ごとに切断するに際しては、最初に各
縦切断線又は各横切断線に沿って切断することと、これ
に次いで各横切断線又は縦切断線に沿って切断すること
とを、同じ切断速度で行うようにしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シリコンウ
エハーを、ダイシングブレードにて最初に各縦切断線又
は各切断目線に沿って切断する場合において、ダイシン
グブレードがシリコンウエハーに対して及ぼす衝撃は、
各縦切断線又は各横切断線に沿って切断したあとにおい
て各横切断線又は各縦切断線に沿って切断するときにお
いてシリコンウエハーに及ぼす衝撃よりも遙かに大きく
て、その間に大きい共振が発生するばかりか、大きい摩
擦が発生するから、シリコンウエハーにおける各半導体
素子に亀裂が多発し、特に、メサ型半導体素子の場合に
は、メサ溝内におけるガラス層を損傷することが多発し
て、半導体素子の歩留り率が低下することになる。
エハーを、ダイシングブレードにて最初に各縦切断線又
は各切断目線に沿って切断する場合において、ダイシン
グブレードがシリコンウエハーに対して及ぼす衝撃は、
各縦切断線又は各横切断線に沿って切断したあとにおい
て各横切断線又は各縦切断線に沿って切断するときにお
いてシリコンウエハーに及ぼす衝撃よりも遙かに大きく
て、その間に大きい共振が発生するばかりか、大きい摩
擦が発生するから、シリコンウエハーにおける各半導体
素子に亀裂が多発し、特に、メサ型半導体素子の場合に
は、メサ溝内におけるガラス層を損傷することが多発し
て、半導体素子の歩留り率が低下することになる。
【０００５】従って、最初に各縦切断線又は各横切断線
に沿って切断するときの切断速度と、これに次いで各横
切断線又は各縦切断線に沿って切断するときの切断速度
とを同じにすると言う従来の切断方法では、半導体素子
の歩留り率の低下を防止するために、最初における切断
速度が遅いと、これに次いでの切断速度も遅くなること
により、全ての切断を完了するまでに要する時間が長く
なるから、作業能率が低くて、切断に要するコストの大
幅なアップの招来することになり、また、作業能率を高
くすることのために、最初における切断速度を速くする
と、半導体素子の歩留り率が低下すると言う問題があっ
た。
に沿って切断するときの切断速度と、これに次いで各横
切断線又は各縦切断線に沿って切断するときの切断速度
とを同じにすると言う従来の切断方法では、半導体素子
の歩留り率の低下を防止するために、最初における切断
速度が遅いと、これに次いでの切断速度も遅くなること
により、全ての切断を完了するまでに要する時間が長く
なるから、作業能率が低くて、切断に要するコストの大
幅なアップの招来することになり、また、作業能率を高
くすることのために、最初における切断速度を速くする
と、半導体素子の歩留り率が低下すると言う問題があっ
た。
【０００６】本発明は、シリコンウエハーの切断に際し
て各半導体素子に発生する亀裂は、主として、シリコン
ウエハーを最初に各縦切断線又は横切断線に沿って切断
するときにおいて発生し、次いで、前記各縦切断線又は
横切断線に交差する横切断線又は縦切断線に沿って切断
するときには亀裂の発生はきわめて少ないことに着目
し、このことを利用して、前記従来の方法が有する問題
を解消できる切断方法を提供することを技術的課題とす
るものである。
て各半導体素子に発生する亀裂は、主として、シリコン
ウエハーを最初に各縦切断線又は横切断線に沿って切断
するときにおいて発生し、次いで、前記各縦切断線又は
横切断線に交差する横切断線又は縦切断線に沿って切断
するときには亀裂の発生はきわめて少ないことに着目
し、このことを利用して、前記従来の方法が有する問題
を解消できる切断方法を提供することを技術的課題とす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため本発明は、「半導体素子の多数個を形成したシリ
コンウエハーを、回転式のダイシングブレードにて、前
記各半導体素子間の各縦切断線又は各横切断線に沿って
切断し、次いで、前記各縦切断線又は横切断線に交差す
る各横切断線又は各縦切断線に沿って切断するようにし
た切断方法において、前記最初に各縦切断線又は横切断
線に沿って切断するときの切断速度を遅くする一方、こ
れに次いで各横切断線又は縦切断線に沿って切断すると
きの切断速度を速くする。」ことにした。
るため本発明は、「半導体素子の多数個を形成したシリ
コンウエハーを、回転式のダイシングブレードにて、前
記各半導体素子間の各縦切断線又は各横切断線に沿って
切断し、次いで、前記各縦切断線又は横切断線に交差す
る各横切断線又は各縦切断線に沿って切断するようにし
た切断方法において、前記最初に各縦切断線又は横切断
線に沿って切断するときの切断速度を遅くする一方、こ
れに次いで各横切断線又は縦切断線に沿って切断すると
きの切断速度を速くする。」ことにした。
【０００８】
【作 用】このように、シリコンウエハーを最初に各
縦切断線又は横切断線に沿って切断するときの切断速度
を遅くしたことにより、各半導体素子に発生する亀裂を
大幅に低減できる一方、シリコンウエハーを、次いで、
前記各縦切断線又は横切断線に交差する各横切断線又は
縦切断線に沿って切断するときの切断速度を速くしたこ
とにより、前記最初の切断速度を遅くしたことによる遅
れを、各半導体素子に発生する亀裂を大幅に低減できる
状態のもとで、取り戻すことができるから、全ての切断
を完了するまでに要する時間が長くなることを防止でき
る。
縦切断線又は横切断線に沿って切断するときの切断速度
を遅くしたことにより、各半導体素子に発生する亀裂を
大幅に低減できる一方、シリコンウエハーを、次いで、
前記各縦切断線又は横切断線に交差する各横切断線又は
縦切断線に沿って切断するときの切断速度を速くしたこ
とにより、前記最初の切断速度を遅くしたことによる遅
れを、各半導体素子に発生する亀裂を大幅に低減できる
状態のもとで、取り戻すことができるから、全ての切断
を完了するまでに要する時間が長くなることを防止でき
る。
【０００９】
【発明の効果】従って、本発明によると、シリコンウエ
ハーを各半導体素子ごとに切断するに際して、その作業
能率の向上すると半導体素子の歩留り率が低下し、半導
体素子の歩留り率を高くすると作業能率が低下とすると
言う問題を解消できる効果を有する。
ハーを各半導体素子ごとに切断するに際して、その作業
能率の向上すると半導体素子の歩留り率が低下し、半導
体素子の歩留り率を高くすると作業能率が低下とすると
言う問題を解消できる効果を有する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の実施例を、メサ型の半導体素
子に適用した場合の図面ついて説明する。図１におい
て、符号Ａは、表面にメサ型の半導体素子１の多数個を
形成したシリコンウエハーを示し、このシリコンウエハ
ーＡは、軟質合成樹脂製のウエハーシートＢの上面に貼
着されている。
子に適用した場合の図面ついて説明する。図１におい
て、符号Ａは、表面にメサ型の半導体素子１の多数個を
形成したシリコンウエハーを示し、このシリコンウエハ
ーＡは、軟質合成樹脂製のウエハーシートＢの上面に貼
着されている。
【００１１】なお、このシリコンウエハーＡにおいて、
符号２は、当該シリコンウエハーＡを各半導体素子１ご
とに切断するための縦切断線Ａ１及び横切断線Ａ２に沿
って延びるメサ溝を、符号３は、このメサ溝２内に形成
したガラス層を、符号４は、各半導体素子１の上面に形
成したアノード側電極メタル層を、符号５は、シリコン
ウエハーＡの下面に形成したカソード側電極メタル層を
各々示す。
符号２は、当該シリコンウエハーＡを各半導体素子１ご
とに切断するための縦切断線Ａ１及び横切断線Ａ２に沿
って延びるメサ溝を、符号３は、このメサ溝２内に形成
したガラス層を、符号４は、各半導体素子１の上面に形
成したアノード側電極メタル層を、符号５は、シリコン
ウエハーＡの下面に形成したカソード側電極メタル層を
各々示す。
【００１２】そして、前記シリコンウエハーＡを、先
づ、図３に示すように、前記各半導体素子１の相互間に
おける各縦切断線Ａ1 に沿って回転式のダイシングブレ
ードＣを適宜速度Ｖ1 で移動することにより、当該ダイ
シングブレードＣの切削にて切断する。なお、この縦切
断線Ａ1 に沿っての切断溝を符号Ａ1 ′で示す。次い
で、図４に示すように、前記ダイシングブレードＣによ
る切断方向を９０度振り替える。この振り替えは、シリ
コンウエハーＡを基準に、ダイシングブレードＣの方を
９０度だけ旋回移動するか、或いは、ダイシングブレー
ドＣを基準に、シリコンウエハーＡの方を９０度だけ旋
回することによって行う。
づ、図３に示すように、前記各半導体素子１の相互間に
おける各縦切断線Ａ1 に沿って回転式のダイシングブレ
ードＣを適宜速度Ｖ1 で移動することにより、当該ダイ
シングブレードＣの切削にて切断する。なお、この縦切
断線Ａ1 に沿っての切断溝を符号Ａ1 ′で示す。次い
で、図４に示すように、前記ダイシングブレードＣによ
る切断方向を９０度振り替える。この振り替えは、シリ
コンウエハーＡを基準に、ダイシングブレードＣの方を
９０度だけ旋回移動するか、或いは、ダイシングブレー
ドＣを基準に、シリコンウエハーＡの方を９０度だけ旋
回することによって行う。
【００１３】この状態で、シリコンウエハーＡを、前記
各半導体素子１の相互間における各横切断線Ａ2 に沿っ
て回転式のダイシングブレードＣを適宜速度Ｖ2 で移動
することにより、当該ダイシングブレードＣの切削にて
切断して、各半導体素子１ごとに分離する。なお、この
横切断線Ａ2 に沿っての切断溝を符号Ａ2 ′で示す。こ
の場合において、従来は、ダイシングブレードＣの縦切
断線Ａ1 に沿って移動速度、つまり、縦切断線Ａ1 に沿
っての切断速度Ｖ1 と、ダイシングブレードＣの横切断
線Ａ2 に沿って移動速度、つまり、横切断線Ａ2 に沿っ
ての切断速度Ｖ2 とを、共に４５〜５０ｍｍ／秒にして
いた。
各半導体素子１の相互間における各横切断線Ａ2 に沿っ
て回転式のダイシングブレードＣを適宜速度Ｖ2 で移動
することにより、当該ダイシングブレードＣの切削にて
切断して、各半導体素子１ごとに分離する。なお、この
横切断線Ａ2 に沿っての切断溝を符号Ａ2 ′で示す。こ
の場合において、従来は、ダイシングブレードＣの縦切
断線Ａ1 に沿って移動速度、つまり、縦切断線Ａ1 に沿
っての切断速度Ｖ1 と、ダイシングブレードＣの横切断
線Ａ2 に沿って移動速度、つまり、横切断線Ａ2 に沿っ
ての切断速度Ｖ2 とを、共に４５〜５０ｍｍ／秒にして
いた。
【００１４】これに対して、本発明は、縦切断線Ａ1 に
沿っての切断速度Ｖ1 を、例えば、３０ｍｍ／秒と言う
ように遅くする一方、横切断線Ａ2 に沿っての切断速度
Ｖ2、例えば、６０ｍｍ／秒と言うように速くするので
ある。このように、シリコンウエハーＡを最初に各縦切
断線Ａ1 に沿って切断するときの切断速度Ｖ1 を、３０
ｍｍ／秒と言うように遅くしたことにより、各半導体素
子１に亀裂が発生すること、及びメサ溝２内のガラス層
３に損傷が発生することを、最初の切断速度を従来のよ
うに４５〜５０ｍｍ／秒にした場合よりも、大幅に低減
できる一方、シリコンウエハーＡを、前記に次いで各横
切断線Ａ2 に沿って切断するときの切断速度Ｖ2 を、６
０ｍｍ／秒と言うように速くしたことにより、最初の切
断速度を遅くしたことによる遅れを取り戻すことができ
るから、全ての切断を完了するまでに要する時間が、最
初の切断と次の切断とを同じ速度の４５〜５０ｍｍ／秒
で行う場合よりも長くなることを確実に防止できるので
ある。
沿っての切断速度Ｖ1 を、例えば、３０ｍｍ／秒と言う
ように遅くする一方、横切断線Ａ2 に沿っての切断速度
Ｖ2、例えば、６０ｍｍ／秒と言うように速くするので
ある。このように、シリコンウエハーＡを最初に各縦切
断線Ａ1 に沿って切断するときの切断速度Ｖ1 を、３０
ｍｍ／秒と言うように遅くしたことにより、各半導体素
子１に亀裂が発生すること、及びメサ溝２内のガラス層
３に損傷が発生することを、最初の切断速度を従来のよ
うに４５〜５０ｍｍ／秒にした場合よりも、大幅に低減
できる一方、シリコンウエハーＡを、前記に次いで各横
切断線Ａ2 に沿って切断するときの切断速度Ｖ2 を、６
０ｍｍ／秒と言うように速くしたことにより、最初の切
断速度を遅くしたことによる遅れを取り戻すことができ
るから、全ての切断を完了するまでに要する時間が、最
初の切断と次の切断とを同じ速度の４５〜５０ｍｍ／秒
で行う場合よりも長くなることを確実に防止できるので
ある。
【００１５】なお、前記実施例は一つのダイシングブレ
ードＣについて、最初に各縦切断線Ａ1 に沿って切断
し、これに次いで各横切断線Ａ2 に沿って切断する場合
を示したが、本発明はこれに限らず、最初に各横切断線
Ａ2 に沿って切断し、これに次いで各縦切断線Ａ1 に沿
って切断するようにするか、各縦切断線Ａ1 に沿っての
切断と、各横切断線Ａ2 に沿っての切断とを別々のダイ
シングブレードにて行うようにしても良いことは言うま
でもない。
ードＣについて、最初に各縦切断線Ａ1 に沿って切断
し、これに次いで各横切断線Ａ2 に沿って切断する場合
を示したが、本発明はこれに限らず、最初に各横切断線
Ａ2 に沿って切断し、これに次いで各縦切断線Ａ1 に沿
って切断するようにするか、各縦切断線Ａ1 に沿っての
切断と、各横切断線Ａ2 に沿っての切断とを別々のダイ
シングブレードにて行うようにしても良いことは言うま
でもない。
【図１】シリコンウエハーをウエハーシートに貼着した
状態を示す斜視図である。
状態を示す斜視図である。
【図２】図１のII−II視拡大断面図である。
【図３】シリコンウエハーを各縦切断線に沿って切断し
た状態を示す斜視図である。
た状態を示す斜視図である。
【図４】シリコンウエハーを各横切断線に沿って切断し
た状態を示す斜視図である。
た状態を示す斜視図である。
Ａ シリコンウエハー Ａ1 縦切断線 Ａ2 横切断線 Ｂ ウエハーシート Ｃ ダイシングブレード １ 半導体素子 ２ メサ溝 ３ ガラス層
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子の多数個を形成したシリコンウ
エハーを、回転式のダイシングブレードにて、前記各半
導体素子間の各縦切断線又は各横切断線に沿って切断
し、次いで、前記各縦切断線又は横切断線に交差する各
横切断線又は各縦切断線に沿って切断するようにした切
断方法において、前記 最初に各縦切断線又は横切断線に沿って切断すると
きの切断速度を遅くする一方、これに次いで各横切断線
又は縦切断線に沿って切断するときの切断速度を速くし
たことを特徴とするシリコンウエハーの切断方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25654892A JP3229035B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | シリコンウエハーの切断方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25654892A JP3229035B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | シリコンウエハーの切断方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112311A JPH06112311A (ja) | 1994-04-22 |
| JP3229035B2 true JP3229035B2 (ja) | 2001-11-12 |
Family
ID=17294174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25654892A Expired - Fee Related JP3229035B2 (ja) | 1992-09-25 | 1992-09-25 | シリコンウエハーの切断方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3229035B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016162973A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Ｔｏｗａ株式会社 | 製造装置及び製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107180790B (zh) * | 2017-06-29 | 2020-07-17 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种晶圆切割时间计算方法及装置 |
-
1992
- 1992-09-25 JP JP25654892A patent/JP3229035B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016162973A (ja) * | 2015-03-04 | 2016-09-05 | Ｔｏｗａ株式会社 | 製造装置及び製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06112311A (ja) | 1994-04-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |